JP7200345B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP7200345B2
JP7200345B2 JP2021205018A JP2021205018A JP7200345B2 JP 7200345 B2 JP7200345 B2 JP 7200345B2 JP 2021205018 A JP2021205018 A JP 2021205018A JP 2021205018 A JP2021205018 A JP 2021205018A JP 7200345 B2 JP7200345 B2 JP 7200345B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
wafer
polishing
substrate
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021205018A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022043176A (en
Inventor
弘 青野
都章 山口
博 下元
幸次 前田
哲也 八嶋
健史 新海
幸一 橋本
充彦 稲葉
英立 磯川
秀高 中尾
壮一 磯部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020112458A external-priority patent/JP6987184B2/en
Priority claimed from JP2021194699A external-priority patent/JP7394821B2/en
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2021205018A priority Critical patent/JP7200345B2/en
Publication of JP2022043176A publication Critical patent/JP2022043176A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7200345B2 publication Critical patent/JP7200345B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に半導体ウェハなどの基板を平坦に研磨するために
用いられる基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus used for flatly polishing a substrate such as a semiconductor wafer.

近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離も
より狭くなりつつある。半導体デバイスの製造では、シリコンウェハの上に多くの種類の
材料が膜状に繰り返し形成され、積層構造が形成される。この積層構造を形成するために
は、ウェハの表面を平坦にする技術が重要となっている。このようなウェハの表面を平坦
化する一手段として、化学機械研磨(CMP)を行う研磨装置(化学的機械的研磨装置と
もいう)が広く用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated, circuit wiring has become finer and the distance between wirings has been becoming narrower. In the manufacture of semiconductor devices, many types of materials are repeatedly formed in film form on a silicon wafer to form a laminated structure. A technique for flattening the surface of the wafer is important for forming this laminated structure. As a means of flattening the surface of such wafers, a polishing apparatus (also referred to as a chemical mechanical polishing apparatus) that performs chemical mechanical polishing (CMP) is widely used.

この化学機械研磨(CMP)装置は、一般に、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブ
ルと、ウェハを保持するトップリングと、研磨液を研磨パッド上に供給するノズルとを備
えている。ノズルから研磨液を研磨パッド上に供給しながら、トップリングによりウェハ
を研磨パッドに押し付け、さらにトップリングと研磨テーブルとを相対移動させることに
より、ウェハを研磨してその表面を平坦にする。
This chemical mechanical polishing (CMP) apparatus generally includes a polishing table on which a polishing pad is attached, a top ring that holds a wafer, and a nozzle that supplies polishing liquid onto the polishing pad. While the polishing liquid is being supplied onto the polishing pad from the nozzle, the wafer is pressed against the polishing pad by the top ring, and the top ring and the polishing table are moved relative to each other to polish the wafer and flatten its surface.

基板処理装置は、このようなCMP装置に加え、研磨後のウェハを洗浄し、さらに乾燥
させる機能を有する装置である。このような基板処理装置においては、基板処理のスルー
プットを向上することが求められている。基板処理装置は、研磨や洗浄などを行う様々な
処理部を有しているため、各処理部での処理の遅延は、基板処理装置全体のスループット
を低下させてしまう。例えば、特許文献1に記載の従来の基板処理装置では、研磨部が複
数の研磨ユニットを有している場合であっても、洗浄部には一つの洗浄ラインのみが設け
られていたため、複数の研磨されたウェハを同時に洗浄し、乾燥させることができなかっ
た。
In addition to such a CMP apparatus, the substrate processing apparatus is an apparatus having a function of cleaning and drying the wafer after polishing. Such a substrate processing apparatus is required to improve the throughput of substrate processing. Since the substrate processing apparatus has various processing units that perform polishing, cleaning, and the like, a delay in processing in each processing unit reduces the throughput of the entire substrate processing apparatus. For example, in the conventional substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, even if the polishing section has a plurality of polishing units, the cleaning section is provided with only one cleaning line. Polished wafers could not be cleaned and dried at the same time.

また、従来の基板処理装置では、研磨部が第1研磨ユニットと第2研磨ユニットを有し
ている場合、第1研磨ユニットにてウェハを研磨する際には、ロード/アンロード部から
第1研磨ユニットへと直接ウェハが搬入されるが、第2研磨ユニットにて基板を研磨する
際には、ロード/アンロード部から第1研磨ユニットを介して第2研磨ユニットへとウェ
ハが搬入されていた。そのため、第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットの同一の搬入
経路部分にて混雑が生じて、スループットを低下させていた。
Further, in the conventional substrate processing apparatus, when the polishing section has the first polishing unit and the second polishing unit, when polishing the wafer in the first polishing unit, the load/unload section shifts from the first polishing unit to the first polishing unit. A wafer is directly carried into the polishing unit, but when polishing the substrate in the second polishing unit, the wafer is carried from the load/unload section to the second polishing unit via the first polishing unit. rice field. As a result, the first polishing unit and the second polishing unit are congested in the same carry-in route, and the throughput is reduced.

また、従来の基板処理装置では、ロード/アンロード部に配置された搬送ロボットが、
研磨前のウェハをロード/アンロード部から研磨部へと直接搬入するとともに、洗浄後の
ウェハを洗浄部からロードアンロード部へと搬出していた。洗浄後のウェハを把持する搬
送ロボットのハンドには高い清浄度が必要とされているが、研磨前のウェハを研磨部へと
直接搬入する際に研磨環境に触れて汚染される懸念があった。
In addition, in the conventional substrate processing apparatus, the transfer robot arranged in the loading/unloading section
Wafers before polishing are directly transferred from the load/unload section to the polishing section, and wafers after cleaning are transferred from the cleaning section to the load/unload section. A high degree of cleanliness is required for the hands of transfer robots that hold wafers after cleaning. .

国際公開第2007/099976号WO2007/099976

本発明は、以上のような点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、スループ
ットを向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above points. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving throughput.

本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、上下二段に配置された第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットを有し

前記第1洗浄ユニットおよび前記第2洗浄ユニットは、それぞれ、直列に配置された複
数の洗浄モジュールを有し、
前記搬送部は、前記第1洗浄ユニットと前記第2洗浄ユニットとの間に配置され、研磨
前の基板を前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って搬送するスライドステージを有
する。
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
a polishing unit that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning unit that cleans the substrate after polishing;
with
The cleaning section has a first cleaning unit and a second cleaning unit arranged in two stages,
the first cleaning unit and the second cleaning unit each have a plurality of cleaning modules arranged in series;
The transport section is arranged between the first cleaning unit and the second cleaning unit, and has a slide stage that transports the substrate before polishing along the arrangement direction of the plurality of cleaning modules.

本発明によれば、複数の基板が連続的に研磨部から洗浄部へと搬送されてくる場合であ
っても、第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットに基板を振り分けることにより、これ
ら複数の基板を並行して洗浄することができる。したがって、プロセス全体のスループッ
トを向上させることができる。また、研磨前の基板は搬送部のスライドステージにより研
磨部へと搬送されるため、ロード/アンロード部に配置された搬送ロボットが研磨環境に
触れて汚染されることを防止できる。また、第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットは
上下二段に配置されており、スライドステージが第1洗浄ユニットと第2洗浄ユニットと
の間に配置されているため、装置全体のフットプリントの増大を抑制できる。
According to the present invention, even when a plurality of substrates are continuously transported from the polishing section to the cleaning section, the substrates are distributed to the first cleaning unit and the second cleaning unit so that the plurality of substrates can be cleaned. can be washed in parallel. Therefore, the throughput of the entire process can be improved. Further, since the substrate before polishing is transferred to the polishing section by the slide stage of the transfer section, it is possible to prevent the transfer robot arranged in the loading/unloading section from coming into contact with the polishing environment and being contaminated. In addition, the first cleaning unit and the second cleaning unit are arranged in two stages, one above the other, and the slide stage is arranged between the first cleaning unit and the second cleaning unit, increasing the footprint of the entire apparatus. can be suppressed.

本発明による基板処理装置は、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記研磨部は、
第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットと、
前記搬送部と前記第1研磨ユニットおよび前記第2研磨ユニットのそれぞれに隣接する
ように配置された研磨部搬送機構と、
を有し、
前記研磨部搬送機構は、
前記第1研磨ユニットに基板を搬送する第1搬送ユニットと、
前記第2研磨ユニットに基板を搬送する第2搬送ユニットと、
前記第1搬送ユニットと前記第2搬送ユニットとの間に配置され、前記搬送部と前記第
1搬送ユニットおよび前記第2搬送ユニットとの間の基板の受け渡しを行う搬送ロボット
と、
を有する。
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning unit that cleans the substrate after polishing;
with
The polishing part is
a first polishing unit and a second polishing unit;
a polishing section transport mechanism arranged adjacent to each of the transport section and the first polishing unit and the second polishing unit;
has
The polishing section transport mechanism includes:
a first transfer unit that transfers the substrate to the first polishing unit;
a second transport unit that transports the substrate to the second polishing unit;
a transport robot disposed between the first transport unit and the second transport unit and configured to transfer substrates between the transport section and the first transport unit and the second transport unit;
have

本発明によれば、搬送部から研磨部へと搬送されてくる基板が、搬送ロボットにより第
1搬送ユニットおよび第2搬送ユニットに振り分けられる。そして、第1搬送ユニットか
ら第1研磨ユニットへと基板が搬入されるとともに、第2搬送ユニットから第2研磨ユニ
ットへと基板が搬入される。このように、第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットは基
板搬入経路を共有していないから、第1研磨ユニットおよび第2研磨ユニットへの基板搬
入時の混雑が解消される。これにより、プロセス全体のスループットを向上させることが
できる。
According to the present invention, the substrates transported from the transport section to the polishing section are distributed to the first transport unit and the second transport unit by the transport robot. Then, the substrate is loaded from the first transport unit to the first polishing unit, and the substrate is loaded from the second transport unit to the second polishing unit. As described above, since the first polishing unit and the second polishing unit do not share the substrate loading path, congestion during loading of the substrate into the first polishing unit and the second polishing unit is eliminated. This can improve the throughput of the entire process.

本発明による基板処理装置において、
前記洗浄部は、前記搬送ロボットに隣接するように配置されており、
前記搬送ロボットは、前記第1搬送ユニットおよび前記第2搬送ユニットと前記洗浄部
との間の基板の受け渡しを行ってもよい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention,
The cleaning unit is arranged adjacent to the transport robot,
The transport robot may transfer substrates between the first transport unit and the second transport unit and the cleaning section.

本発明による基板処理装置は、
前記研磨部および前記洗浄部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記洗浄部は、上下二段に配置された第1洗浄ユニットおよび第2洗浄ユニットを有し

前記第1洗浄ユニットは、直列に配置された複数の第1洗浄モジュールおよび第1ウェ
ハステーションと、各第1洗浄モジュールと前記第1ウェハステーションとの間にて基板
を搬送する第1洗浄部搬送機構と、を有し、
前記第2洗浄ユニットは、直列に配置された複数の第2洗浄モジュールおよび第2ウェ
ハステーションと、各第2洗浄モジュールと前記第2ウェハステーションとの間にて基板
を搬送する第2洗浄部搬送機構と、を有し、
前記制御部は、
前記複数の第1洗浄モジュールのいずれかに異常が発生した場合には、
前記第1洗浄部搬送機構が前記第1洗浄モジュール内に位置する基板を前記第1ウェハ
ステーションへと搬送し、
前記搬送ロボットが前記第1ウェハステーションから前記第2ウェハステーションへと
基板を受け渡し、
前記第2洗浄部搬送機構が前記第2ウェハステーションから前記第2洗浄モジュールへ
と基板を搬送して洗浄を行うように前記研磨部および前記洗浄部の動作を制御してもよい
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
further comprising a control unit that controls operations of the polishing unit and the cleaning unit;
The cleaning section has a first cleaning unit and a second cleaning unit arranged in two stages,
The first cleaning unit includes a plurality of first cleaning modules and a first wafer station arranged in series, and a first cleaning section transfer for transferring substrates between each first cleaning module and the first wafer station. having a mechanism;
The second cleaning unit includes a plurality of second cleaning modules and a second wafer station arranged in series, and a second cleaning section transfer for transferring substrates between each of the second cleaning modules and the second wafer station. having a mechanism;
The control unit
When an abnormality occurs in any of the plurality of first cleaning modules,
the first cleaning section transport mechanism transports the substrate positioned in the first cleaning module to the first wafer station;
the transfer robot transfers the substrate from the first wafer station to the second wafer station;
The operations of the polishing section and the cleaning section may be controlled such that the second cleaning section transport mechanism transports the substrate from the second wafer station to the second cleaning module for cleaning.

このような態様によれば、複数の第1洗浄モジュールのいずれかに異常が発生した場合
であっても、第1洗浄モジュール内に位置する基板が第2洗浄モジュールへと搬送されて
洗浄されることで、第1洗浄モジュール内に位置する基板を救済することができる。
According to this aspect, even if an abnormality occurs in any one of the plurality of first cleaning modules, the substrate positioned in the first cleaning module is transported to the second cleaning module and cleaned. Thus, the substrate positioned inside the first cleaning module can be rescued.

本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記研磨部は、
N台(Nは2以上の自然数)の研磨装置と、
前記N台の研磨装置の各々に基板を搬送する搬送ユニットと、
前記搬送部と前記搬送ユニットとの間の基板の受け渡しを行う搬送ロボットと、
を有し、
前記搬送ユニットは、
前記N台の研磨装置の各々に対するN箇所の基板搬送位置に配置され、上下移動するN
台のプッシャと、
上下N段に配置され、前記搬送ロボットに対して基板の受け渡しを行う待機位置と前記
N箇所の基板搬送位置との間を互いに独立に水平移動するN台のステージを有するエクス
チェンジャと、
を有する。
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
a polishing unit that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning unit that cleans the substrate after polishing;
with
The polishing part is
N polishing apparatuses (N is a natural number of 2 or more);
a transport unit that transports the substrate to each of the N polishing apparatuses;
a transport robot that transfers substrates between the transport unit and the transport unit;
has
The transport unit is
N substrate transfer positions arranged at N substrate transfer positions for each of the N polishing apparatuses and moving up and down
a pusher on the platform;
an exchanger having N stages arranged in upper and lower N stages and independently horizontally moving between a standby position for transferring a substrate to the transfer robot and the N substrate transfer positions;
have

本発明によれば、搬送ユニットは、搬送ロボットから受け取った基板をN箇所の研磨装
置の各々に搬送することができる。例えば、エクスチェンジャの第1ステージが搬送ロボ
ットから第1基板を受け取って第1基板搬送位置に移動し、第1プッシャが上昇して第1
ステージから第1研磨装置へと第1基板を受け渡し、第1基板を第1研磨装置にて研磨し
ている間に、第2ステージが搬送ロボットから第2基板を受け取って第2基板搬送位置に
移動し、第2プッシャが上昇して第2ステージから第2研磨装置へと第2基板を受け渡し
、第2基板を第2研磨装置にて研磨することができる。このように2枚の基板を並行して
研磨することで、プロセス全体のスループットを向上させることができる。また、第1研
磨装置にて基板を研磨した後、第1プッシャが下降して第1研磨装置から第2ステージへ
とその基板を受け渡し、第2ステージが第2基板搬送位置に移動し、第2プッシャが上昇
して第2ステージから第2研磨装置へと基板を受け渡し、その基板を第2研磨装置にてさ
らに研磨することも可能である。
According to the present invention, the transfer unit can transfer the substrate received from the transfer robot to each of the N polishing apparatuses. For example, the first stage of the exchanger receives the first substrate from the transfer robot and moves to the first substrate transfer position, the first pusher rises and the first
While the first substrate is transferred from the stage to the first polishing device, and the first substrate is being polished by the first polishing device, the second stage receives the second substrate from the transfer robot and moves to the second substrate transfer position. As the second pusher moves, the second pusher rises to transfer the second substrate from the second stage to the second polishing device, and the second substrate can be polished by the second polishing device. By polishing two substrates in parallel in this manner, the throughput of the entire process can be improved. After the substrate is polished by the first polishing device, the first pusher descends to transfer the substrate from the first polishing device to the second stage, the second stage moves to the second substrate transfer position, and the second stage moves to the second substrate transfer position. It is also possible that the second pusher is raised to transfer the substrate from the second stage to the second polishing device, and the substrate is further polished by the second polishing device.

本発明による基板処理装置において、前記エクスチェンジャは、前記N台のステージに
対して上下多段に配置され、前記待機位置と前記N箇所の基板搬送位置との間を前記N台
のステージとは独立に水平移動する少なくとも1台の更なるステージを有してもよい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, the exchangers are arranged in multiple stages above and below the N stages, and the exchangers are arranged between the standby position and the N substrate transfer positions independently of the N stages. It may have at least one further stage for horizontal movement to.

このような態様によれば、例えば第1ステージおよび第2ステージの両方を第1研磨装
置および第2研磨装置との基板の受け渡しに使用している間に、第3ステージに次の基板
を受け取らせて待機させておくことができる。これにより、次の基板に対する研磨処理の
開始タイミングを早くすることができ、スループットをさらに向上させることができる。
According to this aspect, for example, while both the first stage and the second stage are used for transferring substrates to and from the first polishing apparatus and the second polishing apparatus, the third stage receives the next substrate. You can put it on standby. As a result, the start timing of the polishing process for the next substrate can be advanced, and the throughput can be further improved.

本発明による基板処理装置は、前記研磨部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、
第1研磨装置および第2研磨装置にて連続して基板を研磨する場合には、
第1ステージが前記搬送ロボットから第1基板を受け取って前記待機位置から第1基
板搬送位置に移動し、
第1プッシャが上昇して前記第1ステージから前記第1研磨装置へと前記第1基板を
受け渡し、
前記第1研磨装置が前記第1基板を研磨している間に、前記第1ステージが前記待機
位置に戻って前記搬送ロボットから第2基板を受け取り、
前記第1研磨装置での研磨が終了したら、前記第1プッシャが下降して前記第1研磨
装置から第2ステージへと前記第1基板を受け渡し、
前記第2ステージが前記第1基板搬送位置から第2基板搬送位置へと移動するのと同
時に、前記第1ステージが前記待機位置から前記第1基板搬送位置へと移動するように前
記研磨部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further comprises a control section for controlling the operation of the polishing section,
The control unit
When polishing substrates continuously by the first polishing device and the second polishing device,
the first stage receives the first substrate from the transfer robot and moves from the standby position to the first substrate transfer position;
a first pusher ascends to transfer the first substrate from the first stage to the first polishing apparatus;
While the first polishing apparatus is polishing the first substrate, the first stage returns to the standby position to receive the second substrate from the transfer robot;
When the polishing by the first polishing device is finished, the first pusher descends to transfer the first substrate from the first polishing device to the second stage;
At the same time when the second stage moves from the first substrate transfer position to the second substrate transfer position, the polishing section moves so that the first stage moves from the standby position to the first substrate transfer position. You can control the action.

このような態様によれば、第1基板を保持する第2ステージが第1基板搬送位置から第
2基板搬送位置へと移動するのと同時に、第2基板を保持する第1ステージが待機位置か
ら第1基板搬送位置へと移動するため、プロセスのスループットが向上する。
According to this aspect, at the same time when the second stage holding the first substrate moves from the first substrate transfer position to the second substrate transfer position, the first stage holding the second substrate moves from the standby position. Since the substrate is moved to the first substrate transfer position, the throughput of the process is improved.

本発明による基板処理装置は、前記研磨部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、
第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に基板を研磨する場合には、
第1ステージを、前記第1研磨装置からの基板の受け取りで使用するが、前記第2研磨
装置に対する基板の受け渡しでは使用せず、
第2ステージを、前記第2研磨装置からの基板の受け取りで使用するが、前記第1研磨
装置に対する基板の受け渡しでは使用しないように前記研磨部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further comprises a control section for controlling the operation of the polishing section,
The control unit
When polishing the substrate in parallel with the first polishing device and the second polishing device,
using the first stage to receive the substrate from the first polishing apparatus, but not to transfer the substrate to the second polishing apparatus;
The operation of the polishing section may be controlled so that the second stage is used for receiving the substrate from the second polishing apparatus, but is not used for transferring the substrate to the first polishing apparatus.

このような態様によれば、第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に基板を研磨する
場合に、第1ステージおよび第2ステージがそれぞれ第1研磨装置および第2研磨装置か
らの基板受取り専用とされるため、一方の研磨装置からの基板受取り時にトラブルが発生
したとしても、他方の研磨装置への基板受け渡しを継続して行うことができる(デッドロ
ックの発生を回避できる)。
According to this aspect, when substrates are polished in parallel by the first polishing device and the second polishing device, the first stage and the second stage receive substrates from the first polishing device and the second polishing device, respectively. Since it is dedicated, even if a problem occurs when receiving a substrate from one of the polishing apparatuses, the transfer of the substrate to the other polishing apparatus can be continued (occurrence of deadlock can be avoided).

本発明による基板処理装置は、前記研磨部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、
第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に第1基板および第2基板を研磨する場合に
は、
第1ステージが前記搬送ロボットから前記第1基板を受け取って前記待機位置から第
1基板搬送位置へと移動し、
第1プッシャが上昇して前記第1ステージから前記第1研磨装置へと前記第1基板を
受け渡し、
前記第1研磨装置が第1基板を研磨している間に、前記第1ステージが前記第1基板
搬送位置から前記待機位置に戻って前記搬送ロボットから前記第2基板を受け取って前記
待機位置から前記第2基板搬送位置へと移動し、
前記第2プッシャが上昇して前記第1ステージから前記第2研磨装置へと前記第2基
板を受け渡し、
前記第2研磨装置が第2基板を研磨している間に、前記第1ステージが前記第2基板
搬送位置から前記待機位置に戻って前記搬送ロボットから第3基板を受け取り、
前記第2研磨装置での研磨が終了する前に前記第1研磨装置での研磨が終了したら、
前記第1プッシャが下降して前記第1研磨装置から第2ステージへと前記第1基板を受け
渡し、
前記第2ステージが前記第1基板搬送位置から前記待機位置へと移動するのと同時に
、前記第1ステージが前記待機位置から前記第1基板搬送位置へと移動し、
前記第1研磨装置での研磨が終了する前に前記第2研磨装置での研磨が終了したら、
前記第2プッシャが下降して前記第2研磨装置から第3ステージへと前記第2基板を受け
渡し、
前記第3ステージが前記第2基板搬送位置から前記待機位置へと移動するのと同時に
、前記第1ステージが前記待機位置から前記第1基板搬送位置へと移動するように前記研
磨部の動作を制御してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further comprises a control section for controlling the operation of the polishing section,
The control unit
When polishing the first substrate and the second substrate in parallel with the first polishing device and the second polishing device,
a first stage receives the first substrate from the transfer robot and moves from the standby position to the first substrate transfer position;
a first pusher ascends to transfer the first substrate from the first stage to the first polishing apparatus;
While the first polishing apparatus is polishing the first substrate, the first stage returns from the first substrate transfer position to the standby position, receives the second substrate from the transfer robot, and leaves the standby position. moving to the second substrate transfer position;
the second pusher rises to transfer the second substrate from the first stage to the second polishing apparatus;
While the second polishing apparatus is polishing the second substrate, the first stage returns from the second substrate transfer position to the standby position to receive the third substrate from the transfer robot;
If polishing with the first polishing device is finished before polishing with the second polishing device is finished,
the first pusher descends to transfer the first substrate from the first polishing device to a second stage;
Simultaneously with the movement of the second stage from the first substrate transfer position to the standby position, the first stage moves from the standby position to the first substrate transfer position;
If polishing with the second polishing device is finished before polishing with the first polishing device is finished,
the second pusher descends to transfer the second substrate from the second polishing device to a third stage;
At the same time when the third stage moves from the second substrate transfer position to the standby position, the polishing section is operated such that the first stage moves from the standby position to the first substrate transfer position. may be controlled.

このような態様によれば、第1研磨装置および第2研磨装置にて並行に第1基板および
第2基板を研磨する場合に、同じ第1ステージを用いて第1研磨装置及び第2研磨装置の
両方へのウェハ受け渡しを行い、第2ステージおよび第3ステージがそれぞれ第1研磨装
置および第2研磨装置からの基板受取り専用とされるため、一方の研磨装置からの基板受
取り時にトラブルが発生したとしても、他方の研磨装置への基板受け渡しを継続して行う
ことができる(デッドロックの発生を回避できる)。
According to this aspect, when polishing the first substrate and the second substrate in parallel with the first polishing device and the second polishing device, the same first stage is used for the first polishing device and the second polishing device. and the second stage and the third stage are dedicated to receiving substrates from the first and second polishing apparatuses, respectively. However, the transfer of the substrate to the other polishing apparatus can be continued (occurrence of deadlock can be avoided).

本発明による基板処理装置は、
基板を研磨する研磨部と、
研磨前の基板を前記研磨部へ搬送する搬送部と、
研磨後の基板を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記洗浄部は、直列に配置された複数の洗浄モジュールと、各洗浄モジュール間にて基
板を搬送する洗浄部搬送機構と、を有し、
前記洗浄部搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記複数の洗浄モジュールの配列方向に沿って直線移動するアーム
搬送機構と、
を有する。
A substrate processing apparatus according to the present invention comprises:
a polishing unit that polishes the substrate;
a transport unit that transports the substrate before polishing to the polishing unit;
a cleaning unit that cleans the substrate after polishing;
with
The cleaning unit has a plurality of cleaning modules arranged in series and a cleaning unit transport mechanism for transporting the substrate between the cleaning modules,
The cleaning unit transport mechanism includes:
a pair of openable and closable arms that hold the substrate;
a vertical movement mechanism for vertically moving the pair of arms;
a rotating mechanism for rotating the pair of arms around a rotating shaft parallel to the opening/closing direction;
an arm transfer mechanism that linearly moves the pair of arms along the direction in which the plurality of cleaning modules are arranged;
have

本発明によれば、回動機構が一対のアームを先端が上向きになるように回動させること
ができるため、複数の洗浄モジュールのうち特定の洗浄モジュールのシャッタが閉まって
いても、この洗浄モジュールを回避して(スキップして)アームを移動させることができ
る。したがって、この洗浄モジュールを通過するようにアームを移動させる際に、シャッ
タが開くのを待つ必要がなくなり、プロセス全体のスループットを向上させることができ
る。
According to the present invention, since the rotating mechanism can rotate the pair of arms so that the tip faces upward, even if the shutter of a specific cleaning module among the plurality of cleaning modules is closed, the cleaning module can be rotated. You can avoid (skip) and move the arm. Therefore, there is no need to wait for the shutter to open when moving the arm past this cleaning module, which improves the throughput of the overall process.

本発明による基板処理装置において、前記洗浄部の動作を制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、前記回動機構が前記一対のアームを先端が上向きになるように回動させる
際に、前記上下移動機構が前記一対のアームを下降させるように前記制御部の動作を制御
してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention further comprises a control section for controlling the operation of the cleaning section,
The control unit controls the operation of the control unit so that the vertical movement mechanism lowers the pair of arms when the rotation mechanism rotates the pair of arms so that the tips thereof are directed upward. may

このような態様によれば、回動機構が一対のアームを先端が上向きになるように回動さ
せる際に、上下移動機構が一対のアームを下降させるため、一対のアームの上方に必要な
スペースを削減できる。
According to this aspect, since the vertical movement mechanism lowers the pair of arms when the rotation mechanism rotates the pair of arms so that the tips thereof face upward, the space required above the pair of arms is required. can be reduced.

本発明による基板処理装置において、前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動
機構とからなる組を2組有してもよい。
The substrate processing apparatus according to the present invention may have two sets of the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism.

このような態様によれば、保持すべき基板の清浄度に応じて2組のアームを使い分ける
ことができる。例えば、各洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では一方の
組のアームを使用し、後半の洗浄処理では他方の組のアームを使用することで、後半の洗
浄処理を受けている基板が一方の組のアームに接して汚染されることを防止できる。
According to this aspect, two sets of arms can be used according to the cleanliness of the substrate to be held. For example, one set of arms is used in the first half of the cleaning process in each cleaning module, and the other set of arms is used in the second half of the cleaning process. can be prevented from contacting one set of arms and being contaminated.

本発明による基板処理装置において、前記一対のアームには、基板の外周部に当接可能
なチャックコマが上下二段に設けられていてもよい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, the pair of arms may be provided with upper and lower chuck pieces capable of coming into contact with the outer peripheral portion of the substrate.

このような態様によれば、保持すべき基板の清浄度に応じてチャックコマを使い分ける
ことができる。例えば、各洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では下段の
チャックコマを使用し、後半の洗浄処理では上段のチャックコマを使用することで、後半
の洗浄処理を受けている基板が下段のチャックコマに接して汚染されることを防止できる
According to this aspect, the chuck piece can be used properly according to the cleanliness of the substrate to be held. For example, the first half of the cleaning process in each cleaning module uses the lower chucking piece, and the second half of the cleaning process uses the upper chucking piece. It is possible to prevent contamination due to contact with the chuck piece.

本発明による基板処理装置において、前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動
機構とからなる組は、前記アーム搬送機構の下方に懸垂状に配置されていてもよい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism may be suspended below the arm transport mechanism.

このような態様によれば、一対のアームと上下移動機構と回動機構とからなる組のメン
テナンススペースを拡大される。したがって、メンテナンスに要する時間を短縮すること
ができる。
According to such an aspect, the maintenance space for the group consisting of the pair of arms, the vertical movement mechanism, and the rotation mechanism can be enlarged. Therefore, the time required for maintenance can be shortened.

本発明による基板処理装置において、前記洗浄部は、前記複数の洗浄モジュールと同列
に配置され、研磨前の基板を洗浄する予備洗浄モジュールを更に有し、前記洗浄部搬送機
構は、前記予備洗浄モジュールと各洗浄モジュールとの間にて基板を搬送してもよい。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, the cleaning section further includes a pre-cleaning module that is arranged in line with the plurality of cleaning modules and that cleans the substrate before polishing, and the cleaning section transport mechanism includes the pre-cleaning module. and each cleaning module.

このような態様によれば、研磨前の基板を研磨装置にて研磨する前に、予備洗浄モジュ
ールにて当該基板の表面を洗浄しておくことができる。これにより、基板の研磨処理中に
粗大粒子を噛み込んでスクラッチが発生するなどのトラブルを低減できる。
According to this aspect, the surface of the substrate to be polished can be cleaned by the pre-cleaning module before the substrate is polished by the polishing apparatus. As a result, it is possible to reduce troubles such as the generation of scratches due to the inclusion of coarse particles during the polishing process of the substrate.

本発明によれば、基板処理装置においてスループットを向上させることができる。 According to the present invention, throughput can be improved in a substrate processing apparatus.

図1は、本発明の一実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す基板処理装置を洗浄部側から見た側面図である。FIG. 2 is a side view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 as seen from the cleaning section side. 図3は、図1に示す基板処理装置の搬送部を示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing a transfer section of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 図4は、図1に示す基板処理装置の第1研磨装置を模式的に示す斜視図である。4 is a perspective view schematically showing a first polishing device of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 図5は、図1に示す基板処理装置の搬送ロボットの側面図である。5 is a side view of the transfer robot of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 図6は、図1に示す基板処理装置の第1搬送機構を示す斜視図である。6 is a perspective view showing a first transport mechanism of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 図7は、図6に示す第1搬送機構の第1プッシャを示す縦断面図である。7 is a longitudinal sectional view showing the first pusher of the first transport mechanism shown in FIG. 6. FIG. 図8は、図2に示す洗浄部の第1ウェハステーションを示す斜視図である。8 is a perspective view showing a first wafer station of the cleaning section shown in FIG. 2; FIG. 図9は、図8に示す第1ウェハステーションの内部構成を示す分解斜視図である。9 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the first wafer station shown in FIG. 8. FIG. 図10は、図2に示す洗浄部の第2ウェハステーションを示す斜視図である。10 is a perspective view showing a second wafer station of the cleaning section shown in FIG. 2; FIG. 図11は、図10に示す第2ウェハステーションの内部構成を示す分解斜視図である。11 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the second wafer station shown in FIG. 10. FIG. 図12は、図2に示す洗浄部の第1洗浄ユニットの洗浄部搬送機構を示す図である。12 is a diagram showing a cleaning section transport mechanism of the first cleaning unit of the cleaning section shown in FIG. 2. FIG. 図13Aは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。13A is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transfer mechanism shown in FIG. 12. FIG. 図13Bは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。13B is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transfer mechanism shown in FIG. 12. FIG. 図13Cは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。13C is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transfer mechanism shown in FIG. 12. FIG. 図13Dは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。13D is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transfer mechanism shown in FIG. 12. FIG. 図13Eは、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構の動作を説明するための模式図である。13E is a schematic diagram for explaining the operation of the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transfer mechanism shown in FIG. 12. FIG. 図14は、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構が上段のチャックコマにて基板を把持した状態を示す斜視図である。14 is a perspective view showing a state in which the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12 grips the substrate with the upper chuck piece. FIG. 図15は、図12に示す洗浄部搬送機構の第2ウェハ把持機構が下段のチャックコマにて基板を把持した状態を示す斜視図である。15 is a perspective view showing a state in which the second wafer gripping mechanism of the cleaning section transport mechanism shown in FIG. 12 grips the substrate with the lower chuck piece. 図16Aは、搬送部の動作を説明するための模式図である。FIG. 16A is a schematic diagram for explaining the operation of the transport unit; 図16Bは、搬送部の動作を説明するための模式図である。FIG. 16B is a schematic diagram for explaining the operation of the transport unit; 図16Cは、搬送部の動作を説明するための模式図である。FIG. 16C is a schematic diagram for explaining the operation of the transport unit; 図17Aは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17A is a schematic diagram for explaining the operation of the transport robot. 図17Bは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17B is a schematic diagram for explaining the operation of the transport robot. 図17Cは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17C is a schematic diagram for explaining the operation of the transport robot. 図17Dは、搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 17D is a schematic diagram for explaining the operation of the transport robot. 図18Aは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18A is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図18Bは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18B is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Cは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18C is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Dは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18D is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図18Eは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18E is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Fは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18F is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図18Gは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18G is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Hは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18H is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Iは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18I is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Jは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18J is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図18Kは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18K is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Lは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18L is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図18Mは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18M is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Nは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。18N is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図18Oは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 18O is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Aは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19A is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図19Bは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。19B is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図19Cは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19C is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図19Dは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19D is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図19Eは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19E is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図19Fは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19F is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図19Gは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19G is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Hは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。19H is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図19Iは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19I is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Jは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19J is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Kは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19K is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Lは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19L is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; 図19Mは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。19M is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図19Nは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。19N is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism; FIG. 図19Oは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19O is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図19Pは、第1搬送機構の動作を説明するための模式図である。FIG. 19P is a schematic diagram for explaining the operation of the first transport mechanism. 図20Aは、洗浄部に対する搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 20A is a schematic diagram for explaining the movement of the transport robot with respect to the cleaning unit; 図20Bは、洗浄部に対する搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 20B is a schematic diagram for explaining the movement of the transport robot with respect to the cleaning section. 図20Cは、洗浄部に対する搬送ロボットの動作を説明するための模式図である。FIG. 20C is a schematic diagram for explaining the movement of the transport robot with respect to the cleaning section; 図21Aは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21A is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Bは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21B is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Cは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21C is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Dは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21D is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Eは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21E is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図21Fは、第1洗浄ユニットの動作を説明するための模式図である。FIG. 21F is a schematic diagram for explaining the operation of the first cleaning unit. 図22Aは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22A is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Bは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22B is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Cは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22C is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Dは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22D is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図22Eは、第1洗浄ユニットにて異常が発生した場合の動作を説明するための模式図である。FIG. 22E is a schematic diagram for explaining the operation when an abnormality occurs in the first cleaning unit. 図23は、図1に示す基板処理装置の漏液検知部の一例を示す模式図である。FIG. 23 is a schematic diagram showing an example of a liquid leakage detector of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図24は、従来の漏液検知部を示す模式図である。FIG. 24 is a schematic diagram showing a conventional liquid leakage detector. 図25は、図1に示す基板処理装置の漏液検知部の変形例を示す模式図である。FIG. 25 is a schematic diagram showing a modification of the liquid leakage detector of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図26は、図1に示す基板処理装置の漏液検知部の変形例を示す模式図である。FIG. 26 is a schematic diagram showing a modification of the liquid leakage detector of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図27は、予備洗浄モジュールを有する洗浄部を示す側面図である。FIG. 27 is a side view of a wash station with a prewash module. 図28Aは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。28A is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section of FIG. 27; FIG. 図28Bは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。28B is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section of FIG. 27. FIG. 図28Cは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。28C is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section of FIG. 27; FIG. 図28Dは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。28D is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section of FIG. 27; FIG. 図28Eは、図27の洗浄部の洗浄モジュールへのウェハ搬送動作を説明するための模式図である。28E is a schematic diagram for explaining the wafer transfer operation to the cleaning module of the cleaning section of FIG. 27; FIG. 図29Aは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29A is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図29Bは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29B is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Cは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29C is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Dは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29D is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transport mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Eは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29E is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Fは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29F is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Gは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29G is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Hは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29H is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図29Iは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の一例を説明するための模式図である。FIG. 29I is a schematic diagram for explaining an example of the operation of the cleaning section transfer mechanism when cleaning a plurality of wafers in each cleaning module in parallel. 図30Aは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30A is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Bは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30B is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Cは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30C is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Dは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30D is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when a plurality of wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Eは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30E is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Fは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30F is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Gは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30G is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Hは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30H is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図30Iは、各洗浄モジュールにて複数のウェハを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構の動作の変形例を説明するための模式図である。FIG. 30I is a schematic diagram for explaining a modification of the operation of the cleaning section transfer mechanism when multiple wafers are cleaned in parallel in each cleaning module. 図31は、パラレル処理におけるデットロックの発生を説明するための模式図である。FIG. 31 is a schematic diagram for explaining occurrence of deadlock in parallel processing.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明お
よび以下の説明で用いる図面では、同一に構成され得る部分について、同一の符号を用い
るとともに、重複する説明を省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals are used for parts that can be configured in the same manner, and redundant description is omitted.

図1は本発明の一実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図であり、図2は
図1に示す研磨装置を洗浄部側から見た側面図である。図1及び図2に示すように、本実
施形態における基板処理装置10は、平面視略矩形状のハウジングを備えており、ハウジ
ングの内部は隔壁によってロード/アンロード部11と研磨部12と洗浄部13と搬送部
14とに区画されている。これらのロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13
、および搬送部14は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気されるものである。ま
た、基板処理装置10には、ロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13、およ
び搬送部14の動作を制御する制御部15(制御盤ともいう)が設けられている。
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of the polishing apparatus shown in FIG. 1 as seen from the cleaning section side. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a substantially rectangular housing in a plan view. It is divided into a section 13 and a transport section 14 . These load/unload section 11, polishing section 12, cleaning section 13
, and the conveying section 14 are independently assembled and independently evacuated. The substrate processing apparatus 10 is also provided with a control section 15 (also referred to as a control panel) that controls the operations of the loading/unloading section 11 , the polishing section 12 , the cleaning section 13 , and the transfer section 14 .

<ロード/アンロード部>
ロード/アンロード部11は、多数のウェハ(基板)Wをストックするウェハカセット
を載置する複数(図示された例では4つ)のフロントロード部113を備えている。これ
らのフロントロード部113は、基板処理装置10の幅方向(長手方向と垂直な方向)に
隣接して配列されている。フロントロード部113には、オープンカセット、SMIF(
Standard Manufacturing Interface)ポッド、または
FOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することがで
きる。ここで、SMIF、FOUPは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うこと
により、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
<Load/Unload part>
The loading/unloading section 11 includes a plurality of (four in the illustrated example) front loading sections 113 on which wafer cassettes stocking a large number of wafers (substrates) W are placed. These front load sections 113 are arranged adjacent to each other in the width direction (perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus 10 . The front load section 113 includes an open cassette, SMIF (
Standard Manufacturing Interface) pod or FOUP (Front Opening Unified Pod). Here, the SMIF and FOUP are sealed containers that contain wafer cassettes and are covered with partition walls to maintain an environment independent of the external space.

また、ロード/アンロード部11には、フロントロード部113の配列方向に沿って走
行機構112が敷設されており、この走行機構112上にフロントロード部113の配列
方向に沿って移動可能な搬送ロボット111が設置されている。搬送ロボット111は走
行機構112上を移動することによってフロントロード部113に搭載されたウェハカセ
ットにアクセスできるようになっている。この搬送ロボット111は上下に2つのハンド
を備えており、例えば、ウェハカセットにウェハWを戻すときに上側のハンドを使用し、
研磨前のウェハWを搬送するときに下側のハンドを使用して、上下のハンドを使い分ける
ことができるようになっている。
なお、これに変えて単一のハンドのみでウェハWを搬送するようにしてもよい。
A traveling mechanism 112 is laid in the loading/unloading section 11 along the direction in which the front loading sections 113 are arranged. A robot 111 is installed. The transfer robot 111 can access the wafer cassette mounted on the front load section 113 by moving on the traveling mechanism 112 . This transfer robot 111 has two upper and lower hands. For example, when returning the wafer W to the wafer cassette, the upper hand is used,
When the wafer W before polishing is transported, the lower hand is used, and the upper and lower hands can be selectively used.
Instead of this, the wafer W may be transported using only a single hand.

ロード/アンロード部11は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロ
ード/アンロード部11の内部は、装置外部、研磨部12、洗浄部13、および搬送部1
4のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。また、搬送ロボット111の走行機構
112の上方には、HEPAフィルタやULPAフィルタなどのクリーンエアフィルタを
有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニ
ットによりパーティクルや有毒蒸気、ガスが除去されたクリーンエアが常時下方に向かっ
て吹き出している。
Since the loading/unloading section 11 is an area that needs to be kept in the cleanest state, the inside of the loading/unloading section 11 includes the outside of the apparatus, the polishing section 12, the cleaning section 13, and the transfer section 1.
4 is always maintained at a higher pressure than any of 4. A filter fan unit (not shown) having a clean air filter such as a HEPA filter or a ULPA filter is provided above the traveling mechanism 112 of the transfer robot 111. This filter fan unit removes particles, toxic vapors, Clean air from which gas has been removed is constantly blown downward.

<搬送部>
搬送部14は、研磨前のウェハをロード/アンロード部11から研磨部12へと搬送す
る領域であり、基板処理装置10の長手方向に沿って延びるように設けられている。図1
に示すように、搬送部14は、最もクリーンな領域であるロード/アンロード部11と最
もダーティな領域である研磨部12の両方に隣接して配置されている。そのため、研磨部
12内のパーティクルが搬送部14を通ってロード/アンロード部11内に拡散しないよ
うに、後述するように、搬送部14の内部にはロード/アンロード部11側から研磨部1
2側へと流れる気流が形成されている。
<Conveyor>
The transfer section 14 is a region for transferring wafers before polishing from the load/unload section 11 to the polishing section 12 , and is provided so as to extend along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10 . Figure 1
2, the transport section 14 is arranged adjacent to both the load/unload section 11, which is the cleanest area, and the polishing section 12, which is the dirtiest area. Therefore, in order to prevent the particles in the polishing section 12 from diffusing into the load/unload section 11 through the transfer section 14, as will be described later, inside the transfer section 14, from the load/unload section 11 side to the polishing section 1
An air current flowing to two sides is formed.

搬送部14の構造について詳しく説明する。図3は、搬送部14の内部構成を示す分解
斜視図である。図3に示すように、搬送部14は、長手方向に延びるカバー41と、カバ
ー41の内側に配置され、ウェハWを保持するスライドステージ42と、スライドステー
ジ42を長手方向に沿って直線移動させるステージ移動機構43と、カバー41の内側を
排気する排気ダクト44と、を有している。
The structure of the transport section 14 will be described in detail. FIG. 3 is an exploded perspective view showing the internal configuration of the transport section 14. As shown in FIG. As shown in FIG. 3, the transfer unit 14 includes a cover 41 extending in the longitudinal direction, a slide stage 42 arranged inside the cover 41 to hold the wafer W, and linearly moving the slide stage 42 along the longitudinal direction. It has a stage moving mechanism 43 and an exhaust duct 44 for exhausting the inside of the cover 41 .

カバー41は、底面板と、4つの側面板と、天面板(図3では不図示)とを有している
。このうち長手方向の一方の側面板には、ロード/アンロード部11に連通する搬入口4
1aが形成されている。また、幅方向の一方の側面板のうち搬入口41aとは反対側の端
部には、研磨部12に連通する搬出口41bが形成されている。搬入口41aおよび搬出
口41bは不図示のシャッタにより開閉可能となっている。ロード/アンロード部11の
搬送ロボット111は、搬入口41aからカバー41の内側のスライドステージ42にア
クセス可能となっており、研磨部12の搬送ロボット23は、搬出口41bからカバー4
1の内側のスライドステージ42にアクセス可能となっている。
The cover 41 has a bottom plate, four side plates, and a top plate (not shown in FIG. 3). On one of the side plates in the longitudinal direction, a carry-in port 4 communicating with the loading/unloading section 11 is provided.
1a is formed. An outlet 41b communicating with the polishing section 12 is formed at the end of one side plate in the width direction opposite to the inlet 41a. The carry-in port 41a and the carry-out port 41b can be opened and closed by a shutter (not shown). The transfer robot 111 of the loading/unloading section 11 can access the slide stage 42 inside the cover 41 from the carry-in port 41a, and the transfer robot 23 of the polishing section 12 can access the cover 4 from the carry-out port 41b.
A slide stage 42 inside 1 is accessible.

ステージ移動機構43としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエア
シリンダが用いられる。ステージ移動機構43としてロッドレスシリンダを用いる場合に
は、摺動部からの発塵を防止できるため好ましい。スライドステージ42は、ステージ移
動機構43の可動部分に固定されており、ステージ移動機構43から与えられる動力によ
りカバー41の内側を長手方向に沿って直線移動される。
As the stage moving mechanism 43, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. It is preferable to use a rodless cylinder as the stage moving mechanism 43 because dust generation from the sliding portion can be prevented. The slide stage 42 is fixed to the movable portion of the stage moving mechanism 43 and linearly moved along the longitudinal direction inside the cover 41 by the power given from the stage moving mechanism 43 .

スライドステージ42の外周部には、4本のピンが上向きに突き出すように設けられて
いる。ロード/アンロード部11の搬送ロボット111によりスライドステージ42上に
載せられるウェハWは、その外周縁が4本のピンによりガイドされて位置決めされた状態
で、スライドステージ42上に支持されるようになっている。これらのピンは、ポリプロ
ピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)やポリエーテルエーテ
ルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。
Four pins are provided on the outer periphery of the slide stage 42 so as to protrude upward. The wafer W placed on the slide stage 42 by the transfer robot 111 of the loading/unloading section 11 is supported on the slide stage 42 with its outer periphery being guided and positioned by four pins. It's becoming These pins are made of resins such as polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) and polyetheretherketone (PEEK).

排気ダクト44は、カバー41の長手方向の他方の側面板(搬入口41aとは反対側の
側面板)に設けられている。搬入口41aが開けられた状態で排気ダクト44により排気
が行われることで、カバー41の内側には搬入口41a側から搬出口41b側へと流れる
気流が形成される。これにより、研磨部12内のパーティクルが搬送部14を通ってロー
ド/アンロード部11内に拡散することが防止される。
The exhaust duct 44 is provided on the other side plate of the cover 41 in the longitudinal direction (the side plate opposite to the carry-in port 41a). By exhausting air through the exhaust duct 44 with the carry-in port 41 a opened, an air current flowing from the carry-in port 41 a side to the carry-out port 41 b side is formed inside the cover 41 . This prevents particles in the polishing section 12 from diffusing into the loading/unloading section 11 through the transport section 14 .

<研磨部>
図1に示すように、研磨部12は、ウェハWの研磨が行われる領域であり、第1研磨装
置21aと第2研磨装置21bとを有する第1研磨ユニット20aと、第3研磨装置21
cと第4研磨装置21dとを有する第2研磨ユニット20bと、搬送部14と第1研磨ユ
ニット20aおよび第2研磨ユニット20bのそれぞれに隣接するように配置された研磨
部搬送機構22と、を有している。研磨部搬送機構22は、基板処理装置10の幅方向に
おいて洗浄部13と第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bとの間に配置
されている。
<Polishing part>
As shown in FIG. 1, the polishing section 12 is an area where the wafer W is polished.
a second polishing unit 20b having a fourth polishing device 21d, and a polishing section transport mechanism 22 arranged adjacent to the transport section 14 and the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b, respectively. have. The polishing section transport mechanism 22 is arranged between the cleaning section 13 and the first polishing unit 20 a and the second polishing unit 20 b in the width direction of the substrate processing apparatus 10 .

第1研磨装置21a、第2研磨装置21b、第3研磨装置21c、および第4研磨装置
21dは、基板処理装置10の長手方向に沿って配列されている。第2研磨装置21b、
第3研磨装置21c、および第4研磨装置21dは、第1研磨装置21aと同様の構成を
有しているので、以下、第1研磨装置21aについて説明する。
The first polishing device 21 a, the second polishing device 21 b, the third polishing device 21 c, and the fourth polishing device 21 d are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10 . second polishing device 21b,
Since the third polishing device 21c and the fourth polishing device 21d have the same configuration as the first polishing device 21a, the first polishing device 21a will be described below.

図4は、第1研磨装置21aを模式的に示す斜視図である。第1研磨装置21aは、研
磨面を有する研磨パッド102aが取り付けられた研磨テーブル101aと、ウェハWを
保持しかつウェハWを研磨テーブル101a上の研磨パッド102aに押圧しながら研磨
するためのトップリング25aと、研磨パッド102に研磨液(スラリともいう)やドレ
ッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズル104aと、研磨パッド
102aの研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ(不図示)と、液体(例えば純水
)と気体(例えば窒素ガス)の混合気体または液体(例えば純水)を霧状にして研磨面に
噴射するアトマイザ(不図示)と、を有している。
FIG. 4 is a perspective view schematically showing the first polishing device 21a. The first polishing apparatus 21a includes a polishing table 101a to which a polishing pad 102a having a polishing surface is attached, and a top ring for holding and polishing the wafer W while pressing the wafer W against the polishing pad 102a on the polishing table 101a. 25a, a polishing liquid supply nozzle 104a for supplying a polishing liquid (also referred to as slurry) or a dressing liquid (for example, pure water) to the polishing pad 102, and a dresser for dressing the polishing surface of the polishing pad 102a. ) and an atomizer (not shown) for atomizing a mixture of liquid (eg, pure water) and gas (eg, nitrogen gas) or liquid (eg, pure water) and spraying it onto the polishing surface.

このうちトップリング25aは、トップリングシャフト103aに支持されている。研
磨テーブル101aの上面には研磨パッド102aが貼付されており、この研磨パッド1
02aの上面はウェハWを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド102aに代え
て固定砥石を用いることもできる。トップリング25aおよび研磨テーブル101aは、
図4において矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成されている。ウェハ
Wは、トップリング25aの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給
ノズル104aから研磨パッド102aの研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウ
ェハWがトップリング25aにより研磨面に押圧されて研磨される。
Of these, the top ring 25a is supported by a top ring shaft 103a. A polishing pad 102a is attached to the upper surface of the polishing table 101a.
The upper surface of 02a constitutes a polishing surface for polishing the wafer W. FIG. A fixed whetstone can also be used instead of the polishing pad 102a. The top ring 25a and the polishing table 101a are
As indicated by the arrow in FIG. 4, it is configured to rotate around its axis. The wafer W is held by vacuum suction on the lower surface of the top ring 25a. During polishing, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 104a to the polishing surface of the polishing pad 102a, and the wafer W to be polished is polished by being pressed against the polishing surface by the top ring 25a.

研磨時にはスラリを使用することを考えるとわかるように、研磨部12は最もダーティ
な(汚れた)領域である。したがって、本実施形態では、研磨部12内のパーティクルが
外部に飛散しないように、第1研磨装置21a、第2研磨装置21b、第3研磨装置21
c、および第4研磨装置21dの各研磨テーブルの周囲から排気が行われており、研磨部
12の内部の圧力を、装置外部、周囲の洗浄部13、ロード/アンロード部11、および
搬送部14よりも負圧にすることでパーティクルの飛散を防止している。また、通常、研
磨テーブルの下方には排気ダクト(図示せず)が、上方にはフィルタ(図示せず)がそれ
ぞれ設けられ、これらの排気ダクトおよびフィルタを介して清浄化された空気が噴出され
、ダウンフローが形成される。
Considering the use of slurry during polishing, the polishing portion 12 is the dirtiest area. Therefore, in this embodiment, the first polishing device 21a, the second polishing device 21b, and the third polishing device 21 are arranged so that the particles in the polishing section 12 do not scatter to the outside.
The surroundings of the respective polishing tables of the fourth polishing apparatus 21d and the fourth polishing apparatus 21d are evacuated, and the pressure inside the polishing section 12 is released to the outside of the apparatus, the surrounding cleaning section 13, the loading/unloading section 11, and the conveying section. Particle scattering is prevented by making the pressure lower than 14 . In addition, an exhaust duct (not shown) is normally provided below the polishing table, and a filter (not shown) is provided above the polishing table, and purified air is blown out through these exhaust ducts and filters. , a down flow is formed.

図1に示すように、第1研磨装置21aのトップリング25aは、トップリングヘッド
のスイング動作により研磨位置と第1基板搬送位置TP1との間を移動し、第1研磨装置
21aへのウェハの受け渡しは第1基板搬送位置TP1にて行われる。同様に、第2研磨
装置21bのトップリング25bは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置
と第2基板搬送位置TP2との間を移動し、第2研磨装置21bへのウェハの受け渡しは
第2基板搬送位置TP2にて行われ、第3研磨装置21cのトップリング25cは、トッ
プリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第3基板搬送位置TP3との間を移動し
、第3研磨装置21cへのウェハの受け渡しは第3基板搬送位置TP3にて行われ、第4
研磨装置21dのトップリング25dは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨
位置と第4基板搬送位置TP4との間を移動し、第4研磨装置21dへのウェハの受け渡
しは第4基板搬送位置TP4にて行われる。
As shown in FIG. 1, the top ring 25a of the first polishing device 21a moves between the polishing position and the first substrate transfer position TP1 by swinging the top ring head, and transfers the wafer to the first polishing device 21a. Delivery is performed at the first substrate transfer position TP1. Similarly, the top ring 25b of the second polishing device 21b is moved between the polishing position and the second substrate transfer position TP2 by the swinging motion of the top ring head, and the transfer of the wafer to the second polishing device 21b is performed at the second position. At the substrate transfer position TP2, the top ring 25c of the third polishing device 21c moves between the polishing position and the third substrate transfer position TP3 by the swinging motion of the top ring head. Wafer transfer is performed at the third substrate transfer position TP3.
The top ring 25d of the polishing device 21d moves between the polishing position and the fourth substrate transfer position TP4 by swinging the top ring head. is done.

研磨部搬送機構22は、第1研磨ユニット20aにウェハWを搬送する第1搬送ユニッ
ト24aと、第2研磨ユニット20bにウェハWを搬送する第2搬送ユニット24bと、
第1搬送ユニット24aと第2搬送ユニット24bとの間に配置され、搬送部14と第1
搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bとの間のウェハの受け渡しを行う搬送
ロボット23とを有している。図示された例では、搬送ロボット23は、基板処理装置1
0のハウジングの略中央に配置されている。
The polishing section transport mechanism 22 includes a first transport unit 24a that transports the wafer W to the first polishing unit 20a, a second transport unit 24b that transports the wafer W to the second polishing unit 20b,
It is arranged between the first transport unit 24a and the second transport unit 24b, and the transport section 14 and the first
It has a transfer robot 23 for transferring wafers between the transfer unit 24a and the second transfer unit 24b. In the illustrated example, the transfer robot 23 is the substrate processing apparatus 1
0 housing in the approximate center.

図5は、搬送ロボット23を示す側面図である。図5に示すように、搬送ロボット23
は、ウェハWを保持するハンド231と、ハンド231を上下反転させる反転機構234
と、ハンドWを支持する伸縮可能なアーム232と、アーム232を上下移動させるアー
ム上下移動機構およびアーム232を鉛直な軸線周りに回動させるアーム回動機構を含む
ロボット本体233と、を有している。ロボット本体233は、研磨部14の天井のフレ
ームに対して吊り下がるように取り付けられている。
FIG. 5 is a side view showing the transport robot 23. As shown in FIG. As shown in FIG. 5, the transport robot 23
are a hand 231 that holds the wafer W, and an inversion mechanism 234 that inverts the hand 231 upside down.
, an extendable arm 232 that supports the hand W, and a robot body 233 that includes an arm vertical movement mechanism that vertically moves the arm 232 and an arm rotation mechanism that rotates the arm 232 around a vertical axis. ing. The robot main body 233 is attached to the ceiling frame of the polishing section 14 so as to be suspended.

本実施形態では、ハンド231は、搬送部14の搬出口41bからスライドステージ4
2に対してアクセス可能となっている。また、ハンド231は、研磨部12の第1搬送ユ
ニット24aおよび第2搬送ユニット24bに対してもアクセス可能となっている。した
がって、搬送部14から研磨部12に連続的に搬送されてくるウェハWは、搬送ロボット
23により第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bに振り分けられる。
In this embodiment, the hand 231 moves from the carry-out port 41b of the transport unit 14 to the slide stage 4.
2 is accessible. The hand 231 can also access the first transport unit 24 a and the second transport unit 24 b of the polishing section 12 . Therefore, the wafers W continuously transferred from the transfer section 14 to the polishing section 12 are distributed by the transfer robot 23 to the first transfer unit 24a and the second transfer unit 24b.

第2搬送ユニット24bは、第1搬送ユニット24aと同様の構成を有しているので、
以下、第1搬送ユニット24aについて説明する。図6は、第1搬送ユニット24aを示
す斜視図である。
Since the second transport unit 24b has the same configuration as the first transport unit 24a,
The first transport unit 24a will be described below. FIG. 6 is a perspective view showing the first transport unit 24a.

図6に示すように、第1搬送ユニット24aは、第1研磨装置21aに対する第1基板
搬送位置TP1に配置され、上下移動する第1プッシャ51aと、第2研磨装置21bに
対する第2基板搬送位置TP2に配置され、上下移動する第2プッシャ51bと、第1基
板搬送位置TP1と第2基板搬送位置TP2との間を互いに独立に水平移動する第1ステ
ージ52a、第2ステージ52bおよび第3ステージ52cを有するエクスチェンジャ5
0と、を有している。
As shown in FIG. 6, the first transfer unit 24a is arranged at a first substrate transfer position TP1 with respect to the first polishing device 21a, and moves vertically moving first pusher 51a and a second substrate transfer position with respect to the second polishing device 21b. A second pusher 51b which is arranged at TP2 and moves up and down, and a first stage 52a, a second stage 52b and a third stage which horizontally move independently between the first substrate transfer position TP1 and the second substrate transfer position TP2. exchanger 5 with 52c
0 and .

このうち第1プッシャ51aは、第1~第3ステージ52a~52cのいずれかに保持
されたウェハWを第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡すとともに、第1研
磨装置21aにおける研磨後のウェハWを第1~第3ステージ52a~52cのいずれか
に受け渡すものである。また、第2プッシャ51bは、第1~第3ステージ52a~52
cのいずれかに保持されたウェハWを第2研磨装置21bのトップリング25bに受け渡
すとともに、第2研磨装置21bにおける研磨後のウェハWを第1~第3ステージ52a
~52cのいずれかに受け渡すものである。このように、第1プッシャ51aおよび第2
プッシャ51bは、エクスチェンジャ50と各トップリングとの間でウェハWを受け渡す
受け渡し機構として機能する。第2プッシャ51bは、第1プッシャ51aと同様の構造
を有しているため、以下の説明では第1プッシャ51aについてのみ説明する。
Among them, the first pusher 51a transfers the wafer W held on any one of the first to third stages 52a to 52c to the top ring 25a of the first polishing device 21a, and also transfers the wafer W to the top ring 25a of the first polishing device 21a. The wafer W is delivered to one of the first to third stages 52a to 52c. Further, the second pusher 51b includes first to third stages 52a to 52
The wafer W held by one of the stages c is transferred to the top ring 25b of the second polishing device 21b, and the wafer W after polishing in the second polishing device 21b is transferred to the first to third stages 52a.
to 52c. Thus, the first pusher 51a and the second
The pusher 51b functions as a transfer mechanism that transfers the wafer W between the exchanger 50 and each top ring. Since the second pusher 51b has the same structure as the first pusher 51a, only the first pusher 51a will be described below.

図7は、第1プッシャ51aを示す縦断面図である。図7に示すように、第1プッシャ
51aは、第1研磨装置21aのトップリングを保持するためのガイドステージ331と
、ウェハWを保持するプッシュステージ333とを備えている。ガイドステージ331の
最外周には、トップリングガイド337が4個設置されている。トップリングガイド33
7の上段部338はトップリングの(ウェハWの外周を囲む不図示の)ガイドリングの下
面とのアクセス部である。上段部338にはトップリングを導入するためのテーパ(25
°~35°ぐらいが好ましい)が形成されている。ウェハアンロード時は直接トップリン
グガイド337でウェハエッジを受ける。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing the first pusher 51a. As shown in FIG. 7, the first pusher 51a includes a guide stage 331 for holding the top ring of the first polishing device 21a and a push stage 333 for holding the wafer W. As shown in FIG. Four top ring guides 337 are installed on the outermost periphery of the guide stage 331 . Top ring guide 33
An upper step portion 338 of the top ring 7 is an access portion to the lower surface of a guide ring (not shown surrounding the outer circumference of the wafer W) of the top ring. The upper section 338 has a taper (25 mm) for introducing the top ring.
° to 35°) is formed. When the wafer is unloaded, the top ring guide 337 directly receives the wafer edge.

ガイドステージ331の裏面には防水機能を持ったガイドスリーブ340が設置されて
いる。ガイドスリーブ340の内側にはプッシャの防水のためのセンタスリーブ341が
設置されている。
A guide sleeve 340 having a waterproof function is installed on the back surface of the guide stage 331 . A center sleeve 341 is installed inside the guide sleeve 340 for waterproofing the pusher.

トップリングガイド337に位置合わせ機構を持たせるため、水平なX軸およびY軸方
向に移動してガイドステージ331のセンタリングを行うリニアウェイ346を配置して
いる。ガイドステージ331はリニアウェイ346に固定されている。このリニアウェイ
346は加圧することにより中心位置に復帰可能な構造となっている。この構造によりガ
イドステージ331のセンタリングが実現される。あるいは、リニアウェイ346内部の
スプリングだけで、加圧することなく中心位置に復帰可能となっている。
In order to provide the top ring guide 337 with an alignment mechanism, a linear way 346 that moves in the horizontal X-axis and Y-axis directions to center the guide stage 331 is arranged. Guide stage 331 is fixed to linear way 346 . This linear way 346 has a structure capable of returning to the central position by applying pressure. Centering of the guide stage 331 is realized by this structure. Alternatively, only the spring inside the linear way 346 can return to the central position without applying pressure.

また、リニアウェイ346はシャフト330に固定されており、このシャフト330は
、ボールスプライン機構を有するシリンダ347に連結されている。図示しないモータの
駆動によりシリンダ347が駆動され、シャフト330を介してガイドステージ331が
上下動するようになっている。
Also, the linear way 346 is fixed to a shaft 330, and this shaft 330 is connected to a cylinder 347 having a ball spline mechanism. A motor (not shown) drives the cylinder 347 to move the guide stage 331 up and down via the shaft 330 .

プッシュステージ333はガイドステージ331の上方に配置されており、プッシュス
テージ333の中心にはガイドステージ331に対してプッシュステージ333を上下動
させる電動アクチュエータ349が設けられている。プッシュステージ333は電動アク
チュエータ349によって上下移動し、トップリングへウェハWをロードする。本実施の
形態では、プッシュステージ333が電動アクチュエータ349により駆動されることで
、プッシュステージ333を所望の高さ位置に位置決めすることができる。これにより、
プッシュステージ333にてウェハWを受け取る際に、予備動作としてプッシュステージ
333をウェハWの直下に待機させることができ、受け取り動作に要する時間を短縮でき
る。プッシュステージ333の端には位置決めのための圧縮ばね351が配置されている
The push stage 333 is arranged above the guide stage 331 , and an electric actuator 349 for vertically moving the push stage 333 with respect to the guide stage 331 is provided at the center of the push stage 333 . The push stage 333 is vertically moved by an electric actuator 349 to load the wafer W onto the top ring. In this embodiment, the push stage 333 can be positioned at a desired height position by driving the push stage 333 with the electric actuator 349 . This will
When the wafer W is received by the push stage 333, the push stage 333 can be made to stand by immediately below the wafer W as a preliminary operation, thereby shortening the time required for the receiving operation. A compression spring 351 is arranged at the end of the push stage 333 for positioning.

なお、プッシャに付着したスラリなどからウェハへの逆汚染を防止するため、汚れを洗
浄するための洗浄ノズルが別途設置される。プッシャ上のウェハ有無を確認するためのウ
ェハ有無センサが別途設置される場合もある。
In addition, in order to prevent reverse contamination of the wafer from slurry adhering to the pusher, a cleaning nozzle for cleaning dirt is separately installed. A wafer presence/absence sensor for checking the presence/absence of a wafer on the pusher may be installed separately.

図6に示すように、エクスチェンジャ52aは、上下多段に配置された第1ステージ5
2a、第2ステージ52bおよび第3ステージ52cを有している。図示された例では、
第1ステージ52aが下段に配置され、第2ステージ52bが中段に配置され、第3ステ
ージ52cが上段に配置されている。第1ステージ52a、第2ステージ52bおよび第
3ステージ52cは、平面視において第1基板搬送位置TP1と第2基板搬送位置TP2
とを通過する同一の軸線上を移動するが、設置される高さが異なっているため、互いに干
渉することなく自由に移動可能となっている。
As shown in FIG. 6, the exchanger 52a includes the first stage 5 arranged in multiple stages.
2a, a second stage 52b and a third stage 52c. In the illustrated example,
The first stage 52a is arranged in the lower stage, the second stage 52b is arranged in the middle stage, and the third stage 52c is arranged in the upper stage. The first stage 52a, the second stage 52b, and the third stage 52c are located at the first substrate transfer position TP1 and the second substrate transfer position TP2 in plan view.
Although they move on the same axis that passes through, they are installed at different heights, so they can move freely without interfering with each other.

図6に示すように、第1ステージ52aには、第1ステージ52aを一軸方向に直線移
動させる第1ステージ駆動機構54aが設けられており、第2ステージ52bには、第2
ステージ52bを前記一軸方向に直線移動させる第2ステージ駆動機構54bが設けられ
ており、第3ステージ52cには、第3ステージ52cを前記一軸方向に直線移動させる
第3ステージ駆動機構54cが設けられている。第1~第3ステージ駆動機構54a~5
4cとしては、例えば電動アクチュエータまたはボールねじを用いたモータ駆動機構が用
いられる。第1~第3ステージ52a~52cは、それぞれ異なる第1~第3ステージ駆
動機構54a~54cから動力を受けることで、それぞれ異なるタイミングで異なる方向
に移動可能となっている。
As shown in FIG. 6, the first stage 52a is provided with a first stage drive mechanism 54a for linearly moving the first stage 52a in one axial direction, and the second stage 52b is provided with a second stage drive mechanism 54a.
A second stage driving mechanism 54b is provided for linearly moving the stage 52b in the uniaxial direction, and a third stage driving mechanism 54c for linearly moving the third stage 52c in the uniaxial direction is provided for the third stage 52c. ing. First to third stage drive mechanisms 54a-5
As 4c, for example, an electric actuator or a motor drive mechanism using a ball screw is used. The first to third stages 52a to 52c receive power from different first to third stage drive mechanisms 54a to 54c, respectively, so that they can move in different directions at different timings.

第2ステージ52bおよび第3ステージ52cは、第1ステージ52aと同様の構成を
有しているので、以下、第1ステージ52aについて説明する。図10は、第1ステージ
52aを示す平面図である。
Since the second stage 52b and the third stage 52c have the same configuration as the first stage 52a, the first stage 52a will be described below. FIG. 10 is a plan view showing the first stage 52a.

図6に示すように、第1ステージ52aは、第1ステージ駆動機構54aによる直線移
動方向の一方側(図6における右奥側)が開口した平面視「コ」字形状を有している。そ
のため、第1ステージ52aが第1基板搬送位置TP1に配置された時、第1プッシャ5
1aは、第1ステージ52aの内側を通過するように上下移動可能となっている。また、
第1ステージ52aは、第1ステージ52aの内側を第1プッシャ51aが通過した状態
であっても直線移動方向の他方側(図6における左手前側)に移動可能となっている。
As shown in FIG. 6, the first stage 52a has a U-shape in plan view with one side (right rear side in FIG. 6) in the direction of linear movement by the first stage drive mechanism 54a opened. Therefore, when the first stage 52a is arranged at the first substrate transfer position TP1, the first pusher 5
1a is vertically movable so as to pass through the inside of the first stage 52a. again,
The first stage 52a can move to the other side (left front side in FIG. 6) in the linear movement direction even when the first pusher 51a has passed through the inside of the first stage 52a.

図示は省略するが、第1ステージ52aには、4本のピンが上方に突き出すように設け
られている。そのため、第1ステージ52a上に載せられるウェハは、その外周縁が4本
のピンによりガイドされて位置決めされた状態で、第1ステージ52a上に支持されるよ
うになっている。これらのピンは、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエ
チレン(PCTFE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成さ
れている。
Although not shown, the first stage 52a is provided with four pins protruding upward. Therefore, the wafer placed on the first stage 52a is supported on the first stage 52a in a state where its outer peripheral edge is guided and positioned by four pins. These pins are made of resins such as polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) and polyetheretherketone (PEEK).

次に、上述のように構成された第1プッシャ51aおよびエクスチェンジャ50の動作
の一例を説明する。
Next, an example of the operation of the first pusher 51a and the exchanger 50 configured as described above will be described.

まず、ウェハロード時には、第1プッシャ51aの上方にエクスチェンジャ50の第1
ステージ52aによってウェハWが搬送される。第1研磨装置21aのトップリング25
aが第1プッシャ51aの上方のウェハロード位置(第1基板搬送位置TP1)にあって
ウェハWを保持していないとき、シリンダ347よりガイドステージ331周りの構成品
一式が上昇していく。上昇途中でガイドステージ331は第1ステージ52aの内側を通
過する。このとき、ガイドステージ331は通過と同時にウェハWをトップリングガイド
337のテーパにて求芯し、プッシュステージ333によりウェハWの(エッジ以外の)
パターン面を保持する。
First, when loading a wafer, the first pusher of the exchanger 50 is positioned above the first pusher 51a.
A wafer W is carried by the stage 52a. Top ring 25 of first polishing device 21a
When a is at the wafer load position (first substrate transfer position TP1) above the first pusher 51a and the wafer W is not held, the set of components around the guide stage 331 is lifted from the cylinder 347. The guide stage 331 passes inside the first stage 52a during the ascent. At this time, as the guide stage 331 passes, the wafer W is centered by the taper of the top ring guide 337, and the push stage 333 moves the wafer W (other than the edge).
Hold the pattern side.

プッシュステージ333がウェハWを保持したままトップリングガイド337は停止す
ることなく上昇していき、トップリングガイド337のテーパ338aによってガイドリ
ングを呼び込む。X,Y方向に自在に移動可能なリニアウェイ346による位置合わせで
トップリングに求芯し、トップリングガイド337の上段部338がガイドリング下面と
接触することでガイドステージ331の上昇は終了する。
While the push stage 333 holds the wafer W, the top ring guide 337 is raised without stopping, and the taper 338a of the top ring guide 337 pulls the guide ring. The linear way 346, which is freely movable in the X and Y directions, is centered on the top ring, and the upper step portion 338 of the top ring guide 337 comes into contact with the lower surface of the guide ring to complete the upward movement of the guide stage 331.

ガイドステージ331は、トップリングガイド337の上段部338がガイドリング下
面に接触して固定されることで、それ以上上昇することはない。このとき、プッシュステ
ージ333は電動アクチュエータ349によりさらに上昇される。このとき、プッシュス
テージ333はウェハWの(エッジ以外の)パターン面を保持し、トップリングまでウェ
ハWを搬送する。トップリングがウェハWの吸着を完了すると、第1プッシャ51aは下
降を開始し、下降終了で動作が完了する。
The guide stage 331 does not rise any further because the upper step portion 338 of the top ring guide 337 contacts and is fixed to the lower surface of the guide ring. At this time, the push stage 333 is further raised by the electric actuator 349 . At this time, the push stage 333 holds the pattern surface (other than the edge) of the wafer W and conveys the wafer W to the top ring. When the top ring completes the adsorption of the wafer W, the first pusher 51a starts to descend, and the operation is completed when the descent ends.

なお、本実施の形態では、第1ステージ52aが直線移動方向の一方側(図6における
右奥側)が開口した平面視「コ」字形状を有しているため、第1プッシャ51aが下降を
開始する前であっても、直線移動方向の他方側(図6における左手前側)に移動可能であ
る。したがって、第1ステージ52aを移動させる際に第1プッシャ51aが下降するの
を待つ必要がなくなり、プロセスのスループットが向上する。
In the present embodiment, since the first stage 52a has a U-shape in plan view with one side in the linear movement direction (right rear side in FIG. 6) open, the first pusher 51a is lowered. can be moved to the other side of the linear movement direction (the front left side in FIG. 6) even before the start of . Therefore, it is not necessary to wait for the first pusher 51a to descend when moving the first stage 52a, thereby improving the throughput of the process.

次に、ウェハアンロード時には、第1プッシャ51a上方のウェハアンロード位置にト
ップリングによってウェハWが搬送される。エクスチェンジャ50の第1ステージ52a
が第1プッシャ51aの上方にあってウェハを搭載していないとき、シリンダ347によ
りガイドステージ331周りの構成品一式が上昇し、トップリングガイド337のテーパ
によってガイドリングを呼び込む。ガイドステージ331はリニアウェイ346による位
置合わせにてトップリングに求芯し、トップリングガイド337の上段部338がガイド
リングの下面と接触することでガイドステージ331の上昇は終了する。
Next, during wafer unloading, the wafer W is transferred by the top ring to the wafer unloading position above the first pusher 51a. First stage 52a of exchanger 50
is above the first pusher 51a and no wafer is mounted, the cylinder 347 raises the set of components around the guide stage 331, and the taper of the top ring guide 337 draws in the guide ring. The guide stage 331 is centripetally centered on the top ring due to alignment by the linear way 346, and the upper step portion 338 of the top ring guide 337 comes into contact with the lower surface of the guide ring to complete the upward movement of the guide stage 331.

電動アクチュエータ349によりプッシュステージ333を上昇させるが、このとき、
プッシュステージ333はトップリングガイド337のウェハ保持部より高い位置になる
ことはない。電動アクチュエータ349の上昇が終了するとトップリングよりウェハWが
リリースされる。このとき、トップリングガイド337の下段テーパによってウェハWは
求芯され、トップリングガイド337にエッジ部が保持される。ウェハWが第1プッシャ
51aに保持されると、第1プッシャ51aは下降を開始する。下降の際、トップリング
求芯のためセンタ位置を移動していたガイドステージ331はガイドスリーブ340とセ
ンタスリーブ341によりセンタリングされる。下降の途中で第1プッシャ51aより第
1ステージ52aにウェハWのエッジ部で受け渡され、下降終了で動作が完了する。
The electric actuator 349 raises the push stage 333. At this time,
The push stage 333 is never positioned higher than the wafer holding portion of the top ring guide 337 . When the lifting of the electric actuator 349 is completed, the wafer W is released from the top ring. At this time, the wafer W is centered by the lower taper of the top ring guide 337 and the edge portion is held by the top ring guide 337 . When the wafer W is held by the first pusher 51a, the first pusher 51a starts to descend. During the descent, the guide stage 331 that has moved to the center position due to the centripetal of the top ring is centered by the guide sleeve 340 and the center sleeve 341 . During the descent, the edge portion of the wafer W is transferred from the first pusher 51a to the first stage 52a, and the operation is completed when the descent ends.

<洗浄部>
図1及び図2に示すように、洗浄部13は、研磨後のウェハを洗浄する領域であり、上
下二段に配置された第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bを有している
。上述した搬送部14は、第1洗浄ユニット30aと第2洗浄ユニット30bとの間に配
置されている。第1洗浄ユニット30aと搬送部14と第2洗浄ユニット30bとが上下
方向に重なるように配列されているため、フットプリントが小さいという利点が得られる
<Washing part>
As shown in FIGS. 1 and 2, the cleaning section 13 is an area for cleaning wafers after polishing, and has a first cleaning unit 30a and a second cleaning unit 30b arranged in two stages, one above the other. The transport section 14 described above is arranged between the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b. Since the first cleaning unit 30a, the conveying section 14, and the second cleaning unit 30b are arranged so as to overlap in the vertical direction, an advantage of a small footprint can be obtained.

図1および図2に示すように、第1洗浄ユニット30aは、複数(図示された例では4
つ)の洗浄モジュール311a、312a、313a、314aと、ウェハステーション
33aと、各洗浄モジュール311a~314aとウェハステーション33aとの間にて
ウェハWを搬送する洗浄部搬送機構32aとを有している。複数の洗浄モジュール311
a~314aとウェハステーション33aとは、基板処理装置10の長手方向に沿って直
列に配置されている。各洗浄モジュール311a~314aの上部には、クリーンエアフ
ィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタフ
ァンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出
している。また、第1洗浄ユニット30aの内部は、研磨部12からのパーティクルの流
入を防止するために研磨部12よりも高い圧力に常時維持されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the first cleaning unit 30a includes a plurality of (four in the illustrated example).
3) cleaning modules 311a, 312a, 313a, and 314a, a wafer station 33a, and a cleaning section transfer mechanism 32a for transferring wafers W between the cleaning modules 311a to 314a and the wafer station 33a. . multiple cleaning modules 311
a to 314a and the wafer station 33a are arranged in series along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus . A filter fan unit (not shown) having a clean air filter is provided above each of the cleaning modules 311a to 314a, and clean air from which particles have been removed by the filter fan unit is always blown downward. there is Also, the inside of the first cleaning unit 30a is always maintained at a pressure higher than that of the polishing section 12 in order to prevent particles from entering from the polishing section 12 .

同様に、第2洗浄ユニット30bは、複数(図示された例では4つ)の洗浄モジュール
311b、312b、313b、314bと、ウェハステーション33bと、各洗浄モジ
ュール311b~314bとウェハステーション33bとの間にてウェハWを搬送する洗
浄部搬送機構32bとを有している。複数の洗浄モジュール311b~314bとウェハ
ステーション33bとは、基板処理装置10の長手方向に沿って直列に配置されている。
各洗浄モジュール311b~314bの上部には、クリーンエアフィルタを有するフィル
タファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットによりパ
ーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、第2
洗浄ユニット30bの内部は、研磨部12からのパーティクルの流入を防止するために研
磨部12よりも高い圧力に常時維持されている。
Similarly, the second cleaning unit 30b includes a plurality (four in the illustrated example) of cleaning modules 311b, 312b, 313b, 314b, a wafer station 33b, and between each cleaning module 311b-314b and the wafer station 33b. and a cleaning unit transport mechanism 32b for transporting the wafer W at the . A plurality of cleaning modules 311b to 314b and wafer station 33b are arranged in series along the longitudinal direction of substrate processing apparatus .
A filter fan unit (not shown) having a clean air filter is provided above each of the cleaning modules 311b to 314b, and clean air from which particles have been removed by this filter fan unit is always blown downward. there is Also, the second
The inside of the cleaning unit 30b is always maintained at a pressure higher than that of the polishing section 12 in order to prevent particles from entering from the polishing section 12 .

なお、後述するが(図27、図28A~図28Eとその関連説明)、予備洗浄モジュー
ル39aと39bをそれぞれ各洗浄モジュール311a~314aと311b~314b
に加えて増設してもよい。
As will be described later (FIGS. 27, 28A-28E and related description), the pre-cleaning modules 39a and 39b are respectively connected to the cleaning modules 311a-314a and 311b-314b.
may be added in addition to

図8は、第1洗浄ユニット30aのウェハステーション33aを示す斜視図である。図
9は、このウェハステーション33aの内部構成を示す分解斜視図である。図8および図
9に示すように、ウェハステーション33aは、略直方体形状を有する筐体71と、筐体
71の内部に配置され、ウェハWを保持するステージ72と、ステージ72を上下移動さ
せる駆動機構75と、を有している。
FIG. 8 is a perspective view showing the wafer station 33a of the first cleaning unit 30a. FIG. 9 is an exploded perspective view showing the internal construction of this wafer station 33a. As shown in FIGS. 8 and 9, the wafer station 33a includes a housing 71 having a substantially rectangular parallelepiped shape, a stage 72 disposed inside the housing 71 for holding the wafer W, and a drive for moving the stage 72 up and down. a mechanism 75;

このうち筐体71は、底面板と、4つの側面板と、天面板とを有している。図9に示す
ように、4つの側面板のうち研磨部12に対向する側面板の下端部には、研磨部12に連
通する搬入口73が形成されている。搬入口73は、不図示のシャッタにより開閉可能と
なっている。図9に示すように、研磨部12の搬送ロボット23は、搬入口73から筐体
71の内側にアクセスすることができる。
Of these, the housing 71 has a bottom plate, four side plates, and a top plate. As shown in FIG. 9 , a carry-in port 73 communicating with the polishing section 12 is formed at the lower end of one of the four side plates facing the polishing section 12 . The carry-in port 73 can be opened and closed by a shutter (not shown). As shown in FIG. 9 , the transfer robot 23 of the polishing section 12 can access the inside of the housing 71 through the loading port 73 .

また、図8に示すように、4つの側面板のうち残りの3つの側面板(すなわち、後述す
る第1洗浄部搬送機構32aに対向する側面板および左右の側面板)の搬入口73より高
い高さ位置には、洗浄部搬送機構32aのアームを通過させるためのアーム通過用開口7
4が形成されている。ウェハ搬送用開口74は、不図示のシャッタにより開閉可能となっ
ている。図12および図13に示すように、第1洗浄ユニット30aの洗浄部搬送機構3
2aは、アーム通過用開口74から筐体71の内側にアクセス可能となっている。
Further, as shown in FIG. 8, the remaining three side plates (that is, the side plate facing the first cleaning section transport mechanism 32a and the left and right side plates) out of the four side plates are higher than the loading port 73. At the height position, an arm passage opening 7 for passing the arm of the cleaning section transport mechanism 32a is provided.
4 is formed. The wafer transfer opening 74 can be opened and closed by a shutter (not shown). As shown in FIGS. 12 and 13, the cleaning section transport mechanism 3 of the first cleaning unit 30a
2 a is accessible to the inside of the housing 71 through the arm passage opening 74 .

駆動機構75としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダ
が用いられる。ステージ72は、駆動機構75の可動部に固定されており、駆動機構75
から与えられる動力により、搬入口73に対向する高さ位置とウェハ搬送用開口74に対
向する高さ位置との間を上下移動される(図9参照)。
As the drive mechanism 75, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. The stage 72 is fixed to the movable portion of the drive mechanism 75, and the drive mechanism 75
is moved up and down between a height position facing the carry-in port 73 and a height position facing the wafer transfer opening 74 (see FIG. 9).

ステージ72の外周部には、4本のピン76が上方に突き出すように設けられている。
そのため、ステージ72上に載せられるウェハWは、その外周縁が4本のピン76により
ガイドされて位置決めされた状態で、ステージ72上に支持されるようになっている。こ
れらのピン76は、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCT
FE)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。
Four pins 76 are provided on the outer periphery of the stage 72 so as to protrude upward.
Therefore, the wafer W placed on the stage 72 is supported on the stage 72 with its outer peripheral edge guided and positioned by the four pins 76 . These pins 76 are polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCT
FE) or polyetheretherketone (PEEK).

図10は、第2洗浄ユニット30bのウェハステーション33bを示す斜視図である。
図11は、このウェハステーション33bの内部構成を示す分解斜視図である。図10お
よび図11に示すように、ウェハステーション33bは、略直方体形状を有する筐体81
と、筐体81の内部に配置され、ウェハWを保持するステージ82と、ステージ82を上
下移動させる駆動機構85と、を有している。
FIG. 10 is a perspective view showing the wafer station 33b of the second cleaning unit 30b.
FIG. 11 is an exploded perspective view showing the internal construction of this wafer station 33b. As shown in FIGS. 10 and 11, the wafer station 33b includes a housing 81 having a substantially rectangular parallelepiped shape.
, a stage 82 arranged inside a housing 81 to hold a wafer W, and a driving mechanism 85 for vertically moving the stage 82 .

このうち筐体81は、底面板と、4つの側面板と、天面板とを有している。図11に示
すように、4つの側面板のうち研磨部12に対向する側面板の上端部には、研磨部12に
連通する搬入口83が形成されている。搬入口83は、不図示のシャッタにより開閉可能
となっている。図11に示すように、研磨部12の搬送ロボット23は、搬入口83から
筐体81の内側にアクセスすることができる。
Among them, the housing 81 has a bottom plate, four side plates, and a top plate. As shown in FIG. 11 , a carry-in port 83 that communicates with the polishing section 12 is formed at the upper end portion of one of the four side plates that faces the polishing section 12 . The carry-in port 83 can be opened and closed by a shutter (not shown). As shown in FIG. 11 , the transfer robot 23 of the polishing section 12 can access the inside of the housing 81 through the loading port 83 .

また、図10に示すように、4つの側面板のうち残りの3つの側面板(すなわち、研磨
部12とは反対側の側面板および左右の側面板)の搬入口83より低い高さ位置には、洗
浄部搬送機構32bのアームを通過させるためのアーム通過用開口84が形成されている
。アーム通過用開口84は、シャッタ87により開閉可能となっている。図11に示すよ
うに、第2洗浄ユニット30bの洗浄部搬送機構32bは、アーム通過用開口84から筐
体81の内側にアクセス可能となっている。
Further, as shown in FIG. 10, the remaining three side plates (that is, the side plate on the side opposite to the polishing section 12 and the left and right side plates) out of the four side plates are positioned at a height lower than the carry-in port 83. is formed with an arm passage opening 84 for allowing the arm of the cleaning section transport mechanism 32b to pass therethrough. The arm passage opening 84 can be opened and closed by a shutter 87 . As shown in FIG. 11, the cleaning section transport mechanism 32b of the second cleaning unit 30b can access the inside of the housing 81 through the arm passage opening 84. As shown in FIG.

駆動機構85としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダ
が用いられる。ステージ82は、駆動機構85の可動部に固定されており、駆動機構85
から与えられる動力により、搬入口83に対向する高さ位置とウェハ搬送用開口84に対
向する高さ位置との間を上下移動される(図11参照)。
As the drive mechanism 85, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used. The stage 82 is fixed to the movable portion of the drive mechanism 85, and the drive mechanism 85
is moved up and down between a height position facing the carry-in port 83 and a height position facing the wafer transfer opening 84 (see FIG. 11).

ステージ82の外周部には、4本のピン86が上方に突き出すように設けられている。
そのため、ステージ82上に載せられるウェハは、その外周縁が4本のピン86によりガ
イドされて位置決めされた状態で、ステージ82上に支持されるようになっている。これ
らのピン86は、ポリプロピレン(PP)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTF
E)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂から形成されている。
Four pins 86 are provided on the outer periphery of the stage 82 so as to protrude upward.
Therefore, the wafer placed on the stage 82 is supported on the stage 82 with its outer peripheral edge guided and positioned by four pins 86 . These pins 86 are polypropylene (PP), polychlorotrifluoroethylene (PCTF)
E) or a resin such as polyetheretherketone (PEEK).

第2洗浄ユニット30bの洗浄モジュール311b~314bは、第1洗浄ユニット3
0aの洗浄モジュール311a~314aと同様の構成を有しているので、以下、第1洗
浄ユニット30aの洗浄モジュール311a~314aについて説明する。
The cleaning modules 311b to 314b of the second cleaning unit 30b include the first cleaning unit 3
0a, the cleaning modules 311a to 314a of the first cleaning unit 30a will be described below.

図1及び図2に示すように、4つの洗浄モジュール311a~314a(以下、1次~
4次洗浄モジュールと呼ぶことがある)は、ウェハステーション33aからこの順に直列
に配置されている。各洗浄モジュール311a~314aは、それぞれ、不図示の洗浄機
と、この洗浄機をカバーする筐体91とを有している。
As shown in FIGS. 1 and 2, four cleaning modules 311a to 314a (hereinafter referred to as primary to
(sometimes referred to as a quaternary cleaning module) are arranged in series from the wafer station 33a in this order. Each of the cleaning modules 311a to 314a has a cleaning machine (not shown) and a housing 91 covering the cleaning machine.

1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aの洗浄機としては、例
えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させてウェハの表面および裏面に押し
付けてウェハの表面および裏面を洗浄するロールタイプの洗浄機を用いることができる。
また、3次洗浄モジュール313aの洗浄機としては、例えば、半球状のスポンジを回転
させながらウェハに押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。
4次洗浄モジュール314aの洗浄機としては、例えば、ウェハの裏面はリンス洗浄する
ことができ、ウェハ表面の洗浄は半球状のスポンジを回転させながら押し付けて洗浄する
ペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。この4次洗浄モジュール314aの洗浄
機は、チャックしたウェハを高速回転させるステージを備えており、ウェハを高速回転さ
せることで洗浄後のウェハを乾燥させる機能(スピンドライ機能)を有している。なお、
各洗浄モジュール311a~314aの洗浄機において、上述したロールタイプの洗浄機
やペンシルタイプの洗浄機に加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイ
プの洗浄機を付加的に設けてもよい。
The cleaning machine of the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a is, for example, a roll type that cleans the front and back surfaces of the wafer by rotating roll-shaped sponges arranged above and below and pressing them against the front and back surfaces of the wafer. washing machine can be used.
As the cleaning machine of the tertiary cleaning module 313a, for example, a pencil-type cleaning machine that cleans the wafer by pressing a hemispherical sponge while rotating it can be used.
As the cleaning machine of the quaternary cleaning module 314a, for example, a pencil-type cleaning machine can be used that can rinse the back surface of the wafer and clean the front surface of the wafer by pressing a hemispherical sponge while rotating it. can. The cleaning machine of the quaternary cleaning module 314a has a stage for rotating the chucked wafer at high speed, and has a function (spin dry function) for drying the wafer after cleaning by rotating the wafer at high speed. note that,
In addition to the roll-type washer and pencil-type washer in each of the washing modules 311a to 314a, a megasonic-type washer that cleans by applying ultrasonic waves to the cleaning liquid may be additionally provided. good.

各洗浄モジュール311a~314aの筐体は、ウェハステーション33aの筐体71
と同様に、底面板と、4つの側面板と、天面板とを有している。4つの側面板のうち洗浄
部搬送機構32aに対向する側面板および左右の側面板には、洗浄部搬送機構32aのア
ームを通過させるためのアーム通過用開口94が形成されている(図13A~図13E参
照)。アーム通過用開口94は、シャッタ97により開閉可能となっている。このアーム
通過用開口94の高さ位置は、ウェハステーション33aのアーム通過用開口74と同じ
高さ位置に形成されている。洗浄部搬送機構32aは、このアーム通過用開口94から筐
体91の内側にアクセス可能となっている。
The housing of each cleaning module 311a to 314a is the housing 71 of the wafer station 33a.
has a bottom plate, four side plates, and a top plate. Of the four side plates, the side plate facing the cleaning section transport mechanism 32a and the left and right side plates are formed with arm passage openings 94 for allowing the arms of the cleaning section transport mechanism 32a to pass (FIGS. 13A to 13C). See Figure 13E). The arm passage opening 94 can be opened and closed by a shutter 97 . The height position of the arm passage opening 94 is formed at the same height position as the arm passage opening 74 of the wafer station 33a. The washing section transport mechanism 32 a can access the inside of the housing 91 through the arm passage opening 94 .

第2洗浄ユニット30bの洗浄部搬送機構32bは、第1洗浄ユニット30aの洗浄部
搬送機構32aと同様の構成を有しているので、以下、第1洗浄ユニット30aの洗浄部
搬送機構32aについて説明する。
Since the cleaning section transport mechanism 32b of the second cleaning unit 30b has the same configuration as the cleaning section transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a, the cleaning section transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a will be described below. do.

図12は、第1洗浄ユニット30aの洗浄部搬送機構32aを示す斜視図である。図1
2に示すように、洗浄部搬送機構32aは、ウェハWをそれぞれ把持する第1ウェハ把持
機構601および第2ウェハ把持機構602と、第1ウェハ把持機構601および第2ウ
ェハ把持機構602を複数の洗浄モジュール311a~314aの配列方向に沿って直線
移動するアーム搬送機構62と、を有している。すなわち、本実施の形態では、ウェハ把
持機構601、602の数は、洗浄モジュール311a~314aの数より少なくなって
いる。
FIG. 12 is a perspective view showing the cleaning section transport mechanism 32a of the first cleaning unit 30a. Figure 1
2, the cleaning section transport mechanism 32a includes a first wafer gripping mechanism 601 and a second wafer gripping mechanism 602 which grip the wafer W, respectively, and a first wafer gripping mechanism 601 and a second wafer gripping mechanism 602, which are divided into a plurality of wafer gripping mechanisms 601 and 602. and an arm transfer mechanism 62 that linearly moves along the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a. That is, in this embodiment, the number of wafer gripping mechanisms 601 and 602 is smaller than the number of cleaning modules 311a-314a.

本実施の形態では、例えばウェハWの清浄度に応じて第1ウェハ把持機構601と第2
ウェハ把持機構602とを使い分けることができる。例えば、1次~4次洗浄モジュール
311a~314aのうち洗浄処理前半の1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モ
ジュール312aでは第1ウェハ把持機構601を使用し、洗浄処理後半の3次洗浄モジ
ュール313aおよび4次洗浄モジュール314aでは第2ウェハ把持機構602を使用
することで、洗浄処理後半のウェハWが第1ウェハ把持機構601に接して汚染されるこ
とを防止できる。
In this embodiment, for example, the first wafer gripping mechanism 601 and the second
The wafer gripping mechanism 602 can be used properly. For example, among the primary to quaternary cleaning modules 311a to 314a, the primary cleaning module 311a and secondary cleaning module 312a in the first half of the cleaning process use the first wafer gripping mechanism 601, and the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 313a in the latter half of the cleaning process. By using the second wafer gripping mechanism 602 in the quaternary cleaning module 314a, it is possible to prevent the wafer W in the latter half of the cleaning process from coming into contact with the first wafer gripping mechanism 601 and being contaminated.

第1ウェハ把持機構601は、より詳しくは、ウェハを把持する開閉可能な一対の第1
アーム611と、一対の第1アーム611を上下移動させる第1上下移動機構641と、
一対の第1アーム611を開閉方向と平行な回転軸631Aを中心として回動させる第1
回動機構631と、一対の第1アーム611を互いに近接する方向または互いに離間する
方向に開閉する第1開閉機構661とを有している。
More specifically, the first wafer gripping mechanism 601 is a pair of openable and closable first wafer gripping mechanisms.
an arm 611, a first vertical movement mechanism 641 for vertically moving the pair of first arms 611,
A first arm that rotates a pair of first arms 611 about a rotation shaft 631A parallel to the opening/closing direction.
It has a rotating mechanism 631 and a first opening/closing mechanism 661 that opens and closes the pair of first arms 611 in a direction toward or away from each other.

同様に、第2ウェハ把持機構602は、ウェハを把持する開閉可能な一対の第2アーム
612と、一対の第2アーム612を上下移動させる第2上下移動機構642と、一対の
第2アーム612を開閉方向と平行な回転軸632Aを中心として回動させる第2回動機
構632と、一対の第2アーム612を互いに近接する方向または互いに離間する方向に
開閉する第2開閉機構662とを有している。
Similarly, the second wafer gripping mechanism 602 includes a pair of openable/closable second arms 612 for gripping a wafer, a second vertical movement mechanism 642 for vertically moving the pair of second arms 612 , and a pair of second arms 612 . and a second opening/closing mechanism 662 that opens and closes the pair of second arms 612 in a direction toward or away from each other. are doing.

アーム搬送機構62としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構が用いられる
。図12に示すように、アーム搬送機構62のボールねじは、洗浄モジュール311a~
314aの上方に洗浄モジュール311a~314aの配列方向に延びるように設けられ
ている。
A motor drive mechanism using a ball screw, for example, is used as the arm transport mechanism 62 . As shown in FIG. 12, the ball screw of the arm transfer mechanism 62 is connected to cleaning modules 311a to 311a.
314a so as to extend in the arrangement direction of the cleaning modules 311a to 314a.

アーム搬送機構62のボールねじには、メインフレーム68が取り付けられている。メ
インフレーム68は、アーム搬送機構62のボールねじから下方に吊り下がるように取り
付けられており、洗浄モジュール311a~314aの側面と対向するようになっている
。アーム搬送機構62のボールねじに連結されたモータの駆動により、メインフレーム6
8は洗浄モジュール311a~314aの側面と対向したまま洗浄モジュール311a~
314aの配列方向に沿って直線移動される。
A main frame 68 is attached to the ball screw of the arm transfer mechanism 62 . The main frame 68 is attached so as to hang downward from the ball screw of the arm transfer mechanism 62, and faces the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a. By driving the motor connected to the ball screw of the arm transport mechanism 62, the main frame 6
8 faces the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a.
It is linearly moved along the arrangement direction of 314a.

図示された例では、メインフレーム68は、奥行方向(洗浄モジュール311a~31
4aの配列方向および上下方向の両方に対して垂直な方向)の位置を調整するための奥行
方向移動機構67を有している。奥行方向移動機構67としては、例えばラック・アンド
・ピニオンを用いたモータ駆動機構が用いられる。奥行方向移動機構67の駆動により、
奥行方向におけるメインフレーム68の位置が調整される。
In the illustrated example, the main frame 68 extends in the depth direction (cleaning modules 311a-31
It has a depth direction moving mechanism 67 for adjusting the position in the direction perpendicular to both the arrangement direction and the vertical direction of 4a. As the depth direction moving mechanism 67, for example, a motor drive mechanism using a rack and pinion is used. By driving the depth direction moving mechanism 67,
The position of the main frame 68 in the depth direction is adjusted.

第1上下移動機構641および第2上下移動機構642は、メインフレーム68上に設
けられている。第1上下移動機構641および第2上下移動機構642としては、例えば
ボールねじを用いたモータ駆動機構が用いられる。図16に示すように、第1上下移動機
構641のボールねじは、メインフレーム68の左端部において上下方向に延びるように
取り付けられており、第2上下移動機構642のボールねじは、メインフレーム68の右
端部において上下方向に延びるように取り付けられている。
The first vertical movement mechanism 641 and the second vertical movement mechanism 642 are provided on the main frame 68 . As the first vertical movement mechanism 641 and the second vertical movement mechanism 642, for example, a motor drive mechanism using a ball screw is used. As shown in FIG. 16, the ball screw of the first vertical movement mechanism 641 is mounted on the left end of the main frame 68 so as to extend vertically, and the ball screw of the second vertical movement mechanism 642 is mounted on the main frame 68. It is attached so as to extend in the vertical direction at the right end of the .

第1上下移動機構641のボールねじには、一対の第1アーム611を支持する第1サ
ブフレーム691が取り付けられている。第1サブフレーム691は、メインフレーム6
8の左側にメインフレーム68と隣り合うように設けられており、洗浄モジュール311
a~314aの側面と対向するようになっている。第1上下移動機構641のボールねじ
に連結されたモータの駆動により、第1サブフレーム691は上下方向に沿って直線移動
される。
A first sub-frame 691 that supports the pair of first arms 611 is attached to the ball screw of the first vertical movement mechanism 641 . The first subframe 691 is the mainframe 6
8 adjacent to the main frame 68, and a cleaning module 311
It is designed to face the side surfaces of a to 314a. A motor connected to the ball screw of the first vertical movement mechanism 641 is driven to linearly move the first sub-frame 691 in the vertical direction.

同様に、第2上下移動機構642のボールねじには、一対の第2アーム612を支持す
る第2サブフレーム692が取り付けられている。第2サブフレーム692は、メインフ
レーム68の右側にメインフレーム68と隣り合うように設けられており、洗浄モジュー
ル311a~314aの側面と対向できるようになっている。第2上下移動機構642の
ボールねじに連結されたモータの駆動により、第2サブフレーム692は上下方向に沿っ
て直線移動される。
Similarly, a second sub-frame 692 that supports the pair of second arms 612 is attached to the ball screw of the second vertical movement mechanism 642 . The second sub-frame 692 is provided on the right side of the main frame 68 so as to be adjacent to the main frame 68, and can face the side surfaces of the cleaning modules 311a to 314a. A motor connected to the ball screw of the second vertical movement mechanism 642 is driven to linearly move the second sub-frame 692 in the vertical direction.

第1サブフレーム691および第2サブフレーム692は、メインフレーム68に対し
て対称であること以外は、実質的に同様の構造を有しているため、以下では第2サブフレ
ーム692について説明する。
Since the first sub-frame 691 and the second sub-frame 692 have substantially similar structures except that they are symmetrical with respect to the main frame 68, the second sub-frame 692 will be described below.

図12に示すように、一対の第2アーム612は互いに平行に配置されており、第2ア
ーム612の基端部は、第2サブフレーム692上に回転可能に設けられた回転軸632
Aに取り付けられている。また、第2サブフレーム692上には回転軸632Aを中心と
して一対の第2アーム612を回転させる第2回動機構632が設けられている。第2回
動機構632としては、例えばモータ駆動機構が用いられる。この第2回動機構632の
回転軸は、リンク部材632Lを介して回転軸632Aに連結されている。第2回動機構
632の回転力は、リンク部材632Lを介して回転軸632Aに伝達され、一対の第2
アーム612は、回転軸632Aを中心として回転される。
As shown in FIG. 12, the pair of second arms 612 are arranged parallel to each other, and the proximal ends of the second arms 612 are connected to a rotating shaft 632 rotatably provided on the second sub-frame 692 .
attached to A. A second rotating mechanism 632 is provided on the second sub-frame 692 to rotate the pair of second arms 612 around a rotating shaft 632A. A motor drive mechanism, for example, is used as the second rotation mechanism 632 . The rotating shaft of the second rotating mechanism 632 is connected to the rotating shaft 632A via a link member 632L. The rotational force of the second rotating mechanism 632 is transmitted to the rotating shaft 632A via the link member 632L,
Arm 612 is rotated around rotation axis 632A.

また、第2サブフレーム692上には、一対の第2アーム612を互いに近接する方向
または互いに離間する方向に開閉する第2開閉機構662が設けられている。第2開閉機
構662としては、例えばエアシリンダが用いられる。第2開閉機構662により一対の
第2アーム612が閉じられることにより、一対の第2アーム612はウェハWの周縁部
を挟み込んで保持するようになっている。
A second opening/closing mechanism 662 is provided on the second sub-frame 692 to open and close the pair of second arms 612 in a direction toward or away from each other. For example, an air cylinder is used as the second opening/closing mechanism 662 . By closing the pair of second arms 612 by the second opening/closing mechanism 662, the pair of second arms 612 sandwich and hold the peripheral portion of the wafer W. As shown in FIG.

図14および図15に示すように、一対の第2アーム612には、ウェハWの外周部に
当接可能なチャックコマ612a、612bが上下二段に設けられている。例えば相対的
に清浄度の高いウェハWは上段のチャックコマ612aにて保持され、相対的に清浄度の
低いウェハを下段のチャックコマ612bにて保持されることで、下段のチャックコマ6
12bが清浄度の高いウェハWに接触してこのウェハWが汚染されることを防止できる。
As shown in FIGS. 14 and 15, the pair of second arms 612 is provided with chuck pieces 612a and 612b that can come into contact with the outer periphery of the wafer W in two stages. For example, a wafer W with a relatively high degree of cleanliness is held by the upper chuck piece 612a, and a wafer with a relatively low degree of cleanliness is held by the lower chuck piece 612b.
12b can be prevented from coming into contact with a wafer W with a high degree of cleanliness and contaminating this wafer W.

次に、図13A~図13Eを参照して、一対の第2アーム612の動作の一例を説明す
る。上述したように各洗浄モジュールは、ウェハWの洗浄中に外部に使用流体が飛散しな
いように筐体91によって区画されており、筐体91の側面にはアーム通過用開口94が
形成されている。アーム通過用開口94には、開閉可能なシャッタ97が設けられている
Next, an example of the operation of the pair of second arms 612 will be described with reference to FIGS. 13A to 13E. As described above, each cleaning module is partitioned by the housing 91 so that the fluid to be used does not scatter outside during cleaning of the wafer W, and the arm passage opening 94 is formed in the side surface of the housing 91. . A shutter 97 that can be opened and closed is provided in the arm passage opening 94 .

洗浄後のウェハWを筐体91から取り出す場合には、図13Aに示すように、先端が上
向きに向けられた一対の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動より筐体91に
隣接する待機位置へと移動される。本実施の形態では、筐体91のシャッタ97が閉じら
れていても、一対の第2アーム612の先端を上向きに向けておくことで、一対の第2ア
ーム612を筐体91に隣接する待機位置へと移動させることができる。したがって、ウ
ェハ取り出し作業の開始タイミングを早くすることができ、プロセス全体のスループット
が向上させることができる。
When the wafer W after cleaning is to be taken out of the housing 91, the pair of second arms 612 whose tips are directed upward are driven by the arm transfer mechanism 62 to be adjacent to the housing 91, as shown in FIG. 13A. Moved to standby position. In the present embodiment, even when the shutter 97 of the housing 91 is closed, the tip ends of the pair of second arms 612 are directed upward so that the pair of second arms 612 are positioned adjacent to the housing 91 on standby. position can be moved. Therefore, the start timing of the wafer unloading operation can be advanced, and the throughput of the entire process can be improved.

次に、図13Bおよび図13Cに示すように、第2回動機構632の駆動により、一対
の第2アーム612は、回転軸632Aを中心として回動される。図示された例では、一
対の第2アーム612は、側面視において回転軸632Aを中心として時計回りに90°
回転され、一対の第2アーム612の先端は横向きに向けられる。
Next, as shown in FIGS. 13B and 13C, the second rotation mechanism 632 is driven to rotate the pair of second arms 612 about the rotation shaft 632A. In the illustrated example, the pair of second arms 612 rotate 90 degrees clockwise around the rotation axis 632A in side view.
Rotated, the tips of the pair of second arms 612 are oriented sideways.

次に、図13Dに示すように、第2上下駆動機構642の駆動により、一対の第2アー
ム612は、アーム通過用開口94と同じ高さ位置まで上昇される。このとき、シャッタ
97が退避されアーム通過用開口94が開けられる。
Next, as shown in FIG. 13D , the second vertical drive mechanism 642 is driven to raise the pair of second arms 612 to the same height position as the arm passage opening 94 . At this time, the shutter 97 is retracted and the arm passage opening 94 is opened.

次に、図13Eに示すように、第2開閉機構662の駆動により、一対の第2アーム6
12は、互いに近接する方向に閉じられ、アーム通過用開口94を通って筐体91内側に
挿入され、筐体91内のウェハWを把持する。そして、ウェハWを把持した一対の第2ア
ーム612は、アーム搬送機構62の駆動より次の洗浄モジュールへと移動される。
Next, as shown in FIG. 13E, by driving the second opening/closing mechanism 662, the pair of second arms 6
12 are closed in the direction of approaching each other, are inserted into the housing 91 through the arm passage opening 94 , and hold the wafer W in the housing 91 . Then, the pair of second arms 612 holding the wafer W are moved to the next cleaning module by driving the arm transfer mechanism 62 .

洗浄前のウェハWを筐体91に搬入する場合には、図13A~図13Eに示す上述した
動作が逆の順序で行われる。すなわち、図13Eに示すように、ウェハWを把持した一対
の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動よりアーム通過用開口94を通って筐
体91内側に移動される。
When loading the wafer W before cleaning into the housing 91, the above-described operations shown in FIGS. 13A to 13E are performed in reverse order. That is, as shown in FIG. 13E , the pair of second arms 612 holding the wafer W is driven by the arm transfer mechanism 62 to move inside the housing 91 through the arm passage opening 94 .

次に、図13Dに示すように、第2開閉機構662の駆動により、一対の第2アーム6
12は、互いに離間する方向に開かれ、アーム通過用開口94を通って筐体91の外側に
出される。
Next, as shown in FIG. 13D, by driving the second opening/closing mechanism 662, the pair of second arms 6
12 are opened in a direction away from each other and come out of the housing 91 through the arm passage opening 94 .

次に、図13Cに示すように、第2上下駆動機構642の駆動により、一対の第2アー
ム612は、アーム通過用開口94より低い高さ位置まで下降される。このとき、アーム
通過用開口94がシャッタ97により、筐体91の内側にウェハWの洗浄処理が開始され
る。
Next, as shown in FIG. 13C, the pair of second arms 612 are lowered to a height position lower than the arm passage opening 94 by driving the second vertical drive mechanism 642 . At this time, the arm passing opening 94 is opened by the shutter 97 to start the cleaning process of the wafer W inside the housing 91 .

次に、図13Bおよび図13Aに示すように、第2回動機構632の駆動により、一対
の第2アーム612は、回転軸632Aを中心として回動される。図示された例では、一
対の第2アーム612は、側面視において回転軸632Aを中心として反時計回りに90
°回転され、一対の第2アーム612の先端は上向きに向けられる。そして、先端が上向
きに向けられた一対の第2アーム612は、アーム搬送機構62の駆動より次の洗浄モジ
ュールへと移動される。本実施の形態では、第2回動機構632が一対の第2アーム61
2を先端が上向きになるように回動させる際に、第2上下移動機構642が一対の第2ア
ーム612を下降させるため、一対の第2アーム612の上方に必要なスペースを削減で
きる。
Next, as shown in FIGS. 13B and 13A, the second rotating mechanism 632 is driven to rotate the pair of second arms 612 about the rotating shaft 632A. In the illustrated example, the pair of second arms 612 rotate counterclockwise 90 degrees around the rotation axis 632A in side view.
, and the tips of the pair of second arms 612 are directed upward. Then, the pair of second arms 612 whose tips are directed upward are moved to the next cleaning module by driving the arm transfer mechanism 62 . In this embodiment, the second rotation mechanism 632 is a pair of second arms 61
2 so that the tip faces upward, the second vertical movement mechanism 642 lowers the pair of second arms 612, so the space required above the pair of second arms 612 can be reduced.

各洗浄モジュール311a~314aおよび311b~314bでは複数のウェハWを
並行して洗浄することができる。図29A~図29Iを参照して、第1洗浄ユニット30
aの1次~3次洗浄モジュール311a~313aにて複数のウェハWを並行して洗浄す
る場合の洗浄部搬送機構32aの動作を一例として説明する。
A plurality of wafers W can be cleaned in parallel in each cleaning module 311a-314a and 311b-314b. Referring to FIGS. 29A-29I, first cleaning unit 30
The operation of the cleaning section transfer mechanism 32a when cleaning a plurality of wafers W in parallel in the primary to tertiary cleaning modules 311a to 313a of a will be described as an example.

まず、図29Aに示すように、1次洗浄モジュール311aでは、シャッタ97が閉じ
られて第2ウェハW2に対して第1段階の洗浄が行われており、2次洗浄モジュール31
2aでは、第1ウェハW1に対する第2段階の洗浄が終了してアーム通過用開口94が開
いている状況を想定する。この場合、一対の第1アーム611は2次洗浄モジュール31
2aに対する待機位置へと移動され、一対の第1アーム611の先端は横向きに向けられ
る。
First, as shown in FIG. 29A, in the primary cleaning module 311a, the shutter 97 is closed and the second wafer W2 is being cleaned in the first stage.
In 2a, it is assumed that the second-stage cleaning of the first wafer W1 is completed and the arm passing opening 94 is open. In this case, the pair of first arms 611 are connected to the secondary cleaning module 31
2a, and the tips of the pair of first arms 611 are oriented sideways.

そして、図29Bに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じ
られ、2次洗浄モジュール312a内の第1ウェハW1は、一対の第1アーム611によ
り保持される。また、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が退避されてアーム通
過用開口94が開かれる。
Then, as shown in FIG. 29B, the pair of first arms 611 are closed so as to be close to each other, and the first wafer W1 in the secondary cleaning module 312a is held by the pair of first arms 611. As shown in FIG. Also, the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG.

次に、図29Cに示すように、一対の第1アーム611により保持された第1ウェハW
1は、アーム通過用開口94を通って、2次洗浄モジュール312aから3次洗浄モジュ
ール313aへと移動される。
Next, as shown in FIG. 29C, the first wafer W held by the pair of first arms 611
1 is moved from the secondary cleaning module 312a to the tertiary cleaning module 313a through the arm passage opening 94. As shown in FIG.

そして、図29Dに示すように、一対の第1アーム611は互いに離間するように開か
れ、3次洗浄モジュール313aの左右外側に出される。2次洗浄モジュール312aで
は乾燥を防止するためにシャッタ97が閉じられる。
Then, as shown in FIG. 29D, the pair of first arms 611 are opened so as to be separated from each other and extended to the left and right outside of the tertiary cleaning module 313a. The shutter 97 is closed in the secondary cleaning module 312a to prevent drying.

次に、図29Eに示すように、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が閉じられ
、3次洗浄モジュール313aにて第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄が行われる。
Next, as shown in FIG. 29E, the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is closed, and the first wafer W1 is cleaned in the tertiary cleaning module 313a in the third stage.

次に、図29Fに示すように、1次洗浄モジュール311aでの第2ウェハW2に対す
る第1段階の洗浄が終了すると、1次洗浄モジュール311aのシャッタ97が退避され
てアーム通過用開口94が開かれる。このとき、一対の第1アーム611は回動機構によ
り回動され、一対の第1アーム611の先端が上向きに向けられる。
Next, as shown in FIG. 29F, when the first-stage cleaning of the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is completed, the shutter 97 of the primary cleaning module 311a is retracted and the arm passing opening 94 is opened. be At this time, the pair of first arms 611 are rotated by the rotation mechanism, and the tips of the pair of first arms 611 are directed upward.

そして、図29Gに示すように、一対の第1アーム611は、シャッタ97が閉じられ
た3次洗浄モジュール313aおよび2次洗浄モジュール312aを回避する(スキップ
する)ように移動され、1次洗浄モジュール311aの待機位置へと配置される。
Then, as shown in FIG. 29G, the pair of first arms 611 are moved to avoid (skip) the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 312a with the shutter 97 closed, and 311a is placed in the standby position.

次に、図29Hに示すように、一対の第1アーム611は回動機構により回動され、一
対の第1アーム611の先端が横向きに向けられる。そして、図29Iに示すように、一
対の第1アーム611が互いに近接するように閉じられ、1次洗浄モジュール311a内
の第2ウェハW2は、一対の第1アーム611により保持される。その後、一対の第1ア
ーム611に保持された第2ウェハW2は、2次洗浄モジュール312aへと搬送されて
第2段階の洗浄が行われる。
Next, as shown in FIG. 29H, the pair of first arms 611 are rotated by the rotation mechanism, and the tips of the pair of first arms 611 are oriented sideways. Then, as shown in FIG. 29I, the pair of first arms 611 are closed so as to be close to each other, and the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is held by the pair of first arms 611. As shown in FIG. After that, the second wafer W2 held by the pair of first arms 611 is transferred to the secondary cleaning module 312a and subjected to the second stage of cleaning.

以上のように本実施の形態では、各洗浄モジュール311a~314aおよび311b
~314bにて複数のウェハWを並行して洗浄することができるため、プロセス全体のス
ループットを向上させることができる。
As described above, in this embodiment, each of the cleaning modules 311a to 314a and 311b
. . 314b, multiple wafers W can be cleaned in parallel, thereby increasing the throughput of the overall process.

次に、図30A~図30Iを参照して、第1洗浄ユニット30aの1次~3次洗浄モジ
ュール311a~313aにて複数のウェハWを並行して洗浄する場合の洗浄部搬送機構
32aの動作の変形例について説明する。
Next, referring to FIGS. 30A to 30I, operation of the cleaning section transfer mechanism 32a when a plurality of wafers W are cleaned in parallel in the primary to tertiary cleaning modules 311a to 313a of the first cleaning unit 30a. A modification of is explained.

まず、図30Aに示すように、1次洗浄モジュール311aでは、シャッタ97が閉じ
られて第2ウェハW2に対して第1段階の洗浄が行われており、2次洗浄モジュール31
2aでは、第1ウェハW1に対する第2段階の洗浄が終了してアーム通過用開口94が開
いている状況を想定する。この場合、一対の第1アーム611は2次洗浄モジュール31
2aに対する待機位置へと移動され、一対の第1アーム611の先端は横向きに向けられ
る。
First, as shown in FIG. 30A, in the primary cleaning module 311a, the shutter 97 is closed and the second wafer W2 is being cleaned in the first stage.
In 2a, it is assumed that the second-stage cleaning of the first wafer W1 is completed and the arm passing opening 94 is open. In this case, the pair of first arms 611 are connected to the secondary cleaning module 31
2a, and the tips of the pair of first arms 611 are oriented sideways.

そして、図30Bに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じ
られ、2次洗浄モジュール312a内の第1ウェハW1は、一対の第1アーム611によ
り保持される。また、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が退避されてアーム通
過用開口94が開かれる。
Then, as shown in FIG. 30B, the pair of first arms 611 are closed so as to be close to each other, and the first wafer W1 in the secondary cleaning module 312a is held by the pair of first arms 611. As shown in FIG. Also, the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG.

次に、図30Cに示すように、一対の第1アーム611により保持された第1ウェハW
1は、アーム通過用開口94を通って、2次洗浄モジュール312aから3次洗浄モジュ
ール313aへと移動される。
Next, as shown in FIG. 30C, the first wafer W held by the pair of first arms 611
1 is moved from the secondary cleaning module 312a to the tertiary cleaning module 313a through the arm passage opening 94. As shown in FIG.

そして、図30Dに示すように、一対の第1アーム611は互いに離間するように開か
れ、3次洗浄モジュール313aの左右外側に出される。2次洗浄モジュール312のシ
ャッタ97が閉じられる。
Then, as shown in FIG. 30D, the pair of first arms 611 are opened to be separated from each other and extended to the left and right outside of the tertiary cleaning module 313a. The shutter 97 of the secondary cleaning module 312 is closed.

次に、図30Eに示すように、3次洗浄モジュール313aでの第1ウェハW1に対す
る第3段階の洗浄が開始される前に、1次洗浄モジュール311aでの第2ウェハW2に
対する第1段階の洗浄が終了すると、1次洗浄モジュール311aのシャッタ97が退避
されてアーム通過用開口94が開かれる。
Next, as shown in FIG. 30E, before starting the third-stage cleaning of the first wafer W1 in the tertiary cleaning module 313a, the first-stage cleaning of the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is performed. When the cleaning is completed, the shutter 97 of the primary cleaning module 311a is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG.

このとき、図30Fに示すように、一対の第1アーム611は第1ウェハW1より高い
高さ位置まで上昇される。また、2次洗浄モジュール312aのシャッタ97が退避され
てアーム通過用開口94が開かれる。
At this time, as shown in FIG. 30F, the pair of first arms 611 is raised to a height position higher than the first wafer W1. Also, the shutter 97 of the secondary cleaning module 312a is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG.

そして、図30Gに示すように、一対の第1アーム611は、先端を横向きに向けたま
ま、3次洗浄モジュール313aおよび2次洗浄モジュール312aのアーム通過用開口
94を通過するように移動され、1次洗浄モジュール311aの待機位置へと配置される
Then, as shown in FIG. 30G, the pair of first arms 611 are moved so as to pass through the arm passage openings 94 of the tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 312a, with their tips facing sideways. It is arranged at the standby position of the primary cleaning module 311a.

次に、図30Hに示すように、一対の第1アーム611は第2ウェハW2と同じ高さ位
置まで下降される。一方、3次洗浄モジュール313aでは、シャッタ97が閉じられて
第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄が開始される。2次洗浄モジュール312aでは
乾燥を防止するためにシャッタ97が閉じられる。
Next, as shown in FIG. 30H, the pair of first arms 611 are lowered to the same height position as the second wafer W2. On the other hand, in the tertiary cleaning module 313a, the shutter 97 is closed and the third-stage cleaning of the first wafer W1 is started. The shutter 97 is closed in the secondary cleaning module 312a to prevent drying.

そして、図30Iに示すように、一対の第1アーム611が互いに近接するように閉じ
られ、1次洗浄モジュール311a内の第2ウェハW2は、一対の第1アーム611によ
り保持される。その後、一対の第1アーム611に保持された第2ウェハW2は、2次洗
浄モジュール312aへと搬送されて第2段階の洗浄が行われる。
Then, as shown in FIG. 30I, the pair of first arms 611 are closed so as to be close to each other, and the second wafer W2 in the primary cleaning module 311a is held by the pair of first arms 611. As shown in FIG. After that, the second wafer W2 held by the pair of first arms 611 is transferred to the secondary cleaning module 312a and subjected to the second stage of cleaning.

以上のような変形例によれば、3次洗浄モジュール313aから1次洗浄モジュール3
11aへと一対の第1アーム611を移動させる際に、一対の第1アーム611を回動さ
せる動作を省略できる。そのため、プロセス全体のスループットをさらに向上させること
ができる。
According to the modified example as described above, from the tertiary cleaning module 313a to the primary cleaning module 3
When moving the pair of first arms 611 to 11a, the operation of rotating the pair of first arms 611 can be omitted. Therefore, the throughput of the entire process can be further improved.

一方、図29A~図29Iに示す例のように、一対の第1アーム611を回動させて、
シャッタ97が閉じられた3次洗浄モジュール313aおよび2次洗浄モジュール312
aを回避する(スキップする)ように移動させる場合には、一対の第1アーム611が3
次洗浄モジュール313a内の第1ウェハW1の上方を通過することがないため、一対の
第1アーム611から落下する洗浄液が第1ウェハW1の表面に付着することを防止でき
る。また、3次洗浄モジュール313aでの第1ウェハW1に対する第3段階の洗浄を早
く開始することができる。
On the other hand, as shown in FIGS. 29A to 29I, by rotating the pair of first arms 611,
The tertiary cleaning module 313a and the secondary cleaning module 312 with the shutter 97 closed
When moving to avoid (skip) a, the pair of first arms 611 moves three
Since it does not pass over the first wafer W1 in the next cleaning module 313a, the cleaning liquid falling from the pair of first arms 611 can be prevented from adhering to the surface of the first wafer W1. Also, the third-stage cleaning of the first wafer W1 in the tertiary cleaning module 313a can be started early.

各洗浄モジュール311a~314aおよび311b~314bは、故障を検知する検
知器(図示せず)を有している。洗浄モジュール311a~314aおよび311b~3
14bのいずれかに故障が生じたとき、検知器がこれを検知して制御部15に信号を送る
ようになっている。制御部15は、故障した洗浄モジュールを回避する洗浄ラインを選定
し、現在の洗浄ラインを新たに選定された洗浄ラインに切り替える。
Each wash module 311a-314a and 311b-314b has a detector (not shown) to detect faults. Wash modules 311a-314a and 311b-3
14b, the detector detects this and sends a signal to the controller 15. FIG. The control unit 15 selects a cleaning line that avoids the failed cleaning module, and switches the current cleaning line to the newly selected cleaning line.

より詳しくは、たとえば、図22Aに示すように、第1洗浄ユニット30aの3次洗浄
モジュール313aに異常が発生した場合には、2次洗浄モジュール312a内に位置す
るウェハWが洗浄部搬送機構32aの第1アーム611により把持される。そして、図2
2Bに示すように、洗浄部搬送機構32aの第2アーム612が先端を上向きに向けられ
た状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1アーム611に把持されたウェハが第
1ウェハステーション33aへと搬送される。この時、3次洗浄モジュール313aのシ
ャッタ97が故障して閉じられたままであっても、第2アーム612は先端を上向きに向
けられているため、シャッタ97と干渉することなく、3次洗浄モジュール313aを回
避して(スキップして)移動することができる。
More specifically, for example, as shown in FIG. 22A, when an abnormality occurs in the tertiary cleaning module 313a of the first cleaning unit 30a, the wafer W positioned in the secondary cleaning module 312a is transferred to the cleaning section transfer mechanism 32a. is gripped by the first arm 611 of the . And Figure 2
As shown in 2B, the wafer held by the first arm 611 is transferred to the first wafer station 33a by driving the arm transfer mechanism 62 with the tip of the second arm 612 of the cleaning section transfer mechanism 32a directed upward. transported to At this time, even if the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a fails and remains closed, the tip of the second arm 612 is directed upward. 313a can be avoided (skipped) and moved.

次に、図22Cおよび図22Dに示すように、研磨部12の搬送ロボット23が第1ウ
ェハステーション33aからウェハWを取り出して、第2ウェハステーション33bへと
受け渡す。第2ウェハステーション33bへと受け渡されたウェハWは、洗浄部搬送機構
32bの第1アーム611により把持される。そして、図22Eに示すように、アーム搬
送機構62の駆動により、第1アーム611に把持されたウェハWは、1次洗浄モジュー
ル311bへと搬送されて洗浄される。
Next, as shown in FIGS. 22C and 22D, the transfer robot 23 of the polishing section 12 takes out the wafer W from the first wafer station 33a and transfers it to the second wafer station 33b. The wafer W transferred to the second wafer station 33b is gripped by the first arm 611 of the cleaning section transfer mechanism 32b. Then, as shown in FIG. 22E, by driving the arm transport mechanism 62, the wafer W gripped by the first arm 611 is transported to the primary cleaning module 311b and cleaned.

このように、本実施の形態では、複数の第1洗浄モジュール311a~314aのいず
れかに異常が発生した場合であっても、第1洗浄モジュール311a~314a内に位置
するウェハWが第2洗浄モジュール311b~314bへと搬送されて洗浄されることで
、第1洗浄モジュール311a~314a内に位置するウェハWを救済することができる
。同様に、複数の第2洗浄モジュール311b~314bのいずれかに異常が発生した場
合であっても、第2洗浄モジュール311b~314b内に位置するウェハWが第1洗浄
モジュール311a~314aへと搬送されて洗浄されることで、第2洗浄モジュール3
11b~314b内に位置するウェハWを救済することができる。
As described above, in the present embodiment, even if an abnormality occurs in any one of the plurality of first cleaning modules 311a to 314a, wafers W positioned in the first cleaning modules 311a to 314a are not subjected to the second cleaning. The wafers W positioned in the first cleaning modules 311a to 314a can be rescued by being transported to the modules 311b to 314b and cleaned. Similarly, even if an abnormality occurs in any one of the plurality of second cleaning modules 311b to 314b, the wafer W positioned in the second cleaning modules 311b to 314b is transferred to the first cleaning modules 311a to 314a. The second cleaning module 3 is cleaned by
Wafers W located within 11b-314b can be rescued.

図12に示すように、本実施の形態では、第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ
把持機構602が、アーム搬送機構62の下方に懸垂状に配置されている。これにより、
第1ウェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602のメンテナンススペースを拡
大される。したがって、メンテナンスに要する時間を短縮することができる。
As shown in FIG. 12, in this embodiment, the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 602 are arranged below the arm transfer mechanism 62 in a suspended manner. This will
The maintenance space for the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 602 is enlarged. Therefore, the time required for maintenance can be shortened.

<予備洗浄モジュール>
図27に示すように、洗浄部13の第1洗浄ユニット30aは、複数の洗浄モジュール
311a~314aと同列に配置され、研磨前のウェハWを洗浄する予備洗浄モジュール
39aを更に有しており、洗浄部搬送機構32aは、予備洗浄モジュール39aと各洗浄
モジュール311a~314aとの間にてウェハWを搬送してもよい。図示された例では
、予備洗浄モジュール39aは、第1ウェハステーション33aに対して洗浄モジュール
311a~314aとは逆側に第1ウェハステーション33aに隣接して配置されている
<Pre-cleaning module>
As shown in FIG. 27, the first cleaning unit 30a of the cleaning section 13 further includes a pre-cleaning module 39a arranged in parallel with the plurality of cleaning modules 311a to 314a for cleaning the wafer W before polishing, The cleaning section transport mechanism 32a may transport the wafer W between the preliminary cleaning module 39a and each of the cleaning modules 311a to 314a. In the illustrated example, the preclean module 39a is positioned adjacent to the first wafer station 33a on the opposite side of the first wafer station 33a from the cleaning modules 311a-314a.

同様に、第2洗浄ユニット30bは、複数の洗浄モジュール311b~314bと同列
に配置され、研磨前のウェハWを洗浄する予備洗浄モジュール39aを更に有しており、
洗浄部搬送機構32aは、予備洗浄モジュール39aと各洗浄モジュール311a~31
4aとの間にてウェハWを搬送してもよい。図示されて例では、予備洗浄モジュール39
bは、第2ウェハステーション33bに対して洗浄モジュール311b~314bとは逆
側に第2ウェハステーション33bに隣接して配置されている。
Similarly, the second cleaning unit 30b further has a pre-cleaning module 39a arranged in the same row as the plurality of cleaning modules 311b to 314b and cleaning the wafer W before polishing,
The cleaning unit transport mechanism 32a includes a pre-cleaning module 39a and each of the cleaning modules 311a to 311a.
4a, the wafer W may be transferred. In the example shown, the prewash module 39
b is arranged adjacent to the second wafer station 33b on the opposite side of the second wafer station 33b from the cleaning modules 311b-314b.

予備洗浄モジュール39a、39bは、それぞれ、不図示の洗浄機と、この洗浄機をカ
バーする筐体91とを有している。予備洗浄モジュール39a、39bの洗浄機としては
、例えば、研磨前のウェハWの表面から自然酸化膜を除去するウェットエッチング装置、
または研磨前のウェハWの表面からスクラッチの原因になる粗大粒子を除去するバフ研磨
装置を用いることができる。
The pre-cleaning modules 39a and 39b each have a cleaning machine (not shown) and a housing 91 covering the cleaning machine. Examples of cleaning machines for the pre-cleaning modules 39a and 39b include a wet etching device for removing a natural oxide film from the surface of the wafer W before polishing,
Alternatively, a buffing device that removes coarse particles that cause scratches from the surface of the wafer W before polishing can be used.

第2洗浄ユニット30bの予備洗浄モジュール39bへのウェハ搬送動作は、第1洗浄
ユニット30aの予備洗浄モジュール39aへのウェハ搬送動作と同様であるため、以下
、第1洗浄ユニット30aの予備洗浄モジュール39aへのウェハ搬送動作について説明
する。
The wafer transfer operation to the pre-cleaning module 39b of the second cleaning unit 30b is the same as the wafer transfer operation to the pre-cleaning module 39a of the first cleaning unit 30a. The operation of transferring wafers to .

まず、図28Aに示すように、研磨前のウェハWが、搬送部14のスライドステージ4
2により長手方向に沿って搬送され、研磨部12の搬送ロボット23がアクセスできる位
置にて静止される。
First, as shown in FIG. 28A, the wafer W before polishing is placed on the slide stage 4 of the transport section 14.
2, and is stopped at a position accessible by a transfer robot 23 of the polishing section 12. As shown in FIG.

次に、図28Bに示すように、研磨部12の搬送ロボット23により、ウェハWが搬送
部14から取り出される。そして、図28Cに示すように、搬送ロボット23に保持され
たウェハWは、ウェハステーション33aへと受け渡される。
Next, as shown in FIG. 28B , the wafer W is taken out from the transfer section 14 by the transfer robot 23 of the polishing section 12 . Then, as shown in FIG. 28C, the wafer W held by the transfer robot 23 is delivered to the wafer station 33a.

次に、図28Dに示すように、ウェハステーション33a内に位置するウェハWは、洗
浄部搬送機構32aの第1アーム611により保持される。そして、図28Eに示すよう
に、洗浄部搬送機構32aの第2アーム612が先端を上向きに向けられた状態で、アー
ム搬送機構62の駆動により、第1アーム611に把持されたウェハWが第1ウェハステ
ーション33aから予備洗浄モジュール39aへと搬送され、洗浄される。
Next, as shown in FIG. 28D, the wafer W positioned within the wafer station 33a is held by the first arm 611 of the cleaning section transfer mechanism 32a. Then, as shown in FIG. 28E, with the tip of the second arm 612 of the cleaning section transport mechanism 32a facing upward, the arm transport mechanism 62 is driven to move the wafer W gripped by the first arm 611 to the first position. 1 Wafer station 33a is transferred to pre-cleaning module 39a and cleaned.

予備洗浄モジュール39aにて洗浄されたウェハWは、洗浄部搬送機構32aの第1ア
ーム611により再び保持される。そして、図28Cに示すように、第1アーム611に
把持されたウェハWは、アーム搬送機構62の駆動により、予備洗浄モジュール39aか
らウェハステーション33aへと搬送される。そして、図28Bに示すように、研磨部1
2の搬送ロボット23により、ウェハWがウェハステーション33aから取り出され、第
1搬送ユニット24aまたは第2搬送ユニット24bを介して第1研磨ユニット20aま
たは第2研磨ユニット20bへと搬送され、研磨される。
The wafer W cleaned by the preliminary cleaning module 39a is again held by the first arm 611 of the cleaning section transfer mechanism 32a. Then, as shown in FIG. 28C, the wafer W gripped by the first arm 611 is driven by the arm transfer mechanism 62 to be transferred from the preliminary cleaning module 39a to the wafer station 33a. Then, as shown in FIG. 28B, the polishing section 1
2, the wafer W is taken out from the wafer station 33a by the transfer robot 23, transferred to the first polishing unit 20a or the second polishing unit 20b via the first transfer unit 24a or the second transfer unit 24b, and polished. .

より具体的には、予備洗浄モジュール39aおよび1次洗浄モジュール311aがそれ
ぞれ、ウェハWに対してバフパッドを接触させながら、ウェハWとバフパッドを相対運動
させ、ウェハWとバフパッドとの間にスラリを介在させることによりウェハWの表面を研
磨及び/またはスクラビングするバフ処理装置(例えば、特開2016-43471号公
報の図1等に開示されている装置)を有し、2次洗浄モジュール312aが、上下に配置
されたロール状のスポンジを回転させてウェハWの表面および裏面に押し付けてウェハW
の表面および裏面を洗浄するロール型洗浄機(例えば、特開2010-50436号公報
の図32等に開示されている装置)を有し、3次洗浄モジュール313aが、半球状のス
ポンジを回転させながらウェハWに押し付けて洗浄するペンシル型洗浄機(例えば、特開
2000-173966号公報の図10等に開示されている装置)を有し、4次洗浄モジ
ュール314aが、ウェハWを回転させながらウェハWの表面にIPA(イソプロピルア
ルコール)蒸気を吹き付けて乾燥させるIPA乾燥装置(例えば、特開2010-504
36号公報の図33~図39等に開示されている装置)を有している場合には、研磨前の
ウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてバフ処理された後、第1研磨ユニット20a
または第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、次いで、1次洗浄モジュール3
11aにてバフ処理され、2次洗浄モジュール312aにてロール状のスポンジにより洗
浄され、3次洗浄モジュール313aにてペンシル状のスポンジにより洗浄され、4次洗
浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/アンロード部11へと
取り出される。
More specifically, the preliminary cleaning module 39a and the primary cleaning module 311a move the wafer W and the buffing pad relative to each other while bringing the buffing pad into contact with the wafer W, thereby interposing slurry between the wafer W and the buffing pad. It has a buffing device (for example, the device disclosed in FIG. 1 of Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2016-43471) that polishes and/or scrubs the surface of the wafer W by applying A roll-shaped sponge placed in the wafer W is rotated and pressed against the front and back surfaces of the wafer W
has a roll-type washing machine (for example, the apparatus disclosed in FIG. 32 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-50436) for washing the front and back surfaces of the substrate, and the tertiary washing module 313a rotates a hemispherical sponge. The quaternary cleaning module 314a has a pencil-type cleaning machine (for example, the device disclosed in FIG. 10 of Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-173966) that cleans the wafer W by pressing it against the wafer W while rotating it. An IPA drying device that dries by spraying IPA (isopropyl alcohol) vapor on the surface of the wafer W (for example, JP-A-2010-504
36 to 39), the wafer W before polishing is buffed in the pre-cleaning module 39a and then transferred to the first polishing unit 20a.
Alternatively, it is transported to the second polishing unit 20b and polished, and then the primary cleaning module 3
11a, it is washed with a roll-shaped sponge in a secondary washing module 312a, washed with a pencil-shaped sponge in a tertiary washing module 313a, and dried by IPA vapor in a quaternary washing module 314a. , to the load/unload unit 11 .

また、予備洗浄モジュール39aがバフ処理装置を有し、1次洗浄モジュール311a
および2次洗浄モジュール312aがそれぞれロール型洗浄機を有し、3次洗浄モジュー
ル313aがペンシル型洗浄機を有し、4次洗浄モジュール314aがIPA乾燥装置を
有している場合には、研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてバフ処理され
た後、第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、
次いで、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aにて連続してロ
ール状のスポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにてペンシル状のスポン
ジにより洗浄され、4次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロー
ド/アンロード部11へと取り出される。
Further, the preliminary cleaning module 39a has a buffing device, and the primary cleaning module 311a
and the secondary cleaning module 312a each have a roll-type cleaning machine, the tertiary cleaning module 313a has a pencil-type cleaning machine, and the quaternary cleaning module 314a has an IPA dryer. After being buffed in the preliminary cleaning module 39a, the wafer W is transported to the first polishing unit 20a or the second polishing unit 20b and polished,
Next, it is continuously washed with a roll-shaped sponge in the primary washing module 311a and the secondary washing module 312a, washed with a pencil-shaped sponge in the tertiary washing module 313a, and IPA vapor in the quaternary washing module 314a. It is dried and then taken out to the loading/unloading section 11 .

また、予備洗浄モジュール39a、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュ
ール312aがそれぞれロール型洗浄機を有し、3次洗浄モジュール313aがペンシル
型洗浄機を有し、4次洗浄モジュール314aがIPA乾燥装置を有している場合には、
研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュール39aにてロール状のスポンジにより洗浄され
た後、第1研磨ユニット20aまたは第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、
次いで、1次洗浄モジュール311aおよび2次洗浄モジュール312aにて連続してロ
ール状のスポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにてペンシルスポンジに
より洗浄され、4次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/
アンロード部11へと取り出される。
Further, the pre-cleaning module 39a, the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a each have a roll-type cleaning machine, the tertiary cleaning module 313a has a pencil-type cleaning machine, and the quaternary cleaning module 314a has an IPA drying module. If you have a device
The wafer W before polishing is cleaned with a roll-shaped sponge in the pre-cleaning module 39a, then transported to the first polishing unit 20a or the second polishing unit 20b and polished.
Next, it is continuously washed with a roll-shaped sponge in the primary washing module 311a and the secondary washing module 312a, washed with a pencil sponge in the tertiary washing module 313a, and dried by IPA steam in the quaternary washing module 314a. , then load/
It is taken out to the unloading section 11 .

また、予備洗浄モジュール39aおよび1次洗浄モジュール311aがそれぞれロール
型洗浄機を有し、2次洗浄モジュール312aがペンシル型洗浄機を有し、3次洗浄モジ
ュール313aが、ウェハWに向けて洗浄液とガスを高速で噴出させて2流体ジェット流
を生成し高速で噴霧してウェハWを洗浄する2流体ジェット型洗浄機(例えば、特開20
10-238850号公報の図4等に開示されている装置)を有し、4次洗浄モジュール
314aがIPA乾燥装置を有している場合には、研磨前のウェハWは、予備洗浄モジュ
ール39aにてロール状のスポンジにより洗浄された後、第1研磨ユニット20aまたは
第2研磨ユニット20bへと搬送されて研磨され、次いで、1次洗浄モジュール311a
にてロール状のスポンジにより洗浄され、2次洗浄モジュール312aにてペンシル状の
スポンジにより洗浄され、3次洗浄モジュール313aにて2流体ジェット洗浄され、4
次洗浄モジュール314aにてIPA蒸気乾燥され、その後、ロード/アンロード部11
へと取り出される。
Further, the preliminary cleaning module 39a and the primary cleaning module 311a each have a roll-type cleaning machine, the secondary cleaning module 312a has a pencil-type cleaning machine, and the tertiary cleaning module 313a directs the wafer W to the cleaning liquid. A two-fluid jet cleaning machine that jets gas at high speed to generate a two-fluid jet stream and sprays it at high speed to clean the wafer W (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 20
10-238850) and the quaternary cleaning module 314a has an IPA drying device, the wafer W before polishing is placed in the pre-cleaning module 39a. After being cleaned with a roll-shaped sponge, it is transported to the first polishing unit 20a or the second polishing unit 20b and polished, and then the primary cleaning module 311a.
is washed with a roll-shaped sponge in the secondary washing module 312a, washed with a pencil-shaped sponge in the secondary washing module 312a, two-fluid jet washing is performed in the tertiary washing module 313a, and 4
IPA vapor drying in the next cleaning module 314a, then load/unload unit 11
taken out to

<漏液検知部>
図23は、基板処理装置10の下部(ベースフレーム付近)に設けられた漏液検知部1
を示す模式図である。図23に示すように、漏液検知部1は、ドレンポット2と、ドレン
ポット2に向かって傾斜した斜面を有するドレンパン6と、ドレンポット2の底面上に設
置された第1設置型漏液センサ3aと、ドレンパン6の斜面上に設置された第2設置型漏
液センサ3bと、を有している。
<Leakage detector>
FIG. 23 shows the liquid leakage detector 1 provided in the lower part (near the base frame) of the substrate processing apparatus 10.
It is a schematic diagram showing. As shown in FIG. 23 , the liquid leakage detection unit 1 includes a drain pot 2 , a drain pan 6 having a slope inclined toward the drain pot 2 , and a first installation type liquid leakage detector installed on the bottom surface of the drain pot 2 . It has a sensor 3 a and a second installation type liquid leakage sensor 3 b installed on the slope of the drain pan 6 .

第1設置型漏液センサ3aおよび第2設置型漏液センサ3bとしては、例えば光電セン
サが用いられる。第1設置型漏液センサ3aおよび第2設置型漏液センサ3bは、それぞ
れ、漏液を検知すると制御部15に信号を送る。制御部15は、第1設置型漏液センサ3
aから信号を受けると警報を発するようになっており、第2設置型漏液センサ3bから信
号を受けると基板処理装置10の動作を停止するようになっている。
Photoelectric sensors, for example, are used as the first installation type liquid leakage sensor 3a and the second installation type liquid leakage sensor 3b. The first installed type liquid leakage sensor 3a and the second installed type liquid leakage sensor 3b each send a signal to the control unit 15 upon detection of liquid leakage. The control unit 15 controls the first installation type liquid leakage sensor 3
When a signal is received from a, an alarm is issued, and when a signal is received from the second installation type liquid leakage sensor 3b, the operation of the substrate processing apparatus 10 is stopped.

ところで、図24に示すように、従来の漏液検知部200では、2段検知型レベルセン
サを構成するために、ドレンポット202の底面に設置された設置型漏液センサ203a
と、ドレンポット202内に配置されたフロート型漏液センサ203bとが用いられてい
た。フロート型漏液センサ203bは、その構造上、漏液を検知するために上下方向の動
きを必要とする。そのため、ドレンポット202にはある程度の深さが必要であり、ドレ
ンポット202の底面は、基板処理装置のベースフレームの下面205より下方に突き出
ていた。この場合、基板処理装置の移動時にフォークリフトのフォークがドレンポット2
02の底面に当接して持ち上げようとすることで、ドレンポット202が破損してしまう
可能性があった。
By the way, as shown in FIG. 24, in the conventional liquid leakage detection unit 200, an installation type liquid leakage sensor 203a installed on the bottom surface of the drain pot 202 is used to form a two-stage detection type level sensor.
and a float-type liquid leakage sensor 203b arranged in the drain pot 202 were used. Due to its structure, the float-type liquid leakage sensor 203b requires vertical movement in order to detect liquid leakage. Therefore, the drain pot 202 must have a certain depth, and the bottom surface of the drain pot 202 protrudes below the bottom surface 205 of the base frame of the substrate processing apparatus. In this case, when the substrate processing apparatus is moved, the fork of the forklift is pulled into the drain pot 2 .
There was a possibility that the drain pot 202 would be damaged by contacting the bottom surface of the 02 and trying to lift it.

また、図24に示すように、従来の漏液検知部200では、ドレンポット202が破損
した場合に容易に交換できるように、ドレンポット202はドレンパン206とは別体に
形成されていた。そのため、ドレンポット202とドレンパン206との間から漏液が生
じる可能性があった。
Further, as shown in FIG. 24, in the conventional liquid leakage detector 200, the drain pot 202 is formed separately from the drain pan 206 so that the drain pot 202 can be easily replaced when it is damaged. Therefore, there is a possibility that liquid leakage occurs between the drain pot 202 and the drain pan 206 .

一方、図23に示すように、本実施の形態では、2段検知型レベルセンサが2つの設置
型漏液センサ3a、3bを用いて構成されている。そのため、ドレンポット2の深さを浅
くすることが可能であり、ドレンポット2の底面は、基板処理装置10のベースフレーム
の下面5より上方に配置され得る。これにより、基板処理装置10の移動時にフォークリ
フトのフォークによりドレンポット2が破損することが防止される。
On the other hand, as shown in FIG. 23, in the present embodiment, a two-stage detection level sensor is constructed using two installation type leakage sensors 3a and 3b. Therefore, the depth of the drain pot 2 can be made shallow, and the bottom surface of the drain pot 2 can be arranged above the bottom surface 5 of the base frame of the substrate processing apparatus 10 . This prevents the drain pot 2 from being damaged by the fork of the forklift when the substrate processing apparatus 10 is moved.

また、本実施の形態では、ドレンポット2の深さを浅くできることから、ドレンポット
2をドレンパン6と一体に成形することが可能である。この場合、ドレンポット2とドレ
ンパン6との間からの漏液が生じることを防止できる。
Further, in the present embodiment, since the depth of the drain pot 2 can be made shallow, it is possible to integrally mold the drain pot 2 and the drain pan 6 . In this case, leakage from between the drain pot 2 and the drain pan 6 can be prevented.

図25は、漏液検知部1の変形例を示す模式図である。この変形例では、ドレンポット
2の底面の中央部分が1段高くなっており、第2設置型漏液センサ3bは、この1段高く
なった部分に設定されている。このような態様によれば、図23に示す態様と同様の作用
効果が得られることに加えて、ドレンポット2の底面がリング形状となるため、ドレンポ
ット2の深さを浅くしながら容積を大きくできる。
FIG. 25 is a schematic diagram showing a modification of the liquid leakage detector 1. As shown in FIG. In this modification, the central portion of the bottom surface of the drain pot 2 is raised by one step, and the second installation type liquid leakage sensor 3b is set in this raised portion. According to this aspect, in addition to obtaining the same effects as those of the aspect shown in FIG. We can make it big.

また、図26に示す変形例のように、ドレンポット2の底面が中央部分に向かって2段
階で徐々に高くなっており、底面より1段高くなった部分に第2設置型漏液センサ3bが
設置され、それより更に1段高くなった部分に第3設置型漏液センサ3cが設置されてい
てもよい。このような態様によれば、3段階のレベルで漏液を検知することが可能である
。同様にして、段数を4段以上に増やしてもよい。
As in the modification shown in FIG. 26, the bottom surface of the drain pot 2 gradually rises in two steps toward the central portion, and the second installation type liquid leakage sensor 3b is located at a portion higher than the bottom surface by one step. may be installed, and the third installation type liquid leakage sensor 3c may be installed at a portion one step higher than that. According to this aspect, it is possible to detect liquid leakage at three levels. Similarly, the number of stages may be increased to four or more.

<基板処理装置を用いた研磨処理>
次に、このような構成からなる基板処理装置10を用いてウェハWを研磨する処理の一
例について説明する。なお、以下に説明する研磨処理は、制御部15がロード/アンロー
ド部11、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14の動作を制御することにより行わ
れる。
<Polishing process using substrate processing apparatus>
Next, an example of processing for polishing the wafer W using the substrate processing apparatus 10 having such a configuration will be described. The polishing process described below is performed by controlling the operations of the load/unload section 11, the polishing section 12, the cleaning section 13, and the transport section 14 by the control section 15. FIG.

まず、図16Aに示すように、フロントロード部113のウェハカセットから研磨前の
ウェハWは、ロード/アンロード部11の搬送ロボット111により取り出されて、搬送
部14の搬入口41aと対向する位置まで移動される。次いで、図16Bに示すように、
搬送部14の搬入口41aが開けられた後、搬送ロボット111に保持されたウェハWは
、搬入口41aからカバー41の内側へと挿入され、スライドステージ42上に載せられ
て支持される。
First, as shown in FIG. 16A, the unpolished wafer W is taken out from the wafer cassette of the front loading section 113 by the transfer robot 111 of the loading/unloading section 11, and placed at a position facing the inlet 41a of the transfer section 14. is moved to Then, as shown in FIG. 16B,
After the loading port 41a of the transport unit 14 is opened, the wafer W held by the transport robot 111 is inserted into the cover 41 through the loading port 41a and placed on the slide stage 42 to be supported.

次に、図16Cに示すように、ウェハWを保持するスライドステージ42は、ステージ
移動機構43から与えられる動力により、長手方向に沿って搬出口41bと対向する位置
まで移動される。そして、搬送部14の搬出口41bが開けられる。このとき、搬送部1
4のカバー41の内側には、排気ダクト44により、搬入口41a側から搬出口41b側
へと流れる気流が形成されている。これにより、研磨部12内のパーティクルが搬送部1
4を通ってロード/アンロード部11内に拡散することが防止される。
Next, as shown in FIG. 16C, the slide stage 42 holding the wafer W is moved along the longitudinal direction by the power given from the stage moving mechanism 43 to a position facing the carry-out port 41b. Then, the outlet 41b of the transport section 14 is opened. At this time, the transport unit 1
Inside the cover 41 of 4, an air flow is formed by the exhaust duct 44 to flow from the carry-in port 41a side to the carry-out port 41b side. As a result, the particles in the polishing section 12 are transferred to the conveying section 1
4 into the load/unload section 11 is prevented.

図17Aに示すように、研磨部12の搬送ロボット23のハンド231が、搬送部14
の搬出口41bと同じ高さ位置に位置決めされた状態で、搬送ロボット23のアーム23
2が伸ばされる。アームの先端に支持されたハンド231は、搬出口41bを通ってカバ
ー41の内側へと挿入され、スライドステージ42上に保持されたウェハWの下方に差し
入れられる。次いで、ハンド231が上昇され、ウェハWはスライドステージ42からハ
ンド231へと受け渡される。そして、アーム232が縮められることで、図17Bに示
すように、ハンド231上に保持されたウェハWは、搬送部14から研磨部12へと取り
出される。その後、図17Cに示すように、搬送ロボット23の反転機構234により、
ハンド231がウェハWと一緒に上下反転される。なお、図面において、灰色で塗られた
ウェハWは上下反転されたウェハを示している。
As shown in FIG. 17A, the hand 231 of the transfer robot 23 of the polishing section 12 moves to the transfer section 14.
, the arm 23
2 is stretched. A hand 231 supported at the tip of the arm is inserted into the inside of the cover 41 through the carry-out port 41 b and below the wafer W held on the slide stage 42 . Next, the hand 231 is lifted and the wafer W is transferred from the slide stage 42 to the hand 231 . By contracting the arm 232, the wafer W held on the hand 231 is taken out from the transfer section 14 to the polishing section 12 as shown in FIG. 17B. After that, as shown in FIG. 17C, by the reversing mechanism 234 of the transfer robot 23,
The hand 231 is turned upside down together with the wafer W. In the drawings, wafers W painted in gray indicate wafers that are upside down.

次に、図17Dに示すように、アーム232がロボット本体233の軸線周りに回動さ
れ、ハンド231が第1搬送ユニット24a側に向けられる。そして、アーム232が延
ばされ、ハンド231に保持されたウェハWは、第1搬送ユニット24aへと受け渡され
、第1搬送ユニット24aから第1研磨ユニット20aへと搬送される。なお、第1研磨
ユニット20aが混雑している場合などには、ハンド231に保持されたウェハWは、第
2搬送ユニット24bへと受け渡され、第2搬送ユニット24bから第2研磨ユニット2
0bへと基板が搬入されてもよい。本実施の形態では、搬送部14から研磨部12へと搬
送されてくるウェハWが、搬送ロボット23により第1搬送ユニット24aおよび第2搬
送ユニット24bに振り分けられ、第1搬送ユニット24aから第1研磨ユニット20a
へとウェハWが搬入されるとともに、第2搬送ユニット24bから第2研磨ユニット20
bへとウェハWが搬入される。そのため、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニッ
ト20bは搬入経路を共有しておらず、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット
20bへの基板搬入時の混雑が解消される。したがって、プロセス全体のスループットが
向上する。
Next, as shown in FIG. 17D, the arm 232 is rotated around the axis of the robot body 233, and the hand 231 is directed toward the first transport unit 24a. Then, the arm 232 is extended, and the wafer W held by the hand 231 is transferred to the first transfer unit 24a and transferred from the first transfer unit 24a to the first polishing unit 20a. When the first polishing unit 20a is crowded, the wafer W held by the hand 231 is transferred to the second transfer unit 24b, and transferred from the second transfer unit 24b to the second polishing unit 2.
A substrate may be loaded into 0b. In this embodiment, wafers W transported from transport unit 14 to polishing unit 12 are sorted by transport robot 23 into first transport unit 24a and second transport unit 24b, and transferred from first transport unit 24a to first transport unit 24b. Polishing unit 20a
The wafer W is loaded into the second polishing unit 20 from the second transfer unit 24b.
A wafer W is loaded to b. Therefore, the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b do not share the carrying-in route, and the congestion at the time of carrying the substrates into the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b is eliminated. Therefore, the throughput of the whole process is improved.

第2搬送ユニット24bによるウェハ受け渡し動作は、第1搬送ユニット24aによる
ウェハ受け渡し動作と同様であるため、以下、第1搬送ユニット24aによるウェハ受け
渡し動作について説明する。
Since the wafer transfer operation by the second transfer unit 24b is the same as the wafer transfer operation by the first transfer unit 24a, the wafer transfer operation by the first transfer unit 24a will be described below.

1つのウェハを第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて連続して(シリーズ
で)処理する場合には、図18Aおよび図18Bに示すように、搬送ロボット23に保持
された研磨前の第1ウェハW1は、待機位置L1に配置されたエクスチェンジャ50の第
3ステージ52cに受け渡される。そして、図18Cに示すように、第1ウェハW1を保
持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。
When one wafer is processed continuously (in series) by the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, as shown in FIG. 18A and FIG. The first wafer W1 is delivered to the third stage 52c of the exchanger 50 arranged at the standby position L1. Then, as shown in FIG. 18C, the third stage 52c holding the first wafer W1 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1.

次に、図18Dに示すように、第1プッシャ51aが上昇して第3ステージ52cの内
側を通過し、第3ステージ52c上の第1ウェハW1が第1プッシャ51aにより押し上
げられて第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡される。そして、第1ウェハ
W1が第1研磨装置21aのトップリング25aに吸着保持された後、図18Eに示すよ
うに、第1プッシャ51aが初期高さ位置まで下降する。その後、図18Fに示すように
、第1研磨装置21aの研磨位置にて第1ウェハW1の研磨が行われる(より詳しくは、
図4を参照し、トップリング25aが研磨パッド102a上に図示しない移動手段により
移動され、図示しない昇降手段により研磨パッド102aが、トップリング25aに保持
された第1ウェハW1に当接され、トップリング25aと研磨テーブル101aとの相対
移動により第1ウェハWの研磨が行われる。以下、他の研磨装置の研磨位置でのウェハW
の研磨も同様に行われる)。このとき、第3ステージ52cが第1基板搬送位置TP1か
ら待機位置L1へ移動されるとともに、第2ステージ52bが待機位置L1から第1基板
搬送位置TP1へと移動される。搬送ロボット23は、研磨前の第2ウェハW2を保持す
る。
Next, as shown in FIG. 18D, the first pusher 51a rises and passes inside the third stage 52c, and the first wafer W1 on the third stage 52c is pushed up by the first pusher 51a to perform the first polishing. It is delivered to the top ring 25a of the device 21a. After the first wafer W1 is sucked and held by the top ring 25a of the first polishing device 21a, the first pusher 51a descends to the initial height position as shown in FIG. 18E. Thereafter, as shown in FIG. 18F, the first wafer W1 is polished at the polishing position of the first polishing device 21a (more specifically,
Referring to FIG. 4, the top ring 25a is moved onto the polishing pad 102a by a moving means (not shown), and the polishing pad 102a is brought into contact with the first wafer W1 held by the top ring 25a by an elevating means (not shown). The first wafer W is polished by relative movement between the ring 25a and the polishing table 101a. Below, the wafer W at the polishing position of another polishing apparatus
polishing is performed in the same way). At this time, the third stage 52c is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and the second stage 52b is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. The transfer robot 23 holds the second wafer W2 before polishing.

第1研磨装置21aでの第1ウェハW1の研磨が終了した後、図18Gに示すように、
第1プッシャ51aが上昇して、研磨された第1ウェハW1を第1研磨装置21aのトッ
プリング25aから受け取る。そして、図18Hに示すように、第1プッシャ51aが下
降して第2ステージ52bを通過し、第1プッシャ51a上の第1ウェハW1が第2ステ
ージ52bに受け渡される。第2ステージ52bに保持された第1ウェハW1は、第1基
板搬送位置TP1において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。また、搬送ロボ
ット23に保持された研磨前の第2ウェハW2は、待機位置L1に配置された第3ステー
ジ52cに受け渡される。
After finishing the polishing of the first wafer W1 in the first polishing device 21a, as shown in FIG. 18G,
The first pusher 51a rises to receive the polished first wafer W1 from the top ring 25a of the first polishing device 21a. Then, as shown in FIG. 18H, the first pusher 51a descends to pass through the second stage 52b, and the first wafer W1 on the first pusher 51a is delivered to the second stage 52b. The first wafer W1 held on the second stage 52b is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the first substrate transfer position TP1. Further, the second wafer W2 before polishing held by the transfer robot 23 is transferred to the third stage 52c arranged at the standby position L1.

次に、図18Iに示すように、第1ウェハW1を保持する第2ステージ52bが、第1
基板搬送位置TP1から第2搬送位置TP2へと移動されるのと同時に、第2ウェハW2
を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動され
る。このように、それぞれウェハW1、W2を保持する2つのステージ52b、52cが
互いに逆向きに交差するように移動できるため、プロセスのスループットが向上する。
Next, as shown in FIG. 18I, the second stage 52b holding the first wafer W1 moves to the first stage.
At the same time when the substrate transfer position TP1 is moved to the second transfer position TP2, the second wafer W2
is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. In this way, the two stages 52b and 52c holding the wafers W1 and W2 can be moved in opposite directions so as to intersect each other, thereby improving the throughput of the process.

次に、図18Jに示すように、第2プッシャ51bが上昇して第2ステージ52bの内
側を通過し、第2ステージ52b上の第1ウェハW1が第2プッシャ51bにより押し上
げられて第2研磨装置21bのトップリング25bに受け渡される。また、第1プッシャ
51aが上昇して第3ステージ52cの内側を通過し、第3ステージ52c上の第2ウェ
ハW2が第1プッシャ51aにより押し上げられて第1研磨装置21aのトップリング2
5aに受け渡される。そして、図18Kに示すように、第1ウェハW1が第2研磨装置2
1bのトップリング25bに吸着保持された後、第2プッシャ51bが初期高さ位置まで
下降する。また、第2ウェハW2が第1研磨装置21aのトップリング25aに吸着保持
された後、第1プッシャ51aが初期高さ位置まで下降する。
Next, as shown in FIG. 18J, the second pusher 51b rises and passes inside the second stage 52b, and the first wafer W1 on the second stage 52b is pushed up by the second pusher 51b to perform the second polishing. It is delivered to the top ring 25b of the device 21b. In addition, the first pusher 51a rises and passes inside the third stage 52c, and the second wafer W2 on the third stage 52c is pushed up by the first pusher 51a, and the top ring 2 of the first polishing device 21a is pushed up.
5a. Then, as shown in FIG. 18K, the first wafer W1 is transferred to the second polishing apparatus 2.
After being sucked and held by the top ring 25b of 1b, the second pusher 51b descends to the initial height position. Also, after the second wafer W2 is sucked and held by the top ring 25a of the first polishing device 21a, the first pusher 51a descends to the initial height position.

その後、図18Lに示すように、第2研磨装置21bにて第1ウェハW1の更なる研磨
が行われるとともに、第1研磨装置21aにて第2ウェハW2の研磨が行われる。このと
き、第3ステージ52cが第1基板搬送位置TP1から待機位置L1へ移動されるととも
に、第2ステージ52bが第2基板搬送位置TP2から第1基板搬送位置TP1へと移動
される。また、第1ステージ52aが待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へと移動
される。搬送ロボット23は、研磨前の第3ウェハW3を保持する。
Thereafter, as shown in FIG. 18L, the first wafer W1 is further polished by the second polishing device 21b, and the second wafer W2 is polished by the first polishing device 21a. At this time, the third stage 52c is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and the second stage 52b is moved from the second substrate transfer position TP2 to the first substrate transfer position TP1. Also, the first stage 52a is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2. The transfer robot 23 holds the third wafer W3 before polishing.

第2研磨装置21bでの第1ウェハW1の研磨が終了した後、図18Mに示すように、
第2プッシャ51bが上昇して、研磨された第1ウェハW1を第2研磨装置21bのトッ
プリング25bから受け取る。また、第1研磨装置21aでの第2ウェハW2の研磨が終
了した後、第1プッシャ51aが上昇して、研磨された第2ウェハW2を第1研磨装置2
1aのトップリング25aから受け取る。
After finishing the polishing of the first wafer W1 in the second polishing device 21b, as shown in FIG. 18M,
The second pusher 51b rises to receive the polished first wafer W1 from the top ring 25b of the second polishing device 21b. Further, after the polishing of the second wafer W2 in the first polishing device 21a is completed, the first pusher 51a is raised to push the polished second wafer W2 to the first polishing device 2.
It is received from the top ring 25a of 1a.

そして、図18Nに示すように、第2プッシャ51bが下降して第1ステージ52aを
通過し、第2プッシャ51b上の第1ウェハW1が第1ステージ52aに受け渡される。
第1ステージ52aに保持された第1ウェハW1は、第2基板搬送位置TP2において洗
浄ノズル(図示しない)により洗浄される。また、第1プッシャ51aが下降して第2ス
テージ52bを通過し、第1プッシャ51a上の第2ウェハW2が第2ステージ52bに
受け渡される。第2ステージ52bに保持された第2ウェハW2は、第1基板搬送位置T
P1において洗浄ノズル(図示しない)により洗浄される。搬送ロボット23に保持され
た研磨前の第3ウェハW3は、待機位置L1に配置された第3ステージ52cに受け渡さ
れる。
Then, as shown in FIG. 18N, the second pusher 51b descends to pass through the first stage 52a, and the first wafer W1 on the second pusher 51b is delivered to the first stage 52a.
The first wafer W1 held on the first stage 52a is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the second substrate transfer position TP2. Also, the first pusher 51a descends to pass through the second stage 52b, and the second wafer W2 on the first pusher 51a is delivered to the second stage 52b. The second wafer W2 held on the second stage 52b is moved to the first substrate transfer position T
It is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at P1. The unpolished third wafer W3 held by the transfer robot 23 is transferred to the third stage 52c arranged at the standby position L1.

次に、図18Оに示すように、第1ウェハW1を保持する第1ステージ52aは、第2
基板搬送位置TP2から待機位置L1へと移動され、第1ステージ52aに保持された第
1ウェハW1は、搬送ロボット23により第1ステージ52a上から取り出される。一方
、第2ウェハW2を保持する第2ステージ52bは、第2研磨装置21bでの研磨処理の
ために、第1基板搬送位置TP1から第2基板搬送位置TP2へ移動される。同時に、第
3ウェハW3を保持する第3ステージ52cは、第1研磨装置21bでの研磨処理のため
に、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。
Next, as shown in FIG. 18O, the first stage 52a holding the first wafer W1 is moved to the second stage.
The first wafer W1 moved from the substrate transfer position TP2 to the standby position L1 and held on the first stage 52a is taken out from the first stage 52a by the transfer robot . On the other hand, the second stage 52b holding the second wafer W2 is moved from the first substrate transfer position TP1 to the second substrate transfer position TP2 for polishing processing by the second polishing device 21b. At the same time, the third stage 52c holding the third wafer W3 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1 for polishing processing in the first polishing device 21b.

2つのウェハを第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて並行して(パラレル
で)処理する場合には、図19Aおよび図19Bに示すように、搬送ロボット23に保持
された研磨前の第1ウェハW1は、待機位置L1に配置されたエクスチェンジャ50の第
3ステージ52cに受け渡される。そして、図19Cに示すように、第1ウェハW1を保
持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。
When two wafers are processed in parallel by the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, as shown in FIGS. The first wafer W1 is delivered to the third stage 52c of the exchanger 50 arranged at the standby position L1. Then, as shown in FIG. 19C, the third stage 52c holding the first wafer W1 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1.

次に、図19Dに示すように、第1プッシャ51aが上昇して第3ステージ52cの内
側を通過し、第3ステージ52c上の第1ウェハW1が第1プッシャ51aにより押し上
げられて第1研磨装置21aのトップリング25aに受け渡される。そして、第1ウェハ
W1が第1研磨装置21aのトップリング25aに吸着保持された後、図19Eに示すよ
うに、第1プッシャ51aが初期高さ位置まで下降する。搬送ロボット23は、研磨前の
第2ウェハW2を保持する。
Next, as shown in FIG. 19D, the first pusher 51a rises to pass inside the third stage 52c, and the first wafer W1 on the third stage 52c is pushed up by the first pusher 51a to perform the first polishing. It is delivered to the top ring 25a of the device 21a. After the first wafer W1 is sucked and held by the top ring 25a of the first polishing device 21a, the first pusher 51a is lowered to the initial height position as shown in FIG. 19E. The transfer robot 23 holds the second wafer W2 before polishing.

その後、図19Fに示すように、第1研磨装置21aにて第1ウェハW1の研磨が行わ
れる。このとき、第3ステージ52cが第1基板搬送位置TP1から待機位置L1へ移動
されるとともに、第2ステージ52bが待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へと移
動される。搬送ロボット23に保持された研磨前の第2ウェハW2は、待機位置L1に配
置された第3ステージ52cに受け渡される。そして、図19Gに示すように、第2ウェ
ハW2を保持する第3ステージ52cは、待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へと
移動される。
After that, as shown in FIG. 19F, the first wafer W1 is polished by the first polishing device 21a. At this time, the third stage 52c is moved from the first substrate transfer position TP1 to the standby position L1, and the second stage 52b is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. The second wafer W2 before polishing held by the transfer robot 23 is delivered to the third stage 52c arranged at the standby position L1. Then, as shown in FIG. 19G, the third stage 52c holding the second wafer W2 is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2.

ところで、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにてパラレル処理する場合で
あっても、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにてシリーズ処理する場合と同
様に、第2ステージ52bを用いて第1研磨装置21aからのウェハ受取りを行うととも
に、同じ第2ステージ52bを用いて第2研磨装置21bへのウェハ受け渡しを行うこと
も可能である。しかしながら、この場合、図31に示すように、第1研磨装置21aから
のウェハ受取り時にトラブルが発生して第2ステージ52bを使用できなくなると、これ
に引きずられて、第2研磨装置21bへのウェハ受け渡しまでできなくなる(デッドロッ
クが発生する)。
By the way, even when the parallel processing is performed by the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, the second stage 52b is set to It is also possible to use the second stage 52b to receive wafers from the first polishing apparatus 21a and transfer the wafers to the second polishing apparatus 21b using the same second stage 52b. However, in this case, as shown in FIG. 31, if a trouble occurs when the wafer is received from the first polishing device 21a and the second stage 52b becomes unusable, it will be dragged by this and the second stage 52b will be transferred to the second polishing device 21b. Wafer delivery becomes impossible (deadlock occurs).

一方、本実施の形態では、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて並行して
ウェハを研磨する場合には、同じ第3ステージ52cを用いて第1研磨装置21a及び第
2研磨装置21bの両方へのウェハ受け渡しを行い、第2ステージ52bおよび第1ステ
ージ52aがそれぞれ第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bからのウェハ受取り
専用とされているため、第1研磨装置21aからのウェハ受取り時にトラブルが発生して
第2ステージ52bを使用できなくなっても、第2研磨装置21bへのウェハ受け渡しを
継続して行うことが可能である(デッドロックが発生しない)。
On the other hand, in the present embodiment, when wafers are polished in parallel by the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, the same third stage 52c is used to polish the first polishing device 21a and the second polishing device 21b. 21b, and the second stage 52b and the first stage 52a are dedicated to receiving wafers from the first polishing apparatus 21a and the second polishing apparatus 21b, respectively. Even if trouble occurs during wafer reception and the second stage 52b cannot be used, the wafer can be continuously transferred to the second polishing device 21b (no deadlock occurs).

次に、図19Hに示すように、第2プッシャ51bが上昇して第3ステージ52cの内
側を通過し、第3ステージ52c上の第2ウェハW2が第2プッシャ51bにより押し上
げられて第2研磨装置21bのトップリング25bに受け渡される。そして、第2ウェハ
W2が第2研磨装置21bのトップリング25bに吸着保持された後、図19Iに示すよ
うに、第2プッシャ51bが初期高さ位置まで下降する。搬送ロボット23は、研磨前の
第3ウェハW3を保持する。
Next, as shown in FIG. 19H, the second pusher 51b rises and passes inside the third stage 52c, and the second wafer W2 on the third stage 52c is pushed up by the second pusher 51b to perform the second polishing. It is delivered to the top ring 25b of the device 21b. After the second wafer W2 is sucked and held by the top ring 25b of the second polishing device 21b, the second pusher 51b descends to the initial height position as shown in FIG. 19I. The transfer robot 23 holds the third wafer W3 before polishing.

その後、図19Jに示すように、第2研磨装置21bにて第2ウェハW2の研磨が行わ
れる。このとき、第3ステージ52cが第2基板搬送位置TP2から待機位置L1へ移動
されるとともに、第1ステージ52aが待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へと移
動される。搬送ロボット23に保持された研磨前の第3ウェハW3は、待機位置L1に配
置された第3ステージ52cに受け渡される。
Thereafter, as shown in FIG. 19J, the second wafer W2 is polished by the second polishing device 21b. At this time, the third stage 52c is moved from the second substrate transfer position TP2 to the standby position L1, and the first stage 52a is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2. The unpolished third wafer W3 held by the transfer robot 23 is transferred to the third stage 52c arranged at the standby position L1.

第2研磨装置21bでの研磨が終了する前に第1研磨装置21aでの研磨が終了したら
、図19Kに示すように、第1プッシャ51aが上昇して、研磨された第1ウェハW1を
第1研磨装置21aのトップリング25aから受け取る。そして、図19Lに示すように
、第1プッシャ51aが下降して第2ステージ52bを通過し、第1プッシャ51a上の
第1ウェハW1が第2ステージ52bに受け渡される。第2ステージ52bに保持された
第1ウェハW1は、第1基板搬送位置TP1において洗浄ノズル(図示しない)により洗
浄される。
When the polishing by the first polishing device 21a is completed before the polishing by the second polishing device 21b is completed, the first pusher 51a is raised to move the polished first wafer W1 to the first wafer W1 as shown in FIG. 19K. 1 received from the top ring 25a of the polishing device 21a. Then, as shown in FIG. 19L, the first pusher 51a descends to pass through the second stage 52b, and the first wafer W1 on the first pusher 51a is delivered to the second stage 52b. The first wafer W1 held on the second stage 52b is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the first substrate transfer position TP1.

次に、図19Mに示すように、第1ウェハW1を保持する第2ステージ52bが、第1
基板搬送位置TP1から待機位置L1へと移動されるのと同時に、第3ウェハW3を保持
する第3ステージ52cは、待機位置L1から第1基板搬送位置TP1へ移動される。第
2ステージ52bに保持された第1ウェハW1は、待機位置L1にて搬送ロボット23に
より第2ステージ52b上から取り出される。
Next, as shown in FIG. 19M, the second stage 52b holding the first wafer W1 moves to the first stage.
Simultaneously with the movement from the substrate transfer position TP1 to the standby position L1, the third stage 52c holding the third wafer W3 is moved from the standby position L1 to the first substrate transfer position TP1. The first wafer W1 held on the second stage 52b is taken out from the second stage 52b by the transfer robot 23 at the waiting position L1.

一方、第1研磨装置21aでの研磨が終了する前に第2研磨装置21bでの研磨が終了
したら、図19Nに示すように、第2プッシャ51bが上昇して、研磨された第2ウェハ
W2を第2研磨装置21bのトップリング25bから受け取る。そして、図19Oに示す
ように、第2プッシャ51bが下降して第1ステージ52aを通過し、第2プッシャ51
b上の第2ウェハW2が第1ステージ52aに受け渡される。第1ステージ52aに保持
された第2ウェハW2は、第2基板搬送位置TP2において洗浄ノズル(図示しない)に
より洗浄される。
On the other hand, if the polishing by the second polishing device 21b is completed before the polishing by the first polishing device 21a is completed, the second pusher 51b is raised to lift the polished second wafer W2 as shown in FIG. 19N. is received from the top ring 25b of the second polishing device 21b. Then, as shown in FIG. 19O, the second pusher 51b descends to pass the first stage 52a, and the second pusher 51
The second wafer W2 on b is transferred to the first stage 52a. The second wafer W2 held on the first stage 52a is cleaned by a cleaning nozzle (not shown) at the second substrate transfer position TP2.

次に、図19Pに示すように、第2ウェハW2を保持する第1ステージ52aが、第2
基板搬送位置TP2から待機位置L1へと移動されるのと同時に、第3ウェハW3を保持
する第3ステージ52cは、待機位置L1から第2基板搬送位置TP2へ移動される。第
1ステージ52aに保持された第2ウェハW2は、待機位置L1にて搬送ロボット23に
より第1ステージ52a上から取り出される。
Next, as shown in FIG. 19P, the first stage 52a holding the second wafer W2 moves to the second stage.
Simultaneously with the movement from the substrate transfer position TP2 to the standby position L1, the third stage 52c holding the third wafer W3 is moved from the standby position L1 to the second substrate transfer position TP2. The second wafer W2 held on the first stage 52a is taken out from the first stage 52a by the transfer robot 23 at the waiting position L1.

上述した内容の繰り返しになるが、図20Aに示すように、第1ステージ52a上に保
持されたウェハWは、搬送ロボット23のハンド231により第1ステージ52a上から
取り出される。その後、搬送ロボット23の反転機構234により、ハンド231がウェ
ハWと一緒に上下反転される。
As described above, the wafer W held on the first stage 52a is taken out from the first stage 52a by the hand 231 of the transfer robot 23, as shown in FIG. 20A. After that, the hand 231 is turned upside down together with the wafer W by the turnover mechanism 234 of the transfer robot 23 .

次に、図20Bに示すように、搬送ロボット23のアーム232がロボット本体233
の軸線周りに回動され、ハンド231が洗浄部13の第1洗浄ユニット30aの第1ウェ
ハステーション33a側に向けられる。そして、図20Cに示すように、アーム232が
延ばされ、ハンド231に保持されたウェハWは、第1ウェハステーション33aへと受
け渡される。より詳しくは、搬送ロボット23のハンド231が、第1ウェハステーショ
ン33aの搬入口73と同じ高さ位置に位置決めされた状態で、アーム232が延ばされ
、ハンド231に保持されたウェハWは、第1ウェハステーション33aの搬入口73を
通って筐体71の内側へと搬入され、ステージ72上に載せられて支持される。
Next, as shown in FIG. 20B, the arm 232 of the transfer robot 23 moves to the robot main body 233.
, and the hand 231 is directed toward the first wafer station 33 a of the first cleaning unit 30 a of the cleaning section 13 . Then, as shown in FIG. 20C, the arm 232 is extended, and the wafer W held by the hand 231 is transferred to the first wafer station 33a. More specifically, the arm 232 is extended with the hand 231 of the transfer robot 23 positioned at the same height as the loading port 73 of the first wafer station 33a, and the wafer W held by the hand 231 is The wafer is loaded into the housing 71 through the loading port 73 of the first wafer station 33a and placed on the stage 72 to be supported.

なお、第1洗浄ユニット30aが混雑している場合などには、ハンド231に保持され
たウェハWは、第2洗浄ユニット30aの第2ウェハステーション33bへと受け渡され
てもよい。本実施の形態では、研磨部から洗浄部へと搬送されてくるウェハWが、搬送ロ
ボット23により第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bに振り分けられ
、第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30bにて並行して洗浄される。した
がって、プロセス全体のスループットが向上する。
When the first cleaning unit 30a is crowded, the wafer W held by the hand 231 may be transferred to the second wafer station 33b of the second cleaning unit 30a. In the present embodiment, wafers W transported from the polishing section to the cleaning section are distributed to the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b by the transport robot 23, and the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit Washed in parallel at 30b. Therefore, the throughput of the whole process is improved.

第2洗浄ユニット30bにおけるウェハ洗浄処理は、第1洗浄ユニット30aにおける
ウェハ洗浄処理と同様であるため、以下、第1洗浄ユニット30aにおけるウェハ洗浄処
理について説明する。
Since the wafer cleaning process in the second cleaning unit 30b is the same as the wafer cleaning process in the first cleaning unit 30a, the wafer cleaning process in the first cleaning unit 30a will be described below.

図21Aに示すように、まず、一対の第1アーム611および一対の第2アーム612
がそれぞれ先端を上向きに向けられた状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウ
ェハ把持機構601および第2ウェハ把持機構602が第1洗浄モジュール311a~3
14aの配列方向に沿って移動され、一対の第1アーム611が第1ウェハステーション
33aに隣接する待機位置にて静止される。そして、第1回動機構631の駆動により、
一対の第1アーム611は回転軸631Aを中心として回動され、一対の第1アーム61
1の先端は横向きに向けられる。第1ウェハステーション33aのシャッタが退避されて
アーム通過用開口74が開けられた後、一対の第1アーム611がアーム通過用開口74
を通って第1ウェハステーション33aの内側に挿入され、ステージ72上に保持された
ウェハWを把持する。ウェハWが一対の第1アーム611に把持された後、ステージ72
は下方に退避される。
As shown in FIG. 21A, first, a pair of first arms 611 and a pair of second arms 612
are directed upward, arm transfer mechanism 62 drives first wafer gripping mechanism 601 and second wafer gripping mechanism 602 to first cleaning modules 311a-311a-3.
14a, and the pair of first arms 611 are stopped at the standby position adjacent to the first wafer station 33a. Then, by driving the first rotating mechanism 631,
The pair of first arms 611 are rotated around the rotation shaft 631A, and the pair of first arms 61
The tip of 1 is oriented sideways. After the shutter of the first wafer station 33a is retracted and the arm passage opening 74 is opened, the pair of first arms 611 moves toward the arm passage opening 74.
, and the wafer W held on the stage 72 is gripped inside the first wafer station 33a. After the wafer W is gripped by the pair of first arms 611, the stage 72
is retracted downwards.

次に、図21Bに示すように、1次洗浄モジュール311aのシャッタ97が退避され
てアーム通過用開口94が開けられた後、ハンド搬送機構62の駆動により、第1ウェハ
把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの
配列方向に沿って移動され、一対の第1アーム611に把持されたウェハWは、第1ウェ
ハステーション33aから1次洗浄モジュール311aへと搬送され、1次洗浄モジュー
ル311aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第1アーム611が1次洗浄モジュ
ール311aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97によ
り閉じられ、1次洗浄モジュール311aの洗浄機にてウェハWの洗浄が行われる。
Next, as shown in FIG. 21B, after the shutter 97 of the primary cleaning module 311a is retracted to open the arm passage opening 94, the hand transport mechanism 62 is driven to drive the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the direction in which the cleaning modules 311a to 314a are arranged, and the wafer W gripped by the pair of first arms 611 is transferred from the first wafer station 33a to the primary cleaning module 311a. It is delivered to the washing machine of the next washing module 311a. Next, after the pair of first arms 611 are brought out of the housing 91 of the primary cleaning module 311a, the arm passage opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is washed by the cleaning machine of the primary cleaning module 311a. cleaning is performed.

1次洗浄モジュール311aでの洗浄処理が終了した後、シャッタ97が退避されてア
ーム通過用開口94が開けられる。一対の第1アーム611がアーム通過用開口94を通
って1次洗浄モジュール311aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄されたウ
ェハWを把持する。
After the cleaning process in the primary cleaning module 311a is completed, the shutter 97 is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG. A pair of first arms 611 are inserted into the housing 91 of the primary cleaning module 311a through the arm passage openings 94 to grip the wafer W cleaned by the cleaning machine.

次に、図21Cに示すように、2次洗浄モジュール312aのシャッタ97が退避され
てアーム通過用開口94が開けられた後、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ
把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの
配列方向に沿って移動され、一対の第1アーム611に把持されたウェハWは、1次洗浄
モジュール311aから2次洗浄モジュール312aへと搬送され、2次洗浄モジュール
312aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第1アーム611が2次洗浄モジュー
ル312aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により
閉じられ、2次洗浄モジュール312aの洗浄機にてウェハWの洗浄が行われる。
Next, as shown in FIG. 21C, after the shutter 97 of the secondary cleaning module 312a is retracted to open the arm passage opening 94, the arm transfer mechanism 62 is driven to drive the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the direction in which the cleaning modules 311a to 314a are arranged, and the wafer W gripped by the pair of first arms 611 is transferred from the primary cleaning module 311a to the secondary cleaning module 312a. It is delivered to the washer of the next washing module 312a. Next, after the pair of first arms 611 are brought out of the housing 91 of the secondary cleaning module 312a, the arm passing opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is washed by the cleaning machine of the secondary cleaning module 312a. cleaning is performed.

次に、図21Dに示すように、第1回動機構631の駆動により、一対の第1アーム6
11は回転軸631Aを中心として回動され、一対の第1アーム611の先端は上向きに
向けられる。そして、一対の第1アーム611および一対の第2アーム612がそれぞれ
先端を上向きに向けられた状態で、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ把持機
構601および第2ウェハ把持機構602が第1洗浄モジュール311a~314aの配
列方向に沿って移動され、一対の第2アーム612が第2洗浄モジュール312aに隣接
する待機位置にて静止される。第2回動機構632の駆動により、一対の第2アーム61
2は回転軸632Aを中心として回動され、一対の第2アーム612の先端は横向きに向
けられる。
Next, as shown in FIG. 21D, by driving the first rotating mechanism 631, the pair of first arms 6
11 is rotated around the rotation shaft 631A, and the tips of the pair of first arms 611 are directed upward. With the tip ends of the pair of first arms 611 and the pair of second arms 612 directed upward, the arm transfer mechanism 62 is driven to move the first wafer gripping mechanism 601 and the second wafer gripping mechanism 602 to the second position. The first cleaning modules 311a to 314a are moved along the arrangement direction, and the pair of second arms 612 is stopped at the standby position adjacent to the second cleaning module 312a. By driving the second rotating mechanism 632, the pair of second arms 61
2 is rotated around a rotating shaft 632A, and the tips of the pair of second arms 612 are oriented sideways.

2次洗浄モジュール312aでの洗浄処理が終了した後、シャッタ97が退避されてア
ーム通過用開口94が開けられる。一対の第2アーム612がアーム通過用開口94を通
って2次洗浄モジュール312aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄されたウ
ェハWを把持する。
After the cleaning process in the secondary cleaning module 312a is completed, the shutter 97 is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG. A pair of second arms 612 are inserted into the housing 91 of the secondary cleaning module 312a through the arm passage openings 94 to grip the wafer W cleaned by the cleaning machine.

このように、本実施の形態では、2次洗浄モジュール312aでの洗浄前のウェハWは
一対の第1アーム611により把持されて搬送され、2次洗浄モジュール312aでの洗
浄後のウェハWは一対の第2アーム612により把持されて搬送される。すなわち、2次
洗浄モジュール312aにおいてアームが交換される。これにより、2次洗浄モジュール
312aでの洗浄後のウェハWに一対の第1アーム611が接触して当該ウェハWが汚染
されることを防止できる。
Thus, in this embodiment, the wafers W before being cleaned in the secondary cleaning module 312a are held by the pair of first arms 611 and transported, and the wafers W after being cleaned in the secondary cleaning module 312a are paired. is gripped and conveyed by the second arm 612 of the . That is, the arm is replaced in the secondary cleaning module 312a. This prevents the pair of first arms 611 from coming into contact with the wafer W after cleaning in the secondary cleaning module 312a and the wafer W from being contaminated.

次に、図21Eに示すように、3次洗浄モジュール313aのシャッタ97が退避され
てアーム通過用開口94が開けられた後、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ
把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの
配列方向に沿って移動され、一対の第2アーム612に把持されたウェハWは、2次洗浄
モジュール312aから3次洗浄モジュール313aへと搬送され、3次洗浄モジュール
313aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第2アーム612が3次洗浄モジュー
ル313aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により
閉じられ、3次洗浄モジュール313aの洗浄機にてウェハWの洗浄が行われる。
Next, as shown in FIG. 21E, after the shutter 97 of the tertiary cleaning module 313a is retracted to open the arm passage opening 94, the arm transfer mechanism 62 is driven to drive the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the direction in which the cleaning modules 311a to 314a are arranged, and the wafer W gripped by the pair of second arms 612 is transferred from the secondary cleaning module 312a to the tertiary cleaning module 313a. It is delivered to the washing machine of the next washing module 313a. Next, after the pair of second arms 612 are brought out of the housing 91 of the tertiary cleaning module 313a, the arm passing opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is washed by the cleaning machine of the tertiary cleaning module 313a. cleaning is performed.

3次洗浄モジュール313aでの洗浄処理が終了した後、シャッタ97が退避されてア
ーム通過用開口94が開けられる。一対の第2アーム612がアーム通過用開口94を通
って3次洗浄モジュール313aの筐体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄されたウ
ェハWを把持する。
After the cleaning process in the tertiary cleaning module 313a is completed, the shutter 97 is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG. A pair of second arms 612 are inserted into the housing 91 of the tertiary cleaning module 313a through the arm passage openings 94 to grip the wafer W cleaned by the cleaning machine.

次に、図21Fに示すように、4次洗浄モジュール314aのシャッタ97が退避され
てアーム通過用開口94が開けられた後、アーム搬送機構62の駆動により、第1ウェハ
把持機構601および第2ウェハ把持機構602が洗浄モジュール311a~314aの
配列方向に沿って移動され、一対の第2アーム612に把持されたウェハWは、3次洗浄
モジュール313aから4次洗浄モジュール314aへと搬送され、4次洗浄モジュール
314aの洗浄機に受け渡される。次いで、一対の第2アーム612が4次洗浄モジュー
ル314aの筐体91の外側に出された後、アーム通過用開口94がシャッタ97により
閉じられ、4次洗浄モジュール314aの洗浄機にてウェハWの洗浄及び乾燥が行われる
Next, as shown in FIG. 21F, after the shutter 97 of the quaternary cleaning module 314a is retracted to open the arm passage opening 94, the arm transfer mechanism 62 is driven to drive the first wafer gripping mechanism 601 and the second The wafer gripping mechanism 602 is moved along the direction in which the cleaning modules 311a to 314a are arranged, and the wafer W gripped by the pair of second arms 612 is transferred from the tertiary cleaning module 313a to the quaternary cleaning module 314a. It is delivered to the washer of the next washing module 314a. Next, after the pair of second arms 612 are brought out of the housing 91 of the quaternary cleaning module 314a, the arm passing opening 94 is closed by the shutter 97, and the wafer W is cleaned by the cleaning machine of the quaternary cleaning module 314a. is washed and dried.

4次洗浄モジュール314aでの洗浄及び乾燥処理が終了した後、シャッタ97が退避
されてアーム通過用開口94が開けられる。上述したロード/アンロード部11の搬送ロ
ボット111のハンドがアーム通過用開口94を通って4次洗浄モジュール314aの筐
体91の内側に挿入され、洗浄機にて洗浄され、最後の工程として(例えばスピン)乾燥
処理されたウェハWがロード/アンロード部11へと取り出される。
After the cleaning and drying processes in the quaternary cleaning module 314a are completed, the shutter 97 is retracted to open the arm passage opening 94. As shown in FIG. The hand of the transfer robot 111 of the loading/unloading section 11 described above is inserted through the arm passage opening 94 into the housing 91 of the quaternary cleaning module 314a and cleaned by the cleaning machine. A wafer W that has been dried (for example, spin) is taken out to the load/unload section 11 .

以上のような本実施の形態によれば、洗浄部13が上下二段に配置された第1洗浄ユニ
ット30aおよび第2洗浄ユニット30bを有しているため、複数のウェハWが連続的に
研磨部12から洗浄部13へと搬送されてくる場合であっても、第1洗浄ユニット30a
および第2洗浄ユニット30bにウェハWを振り分けることにより、これら複数のウェハ
Wを並行して洗浄することができる。したがって、プロセス全体のスループットを向上さ
せることができる。
According to the present embodiment as described above, since the cleaning section 13 has the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b arranged in two stages, a plurality of wafers W can be continuously polished. Even when it is transported from the section 12 to the cleaning section 13, the first cleaning unit 30a
and the second cleaning unit 30b, the plurality of wafers W can be cleaned in parallel. Therefore, the throughput of the entire process can be improved.

また、本実施の形態によれば、研磨前のウェハWが搬送部14のスライドステージ42
より研磨部12へと搬送されるため、ロード/アンロード部11に配置された搬送ロボッ
ト111が研磨環境に触れて汚染されることを防止できる。
Further, according to the present embodiment, the wafer W before polishing is placed on the slide stage 42 of the transfer section 14 .
Since the wafer is further transferred to the polishing section 12, it is possible to prevent the transfer robot 111 arranged in the loading/unloading section 11 from coming into contact with the polishing environment and being contaminated.

また、本実施の形態によれば、第1洗浄ユニット30aおよび第2洗浄ユニット30a
は上下二段に配置されており、スライドステージ42が第1洗浄ユニット30aと第2洗
浄ユニット30bとの間に配置されているため、装置全体のフットプリントの増大を抑制
できる。
Further, according to the present embodiment, the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30a
are arranged in two stages, one above the other, and the slide stage 42 is arranged between the first cleaning unit 30a and the second cleaning unit 30b, thereby suppressing an increase in the footprint of the entire apparatus.

また、本実施の形態によれば、研磨部搬送機構22が搬送部14と第1研磨ユニット2
0aおよび第2研磨ユニット20bのそれぞれに隣接するように配置されており、搬送部
14から研磨部12へと搬送されてくるウェハWは、研磨部搬送機構22の搬送ロボット
23により第1搬送ユニット24aおよび第2搬送ユニット24bに振り分けられる。そ
して、第1搬送ユニット24aから第1研磨ユニット20aへとウェハWが搬入されると
ともに、第2搬送ユニット24bから第2研磨ユニット20bへとウェハWが搬入される
。このように、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bはウェハの搬入経
路を共有していないから、第1研磨ユニット20aおよび第2研磨ユニット20bへのウ
ェハ搬入時の混雑が解消される。これにより、プロセス全体のスループットを向上させる
ことができる。
Further, according to the present embodiment, the polishing section transport mechanism 22 is configured to move between the transport section 14 and the first polishing unit 2 .
0a and the second polishing unit 20b are arranged adjacent to each other. 24a and the second transport unit 24b. Then, the wafer W is loaded from the first transport unit 24a to the first polishing unit 20a, and the wafer W is loaded from the second transport unit 24b to the second polishing unit 20b. As described above, since the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b do not share the wafer loading path, congestion during wafer loading into the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b is eliminated. This can improve the throughput of the entire process.

また、本実施の形態によれば、第1洗浄ユニット30aの洗浄モジュール311a~3
14aのいずれかに異常が発生した場合であっても、第1洗浄ユニット30a内に位置す
るウェハWが第2洗浄ユニット30bへと搬送されて洗浄されることで、第1洗浄ユニッ
ト30a内に位置するウェハWを救済することができる。
Further, according to the present embodiment, the cleaning modules 311a-3 of the first cleaning unit 30a
14a, the wafer W positioned in the first cleaning unit 30a is transported to the second cleaning unit 30b and cleaned, so that the wafer W in the first cleaning unit 30a is cleaned. The located wafer W can be rescued.

また、本実施の形態によれば、研磨部12の第1搬送ユニット24aは、搬送ロボット
23から受け取ったウェハWを第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bの各々に搬
送することができる。また、研磨部12の第2搬送ユニット24bは、搬送ロボット23
から受け取ったウェハWを第3研磨装置21cおよび第4研磨装置21dの各々に搬送す
ることができる。例えば、第1搬送ユニット24aの第1ステージ52aが搬送ロボット
23から第1ウェハを受け取って第1基板搬送位置TP1に移動し、第1プッシャ51a
が上昇して第1ステージ52aから第1研磨装置21aへと第1ウェハを受け渡し、第1
ウェハを第1研磨装置21aにて研磨している間に、第2ステージ52bが搬送ロボット
23から第2ウェハを受け取って第2基板搬送位置TP2に移動し、第2プッシャ51b
が上昇して第2ステージ52bから第2研磨装置21bへと第2ウェハを受け渡し、第2
ウェハを第2研磨装置21bにて研磨することができる。このように2枚のウェハを並行
して研磨することで、プロセス全体のスループットを向上させることができる。また、第
1研磨装置21aにてウェハを研磨した後、第1プッシャ51aが下降して第1研磨装置
21aから第2ステージ52bへとその基板を受け渡し、第2ステージ52bが第2基板
搬送位置TP2に移動し、第2プッシャ51bが上昇して第2ステージ52bから第2研
磨装置21bへとウェハを受け渡し、そのウェハを第2研磨装置21bにてさらに連続し
て研磨することも可能である。
Further, according to the present embodiment, the first transfer unit 24a of the polishing section 12 can transfer the wafer W received from the transfer robot 23 to each of the first polishing device 21a and the second polishing device 21b. In addition, the second transport unit 24b of the polishing section 12 has a transport robot 23
can be transferred to each of the third polishing device 21c and the fourth polishing device 21d. For example, the first stage 52a of the first transfer unit 24a receives the first wafer from the transfer robot 23, moves to the first substrate transfer position TP1, and moves the first pusher 51a.
rises to deliver the first wafer from the first stage 52a to the first polishing device 21a,
While the wafer is being polished by the first polishing device 21a, the second stage 52b receives the second wafer from the transfer robot 23, moves to the second substrate transfer position TP2, and the second pusher 51b
rises to deliver the second wafer from the second stage 52b to the second polishing device 21b, and the second
The wafer can be polished in the second polishing device 21b. By polishing two wafers in parallel in this way, the throughput of the entire process can be improved. After the wafer is polished by the first polishing device 21a, the first pusher 51a descends to transfer the substrate from the first polishing device 21a to the second stage 52b. It is also possible to move to TP2, lift the second pusher 51b, transfer the wafer from the second stage 52b to the second polishing device 21b, and further polish the wafer continuously in the second polishing device 21b. .

また、本実施の形態によれば、研磨部12のエクスチェンジャ50が3つのステージ5
2a~52cを有しているため、例えば第1ステージ52aおよび第2ステージ52bの
両方を第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bとのウェハの受け渡しに使用してい
る間に、第3ステージ52cに次のウェハを受け取らせて待機させておくことができる。
これにより、次のウェハに対する研磨処理の開始タイミングを早くすることができ、スル
ープットをさらに向上させることができる。
Further, according to the present embodiment, the exchanger 50 of the polishing section 12 has three stages 5
2a to 52c, for example, while both the first stage 52a and the second stage 52b are used to transfer wafers to and from the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, the third stage 52c can be left waiting to receive the next wafer.
As a result, the start timing of the polishing process for the next wafer can be advanced, and the throughput can be further improved.

また、本実施の形態によれば、第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21bにて並行
して(パラレルに)第1ウェハW1および第2ウェハW2を研磨する場合に、同じ第3ス
テージ52cを用いて第1研磨装置21a及び第2研磨装置21bの両方へのウェハ受け
渡しを行い、第2ステージ52bおよび第1ステージ52aがそれぞれ第1研磨装置21
aおよび第2研磨装置21bからのウェハ受取り専用とされるため、一方の研磨装置21
aからのウェハ受取り時にトラブルが発生したとしても、他方の研磨装置21bへのウェ
ハ受け渡しを継続して行うことができる(デッドロックの発生を回避できる)。
Further, according to the present embodiment, when polishing the first wafer W1 and the second wafer W2 in parallel with the first polishing device 21a and the second polishing device 21b, the same third stage 52c is used. are used to transfer wafers to both the first polishing device 21a and the second polishing device 21b.
a and the second polishing device 21b, so that one polishing device 21
Even if trouble occurs in receiving the wafer from a, the wafer can be continuously transferred to the other polishing apparatus 21b (occurrence of deadlock can be avoided).

また、本実施の形態によれば、各洗浄モジュール311a~314a間にてウェハWを
搬送する洗浄部搬送機構32aが開閉可能な一対のアーム611と回動機構631とを有
しており、回動機構631が一対のアーム611を先端が上向きになるように回動させる
ことができるため、複数の洗浄モジュール311a~314aのうち特定の洗浄モジュー
ルのシャッタ97が閉まっていても、この洗浄モジュールを回避して(スキップして)ア
ーム611を移動させることができる。したがって、この洗浄モジュールを通過するよう
にアーム611を移動させる際に、シャッタ97が開くのを待つ必要がなくなり、プロセ
ス全体のスループットを向上させることができる。
Further, according to the present embodiment, the cleaning unit transport mechanism 32a for transporting the wafer W between the cleaning modules 311a to 314a has a pair of arms 611 that can be opened and closed and a rotating mechanism 631. Since the driving mechanism 631 can rotate the pair of arms 611 so that the tip faces upward, even if the shutter 97 of a specific cleaning module among the plurality of cleaning modules 311a to 314a is closed, this cleaning module can be used. It is possible to avoid (skip) and move the arm 611 . Therefore, there is no need to wait for the shutter 97 to open when moving the arm 611 past this cleaning module, thereby improving the throughput of the overall process.

また、本実施の形態によれば、回動機構631が一対のアーム611を先端が上向きに
なるように回動させる際に、上下移動機構641が一対のアーム611を下降させるため
、一対のアーム611の上方に必要なスペースを削減できる。
In addition, according to the present embodiment, when the rotating mechanism 631 rotates the pair of arms 611 so that the distal ends of the arms 611 are directed upward, the vertical movement mechanism 641 lowers the pair of arms 611 . The space required above 611 can be reduced.

また、本実施の形態によれば、一対のアーム611、612と上下移動機構641、6
42と回動機構631、632とからなる組を2組有しているため、保持すべきウェハの
清浄度に応じて2組のアームを使い分けることができる。例えば、各洗浄モジュールでの
洗浄処理のうち前半の洗浄処理では一方の組のアームを使用し、後半の洗浄処理では他方
の組のアームを使用することで、後半の洗浄処理を受けているウェハが一方の組のアーム
に接して汚染されることを防止できる。
Further, according to this embodiment, the pair of arms 611 and 612 and the vertical movement mechanisms 641 and 6
42 and rotating mechanisms 631 and 632, the two arms can be used according to the cleanliness of the wafers to be held. For example, one set of arms is used in the first half of the cleaning process in each cleaning module, and the other set of arms is used in the second half of the cleaning process. can be prevented from contacting one set of arms and being contaminated.

また、本実施の形態によれば、一対のアーム611には、ウェハの外周部に当接可能な
チャックコマ612a、612bが上下二段に設けられているため、保持すべきウェハの
清浄度に応じてチャックコマ612a、612bを使い分けることができる。例えば、各
洗浄モジュールでの洗浄処理のうち前半の洗浄処理では下段のチャックコマ612bを使
用し、後半の洗浄処理では上段のチャックコマ612aを使用することで、後半の洗浄処
理を受けているウェハが下段のチャックコマ612bに接して汚染されることを防止でき
る。
Further, according to this embodiment, since the pair of arms 611 are provided with chuck pieces 612a and 612b that can come into contact with the outer periphery of the wafer in two stages, the cleanliness of the wafer to be held can be improved. Chuck pieces 612a and 612b can be selectively used depending on the situation. For example, among the cleaning processes in each cleaning module, the lower chucking piece 612b is used in the first half of the cleaning process, and the upper chucking piece 612a is used in the second half of the cleaning process. can be prevented from coming into contact with the lower chuck piece 612b and being contaminated.

また、本実施の形態によれば、一対のアーム611と上下移動機構641と回動機構6
31とを有するウェハ把持機構601がアーム搬送機構62の下方に懸垂状に配置されて
いるため、ウェハ把持機構601のメンテナンススペースを拡大される。したがって、メ
ンテナンスに要する時間を短縮することができる。
Further, according to this embodiment, the pair of arms 611, the vertical movement mechanism 641, and the rotation mechanism 6
31 is suspended below the arm transport mechanism 62, the maintenance space for the wafer gripping mechanism 601 can be expanded. Therefore, the time required for maintenance can be shortened.

また、本実施の形態によれば、研磨前のウェハWを研磨装置12にて研磨する前に、予
備洗浄モジュール39aにて当該ウェハWの表面を洗浄しておくことができる。これによ
り、ウェハWの研磨処理中に粗大粒子を噛み込んでスクラッチが発生するなどのトラブル
を低減できる。
Further, according to the present embodiment, before the wafer W to be polished is polished by the polishing apparatus 12, the surface of the wafer W can be washed by the preliminary washing module 39a. As a result, it is possible to reduce troubles such as the occurrence of scratches due to coarse particles being caught during the polishing process of the wafer W.

なお、上述した実施の形態では、2次洗浄モジュール312aでの洗浄前のウェハWが
一対の第1アーム611により把持されて搬送され、2次洗浄モジュール312aでの洗
浄後のウェハWが一対の第2アーム612により把持されて搬送されたが、これに限定さ
れない。例えば、1次洗浄モジュール311aでの洗浄前のウェハWが一対の第1アーム
611により把持されて搬送され、1次洗浄モジュール311aでの洗浄後のウェハWが
一対の第2アーム612により把持されて搬送されてもよいし、3次洗浄モジュール31
3aでの洗浄前のウェハWが一対の第1アーム611により把持されて搬送され、3次洗
浄モジュール313aでの洗浄後のウェハWが一対の第2アーム612により把持されて
搬送されてもよい。
In the above-described embodiment, the wafer W before being cleaned in the secondary cleaning module 312a is gripped and conveyed by the pair of first arms 611, and the wafer W after cleaning in the secondary cleaning module 312a is held in a pair of Although it is gripped and transported by the second arm 612, it is not limited to this. For example, the wafer W before cleaning in the primary cleaning module 311 a is held by the pair of first arms 611 and transported, and the wafer W after cleaning in the primary cleaning module 311 a is held by the pair of second arms 612 . or the tertiary cleaning module 31
The wafer W before cleaning in 3a may be gripped and transported by the pair of first arms 611, and the wafer W after cleaning in the tertiary cleaning module 313a may be gripped and transported by the pair of second arms 612. .

また、上述した実施の形態では、研磨部12の搬送ユニット(例えば第1搬送ユニット
24a)が、2台の研磨装置(第1研磨装置21aおよび第2研磨装置21b)の各々に
対する2箇所の基板搬送位置(第1基板搬送位置TP1および第2基板搬送位置TP2)
に配置され、上下移動する2台のプッシャ(第1プッシャ51aと第2プッシャ51b)
と、上下2段に配置され、搬送ロボット23に対してウェハWの受け渡しを行う待機位置
L1と2箇所の基板搬送位置TP1、TP2との間を互いに独立に水平移動する少なくと
も2台のステージ(第1ステージ52aおよび第2ステージ52b)を含むエクスチェン
ジャ50と、を有していたが、これに限定されず、研磨部12の搬送ユニットが、M台(
Mは3以上の自然数)の研磨装置の各々に対するM箇所の基板搬送位置に配置され、上下
移動するM台のプッシャと、上下M段に配置され、搬送ロボット23に対してウェハWの
受け渡しを行う待機位置L1とM箇所の基板搬送位置との間を互いに独立に水平移動する
少なくともM台のステージを含むエクスチェンジャ50とを有していてもよい。この場合
、エクスチェンジャ50は、M台のステージに対して上下多段に配置され、待機位置L1
とM箇所の基板搬送位置との間をM台のステージとは独立に水平移動する少なくとも1台
の更なるステージを有していることが好ましい。
Further, in the above-described embodiment, the transfer unit (for example, the first transfer unit 24a) of the polishing section 12 is arranged to transfer two substrates to each of the two polishing devices (the first polishing device 21a and the second polishing device 21b). Transfer position (first substrate transfer position TP1 and second substrate transfer position TP2)
Two pushers (first pusher 51a and second pusher 51b) that are arranged in and move up and down
and at least two stages ( The exchanger 50 includes the first stage 52a and the second stage 52b), but is not limited thereto, and the transport units of the polishing section 12 are M (
(M is a natural number of 3 or more), and are arranged at M substrate transfer positions for each of the polishing apparatuses. An exchanger 50 including at least M stages that horizontally move independently of each other between the standby position L1 and M substrate transfer positions may be provided. In this case, the exchanger 50 is arranged in multiple stages above and below the M stages, and is positioned at the standby position L1.
and M substrate transfer positions independently of the M stages.

なお、上述の実施形態では、ウェハを研磨する研磨装置を例に説明したが、本発明は研
磨装置に限らず他の基板処理装置にも適用できるものである。例えば、複数の研磨ユニッ
トを他の基板処理ユニット(例えば、めっき処理ユニットやCVDユニットなどの成膜処
理ユニット、ウェットエッチングユニットやドライエッチングユニットなど)に置き換え
、研磨装置とは別の基板処理装置を構成してもよい。また、異なる複数の基板処理ユニッ
トを組み合わせ、これらを所定の方向に並べて配置してもよい。
In the above-described embodiments, the polishing apparatus for polishing wafers has been described as an example, but the present invention is applicable not only to the polishing apparatus but also to other substrate processing apparatuses. For example, a plurality of polishing units can be replaced with other substrate processing units (for example, film formation processing units such as plating processing units and CVD units, wet etching units and dry etching units, etc.), and substrate processing devices other than polishing devices can be used. may be configured. Also, a plurality of different substrate processing units may be combined and arranged side by side in a predetermined direction.

これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限
定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言
うまでもない。
Although the preferred embodiments of the present invention have been described so far, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments and may be embodied in various forms within the scope of its technical concept.

10 基板処理装置
11 ロード/アンロード部
12 研磨部
13 洗浄部
14 搬送部
15 制御部
20a 第1研磨ユニット
20b 第2研磨ユニット
21a 第1研磨装置
21b 第2研磨装置
21c 第3研磨装置
21d 第4研磨装置
22 研磨部搬送機構
23 搬送ロボット
231 ハンド
232 アーム
233 ロボット本体
234 反転機構
24a 第1搬送ユニット
24b 第2搬送ユニット
25a~25d トップリング
311a~314a 洗浄モジュール
311b~314b 洗浄モジュール
32a 洗浄部搬送機構
32b 洗浄部搬送機構
33a ウェハステーション
33b ウェハステーション
39a 予備洗浄モジュール
39b 予備洗浄モジュール
330 シャフト
331 ガイドステージ
333 プッシュステージ
337 トップリングガイド
338 上段部
338a テーパ
339a 受け部
339b スプリング
340 ガイドスリーブ
341 センタスリーブ
346 リニアウェイ
347 シリンダ
349 電動アクチュエータ
351 圧縮ばね
41 カバー
41a 搬入口
41b 搬出口
42 スライドステージ
43 ステージ移動機構
44 排気ダクト
50 エクスチェンジャ
51a 第1プッシャ
51b 第2プッシャ
52a 第1ステージ
52a1 ピン
52b 第2ステージ
52c 第3ステージ
601 第1ウェハ把持機構
602 第2ウェハ把持機構
611 第1アーム
612 第2アーム
612a、612b チャックコマ
62 アーム搬送機構
631 第1回動機構
631A 回転軸
632 第2回動機構
632A 回転軸
632L リンク部材
641 第1上下移動機構
642 第2上下移動機構
661 第1開閉機構
662 第2開閉機構
67 奥行方向移動機構
68 メインフレーム
691 第1サブフレーム
692 第2サブフレーム
71 筐体
72 ステージ
73 搬入口
74 アーム通過用開口
75 駆動機構
76 ピン
81 筐体
82 ステージ
83 搬入口
84 アーム通過用開口
85 駆動機構
86 ピン
87 シャッタ
91 筐体
94 アーム通過用開口
97 シャッタ
101 研磨テーブル
102 研磨パッド
103 トップリングシャフト
104 研磨液供給ノズル
10 Substrate Processing Apparatus 11 Loading/Unloading Section 12 Polishing Section 13 Cleaning Section 14 Transfer Section 15 Control Section 20a First Polishing Unit 20b Second Polishing Unit 21a First Polishing Device 21b Second Polishing Device 21c Third Polishing Device 21d Fourth Polishing apparatus 22 Polishing unit transport mechanism 23 Transport robot 231 Hand 232 Arm 233 Robot body 234 Reversing mechanism 24a First transport unit 24b Second transport units 25a to 25d Top rings 311a to 314a Cleaning modules 311b to 314b Cleaning module 32a Cleaning unit transport mechanism 32b cleaning unit transfer mechanism 33a wafer station 33b wafer station 39a preliminary cleaning module 39b preliminary cleaning module 330 shaft 331 guide stage 333 push stage 337 top ring guide 338 upper stage portion 338a taper 339a receiving portion 339b spring 340 guide sleeve 341 center sleeve 346 linear way 347 cylinder 349 electric actuator 351 compression spring 41 cover 41a loading port 41b loading port 42 slide stage 43 stage moving mechanism 44 exhaust duct 50 exchanger 51a first pusher 51b second pusher 52a first stage 52a1 pin 52b second stage 52c third Stage 601 First wafer gripping mechanism 602 Second wafer gripping mechanism 611 First arm 612 Second arms 612a, 612b Chuck piece 62 Arm transfer mechanism 631 First rotating mechanism 631A Rotating shaft 632 Second rotating mechanism 632A Rotating shaft 632L Link Member 641 First vertical movement mechanism 642 Second vertical movement mechanism 661 First opening/closing mechanism 662 Second opening/closing mechanism 67 Depth direction movement mechanism 68 Main frame 691 First sub-frame 692 Second sub-frame 71 Housing 72 Stage 73 Loading port 74 Arm Passage Opening 75 Drive Mechanism 76 Pin 81 Case 82 Stage 83 Loading Port 84 Arm Passage Opening 85 Drive Mechanism 86 Pin 87 Shutter 91 Case 94 Arm Passage Opening 97 Shutter 101 Polishing Table 102 Polishing Pad 103 Top Ring Shaft 104 Polishing liquid supply nozzle

Claims (8)

基板を処理する方法において、
予備処理モジュールにてロール状のスポンジにより、ロード/アンロード部にてウェハカセットから取り出されてから研磨されることなく前記予備処理モジュールへと搬送された前記基板の表面を予備洗浄し、前記予備洗浄モジュールは複数の洗浄モジュールを有する洗浄ユニット内に設けられており、平面視で、前記複数の洗浄モジュールと前記予備洗浄モジュールは直線状に並んで配置されており、かつ、前記予備洗浄モジュールは前記複数の洗浄モジュールに対して前記ウェハカセットとは逆側に配置されており、
前記予備洗浄後、前記基板を研磨ユニットに搬送して、前記基板の前記表面を研磨する、基板処理方法。
In a method of processing a substrate,
Preliminarily cleaning the surface of the substrate that has been taken out from the wafer cassette in the loading/unloading section and transported to the preprocessing module without being polished, using a roll-shaped sponge in the preprocessing module, and The cleaning module is provided in a cleaning unit having a plurality of cleaning modules, the plurality of cleaning modules and the pre-cleaning module are arranged linearly in plan view, and the pre-cleaning module is arranged on the side opposite to the wafer cassette with respect to the plurality of cleaning modules,
The substrate processing method, wherein after the preliminary cleaning, the substrate is transported to a polishing unit, and the surface of the substrate is polished.
前記研磨後、前記基板を前記複数の洗浄モジュールのうちの第1洗浄モジュールに搬送して、前記基板を洗浄する、請求項1に記載の基板処理方法。 2. The substrate processing method according to claim 1, wherein after said polishing, said substrate is transported to a first cleaning module among said plurality of cleaning modules to clean said substrate. 前記第1洗浄モジュールでは、前記基板をロール状のスポンジにより洗浄し、
前記第1洗浄モジュールでの洗浄後、前記複数の洗浄モジュールのうちの第2洗浄モジュールに前記基板を移動させて、前記基板をロール状のスポンジまたはペンシル状のスポンジにより洗浄する、請求項2に記載の基板処理方法。
The first cleaning module cleans the substrate with a roll-shaped sponge,
3. The method according to claim 2, wherein after cleaning in the first cleaning module, the substrate is moved to a second cleaning module among the plurality of cleaning modules, and the substrate is cleaned with a roll-shaped sponge or a pencil-shaped sponge. The substrate processing method described.
前記第2洗浄モジュールでの洗浄は、ロール状のスポンジを用いて、前記基板の洗浄を行う、請求項3に記載の基板処理方法。 4. The substrate processing method according to claim 3, wherein the cleaning in the second cleaning module uses a roll-shaped sponge to clean the substrate. 前記第2洗浄モジュールでの洗浄後、前記複数の洗浄モジュールのうちの第3洗浄モジュールに前記基板を移動させて、前記基板をペンシル状のスポンジまたは二流体ジェット洗浄により洗浄する、請求項3または4に記載の基板処理方法。 4. After cleaning in said second cleaning module, said substrate is moved to a third cleaning module among said plurality of cleaning modules, and said substrate is cleaned with a pencil-shaped sponge or two-fluid jet cleaning. 5. The substrate processing method according to 4. 前記第3洗浄モジュールでの洗浄後、前記複数の洗浄モジュールのうちの第4洗浄モジュールに前記基板を移動させて、前記基板をIPA蒸気乾燥する、請求項5に記載の基板処理方法。 6. The substrate processing method according to claim 5, wherein after cleaning in said third cleaning module, said substrate is moved to a fourth cleaning module among said plurality of cleaning modules, and IPA vapor drying is performed on said substrate. 前記予備処理モジュールでは、ロール状のスポンジにより前記基板の表面および裏面を予備洗浄する、請求項1~6のいずれかに記載の基板処理方法。 7. The substrate processing method according to claim 1, wherein said preprocessing module preliminarily cleans the front and back surfaces of said substrate with a roll-shaped sponge. 複数の洗浄モジュールを有する洗浄ユニットであって、前記洗浄ユニット内には、ロール状のスポンジにより、ロード/アンロード部にてウェハカセットから取り出されてから研磨されることなく予備処理モジュールへと搬送された前記基板の表面を予備洗浄する予備洗浄モジュールが設けられており、平面視で、前記複数の洗浄モジュールと前記予備洗浄モジュールは直線状に並んで配置されており、かつ、前記予備洗浄モジュールは前記複数の洗浄モジュールに対して前記ウェハカセットとは逆側に配置されている、洗浄ユニットと、
前記予備洗浄後、前記基板を研磨ユニットに搬送する研磨部搬送機構と、
前記研磨部搬送機構により研磨ユニットに搬送された前記基板の前記表面を研磨する研磨ユニットと、
を備えた基板処理装置。
A cleaning unit having a plurality of cleaning modules, in which wafers are removed from the wafer cassette by the loading/unloading section and transported to the pretreatment module without being polished by a roll-shaped sponge in the cleaning unit. a pre-cleaning module for pre-cleaning the surface of the substrate that has been coated, the plurality of cleaning modules and the pre-cleaning module are arranged in a straight line in a plan view, and the pre-cleaning module a cleaning unit disposed on the opposite side of the wafer cassette with respect to the plurality of cleaning modules;
a polishing section transport mechanism for transporting the substrate to a polishing unit after the preliminary cleaning;
a polishing unit for polishing the surface of the substrate transported to the polishing unit by the polishing section transport mechanism;
A substrate processing apparatus with
JP2021205018A 2020-06-30 2021-12-17 Substrate processing equipment Active JP7200345B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021205018A JP7200345B2 (en) 2020-06-30 2021-12-17 Substrate processing equipment

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020112458A JP6987184B2 (en) 2016-06-30 2020-06-30 Board processing equipment
JP2021194699A JP7394821B2 (en) 2020-06-30 2021-11-30 Substrate processing equipment
JP2021205018A JP7200345B2 (en) 2020-06-30 2021-12-17 Substrate processing equipment

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021194699A Division JP7394821B2 (en) 2020-06-30 2021-11-30 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022043176A JP2022043176A (en) 2022-03-15
JP7200345B2 true JP7200345B2 (en) 2023-01-06

Family

ID=87884810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021205018A Active JP7200345B2 (en) 2020-06-30 2021-12-17 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7200345B2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020004358A1 (en) 2000-03-17 2002-01-10 Krishna Vepa Cluster tool systems and methods to eliminate wafer waviness during grinding
JP2014167996A (en) 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp Polishing device and polishing method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3362478B2 (en) * 1993-11-05 2003-01-07 富士通株式会社 Wafer polishing apparatus and wafer polishing method
JPH1131674A (en) * 1997-07-10 1999-02-02 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer-cleaning apparatus
JPH11320385A (en) * 1998-05-14 1999-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Polishing method and its device
JP4385390B2 (en) * 1998-10-29 2009-12-16 株式会社東京精密 Wafer chamfering equipment
US7452481B2 (en) * 2005-05-16 2008-11-18 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Polishing slurry and method of reclaiming wafers
JP2007123523A (en) * 2005-10-27 2007-05-17 Ebara Corp Polishing method, polishing device, and electrolytic polishing device
JP5656960B2 (en) * 2012-11-14 2015-01-21 株式会社フジミインコーポレーテッド LPD reducing agent and silicon wafer defect reducing method using the same
JP6445298B2 (en) * 2014-10-09 2018-12-26 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus and processing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020004358A1 (en) 2000-03-17 2002-01-10 Krishna Vepa Cluster tool systems and methods to eliminate wafer waviness during grinding
JP2014167996A (en) 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp Polishing device and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022043176A (en) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102432238B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101106203B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2003309089A (en) Polishing device and substrate treating device
JP2014082470A (en) Substrate processing apparatus
JP6987184B2 (en) Board processing equipment
JP7200345B2 (en) Substrate processing equipment
JP7160725B2 (en) Substrate processing equipment
JP6895341B2 (en) Board processing equipment
JP7564256B2 (en) Substrate Processing Equipment
JP6456133B2 (en) Substrate processing equipment
JP2022072570A (en) Method for determining extraction timing of substrate from cassette in substrate processing apparatus, device, program, and substrate processing apparatus
US20240286245A1 (en) Substrate treatment apparatus and method for treating substrate
TW202437438A (en) Substrate treatment apparatus and method for treating substrate
WO2017170191A1 (en) Conveyance apparatus, cleaning apparatus, and substrate conveying method
JP2017188642A (en) Transfer device, cleaning device and substrate transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211217

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20211217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221221

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7200345

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150