JP2000317790A - Chamfered face polishing device for semiconductor wafer and its method - Google Patents

Chamfered face polishing device for semiconductor wafer and its method

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JP2000317790A
JP2000317790A JP11132001A JP13200199A JP2000317790A JP 2000317790 A JP2000317790 A JP 2000317790A JP 11132001 A JP11132001 A JP 11132001A JP 13200199 A JP13200199 A JP 13200199A JP 2000317790 A JP2000317790 A JP 2000317790A
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notch
polishing
semiconductor wafer
outer peripheral
drum
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JP11132001A
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Akihito Yanoo
明仁 矢野尾
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Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently polish a chamfered face by providing a semiconductor wafer tilting mechanism tilting a semiconductor wafer in parallel with the rotary shaft of a notch polishing wheel around the vicinity of the portion where an outer periphery polishing drum abuts on the outer periphery of the semiconductor wafer. SOLUTION: A semiconductor wafer W is tilted by a semiconductor wafer tilting mechanism 80 so that the abutted portion between the inner face of a notch section V and a notch abrasive cloth 39 is separated from the reference line perpendicularly connecting the tilt axis of the semiconductor wafer W and the rotary shaft of a notch polishing wheel 23. A notch polishing wheel rotation drive section 24 rotates the notch polishing wheel 23 forward or reversely to move the notch abrasive cloth 39 at the abutted portion toward the reference line. The surface of the notch abrasive cloth 39 at the abutted portion is rotated toward the reference line, i.e., toward the uppercut side (biting side), for polishing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
ノッチ部及び外周部の面取り面を研磨するための半導体
ウェーハの面取り面研磨装置及びその方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer for polishing a chamfered surface of a notch portion and an outer peripheral portion of the semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの
周縁に形成された面取り面を食刻加工(エッチング)す
る技術として、CCR(Chemical Corne
r Rounding)加工が知られているが、このC
CR加工を施した場合、面取り面と半導体ウェーハ表裏
面との境界部分に突起が形成される。この突起は微小で
あるが、半導体ウェーハを樹脂製のカセットに収容した
とき、これがカセットに接触してカセットを削り、微小
な削り屑を生じてしまう。この削り屑が半導体ウェーハ
の性能を劣化させる原因となることはいうまでもない。
2. Description of the Related Art As a technique of etching (etching) a chamfered surface formed on a peripheral edge of a semiconductor wafer such as a silicon wafer, a CCR (Chemical Corne) is used.
r Rounding) processing is known.
When CR processing is performed, projections are formed at the boundary between the chamfered surface and the front and back surfaces of the semiconductor wafer. These projections are minute, but when the semiconductor wafer is housed in a resin cassette, the semiconductor wafer comes into contact with the cassette and scrapes the cassette, resulting in minute shavings. It goes without saying that the shavings cause the performance of the semiconductor wafer to deteriorate.

【0003】そこで、CCR加工とは別に半導体ウェー
ハの面取り面にCMP(Chemical Mecha
nical Polishing)加工を施すことが知
られている。このCMP加工は半導体ウェーハの面取り
面に向けて研磨液を供給しながら研磨布によって研磨す
る技術であって、従来、このCMP加工を実施する装置
としては、図16に示すように、研磨布が巻回された研
磨ドラムDを半導体ウェーハWの外周部面取り面S、M
に押し付け回転させることによって研磨を行っていた。
Therefore, apart from the CCR processing, the chamfered surface of the semiconductor wafer is subjected to CMP (Chemical Mecha).
It is known to perform a process such as a mechanical polishing process. This CMP processing is a technique of polishing with a polishing cloth while supplying a polishing liquid toward a chamfered surface of a semiconductor wafer. Conventionally, as an apparatus for performing this CMP processing, as shown in FIG. The wound polishing drum D is chamfered to the outer peripheral portion S, M of the semiconductor wafer W.
Polishing was performed by pressing against and rotating.

【0004】しかしながら、このCMP加工装置には、
以下のような課題が残されている。従来、半導体ウェー
ハには、フォトリソグラフィ技術等による半導体集積回
路のパターン形成における位置合わせや方位合わせのた
めに、その外周部の一部にオリエンテーションフラット
と呼ばれる直線状の切り欠きが形成されており、この部
分を位置合わせや方位合わせのための基準とすることが
行われていた。このオリエンテーションフラットを半導
体ウェーハに形成する場合、半導体ウェーハ外周部を直
線状に切り欠くため、半導体ウェーハの切り欠き量が必
然的に多くなり、その分、1枚の半導体ウェーハで形成
し得る半導体チップの数が少なくなってしまい、高価な
半導体ウェーハを効率的に利用することができないとい
う問題があった。また、半導体ウェーハの乾燥を、高速
回転による遠心力によって行うスピンドライヤーのよう
な装置では、オリエンテーションフラット付きの大口径
ウェーハは、バランスを取りにくいという問題があっ
た。そこで、最近では、半導体ウェーハ外周部の一部
に、図17に示すような円弧状またはV字状の切り欠き
であるノッチ部Vを設け、このノッチ部Vを用いて半導
体ウェーハWの位置合わせや方位合わせを行うものが実
用化されている。このノッチ部Vは、例えば図18に示
すような紡錘形状をした砥石Tを使用して形成されるよ
うになっている。つまりノッチ部Vは、砥石Tを半導体
ウェーハWの外周部に食い込ませるとともに半導体ウェ
ーハWの外周部の一部を研削することによって形成され
るものであり、図19に示すように、このノッチ部Vの
内面は、半導体ウェーハWの厚さ方向中央部から外側に
膨出した形状となっている。しかしながら、上記したC
MP加工においては、半導体ウェーハWの外周部におけ
る先端側面取り面Sや表裏面側面取り面Mしか研磨でき
ず、ノッチ部Vの内面まで研磨できないという問題があ
った。
However, this CMP processing apparatus includes:
The following issues remain. Conventionally, in a semiconductor wafer, a linear notch called an orientation flat is formed in a part of an outer peripheral portion thereof for alignment and orientation in pattern formation of a semiconductor integrated circuit by photolithography technology, This part has been used as a reference for positioning and azimuth alignment. When this orientation flat is formed on a semiconductor wafer, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is linearly cut out, so the notch amount of the semiconductor wafer is inevitably increased, and accordingly, a semiconductor chip that can be formed by one semiconductor wafer And the number of semiconductor wafers is reduced, so that expensive semiconductor wafers cannot be used efficiently. Further, in a device such as a spin dryer that dries a semiconductor wafer by centrifugal force due to high-speed rotation, there is a problem that it is difficult to balance a large-diameter wafer with an orientation flat. Therefore, recently, a notch V which is an arc-shaped or V-shaped notch as shown in FIG. 17 is provided in a part of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer, and the positioning of the semiconductor wafer W is performed using the notch V. And those that perform azimuth alignment have been put to practical use. The notch portion V is formed using, for example, a grindstone T having a spindle shape as shown in FIG. That is, the notch portion V is formed by cutting the grinding wheel T into the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W and grinding a part of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. As shown in FIG. The inner surface of V has a shape swelling outward from the center in the thickness direction of the semiconductor wafer W. However, the above C
In the MP processing, there is a problem that only the tip side chamfering surface S and the front and back side chamfering surfaces M in the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W can be polished, and the inner surface of the notch V cannot be polished.

【0005】そこで、このようなノッチ部Vの内面を研
磨するために、例えば、特許第2798345号や、特
許第2798347号に示されるものがある。このうち
図20に示すように、特許第2798345号における
研磨装置141は、半導体ウェーハWを保持するテーブ
ル143と、このテーブル143を正逆方向に回転脈動
させることが可能なパルスモータ142を備えており、
リンク機構146によって支持され電動モータ145に
連結している回転バフ(ノッチ用研磨布)144は半導
体ウェーハWの表面に平行な軸を中心に回転可能となっ
ている。また、リンク161の基板161aの先端側は
2股状に分岐し、その分岐部の一方は軸受147に保持
され、他方はパルスモータ148に連結されている。こ
こで、軸受147の中心軸とパルスモータ148の回転
軸とは同一直線状に存在し、その中心を結ぶ線が、半導
体ウェーハW表面に平行で、かつ、半導体ウェーハWの
ノッチ部Vにほぼ接するようにされている。また、ブラ
ンケット161bには軸162aを中心にシーソ動作可
能にリンク162が取り付けられており、リンク162
の他端とリンク161の後端との間には、エアシリンダ
装置149が設置されている。リンク161とリンク1
62とは別個に動作可能となっている。そして、エアシ
リンダ装置149を作動させ、回転バフ144を半導体
ウェーハWのノッチ部V内面に対して押圧し、電動モー
タ145によって回転バフ144を回転させるとともに
パルスモータ148によってノッチ部V内面に沿って旋
回させ、ノッチ部Vの研磨を行う。
In order to polish the inner surface of the notch V, there are, for example, those disclosed in Japanese Patent Nos. 2798345 and 2798347. As shown in FIG. 20, the polishing apparatus 141 in Japanese Patent No. 2798345 includes a table 143 for holding a semiconductor wafer W, and a pulse motor 142 capable of rotating and pulsating the table 143 in forward and reverse directions. Yes,
A rotary buff (notch polishing cloth) 144 supported by the link mechanism 146 and connected to the electric motor 145 is rotatable about an axis parallel to the surface of the semiconductor wafer W. Further, the distal end side of the substrate 161a of the link 161 branches in a bifurcated manner, and one of the branches is held by a bearing 147, and the other is connected to a pulse motor 148. Here, the center axis of the bearing 147 and the rotation axis of the pulse motor 148 exist on the same straight line, and a line connecting the centers thereof is parallel to the surface of the semiconductor wafer W and substantially at the notch V of the semiconductor wafer W. Being in contact. Further, a link 162 is attached to the blanket 161b so as to be able to perform a seesaw operation around the shaft 162a.
An air cylinder device 149 is provided between the other end of the link 161 and the rear end of the link 161. Link 161 and Link 1
62 can be operated separately. Then, the air cylinder device 149 is operated to press the rotating buff 144 against the inner surface of the notch V of the semiconductor wafer W, rotate the rotating buff 144 by the electric motor 145, and move the inner surface of the notch V by the pulse motor 148. Then, the notch V is polished.

【0006】あるいは、図21、図22に示すように、
特許第2798347号における研磨装置151は、半
導体ウェーハWを保持するテーブル152と、テーブル
152を回転させるパルスモータ153と、テーブル1
52を保持するクランク154と、クランク軸154a
に連結された軸受け155及びパルスモータ156とを
備えている。ここで、クランク軸154aは半導体ウェ
ーハWの主面に平行で、かつ、その延長線が半導体ウェ
ーハWのノッチ部Vにほぼ接するように構成されてい
る。また、回転バフ(ノッチ用研磨布)157は、電動
モータ158に連結されるとともに、リンク191、1
92からなるリンク機構190によって保持されてい
る。リンク機構190は、リンク191の基板191a
に立設されたブランケット191bに、軸192aを中
心にシーソ動作可能にリンク192が取り付けられてお
り、リンク191、192のそれぞれの上端はエアシリ
ンダ装置200によって連結されている。そして、エア
シリンダ装置200を作動させ、回転バフ157を半導
体ウェーハWのノッチ部V内面に対して押圧し、電動モ
ータ158によって回転バフ157を回転させるととも
にパルスモータ156によってノッチ部V内面に沿って
旋回させ、ノッチ部Vの研磨を行う。
Alternatively, as shown in FIGS. 21 and 22,
The polishing apparatus 151 in Japanese Patent No. 2798347 includes a table 152 for holding a semiconductor wafer W, a pulse motor 153 for rotating the table 152, and a table 1
52, and a crankshaft 154a.
155 and a pulse motor 156 connected to the motor. Here, the crankshaft 154a is configured so as to be parallel to the main surface of the semiconductor wafer W, and such that an extension thereof substantially contacts the notch V of the semiconductor wafer W. The rotating buff (notch polishing cloth) 157 is connected to the electric motor 158,
92 are held by a link mechanism 190. The link mechanism 190 is provided on the substrate 191a of the link 191.
A link 192 is attached to a blanket 191b standing upright so as to be able to perform a seesaw operation around a shaft 192a, and upper ends of the links 191 and 192 are connected by an air cylinder device 200. Then, the air cylinder device 200 is operated to press the rotary buff 157 against the inner surface of the notch V of the semiconductor wafer W, rotate the rotary buff 157 by the electric motor 158, and move the rotary buff 157 along the inner surface of the notch V by the pulse motor 156. Then, the notch V is polished.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このような研磨装置1
41、151によってノッチ部Vを研磨する場合、回転
バフ144、157の回転方向を、例えば図23に示す
ように、傾転された半導体ウェーハWに対してアッパー
カット側(食い込み側)に回転させないと、回転バフ1
44(157)には図24に示すようにバリB(ひげ)
が生じる傾向にある。つまり、内側に向かって幅が狭く
なるように形成されたノッチ部Vを研磨バフ144(1
57)によって研磨すると、図24(a)の斜線部分の
ようにノッチ部Vと研磨バフ144(157)の端部と
が干渉し、図24(b)に示すように研磨バフ144
(157)の先端が剥けてバリBを生じてしまう。この
ため、ノッチ部Vには研磨ムラが生じ、満足な研磨を行
うことができない。ここでアッパーカット側とは、ノッ
チ部V内面が回転している回転バフ144(157)に
よって半導体ウェーハW外周部の先端側面取り面S側か
ら食い込まれるように擦られて研磨される状態をいい、
図23(a)のように、半導体ウェーハWの先端側面取
り面Sが上方を向いているときは、回転バフ144(1
57)は矢印Yのように反時計方向に回転し、図23
(b)のように、半導体ウェーハWの先端側面取り面S
が下方を向いているときは、回転バフ144(157)
は矢印Y’のように時計方向に回転していることをい
う。
SUMMARY OF THE INVENTION Such a polishing apparatus 1
When the notch portion V is polished by 41 and 151, the rotation direction of the rotating buffs 144 and 157 is not rotated toward the upper cut side (biting side) with respect to the tilted semiconductor wafer W as shown in FIG. And the rotating buff 1
As shown in FIG. 24, a burr B (whisker) is provided at 44 (157).
Tends to occur. That is, the notch V formed so as to be narrower inward is formed by polishing the buff 144 (1).
When the polishing is performed according to 57), the notch V and the end of the polishing buff 144 (157) interfere with each other as shown by the hatched portion in FIG. 24A, and as shown in FIG.
The tip of (157) is peeled off, causing burrs B. Therefore, polishing unevenness occurs in the notch portion V, and satisfactory polishing cannot be performed. Here, the upper cut side refers to a state in which the inner surface of the notch V is rubbed and polished by the rotating buff 144 (157) rotating so that the inner side of the notch V is cut from the side of the outer peripheral portion of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. ,
As shown in FIG. 23A, when the front-side chamfered surface S of the semiconductor wafer W faces upward, the rotating buff 144 (1
57) rotates counterclockwise as indicated by arrow Y, and FIG.
(B) As shown in FIG.
Is facing downward, the rotating buff 144 (157)
Means clockwise rotation as indicated by arrow Y '.

【0008】しかしながら、上記のような研磨装置14
1(151)においてアッパーカット側に研磨バフ14
4(157)を回転させる場合、つまり、図25に示す
ように、半導体ウェーハWの傾転軸G2がノッチ部Vと
回転バフ144(157)との当接部分近傍に位置する
ような状態で研磨バフ144(157)を半導体ウェー
ハWに対してアッパーカット側にを回転させる場合、半
導体ウェーハWにはびびり振動などが生じ、安定した研
磨を行うことができないばかりか、半導体ウェーハWに
悪影響をおよぼしてしまう。
[0008] However, the above polishing apparatus 14
1 (151), the polishing buff 14
4 (157), that is, as shown in FIG. 25, in a state where the tilt axis G2 of the semiconductor wafer W is located near the contact portion between the notch V and the rotating buff 144 (157). When the polishing buff 144 (157) is rotated toward the upper cut side with respect to the semiconductor wafer W, chatter vibration and the like are generated in the semiconductor wafer W, so that not only stable polishing cannot be performed, but also the semiconductor wafer W is adversely affected. Will affect you.

【0009】さらに、半導体ウェーハW外周部の各面取
り面S、Mなどを研磨する場合、図16に示すような従
来のCMP加工をはじめとする方法においては、半導体
ウェーハW全体を反転させなければならず、装置全体の
大型化や工程時間が長くなるなどの問題が生じるばかり
か、そのために半導体ウェーハWを保持するためにチャ
ックによって両面を保持しなければならず、チャック傷
などができてしまう問題が生じた。
Further, when polishing the chamfered surfaces S, M, etc. of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W, in a conventional method such as a CMP process as shown in FIG. In addition, not only problems such as an increase in the size of the entire apparatus and an increase in the processing time occur, but also both sides must be held by a chuck in order to hold the semiconductor wafer W, and chuck flaws and the like occur. A problem arose.

【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、半導体ウェーハのノッチ部を含めた全ての面
取り面を効率的に研磨することができる半導体ウェーハ
の面取り面研磨装置及びその方法を提供することを目的
としている。
The present invention has been made in view of such circumstances, and a semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus and method capable of efficiently polishing all chamfered surfaces including notch portions of a semiconductor wafer. It is intended to provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項1に記載の発明は、半導体ウェーハのノッチ
部及び外周部の面取り面を研磨するための半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置であって、前記半導体ウェーハを
保持するウェーハ吸着盤と、このウェーハ吸着盤によっ
て保持された半導体ウェーハを回転させる半導体ウェー
ハ回転機構と、周縁部の断面形状がほぼノッチ部形状に
近い円盤状または円環状のノッチ用研磨布を備えたノッ
チ用研磨ホイールと、前記ノッチ用研磨布の周縁部を前
記ノッチ部の内面に押圧させつつ前記ノッチ用研磨ホイ
ールを回転可能に支持するノッチ用研磨ホイール回転機
構と、前記半導体ウェーハを基準として前記ノッチ用研
磨布と対向する位置に配置された円筒状の外周用研磨ド
ラムと、この外周用研磨ドラムを前記半導体ウェーハの
外周部面取り面に当接させつつ回転可能に支持する外周
用研磨ドラム回転機構と、前記ウェーハ吸着盤に保持さ
れた半導体ウェーハを、前記ノッチ用研磨ホイールの回
転軸に平行、且つ、前記外周用研磨ドラムと半導体ウェ
ーハの外周部とが当接した部分近傍を軸として傾転させ
る半導体ウェーハ傾転機構とを備えたことを特徴とす
る。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is directed to a semiconductor wafer chamfering surface polishing apparatus for polishing a chamfered surface of a notch portion and an outer peripheral portion of a semiconductor wafer. A semiconductor wafer rotation mechanism for rotating the semiconductor wafer held by the wafer suction disk; a disk-shaped or annular ring having a cross-sectional shape of a peripheral portion substantially similar to a notch portion; A notch polishing wheel provided with a notch polishing cloth, a notch polishing wheel rotating mechanism that rotatably supports the notch polishing wheel while pressing a peripheral edge of the notch polishing cloth against an inner surface of the notch portion. A cylindrical outer peripheral polishing drum disposed at a position facing the notch polishing cloth with respect to the semiconductor wafer; An outer peripheral polishing drum rotating mechanism that rotatably supports a polishing drum while abutting the outer peripheral portion chamfering surface of the semiconductor wafer, and a semiconductor wafer held by the wafer suction disk, and a rotating shaft of the notch polishing wheel. A semiconductor wafer tilting mechanism for tilting around a portion near the portion where the outer peripheral polishing drum is in contact with the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer.

【0012】本発明によれば、前記ウェーハ吸着盤に保
持された半導体ウェーハは、前記ノッチ用研磨ホイール
の回転軸に平行、且つ、前記外周用研磨ドラムと半導体
ウェーハの外周部とが当接した部分近傍を軸として傾転
され、前記ノッチ部は前記ノッチ用研磨ホイール回転機
構によって回転されるノッチ用研磨ホイールに設けられ
たノッチ用研磨布によって研磨される。ノッチ部Vは傾
転しながらノッチ用研磨布に研磨されるため、その内面
は全体的に研磨されるようになっている。
According to the present invention, the semiconductor wafer held by the wafer suction disk is parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel, and the outer peripheral polishing drum is in contact with the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. The notch portion is tilted about the vicinity of the portion, and the notch portion is polished by a notch polishing cloth provided on a notch polishing wheel rotated by the notch polishing wheel rotating mechanism. The notch portion V is polished to the notch polishing cloth while tilting, so that the inner surface is entirely polished.

【0013】また、半導体ウェーハの外周部を研磨する
ための外周研磨用ドラムを、前記半導体ウェーハを基準
として前記ノッチ用研磨ホイールと対向する位置に配置
させ、前記半導体ウェーハを前記傾転軸を中心に傾転さ
せるとともに、前記外周用研磨ドラムと半導体ウェーハ
の外周部面取り面とを当接させて研磨するようにしたた
め、外周部の表裏面側や先端側の各面取り面を研磨する
際には、半導体ウェーハを前記傾転機構によって傾転さ
せるだけでよい。つまり、半導体ウェーハ外周部の表裏
面側或いは先端側の各面取り面を研磨する場合にも、半
導体ウェーハ全体を反転させる工程が必要無くなり、各
面取り面の研磨は連続的に一度に行うことができる。そ
のため、研磨工程の工程数や時間を短縮できるととも
に、外周用研磨ドラムと半導体ウェーハ外周部面取り面
との当接角度は任意に設定できるため、様々な仕様の半
導体ウェーハの研磨に対してフレキシブルに対応するこ
とができる。さらに、半導体ウェーハの反転を行う必要
がなくなったため、研磨時における半導体ウェーハの支
持は、表裏面いずれか一方に対して行えばよく、例えば
チャック等による保持を必要最小限に抑えることがで
き、前記保持に起因する傷等の発生を低減させることが
できる。
An outer peripheral polishing drum for polishing an outer peripheral portion of the semiconductor wafer is disposed at a position facing the notch polishing wheel with respect to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is centered on the tilt axis. And the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral chamfered surface of the semiconductor wafer are brought into contact with each other for polishing. It is only necessary to tilt the semiconductor wafer by the tilt mechanism. That is, even when polishing each chamfered surface on the front and back sides or the front end side of the outer periphery of the semiconductor wafer, the step of inverting the entire semiconductor wafer is not required, and the polishing of each chamfered surface can be continuously performed at once. . Therefore, the number of polishing steps and time can be reduced, and the contact angle between the outer peripheral polishing drum and the chamfered surface of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer can be set arbitrarily, so that it is flexible for polishing semiconductor wafers of various specifications. Can respond. Further, since it is no longer necessary to reverse the semiconductor wafer, the support of the semiconductor wafer during polishing may be performed on either the front or back surface, for example, holding by a chuck or the like can be minimized, The occurrence of scratches and the like due to holding can be reduced.

【0014】さらに、ノッチ用研磨ホイールと外周用研
磨ドラムとを半導体ウェーハを基準に対向させて配置し
たため、ノッチ部研磨工程と外周部の各面取り面研磨工
程との間の搬送機構等は省略され、装置の小型化や工程
数の減少を実現することができる。また、前記半導体ウ
ェーハ外周部の各面取り面の研磨を同じ機構で行わせる
ようにしたため、作業効率を向上させるとともに、装置
全体の省スペース化を実現することができ、コスト低
減、各面取り面の安定した研磨を行うことができる。
Further, since the notch polishing wheel and the outer peripheral polishing drum are arranged so as to face each other with respect to the semiconductor wafer, a transport mechanism and the like between the notch portion polishing step and the outer peripheral chamfering surface polishing step are omitted. In addition, the size of the apparatus can be reduced and the number of steps can be reduced. In addition, since the polishing of each chamfered surface of the semiconductor wafer outer peripheral portion is performed by the same mechanism, work efficiency can be improved, and space saving of the entire apparatus can be realized, cost reduction, and reduction of each chamfered surface. Stable polishing can be performed.

【0015】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体ウェーハの面取り面研磨装置であって、前記ノ
ッチ用研磨ホイールには、前記半導体ウェーハ傾転機構
によって傾転される半導体ウェーハのノッチ部内面に対
する前記ノッチ用研磨布の押圧力を常に一定に作用させ
るように、前記半導体ウェーハに対して離接方向に移動
させるノッチ用研磨ホイール進退機構が備えられている
ことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the first aspect, wherein the notch polishing wheel is tilted by the semiconductor wafer tilting mechanism. A notch polishing wheel advancing / retracting mechanism for moving the semiconductor wafer in the separating direction so as to always exert a constant pressing force of the notch polishing cloth against the inner surface of the notch portion. .

【0016】本発明によれば、傾転している半導体ウェ
ーハのノッチ部に対して、前記ノッチ用研磨ホイールを
離接方向に移動可能としたため、前記ノッチ部内面に対
する前記ノッチ用研磨布の押圧力を、常に一定に作用さ
せつつ任意に設定することができる。そのため、ノッチ
部の内面に均等な押圧力を作用させることができ、ムラ
のない安定した研磨を行うことができる。また、外周部
面取り面研磨工程時には、半導体ウェーハ近傍から退避
するようになっている。
According to the present invention, since the notch polishing wheel can be moved in the direction of separation and contact with respect to the notch portion of the tilted semiconductor wafer, the pressing of the notch polishing cloth against the inner surface of the notch portion can be performed. The pressure can be set arbitrarily while constantly acting. Therefore, a uniform pressing force can be applied to the inner surface of the notch portion, and stable polishing without unevenness can be performed. Further, during the outer peripheral chamfering polishing step, the semiconductor wafer is retracted from the vicinity of the semiconductor wafer.

【0017】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置であっ
て、前記半導体ウェーハ傾転機構によって、前記半導体
ウェーハが、前記ノッチ部内面とノッチ用研磨布との当
接部分を前記半導体ウェーハの傾転軸と前記ノッチ用研
磨ホイールの回転軸とをそれぞれ直交させて結んだ基準
線から離れるように傾転されたとき、前記ノッチ用研磨
ホイール回転機構は、正逆回転される前記ノッチ用研磨
ホイールを、この当接部分のノッチ用研磨布表面を前記
基準線に向かわせる一方向に回転させることを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the first or second aspect, wherein the semiconductor wafer tilting mechanism causes the semiconductor wafer to be notched with the inner surface of the notch. When the contact portion with the polishing cloth is tilted away from a reference line that connects the tilt axis of the semiconductor wafer and the rotation axis of the notch polishing wheel at right angles, the notch polishing wheel The rotation mechanism is characterized in that the notch polishing wheel rotated forward and backward is rotated in one direction in which the surface of the notch polishing cloth at the contact portion is directed to the reference line.

【0018】本発明によれば、前記半導体ウェーハが、
前記ノッチ部内面と前記ノッチ用研磨布との当接部分
を、前記半導体ウェーハの傾転軸と前記ノッチ用研磨布
の回転軸とをそれぞれ直交させて結んだ基準線から離れ
るように傾転されたとき、前記ノッチ用研磨布は、この
当接部分にある表面を前記基準線に向かわせるように正
逆回転されるようになっている。つまり、ノッチ用研磨
布は食い込み側(アッパーカット側)に回転されるよう
になっている。そのため、ノッチ用研磨布の端部にはバ
リが発生せず、研磨ムラを無くすことができる。また、
仮にバリが生じたとしてもノッチ用研磨布はアッパーカ
ット側に回転されているため、発生したバリは自然と切
断され、ノッチ用研磨布にはバリが生じにくくなってい
る。そしてこのときの半導体ウェーハの傾転軸は、前記
ノッチ用研磨ホイールの回転軸に平行、且つ、前記外周
用研磨ドラムと半導体ウェーハの外周部とが当接した部
分近傍に設けられおり、つまり、ノッチ部と前記ノッチ
用研磨布との当接部分から遠方に設定されている。その
ため、ノッチ用研磨布をアッパーカット側に回転させて
も半導体ウェーハWにはびびり振動をはじめとする半導
体ウェーハWに対して悪影響を及ぼすような振動やモー
メントの作用は低減されており、半導体ウェーハは安定
して研磨される。
According to the present invention, the semiconductor wafer is:
The contact portion between the inner surface of the notch and the polishing cloth for the notch is tilted away from a reference line that connects the tilt axis of the semiconductor wafer and the rotation axis of the polishing cloth for the notch at right angles. Then, the notch polishing cloth is rotated forward and backward so that the surface at the contact portion is directed to the reference line. That is, the notch polishing cloth is rotated to the biting side (upper cut side). Therefore, no burrs are generated at the end of the notch polishing cloth, and uneven polishing can be eliminated. Also,
Even if burrs are generated, the notch polishing cloth is rotated toward the upper cut side, so that the generated burrs are cut naturally, and the notch polishing cloth is less likely to generate burrs. The tilt axis of the semiconductor wafer at this time is parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel, and is provided near a portion where the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer are in contact with each other, that is, It is set far from a contact portion between the notch portion and the polishing cloth for the notch. Therefore, even if the notch polishing cloth is rotated to the upper cut side, the action of vibrations and moments that adversely affect the semiconductor wafer W, such as chatter vibration, is reduced. Is polished stably.

【0019】請求項4に記載の発明は、請求項1〜3の
いずれかに記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
あって、前記外周用研磨ドラムには、この研磨ドラムを
回転軸方向に往復移動させる研磨ドラム直動機構と、前
記半導体ウェーハから接離方向に移動させる研磨ドラム
進退機構とが備えられていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to any one of the first to third aspects, wherein the outer peripheral polishing drum is provided with the polishing drum in a rotational axis direction. A polishing drum linear movement mechanism for reciprocating movement and a polishing drum advancing / retreating mechanism for moving in a direction of contacting and separating from the semiconductor wafer are provided.

【0020】本発明によれば、前記外周用研磨ドラムは
その回転軸方向に往復移動しながら前記外周部面取り面
を研磨するようになっている。そのため、外周用研磨ド
ラムの表面の摩耗は片寄らず、外周部面取り面の研磨面
は均一で良好なものとなる。また、この外周用研磨ドラ
ムは半導体ウェーハから接離する方向に移動可能となっ
ており、前記ノッチ部研磨工程時には退避されるように
なっている。さらに、前記外周部面取り面に対する押圧
力を任意に設定することができる。
According to the present invention, the outer peripheral polishing drum is configured to polish the outer peripheral chamfered surface while reciprocating in the rotation axis direction. Therefore, the wear of the surface of the outer peripheral polishing drum is not uneven, and the polished surface of the outer peripheral chamfered surface is uniform and favorable. The outer peripheral polishing drum is movable in the direction of coming and going from the semiconductor wafer, and is retracted during the notch portion polishing step. Further, the pressing force against the outer peripheral chamfered surface can be arbitrarily set.

【0021】請求項5に記載の発明は、請求項1〜4の
いずれかに記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
あって、前記ノッチ用研磨布の厚みを前記ノッチ部の周
方向の幅より小さく設けるとともに、前記半導体ウェー
ハ回転機構には、前記ウェーハ吸着盤を、前記ノッチ部
内面に前記ノッチ用研磨布を当接させたまま円周方向に
揺動させるサーボモータが備えられていることを特徴と
する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the apparatus for chamfering a chamfered surface of a semiconductor wafer according to any one of the first to fourth aspects, wherein a thickness of the notch polishing cloth is set to a width in a circumferential direction of the notch. In addition to providing a smaller size, the semiconductor wafer rotating mechanism includes a servomotor that swings the wafer suction disk in a circumferential direction while the notch polishing cloth is in contact with the inner surface of the notch. It is characterized by.

【0022】本発明によれば、前記ノッチ用研磨布の厚
みを前記ノッチ部の周方向の幅より小さく設けたため、
ノッチ用研磨布の端部とノッチ部とは干渉しなくなりノ
ッチ用研磨布のバリの発生は低減される。そして、ノッ
チ用研磨布を前記ノッチ部に当接させたまま半導体ウェ
ーハを円周方向に揺動させることにより、ノッチ部内部
は全体的に安定して研磨される。
According to the present invention, the thickness of the notch polishing cloth is set smaller than the circumferential width of the notch.
The end of the notch polishing cloth and the notch do not interfere with each other, and the occurrence of burrs of the notch polishing cloth is reduced. Then, by rotating the semiconductor wafer in the circumferential direction while the notch polishing cloth is kept in contact with the notch portion, the inside of the notch portion is polished stably as a whole.

【0023】請求項6に記載の発明は、請求項1〜4の
いずれかに記載の半導体ウェーハの面取り面研磨装置で
あって、前記ノッチ用研磨布の厚みを前記ノッチ部の周
方向の幅より小さく設けるとともに、前記ノッチ用研磨
ホイールには、前記ノッチ部内面に前記ノッチ用研磨布
を当接させたまま回転軸線方向に往復移動させるノッチ
用研磨ホイール揺動機構が備えられていることを特徴と
する。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to any one of the first to fourth aspects, wherein the thickness of the polishing cloth for the notch is set to a width in a circumferential direction of the notch. Along with providing the notch, the notch polishing wheel is provided with a notch polishing wheel swinging mechanism that reciprocates in the rotation axis direction while the notch polishing cloth is in contact with the inner surface of the notch. Features.

【0024】本発明によれば、前記ノッチ用研磨布の厚
みを、前記ノッチ部の周方向の幅より小さく設けること
によって、ノッチ用研磨布の端部とノッチ部とは干渉し
なくなり、バリの発生を低減させることができ、その結
果研磨ムラを低減させることができる。そして、このノ
ッチ用研磨布を、回転軸線方向に往復移動自在に支持す
ることにより、ノッチ部内面は全体的に均一に研磨され
る。
According to the present invention, by providing the thickness of the polishing cloth for the notch to be smaller than the circumferential width of the notch, the end of the polishing cloth for the notch and the notch do not interfere with each other. Generation can be reduced, and as a result, polishing unevenness can be reduced. By supporting the polishing cloth for the notch so as to be reciprocally movable in the direction of the rotation axis, the inner surface of the notch is entirely uniformly polished.

【0025】請求項7に記載の発明は、半導体ウェーハ
のノッチ部及び外周部の面取り面を研磨するための半導
体ウェーハの面取り面研磨方法であって、回転可能なウ
ェーハ吸着盤に保持された前記半導体ウェーハを、正逆
回転可能に支持され周縁部の形状がほぼ前記ノッチ部形
状に近い円盤状または円環状のノッチ用研磨布を備えた
ノッチ用研磨ホイールと、回転可能に支持された円筒状
の外周用研磨ドラムとの間にそれぞれ当接可能となるよ
うに配置し、前記ウェーハ吸着盤に保持された半導体ウ
ェーハを、前記ノッチ用研磨ホイールの回転軸に平行、
且つ、前記外周用研磨ドラムと半導体ウェーハの外周部
とが当接した部分近傍を軸として傾転させながら、前記
ノッチ部内面とノッチ用研磨布との当接部分を前記半導
体ウェーハの傾転軸と前記ノッチ用研磨ホイールの回転
軸とをそれぞれ直交させて結んだ基準線から離れるよう
に傾転されたとき、前記ノッチ用研磨ホイールを、この
当接部分のノッチ用研磨布表面を前記基準線に向かわせ
るように、前記ノッチ用研磨布の周縁部を前記ノッチ部
の内面に押圧しつつ前記半導体ウェーハの軸線に直行す
る方向の軸線を中心に正逆回転させるとともに、前記ノ
ッチ部内面に対する前記ノッチ用研磨布の押圧力を垂直
方向に作用させるように、前記半導体ウェーハに対して
離接方向に移動させてノッチ部内面全体を研磨し、次い
で、前記半導体ウェーハを回転させながら所定角度傾転
させるとともに、前記外周用研磨ドラムを前記ノッチ用
研磨ホイールの回転軸と直交する方向の軸線を中心に回
転させつつこの回転軸方向に往復移動させながら前記半
導体ウェーハの外周部の1つの面取り面に当接させてこ
の外周部面取り面を研磨し、この半導体ウェーハの傾転
角度を変化させることによって、前記外周部の複数の面
取り面を連続的に研磨することを特徴とする半導体ウェ
ーハの面取り面研磨方法である。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer for polishing a chamfered surface of a notch portion and an outer peripheral portion of the semiconductor wafer, the method comprising: A semiconductor wafer, a notch polishing wheel provided with a disc-shaped or annular notch polishing cloth whose peripheral edge shape is substantially rotatable in the forward and reverse directions and whose peripheral portion is substantially similar to the notch portion shape, and a rotatably supported cylindrical shape. Arranged so as to be able to contact each other between the outer peripheral polishing drum, the semiconductor wafer held by the wafer suction disk, parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel,
In addition, while tilting around the portion where the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer are in contact with each other as an axis, the contact portion between the inner surface of the notch and the polishing cloth for the notch is tilted by the tilt axis of the semiconductor wafer. And the rotation axis of the notch polishing wheel are perpendicular to each other, the tilting wheel is tilted away from the reference line, the notch polishing wheel, the contact portion of the notch polishing cloth surface the reference line So that the peripheral edge of the notch polishing cloth is pressed against the inner surface of the notch portion and rotated forward and reverse around an axis in a direction perpendicular to the axis of the semiconductor wafer, and the notch portion with respect to the inner surface. The entire inner surface of the notch portion is polished by moving the semiconductor wafer in the direction of contact and separation so that the pressing force of the polishing cloth for the notch acts in the vertical direction, and then the semiconductor wafer is polished. While rotating the wafer, the semiconductor wafer is tilted at a predetermined angle, and the semiconductor wafer is reciprocated in the rotation axis direction while rotating the outer peripheral polishing drum about an axis perpendicular to the rotation axis of the notch polishing wheel. A plurality of chamfered surfaces of the outer peripheral portion are continuously polished by contacting one chamfered surface of the outer peripheral portion of the wafer and polishing the outer peripheral chamfered surface, and changing a tilt angle of the semiconductor wafer. A method for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer.

【0026】本発明によれば、ノッチ部内面の研磨は、
ノッチ用研磨布のバリの発生を抑えるつつ振動やモーメ
ントなどの半導体ウェーハに対して悪影響な作用を低減
させながら安定且つ均一に行われる。そして、前記ノッ
チ用研磨布の対向した位置に外周用研磨ドラムを配置し
たため、半導体ウェーハは1つのウェーハ吸着盤に保持
されつつ、ノッチ部内面の研磨と外周部面取り面の研磨
とを連続的に行うことができる。さらに、半導体ウェー
ハは傾転されるようになっているため、外周部の表裏面
側の各面取り面の研磨を連続的に行うことができ、省ス
ペースで効率的な研磨を行うことができる。
According to the present invention, the inner surface of the notch is polished by
It is performed stably and uniformly while suppressing burrs of the notch polishing cloth and reducing adverse effects such as vibration and moment on the semiconductor wafer. And since the outer peripheral polishing drum is arranged at the position facing the notch polishing cloth, the semiconductor wafer is held by one wafer suction disk, and the polishing of the inner surface of the notch portion and the polishing of the outer peripheral chamfer surface are continuously performed. It can be carried out. Further, since the semiconductor wafer is tilted, the respective chamfered surfaces on the front and back sides of the outer peripheral portion can be continuously polished, so that space-saving and efficient polishing can be performed.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
半導体ウェーハの面取り面研磨装置及びその方法を図面
を参照して説明する。図1は本発明の半導体ウェーハの
面取り面研磨装置を示す平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an apparatus and a method for chamfering a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing an apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to the present invention.

【0028】なお、本発明の半導体ウェーハWの面取り
面研磨装置4は、図10に示す研磨装置システムP全体
のうち、ウェーハ位置決めユニット2の下流側に配置さ
れている。つまり、研磨装置システムPは、半導体ウェ
ーハWを取り出し用カセットC1から取り出すウェーハ
取り出し機構1と、該ウェーハ取り出し機構1から取り
出された半導体ウェーハWの位置決めを行うウェーハ位
置決めユニット2と、ウェーハ位置決めユニット2から
半導体ウェーハWを受け取りノッチ部Vや表裏面側等の
各面取り面S、Mを研磨するための面取り面研磨装置4
と、半導体ウェーハWをウェーハ位置決めユニット2か
ら面取り面研磨装置4へと搬送するためのウェーハ搬送
機構3とを備えた構成となっている。
The polishing apparatus 4 for chamfering a semiconductor wafer W according to the present invention is disposed downstream of the wafer positioning unit 2 in the entire polishing apparatus system P shown in FIG. That is, the polishing apparatus system P includes a wafer removal mechanism 1 for removing the semiconductor wafer W from the removal cassette C1, a wafer positioning unit 2 for positioning the semiconductor wafer W removed from the wafer removal mechanism 1, and a wafer positioning unit 2 Chamfering surface polishing apparatus 4 for receiving a semiconductor wafer W from each other and polishing each chamfered surface S, M such as a notch portion V and front and back surfaces.
And a wafer transport mechanism 3 for transporting the semiconductor wafer W from the wafer positioning unit 2 to the chamfering surface polishing apparatus 4.

【0029】また、本実施形態の研磨装置システムPに
おいて、面取り面研磨装置4のさらに下流側には、研磨
された半導体ウェーハWを洗浄するための図示しないウ
ェーハ洗浄機構と、該ウェーハ洗浄機構で洗浄された半
導体ウェーハWを収納用カセットに収納するウェーハ収
納機構とを備えており、これら各機構及び装置などは、
操作制御部5によって電気的に制御されるようになって
いる。
In the polishing apparatus system P of this embodiment, a wafer cleaning mechanism (not shown) for cleaning the polished semiconductor wafer W is further downstream of the chamfering polishing apparatus 4. A wafer storage mechanism for storing the washed semiconductor wafer W in a storage cassette, and each of these mechanisms and devices includes:
It is electrically controlled by the operation control unit 5.

【0030】図10において、ウェーハ取り出し機構1
は、基台6の上面に載置された取り出し用カセットC1
と、基台6に設けられ取り出し用カセットC1から半導
体ウェーハWを取り出し用ハンド7で吸着し一枚づつ取
り出してウェーハ位置決めユニット2へと移載するロー
ダーユニット8とを備えている。
In FIG. 10, a wafer take-out mechanism 1 is provided.
Is a take-out cassette C1 placed on the upper surface of the base 6.
And a loader unit 8 provided on the base 6 for sucking the semiconductor wafers W from the unloading cassette C1 with the unloading hand 7, extracting the wafers one by one, and transferring them to the wafer positioning unit 2.

【0031】前記取り出し用カセットC1は、収納され
ている複数の半導体ウェーハWが水平状態となるように
載置され、各半導体ウェーハWを取り出す方向がローダ
ーユニット8に向かうように設置されている。また、前
記ローダーユニット8は取り出し用ハンド7を水平状態
に配しており、取り出し用ハンド7は水平方向に回転可
能とされるとともに半径方向に進退可能とされており、
さらに上下動可能に支持されている。
The unloading cassette C1 is placed so that a plurality of stored semiconductor wafers W are placed in a horizontal state, and the unloading cassette C1 is installed so that the unloading direction of each semiconductor wafer W is directed to the loader unit 8. Further, the loader unit 8 arranges the take-out hand 7 in a horizontal state, and the take-out hand 7 is rotatable in a horizontal direction and is movable forward and backward in a radial direction.
Furthermore, it is supported so that it can move up and down.

【0032】ウェーハ位置決めユニット2は、取り出し
用カセットC1に隣接して基台6に設けられ、取り出し
用カセットC1から取り出された半導体ウェーハWをロ
ーダーユニット8から受け取り、載置台9上でセンタリ
ング(芯出し)及びノッチ部Vの方向決めを行うもので
ある。
The wafer positioning unit 2 is provided on the base 6 adjacent to the take-out cassette C1, receives the semiconductor wafer W taken out of the take-out cassette C1 from the loader unit 8, and centers the semiconductor wafer W on the mounting table 9. And the direction of the notch V is determined.

【0033】ウェーハ位置決めユニット2は、載置台9
上の半導体ウェーハWの芯出しを行うセンタリング機構
10と、載置台9の下方に設けられこの載置台9を回転
させる載置台回転機構と、ノッチ部Vの方向決めを行う
ノッチ位置決め機構とを備えている。このうち載置台回
転機構は、複数の支持柱によって支持され、これら支持
柱に接続された図示しない駆動源により支持柱とともに
上下動可能とされている。
The wafer positioning unit 2 includes a mounting table 9
A centering mechanism 10 for centering the upper semiconductor wafer W, a mounting table rotating mechanism provided below the mounting table 9 for rotating the mounting table 9, and a notch positioning mechanism for determining the direction of the notch V are provided. ing. The mounting table rotating mechanism is supported by a plurality of support columns, and can be moved up and down together with the support columns by a driving source (not shown) connected to these support columns.

【0034】ウェーハ搬送機構3は、ウェーハ位置決め
ユニット2によって位置決めされた半導体ウェーハWを
受け渡し部10で面取り面研磨装置4に受け渡す搬送部
11を備えている。搬送部11は、先端部に形成された
吸着溝12aで半導体ウェーハWを吸着して支持するハ
ンド部12と、該ハンド部12をウェーハ位置決めユニ
ット2と受け渡し部10との間で水平移動可能に支持す
るロッドレスシリンダ13と、ハンド部12を上下動可
能に支持する上下動シリンダとを備えている。このハン
ド部12は、先端部分が略円弧状に形成され、ロッドレ
スシリンダ13の延在方向に対して斜め方向に水平状態
に延在して設置されている。
The wafer transfer mechanism 3 includes a transfer unit 11 that transfers the semiconductor wafer W positioned by the wafer positioning unit 2 to the chamfering surface polishing apparatus 4 at the transfer unit 10. The transfer unit 11 is a hand unit 12 that sucks and supports the semiconductor wafer W by a suction groove 12 a formed at the tip end, and the hand unit 12 is horizontally movable between the wafer positioning unit 2 and the transfer unit 10. The apparatus includes a rodless cylinder 13 for supporting and a vertically moving cylinder for supporting the hand unit 12 so as to be vertically movable. The hand portion 12 has a distal end portion formed in a substantially arc shape, and is installed so as to extend horizontally in a direction oblique to the extending direction of the rodless cylinder 13.

【0035】ロッドレスシリンダ13は、基台6に立設
された柱部材に水平状態に固定された梁部材14に支持
されており、ウェーハ位置決めユニット2の上方から受
け渡し部10の上方まで配されている。
The rodless cylinder 13 is supported by a beam member 14 fixed horizontally to a column member erected on the base 6, and is disposed from above the wafer positioning unit 2 to above the transfer unit 10. ing.

【0036】面取り面研磨装置4は、図1から図3に示
すように、側板15、天板16、シャッタ17及び底板
18とから構成されている。このうち底板18は、図2
に示すように中央部に向かって傾斜状態に設定され、そ
の最下部には、研磨時に使用された研磨液を排水する研
磨液排水孔15aが形成されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the chamfered surface polishing apparatus 4 includes a side plate 15, a top plate 16, a shutter 17, and a bottom plate 18. The bottom plate 18 is shown in FIG.
As shown in the figure, the polishing liquid is set to be inclined toward the center, and a polishing liquid drain hole 15a for discharging the polishing liquid used at the time of polishing is formed at the lowermost portion.

【0037】天板16は、面取り面研磨装置4の上方を
覆って配され、その中央部には、半導体ウェーハWの外
径より若干大きく設定された内径を有する円形の天板開
口部16aが形成されている。また、天板16は、一側
の側板15の上部に水平方向に伸縮可能に支持された一
対のシャッタ用エアシリンダ19を備え、これらシャッ
タ用エアシリンダ19のシリンダロッド19a先端部に
はシャッタ連結部材20を介して一対の板状のシャッタ
17がそれぞれ固定されている。
The top plate 16 is arranged so as to cover the upper side of the chamfering polishing device 4, and a circular top plate opening 16a having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the semiconductor wafer W is provided at the center thereof. Is formed. Further, the top plate 16 includes a pair of shutter air cylinders 19 supported on the upper side of the one side plate 15 so as to be extendable and contractible in the horizontal direction. A pair of plate-shaped shutters 17 are respectively fixed via members 20.

【0038】シャッタ連結部材20には、貫通孔が形成
され、該貫通孔には天板16に設けられたガイド棒21
が挿通状態とされている。すなわち、シャッタ連結部材
20、ガイド棒21にガイドされて水平移動可能に支持
されている。これらのシャッタ17は、天板16に沿っ
て面取り面研磨装置4を覆って配されるとともに、シャ
ッタ用エアシリンダ19の伸縮によって開閉可能に天板
16に支持されている。
A through hole is formed in the shutter connecting member 20, and a guide rod 21 provided on the top plate 16 is formed in the through hole.
Is inserted. That is, it is supported by the shutter connecting member 20 and the guide bar 21 so as to be horizontally movable. These shutters 17 are arranged along the top plate 16 so as to cover the chamfering surface polishing device 4, and are supported by the top plate 16 so that they can be opened and closed by expansion and contraction of a shutter air cylinder 19.

【0039】また、一対のシャッタ17は、互いに対向
する内縁部に半円状の切欠部17aが形成され、閉口時
に円形の開口部が中央部に形成される。
The pair of shutters 17 have semicircular cutouts 17a formed at inner edges facing each other, and a circular opening is formed at the center when the shutter is closed.

【0040】面取り面研磨装置4は、面取り面研磨装置
4内で吸着盤22によって保持状態の半導体ウェーハW
の側方に配されかつ半導体ウェーハWの表裏面と平行な
軸線を有して回転可能に支持された円盤状のノッチ用研
磨ホイール23と、ノッチ用研磨ホイール23を回転駆
動するノッチ用研磨ホイール回転駆動部(ノッチ用研磨
ホイール回転機構)24と、このノッチ用研磨ホイール
回転駆動部24をノッチ用研磨ホイール23とともに上
下方向及びノッチ用研磨ホイール23を半導体ウェーハ
Wに対して接離方向に移動させるノッチ用研磨ホイール
揺動駆動部(ノッチ用研磨ホイール進退機構)25と、
研磨時に研磨液をノッチ用研磨ホイール23に供給する
とともに半導体ウェーハWのノッチ部Vにも供給するノ
ッチ用研磨液供給手段26とを備えている。
The chamfered-surface polishing device 4 holds the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 in the chamfered-surface polishing device 4.
And a notch polishing wheel 23 that is rotatably supported with an axis parallel to the front and back surfaces of the semiconductor wafer W and that is rotatably supported by the notch polishing wheel 23 that rotationally drives the notch polishing wheel 23 A rotation drive unit (notch polishing wheel rotation mechanism) 24, and the notch polishing wheel rotation drive unit 24 is moved together with the notch polishing wheel 23 in the vertical direction and the notch polishing wheel 23 is moved toward and away from the semiconductor wafer W. A notch polishing wheel swing drive unit (notch polishing wheel advance / retreat mechanism) 25;
Notch polishing liquid supply means 26 that supplies a polishing liquid to the notch polishing wheel 23 and also supplies the polishing liquid to the notch portion V of the semiconductor wafer W during polishing.

【0041】ノッチ用研磨ホイール揺動駆動部25は、
基台6に揺動部支持板27で固定され、この揺動部支持
板27に回転軸を水平状態に固定された揺動用モータ2
8と、揺動用モータ28の回転軸に固定された回転駆動
部支持板29と、回転駆動部支持板29に一端が連結さ
れたノッチ押圧用シリンダ30と、回転駆動部支持板2
9に半径方向に移動可能に支持されるとともにノッチ押
圧用シリンダ30の先端が連結された連結支持部材31
とを備えている。
The notch polishing wheel swing drive unit 25 includes:
The oscillating motor 2 fixed to the base 6 by an oscillating portion support plate 27 and having a rotating shaft fixed to the oscillating portion support plate 27 in a horizontal state.
8, a rotation drive unit support plate 29 fixed to the rotation shaft of the swing motor 28, a notch pressing cylinder 30 having one end connected to the rotation drive unit support plate 29, and a rotation drive unit support plate 2.
9, a connection support member 31 supported movably in the radial direction and connected to the tip of a notch pressing cylinder 30.
And

【0042】前記ノッチ用研磨ホイール回転駆動部24
は、連結支持部材31の先端に揺動用モータ28の回転
軸に平行状態に固定された円筒本体32と、この円筒本
体32の後端に固定された回転用モータ33と、回転用
モータ33の回転軸に後端が接続され円筒本体32内に
回転可能に挿入されたホイール用軸部材34とを備え
て、ホイール用軸部材34の先端にはノッチ用研磨ホイ
ール23が取り付けられている。そして、ノッチ用押圧
シリンダ30を駆動させることによって円筒本体32が
水平方向に旋回し、この円筒本体32の先端に取り付け
られたノッチ用研磨ホイール23が半導体ウェーハWに
対して接離方向に移動するようになっている。
The notch polishing wheel rotation drive unit 24
A cylindrical main body 32 fixed to the end of the connecting support member 31 in a state parallel to the rotation axis of the swing motor 28; a rotating motor 33 fixed to the rear end of the cylindrical main body 32; And a wheel shaft member 34 rotatably inserted into the cylindrical main body 32 and having a rear end connected to the rotation shaft. The notch polishing wheel 23 is attached to the tip of the wheel shaft member 34. When the notch pressing cylinder 30 is driven, the cylindrical body 32 pivots in the horizontal direction, and the notch polishing wheel 23 attached to the tip of the cylindrical body 32 moves in the direction of approaching and separating from the semiconductor wafer W. It has become.

【0043】また、ノッチ用研磨ホイール回転駆動部2
4は、側板15に開けられた駆動部挿入孔15bから面
取り面研磨装置4内に突出状態に配され、駆動部挿入孔
15bの周囲と円筒本体32との間には、円筒本体32
の外周部分を覆うベローズ等の円筒本体カバー35が取
り付けられ、研磨液のノッチ用研磨ホイール回転駆動部
24への付着及び面取り面研磨装置4外への飛散を防止
している。
The notch polishing wheel rotation drive unit 2
4 is arranged in a protruding state into the chamfering surface polishing device 4 from a driving part insertion hole 15b formed in the side plate 15 and a cylindrical body 32 is provided between the periphery of the driving part insertion hole 15b and the cylindrical body 32.
A cylindrical body cover 35, such as a bellows, is attached to cover the outer peripheral portion of the grinding wheel to prevent the polishing liquid from adhering to the notch polishing wheel rotation drive unit 24 and scattering outside the chamfering surface polishing apparatus 4.

【0044】前記ノッチ用研磨ホイール23は、ホイー
ル用軸部材34の先端に固定された固定部材36と、該
固定部材36に取り付けられホイール用軸部材34と同
軸に配されたホイール本体37とを備えており、該ホイ
ール本体37の一部を除いてホイール本体37を覆うよ
うにホイールカバー38が配されている。ホイール本体
37の外周部には、リング状のノッチ用研磨布39が取
り付けられ、該ノッチ用研磨布39は、ホイール本体3
7の外縁から所定量突出するようにホイール本体37の
外径より大径に設定されている。
The notch polishing wheel 23 includes a fixing member 36 fixed to the tip of a wheel shaft member 34 and a wheel body 37 attached to the fixing member 36 and arranged coaxially with the wheel shaft member 34. A wheel cover 38 is provided so as to cover the wheel main body 37 except for a part of the wheel main body 37. A ring-shaped notch polishing cloth 39 is attached to an outer peripheral portion of the wheel body 37, and the notch polishing cloth 39 is attached to the wheel body 3.
7 is set to be larger than the outer diameter of the wheel main body 37 so as to protrude from the outer edge of the wheel body 7 by a predetermined amount.

【0045】前記ノッチ用研磨液供給手段26は、外部
の図示しない研磨液供給源に接続され側板15からノッ
チ用研磨布39に向けて配された研磨液供給ノズル26
aを備えている。すなわち、研磨時に、研磨液供給ノズ
ル26aの先端からノッチ用研磨布39に向けて研磨液
が噴出されて、ノッチ用研磨布39及びノッチ部Vに供
給されるように設定されている。
The notch polishing liquid supply means 26 is connected to an external polishing liquid supply source (not shown), and is provided with a polishing liquid supply nozzle 26 arranged from the side plate 15 toward the notch polishing cloth 39.
a. That is, at the time of polishing, the polishing liquid is spouted from the tip of the polishing liquid supply nozzle 26a toward the notch polishing cloth 39 and supplied to the notch polishing cloth 39 and the notch portion V.

【0046】なお、面取り面研磨装置4の下部には、円
筒本体32と平行な回転可能なノッチ研磨布カバー用軸
部材40が配設され、このノッチ研磨布カバー用軸部材
40の中央部分にノッチ研磨布カバー41がその端部で
固定されている。すなわち、ノッチ研磨布カバー用軸部
材40を回転させることにより、ノッチ研磨布カバー4
1を回転させることができる。
A rotatable notch polishing cloth cover shaft member 40 parallel to the cylindrical body 32 is provided below the chamfered surface polishing device 4. A notch polishing cloth cover 41 is fixed at its end. That is, the notch polishing cloth cover 4 is rotated by rotating the notch polishing cloth cover shaft member 40.
1 can be rotated.

【0047】図4、図5、図6、図7に示すように、半
導体ウェーハWを基準として、ホイール本体37に対し
て対向する位置に、半導体ウェーハWの外周部を研磨す
るための円筒状の外周用研磨ドラム50が配置されてい
る。この外周用研磨ドラム50は吸着盤22によって保
持状態の半導体ウェーハWの側方に配され、該半導体ウ
ェーハWの外周部と当接可能になっているとともに、ノ
ッチ用研磨ホイール23の回転軸と直交する方向の軸線
を中心に回転されるようになっている。
As shown in FIGS. 4, 5, 6, and 7, a cylindrical shape for polishing the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W is provided at a position facing the wheel body 37 with respect to the semiconductor wafer W. Is disposed. The outer peripheral polishing drum 50 is disposed on the side of the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 so that the outer peripheral polishing drum 50 can contact the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. It is designed to be rotated about an axis in a direction orthogonal to the center.

【0048】外周用研磨ドラム50には、この外周用研
磨ドラム50を回転駆動させる研磨ドラム回転機構51
aと、この外周用研磨ドラム50の回転軸方向に直動往
復移動させる研磨ドラム直動機構51bと、外周用研磨
ドラム50を半導体ウェーハWに対して接離方向に移動
させる研磨ドラム進退機構51cとを備えた外周用研磨
ドラム駆動手段51と、研磨時に研磨液を外周用研磨ド
ラム50上に供給するとともに半導体ウェーハWの外周
部面取り面S、Mにも供給する面取り面用研磨液供給手
段とをそれぞれ備えている。
The outer peripheral polishing drum 50 has a polishing drum rotating mechanism 51 for driving the outer peripheral polishing drum 50 to rotate.
a, a polishing drum linear movement mechanism 51b for linearly reciprocating in the rotation axis direction of the outer peripheral polishing drum 50, and a polishing drum advance / retreat mechanism 51c for moving the outer peripheral polishing drum 50 in a direction of approaching / separating from the semiconductor wafer W. Outer peripheral polishing drum driving means 51 comprising: a polishing liquid supplying means for supplying a polishing liquid onto the outer peripheral polishing drum 50 during polishing and also supplying the polishing liquid to the outer peripheral chamfered surfaces S and M of the semiconductor wafer W; And each is provided.

【0049】また、前記研磨ドラム直動機構51bは、
この研磨ドラム直動機構51bに揺動自在に支持され、
その先端で外周用研磨ドラム50を回転可能に支持して
いる外周用研磨ドラム支持部53を備えている。
The polishing drum linear motion mechanism 51b is
This polishing drum linear motion mechanism 51b is swingably supported,
An outer peripheral polishing drum support portion 53 that rotatably supports the outer peripheral polishing drum 50 at its tip is provided.

【0050】研磨ドラム直動機構51bは基台6上に固
定され、ノッチ用研磨ホイール23の表面と平行方向、
つまり鉛直方向に設けられたガイド55と、回転軸先端
に取り付けられたカムフォロワ54を回転させるカムフ
ォロワ回転用モータ56を有したユニット本体57と、
ガイド55でユニット本体57にガイド55に沿って移
動可能に連結された直動部58とを備えている。
The polishing drum linear motion mechanism 51b is fixed on the base 6, and is parallel to the surface of the notch polishing wheel 23.
That is, a unit body 57 having a guide 55 provided in the vertical direction, a cam follower rotation motor 56 for rotating the cam follower 54 attached to the tip of the rotating shaft,
A linear motion portion 58 is connected to the unit main body 57 by the guide 55 so as to be movable along the guide 55.

【0051】つまり、カムフォロワ回転用モータ56を
駆動して、図7に示すように、カムフォロワ54をカム
フォロワ回転用モータ56の回転中心Cを中心に回転さ
せると、直動部58に設けられた溝58aの中をカムフ
ォロワ54が回転することにより直動部58がガイド5
5に沿って揺動するように設定されている。
That is, when the cam follower rotation motor 56 is driven to rotate the cam follower 54 about the rotation center C of the cam follower rotation motor 56 as shown in FIG. When the cam follower 54 rotates in the inside of the guide 58a, the linear
5 is set to swing.

【0052】研磨ドラム支持部53は、外周用研磨ドラ
ム50を半導体ウェーハWの外周部面取り面S、Mに押
圧状態に当接させつつ、鉛直方向(ノッチ用研磨ホイー
ル23表面と平行方向)に、つまり傾動された半導体ウ
ェーハWの各面取り面S、Mと外周用研磨ドラム50の
表面とが当接されたとき、半導体ウェーハWの半径方向
に摺動可能に支持するように設定されている。
The polishing drum supporting portion 53 makes the outer peripheral polishing drum 50 abut against the outer peripheral chamfered surfaces S and M of the semiconductor wafer W in a pressed state, and in the vertical direction (parallel to the surface of the notch polishing wheel 23). That is, when each chamfered surface S, M of the tilted semiconductor wafer W is brought into contact with the surface of the outer peripheral polishing drum 50, the semiconductor wafer W is set so as to be slidable in the radial direction of the semiconductor wafer W. .

【0053】すなわち、研磨ドラム支持部53は、略T
字状に形成され直動部58に設けられた揺動用軸部59
に揺動可能に支持された揺動腕部60と、揺動腕部60
の基端に設置されたドラム回転用モータ61とを備えて
いる。
That is, the polishing drum supporting portion 53 is substantially T
Swing shaft portion 59 formed in a linear shape and provided in linear motion portion 58
Arm 60 pivotally supported on the arm, and a swing arm 60
And a drum rotation motor 61 installed at the base end of the drum.

【0054】揺動腕部60は、中間の突出部60aに貫
通孔60bが形成され、揺動用軸部59が貫通孔60b
に挿通されて揺動可能に支持されている。また、揺動腕
部60の先端には、ドラム支持軸部62を内挿して回転
可能に支持する腕部円筒部60cが研磨ドラム支持部5
3の直動方向に軸線を有して設けられている。
The swing arm 60 has a through hole 60b formed in an intermediate projecting portion 60a, and the swing shaft 59 is formed in the through hole 60b.
And is swingably supported. At the tip of the swing arm 60, an arm cylindrical portion 60c that rotatably supports the drum support shaft 62 by inserting the drum support shaft 62 is provided.
3 is provided with an axis in the linear motion direction.

【0055】ドラム支持軸部62は、ノッチ用研磨ホイ
ール23の回転軸と直交する方向、つまり鉛直上向きに
設置されており、基端にドラム側プーリ63が固定され
ているとともに、先端には外周用研磨ドラム50が同軸
に取り付けられている。
The drum support shaft portion 62 is installed in a direction perpendicular to the rotation axis of the notch polishing wheel 23, that is, vertically upward. A drum pulley 63 is fixed to a base end, and an outer periphery is Polishing drum 50 is coaxially mounted.

【0056】ドラム回転用モータ61の回転軸にはモー
タ側プーリ64が固定されており、このモータ側プーリ
64とドラム側プーリ61とは無端状ベルト65によっ
て連結されている。
A motor-side pulley 64 is fixed to the rotation shaft of the drum rotation motor 61, and the motor-side pulley 64 and the drum-side pulley 61 are connected by an endless belt 65.

【0057】研磨ドラム直動機構51bと揺動腕部60
の基端側とは、支持部材66a、66bを水平方向に配
された揺動用エアシリンダ67で連結されている。この
揺動用エアシリンダ67を伸縮させることにより、揺動
用軸部59を中心に外周用研磨ドラム支持部53を水平
方向に揺動させることができる。つまり、外周用研磨ド
ラム50を半導体ウェーハWに対して接近・離間させる
方向に移動させることができるとともに、半導体ウェー
ハWの外周部面取り面S、Mに所定の押圧力で当接させ
ることができる。
Polishing drum linear motion mechanism 51b and swing arm 60
The supporting members 66a and 66b are connected to each other by a swinging air cylinder 67 disposed horizontally. By expanding and contracting the swing air cylinder 67, the outer peripheral polishing drum support 53 can be swung in the horizontal direction about the swing shaft 59. That is, the outer peripheral polishing drum 50 can be moved in a direction to approach and separate from the semiconductor wafer W, and can be brought into contact with the outer peripheral chamfered surfaces S and M of the semiconductor wafer W with a predetermined pressing force. .

【0058】外周用研磨ドラム50は、ドラム支持軸部
62の先端部に設けられた取付用フランジ68に軸線を
同じくして固定されているアルミニウム合金等のホイー
ル本体50aと、このホイール本体50aの外周面を覆
って、巻回、固定された帯状の面取り面研磨布69と備
えている。なおこの面取り面研磨布69には、ゴムベル
トにSiO2 を含有させたものや、繊維の向きが一定で
ない不織布などが用いられており、図示しない研磨液供
給手段から水などの研磨液を供給させながら研磨を行
う。
The outer peripheral polishing drum 50 has a wheel body 50a made of an aluminum alloy or the like which is fixed to a mounting flange 68 provided at the end of the drum support shaft 62 so as to have the same axis as the wheel body 50a. A strip-shaped chamfered polishing cloth 69 wound and fixed over the outer peripheral surface is provided. The chamfered polishing cloth 69 is made of a rubber belt containing SiO2 or a non-woven fabric having a non-uniform fiber orientation. A polishing liquid such as water is supplied from a polishing liquid supply means (not shown). Perform polishing.

【0059】ウェーハ回転機構70は、図1、図3、図
8、図9に示すように、半導体ウェーハWを保持状態の
吸着盤22の下方中心から鉛直方向下向きに延びるよう
に連結された吸着盤支持軸部71と、この吸着盤支持軸
部71を内挿するとともに軸受72a、72bによって
回転自在に支持している吸着盤支持円筒部72と、この
吸着盤支持円筒部72から連続して水平方向に延びるよ
うに形成された筒状の吸着盤支持腕部73と、この吸着
盤支持腕部73の他端に設置された吸着盤回転用モータ
74とを備えている。
As shown in FIGS. 1, 3, 8, and 9, the wafer rotating mechanism 70 is a suction device connected so as to extend vertically downward from the lower center of the suction plate 22 in a holding state. The disk support shaft 71, the suction disk support cylindrical portion 72 in which the suction disk support shaft 71 is inserted and rotatably supported by bearings 72a and 72b, and the suction disk support cylindrical portion 72 continuously. It has a cylindrical suction-disc support arm 73 formed so as to extend in the horizontal direction, and a suction-disc rotation motor 74 installed at the other end of the suction-disc support arm 73.

【0060】吸着盤支持軸部71の下端は、吸着盤支持
腕部73の筒状内部まで達しているとともに、吸着盤側
プーリ75が吸着盤22と同軸になるように固定されて
いる。また、吸着盤回転用モータ74の下端に固定され
たモータ側プーリ76も吸着盤支持腕部73の筒状内部
に配置されており、これら吸着盤側プール75とモータ
側プーリ76とは、吸着盤支持腕部73の筒状内部にお
いて無端状ベルト77によって連結されている。そし
て、吸着盤回転用モータ74を駆動させることによっ
て、吸着盤22に保持された半導体ウェーハWは回転さ
れるようになっている。
The lower end of the suction disk support shaft 71 reaches the inside of the cylindrical shape of the suction disk support arm 73, and the suction disk pulley 75 is fixed so as to be coaxial with the suction disk 22. Also, a motor-side pulley 76 fixed to the lower end of the suction-disc rotating motor 74 is disposed inside the cylindrical shape of the suction-disc supporting arm 73, and the suction-disc-side pool 75 and the motor-side pulley 76 It is connected by an endless belt 77 inside the cylindrical shape of the board support arm 73. The semiconductor wafer W held by the suction disk 22 is rotated by driving the suction disk rotation motor 74.

【0061】この吸着盤回転用モータ74は例えばサー
ボモータからなっており、吸着盤22に保持された半導
体ウェーハWを任意の角度だけ回転させることも可能と
なっている。
The suction disk rotating motor 74 is, for example, a servomotor, and can rotate the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 by an arbitrary angle.

【0062】ウェーハ傾転機構80は、吸着盤支持腕部
73の一端部から水平方向に延びるように固定して連結
され、基端に傾動軸部84を備えた傾動用腕部81と、
傾動用腕部81の基端側を保持している平面視コ字状の
傾動支持部材85と、傾動支持部材85に設置された吸
着盤傾転用モータ82と、この吸着盤傾転用モータ82
に連結された減速機83とを備えている。傾動軸部84
の一方は吸着盤傾転用モータ82を連結している減速機
83に保持されており、他方は軸受86に回転自在に支
持されている。
The wafer tilting mechanism 80 is fixedly connected so as to extend in the horizontal direction from one end of the suction disk supporting arm 73 and has a tilting arm 81 having a tilting shaft 84 at the base end.
A tilt support member 85 holding a base end side of the tilt arm 81 in a U-shape in plan view, a suction motor tilt motor 82 installed on the tilt support member 85, and the suction disk tilt motor 82
And a speed reducer 83 connected to the Tilt shaft 84
One of them is held by a speed reducer 83 connected to a suction disc tilting motor 82, and the other is rotatably supported by a bearing 86.

【0063】吸着盤傾転用モータ82を駆動することに
よって、傾動用腕部81は旋回され、これに伴って吸着
盤支持腕部73に連結した吸着盤22に保持された半導
体ウェーハWも旋回されるようになっている。このと
き、傾動軸部84は、その延長線上に半導体ウェーハW
と外周用研磨ドラム50との当接部分が存在するように
設けられている。つまり、吸着盤22に保持された半導
体ウェーハWを、ノッチ用研磨ホイール23の回転軸に
平行、且つ、外周用研磨ドラム50と半導体ウェーハW
とが当接した部分近傍を傾転軸Gとして、半導体ウェー
ハWは傾転されるようになっている。
By driving the suction disk tilting motor 82, the tilting arm 81 is turned, and accordingly, the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 connected to the suction disk supporting arm 73 is also turned. It has become so. At this time, the tilt shaft portion 84 extends on the extension of the semiconductor wafer W.
The outer peripheral polishing drum 50 is provided so as to have a contact portion with the outer peripheral polishing drum 50. In other words, the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 is moved in parallel with the rotation axis of the notch polishing wheel 23 and the outer peripheral polishing drum 50 and the semiconductor wafer W.
The semiconductor wafer W is to be tilted with the vicinity of the portion where the contact is made as the tilt axis G.

【0064】このとき、吸着盤傾転用モータ82と、吸
着盤回転用モータ74とは独立して駆動されるようにな
っており、半導体ウェーハWを保持した吸着盤22は回
転しつつ傾転可能となっている。
At this time, the suction disc tilting motor 82 and the suction disc rotating motor 74 are driven independently of each other, and the suction disc 22 holding the semiconductor wafer W can be tilted while rotating. It has become.

【0065】このように構成された面取り面研磨装置4
を用いて半導体ウェーハWの面取り面を研磨する方法に
ついて説明する。
The chamfered-surface polishing apparatus 4 configured as described above
A method for polishing the chamfered surface of the semiconductor wafer W using the method will be described.

【0066】まず、図10に示すように、研磨処理前の
半導体ウェーハWを入れた取り出し用カセットC1を、
半導体ウェーハWの表面が下方に向くようにして基台6
上の所定位置にセットする。
First, as shown in FIG. 10, the unloading cassette C1 in which the semiconductor wafer W before the polishing process is placed is inserted into the unloading cassette C1.
The base 6 so that the surface of the semiconductor wafer W faces downward.
Set in the upper predetermined position.

【0067】次に、ローダーユニット8を駆動して、取
り出し用ハンド7を上下動させつつ取り出し用カセット
C1に向かって伸ばして所定の半導体ウェーハWの上方
に移動させ、半導体ウェーハWを吸着保持する。吸着
後、取り出し用カセットC1から半導体ウェーハWを取
り出すとともに、取り出し用ハンド7を移動させて、半
導体ウェーハWをウェーハ位置決めユニット2の載置台
9に移送させる。
Next, the loader unit 8 is driven to extend the picking hand 7 up and down toward the picking cassette C1 while moving the picking hand 7 up and down to move it above a predetermined semiconductor wafer W, thereby holding the semiconductor wafer W by suction. . After the suction, the semiconductor wafer W is taken out of the take-out cassette C1, and the take-out hand 7 is moved to transfer the semiconductor wafer W to the mounting table 9 of the wafer positioning unit 2.

【0068】半導体ウェーハWを、取り出し用ハンド7
の吸着を解くことによって載置台9上に載置させる。そ
して、ウェーハ位置決めユニット2を駆動して、載置台
9の半導体ウェーハWの芯出し及びノッチ部Vの方向決
めを行い、半導体ウェーハWを所定の向きに位置決めさ
せる。
The semiconductor wafer W is taken out of the hand 7
Is released on the mounting table 9 by releasing the suction. Then, the wafer positioning unit 2 is driven to center the semiconductor wafer W on the mounting table 9 and determine the direction of the notch portion V, thereby positioning the semiconductor wafer W in a predetermined direction.

【0069】半導体ウェーハWの位置決め及び方向決め
が終了した時点で、ハンド部12の吸着溝12aで半導
体ウェーハWを吸着して上昇させ、この状態でハンド部
12を水平移動して、面取り面研磨装置4上方である受
け渡し部10へ移送させる。
When the positioning and orientation of the semiconductor wafer W is completed, the semiconductor wafer W is sucked and lifted by the suction groove 12a of the hand unit 12, and the hand unit 12 is horizontally moved in this state to polish the chamfered surface. It is transferred to the transfer unit 10 above the device 4.

【0070】次いで、面取り面研磨装置4のシャッタ1
7を、シャッタ用エアシリンダ19の作動によってスラ
イドさせ、天板16を開口させる。そして天板16が開
口されたところで、半導体ウェーハWを下降させ、吸着
盤22上に載置させて保持させる。このとき、吸着盤2
2に保持された半導体ウェーハWは、そのノッチ部Vが
ノッチ用研磨ホイール23に対向するように配される。
Next, the shutter 1 of the chamfering surface polishing device 4
7 is slid by the operation of the shutter air cylinder 19 to open the top plate 16. Then, when the top plate 16 is opened, the semiconductor wafer W is lowered, and is placed and held on the suction plate 22. At this time, suction cup 2
The semiconductor wafer W held at 2 is arranged such that the notch portion V faces the notch polishing wheel 23.

【0071】半導体ウェーハWを吸着盤22に保持させ
たら、シャッタ用エアシリンダ19を駆動させてシャッ
タ17をスライドさせ、天板16の開口部を閉める。
After the semiconductor wafer W is held on the suction disk 22, the shutter air cylinder 19 is driven to slide the shutter 17, and the opening of the top plate 16 is closed.

【0072】次に、研磨液供給手段26を作動させて、
研磨液供給ノズル26aから研磨液をノッチ用研磨布3
9に供給させる。そして、回転用モータ33を駆動させ
てノッチ用研磨ホイール23を回転させるとともに、ノ
ッチ押圧用シリンダ30を駆動させてノッチ用研磨ホイ
ール回転駆動部24を半導体ウェーハW側に移動させ、
ノッチ用研磨ホイール23のノッチ用研磨布39をノッ
チ部Vに所定の押圧力で当接させる。このとき吸着盤回
転用モータ74は停止されており、半導体ウェーハWは
回転していない状態となっている。
Next, the polishing liquid supply means 26 is operated to
The polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 26a to the notch polishing cloth 3
9 is supplied. Then, while driving the rotation motor 33 to rotate the notch polishing wheel 23, the notch pressing cylinder 30 is driven to move the notch polishing wheel rotation drive unit 24 to the semiconductor wafer W side,
The notch polishing cloth 39 of the notch polishing wheel 23 is brought into contact with the notch portion V with a predetermined pressing force. At this time, the suction disk rotating motor 74 is stopped, and the semiconductor wafer W is not rotating.

【0073】これと同時に、半導体ウェーハWを保持し
た状態の吸着盤22をウェーハ傾転機構80によってゆ
っくりと傾転させる。つまり、ウェーハ傾転機構80の
吸着盤傾転用モータ82を駆動させ、傾動用軸部84を
回転中心として、吸着盤支持腕部73とともに吸着盤2
2を旋回させる。つまり、半導体ウェーハWは、ノッチ
用研磨ホイール23の回転軸に平行、且つ、外周用研磨
ドラム50と半導体ウェーハWの外周部とが当接した部
分近傍を傾転軸Gとしているため、図11に示すよう
に、ノッチ用研磨布39との当接部分が大きく揺動され
るようになっている。そして、所定の範囲で往復運動さ
せ、ノッチ部Vの内面全体を研磨する。
At the same time, the suction disk 22 holding the semiconductor wafer W is slowly tilted by the wafer tilting mechanism 80. In other words, the suction disc tilting motor 82 of the wafer tilting mechanism 80 is driven, and the suction disc 2 is moved together with the suction disc supporting arm 73 around the tilt shaft 84 as the center of rotation.
Turn 2 In other words, since the semiconductor wafer W has a tilt axis G near the rotation axis of the notch polishing wheel 23 and near the part where the outer peripheral polishing drum 50 and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W are in contact with each other, FIG. As shown in (1), the contact portion with the notch polishing cloth 39 is largely swung. Then, reciprocating motion is performed within a predetermined range, and the entire inner surface of the notch portion V is polished.

【0074】このとき、ノッチ用研磨布39を備えたノ
ッチ用研磨ホイール23は、ノッチ用押圧シリンダ30
を駆動させることにより、半導体ウェーハWの傾転に同
期するように、半導体ウェーハW方向に接離するように
往復移動されるようになっている。つまり、半導体ウェ
ーハWが水平状態のときは、ノッチ用研磨研磨ホイール
23は、ノッチ部Vに所定の押圧力を作用させつつ、半
導体ウェーハWから最も離れた位置に移動される。そし
て、半導体ウェーハWが図11中上下方向に傾転された
ときは、ノッチ部Vの内面にノッチ用研磨布39の押圧
力が常に均等な押圧力が作用するように、半導体ウェー
ハW側に接近するようになっている。
At this time, the notch polishing wheel 23 provided with the notch polishing cloth 39 is
Is driven to reciprocate so as to approach and separate in the direction of the semiconductor wafer W in synchronization with the tilt of the semiconductor wafer W. That is, when the semiconductor wafer W is in the horizontal state, the notch polishing wheel 23 is moved to a position farthest from the semiconductor wafer W while applying a predetermined pressing force to the notch V. When the semiconductor wafer W is tilted up and down in FIG. 11, the pressing force of the notch polishing cloth 39 is always applied to the inner surface of the notch V so that the pressing force of the notch polishing cloth 39 is evenly applied to the semiconductor wafer W. It is getting closer.

【0075】さらに、このとき、図12に示すように、
半導体ウェーハWのノッチ部V側が図12中、上方向に
傾転されたときは、図12(a)に示すように、ノッチ
用研磨ホイール23は反時計方向(矢印Y1)に回転
し、逆に下方に傾転されたときは、図12(b)のよう
に時計方向(矢印Y2)に回転させつつノッチ部Vの研
磨を行う。つまり、半導体ウェーハ傾転機構80によっ
て、半導体ウェーハWが、ノッチ部V内面とノッチ用研
磨布39との当接部分を半導体ウェーハWの傾転軸Gと
ノッチ用研磨ホイール23の回転軸とをそれぞれ直交さ
せて結んだ基準線Lから離れるように傾転されたとき、
ノッチ用研磨ホイール回転駆動部24は、ノッチ用研磨
ホイール23を、この当接部分のノッチ用研磨布39表
面を基準線Lに向かわせるように正逆回転させるように
なっている。つまり、ノッチ用研磨布39をこの当接部
分に存在する表面を基準線Lに向かわせる側、すなわち
アッパーカット側(食い込み側)に回転させて研磨を行
うようになっている。
At this time, as shown in FIG.
When the notch V side of the semiconductor wafer W is tilted upward in FIG. 12, the notch polishing wheel 23 rotates counterclockwise (arrow Y1) as shown in FIG. 12B, the notch V is polished while rotating clockwise (arrow Y2) as shown in FIG. 12B. In other words, the semiconductor wafer tilting mechanism 80 allows the semiconductor wafer W to move the contact portion between the inner surface of the notch V and the notch polishing cloth 39 between the tilt axis G of the semiconductor wafer W and the rotation axis of the notch polishing wheel 23. When tilted away from the reference line L tied orthogonally,
The notch polishing wheel rotation drive unit 24 rotates the notch polishing wheel 23 forward and backward so that the surface of the notch polishing cloth 39 at the contact portion faces the reference line L. In other words, the polishing is performed by rotating the notch polishing cloth 39 toward the reference line L, that is, toward the upper cut side (biting side), with the surface existing at the contact portion facing the reference line L.

【0076】こうして、半導体ウェーハWを半導体ウェ
ーハ傾転機構80によって所定の円弧範囲を往復するよ
うに傾転させながら、これに同期させるようにノッチ用
研磨ホイール23を半導体ウェーハWに接離させる方向
に往復移動させて、常にノッチ用研磨ホイール23とノ
ッチ部Vの内面との押圧力が垂直方向且つ均一になるよ
うに当接させるとともに、ノッチ用研磨ホイール23の
回転方向を、アッパーカット側になるように正逆回転さ
せてノッチ部Vの研磨を行う。
Thus, while the semiconductor wafer W is tilted by the semiconductor wafer tilting mechanism 80 so as to reciprocate in a predetermined arc range, the notch polishing wheel 23 is moved toward and away from the semiconductor wafer W in synchronization with the tilt. Reciprocating to make the pressing force between the notch polishing wheel 23 and the inner surface of the notch portion V always contact vertically and uniformly, and the rotation direction of the notch polishing wheel 23 to the upper cut side. The notch portion V is polished by rotating it forward and backward so as to be as follows.

【0077】ノッチ部Vの研磨が終了したら、ノッチ用
研磨ホイール23の回転用モータ33及び研磨液供給手
段26の駆動を停止させるとともに、ノッチ押圧用シリ
ンダ30を駆動させて、ノッチ用研磨ホイール23を半
導体ウェーハWのノッチ部Vから離間させる。
When the polishing of the notch portion V is completed, the drive of the rotation motor 33 of the notch polishing wheel 23 and the polishing liquid supply means 26 is stopped, and the notch pressing cylinder 30 is driven, so that the notch polishing wheel 23 From the notch V of the semiconductor wafer W.

【0078】次に、半導体ウェーハWの外周部面取り面
S、Mを研磨するために、研磨ドラム進退機構51cの
揺動用エアシリンダ67を駆動させて外周用研磨ドラム
50を半導体ウェーハWに接近させるとともに、ドラム
回転用モータ61を駆動して外周用研磨ドラム50を回
転させつつ、外周用研磨ドラム50と半導体ウェーハW
の外周部のうち研磨したい面取り面とを当接させる。こ
のとき、研磨液供給手段から研磨液を外周用研磨ドラム
50と半導体ウェーハWの外周部との当接面近傍に供給
させる。
Next, in order to polish the outer peripheral chamfered surfaces S and M of the semiconductor wafer W, the swinging air cylinder 67 of the polishing drum advance / retreat mechanism 51c is driven to bring the outer peripheral polishing drum 50 close to the semiconductor wafer W. At the same time, while driving the outer peripheral polishing drum 50 by driving the drum rotation motor 61, the outer peripheral polishing drum 50 and the semiconductor wafer W
Abut on the chamfered surface to be polished out of the outer peripheral portion. At this time, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply means to the vicinity of the contact surface between the outer peripheral polishing drum 50 and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W.

【0079】そして、図13に示すように、吸着盤傾転
用モータ82を駆動させて吸着盤22に保持された半導
体ウェーハWを、外周用研磨ドラム50と半導体ウェー
ハWとの当接部分近傍が傾転軸Gになるように傾動させ
る。つまり、図14に示すように、例えば表面側面取り
面Mを研磨したいときは、半導体ウェーハWを位置K1
のように傾転させ、裏面側面取り面Mを研磨したいとき
は、半導体ウェーハWを位置K2の位置に傾転させて研
磨を行う。また、先端側面取り面Sを研磨したいときは
半導体ウェーハWを水平に保ち、先端側面取り面Sと外
周用研磨ドラム50に設置された研磨布69とを当接し
研磨を行う。
Then, as shown in FIG. 13, the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 is driven by driving the suction disk tilting motor 82 so that the vicinity of the contact portion between the outer peripheral polishing drum 50 and the semiconductor wafer W is reduced. The tilt is made to be the tilt axis G. That is, as shown in FIG. 14, for example, when polishing the front side chamfer M, the semiconductor wafer W is moved to the position K1.
When it is desired to grind the back side chamfered surface M as described above, the semiconductor wafer W is tilted to the position K2 for polishing. When the tip side chamfer S is to be polished, the semiconductor wafer W is kept horizontal, and the tip side chamfer S is brought into contact with the polishing pad 69 provided on the outer peripheral polishing drum 50 to perform polishing.

【0080】このとき、研磨ドラム直動機構51bの直
動部58によって、外周用研磨ドラム50をガイド55
に沿って、この外周用研磨ドラム50の回転軸線方向に
往復移動させる。外周用研磨ドラム50を回転軸線方向
に往復移動させることにより、各面取り面S、Mは外周
用研磨ドラム50に研磨されつつ摺動される。
At this time, the outer peripheral polishing drum 50 is guided by the guide 55 by the linear motion portion 58 of the polishing drum linear motion mechanism 51b.
Along the axis of rotation of the outer peripheral polishing drum 50. By reciprocating the outer peripheral polishing drum 50 in the rotation axis direction, the chamfered surfaces S and M are slid while being polished by the outer peripheral polishing drum 50.

【0081】こうして、例えば表面側面取り面Mを研磨
したい場合は、外周用研磨ドラム50をその回転軸線方
向に往復移動させつつ回転させるとともに、この表面側
面取り面Mと研磨布69とが所定時間当接するように一
定時間半導体ウェーハWを所定の角度だけ傾斜させつつ
吸着盤回転用モータ74を駆動して吸着盤22に保持さ
れた半導体ウェーハWを回転させる。
Thus, for example, when it is desired to polish the surface chamfered surface M, the outer peripheral polishing drum 50 is rotated while being reciprocated in the direction of the rotation axis thereof, and the surface chamfered surface M and the polishing cloth 69 are maintained for a predetermined time. The semiconductor wafer W held by the suction disk 22 is rotated by driving the suction disk rotation motor 74 while inclining the semiconductor wafer W by a predetermined angle for a predetermined time so as to make contact with the semiconductor wafer W.

【0082】そして、この表面側面取り面Mの研磨が終
了したら、例えば裏面側面取り面Mを研磨するために半
導体ウェーハ傾転機構80を駆動して半導体ウェーハW
を所定の角度傾転させ、同様に研磨を行う。このように
して、複数ある外周部面取り面S、Mを連続的に研磨す
る。
When the polishing of the front side chamfer M is completed, the semiconductor wafer tilting mechanism 80 is driven to polish the rear side chamfer M, for example, and the semiconductor wafer W is polished.
Is tilted at a predetermined angle, and polishing is performed in the same manner. In this way, the plurality of outer peripheral chamfered surfaces S and M are continuously polished.

【0083】こうして、ノッチ部V及び外周部の各面取
り面S、Mの研磨が終了したら、図示しない半導体ウェ
ーハWの洗浄工程に送られる。
When the polishing of the chamfered surfaces S and M of the notch portion V and the outer peripheral portion is completed, the semiconductor wafer W is sent to a semiconductor wafer W cleaning step (not shown).

【0084】このように、吸着盤22に保持された半導
体ウェーハWは、ノッチ用研磨布39を備えたノッチ用
研磨ホイール23の回転軸に平行、且つ、外周用研磨ド
ラム50と半導体ウェーハWの外周部とが当接した部分
近傍を傾転軸Gとして傾転され、ノッチ部Vはノッチ用
研磨ホイール回転駆動部24によって回転されるノッチ
用研磨ホイール23に設けられたノッチ用研磨布39に
よって研磨される。ノッチ部Vは傾転しながらノッチ用
研磨布39に研磨されるため、その内面は全体的に研磨
されるようになっている。
As described above, the semiconductor wafer W held by the suction disk 22 is parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel 23 provided with the notch polishing cloth 39, and is formed between the outer peripheral polishing drum 50 and the semiconductor wafer W. The vicinity of the portion where the outer peripheral portion is in contact is tilted about the tilt axis G, and the notch portion V is rotated by the notch polishing wheel 23 rotated by the notch polishing wheel rotation drive unit 24 by the notch polishing cloth 39 provided on the notch polishing wheel 23. Polished. Since the notch portion V is polished by the notch polishing cloth 39 while tilting, the inner surface is entirely polished.

【0085】このとき、半導体ウェーハWが、ノッチ部
V内面とノッチ用研磨布39との当接部分を、半導体ウ
ェーハWの傾転軸Gとノッチ用研磨布39の回転軸とを
それぞれ直交させて結んだ基準線Lから離れるように傾
転されたとき、ノッチ用研磨布39は、この当接部分に
ある表面を基準線Lに向かわせるように正逆回転される
ようになっている。つまり、ノッチ用研磨布39は食い
込み側(アッパーカット側)に回転されるようになって
いる。
At this time, the contact portion of the semiconductor wafer W between the inner surface of the notch portion V and the polishing cloth 39 for notch is set so that the tilt axis G of the semiconductor wafer W and the rotation axis of the polishing cloth 39 for notch are perpendicular to each other. When the notch polishing cloth 39 is tilted away from the connected reference line L, the notch polishing cloth 39 is rotated forward and backward so that the surface at the contact portion faces the reference line L. That is, the notch polishing cloth 39 is rotated to the biting side (upper cut side).

【0086】そのため、ノッチ用研磨布39の端部には
バリBは発生しない傾向となり、このバリBに起因する
研磨ムラを無くすことができる。また、仮にバリBが生
じたとしてもノッチ用研磨布39はアッパーカット側に
回転されているため、発生したバリBは自然と切断さ
れ、ノッチ用研磨布39にはバリBが生じにくくなって
いる。
Therefore, burrs B tend not to be generated at the end of the notch polishing cloth 39, and polishing unevenness caused by the burrs B can be eliminated. Further, even if burrs B are generated, the notch polishing cloth 39 is rotated to the upper cut side, so the generated burrs B are cut naturally, so that the burrs B are not easily generated on the notch polishing cloth 39. I have.

【0087】そしてこのときの半導体ウェーハWの傾転
軸Gは、ノッチ用研磨ホイール23の回転軸に平行、且
つ、外周用研磨ドラム50と半導体ウェーハWの外周部
とが当接した部分近傍に設けられいる。つまり、ノッチ
部Vとノッチ用研磨布39との当接部分から遠方に設定
されている。そのため、ノッチ用研磨布39をアッパー
カット側に回転させても半導体ウェーハWにはびびり振
動をはじめとする半導体ウェーハWに対して悪影響を及
ぼすような振動やモーメントの作用は低減されており、
半導体ウェーハWは安定して研磨される。
The tilt axis G of the semiconductor wafer W at this time is parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel 23 and near the portion where the outer peripheral polishing drum 50 and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W abut. Is provided. That is, it is set far from the contact portion between the notch portion V and the polishing cloth 39 for notch. Therefore, even if the notch polishing cloth 39 is rotated to the upper cut side, the action of vibrations and moments that adversely affect the semiconductor wafer W, such as chatter vibration, is reduced.
The semiconductor wafer W is polished stably.

【0088】また、半導体ウェーハWの外周部を研磨す
るための外周研磨用ドラム50を、半導体ウェーハWを
基準としてノッチ用研磨ホイール23と対向する位置に
配置させ、半導体ウェーハWを傾転軸Gを中心に傾転さ
せるとともに、外周用研磨ドラム50と半導体ウェーハ
Wの外周部面取り面S、Mとを当接させて研磨するよう
にしたため、外周部の表裏面側や先端側の各面取り面
S、Mを研磨する際には、半導体ウェーハWを半導体ウ
ェーハ傾転機構80によって傾転させるだけでよい。
Further, an outer peripheral polishing drum 50 for polishing the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W is disposed at a position facing the notch polishing wheel 23 with respect to the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W And the outer peripheral polishing drum 50 and the outer peripheral chamfered surfaces S and M of the semiconductor wafer W are brought into contact with each other for polishing. When polishing S and M, the semiconductor wafer W need only be tilted by the semiconductor wafer tilting mechanism 80.

【0089】つまり、半導体ウェーハW外周部の表裏面
側或いは先端側の各面取り面S、Mを研磨する場合に
も、半導体ウェーハW全体を反転させる工程が必要無く
なり、各面取り面S、Mの研磨は連続的に一度に行うこ
とができる。そのため、研磨工程の工程数や時間を短縮
できるとともに、外周用研磨ドラム50と半導体ウェー
ハW外周部面取り面S、Mとの当接角度は任意に設定で
きるため、様々な仕様の半導体ウェーハWの研磨に対し
てフレキシブルに対応することができる。
In other words, even when the chamfered surfaces S and M on the front and back sides or the tip side of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W are polished, the step of inverting the entire semiconductor wafer W is not required, and the chamfered surfaces S and M are not required. Polishing can be performed continuously at once. Therefore, the number of polishing steps and time can be reduced, and the contact angle between the outer peripheral polishing drum 50 and the outer peripheral chamfered surfaces S and M can be set arbitrarily. It is possible to flexibly cope with polishing.

【0090】さらに、半導体ウェーハWの反転を行う必
要がなくなったため、研磨工程時における半導体ウェー
ハWは、吸着盤22によって片面のみを支持させればよ
く、その表面の傷付きの発生を最小限に抑えることがで
きる。つまり半導体ウェーハWを反転させなければなら
ない場合、例えばチャック等によって半導体ウェーハW
の表裏面をそれぞれ支持する必要があるが、半導体ウェ
ーハ傾転機構80を設けたことにより、片面支持のみで
外周部面取り面S、Mの研磨を行うことができる。
Further, since it is no longer necessary to invert the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W may be supported only on one side by the suction disk 22 in the polishing step, and the occurrence of scratches on the surface is minimized. Can be suppressed. That is, when the semiconductor wafer W needs to be inverted, the semiconductor wafer W is
It is necessary to support the front and back surfaces respectively, but by providing the semiconductor wafer tilting mechanism 80, the outer peripheral chamfered surfaces S and M can be polished only by single-sided support.

【0091】ノッチ用研磨ホイール23と外周用研磨ド
ラム50とを半導体ウェーハWを基準に対向させて配置
したため、ノッチ部Vの研磨工程と外周部の各面取り面
S、Mの研磨工程との間の搬送機構等は省略され、装置
の小型化や工程数の減少を実現することができる。ま
た、半導体ウェーハW外周部の各面取り面S、Mの研磨
を同じ機構で行わせるようにしたため、作業は連続的に
行われるようになり、効率は向上されるとともに、装置
全体の省スペース化を実現することができ、コスト低
減、各面取り面の安定した研磨を行うことができる。
Since the notch polishing wheel 23 and the outer peripheral polishing drum 50 are disposed so as to face each other with the semiconductor wafer W as a reference, the notch portion V and the outer peripheral portion chamfered surfaces S and M can be polished. The transfer mechanism and the like are omitted, and the size of the apparatus can be reduced and the number of steps can be reduced. In addition, since the chamfered surfaces S and M of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W are polished by the same mechanism, the operations are continuously performed, the efficiency is improved, and the space of the entire apparatus is reduced. Can be realized, and cost reduction and stable polishing of each chamfered surface can be performed.

【0092】傾転している半導体ウェーハWのノッチ部
Vに対して、ノッチ用研磨ホイール23をノッチ用研磨
ホイール揺動駆動部25によって離接方向に移動可能と
したため、ノッチ部V内面に対するノッチ用研磨布39
の押圧力を常に一定に直角方向に作用させつつ任意に設
定することができる。そのため、ノッチ部Vの内面に均
等な押圧力を作用させることができ、ムラのない安定し
た研磨を行うことができる。
The notch polishing wheel 23 can be moved in the direction of contact with the notch portion V of the tilted semiconductor wafer W by the notch polishing wheel swing drive unit 25. Polishing cloth 39
Can be arbitrarily set while constantly applying the pressing force in the perpendicular direction. Therefore, a uniform pressing force can be applied to the inner surface of the notch portion V, and stable polishing without unevenness can be performed.

【0093】外周用研磨ドラム50は、研磨ドラム直動
機構51bによってその回転軸方向に往復移動しながら
外周部面取り面S、Mを研磨するようになっている。そ
のため、外周用研磨ドラム50の表面の摩耗は片寄ら
ず、それに伴い外周部面取り面S、Mの研磨面は均一で
良好なものとなる。さらに、外周部面取り面S、Mに対
する押圧力を任意に設定することができる。
The outer peripheral polishing drum 50 is configured to polish the outer peripheral chamfered surfaces S and M while reciprocating in the direction of the rotation axis thereof by the polishing drum linear motion mechanism 51b. Therefore, the abrasion of the surface of the outer peripheral polishing drum 50 is not uneven, and accordingly, the polished surfaces of the outer peripheral chamfered surfaces S and M are uniform and excellent. Further, the pressing force against the outer peripheral chamfered surfaces S and M can be set arbitrarily.

【0094】なお、図15(a)に示すように、ノッチ
用研磨布39の厚みをノッチ部Vの周方向の幅より小さ
く設け、ノッチ部V内面にノッチ用研磨布39を当接さ
せたまま、サーボモータからなる吸着盤回転用モータ7
4を円周方向に揺動させてノッチ部Vを研磨することも
可能である。ノッチ用研磨布39の厚みをノッチ部Vの
周方向の幅より小さく設けたため、ノッチ用研磨布39
の端部とノッチ部Vとは干渉しなくなり、ノッチ用研磨
布39のバリBの発生は低減される。そして、ノッチ用
研磨布39をノッチ部Vに当接させたまま半導体ウェー
ハWを円周方向に揺動させることにより、ノッチ部V内
部は全体的に安定して研磨される。
As shown in FIG. 15A, the thickness of the notch polishing cloth 39 was smaller than the circumferential width of the notch V, and the notch polishing cloth 39 was brought into contact with the inner surface of the notch V. The suction disk rotating motor 7 composed of a servomotor
The notch V can be polished by swinging the notch 4 in the circumferential direction. Since the thickness of the notch polishing cloth 39 is smaller than the circumferential width of the notch portion V, the notch polishing cloth 39 is formed.
Does not interfere with the notch portion V, and the occurrence of burrs B of the notch polishing cloth 39 is reduced. Then, by rotating the semiconductor wafer W in the circumferential direction while the notch polishing cloth 39 is kept in contact with the notch portion V, the inside of the notch portion V is entirely and stably polished.

【0095】あるいは、図15(b)に示すように、ノ
ッチ用研磨布39の厚みをノッチ部Vの周方向の幅より
小さく設け、ノッチ部V内面に当接させたままノッチ用
研磨布39の回転軸線方向に往復移動させるノッチ用研
磨ホイール揺動機構を設けることも可能である。このよ
うな構成とすることにより、ノッチ用研磨布39の端部
はノッチ部Vと干渉しなくなり、バリBの発生を低減さ
せることができ、その結果研磨ムラを低減させることが
できる。
Alternatively, as shown in FIG. 15B, the thickness of the notch polishing cloth 39 is smaller than the circumferential width of the notch V, and the notch polishing cloth 39 is kept in contact with the inner surface of the notch V. It is also possible to provide a notch polishing wheel swinging mechanism for reciprocating in the direction of the rotation axis of the notch. With such a configuration, the end of the notch polishing cloth 39 does not interfere with the notch V, and the occurrence of burrs B can be reduced, and as a result, polishing unevenness can be reduced.

【0096】[0096]

【発明の効果】本発明の半導体ウェーハの面取り面研磨
装置及びその方法は、以下のような効果を有するもので
ある。
The apparatus and method for chamfering a semiconductor wafer according to the present invention have the following effects.

【0097】請求項1に記載の発明によれば、前記ウェ
ーハ吸着盤に保持された半導体ウェーハは、前記ノッチ
用研磨ホイールの回転軸に平行、且つ、前記外周用研磨
ドラムと半導体ウェーハの外周部とが当接した部分近傍
を軸として傾転され、前記ノッチ部は前記ノッチ用研磨
ホイール回転機構によって回転されるノッチ用研磨ホイ
ールに設けられたノッチ用研磨布によって研磨される。
ノッチ部Vは傾転しながらノッチ用研磨布に研磨される
ため、その内面は全体的に研磨されるようになってい
る。また、半導体ウェーハの外周部を研磨するための外
周研磨用ドラムを、前記半導体ウェーハを基準として前
記ノッチ用研磨ホイールと対向する位置に配置させ、前
記半導体ウェーハを前記傾転軸を中心に傾転させるとと
もに、前記外周用研磨ドラムと半導体ウェーハの外周部
面取り面とを当接させて研磨するようにしたため、外周
部の表裏面側や先端側の各面取り面を研磨する際には、
半導体ウェーハを前記傾転機構によって傾転させるだけ
でよい。つまり、半導体ウェーハ外周部の表裏面側或い
は先端側の各面取り面を研磨する場合にも、半導体ウェ
ーハ全体を反転させる工程が必要無くなり、各面取り面
の研磨は連続的に一度に行うことができる。そのため、
研磨工程の工程数や時間を短縮できるとともに、外周用
研磨ドラムと半導体ウェーハ外周部面取り面との当接角
度は任意に設定できるため、様々な仕様の半導体ウェー
ハの研磨に対してフレキシブルに対応することができ
る。さらに、半導体ウェーハの反転を行う必要がなくな
ったため、研磨時における半導体ウェーハの支持は、表
裏面いずれか一方に対して行えばよく、例えばチャック
等による保持を必要最小限に抑えることができ、前記保
持に起因する傷等の発生を低減させることができる。さ
らに、ノッチ用研磨ホイールと外周用研磨ドラムとを半
導体ウェーハを基準に対向させて配置したため、ノッチ
部研磨工程と外周部の各面取り面研磨工程との間の搬送
機構等は省略され、装置の小型化や工程数の減少を実現
することができる。また、前記半導体ウェーハ外周部の
各面取り面の研磨を同じ機構で行わせるようにしたた
め、作業効率を向上させるとともに、装置全体の省スペ
ース化を実現することができ、コスト低減、各面取り面
の安定した研磨を行うことができる。
According to the first aspect of the present invention, the semiconductor wafer held by the wafer suction disk is parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel, and the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. The notch portion is polished by a notch polishing cloth provided on a notch polishing wheel rotated by the notch polishing wheel rotating mechanism.
The notch portion V is polished to the notch polishing cloth while tilting, so that the inner surface is entirely polished. Further, an outer peripheral polishing drum for polishing an outer peripheral portion of the semiconductor wafer is disposed at a position facing the notch polishing wheel with respect to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is tilted about the tilt axis. In addition, because the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral chamfered surface of the semiconductor wafer are brought into contact with each other for polishing, when polishing each chamfered surface on the front and back surfaces and the tip side of the outer peripheral portion,
It is only necessary to tilt the semiconductor wafer by the tilt mechanism. That is, even when polishing each chamfered surface on the front and back sides or the front end side of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer, the step of inverting the entire semiconductor wafer is not required, and the polishing of each chamfered surface can be continuously performed at once. . for that reason,
The number and time of the polishing process can be reduced, and the contact angle between the outer peripheral polishing drum and the chamfer surface of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer can be set arbitrarily, so that it can flexibly cope with polishing of semiconductor wafers of various specifications. be able to. Further, since it is no longer necessary to invert the semiconductor wafer, the support of the semiconductor wafer at the time of polishing may be performed on either one of the front and back surfaces, for example, holding by a chuck or the like can be minimized, The occurrence of scratches and the like due to holding can be reduced. Furthermore, since the notch polishing wheel and the outer peripheral polishing drum are disposed so as to face each other with the semiconductor wafer as a reference, the transport mechanism and the like between the notch portion polishing step and the respective chamfering surface polishing steps of the outer peripheral part are omitted, and the apparatus is not used. It is possible to reduce the size and the number of steps. In addition, since the polishing of each chamfered surface of the semiconductor wafer outer peripheral portion is performed by the same mechanism, work efficiency can be improved, and space saving of the entire apparatus can be realized, cost reduction, and reduction of each chamfered surface. Stable polishing can be performed.

【0098】請求項2に記載の発明によれば、傾転して
いる半導体ウェーハのノッチ部に対して、前記ノッチ用
研磨ホイールを離接方向に移動可能としたため、前記ノ
ッチ部内面に対する前記ノッチ用研磨布の押圧力を、常
に一定に作用させつつ任意に設定することができる。そ
のため、ノッチ部の内面に均等な押圧力を作用させるこ
とができ、ムラのない安定した研磨を行うことができ
る。また、外周部面取り面研磨工程時には、半導体ウェ
ーハ近傍から退避するようになっている。
According to the second aspect of the present invention, since the notch polishing wheel can be moved in the direction of separation from the notch portion of the tilted semiconductor wafer, the notch with respect to the inner surface of the notch portion is formed. The pressing force of the polishing pad for polishing can be arbitrarily set while constantly acting. Therefore, a uniform pressing force can be applied to the inner surface of the notch portion, and stable polishing without unevenness can be performed. Further, during the outer peripheral chamfering polishing step, the semiconductor wafer is retracted from the vicinity of the semiconductor wafer.

【0099】請求項3に記載の発明によれば、前記半導
体ウェーハが、前記ノッチ部内面と前記ノッチ用研磨布
との当接部分を、前記半導体ウェーハの傾転軸と前記ノ
ッチ用研磨布の回転軸とをそれぞれ直交させて結んだ基
準線から離れるように傾転されたとき、前記ノッチ用研
磨布は、この当接部分にある表面を前記基準線に向かわ
せるように正逆回転されるようになっている。つまり、
ノッチ用研磨布は食い込み側(アッパーカット側)に回
転されるようになっている。そのため、ノッチ用研磨布
の端部にはバリが発生せず、研磨ムラを無くすことがで
きる。また、仮にバリが生じたとしてもノッチ用研磨布
はアッパーカット側に回転されているため、発生したバ
リは自然と切断され、ノッチ用研磨布にはバリが生じに
くくなっている。そしてこのときの半導体ウェーハの傾
転軸は、前記ノッチ用研磨ホイールの回転軸に平行、且
つ、前記外周用研磨ドラムと半導体ウェーハの外周部と
が当接した部分近傍に設けられおり、つまり、ノッチ部
と前記ノッチ用研磨布との当接部分から遠方に設定され
ている。そのため、ノッチ用研磨布をアッパーカット側
に回転させても半導体ウェーハWにはびびり振動をはじ
めとする半導体ウェーハWに対して悪影響を及ぼすよう
な振動やモーメントの作用は低減されており、半導体ウ
ェーハは安定して研磨される。
According to the third aspect of the present invention, the semiconductor wafer has a contact portion between the inner surface of the notch and the polishing cloth for the notch, and the tilt axis of the semiconductor wafer and the polishing cloth for the notch. When the notch polishing cloth is tilted away from a reference line tied at right angles to the rotation axis, the notch polishing cloth is rotated forward and backward so as to direct the surface at the contact portion to the reference line. It has become. That is,
The polishing cloth for the notch is rotated to the biting side (upper cut side). Therefore, no burrs are generated at the end of the notch polishing cloth, and uneven polishing can be eliminated. Even if burrs are formed, since the notch polishing cloth is rotated toward the upper cut side, the generated burrs are cut naturally, so that the notch polishing cloth is less likely to generate burrs. The tilt axis of the semiconductor wafer at this time is parallel to the rotation axis of the notch polishing wheel, and is provided near a portion where the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer are in contact with each other, that is, It is set far from a contact portion between the notch portion and the polishing cloth for the notch. Therefore, even when the notch polishing cloth is rotated to the upper cut side, the action of vibrations and moments that adversely affect the semiconductor wafer W, such as chatter vibration, is reduced. Is polished stably.

【0100】請求項4に記載の発明によれば、前記外周
用研磨ドラムはその回転軸方向に往復移動しながら前記
外周部面取り面を研磨するようになっている。そのた
め、外周用研磨ドラムの表面の摩耗は片寄らず、外周部
面取り面の研磨面は均一で良好なものとなる。また、こ
の外周用研磨ドラムは半導体ウェーハから接離する方向
に移動可能となっており、前記ノッチ部研磨工程時には
退避されるようになっている。さらに、前記外周部面取
り面に対する押圧力を任意に設定することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the outer peripheral polishing drum grinds the outer peripheral chamfer while reciprocating in the direction of the rotation axis. Therefore, the wear of the surface of the outer peripheral polishing drum is not uneven, and the polished surface of the outer peripheral chamfered surface is uniform and favorable. The outer peripheral polishing drum is movable in the direction of coming and going from the semiconductor wafer, and is retracted during the notch portion polishing step. Further, the pressing force against the outer peripheral chamfered surface can be arbitrarily set.

【0101】請求項5に記載の発明によれば、前記ノッ
チ用研磨布の厚みを前記ノッチ部の周方向の幅より小さ
く設けたため、ノッチ用研磨布の端部とノッチ部とは干
渉しなくなりノッチ用研磨布のバリの発生は低減され
る。そして、ノッチ用研磨布を前記ノッチ部に当接させ
たまま半導体ウェーハを円周方向に揺動させることによ
り、ノッチ部内部は全体的に安定して研磨される。
According to the fifth aspect of the present invention, the thickness of the notch polishing cloth is set to be smaller than the circumferential width of the notch, so that the end of the notch polishing cloth does not interfere with the notch. Burrs of the notch polishing cloth are reduced. Then, by rotating the semiconductor wafer in the circumferential direction while the notch polishing cloth is kept in contact with the notch portion, the inside of the notch portion is polished stably as a whole.

【0102】請求項6に記載の発明によれば、前記ノッ
チ用研磨布の厚みを、前記ノッチ部の周方向の幅より小
さく設けることによって、ノッチ用研磨布の端部とノッ
チ部とは干渉しなくなり、バリの発生を低減させること
ができ、その結果研磨ムラを低減させることができる。
そして、このノッチ用研磨布を、回転軸線方向に往復移
動自在に支持することにより、ノッチ部内面は全体的に
均一に研磨される。
According to the sixth aspect of the present invention, by providing the thickness of the notch polishing cloth smaller than the circumferential width of the notch portion, the edge of the notch polishing cloth and the notch portion can interfere with each other. And the occurrence of burrs can be reduced, and as a result, polishing unevenness can be reduced.
By supporting the polishing cloth for the notch so as to be reciprocally movable in the direction of the rotation axis, the inner surface of the notch is entirely uniformly polished.

【0103】請求項7に記載の発明によれば、ノッチ部
内面の研磨は、ノッチ用研磨布のバリの発生を抑えるつ
つ振動やモーメントなどの半導体ウェーハに対して悪影
響な作用を低減させながら安定且つ均一に行われる。そ
して、前記ノッチ用研磨布の対向した位置に外周用研磨
ドラムを配置したため、半導体ウェーハは1つのウェー
ハ吸着盤に保持されつつ、ノッチ部内面の研磨と外周部
面取り面の研磨とを連続的に行うことができる。さら
に、半導体ウェーハは傾転されるようになっているた
め、外周部の表裏面側の各面取り面の研磨を連続的に行
うことができ、省スペースで効率的な研磨を行うことが
できる。
According to the seventh aspect of the present invention, the polishing of the inner surface of the notch portion can be performed while suppressing burrs of the polishing cloth for the notch and reducing the adverse effects such as vibration and moment on the semiconductor wafer. It is performed uniformly. And since the outer peripheral polishing drum is arranged at the position facing the notch polishing cloth, the semiconductor wafer is held by one wafer suction disk, and the polishing of the inner surface of the notch portion and the polishing of the outer peripheral chamfer surface are continuously performed. It can be carried out. Further, since the semiconductor wafer is tilted, the respective chamfered surfaces on the front and back sides of the outer peripheral portion can be continuously polished, so that space-saving and efficient polishing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体ウェーハの面取り面研磨装置の
実施形態の一例を示す上方から見た平面図である。
FIG. 1 is a plan view seen from above showing an example of an embodiment of a chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer of the present invention.

【図2】図1を正面から見た正面図である。FIG. 2 is a front view of FIG. 1 as viewed from the front.

【図3】本発明の半導体ウェーハの面取り面研磨装置の
実施形態の一例を示す上方から見た平面図である。
FIG. 3 is a plan view seen from above showing an example of an embodiment of a chamfered surface polishing apparatus for a semiconductor wafer of the present invention.

【図4】外周用研磨ドラム及び外周用研磨ドラム駆動手
段を説明する上方から見た平面図である。
FIG. 4 is a plan view illustrating the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral polishing drum driving unit as viewed from above.

【図5】図4を外周用研磨ドラム駆動手段側から見た正
面図である。
FIG. 5 is a front view of FIG. 4 as viewed from an outer peripheral polishing drum driving unit.

【図6】図4を側方から見た断面図である。FIG. 6 is a sectional view of FIG. 4 as viewed from the side.

【図7】外周用研磨ドラム駆動手段の直動機構を説明す
る図である。
FIG. 7 is a view for explaining a linear motion mechanism of the outer peripheral polishing drum driving means.

【図8】半導体ウェーハを保持したウェーハ吸着盤及び
ウェーハ回転機構を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a wafer suction disk holding a semiconductor wafer and a wafer rotating mechanism.

【図9】図8を正面から見た平面図である。FIG. 9 is a plan view of FIG. 8 as viewed from the front.

【図10】本発明の半導体ウェーハの面取り面研磨装置
を含んだシステム全体を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating an entire system including a chamfering surface polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

【図11】半導体ウェーハとノッチ用研磨ホイールとの
関係を説明する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a relationship between a semiconductor wafer and a notch polishing wheel.

【図12】ノッチ用研磨ホイールの回転方向を説明する
図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a rotation direction of a notch polishing wheel.

【図13】半導体ウェーハと外周用研磨ドラムとの関係
を説明する図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a relationship between a semiconductor wafer and an outer peripheral polishing drum.

【図14】図13のうち、外周用研磨ドラムと半導体ウ
ェーハWの外周部とが当接された部分を説明する図であ
る。
FIG. 14 is a diagram illustrating a portion of FIG. 13 where an outer peripheral polishing drum and an outer peripheral portion of a semiconductor wafer W are in contact with each other.

【図15】ノッチ部を研磨するときの他の実施形態を説
明する図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating another embodiment when polishing a notch portion.

【図16】従来の面取り面研磨装置を説明する図であ
る。
FIG. 16 is a view illustrating a conventional chamfering surface polishing apparatus.

【図17】ノッチ部を説明する図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a notch portion.

【図18】ノッチ部を形成するための砥石を説明する図
である。
FIG. 18 is a diagram illustrating a grindstone for forming a notch portion.

【図19】図17のA−A断面図である。19 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図20】従来の面取り面研磨装置を説明する図であ
る。
FIG. 20 is a diagram illustrating a conventional chamfering surface polishing apparatus.

【図21】従来の面取り面研磨装置を説明する図であ
る。
FIG. 21 is a diagram illustrating a conventional chamfering surface polishing apparatus.

【図22】従来の面取り面研磨装置を説明する図であ
る。
FIG. 22 is a view illustrating a conventional chamfering surface polishing apparatus.

【図23】ノッチ用研磨布にバリが発生する様子を説明
する図である。
FIG. 23 is a view for explaining how burrs are generated on the notch polishing cloth.

【図24】従来の面取り面研磨装置を説明する図であ
る。
FIG. 24 is a view illustrating a conventional chamfering surface polishing apparatus.

【図25】従来の面取り面研磨装置を説明する図であ
る。
FIG. 25 is a diagram illustrating a conventional chamfering surface polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 面取り面研磨装置 22 吸着盤 23 ノッチ用研磨ホイール 24 ノッチ用研磨ホイール回転駆動部(ノッチ用研磨
ホイール回転機構) 25 ノッチ用研磨ホイール揺動駆動部 30 ノッチ用押圧シリンダ 33 (ノッチ用研磨ホイール)回転用モータ 39 ノッチ用研磨布 50 外周用研磨ドラム 51 外周用研磨ドラム駆動手段 51a 研磨ドラム回転機構 51b 研磨ドラム直動機構 51c 研磨ドラム進退機構 58 直動部 61 ドラム回転用モータ 67 揺動用エアシリンダ 69 (外周用研磨ドラム)研磨布 70 ウェーハ回転機構 74 吸着盤回転用モータ 80 半導体ウェーハ傾転機構 82 吸着盤傾転用モータ W 半導体ウェーハ V ノッチ部 S 外周部面取り面 W 外周部面取り面 B バリ
4 Chamfering Surface Polishing Device 22 Suction Board 23 Notch Polishing Wheel 24 Notch Polishing Wheel Rotary Drive (Notch Polishing Wheel Rotary Mechanism) 25 Notch Polishing Wheel Swinging Drive 30 Notch Press Cylinder 33 (Notch Polishing Wheel) Rotating motor 39 Notch polishing cloth 50 Peripheral polishing drum 51 Peripheral polishing drum driving means 51a Polishing drum rotation mechanism 51b Polishing drum linear movement mechanism 51c Polishing drum advance / retreat mechanism 58 Linear part 61 Drum rotation motor 67 Oscillating air cylinder 69 (Peripheral polishing drum) Polishing cloth 70 Wafer rotating mechanism 74 Suction disk rotating motor 80 Semiconductor wafer tilting mechanism 82 Suction disk tilting motor W Semiconductor wafer V Notch S Outer peripheral chamfering surface W Outer peripheral chamfering surface B

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハのノッチ部及び外周部の
面取り面を研磨するための半導体ウェーハの面取り面研
磨装置であって、 前記半導体ウェーハを保持するウェーハ吸着盤と、 このウェーハ吸着盤によって保持された半導体ウェーハ
を回転させる半導体ウェーハ回転機構と、 周縁部の断面形状がほぼノッチ部形状に近い円盤状また
は円環状のノッチ用研磨布を備えたノッチ用研磨ホイー
ルと、 前記ノッチ用研磨布の周縁部を前記ノッチ部の内面に押
圧させつつ前記ノッチ用研磨ホイールを回転可能に支持
するノッチ用研磨ホイール回転機構と、 前記半導体ウェーハを基準として前記ノッチ用研磨布と
対向する位置に配置された円筒状の外周用研磨ドラム
と、 この外周用研磨ドラムを前記半導体ウェーハの外周部面
取り面に当接させつつ回転可能に支持する外周用研磨ド
ラム回転機構と、 前記ウェーハ吸着盤に保持された半導体ウェーハを、前
記ノッチ用研磨ホイールの回転軸に平行、且つ、前記外
周用研磨ドラムと半導体ウェーハの外周部とが当接した
部分近傍を軸として傾転させる半導体ウェーハ傾転機構
とを備えたことを特徴とする半導体ウェーハの面取り面
研磨装置。
1. An apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer for polishing a chamfered surface of a notch portion and an outer peripheral portion of the semiconductor wafer, comprising: a wafer suction disk holding the semiconductor wafer; and a wafer suction disk held by the wafer suction disk. A semiconductor wafer rotating mechanism for rotating a semiconductor wafer, a notch polishing wheel provided with a disk-shaped or annular notch polishing cloth having a cross-sectional shape of a peripheral portion substantially similar to a notch portion shape, and a peripheral edge of the notch polishing cloth. A notch polishing wheel rotating mechanism for rotatably supporting the notch polishing wheel while pressing a portion against the inner surface of the notch portion, and a cylinder disposed at a position facing the notch polishing cloth with respect to the semiconductor wafer. -Shaped outer peripheral polishing drum, and contacting the outer peripheral polishing drum with the outer peripheral chamfered surface of the semiconductor wafer. An outer peripheral polishing drum rotating mechanism rotatably supporting, a semiconductor wafer held by the wafer suction disk, parallel to a rotation axis of the notch polishing wheel, and an outer peripheral portion of the outer peripheral polishing drum and the semiconductor wafer; A semiconductor wafer tilting mechanism for tilting around a portion in contact with the semiconductor wafer as an axis.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体ウェーハの面取
り面研磨装置であって、 前記ノッチ用研磨ホイールには、前記半導体ウェーハ傾
転機構によって傾転される半導体ウェーハのノッチ部内
面に対する前記ノッチ用研磨布の押圧力を常に一定に作
用させるように、前記半導体ウェーハに対して離接方向
に移動させるノッチ用研磨ホイール進退機構が備えられ
ていることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨
装置。
2. The apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the notch polishing wheel is provided with the notch with respect to an inner surface of a notch portion of the semiconductor wafer tilted by the semiconductor wafer tilting mechanism. A notch polishing wheel advancing / retreating mechanism for moving the semiconductor wafer in the direction of contact and detachment so that the pressing force of the polishing cloth is always kept constant. .
【請求項3】 請求項1または2に記載の半導体ウェー
ハの面取り面研磨装置であって、 前記半導体ウェーハ傾転機構によって、前記半導体ウェ
ーハが、前記ノッチ部内面とノッチ用研磨布との当接部
分を前記半導体ウェーハの傾転軸と前記ノッチ用研磨ホ
イールの回転軸とをそれぞれ直交させて結んだ基準線か
ら離れるように傾転されたとき、 前記ノッチ用研磨ホイール回転機構は、正逆回転される
前記ノッチ用研磨ホイールを、この当接部分のノッチ用
研磨布表面を前記基準線に向かわせる一方向に回転させ
ることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装
置。
3. The apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is brought into contact with the inner surface of the notch and the polishing cloth for the notch by the semiconductor wafer tilting mechanism. When the portion is tilted away from a reference line that connects the tilt axis of the semiconductor wafer and the rotation axis of the notch polishing wheel at right angles, the notch polishing wheel rotation mechanism rotates forward and reverse. A chamfering surface polishing apparatus for a semiconductor wafer, wherein the notch polishing wheel is rotated in one direction such that the surface of the notch polishing cloth at the contact portion is directed to the reference line.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体
ウェーハの面取り面研磨装置であって、 前記外周用研磨ドラムには、この研磨ドラムを回転軸方
向に往復移動させる研磨ドラム直動機構と、前記半導体
ウェーハから接離方向に移動させる研磨ドラム進退機構
とが備えられていることを特徴とする半導体ウェーハの
面取り面研磨装置。
4. The polishing apparatus for chamfering a semiconductor wafer according to claim 1, wherein said outer peripheral polishing drum is linearly moved to reciprocate the polishing drum in a rotation axis direction. An apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer, comprising: a mechanism; and a polishing drum advancing / retreating mechanism for moving the semiconductor drum in a direction of contact and separation from the semiconductor wafer.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体
ウェーハの面取り面研磨装置であって、 前記ノッチ用研磨布の厚みを前記ノッチ部の周方向の幅
より小さく設けるとともに、 前記半導体ウェーハ回転機構には、前記ウェーハ吸着盤
を、前記ノッチ部内面に前記ノッチ用研磨布を当接させ
たまま円周方向に揺動させるサーボモータが備えられて
いることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装
置。
5. The polishing apparatus for chamfering a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the polishing cloth for the notch is provided with a thickness smaller than a circumferential width of the notch. The wafer rotation mechanism is characterized in that the wafer suction disk is provided with a servomotor that swings in the circumferential direction while the notch polishing cloth is in contact with the inner surface of the notch, wherein the servomotor is provided. Chamfer polishing machine.
【請求項6】 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体
ウェーハの面取り面研磨装置であって、 前記ノッチ用研磨布の厚みを前記ノッチ部の周方向の幅
より小さく設けるとともに、 前記ノッチ用研磨ホイールには、前記ノッチ部内面に前
記ノッチ用研磨布を当接させたまま回転軸線方向に往復
移動させるノッチ用研磨ホイール揺動機構が備えられて
いることを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨装
置。
6. The apparatus for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein a thickness of the polishing cloth for the notch is smaller than a width of the notch portion in a circumferential direction. A polishing wheel for rocking the notch, wherein the polishing wheel for rocking the notch is reciprocated in a rotation axis direction while the polishing cloth for the notch is kept in contact with the inner surface of the notch. Surface polishing equipment.
【請求項7】 半導体ウェーハのノッチ部及び外周部の
面取り面を研磨するための半導体ウェーハの面取り面研
磨方法であって、 回転可能なウェーハ吸着盤に保持された前記半導体ウェ
ーハを、正逆回転可能に支持され周縁部の形状がほぼ前
記ノッチ部形状に近い円盤状または円環状のノッチ用研
磨布を備えたノッチ用研磨ホイールと、回転可能に支持
された円筒状の外周用研磨ドラムとの間にそれぞれ当接
可能となるように配置し、 前記ウェーハ吸着盤に保持された半導体ウェーハを、前
記ノッチ用研磨ホイールの回転軸に平行、且つ、前記外
周用研磨ドラムと半導体ウェーハの外周部とが当接した
部分近傍を軸として傾転させながら、 前記ノッチ部内面とノッチ用研磨布との当接部分を前記
半導体ウェーハの傾転軸と前記ノッチ用研磨ホイールの
回転軸とをそれぞれ直交させて結んだ基準線から離れる
ように傾転されたとき、前記ノッチ用研磨ホイールを、
この当接部分のノッチ用研磨布表面を前記基準線に向か
わせるように、前記ノッチ用研磨布の周縁部を前記ノッ
チ部の内面に押圧しつつ前記半導体ウェーハの軸線に直
行する方向の軸線を中心に正逆回転させるとともに、 前記ノッチ部内面に対する前記ノッチ用研磨布の押圧力
を垂直方向に作用させるように、前記半導体ウェーハに
対して離接方向に移動させてノッチ部内面全体を研磨
し、 次いで、前記半導体ウェーハを回転させながら所定角度
傾転させるとともに、前記外周用研磨ドラムを前記ノッ
チ用研磨ホイールの回転軸と直交する方向の軸線を中心
に回転させつつこの回転軸方向に往復移動させながら前
記半導体ウェーハの外周部の1つの面取り面に当接させ
てこの外周部面取り面を研磨し、 この半導体ウェーハの傾転角度を変化させることによっ
て、前記外周部の複数の面取り面を連続的に研磨するこ
とを特徴とする半導体ウェーハの面取り面研磨方法。
7. A method for polishing a chamfered surface of a semiconductor wafer for polishing a chamfered surface of a notch portion and an outer peripheral portion of the semiconductor wafer, the method comprising: rotating the semiconductor wafer held by a rotatable wafer suction disk in forward and reverse directions. A notch polishing wheel provided with a disc-shaped or annular notch polishing cloth having a shape of a peripheral portion substantially supported by the notch portion and a cylindrical outer peripheral polishing drum rotatably supported. The semiconductor wafer held by the wafer suction disk is arranged parallel to the rotation axis of the polishing wheel for the notch, and the outer peripheral polishing drum and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. While the tip is tilted about the vicinity of the contacted portion as an axis, the contact portion between the inner surface of the notch and the polishing cloth for the notch is moved to the tilting axis of the semiconductor wafer and the polishing notch for the notch. When tilted away from the reference line tied perpendicular to the rotation axis of the eel respectively, the notch polishing wheel,
An axis in a direction perpendicular to the axis of the semiconductor wafer while pressing the peripheral edge of the notch polishing cloth against the inner surface of the notch so that the surface of the polishing cloth for notch in the contact portion faces the reference line. While rotating forward and reverse to the center, the pressing force of the polishing cloth for the notch against the inner surface of the notch is applied in a vertical direction, and the entire inner surface of the notch is polished by moving the semiconductor wafer toward and away from the semiconductor wafer. Next, the semiconductor wafer is tilted at a predetermined angle while rotating, and the outer peripheral polishing drum is reciprocated in the rotation axis direction while being rotated about an axis perpendicular to the rotation axis of the notch polishing wheel. The outer peripheral chamfered surface is polished by being brought into contact with one chamfered surface of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer while changing the tilt angle of the semiconductor wafer. It allows chamfer polishing method of a semiconductor wafer, comprising polishing a plurality of chamfered surfaces of the outer peripheral portion continuous to.
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