JP7394821B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に半導体ウェハなどの基板を平坦に研磨するために用いられる基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and particularly to a substrate processing apparatus used for flattening a substrate such as a semiconductor wafer.

近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。半導体デバイスの製造では、シリコンウェハの上に多くの種類の材料が膜状に繰り返し形成され、積層構造が形成される。この積層構造を形成するためには、ウェハの表面を平坦にする技術が重要となっている。このようなウェハの表面を平坦化する一手段として、化学機械研磨(CMP)を行う研磨装置(化学的機械的研磨装置ともいう)が広く用いられている。 In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated, circuit wiring has become finer and the distance between wiring has become narrower. In the manufacture of semiconductor devices, many types of materials are repeatedly formed into films on a silicon wafer to form a layered structure. In order to form this laminated structure, a technique for flattening the surface of the wafer is important. As a means for flattening the surface of such a wafer, a polishing apparatus (also referred to as a chemical mechanical polishing apparatus) that performs chemical mechanical polishing (CMP) is widely used.

この化学機械研磨(CMP)装置は、一般に、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブルと、ウェハを保持するトップリングと、研磨液を研磨パッド上に供給するノズルとを備えている。ノズルから研磨液を研磨パッド上に供給しながら、トップリングによりウェハを研磨パッドに押し付け、さらにトップリングと研磨テーブルとを相対移動させることにより、ウェハを研磨してその表面を平坦にする。 This chemical mechanical polishing (CMP) apparatus generally includes a polishing table to which a polishing pad is attached, a top ring that holds a wafer, and a nozzle that supplies polishing liquid onto the polishing pad. While supplying polishing liquid onto the polishing pad from the nozzle, the top ring presses the wafer against the polishing pad, and the top ring and polishing table are moved relative to each other to polish the wafer and flatten its surface.

基板処理装置は、このようなCMP装置に加え、研磨後のウェハを洗浄し、さらに乾燥させる機能を有する装置である。このような基板処理装置においては、基板処理のスループットを向上することが求められている。基板処理装置は、研磨や洗浄などを行う様々な処理部を有しているため、各処理部での処理の遅延は、基板処理装置全体のスループットを低下させてしまう。例えば、特許文献1に記載の従来の基板処理装置では、研磨部が複数の研磨ユニットを有している場合であっても、洗浄部には一つの洗浄ラインのみが設けられていたため、複数の研磨されたウェハを同時に洗浄し、乾燥させることができなかった。 In addition to such a CMP apparatus, a substrate processing apparatus is an apparatus having functions of cleaning and drying a wafer after polishing. In such a substrate processing apparatus, it is required to improve the throughput of substrate processing. Since a substrate processing apparatus has various processing sections that perform polishing, cleaning, etc., delays in processing at each processing section reduce the throughput of the entire substrate processing apparatus. For example, in the conventional substrate processing apparatus described in Patent Document 1, even if the polishing section has a plurality of polishing units, the cleaning section is provided with only one cleaning line, so the cleaning section has a plurality of polishing units. It was not possible to simultaneously clean and dry polished wafers.

また、従来の基板処理装置では、研磨部が第1研磨ユニットと第2研磨ユニットを有している場合、第1研磨ユニットにてウェハを研磨する際には、ロード/アンロード部から第1研磨ユニットへと直接ウェハが搬入されるが、第2研磨ユニットにて基板を研磨する際には、ロード/アンロード部から第1研磨ユニットを介して第2研磨ユニットへとウェハが搬入されていた。そのため、第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットの同一の搬入経路部分にて混雑が生じて、スループットを低下させていた。 Further, in a conventional substrate processing apparatus, when the polishing section has a first polishing unit and a second polishing unit, when polishing a wafer in the first polishing unit, the first polishing unit is The wafer is directly carried into the polishing unit, but when polishing the substrate in the second polishing unit, the wafer is carried from the load/unload section to the second polishing unit via the first polishing unit. Ta. Therefore, congestion occurs in the same delivery route of the first polishing unit and the second polishing unit, reducing throughput.

また、従来の基板処理装置では、ロード/アンロード部に配置された搬送ロボットが、研磨前のウェハをロード/アンロード部から研磨部へと直接搬入するとともに、洗浄後のウェハを洗浄部からロードアンロード部へと搬出していた。洗浄後のウェハを把持する搬送ロボットのハンドには高い清浄度が必要とされているが、研磨前のウェハを研磨部へと直接搬入する際に研磨環境に触れて汚染される懸念があった。 In addition, in conventional substrate processing equipment, a transfer robot placed in the loading/unloading section directly transports unpolished wafers from the loading/unloading section to the polishing section, and also transports cleaned wafers from the cleaning section. It was being transported to the loading and unloading department. A high level of cleanliness is required for the hand of the transfer robot that grips the wafer after cleaning, but there was a concern that the wafer could come into contact with the polishing environment and become contaminated when directly transporting the unpolished wafer to the polishing department. .

国際公開第2007/099976号International Publication No. 2007/099976

本発明は、以上のような点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、スループ
ットを向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above points. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can improve throughput.

本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、上下二段に配置された第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットを有し、
前記第1洗浄ユニットおよび前記第2洗浄ユニットは、それぞれ、直列に配置された複数の洗浄モジュールを有し、
前記搬送部は、前記第1洗浄ユニットと前記第2洗浄ユニットとの間に配置され、研磨前の基板を前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って搬送するスライドステージを有する。
The substrate processing apparatus according to the present invention includes:
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The cleaning section includes a first cleaning unit and a second cleaning unit arranged in upper and lower stages,
The first cleaning unit and the second cleaning unit each include a plurality of cleaning modules arranged in series,
The transport section includes a slide stage that is disposed between the first cleaning unit and the second cleaning unit and transports the substrate to be polished along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules.

本発明によれば、複数の基板が連続的に研磨部から洗浄部へと搬送されてくる場合であっても、第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットに基板を振り分けることにより、これら複数の基板を並行して洗浄することができる。したがって、プロセス全体のスループットを向上させることができる。また、研磨前の基板は搬送部のスライドステージにより研磨部へと搬送されるため、ロード/アンロード部に配置された搬送ロボットが研磨環境に触れて汚染されることを防止できる。また、第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットは上下二段に配置されており、スライドステージが第1洗浄ユニットと第2洗浄ユニットとの間に配置されているため、装置全体のフットプリントの増大を抑制できる。 According to the present invention, even when a plurality of substrates are continuously transported from the polishing section to the cleaning section, by distributing the substrates to the first cleaning unit and the second cleaning unit, the plurality of substrates can be can be washed in parallel. Therefore, the throughput of the entire process can be improved. Furthermore, since the substrate before polishing is transported to the polishing section by the slide stage of the transport section, it is possible to prevent the transport robot disposed in the loading/unloading section from coming into contact with the polishing environment and becoming contaminated. In addition, the first and second cleaning units are arranged in two stages, upper and lower, and the slide stage is located between the first and second cleaning units, which increases the overall footprint of the device. can be suppressed.

本発明による基板処理装置は、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記研磨部は、
第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットと、
前記搬送部と前記第1研磨ユニットおよび前記第2研磨ユニットのそれぞれに隣接するように配置された研磨部搬送機構と、
を有し、
前記研磨部搬送機構は、
前記第1研磨ユニットに基板を搬送する第1搬送ユニットと、
前記第2研磨ユニットに基板を搬送する第2搬送ユニットと、
前記第1搬送ユニットと前記第2搬送ユニットとの間に配置され、前記搬送部と前記第1搬送ユニットおよび前記第2搬送ユニットとの間の基板の受け渡しを行う搬送ロボットと、
を有する。
The substrate processing apparatus according to the present invention includes:
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The polishing section is
A first polishing unit and a second polishing unit,
a polishing unit transport mechanism disposed adjacent to the transport unit, the first polishing unit, and the second polishing unit, respectively;
has
The polishing unit conveyance mechanism includes:
a first transport unit that transports the substrate to the first polishing unit;
a second transport unit that transports the substrate to the second polishing unit;
a transport robot that is disposed between the first transport unit and the second transport unit and transfers substrates between the transport section and the first transport unit and the second transport unit;
has.

本発明によれば、搬送部から研磨部へと搬送されてくる基板が、搬送ロボットにより第1搬送ユニットおよび第2搬送ユニットに振り分けられる。そして、第1搬送ユニットから第1研磨ユニットへと基板が搬入されるとともに、第2搬送ユニットから第2研磨ユニットへと基板が搬入される。このように、第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットは基板搬入経路を共有していないから、第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットへの基板搬入時の混雑が解消される。これにより、プロセス全体のスループットを向上させることができる。 According to the present invention, the substrates transported from the transport section to the polishing section are distributed to the first transport unit and the second transport unit by the transport robot. Then, the substrate is transported from the first transport unit to the first polishing unit, and the substrate is transported from the second transport unit to the second polishing unit. In this way, since the first polishing unit and the second polishing unit do not share the substrate transport path, congestion when transporting substrates to the first polishing unit and the second polishing unit is eliminated. Thereby, the throughput of the entire process can be improved.

本発明による基板処理装置において、
前記洗浄部は、前記搬送ロボットに隣接するように配置されており、
前記搬送ロボットは、前記第1搬送ユニットおよび前記第2搬送ユニットと前記洗浄部との間の基板の受け渡しを行ってもよい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The cleaning section is arranged adjacent to the transfer robot,
The transfer robot may transfer substrates between the first transfer unit, the second transfer unit, and the cleaning section.

本発明による基板処理装置は、
前記研磨部および前記洗浄部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記洗浄部は、上下二段に配置された第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットを有し、
前記第1洗浄ユニットは、直列に配置された複数の第1洗浄モジュールおよび第1ウェハステーションと、各第1洗浄モジュールと前記第1ウェハステーションとの間にて基板を搬送する第1洗浄部搬送機構と、を有し、
前記第2洗浄ユニットは、直列に配置された複数の第2洗浄モジュールおよび第2ウェハステーションと、各第2洗浄モジュールと前記第2ウェハステーションとの間にて基板を搬送する第2洗浄部搬送機構と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の第1洗浄モジュールのいずれかに異常が発生した場合には、
前記第1洗浄部搬送機構が前記第1洗浄モジュール内に位置する基板を前記第1ウェハステーションへと搬送し、
前記搬送ロボットが前記第1ウェハステーションから前記第2ウェハステーションへと基板を受け渡し、
前記第2洗浄部搬送機構が前記第2ウェハステーションから前記第2洗浄モジュールへと基板を搬送して洗浄を行うように前記研磨部および前記洗浄部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention includes:
further comprising a control unit that controls operations of the polishing unit and the cleaning unit,
The cleaning section includes a first cleaning unit and a second cleaning unit arranged in upper and lower stages,
The first cleaning unit includes a plurality of first cleaning modules and a first wafer station arranged in series, and a first cleaning section transport unit that transports the substrate between each of the first cleaning modules and the first wafer station. has a mechanism;
The second cleaning unit includes a plurality of second cleaning modules and a second wafer station arranged in series, and a second cleaning section transport unit that transports the substrate between each second cleaning module and the second wafer station. has a mechanism;
The control unit includes:
If an abnormality occurs in any of the plurality of first cleaning modules,
the first cleaning unit transport mechanism transports the substrate located in the first cleaning module to the first wafer station;
the transfer robot transfers the substrate from the first wafer station to the second wafer station;
The operations of the polishing section and the cleaning section may be controlled such that the second cleaning section transport mechanism transports the substrate from the second wafer station to the second cleaning module and performs cleaning.

このような態様によれば、複数の第1洗浄モジュールのいずれかに異常が発生した場合であっても、第1洗浄モジュール内に位置する基板が第2洗浄モジュールへと搬送されて洗浄されることで、第1洗浄モジュール内に位置する基板を救済することができる。 According to this aspect, even if an abnormality occurs in any one of the plurality of first cleaning modules, the substrate located in the first cleaning module is transported to the second cleaning module and cleaned. By doing so, the substrate located within the first cleaning module can be rescued.

本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記研磨部は、
N台(Nは2以上の自然数)の研磨装置と、
前記N台の研磨装置の各々に基板を搬送する搬送ユニットと、
前記搬送部と前記搬送ユニットとの間の基板の受け渡しを行う搬送ロボットと、
を有し、
前記搬送ユニットは、
前記N台の研磨装置の各々に対するN箇所の基板搬送位置に配置され、上下移動するN台のプッシャと、
上下N段に配置され、前記搬送ロボットに対して基板の受け渡しを行う待機位置と前記N箇所の基板搬送位置との間を互いに独立に水平移動するN台のステージを有するエクスチェンジャと、
を有する。
The substrate processing apparatus according to the present invention includes:
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The polishing section is
N polishing devices (N is a natural number of 2 or more);
a transport unit that transports the substrate to each of the N polishing devices;
a transfer robot that transfers substrates between the transfer section and the transfer unit;
has
The transport unit is
N pushers that are arranged at N substrate transfer positions for each of the N polishing apparatuses and move up and down;
an exchanger having N stages arranged in upper and lower N stages and horizontally moving independently from each other between a standby position where substrates are delivered to and from the transfer robot and the N substrate transfer positions;
has.

本発明によれば、搬送ユニットは、搬送ロボットから受け取った基板をN箇所の研磨装置の各々に搬送することができる。例えば、エクスチェンジャの第1ステージが搬送ロボットから第1基板を受け取って第1基板搬送位置に移動し、第1プッシャが上昇して第1
ステージから第1研磨装置へと第1基板を受け渡し、第1基板を第1研磨装置にて研磨している間に、第2ステージが搬送ロボットから第2基板を受け取って第2基板搬送位置に移動し、第2プッシャが上昇して第2ステージから第2研磨装置へと第2基板を受け渡し、第2基板を第2研磨装置にて研磨することができる。このように2枚の基板を並行して研磨することで、プロセス全体のスループットを向上させることができる。また、第1研磨装置にて基板を研磨した後、第1プッシャが下降して第1研磨装置から第2ステージへとその基板を受け渡し、第2ステージが第2基板搬送位置に移動し、第2プッシャが上昇して第2ステージから第2研磨装置へと基板を受け渡し、その基板を第2研磨装置にてさらに研磨することも可能である。
According to the present invention, the transport unit can transport the substrate received from the transport robot to each of the N polishing devices. For example, the first stage of the exchanger receives the first substrate from the transfer robot and moves to the first substrate transfer position, and the first pusher rises to move the first substrate to the first substrate transfer position.
The first substrate is transferred from the stage to the first polishing device, and while the first substrate is being polished by the first polishing device, the second stage receives the second substrate from the transfer robot and moves to the second substrate transfer position. The second pusher moves up and transfers the second substrate from the second stage to the second polishing device, so that the second substrate can be polished by the second polishing device. By polishing two substrates in parallel in this manner, the throughput of the entire process can be improved. Further, after polishing the substrate in the first polishing device, the first pusher descends and transfers the substrate from the first polishing device to the second stage, the second stage moves to the second substrate transfer position, and the second stage moves to the second substrate transfer position. It is also possible for the second pusher to rise and transfer the substrate from the second stage to the second polishing device, and to further polish the substrate in the second polishing device.

本発明による基板処理装置において、前記エクスチェンジャは、前記N台のステージに対して上下多段に配置され、前記待機位置と前記N箇所の基板搬送位置との間を前記N台のステージとは独立に水平移動する少なくとも1台の更なるステージを有してもよい。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, the exchanger is arranged in multiple stages above and below the N stages, and is independent of the N stages between the standby position and the N substrate transfer positions. It may also have at least one further stage that moves horizontally.

このような態様によれば、例えば第1ステージおよび第2ステージの両方を第1研磨装置および第2研磨装置との基板の受け渡しに使用している間に、第3ステージに次の基板を受け取らせて待機させておくことができる。これにより、次の基板に対する研磨処理の開始タイミングを早くすることができ、スループットをさらに向上させることができる。 According to such an embodiment, for example, while both the first stage and the second stage are used to transfer substrates to and from the first polishing device and the second polishing device, the third stage receives the next substrate. You can leave it on standby. As a result, the start timing of the polishing process for the next substrate can be made earlier, and the throughput can be further improved.

本発明による基板処理装置は、前記研磨部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、
第1研磨装置および第2研磨装置にて連続して基板を研磨する場合には、
第1ステージが前記搬送ロボットから第1基板を受け取って前記待機位置から第1基板搬送位置に移動し、
第1プッシャが上昇して前記第1ステージから前記第1研磨装置へと前記第1基板を受け渡し、
前記第1研磨装置が前記第1基板を研磨している間に、前記第1ステージが前記待機位置に戻って前記搬送ロボットから第2基板を受け取り、
前記第1研磨装置での研磨が終了したら、前記第1プッシャが下降して前記第1研磨装置から第2ステージへと前記第1基板を受け渡し、
前記第2ステージが前記第1基板搬送位置から第2基板搬送位置へと移動するのと同時に、前記第1ステージが前記待機位置から前記第1基板搬送位置へと移動するように前記研磨部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a control section that controls the operation of the polishing section,
The control unit includes:
When polishing the substrate continuously using the first polishing device and the second polishing device,
a first stage receives a first substrate from the transfer robot and moves from the standby position to a first substrate transfer position;
a first pusher moves up to transfer the first substrate from the first stage to the first polishing device;
While the first polishing device is polishing the first substrate, the first stage returns to the standby position and receives a second substrate from the transfer robot;
When polishing in the first polishing device is completed, the first pusher descends to transfer the first substrate from the first polishing device to a second stage,
The polishing section is configured such that the first stage moves from the standby position to the first substrate transfer position at the same time as the second stage moves from the first substrate transfer position to the second substrate transfer position. The operation may be controlled.

このような態様によれば、第1基板を保持する第2ステージが第1基板搬送位置から第2基板搬送位置へと移動するのと同時に、第2基板を保持する第1ステージが待機位置から第1基板搬送位置へと移動するため、プロセスのスループットが向上する。 According to this aspect, at the same time as the second stage holding the first substrate moves from the first substrate transfer position to the second substrate transfer position, the first stage holding the second substrate moves from the standby position. Since the substrate is moved to the first substrate transfer position, the throughput of the process is improved.

本発明による基板処理装置は、前記研磨部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、
第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に基板を研磨する場合には、
第1ステージを、前記第1研磨装置からの基板の受け取りで使用するが、前記第2研磨装置に対する基板の受け渡しでは使用せず、
第2ステージを、前記第2研磨装置からの基板の受け取りで使用するが、前記第1研磨装置に対する基板の受け渡しでは使用しないように前記研磨部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a control section that controls the operation of the polishing section,
The control unit includes:
When polishing the substrate in parallel with the first polishing device and the second polishing device,
The first stage is used to receive the substrate from the first polishing device, but is not used to deliver the substrate to the second polishing device,
The operation of the polishing unit may be controlled so that the second stage is used to receive the substrate from the second polishing device, but not to deliver the substrate to the first polishing device.

このような態様によれば、第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に基板を研磨する場合に、第1ステージおよび第2ステージがそれぞれ第1研磨装置および第2研磨装置からの基板受取り専用とされるため、一方の研磨装置からの基板受取り時にトラブルが発生したとしても、他方の研磨装置への基板受け渡しを継続して行うことができる(デッドロ
ックの発生を回避できる)。
According to this aspect, when the first polishing device and the second polishing device polish the substrates in parallel, the first stage and the second stage receive the substrates from the first polishing device and the second polishing device, respectively. Because it is dedicated, even if trouble occurs when receiving substrates from one polishing device, it is possible to continue transferring substrates to the other polishing device (deadlock can be avoided).

本発明による基板処理装置は、前記研磨部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、
第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に第1基板および第2基板を研磨する場合には、
第1ステージが前記搬送ロボットから前記第1基板を受け取って前記待機位置から第1基板搬送位置へと移動し、
第1プッシャが上昇して前記第1ステージから前記第1研磨装置へと前記第1基板を受け渡し、
前記第1研磨装置が第1基板を研磨している間に、前記第1ステージが前記第1基板搬送位置から前記待機位置に戻って前記搬送ロボットから前記第2基板を受け取って前記待機位置から前記第2基板搬送位置へと移動し、
前記第2プッシャが上昇して前記第1ステージから前記第2研磨装置へと前記第2基板を受け渡し、
前記第2研磨装置が第2基板を研磨している間に、前記第1ステージが前記第2基板搬送位置から前記待機位置に戻って前記搬送ロボットから第3基板を受け取り、
前記第2研磨装置での研磨が終了する前に前記第1研磨装置での研磨が終了したら、前記第1プッシャが下降して前記第1研磨装置から第2ステージへと前記第1基板を受け渡し、
前記第2ステージが前記第1基板搬送位置から前記待機位置へと移動するのと同時に、前記第1ステージが前記待機位置から前記第1基板搬送位置へと移動し、
前記第1研磨装置での研磨が終了する前に前記第2研磨装置での研磨が終了したら、前記第2プッシャが下降して前記第2研磨装置から第3ステージへと前記第2基板を受け渡し、
前記第3ステージが前記第2基板搬送位置から前記待機位置へと移動するのと同時に、前記第1ステージが前記待機位置から前記第1基板搬送位置へと移動するように前記研磨部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a control section that controls the operation of the polishing section,
The control unit includes:
When polishing the first substrate and the second substrate in parallel with the first polishing device and the second polishing device,
a first stage receives the first substrate from the transfer robot and moves from the standby position to a first substrate transfer position;
a first pusher moves up to transfer the first substrate from the first stage to the first polishing device;
While the first polishing device is polishing the first substrate, the first stage returns from the first substrate transfer position to the standby position, receives the second substrate from the transfer robot, and returns from the standby position. moving to the second substrate transfer position;
the second pusher moves up to transfer the second substrate from the first stage to the second polishing device;
While the second polishing device is polishing the second substrate, the first stage returns from the second substrate transfer position to the standby position and receives a third substrate from the transfer robot;
If polishing in the first polishing device is completed before polishing in the second polishing device is completed, the first pusher descends to transfer the first substrate from the first polishing device to a second stage. ,
At the same time as the second stage moves from the first substrate transfer position to the standby position, the first stage moves from the standby position to the first substrate transfer position,
If polishing in the second polishing device is completed before polishing in the first polishing device is completed, the second pusher is lowered to transfer the second substrate from the second polishing device to a third stage. ,
The polishing section is operated such that the first stage moves from the standby position to the first substrate transfer position at the same time as the third stage moves from the second substrate transfer position to the standby position. May be controlled.

このような態様によれば、第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に第1基板および第2基板を研磨する場合に、同じ第1ステージを用いて第1研磨装置及び第2研磨装置の両方へのウェハ受け渡しを行い、第2ステージおよび第3ステージがそれぞれ第1研磨装置および第2研磨装置からの基板受取り専用とされるため、一方の研磨装置からの基板受取り時にトラブルが発生したとしても、他方の研磨装置への基板受け渡しを継続して行うことができる(デッドロックの発生を回避できる)。 According to this aspect, when polishing the first substrate and the second substrate in parallel in the first polishing device and the second polishing device, the first polishing device and the second polishing device use the same first stage. Because the second and third stages are dedicated to receiving substrates from the first polishing device and the second polishing device, respectively, a problem occurred when receiving substrates from one polishing device. However, the substrate can be continuously transferred to the other polishing apparatus (occurrence of deadlock can be avoided).

本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、直列に配置された複数の洗浄モジュールと、各洗浄モジュール間にて基板を搬送する洗浄部搬送機構と、を有し、
前記洗浄部搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って直線移動するアーム搬送機構と、
を有する。
The substrate processing apparatus according to the present invention includes:
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The cleaning section includes a plurality of cleaning modules arranged in series, and a cleaning section transport mechanism that transports the substrate between each cleaning module,
The cleaning section transport mechanism is
a pair of arms that can be opened and closed to grip the board;
a vertical movement mechanism that moves the pair of arms up and down;
a rotation mechanism that rotates the pair of arms about a rotation axis parallel to the opening/closing direction;
an arm transport mechanism that moves the pair of arms linearly along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules;
has.

本発明によれば、回動機構が一対のアームを先端が上向きになるように回動させることができるため、複数の洗浄モジュールのうち特定の洗浄モジュールのシャッタが閉まっていても、この洗浄モジュールを回避して(スキップして)アームを移動させることができる。したがって、この洗浄モジュールを通過するようにアームを移動させる際に、シャッタが開くのを待つ必要がなくなり、プロセス全体のスループットを向上させることができる。 According to the present invention, since the rotation mechanism can rotate the pair of arms so that the tips thereof face upward, even if the shutter of a specific cleaning module among a plurality of cleaning modules is closed, this cleaning module You can avoid (skip) and move the arm. Therefore, it is no longer necessary to wait for the shutter to open when moving the arm past this cleaning module, and the throughput of the entire process can be improved.

本発明による基板処理装置において、前記洗浄部の動作を制御する制御部を更に備え、前記制御部は、前記回動機構が前記一対のアームを先端が上向きになるように回動させる際に、前記上下移動機構が前記一対のアームを下降させるように前記制御部の動作を制御してもよい。 The substrate processing apparatus according to the present invention further includes a control section that controls the operation of the cleaning section, and when the rotation mechanism rotates the pair of arms so that the tips thereof face upward, The operation of the control unit may be controlled so that the vertical movement mechanism lowers the pair of arms.

このような態様によれば、回動機構が一対のアームを先端が上向きになるように回動させる際に、上下移動機構が一対のアームを下降させるため、一対のアームの上方に必要なスペースを削減できる。 According to this aspect, when the rotation mechanism rotates the pair of arms so that the tips thereof face upward, the vertical movement mechanism lowers the pair of arms, so that the space required above the pair of arms is reduced. can be reduced.

本発明による基板処理装置において、前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動機構とからなる組を2組有してもよい。 The substrate processing apparatus according to the present invention may have two sets each including the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism.

このような態様によれば、保持すべき基板の清浄度に応じて2組のアームを使い分けることができる。例えば、各洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では一方の組のアームを使用し、後半の洗浄処理では他方の組のアームを使用することで、後半の洗浄処理を受けている基板が一方の組のアームに接して汚染されることを防止できる。 According to this aspect, the two sets of arms can be selectively used depending on the cleanliness of the substrate to be held. For example, by using one set of arms for the first half of the cleaning process in each cleaning module and using the other set of arms for the second half of the cleaning process, the substrates undergoing the second half of the cleaning process can be can be prevented from coming into contact with one set of arms and becoming contaminated.

本発明による基板処理装置において、前記一対のアームには、基板の外周部に当接可能なチャックコマが上下二段に設けられていてもよい。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, the pair of arms may be provided with chuck pieces arranged in two stages, upper and lower, which can abut on the outer periphery of the substrate.

このような態様によれば、保持すべき基板の清浄度に応じてチャックコマを使い分けることができる。例えば、各洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では下段のチャックコマを使用し、後半の洗浄処理では上段のチャックコマを使用することで、後半の洗浄処理を受けている基板が下段のチャックコマに接して汚染されることを防止できる。 According to this aspect, the chuck pieces can be used properly depending on the cleanliness of the substrate to be held. For example, by using the lower chuck piece for the first half of the cleaning process in each cleaning module and using the upper chuck piece for the second half of the cleaning process, the substrate undergoing the latter half of the cleaning process can be moved to the lower chuck piece. This prevents contamination from coming into contact with the chuck piece.

本発明による基板処理装置において、前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動機構とからなる組は、前記アーム搬送機構の下方に懸垂状に配置されていてもよい。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, a set consisting of the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism may be arranged in a suspended manner below the arm transport mechanism.

このような態様によれば、一対のアームと上下移動機構と回動機構とからなる組のメンテナンススペースを拡大される。したがって、メンテナンスに要する時間を短縮することができる。 According to this aspect, the maintenance space for the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism can be expanded. Therefore, the time required for maintenance can be reduced.

本発明による基板処理装置において、前記洗浄部は、前記複数の洗浄モジュールと同列に配置され、研磨前の基板を洗浄する予備洗浄モジュールを更に有し、前記洗浄部搬送機構は、前記予備洗浄モジュールと各洗浄モジュールとの間にて基板を搬送してもよい。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, the cleaning section further includes a pre-cleaning module that is arranged in the same line as the plurality of cleaning modules and that cleans the substrate before polishing, and the cleaning section transport mechanism is configured to move the pre-cleaning module The substrate may be transported between the cleaning module and each cleaning module.

このような態様によれば、研磨前の基板を研磨装置にて研磨する前に、予備洗浄モジュールにて当該基板の表面を洗浄しておくことができる。これにより、基板の研磨処理中に粗大粒子を噛み込んでスクラッチが発生するなどのトラブルを低減できる。 According to this aspect, before polishing the unpolished substrate using the polishing apparatus, the surface of the substrate can be cleaned using the pre-cleaning module. This can reduce problems such as scratches caused by coarse particles being bitten during the polishing process of the substrate.

本発明によれば、基板処理装置においてスループットを向上させることができる。 According to the present invention, throughput can be improved in a substrate processing apparatus.

図1は、本発明の一実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す基板処理装置を洗浄部側から見た側面図である。FIG. 2 is a side view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, viewed from the cleaning section side. 図3は、図1に示す基板処理装置の搬送部を示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing the transport section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 図4は、図1に示す基板処理装置の第1研磨装置を模式的に示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view schematically showing the first polishing device of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図5は、図1に示す基板処理装置の搬送ロボットの側面図である。FIG. 5 is a side view of the transfer robot of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. 図6は、図1に示す基板処理装置の第1搬送機構を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing the first transport mechanism of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図7は、図6に示す第1搬送機構の第1プッシャを示す縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal cross-sectional view showing the first pusher of the first transport mechanism shown in FIG. 6. 図8は、図2に示す洗浄部の第1ウェハステーションを示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing the first wafer station of the cleaning section shown in FIG. 2. FIG. 図9は、図8に示す第1ウェハステーションの内部構成を示す分解斜視図である。FIG. 9 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the first wafer station shown in FIG. 8. 図10は、図2に示す洗浄部の第2ウェハステーションを示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing the second wafer station of the cleaning section shown in FIG. 2. FIG. 図11は、図10に示す第2ウェハステーションの内部構成を示す分解斜視図である。FIG. 11 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the second wafer station shown in FIG. 10. 図12は、図2に示す洗浄部の第1洗浄ユニットの洗浄部搬送機構を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a cleaning section transport mechanism of the first cleaning unit of the cleaning section shown in FIG. 2. FIG. 図13Aは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 13A is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12. 図13Bは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 13B is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12. 図13Cは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 13C is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12. 図13Dは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 13D is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12. 図13Eは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 13E is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12. 図14は、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構が上段のチャックコマにて基板を把持した状態を示す斜視図である。FIG. 14 is a perspective view showing a state in which the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12 grips a substrate with an upper chuck piece. 図15は、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構が下段のチャックコマにて基板を把持した状態を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a state in which the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12 grips a substrate with the lower chuck piece. 図16Aは、搬送部の動作を説明するための模式図である。FIG. 16A is a schematic diagram for explaining the operation of the transport section. 図16Bは、搬送部の動作を説明するための模式図である。FIG. 16B is a schematic diagram for explaining the operation of the transport section. 図16Cは、搬送部の動作を説明するための模式図である。FIG. 16C is a schematic diagram for explaining the operation of the transport section. 図17Aは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17A is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot. 図17Bは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17B is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot. 図17Cは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17C is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot. 図17Dは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17D is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot. 図18Aは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18A is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Bは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18B is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Cは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18C is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Dは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18D is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Eは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18E is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Fは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18F is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Gは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18G is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Hは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18H is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Iは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18I is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Jは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18J is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Kは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18K is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Lは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18L is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Mは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18M is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Nは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18N is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Oは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18O is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Aは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19A is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Bは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19B is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Cは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19C is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Dは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19D is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Eは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19E is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Fは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19F is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Gは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19G is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Hは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19H is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Iは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19I is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Jは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19J is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Kは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19K is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Lは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19L is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Mは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19M is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Nは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19N is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Oは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19O is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Pは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19P is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図20Aは、洗浄部に対する搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 20A is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot with respect to the cleaning section. 図20Bは、洗浄部に対する搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 20B is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot with respect to the cleaning section. 図20Cは、洗浄部に対する搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 20C is a schematic diagram for explaining the operation of the transfer robot with respect to the cleaning section. 図21Aは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21A is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Bは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21B is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Cは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21C is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Dは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21D is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Eは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21E is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Fは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21F is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図22Aは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22A is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Bは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22B is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Cは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22C is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Dは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22D is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Eは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22E is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図23は、図1に示す基板処理装置の漏液検知部の一例を示す模式図である。FIG. 23 is a schematic diagram showing an example of a liquid leakage detection section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. 図24は、従来の漏液検知部を示す模式図である。FIG. 24 is a schematic diagram showing a conventional liquid leakage detection section. 図25は、図1に示す基板処理装置の漏液検知部の変形例を示す模式図である。FIG. 25 is a schematic diagram showing a modification of the leakage detection section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. 図26は、図1に示す基板処理装置の漏液検知部の変形例を示す模式図である。FIG. 26 is a schematic diagram showing a modification of the leakage detection section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. 図27は、予備洗浄モジュールを有する洗浄部を示す側面図である。FIG. 27 is a side view of a cleaning section with a pre-cleaning module. 図28Aは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。FIG. 28A is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section in FIG. 27. 図28Bは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。FIG. 28B is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section in FIG. 27. 図28Cは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。FIG. 28C is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section in FIG. 27. 図28Dは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。FIG. 28D is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section in FIG. 27. 図28Eは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。FIG. 28E is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section in FIG. 27. 図29Aは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29A is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Bは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29B is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Cは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29C is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Dは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29D is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Eは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29E is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Fは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29F is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Gは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29G is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Hは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29H is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning unit transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Iは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29I is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Aは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30A is a schematic diagram for explaining a modified example of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Bは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30B is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Cは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30C is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Dは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30D is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Eは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30E is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Fは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30F is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Gは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30G is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Hは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30H is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Iは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30I is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transport mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図31は、パラレル処理におけるデットロックの発生を説明するための模式図である。FIG. 31 is a schematic diagram for explaining the occurrence of deadlock in parallel processing.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明および以下の説明で用いる図面では、同一に構成され得る部分について、同一の符号を用いるとともに、重複する説明を省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that in the following explanation and the drawings used in the following explanation, the same reference numerals are used for parts that can be configured the same, and overlapping explanations are omitted.

図1は本発明の一実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図であり、図2は図1に示す研磨装置を洗浄部側から見た側面図である。図1及び図2に示すように、本実施形態における基板処理装置10は、平面視略矩形状のハウジングを備えており、ハウジングの内部は隔壁によってロード/アンロード部11と研磨部12と洗浄部13と搬送部14とに区画されている。これらのロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気されるものである。また、基板処理装置10には、ロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14の動作を制御する制御部15(制御盤ともいう)が設けられている。 FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of the polishing apparatus shown in FIG. 1 viewed from the cleaning section side. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a housing that is substantially rectangular in plan view. It is divided into a section 13 and a transport section 14. The loading/unloading section 11, the polishing section 12, the cleaning section 13, and the conveying section 14 are each independently assembled and independently evacuated. Further, the substrate processing apparatus 10 is provided with a control section 15 (also referred to as a control panel) that controls the operations of the load/unload section 11, the polishing section 12, the cleaning section 13, and the transport section 14.

<ロード/アンロード部>
ロード/アンロード部11は、多数のウェハ(基板)Wをストックするウェハカセットを載置する複数(図示された例では4つ)のフロントロード部113を備えている。これらのフロントロード部113は、基板処理装置10の幅方向(長手方向と垂直な方向)に隣接して配列されている。フロントロード部113には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。ここで、SMIF、FOUPは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
<Load/unload section>
The load/unload section 11 includes a plurality of (four in the illustrated example) front load sections 113 on which wafer cassettes storing a large number of wafers (substrates) W are placed. These front load sections 113 are arranged adjacent to each other in the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus 10 . The front load section 113 can be loaded with an open cassette, a SMIF (Standard Manufacturing Interface) pod, or a FOUP (Front Opening Unified Pod). Here, the SMIF and FOUP are airtight containers that house wafer cassettes inside and can maintain an environment independent of the external space by covering them with partition walls.

また、ロード/アンロード部11には、フロントロード部113の配列方向に沿って走行機構112が敷設されており、この走行機構112上にフロントロード部113の配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット111が設置されている。搬送ロボット111は走行機構112上を移動することによってフロントロード部113に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。この搬送ロボット111は上下に2つのハンドを備えており、例えば、ウェハカセットにウェハWを戻すときに上側のハンドを使用し、研磨前のウェハWを搬送するときに下側のハンドを使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。
なお、これに変えて単一のハンドのみでウェハWを搬送するようにしてもよい。
Further, in the loading/unloading section 11, a traveling mechanism 112 is installed along the arrangement direction of the front loading sections 113, and on this traveling mechanism 112, there is a conveyor that can move along the arrangement direction of the front loading sections 113. A robot 111 is installed. The transfer robot 111 can access the wafer cassette mounted on the front load section 113 by moving on the traveling mechanism 112. This transfer robot 111 is equipped with two hands on the upper and lower sides. For example, the upper hand is used when returning the wafer W to the wafer cassette, and the lower hand is used when transferring the wafer W before polishing. This allows you to use the upper and lower hands differently.
Note that instead of this, the wafer W may be transported using only a single hand.

ロード/アンロード部11は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロード部11の内部は、装置外部、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。また、搬送ロボット111の走行機構112の上方には、HEPAフィルタやULPAフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルや有毒蒸気、ガスが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。 Since the loading/unloading section 11 is the area that needs to be kept in the cleanest condition, the inside of the loading/unloading section 11 is higher than any of the outside of the device, the polishing section 12, the cleaning section 13, and the conveying section 14. High pressure is maintained at all times. Further, above the traveling mechanism 112 of the transfer robot 111, a filter fan unit (not shown) having a clean air filter such as a HEPA filter or a ULPA filter is provided. Clean air from which gas has been removed is constantly blown downward.

<搬送部>
搬送部14は、研磨前のウェハをロード/アンロード部11から研磨部12へと搬送する領域であり、基板処理装置10の長手方向に沿って延びるように設けられている。図1に示すように、搬送部14は、最もクリーンな領域であるロード/アンロード部11と最もダーティな領域である研磨部12の両方に隣接して配置されている。そのため、研磨部12内のパーティクルが搬送部14を通ってロード/アンロード部11内に拡散しないよ
うに、後述するように、搬送部14の内部にはロード/アンロード部11側から研磨部12側へと流れる気流が形成されている。
<Transport section>
The transport section 14 is a region for transporting a wafer before polishing from the load/unload section 11 to the polishing section 12, and is provided so as to extend along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG. 1, the transport section 14 is arranged adjacent to both the load/unload section 11, which is the cleanest area, and the polishing section 12, which is the dirtiest area. Therefore, in order to prevent particles in the polishing section 12 from passing through the conveying section 14 and diffusing into the loading/unloading section 11, the polishing section is placed inside the conveying section 14 from the loading/unloading section 11 side, as described later. An air current flowing toward the 12 side is formed.

搬送部14の構造について詳しく説明する。図3は、搬送部14の内部構成を示す分解斜視図である。図3に示すように、搬送部14は、長手方向に延びるカバー41と、カバー41の内側に配置され、ウェハWを保持するスライドステージ42と、スライドステージ42を長手方向に沿って直線移動させるステージ移動機構43と、カバー41の内側を排気する排気ダクト44と、を有している。 The structure of the transport section 14 will be explained in detail. FIG. 3 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the transport section 14. As shown in FIG. As shown in FIG. 3, the transport unit 14 includes a cover 41 extending in the longitudinal direction, a slide stage 42 arranged inside the cover 41 and holding the wafer W, and a slide stage 42 that linearly moves the slide stage 42 along the longitudinal direction. It has a stage moving mechanism 43 and an exhaust duct 44 that exhausts the inside of the cover 41.

カバー41は、底面板と、4つの側面板と、天面板(図3では不図示)とを有している。このうち長手方向の一方の側面板には、ロード/アンロード部11に連通する搬入口41aが形成されている。また、幅方向の一方の側面板のうち搬入口41aとは反対側の端部には、研磨部12に連通する搬出口41bが形成されている。搬入口41aおよび搬出口41bは不図示のシャッタにより開閉可能となっている。ロード/アンロード部11の搬送ロボット111は、搬入口41aからカバー41の内側のスライドステージ42にアクセス可能となっており、研磨部12の搬送ロボット23は、搬出口41bからカバー41の内側のスライドステージ42にアクセス可能となっている。 The cover 41 has a bottom plate, four side plates, and a top plate (not shown in FIG. 3). A carry-in port 41a communicating with the load/unload section 11 is formed on one side plate in the longitudinal direction. Furthermore, an outlet 41b communicating with the polishing section 12 is formed at the end of one side plate in the width direction on the opposite side to the inlet 41a. The loading port 41a and the loading port 41b can be opened and closed by shutters (not shown). The transport robot 111 of the loading/unloading section 11 can access the slide stage 42 inside the cover 41 from the carry-in port 41a, and the transport robot 23 of the polishing section 12 can access the slide stage 42 inside the cover 41 from the carry-in port 41b. The slide stage 42 is accessible.

ステージ移動機構43としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが用いられる。ステージ移動機構43としてロッドレスシリンダを用いる場合には、摺動部からの発塵を防止できるため好ましい。スライドステージ42は、ステージ移動機構43の可動部分に固定されており、ステージ移動機構43から与えられる動力によりカバー41の内側を長手方向に沿って直線移動される。 As the stage moving mechanism 43, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. It is preferable to use a rodless cylinder as the stage moving mechanism 43 because dust generation from the sliding portion can be prevented. The slide stage 42 is fixed to a movable portion of a stage moving mechanism 43, and is linearly moved inside the cover 41 along the longitudinal direction by power applied from the stage moving mechanism 43.

スライドステージ42の外周部には、4本のピンが上向きに突き出すように設けられている。ロード/アンロード部11の搬送ロボット111によりスライドステージ42上に載せられるウェハWは、その外周縁が4本のピンによりガイドされて位置決めされた状態で、スライドステージ42上に支持されるようになっている。これらのピンは、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。 Four pins are provided on the outer periphery of the slide stage 42 so as to protrude upward. The wafer W placed on the slide stage 42 by the transfer robot 111 of the load/unload section 11 is supported on the slide stage 42 with its outer periphery guided and positioned by four pins. It has become. These pins are made of resin such as polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and polyetheretherketone (PEEK).

排気ダクト44は、カバー41の長手方向の他方の側面板(搬入口41aとは反対側の側面板)に設けられている。搬入口41aが開けられた状態で排気ダクト44により排気が行われることで、カバー41の内側には搬入口41a側から搬出口41b側へと流れる気流が形成される。これにより、研磨部12内のパーティクルが搬送部14を通ってロード/アンロード部11内に拡散することが防止される。 The exhaust duct 44 is provided on the other side plate of the cover 41 in the longitudinal direction (the side plate on the opposite side to the carry-in port 41a). By performing exhaust through the exhaust duct 44 with the loading port 41a open, an air current flowing from the loading port 41a side to the loading port 41b side is formed inside the cover 41. This prevents particles in the polishing section 12 from passing through the transport section 14 and diffusing into the load/unload section 11.

<研磨部>
図1に示すように、研磨部12は、ウェハWの研磨が行われる領域であり、第1研磨装置21aと第2研磨装置21bとを有する第1研磨ユニット20aと、第3研磨装置21cと第4研磨装置21dとを有する第2研磨ユニット20bと、搬送部14と第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bのそれぞれに隣接するように配置された研磨部搬送機構22と、を有している。研磨部搬送機構22は、基板処理装置10の幅方向において洗浄部13と第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bとの間に配置されている。
<Polishing section>
As shown in FIG. 1, the polishing section 12 is an area where wafers W are polished, and includes a first polishing unit 20a having a first polishing device 21a and a second polishing device 21b, and a third polishing device 21c. a second polishing unit 20b having a fourth polishing device 21d; and a polishing unit transport mechanism 22 disposed adjacent to the transport unit 14 and the first polishing unit 20a and second polishing unit 20b, respectively. ing. The polishing unit transport mechanism 22 is arranged between the cleaning unit 13 and the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b in the width direction of the substrate processing apparatus 10.

第1研磨装置21a、第2研磨装置21b、第3研磨装置21c、および第4研磨装置21dは、基板処理装置10の長手方向に沿って配列されている。第2研磨装置21b、第3研磨装置21c、および第4研磨装置21dは、第1研磨装置21aと同様の構成を有しているので、以下、第1研磨装置21aについて説明する。 The first polishing device 21a, the second polishing device 21b, the third polishing device 21c, and the fourth polishing device 21d are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing device 10. The second polishing device 21b, the third polishing device 21c, and the fourth polishing device 21d have the same configuration as the first polishing device 21a, so the first polishing device 21a will be described below.

図4は、第1研磨装置21aを模式的に示す斜視図である。第1研磨装置21aは、研磨面を有する研磨パッド102aが取り付けられた研磨テーブル101aと、ウェハWを保持しかつウェハWを研磨テーブル101a上の研磨パッド102aに押圧しながら研磨するためのトップリング25aと、研磨パッド102に研磨液(スラリともいう)やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズル104aと、研磨パッド102aの研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ(不図示)と、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合気体または液体(例えば純水)を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ(不図示)と、を有している。 FIG. 4 is a perspective view schematically showing the first polishing device 21a. The first polishing device 21a includes a polishing table 101a to which a polishing pad 102a having a polishing surface is attached, and a top ring for holding a wafer W and polishing the wafer W while pressing it against the polishing pad 102a on the polishing table 101a. 25a, a polishing liquid supply nozzle 104a for supplying a polishing liquid (also called slurry) and a dressing liquid (for example, pure water) to the polishing pad 102, and a dresser (not shown) for dressing the polishing surface of the polishing pad 102a. and an atomizer (not shown) that sprays a mixture of a liquid (for example, pure water) and a gas (for example, nitrogen gas) or a liquid (for example, pure water) into a mist onto the polishing surface.

このうちトップリング25aは、トップリングシャフト103aに支持されている。研磨テーブル101aの上面には研磨パッド102aが貼付されており、この研磨パッド102aの上面はウェハWを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド102aに代えて固定砥石を用いることもできる。トップリング25aおよび研磨テーブル101aは、図4において矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成されている。ウェハWは、トップリング25aの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル104aから研磨パッド102aの研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハWがトップリング25aにより研磨面に押圧されて研磨される。 Among these, the top ring 25a is supported by the top ring shaft 103a. A polishing pad 102a is attached to the top surface of the polishing table 101a, and the top surface of the polishing pad 102a constitutes a polishing surface for polishing the wafer W. Note that a fixed grindstone may be used instead of the polishing pad 102a. The top ring 25a and the polishing table 101a are configured to rotate around their axes, as shown by arrows in FIG. The wafer W is held on the lower surface of the top ring 25a by vacuum suction. During polishing, a polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 104a to the polishing surface of the polishing pad 102a, and the wafer W to be polished is pressed against the polishing surface by the top ring 25a and polished.

研磨時にはスラリを使用することを考えるとわかるように、研磨部12は最もダーティな(汚れた)領域である。したがって、本実施形態では、研磨部12内のパーティクルが外部に飛散しないように、第1研磨装置21a、第2研磨装置21b、第3研磨装置21c、および第4研磨装置21dの各研磨テーブルの周囲から排気が行われており、研磨部12の内部の圧力を、装置外部、周囲の洗浄部13、ロード/アンロード部11、および搬送部14よりも負圧にすることでパーティクルの飛散を防止している。また、通常、研磨テーブルの下方には排気ダクト(図示せず)が、上方にはフィルタ(図示せず)がそれぞれ設けられ、これらの排気ダクトおよびフィルタを介して清浄化された空気が噴出され、ダウンフローが形成される。 As can be seen from the fact that slurry is used during polishing, the polishing section 12 is the dirtiest area. Therefore, in this embodiment, each polishing table of the first polishing device 21a, the second polishing device 21b, the third polishing device 21c, and the fourth polishing device 21d is Exhaust is performed from the surrounding area, and by making the pressure inside the polishing section 12 more negative than that of the outside of the device, the surrounding cleaning section 13, the loading/unloading section 11, and the conveying section 14, scattering of particles is prevented. It is prevented. Additionally, an exhaust duct (not shown) is usually provided below the polishing table, and a filter (not shown) is provided above the polishing table, and purified air is blown out through these exhaust ducts and filters. , a downflow is formed.

図1に示すように、第1研磨装置21aのトップリング25aは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第1基板搬送位置TP1との間を移動し、第1研磨装置21aへのウェハの受け渡しは第1基板搬送位置TP1にて行われる。同様に、第2研磨装置21bのトップリング25bは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第2基板搬送位置TP2との間を移動し、第2研磨装置21bへのウェハの受け渡しは第2基板搬送位置TP2にて行われ、第3研磨装置21cのトップリング25cは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第3基板搬送位置TP3との間を移動し、第3研磨装置21cへのウェハの受け渡しは第3基板搬送位置TP3にて行われ、第4研磨装置21dのトップリング25dは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第4基板搬送位置TP4との間を移動し、第4研磨装置21dへのウェハの受け渡しは第4基板搬送位置TP4にて行われる。 As shown in FIG. 1, the top ring 25a of the first polishing device 21a moves between the polishing position and the first substrate transfer position TP1 by the swing motion of the top ring head, and transfers the wafer to the first polishing device 21a. The delivery is performed at the first substrate transfer position TP1. Similarly, the top ring 25b of the second polishing device 21b moves between the polishing position and the second substrate transfer position TP2 by the swinging motion of the top ring head, and the wafer is transferred to the second polishing device 21b at the second substrate transfer position TP2. The top ring 25c of the third polishing device 21c moves between the polishing position and the third substrate transfer position TP3 by the swing motion of the top ring head, and the top ring 25c of the third polishing device 21c moves between the polishing position and the third substrate transfer position TP3. The wafer is transferred at the third substrate transfer position TP3, and the top ring 25d of the fourth polishing device 21d moves between the polishing position and the fourth substrate transfer position TP4 by the swinging motion of the top ring head. The wafer is transferred to the fourth polishing device 21d at the fourth substrate transfer position TP4.

研磨部搬送機構22は、第1研磨ユニット20aにウェハWを搬送する第1搬送ユニット24aと、第2研磨ユニット20bにウェハWを搬送する第2搬送ユニット24bと、第1搬送ユニット24aと第2搬送ユニット24bとの間に配置され、搬送部14と第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bとの間のウェハの受け渡しを行う搬送ロボット23とを有している。図示された例では、搬送ロボット23は、基板処理装置10のハウジングの略中央に配置されている。 The polishing unit transport mechanism 22 includes a first transport unit 24a that transports the wafer W to the first polishing unit 20a, a second transport unit 24b that transports the wafer W to the second polishing unit 20b, and a first transport unit 24a and a second transport unit 24b that transport the wafer W to the second polishing unit 20b. The transfer robot 23 is disposed between the two transfer units 24b and transfers wafers between the transfer section 14 and the first transfer unit 24a and the second transfer unit 24b. In the illustrated example, the transfer robot 23 is arranged approximately at the center of the housing of the substrate processing apparatus 10.

図5は、搬送ロボット23を示す側面図である。図5に示すように、搬送ロボット23は、ウェハWを保持するハンド231と、ハンド231を上下反転させる反転機構234
と、ハンドWを支持する伸縮可能なアーム232と、アーム232を上下移動させるアーム上下移動機構およびアーム232を鉛直な軸線周りに回動させるアーム回動機構を含むロボット本体233と、を有している。ロボット本体233は、研磨部14の天井のフレームに対して吊り下がるように取り付けられている。
FIG. 5 is a side view showing the transfer robot 23. As shown in FIG. 5, the transfer robot 23 includes a hand 231 that holds the wafer W, and an inversion mechanism 234 that inverts the hand 231 upside down.
The robot body 233 includes an extendable and retractable arm 232 that supports the hand W, and an arm vertical movement mechanism that moves the arm 232 up and down, and an arm rotation mechanism that rotates the arm 232 around a vertical axis. ing. The robot main body 233 is attached to a frame on the ceiling of the polishing section 14 so as to be suspended.

本実施形態では、ハンド231は、搬送部14の搬出口41bからスライドステージ42に対してアクセス可能となっている。また、ハンド231は、研磨部12の第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bに対してもアクセス可能となっている。したがって、搬送部14から研磨部12に連続的に搬送されてくるウェハWは、搬送ロボット23により第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bに振り分けられる。 In this embodiment, the hand 231 can access the slide stage 42 from the exit 41b of the transport section 14. Further, the hand 231 can also access the first transport unit 24a and the second transport unit 24b of the polishing section 12. Therefore, the wafers W continuously transported from the transport section 14 to the polishing section 12 are distributed by the transport robot 23 to the first transport unit 24a and the second transport unit 24b.

第2搬送ユニット24bは、第1搬送ユニット24aと同様の構成を有しているので、以下、第1搬送ユニット24aについて説明する。図6は、第1搬送ユニット24aを示す斜視図である。 The second transport unit 24b has the same configuration as the first transport unit 24a, so the first transport unit 24a will be described below. FIG. 6 is a perspective view showing the first transport unit 24a.

図6に示すように、第1搬送ユニット24aは、第1研磨装置21aに対する第1基板搬送位置TP1に配置され、上下移動する第1プッシャ51aと、第2研磨装置21bに対する第2基板搬送位置TP2に配置され、上下移動する第2プッシャ51bと、第1基板搬送位置TP1と第2基板搬送位置TP2との間を互いに独立に水平移動する第1ステージ52a、第2ステージ52bおよび第3ステージ52cを有するエクスチェンジャ50と、を有している。 As shown in FIG. 6, the first transport unit 24a is arranged at a first substrate transport position TP1 with respect to the first polishing device 21a, and has a first pusher 51a that moves up and down, and a second substrate transport position with respect to the second polishing device 21b. A second pusher 51b that is arranged at TP2 and moves up and down, and a first stage 52a, second stage 52b, and third stage that move horizontally independently of each other between the first substrate transfer position TP1 and the second substrate transfer position TP2. 52c.

このうち第1プッシャ51aは、第1~第3ステージ52a~52cのいずれかに保持されたウェハWを第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡すとともに、第1研磨装置21aにおける研磨後のウェハWを第1~第3ステージ52a~52cのいずれかに受け渡すものである。また、第2プッシャ51bは、第1~第3ステージ52a~52cのいずれかに保持されたウェハWを第2研磨装置21bのトップリング25bに受け渡すとともに、第2研磨装置21bにおける研磨後のウェハWを第1~第3ステージ52a~52cのいずれかに受け渡すものである。このように、第1プッシャ51aおよび第2プッシャ51bは、エクスチェンジャ50と各トップリングとの間でウェハWを受け渡す受け渡し機構として機能する。第2プッシャ51bは、第1プッシャ51aと同様の構造を有しているため、以下の説明では第1プッシャ51aについてのみ説明する。 Among these, the first pusher 51a transfers the wafer W held on any of the first to third stages 52a to 52c to the top ring 25a of the first polishing device 21a, and also serves to The wafer W is transferred to any of the first to third stages 52a to 52c. Further, the second pusher 51b transfers the wafer W held on any of the first to third stages 52a to 52c to the top ring 25b of the second polishing device 21b, and also transfers the wafer W held by any one of the first to third stages 52a to 52c to the top ring 25b of the second polishing device 21b. The wafer W is transferred to any of the first to third stages 52a to 52c. In this way, the first pusher 51a and the second pusher 51b function as a delivery mechanism for delivering the wafer W between the exchanger 50 and each top ring. Since the second pusher 51b has the same structure as the first pusher 51a, only the first pusher 51a will be described in the following description.

図7は、第1プッシャ51aを示す縦断面図である。図7に示すように、第1プッシャ51aは、第1研磨装置21aのトップリングを保持するためのガイドステージ331と、ウェハWを保持するプッシュステージ333とを備えている。ガイドステージ331の最外周には、トップリングガイド337が4個設置されている。トップリングガイド337の上段部338はトップリングの(ウェハWの外周を囲む不図示の)ガイドリングの下面とのアクセス部である。上段部338にはトップリングを導入するためのテーパ(25°~35°ぐらいが好ましい)が形成されている。ウェハアンロード時は直接トップリングガイド337でウェハエッジを受ける。 FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the first pusher 51a. As shown in FIG. 7, the first pusher 51a includes a guide stage 331 for holding the top ring of the first polishing device 21a, and a push stage 333 for holding the wafer W. Four top ring guides 337 are installed on the outermost periphery of the guide stage 331. The upper stage part 338 of the top ring guide 337 is an access part of the top ring to the lower surface of a guide ring (not shown surrounding the outer periphery of the wafer W). A taper (preferably about 25° to 35°) is formed in the upper part 338 for introducing the top ring. When unloading the wafer, the wafer edge is directly received by the top ring guide 337.

ガイドステージ331の裏面には防水機能を持ったガイドスリーブ340が設置されている。ガイドスリーブ340の内側にはプッシャの防水のためのセンタスリーブ341が設置されている。 A guide sleeve 340 having a waterproof function is installed on the back surface of the guide stage 331. A center sleeve 341 for waterproofing the pusher is installed inside the guide sleeve 340.

トップリングガイド337に位置合わせ機構を持たせるため、水平なX軸およびY軸方向に移動してガイドステージ331のセンタリングを行うリニアウェイ346を配置している。ガイドステージ331はリニアウェイ346に固定されている。このリニアウェイ346は加圧することにより中心位置に復帰可能な構造となっている。この構造によりガ
イドステージ331のセンタリングが実現される。あるいは、リニアウェイ346内部のスプリングだけで、加圧することなく中心位置に復帰可能となっている。
In order to provide the top ring guide 337 with a positioning mechanism, a linear way 346 is provided that moves in the horizontal X-axis and Y-axis directions to center the guide stage 331. The guide stage 331 is fixed to a linear way 346. This linear way 346 has a structure that can be returned to the center position by applying pressure. This structure realizes centering of the guide stage 331. Alternatively, the spring inside the linear way 346 alone can return it to the center position without applying pressure.

また、リニアウェイ346はシャフト330に固定されており、このシャフト330は、ボールスプライン機構を有するシリンダ347に連結されている。図示しないモータの駆動によりシリンダ347が駆動され、シャフト330を介してガイドステージ331が上下動するようになっている。 Further, the linear way 346 is fixed to a shaft 330, and this shaft 330 is connected to a cylinder 347 having a ball spline mechanism. The cylinder 347 is driven by a motor (not shown), and the guide stage 331 is moved up and down via the shaft 330.

プッシュステージ333はガイドステージ331の上方に配置されており、プッシュステージ333の中心にはガイドステージ331に対してプッシュステージ333を上下動させる電動アクチュエータ349が設けられている。プッシュステージ333は電動アクチュエータ349によって上下移動し、トップリングへウェハWをロードする。本実施の形態では、プッシュステージ333が電動アクチュエータ349により駆動されることで、プッシュステージ333を所望の高さ位置に位置決めすることができる。これにより、プッシュステージ333にてウェハWを受け取る際に、予備動作としてプッシュステージ333をウェハWの直下に待機させることができ、受け取り動作に要する時間を短縮できる。プッシュステージ333の端には位置決めのための圧縮ばね351が配置されている。 The push stage 333 is arranged above the guide stage 331, and an electric actuator 349 is provided at the center of the push stage 333 to move the push stage 333 up and down with respect to the guide stage 331. The push stage 333 is moved up and down by an electric actuator 349 to load the wafer W onto the top ring. In this embodiment, the push stage 333 is driven by the electric actuator 349, so that the push stage 333 can be positioned at a desired height position. Thereby, when the push stage 333 receives the wafer W, the push stage 333 can be made to stand by directly below the wafer W as a preliminary operation, and the time required for the receiving operation can be shortened. A compression spring 351 for positioning is arranged at the end of the push stage 333.

なお、プッシャに付着したスラリなどからウェハへの逆汚染を防止するため、汚れを洗浄するための洗浄ノズルが別途設置される。プッシャ上のウェハ有無を確認するためのウェハ有無センサが別途設置される場合もある。 Note that in order to prevent back contamination of the wafer from slurry adhering to the pusher, a cleaning nozzle for cleaning dirt is separately installed. A wafer presence/absence sensor may be separately installed to check the presence or absence of a wafer on the pusher.

図6に示すように、エクスチェンジャ52aは、上下多段に配置された第1ステージ52a、第2ステージ52bおよび第3ステージ52cを有している。図示された例では、第1ステージ52aが下段に配置され、第2ステージ52bが中段に配置され、第3ステージ52cが上段に配置されている。第1ステージ52a、第2ステージ52bおよび第3ステージ52cは、平面視において第1基板搬送位置TP1と第2基板搬送位置TP2とを通過する同一の軸線上を移動するが、設置される高さが異なっているため、互いに干渉することなく自由に移動可能となっている。 As shown in FIG. 6, the exchanger 52a includes a first stage 52a, a second stage 52b, and a third stage 52c arranged in multiple stages above and below. In the illustrated example, the first stage 52a is arranged at the lower stage, the second stage 52b is arranged at the middle stage, and the third stage 52c is arranged at the upper stage. The first stage 52a, the second stage 52b, and the third stage 52c move on the same axis that passes through the first substrate transfer position TP1 and the second substrate transfer position TP2 in plan view, but the height at which they are installed is Because they are different, they can move freely without interfering with each other.

図6に示すように、第1ステージ52aには、第1ステージ52aを一軸方向に直線移動させる第1ステージ駆動機構54aが設けられており、第2ステージ52bには、第2ステージ52bを前記一軸方向に直線移動させる第2ステージ駆動機構54bが設けられており、第3ステージ52cには、第3ステージ52cを前記一軸方向に直線移動させる第3ステージ駆動機構54cが設けられている。第1~第3ステージ駆動機構54a~54cとしては、例えば電動アクチュエータまたはボールねじを用いたモータ駆動機構が用いられる。第1~第3ステージ52a~52cは、それぞれ異なる第1~第3ステージ駆動機構54a~54cから動力を受けることで、それぞれ異なるタイミングで異なる方向に移動可能となっている。 As shown in FIG. 6, the first stage 52a is provided with a first stage drive mechanism 54a that linearly moves the first stage 52a in a uniaxial direction, and the second stage 52b is provided with a first stage drive mechanism 54a that linearly moves the first stage 52a in a uniaxial direction. A second stage drive mechanism 54b that linearly moves in the uniaxial direction is provided, and a third stage drive mechanism 54c that linearly moves the third stage 52c in the uniaxial direction is provided on the third stage 52c. As the first to third stage drive mechanisms 54a to 54c, for example, an electric actuator or a motor drive mechanism using a ball screw is used. The first to third stages 52a to 52c are movable in different directions at different timings by receiving power from different first to third stage drive mechanisms 54a to 54c, respectively.

第2ステージ52bおよび第3ステージ52cは、第1ステージ52aと同様の構成を有しているので、以下、第1ステージ52aについて説明する。図10は、第1ステージ52aを示す平面図である。 The second stage 52b and the third stage 52c have the same configuration as the first stage 52a, so the first stage 52a will be described below. FIG. 10 is a plan view showing the first stage 52a.

図6に示すように、第1ステージ52aは、第1ステージ駆動機構54aによる直線移動方向の一方側(図6における右奥側)が開口した平面視「コ」字形状を有している。そのため、第1ステージ52aが第1基板搬送位置TP1に配置された時、第1プッシャ51aは、第1ステージ52aの内側を通過するように上下移動可能となっている。また、第1ステージ52aは、第1ステージ52aの内側を第1プッシャ51aが通過した状態
であっても直線移動方向の他方側(図6における左手前側)に移動可能となっている。
As shown in FIG. 6, the first stage 52a has a "U" shape in plan view with one side (the right rear side in FIG. 6) open in the direction of linear movement by the first stage drive mechanism 54a. Therefore, when the first stage 52a is placed at the first substrate transfer position TP1, the first pusher 51a can move up and down so as to pass inside the first stage 52a. Further, the first stage 52a is movable to the other side in the linear movement direction (to the left front side in FIG. 6) even when the first pusher 51a passes inside the first stage 52a.

図示は省略するが、第1ステージ52aには、4本のピンが上方に突き出すように設けられている。そのため、第1ステージ52a上に載せられるウェハは、その外周縁が4本のピンによりガイドされて位置決めされた状態で、第1ステージ52a上に支持されるようになっている。これらのピンは、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。 Although not shown, four pins are provided on the first stage 52a so as to protrude upward. Therefore, the wafer placed on the first stage 52a is supported on the first stage 52a with its outer peripheral edge being guided and positioned by the four pins. These pins are made of resin such as polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and polyetheretherketone (PEEK).

次に、上述のように構成された第1プッシャ51aおよびエクスチェンジャ50の動作の一例を説明する。 Next, an example of the operation of the first pusher 51a and the exchanger 50 configured as described above will be described.

まず、ウェハロード時には、第1プッシャ51aの上方にエクスチェンジャ50の第1ステージ52aによってウェハWが搬送される。第1研磨装置21aのトップリング25aが第1プッシャ51aの上方のウェハロード位置(第1基板搬送位置TP1)にあってウェハWを保持していないとき、シリンダ347よりガイドステージ331周りの構成品一式が上昇していく。上昇途中でガイドステージ331は第1ステージ52aの内側を通過する。このとき、ガイドステージ331は通過と同時にウェハWをトップリングガイド337のテーパにて求芯し、プッシュステージ333によりウェハWの(エッジ以外の)パターン面を保持する。 First, during wafer loading, the wafer W is transported by the first stage 52a of the exchanger 50 above the first pusher 51a. When the top ring 25a of the first polishing device 21a is at the wafer load position (first substrate transfer position TP1) above the first pusher 51a and does not hold the wafer W, components around the guide stage 331 are removed from the cylinder 347. The set is going up. During the ascent, the guide stage 331 passes inside the first stage 52a. At this time, the guide stage 331 centers the wafer W by the taper of the top ring guide 337 at the same time as it passes, and the pattern surface (other than the edge) of the wafer W is held by the push stage 333.

プッシュステージ333がウェハWを保持したままトップリングガイド337は停止することなく上昇していき、トップリングガイド337のテーパ338aによってガイドリングを呼び込む。X,Y方向に自在に移動可能なリニアウェイ346による位置合わせでトップリングに求芯し、トップリングガイド337の上段部338がガイドリング下面と接触することでガイドステージ331の上昇は終了する。 While the push stage 333 holds the wafer W, the top ring guide 337 continues to rise without stopping, and the taper 338a of the top ring guide 337 draws in the guide ring. The guide stage 331 is centered on the top ring through positioning by a linear way 346 that can freely move in the X and Y directions, and the upward movement of the guide stage 331 is completed when the upper stage 338 of the top ring guide 337 comes into contact with the lower surface of the guide ring.

ガイドステージ331は、トップリングガイド337の上段部338がガイドリング下面に接触して固定されることで、それ以上上昇することはない。このとき、プッシュステージ333は電動アクチュエータ349によりさらに上昇される。このとき、プッシュステージ333はウェハWの(エッジ以外の)パターン面を保持し、トップリングまでウェハWを搬送する。トップリングがウェハWの吸着を完了すると、第1プッシャ51aは下降を開始し、下降終了で動作が完了する。 The guide stage 331 does not rise any further because the upper stage 338 of the top ring guide 337 contacts the lower surface of the guide ring and is fixed. At this time, the push stage 333 is further raised by the electric actuator 349. At this time, the push stage 333 holds the pattern surface (other than the edge) of the wafer W and transports the wafer W to the top ring. When the top ring completes adsorption of the wafer W, the first pusher 51a starts to descend, and the operation is completed when the descent is completed.

なお、本実施の形態では、第1ステージ52aが直線移動方向の一方側(図6における右奥側)が開口した平面視「コ」字形状を有しているため、第1プッシャ51aが下降を開始する前であっても、直線移動方向の他方側(図6における左手前側)に移動可能である。したがって、第1ステージ52aを移動させる際に第1プッシャ51aが下降するのを待つ必要がなくなり、プロセスのスループットが向上する。 In this embodiment, since the first stage 52a has a U-shape in plan view with one side (the right back side in FIG. 6) open in the linear movement direction, the first pusher 51a is lowered. It is possible to move to the other side in the linear movement direction (front left side in FIG. 6) even before starting the movement. Therefore, it is no longer necessary to wait for the first pusher 51a to descend when moving the first stage 52a, improving process throughput.

次に、ウェハアンロード時には、第1プッシャ51a上方のウェハアンロード位置にトップリングによってウェハWが搬送される。エクスチェンジャ50の第1ステージ52aが第1プッシャ51aの上方にあってウェハを搭載していないとき、シリンダ347によりガイドステージ331周りの構成品一式が上昇し、トップリングガイド337のテーパによってガイドリングを呼び込む。ガイドステージ331はリニアウェイ346による位置合わせにてトップリングに求芯し、トップリングガイド337の上段部338がガイドリングの下面と接触することでガイドステージ331の上昇は終了する。 Next, at the time of wafer unloading, the wafer W is transported by the top ring to the wafer unloading position above the first pusher 51a. When the first stage 52a of the exchanger 50 is above the first pusher 51a and no wafer is mounted, the cylinder 347 raises the entire set of components around the guide stage 331, and the taper of the top ring guide 337 moves the guide ring Attract. The guide stage 331 is centered on the top ring through alignment using the linear way 346, and the upward movement of the guide stage 331 is completed when the upper stage 338 of the top ring guide 337 comes into contact with the lower surface of the guide ring.

電動アクチュエータ349によりプッシュステージ333を上昇させるが、このとき、プッシュステージ333はトップリングガイド337のウェハ保持部より高い位置になる
ことはない。電動アクチュエータ349の上昇が終了するとトップリングよりウェハWがリリースされる。このとき、トップリングガイド337の下段テーパによってウェハWは求芯され、トップリングガイド337にエッジ部が保持される。ウェハWが第1プッシャ51aに保持されると、第1プッシャ51aは下降を開始する。下降の際、トップリング求芯のためセンタ位置を移動していたガイドステージ331はガイドスリーブ340とセンタスリーブ341によりセンタリングされる。下降の途中で第1プッシャ51aより第1ステージ52aにウェハWのエッジ部で受け渡され、下降終了で動作が完了する。
The push stage 333 is raised by the electric actuator 349, but at this time the push stage 333 does not rise to a higher position than the wafer holding portion of the top ring guide 337. When the electric actuator 349 finishes rising, the wafer W is released from the top ring. At this time, the wafer W is centered by the lower taper of the top ring guide 337, and the edge portion is held by the top ring guide 337. When the wafer W is held by the first pusher 51a, the first pusher 51a starts to descend. During the descent, the guide stage 331, which had been moving to the center position due to the centering of the top ring, is centered by the guide sleeve 340 and the center sleeve 341. During the descent, the edge portion of the wafer W is transferred from the first pusher 51a to the first stage 52a, and the operation is completed at the end of the descent.

<洗浄部>
図1及び図2に示すように、洗浄部13は、研磨後のウェハを洗浄する領域であり、上下二段に配置された第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bを有している。上述した搬送部14は、第1洗浄ユニット30aと第2洗浄ユニット30bとの間に配置されている。第1洗浄ユニット30aと搬送部14と第2洗浄ユニット30bとが上下方向に重なるように配列されているため、フットプリントが小さいという利点が得られる。
<Cleaning section>
As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning section 13 is an area for cleaning wafers after polishing, and has a first cleaning unit 30a and a second cleaning unit 30b arranged in two stages, upper and lower. The transport section 14 described above is arranged between the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b. Since the first cleaning unit 30a, the transport section 14, and the second cleaning unit 30b are arranged so as to overlap in the vertical direction, an advantage of a small footprint can be obtained.

図1および図2に示すように、第1洗浄ユニット30aは、複数(図示された例では4つ)の洗浄モジュール311a、312a、313a、314aと、ウェハステーション33aと、各洗浄モジュール311a~314aとウェハステーション33aとの間にてウェハWを搬送する洗浄部搬送機構32aとを有している。複数の洗浄モジュール311a~314aとウェハステーション33aとは、基板処理装置10の長手方向に沿って直列に配置されている。各洗浄モジュール311a~314aの上部には、クリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、第1洗浄ユニット30aの内部は、研磨部12からのパーティクルの流入を防止するために研磨部12よりも高い圧力に常時維持されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the first cleaning unit 30a includes a plurality of (four in the illustrated example) cleaning modules 311a, 312a, 313a, 314a, a wafer station 33a, and each cleaning module 311a to 314a. and a cleaning section transport mechanism 32a that transports the wafer W between the wafer station 33a and the wafer station 33a. The plurality of cleaning modules 311a to 314a and the wafer station 33a are arranged in series along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10. A filter fan unit (not shown) having a clean air filter is provided at the top of each cleaning module 311a to 314a, and clean air from which particles have been removed is constantly blown downward by this filter fan unit. There is. Further, the inside of the first cleaning unit 30a is always maintained at a higher pressure than the polishing section 12 in order to prevent particles from flowing in from the polishing section 12.

同様に、第2洗浄ユニット30bは、複数(図示された例では4つ)の洗浄モジュール311b、312b、313b、314bと、ウェハステーション33bと、各洗浄モジュール311b~314bとウェハステーション33bとの間にてウェハWを搬送する洗浄部搬送機構32bとを有している。複数の洗浄モジュール311b~314bとウェハステーション33bとは、基板処理装置10の長手方向に沿って直列に配置されている。各洗浄モジュール311b~314bの上部には、クリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、第2洗浄ユニット30bの内部は、研磨部12からのパーティクルの流入を防止するために研磨部12よりも高い圧力に常時維持されている。 Similarly, the second cleaning unit 30b includes a plurality of (four in the illustrated example) cleaning modules 311b, 312b, 313b, 314b, a wafer station 33b, and a space between each of the cleaning modules 311b to 314b and the wafer station 33b. The washing section transport mechanism 32b transports the wafer W at a cleaning section transport mechanism 32b. The plurality of cleaning modules 311b to 314b and the wafer station 33b are arranged in series along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10. A filter fan unit (not shown) having a clean air filter is provided at the top of each cleaning module 311b to 314b, and clean air from which particles have been removed is constantly blown downward by this filter fan unit. There is. Further, the inside of the second cleaning unit 30b is constantly maintained at a higher pressure than the polishing section 12 in order to prevent particles from flowing in from the polishing section 12.

なお、後述するが(図27、図28A~図28Eとその関連説明)、予備洗浄モジュール39aと39bをそれぞれ各洗浄モジュール311a~314aと311b~314bに加えて増設してもよい。 Note that, as will be described later (FIGS. 27, 28A to 28E, and related explanations), preliminary cleaning modules 39a and 39b may be added to the cleaning modules 311a to 314a and 311b to 314b, respectively.

図8は、第1洗浄ユニット30aのウェハステーション33aを示す斜視図である。図9は、このウェハステーション33aの内部構成を示す分解斜視図である。図8および図9に示すように、ウェハステーション33aは、略直方体形状を有する筐体71と、筐体71の内部に配置され、ウェハWを保持するステージ72と、ステージ72を上下移動させる駆動機構75と、を有している。 FIG. 8 is a perspective view showing the wafer station 33a of the first cleaning unit 30a. FIG. 9 is an exploded perspective view showing the internal configuration of this wafer station 33a. As shown in FIGS. 8 and 9, the wafer station 33a includes a housing 71 having a substantially rectangular parallelepiped shape, a stage 72 disposed inside the housing 71 and holding a wafer W, and a drive that moves the stage 72 up and down. It has a mechanism 75.

このうち筐体71は、底面板と、4つの側面板と、天面板とを有している。図9に示すように、4つの側面板のうち研磨部12に対向する側面板の下端部には、研磨部12に連
通する搬入口73が形成されている。搬入口73は、不図示のシャッタにより開閉可能となっている。図9に示すように、研磨部12の搬送ロボット23は、搬入口73から筐体71の内側にアクセスすることができる。
Among these, the casing 71 has a bottom plate, four side plates, and a top plate. As shown in FIG. 9, a loading port 73 communicating with the polishing part 12 is formed at the lower end of the side plate facing the polishing part 12 among the four side plates. The loading port 73 can be opened and closed by a shutter (not shown). As shown in FIG. 9, the transport robot 23 of the polishing section 12 can access the inside of the casing 71 through the entrance 73.

また、図8に示すように、4つの側面板のうち残りの3つの側面板(すなわち、後述する第1洗浄部搬送機構32aに対向する側面板および左右の側面板)の搬入口73より高い高さ位置には、洗浄部搬送機構32aのアームを通過させるためのアーム通過用開口74が形成されている。ウェハ搬送用開口74は、不図示のシャッタにより開閉可能となっている。図12および図13に示すように、第1洗浄ユニット30aの洗浄部搬送機構32aは、アーム通過用開口74から筐体71の内側にアクセス可能となっている。 Further, as shown in FIG. 8, the height of the remaining three side plates among the four side plates (i.e., the side plate facing the first cleaning unit transport mechanism 32a and the left and right side plates, which will be described later) is higher than the loading port 73. An arm passage opening 74 is formed at the height position to allow the arm of the cleaning unit transport mechanism 32a to pass therethrough. The wafer transfer opening 74 can be opened and closed by a shutter (not shown). As shown in FIGS. 12 and 13, the cleaning section transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a can access the inside of the casing 71 through the arm passage opening 74.

駆動機構75としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが用いられる。ステージ72は、駆動機構75の可動部に固定されており、駆動機構75から与えられる動力により、搬入口73に対向する高さ位置とウェハ搬送用開口74に対向する高さ位置との間を上下移動される(図9参照)。 As the drive mechanism 75, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. The stage 72 is fixed to a movable part of a drive mechanism 75, and moves between a height position facing the loading port 73 and a height position facing the wafer transfer opening 74 by the power given from the drive mechanism 75. It is moved up and down (see Figure 9).

ステージ72の外周部には、4本のピン76が上方に突き出すように設けられている。そのため、ステージ72上に載せられるウェハWは、その外周縁が4本のピン76によりガイドされて位置決めされた状態で、ステージ72上に支持されるようになっている。これらのピン76は、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。 Four pins 76 are provided on the outer periphery of the stage 72 so as to protrude upward. Therefore, the wafer W placed on the stage 72 is supported on the stage 72 with its outer peripheral edge being guided and positioned by the four pins 76. These pins 76 are made of resin such as polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and polyetheretherketone (PEEK).

図10は、第2洗浄ユニット30bのウェハステーション33bを示す斜視図である。図11は、このウェハステーション33bの内部構成を示す分解斜視図である。図10および図11に示すように、ウェハステーション33bは、略直方体形状を有する筐体81と、筐体81の内部に配置され、ウェハWを保持するステージ82と、ステージ82を上下移動させる駆動機構85と、を有している。 FIG. 10 is a perspective view showing the wafer station 33b of the second cleaning unit 30b. FIG. 11 is an exploded perspective view showing the internal configuration of this wafer station 33b. As shown in FIGS. 10 and 11, the wafer station 33b includes a housing 81 having a substantially rectangular parallelepiped shape, a stage 82 disposed inside the housing 81 and holding a wafer W, and a drive for moving the stage 82 up and down. It has a mechanism 85.

このうち筐体81は、底面板と、4つの側面板と、天面板とを有している。図11に示すように、4つの側面板のうち研磨部12に対向する側面板の上端部には、研磨部12に連通する搬入口83が形成されている。搬入口83は、不図示のシャッタにより開閉可能となっている。図11に示すように、研磨部12の搬送ロボット23は、搬入口83から筐体81の内側にアクセスすることができる。 Of these, the casing 81 has a bottom plate, four side plates, and a top plate. As shown in FIG. 11, a loading port 83 communicating with the polishing section 12 is formed at the upper end of the side panel facing the polishing section 12 among the four side plates. The entrance 83 can be opened and closed by a shutter (not shown). As shown in FIG. 11, the transport robot 23 of the polishing section 12 can access the inside of the casing 81 through the entrance 83.

また、図10に示すように、4つの側面板のうち残りの3つの側面板(すなわち、研磨部12とは反対側の側面板および左右の側面板)の搬入口83より低い高さ位置には、洗浄部搬送機構32bのアームを通過させるためのアーム通過用開口84が形成されている。アーム通過用開口84は、シャッタ87により開閉可能となっている。図11に示すように、第2洗浄ユニット30bの洗浄部搬送機構32bは、アーム通過用開口84から筐体81の内側にアクセス可能となっている。 Further, as shown in FIG. 10, the remaining three side plates among the four side plates (that is, the side plate on the opposite side of the polishing section 12 and the left and right side plates) are placed at a lower height position than the loading port 83. An arm passage opening 84 is formed through which the arm of the cleaning unit transport mechanism 32b passes. The arm passage opening 84 can be opened and closed by a shutter 87. As shown in FIG. 11, the cleaning section transport mechanism 32b of the second cleaning unit 30b can access the inside of the casing 81 through the arm passage opening 84.

駆動機構85としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが用いられる。ステージ82は、駆動機構85の可動部に固定されており、駆動機構85から与えられる動力により、搬入口83に対向する高さ位置とウェハ搬送用開口84に対向する高さ位置との間を上下移動される(図11参照)。 As the drive mechanism 85, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. The stage 82 is fixed to a movable portion of a drive mechanism 85, and is moved between a height position facing the loading port 83 and a height position facing the wafer transfer opening 84 by the power given from the drive mechanism 85. It is moved up and down (see Figure 11).

ステージ82の外周部には、4本のピン86が上方に突き出すように設けられている。そのため、ステージ82上に載せられるウェハは、その外周縁が4本のピン86によりガイドされて位置決めされた状態で、ステージ82上に支持されるようになっている。これらのピン86は、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTF
E)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。
Four pins 86 are provided on the outer periphery of the stage 82 so as to protrude upward. Therefore, the wafer placed on the stage 82 is supported on the stage 82 with its outer peripheral edge being guided and positioned by the four pins 86. These pins 86 are made of polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTF).
E) and polyetheretherketone (PEEK).

第2洗浄ユニット30bの洗浄モジュール311b~314bは、第1洗浄ユニット30aの洗浄モジュール311a~314aと同様の構成を有しているので、以下、第1洗浄ユニット30aの洗浄モジュール311a~314aについて説明する。 The cleaning modules 311b to 314b of the second cleaning unit 30b have the same configuration as the cleaning modules 311a to 314a of the first cleaning unit 30a, so the cleaning modules 311a to 314a of the first cleaning unit 30a will be explained below. do.

図1及び図2に示すように、4つの洗浄モジュール311a~314a(以下、1次~4次洗浄モジュールと呼ぶことがある)は、ウェハステーション33aからこの順に直列に配置されている。各洗浄モジュール311a~314aは、それぞれ、不図示の洗浄機と、この洗浄機をカバーする筐体91とを有している。 As shown in FIGS. 1 and 2, four cleaning modules 311a to 314a (hereinafter sometimes referred to as primary to quaternary cleaning modules) are arranged in series in this order starting from the wafer station 33a. Each of the cleaning modules 311a to 314a includes a cleaning machine (not shown) and a housing 91 that covers the cleaning machine.

1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aの洗浄機としては、例えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させてウェハの表面および裏面に押し付けてウェハの表面および裏面を洗浄するロールタイプの洗浄機を用いることができる。また、3次洗浄モジュール313aの洗浄機としては、例えば、半球状のスポンジを回転させながらウェハに押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。4次洗浄モジュール314aの洗浄機としては、例えば、ウェハの裏面はリンス洗浄することができ、ウェハ表面の洗浄は半球状のスポンジを回転させながら押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。この4次洗浄モジュール314aの洗浄機は、チャックしたウェハを高速回転させるステージを備えており、ウェハを高速回転させることで洗浄後のウェハを乾燥させる機能(スピンドライ機能)を有している。なお、各洗浄モジュール311a~314aの洗浄機において、上述したロールタイプの洗浄機やペンシルタイプの洗浄機に加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの洗浄機を付加的に設けてもよい。 The cleaning machine for the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a is, for example, a roll type that cleans the front and back surfaces of the wafer by rotating roll-shaped sponges arranged above and below and pressing them against the front and back surfaces of the wafer. A washing machine can be used. Further, as the cleaning machine for the tertiary cleaning module 313a, for example, a pencil-type cleaning machine that cleans the wafer by pressing a hemispherical sponge against the wafer while rotating it can be used. As the cleaning machine for the 4th cleaning module 314a, for example, the back side of the wafer can be rinsed, and the front side of the wafer can be cleaned by using a pencil type cleaning machine that cleans the wafer by rotating and pressing a hemispherical sponge against the wafer. can. The cleaning machine of the fourth cleaning module 314a includes a stage that rotates the chucked wafer at high speed, and has a function (spin dry function) of drying the cleaned wafer by rotating the wafer at high speed. Note that in the cleaning machines of each of the cleaning modules 311a to 314a, in addition to the roll type cleaning machine and pencil type cleaning machine described above, a megasonic type cleaning machine that cleans by applying ultrasonic waves to the cleaning liquid is additionally installed. You can.

各洗浄モジュール311a~314aの筐体は、ウェハステーション33aの筐体71と同様に、底面板と、4つの側面板と、天面板とを有している。4つの側面板のうち洗浄部搬送機構32aに対向する側面板および左右の側面板には、洗浄部搬送機構32aのアームを通過させるためのアーム通過用開口94が形成されている(図13A~図13E参照)。アーム通過用開口94は、シャッタ97により開閉可能となっている。このアーム通過用開口94の高さ位置は、ウェハステーション33aのアーム通過用開口74と同じ高さ位置に形成されている。洗浄部搬送機構32aは、このアーム通過用開口94から筐体91の内側にアクセス可能となっている。 The housing of each of the cleaning modules 311a to 314a has a bottom plate, four side plates, and a top plate, similar to the housing 71 of the wafer station 33a. Out of the four side plates, arm passage openings 94 for passing the arm of the cleaning unit conveyance mechanism 32a are formed in the side plate facing the cleaning unit conveyance mechanism 32a and the left and right side plates (FIGS. 13A to 13A). (See Figure 13E). The arm passage opening 94 can be opened and closed by a shutter 97. The arm passage opening 94 is formed at the same height as the arm passage opening 74 of the wafer station 33a. The cleaning unit transport mechanism 32a can access the inside of the casing 91 through this arm passage opening 94.

第2洗浄ユニット30bの洗浄部搬送機構32bは、第1洗浄ユニット30aの洗浄部搬送機構32aと同様の構成を有しているので、以下、第1洗浄ユニット30aの洗浄部搬送機構32aについて説明する。 The cleaning unit transport mechanism 32b of the second cleaning unit 30b has the same configuration as the cleaning unit transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a, so the cleaning unit transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a will be described below. do.

図12は、第1洗浄ユニット30aの洗浄部搬送機構32aを示す斜視図である。図12に示すように、洗浄部搬送機構32aは、ウェハWをそれぞれ把持する第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602と、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602を複数の洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って直線移動するアーム搬送機構62と、を有している。すなわち、本実施の形態では、ウェハ把持機構601、602の数は、洗浄モジュール311a~314aの数より少なくなっている。 FIG. 12 is a perspective view showing the cleaning section transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a. As shown in FIG. 12, the cleaning unit transport mechanism 32a includes a first wafer gripping mechanism 601 and a second wafer gripping mechanism 602 each gripping a wafer W, and a plurality of first wafer gripping mechanisms 601 and a plurality of second wafer gripping mechanisms 602. The arm transport mechanism 62 moves linearly along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a. That is, in this embodiment, the number of wafer gripping mechanisms 601 and 602 is smaller than the number of cleaning modules 311a to 314a.

本実施の形態では、例えばウェハWの清浄度に応じて第1ウェハ把持機構601と第2ウェハ把持機構602とを使い分けることができる。例えば、1次~4次洗浄モジュール311a~314aのうち洗浄処理前半の1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aでは第1ウェハ把持機構601を使用し、洗浄処理後半の3次洗浄モジ
ュール313aおよび4次洗浄モジュール314aでは第2ウェハ把持機構602を使用することで、洗浄処理後半のウェハWが第1ウェハ把持機構601に接して汚染されることを防止できる。
In this embodiment, the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 602 can be used selectively depending on the cleanliness of the wafer W, for example. For example, among the primary to quaternary cleaning modules 311a to 314a, the first wafer gripping mechanism 601 is used in the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a in the first half of the cleaning process, and the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 313a in the latter half of the cleaning process By using the second wafer gripping mechanism 602 in the fourth cleaning module 314a, it is possible to prevent the wafer W in the latter half of the cleaning process from coming into contact with the first wafer gripping mechanism 601 and being contaminated.

第1ウェハ把持機構601は、より詳しくは、ウェハを把持する開閉可能な一対の第1アーム611と、一対の第1アーム611を上下移動させる第1上下移動機構641と、一対の第1アーム611を開閉方向と平行な回転軸631Aを中心として回動させる第1回動機構631と、一対の第1アーム611を互いに近接する方向または互いに離間する方向に開閉する第1開閉機構661とを有している。 More specifically, the first wafer gripping mechanism 601 includes a pair of openable and closable first arms 611 for gripping a wafer, a first vertical movement mechanism 641 for vertically moving the pair of first arms 611, and a pair of first arms 611 for vertically moving the pair of first arms 611. A first rotation mechanism 631 that rotates the first arm 611 about a rotation axis 631A parallel to the opening/closing direction, and a first opening/closing mechanism 661 that opens and closes the pair of first arms 611 in a direction toward each other or in a direction away from each other. have.

同様に、第2ウェハ把持機構602は、ウェハを把持する開閉可能な一対の第2アーム612と、一対の第2アーム612を上下移動させる第2上下移動機構642と、一対の第2アーム612を開閉方向と平行な回転軸632Aを中心として回動させる第2回動機構632と、一対の第2アーム612を互いに近接する方向または互いに離間する方向に開閉する第2開閉機構662とを有している。 Similarly, the second wafer gripping mechanism 602 includes a pair of openable and closable second arms 612 that grip a wafer, a second vertical movement mechanism 642 that moves the pair of second arms 612 up and down, and a second vertical movement mechanism 642 that moves the pair of second arms 612 up and down. It has a second rotation mechanism 632 that rotates around a rotation axis 632A parallel to the opening/closing direction, and a second opening/closing mechanism 662 that opens and closes the pair of second arms 612 in a direction in which they approach each other or in a direction in which they move away from each other. are doing.

アーム搬送機構62としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構が用いられる。図12に示すように、アーム搬送機構62のボールねじは、洗浄モジュール311a~314aの上方に洗浄モジュール311a~314aの配列方向に延びるように設けられている。 As the arm transport mechanism 62, for example, a motor drive mechanism using a ball screw is used. As shown in FIG. 12, the ball screw of the arm transport mechanism 62 is provided above the cleaning modules 311a to 314a so as to extend in the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a.

アーム搬送機構62のボールねじには、メインフレーム68が取り付けられている。メインフレーム68は、アーム搬送機構62のボールねじから下方に吊り下がるように取り付けられており、洗浄モジュール311a~314aの側面と対向するようになっている。アーム搬送機構62のボールねじに連結されたモータの駆動により、メインフレーム68は洗浄モジュール311a~314aの側面と対向したまま洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って直線移動される。 A main frame 68 is attached to a ball screw of the arm transport mechanism 62. The main frame 68 is attached so as to hang downward from the ball screw of the arm transport mechanism 62, and faces the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a. By driving the motor connected to the ball screw of the arm transport mechanism 62, the main frame 68 is linearly moved along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a while facing the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a.

図示された例では、メインフレーム68は、奥行方向(洗浄モジュール311a~314aの配列方向および上下方向の両方に対して垂直な方向)の位置を調整するための奥行方向移動機構67を有している。奥行方向移動機構67としては、例えばラック・アンド・ピニオンを用いたモータ駆動機構が用いられる。奥行方向移動機構67の駆動により、奥行方向におけるメインフレーム68の位置が調整される。 In the illustrated example, the main frame 68 has a depth direction movement mechanism 67 for adjusting the position in the depth direction (direction perpendicular to both the arrangement direction and the vertical direction of the cleaning modules 311a to 314a). There is. As the depth direction movement mechanism 67, for example, a motor drive mechanism using a rack and pinion is used. By driving the depth direction moving mechanism 67, the position of the main frame 68 in the depth direction is adjusted.

第1上下移動機構641および第2上下移動機構642は、メインフレーム68上に設けられている。第1上下移動機構641および第2上下移動機構642としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構が用いられる。図16に示すように、第1上下移動機構641のボールねじは、メインフレーム68の左端部において上下方向に延びるように取り付けられており、第2上下移動機構642のボールねじは、メインフレーム68の右端部において上下方向に延びるように取り付けられている。 The first vertical movement mechanism 641 and the second vertical movement mechanism 642 are provided on the main frame 68. As the first vertical movement mechanism 641 and the second vertical movement mechanism 642, for example, a motor drive mechanism using a ball screw is used. As shown in FIG. 16, the ball screw of the first vertical movement mechanism 641 is attached to the left end of the main frame 68 so as to extend in the vertical direction, and the ball screw of the second vertical movement mechanism 642 is attached to the left end of the main frame 68. It is attached so as to extend in the vertical direction at the right end of the .

第1上下移動機構641のボールねじには、一対の第1アーム611を支持する第1サブフレーム691が取り付けられている。第1サブフレーム691は、メインフレーム68の左側にメインフレーム68と隣り合うように設けられており、洗浄モジュール311a~314aの側面と対向するようになっている。第1上下移動機構641のボールねじに連結されたモータの駆動により、第1サブフレーム691は上下方向に沿って直線移動される。 A first subframe 691 that supports the pair of first arms 611 is attached to the ball screw of the first vertical movement mechanism 641. The first subframe 691 is provided on the left side of the main frame 68 so as to be adjacent to the main frame 68, and faces the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a. The first sub-frame 691 is linearly moved in the vertical direction by driving a motor connected to a ball screw of the first vertical movement mechanism 641.

同様に、第2上下移動機構642のボールねじには、一対の第2アーム612を支持する第2サブフレーム692が取り付けられている。第2サブフレーム692は、メインフ
レーム68の右側にメインフレーム68と隣り合うように設けられており、洗浄モジュール311a~314aの側面と対向できるようになっている。第2上下移動機構642のボールねじに連結されたモータの駆動により、第2サブフレーム692は上下方向に沿って直線移動される。
Similarly, a second subframe 692 that supports the pair of second arms 612 is attached to the ball screw of the second vertical movement mechanism 642. The second subframe 692 is provided on the right side of the main frame 68 so as to be adjacent to the main frame 68, and can face the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a. The second sub-frame 692 is linearly moved in the vertical direction by driving a motor connected to a ball screw of the second vertical movement mechanism 642.

第1サブフレーム691および第2サブフレーム692は、メインフレーム68に対して対称であること以外は、実質的に同様の構造を有しているため、以下では第2サブフレーム692について説明する。 Since the first subframe 691 and the second subframe 692 have substantially the same structure except that they are symmetrical with respect to the main frame 68, the second subframe 692 will be described below.

図12に示すように、一対の第2アーム612は互いに平行に配置されており、第2アーム612の基端部は、第2サブフレーム692上に回転可能に設けられた回転軸632Aに取り付けられている。また、第2サブフレーム692上には回転軸632Aを中心として一対の第2アーム612を回転させる第2回動機構632が設けられている。第2回動機構632としては、例えばモータ駆動機構が用いられる。この第2回動機構632の回転軸は、リンク部材632Lを介して回転軸632Aに連結されている。第2回動機構632の回転力は、リンク部材632Lを介して回転軸632Aに伝達され、一対の第2アーム612は、回転軸632Aを中心として回転される。 As shown in FIG. 12, the pair of second arms 612 are arranged parallel to each other, and the base ends of the second arms 612 are attached to a rotation shaft 632A rotatably provided on the second subframe 692. It is being Furthermore, a second rotation mechanism 632 is provided on the second subframe 692 to rotate the pair of second arms 612 about a rotation axis 632A. As the second rotation mechanism 632, for example, a motor drive mechanism is used. The rotation shaft of this second rotation mechanism 632 is connected to the rotation shaft 632A via a link member 632L. The rotational force of the second rotation mechanism 632 is transmitted to the rotation shaft 632A via the link member 632L, and the pair of second arms 612 are rotated about the rotation shaft 632A.

また、第2サブフレーム692上には、一対の第2アーム612を互いに近接する方向または互いに離間する方向に開閉する第2開閉機構662が設けられている。第2開閉機構662としては、例えばエアシリンダが用いられる。第2開閉機構662により一対の第2アーム612が閉じられることにより、一対の第2アーム612はウェハWの周縁部を挟み込んで保持するようになっている。 Further, a second opening/closing mechanism 662 is provided on the second subframe 692 to open and close the pair of second arms 612 in a direction in which they approach each other or in a direction in which they move away from each other. As the second opening/closing mechanism 662, for example, an air cylinder is used. By closing the pair of second arms 612 by the second opening/closing mechanism 662, the pair of second arms 612 sandwich and hold the peripheral edge of the wafer W.

図14および図15に示すように、一対の第2アーム612には、ウェハWの外周部に当接可能なチャックコマ612a、612bが上下二段に設けられている。例えば相対的に清浄度の高いウェハWは上段のチャックコマ612aにて保持され、相対的に清浄度の低いウェハを下段のチャックコマ612bにて保持されることで、下段のチャックコマ612bが清浄度の高いウェハWに接触してこのウェハWが汚染されることを防止できる。 As shown in FIGS. 14 and 15, the pair of second arms 612 are provided with chuck pieces 612a and 612b arranged in two stages, upper and lower, which can abut the outer circumference of the wafer W. For example, a wafer W with relatively high cleanliness is held by the upper chuck piece 612a, and a wafer with relatively low cleanliness is held by the lower chuck piece 612b, so that the lower chuck piece 612b is kept clean. It is possible to prevent the wafer W from coming into contact with a high-quality wafer W and being contaminated.

次に、図13A~図13Eを参照して、一対の第2アーム612の動作の一例を説明する。上述したように各洗浄モジュールは、ウェハWの洗浄中に外部に使用流体が飛散しないように筐体91によって区画されており、筐体91の側面にはアーム通過用開口94が形成されている。アーム通過用開口94には、開閉可能なシャッタ97が設けられている。 Next, an example of the operation of the pair of second arms 612 will be described with reference to FIGS. 13A to 13E. As described above, each cleaning module is partitioned by a housing 91 to prevent the fluid used from scattering to the outside during cleaning of the wafer W, and an arm passage opening 94 is formed in the side surface of the housing 91. . The arm passage opening 94 is provided with a shutter 97 that can be opened and closed.

洗浄後のウェハWを筐体91から取り出す場合には、図13Aに示すように、先端が上向きに向けられた一対の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動より筐体91に隣接する待機位置へと移動される。本実施の形態では、筐体91のシャッタ97が閉じられていても、一対の第2アーム612の先端を上向きに向けておくことで、一対の第2アーム612を筐体91に隣接する待機位置へと移動させることができる。したがって、ウェハ取り出し作業の開始タイミングを早くすることができ、プロセス全体のスループットが向上させることができる。 When taking out the wafer W after cleaning from the housing 91, as shown in FIG. Moved to standby position. In this embodiment, even if the shutter 97 of the housing 91 is closed, the tips of the pair of second arms 612 are directed upward, so that the pair of second arms 612 can be placed in the standby position adjacent to the housing 91. can be moved to position. Therefore, the start timing of the wafer removal operation can be made earlier, and the throughput of the entire process can be improved.

次に、図13Bおよび図13Cに示すように、第2回動機構632の駆動により、一対の第2アーム612は、回転軸632Aを中心として回動される。図示された例では、一対の第2アーム612は、側面視において回転軸632Aを中心として時計回りに90°回転され、一対の第2アーム612の先端は横向きに向けられる。 Next, as shown in FIGS. 13B and 13C, the second rotation mechanism 632 is driven to rotate the pair of second arms 612 about the rotation shaft 632A. In the illustrated example, the pair of second arms 612 are rotated 90° clockwise about the rotation axis 632A when viewed from the side, and the tips of the pair of second arms 612 are oriented laterally.

次に、図13Dに示すように、第2上下駆動機構642の駆動により、一対の第2アー
ム612は、アーム通過用開口94と同じ高さ位置まで上昇される。このとき、シャッタ97が退避されアーム通過用開口94が開けられる。
Next, as shown in FIG. 13D, by driving the second vertical drive mechanism 642, the pair of second arms 612 is raised to the same height position as the arm passage opening 94. At this time, the shutter 97 is retracted and the arm passage opening 94 is opened.

次に、図13Eに示すように、第2開閉機構662の駆動により、一対の第2アーム612は、互いに近接する方向に閉じられ、アーム通過用開口94を通って筐体91内側に挿入され、筐体91内のウェハWを把持する。そして、ウェハWを把持した一対の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動より次の洗浄モジュールへと移動される。 Next, as shown in FIG. 13E, the second opening/closing mechanism 662 is driven to close the pair of second arms 612 in a direction toward each other, and the pair of second arms 612 are inserted into the housing 91 through the arm passage opening 94. , grips the wafer W inside the housing 91. Then, the pair of second arms 612 holding the wafer W are moved to the next cleaning module by the drive of the arm transport mechanism 62.

洗浄前のウェハWを筐体91に搬入する場合には、図13A~図13Eに示す上述した動作が逆の順序で行われる。すなわち、図13Eに示すように、ウェハWを把持した一対の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動よりアーム通過用開口94を通って筐体91内側に移動される。 When carrying the wafer W before cleaning into the housing 91, the above-described operations shown in FIGS. 13A to 13E are performed in the reverse order. That is, as shown in FIG. 13E, the pair of second arms 612 holding the wafer W are moved inside the housing 91 through the arm passage opening 94 by the drive of the arm transport mechanism 62.

次に、図13Dに示すように、第2開閉機構662の駆動により、一対の第2アーム612は、互いに離間する方向に開かれ、アーム通過用開口94を通って筐体91の外側に出される。 Next, as shown in FIG. 13D, by driving the second opening/closing mechanism 662, the pair of second arms 612 are opened in a direction away from each other, and are brought out of the housing 91 through the arm passage opening 94. It will be done.

次に、図13Cに示すように、第2上下駆動機構642の駆動により、一対の第2アーム612は、アーム通過用開口94より低い高さ位置まで下降される。このとき、アーム通過用開口94がシャッタ97により、筐体91の内側にウェハWの洗浄処理が開始される。 Next, as shown in FIG. 13C, by driving the second vertical drive mechanism 642, the pair of second arms 612 is lowered to a height position lower than the arm passage opening 94. At this time, the arm passage opening 94 is opened by the shutter 97, and cleaning processing of the wafer W is started inside the housing 91.

次に、図13Bおよび図13Aに示すように、第2回動機構632の駆動により、一対の第2アーム612は、回転軸632Aを中心として回動される。図示された例では、一対の第2アーム612は、側面視において回転軸632Aを中心として反時計回りに90°回転され、一対の第2アーム612の先端は上向きに向けられる。そして、先端が上向きに向けられた一対の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動より次の洗浄モジュールへと移動される。本実施の形態では、第2回動機構632が一対の第2アーム612を先端が上向きになるように回動させる際に、第2上下移動機構642が一対の第2アーム612を下降させるため、一対の第2アーム612の上方に必要なスペースを削減できる。 Next, as shown in FIGS. 13B and 13A, the second rotation mechanism 632 is driven to rotate the pair of second arms 612 about the rotation shaft 632A. In the illustrated example, the pair of second arms 612 are rotated 90 degrees counterclockwise about the rotation axis 632A when viewed from the side, and the tips of the pair of second arms 612 are directed upward. Then, the pair of second arms 612 whose tips are directed upward are moved to the next cleaning module by the drive of the arm transport mechanism 62. In the present embodiment, when the second rotation mechanism 632 rotates the pair of second arms 612 so that the tips thereof face upward, the second vertical movement mechanism 642 lowers the pair of second arms 612. , the space required above the pair of second arms 612 can be reduced.

各洗浄モジュール311a~314aおよび311b~314bでは複数のウェハWを並行して洗浄することができる。図29A~図29Iを参照して、第1洗浄ユニット30aの1次~3次洗浄モジュール311a~313aにて複数のウェハWを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構32aの動作を一例として説明する。 Each of the cleaning modules 311a to 314a and 311b to 314b can clean a plurality of wafers W in parallel. Referring to FIGS. 29A to 29I, the operation of the cleaning section transport mechanism 32a when a plurality of wafers W are cleaned in parallel in the primary to tertiary cleaning modules 311a to 313a of the first cleaning unit 30a is explained as an example. explain.

まず、図29Aに示すように、1次洗浄モジュール311aでは、シャッタ97が閉じられて第2ウェハW2に対して第1段階の洗浄が行われており、2次洗浄モジュール312aでは、第1ウェハW1に対する第2段階の洗浄が終了してアーム通過用開口94が開いている状況を想定する。この場合、一対の第1アーム611は2次洗浄モジュール312aに対する待機位置へと移動され、一対の第1アーム611の先端は横向きに向けられる。 First, as shown in FIG. 29A, in the primary cleaning module 311a, the shutter 97 is closed and the first stage cleaning is performed on the second wafer W2, and in the secondary cleaning module 312a, the first stage cleaning is performed on the second wafer W2. Assume a situation in which the second stage cleaning for W1 has been completed and the arm passage opening 94 is open. In this case, the pair of first arms 611 are moved to a standby position relative to the secondary cleaning module 312a, and the tips of the pair of first arms 611 are turned sideways.

そして、図29Bに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じられ、2次洗浄モジュール312a内の第1ウェハW1は、一対の第1アーム611により保持される。また、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開かれる。 Then, as shown in FIG. 29B, the pair of first arms 611 are closed so as to approach each other, and the first wafer W1 in the secondary cleaning module 312a is held by the pair of first arms 611. Further, the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is retracted and the arm passage opening 94 is opened.

次に、図29Cに示すように、一対の第1アーム611により保持された第1ウェハW
1は、アーム通過用開口94を通って、2次洗浄モジュール312aから3次洗浄モジュール313aへと移動される。
Next, as shown in FIG. 29C, the first wafer W held by the pair of first arms 611
1 is moved from the secondary cleaning module 312a to the tertiary cleaning module 313a through the arm passage opening 94.

そして、図29Dに示すように、一対の第1アーム611は互いに離間するように開かれ、3次洗浄モジュール313aの左右外側に出される。2次洗浄モジュール312aでは乾燥を防止するためにシャッタ97が閉じられる。 Then, as shown in FIG. 29D, the pair of first arms 611 are opened so as to be separated from each other, and are exposed to the left and right outer sides of the tertiary cleaning module 313a. In the secondary cleaning module 312a, the shutter 97 is closed to prevent drying.

次に、図29Eに示すように、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が閉じられ、3次洗浄モジュール313aにて第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄が行われる。 Next, as shown in FIG. 29E, the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is closed, and the third stage of cleaning is performed on the first wafer W1 in the tertiary cleaning module 313a.

次に、図29Fに示すように、1次洗浄モジュール311aでの第2ウェハW2に対する第1段階の洗浄が終了すると、1次洗浄モジュール311aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開かれる。このとき、一対の第1アーム611は回動機構により回動され、一対の第1アーム611の先端が上向きに向けられる。 Next, as shown in FIG. 29F, when the first stage cleaning of the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is completed, the shutter 97 of the primary cleaning module 311a is retracted and the arm passage opening 94 is opened. It will be done. At this time, the pair of first arms 611 are rotated by the rotation mechanism, and the tips of the pair of first arms 611 are directed upward.

そして、図29Gに示すように、一対の第1アーム611は、シャッタ97が閉じられた3次洗浄モジュール313aおよび2次洗浄モジュール312aを回避する(スキップする)ように移動され、1次洗浄モジュール311aの待機位置へと配置される。 Then, as shown in FIG. 29G, the pair of first arms 611 are moved to avoid (skip) the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 312a whose shutters 97 are closed, and 311a to the standby position.

次に、図29Hに示すように、一対の第1アーム611は回動機構により回動され、一対の第1アーム611の先端が横向きに向けられる。そして、図29Iに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じられ、1次洗浄モジュール311a内の第2ウェハW2は、一対の第1アーム611により保持される。その後、一対の第1アーム611に保持された第2ウェハW2は、2次洗浄モジュール312aへと搬送されて第2段階の洗浄が行われる。 Next, as shown in FIG. 29H, the pair of first arms 611 are rotated by the rotation mechanism, and the tips of the pair of first arms 611 are directed sideways. Then, as shown in FIG. 29I, the pair of first arms 611 are closed so as to approach each other, and the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is held by the pair of first arms 611. Thereafter, the second wafer W2 held by the pair of first arms 611 is transferred to the secondary cleaning module 312a, where a second stage of cleaning is performed.

以上のように本実施の形態では、各洗浄モジュール311a~314aおよび311b~314bにて複数のウェハWを並行して洗浄することができるため、プロセス全体のスループットを向上させることができる。 As described above, in this embodiment, a plurality of wafers W can be cleaned in parallel in each of the cleaning modules 311a to 314a and 311b to 314b, so that the throughput of the entire process can be improved.

次に、図30A~図30Iを参照して、第1洗浄ユニット30aの1次~3次洗浄モジュール311a~313aにて複数のウェハWを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構32aの動作の変形例について説明する。 Next, referring to FIGS. 30A to 30I, the operation of the cleaning section transport mechanism 32a when a plurality of wafers W are cleaned in parallel in the primary to tertiary cleaning modules 311a to 313a of the first cleaning unit 30a. A modification example will be explained.

まず、図30Aに示すように、1次洗浄モジュール311aでは、シャッタ97が閉じられて第2ウェハW2に対して第1段階の洗浄が行われており、2次洗浄モジュール312aでは、第1ウェハW1に対する第2段階の洗浄が終了してアーム通過用開口94が開いている状況を想定する。この場合、一対の第1アーム611は2次洗浄モジュール312aに対する待機位置へと移動され、一対の第1アーム611の先端は横向きに向けられる。 First, as shown in FIG. 30A, in the primary cleaning module 311a, the shutter 97 is closed and the first stage cleaning is performed on the second wafer W2, and in the secondary cleaning module 312a, the first stage cleaning is performed on the second wafer W2. Assume a situation in which the second stage cleaning for W1 has been completed and the arm passage opening 94 is open. In this case, the pair of first arms 611 are moved to a standby position relative to the secondary cleaning module 312a, and the tips of the pair of first arms 611 are turned sideways.

そして、図30Bに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じられ、2次洗浄モジュール312a内の第1ウェハW1は、一対の第1アーム611により保持される。また、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開かれる。 Then, as shown in FIG. 30B, the pair of first arms 611 are closed so as to approach each other, and the first wafer W1 in the secondary cleaning module 312a is held by the pair of first arms 611. Further, the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is retracted and the arm passage opening 94 is opened.

次に、図30Cに示すように、一対の第1アーム611により保持された第1ウェハW1は、アーム通過用開口94を通って、2次洗浄モジュール312aから3次洗浄モジュール313aへと移動される。 Next, as shown in FIG. 30C, the first wafer W1 held by the pair of first arms 611 is moved from the secondary cleaning module 312a to the tertiary cleaning module 313a through the arm passage opening 94. Ru.

そして、図30Dに示すように、一対の第1アーム611は互いに離間するように開かれ、3次洗浄モジュール313aの左右外側に出される。2次洗浄モジュール312のシャッタ97が閉じられる。 Then, as shown in FIG. 30D, the pair of first arms 611 are opened so as to be separated from each other, and are exposed to the left and right outer sides of the tertiary cleaning module 313a. The shutter 97 of the secondary cleaning module 312 is closed.

次に、図30Eに示すように、3次洗浄モジュール313aでの第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄が開始される前に、1次洗浄モジュール311aでの第2ウェハW2に対する第1段階の洗浄が終了すると、1次洗浄モジュール311aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開かれる。 Next, as shown in FIG. 30E, before the third cleaning module 313a starts the third stage cleaning for the first wafer W1, the first cleaning module 311a performs the first stage cleaning for the second wafer W2. When the cleaning is completed, the shutter 97 of the primary cleaning module 311a is retracted and the arm passage opening 94 is opened.

このとき、図30Fに示すように、一対の第1アーム611は第1ウェハW1より高い高さ位置まで上昇される。また、2次洗浄モジュール312aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開かれる。 At this time, as shown in FIG. 30F, the pair of first arms 611 are raised to a height higher than the first wafer W1. Further, the shutter 97 of the secondary cleaning module 312a is retracted and the arm passage opening 94 is opened.

そして、図30Gに示すように、一対の第1アーム611は、先端を横向きに向けたまま、3次洗浄モジュール313aおよび2次洗浄モジュール312aのアーム通過用開口94を通過するように移動され、1次洗浄モジュール311aの待機位置へと配置される。 Then, as shown in FIG. 30G, the pair of first arms 611 are moved to pass through the arm passage openings 94 of the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 312a, with their tips facing sideways, The primary cleaning module 311a is placed in a standby position.

次に、図30Hに示すように、一対の第1アーム611は第2ウェハW2と同じ高さ位置まで下降される。一方、3次洗浄モジュール313aでは、シャッタ97が閉じられて第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄が開始される。2次洗浄モジュール312aでは乾燥を防止するためにシャッタ97が閉じられる。 Next, as shown in FIG. 30H, the pair of first arms 611 are lowered to the same height as the second wafer W2. On the other hand, in the tertiary cleaning module 313a, the shutter 97 is closed and the third stage of cleaning for the first wafer W1 is started. In the secondary cleaning module 312a, the shutter 97 is closed to prevent drying.

そして、図30Iに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じられ、1次洗浄モジュール311a内の第2ウェハW2は、一対の第1アーム611により保持される。その後、一対の第1アーム611に保持された第2ウェハW2は、2次洗浄モジュール312aへと搬送されて第2段階の洗浄が行われる。 Then, as shown in FIG. 30I, the pair of first arms 611 are closed so as to approach each other, and the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is held by the pair of first arms 611. Thereafter, the second wafer W2 held by the pair of first arms 611 is transferred to the secondary cleaning module 312a, where a second stage of cleaning is performed.

以上のような変形例によれば、3次洗浄モジュール313aから1次洗浄モジュール311aへと一対の第1アーム611を移動させる際に、一対の第1アーム611を回動させる動作を省略できる。そのため、プロセス全体のスループットをさらに向上させることができる。 According to the above modification, when moving the pair of first arms 611 from the tertiary cleaning module 313a to the primary cleaning module 311a, the operation of rotating the pair of first arms 611 can be omitted. Therefore, the throughput of the entire process can be further improved.

一方、図29A~図29Iに示す例のように、一対の第1アーム611を回動させて、シャッタ97が閉じられた3次洗浄モジュール313aおよび2次洗浄モジュール312aを回避する(スキップする)ように移動させる場合には、一対の第1アーム611が3次洗浄モジュール313a内の第1ウェハW1の上方を通過することがないため、一対の第1アーム611から落下する洗浄液が第1ウェハW1の表面に付着することを防止できる。また、3次洗浄モジュール313aでの第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄を早く開始することができる。 On the other hand, as in the example shown in FIGS. 29A to 29I, the pair of first arms 611 are rotated to avoid (skip) the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 312a whose shutters 97 are closed. When the pair of first arms 611 are moved as shown in FIG. It can be prevented from adhering to the surface of W1. Further, the third stage cleaning of the first wafer W1 in the tertiary cleaning module 313a can be started earlier.

各洗浄モジュール311a~314aおよび311b~314bは、故障を検知する検知器(図示せず)を有している。洗浄モジュール311a~314aおよび311b~314bのいずれかに故障が生じたとき、検知器がこれを検知して制御部15に信号を送るようになっている。制御部15は、故障した洗浄モジュールを回避する洗浄ラインを選定し、現在の洗浄ラインを新たに選定された洗浄ラインに切り替える。 Each cleaning module 311a-314a and 311b-314b has a detector (not shown) for detecting a failure. When a failure occurs in any of the cleaning modules 311a to 314a and 311b to 314b, a detector detects this and sends a signal to the control unit 15. The control unit 15 selects a cleaning line that avoids the failed cleaning module, and switches the current cleaning line to the newly selected cleaning line.

より詳しくは、たとえば、図22Aに示すように、第1洗浄ユニット30aの3次洗浄モジュール313aに異常が発生した場合には、2次洗浄モジュール312a内に位置するウェハWが洗浄部搬送機構32aの第1アーム611により把持される。そして、図2
2Bに示すように、洗浄部搬送機構32aの第2アーム612が先端を上向きに向けられた状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1アーム611に把持されたウェハが第1ウェハステーション33aへと搬送される。この時、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が故障して閉じられたままであっても、第2アーム612は先端を上向きに向けられているため、シャッタ97と干渉することなく、3次洗浄モジュール313aを回避して(スキップして)移動することができる。
More specifically, for example, as shown in FIG. 22A, when an abnormality occurs in the tertiary cleaning module 313a of the first cleaning unit 30a, the wafer W located in the secondary cleaning module 312a is transferred to the cleaning section transport mechanism 32a. It is gripped by the first arm 611 of. And Figure 2
2B, with the tip of the second arm 612 of the cleaning unit transport mechanism 32a facing upward, the wafer gripped by the first arm 611 is moved to the first wafer station 33a by driving the arm transport mechanism 62. transported to. At this time, even if the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a fails and remains closed, since the tip of the second arm 612 is directed upward, it will not interfere with the shutter 97 and the tertiary cleaning module You can move by avoiding (skipping) 313a.

次に、図22Cおよび図22Dに示すように、研磨部12の搬送ロボット23が第1ウェハステーション33aからウェハWを取り出して、第2ウェハステーション33bへと受け渡す。第2ウェハステーション33bへと受け渡されたウェハWは、洗浄部搬送機構32bの第1アーム611により把持される。そして、図22Eに示すように、アーム搬送機構62の駆動により、第1アーム611に把持されたウェハWは、1次洗浄モジュール311bへと搬送されて洗浄される。 Next, as shown in FIGS. 22C and 22D, the transfer robot 23 of the polishing section 12 takes out the wafer W from the first wafer station 33a and transfers it to the second wafer station 33b. The wafer W transferred to the second wafer station 33b is gripped by the first arm 611 of the cleaning section transport mechanism 32b. Then, as shown in FIG. 22E, by driving the arm transport mechanism 62, the wafer W held by the first arm 611 is transported to the primary cleaning module 311b and cleaned.

このように、本実施の形態では、複数の第1洗浄モジュール311a~314aのいずれかに異常が発生した場合であっても、第1洗浄モジュール311a~314a内に位置するウェハWが第2洗浄モジュール311b~314bへと搬送されて洗浄されることで、第1洗浄モジュール311a~314a内に位置するウェハWを救済することができる。同様に、複数の第2洗浄モジュール311b~314bのいずれかに異常が発生した場合であっても、第2洗浄モジュール311b~314b内に位置するウェハWが第1洗浄モジュール311a~314aへと搬送されて洗浄されることで、第2洗浄モジュール311b~314b内に位置するウェハWを救済することができる。 As described above, in this embodiment, even if an abnormality occurs in any of the plurality of first cleaning modules 311a to 314a, the wafer W located in the first cleaning module 311a to 314a can be cleaned during the second cleaning. By being transported to the modules 311b to 314b and cleaned, the wafers W located in the first cleaning modules 311a to 314a can be rescued. Similarly, even if an abnormality occurs in one of the plurality of second cleaning modules 311b to 314b, the wafer W located in the second cleaning module 311b to 314b is transferred to the first cleaning module 311a to 314a. By cleaning the wafers W located in the second cleaning modules 311b to 314b, it is possible to rescue the wafers W located within the second cleaning modules 311b to 314b.

図12に示すように、本実施の形態では、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が、アーム搬送機構62の下方に懸垂状に配置されている。これにより、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602のメンテナンススペースを拡大される。したがって、メンテナンスに要する時間を短縮することができる。 As shown in FIG. 12, in this embodiment, a first wafer gripping mechanism 601 and a second wafer gripping mechanism 602 are arranged in a suspended manner below the arm transport mechanism 62. This expands the maintenance space for the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 602. Therefore, the time required for maintenance can be reduced.

<予備洗浄モジュール>
図27に示すように、洗浄部13の第1洗浄ユニット30aは、複数の洗浄モジュール311a~314aと同列に配置され、研磨前のウェハWを洗浄する予備洗浄モジュール39aを更に有しており、洗浄部搬送機構32aは、予備洗浄モジュール39aと各洗浄モジュール311a~314aとの間にてウェハWを搬送してもよい。図示された例では、予備洗浄モジュール39aは、第1ウェハステーション33aに対して洗浄モジュール311a~314aとは逆側に第1ウェハステーション33aに隣接して配置されている。
<Pre-cleaning module>
As shown in FIG. 27, the first cleaning unit 30a of the cleaning section 13 further includes a pre-cleaning module 39a that is arranged in the same line as the plurality of cleaning modules 311a to 314a and that cleans the wafer W before polishing. The cleaning unit transport mechanism 32a may transport the wafer W between the preliminary cleaning module 39a and each of the cleaning modules 311a to 314a. In the illustrated example, the pre-cleaning module 39a is located adjacent to the first wafer station 33a on the opposite side of the first wafer station 33a from the cleaning modules 311a-314a.

同様に、第2洗浄ユニット30bは、複数の洗浄モジュール311b~314bと同列に配置され、研磨前のウェハWを洗浄する予備洗浄モジュール39aを更に有しており、洗浄部搬送機構32aは、予備洗浄モジュール39aと各洗浄モジュール311a~314aとの間にてウェハWを搬送してもよい。図示されて例では、予備洗浄モジュール39bは、第2ウェハステーション33bに対して洗浄モジュール311b~314bとは逆側に第2ウェハステーション33bに隣接して配置されている。 Similarly, the second cleaning unit 30b further includes a preliminary cleaning module 39a that is arranged in the same line as the plurality of cleaning modules 311b to 314b and that cleans the wafer W before polishing. The wafer W may be transported between the cleaning module 39a and each of the cleaning modules 311a to 314a. In the illustrated example, the pre-cleaning module 39b is located adjacent to the second wafer station 33b on the opposite side of the second wafer station 33b from the cleaning modules 311b-314b.

予備洗浄モジュール39a、39bは、それぞれ、不図示の洗浄機と、この洗浄機をカバーする筐体91とを有している。予備洗浄モジュール39a、39bの洗浄機としては、例えば、研磨前のウェハWの表面から自然酸化膜を除去するウェットエッチング装置、または研磨前のウェハWの表面からスクラッチの原因になる粗大粒子を除去するバフ研磨装置を用いることができる。 Each of the preliminary cleaning modules 39a and 39b includes a cleaning machine (not shown) and a housing 91 that covers the cleaning machine. The cleaning machines for the pre-cleaning modules 39a and 39b include, for example, a wet etching device that removes a natural oxide film from the surface of the wafer W before polishing, or a device that removes coarse particles that cause scratches from the surface of the wafer W before polishing. A buffing device that can be used can be used.

第2洗浄ユニット30bの予備洗浄モジュール39bへのウェハ搬送動作は、第1洗浄ユニット30aの予備洗浄モジュール39aへのウェハ搬送動作と同様であるため、以下、第1洗浄ユニット30aの予備洗浄モジュール39aへのウェハ搬送動作について説明する。 The wafer transfer operation to the pre-cleaning module 39b of the second cleaning unit 30b is similar to the wafer transfer operation to the pre-cleaning module 39a of the first cleaning unit 30a. The wafer transfer operation will be explained.

まず、図28Aに示すように、研磨前のウェハWが、搬送部14のスライドステージ42により長手方向に沿って搬送され、研磨部12の搬送ロボット23がアクセスできる位置にて静止される。 First, as shown in FIG. 28A, the wafer W before polishing is transported along the longitudinal direction by the slide stage 42 of the transport section 14, and is stopped at a position that can be accessed by the transport robot 23 of the polishing section 12.

次に、図28Bに示すように、研磨部12の搬送ロボット23により、ウェハWが搬送部14から取り出される。そして、図28Cに示すように、搬送ロボット23に保持されたウェハWは、ウェハステーション33aへと受け渡される。 Next, as shown in FIG. 28B, the wafer W is taken out from the transport section 14 by the transport robot 23 of the polishing section 12. Then, as shown in FIG. 28C, the wafer W held by the transfer robot 23 is delivered to the wafer station 33a.

次に、図28Dに示すように、ウェハステーション33a内に位置するウェハWは、洗浄部搬送機構32aの第1アーム611により保持される。そして、図28Eに示すように、洗浄部搬送機構32aの第2アーム612が先端を上向きに向けられた状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1アーム611に把持されたウェハWが第1ウェハステーション33aから予備洗浄モジュール39aへと搬送され、洗浄される。 Next, as shown in FIG. 28D, the wafer W located in the wafer station 33a is held by the first arm 611 of the cleaning section transport mechanism 32a. Then, as shown in FIG. 28E, with the tip of the second arm 612 of the cleaning section transport mechanism 32a facing upward, the arm transport mechanism 62 is driven to move the wafer W held by the first arm 611 to the second arm 612. 1 wafer station 33a to the pre-cleaning module 39a and cleaned.

予備洗浄モジュール39aにて洗浄されたウェハWは、洗浄部搬送機構32aの第1アーム611により再び保持される。そして、図28Cに示すように、第1アーム611に把持されたウェハWは、アーム搬送機構62の駆動により、予備洗浄モジュール39aからウェハステーション33aへと搬送される。そして、図28Bに示すように、研磨部12の搬送ロボット23により、ウェハWがウェハステーション33aから取り出され、第1搬送ユニット24aまたは第2搬送ユニット24bを介して第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送され、研磨される。 The wafer W cleaned in the preliminary cleaning module 39a is held again by the first arm 611 of the cleaning section transport mechanism 32a. Then, as shown in FIG. 28C, the wafer W held by the first arm 611 is transported from the pre-cleaning module 39a to the wafer station 33a by driving the arm transport mechanism 62. Then, as shown in FIG. 28B, the wafer W is taken out from the wafer station 33a by the transfer robot 23 of the polishing section 12, and transferred to the first polishing unit 20a or the second transfer unit 24a or the second transfer unit 24b. It is transported to the polishing unit 20b and polished.

より具体的には、予備洗浄モジュール39aおよび1次洗浄モジュール311aがそれぞれ、ウェハWに対してバフパッドを接触させながら、ウェハWとバフパッドを相対運動させ、ウェハWとバフパッドとの間にスラリを介在させることによりウェハWの表面を研磨及び/またはスクラビングするバフ処理装置(例えば、特開2016-43471号公報の図1等に開示されている装置)を有し、2次洗浄モジュール312aが、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させてウェハWの表面および裏面に押し付けてウェハWの表面および裏面を洗浄するロール型洗浄機(例えば、特開2010-50436号公報の図32等に開示されている装置)を有し、3次洗浄モジュール313aが、半球状のスポンジを回転させながらウェハWに押し付けて洗浄するペンシル型洗浄機(例えば、特開2000-173966号公報の図10等に開示されている装置)を有し、4次洗浄モジュール314aが、ウェハWを回転させながらウェハWの表面にIPA(イソプロピルアルコール)蒸気を吹き付けて乾燥させるIPA乾燥装置(例えば、特開2010-50436号公報の図33~図39等に開示されている装置)を有している場合には、研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてバフ処理された後、第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、次いで、1次洗浄モジュール311aにてバフ処理され、2次洗浄モジュール312aにてロール状のスポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにてペンシル状のスポンジにより洗浄され、4次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/アンロード部11へと取り出される。 More specifically, the pre-cleaning module 39a and the primary cleaning module 311a each move the wafer W and the buff pad relative to each other while bringing the buff pad into contact with the wafer W, and interpose slurry between the wafer W and the buff pad. The secondary cleaning module 312a includes a buffing device (for example, the device disclosed in FIG. 1 of JP-A No. 2016-43471) that polishes and/or scrubs the surface of the wafer W by A roll-type cleaning machine that cleans the front and back surfaces of the wafer W by rotating and pressing a roll-shaped sponge placed on the front and back surfaces of the wafer W (for example, disclosed in FIG. 32 of JP-A No. 2010-50436, etc.) The tertiary cleaning module 313a has a pencil-type cleaning machine (for example, as shown in FIG. 10 of Japanese Patent Laid-Open No. 2000-173966, etc. The quaternary cleaning module 314a has an IPA drying apparatus (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2010-50436) that sprays IPA (isopropyl alcohol) vapor onto the surface of the wafer W to dry it while rotating the wafer W. 33 to 39 of the above publication), the wafer W before polishing is buffed in the preliminary cleaning module 39a, and then transferred to the first polishing unit 20a or It is transported to the second polishing unit 20b and polished, then buffed in the primary cleaning module 311a, cleaned with a roll-shaped sponge in the secondary cleaning module 312a, and shaped like a pencil in the tertiary cleaning module 313a. It is cleaned with a sponge, dried with IPA steam in the fourth cleaning module 314a, and then taken out to the load/unload section 11.

また、予備洗浄モジュール39aがバフ処理装置を有し、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aがそれぞれロール型洗浄機を有し、3次洗浄モジュール313aがペンシル型洗浄機を有し、4次洗浄モジュール314aがIPA乾燥装置を
有している場合には、研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてバフ処理された後、第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、次いで、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aにて連続してロール状のスポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにてペンシル状のスポンジにより洗浄され、4次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/アンロード部11へと取り出される。
Further, the preliminary cleaning module 39a has a buffing device, the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a each have a roll type cleaning machine, the tertiary cleaning module 313a has a pencil type cleaning machine, and the tertiary cleaning module 313a has a pencil type cleaning machine. When the next cleaning module 314a has an IPA drying device, the wafer W before polishing is buffed in the preliminary cleaning module 39a and then transported to the first polishing unit 20a or the second polishing unit 20b. It is then washed with a roll-shaped sponge in the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a, cleaned with a pencil-shaped sponge in the tertiary cleaning module 313a, and then washed with a pencil-shaped sponge in the tertiary cleaning module 313a. The IPA vapor is dried at 314a, and then taken out to the load/unload section 11.

また、予備洗浄モジュール39a、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aがそれぞれロール型洗浄機を有し、3次洗浄モジュール313aがペンシル型洗浄機を有し、4次洗浄モジュール314aがIPA乾燥装置を有している場合には、研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてロール状のスポンジにより洗浄された後、第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、次いで、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aにて連続してロール状のスポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにてペンシルスポンジにより洗浄され、4次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/アンロード部11へと取り出される。 Further, the preliminary cleaning module 39a, the primary cleaning module 311a, and the secondary cleaning module 312a each have a roll-type cleaning machine, the tertiary cleaning module 313a has a pencil-type cleaning machine, and the 4th cleaning module 314a has an IPA dryer. If the wafer W is equipped with a polishing device, the wafer W before polishing is cleaned with a roll-shaped sponge in the preliminary cleaning module 39a, and then transported to the first polishing unit 20a or the second polishing unit 20b for polishing. Next, the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a are used for continuous cleaning with a rolled sponge, the tertiary cleaning module 313a is used for cleaning with a pencil sponge, and the 4th cleaning module 314a is for cleaning with IPA vapor. It is dried and then taken out to the load/unload section 11.

また、予備洗浄モジュール39aおよび1次洗浄モジュール311aがそれぞれロール型洗浄機を有し、2次洗浄モジュール312aがペンシル型洗浄機を有し、3次洗浄モジュール313aが、ウェハWに向けて洗浄液とガスを高速で噴出させて2流体ジェット流を生成し高速で噴霧してウェハWを洗浄する2流体ジェット型洗浄機(例えば、特開2010-238850号公報の図4等に開示されている装置)を有し、4次洗浄モジュール314aがIPA乾燥装置を有している場合には、研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてロール状のスポンジにより洗浄された後、第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、次いで、1次洗浄モジュール311aにてロール状のスポンジにより洗浄され、2次洗浄モジュール312aにてペンシル状のスポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにて2流体ジェット洗浄され、4次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/アンロード部11へと取り出される。 Further, the preliminary cleaning module 39a and the primary cleaning module 311a each have a roll type cleaning machine, the secondary cleaning module 312a has a pencil type cleaning machine, and the tertiary cleaning module 313a supplies cleaning liquid to the wafer W. A two-fluid jet cleaning machine that ejects gas at high speed to generate a two-fluid jet stream and sprays it at high speed to clean the wafer W (for example, the device disclosed in FIG. 4 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-238850) ), and when the fourth cleaning module 314a has an IPA drying device, the wafer W before polishing is cleaned with a rolled sponge in the preliminary cleaning module 39a, and then transferred to the first polishing unit. 20a or the second polishing unit 20b for polishing, then cleaning with a roll-shaped sponge in a primary cleaning module 311a, cleaning with a pencil-shaped sponge in a secondary cleaning module 312a, and tertiary cleaning. It is subjected to two-fluid jet cleaning in module 313a, IPA steam drying in quaternary cleaning module 314a, and then taken out to load/unload section 11.

<漏液検知部>
図23は、基板処理装置10の下部(ベースフレーム付近)に設けられた漏液検知部1を示す模式図である。図23に示すように、漏液検知部1は、ドレンポット2と、ドレンポット2に向かって傾斜した斜面を有するドレンパン6と、ドレンポット2の底面上に設置された第1設置型漏液センサ3aと、ドレンパン6の斜面上に設置された第2設置型漏液センサ3bと、を有している。
<Leakage detection part>
FIG. 23 is a schematic diagram showing the liquid leakage detection section 1 provided at the lower part (near the base frame) of the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG. 23, the liquid leak detection unit 1 includes a drain pot 2, a drain pan 6 having an inclined slope toward the drain pot 2, and a first installation type liquid leak installed on the bottom surface of the drain pot 2. It has a sensor 3a and a second installation type liquid leakage sensor 3b installed on the slope of the drain pan 6.

第1設置型漏液センサ3aおよび第2設置型漏液センサ3bとしては、例えば光電センサが用いられる。第1設置型漏液センサ3aおよび第2設置型漏液センサ3bは、それぞれ、漏液を検知すると制御部15に信号を送る。制御部15は、第1設置型漏液センサ3aから信号を受けると警報を発するようになっており、第2設置型漏液センサ3bから信号を受けると基板処理装置10の動作を停止するようになっている。 For example, photoelectric sensors are used as the first installed liquid leak sensor 3a and the second installed liquid leak sensor 3b. The first installation type liquid leakage sensor 3a and the second installation type liquid leakage sensor 3b each send a signal to the control unit 15 when detecting liquid leakage. The control unit 15 is configured to issue an alarm when receiving a signal from the first installation type liquid leakage sensor 3a, and to stop the operation of the substrate processing apparatus 10 when receiving a signal from the second installation type liquid leakage sensor 3b. It has become.

ところで、図24に示すように、従来の漏液検知部200では、2段検知型レベルセンサを構成するために、ドレンポット202の底面に設置された設置型漏液センサ203aと、ドレンポット202内に配置されたフロート型漏液センサ203bとが用いられていた。フロート型漏液センサ203bは、その構造上、漏液を検知するために上下方向の動きを必要とする。そのため、ドレンポット202にはある程度の深さが必要であり、ドレンポット202の底面は、基板処理装置のベースフレームの下面205より下方に突き出ていた。この場合、基板処理装置の移動時にフォークリフトのフォークがドレンポット2
02の底面に当接して持ち上げようとすることで、ドレンポット202が破損してしまう可能性があった。
By the way, as shown in FIG. 24, in the conventional liquid leakage detection unit 200, in order to configure a two-stage detection type level sensor, a fixed type liquid leakage sensor 203a installed on the bottom surface of the drain pot 202, and a liquid leakage sensor 203a installed on the bottom of the drain pot 202, A float-type liquid leakage sensor 203b disposed inside was used. Due to its structure, the float type liquid leakage sensor 203b requires vertical movement in order to detect liquid leakage. Therefore, the drain pot 202 needs to have a certain depth, and the bottom surface of the drain pot 202 protrudes below the lower surface 205 of the base frame of the substrate processing apparatus. In this case, when moving the substrate processing equipment, the fork of the forklift may
There was a possibility that the drain pot 202 would be damaged by contacting the bottom surface of the drain pot 202 and trying to lift it.

また、図24に示すように、従来の漏液検知部200では、ドレンポット202が破損した場合に容易に交換できるように、ドレンポット202はドレンパン206とは別体に形成されていた。そのため、ドレンポット202とドレンパン206との間から漏液が生じる可能性があった。 Further, as shown in FIG. 24, in the conventional liquid leak detection section 200, the drain pot 202 is formed separately from the drain pan 206 so that it can be easily replaced if the drain pot 202 is damaged. Therefore, there was a possibility that liquid leakage would occur between the drain pot 202 and the drain pan 206.

一方、図23に示すように、本実施の形態では、2段検知型レベルセンサが2つの設置型漏液センサ3a、3bを用いて構成されている。そのため、ドレンポット2の深さを浅くすることが可能であり、ドレンポット2の底面は、基板処理装置10のベースフレームの下面5より上方に配置され得る。これにより、基板処理装置10の移動時にフォークリフトのフォークによりドレンポット2が破損することが防止される。 On the other hand, as shown in FIG. 23, in this embodiment, a two-stage detection type level sensor is configured using two installed liquid leakage sensors 3a and 3b. Therefore, the depth of the drain pot 2 can be made shallow, and the bottom surface of the drain pot 2 can be arranged above the lower surface 5 of the base frame of the substrate processing apparatus 10. This prevents the drain pot 2 from being damaged by the fork of the forklift when the substrate processing apparatus 10 is moved.

また、本実施の形態では、ドレンポット2の深さを浅くできることから、ドレンポット2をドレンパン6と一体に成形することが可能である。この場合、ドレンポット2とドレンパン6との間からの漏液が生じることを防止できる。 Furthermore, in this embodiment, since the depth of the drain pot 2 can be made shallow, the drain pot 2 can be integrally molded with the drain pan 6. In this case, leakage from between the drain pot 2 and the drain pan 6 can be prevented.

図25は、漏液検知部1の変形例を示す模式図である。この変形例では、ドレンポット2の底面の中央部分が1段高くなっており、第2設置型漏液センサ3bは、この1段高くなった部分に設定されている。このような態様によれば、図23に示す態様と同様の作用効果が得られることに加えて、ドレンポット2の底面がリング形状となるため、ドレンポット2の深さを浅くしながら容積を大きくできる。 FIG. 25 is a schematic diagram showing a modification of the liquid leakage detection section 1. In this modification, the center portion of the bottom surface of the drain pot 2 is raised one step higher, and the second installation type leakage sensor 3b is set in this one step higher portion. According to this embodiment, in addition to obtaining the same effects as the embodiment shown in FIG. 23, the bottom surface of the drain pot 2 is ring-shaped, so that the volume can be increased while reducing the depth of the drain pot 2. You can make it bigger.

また、図26に示す変形例のように、ドレンポット2の底面が中央部分に向かって2段階で徐々に高くなっており、底面より1段高くなった部分に第2設置型漏液センサ3bが設置され、それより更に1段高くなった部分に第3設置型漏液センサ3cが設置されていてもよい。このような態様によれば、3段階のレベルで漏液を検知することが可能である。同様にして、段数を4段以上に増やしてもよい。 In addition, as in the modification shown in FIG. 26, the bottom surface of the drain pot 2 is gradually raised in two steps toward the center, and a second liquid leakage sensor 3b is installed at a portion one step higher than the bottom surface. may be installed, and a third installation type liquid leakage sensor 3c may be installed in a part that is one step higher than that. According to this aspect, it is possible to detect liquid leakage at three levels. Similarly, the number of stages may be increased to four or more stages.

<基板処理装置を用いた研磨処理>
次に、このような構成からなる基板処理装置10を用いてウェハWを研磨する処理の一例について説明する。なお、以下に説明する研磨処理は、制御部15がロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14の動作を制御することにより行われる。
<Polishing process using substrate processing equipment>
Next, an example of a process of polishing a wafer W using the substrate processing apparatus 10 having such a configuration will be described. Note that the polishing process described below is performed by the control section 15 controlling the operations of the loading/unloading section 11, the polishing section 12, the cleaning section 13, and the transport section 14.

まず、図16Aに示すように、フロントロード部113のウェハカセットから研磨前のウェハWは、ロード/アンロード部11の搬送ロボット111により取り出されて、搬送部14の搬入口41aと対向する位置まで移動される。次いで、図16Bに示すように、搬送部14の搬入口41aが開けられた後、搬送ロボット111に保持されたウェハWは、搬入口41aからカバー41の内側へと挿入され、スライドステージ42上に載せられて支持される。 First, as shown in FIG. 16A, the wafer W before polishing is taken out from the wafer cassette of the front load section 113 by the transfer robot 111 of the load/unload section 11, and is placed at a position opposite to the loading port 41a of the transfer section 14. will be moved up to Next, as shown in FIG. 16B, after the carry-in port 41a of the transfer unit 14 is opened, the wafer W held by the transfer robot 111 is inserted into the cover 41 through the carry-in port 41a, and is placed on the slide stage 42. It is placed on and supported.

次に、図16Cに示すように、ウェハWを保持するスライドステージ42は、ステージ移動機構43から与えられる動力により、長手方向に沿って搬出口41bと対向する位置まで移動される。そして、搬送部14の搬出口41bが開けられる。このとき、搬送部14のカバー41の内側には、排気ダクト44により、搬入口41a側から搬出口41b側へと流れる気流が形成されている。これにより、研磨部12内のパーティクルが搬送部14を通ってロード/アンロード部11内に拡散することが防止される。 Next, as shown in FIG. 16C, the slide stage 42 holding the wafer W is moved along the longitudinal direction by power applied from the stage moving mechanism 43 to a position facing the outlet 41b. Then, the exit port 41b of the transport section 14 is opened. At this time, an air current flowing from the carry-in port 41a side to the carry-out port 41b side is formed inside the cover 41 of the transport section 14 by the exhaust duct 44. This prevents particles in the polishing section 12 from passing through the transport section 14 and diffusing into the load/unload section 11.

図17Aに示すように、研磨部12の搬送ロボット23のハンド231が、搬送部14の搬出口41bと同じ高さ位置に位置決めされた状態で、搬送ロボット23のアーム232が伸ばされる。アームの先端に支持されたハンド231は、搬出口41bを通ってカバー41の内側へと挿入され、スライドステージ42上に保持されたウェハWの下方に差し入れられる。次いで、ハンド231が上昇され、ウェハWはスライドステージ42からハンド231へと受け渡される。そして、アーム232が縮められることで、図17Bに示すように、ハンド231上に保持されたウェハWは、搬送部14から研磨部12へと取り出される。その後、図17Cに示すように、搬送ロボット23の反転機構234により、ハンド231がウェハWと一緒に上下反転される。なお、図面において、灰色で塗られたウェハWは上下反転されたウェハを示している。 As shown in FIG. 17A, the arm 232 of the transfer robot 23 is extended while the hand 231 of the transfer robot 23 of the polishing section 12 is positioned at the same height as the outlet 41b of the transfer section 14. The hand 231 supported at the tip of the arm is inserted into the inside of the cover 41 through the outlet 41b, and is inserted below the wafer W held on the slide stage 42. Next, the hand 231 is raised, and the wafer W is transferred from the slide stage 42 to the hand 231. Then, by retracting the arm 232, the wafer W held on the hand 231 is taken out from the transport section 14 to the polishing section 12, as shown in FIG. 17B. Thereafter, as shown in FIG. 17C, the hand 231 is turned upside down together with the wafer W by the turning mechanism 234 of the transfer robot 23. Note that in the drawings, the wafer W painted in gray indicates a wafer that is upside down.

次に、図17Dに示すように、アーム232がロボット本体233の軸線周りに回動され、ハンド231が第1搬送ユニット24a側に向けられる。そして、アーム232が延ばされ、ハンド231に保持されたウェハWは、第1搬送ユニット24aへと受け渡され、第1搬送ユニット24aから第1研磨ユニット20aへと搬送される。なお、第1研磨ユニット20aが混雑している場合などには、ハンド231に保持されたウェハWは、第2搬送ユニット24bへと受け渡され、第2搬送ユニット24bから第2研磨ユニット20bへと基板が搬入されてもよい。本実施の形態では、搬送部14から研磨部12へと搬送されてくるウェハWが、搬送ロボット23により第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bに振り分けられ、第1搬送ユニット24aから第1研磨ユニット20aへとウェハWが搬入されるとともに、第2搬送ユニット24bから第2研磨ユニット20bへとウェハWが搬入される。そのため、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bは搬入経路を共有しておらず、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bへの基板搬入時の混雑が解消される。したがって、プロセス全体のスループットが向上する。 Next, as shown in FIG. 17D, the arm 232 is rotated around the axis of the robot body 233, and the hand 231 is directed toward the first transfer unit 24a. Then, the arm 232 is extended, and the wafer W held by the hand 231 is delivered to the first transport unit 24a, and is transported from the first transport unit 24a to the first polishing unit 20a. Note that when the first polishing unit 20a is crowded, the wafer W held by the hand 231 is transferred to the second transport unit 24b, and from the second transport unit 24b to the second polishing unit 20b. and the board may be carried in. In this embodiment, the wafer W transported from the transport section 14 to the polishing section 12 is sorted by the transport robot 23 to the first transport unit 24a and the second transport unit 24b, and from the first transport unit 24a to the first The wafer W is carried into the polishing unit 20a, and at the same time, the wafer W is carried into the second polishing unit 20b from the second transport unit 24b. Therefore, the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b do not share the carrying-in route, which eliminates congestion when carrying substrates into the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b. Therefore, the throughput of the entire process is improved.

第2搬送ユニット24bによるウェハ受け渡し動作は、第1搬送ユニット24aによるウェハ受け渡し動作と同様であるため、以下、第1搬送ユニット24aによるウェハ受け渡し動作について説明する。 Since the wafer transfer operation by the second transfer unit 24b is similar to the wafer transfer operation by the first transfer unit 24a, the wafer transfer operation by the first transfer unit 24a will be described below.

1つのウェハを第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて連続して(シリーズで)処理する場合には、図18Aおよび図18Bに示すように、搬送ロボット23に保持された研磨前の第1ウェハW1は、待機位置L1に配置されたエクスチェンジャ50の第3ステージ52cに受け渡される。そして、図18Cに示すように、第1ウェハW1を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。 When one wafer is processed continuously (in series) in the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, as shown in FIGS. 18A and 18B, the unpolished wafer held by the transfer robot 23 The first wafer W1 is transferred to the third stage 52c of the exchanger 50 located at the standby position L1. Then, as shown in FIG. 18C, the third stage 52c holding the first wafer W1 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1.

次に、図18Dに示すように、第1プッシャ51aが上昇して第3ステージ52cの内側を通過し、第3ステージ52c上の第1ウェハW1が第1プッシャ51aにより押し上げられて第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡される。そして、第1ウェハW1が第1研磨装置21aのトップリング25aに吸着保持された後、図18Eに示すように、第1プッシャ51aが初期高さ位置まで下降する。その後、図18Fに示すように、第1研磨装置21aの研磨位置にて第1ウェハW1の研磨が行われる(より詳しくは、図4を参照し、トップリング25aが研磨パッド102a上に図示しない移動手段により移動され、図示しない昇降手段により研磨パッド102aが、トップリング25aに保持された第1ウェハW1に当接され、トップリング25aと研磨テーブル101aとの相対移動により第1ウェハWの研磨が行われる。以下、他の研磨装置の研磨位置でのウェハWの研磨も同様に行われる)。このとき、第3ステージ52cが第1基板搬送位置TP1から待機位置L1へ移動されるとともに、第2ステージ52bが待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へと移動される。搬送ロボット23は、研磨前の第2ウェハW2を保持する。 Next, as shown in FIG. 18D, the first pusher 51a rises and passes inside the third stage 52c, and the first wafer W1 on the third stage 52c is pushed up by the first pusher 51a and subjected to first polishing. It is delivered to the top ring 25a of the device 21a. After the first wafer W1 is attracted and held by the top ring 25a of the first polishing device 21a, the first pusher 51a is lowered to the initial height position, as shown in FIG. 18E. Thereafter, as shown in FIG. 18F, the first wafer W1 is polished at the polishing position of the first polishing device 21a (for more details, refer to FIG. 4, and the top ring 25a is placed on the polishing pad 102a (not shown). The polishing pad 102a is moved by a moving means and brought into contact with the first wafer W1 held by the top ring 25a by a lifting means (not shown), and the first wafer W is polished by the relative movement between the top ring 25a and the polishing table 101a. (Hereinafter, polishing of the wafer W at the polishing positions of other polishing apparatuses will be performed in the same manner.) At this time, the third stage 52c is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and the second stage 52b is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. The transfer robot 23 holds the second wafer W2 before polishing.

第1研磨装置21aでの第1ウェハW1の研磨が終了した後、図18Gに示すように、第1プッシャ51aが上昇して、研磨された第1ウェハW1を第1研磨装置21aのトップリング25aから受け取る。そして、図18Hに示すように、第1プッシャ51aが下降して第2ステージ52bを通過し、第1プッシャ51a上の第1ウェハW1が第2ステージ52bに受け渡される。第2ステージ52bに保持された第1ウェハW1は、第1基板搬送位置TP1において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。また、搬送ロボット23に保持された研磨前の第2ウェハW2は、待機位置L1に配置された第3ステージ52cに受け渡される。 After polishing of the first wafer W1 in the first polishing device 21a is completed, as shown in FIG. 18G, the first pusher 51a moves up and transfers the polished first wafer W1 to the top ring of the first polishing device 21a. Receive from 25a. Then, as shown in FIG. 18H, the first pusher 51a descends and passes the second stage 52b, and the first wafer W1 on the first pusher 51a is transferred to the second stage 52b. The first wafer W1 held on the second stage 52b is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the first substrate transfer position TP1. Further, the unpolished second wafer W2 held by the transfer robot 23 is delivered to the third stage 52c located at the standby position L1.

次に、図18Iに示すように、第1ウェハW1を保持する第2ステージ52bが、第1基板搬送位置TP1から第2搬送位置TP2へと移動されるのと同時に、第2ウェハW2を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。このように、それぞれウェハW1、W2を保持する2つのステージ52b、52cが互いに逆向きに交差するように移動できるため、プロセスのスループットが向上する。 Next, as shown in FIG. 18I, the second stage 52b holding the first wafer W1 is moved from the first substrate transfer position TP1 to the second transfer position TP2, and at the same time the second stage 52b holds the second wafer W2. The third stage 52c is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. In this way, the two stages 52b and 52c, which hold the wafers W1 and W2, respectively, can be moved to cross each other in opposite directions, thereby improving the throughput of the process.

次に、図18Jに示すように、第2プッシャ51bが上昇して第2ステージ52bの内側を通過し、第2ステージ52b上の第1ウェハW1が第2プッシャ51bにより押し上げられて第2研磨装置21bのトップリング25bに受け渡される。また、第1プッシャ51aが上昇して第3ステージ52cの内側を通過し、第3ステージ52c上の第2ウェハW2が第1プッシャ51aにより押し上げられて第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡される。そして、図18Kに示すように、第1ウェハW1が第2研磨装置21bのトップリング25bに吸着保持された後、第2プッシャ51bが初期高さ位置まで下降する。また、第2ウェハW2が第1研磨装置21aのトップリング25aに吸着保持された後、第1プッシャ51aが初期高さ位置まで下降する。 Next, as shown in FIG. 18J, the second pusher 51b rises and passes inside the second stage 52b, and the first wafer W1 on the second stage 52b is pushed up by the second pusher 51b and subjected to second polishing. It is delivered to the top ring 25b of the device 21b. Further, the first pusher 51a rises and passes inside the third stage 52c, and the second wafer W2 on the third stage 52c is pushed up by the first pusher 51a and received by the top ring 25a of the first polishing device 21a. passed on. Then, as shown in FIG. 18K, after the first wafer W1 is attracted and held by the top ring 25b of the second polishing device 21b, the second pusher 51b is lowered to the initial height position. Further, after the second wafer W2 is attracted and held by the top ring 25a of the first polishing device 21a, the first pusher 51a is lowered to the initial height position.

その後、図18Lに示すように、第2研磨装置21bにて第1ウェハW1の更なる研磨が行われるとともに、第1研磨装置21aにて第2ウェハW2の研磨が行われる。このとき、第3ステージ52cが第1基板搬送位置TP1から待機位置L1へ移動されるとともに、第2ステージ52bが第2基板搬送位置TP2から第1基板搬送位置TP1へと移動される。また、第1ステージ52aが待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へと移動される。搬送ロボット23は、研磨前の第3ウェハW3を保持する。 Thereafter, as shown in FIG. 18L, the first wafer W1 is further polished by the second polishing device 21b, and the second wafer W2 is polished by the first polishing device 21a. At this time, the third stage 52c is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and the second stage 52b is moved from the second substrate transfer position TP2 to the first substrate transfer position TP1. Further, the first stage 52a is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2. The transfer robot 23 holds the third wafer W3 before polishing.

第2研磨装置21bでの第1ウェハW1の研磨が終了した後、図18Mに示すように、第2プッシャ51bが上昇して、研磨された第1ウェハW1を第2研磨装置21bのトップリング25bから受け取る。また、第1研磨装置21aでの第2ウェハW2の研磨が終了した後、第1プッシャ51aが上昇して、研磨された第2ウェハW2を第1研磨装置21aのトップリング25aから受け取る。 After the polishing of the first wafer W1 in the second polishing device 21b is completed, as shown in FIG. 18M, the second pusher 51b moves up and transfers the polished first wafer W1 to the top ring of the second polishing device 21b. Receive from 25b. Further, after polishing of the second wafer W2 in the first polishing device 21a is finished, the first pusher 51a moves up and receives the polished second wafer W2 from the top ring 25a of the first polishing device 21a.

そして、図18Nに示すように、第2プッシャ51bが下降して第1ステージ52aを通過し、第2プッシャ51b上の第1ウェハW1が第1ステージ52aに受け渡される。第1ステージ52aに保持された第1ウェハW1は、第2基板搬送位置TP2において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。また、第1プッシャ51aが下降して第2ステージ52bを通過し、第1プッシャ51a上の第2ウェハW2が第2ステージ52bに受け渡される。第2ステージ52bに保持された第2ウェハW2は、第1基板搬送位置TP1において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。搬送ロボット23に保持された研磨前の第3ウェハW3は、待機位置L1に配置された第3ステージ52cに受け渡される。 Then, as shown in FIG. 18N, the second pusher 51b descends and passes the first stage 52a, and the first wafer W1 on the second pusher 51b is transferred to the first stage 52a. The first wafer W1 held on the first stage 52a is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the second substrate transfer position TP2. Further, the first pusher 51a descends and passes the second stage 52b, and the second wafer W2 on the first pusher 51a is transferred to the second stage 52b. The second wafer W2 held on the second stage 52b is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the first substrate transfer position TP1. The unpolished third wafer W3 held by the transfer robot 23 is transferred to the third stage 52c located at the standby position L1.

次に、図18Оに示すように、第1ウェハW1を保持する第1ステージ52aは、第2
基板搬送位置TP2から待機位置L1へと移動され、第1ステージ52aに保持された第1ウェハW1は、搬送ロボット23により第1ステージ52a上から取り出される。一方、第2ウェハW2を保持する第2ステージ52bは、第2研磨装置21bでの研磨処理のために、第1基板搬送位置TP1から第2基板搬送位置TP2へ移動される。同時に、第3ウェハW3を保持する第3ステージ52cは、第1研磨装置21bでの研磨処理のために、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。
Next, as shown in FIG. 18O, the first stage 52a holding the first wafer W1 is moved to the second stage 52a.
The first wafer W1, which has been moved from the substrate transfer position TP2 to the standby position L1 and held on the first stage 52a, is taken out from above the first stage 52a by the transfer robot 23. On the other hand, the second stage 52b holding the second wafer W2 is moved from the first substrate transfer position TP1 to the second substrate transfer position TP2 for polishing processing in the second polishing device 21b. At the same time, the third stage 52c holding the third wafer W3 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1 for polishing processing in the first polishing device 21b.

2つのウェハを第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて並行して(パラレルで)処理する場合には、図19Aおよび図19Bに示すように、搬送ロボット23に保持された研磨前の第1ウェハW1は、待機位置L1に配置されたエクスチェンジャ50の第3ステージ52cに受け渡される。そして、図19Cに示すように、第1ウェハW1を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。 When two wafers are processed in parallel by the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, as shown in FIGS. 19A and 19B, the wafers before polishing held by the transfer robot 23 are The first wafer W1 is transferred to the third stage 52c of the exchanger 50 located at the standby position L1. Then, as shown in FIG. 19C, the third stage 52c holding the first wafer W1 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1.

次に、図19Dに示すように、第1プッシャ51aが上昇して第3ステージ52cの内側を通過し、第3ステージ52c上の第1ウェハW1が第1プッシャ51aにより押し上げられて第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡される。そして、第1ウェハW1が第1研磨装置21aのトップリング25aに吸着保持された後、図19Eに示すように、第1プッシャ51aが初期高さ位置まで下降する。搬送ロボット23は、研磨前の第2ウェハW2を保持する。 Next, as shown in FIG. 19D, the first pusher 51a rises and passes inside the third stage 52c, and the first wafer W1 on the third stage 52c is pushed up by the first pusher 51a and subjected to first polishing. It is delivered to the top ring 25a of the device 21a. After the first wafer W1 is attracted and held by the top ring 25a of the first polishing device 21a, the first pusher 51a is lowered to the initial height position, as shown in FIG. 19E. The transfer robot 23 holds the second wafer W2 before polishing.

その後、図19Fに示すように、第1研磨装置21aにて第1ウェハW1の研磨が行われる。このとき、第3ステージ52cが第1基板搬送位置TP1から待機位置L1へ移動されるとともに、第2ステージ52bが待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へと移動される。搬送ロボット23に保持された研磨前の第2ウェハW2は、待機位置L1に配置された第3ステージ52cに受け渡される。そして、図19Gに示すように、第2ウェハW2を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へと移動される。 Thereafter, as shown in FIG. 19F, the first wafer W1 is polished by the first polishing device 21a. At this time, the third stage 52c is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and the second stage 52b is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. The unpolished second wafer W2 held by the transport robot 23 is transferred to the third stage 52c located at the standby position L1. Then, as shown in FIG. 19G, the third stage 52c holding the second wafer W2 is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2.

ところで、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにてパラレル処理する場合であっても、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにてシリーズ処理する場合と同様に、第2ステージ52bを用いて第1研磨装置21aからのウェハ受取りを行うとともに、同じ第2ステージ52bを用いて第2研磨装置21bへのウェハ受け渡しを行うことも可能である。しかしながら、この場合、図31に示すように、第1研磨装置21aからのウェハ受取り時にトラブルが発生して第2ステージ52bを使用できなくなると、これに引きずられて、第2研磨装置21bへのウェハ受け渡しまでできなくなる(デッドロックが発生する)。 By the way, even when performing parallel processing in the first polishing device 21a and second polishing device 21b, the second stage 52b is It is also possible to use the same second stage 52b to receive wafers from the first polishing apparatus 21a, and to transfer wafers to the second polishing apparatus 21b using the same second stage 52b. However, in this case, as shown in FIG. 31, if a trouble occurs when receiving a wafer from the first polishing device 21a and the second stage 52b becomes unusable, this will drag the wafer to the second polishing device 21b. It becomes impossible to transfer the wafer (deadlock occurs).

一方、本実施の形態では、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて並行してウェハを研磨する場合には、同じ第3ステージ52cを用いて第1研磨装置21a及び第2研磨装置21bの両方へのウェハ受け渡しを行い、第2ステージ52bおよび第1ステージ52aがそれぞれ第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bからのウェハ受取り専用とされているため、第1研磨装置21aからのウェハ受取り時にトラブルが発生して第2ステージ52bを使用できなくなっても、第2研磨装置21bへのウェハ受け渡しを継続して行うことが可能である(デッドロックが発生しない)。 On the other hand, in this embodiment, when polishing wafers in parallel in the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, the same third stage 52c is used to polish the wafers in the first polishing device 21a and the second polishing device 21b. 21b, and the second stage 52b and first stage 52a are dedicated to receiving wafers from the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, respectively. Even if a trouble occurs during wafer reception and the second stage 52b becomes unusable, it is possible to continue transferring wafers to the second polishing device 21b (no deadlock occurs).

次に、図19Hに示すように、第2プッシャ51bが上昇して第3ステージ52cの内側を通過し、第3ステージ52c上の第2ウェハW2が第2プッシャ51bにより押し上げられて第2研磨装置21bのトップリング25bに受け渡される。そして、第2ウェハW2が第2研磨装置21bのトップリング25bに吸着保持された後、図19Iに示すように、第2プッシャ51bが初期高さ位置まで下降する。搬送ロボット23は、研磨前の
第3ウェハW3を保持する。
Next, as shown in FIG. 19H, the second pusher 51b rises and passes inside the third stage 52c, and the second wafer W2 on the third stage 52c is pushed up by the second pusher 51b and subjected to second polishing. It is delivered to the top ring 25b of the device 21b. After the second wafer W2 is attracted and held by the top ring 25b of the second polishing device 21b, the second pusher 51b is lowered to the initial height position, as shown in FIG. 19I. The transfer robot 23 holds the third wafer W3 before polishing.

その後、図19Jに示すように、第2研磨装置21bにて第2ウェハW2の研磨が行われる。このとき、第3ステージ52cが第2基板搬送位置TP2から待機位置L1へ移動されるとともに、第1ステージ52aが待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へと移動される。搬送ロボット23に保持された研磨前の第3ウェハW3は、待機位置L1に配置された第3ステージ52cに受け渡される。 Thereafter, as shown in FIG. 19J, the second wafer W2 is polished by the second polishing device 21b. At this time, the third stage 52c is moved from the second substrate transfer position TP2 to the standby position L1, and the first stage 52a is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2. The unpolished third wafer W3 held by the transfer robot 23 is transferred to the third stage 52c located at the standby position L1.

第2研磨装置21bでの研磨が終了する前に第1研磨装置21aでの研磨が終了したら、図19Kに示すように、第1プッシャ51aが上昇して、研磨された第1ウェハW1を第1研磨装置21aのトップリング25aから受け取る。そして、図19Lに示すように、第1プッシャ51aが下降して第2ステージ52bを通過し、第1プッシャ51a上の第1ウェハW1が第2ステージ52bに受け渡される。第2ステージ52bに保持された第1ウェハW1は、第1基板搬送位置TP1において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。 If the polishing in the first polishing device 21a is completed before the polishing in the second polishing device 21b is completed, the first pusher 51a is raised to move the polished first wafer W1 to the 1 is received from the top ring 25a of the polishing device 21a. Then, as shown in FIG. 19L, the first pusher 51a descends and passes the second stage 52b, and the first wafer W1 on the first pusher 51a is transferred to the second stage 52b. The first wafer W1 held on the second stage 52b is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the first substrate transfer position TP1.

次に、図19Mに示すように、第1ウェハW1を保持する第2ステージ52bが、第1基板搬送位置TP1から待機位置L1へと移動されるのと同時に、第3ウェハW3を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。第2ステージ52bに保持された第1ウェハW1は、待機位置L1にて搬送ロボット23により第2ステージ52b上から取り出される。 Next, as shown in FIG. 19M, the second stage 52b holding the first wafer W1 is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and at the same time, the second stage 52b holding the third wafer W3 is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1. The third stage 52c is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. The first wafer W1 held on the second stage 52b is taken out from above the second stage 52b by the transfer robot 23 at the standby position L1.

一方、第1研磨装置21aでの研磨が終了する前に第2研磨装置21bでの研磨が終了したら、図19Nに示すように、第2プッシャ51bが上昇して、研磨された第2ウェハW2を第2研磨装置21bのトップリング25bから受け取る。そして、図19Oに示すように、第2プッシャ51bが下降して第1ステージ52aを通過し、第2プッシャ51b上の第2ウェハW2が第1ステージ52aに受け渡される。第1ステージ52aに保持された第2ウェハW2は、第2基板搬送位置TP2において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。 On the other hand, if the polishing in the second polishing device 21b is completed before the polishing in the first polishing device 21a is completed, the second pusher 51b is raised to remove the polished second wafer W2, as shown in FIG. 19N. is received from the top ring 25b of the second polishing device 21b. Then, as shown in FIG. 19O, the second pusher 51b descends and passes the first stage 52a, and the second wafer W2 on the second pusher 51b is transferred to the first stage 52a. The second wafer W2 held on the first stage 52a is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the second substrate transfer position TP2.

次に、図19Pに示すように、第2ウェハW2を保持する第1ステージ52aが、第2基板搬送位置TP2から待機位置L1へと移動されるのと同時に、第3ウェハW3を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へ移動される。第1ステージ52aに保持された第2ウェハW2は、待機位置L1にて搬送ロボット23により第1ステージ52a上から取り出される。 Next, as shown in FIG. 19P, the first stage 52a holding the second wafer W2 is moved from the second substrate transfer position TP2 to the standby position L1, and at the same time, the first stage 52a holding the third wafer W3 is moved from the second substrate transfer position TP2 to the standby position L1. The third stage 52c is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2. The second wafer W2 held on the first stage 52a is taken out from above the first stage 52a by the transfer robot 23 at the standby position L1.

上述した内容の繰り返しになるが、図20Aに示すように、第1ステージ52a上に保持されたウェハWは、搬送ロボット23のハンド231により第1ステージ52a上から取り出される。その後、搬送ロボット23の反転機構234により、ハンド231がウェハWと一緒に上下反転される。 To repeat what has been described above, as shown in FIG. 20A, the wafer W held on the first stage 52a is taken out from the first stage 52a by the hand 231 of the transfer robot 23. Thereafter, the hand 231 and the wafer W are turned upside down by the reversing mechanism 234 of the transfer robot 23.

次に、図20Bに示すように、搬送ロボット23のアーム232がロボット本体233の軸線周りに回動され、ハンド231が洗浄部13の第1洗浄ユニット30aの第1ウェハステーション33a側に向けられる。そして、図20Cに示すように、アーム232が延ばされ、ハンド231に保持されたウェハWは、第1ウェハステーション33aへと受け渡される。より詳しくは、搬送ロボット23のハンド231が、第1ウェハステーション33aの搬入口73と同じ高さ位置に位置決めされた状態で、アーム232が延ばされ、ハンド231に保持されたウェハWは、第1ウェハステーション33aの搬入口73を通って筐体71の内側へと搬入され、ステージ72上に載せられて支持される。 Next, as shown in FIG. 20B, the arm 232 of the transfer robot 23 is rotated around the axis of the robot body 233, and the hand 231 is directed toward the first wafer station 33a of the first cleaning unit 30a of the cleaning section 13. . Then, as shown in FIG. 20C, the arm 232 is extended, and the wafer W held by the hand 231 is delivered to the first wafer station 33a. More specifically, with the hand 231 of the transfer robot 23 positioned at the same height as the loading port 73 of the first wafer station 33a, the arm 232 is extended, and the wafer W held by the hand 231 is The wafer is carried into the housing 71 through the carry-in port 73 of the first wafer station 33a, placed on the stage 72, and supported.

なお、第1洗浄ユニット30aが混雑している場合などには、ハンド231に保持されたウェハWは、第2洗浄ユニット30aの第2ウェハステーション33bへと受け渡されてもよい。本実施の形態では、研磨部から洗浄部へと搬送されてくるウェハWが、搬送ロボット23により第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bに振り分けられ、第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bにて並行して洗浄される。したがって、プロセス全体のスループットが向上する。 Note that when the first cleaning unit 30a is crowded, the wafer W held by the hand 231 may be transferred to the second wafer station 33b of the second cleaning unit 30a. In this embodiment, the wafer W transferred from the polishing section to the cleaning section is sorted by the transfer robot 23 to the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b. 30b in parallel. Therefore, the throughput of the entire process is improved.

第2洗浄ユニット30bにおけるウェハ洗浄処理は、第1洗浄ユニット30aにおけるウェハ洗浄処理と同様であるため、以下、第1洗浄ユニット30aにおけるウェハ洗浄処理について説明する。 Since the wafer cleaning process in the second cleaning unit 30b is similar to the wafer cleaning process in the first cleaning unit 30a, the wafer cleaning process in the first cleaning unit 30a will be described below.

図21Aに示すように、まず、一対の第1アーム611および一対の第2アーム612がそれぞれ先端を上向きに向けられた状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が第1洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って移動され、一対の第1アーム611が第1ウェハステーション33aに隣接する待機位置にて静止される。そして、第1回動機構631の駆動により、一対の第1アーム611は回転軸631Aを中心として回動され、一対の第1アーム611の先端は横向きに向けられる。第1ウェハステーション33aのシャッタが退避されてアーム通過用開口74が開けられた後、一対の第1アーム611がアーム通過用開口74を通って第1ウェハステーション33aの内側に挿入され、ステージ72上に保持されたウェハWを把持する。ウェハWが一対の第1アーム611に把持された後、ステージ72は下方に退避される。 As shown in FIG. 21A, first, with the tips of the pair of first arms 611 and the pair of second arms 612 facing upward, the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 612 are driven by the arm transport mechanism 62. The two-wafer gripping mechanism 602 is moved along the arrangement direction of the first cleaning modules 311a to 314a, and the pair of first arms 611 is stopped at a standby position adjacent to the first wafer station 33a. Then, by driving the first rotation mechanism 631, the pair of first arms 611 are rotated about the rotating shaft 631A, and the tips of the pair of first arms 611 are directed laterally. After the shutter of the first wafer station 33a is retracted and the arm passage opening 74 is opened, the pair of first arms 611 are inserted into the first wafer station 33a through the arm passage opening 74, and the stage 72 The wafer W held above is grasped. After the wafer W is gripped by the pair of first arms 611, the stage 72 is retracted downward.

次に、図21Bに示すように、1次洗浄モジュール311aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられた後、ハンド搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って移動され、一対の第1アーム611に把持されたウェハWは、第1ウェハステーション33aから1次洗浄モジュール311aへと搬送され、1次洗浄モジュール311aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第1アーム611が1次洗浄モジュール311aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により閉じられ、1次洗浄モジュール311aの洗浄機にてウェハWの洗浄が行われる。 Next, as shown in FIG. 21B, after the shutter 97 of the primary cleaning module 311a is retracted and the arm passage opening 94 is opened, the hand transport mechanism 62 is driven to move the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a, and the wafer W gripped by the pair of first arms 611 is transported from the first wafer station 33a to the primary cleaning module 311a, and Next, it is delivered to the washing machine of the washing module 311a. Next, after the pair of first arms 611 are taken out to the outside of the housing 91 of the primary cleaning module 311a, the arm passage opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is removed by the cleaning machine of the primary cleaning module 311a. cleaning is performed.

1次洗浄モジュール311aでの洗浄処理が終了した後、シャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられる。一対の第1アーム611がアーム通過用開口94を通って1次洗浄モジュール311aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄されたウェハWを把持する。 After the cleaning process in the primary cleaning module 311a is completed, the shutter 97 is retracted and the arm passage opening 94 is opened. A pair of first arms 611 are inserted into the housing 91 of the primary cleaning module 311a through the arm passage opening 94, and grip the wafer W cleaned by the cleaning machine.

次に、図21Cに示すように、2次洗浄モジュール312aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられた後、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って移動され、一対の第1アーム611に把持されたウェハWは、1次洗浄モジュール311aから2次洗浄モジュール312aへと搬送され、2次洗浄モジュール312aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第1アーム611が2次洗浄モジュール312aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により閉じられ、2次洗浄モジュール312aの洗浄機にてウェハWの洗浄が行われる。 Next, as shown in FIG. 21C, after the shutter 97 of the secondary cleaning module 312a is retracted and the arm passage opening 94 is opened, the arm transport mechanism 62 is driven to move the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a, and the wafer W gripped by the pair of first arms 611 is transported from the primary cleaning module 311a to the secondary cleaning module 312a, and Next, it is delivered to the washing machine of the washing module 312a. Next, after the pair of first arms 611 are taken out to the outside of the housing 91 of the secondary cleaning module 312a, the arm passage opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is removed by the cleaning machine of the secondary cleaning module 312a. cleaning is performed.

次に、図21Dに示すように、第1回動機構631の駆動により、一対の第1アーム611は回転軸631Aを中心として回動され、一対の第1アーム611の先端は上向きに向けられる。そして、一対の第1アーム611および一対の第2アーム612がそれぞれ先端を上向きに向けられた状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機
構601および第2ウェハ把持機構602が第1洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って移動され、一対の第2アーム612が第2洗浄モジュール312aに隣接する待機位置にて静止される。第2回動機構632の駆動により、一対の第2アーム612は回転軸632Aを中心として回動され、一対の第2アーム612の先端は横向きに向けられる。
Next, as shown in FIG. 21D, by driving the first rotation mechanism 631, the pair of first arms 611 are rotated about the rotation axis 631A, and the tips of the pair of first arms 611 are directed upward. . Then, with the tips of the pair of first arms 611 and the pair of second arms 612 facing upward, the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 602 are driven by the arm transport mechanism 62. The second arms 612 are moved along the arrangement direction of the first cleaning modules 311a to 314a, and the pair of second arms 612 are stopped at a standby position adjacent to the second cleaning module 312a. By driving the second rotation mechanism 632, the pair of second arms 612 are rotated about the rotating shaft 632A, and the tips of the pair of second arms 612 are directed laterally.

2次洗浄モジュール312aでの洗浄処理が終了した後、シャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられる。一対の第2アーム612がアーム通過用開口94を通って2次洗浄モジュール312aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄されたウェハWを把持する。 After the cleaning process in the secondary cleaning module 312a is completed, the shutter 97 is retracted and the arm passage opening 94 is opened. A pair of second arms 612 are inserted into the housing 91 of the secondary cleaning module 312a through the arm passage opening 94, and grip the wafer W cleaned by the cleaning machine.

このように、本実施の形態では、2次洗浄モジュール312aでの洗浄前のウェハWは一対の第1アーム611により把持されて搬送され、2次洗浄モジュール312aでの洗浄後のウェハWは一対の第2アーム612により把持されて搬送される。すなわち、2次洗浄モジュール312aにおいてアームが交換される。これにより、2次洗浄モジュール312aでの洗浄後のウェハWに一対の第1アーム611が接触して当該ウェハWが汚染されることを防止できる。 As described above, in this embodiment, the wafer W before cleaning in the secondary cleaning module 312a is held and transported by the pair of first arms 611, and the wafer W after cleaning in the secondary cleaning module 312a is conveyed by the pair of first arms 611. is held and transported by the second arm 612 of. That is, the arm is replaced in the secondary cleaning module 312a. This can prevent the pair of first arms 611 from coming into contact with the wafer W after cleaning in the secondary cleaning module 312a and contaminating the wafer W.

次に、図21Eに示すように、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられた後、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って移動され、一対の第2アーム612に把持されたウェハWは、2次洗浄モジュール312aから3次洗浄モジュール313aへと搬送され、3次洗浄モジュール313aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第2アーム612が3次洗浄モジュール313aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により閉じられ、3次洗浄モジュール313aの洗浄機にてウェハWの洗浄が行われる。 Next, as shown in FIG. 21E, after the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is retracted and the arm passage opening 94 is opened, the arm transport mechanism 62 is driven to move the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a, and the wafer W gripped by the pair of second arms 612 is transferred from the secondary cleaning module 312a to the tertiary cleaning module 313a. Next, it is delivered to the washing machine of the washing module 313a. Next, after the pair of second arms 612 are taken out of the housing 91 of the tertiary cleaning module 313a, the arm passage opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is removed by the cleaning machine of the tertiary cleaning module 313a. cleaning is performed.

3次洗浄モジュール313aでの洗浄処理が終了した後、シャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられる。一対の第2アーム612がアーム通過用開口94を通って3次洗浄モジュール313aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄されたウェハWを把持する。 After the cleaning process in the tertiary cleaning module 313a is completed, the shutter 97 is retracted and the arm passage opening 94 is opened. A pair of second arms 612 are inserted into the housing 91 of the tertiary cleaning module 313a through the arm passage opening 94, and grip the wafer W cleaned by the cleaning machine.

次に、図21Fに示すように、4次洗浄モジュール314aのシャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられた後、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って移動され、一対の第2アーム612に把持されたウェハWは、3次洗浄モジュール313aから4次洗浄モジュール314aへと搬送され、4次洗浄モジュール314aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第2アーム612が4次洗浄モジュール314aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により閉じられ、4次洗浄モジュール314aの洗浄機にてウェハWの洗浄及び乾燥が行われる。 Next, as shown in FIG. 21F, after the shutter 97 of the quaternary cleaning module 314a is retracted and the arm passage opening 94 is opened, the arm transport mechanism 62 is driven to move the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a, and the wafer W gripped by the pair of second arms 612 is transferred from the tertiary cleaning module 313a to the quaternary cleaning module 314a. Next, it is delivered to the washing machine of the washing module 314a. Next, after the pair of second arms 612 are taken out to the outside of the housing 91 of the quaternary cleaning module 314a, the arm passage opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is removed by the cleaning machine of the quaternary cleaning module 314a. are washed and dried.

4次洗浄モジュール314aでの洗浄及び乾燥処理が終了した後、シャッタ97が退避されてアーム通過用開口94が開けられる。上述したロード/アンロード部11の搬送ロボット111のハンドがアーム通過用開口94を通って4次洗浄モジュール314aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄され、最後の工程として(例えばスピン)乾燥処理されたウェハWがロード/アンロード部11へと取り出される。 After the cleaning and drying processing in the fourth cleaning module 314a is completed, the shutter 97 is retracted and the arm passage opening 94 is opened. The hand of the transfer robot 111 of the loading/unloading section 11 described above is inserted into the housing 91 of the quaternary cleaning module 314a through the arm passage opening 94, and is cleaned with a cleaning machine, and as the final step ( For example, a wafer W that has been subjected to a spin drying process is taken out to the load/unload section 11 .

以上のような本実施の形態によれば、洗浄部13が上下二段に配置された第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bを有しているため、複数のウェハWが連続的に
研磨部12から洗浄部13へと搬送されてくる場合であっても、第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bにウェハWを振り分けることにより、これら複数のウェハWを並行して洗浄することができる。したがって、プロセス全体のスループットを向上させることができる。
According to the present embodiment as described above, since the cleaning section 13 has the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b arranged in upper and lower stages, a plurality of wafers W are continuously polished. Even when the wafers W are transported from the cleaning section 12 to the cleaning section 13, by distributing the wafers W to the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b, it is possible to clean a plurality of wafers W in parallel. can. Therefore, the throughput of the entire process can be improved.

また、本実施の形態によれば、研磨前のウェハWが搬送部14のスライドステージ42より研磨部12へと搬送されるため、ロード/アンロード部11に配置された搬送ロボット111が研磨環境に触れて汚染されることを防止できる。 Further, according to the present embodiment, since the wafer W before polishing is transported from the slide stage 42 of the transport section 14 to the polishing section 12, the transport robot 111 disposed in the loading/unloading section 11 is placed in the polishing environment. Prevents contact with contamination.

また、本実施の形態によれば、第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30aは上下二段に配置されており、スライドステージ42が第1洗浄ユニット30aと第2洗浄ユニット30bとの間に配置されているため、装置全体のフットプリントの増大を抑制できる。 Further, according to the present embodiment, the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30a are arranged in two stages, upper and lower, and the slide stage 42 is disposed between the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b. Because of this arrangement, it is possible to suppress an increase in the footprint of the entire device.

また、本実施の形態によれば、研磨部搬送機構22が搬送部14と第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bのそれぞれに隣接するように配置されており、搬送部14から研磨部12へと搬送されてくるウェハWは、研磨部搬送機構22の搬送ロボット23により第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bに振り分けられる。そして、第1搬送ユニット24aから第1研磨ユニット20aへとウェハWが搬入されるとともに、第2搬送ユニット24bから第2研磨ユニット20bへとウェハWが搬入される。このように、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bはウェハの搬入経路を共有していないから、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bへのウェハ搬入時の混雑が解消される。これにより、プロセス全体のスループットを向上させることができる。 Further, according to the present embodiment, the polishing unit transport mechanism 22 is arranged adjacent to the transport unit 14 and each of the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b. The wafers W being transported are sorted by the transport robot 23 of the polishing section transport mechanism 22 to the first transport unit 24a and the second transport unit 24b. Then, the wafer W is carried from the first transport unit 24a to the first polishing unit 20a, and the wafer W is carried from the second transport unit 24b to the second polishing unit 20b. In this way, since the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b do not share the wafer loading route, congestion when loading wafers into the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b is eliminated. Thereby, the throughput of the entire process can be improved.

また、本実施の形態によれば、第1洗浄ユニット30aの洗浄モジュール311a~314aのいずれかに異常が発生した場合であっても、第1洗浄ユニット30a内に位置するウェハWが第2洗浄ユニット30bへと搬送されて洗浄されることで、第1洗浄ユニット30a内に位置するウェハWを救済することができる。 Further, according to the present embodiment, even if an abnormality occurs in any of the cleaning modules 311a to 314a of the first cleaning unit 30a, the wafer W located in the first cleaning unit 30a will be removed during the second cleaning. By being transported to the unit 30b and cleaned, the wafer W located in the first cleaning unit 30a can be rescued.

また、本実施の形態によれば、研磨部12の第1搬送ユニット24aは、搬送ロボット23から受け取ったウェハWを第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bの各々に搬送することができる。また、研磨部12の第2搬送ユニット24bは、搬送ロボット23から受け取ったウェハWを第3研磨装置21cおよび第4研磨装置21dの各々に搬送することができる。例えば、第1搬送ユニット24aの第1ステージ52aが搬送ロボット23から第1ウェハを受け取って第1基板搬送位置TP1に移動し、第1プッシャ51aが上昇して第1ステージ52aから第1研磨装置21aへと第1ウェハを受け渡し、第1ウェハを第1研磨装置21aにて研磨している間に、第2ステージ52bが搬送ロボット23から第2ウェハを受け取って第2基板搬送位置TP2に移動し、第2プッシャ51bが上昇して第2ステージ52bから第2研磨装置21bへと第2ウェハを受け渡し、第2ウェハを第2研磨装置21bにて研磨することができる。このように2枚のウェハを並行して研磨することで、プロセス全体のスループットを向上させることができる。また、第1研磨装置21aにてウェハを研磨した後、第1プッシャ51aが下降して第1研磨装置21aから第2ステージ52bへとその基板を受け渡し、第2ステージ52bが第2基板搬送位置TP2に移動し、第2プッシャ51bが上昇して第2ステージ52bから第2研磨装置21bへとウェハを受け渡し、そのウェハを第2研磨装置21bにてさらに連続して研磨することも可能である。 Further, according to the present embodiment, the first transport unit 24a of the polishing section 12 can transport the wafer W received from the transport robot 23 to each of the first polishing device 21a and the second polishing device 21b. Further, the second transport unit 24b of the polishing section 12 can transport the wafer W received from the transport robot 23 to each of the third polishing device 21c and the fourth polishing device 21d. For example, the first stage 52a of the first transfer unit 24a receives the first wafer from the transfer robot 23 and moves to the first substrate transfer position TP1, and the first pusher 51a rises to move the first wafer from the first stage 52a to the first polishing device. 21a, and while the first wafer is being polished by the first polishing device 21a, the second stage 52b receives the second wafer from the transfer robot 23 and moves to the second substrate transfer position TP2. However, the second pusher 51b rises to transfer the second wafer from the second stage 52b to the second polishing device 21b, and the second wafer can be polished by the second polishing device 21b. By polishing two wafers in parallel in this way, the throughput of the entire process can be improved. After polishing the wafer in the first polishing device 21a, the first pusher 51a descends and transfers the substrate from the first polishing device 21a to the second stage 52b, and the second stage 52b moves to the second substrate transfer position. It is also possible to move to TP2, raise the second pusher 51b, deliver the wafer from the second stage 52b to the second polishing device 21b, and further polish the wafer continuously in the second polishing device 21b. .

また、本実施の形態によれば、研磨部12のエクスチェンジャ50が3つのステージ52a~52cを有しているため、例えば第1ステージ52aおよび第2ステージ52bの
両方を第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bとのウェハの受け渡しに使用している間に、第3ステージ52cに次のウェハを受け取らせて待機させておくことができる。これにより、次のウェハに対する研磨処理の開始タイミングを早くすることができ、スループットをさらに向上させることができる。
Further, according to the present embodiment, since the exchanger 50 of the polishing section 12 has three stages 52a to 52c, for example, both the first stage 52a and the second stage 52b are connected to the first polishing device 21a and the second stage 52b. While being used to transfer wafers to and from the second polishing device 21b, the third stage 52c can be placed on standby to receive the next wafer. This makes it possible to start the polishing process for the next wafer earlier, and to further improve throughput.

また、本実施の形態によれば、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて並行して(パラレルに)第1ウェハW1および第2ウェハW2を研磨する場合に、同じ第3ステージ52cを用いて第1研磨装置21a及び第2研磨装置21bの両方へのウェハ受け渡しを行い、第2ステージ52bおよび第1ステージ52aがそれぞれ第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bからのウェハ受取り専用とされるため、一方の研磨装置21aからのウェハ受取り時にトラブルが発生したとしても、他方の研磨装置21bへのウェハ受け渡しを継続して行うことができる(デッドロックの発生を回避できる)。 Further, according to the present embodiment, when polishing the first wafer W1 and the second wafer W2 in parallel in the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, the same third stage 52c is used to transfer wafers to both the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, and the second stage 52b and the first stage 52a are dedicated to receiving wafers from the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, respectively. Therefore, even if trouble occurs when receiving wafers from one polishing apparatus 21a, wafers can be continuously transferred to the other polishing apparatus 21b (occurrence of deadlock can be avoided).

また、本実施の形態によれば、各洗浄モジュール311a~314a間にてウェハWを搬送する洗浄部搬送機構32aが開閉可能な一対のアーム611と回動機構631とを有しており、回動機構631が一対のアーム611を先端が上向きになるように回動させることができるため、複数の洗浄モジュール311a~314aのうち特定の洗浄モジュールのシャッタ97が閉まっていても、この洗浄モジュールを回避して(スキップして)アーム611を移動させることができる。したがって、この洗浄モジュールを通過するようにアーム611を移動させる際に、シャッタ97が開くのを待つ必要がなくなり、プロセス全体のスループットを向上させることができる。 Further, according to the present embodiment, the cleaning section transport mechanism 32a that transports the wafer W between each of the cleaning modules 311a to 314a has a pair of arms 611 that can be opened and closed and a rotation mechanism 631. Since the moving mechanism 631 can rotate the pair of arms 611 so that the tips thereof face upward, even if the shutter 97 of a particular cleaning module among the plurality of cleaning modules 311a to 314a is closed, this cleaning module cannot be moved. The arm 611 can be moved by avoiding (skipping). Therefore, there is no need to wait for the shutter 97 to open when moving the arm 611 past this cleaning module, and the throughput of the entire process can be improved.

また、本実施の形態によれば、回動機構631が一対のアーム611を先端が上向きになるように回動させる際に、上下移動機構641が一対のアーム611を下降させるため、一対のアーム611の上方に必要なスペースを削減できる。 Further, according to the present embodiment, when the rotation mechanism 631 rotates the pair of arms 611 so that the tips thereof are directed upward, the vertical movement mechanism 641 lowers the pair of arms 611. The space required above 611 can be reduced.

また、本実施の形態によれば、一対のアーム611、612と上下移動機構641、642と回動機構631、632とからなる組を2組有しているため、保持すべきウェハの清浄度に応じて2組のアームを使い分けることができる。例えば、各洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では一方の組のアームを使用し、後半の洗浄処理では他方の組のアームを使用することで、後半の洗浄処理を受けているウェハが一方の組のアームに接して汚染されることを防止できる。 Further, according to the present embodiment, since there are two sets consisting of a pair of arms 611, 612, vertical moving mechanisms 641, 642, and rotation mechanisms 631, 632, the cleanliness of the wafer to be held can be improved. Two sets of arms can be used depending on the situation. For example, by using one set of arms for the first half of the cleaning process in each cleaning module and using the other set of arms for the second half of the cleaning process, the wafer undergoing the second half of the cleaning process can be can be prevented from coming into contact with one set of arms and becoming contaminated.

また、本実施の形態によれば、一対のアーム611には、ウェハの外周部に当接可能なチャックコマ612a、612bが上下二段に設けられているため、保持すべきウェハの清浄度に応じてチャックコマ612a、612bを使い分けることができる。例えば、各洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では下段のチャックコマ612bを使用し、後半の洗浄処理では上段のチャックコマ612aを使用することで、後半の洗浄処理を受けているウェハが下段のチャックコマ612bに接して汚染されることを防止できる。 Furthermore, according to the present embodiment, the pair of arms 611 are provided with chuck pieces 612a and 612b in two stages, upper and lower, which can contact the outer circumference of the wafer, so that the cleanliness of the wafer to be held can be improved. The chuck pieces 612a and 612b can be used differently depending on the situation. For example, by using the lower chuck piece 612b for the first half of the cleaning process in each cleaning module and using the upper chuck piece 612a for the second half of the cleaning process, the wafer undergoing the latter half of the cleaning process can be This can prevent the chuck piece 612b from coming into contact with the lower chuck piece 612b and becoming contaminated.

また、本実施の形態によれば、一対のアーム611と上下移動機構641と回動機構631とを有するウェハ把持機構601がアーム搬送機構62の下方に懸垂状に配置されているため、ウェハ把持機構601のメンテナンススペースを拡大される。したがって、メンテナンスに要する時間を短縮することができる。 Further, according to the present embodiment, since the wafer gripping mechanism 601 having the pair of arms 611, the vertical movement mechanism 641, and the rotation mechanism 631 is disposed in a suspended manner below the arm transport mechanism 62, the wafer gripping mechanism 601 is The maintenance space for the mechanism 601 is expanded. Therefore, the time required for maintenance can be reduced.

また、本実施の形態によれば、研磨前のウェハWを研磨装置12にて研磨する前に、予備洗浄モジュール39aにて当該ウェハWの表面を洗浄しておくことができる。これにより、ウェハWの研磨処理中に粗大粒子を噛み込んでスクラッチが発生するなどのトラブルを低減できる。 Further, according to the present embodiment, before the unpolished wafer W is polished by the polishing apparatus 12, the surface of the wafer W can be cleaned by the preliminary cleaning module 39a. This can reduce problems such as scratches caused by coarse particles being bitten during the polishing process of the wafer W.

なお、上述した実施の形態では、2次洗浄モジュール312aでの洗浄前のウェハWが一対の第1アーム611により把持されて搬送され、2次洗浄モジュール312aでの洗浄後のウェハWが一対の第2アーム612により把持されて搬送されたが、これに限定されない。例えば、1次洗浄モジュール311aでの洗浄前のウェハWが一対の第1アーム611により把持されて搬送され、1次洗浄モジュール311aでの洗浄後のウェハWが一対の第2アーム612により把持されて搬送されてもよいし、3次洗浄モジュール313aでの洗浄前のウェハWが一対の第1アーム611により把持されて搬送され、3次洗浄モジュール313aでの洗浄後のウェハWが一対の第2アーム612により把持されて搬送されてもよい。 In the embodiment described above, the wafer W before cleaning in the secondary cleaning module 312a is held and transported by the pair of first arms 611, and the wafer W after cleaning in the secondary cleaning module 312a is conveyed by the pair of first arms 611. Although the second arm 612 gripped and transported, the present invention is not limited thereto. For example, a wafer W before cleaning in the primary cleaning module 311a is held and transported by a pair of first arms 611, and a wafer W after cleaning in the primary cleaning module 311a is held and transported by a pair of second arms 612. Alternatively, the wafer W before cleaning in the tertiary cleaning module 313a may be held and conveyed by the pair of first arms 611, and the wafer W after cleaning in the tertiary cleaning module 313a may be conveyed by the pair of first arms 611. It may also be held and transported by two arms 612.

また、上述した実施の形態では、研磨部12の搬送ユニット(例えば第1搬送ユニット24a)が、2台の研磨装置(第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21b)の各々に対する2箇所の基板搬送位置(第1基板搬送位置TP1および第2基板搬送位置TP2)に配置され、上下移動する2台のプッシャ(第1プッシャ51aと第2プッシャ51b)と、上下2段に配置され、搬送ロボット23に対してウェハWの受け渡しを行う待機位置L1と2箇所の基板搬送位置TP1、TP2との間を互いに独立に水平移動する少なくとも2台のステージ(第1ステージ52aおよび第2ステージ52b)を含むエクスチェンジャ50と、を有していたが、これに限定されず、研磨部12の搬送ユニットが、M台(Mは3以上の自然数)の研磨装置の各々に対するM箇所の基板搬送位置に配置され、上下移動するM台のプッシャと、上下M段に配置され、搬送ロボット23に対してウェハWの受け渡しを行う待機位置L1とM箇所の基板搬送位置との間を互いに独立に水平移動する少なくともM台のステージを含むエクスチェンジャ50とを有していてもよい。この場合、エクスチェンジャ50は、M台のステージに対して上下多段に配置され、待機位置L1とM箇所の基板搬送位置との間をM台のステージとは独立に水平移動する少なくとも1台の更なるステージを有していることが好ましい。 Further, in the embodiment described above, the transport unit (for example, the first transport unit 24a) of the polishing section 12 carries the substrate at two locations for each of the two polishing apparatuses (the first polishing apparatus 21a and the second polishing apparatus 21b). Two pushers (a first pusher 51a and a second pusher 51b) are placed at transfer positions (first substrate transfer position TP1 and second substrate transfer position TP2) and move up and down, and a transfer robot is arranged in two stages, upper and lower. At least two stages (a first stage 52a and a second stage 52b) that move horizontally independently of each other between a standby position L1 where wafers W are transferred to and from the substrate transfer position L1 and two substrate transfer positions TP1 and TP2 are provided. However, the present invention is not limited to this, and the transfer unit of the polishing section 12 is placed at M substrate transfer positions for each of M polishing apparatuses (M is a natural number of 3 or more). M pushers are arranged and move up and down, and M pushers are arranged in M stages above and below and move horizontally independently of each other between a standby position L1 where wafers W are delivered to and from the transport robot 23 and M substrate transport positions. The exchanger 50 may include at least M stages. In this case, the exchanger 50 is arranged in multiple stages above and below the M stages, and at least one exchanger 50 horizontally moves between the standby position L1 and M substrate transfer positions independently of the M stages. It is preferable to have further stages.

なお、上述の実施形態では、ウェハを研磨する研磨装置を例に説明したが、本発明は研磨装置に限らず他の基板処理装置にも適用できるものである。例えば、複数の研磨ユニットを他の基板処理ユニット(例えば、めっき処理ユニットやCVDユニットなどの成膜処理ユニット、ウェットエッチングユニットやドライエッチングユニットなど)に置き換え、研磨装置とは別の基板処理装置を構成してもよい。また、異なる複数の基板処理ユニットを組み合わせ、これらを所定の方向に並べて配置してもよい。 In addition, although the above-mentioned embodiment was demonstrated using the polishing apparatus which polishes a wafer as an example, this invention is applicable not only to a polishing apparatus but also to other substrate processing apparatuses. For example, you can replace multiple polishing units with other substrate processing units (e.g., plating processing units, film formation processing units such as CVD units, wet etching units, dry etching units, etc.), and use substrate processing equipment that is separate from the polishing equipment. may be configured. Alternatively, a plurality of different substrate processing units may be combined and arranged side by side in a predetermined direction.

これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。 Although preferred embodiments of the present invention have been described so far, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments and may be implemented in various different forms within the scope of its technical idea.

10 基板処理装置
11 ロード/アンロード部
12 研磨部
13 洗浄部
14 搬送部
15 制御部
20a 第1研磨ユニット
20b 第2研磨ユニット
21a 第1研磨装置
21b 第2研磨装置
21c 第3研磨装置
21d 第4研磨装置
22 研磨部搬送機構
23 搬送ロボット
231 ハンド
232 アーム
233 ロボット本体
234 反転機構
24a 第1搬送ユニット
24b 第2搬送ユニット
25a~25d トップリング
311a~314a 洗浄モジュール
311b~314b 洗浄モジュール
32a 洗浄部搬送機構
32b 洗浄部搬送機構
33a ウェハステーション
33b ウェハステーション
39a 予備洗浄モジュール
39b 予備洗浄モジュール
330 シャフト
331 ガイドステージ
333 プッシュステージ
337 トップリングガイド
338 上段部
338a テーパ
339a 受け部
339b スプリング
340 ガイドスリーブ
341 センタスリーブ
346 リニアウェイ
347 シリンダ
349 電動アクチュエータ
351 圧縮ばね
41 カバー
41a 搬入口
41b 搬出口
42 スライドステージ
43 ステージ移動機構
44 排気ダクト
50 エクスチェンジャ
51a 第1プッシャ
51b 第2プッシャ
52a 第1ステージ
52a1 ピン
52b 第2ステージ
52c 第3ステージ
601 第1ウェハ把持機構
602 第2ウェハ把持機構
611 第1アーム
612 第2アーム
612a、612b チャックコマ
62 アーム搬送機構
631 第1回動機構
631A 回転軸
632 第2回動機構
632A 回転軸
632L リンク部材
641 第1上下移動機構
642 第2上下移動機構
661 第1開閉機構
662 第2開閉機構
67 奥行方向移動機構
68 メインフレーム
691 第1サブフレーム
692 第2サブフレーム
71 筐体
72 ステージ
73 搬入口
74 アーム通過用開口
75 駆動機構
76 ピン
81 筐体
82 ステージ
83 搬入口
84 アーム通過用開口
85 駆動機構
86 ピン
87 シャッタ
91 筐体
94 アーム通過用開口
97 シャッタ
101 研磨テーブル
102 研磨パッド
103 トップリングシャフト
104 研磨液供給ノズル
10 Substrate processing apparatus 11 Load/unload section 12 Polishing section 13 Cleaning section 14 Transport section 15 Control section 20a First polishing unit 20b Second polishing unit 21a First polishing device 21b Second polishing device 21c Third polishing device 21d Fourth Polishing device 22 Polishing unit transport mechanism 23 Transport robot 231 Hand 232 Arm 233 Robot body 234 Reversing mechanism 24a First transport unit 24b Second transport unit 25a to 25d Top ring 311a to 314a Cleaning module 311b to 314b Cleaning module 32a Cleaning unit transport mechanism 32b Cleaning section transport mechanism 33a Wafer station 33b Wafer station 39a Pre-cleaning module 39b Pre-cleaning module 330 Shaft 331 Guide stage 333 Push stage 337 Top ring guide 338 Upper section 338a Taper 339a Receiving section 339b Spring 340 Guide sleeve 341 Center sleeve 346 Linear way 347 Cylinder 349 Electric actuator 351 Compression spring 41 Cover 41a Loading port 41b Loading port 42 Slide stage 43 Stage movement mechanism 44 Exhaust duct 50 Exchanger 51a First pusher 51b Second pusher 52a First stage 52a1 Pin 52b Second stage 52c Third Stage 601 First wafer gripping mechanism 602 Second wafer gripping mechanism 611 First arm 612 Second arm 612a, 612b Chuck piece 62 Arm transport mechanism 631 First rotation mechanism 631A Rotation shaft 632 Second rotation mechanism 632A Rotation shaft 632L Link Member 641 First vertical movement mechanism 642 Second vertical movement mechanism 661 First opening/closing mechanism 662 Second opening/closing mechanism 67 Depth direction movement mechanism 68 Main frame 691 First subframe 692 Second subframe 71 Housing 72 Stage 73 Inlet 74 Arm passage opening 75 Drive mechanism 76 Pin 81 Housing 82 Stage 83 Loading port 84 Arm passage opening 85 Drive mechanism 86 Pin 87 Shutter 91 Housing 94 Arm passage opening 97 Shutter 101 Polishing table 102 Polishing pad 103 Top ring shaft 104 Polishing liquid supply nozzle

Claims (4)

基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、 前記洗浄部の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記洗浄部は、直列に配置された複数の洗浄モジュールと、各洗浄モジュール間にて基板を搬送する洗浄部搬送機構と、を有し、
前記洗浄部搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って直線移動するアーム搬送機構と、
を有し、
前記制御部は、前記回動機構が前記一対のアームを先端が上向きになるように回動させる際に、前記上下移動機構が前記一対のアームを下降させるように前記制御部の動作を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing; a control section that controls the operation of the cleaning section;
Equipped with
The cleaning section includes a plurality of cleaning modules arranged in series, and a cleaning section transport mechanism that transports the substrate between each cleaning module,
The cleaning section transport mechanism is
a pair of arms that can be opened and closed to grip the board;
a vertical movement mechanism that moves the pair of arms up and down;
a rotation mechanism that rotates the pair of arms about a rotation axis parallel to the opening/closing direction;
an arm transport mechanism that moves the pair of arms linearly along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules;
has
The control unit controls the operation of the control unit such that when the rotation mechanism rotates the pair of arms so that the tips thereof are directed upward, the vertical movement mechanism lowers the pair of arms. A substrate processing apparatus characterized by:
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、直列に配置された複数の洗浄モジュールと、各洗浄モジュール間にて基板を搬送する洗浄部搬送機構と、を有し、
前記洗浄部搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って直線移動するアーム搬送機構と、
を有し、
前記洗浄部搬送機構は、前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動機構とからなる組を2組有する
ことを特徴とする基板処理装置。
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The cleaning section includes a plurality of cleaning modules arranged in series, and a cleaning section transport mechanism that transports the substrate between each cleaning module,
The cleaning section transport mechanism is
a pair of arms that can be opened and closed to grip the board;
a vertical movement mechanism that moves the pair of arms up and down;
a rotation mechanism that rotates the pair of arms about a rotation axis parallel to the opening/closing direction;
an arm transport mechanism that moves the pair of arms linearly along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules;
has
The substrate processing apparatus is characterized in that the cleaning section transport mechanism has two sets each including the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism.
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、直列に配置された複数の洗浄モジュールと、各洗浄モジュール間にて基板を搬送する洗浄部搬送機構と、を有し、
前記洗浄部搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って直線移動するアーム搬送機構と、
を有し、
前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動機構とからなる組は、前記アーム搬送機構の下方に懸垂状に配置されている
ことを特徴とする基板処理装置。
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The cleaning section includes a plurality of cleaning modules arranged in series, and a cleaning section transport mechanism that transports the substrate between each cleaning module,
The cleaning section transport mechanism is
a pair of arms that can be opened and closed to grip the board;
a vertical movement mechanism that moves the pair of arms up and down;
a rotation mechanism that rotates the pair of arms about a rotation axis parallel to the opening/closing direction;
an arm transport mechanism that moves the pair of arms linearly along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules;
has
A substrate processing apparatus characterized in that a set consisting of the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism is arranged in a suspended manner below the arm transport mechanism.
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、直列に配置された複数の洗浄モジュールと、各洗浄モジュール間にて基板を搬送する洗浄部搬送機構と、を有し、
前記洗浄部搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って直線移動するアーム搬送機構と、
を有し、
前記洗浄部は、前記複数の洗浄モジュールと同列に配置され、研磨前の基板を洗浄する予備洗浄モジュールを更に有し、
前記洗浄部搬送機構は、前記予備洗浄モジュールと各洗浄モジュールとの間にて基板を搬送する
ことを特徴とする基板処理装置。
a polishing section that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning section that cleans the substrate after polishing;
Equipped with
The cleaning section includes a plurality of cleaning modules arranged in series, and a cleaning section transport mechanism that transports the substrate between each cleaning module,
The cleaning section transport mechanism is
a pair of arms that can be opened and closed to grip the board;
a vertical movement mechanism that moves the pair of arms up and down;
a rotation mechanism that rotates the pair of arms about a rotation axis parallel to the opening/closing direction;
an arm transport mechanism that moves the pair of arms linearly along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules;
has
The cleaning unit further includes a pre-cleaning module that is arranged in the same row as the plurality of cleaning modules and that cleans the substrate before polishing,
The substrate processing apparatus is characterized in that the cleaning unit transport mechanism transports the substrate between the pre-cleaning module and each cleaning module.
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