JP6431159B2 - Substrate cleaning device - Google Patents

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JP6431159B2 JP2017203256A JP2017203256A JP6431159B2 JP 6431159 B2 JP6431159 B2 JP 6431159B2 JP 2017203256 A JP2017203256 A JP 2017203256A JP 2017203256 A JP2017203256 A JP 2017203256A JP 6431159 B2 JP6431159 B2 JP 6431159B2
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本発明は、ウェーハなどの基板に洗浄液を供給しながら基板をロール洗浄具で洗浄する基板洗浄装置に関する。本発明の基板洗浄装置及び基板洗浄方法は、直径300mmのウェーハのみならず、直径450mmのウェーハの洗浄にも適用でき、さらにはフラットパネル製造工程やCMOSやCCDなどのイメージセンサー製造工程、MRAMの磁性膜製造工程などにも適用することが可能である。   The present invention relates to a substrate cleaning apparatus that cleans a substrate with a roll cleaning tool while supplying a cleaning liquid to a substrate such as a wafer. The substrate cleaning apparatus and the substrate cleaning method of the present invention can be applied not only to a wafer having a diameter of 300 mm but also to a wafer having a diameter of 450 mm, and further to a flat panel manufacturing process, an image sensor manufacturing process such as CMOS and CCD, and an MRAM. The present invention can also be applied to a magnetic film manufacturing process.

半導体デバイスの製造工程では、シリコン基板上に物性の異なる様々な膜が形成され、これら膜に様々な加工が施されることで微細な金属配線が形成される。例えば、ダマシン配線形成工程においては、膜に配線溝を形成し、この配線溝にCuなどの金属を埋め込み、その後、化学機械研磨(CMP)により余分な金属を除去することで金属配線が形成される。基板を研磨した後は、通常、基板洗浄装置によって基板が洗浄される。基板の洗浄は、基板を水平に回転させ、かつ薬液などの洗浄液を供給ノズルから基板に供給しながら、ロールスポンジなどのロール洗浄具を基板に摺接させることによって行われる。   In the manufacturing process of a semiconductor device, various films having different physical properties are formed on a silicon substrate, and fine metal wiring is formed by applying various processes to these films. For example, in a damascene wiring formation process, a wiring groove is formed in a film, a metal such as Cu is embedded in the wiring groove, and then a metal wiring is formed by removing excess metal by chemical mechanical polishing (CMP). The After polishing the substrate, the substrate is usually cleaned by a substrate cleaning apparatus. The substrate is cleaned by rotating the substrate horizontally and bringing a roll cleaning tool such as a roll sponge into sliding contact with the substrate while supplying a cleaning solution such as a chemical solution from the supply nozzle to the substrate.

特開2010−278103号公報JP 2010-278103 A

洗浄液の存在下でロール洗浄具により基板をこすり洗いすると、パーティクルなどの洗浄屑が発生し、結果として基板上には洗浄屑を含む洗浄液が存在する。このような洗浄液は、できるだけ速やかに基板から排出することが望ましい。しかしながら、基板は水平に回転しているため、遠心力で洗浄液が基板から除去されるにはある程度の時間がかかる。基板上の洗浄液は、基板の回転に伴って再びロール洗浄具に接触し、その後、供給ノズルから供給された新たな洗浄液によって基板の中心側に押し戻されてしまう。このため、洗浄屑を含んだ洗浄液は基板上に長い間残留し、基板に新たに供給された洗浄液を希釈することとなり、結果として洗浄効率を低下させていた。   When the substrate is rubbed with a roll cleaning tool in the presence of the cleaning liquid, cleaning waste such as particles is generated, and as a result, the cleaning liquid containing the cleaning waste exists on the substrate. It is desirable to discharge such cleaning liquid from the substrate as soon as possible. However, since the substrate rotates horizontally, it takes some time for the cleaning liquid to be removed from the substrate by centrifugal force. The cleaning liquid on the substrate comes into contact with the roll cleaning tool again as the substrate rotates, and is then pushed back toward the center of the substrate by the new cleaning liquid supplied from the supply nozzle. For this reason, the cleaning liquid containing the cleaning waste remains on the substrate for a long time, diluting the cleaning liquid newly supplied to the substrate, resulting in a decrease in cleaning efficiency.

本発明は、上述した従来の問題点を解決するためになされたもので、ロール洗浄具による洗浄に使用された洗浄液を速やかにウェーハなどの基板から除去することができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and provides a substrate cleaning apparatus capable of quickly removing a cleaning liquid used for cleaning by a roll cleaning tool from a substrate such as a wafer. With the goal.

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を保持する基板保持部と、前記基板の上面上の第1の領域に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、前記洗浄液の存在下で前記基板の上面に摺接することで前記基板を洗浄するロール洗浄具と、前記洗浄液供給ノズルが前記洗浄液を前記第1の領域に供給しているときに、前記基板の上面上の第2の領域に純水を供給して、前記ロール洗浄具の長手方向に沿った流れを前記第2の領域に形成する純水供給ノズルとを備え、前記純水供給ノズルは前記ロール洗浄具に隣接して配置されており、前記第2の領域は、前記ロール洗浄具に関して前記第1の領域の反対側に位置しており、前記純水の供給方向は、前記基板の中心側から外周側に向かう方向であることを特徴とする基板洗浄装置である。
本発明の好ましい態様は、前記ロール洗浄具を前記基板に対して近接させる昇降駆動機構と、前記昇降駆動機構の上下方向の動きをガイドするガイドレールと、をさらに備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above-described object, one embodiment of the present invention includes a substrate holding unit that holds a substrate, a cleaning liquid supply nozzle that supplies a cleaning liquid to a first region on the upper surface of the substrate, and the presence of the cleaning liquid. A roll cleaning tool that cleans the substrate by sliding contact with the upper surface of the substrate, and a second cleaning liquid supply nozzle on the upper surface of the substrate when the cleaning liquid supply nozzle supplies the cleaning liquid to the first region . A pure water supply nozzle that supplies pure water to the region and forms a flow along a longitudinal direction of the roll cleaning tool in the second region, and the pure water supply nozzle is adjacent to the roll cleaning tool. The second region is located on the opposite side of the first region with respect to the roll cleaning tool, and the supply direction of the pure water is from the center side of the substrate toward the outer peripheral side. Substrate cleaning apparatus characterized by A.
In a preferred aspect of the present invention, the apparatus further comprises an elevating drive mechanism that brings the roll cleaning tool close to the substrate, and a guide rail that guides the vertical movement of the elevating drive mechanism.

本発明の一態様は、基板を保持する基板保持部と、前記基板の上面に洗浄液を供給する第1洗浄液供給ノズルと、前記洗浄液の存在下で前記基板の上面に摺接することで前記基板の上面を洗浄する第1ロール洗浄具と、前記第1洗浄液供給ノズルが前記洗浄液を前記基板の上面に供給しているときに、前記第1ロール洗浄具の長手方向に沿って前記基板の上面に純水を供給して、純水の流れを形成する純水供給ノズルと、前記基板の下面に洗浄液を供給する第2洗浄液供給ノズルと、前記洗浄液の存在下で前記基板の下面に摺接することで前記基板の下面を洗浄する第2ロール洗浄具と、を備え、前記純水供給ノズルは、前記第1ロール洗浄具に関して前記第1洗浄液供給ノズルとは反対側に位置していることを特徴とする基板洗浄装置である。 One embodiment of the present invention includes a substrate holding unit that holds a substrate, a first cleaning liquid supply nozzle that supplies a cleaning liquid to the upper surface of the substrate, and a sliding contact with the upper surface of the substrate in the presence of the cleaning liquid. When the first roll cleaning tool for cleaning the upper surface and the first cleaning liquid supply nozzle supply the cleaning liquid to the upper surface of the substrate, the upper surface of the substrate is aligned along the longitudinal direction of the first roll cleaning tool. A pure water supply nozzle that supplies pure water to form a flow of pure water; a second cleaning liquid supply nozzle that supplies a cleaning liquid to the lower surface of the substrate; and a sliding contact with the lower surface of the substrate in the presence of the cleaning liquid. And a second roll cleaning tool for cleaning the lower surface of the substrate , wherein the pure water supply nozzle is located on the opposite side of the first cleaning liquid supply nozzle with respect to the first roll cleaning tool. It is a substrate cleaning device .

本発明の一態様は、基板を傾斜させた状態で前記基板を保持する基板保持部と、前記基板の上面上に薬液を供給する薬液供給ノズルと、前記薬液の存在下で前記基板の上面に摺接することで前記基板を洗浄するロール洗浄具と、前記薬液供給ノズルが前記薬液を前記基板に供給しているときに、前記基板の上面上に純水を供給する純水供給ノズルとを備え、前記純水供給ノズルは、前記基板に摺接する前記ロール洗浄具の長手方向に沿って純水を供給するように配置されており、前記純水供給ノズルは、前記ロール洗浄具に関して前記薬液供給ノズルとは反対側に位置しており、前記薬液供給ノズルは、スリット状の液体吐出口を持つスリットノズル、または直線上に配列された複数の液体吐出口を持つ多孔ノズルであることを特徴とする基板洗浄装置である。 One embodiment of the present invention includes a substrate holding unit that holds the substrate in a state where the substrate is inclined, a chemical solution supply nozzle that supplies a chemical solution on the upper surface of the substrate, and an upper surface of the substrate in the presence of the chemical solution. A roll cleaning tool that cleans the substrate by sliding contact, and a pure water supply nozzle that supplies pure water onto the upper surface of the substrate when the chemical solution supply nozzle supplies the chemical solution to the substrate. The pure water supply nozzle is arranged to supply pure water along the longitudinal direction of the roll cleaning tool that is in sliding contact with the substrate, and the pure water supply nozzle supplies the chemical liquid with respect to the roll cleaning tool. The chemical solution supply nozzle is a slit nozzle having a slit-like liquid discharge port or a porous nozzle having a plurality of liquid discharge ports arranged in a straight line. Group A cleaning apparatus.

本発明の一参考例は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板の第1の領域に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、前記洗浄液の存在下で前記基板に摺接することで前記基板を洗浄するロール洗浄具と、前記基板の第2の領域に純水を供給する純水供給ノズルとを備え、前記第2の領域は、前記ロール洗浄具に関して前記第1の領域の反対側に位置しており、前記純水の供給方向は、前記基板の中心側から外周側に向かう方向であることを特徴とする基板洗浄装置である。   A reference example of the present invention includes a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, a cleaning liquid supply nozzle that supplies a cleaning liquid to the first region of the substrate, and a sliding contact with the substrate in the presence of the cleaning liquid. A roll cleaning tool for cleaning the substrate; and a pure water supply nozzle for supplying pure water to the second region of the substrate, wherein the second region is opposite to the first region with respect to the roll cleaning tool. The substrate cleaning apparatus is characterized in that the pure water supply direction is a direction from the center side to the outer peripheral side of the substrate.

上記参考例の好ましい態様は、前記第2の領域は、前記基板の回転方向に関して前記ロール洗浄具の下流側の領域であることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記純水の供給方向は、前記ロール洗浄具に沿って前記基板の中心側から外周側に向かう方向であることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記基板の表面に対する前記純水の供給角度は、5度から60度までの範囲内であることを特徴とする。
In a preferred aspect of the above reference example, the second region is a region on the downstream side of the roll cleaning tool with respect to the rotation direction of the substrate.
In a preferred aspect of the above reference example, the supply direction of the pure water is a direction from the center side of the substrate toward the outer peripheral side along the roll cleaning tool.
In a preferred aspect of the above reference example, the supply angle of the pure water with respect to the surface of the substrate is in the range of 5 degrees to 60 degrees.

上記参考例の好ましい態様は、前記基板の第1の領域は、前記基板の回転方向に関して前記ロール洗浄具の上流側に位置し、かつ前記ロール洗浄具に沿って直線的に延びる領域であることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記純水供給ノズルは、前記ロール洗浄具の長手方向に垂直な前記基板の中心線を横切るように純水の流れを前記基板の表面上に形成することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記基板保持部は、前記基板をその表面が傾斜した状態で保持し、回転させることを特徴とする。
In a preferred aspect of the reference example, the first region of the substrate is a region that is located on the upstream side of the roll cleaning tool with respect to the rotation direction of the substrate and that extends linearly along the roll cleaning tool. It is characterized by.
In a preferred aspect of the above reference example, the pure water supply nozzle forms a flow of pure water on the surface of the substrate so as to cross a center line of the substrate perpendicular to the longitudinal direction of the roll cleaning tool. And
In a preferred aspect of the above reference example, the substrate holding unit holds and rotates the substrate with its surface inclined.

本発明の他の参考例は、基板を保持して回転させ、前記基板の第1の領域に洗浄液を供給し、前記洗浄液の存在下でロール洗浄具を前記基板に摺接させることで前記基板を洗浄し、前記基板の洗浄中に、前記基板の第2の領域に純水を供給し、前記第2の領域は、前記ロール洗浄具に関して前記第1の領域の反対側に位置しており、前記純水の供給方向は、前記基板の中心側から外周側に向かう方向であることを特徴とする基板洗浄方法である。   In another embodiment of the present invention, the substrate is held and rotated, a cleaning liquid is supplied to the first region of the substrate, and a roll cleaning tool is slidably contacted with the substrate in the presence of the cleaning liquid. During the cleaning of the substrate, pure water is supplied to the second region of the substrate, and the second region is located on the opposite side of the first region with respect to the roll cleaning tool. The pure water supply direction is a direction from the center side to the outer periphery side of the substrate.

上記参考例の好ましい態様は、前記第2の領域は、前記基板の回転方向に関して前記ロール洗浄具の下流側の領域であることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記純水の供給方向は、前記ロール洗浄具に沿って前記基板の中心側から外周側に向かう方向であることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記基板の表面に対する前記純水の供給角度は、5度から60度までの範囲内であることを特徴とする。
In a preferred aspect of the above reference example, the second region is a region on the downstream side of the roll cleaning tool with respect to the rotation direction of the substrate.
In a preferred aspect of the above reference example, the supply direction of the pure water is a direction from the center side of the substrate toward the outer peripheral side along the roll cleaning tool.
In a preferred aspect of the above reference example, the supply angle of the pure water with respect to the surface of the substrate is in the range of 5 degrees to 60 degrees.

上記参考例の好ましい態様は、前記基板の第1の領域は、前記基板の回転方向に関して前記ロール洗浄具の上流側に位置し、かつ前記ロール洗浄具に沿って直線的に延びる領域であることを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記ロール洗浄具の長手方向に垂直な前記基板の中心線を横切るように前記純水の流れを前記基板の表面上に形成することを特徴とする。
上記参考例の好ましい態様は、前記基板をその表面が傾斜した状態で回転させることを特徴とする。
In a preferred aspect of the reference example, the first region of the substrate is a region that is located on the upstream side of the roll cleaning tool with respect to the rotation direction of the substrate and that extends linearly along the roll cleaning tool. It is characterized by.
In a preferred aspect of the above reference example, the flow of pure water is formed on the surface of the substrate so as to cross the center line of the substrate perpendicular to the longitudinal direction of the roll cleaning tool.
A preferred embodiment of the above reference example is characterized in that the substrate is rotated with its surface tilted.

本発明によれば、洗浄液は、ロール洗浄具に接触した後、純水の流れによって速やかに基板から押し流される。したがって、新たに供給された洗浄液は使用済みの洗浄液に希釈されることがなくなり、結果として、洗浄効率を上げることができる。   According to the present invention, after the cleaning liquid comes into contact with the roll cleaning tool, it is quickly pushed away from the substrate by the flow of pure water. Therefore, the newly supplied cleaning liquid is not diluted with the used cleaning liquid, and as a result, the cleaning efficiency can be increased.

本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus provided with the substrate cleaning apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2に示す基板洗浄装置の上面図である。FIG. 3 is a top view of the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 2. 純水供給ノズルの側面図である。It is a side view of a pure water supply nozzle. ウェーハを傾斜させた例を示す図である。It is a figure which shows the example which inclined the wafer. ウェーハを傾斜させた他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example which inclined the wafer. 基板洗浄装置の他の実施形態を示す上面図である。It is a top view which shows other embodiment of a board | substrate cleaning apparatus. 基板洗浄装置のさらに他の実施形態を示す上面図である。It is a top view which shows other embodiment of a board | substrate cleaning apparatus.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング10と、多数のウェーハ等の基板をストックする基板カセットが載置されるロードポート12を備えている。ロードポート12は、ハウジング10に隣接して配置されている。ロードポート12には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus including a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a substantially rectangular housing 10 and a load port 12 on which a substrate cassette for stocking substrates such as a large number of wafers is placed. The load port 12 is disposed adjacent to the housing 10. The load port 12 can be mounted with an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). SMIF and FOUP are sealed containers that can maintain an environment independent of the external space by accommodating a substrate cassette inside and covering with a partition wall.

ハウジング10の内部には、複数(この実施形態では4つ)の研磨ユニット14a〜14dと、研磨後の基板を洗浄する第1洗浄ユニット16及び第2洗浄ユニット18と、洗浄後の基板を乾燥させる乾燥ユニット20が収容されている。研磨ユニット14a〜14dは、基板処理装置の長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット16,18及び乾燥ユニット20も基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。   Inside the housing 10, a plurality of (four in this embodiment) polishing units 14a to 14d, a first cleaning unit 16 and a second cleaning unit 18 for cleaning the substrate after polishing, and a substrate after cleaning are dried. A drying unit 20 is accommodated. The polishing units 14a to 14d are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus, and the cleaning units 16, 18 and the drying unit 20 are also arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus.

ロードポート12、研磨ユニット14a、及び乾燥ユニット20に囲まれた領域には、第1基板搬送ロボット22が配置され、また研磨ユニット14a〜14dと平行に、基板搬送ユニット24が配置されている。第1基板搬送ロボット22は、研磨前の基板をロードポート12から受け取って基板搬送ユニット24に渡すとともに、乾燥後の基板を乾燥ユニット20から受け取ってロードポート12に戻す。基板搬送ユニット24は、第1基板搬送ロボット22から受け取った基板を搬送して、各研磨ユニット14a〜14dとの間で基板の受け渡しを行う。各研磨ユニットは、研磨面に研磨液(スラリー)を供給しながら、ウェーハなどの基板を研磨面に摺接させることで、基板の表面を研磨する。   In a region surrounded by the load port 12, the polishing unit 14a, and the drying unit 20, a first substrate transfer robot 22 is disposed, and a substrate transfer unit 24 is disposed in parallel with the polishing units 14a to 14d. The first substrate transfer robot 22 receives the substrate before polishing from the load port 12 and passes it to the substrate transfer unit 24, and receives the dried substrate from the drying unit 20 and returns it to the load port 12. The substrate transport unit 24 transports the substrate received from the first substrate transport robot 22 and delivers the substrate to and from each of the polishing units 14a to 14d. Each polishing unit polishes the surface of a substrate by bringing a substrate such as a wafer into sliding contact with the polishing surface while supplying a polishing liquid (slurry) to the polishing surface.

第1洗浄ユニット16と第2洗浄ユニット18の間に位置して、これらの洗浄ユニット16,18および基板搬送ユニット24の間で基板を搬送する第2基板搬送ロボット26が配置され、第2洗浄ユニット18と乾燥ユニット20との間に位置して、これらの各ユニット18,20の間で基板を搬送する第3基板搬送ロボット28が配置されている。更に、ハウジング10の内部に位置して、基板処理装置の各ユニットの動きを制御する動作制御部30が配置されている。   A second substrate transport robot 26 is disposed between the first cleaning unit 16 and the second cleaning unit 18 to transport the substrate between the cleaning units 16 and 18 and the substrate transport unit 24, and the second cleaning is performed. A third substrate transport robot 28 is disposed between the unit 18 and the drying unit 20 to transport the substrate between the units 18 and 20. Further, an operation control unit 30 that controls the movement of each unit of the substrate processing apparatus is disposed inside the housing 10.

この例では、第1洗浄ユニット16として、洗浄液の存在下で、基板の表裏両面にロールスポンジなどのロール洗浄具を擦り付けて基板を洗浄する本発明の実施形態に係る基板洗浄装置が使用されている。第2洗浄ユニット18として、ペンスポンジタイプの基板洗浄装置が使用されている。また、乾燥ユニット20として、基板を保持し、移動するノズルからIPA蒸気を噴出して基板を乾燥させ、更に高速で回転させ遠心力によって基板を乾燥させるスピン乾燥装置が使用されている。   In this example, the substrate cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention is used as the first cleaning unit 16 to clean the substrate by rubbing a roll cleaning tool such as a roll sponge on both the front and back surfaces of the substrate in the presence of the cleaning liquid. Yes. A pen sponge type substrate cleaning apparatus is used as the second cleaning unit 18. As the drying unit 20, a spin drying apparatus is used that holds a substrate, blows IPA vapor from a moving nozzle to dry the substrate, and further rotates the substrate at high speed to dry the substrate by centrifugal force.

基板は、研磨ユニット14a〜14dの少なくとも1つにより研磨される。研磨された基板は、第1洗浄ユニット16と第2洗浄ユニット18により洗浄され、さらに洗浄された基板は乾燥ユニット20により乾燥される。   The substrate is polished by at least one of the polishing units 14a to 14d. The polished substrate is cleaned by the first cleaning unit 16 and the second cleaning unit 18, and the cleaned substrate is dried by the drying unit 20.

図2は、第1洗浄ユニット(基板洗浄装置)16を示す斜視図である。図2に示すように、第1洗浄ユニット16は、ウェーハWを水平に保持して回転させる4つの保持ローラー71,72,73,74と、ウェーハWの上下面に接触する円柱状のロールスポンジ(ロール洗浄具)77,78と、これらのロールスポンジ77,78をその軸心まわりに回転させる洗浄具回転機構80,81と、ウェーハWの上面にリンス液(例えば純水)を供給する上側リンス液供給ノズル85と、ウェーハWの上面に薬液を供給する上側薬液供給ノズル87とを備えている。図示しないが、ウェーハWの下面にリンス液(例えば純水)を供給する下側リンス液供給ノズルと、ウェーハWの下面に薬液を供給する下側薬液供給ノズルが設けられている。本明細書では、薬液およびリンス液を総称して洗浄液といい、上側薬液供給ノズル87およびリンス液供給ノズル85を総称して洗浄液供給ノズルということがある。   FIG. 2 is a perspective view showing the first cleaning unit (substrate cleaning apparatus) 16. As shown in FIG. 2, the first cleaning unit 16 includes four holding rollers 71, 72, 73, and 74 that hold and rotate the wafer W horizontally, and a cylindrical roll sponge that contacts the upper and lower surfaces of the wafer W. (Roll cleaning tools) 77, 78, cleaning tool rotating mechanisms 80, 81 for rotating these roll sponges 77, 78 about their axes, and an upper side for supplying a rinsing liquid (for example, pure water) to the upper surface of the wafer W A rinse liquid supply nozzle 85 and an upper chemical liquid supply nozzle 87 for supplying a chemical liquid to the upper surface of the wafer W are provided. Although not shown, a lower rinsing liquid supply nozzle that supplies a rinsing liquid (for example, pure water) to the lower surface of the wafer W and a lower chemical liquid supply nozzle that supplies a chemical liquid to the lower surface of the wafer W are provided. In the present specification, the chemical liquid and the rinse liquid are collectively referred to as a cleaning liquid, and the upper chemical liquid supply nozzle 87 and the rinse liquid supply nozzle 85 are sometimes collectively referred to as a cleaning liquid supply nozzle.

保持ローラー71,72,73,74は図示しない駆動機構(例えばエアシリンダ)によって、ウェーハWに近接および離間する方向に移動可能となっている。4つの保持ローラーのうちの2つの保持ローラー71,74は、基板回転機構75に連結されており、これら保持ローラー71,74は基板回転機構75によって同じ方向に回転されるようになっている。4つの保持ローラー71,72,73,74がウェーハWを保持した状態で、2つの保持ローラー71,74が回転することにより、ウェーハWはその軸心まわりに回転する。本実施形態では、ウェーハWを保持して回転させる基板保持部は、保持ローラー71,72,73,74と基板回転機構75から構成される。   The holding rollers 71, 72, 73, 74 can be moved in the direction of approaching and separating from the wafer W by a driving mechanism (for example, an air cylinder) (not shown). Of the four holding rollers, two holding rollers 71 and 74 are connected to a substrate rotating mechanism 75, and these holding rollers 71 and 74 are rotated in the same direction by the substrate rotating mechanism 75. With the four holding rollers 71, 72, 73 and 74 holding the wafer W, the two holding rollers 71 and 74 rotate to rotate the wafer W around its axis. In the present embodiment, the substrate holding unit that holds and rotates the wafer W includes the holding rollers 71, 72, 73, and 74 and the substrate rotating mechanism 75.

上側のロールスポンジ77を回転させる洗浄具回転機構80は、その上下方向の動きをガイドするガイドレール89に取り付けられている。また、この洗浄具回転機構80は昇降駆動機構82に支持されており、洗浄具回転機構80および上側のロールスポンジ77は昇降駆動機構82により上下方向に移動されるようになっている。なお、図示しないが、下側のロールスポンジ78を回転させる洗浄具回転機構81もガイドレールに支持されており、昇降駆動機構によって洗浄具回転機構81および下側のロールスポンジ78が上下動するようになっている。昇降駆動機構としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが使用される。ウェーハWの洗浄時には、ロールスポンジ77,78は互いに近接する方向に移動してウェーハWの上下面に接触する。ロール洗浄具として、ロールスポンジに代えて、ロールブラシが使用されることもある。   A cleaning tool rotating mechanism 80 that rotates the upper roll sponge 77 is attached to a guide rail 89 that guides the vertical movement thereof. The cleaning tool rotating mechanism 80 is supported by an elevating drive mechanism 82, and the cleaning tool rotating mechanism 80 and the upper roll sponge 77 are moved up and down by the elevating drive mechanism 82. Although not shown, the cleaning tool rotating mechanism 81 for rotating the lower roll sponge 78 is also supported by the guide rail so that the cleaning tool rotating mechanism 81 and the lower roll sponge 78 are moved up and down by the lift drive mechanism. It has become. As the lifting drive mechanism, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. At the time of cleaning the wafer W, the roll sponges 77 and 78 move in directions close to each other and come into contact with the upper and lower surfaces of the wafer W. As a roll cleaning tool, a roll brush may be used instead of the roll sponge.

図3は、図2に示す基板洗浄装置の上面図である。保持ローラー71,72,73,74によって保持されたウェーハWの上方には、ウェーハWの上面に純水を供給するための純水供給ノズル88が配置されている。純水供給ノズル88は、ロールスポンジ77に隣接して配置されており、ウェーハWの中心側から外周側に向かって純水を供給するように配置されている。すなわち、純水供給ノズル88から供給された純水は、ロールスポンジ77に沿ってウェーハW上をその中心側から外周側に向かって流れる。   FIG. 3 is a top view of the substrate cleaning apparatus shown in FIG. A pure water supply nozzle 88 for supplying pure water to the upper surface of the wafer W is disposed above the wafer W held by the holding rollers 71, 72, 73, 74. The pure water supply nozzle 88 is disposed adjacent to the roll sponge 77 and is disposed so as to supply pure water from the center side of the wafer W toward the outer peripheral side. That is, the pure water supplied from the pure water supply nozzle 88 flows on the wafer W along the roll sponge 77 from the center side toward the outer peripheral side.

純水供給ノズル88は、ロールスポンジ77に関して薬液供給ノズル87およびリンス液供給ノズル85(すなわち、洗浄液供給ノズル)の反対側に配置されている。図3に示すように、薬液およびリンス液(すなわち洗浄液)は、回転しているウェーハWの上面上の第1の領域R1に供給され、純水は第2の領域R2に供給される。第1の領域R1および第2の領域R2は、ロールスポンジ77の両側に位置する2つの領域として定義される。すなわち、第2の領域R2は、ロールスポンジ77に関して第1の領域R1の反対側に位置している。   The pure water supply nozzle 88 is disposed on the opposite side of the chemical sponge supply nozzle 87 and the rinse liquid supply nozzle 85 (that is, the cleaning liquid supply nozzle) with respect to the roll sponge 77. As shown in FIG. 3, the chemical solution and the rinse solution (that is, the cleaning solution) are supplied to the first region R1 on the upper surface of the rotating wafer W, and the pure water is supplied to the second region R2. The first region R1 and the second region R2 are defined as two regions located on both sides of the roll sponge 77. That is, the second region R2 is located on the opposite side of the first region R1 with respect to the roll sponge 77.

ウェーハWの第1の領域R1に供給された薬液およびリンス液は、ウェーハWの回転に伴ってロールスポンジ77に接触し、その後、第2の領域R2に移送される。この第2の領域R2に移送された薬液およびリンス液は、ウェーハWのスクラブ洗浄によって発生したパーティクルなどの洗浄屑を含んでいる。純水供給ノズル88から供給される純水は、第2の領域R2内にウェーハWの外側へ向かう流れを形成し、この流れが薬液およびリンス液をウェーハWから押し流す。したがって、ウェーハWのスクラブ洗浄に使用された薬液およびリンス液(すなわち洗浄液)は純水によって速やかにウェーハWから除去され、薬液およびリンス液による洗浄効果を向上することができる。さらに、ロールスポンジ77内に蓄積される洗浄屑の量が低減されるので、ロールスポンジ77の寿命を飛躍的に伸ばすことができる。   The chemical liquid and the rinsing liquid supplied to the first region R1 of the wafer W come into contact with the roll sponge 77 as the wafer W rotates, and then transferred to the second region R2. The chemical liquid and the rinsing liquid transferred to the second region R2 include cleaning waste such as particles generated by scrub cleaning of the wafer W. The pure water supplied from the pure water supply nozzle 88 forms a flow toward the outside of the wafer W in the second region R2, and this flow pushes the chemical solution and the rinsing solution from the wafer W. Therefore, the chemical liquid and the rinse liquid (that is, the cleaning liquid) used for scrub cleaning of the wafer W are quickly removed from the wafer W by pure water, and the cleaning effect by the chemical liquid and the rinse liquid can be improved. Furthermore, since the amount of cleaning waste accumulated in the roll sponge 77 is reduced, the life of the roll sponge 77 can be greatly extended.

図4は、純水供給ノズル88の側面図である。図4に示すように、純水供給ノズル88は、ウェーハWの表面に対して傾いている。純水の供給角度(図4では記号αで示す)はある程度小さいことが好ましい。これは、ウェーハWに衝突したときに純水が飛び散ることを防ぐため、およびウェーハWの外側に向かって純水の強い流れを形成するためである。具体的には、ウェーハWの表面に対する純水の供給角度は、5度以上かつ60度以下であることが好ましい。より好ましい供給角度は5度以上かつ30度以下である。   FIG. 4 is a side view of the pure water supply nozzle 88. As shown in FIG. 4, the pure water supply nozzle 88 is inclined with respect to the surface of the wafer W. The pure water supply angle (indicated by symbol α in FIG. 4) is preferably small to some extent. This is to prevent the pure water from scattering when it collides with the wafer W and to form a strong flow of pure water toward the outside of the wafer W. Specifically, the pure water supply angle with respect to the surface of the wafer W is preferably 5 degrees or more and 60 degrees or less. A more preferable supply angle is 5 degrees or more and 30 degrees or less.

洗浄液(薬液およびリンス液)を除去する効果を確実とするために、純水の流量は500mL/min〜2L/minであることが好ましい。純水の流量が高ければ、ウェーハWの上から見たときの純水の供給方向は、ロールスポンジ77と平行でなくともよい。つまり、ウェーハWの上から見たときの純水の供給方向は、ロールスポンジ77に対して傾いていてもよい。   In order to ensure the effect of removing the cleaning solution (chemical solution and rinse solution), the flow rate of pure water is preferably 500 mL / min to 2 L / min. If the flow rate of pure water is high, the supply direction of pure water when viewed from above the wafer W may not be parallel to the roll sponge 77. That is, the pure water supply direction when viewed from above the wafer W may be inclined with respect to the roll sponge 77.

洗浄液(薬液およびリンス液)を除去する効果を確実とするために、純水が供給される第2の領域R2は、図3に示すように、ウェーハWの回転方向においてロールスポンジ77の下流側であることが好ましい。この位置に定義された第2の領域R2に純水を供給することにより、純水の流れが洗浄液をウェーハWから押し流すのに十分な時間を確保することができる。   In order to ensure the effect of removing the cleaning liquid (chemical liquid and rinse liquid), the second region R2 to which pure water is supplied is located downstream of the roll sponge 77 in the rotation direction of the wafer W as shown in FIG. It is preferable that By supplying pure water to the second region R2 defined at this position, it is possible to secure a sufficient time for the flow of pure water to push the cleaning liquid off the wafer W.

図3に示すように、純水供給ノズル88は、ロールスポンジ77の長手方向に垂直なウェーハWの中心線CLを横切るように純水の流れをウェーハWの表面上に形成することが好ましい。このように流れる純水は、ウェーハWの中心領域に存在する洗浄液を押し流すことができる。   As shown in FIG. 3, the pure water supply nozzle 88 preferably forms a flow of pure water on the surface of the wafer W so as to cross the center line CL of the wafer W perpendicular to the longitudinal direction of the roll sponge 77. The pure water flowing in this way can push away the cleaning liquid present in the central region of the wafer W.

次に、ウェーハWを洗浄する工程について説明する。まず、保持ローラー71,72,73,74によりウェーハWをその軸心まわりに回転させる。次いで、上側薬液供給ノズル87および図示しない下側薬液供給ノズルからウェーハWの上面及び下面に薬液が供給される。この状態で、ロールスポンジ77,78がその水平に延びる軸心周りに回転しながらウェーハWの上下面に摺接することによって、ウェーハWの上下面をスクラブ洗浄する。ロールスポンジ77,78は、ウェーハWの直径(幅)よりも長く、ウェーハWの上下面全体に接触するようになっている。薬液がウェーハWに供給されている間、純水が純水供給ノズル88からウェーハWに供給される。スクラブ洗浄に使用された薬液は、ウェーハWの第2の領域R2上に形成される純水の流れによってウェーハWから速やかに排出される。   Next, a process for cleaning the wafer W will be described. First, the wafer W is rotated around its axis by the holding rollers 71, 72, 73, 74. Next, the chemical solution is supplied to the upper and lower surfaces of the wafer W from the upper chemical solution supply nozzle 87 and the lower chemical solution supply nozzle (not shown). In this state, the upper and lower surfaces of the wafer W are scrubbed by the roll sponges 77 and 78 slidably contacting the upper and lower surfaces of the wafer W while rotating around the horizontally extending axis. The roll sponges 77 and 78 are longer than the diameter (width) of the wafer W and are in contact with the entire upper and lower surfaces of the wafer W. While the chemical solution is being supplied to the wafer W, pure water is supplied from the pure water supply nozzle 88 to the wafer W. The chemical used for scrub cleaning is quickly discharged from the wafer W by the flow of pure water formed on the second region R2 of the wafer W.

スクラブ洗浄後、ロールスポンジ77,78をウェーハWの上下面に摺接させながら、回転するウェーハWの上面及び下面にリンス液として純水を供給することによってウェーハWの濯ぎ(リンス)が行われる。リンス液がウェーハWに供給されている間も同様に、純水が純水供給ノズル88からウェーハWに供給される。ウェーハWのリンスに使用されたリンス液は、ウェーハWの第2の領域R2上に形成される純水の流れによってウェーハWから速やかに排出される。   After scrub cleaning, the wafer W is rinsed by supplying pure water as a rinsing liquid to the upper and lower surfaces of the rotating wafer W while the roll sponges 77 and 78 are in sliding contact with the upper and lower surfaces of the wafer W. . Similarly, pure water is supplied from the pure water supply nozzle 88 to the wafer W while the rinse liquid is supplied to the wafer W. The rinse liquid used for rinsing the wafer W is quickly discharged from the wafer W by the flow of pure water formed on the second region R2 of the wafer W.

薬液をリンス液で希釈するために、薬液とリンス液が同時にウェーハWの第1の領域R1に供給されることもある。この場合も、薬液およびリンス液がウェーハWに供給されている間は、純水が純水供給ノズル88からウェーハWの第2の領域R2に供給される。   In order to dilute the chemical liquid with the rinse liquid, the chemical liquid and the rinse liquid may be simultaneously supplied to the first region R1 of the wafer W. Also in this case, while the chemical liquid and the rinse liquid are being supplied to the wafer W, pure water is supplied from the pure water supply nozzle 88 to the second region R2 of the wafer W.

図5に示すように、保持ローラー71,72,73,74は、ウェーハWを、その表面が第1の領域R1から第2の領域R2に向かって下方に傾斜した状態で保持し、回転させてもよい。あるいは、図6に示すように、保持ローラー71,72,73,74は、純水供給ノズル88から吐出された純水の流れ方向に沿ってウェーハ表面が下方に傾斜した状態でウェーハWを保持し、回転させてもよい。図5および図6に示すこれらの例によれば、洗浄液は、その自重と遠心力とにより、ウェーハWの表面からより速やかに排除される。   As shown in FIG. 5, the holding rollers 71, 72, 73, 74 hold and rotate the wafer W in a state where the surface of the wafer W is inclined downward from the first region R1 toward the second region R2. May be. Alternatively, as shown in FIG. 6, the holding rollers 71, 72, 73 and 74 hold the wafer W in a state where the wafer surface is inclined downward along the flow direction of the pure water discharged from the pure water supply nozzle 88. And may be rotated. According to these examples shown in FIGS. 5 and 6, the cleaning liquid is more quickly removed from the surface of the wafer W due to its own weight and centrifugal force.

図7に示すように、ウェーハWの第3の領域R3に純水を供給する純水供給ノズル90をさらに設けてもよい。第3の領域R3は、ロールスポンジ77に関して第1の領域R1と同じ側に位置しており、ウェーハWの回転方向に関してロールスポンジ77の下流側に位置している。さらに、ウェーハWの回転方向に関して第3の領域R3は第1の領域R1の上流側に位置している。2つの純水供給ノズル88,90は、ウェーハWの中心に関して対称的に配置される。第2の純水供給ノズル90は、第1の純水供給ノズル88と同様に、ウェーハWの中心側から外周側に向かって純水を供給するように配置される。図7に示す実施形態では、リンス液供給ノズルを省略することができる。   As shown in FIG. 7, a pure water supply nozzle 90 that supplies pure water to the third region R3 of the wafer W may be further provided. The third region R3 is located on the same side as the first region R1 with respect to the roll sponge 77, and is located on the downstream side of the roll sponge 77 with respect to the rotation direction of the wafer W. Furthermore, the third region R3 is located upstream of the first region R1 with respect to the rotation direction of the wafer W. The two pure water supply nozzles 88 and 90 are arranged symmetrically with respect to the center of the wafer W. Similar to the first pure water supply nozzle 88, the second pure water supply nozzle 90 is disposed so as to supply pure water from the center side of the wafer W toward the outer peripheral side. In the embodiment shown in FIG. 7, the rinsing liquid supply nozzle can be omitted.

図8は、更に他の実施形態を示す図である。図8に示す実施形態が図7に示す実施形態と異なる点は、平らな扇状の噴流を形成するフラットノズルが薬液供給ノズル87に使用されている点と、第4の領域R4に薬液を供給する薬液供給ノズル92が設けられている点点である。第4の領域R4は、ロールスポンジ77に関して第2の領域R2と同じ側に位置しており、ウェーハWの回転方向に関してロールスポンジ77の上流側に位置している。図8に示す実施形態では、リンス液供給ノズルは設けられていない。   FIG. 8 is a diagram showing still another embodiment. The embodiment shown in FIG. 8 differs from the embodiment shown in FIG. 7 in that a flat nozzle that forms a flat fan-shaped jet is used for the chemical supply nozzle 87, and the chemical is supplied to the fourth region R4. The chemical solution supply nozzle 92 is provided. The fourth region R4 is located on the same side as the second region R2 with respect to the roll sponge 77, and is located on the upstream side of the roll sponge 77 with respect to the rotation direction of the wafer W. In the embodiment shown in FIG. 8, no rinsing liquid supply nozzle is provided.

フラットノズルは、直線的な狭い領域に液体を供給するのに適している。第4の領域R4に薬液を供給する薬液供給ノズル92にもフラットノズルが使用されている。この実施形態では、図8に示すように、薬液供給ノズル87から薬液が供給される第1の領域R1は、ウェーハWの回転方向に関してロールスポンジ77の上流側に位置し、かつロールスポンジ77に沿って直線的に延びる狭い領域である。薬液供給ノズル92から薬液が供給される第4の領域R4も、ウェーハWの回転方向に関してロールスポンジ77の上流側に位置し、かつロールスポンジ77に沿って直線的に延びる狭い領域である。   The flat nozzle is suitable for supplying liquid to a linear narrow area. A flat nozzle is also used for the chemical solution supply nozzle 92 that supplies the chemical solution to the fourth region R4. In this embodiment, as shown in FIG. 8, the first region R 1 to which the chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply nozzle 87 is located on the upstream side of the roll sponge 77 with respect to the rotation direction of the wafer W, and It is a narrow region extending linearly along. The fourth region R4 to which the chemical solution is supplied from the chemical solution supply nozzle 92 is also a narrow region that is located on the upstream side of the roll sponge 77 with respect to the rotation direction of the wafer W and extends linearly along the roll sponge 77.

フラットノズルを薬液供給ノズル87,92として使用することにより、ロールスポンジ77の長手方向に沿った直線的な領域に薬液を供給することができる。このような領域に供給された薬液は、ウェーハWの回転に伴ってロールスポンジ77に均一に接触するので、均一なウェーハ洗浄を実現することができる。ロールスポンジ77の長手方向に沿った直線的な領域に薬液を供給することができるのであれば、薬液供給ノズル87,92はフラットノズルに限られない。例えば、スリット状の液体吐出口を持つスリットノズルまたは直線上に配列された複数の液体吐出口を持つ多孔ノズルを薬液供給ノズル87,92として使用してもよい。   By using the flat nozzle as the chemical solution supply nozzles 87 and 92, the chemical solution can be supplied to a linear region along the longitudinal direction of the roll sponge 77. Since the chemical solution supplied to such a region uniformly contacts the roll sponge 77 as the wafer W rotates, uniform wafer cleaning can be realized. The chemical supply nozzles 87 and 92 are not limited to flat nozzles as long as the chemical can be supplied to a linear region along the longitudinal direction of the roll sponge 77. For example, slit nozzles having slit-like liquid discharge ports or perforated nozzles having a plurality of liquid discharge ports arranged in a straight line may be used as the chemical solution supply nozzles 87 and 92.

これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよい。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be implemented in various forms within the scope of the technical idea.

10 ハウジング
12 ロードポート
14a〜14d 研磨ユニット
16 第1洗浄ユニット(基板洗浄装置)
18 第2洗浄ユニット
20 乾燥ユニット
22 第1基板搬送ロボット
24 基板搬送ユニット
26 第2基板搬送ロボット
28 第3基板搬送ロボット
30 動作制御部
71〜74 保持ローラー
75 基板回転機構
77,78 ロールスポンジ
80,81 洗浄具回転機構
82 昇降駆動機構
85 リンス液供給ノズル
87 薬液供給ノズル
88 純水供給ノズル
89 ガイドレール
90 純水供給ノズル
92 薬液供給ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Housing 12 Load port 14a-14d Polishing unit 16 1st washing | cleaning unit (board | substrate washing | cleaning apparatus)
18 Second cleaning unit 20 Drying unit 22 First substrate transfer robot 24 Substrate transfer unit 26 Second substrate transfer robot 28 Third substrate transfer robot 30 Operation control units 71 to 74 Holding roller 75 Substrate rotating mechanism 77, 78 Roll sponge 80, 81 Cleaning Tool Rotating Mechanism 82 Elevating Drive Mechanism 85 Rinse Solution Supply Nozzle 87 Chemical Solution Supply Nozzle 88 Pure Water Supply Nozzle 89 Guide Rail 90 Pure Water Supply Nozzle 92 Chemical Solution Supply Nozzle

Claims (4)

基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面上の第1の領域に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
前記洗浄液の存在下で前記基板の上面に摺接することで前記基板を洗浄するロール洗浄具と、
前記洗浄液供給ノズルが前記洗浄液を前記第1の領域に供給しているときに、前記基板の上面上の第2の領域に純水を供給して、前記ロール洗浄具の長手方向に沿った流れを前記第2の領域に形成する純水供給ノズルとを備え、
前記純水供給ノズルは前記ロール洗浄具に隣接して配置されており、
前記第2の領域は、前記ロール洗浄具に関して前記第1の領域の反対側に位置しており、
前記純水の供給方向は、前記基板の中心側から外周側に向かう方向であることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate holder for holding the substrate;
A cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to a first region on the upper surface of the substrate;
A roll cleaning tool for cleaning the substrate by slidingly contacting the upper surface of the substrate in the presence of the cleaning liquid;
When the cleaning liquid supply nozzle supplies the cleaning liquid to the first area, the pure water is supplied to the second area on the upper surface of the substrate and flows along the longitudinal direction of the roll cleaning tool. And a pure water supply nozzle for forming in the second region ,
The pure water supply nozzle is disposed adjacent to the roll cleaning tool,
The second region is located on the opposite side of the first region with respect to the roll cleaner;
The pure water supply direction is a direction from the center side to the outer peripheral side of the substrate.
前記ロール洗浄具を前記基板に対して近接させる昇降駆動機構と、
前記昇降駆動機構の上下方向の動きをガイドするガイドレールと、をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
Elevating drive mechanism for bringing the roll cleaning tool close to the substrate;
The substrate cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a guide rail that guides the vertical movement of the elevating drive mechanism.
基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面に洗浄液を供給する第1洗浄液供給ノズルと、
前記洗浄液の存在下で前記基板の上面に摺接することで前記基板の上面を洗浄する第1ロール洗浄具と、
前記第1洗浄液供給ノズルが前記洗浄液を前記基板の上面に供給しているときに、前記第1ロール洗浄具の長手方向に沿って前記基板の上面に純水を供給して、純水の流れを形成する純水供給ノズルと、
前記基板の下面に洗浄液を供給する第2洗浄液供給ノズルと、
前記洗浄液の存在下で前記基板の下面に摺接することで前記基板の下面を洗浄する第2ロール洗浄具と、を備え
前記純水供給ノズルは、前記第1ロール洗浄具に関して前記第1洗浄液供給ノズルとは反対側に位置していることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate holder for holding the substrate;
A first cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the upper surface of the substrate;
A first roll cleaning tool for cleaning the upper surface of the substrate by slidingly contacting the upper surface of the substrate in the presence of the cleaning liquid;
When the first cleaning liquid supply nozzle supplies the cleaning liquid to the upper surface of the substrate, pure water is supplied to the upper surface of the substrate along the longitudinal direction of the first roll cleaning tool, and the flow of pure water Forming a pure water supply nozzle,
A second cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the lower surface of the substrate;
A second roll cleaning tool for cleaning the lower surface of the substrate by slidingly contacting the lower surface of the substrate in the presence of the cleaning liquid ,
The substrate cleaning apparatus , wherein the pure water supply nozzle is located on the opposite side of the first cleaning liquid supply nozzle with respect to the first roll cleaning tool .
基板を傾斜させた状態で前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の上面上に薬液を供給する薬液供給ノズルと、
前記薬液の存在下で前記基板の上面に摺接することで前記基板を洗浄するロール洗浄具と、
前記薬液供給ノズルが前記薬液を前記基板に供給しているときに、前記基板の上面上に純水を供給する純水供給ノズルとを備え、
前記純水供給ノズルは、前記基板に摺接する前記ロール洗浄具の長手方向に沿って純水を供給するように配置されており、
前記純水供給ノズルは、前記ロール洗浄具に関して前記薬液供給ノズルとは反対側に位置しており、
前記薬液供給ノズルは、スリット状の液体吐出口を持つスリットノズル、または直線上に配列された複数の液体吐出口を持つ多孔ノズルであることを特徴とする基板洗浄装置。
A substrate holding unit for holding the substrate in a state where the substrate is inclined;
A chemical supply nozzle for supplying a chemical on the upper surface of the substrate;
A roll cleaning tool for cleaning the substrate by sliding on the upper surface of the substrate in the presence of the chemical solution;
A pure water supply nozzle for supplying pure water onto the upper surface of the substrate when the chemical solution supply nozzle supplies the chemical solution to the substrate ;
The pure water supply nozzle is arranged to supply pure water along the longitudinal direction of the roll cleaning tool that is in sliding contact with the substrate,
The pure water supply nozzle is located on the side opposite to the chemical liquid supply nozzle with respect to the roll cleaning tool,
The substrate cleaning apparatus, wherein the chemical solution supply nozzle is a slit nozzle having a slit-like liquid discharge port or a multi-hole nozzle having a plurality of liquid discharge ports arranged in a straight line.
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