JP2005131772A - Polishing device - Google Patents

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聡 若林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device capable of improving throughput by efficiently processing and carrying a polishing object. <P>SOLUTION: This polishing device has a plurality of polishing units 30-1 and 30-2 having respectively a plurality of polishing tables 60A and 60B having a polishing surface, and a plurality of top rings 61-1 to 61-3 for pressing the polishing object W to the polishing surface by moving between the plurality of polishing tables 60A and 60B while holding the polishing object W. The plurality of top rings 61-1 to 61-3 are respectively installed on a plurality of arms 16 arranged at an equal angle in the circumferential direction in a rotatable support part 14-1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を平坦かつ鏡面状に研磨するポリッシング装置に関するものである。   The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer into a flat and mirror surface.

近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に線幅が0.5μm以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。このような半導体ウェハの表面を平坦化する一手段として、化学機械研磨(CMP)を行うポリッシング装置が知られている。   In recent years, as semiconductor devices are highly integrated, circuit wiring is becoming finer and the distance between wirings is becoming narrower. In particular, in the case of photolithography having a line width of 0.5 μm or less, the depth of focus becomes shallow, so that the flatness of the imaging surface of the stepper is required. As one means for flattening the surface of such a semiconductor wafer, a polishing apparatus that performs chemical mechanical polishing (CMP) is known.

この種のポリッシング装置は、研磨布などの研磨パッドを上面に有する研磨テーブルとトップリングとを備えている。そして、研磨テーブルとトップリングとの間に研磨対象物(ウェハ)を介在させて、研磨パッドの表面に砥液(スラリ)を供給しつつ、トップリングによって研磨対象物を研磨テーブルに押圧して、研磨対象物の表面を平坦かつ鏡面状に研磨している。   This type of polishing apparatus includes a polishing table having a polishing pad such as a polishing cloth on the upper surface and a top ring. Then, the polishing object (wafer) is interposed between the polishing table and the top ring, and the polishing object (slurry) is supplied to the surface of the polishing pad, and the polishing object is pressed against the polishing table by the top ring. The surface of the object to be polished is polished flat and mirror-like.

スループット(単位時間あたりの研磨対象物の処理能力)を高めることができるポリッシング装置の例として、4つの研磨テーブルを備えたポリッシング装置が知られている。このタイプのポリッシング装置は、4つの研磨テーブルの内の2つの研磨テーブルを1セットとし、これらを第1研磨テーブル及び第2研磨テーブルとして使用している。そして、これらの研磨テーブルを2セット持つことで高スループットを実現している。   A polishing apparatus having four polishing tables is known as an example of a polishing apparatus that can increase the throughput (processing ability of an object to be polished per unit time). In this type of polishing apparatus, two of the four polishing tables are set as one set, and these are used as the first polishing table and the second polishing table. In addition, high throughput is realized by having two sets of these polishing tables.

また、スループットを向上させることができるポリッシング装置の他の例として、3つの研磨テーブルに対して支持軸に固定された4つのトップリングを有するカルーセル機構を備えたポリッシング装置が知られている。このタイプのポリッシング装置では、支持軸を90°づつ回転させることで、各トップリングを、第1研磨テーブル、第2研磨テーブル、第3研磨テーブルへと順次移動させる。これにより、ウェハを1つのトップリングに保持した状態で、3ステップ研磨を行い、高スループットを実現している。   As another example of a polishing apparatus capable of improving throughput, a polishing apparatus having a carousel mechanism having four top rings fixed to a support shaft with respect to three polishing tables is known. In this type of polishing apparatus, each top ring is sequentially moved to the first polishing table, the second polishing table, and the third polishing table by rotating the support shaft by 90 °. As a result, high-throughput is realized by performing three-step polishing with the wafer held on one top ring.

上述した第1の従来例では、4つの研磨テーブルを具備することで高スループットを実現している。しかしながら、第1研磨テーブルでの1次研磨と、第2研磨テーブルでの2次研磨との間に、トップリングからのウェハ離脱、研磨テーブル間でのウェハの移動、トップリングによるウェハの保持などの各種工程が入り、これがスループットを低下させる原因となっていた。   In the first conventional example described above, high throughput is achieved by providing four polishing tables. However, between the primary polishing at the first polishing table and the secondary polishing at the second polishing table, the wafer is detached from the top ring, the wafer is moved between the polishing tables, the wafer is held by the top ring, etc. The various processes were entered, and this caused a decrease in throughput.

一方、上述した第2の従来例は、3ステップ研磨を行うこととしているため、研磨テーブル間でのウェハの移動が2回発生し、スループットを低下させてしまう。さらに、カルーセル機構が1つしかないため、スループットをある一定以上に向上させることができなかった。   On the other hand, in the second conventional example described above, since three-step polishing is performed, wafer movement between the polishing tables occurs twice, resulting in a decrease in throughput. Furthermore, since there is only one carousel mechanism, the throughput could not be improved beyond a certain level.

本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、研磨対象物の処理及び搬送を効率的に行ってスループットを向上させることができるポリッシング装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a polishing apparatus that can efficiently process and convey an object to be polished to improve throughput.

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、研磨面を有する複数の研磨テーブルと、研磨対象物を保持しつつ前記複数の研磨テーブル間を移動して研磨対象物を前記研磨面に対して押圧する複数のトップリングとをそれぞれ有する複数の研磨ユニットを備え、前記複数のトップリングは、回転可能な支持部に円周方向に沿って等角度に設けられた複数のアームにそれぞれ取り付けられていることを特徴とするポリッシング装置である。
本発明の好ましい態様は、研磨対象物の受け渡し位置を含む複数の搬送位置の間で研磨対象物を搬送する直動搬送機構を備え、研磨対象物の受け渡し位置としての前記直動搬送機構の搬送位置に、該直動搬送機構と前記トップリングとの間で研磨対象物を受け渡す受け渡し機構を設けたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記支持部は少なくとも2つ配置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の研磨ユニットは、それぞれ前記複数の研磨テーブルを用いて複数段階の研磨を行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、それぞれの前記研磨ユニットの前記複数の研磨テーブルにウェハを順次搬送して複数段階の研磨を行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、研磨対象物を洗浄する洗浄部を更に備え、前記洗浄部は、研磨対象物を載置する仮置き台を有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、研磨対象物を洗浄する洗浄部を更に備え、前記洗浄部は、研磨対象物を乾燥させる乾燥機と、洗浄前の研磨対象物を載置する仮置き台と、乾燥後の研磨対象物を載置する仮置き台とを有することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記直動搬送機構は、研磨対象物を搬送する複数の搬送ステージを備えたことを特徴とする。
In order to achieve the above-described object, according to one embodiment of the present invention, a polishing table having a polishing surface and a polishing object are moved to the polishing surface by moving between the plurality of polishing tables while holding the polishing object. A plurality of polishing units each having a plurality of top rings that press against the plurality of top rings, and the plurality of top rings are respectively provided on a plurality of arms provided at equal angles along a circumferential direction on a rotatable support portion. A polishing apparatus characterized by being attached.
A preferable aspect of the present invention includes a linear motion transport mechanism that transports a polishing object between a plurality of transport positions including a delivery position of the polishing object, and transport of the linear motion transport mechanism as the polishing object delivery position. A delivery mechanism for delivering an object to be polished between the linear motion transport mechanism and the top ring is provided at a position.
In a preferred aspect of the present invention, at least two of the support portions are arranged.
In a preferred aspect of the present invention, each of the plurality of polishing units performs a plurality of stages of polishing using the plurality of polishing tables.
In a preferred aspect of the present invention, a plurality of stages of polishing are performed by sequentially transferring wafers to the plurality of polishing tables of each of the polishing units.
The preferable aspect of this invention is further equipped with the washing | cleaning part which wash | cleans a grinding | polishing target object, The said washing | cleaning part has a temporary placing stand on which a grinding | polishing target object is mounted.
A preferable aspect of the present invention further includes a cleaning unit that cleans an object to be polished, and the cleaning unit includes a dryer that dries the object to be polished, a temporary table on which the object to be polished before cleaning is placed, and a drying unit. And a temporary table on which a subsequent polishing object is placed.
In a preferred aspect of the present invention, the linear motion transport mechanism includes a plurality of transport stages for transporting an object to be polished.

本発明によれば、複数の研磨テーブル及び複数のトップリングをそれぞれ有する複数の研磨ユニットを用いることで、複数の研磨対象物に対して複数段階の研磨処理を並列的及び直列的に行うことができる。従って、研磨対象物を複数の研磨テーブル間で効率よく搬送して研磨することが可能となり、従来のポリッシング装置に比べてスループット(単位時間当たりの処理枚数)を向上させることができる。   According to the present invention, by using a plurality of polishing units each having a plurality of polishing tables and a plurality of top rings, a plurality of stages of polishing processes can be performed in parallel and in series on a plurality of objects to be polished. it can. Accordingly, it is possible to efficiently carry and polish the object to be polished between a plurality of polishing tables, and it is possible to improve the throughput (number of processed sheets per unit time) as compared with the conventional polishing apparatus.

以下、本発明の第1の実施形態に係るポリッシング装置について図面を参照して説明する。
図1は本発明の第1の実施形態に係るポリッシング装置を示す平面図である。
図1に示すように、本実施形態に係るポリッシング装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1b,1cによってロード/アンロード部2と研磨部3と洗浄部4とに区画されている。これらのロード/アンロード部2、研磨部3、及び洗浄部4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。
Hereinafter, a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the polishing apparatus according to this embodiment includes a substantially rectangular housing 1, and the interior of the housing 1 includes a load / unload portion 2, a polishing portion 3, and partitions 1 a, 1 b, and 1 c. It is partitioned into a cleaning unit 4. The load / unload unit 2, the polishing unit 3, and the cleaning unit 4 are assembled independently and exhausted independently.

ロード/アンロード部2は、複数のウェハ(基板)をストックするウェハカセットを載置する2つ以上(本実施形態では3つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20は、ポリッシング装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に隣接して配列されている。フロントロード部20には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、又はFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。ここで、SMIF、FOUPは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。   The load / unload unit 2 includes two or more (three in this embodiment) front load units 20 on which wafer cassettes for stocking a plurality of wafers (substrates) are placed. These front load portions 20 are arranged adjacent to each other in the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the polishing apparatus. The front load unit 20 can be equipped with an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). Here, SMIF and FOUP are sealed containers that can maintain an environment independent of the external space by accommodating a wafer cassette inside and covering with a partition wall.

また、ロード/アンロード部2には、フロントロード部20の配列方向に沿って走行機構21が敷設されており、この走行機構21上にフロントロード部20の配列方向に沿って移動可能な第1搬送ロボット22が設置されている。第1搬送ロボット22は走行機構21上を移動することによってフロントロード部20に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。この第1搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えており、例えば、上側のハンドをウェハカセットにウェハを戻すときに使用し、下側のハンドを研磨前のウェハを搬送するときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。   In addition, a traveling mechanism 21 is laid along the arrangement direction of the front load unit 20 in the load / unload unit 2, and the traveling mechanism 21 is movable on the traveling mechanism 21 along the arrangement direction of the front load unit 20. One transfer robot 22 is installed. The first transfer robot 22 can access the wafer cassette mounted on the front load unit 20 by moving on the traveling mechanism 21. The first transfer robot 22 has two hands on the upper and lower sides. For example, the upper hand is used when returning the wafer to the wafer cassette, and the lower hand is used when transferring the unpolished wafer. The upper and lower hands can be used properly.

ロード/アンロード部2は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロード部2の内部は、装置外部、研磨部3、及び洗浄部4のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。また、第1搬送ロボット22の走行機構21の上部には、HEPAフィルタやULPAフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルや有毒蒸気、ガスが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。   Since the load / unload unit 2 is an area where the cleanest state needs to be maintained, the inside of the load / unload unit 2 is always at a higher pressure than any of the outside of the apparatus, the polishing unit 3 and the cleaning unit 4. Maintained. In addition, a filter fan unit (not shown) having a clean air filter such as a HEPA filter or a ULPA filter is provided above the traveling mechanism 21 of the first transfer robot 22. Clean air from which steam and gas have been removed is constantly blowing downward.

研磨部3は、研磨対象物である半導体ウェハの研磨が行われる領域であり、第1研磨ユニット30−1と第2研磨ユニット30−2とから構成されている。これらの第1研磨ユニット30−1及び第2研磨ユニット30−2は、図1に示すように、ポリッシング装置の長手方向に沿って配列されている。   The polishing unit 3 is a region where polishing of a semiconductor wafer, which is an object to be polished, is made up of a first polishing unit 30-1 and a second polishing unit 30-2. As shown in FIG. 1, the first polishing unit 30-1 and the second polishing unit 30-2 are arranged along the longitudinal direction of the polishing apparatus.

第1研磨ユニット30−1は、研磨面を有する複数(本実施形態では2つ)の研磨テーブル60A,60Bと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル60A,60Bに対して押圧しながら研磨するための複数(本実施形態では3つ)のトップリング61−1,61−2,61−3と、研磨テーブル60A,60B上に研磨液をそれぞれ供給するための研磨液供給ノズル62A,62Bと、研磨テーブル60Aのドレッシングを行うためのドレッサ63A,63Bとを備えている。   The first polishing unit 30-1 polishes a plurality of (two in this embodiment) polishing tables 60A and 60B having a polishing surface, and holds the wafer and presses the wafer against the polishing tables 60A and 60B. A plurality of (three in this embodiment) top rings 61-1, 61-2, 61-3, and polishing liquid supply nozzles 62A, 62B for supplying the polishing liquid onto the polishing tables 60A, 60B, respectively. And dressers 63A and 63B for dressing the polishing table 60A.

研磨テーブル60A,60Bの側方には、回転可能な支持部14−1が立設されている。この支持部14−1には、3個のアーム16が円周方向に沿って等角度で、つまり互いに120°の角度をなすように放射状に設けられている。これらのアーム16の自由端には上述した3つのトップリング61−1,61−2,61−3がそれぞれ固定されている。支持部14−1は、回転と停止を繰り返す間欠的な回転動作を行うように構成されており、アーム16間の角度120°に合わせて、120°回転した後に一旦停止するようになっている。   A rotatable support portion 14-1 is erected on the side of the polishing tables 60A and 60B. In the support portion 14-1, three arms 16 are provided radially at equal angles along the circumferential direction, that is, at an angle of 120 ° to each other. The above-mentioned three top rings 61-1, 61-2, 61-3 are fixed to the free ends of these arms 16, respectively. The support portion 14-1 is configured to perform an intermittent rotation operation that repeats rotation and stop, and temporarily stops after rotating 120 ° in accordance with the angle 120 ° between the arms 16. .

支持部14−1、アーム16、及びトップリング61−1,61−2,61−3は、図示しない上下動機構により上下方向に移動され、トップリング61−1,61−2,61−3を下降させることにより、トップリング61−1,61−2,61−3が研磨テーブル60A,60Bの研磨面に対して押し付けられるようになっている。これらのトップリング61−1,61−2,61−3は、図示しない駆動源によってそれぞれ独立に回転駆動されるようになっている。   The support portion 14-1, the arm 16, and the top rings 61-1, 61-2, 61-3 are moved in the vertical direction by a vertical movement mechanism (not shown), and the top rings 61-1, 61-2, 61-3 are moved. Is lowered so that the top rings 61-1, 61-2, 61-3 are pressed against the polishing surfaces of the polishing tables 60A, 60B. These top rings 61-1, 61-2, 61-3 are each rotationally driven independently by a driving source (not shown).

それぞれのトップリング61−1,61−2,61−3は、これらの下部で開口する複数の連通孔(図示せず)を備えており、これらの連通孔は図示しない圧力発生源に接続されている。そして、この連通孔に負圧を形成することにより、ウェハ(研磨対象物)がトップリング61−1,61−2,61−3の下部に吸着保持される。また、ウェハを吸着した後、連通孔からウェハの上面に清浄な空気や窒素ガスなどのクリーンガスを供給することにより、ウェハが研磨テーブル60A,60Bの研磨面に対して押圧されるようになっている。さらに、連通孔からクリーンガスをウェハに吹き付けることにより、ウェハをトップリング61−1,61−2,61−3から離脱できるようにもなっている。この場合、クリーンガスに純水などを混合することでウェハが離脱する力を高め、確実なウェハの離脱を行うことが可能になっている。   Each of the top rings 61-1, 61-2, 61-3 includes a plurality of communication holes (not shown) opened at the lower portions thereof, and these communication holes are connected to a pressure generation source (not shown). ing. Then, by forming a negative pressure in the communication hole, the wafer (polishing object) is adsorbed and held under the top rings 61-1, 61-2, 61-3. Further, after the wafer is adsorbed, clean air such as clean air or nitrogen gas is supplied to the upper surface of the wafer from the communication hole, so that the wafer is pressed against the polishing surfaces of the polishing tables 60A and 60B. ing. Further, the wafer can be detached from the top rings 61-1, 61-2, 61-3 by blowing clean gas onto the wafer from the communication hole. In this case, it is possible to increase the force for removing the wafer by mixing pure water or the like with clean gas, and to reliably remove the wafer.

研磨テーブル60A,60Bは互いに隣接して配置されており、支持部14−1は、研磨テーブル60A,60Bからの距離が互いに等しくなる位置に配置されている。トップリング61−1,61−2,61−3を支持部14−1回りに120°間隔で間欠的に回転させると、3つのトップリング61−1,61−2,61−3のうちの2つは、常に研磨テーブル60A,60Bの上方に位置するようになっている。このように、1つの支持部14−1に複数の(3つの)トップリング61−1,61−2,61−3が取り付けられ、これらのトップリング61−1,61−2,61−3に対して複数の(2つの)研磨テーブル60A,60Bが配置されている。   The polishing tables 60A and 60B are disposed adjacent to each other, and the support portion 14-1 is disposed at a position where the distances from the polishing tables 60A and 60B are equal to each other. When the top rings 61-1, 61-2, 61-3 are intermittently rotated around the support portion 14-1 at intervals of 120 °, of the three top rings 61-1, 61-2, 61-3 The two are always positioned above the polishing tables 60A and 60B. In this way, a plurality of (three) top rings 61-1, 61-2, 61-3 are attached to one support portion 14-1, and these top rings 61-1, 61-2, 61-3 are attached. On the other hand, a plurality of (two) polishing tables 60A and 60B are arranged.

研磨テーブル60A,60Bの上面には研磨パッド(研磨布)又は砥石等が貼付されており、この研磨パッド又は砥石等によってウェハを研磨する研磨面が構成されている。研磨時には、研磨液供給ノズル62A,62Bから研磨テーブル60A,60B上の研磨面に研磨液がそれぞれ供給され、研磨対象物であるウェハがトップリング61−1(または61−2、または61−3)により研磨面に押圧されて研磨が行われる。なお、研磨テーブルに代えて研磨ベルトを用いてもよく、または研磨ベルトと研磨テーブルとを組み合わせて用いてもよい。   A polishing pad (polishing cloth) or a grindstone or the like is affixed to the upper surfaces of the polishing tables 60A and 60B, and a polishing surface for polishing the wafer is constituted by the polishing pad or the grindstone. At the time of polishing, the polishing liquid is supplied to the polishing surfaces on the polishing tables 60A and 60B from the polishing liquid supply nozzles 62A and 62B, respectively, and the wafer that is the polishing target is the top ring 61-1 (or 61-2 or 61-3). ) Is pressed against the polishing surface for polishing. Note that a polishing belt may be used instead of the polishing table, or a combination of the polishing belt and the polishing table may be used.

ドレッサ63A,63Bは、研磨テーブル60A,60Bの研磨面の研磨性能を回復させるために設けられている。ドレッサ63A,63Bの下面にはダイヤモンド粒子が電着されたドレッシング部材(図示せず)がそれぞれ取り付けられており、このドレッシング部材によって、研磨テーブル60A,60Bの研磨面の目立て(ドレッシング)が行われる。なお、ドレッシング部材として、例えば硬質のセラミックの突起が多数配置されたものでもよい。このドレッシング処理においては、純水などのドレッシング液を研磨面に供給しつつ、ドレッサ63A(または63B)と研磨テーブル60A(または60B)をそれぞれ回転させる。そして、ドレッシング部材を研磨面に押圧することで、研磨面に残留する研磨液や研磨対象物の削り屑を除去すると共に、研磨面の平坦化及び目立てが行われ、研磨面が再生される。このドレッシングはコンディショニングとも呼ばれている。   The dressers 63A and 63B are provided to recover the polishing performance of the polishing surfaces of the polishing tables 60A and 60B. Dressing members (not shown) in which diamond particles are electrodeposited are respectively attached to the lower surfaces of the dressers 63A and 63B, and the dressing of the polishing surfaces of the polishing tables 60A and 60B is performed by this dressing member. . As the dressing member, for example, a plurality of hard ceramic protrusions may be arranged. In this dressing process, the dresser 63A (or 63B) and the polishing table 60A (or 60B) are rotated while supplying a dressing liquid such as pure water to the polishing surface. Then, by pressing the dressing member against the polishing surface, the polishing liquid remaining on the polishing surface and the shavings of the object to be polished are removed, the polishing surface is flattened and sharpened, and the polishing surface is regenerated. This dressing is also called conditioning.

第1研磨ユニット30−1と同様に、第2研磨ユニット30−2は、研磨テーブル60C,60Dと、トップリング61−4,61−5,61−6と、研磨液供給ノズル62C,62Dと、ドレッサ63C,63Dとを備えている。なお、第2研磨ユニット30−2の支持部14−2、アーム16、及びトップリング61−4,61−5,61−6は、第1研磨ユニット30−1のものと同一の構成を有しており、その重複する説明を省略する。   Similar to the first polishing unit 30-1, the second polishing unit 30-2 includes polishing tables 60C, 60D, top rings 61-4, 61-5, 61-6, and polishing liquid supply nozzles 62C, 62D. , And dressers 63C and 63D. The support portion 14-2, the arm 16, and the top rings 61-4, 61-5, 61-6 of the second polishing unit 30-2 have the same configuration as that of the first polishing unit 30-1. Therefore, the overlapping description is omitted.

第1研磨ユニット30−1と洗浄部4との間には、研磨テーブル60A,60Bの配列方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順番に第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3とする)の間でウェハを搬送する直動搬送機構としての第1リニアトランスポータ5が配置されている。第1リニアトランスポータ5は、研磨テーブル60A,60Bの配列方向に沿って直線往復移動可能な3つの搬送ステージTS1,TS2,TS3を備えており、これらの搬送ステージは上下に2段の構成となっている。すなわち、下段には第1搬送ステージTS1、第2搬送ステージTS2が配置され、上段には第3搬送ステージTS3が配置されている。   Between the first polishing unit 30-1 and the cleaning unit 4, there are three transfer positions along the arrangement direction of the polishing tables 60A and 60B (the first transfer position TP1 and the first transfer position in order from the load / unload unit 2 side). The first linear transporter 5 is disposed as a linear motion transfer mechanism for transferring a wafer between the second transfer position TP2 and the third transfer position TP3. The first linear transporter 5 includes three transfer stages TS1, TS2, and TS3 that can linearly reciprocate along the direction in which the polishing tables 60A and 60B are arranged. It has become. That is, the first transfer stage TS1 and the second transfer stage TS2 are arranged in the lower stage, and the third transfer stage TS3 is arranged in the upper stage.

第1搬送位置TP1(第1搬送ステージTS1)の上方には、ロード/アンロード部2の第1搬送ロボット22から受け取ったウェハを反転する反転機31が配置されており、その下方には上下に昇降可能なリフタ32が配置されている。また、第2搬送位置TP2(第2搬送ステージTS2)の下方には上下に昇降可能なプッシャ(受け渡し機構)33が、第3搬送位置TP3(第3搬送ステージTS3)の下方には上下に昇降可能なリフタ35がそれぞれ配置されている。なお、図1に示すリフタ32、プッシャ33、及びリフタ35の位置は、それぞれ第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3に対応している。   Above the first transfer position TP1 (first transfer stage TS1), a reversing machine 31 for inverting the wafer received from the first transfer robot 22 of the load / unload unit 2 is arranged, and below that is an upper and lower side. A lifter 32 that can be moved up and down is disposed. Further, a pusher (delivery mechanism) 33 that can be moved up and down below the second transfer position TP2 (second transfer stage TS2), and an up and down push below the third transfer position TP3 (third transfer stage TS3). Possible lifters 35 are respectively arranged. The positions of the lifter 32, the pusher 33, and the lifter 35 shown in FIG. 1 correspond to the first transport position TP1, the second transport position TP2, and the third transport position TP3, respectively.

下段の搬送ステージTS1,TS2と上段の搬送ステージTS3とは、図1の平面図上では同じ軸上を移動するが、設置される高さが異なっているため、下段の搬送ステージTS1,TS2と上段の搬送ステージTS3とは互いに干渉することなく研磨テーブル60A,60Bの配列方向に沿って自由に移動可能となっている。第1搬送ステージTS1と第2搬送ステージTS2とは図示しないシャフトによって互いに連結されており、第1搬送ステージTS1は、第2搬送ステージTS2と一体となって同時に直線往復移動をするようになっている。   The lower transfer stages TS1 and TS2 and the upper transfer stage TS3 move on the same axis on the plan view of FIG. 1, but are installed at different heights. Therefore, the lower transfer stages TS1 and TS2 The upper transfer stage TS3 can freely move along the arrangement direction of the polishing tables 60A and 60B without interfering with each other. The first transfer stage TS1 and the second transfer stage TS2 are connected to each other by a shaft (not shown). The first transfer stage TS1 and the second transfer stage TS2 are integrated with the second transfer stage TS2 and simultaneously reciprocate linearly. Yes.

このような構成において、第1搬送ステージTS1は、反転機31とリフタ32とが配置された第1搬送位置TP1と、プッシャ33が配置された(ウェハの受け渡し位置である)第2搬送位置TP2との間でウェハを搬送する。第2搬送ステージTS2は、(ウェハの受け渡し位置である)第2搬送位置TP2と、リフタ35が配置された第3搬送位置TP3との間でウェハを搬送する。そして、第3搬送ステージTS3は、第1搬送位置TP1と第3搬送位置TP3との間でウェハを搬送する。   In such a configuration, the first transport stage TS1 includes a first transport position TP1 where the reversing device 31 and the lifter 32 are disposed, and a second transport position TP2 where the pusher 33 is disposed (which is a wafer transfer position). The wafer is transported between. The second transfer stage TS2 transfers the wafer between the second transfer position TP2 (which is a wafer transfer position) and the third transfer position TP3 where the lifter 35 is disposed. The third transfer stage TS3 transfers the wafer between the first transfer position TP1 and the third transfer position TP3.

各搬送ステージTS1,TS2,TS3には、それぞれ4本のピン(図示せず)が固定されており、このピンにより搬送ステージTS1,TS2,TS3に載置されたウェハの外周縁がガイドされて位置決めされた状態でウェハが搬送ステージTS1,TS2,TS3上に載置されるようになっている。これらのピンは、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成される。また、各搬送ステージTS1,TS2,TS3には、透過型センサなどによりウェハの有無を検知するセンサ(図示せず)が設けられており、このセンサによって各搬送ステージTS1,TS2,TS3上のウェハの有無を検知することができるようになっている。   Four pins (not shown) are fixed to each transfer stage TS1, TS2, TS3, and the outer peripheral edge of the wafer placed on the transfer stages TS1, TS2, TS3 is guided by these pins. The wafer is placed on the transfer stages TS1, TS2, TS3 in the positioned state. These pins are formed from a resin such as polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) or polyetheretherketone (PEEK). Each transfer stage TS1, TS2, TS3 is provided with a sensor (not shown) for detecting the presence or absence of a wafer by a transmission type sensor or the like, and the wafer on each transfer stage TS1, TS2, TS3 by this sensor. The presence or absence of can be detected.

第2研磨ユニット30−2には、第1リニアトランスポータ5に隣接して、研磨テーブル60C,60Dの配列方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順番に第4搬送位置TP4、第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6とする)の間でウェハを搬送する直動搬送機構としての第2リニアトランスポータ6が配置されている。この第2リニアトランスポータ6は、研磨テーブル60C,60Dの配列方向に沿って直線往復移動可能な第4搬送ステージTS4及び第5搬送ステージTS5を備えており、これらの搬送ステージTS4,TS5は上下に2段の構成となっている。すなわち、上段には第4搬送ステージTS4が配置され、下段には第5搬送ステージTS5が配置されている。   The second polishing unit 30-2 is adjacent to the first linear transporter 5 and has three transfer positions along the arrangement direction of the polishing tables 60C and 60D (fourth transfer in order from the load / unload unit 2 side). A second linear transporter 6 is disposed as a linear motion transfer mechanism for transferring the wafer between the position TP4, the fifth transfer position TP5, and the sixth transfer position TP6. The second linear transporter 6 includes a fourth transfer stage TS4 and a fifth transfer stage TS5 that are linearly reciprocable along the arrangement direction of the polishing tables 60C and 60D. The transfer stages TS4 and TS5 are vertically moved. It has a two-stage configuration. That is, the fourth transfer stage TS4 is arranged on the upper stage, and the fifth transfer stage TS5 is arranged on the lower stage.

第4搬送位置TP4(第4搬送ステージTS4)の下方には上下に昇降可能なリフタ36が、第5搬送位置TP5の下方には上下に昇降可能なプッシャ(受け渡し機構)37がそれぞれ配置されている。上段の第4搬送ステージTS4と下段の第5搬送ステージTS5とは、図1の平面図上では同じ軸上を移動するが、設置される高さが異なっているため、上段の搬送ステージTS4と下段の第5搬送ステージTS5とは互いに干渉することなく研磨テーブル60C,60Dの配列方向に沿って自由に移動可能となっている。なお、図1に示すリフタ36、プッシャ37、第5搬送ステージTS5の位置は、それぞれ第4搬送位置TP4、第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6に対応している。   Below the fourth transport position TP4 (fourth transport stage TS4), a lifter 36 that can be moved up and down is disposed, and below the fifth transport position TP5, a pusher (delivery mechanism) 37 that can be moved up and down is disposed. Yes. The upper fourth transport stage TS4 and the lower fifth transport stage TS5 move on the same axis on the plan view of FIG. 1, but are installed at different heights. The lower fifth transfer stage TS5 can freely move along the arrangement direction of the polishing tables 60C and 60D without interfering with each other. The positions of the lifter 36, the pusher 37, and the fifth transport stage TS5 shown in FIG. 1 correspond to the fourth transport position TP4, the fifth transport position TP5, and the sixth transport position TP6, respectively.

このような構成において、第4搬送ステージTS4は、リフタ36が配置された第4搬送位置TP4とプッシャ37が配置された(ウェハの受け渡し位置である)第5搬送位置TP5との間でウェハを搬送する。第5搬送ステージTS5は、プッシャ37が配置された第5搬送位置TP5と第4搬送位置TP4との間でウェハを搬送する。   In such a configuration, the fourth transport stage TS4 moves the wafer between the fourth transport position TP4 where the lifter 36 is disposed and the fifth transport position TP5 where the pusher 37 is disposed (wafer delivery position). Transport. The fifth transfer stage TS5 transfers the wafer between the fifth transfer position TP5 where the pusher 37 is disposed and the fourth transfer position TP4.

各搬送ステージTS5,TS6には、それぞれ4本のピン(図示せず)が固定されており、このピンにより搬送ステージTS5,TS6に載置されたウェハの外周縁がガイドされて位置決めされた状態でウェハが搬送ステージTS5,TS6上に載置されるようになっている。これらのピンは、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成される。また、各搬送ステージTS5,TS6上には、透過型センサなどによりウェハの有無を検知するセンサ(図示せず)が構成されており、このセンサによって各搬送ステージTS5,TS6上のウェハの有無を検知することができるようになっている。   Four pins (not shown) are fixed to each transfer stage TS5, TS6, and the outer peripheral edge of the wafer placed on the transfer stages TS5, TS6 is guided and positioned by these pins. Thus, the wafer is placed on the transfer stages TS5 and TS6. These pins are formed from a resin such as polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) or polyetheretherketone (PEEK). Further, on each transfer stage TS5, TS6, a sensor (not shown) for detecting the presence / absence of a wafer is configured by a transmission type sensor or the like, and the presence / absence of a wafer on each transfer stage TS5, TS6 is detected by this sensor. It can be detected.

研磨液(スラリ)が使用される研磨部3は最もダーティな(汚れた)領域である。したがって、本実施形態では、研磨部3内のパーティクルが外部に飛散しないように、各研磨テーブル60A〜60Dの周囲から排気が行われている。これにより、研磨部3の内部の圧力が、ポリッシング装置外部、洗浄部4内部、ロード/アンロード部2内部の圧力よりも低くなり、パーティクルの飛散を防止することができる。また、研磨テーブル60A〜60Dの下方には排気ダクト(図示せず)が、上方にはフィルタ(図示せず)がそれぞれ設けられ、これらの排気ダクト及びフィルタを介して清浄な空気が噴出され、ダウンフローが形成される。   The polishing portion 3 where the polishing liquid (slurry) is used is the most dirty (dirty) region. Therefore, in this embodiment, exhaust is performed from around each of the polishing tables 60A to 60D so that the particles in the polishing unit 3 are not scattered outside. As a result, the pressure inside the polishing unit 3 becomes lower than the pressure inside the polishing apparatus, inside the cleaning unit 4 and inside the load / unload unit 2, and particle scattering can be prevented. Further, an exhaust duct (not shown) is provided below the polishing tables 60A to 60D, and a filter (not shown) is provided above, and clean air is jetted through these exhaust duct and filter, A downflow is formed.

洗浄部4は、研磨後の半導体ウェハを洗浄する領域であり、第2搬送ロボット40と、第2搬送ロボット40から受け取ったウェハを反転する反転機41と、研磨後の半導体ウェハを洗浄する洗浄機42〜45と、洗浄されたウェハが一時的に載置される仮置き台(アンロードバッファステージ)46と、反転機41及び洗浄機42〜45の間でウェハを搬送する搬送ユニット50とを備えている。これらの第2搬送ロボット40、反転機41、洗浄機42〜45、及び仮置き台46は、ポリッシング装置の長手方向に沿って直列に配置されている。また、これらの洗浄機42〜45の上部には、クリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、洗浄部4の内部は、研磨部3からのパーティクルの流入を防止するために研磨部3よりも高い圧力に常時維持されている。なお、反転機41と第1洗浄機42との間に、洗浄前のウェハを一時的に載置するための仮置き台を更に設けてもよい。   The cleaning unit 4 is an area for cleaning the semiconductor wafer after polishing, and includes a second transfer robot 40, a reversing machine 41 for inverting the wafer received from the second transfer robot 40, and a cleaning for cleaning the polished semiconductor wafer. Machines 42 to 45, a temporary placement table (unload buffer stage) 46 on which the cleaned wafer is temporarily placed, and a transfer unit 50 that transfers the wafer between the reversing machine 41 and the cleaning machines 42 to 45. It has. The second transfer robot 40, the reversing machine 41, the washing machines 42 to 45, and the temporary placement table 46 are arranged in series along the longitudinal direction of the polishing apparatus. In addition, a filter fan unit (not shown) having a clean air filter is provided above the washing machines 42 to 45, and clean air from which particles have been removed by this filter fan unit is always directed downward. Is blowing. Further, the inside of the cleaning unit 4 is constantly maintained at a pressure higher than that of the polishing unit 3 in order to prevent inflow of particles from the polishing unit 3. A temporary placement table for temporarily placing the wafer before cleaning may be further provided between the reversing machine 41 and the first cleaning machine 42.

1次洗浄機42、2次洗浄機43、及び3次洗浄機44としては、例えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させながらウェハの表面及び裏面に押し付けてウェハの表面及び裏面を洗浄するロールタイプの洗浄機を用いることができる。なお、3次洗浄機44として、例えば、半球状のスポンジを回転させながらウェハに押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いてもよい。4次洗浄機45としては、例えば、ウェハの裏面をリンス洗浄するとともに、ウェハ表面に半球状のスポンジを回転させながら押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。この4次洗浄機45は、チャックしたウェハを高速回転させることで洗浄後のウェハを乾燥させる機能(スピンドライ機能)を有しており、乾燥機としても機能する。なお、各洗浄機42〜45において、上述したロールタイプの洗浄機やペンシルタイプの洗浄機に加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの洗浄機を付加的に設けてもよい。   As the primary cleaning machine 42, the secondary cleaning machine 43, and the tertiary cleaning machine 44, for example, the front and back surfaces of the wafer are pressed by pressing the upper and lower roll sponges against the front and back surfaces of the wafer while rotating them. A roll type washing machine for washing can be used. As the tertiary cleaning machine 44, for example, a pencil-type cleaning machine that presses and cleans the wafer while rotating a hemispherical sponge may be used. As the quaternary cleaning machine 45, for example, a pencil-type cleaning machine that rinses and cleans the back surface of the wafer and presses and rotates the hemispherical sponge on the wafer surface can be used. The quaternary cleaning machine 45 has a function (spin dry function) of drying the wafer after cleaning by rotating the chucked wafer at a high speed, and also functions as a dryer. In addition, in each of the cleaning machines 42 to 45, in addition to the roll type cleaning machine and the pencil type cleaning machine described above, a megasonic type cleaning machine that performs cleaning by applying ultrasonic waves to the cleaning liquid may be additionally provided. .

搬送ユニット50はウェハを保持するための複数のチャッキングユニット(図示せず)を有しており、これらのチャッキングユニットは洗浄機42〜45、及び仮置き台46の配列方向に沿って移動可能に構成されている。本実施形態においては、反転機41から1次洗浄機42に、1次洗浄機42から2次洗浄機43に、2次洗浄機43から3次洗浄機44に、3次洗浄機44から4次洗浄機45に、4次洗浄機45から仮置き台46にそれぞれウェハを同時に搬送することができるように構成されている。また、洗浄機の外部にウェハを取り出さなくても、洗浄機の内部において次の洗浄機に搬送することができるように構成され、ウェハの搬送時間を短くすることが可能となっている。   The transfer unit 50 has a plurality of chucking units (not shown) for holding wafers, and these chucking units move along the direction in which the cleaning machines 42 to 45 and the temporary placement table 46 are arranged. It is configured to be possible. In the present embodiment, the reversing machine 41 to the primary cleaning machine 42, the primary cleaning machine 42 to the secondary cleaning machine 43, the secondary cleaning machine 43 to the tertiary cleaning machine 44, and the tertiary cleaning machines 44 to 4. The wafers are configured to be transferred to the next cleaning machine 45 from the fourth cleaning machine 45 to the temporary placement table 46 at the same time. Further, the wafer can be transferred to the next cleaning machine inside the cleaning machine without taking out the wafer to the outside of the cleaning machine, and the wafer transfer time can be shortened.

次に、このような構成のポリッシング装置を用いてウェハを研磨する処理について説明する。
ウェハをシリアル処理する場合には、ウェハは、フロントロード部20のウェハカセット→第1搬送ロボット22→反転機31→リフタ32→第1搬送ステージTS1→プッシャ33→トップリング61−1(または61−2、または61−3)→研磨テーブル60A→研磨テーブル60B→プッシャ33→第2搬送ステージTS2→リフタ35→第2搬送ロボット40→リフタ36→第4搬送ステージTS4→プッシャ37→トップリング61−4(または61−5,または61−6)→研磨テーブル60C→研磨テーブル60D→プッシャ37→第5搬送ステージTS5→リフタ36→第2搬送ロボット40→反転機41→1次洗浄機42→2次洗浄機43→3次洗浄機44→4次洗浄機45→仮置き台46→第1搬送ロボット22→フロントロード部20のウェハカセットという経路で搬送される。
Next, processing for polishing a wafer using the polishing apparatus having such a configuration will be described.
When serially processing a wafer, the wafer is transferred from the wafer cassette of the front load unit 20 → the first transfer robot 22 → the reversing device 31 → the lifter 32 → the first transfer stage TS1 → the pusher 33 → the top ring 61-1 (or 61). -2 or 61-3) → Polishing table 60A → Polishing table 60B → Pusher 33 → Second transport stage TS2 → Lifter 35 → Second transport robot 40 → Lifter 36 → Fourth transport stage TS4 → Pusher 37 → Top ring 61 -4 (or 61-5, or 61-6)-> polishing table 60C-> polishing table 60D-> pusher 37-> fifth transfer stage TS5-> lifter 36-> second transfer robot 40-> reversing machine 41-> primary cleaning machine 42-> Secondary cleaning machine 43 → tertiary cleaning machine 44 → quaternary cleaning machine 45 → temporary table 46 → first transfer robot 22 → It carried in the path of the wafer cassette of Ntorodo portion 20.

上述したシリアル処理について図1乃至図7を参照して更に詳細に説明する。なお、図2乃至図7においては、ウェハの流れを分かりやすく説明するためにトップリングの図示を省略する。
まず、第1搬送ロボット22が、フロントロード部20上のウェハカセットからウェハAを取り出し、このウェハAを反転機31に搬送する。反転機31はウェハAをチャックした後、ウェハAを反転させる。そして、リフタ32が反転機31の高さまでに上昇し、反転機31のアームが開くことによって、ウェハAがリフタ32上に載置される。リフタ32がそのまま下降することによって、ウェハAは第1リニアトランスポータ5の第1搬送ステージTS1上に載置される(図2(a)参照)。
The serial processing described above will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 7, the top ring is not shown for easy understanding of the wafer flow.
First, the first transfer robot 22 takes out the wafer A from the wafer cassette on the front load unit 20 and transfers the wafer A to the reversing machine 31. The reversing machine 31 reverses the wafer A after chucking the wafer A. Then, the lifter 32 moves up to the height of the reversing machine 31 and the arm of the reversing machine 31 is opened, so that the wafer A is placed on the lifter 32. When the lifter 32 is lowered as it is, the wafer A is placed on the first transfer stage TS1 of the first linear transporter 5 (see FIG. 2A).

リフタ32は、ウェハAが第1リニアトランスポータ5の第1搬送ステージTS1上に載置された後も、第1搬送ステージTS1が移動しても互いに干渉しない位置まで下降を続ける。リフタ32が下降を完了すると、下段の搬送ステージTS1,TS2が第3搬送位置TP3側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第1搬送位置TP1に移動する。これにより、第1搬送ステージTS1上のウェハAがトップリング61−1のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される(図2(b)参照)。   Even after the wafer A is placed on the first transfer stage TS1 of the first linear transporter 5, the lifter 32 continues to descend to a position where it does not interfere with each other even if the first transfer stage TS1 moves. When the lifter 32 completes lowering, the lower transfer stages TS1 and TS2 move to the third transfer position TP3, and the upper transfer stage TS3 moves to the first transfer position TP1. As a result, the wafer A on the first transfer stage TS1 is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-1 (see FIG. 2B).

ここで、第2搬送位置TP2に配置されたプッシャ33が上昇し、ウェハAがトップリング61−1に受け渡される。ウェハAは、トップリング61−1の下部に吸着保持され、支持部14−1を120°回転させることでウェハAが研磨テーブル60Aに搬送される。そして、トップリング61−1に保持されたウェハAは研磨テーブル60A上に取り付けられた研磨パッド又は砥石等からなる研磨面で1次研磨される。その後、下段の搬送ステージTS1,TS2が第1搬送位置TP1側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第3搬送位置TP3に移動する。研磨されたウェハAがトップリング60−1に保持された状態で、次のウェハBが上述と同様にして第1搬送ステージTS1上に載置される(図2(c))。   Here, the pusher 33 arranged at the second transfer position TP2 is raised, and the wafer A is delivered to the top ring 61-1. Wafer A is sucked and held at the bottom of top ring 61-1, and wafer A is transferred to polishing table 60A by rotating support portion 14-1 by 120 °. The wafer A held on the top ring 61-1 is primarily polished by a polishing surface made of a polishing pad or a grindstone attached on the polishing table 60A. Thereafter, the lower transfer stages TS1, TS2 move to the first transfer position TP1, and the upper transfer stage TS3 moves to the third transfer position TP3. With the polished wafer A held by the top ring 60-1, the next wafer B is placed on the first transfer stage TS1 in the same manner as described above (FIG. 2C).

搬送ステージTS1,TS2は第3搬送位置TP3側に移動し、ウェハBがトップリング61−2のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される。これと同時に、搬送ステージTS3は第1搬送位置TP1に移動する(図3(a))。ウェハBがトップリング61−2に保持された後、支持部14−1が120°回転し、これにより、ウェハAが研磨テーブル60Bに、ウェハBが研磨テーブル60Aに移動される(図3(b))。そして、研磨テーブル60BにおいてウェハAの2次研磨が行われ、同時に、研磨テーブル60AにおいてウェハBの1次研磨が行われる。その後、下段の搬送ステージTS1,TS2が第1搬送位置TP1側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第3搬送位置TP3に移動する。ウェハA,Bの研磨が終了した後、次のウェハCが第1搬送ステージTS1上に載置される。   The transfer stages TS1, TS2 move to the third transfer position TP3 side, and the wafer B is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-2. At the same time, the transport stage TS3 moves to the first transport position TP1 (FIG. 3 (a)). After the wafer B is held on the top ring 61-2, the support portion 14-1 is rotated by 120 °, whereby the wafer A is moved to the polishing table 60B and the wafer B is moved to the polishing table 60A (FIG. 3 ( b)). Then, the secondary polishing of the wafer A is performed on the polishing table 60B, and at the same time, the primary polishing of the wafer B is performed on the polishing table 60A. Thereafter, the lower transfer stages TS1, TS2 move to the first transfer position TP1, and the upper transfer stage TS3 moves to the third transfer position TP3. After the polishing of the wafers A and B is completed, the next wafer C is placed on the first transfer stage TS1.

搬送ステージTS1,TS2は第3搬送位置TP3側に移動し、ウェハCがトップリング61−3のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される。このとき、搬送ステージTS3は第1搬送位置TP1に移動する(図3(c))。ウェハCがトップリング61−3に保持された後、支持部14−1が120°回転し、これにより、ウェハAが第2搬送位置TP2に、ウェハBが研磨テーブル60Bに、ウェハCが研磨テーブル60Aに移動される(図4(a))。そして、研磨テーブル60BにおいてウェハBの2次研磨が行われ、同時に、研磨テーブル60AにおいてウェハCの1次研磨が行われる。その後、下段の搬送ステージTS1,TS2が第1搬送位置TP1側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第3搬送位置TP3に移動する。ウェハB,Cの研磨が終了した後、次のウェハDが第1搬送ステージTS1上に載置される。   The transfer stages TS1, TS2 move to the third transfer position TP3 side, and the wafer C is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-3. At this time, the transfer stage TS3 moves to the first transfer position TP1 (FIG. 3C). After the wafer C is held by the top ring 61-3, the support portion 14-1 is rotated by 120 °, whereby the wafer A is polished to the second transfer position TP2, the wafer B is polished to the polishing table 60B, and the wafer C is polished. It is moved to the table 60A (FIG. 4 (a)). Then, the secondary polishing of the wafer B is performed on the polishing table 60B, and at the same time, the primary polishing of the wafer C is performed on the polishing table 60A. Thereafter, the lower transfer stages TS1, TS2 move to the first transfer position TP1, and the upper transfer stage TS3 moves to the third transfer position TP3. After the polishing of the wafers B and C is completed, the next wafer D is placed on the first transfer stage TS1.

このとき、プッシャ33が上昇してウェハAがトップリング61−1からプッシャ33に受け渡される。プッシャ33がそのまま下降することによってウェハAが第2搬送ステージTS2上に載置される(図4(a))。第2搬送ステージTS2は第1搬送ステージTS1とともに第3搬送位置TP3側に移動し、第2搬送ステージTS2上のウェハAは第3搬送位置TP3に、第1搬送ステージTS1上のウェハDは第2搬送位置TP2に移動される(図4(b))。ウェハAは第3搬送位置TP3に配置されたリフタ35によって上方に持ち上げられる。このとき、ウェハDはトップリング61−1によって吸着保持され、上述と同様に研磨処理される。   At this time, the pusher 33 rises and the wafer A is transferred from the top ring 61-1 to the pusher 33. When the pusher 33 is lowered as it is, the wafer A is placed on the second transfer stage TS2 (FIG. 4A). The second transfer stage TS2 moves to the third transfer position TP3 side together with the first transfer stage TS1, the wafer A on the second transfer stage TS2 is at the third transfer position TP3, and the wafer D on the first transfer stage TS1 is the second transfer position TS1. 2 is moved to the transport position TP2 (FIG. 4B). The wafer A is lifted upward by the lifter 35 disposed at the third transfer position TP3. At this time, the wafer D is sucked and held by the top ring 61-1, and is polished as described above.

ウェハAは第2搬送ロボット40によって第1リニアトランスポータ5の第3搬送位置TP3にあるリフタ35から第2リニアトランスポータ6の第4搬送位置TP4にあるリフタ36に搬送される。リフタ36が下降することによってウェハAが第4搬送ステージTS4上に載置され(図5(a))、その後、上段の第4搬送ステージTS4はトップリング61−4が位置するウェハ受け渡し位置(第5搬送位置TP5)に移動される(図5(b))。ここで、第5搬送位置TP5に配置されたプッシャ37が上昇し、ウェハAがトップリング61−4に吸着保持される。支持部14−2は120°回転し、これにより、ウェハAが研磨テーブル60Cに搬送される(図5(c))。そして、トップリング61−4に保持されたウェハAは研磨テーブル60Cにより3次研磨される。その後、第4搬送ステージTS4は第4搬送位置TP4に移動する。ウェハAの3次研磨が終了した後、上述と同様にしてウェハBが第2搬送ロボット40及びリフタ35,36を介して第4搬送ステージTS4上に載置される。   The wafer A is transferred from the lifter 35 at the third transfer position TP3 of the first linear transporter 5 to the lifter 36 at the fourth transfer position TP4 of the second linear transporter 6 by the second transfer robot 40. When the lifter 36 is lowered, the wafer A is placed on the fourth transfer stage TS4 (FIG. 5 (a)), and then the upper fourth transfer stage TS4 is positioned at the wafer transfer position where the top ring 61-4 is located ( It is moved to the fifth transport position TP5) (FIG. 5B). Here, the pusher 37 disposed at the fifth transfer position TP5 is raised, and the wafer A is sucked and held on the top ring 61-4. The support portion 14-2 rotates 120 °, whereby the wafer A is transferred to the polishing table 60C (FIG. 5C). Then, the wafer A held on the top ring 61-4 is tertiary polished by the polishing table 60C. Thereafter, the fourth transfer stage TS4 moves to the fourth transfer position TP4. After the third polishing of the wafer A is completed, the wafer B is placed on the fourth transfer stage TS4 via the second transfer robot 40 and the lifters 35 and 36 in the same manner as described above.

第4搬送ステージTS4上のウェハBは第5搬送位置TP5に移動され、トップリング61−5に保持される(図6(a))。トップリング61−4,61−5がウェハA,Bを保持した状態で支持部14−2が120°回転し、これにより、ウェハA,Bが研磨テーブル60C,60Dにそれぞれ搬送される(図6(b))。そして、研磨テーブル60DでウェハAの4次研磨が行われ、研磨テーブル60CでウェハBの3次研磨が行われる。その後、第4搬送ステージTS4は第4の搬送位置TP4に移動される。ウェハA,Bの研磨が終了した後、ウェハCが上述と同様にして第4搬送ステージTS4上に搬送される。   The wafer B on the fourth transfer stage TS4 is moved to the fifth transfer position TP5 and held on the top ring 61-5 (FIG. 6A). With the top rings 61-4 and 61-5 holding the wafers A and B, the support portion 14-2 rotates 120 °, whereby the wafers A and B are transferred to the polishing tables 60C and 60D, respectively (see FIG. 6 (b)). Then, the fourth polishing of the wafer A is performed by the polishing table 60D, and the third polishing of the wafer B is performed by the polishing table 60C. Thereafter, the fourth transfer stage TS4 is moved to the fourth transfer position TP4. After the polishing of the wafers A and B is completed, the wafer C is transferred onto the fourth transfer stage TS4 in the same manner as described above.

ウェハCは第4搬送ステージTS4とともに第5搬送位置TP5に移動され、トップリング61−6に保持される(図6(c))。トップリング61−4,61−5,61−6がウェハA,B,Cを保持した状態で支持部14−2が120°回転し、これにより、ウェハAが第5搬送位置TP5に,ウェハBが研磨テーブル60Dに、ウェハCが研磨テーブル60Cにそれぞれ搬送される(図7(a))。そして、研磨テーブル60DでウェハBの4次研磨が行われ、研磨テーブル60CでウェハCの3次研磨が行われる。その後、上段の第4搬送ステージTS4は第4の搬送位置TP4に移動され、下段の第5搬送ステージTS5は第5搬送位置TP5に移動される。ウェハB,Cの研磨が終了した後、上述と同様にしてウェハDが第4搬送ステージTS4上に搬送される。このとき、プッシャ37が上昇してウェハAがトップリング61−4からプッシャ37に受け渡される。プッシャ37がそのまま下降することによってウェハAは第5搬送ステージTS5上に載置される。第5搬送ステージTS5上のウェハAは第4搬送位置TP4に移動し、同時に、第4搬送ステージTS4上のウェハDが第5搬送位置TP5に移動する(図7(b))。そして、第5搬送ステージTS5上のウェハAはリフタ36によって上方に持ち上げられ、第2搬送ロボット40によって反転機41に搬送される。その後、第5搬送ステージTS5は第5搬送位置TP5に移動して研磨処理が終了したウェハBを受け取る(図7(c))。これと同時に、第4搬送ステージTS4が第4搬送位置TP4に移動し、第4搬送ステージTS4にウェハEが搬送される。その後は、図7(b)及び図7(c)に示す動作と同様の動作が繰り返される。このようにして、複数のウェハが研磨ユニット30−1,30−2に直列的に順次搬送され、研磨テーブル60A,60B及び研磨テーブル60C,60Dを用いた4ステップ研磨が行われる。   The wafer C is moved to the fifth transfer position TP5 together with the fourth transfer stage TS4 and is held on the top ring 61-6 (FIG. 6C). With the top rings 61-4, 61-5, and 61-6 holding the wafers A, B, and C, the support portion 14-2 is rotated by 120 °, whereby the wafer A is moved to the fifth transfer position TP5. B is transferred to the polishing table 60D, and the wafer C is transferred to the polishing table 60C (FIG. 7A). Then, the fourth polishing of the wafer B is performed by the polishing table 60D, and the third polishing of the wafer C is performed by the polishing table 60C. Thereafter, the upper fourth transport stage TS4 is moved to the fourth transport position TP4, and the lower fifth transport stage TS5 is moved to the fifth transport position TP5. After the polishing of the wafers B and C is completed, the wafer D is transferred onto the fourth transfer stage TS4 in the same manner as described above. At this time, the pusher 37 rises and the wafer A is transferred from the top ring 61-4 to the pusher 37. When the pusher 37 is lowered as it is, the wafer A is placed on the fifth transfer stage TS5. The wafer A on the fifth transfer stage TS5 moves to the fourth transfer position TP4, and at the same time, the wafer D on the fourth transfer stage TS4 moves to the fifth transfer position TP5 (FIG. 7B). Then, the wafer A on the fifth transfer stage TS5 is lifted upward by the lifter 36 and transferred to the reversing machine 41 by the second transfer robot 40. Thereafter, the fifth transfer stage TS5 moves to the fifth transfer position TP5 and receives the wafer B after the polishing process (FIG. 7C). At the same time, the fourth transfer stage TS4 moves to the fourth transfer position TP4, and the wafer E is transferred to the fourth transfer stage TS4. Thereafter, operations similar to those shown in FIGS. 7B and 7C are repeated. In this manner, a plurality of wafers are sequentially transferred in series to the polishing units 30-1 and 30-2, and four-step polishing using the polishing tables 60A and 60B and the polishing tables 60C and 60D is performed.

反転機41以降のプロセスについては図1を参照して説明する。図1において、反転機41は研磨されたウェハをチャックし、ウェハを反転させてフェイスダウンからフェイスアップに変更する。ウェハは搬送ユニット50によって洗浄器42、洗浄機43、洗浄機44、及び洗浄機45の順に搬送され、プロセスに応じた洗浄処理及び乾燥処理が行われる。洗浄処理及び乾燥処理が行われたウェハは仮置き台(アンロードバッファステージ)46に搬送され、第1搬送ロボット22によってフロンドロード部20のウェハカセットに戻される。   The process after the reversing machine 41 will be described with reference to FIG. In FIG. 1, a reversing machine 41 chucks a polished wafer and reverses the wafer to change from face-down to face-up. The wafer is transferred by the transfer unit 50 in the order of the cleaning device 42, the cleaning device 43, the cleaning device 44, and the cleaning device 45, and a cleaning process and a drying process corresponding to the process are performed. The wafer subjected to the cleaning process and the drying process is transferred to a temporary table (unload buffer stage) 46 and returned to the wafer cassette of the front load unit 20 by the first transfer robot 22.

次に、ウェハをパラレル処理する場合について説明する。第1研磨ユニット30−1においては、ウェハは、フロントロード部20のウェハカセット→第1搬送ロボット22→反転機31→リフタ32→第1搬送ステージTS1→プッシャ33→トップリング61−1(または61−2、または61−3)→研磨テーブル60A→研磨テーブル60B→プッシャ33→第2搬送ステージTS2→リフタ35→第2搬送ロボット40→反転機41→1次洗浄機42→2次洗浄機43→3次洗浄機44→4次洗浄機45→仮置き台46→第1搬送ロボット22→フロントロード部20のウェハカセットという経路で搬送される。   Next, a case where the wafer is processed in parallel will be described. In the first polishing unit 30-1, the wafer is stored in the wafer cassette of the front load unit 20, the first transfer robot 22, the reversing machine 31, the lifter 32, the first transfer stage TS1, the pusher 33, the top ring 61-1, or the like. 61-2 or 61-3) → Polishing table 60A → Polishing table 60B → Pusher 33 → Second transport stage TS2 → Lifter 35 → Second transport robot 40 → Reversing machine 41 → Primary cleaning machine 42 → Secondary cleaning machine 43 → tertiary cleaning machine 44 → quaternary cleaning machine 45 → temporary placing table 46 → first transfer robot 22 → was transferred along the path of the wafer cassette of the front load unit 20.

一方、第2研磨ユニット30−2においては、ウェハは、フロントロード部20のウェハカセット→第1搬送ロボット22→反転機31→リフタ32→第3搬送ステージTS3→リフタ35→第2搬送ロボット40→リフタ36→第4搬送ステージTS4→プッシャ37→トップリング61−4(または61−5、または61−6)→研磨テーブル60C→研磨テーブル60D→プッシャ37→第5搬送ステージTS5→リフタ36→第2搬送ロボット40→反転機41→1次洗浄機42→2次洗浄機43→3次洗浄機44→4次洗浄機45→仮置き台46→第1搬送ロボット22→フロントロード部20のウェハカセットという経路で搬送される。   On the other hand, in the second polishing unit 30-2, the wafer is transferred from the wafer cassette of the front load unit 20 to the first transfer robot 22, the reversing device 31, the lifter 32, the third transfer stage TS3, the lifter 35, and the second transfer robot 40. → lifter 36 → fourth transfer stage TS4 → pusher 37 → top ring 61-4 (or 61-5 or 61-6) → polishing table 60C → polishing table 60D → pusher 37 → fifth transfer stage TS5 → lifter 36 → Second transfer robot 40 → reversing machine 41 → primary cleaning machine 42 → secondary cleaning machine 43 → third cleaning machine 44 → quaternary cleaning machine 45 → temporary placement table 46 → first transfer robot 22 → front load unit 20 It is conveyed by a route called a wafer cassette.

上述したパラレル処理について図1、図8(a)乃至図13(b)を参照して詳細に説明する。なお、図8(a)乃至図11(b)においては、研磨ユニット30−1,30−2を並列して図示している。
まず、第1搬送ロボット22が、フロントロード部20上のウェハカセットからウェハAを取り出し、このウェハAを反転機31に搬送する。反転機31はウェハAをチャックした後、ウェハAを反転させる。そして、リフタ32が反転機31の高さまでに上昇し、反転機31のアームが開くことによって、ウェハAがリフタ32上に載置される。リフタ32がそのまま下降することによって、ウェハAは第1リニアトランスポータ5の第1搬送ステージTS1上に載置される(図8(a))。
The parallel processing described above will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 8A to 13B. In FIGS. 8A to 11B, the polishing units 30-1 and 30-2 are shown in parallel.
First, the first transfer robot 22 takes out the wafer A from the wafer cassette on the front load unit 20 and transfers the wafer A to the reversing machine 31. The reversing machine 31 reverses the wafer A after chucking the wafer A. Then, the lifter 32 moves up to the height of the reversing machine 31 and the arm of the reversing machine 31 is opened, so that the wafer A is placed on the lifter 32. When the lifter 32 is lowered as it is, the wafer A is placed on the first transfer stage TS1 of the first linear transporter 5 (FIG. 8A).

リフタ32が下降を完了すると、下段の搬送ステージTS1,TS2が第3搬送位置TP3側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第1搬送位置TP1に移動する。これにより、第1搬送ステージTS1上のウェハAがトップリング61−1のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される(図8(b))。ここで、第2搬送位置TP2に配置されたプッシャ33が上昇し、ウェハAがトップリング61−1に受け渡される。このとき、次のウェハBが第3搬送ステージTS3上に載置される。   When the lifter 32 completes lowering, the lower transfer stages TS1 and TS2 move to the third transfer position TP3, and the upper transfer stage TS3 moves to the first transfer position TP1. As a result, the wafer A on the first transfer stage TS1 is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-1 (FIG. 8B). Here, the pusher 33 arranged at the second transfer position TP2 is raised, and the wafer A is delivered to the top ring 61-1. At this time, the next wafer B is placed on the third transfer stage TS3.

ウェハAは、トップリング61−1の下部に吸着保持され、支持部14−1を120°回転させることでウェハAが研磨テーブル60Aまで搬送される(図9(a))。そして、トップリング61−1に保持されたウェハAは研磨テーブル60Aで1次研磨される。その後、下段の搬送ステージTS1,TS2が第1搬送位置TP1側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第3搬送位置TP3に移動する。ここで、次のウェハCが第1搬送ステージTS1上に載置される。第3搬送位置TP3に配置されたリフタ35が上昇し、ウェハBがリフタ35上に載置される。リフタ35上のウェハBは第2搬送ロボット40によって第2リニアトランスポータ6のリフタ36に受け渡される。そして、リフタ36が下降することによってウェハBが第4搬送ステージTS4上に載置される。   The wafer A is sucked and held at the lower part of the top ring 61-1, and the wafer A is conveyed to the polishing table 60A by rotating the support portion 14-1 by 120 ° (FIG. 9A). Then, the wafer A held on the top ring 61-1 is primarily polished by the polishing table 60A. Thereafter, the lower transfer stages TS1, TS2 move to the first transfer position TP1, and the upper transfer stage TS3 moves to the third transfer position TP3. Here, the next wafer C is placed on the first transfer stage TS1. The lifter 35 disposed at the third transfer position TP3 is raised, and the wafer B is placed on the lifter 35. The wafer B on the lifter 35 is transferred to the lifter 36 of the second linear transporter 6 by the second transfer robot 40. Then, when the lifter 36 is lowered, the wafer B is placed on the fourth transfer stage TS4.

下段の搬送ステージTS1,TS2は第3搬送位置TP3側に移動し、ウェハCがトップリング61−2のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される。このとき、第3搬送ステージTS3は第1搬送位置TP1に移動し、次のウェハDが第3搬送ステージTS3上に載置される(図9(b))。ウェハCがトップリング61−2に保持された後、支持部14−1が120°回転し、これにより、ウェハAが研磨テーブル60Bに、ウェハCが研磨テーブル60Aに移動される(図10(a))。そして、研磨テーブル60BにおいてウェハAの2次研磨が行われ、同時に、研磨テーブル60AにおいてウェハCの1次研磨が行われる。その後、下段の搬送ステージTS1,TS2が第1搬送位置TP1側に移動するとともに、上段の搬送ステージTS3が第3搬送位置TP3に移動し、ウェハDが第3搬送位置TP3に移動される。ウェハA,Cの研磨が終了した後、次のウェハEが第1搬送ステージTS1上に載置される。一方、第2研磨ユニット30−2では、第4搬送ステージTS4がトップリング61−4の受け渡し位置(第5搬送位置TP5)に移動し、これにより、ウェハBは、プッシャ37が配置される第5搬送位置TP5に移動される。ここで、プッシャ37が上昇し、ウェハBがトップリング61−4に保持される。   The lower transfer stages TS1, TS2 move to the third transfer position TP3 side, and the wafer C is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-2. At this time, the third transfer stage TS3 moves to the first transfer position TP1, and the next wafer D is placed on the third transfer stage TS3 (FIG. 9B). After the wafer C is held by the top ring 61-2, the support portion 14-1 is rotated by 120 °, whereby the wafer A is moved to the polishing table 60B and the wafer C is moved to the polishing table 60A (FIG. 10 ( a)). Then, secondary polishing of the wafer A is performed on the polishing table 60B, and at the same time, primary polishing of the wafer C is performed on the polishing table 60A. Thereafter, the lower transfer stages TS1 and TS2 move to the first transfer position TP1, the upper transfer stage TS3 moves to the third transfer position TP3, and the wafer D moves to the third transfer position TP3. After the polishing of the wafers A and C is completed, the next wafer E is placed on the first transfer stage TS1. On the other hand, in the second polishing unit 30-2, the fourth transfer stage TS4 moves to the delivery position (fifth transfer position TP5) of the top ring 61-4, whereby the wafer B has the first pusher 37 disposed thereon. 5 is moved to the transport position TP5. Here, the pusher 37 is raised and the wafer B is held by the top ring 61-4.

搬送ステージTS1,TS2は第3搬送位置TP3側に移動し、ウェハEがトップリング61−3のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される(図10(b))。このとき、第3搬送ステージTS3は第1搬送位置TP1に移動し、次のウェハFが第3搬送ステージTS3上に載置される。同時に、第4搬送ステージTS4が第4搬送位置TP4に移動し、ウェハDが第3搬送ステージTS3から第4搬送ステージTS4にリフタ35,36及び第2搬送ロボット40を介して搬送される。   The transfer stages TS1 and TS2 move to the third transfer position TP3 side, and the wafer E is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-3 (FIG. 10B). At this time, the third transfer stage TS3 moves to the first transfer position TP1, and the next wafer F is placed on the third transfer stage TS3. At the same time, the fourth transfer stage TS4 moves to the fourth transfer position TP4, and the wafer D is transferred from the third transfer stage TS3 to the fourth transfer stage TS4 via the lifters 35 and 36 and the second transfer robot 40.

ウェハEがトップリング61−3に保持された後、支持部14−1が120°回転し、これにより、ウェハAが第2搬送位置TP2に、ウェハCが研磨テーブル60Bに、ウェハEが研磨テーブル60Aに移動される(図11(a))。そして、研磨テーブル60BにおいてウェハCの2次研磨が行われ、同時に、研磨テーブル60AにおいてウェハEの1次研磨が行われる。その後、下段の搬送ステージTS1,TS2が第1搬送位置TP1側に移動し、次のウェハGが第1搬送ステージTS1上に載置される。これと同時に、上段の搬送ステージTS3が第3搬送位置TP3に移動し、ウェハFが第3搬送位置TP3に移動される。   After the wafer E is held by the top ring 61-3, the support portion 14-1 is rotated by 120 °, whereby the wafer A is polished to the second transfer position TP2, the wafer C is polished to the polishing table 60B, and the wafer E is polished. It is moved to the table 60A (FIG. 11 (a)). Then, the secondary polishing of the wafer C is performed on the polishing table 60B, and at the same time, the primary polishing of the wafer E is performed on the polishing table 60A. Thereafter, the lower transfer stages TS1, TS2 move to the first transfer position TP1, and the next wafer G is placed on the first transfer stage TS1. At the same time, the upper transfer stage TS3 moves to the third transfer position TP3, and the wafer F moves to the third transfer position TP3.

次いで、第2搬送位置TP2にあるプッシャ33が上昇し、研磨されたウェハAがトップリング61−1から第2搬送ステージTS2に受け渡される。プッシャ33はそのまま下降し、これによりウェハAが第2搬送ステージTS2上に載置される。一方、第2研磨ユニット30−2では、第4搬送ステージTS4がウェハDとともにトップリング61−5の受け渡し位置(第5搬送位置TP5)に移する。その後、プッシャ37が上昇し、ウェハDがトップリング61−5に保持される。   Next, the pusher 33 at the second transfer position TP2 is raised, and the polished wafer A is transferred from the top ring 61-1 to the second transfer stage TS2. The pusher 33 is lowered as it is, so that the wafer A is placed on the second transfer stage TS2. On the other hand, in the second polishing unit 30-2, the fourth transfer stage TS4 moves together with the wafer D to the delivery position (fifth transfer position TP5) of the top ring 61-5. Thereafter, the pusher 37 is raised and the wafer D is held by the top ring 61-5.

搬送ステージTS1,TS2は第3搬送位置TP3側に移動し、ウェハAが第3搬送位置TP3に、ウェハGがトップリング61−1のウェハ受け渡し位置(第2搬送位置TP2)に移動される(図11(b))。このとき、第3搬送ステージTS3は第1搬送位置TP1に移動し、次のウェハHが第3搬送ステージTS3上に載置される。第3搬送位置TP3に配置されたリフタ35が上昇することによってウェハAはリフタ35上に載置され、ウェハAは第2搬送ロボット40によってリフタ35から反転機41に搬送される。一方、第2研磨ユニット30−2では、ウェハFが第3搬送ステージTS3から第4搬送ステージTS4にリフタ35,36及び第2搬送ロボット40を介して搬送される。なお、反転機41以降の工程は、上述したシリアル処理の場合と同様である。また、第1研磨ユニット30−1における図11(b)に示す工程以降は、図11(a)及び図11(b)と同様の工程が繰り返されるので、その説明を省略する。   The transfer stages TS1 and TS2 move to the third transfer position TP3 side, the wafer A is moved to the third transfer position TP3, and the wafer G is moved to the wafer transfer position (second transfer position TP2) of the top ring 61-1. FIG. 11B). At this time, the third transfer stage TS3 moves to the first transfer position TP1, and the next wafer H is placed on the third transfer stage TS3. When the lifter 35 disposed at the third transfer position TP3 is raised, the wafer A is placed on the lifter 35, and the wafer A is transferred from the lifter 35 to the reversing machine 41 by the second transfer robot 40. On the other hand, in the second polishing unit 30-2, the wafer F is transferred from the third transfer stage TS3 to the fourth transfer stage TS4 via the lifters 35 and 36 and the second transfer robot 40. The steps after the reversing machine 41 are the same as those in the serial processing described above. Moreover, since the process similar to FIG.11 (a) and FIG.11 (b) is repeated after the process shown in FIG.11 (b) in the 1st grinding | polishing unit 30-1, the description is abbreviate | omitted.

第2研磨ユニット30−2では、ウェハDがトップリング61−5に保持された後、支持部14−2が120°回転し、これにより、ウェハBが研磨テーブル60Dに、ウェハDが研磨テーブル60Cに移動される(図12(a))。そして、研磨テーブル60DでウェハBの2次研磨が行われ、研磨テーブル60CでウェハDの1次研磨が行われる。その後、第4搬送ステージTS4が第5搬送位置TP5に移動し、これにより、ウェハFがトップリング61−6の受け渡し位置まで移動される。そして、プッシャ37が上昇し、ウェハFがトップリング61−6によって保持される。その後、第4搬送ステージTS4が第4搬送位置TP4に移動し、ウェハHが第3搬送ステージTS3から第4搬送ステージTS4にリフタ35,36及び第2搬送ロボット40を介して搬送される(図12(b))。   In the second polishing unit 30-2, after the wafer D is held by the top ring 61-5, the support portion 14-2 is rotated by 120 °, whereby the wafer B becomes the polishing table 60D and the wafer D becomes the polishing table. It is moved to 60C (FIG. 12 (a)). Then, the secondary polishing of the wafer B is performed by the polishing table 60D, and the primary polishing of the wafer D is performed by the polishing table 60C. Thereafter, the fourth transfer stage TS4 moves to the fifth transfer position TP5, whereby the wafer F is moved to the delivery position of the top ring 61-6. Then, the pusher 37 is raised and the wafer F is held by the top ring 61-6. Thereafter, the fourth transfer stage TS4 moves to the fourth transfer position TP4, and the wafer H is transferred from the third transfer stage TS3 to the fourth transfer stage TS4 via the lifters 35 and 36 and the second transfer robot 40 (FIG. 12 (b)).

ウェハB,D,Fがトップリング61−4,61−5,61−6によってそれぞれ保持された状態で、支持部14−2が120°回転し、これにより、ウェハBが第5搬送位置TP5に、ウェハDが研磨テーブル60Dに、ウェハFが研磨テーブル60Cに移動される。そして、研磨テーブル60DでウェハDの2次研磨が行われ、研磨テーブル60CでウェハFの1次研磨が行われる。その後、第5搬送ステージTS5が第5搬送位置TP5に移動し、ウェハBがプッシャ37を介してトップリング61−4から第5搬送ステージTS5に受け渡される(図13(a))。   With the wafers B, D, and F being held by the top rings 61-4, 61-5, and 61-6, the support portion 14-2 is rotated by 120 °, whereby the wafer B is moved to the fifth transfer position TP5. The wafer D is moved to the polishing table 60D, and the wafer F is moved to the polishing table 60C. Then, the secondary polishing of the wafer D is performed by the polishing table 60D, and the primary polishing of the wafer F is performed by the polishing table 60C. Thereafter, the fifth transfer stage TS5 moves to the fifth transfer position TP5, and the wafer B is transferred from the top ring 61-4 to the fifth transfer stage TS5 via the pusher 37 (FIG. 13A).

第5搬送ステージTS5が第4搬送位置TP4に移動し、これと同時に第4搬送ステージTS4が第5搬送位置TP5に移動する。これにより、ウェハBが第4搬送位置TP4に、ウェハHがトップリング61−4の受け渡し位置(第5搬送位置TP5)に移動される(図13(b))。第4搬送位置TP4に配置されたリフタ36が上昇することによって、第5搬送ステージTS5上のウェハBがリフタ36上に載置される。そして、ウェハBは第2搬送ロボット40によってリフタ36から反転機41に搬送される。反転機41以降の工程は、上述したシリアル処理の場合と同様である。このように、複数のウェハが研磨ユニット30−1,30−2に並列的に順次搬送され、それぞれの研磨ユニット30−1,30−2において研磨テーブル60A,60B及び研磨テーブル60C,60Dを用いた2ステップ研磨が行われる。   The fifth transfer stage TS5 moves to the fourth transfer position TP4, and at the same time, the fourth transfer stage TS4 moves to the fifth transfer position TP5. Thereby, the wafer B is moved to the fourth transfer position TP4, and the wafer H is moved to the delivery position (fifth transfer position TP5) of the top ring 61-4 (FIG. 13B). As the lifter 36 disposed at the fourth transfer position TP4 moves up, the wafer B on the fifth transfer stage TS5 is placed on the lifter 36. Then, the wafer B is transferred from the lifter 36 to the reversing machine 41 by the second transfer robot 40. The processes after the reversing machine 41 are the same as those in the serial processing described above. Thus, a plurality of wafers are sequentially transferred in parallel to the polishing units 30-1 and 30-2, and the polishing tables 60A and 60B and the polishing tables 60C and 60D are used in the respective polishing units 30-1 and 30-2. 2-step polishing is performed.

次に、本発明の第2の実施形態について図14を参照して説明する。
図14は本発明の第2の実施形態に係るポリッシング装置を示す平面図である。なお、特に説明しない第2の実施形態の構成については第1の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 14 is a plan view showing a polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention. Note that the configuration of the second embodiment that is not particularly described is the same as that of the first embodiment, and therefore, redundant description thereof is omitted.

図14に示すように、第1研磨ユニット30−1及び第2研磨ユニット30−2は、それぞれ4つのトップリング61−1〜4,61−5〜8を備えている。第1研磨ユニット30−1及び第2研磨ユニット30−2は互いに同一の構成を有しているので、以下に第1研磨ユニット30−1についてのみ説明する。研磨テーブル60A,60Bの側方には、回転可能な支持部14−1が立設されている。この支持部14−1には、4つのアーム16が円周方向に沿って等角度で、つまり互いに90°の角度をなすように放射状に設けられている。これらのアーム16の自由端には上述した4つのトップリング61−1〜4がそれぞれ取り付けられている。支持部14−1は、回転と停止を繰り返す間欠的な回転動作を行うように構成されており、アーム16間の角度90°に合わせて、90°回転した後に一旦停止するようになっている。   As shown in FIG. 14, each of the first polishing unit 30-1 and the second polishing unit 30-2 includes four top rings 61-1 to 4 and 61-5 to 8. Since the first polishing unit 30-1 and the second polishing unit 30-2 have the same configuration, only the first polishing unit 30-1 will be described below. A rotatable support portion 14-1 is erected on the side of the polishing tables 60A and 60B. In the support portion 14-1, four arms 16 are provided radially at equal angles along the circumferential direction, that is, at an angle of 90 ° to each other. The above-described four top rings 61-1 to 6-4 are attached to the free ends of these arms 16, respectively. The support portion 14-1 is configured to perform an intermittent rotation operation that repeats rotation and stop, and temporarily stops after rotating 90 ° according to the angle 90 ° between the arms 16. .

第1研磨ユニット30−1と洗浄部4との間には、研磨テーブル60A,60Bの配列方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順番に第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4とする)の間でウェハを搬送する直動搬送機構としての第1リニアトランスポータ5が配置されている。第1リニアトランスポータ5は、研磨テーブル60A,60Bの配列方向に沿って直線往復移動可能な3つの搬送ステージTS1,TS2,TS3を備えており、これらの搬送ステージは上下に2段の構成となっている。すなわち、下段には第1搬送ステージTS1及び第2搬送ステージTS2が配置され、上段には第3搬送ステージTS3が配置されている。第1搬送ステージTS1は、第2搬送ステージTS2とともに一体となって直線往復移動をするようになっている。   Between the first polishing unit 30-1 and the cleaning unit 4, there are four transfer positions along the arrangement direction of the polishing tables 60A and 60B (the first transfer position TP1 and the first transfer position in order from the load / unload unit 2 side). The first linear transporter 5 is disposed as a linear motion transfer mechanism for transferring a wafer between the second transfer position TP2, the third transfer position TP3, and the fourth transfer position TP4. The first linear transporter 5 includes three transfer stages TS1, TS2, and TS3 that can linearly reciprocate along the direction in which the polishing tables 60A and 60B are arranged. It has become. That is, the first transfer stage TS1 and the second transfer stage TS2 are arranged in the lower stage, and the third transfer stage TS3 is arranged in the upper stage. The first transport stage TS1 is integrated with the second transport stage TS2 to reciprocate linearly.

第1搬送位置TP1(第1搬送ステージTS1)の上方には、ロード/アンロード部2の第1搬送ロボット22から受け取ったウェハを反転させる反転機31が配置されており、その下方には上下に昇降可能なリフタ32が配置されている。また、第2搬送位置TP2の下方には上下に昇降可能なプッシャ(受け渡し機構)33が、第3搬送位置TP3(第2搬送ステージTS2)の下方には上下に昇降可能なプッシャ(受け渡し機構)34が、第4搬送位置TP4(第3搬送ステージTS3)の下方には上下に昇降可能なリフタ35がそれぞれ配置されている。なお、図14に示すリフタ32、プッシャ33、プッシャ34、及びリフタ35の位置は、それぞれ第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4に対応している。   Above the first transfer position TP1 (first transfer stage TS1), a reversing machine 31 for inverting the wafer received from the first transfer robot 22 of the load / unload unit 2 is arranged, and below that is an upper and lower side. A lifter 32 that can be moved up and down is disposed. Further, a pusher (delivery mechanism) 33 that can be moved up and down is provided below the second transfer position TP2, and a pusher (a transfer mechanism) that can be raised and lowered up and down below the third transfer position TP3 (second transfer stage TS2). 34 are respectively arranged below the fourth transfer position TP4 (third transfer stage TS3) and can be lifted up and down. The positions of the lifter 32, the pusher 33, the pusher 34, and the lifter 35 shown in FIG. 14 correspond to the first transport position TP1, the second transport position TP2, the third transport position TP3, and the fourth transport position TP4, respectively. Yes.

このような構成において、第1搬送ステージTS1は、反転機31とリフタ32とが配置された第1搬送位置TP1と、プッシャ33が配置された(ウェハの受け渡し位置である)第2搬送位置TP2との間でウェハを搬送する。第2搬送ステージTS2は、(ウェハの受け渡し位置である)第3搬送位置TP3とリフタ35が配置された第4搬送位置T43との間でウェハを搬送する。そして、第3搬送ステージTS3は、第1搬送位置TP1と第4搬送位置TP4との間でウェハを搬送する。   In such a configuration, the first transport stage TS1 includes a first transport position TP1 where the reversing device 31 and the lifter 32 are disposed, and a second transport position TP2 where the pusher 33 is disposed (which is a wafer transfer position). The wafer is transported between. The second transfer stage TS2 transfers the wafer between the third transfer position TP3 (which is a wafer transfer position) and the fourth transfer position T43 where the lifter 35 is disposed. The third transfer stage TS3 transfers the wafer between the first transfer position TP1 and the fourth transfer position TP4.

第2研磨ユニット30−2には、第1リニアトランスポータ5に隣接して、研磨テーブル60C,60Dの配列方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロード部2側から順番に第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7とする)の間でウェハを搬送する直動搬送機構としての第2リニアトランスポータ6が配置されている。この第2リニアトランスポータ6は、研磨テーブル60C,60Dの配列方向に沿って直線往復移動可能な第4搬送ステージTS4及び第5搬送ステージTS5を備えており、これらの搬送ステージTS4,TS5は上下に2段の構成となっている。すなわち、上段には第4搬送ステージTS4が配置され、下段には第5搬送ステージTS5が配置されている。   The second polishing unit 30-2 is adjacent to the first linear transporter 5 and has three transfer positions along the arrangement direction of the polishing tables 60C and 60D (the fifth transfer in order from the load / unload unit 2 side). A second linear transporter 6 is disposed as a linear motion transfer mechanism for transferring a wafer between position TP5, sixth transfer position TP6, and seventh transfer position TP7). The second linear transporter 6 includes a fourth transfer stage TS4 and a fifth transfer stage TS5 that are linearly reciprocable along the arrangement direction of the polishing tables 60C and 60D. The transfer stages TS4 and TS5 are vertically moved. It has a two-stage configuration. That is, the fourth transfer stage TS4 is arranged on the upper stage, and the fifth transfer stage TS5 is arranged on the lower stage.

第5搬送位置TP5(第4搬送ステージTS4)の下方には上下に昇降可能なリフタ36が、第5搬送位置TP5の下方には上下に昇降可能なプッシャ(受け渡し機構)37が、第7搬送位置TP7(第5搬送ステージTS5)の下方には上下に昇降可能ばプッシャ38がそれぞれ配置されている。なお、図14に示すリフタ36、プッシャ37、プッシャ38の位置は、それぞれ第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7に対応している。   Below the fifth transfer position TP5 (fourth transfer stage TS4) is a lifter 36 that can be moved up and down, and below the fifth transfer position TP5 is a pusher (delivery mechanism) 37 that can be moved up and down. Pushers 38 are arranged below the position TP7 (fifth transfer stage TS5) if they can be moved up and down. The positions of the lifter 36, the pusher 37, and the pusher 38 shown in FIG. 14 correspond to the fifth transport position TP5, the sixth transport position TP6, and the seventh transport position TP7, respectively.

このような構成において、第4搬送ステージTS4は、リフタ36が配置された第5搬送位置TP5とプッシャ37が配置された(ウェハの受け渡し位置である)第6搬送位置TP6との間でウェハを搬送する。第5搬送ステージTS5は、プッシャ38が配置された(ウェハの受け渡し位置である)第7搬送位置TP7と第4搬送位置TP4との間でウェハを搬送する。   In such a configuration, the fourth transport stage TS4 moves the wafer between the fifth transport position TP5 where the lifter 36 is disposed and the sixth transport position TP6 where the pusher 37 is disposed (which is a wafer transfer position). Transport. The fifth transfer stage TS5 transfers the wafer between the seventh transfer position TP7 and the fourth transfer position TP4 where the pusher 38 is disposed (which is a wafer transfer position).

本実施形態においても、複数のウェハが研磨ユニット30−1,30−2に直列的または並列的に搬送され、研磨テーブル60A,60B及び研磨テーブル60C,60Dを用いた複数段階の研磨が行われる。このように、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、ウェハのシリアル処理及びパラレル処理が行われ、これにより高スループットが実現される。   Also in this embodiment, a plurality of wafers are conveyed in series or in parallel to the polishing units 30-1 and 30-2, and a plurality of stages of polishing using the polishing tables 60A and 60B and the polishing tables 60C and 60D are performed. . As described above, also in the present embodiment, similar to the first embodiment, serial processing and parallel processing of the wafer are performed, and thereby high throughput is realized.

本発明の第1の実施形態におけるポリッシング装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the polishing apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 図2(a)乃至図2(c)は、ウェハをシリーズ処理する場合の第1リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 2A to 2C are schematic diagrams for explaining the operations of the first linear transporter and the top ring when the wafers are processed in series. 図3(a)乃至図3(c)は、ウェハをシリーズ処理する場合の第1リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 3A to 3C are schematic diagrams for explaining the operations of the first linear transporter and the top ring when the wafers are processed in series. 図4(a)及び図4(b)は、ウェハをシリーズ処理する場合の第1リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 4A and 4B are schematic diagrams for explaining the operation of the first linear transporter and the top ring when the wafers are processed in series. 図5(a)乃至図5(c)は、ウェハをシリーズ処理する場合の第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 5A to 5C are schematic diagrams for explaining the operations of the second linear transporter and the top ring when the wafers are processed in series. 図6(a)乃至図6(c)は、ウェハをシリーズ処理する場合の第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 6A to 6C are schematic diagrams for explaining the operations of the second linear transporter and the top ring when the wafers are processed in series. 図7(a)乃至図7(c)は、ウェハをシリーズ処理する場合の第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 7A to 7C are schematic views for explaining the operations of the second linear transporter and the top ring when the wafers are processed in series. 図8(a)及び図8(b)は、ウェハをパラレル処理する場合の第1及び第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 8A and 8B are schematic diagrams for explaining the operations of the first and second linear transporters and the top ring when the wafer is processed in parallel. 図9(a)及び図9(b)は、ウェハをパラレル処理する場合の第1及び第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 9A and 9B are schematic diagrams for explaining the operations of the first and second linear transporters and the top ring when the wafer is processed in parallel. 図10(a)及び図10(b)は、ウェハをパラレル処理する場合の第1及び第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 10A and 10B are schematic diagrams for explaining the operations of the first and second linear transporters and the top ring when the wafer is processed in parallel. 図11(a)及び図11(b)は、ウェハをパラレル処理する場合の第1及び第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 11A and 11B are schematic diagrams for explaining the operations of the first and second linear transporters and the top ring when the wafer is processed in parallel. 図12(a)及び図12(b)は、ウェハをパラレル処理する場合の第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 12A and 12B are schematic diagrams for explaining the operations of the second linear transporter and the top ring when the wafer is processed in parallel. 図13(a)及び図13(b)は、ウェハをパラレル処理する場合の第2リニアトランスポータ及びトップリングの動作を説明するための模式図である。FIGS. 13A and 13B are schematic diagrams for explaining the operations of the second linear transporter and the top ring when the wafer is processed in parallel. 本発明の第2の実施形態におけるポリッシング装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the polishing apparatus in the 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 ハウジング
2 ロード/アンロード部
3 研磨部
4 洗浄部
5,6 リニアトランスポータ
14−1,14−2 支持部
16 アーム
20 フロントロード部
21 走行機構
22 第1搬送ロボット
30−1,30−2 研磨ユニット
31,41 反転機
32,35,36 リフタ
33,34,37,38 プッシャ
40 第2搬送ロボット
42,43,44,45 洗浄機
46 仮置き台
50 搬送ユニット
60A,60B,60C,60D 研磨テーブル
61−1〜61〜8 トップリング
62A,62B,62C,62D 研磨液供給ノズル
63A,63B,63C,63D ドレッサ
TS1〜TS5 搬送ステージ
TP1〜TP7 搬送位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing 2 Load / unload part 3 Polishing part 4 Washing part 5,6 Linear transporter 14-1, 14-2 Support part 16 Arm 20 Front load part 21 Traveling mechanism 22 1st conveyance robot 30-1, 30-2 Polishing unit 31, 41 Inverter 32, 35, 36 Lifter 33, 34, 37, 38 Pusher 40 Second transfer robot 42, 43, 44, 45 Washing machine 46 Temporary table 50 Transfer unit 60A, 60B, 60C, 60D Polishing Tables 61-1 to 61-8 Top rings 62A, 62B, 62C, 62D Polishing liquid supply nozzles 63A, 63B, 63C, 63D Dressers TS1 to TS5 Transport stages TP1 to TP7 Transport positions

Claims (8)

研磨面を有する複数の研磨テーブルと、研磨対象物を保持しつつ前記複数の研磨テーブル間を移動して研磨対象物を前記研磨面に対して押圧する複数のトップリングとをそれぞれ有する複数の研磨ユニットを備え、
前記複数のトップリングは、回転可能な支持部に円周方向に沿って等角度に設けられた複数のアームにそれぞれ取り付けられていることを特徴とするポリッシング装置。
A plurality of polishings each having a plurality of polishing tables having a polishing surface and a plurality of top rings that move between the plurality of polishing tables while holding the polishing object and press the polishing object against the polishing surface. With units,
The polishing apparatus, wherein the plurality of top rings are respectively attached to a plurality of arms provided at equal angles along a circumferential direction on a rotatable support portion.
研磨対象物の受け渡し位置を含む複数の搬送位置の間で研磨対象物を搬送する直動搬送機構を備え、
研磨対象物の受け渡し位置としての前記直動搬送機構の搬送位置に、該直動搬送機構と前記トップリングとの間で研磨対象物を受け渡す受け渡し機構を設けたことを特徴とする請求項1に記載のポリッシング装置。
A linear motion transport mechanism that transports a polishing object between a plurality of transport positions including a delivery position of the polishing object,
2. A delivery mechanism for delivering a polishing object between the linear motion transport mechanism and the top ring is provided at a transport position of the linear motion transport mechanism as a delivery position of an object to be polished. The polishing apparatus according to 1.
前記支持部は少なくとも2つ配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のポリッシング装置。   The polishing apparatus according to claim 1, wherein at least two of the support portions are arranged. 前記複数の研磨ユニットは、それぞれ前記複数の研磨テーブルを用いて複数段階の研磨を行うことを特徴とする請求項2又は3に記載のポリッシング装置。   The polishing apparatus according to claim 2, wherein each of the plurality of polishing units performs a plurality of stages of polishing using the plurality of polishing tables. それぞれの前記研磨ユニットの前記複数の研磨テーブルにウェハを順次搬送して複数段階の研磨を行うことを特徴とする請求項2又は3に記載のポリッシング装置。   4. The polishing apparatus according to claim 2, wherein a plurality of stages of polishing are performed by sequentially transporting wafers to the plurality of polishing tables of each of the polishing units. 5. 研磨対象物を洗浄する洗浄部を更に備え、
前記洗浄部は、研磨対象物を載置する仮置き台を有することを特徴とする請求項2又は3に記載のポリッシング装置。
It further includes a cleaning unit for cleaning the object to be polished,
The polishing apparatus according to claim 2, wherein the cleaning unit includes a temporary table on which an object to be polished is placed.
研磨対象物を洗浄する洗浄部を更に備え、
前記洗浄部は、研磨対象物を乾燥させる乾燥機と、洗浄前の研磨対象物を載置する仮置き台と、乾燥後の研磨対象物を載置する仮置き台とを有することを特徴とする請求項2又は3に記載のポリッシング装置。
It further includes a cleaning unit for cleaning the object to be polished,
The cleaning unit includes a dryer for drying an object to be polished, a temporary table on which an object to be polished before cleaning is placed, and a temporary table on which an object to be polished after drying is placed. The polishing apparatus according to claim 2 or 3.
前記直動搬送機構は、研磨対象物を搬送する複数の搬送ステージを備えたことを特徴とする請求項2に記載のポリッシング装置。   The polishing apparatus according to claim 2, wherein the linear motion transport mechanism includes a plurality of transport stages that transport an object to be polished.
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