KR102628175B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR102628175B1
KR102628175B1 KR1020180137973A KR20180137973A KR102628175B1 KR 102628175 B1 KR102628175 B1 KR 102628175B1 KR 1020180137973 A KR1020180137973 A KR 1020180137973A KR 20180137973 A KR20180137973 A KR 20180137973A KR 102628175 B1 KR102628175 B1 KR 102628175B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
scrub
holding
scrub head
Prior art date
Application number
KR1020180137973A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190054965A (en
Inventor
겐지 고데라
마사유키 나카니시
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018188817A external-priority patent/JP7148349B2/en
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20190054965A publication Critical patent/KR20190054965A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102628175B1 publication Critical patent/KR102628175B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판의 이면이 아래를 향한 상태에서, 최외부를 포함하는 기판의 이면 전체를 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판 처리 장치는, 기판(W)의 주연부를 보유 지지하는 기판 보유 지지면(11a)을 갖는 회전 가능한 복수의 롤러(11)와, 기판(W)의 하면(1)에 스크럽 도구(31)를 압박하는 스크럽 헤드(50)와, 복수의 롤러(11)의 축심과 평행하게 연장하는 회전축(55)과, 스크럽 헤드(50)를 회전축(55)에 연결하는 연결 부재(57)와, 회전축(55)을 회전시키는 헤드 회전 기구(70)를 구비한다. 스크럽 헤드(50)는 회전축(55)의 축심(SC)으로부터 편심되어 있다.A substrate processing apparatus is provided that can efficiently process the entire back surface of a substrate, including the outermost part, with the back surface of the substrate facing downward.
The substrate processing apparatus includes a plurality of rotatable rollers 11 having a substrate holding surface 11a for holding the peripheral portion of the substrate W, and a scrub tool 31 on the lower surface 1 of the substrate W. A scrub head 50 for pressing, a rotation shaft 55 extending parallel to the axis of the plurality of rollers 11, a connection member 57 connecting the scrub head 50 to the rotation shaft 55, and a rotation shaft ( It is provided with a head rotation mechanism 70 that rotates 55). The scrub head 50 is eccentric from the axis SC of the rotation axis 55.

Figure R1020180137973
Figure R1020180137973

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 표면을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 기판의 이면에 스크럽 도구를 미끄럼 접촉시킴으로써, 기판의 이면을 구성하는 재료와 함께, 기판에 부착된 이물을 제거하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for treating the surface of a substrate such as a wafer, and in particular to a substrate for removing foreign matter attached to the substrate along with the material constituting the back surface of the substrate by sliding a scrub tool into contact with the back surface of the substrate. It relates to a processing device and a substrate processing method.

근년, 메모리 회로, 로직 회로, 이미지 센서(예를 들어 CMOS 센서) 등의 디바이스는, 보다 고집적화되어 있다. 이들 디바이스를 형성하는 공정에 있어서는, 미립자나 진애 등의 이물이 디바이스에 부착되는 경우가 있다. 디바이스에 부착된 이물은, 배선 사이의 단락이나 회로의 문제를 야기해버린다. 따라서, 디바이스의 신뢰성을 향상시키기 위해서, 디바이스가 형성된 웨이퍼를 세정하여, 웨이퍼 상의 이물을 제거할 필요가 있게 된다.In recent years, devices such as memory circuits, logic circuits, and image sensors (eg, CMOS sensors) have become more highly integrated. In the process of forming these devices, foreign matter such as fine particles or dust may adhere to the devices. Foreign matter adhering to the device can cause short circuits between wires or circuit problems. Therefore, in order to improve the reliability of the device, it is necessary to clean the wafer on which the device is formed and remove foreign substances on the wafer.

웨이퍼의 이면(비디바이스면)에도, 상술한 바와 같은 미립자나 분진 등의 이물이 부착되는 경우가 있다. 이러한 이물이 웨이퍼의 이면에 부착되면, 웨이퍼가 노광 장치의 스테이지 기준면으로부터 이격되거나 웨이퍼 표면이 스테이지 기준면에 대하여 기울고, 그 결과, 패터닝의 어긋남이나 초점 거리의 어긋남이 발생하게 된다. 이러한 문제를 방지하기 위해서, 웨이퍼의 이면에 부착된 이물을 제거할 필요가 있게 된다.Foreign matter such as fine particles or dust as described above may also adhere to the back side (non-device side) of the wafer. When such foreign matter adheres to the back side of the wafer, the wafer is spaced from the stage reference surface of the exposure apparatus or the wafer surface is tilted with respect to the stage reference surface, resulting in misalignment of patterning or misalignment of focal length. In order to prevent this problem, it is necessary to remove foreign substances attached to the back side of the wafer.

일본 특허 공개 제2015-233091호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-233091

종래의 연마 유닛은, 기판 회전 기구에 의해 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼 표면의 연마를 행한다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 기판 회전 기구는, 웨이퍼의 주연부를 파지하는 복수의 척과, 이들 척을 통하여 웨이퍼를 회전시키는 환상의 중공 모터를 구비하고 있다. 웨이퍼는, 척에 의해 피연마면을 상향으로 하여 수평하게 보유 지지되고, 중공 모터에 의해 웨이퍼의 축심을 중심으로 척과 함께 회전된다. 연마구를 구비한 연마 헤드는, 웨이퍼의 상측에 배치되고, 회전하는 척과 접촉하지 않도록 하기 위해서, 척에 의해 파지된 웨이퍼의 주연부보다도 내측에 배치된다. 그 때문에, 웨이퍼의 표면 최외부는 연마되지 않아, 웨이퍼의 표면 최외부는 별도로, 에지 연마용의 유닛으로 연마할 필요가 있었다.A conventional polishing unit polishes the wafer surface while rotating the wafer using a substrate rotation mechanism (see, for example, Patent Document 1). The substrate rotation mechanism includes a plurality of chucks that hold the peripheral portion of the wafer and an annular hollow motor that rotates the wafer through these chucks. The wafer is held horizontally by a chuck with the surface to be polished facing upward, and is rotated with the chuck about the axis of the wafer by a hollow motor. The polishing head provided with the polishing tool is disposed on the upper side of the wafer, and is disposed inside the peripheral portion of the wafer held by the chuck in order to avoid contact with the rotating chuck. Therefore, the outermost surface of the wafer was not polished, and it was necessary to polish the outermost surface of the wafer separately with a unit for edge polishing.

상기 연마 유닛은, 예를 들어 웨이퍼의 표면을 연마하고, 세정하고, 건조시키는 일련의 공정을 행할 수 있는 기판 처리 시스템에 설치된다. 이러한 기판 처리 시스템에서는, 복수의 웨이퍼는, 그 이면이 아래를 향한 상태에서, 웨이퍼 카세트 내에 수용되어 있다. 그 때문에, 연마 유닛으로 웨이퍼의 이면을 연마하고자 하는 경우, 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로부터 연마 유닛으로 반송하는 과정에서 웨이퍼를 반전시킬 필요가 있었다. 또한, 연마된 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로 복귀시키기 전에, 웨이퍼를 다시 반전시킬 필요가 있었다. 그러나, 이렇게 웨이퍼를 반전시킬 때에, 공기 중의 불순물이 웨이퍼에 부착되기 쉽다. 또한, 연마 처리가 행하여진 웨이퍼는 웨트 상태이기 때문에, 웨이퍼를 반전시킬 때에, 웨이퍼 이면의 연마 처리에서 발생한 연마 부스러기나, 웨이퍼 이면으로부터 제거된 오염 물질이, 청정도를 유지하고자 하는 웨이퍼 표면측으로 돌아 들어가는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼를 반전시키는 공정이 반복되므로 전체의 처리 시간이 증가하고, 또한 웨이퍼를 반전시키는 반전기가 필요해지기 때문에, 기판 처리 시스템의 구성도 복잡해진다는 문제가 있었다.The polishing unit is installed in a substrate processing system that can perform a series of processes, for example, polishing, cleaning, and drying the surface of a wafer. In this substrate processing system, a plurality of wafers are accommodated in a wafer cassette with their back faces facing down. Therefore, when it is desired to polish the back side of a wafer with a polishing unit, it is necessary to invert the wafer in the process of transporting the wafer from the wafer cassette to the polishing unit. Additionally, before returning the polished wafer to the wafer cassette, it was necessary to invert the wafer again. However, when inverting the wafer in this way, impurities in the air tend to adhere to the wafer. Additionally, since the polished wafer is in a wet state, when the wafer is turned over, polishing debris generated during the polishing process on the back side of the wafer or contaminants removed from the back side of the wafer return to the surface of the wafer where cleanliness is to be maintained. There are cases. In addition, since the process of inverting the wafer is repeated, the overall processing time increases, and since an inverter for inverting the wafer is required, the configuration of the substrate processing system also becomes complicated.

그래서, 본 발명은 기판의 이면이 아래를 향한 상태에서, 최외부를 포함하는 기판의 이면 전체를 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the purpose of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can efficiently process the entire back surface of a substrate, including the outermost part, with the back surface of the substrate facing downward.

일 형태에서는, 기판의 주연부를 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖는 회전 가능한 복수의 롤러와, 기판의 하면에 스크럽 도구를 압박하는 스크럽 헤드와, 상기 복수의 롤러의 축심과 평행하게 연장하는 회전축과, 상기 스크럽 헤드를 상기 회전축에 연결하는 연결 부재와, 상기 회전축을 회전시키는 헤드 회전 기구를 구비하고, 상기 스크럽 헤드는 상기 회전축의 축심으로부터 편심되어 있는, 기판 처리 장치가 제공된다.In one form, a plurality of rotatable rollers having a substrate holding surface for holding the periphery of the substrate, a scrub head for pressing a scrub tool against the lower surface of the substrate, and a rotation axis extending parallel to the axis of the plurality of rollers; A substrate processing apparatus is provided, comprising a connection member connecting the scrub head to the rotation shaft, and a head rotation mechanism for rotating the rotation shaft, wherein the scrub head is eccentric from the axis of the rotation shaft.

일 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 스크럽 헤드의 상방에 배치된 기판 지지 부재를 더 구비한다.In one form, the substrate processing apparatus further includes a substrate support member disposed above the scrub head.

일 형태에서는, 상기 기판 지지 부재는, 상기 기판의 상면을 클리닝하기 위한 롤 스펀지, 또는 상기 기판의 상면을 유체로 지지하는 정압 플레이트이다.In one form, the substrate support member is a roll sponge for cleaning the upper surface of the substrate, or a static pressure plate that fluidly supports the upper surface of the substrate.

일 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 스크럽 헤드에 설치된 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐에 연통하는 처리액 공급 라인을 더 구비한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a processing liquid nozzle installed in the scrub head, and a processing liquid supply line communicating with the processing liquid nozzle.

일 형태에서는, 상기 스크럽 헤드는, 상기 스크럽 도구를 지지하기 위한 상면을 갖고 있으며, 상기 처리액 노즐은, 상기 스크럽 헤드 내에 배치되어 있고, 상기 처리액 노즐의 액체 출구는, 상기 스크럽 헤드의 상기 상면 내에 위치하고 있다.In one form, the scrub head has an upper surface for supporting the scrub tool, the treatment liquid nozzle is disposed within the scrub head, and the liquid outlet of the treatment liquid nozzle is on the upper surface of the scrub head. It is located within.

일 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 회전축을 회전 가능하게 지지하는 지지 암과, 상기 지지 암에 연결된 평행 이동 기구를 더 구비한다.In one form, the substrate processing apparatus further includes a support arm that rotatably supports the rotation shaft, and a parallel movement mechanism connected to the support arm.

일 형태에서는, 기판의 주연부를 복수의 롤러로 보유 지지하면서 상기 복수의 롤러를 각각의 축심을 중심으로 회전시킴으로써 상기 기판을 회전시키고, 스크럽 헤드를 회전축의 둘레로 원운동시키면서, 또한 상기 회전축을 지지하는 지지 암을 상기 기판의 하면과 평행하게 이동시키면서, 상기 스크럽 헤드로 스크럽 도구를 상기 기판의 하면에 압박하는, 기판 처리 방법이 제공된다.In one form, the peripheral portion of the substrate is held by a plurality of rollers, the plurality of rollers are rotated about their respective axes to rotate the substrate, and the scrub head is moved circularly around the rotation axis, while also supporting the rotation axis. A substrate processing method is provided in which a scrub tool is pressed against the lower surface of the substrate by the scrub head while moving a support arm parallel to the lower surface of the substrate.

일 형태에서는, 상기 스크럽 헤드로 상기 스크럽 도구를 상기 기판의 하면에 압박하고 있을 때에, 기판 지지 부재로 상기 기판의 상면을 지지한다.In one form, when the scrub tool is pressed against the lower surface of the substrate by the scrub head, the upper surface of the substrate is supported by a substrate support member.

일 형태에서는, 상기 스크럽 헤드의 원운동 중에, 상기 스크럽 헤드와 함께 처리액 노즐을 상기 회전축의 둘레로 원운동시키면서, 상기 처리액 노즐로부터 상기 기판의 하면에 처리액을 공급한다.In one embodiment, during the circular movement of the scrub head, the processing liquid nozzle is moved circularly around the rotation axis together with the scrub head, and the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle to the lower surface of the substrate.

일 형태에서는, 기판의 하면의 제1 영역을 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖는 제1 보유 지지부와, 기판의 하면의 제2 영역을 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖는 제2 보유 지지부와, 기판의 하면에 스크럽 도구를 압박하는 스크럽 헤드와, 상기 제1 보유 지지부 및 상기 제2 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지면과 수직으로 연장되는 회전축과, 상기 스크럽 헤드를 상기 회전축에 연결하는 연결 부재와, 상기 회전축을 회전시키는 헤드 회전 기구를 구비하고, 상기 제1 영역은, 상기 기판의 하면의 중심점을 포함하고, 상기 제2 영역은, 상기 제1 영역의 외측에 위치하고 있고, 상기 스크럽 헤드는 상기 회전축의 축심으로부터 편심되어 있는, 기판 처리 장치가 제공된다.In one form, a first holding portion having a substrate holding surface that holds a first region of the lower surface of the substrate, and a second holding portion having a substrate holding surface that holds a second region of the lower surface of the substrate; a scrub head that presses a scrub tool to the lower surface of the substrate, a rotation axis extending perpendicular to the substrate holding surfaces of the first and second holding units, and a connection member connecting the scrub head to the rotation axis; , provided with a head rotation mechanism that rotates the rotation axis, the first area includes a center point of the lower surface of the substrate, the second area is located outside the first area, and the scrub head is A substrate processing apparatus is provided, which is eccentric from the axis of a rotation axis.

일 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 스크럽 헤드의 상방에 배치된 기판 지지 부재를 더 구비한다.In one form, the substrate processing apparatus further includes a substrate support member disposed above the scrub head.

일 형태에서는, 상기 기판 지지 부재는, 상기 기판의 상면을 클리닝하기 위한 롤 스펀지, 또는 상기 기판의 상면을 유체로 지지하는 정압 플레이트이다.In one form, the substrate support member is a roll sponge for cleaning the upper surface of the substrate, or a static pressure plate that fluidly supports the upper surface of the substrate.

일 형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 스크럽 헤드에 설치된 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐에 연통하는 처리액 공급 라인을 더 구비한다.In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a processing liquid nozzle installed in the scrub head, and a processing liquid supply line communicating with the processing liquid nozzle.

일 형태에서는, 상기 스크럽 헤드는, 상기 스크럽 도구를 지지하기 위한 상면을 갖고 있으며, 상기 처리액 노즐은, 상기 스크럽 헤드 내에 배치되어 있고, 상기 처리액 노즐의 액체 출구는, 상기 스크럽 헤드의 상기 상면 내에 위치하고 있다.In one form, the scrub head has an upper surface for supporting the scrub tool, the treatment liquid nozzle is disposed within the scrub head, and the liquid outlet of the treatment liquid nozzle is on the upper surface of the scrub head. It is located within.

일 형태에서는, 상기 회전축을 회전 가능하게 지지하는 지지 암과, 상기 지지 암에 연결된 평행 이동 기구를 더 구비한다.In one form, the device further includes a support arm that rotatably supports the rotation axis, and a parallel movement mechanism connected to the support arm.

본 발명에 따르면, 롤러의 위치는 고정이므로, 기판의 처리 중에 롤러는 스크럽 헤드에 접촉하지 않는다. 따라서, 스크럽 헤드는, 최외부를 포함하는 기판의 하면 전체에 스크럽 도구를 접촉시켜서, 기판의 하면 전체를 처리할 수 있다. 또한, 기판을 반전시킬 필요가 없어지기 때문에, 기판에 대한 공기 중의 불순물 부착이나, 이면으로부터의 연마 부스러기나 오염 물질의 돌아 들어감을 방지하고, 또한 전체의 처리 시간을 저감시킬 수 있다. 또한, 기판을 반전시키는 반전기가 불필요하게 되기 때문에, 기판 처리 시스템의 구성을 단순화하여, 비용을 삭감할 수 있다.According to the invention, the position of the roller is fixed, so that the roller does not contact the scrub head during processing of the substrate. Accordingly, the scrub head can process the entire bottom surface of the substrate by bringing the scrub tool into contact with the entire bottom surface of the substrate, including the outermost part. Additionally, since there is no need to invert the substrate, adhesion of impurities in the air to the substrate or infiltration of polishing debris or contaminants from the back surface can be prevented, and the overall processing time can be reduced. Additionally, since an inverter for inverting the substrate is unnecessary, the configuration of the substrate processing system can be simplified and costs can be reduced.

도 1은 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 도시하는 모식도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 상면도이다.
도 3은 지지 암이 가장 외측에 위치하고 있는 상태를 도시하는 상면도이다.
도 4는 롤러 회전 기구를 도시하는 상면도이다.
도 5는 도 4의 A-A선 단면도이다.
도 6은 기판 처리 장치의 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이다.
도 7은 도 6에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다.
도 8은 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이다.
도 9는 도 8에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다.
도 10은 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이다.
도 11은 도 10에 도시하는 기판 처리 장치의 상면도이다.
도 12는 제1 보유 지지 스테이지가 하강하고, 제2 보유 지지 스테이지가 상승한 상태를 도시하는 도면이다.
도 13은 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이다.
도 14에 도시하는 기판 처리 장치의 상면도이다.
도 15는 제1 보유 지지 스테이지가 하강하고, 제2 보유 지지 스테이지가 상승한 상태를 도시하는 도면이다.
도 16은 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이다.
도 17은 도 16에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다.
도 18은 제1 보유 지지 스테이지가 하강하고, 제2 보유 지지 스테이지가 상승한 상태를 도시하는 도면이다.1 is a schematic diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus.
2 is a top view of a substrate processing apparatus.
Figure 3 is a top view showing a state in which the support arm is located at the outermost position.
Fig. 4 is a top view showing the roller rotation mechanism.
Figure 5 is a cross-sectional view taken along line AA of Figure 4.
6 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus.
FIG. 7 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 6.
8 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus.
FIG. 9 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 8.
Fig. 10 is a schematic diagram showing still another embodiment of a substrate processing apparatus.
FIG. 11 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 10.
Fig. 12 is a diagram showing a state in which the first holding stage is lowered and the second holding stage is raised.
13 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus.
It is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 14.
Fig. 15 is a diagram showing a state in which the first holding stage is lowered and the second holding stage is raised.
16 is a schematic diagram showing still another embodiment of a substrate processing apparatus.
FIG. 17 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 16.
Fig. 18 is a diagram showing a state in which the first holding stage is lowered and the second holding stage is raised.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 도시하는 모식도이다. 도 1에 도시하는 기판 처리 장치는, 기판의 일례인 웨이퍼(W)를 보유 지지하고, 그 축심을 중심으로 하여 회전시키는 기판 보유 지지부(10)와, 스크럽 도구(31)를 이 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면(1)에 압박하여 웨이퍼(W)의 하면(1)을 처리하는 스크럽 헤드(50)를 구비하고 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus shown in FIG. 1 includes a substrate holding part 10 that holds a wafer W, which is an example of a substrate, and rotates it about its axis, and a scrub tool 31 is placed on this substrate holding part ( It is provided with a scrub head 50 that processes the lower surface 1 of the wafer W by pressing it against the lower surface 1 of the wafer W held by 10).

기판 보유 지지부(10)는 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉 가능한 복수의 롤러(11)와, 이들 롤러(11)를 각각의 축심(RC)을 중심으로 회전시키는 롤러 회전 기구(12)를 구비하고 있다. 이들 롤러(11)는 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉하여 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지면(기판 보유 지지면)(11a)을 각각 갖고 있다. 스크럽 헤드(50)의 적어도 일부는, 웨이퍼 보유 지지면(11a)보다도 하방에 위치하고 있다. 보다 구체적으로는, 스크럽 헤드(50)는 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 하측에 배치되어 있다. 스크럽 도구(31)는 웨이퍼(W)의 하면(1)을 구성하는 재료와 함께, 웨이퍼(W)에 부착된 이물을 제거하기 위한 처리 도구이다. 스크럽 도구(31)의 예로서는, 지립을 갖는 연마 테이프, 부직포, 스펀지, 연마 천, 고정 지립 등을 들 수 있다.The substrate holding portion 10 is provided with a plurality of rollers 11 that can be brought into contact with the periphery of the wafer W, and a roller rotation mechanism 12 that rotates these rollers 11 about their respective axes RC, there is. These rollers 11 each have a wafer holding surface (substrate holding surface) 11a that contacts the peripheral portion of the wafer W and holds the wafer W. At least a part of the scrub head 50 is located below the wafer holding surface 11a. More specifically, the scrub head 50 is disposed below the wafer W held by the substrate holding portion 10 . The scrub tool 31 is a processing tool for removing foreign substances attached to the wafer W along with the material constituting the lower surface 1 of the wafer W. Examples of the scrub tool 31 include an abrasive tape, non-woven fabric, sponge, polishing cloth, fixed abrasive grain, etc.

본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)은 디바이스가 형성되어 있지 않은, 또는 디바이스가 형성될 예정이 없는 웨이퍼(W)의 이면, 즉 비디바이스면이다. 웨이퍼(W)의 이면의 예로서는, 실리콘면을 들 수 있다. 웨이퍼(W)의 이면에 산화막이 형성되어 있는 경우도 있다. 웨이퍼(W)의 상면(2)은 디바이스가 형성되어 있는, 또는 디바이스가 형성될 예정인 면, 즉 디바이스면이다. 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)는, 그 이면이 하향인 상태에서, 기판 보유 지지부(10)에 수평하게 보유 지지된다.In this embodiment, the lower surface 1 of the wafer W is the rear surface of the wafer W on which no devices are formed or on which devices are not scheduled to be formed, that is, a non-device surface. An example of the back side of the wafer W is a silicon side. In some cases, an oxide film is formed on the back side of the wafer W. The upper surface 2 of the wafer W is the surface on which devices are formed or where devices are scheduled to be formed, that is, the device surface. In this embodiment, the wafer W is held horizontally by the substrate holding portion 10 with its back face facing downward.

기판 처리 장치는, 각 롤러(11)의 축심(RC)과 평행하게 연장하는 회전축(55)과, 스크럽 헤드(50)를 회전축(55)에 연결하는 연결 부재(57)를 더 구비하고 있다. 회전축(55) 및 연결 부재(57)는 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 하측에 배치되어 있다. 각 롤러(11)의 축심(RC) 및 회전축(55)의 축심은, 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 하면(1)에 대하여 수직하다. 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 지지하기 위한 상면(50a)을 갖고 있다. 연결 부재(57)는 회전축(55)으로부터 반경 방향 외측으로 연장되어 있다. 연결 부재(57)의 일단부는 회전축(55)에 고정되고, 스크럽 헤드(50)는 연결 부재(57)의 타단부에 고정되어 있다. 따라서, 스크럽 헤드(50)의 중심은, 회전축(55)의 축심(SC)으로부터 이격되어 있다. 즉, 스크럽 헤드(50)는 회전축(55)의 축심(SC)으로부터 편심되어 있다.The substrate processing apparatus further includes a rotating shaft 55 extending parallel to the axis RC of each roller 11, and a connecting member 57 connecting the scrub head 50 to the rotating shaft 55. The rotation shaft 55 and the connecting member 57 are disposed below the wafer W held by the substrate holding portion 10 . The axis RC of each roller 11 and the axis of the rotation axis 55 are perpendicular to the lower surface 1 of the wafer W held in the substrate holding portion 10. The scrub head 50 has an upper surface 50a for supporting the scrub tool 31. The connecting member 57 extends radially outward from the rotation axis 55. One end of the connecting member 57 is fixed to the rotating shaft 55, and the scrub head 50 is fixed to the other end of the connecting member 57. Accordingly, the center of the scrub head 50 is spaced apart from the axis SC of the rotation axis 55. That is, the scrub head 50 is eccentric from the axis SC of the rotation axis 55.

회전축(55)은 수평하게 연장하는 지지 암(60)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 보다 구체적으로는, 회전축(55)은 지지 암(60)의 일단부에 회전 가능하게 지지되어 있고, 지지 암(60)의 타단부는 선회축(62)에 고정되어 있다. 선회축(62)은 선회 모터(65)에 연결되어 있고, 선회 모터(65)는 지지 암 승강 장치(67)에 연결되어 있다. 선회축(62)은 롤러(11)의 축심(RC) 및 회전축(55)과 평행하게 연장되어 있다. 선회 모터(65)가 선회축(62)을 시계 방향 및 반시계 방향으로 어느 각도만큼 회전시키면, 지지 암(60)은 선회축(62)을 중심으로 스윙한다. 즉, 지지 암(60)은 웨이퍼(W)의 하면(1)(즉 웨이퍼(W)의 이면)과 평행한 방향으로 스윙한다.The rotation shaft 55 is rotatably supported on a horizontally extending support arm 60. More specifically, the rotation shaft 55 is rotatably supported on one end of the support arm 60, and the other end of the support arm 60 is fixed to the pivot shaft 62. The pivot shaft 62 is connected to the pivot motor 65, and the pivot motor 65 is connected to the support arm lifting device 67. The pivot axis 62 extends parallel to the axis RC and the rotation axis 55 of the roller 11. When the swing motor 65 rotates the pivot shaft 62 clockwise and counterclockwise by a certain angle, the support arm 60 swings around the pivot shaft 62. That is, the support arm 60 swings in a direction parallel to the lower surface 1 of the wafer W (i.e., the lower surface of the wafer W).

본 실시 형태에서는, 선회축(62) 및 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 웨이퍼(W)의 하면(1)(즉 웨이퍼(W)의 이면)과 평행하게 이동시키는 평행 이동 기구를 구성한다. 평행 이동 기구가 지지 암(60)을 이동시키면, 지지 암(60)에 연결된 스크럽 헤드(50)는 원운동하면서, 웨이퍼(W)의 하면(1)과 평행하게 이동한다. 일 실시 형태에서는, 평행 이동 기구는, 지지 암(60)에 연결된 직동 가이드 및 액추에이터(리니어 모터, 또는 볼 나사 기구 등)여도 된다.In this embodiment, the pivot shaft 62 and the pivot motor 65 provide a parallel movement mechanism that moves the support arm 60 parallel to the lower surface 1 of the wafer W (i.e., the lower surface of the wafer W). Compose. When the parallel movement mechanism moves the support arm 60, the scrub head 50 connected to the support arm 60 moves in a circular motion parallel to the lower surface 1 of the wafer W. In one embodiment, the parallel movement mechanism may be a linear guide and an actuator (linear motor, ball screw mechanism, etc.) connected to the support arm 60.

지지 암 승강 장치(67)는 선회축(62) 및 지지 암(60)을 일체로 상승 및 하강시키도록 구성되어 있다. 지지 암 승강 장치(67)는 에어 실린더, 또는 모터와 볼 나사 기구의 조합 등으로 구성할 수 있다. 지지 암(60)의 상승 및 하강에 수반하여, 회전축(55), 스크럽 헤드(50), 및 스크럽 도구(31)도 상승 및 하강된다. 웨이퍼(W)를 기판 보유 지지부(10)에 반입할 때는, 지지 암 승강 장치(67)는 선회축(62), 지지 암(60), 회전축(55), 스크럽 헤드(50), 및 스크럽 도구(31)를 하강시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)을 스크럽 도구(31)로 처리할 때는, 지지 암 승강 장치(67)는 선회축(62), 지지 암(60), 회전축(55), 스크럽 헤드(50), 및 스크럽 도구(31)를 상승시켜서, 스크럽 헤드(50)로 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)에 압박한다.The support arm lifting device 67 is configured to raise and lower the pivot 62 and the support arm 60 as one body. The support arm lifting device 67 can be configured with an air cylinder or a combination of a motor and a ball screw mechanism. As the support arm 60 rises and falls, the rotating shaft 55, scrub head 50, and scrub tool 31 also rise and fall. When loading the wafer W into the substrate holding portion 10, the support arm lifting device 67 includes a pivot shaft 62, a support arm 60, a rotation shaft 55, a scrub head 50, and a scrub tool. (31) is lowered. When processing the lower surface 1 of the wafer W with the scrub tool 31, the support arm lifting device 67 includes a pivot axis 62, a support arm 60, a rotation axis 55, and a scrub head 50. , and the scrub tool 31 is raised to press the scrub tool 31 against the lower surface 1 of the wafer W with the scrub head 50 .

지지 암(60) 내에는, 스크럽 헤드(50) 및 회전축(55)을 회전시키기 위한 헤드 회전 기구(70)가 배치되어 있다. 헤드 회전 기구(70)는 헤드 회전 모터(71)와, 헤드 회전 모터(71)의 회전을 회전축(55)에 전달하기 위한 토크 전달 장치(72)를 구비하고 있다. 토크 전달 장치(72)의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 풀리 및 벨트의 조합으로 구성할 수 있다. 헤드 회전 모터(71)를 구동하면, 회전축(55)이 그 축심(SC)을 중심으로 회전하고, 이에 의해 연결 부재(57) 및 스크럽 헤드(50)는 회전축(55)의 둘레를 회전한다. 이 스크럽 헤드(50)의 회전은, 회전축(55)을 중심으로 한 원궤도 상을 스크럽 헤드(50)가 이동하는 원운동이다. 스크럽 헤드(50)가 그 축심을 중심으로 하여 회전하는 경우에 비하여, 원운동하는 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)의 전체의 웨이퍼(W)에 대한 상대 속도를 높일 수 있어, 처리 효율을 높일 수 있다.Within the support arm 60, a head rotation mechanism 70 for rotating the scrub head 50 and the rotation shaft 55 is disposed. The head rotation mechanism 70 includes a head rotation motor 71 and a torque transmission device 72 for transmitting the rotation of the head rotation motor 71 to the rotation shaft 55. The configuration of the torque transmission device 72 is not particularly limited, but, for example, it can be composed of a combination of a pulley and a belt. When the head rotation motor 71 is driven, the rotation shaft 55 rotates about its axis SC, and thereby the connecting member 57 and the scrub head 50 rotate around the rotation shaft 55. The rotation of the scrub head 50 is a circular motion in which the scrub head 50 moves in a circular orbit around the rotation axis 55. Compared to the case where the scrub head 50 rotates around its axis, the scrub head 50 moving in a circular motion can increase the relative speed of the scrub tool 31 with respect to the entire wafer W, thereby increasing processing efficiency. can increase.

스크럽 헤드(50) 내에는, 웨이퍼(W)의 하면(1)에 처리액을 공급하기 위한 처리액 노즐(80)이 설치되어 있다. 처리액 노즐(80)의 형상 및 구성은 특별히 한정되지 않는다. 처리액 노즐(80)은 스크럽 헤드(50)와는 별도의 부재여도 되고, 또는 스크럽 헤드(50)와 일체여도 된다. 예를 들어, 처리액 노즐(80)은 스크럽 헤드(50)에 고정되어도 되고, 또는 처리액 노즐(80)은 스크럽 헤드(50)에 형성된 구멍으로 구성되어도 된다. 일 실시 형태에서는, 처리액 노즐(80)이 스크럽 헤드(50)와 일체로 원운동하는 한에 있어서, 처리액 노즐(80)은 스크럽 헤드(50)의 외측에 위치해도 된다. 예를 들어, 처리액 노즐(80)은 스크럽 헤드(50)의 반경 방향 내측에 위치해도 된다. 또한, 복수의 처리액 노즐(80)을 스크럽 헤드(50)에 설치해도 된다.Inside the scrub head 50, a processing liquid nozzle 80 is installed to supply processing liquid to the lower surface 1 of the wafer W. The shape and configuration of the processing liquid nozzle 80 are not particularly limited. The treatment liquid nozzle 80 may be a separate member from the scrub head 50, or may be integrated with the scrub head 50. For example, the processing liquid nozzle 80 may be fixed to the scrub head 50, or the processing liquid nozzle 80 may be configured as a hole formed in the scrub head 50. In one embodiment, the processing liquid nozzle 80 may be located outside the scrub head 50 as long as the processing liquid nozzle 80 moves circularly integrally with the scrub head 50 . For example, the treatment liquid nozzle 80 may be located inside the scrub head 50 in the radial direction. Additionally, a plurality of treatment liquid nozzles 80 may be installed on the scrub head 50 .

기판 처리 장치는, 처리액 노즐(80)에 연통하는 처리액 공급 라인(82)을 구비하고 있다. 처리액 공급 라인(82)의 선단은 처리액 노즐(80)에 접속되어 있다. 처리액 공급 라인(82)은 연결 부재(57) 및 회전축(55) 내에서 연장되어 있고, 지지 암(60)에 고정된 로터리 조인트(90)를 경유하여 처리액 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 처리액 노즐(80)에 공급되는 처리액의 예로서는, 순수, 약액(예를 들어, 에칭액이나 세정액), 슬러리 등을 들 수 있다. 처리액 노즐(80)은 상방을 향하고 있고, 또한 스크럽 헤드(50)와 일체로 원운동한다. 본 실시 형태에서는, 처리액 노즐(80)의 액체 출구는 스크럽 헤드(50)의 상면(50a) 내에 위치하고 있다.The substrate processing apparatus is provided with a processing liquid supply line 82 that communicates with the processing liquid nozzle 80 . The tip of the processing liquid supply line 82 is connected to the processing liquid nozzle 80. The processing liquid supply line 82 extends within the connecting member 57 and the rotating shaft 55 and is connected to a processing liquid supply source (not shown) via a rotary joint 90 fixed to the support arm 60. It is done. Examples of the processing liquid supplied to the processing liquid nozzle 80 include pure water, chemical liquid (eg, etching liquid or cleaning liquid), slurry, and the like. The treatment liquid nozzle 80 faces upward and moves circularly integrally with the scrub head 50. In this embodiment, the liquid outlet of the treatment liquid nozzle 80 is located within the upper surface 50a of the scrub head 50.

순수 등의 처리액은, 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액 노즐(80)로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)을 향하여 토출된다. 스크럽 도구(31)가 연마 테이프 등의, 액체를 통과시키지 않는 구조를 갖는 경우에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 처리액 노즐(80)에 접속되는 통과 구멍이 스크럽 도구(31)에 형성된다. 이 경우, 처리액 노즐(80)은 처리액을 스크럽 도구(31)의 통과 구멍을 통하여 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급한다. 스크럽 도구(31)가 스펀지 등의, 액체를 통과시키는 구조를 갖는 경우에는, 처리액 노즐(80)은 처리액을 스크럽 도구(31)를 통하여 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급할 수 있다.A processing liquid such as pure water is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82 and is discharged from the processing liquid nozzle 80 toward the lower surface 1 of the wafer W. When the scrub tool 31 has a structure that does not allow liquid to pass through, such as an abrasive tape, a passing hole connected to the treatment liquid nozzle 80 is formed in the scrub tool 31, as shown in FIG. 1 . . In this case, the processing liquid nozzle 80 supplies the processing liquid to the lower surface 1 of the wafer W through the through hole of the scrub tool 31. When the scrub tool 31 has a structure such as a sponge that allows liquid to pass through, the processing liquid nozzle 80 can supply the processing liquid to the lower surface 1 of the wafer W through the scrub tool 31. .

처리액 노즐(80)은 스크럽 헤드(50)와 함께 원운동하면서, 처리액을 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급할 수 있다. 즉, 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)은 일체로 원운동하면서, 처리액 노즐(80)은 처리액을 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급하고, 스크럽 헤드(50)는 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)에 미끄럼 접촉시킨다. 본 실시 형태에 따르면, 스크럽 도구(31)와 웨이퍼(W)의 접촉 개소에 처리액이 직접 공급되므로, 웨이퍼(W)의 처리에 사용되는 처리액의 양을 적게 할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 상면(2)으로 돌아 들어가는 처리액의 양을 적게 할 수 있다.The processing liquid nozzle 80 may supply processing liquid to the lower surface 1 of the wafer W while moving in a circle together with the scrub head 50 . That is, while the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 move in a circular motion as one unit, the processing liquid nozzle 80 supplies the processing liquid to the lower surface 1 of the wafer W, and the scrub head 50 The scrub tool 31 is brought into sliding contact with the lower surface 1 of the wafer W in the presence of a treatment liquid. According to this embodiment, since the processing liquid is directly supplied to the contact point between the scrub tool 31 and the wafer W, the amount of processing liquid used to treat the wafer W can be reduced. Additionally, the amount of processing liquid returning to the upper surface 2 of the wafer W can be reduced.

도 2는, 기판 처리 장치의 상면도이다. 선회축(62)으로부터 기판 보유 지지부(10)의 축심(CP)까지의 거리는, 선회축(62)으로부터 회전축(55)의 축심(SC)까지의 거리와 동등하다. 연결 부재(57)의 길이는, 웨이퍼(W)의 반경보다도 작다. 또한, 기판 보유 지지부(10)의 축심(CP)으로부터 회전축(55)의 축심(SC)까지의 거리는, 기판 보유 지지부(10)의 축심(CP)으로부터 각 롤러(11)까지의 거리보다도 짧다.Figure 2 is a top view of the substrate processing apparatus. The distance from the pivot axis 62 to the axis CP of the substrate holding portion 10 is equal to the distance from the pivot axis 62 to the axis SC of the rotation axis 55. The length of the connecting member 57 is smaller than the radius of the wafer W. In addition, the distance from the axis CP of the substrate holding part 10 to the axis SC of the rotation axis 55 is shorter than the distance from the axis CP of the substrate holding part 10 to each roller 11.

선회 모터(65)를 구동시키면, 회전축(55), 스크럽 헤드(50), 스크럽 도구(31), 및 처리액 노즐(80)은 일체로 웨이퍼(W)의 하면(1)(이면)과 평행하게 이동한다. 보다 구체적으로는, 스크럽 도구(31)가 웨이퍼(W)의 하면(1)에 접촉한 상태에서, 스크럽 헤드(50), 스크럽 도구(31), 및 처리액 노즐(80)은 회전축(55)의 축심(SC)의 둘레로 원운동하고, 또한 웨이퍼(W)의 하면(1)(이면)과 평행하게 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동한다. 처리액 노즐(80)은 원운동하면서, 또한 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동하면서, 처리액을 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급한다. 처리액은 스크럽 도구(31)에 접촉하고, 스크럽 도구(31)는 처리액의 존재 하에서 웨이퍼(W)의 하면(1)을 문지름 세정한다.When the swing motor 65 is driven, the rotation axis 55, scrub head 50, scrub tool 31, and processing liquid nozzle 80 are integrally parallel to the lower surface 1 (back surface) of the wafer W. move accordingly. More specifically, in a state where the scrub tool 31 is in contact with the lower surface 1 of the wafer W, the scrub head 50, the scrub tool 31, and the treatment liquid nozzle 80 are aligned with the rotation axis 55. It moves circularly around the axis SC and also moves in the radial direction of the wafer W parallel to the lower surface 1 (back surface) of the wafer W. The processing liquid nozzle 80 supplies processing liquid to the lower surface 1 of the wafer W while moving in a circular motion and in the radial direction of the wafer W. The treatment liquid contacts the scrub tool 31, and the scrub tool 31 scrubs and cleans the lower surface 1 of the wafer W in the presence of the treatment liquid.

스크럽 헤드(50)의 원운동은, 지지 암(60)의 스윙 동작(즉 평행 이동)과는 독립적으로 행하여진다. 스크럽 헤드(50)는 회전축(55)의 축심(SC)으로부터 편심되어 있으므로, 도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 지지 암(60)의 선단이 가장 외측에 위치했을 때, 스크럽 헤드(50)는 지지 암(60)의 선단보다도 외측에 위치할 수 있다. 따라서, 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 최외부에 접촉시킬 수 있다. 즉, 스크럽 헤드(50)의 원운동과 지지 암(60)의 스윙 동작(평행 이동)의 조합에 의해, 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 중심 뿐만 아니라, 하면(1)의 최외부에도 접촉시킬 수 있다. 웨이퍼(W)의 스크럽 도구(31)에서의 처리 중에는, 웨이퍼(W)는 롤러(11)에 의해 회전되므로, 스크럽 도구(31)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 전체에 접촉하여, 하면(1)의 전체를 처리할 수 있다.The circular motion of the scrub head 50 is performed independently of the swing motion (i.e., parallel movement) of the support arm 60. Since the scrub head 50 is eccentric from the axis SC of the rotation axis 55, as can be seen from FIG. 3, when the tip of the support arm 60 is located at the outermost position, the scrub head 50 It may be located outside the tip of the support arm 60. Accordingly, the scrub head 50 can bring the scrub tool 31 into contact with the outermost surface of the lower surface 1 of the wafer W. That is, by a combination of the circular motion of the scrub head 50 and the swing motion (parallel movement) of the support arm 60, the scrub head 50 moves the scrub tool 31 to the lower surface 1 of the wafer W. It can be brought into contact not only at the center but also at the outermost part of the lower surface (1). During processing of the wafer W by the scrub tool 31, the wafer W is rotated by the roller 11, so that the scrub tool 31 contacts the entire lower surface 1 of the wafer W, The entire lower surface (1) can be processed.

롤러(11)의 위치는 고정이므로, 웨이퍼(W)의 처리 중에 롤러(11)는 스크럽 헤드(50)에 접촉하지 않는다. 따라서, 스크럽 헤드(50)는 최외부를 포함하는 웨이퍼(W)의 하면(1)(이면) 전체에 스크럽 도구(31)를 접촉시켜서, 하면(1)의 전체를 처리할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 최외부를 에지 연마용의 유닛으로 연마할 필요가 없게 되어, 처리 공정을 저감시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 반전시킬 필요가 없게 되기 때문에, 웨이퍼(W)에 대한 공기 중의 불순물 부착이나, 이면으로부터의 연마 부스러기나 오염 물질의 돌아 들어감을 방지하고, 또한 전체의 처리 시간을 저감시킬 수 있다. 또한, 에지 연마용의 유닛이나 웨이퍼(W)를 반전시키는 반전기가 불필요하게 되기 때문에, 기판 처리 시스템의 구성을 단순화하여, 비용을 삭감할 수 있다.Since the position of the roller 11 is fixed, the roller 11 does not contact the scrub head 50 during processing of the wafer W. Accordingly, the scrub head 50 can process the entire lower surface 1 by bringing the scrub tool 31 into contact with the entire lower surface 1 (back surface) of the wafer W, including the outermost part. As a result, there is no need to polish the outermost part of the lower surface 1 of the wafer W with an edge polishing unit, and the processing steps can be reduced. In addition, since there is no need to invert the wafer W, adhesion of impurities in the air to the wafer W and rotation of polishing chips or contaminants from the back side are prevented, and the overall processing time can be reduced. You can. Additionally, since an edge polishing unit or an inverter for inverting the wafer W is unnecessary, the configuration of the substrate processing system can be simplified and costs can be reduced.

이하, 기판 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다. 웨이퍼(W)의 주연부는, 롤러(11)의 웨이퍼 보유 지지면(11a)에 보유 지지된다. 롤러 회전 기구(12)는 각 롤러(11)를 각각의 축심(RC)을 중심으로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)를 그 축심을 중심으로 회전시킨다. 스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레를 원운동한다. 또한, 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액이 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다.Hereinafter, the operation of the substrate processing device will be described. The peripheral portion of the wafer W is held on the wafer holding surface 11a of the roller 11. The roller rotation mechanism 12 rotates each roller 11 around its respective axis RC, thereby rotating the wafer W around its axis. The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31.

지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시켜서, 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)에 접촉시킨다. 또한, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 웨이퍼(W)의 하면(1)과 평행하게 스윙시킨다. 지지 암(60)은 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시키면서, 원운동하는 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)에 미끄럼 접촉시킨다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 전체가, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다.The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 together with the support arm 60 to bring the scrub tool 31 into contact with the lower surface 1 of the wafer W. Additionally, the swing motor 65 swings the support arm 60 parallel to the lower surface 1 of the wafer W. The support arm 60 moves the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 in the radial direction of the wafer (W), while the scrub head 50, which moves in a circular motion, moves the scrub tool 31 to the wafer (W). It is brought into sliding contact with the lower surface (1). As a result, the entire lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of the treatment liquid.

이어서, 기판 보유 지지부(10)의 상세에 대하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 보유 지지부(10)는 상술한 복수의 롤러(11)와, 이들 롤러(11)를 각각의 축심(RC)을 중심으로 회전시키는 롤러 회전 기구(12)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 4개의 롤러(11)가 설치되어 있다. 5개 이상의 롤러(11)를 설치해도 된다. 웨이퍼(W)의 주연부에 접촉하고 있을 때의(즉 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있을 때의) 상기 복수의 롤러(11)는 기판 보유 지지부(10)의 축심(CP)으로부터 동일한 거리에 있다.Next, details of the substrate holding portion 10 will be described. As shown in FIG. 1, the substrate holding portion 10 is provided with the plurality of rollers 11 described above and a roller rotation mechanism 12 that rotates these rollers 11 about their respective axes RC. I'm doing it. In this embodiment, four rollers 11 are installed. Five or more rollers 11 may be installed. The plurality of rollers 11 when in contact with the peripheral portion of the wafer W (i.e., when holding the wafer W) are at the same distance from the axis CP of the substrate holding portion 10. .

도 4는, 롤러 회전 기구(12)를 도시하는 상면도이다. 롤러 회전 기구(12)는 4개의 롤러(11) 중 2개를 연결하는 제1 벨트(14A)와, 제1 벨트(14A)로 연결된 2개의 롤러(11) 중 한쪽에 연결된 제1 모터(15A)와, 제1 벨트(14A)로 연결된 2개의 롤러(11)를 회전 가능하게 지지하는 제1 롤러대(16A)와, 4개의 롤러(11) 중 다른 2개를 연결하는 제2 벨트(14B)와, 제2 벨트(14B)로 연결된 2개의 롤러(11) 중 한쪽에 연결된 제2 모터(15B)와, 제2 벨트(14B)로 연결된 2개의 롤러(11)를 베어링(24B)(도 1 참조)을 통하여 회전 가능하게 지지하는 제2 롤러대(16B)를 구비한다.FIG. 4 is a top view showing the roller rotation mechanism 12. The roller rotation mechanism 12 includes a first belt 14A connecting two of the four rollers 11, and a first motor 15A connected to one of the two rollers 11 connected by the first belt 14A. ), a first roller base (16A) rotatably supporting the two rollers (11) connected by the first belt (14A), and a second belt (14B) connecting the other two of the four rollers (11). ), a second motor (15B) connected to one of the two rollers (11) connected to the second belt (14B), and two rollers (11) connected to the second belt (14B) to the bearing (24B) (Figure It is provided with a second roller base (16B) rotatably supported through (see 1).

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 롤러대(16A)는 상측 제1 롤러대(17A)와, 하측 제1 롤러대(17B)를 구비하고 있다. 제1 모터(15A) 및 제1 벨트(14A)는 제1 롤러대(16A)의 하방에 배치되어 있다. 제2 모터(15B) 및 제2 벨트(14B)는 제2 롤러대(16B)의 하방에 배치되어 있다. 제1 모터(15A)는 제1 모터 지지체(25A)를 통하여 제1 롤러대(16A)에 고정되어 있다. 제2 모터(15B)는 제2 모터 지지체(25B)를 통하여 제2 롤러대(16B)의 하면에 고정되어 있다.As shown in Fig. 1, the first roller stand 16A is provided with an upper first roller stand 17A and a lower first roller stand 17B. The first motor 15A and the first belt 14A are arranged below the first roller base 16A. The second motor 15B and the second belt 14B are arranged below the second roller base 16B. The first motor 15A is fixed to the first roller base 16A via a first motor support body 25A. The second motor 15B is fixed to the lower surface of the second roller base 16B via the second motor support body 25B.

도 5는, 도 4의 A-A선 단면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 롤러대(16A)는 제1 벨트(14A)로 연결된 2개의 롤러(11)를 회전 가능하게 지지하는 베어링(24A)(도 1 참조)을 갖는 하측 제1 롤러대(17B)와, 하측 제1 롤러대(17B)에 고정된 피봇축(17C)과, 피봇축(17C)을 회전 가능하게 지지하는 베어링(24C)을 갖는 상측 제1 롤러대(17A)를 구비하고 있다. 상측 제1 롤러대(17A)와 하측 제1 롤러대(17B)는 피봇축(17C)을 통하여 서로 연결되어 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 피봇축(17C)은 제1 벨트(14A)로 연결된 2개의 롤러(11)의 사이에 위치하고 있다.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 4. As shown in FIG. 5, the first roller base 16A is a lower first roller having a bearing 24A (see FIG. 1) that rotatably supports the two rollers 11 connected by the first belt 14A. An upper first roller base 17A having a roller base 17B, a pivot shaft 17C fixed to the lower first roller base 17B, and a bearing 24C that rotatably supports the pivot shaft 17C. It is equipped with The upper first roller stand 17A and the lower first roller stand 17B are connected to each other through the pivot shaft 17C. As shown in Fig. 4, the pivot shaft 17C is located between two rollers 11 connected by the first belt 14A.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 모터(15A)는 제1 모터 지지체(25A)를 통하여 하측 제1 롤러대(17B)의 하면에 고정되어 있다. 따라서, 제1 벨트(14A), 제1 벨트(14A)로 연결된 2개의 롤러(11), 하측 제1 롤러대(17B), 제1 모터(15A), 및 제1 모터 지지체(25A)는 일체로, 피봇축(17C)을 중심으로 회전 가능하다.As shown in FIG. 1, the first motor 15A is fixed to the lower surface of the lower first roller base 17B via the first motor support body 25A. Therefore, the first belt 14A, the two rollers 11 connected by the first belt 14A, the lower first roller base 17B, the first motor 15A, and the first motor support 25A are integrated. It can rotate around the pivot axis (17C).

롤러 회전 기구(12)는 4개의 롤러(11)를 동일한 방향으로 동일한 속도로 회전시키도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 처리 중, 웨이퍼(W)의 주연부는 롤러(11)에 의해 파지된다. 웨이퍼(W)는 수평하게 보유 지지되고, 롤러(11)의 회전에 의해 웨이퍼(W)는 그 축심을 중심으로 회전된다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 처리 중, 4개의 롤러(11)는 각각의 축심을 중심으로 회전하지만, 롤러(11) 자체의 위치는 정지하고 있다.The roller rotation mechanism 12 is configured to rotate the four rollers 11 in the same direction and at the same speed. During processing of the lower surface 1 of the wafer W, the peripheral portion of the wafer W is held by the roller 11. The wafer W is held horizontally, and the rotation of the roller 11 rotates the wafer W about its axis. During processing of the lower surface 1 of the wafer W, the four rollers 11 rotate around their respective axes, but the positions of the rollers 11 themselves are stationary.

4개의 롤러(11)의 하부에는 풀리(22)가 각각 고정되어 있다. 제1 벨트(14A)는 4개의 롤러(11) 중 2개에 고정된 풀리(22)에 걸리고, 제2 벨트(14B)는 다른 2개의 롤러(11)에 고정된 풀리(22)에 걸려 있다. 제1 모터(15A) 및 제2 모터(15B)는 동일한 속도로 동일한 방향으로 회전하도록 구성되어 있다. 따라서, 4개의 롤러(11)는 동일한 속도로 동일한 방향으로 회전할 수 있다.Pulleys 22 are fixed to the lower portions of the four rollers 11, respectively. The first belt 14A is hung on a pulley 22 fixed to two of the four rollers 11, and the second belt 14B is hung on a pulley 22 fixed to the other two rollers 11. . The first motor 15A and the second motor 15B are configured to rotate in the same direction at the same speed. Therefore, the four rollers 11 can rotate in the same direction at the same speed.

도 4에 도시한 바와 같이, 롤러 회전 기구(12)는 제1 롤러대(16A)의 상측 제1 롤러대(17A)(도 1 참조)에 연결된 제1 액추에이터(18A)와, 제2 롤러대(16B)에 연결된 제2 액추에이터(18B)를 더 구비하고 있다. 제1 액추에이터(18A)는 제1 롤러대(16A)에 지지되어 있는 2개의 롤러(11)를 화살표로 나타낸 바와 같이 수평 방향으로 이동시킨다. 마찬가지로, 제2 액추에이터(18B)는 제2 롤러대(16B)에 지지되어 있는 다른 2개의 롤러(11)를 화살표로 나타낸 바와 같이 수평 방향으로 이동시킨다. 즉, 제1 액추에이터(18A) 및 제2 액추에이터(18B)는 2조의 롤러(11)(본 실시 형태에서는 각 조는 2개의 롤러(11)로부터 이루어진다)를 서로 접근하는 방향 및 이격되는 방향으로 이동시키도록 구성되어 있다. 제1 액추에이터(18A) 및 제2 액추에이터(18B)는 에어 실린더 또는 모터 구동형 액추에이터 등으로 구성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 액추에이터(18A) 및 제2 액추에이터(18B)는 에어 실린더로 구성되어 있다.As shown in Fig. 4, the roller rotation mechanism 12 includes a first actuator 18A connected to the first roller base 17A (see Fig. 1) above the first roller base 16A, and a second roller base. It is further provided with a second actuator (18B) connected to (16B). The first actuator 18A moves the two rollers 11 supported on the first roller base 16A in the horizontal direction as indicated by arrows. Similarly, the second actuator 18B moves the other two rollers 11 supported on the second roller base 16B in the horizontal direction as indicated by arrows. That is, the first actuator 18A and the second actuator 18B move the two sets of rollers 11 (in this embodiment, each set is made up of two rollers 11) in a direction approaching and away from each other. It is composed of: The first actuator 18A and the second actuator 18B may be configured as an air cylinder or a motor-driven actuator. In this embodiment, the first actuator 18A and the second actuator 18B are comprised of air cylinders.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 액추에이터(18A) 및 제2 액추에이터(18B)는 베이스 플레이트(23)의 하면에 고정되어 있다. 롤러(11)는 베이스 플레이트(23)를 관통하여 상방으로 연장되어 있다. 베이스 플레이트(23)의 하면에는 제1 직동 가이드(26A) 및 제2 직동 가이드(26B)가 고정되어 있다. 제1 직동 가이드(26A)의 가동부는 상측 제1 롤러대(17A)에 연결되어 있고, 제2 직동 가이드(26B)의 가동부는 제2 롤러대(16B)에 연결되어 있다. 2개의 직동 가이드(26A, 26B)는, 롤러(11)의 움직임을 수평 방향으로의 직선 운동으로 제한한다.As shown in FIG. 1, the first actuator 18A and the second actuator 18B are fixed to the lower surface of the base plate 23. The roller 11 extends upward through the base plate 23. A first linear guide 26A and a second linear guide 26B are fixed to the lower surface of the base plate 23. The movable part of the first linear guide 26A is connected to the upper first roller base 17A, and the movable part of the second linear guide 26B is connected to the second roller base 16B. The two linear guides 26A and 26B limit the movement of the roller 11 to a linear movement in the horizontal direction.

2조의 롤러(11)가 서로 근접하는 방향으로 이동하면, 웨이퍼(W)는 4개의 롤러(11)에 의해 보유 지지된다. 4개의 롤러(11) 중 2개는 피봇축(17C)의 둘레를 회전 가능하므로, 4개의 롤러(11)가 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있을 때, 상기 2개의 롤러(11)의 위치가 자동적으로 조정된다. 2조의 롤러(11)가 서로 이격되는 방향으로 이동하면, 웨이퍼(W)는 4개의 롤러(11)로부터 해방된다. 본 실시 형태에서는, 기판 보유 지지부(10)의 축심(CP)의 둘레에 배열된 4개의 롤러(11)가 설치되어 있지만, 롤러(11)의 수는 4개에 한정되지 않는다. 예를 들어, 3개의 롤러(11)를 120도의 각도로 등간격으로 축심(CP)의 둘레에 배열하고, 각각의 롤러(11)에 대하여 액추에이터를 하나씩 설치해도 된다. 일 실시 형태에서는, 3개의 롤러(11)를 120도의 각도로 등간격으로 축심(CP)의 둘레에 배열하고, 3개의 롤러(11) 중 2개를 제1 벨트(14A)로 연결하고, 제1 벨트(14A)로 연결된 2개의 롤러(11)와, 제1 벨트(14A)로 연결되어 있지 않은 롤러(11)에 대하여 액추에이터를 하나씩 설치해도 된다.When the two sets of rollers 11 move in a direction close to each other, the wafer W is held by the four rollers 11. Two of the four rollers 11 can rotate around the pivot axis 17C, so when the four rollers 11 hold the wafer W, the positions of the two rollers 11 are adjusted automatically. When the two sets of rollers 11 move in directions away from each other, the wafer W is released from the four rollers 11. In this embodiment, four rollers 11 arranged around the axis CP of the substrate holding portion 10 are provided, but the number of rollers 11 is not limited to four. For example, three rollers 11 may be arranged around the axis CP at equal intervals at an angle of 120 degrees, and one actuator may be installed for each roller 11. In one embodiment, three rollers 11 are arranged around the axis CP at equal intervals at an angle of 120 degrees, two of the three rollers 11 are connected to the first belt 14A, and the first belt 14A is connected to the first belt 14A. One actuator may be installed for each of the two rollers 11 connected by the first belt 14A and the roller 11 not connected by the first belt 14A.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에는, 웨이퍼(W)의 상면(2)에 보호액(예를 들어 순수)을 공급하는 보호액 공급 노즐(28)이 배치되어 있다. 보호액 공급 노즐(28)은 도시하지 않은 보호액 공급원에 접속되어 있다. 보호액 공급 노즐(28)은 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심을 향하여 배치되어 있다. 보호액은, 보호액 공급 노즐(28)로부터 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급되어, 원심력에 의해 보호액은 웨이퍼(W)의 상면(2) 상에서 퍼진다. 보호액은, 웨이퍼(W)의 처리에서 발생한 재료 부스러기나 이물을 포함하는 처리액이 웨이퍼(W)의 상면(2)으로 돌아 들어가서 웨이퍼(W)의 제2 면에 부착되는 것을 방지한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 상면(2)을 청정하게 유지할 수 있다.As shown in FIG. 1, above the wafer W held by the substrate holding portion 10, a protection liquid (for example, pure water) is supplied to the upper surface 2 of the wafer W. A nozzle 28 is disposed. The protective liquid supply nozzle 28 is connected to a protective liquid supply source (not shown). The protective liquid supply nozzle 28 is disposed toward the center of the upper surface 2 of the wafer W. The protective liquid is supplied to the center of the upper surface 2 of the wafer W from the protective liquid supply nozzle 28, and the protective liquid spreads on the upper surface 2 of the wafer W by centrifugal force. The protective liquid prevents the processing liquid containing material debris or foreign matter generated during processing of the wafer W from returning to the upper surface 2 of the wafer W and adhering to the second surface of the wafer W. As a result, the upper surface 2 of the wafer W can be kept clean.

도 6은, 기판 처리 장치의 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이며, 도 7은 도 6에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다. 특별히 설명하지 않는 본 실시 형태의 구성 및 동작은, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시 형태와 동일하므로, 그 중복되는 설명을 생략한다. 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 장치는, 웨이퍼(W)의 이면, 즉 하면(1)의 처리 중에, 웨이퍼(W)의 상면(2)을 지지하는 웨이퍼 지지 부재(기판 지지 부재)로서의 롤 스펀지(95)를 구비하고 있다. 롤 스펀지(95)는 스크럽 헤드(50)의 상방에 배치되어 있다. 롤 스펀지(95)는 롤 스펀지 회전 장치(97)에 연결되어 있고, 롤 스펀지 회전 장치(97)에 의해 롤 스펀지(95)는 그 축심을 중심으로 회전되도록 되어 있다.FIG. 6 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus, and FIG. 7 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 6. The configuration and operation of this embodiment, which is not specifically described, is the same as the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 5, and thus overlapping description thereof will be omitted. As shown in FIGS. 6 and 7 , the substrate processing apparatus of the present embodiment provides a wafer support for supporting the upper surface 2 of the wafer W during processing of the rear surface, that is, the lower surface 1 of the wafer W. It is provided with a roll sponge 95 as a member (substrate support member). The roll sponge 95 is disposed above the scrub head 50. The roll sponge 95 is connected to a roll sponge rotating device 97, and the roll sponge rotating device 97 rotates the roll sponge 95 about its axis.

롤 스펀지 회전 장치(97)는 롤 스펀지 승강 장치(98)에 접속되어 있고, 롤 스펀지(95) 및 롤 스펀지 회전 장치(97)는 롤 스펀지 승강 기구(98)에 의해 상승 및 하강되도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)를 기판 보유 지지부(10)에 반입할 때는, 롤 스펀지 승강 기구(98)는 롤 스펀지(95)를 상승시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)을 스크럽 도구(31)로 처리할 때는, 롤 스펀지 승강 기구(98)는 롤 스펀지(95)를 하강시켜서, 웨이퍼(W)의 상면(2)(상면)에 접촉시킨다.The roll sponge rotating device 97 is connected to the roll sponge lifting device 98, and the roll sponge 95 and the roll sponge rotating device 97 are raised and lowered by the roll sponge lifting mechanism 98. More specifically, when loading the wafer W into the substrate holding portion 10, the roll sponge lifting mechanism 98 raises the roll sponge 95. When treating the lower surface 1 of the wafer W with the scrub tool 31, the roll sponge lifting mechanism 98 lowers the roll sponge 95 so that it is applied to the upper surface 2 (upper surface) of the wafer W. Make contact.

웨이퍼(W)의 하면(1)의 스크럽 도구(31)에서의 처리 중, 보호액 공급 노즐(28)로부터 보호액(예를 들어 순수)을 웨이퍼(W)의 상면(2)에 공급하면서, 롤 스펀지(95)는 롤 스펀지 회전 장치(97)에 의해 회전된다. 롤 스펀지(95)는 보호액의 존재 하에서 웨이퍼(W)의 상면(2)을 클리닝한다.While processing the lower surface 1 of the wafer W with the scrub tool 31, supplying a protective liquid (for example, pure water) from the protective liquid supply nozzle 28 to the upper surface 2 of the wafer W, The roll sponge 95 is rotated by the roll sponge rotating device 97. The roll sponge 95 cleans the upper surface 2 of the wafer W in the presence of a protective liquid.

도 7에 도시하는 바와 같이, 롤 스펀지(95)를 위에서 보았을 때에, 롤 스펀지(95)의 긴 변 방향은 기판 보유 지지부(10)의 축심(CP)과 선회축(62)을 연결한 직선에 수직이다. 또한, 롤 스펀지(95)의 축방향 길이는, 웨이퍼(W)의 직경보다도 크다. 스크럽 헤드(50)와 롤 스펀지(95)는 웨이퍼(W)를 사이에 두도록 배치되어 있고, 스크럽 헤드(50)로부터 웨이퍼(W)에 가해지는 상향의 힘은, 스크럽 헤드(50)의 바로 위로부터 롤 스펀지(95)에 의해 지지된다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 처리 중의 웨이퍼(W)의 휨이 방지된다.As shown in FIG. 7, when the roll sponge 95 is viewed from above, the long side direction of the roll sponge 95 is aligned with the straight line connecting the axis CP of the substrate holding portion 10 and the pivot axis 62. It is vertical. Additionally, the axial length of the roll sponge 95 is larger than the diameter of the wafer W. The scrub head 50 and the roll sponge 95 are arranged to sandwich the wafer W, and the upward force applied to the wafer W from the scrub head 50 is directly above the scrub head 50. It is supported by a roll sponge (95). As a result, bending of the lower surface 1 of the wafer W during processing is prevented.

도 8은, 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이며, 도 9는 도 8에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다. 특별히 설명하지 않는 본 실시 형태의 구성 및 동작은, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한 실시 형태와 동일하므로, 그 중복되는 설명을 생략한다. 도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 장치는, 웨이퍼(W)의 이면, 즉 하면(1)의 처리 중에, 웨이퍼(W)의 상면(2)을 지지하는 웨이퍼 지지 부재(기판 지지 부재)로서의 정압 플레이트(100)를 구비하고 있다. 정압 플레이트(100)는 스크럽 헤드(50)의 상방에 배치되어 있다.FIG. 8 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus, and FIG. 9 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 8. The configuration and operation of this embodiment, which are not specifically described, are the same as those of the embodiment described with reference to FIGS. 6 and 7, so duplicate descriptions thereof will be omitted. As shown in FIGS. 8 and 9, the substrate processing apparatus of the present embodiment provides a wafer support for supporting the upper surface 2 of the wafer W during processing of the rear surface, that is, the lower surface 1, of the wafer W. It is provided with a static pressure plate 100 as a member (substrate support member). The static pressure plate 100 is disposed above the scrub head 50.

정압 플레이트(100)는 롤러(11)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상면(2)에 유체를 접촉시켜서 웨이퍼(W)를 유체로 지지하도록 구성되어 있다. 정압 플레이트(100)는 롤러(11)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상면(2)에 근접한 기판 지지면(101)을 갖고 있다. 또한, 정압 플레이트(100)는 기판 지지면(101)에 형성된 복수의 유체 분사구(104)와, 유체 분사구(104)에 접속된 유체 공급로(102)를 구비하고 있다. 정압 플레이트(100)는 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 상방에 배치되고, 기판 지지면(101)은 웨이퍼(W)의 상면(2)으로부터 약간 이격되어 있다. 유체 공급로(102)는 도시하지 않은 유체 공급원에 접속되어 있다. 본 실시 형태의 기판 지지면(101)은 사각형이지만, 원형 또는 다른 형상을 갖고 있어도 된다.The static pressure plate 100 is configured to bring fluid into contact with the upper surface 2 of the wafer W held by the roller 11 to support the wafer W with fluid. The static pressure plate 100 has a substrate support surface 101 close to the upper surface 2 of the wafer W held by the roller 11. Additionally, the static pressure plate 100 includes a plurality of fluid injection ports 104 formed on the substrate support surface 101 and a fluid supply path 102 connected to the fluid injection ports 104. The static pressure plate 100 is disposed above the wafer W held by the substrate holding portion 10, and the substrate support surface 101 is slightly spaced apart from the upper surface 2 of the wafer W. The fluid supply path 102 is connected to a fluid supply source not shown. The substrate support surface 101 of this embodiment is square, but may have a circular or other shape.

정압 플레이트(100)는 유체(예를 들어, 순수 등의 액체)를 유체 공급로(102)를 통하여 복수의 유체 분사구(104)에 공급하고, 기판 지지면(101)과 웨이퍼(W)의 상면(2) 사이의 공간을 유체로 채운다. 웨이퍼(W)는, 기판 지지면(101)과 웨이퍼(W)의 상면(2) 사이에 존재하는 유체에 의해 지지된다. 스크럽 헤드(50)와 정압 플레이트(100)의 기판 지지면(101)은 웨이퍼(W)를 사이에 두도록 배치되어 있고, 스크럽 헤드(50)로부터 웨이퍼(W)에 가해지는 상향의 힘은, 스크럽 헤드(50)의 바로 위로부터 정압 플레이트(100)에 의해 지지된다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 처리 중의 웨이퍼(W)의 휨이 방지된다. 유체로서 순수가 사용되는 경우에는, 보호액 공급 노즐(28)은 생략해도 된다.The static pressure plate 100 supplies fluid (for example, liquid such as pure water) to the plurality of fluid injection holes 104 through the fluid supply path 102, and the substrate support surface 101 and the upper surface of the wafer (W). (2) Fill the space between them with fluid. The wafer W is supported by fluid existing between the substrate support surface 101 and the upper surface 2 of the wafer W. The scrub head 50 and the substrate support surface 101 of the static pressure plate 100 are arranged to sandwich the wafer W, and the upward force applied from the scrub head 50 to the wafer W is scrub. It is supported by a static pressure plate 100 from directly above the head 50. As a result, bending of the lower surface 1 of the wafer W during processing is prevented. When pure water is used as the fluid, the protective liquid supply nozzle 28 may be omitted.

정압 플레이트(100)는 정압 플레이트 이동 기구(110)에 접속되어 있고, 정압 플레이트(100)는 정압 플레이트 이동 기구(110)에 의해 웨이퍼(W)의 바로 위의 지지 위치와, 이 지지 위치보다도 높은 퇴피 위치 사이에서 이동되게 되어 있다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)를 기판 보유 지지부(10)에 반입할 때는, 정압 플레이트 이동 기구(110)는 정압 플레이트(100)를 퇴피 위치로 이동시키고, 웨이퍼(W)의 하면(1)을 스크럽 도구(31)로 처리할 때는, 정압 플레이트 이동 기구(110)는 정압 플레이트(100)를 지지 위치로 이동시킨다.The static pressure plate 100 is connected to the static pressure plate moving mechanism 110, and the static pressure plate 100 is positioned at a support position directly above the wafer W and at a higher level than this support position. It is moved between retreat positions. More specifically, when loading the wafer W into the substrate holding portion 10, the static pressure plate moving mechanism 110 moves the static pressure plate 100 to the retracted position, and the lower surface 1 of the wafer W When processing with the scrub tool 31, the static pressure plate moving mechanism 110 moves the static pressure plate 100 to the support position.

도 10은, 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이며, 도 11은, 도 10에 도시하는 기판 처리 장치의 상면도이다. 특별히 설명하지 않는 본 실시 형태의 구성 및 동작은, 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시 형태와 동일하므로, 그 중복되는 설명을 생략한다. 본 실시 형태에서는, 기판 보유 지지부(10)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)을 보유 지지하는 제1 보유 지지부(10A)와, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 보유 지지하는 제2 보유 지지부(10B)를 구비하고 있다.FIG. 10 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus, and FIG. 11 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 10 . The configuration and operation of this embodiment, which is not specifically described, is the same as the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 5, and thus overlapping description thereof will be omitted. In this embodiment, the substrate holding portion 10 includes a first holding portion 10A that holds the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W, and a lower surface 1 of the wafer W. It is provided with a second holding portion 10B that holds the second region R2.

웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 중심점(O)을 포함하는 영역이다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은, 제1 영역(R1)의 외측에 위치하는 영역이며, 하면(1)의 최외측 테두리를 포함하는 영역이다. 제1 영역(R1)은, 하면(1)의 최외측 테두리를 포함하지 않고, 제2 영역(R2)은, 하면(1)의 중심점(O)을 포함하지 않는다. 본 실시 형태에서는, 제1 영역(R1)은 원형이며, 제2 영역(R2)은 환상이다. 웨이퍼(W)의 하면(1)은 제1 보유 지지부(10A)와 제2 보유 지지부(10B)에 교대로 보유 지지된다. 상술한 각 실시 형태와 마찬가지로, 스크럽 헤드(50), 회전축(55), 및 연결 부재(57)는 기판 보유 지지부(10)에 보유 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 하측에 배치되어 있다.The first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is an area including the center point O of the lower surface 1 of the wafer W. The second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is an area located outside the first area R1 and includes the outermost edge of the lower surface 1. The first region R1 does not include the outermost edge of the lower surface 1, and the second region R2 does not include the center point O of the lower surface 1. In this embodiment, the first region R1 is circular and the second region R2 is annular. The lower surface 1 of the wafer W is alternately held by the first holding portion 10A and the second holding portion 10B. As with each of the above-described embodiments, the scrub head 50, the rotating shaft 55, and the connecting member 57 are disposed below the wafer W held by the substrate holding portion 10.

제1 보유 지지부(10A)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)을 보유 지지하는 제1 보유 지지 스테이지(111)와, 제1 보유 지지 스테이지(111)에 연결된 스테이지 축(112)과, 스테이지 축(112)에 연결된 제1 스테이지 회전 장치(115)와, 제1 보유 지지 스테이지(111)를 상승 및 하강시키는 제1 스테이지 승강 기구(117)을 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 제1 스테이지 회전 장치(115)는 적어도 전동기를 구비하고 있다.The first holding portion 10A includes a first holding stage 111 that holds the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W, and a stage axis connected to the first holding stage 111. 112, a first stage rotation device 115 connected to the stage axis 112, and a first stage lifting mechanism 117 for raising and lowering the first holding stage 111. In this embodiment, the first stage rotating device 115 includes at least an electric motor.

제1 보유 지지 스테이지(111)는 웨이퍼(W)의 직경보다도 작은 직경을 갖는 원형의 기판 보유 지지면(상면)(111a)을 갖고 있다. 제1 보유 지지 스테이지(111)는 제1 배큠 라인(118)에 접속되어 있다. 제1 보유 지지 스테이지(111)의 기판 보유 지지면(111a)에는, 제1 배큠 라인(118)에 연통하는 복수의 배큠 개구(111b)가 형성되어 있다. 배큠 개구(111b) 내에 진공압이 형성되면, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은 진공 흡인에 의해 제1 보유 지지 스테이지(111)의 기판 보유 지지면(111a) 상에 보유 지지된다. 본 실시 형태에서는 복수의 배큠 개구(111b)가 마련되어 있지만, 1개의 배큠 개구(111b)가 마련되어도 된다. 또한, 배큠 개구(111b)의 형상은, 특별히 한정되지 않고 예를 들어 원형이나, 홈형이어도 된다.The first holding stage 111 has a circular substrate holding surface (upper surface) 111a having a diameter smaller than the diameter of the wafer W. The first holding stage 111 is connected to the first vacuum line 118. A plurality of vacuum openings 111b communicating with the first vacuum line 118 are formed in the substrate holding surface 111a of the first holding stage 111. When vacuum pressure is formed in the vacuum opening 111b, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is on the substrate holding surface 111a of the first holding stage 111 by vacuum suction. It is supported by . In this embodiment, a plurality of vacuum openings 111b are provided, but one vacuum opening 111b may be provided. Additionally, the shape of the vacuum opening 111b is not particularly limited and may be, for example, circular or groove-shaped.

제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 스테이지 회전 장치(115)에 연결되어 있고, 제1 스테이지 회전 장치(115), 스테이지 축(112), 및 제1 보유 지지 스테이지(111)를 일체로 상승 및 하강시키는 것이 가능하게 배치되어 있다. 제1 스테이지 승강 기구(117)로서는, 에어 실린더, 또는 서보 모터와 볼 나사 기구의 조합 등으로 구성할 수 있다.The first stage lifting mechanism 117 is connected to the first stage rotating device 115, and integrally raises the first stage rotating device 115, the stage shaft 112, and the first holding stage 111. and is arranged so that it can be lowered. The first stage lifting mechanism 117 can be configured with an air cylinder or a combination of a servo motor and a ball screw mechanism.

제2 보유 지지부(10B)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 보유 지지하는 제2 보유 지지 스테이지(122)와, 제2 보유 지지 스테이지(122)를 상승 및 하강시키는 제2 스테이지 승강 기구(124)를 구비하고 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122)를 회전시키기 위한 회전 장치는 설치되어 있지 않다. 제2 보유 지지 스테이지(122)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에만 접촉하고, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에는 접촉하지 않는 형상을 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 제2 보유 지지 스테이지(122)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에만 접촉 가능한 환상의 스테이지이며, 환상의 기판 보유 지지면(상면)(122a)을 갖고 있다. 제1 스테이지 회전 장치(115), 스테이지 축(112), 및 제1 보유 지지 스테이지(111)는 환상의 제2 보유 지지 스테이지(122)의 내측에 위치하고 있다. 회전축(55)은 제1 보유 지지부(10A)의 기판 보유 지지면(111a) 및 제2 보유 지지부(10B)의 기판 보유 지지면(122a)과 수직으로 연장한다.The second holding portion 10B holds the second holding stage 122 for holding the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W, and raises and lowers the second holding stage 122. Shiki is provided with a second stage lifting mechanism 124. A rotation device for rotating the second holding stage 122 is not installed. The second holding stage 122 has a shape that only contacts the second region (R2) of the lower surface (1) of the wafer (W) and does not contact the first region (R1) of the lower surface (1) of the wafer (W). has. In this embodiment, as shown in FIG. 11, the second holding stage 122 is an annular stage that can only contact the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W, and holds the annular substrate. It has a support surface (upper surface) 122a. The first stage rotation device 115, the stage axis 112, and the first holding stage 111 are located inside the annular second holding stage 122. The rotation axis 55 extends perpendicular to the substrate holding surface 111a of the first holding part 10A and the substrate holding surface 122a of the second holding part 10B.

제2 보유 지지 스테이지(122)는 제2 배큠 라인(126)에 접속되어 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122)의 기판 보유 지지면(122a)에는, 제2 배큠 라인(126)에 연통하는 복수의 배큠 개구(123)가 형성되어 있다. 배큠 개구(123) 내에 진공압이 형성되면, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은 진공 흡인에 의해 제2 보유 지지 스테이지(122)의 기판 보유 지지면(122a) 상에 보유 지지된다. 본 실시 형태에서는 복수의 배큠 개구(123)가 마련되어 있지만, 1개의 배큠 개구(123)가 마련되어도 된다. 또한, 배큠 개구(123)의 형상은, 특별히 한정되지 않고 예를 들어 원형이나, 홈형이어도 된다. 제2 보유 지지 스테이지(122)는 보유 지지 블록(128)을 통하여 제2 스테이지 승강 기구(124)에 연결되어 있다. 보유 지지 블록(128)은 제2 보유 지지 스테이지(122) 및 제2 스테이지 승강 기구(124)에 고정되어 있다.The second holding stage 122 is connected to the second vacuum line 126. A plurality of vacuum openings 123 communicating with the second vacuum line 126 are formed in the substrate holding surface 122a of the second holding stage 122 . When vacuum pressure is formed in the vacuum opening 123, the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is on the substrate holding surface 122a of the second holding stage 122 by vacuum suction. It is supported by . In this embodiment, a plurality of vacuum openings 123 are provided, but one vacuum opening 123 may be provided. Additionally, the shape of the vacuum opening 123 is not particularly limited and may be, for example, circular or groove-shaped. The second holding stage 122 is connected to the second stage lifting mechanism 124 through a holding block 128. The holding block 128 is fixed to the second holding stage 122 and the second stage lifting mechanism 124.

이어서, 도 10 및 도 11에 도시하는 기판 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 도 10에 도시하는 바와 같이, 제2 스테이지 승강 기구(124)는 제2 보유 지지 스테이지(122)를 하강시키고, 제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 보유 지지 스테이지(111)를 제2 보유 지지 스테이지(122)보다도 높은 위치로 상승시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 제1 보유 지지 스테이지(111)의 원형 기판 보유 지지면(111a) 상에 보유 지지되고, 또한, 제1 스테이지 회전 장치(115)에 의해 제1 보유 지지 스테이지(111) 및 웨이퍼(W)가 일체로 회전된다. 보호액 공급 노즐(28)은 보호액을 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급한다. 보호액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 상면(2) 상에서 퍼진다.Next, the operation of the substrate processing apparatus shown in FIGS. 10 and 11 will be described. First, as shown in FIG. 10, the second stage lifting mechanism 124 lowers the second holding stage 122, and the first stage lifting mechanism 117 lowers the first holding stage 111. 2 Raise it to a position higher than the holding support stage 122. The first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is held on the circular substrate holding surface 111a of the first holding stage 111, and the first stage rotating device 115 ), the first holding stage 111 and the wafer W are rotated as one body. The protective liquid supply nozzle 28 supplies the protective liquid to the center of the upper surface 2 of the wafer W. The protective liquid spreads on the upper surface 2 of the wafer W by centrifugal force.

스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레를 원운동한다. 또한, 처리액이 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다. 지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시키고, 원운동하는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에 접촉시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다. 원운동하는 스크럽 헤드(50)가 제1 보유 지지 스테이지(111)에 접촉하지 않는 범위 내에서, 선회 모터(65)는 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시켜도 된다.The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31. The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 together with the support arm 60, and moves the scrub tool 31, which moves in a circular motion, to the lower surface 1 of the wafer W. It is brought into contact with the second region (R2). The second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of a treatment liquid. Within the range where the circularly moving scrub head 50 does not contact the first holding stage 111, the swing motor 65 moves the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 to a radius of the wafer W. You can move it in any direction.

이어서, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 이하와 같이 처리된다. 먼저, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 선회시켜서, 스크럽 헤드(50)를 웨이퍼(W)의 외측으로 이동시킨다. 그 후, 도 12에 도시하는 바와 같이, 제2 스테이지 승강 기구(124)는 제2 보유 지지 스테이지(122)를 상승시키고, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 제2 보유 지지 스테이지(122)의 환상 기판 보유 지지면(122a)으로 보유 지지한다. 제1 보유 지지 스테이지(111)는 웨이퍼(W)를 릴리즈하고, 제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 보유 지지 스테이지(111)를 제2 보유 지지 스테이지(122) 및 지지 암(60)보다도 낮은 위치로 하강시킨다. 이어서, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 선회시켜서, 스크럽 헤드(50)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)의 하방으로 이동시킨다. 보호액 공급 노즐(28)은 보호액을 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급한다.Next, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is processed as follows. First, the swing motor 65 rotates the support arm 60 to move the scrub head 50 to the outside of the wafer (W). Afterwards, as shown in FIG. 12 , the second stage lifting mechanism 124 raises the second holding stage 122 and lifts the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W. 2 The annular substrate is held and supported by the holding surface 122a of the holding stage 122. The first holding stage 111 releases the wafer W, and the first stage lifting mechanism 117 moves the first holding stage 111 higher than the second holding stage 122 and the supporting arm 60. Lower to a lower position. Next, the swing motor 65 rotates the support arm 60 to move the scrub head 50 below the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W. The protective liquid supply nozzle 28 supplies the protective liquid to the center of the upper surface 2 of the wafer W.

스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레를 원운동한다. 또한, 처리액이 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다. 지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시키고, 원운동하는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에 접촉시킨다. 또한, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 웨이퍼(W)의 하면(1)과 평행하게 스윙시킨다. 웨이퍼(W) 및 제2 보유 지지 스테이지(122)는 회전하지 않는다. 스크럽 헤드(50)가 제2 보유 지지 스테이지(122)에 접촉하지 않는 범위 내에서, 선회 모터(65)는 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시키면서, 원운동하는 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에 미끄럼 접촉시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다.The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31. The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 together with the support arm 60, and moves the scrub tool 31, which moves in a circular motion, to the lower surface 1 of the wafer W. It is brought into contact with the first region (R1). Additionally, the swing motor 65 swings the support arm 60 parallel to the lower surface 1 of the wafer W. The wafer W and the second holding stage 122 do not rotate. Within the range where the scrub head 50 does not contact the second holding stage 122, the swing motor 65 moves the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 in the radial direction of the wafer W. While doing so, the scrub head 50, which moves in a circular motion, brings the scrub tool 31 into sliding contact with the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W. The first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of a treatment liquid.

이상의 설명에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)이 먼저 스크럽 도구(31)에 의해 처리되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 스크럽 도구(31)에 의해 처리된다. 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 먼저 스크럽 도구(31)에 의해 처리되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)이 스크럽 도구(31)에 의해 처리되어도 된다.In the above description, the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is first processed by the scrub tool 31, and then the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is treated. ) is processed by the scrub tool 31. In one embodiment, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is first treated by the scrub tool 31, and then the second region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is treated by the scrub tool 31. R2) may be processed by the scrub tool 31.

도 13은, 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이며, 도 14는, 도 13에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다. 특별히 설명하지 않는 본 실시 형태의 구성 및 동작은, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 실시 형태와 동일하므로, 그 중복되는 설명을 생략한다.FIG. 13 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus, and FIG. 14 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 13. The configuration and operation of this embodiment, which is not specifically described, is the same as the embodiment described with reference to FIGS. 10 to 12, and thus overlapping description thereof will be omitted.

제1 보유 지지부(10A)는 도 10 내지 도 12에 도시되는 실시 형태와 동일 구성이다. 제2 보유 지지부(10B)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 보유 지지하는 제2 보유 지지 스테이지(122)와, 제2 보유 지지 스테이지(122)를 지지하는 스테이지 지지 부재(130)와, 제2 보유 지지 스테이지(122)를 그 축심을 중심으로 회전시키는 제2 스테이지 회전 장치(131)와, 제2 보유 지지 스테이지(122) 및 스테이지 지지 부재(130)를 상승 및 하강시키는 제2 스테이지 승강 기구(124)를 구비하고 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에만 접촉 가능한 환상의 스테이지이며, 환상의 기판 보유 지지면(상면)(122a)을 갖고 있다. 제1 스테이지 회전 장치(115), 스테이지 축(112), 및 제1 보유 지지 스테이지(111)는 환상의 제2 보유 지지 스테이지(122)의 내측에 위치하고 있다.The first holding portion 10A has the same configuration as the embodiment shown in FIGS. 10 to 12. The second holding portion 10B includes a second holding stage 122 for holding the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W, and a stage for supporting the second holding stage 122. A second stage rotation device 131 that rotates the support member 130 and the second support stage 122 about its axis, and raises the second support stage 122 and the stage support member 130. and a second stage lifting mechanism 124 for lowering. The second holding stage 122 is an annular stage that can only contact the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W, and has an annular substrate holding surface (upper surface) 122a. The first stage rotation device 115, the stage axis 112, and the first holding stage 111 are located inside the annular second holding stage 122.

제2 보유 지지 스테이지(122)의 하면은, 환상의 로터리 조인트(135)에 고정되어 있고, 로터리 조인트(135)는 스테이지 지지 부재(130)에 고정되어 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122)는 로터리 조인트(135)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 로터리 조인트(135)에는 제2 배큠 라인(126)이 접속되어 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122)의 기판 보유 지지면(상면)(122a)에는, 로터리 조인트(13)를 통하여 제2 배큠 라인(126)에 연통하는 복수의 배큠 개구(123)가 형성되어 있다. 배큠 개구(123)에 진공압이 형성되면, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은 진공 흡인에 의해 제2 보유 지지 스테이지(122)의 기판 보유 지지면(122a) 상에 보유 지지된다. 본 실시 형태에서는 복수의 배큠 개구(123)가 마련되어 있지만, 1개의 배큠 개구(123)가 마련되어도 된다. 또한, 배큠 개구(123)의 형상은, 특별히 한정되지 않고 예를 들어 원형이나, 홈형이어도 된다. 로터리 조인트(135)는 제2 배큠 라인(126)에 대한 제2 보유 지지 스테이지(122)가 상대적인 회전을 허용하면서, 제2 보유 지지 스테이지(122)와 제2 배큠 라인(126)의 유체적 연통을 확립할 수 있는 장치이다.The lower surface of the second holding stage 122 is fixed to the annular rotary joint 135, and the rotary joint 135 is fixed to the stage support member 130. The second holding stage 122 is rotatably supported by a rotary joint 135. A second vacuum line 126 is connected to the rotary joint 135. A plurality of vacuum openings 123 communicating with the second vacuum line 126 through the rotary joint 13 are formed in the substrate holding surface (upper surface) 122a of the second holding stage 122. When vacuum pressure is formed in the vacuum opening 123, the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is on the substrate holding surface 122a of the second holding stage 122 by vacuum suction. It is supported by . In this embodiment, a plurality of vacuum openings 123 are provided, but one vacuum opening 123 may be provided. Additionally, the shape of the vacuum opening 123 is not particularly limited and may be, for example, circular or groove-shaped. The rotary joint 135 maintains fluid communication between the second retention stage 122 and the second vacuum line 126, while allowing relative rotation of the second retention stage 122 with respect to the second vacuum line 126. It is a device that can establish.

제2 스테이지 회전 장치(131)는 스테이지 지지 부재(130)에 고정된 제2 스테이지 회전 모터(137)와, 제2 스테이지 회전 모터(137)의 구동축(137a)에 고정된 풀리(140)와, 풀리(140) 및 제2 보유 지지 스테이지(122)의 외주면에 걸린 벨트(141)를 구비하고 있다. 제2 스테이지 회전 모터(137)가 작동하면, 제2 스테이지 회전 모터(137)의 구동축(137a)의 회전은, 풀리(140) 및 벨트(141)를 통하여 제2 보유 지지 스테이지(122)에 전달되어, 제2 보유 지지 스테이지(122)가 그 축심을 중심으로 회전한다. 제2 스테이지 승강 기구(124)는 스테이지 지지 부재(130)에 연결되어 있다. 스테이지 지지 부재(130), 제2 스테이지 회전 장치(131), 및 제2 보유 지지 스테이지(122)는 제2 스테이지 승강 기구(124)에 의해 일체로 상승 및 하강된다.The second stage rotation device 131 includes a second stage rotation motor 137 fixed to the stage support member 130, a pulley 140 fixed to the drive shaft 137a of the second stage rotation motor 137, It is provided with a belt 141 hung on the outer peripheral surface of the pulley 140 and the second holding stage 122. When the second stage rotation motor 137 operates, the rotation of the drive shaft 137a of the second stage rotation motor 137 is transmitted to the second holding stage 122 through the pulley 140 and the belt 141. This causes the second holding stage 122 to rotate around its axis. The second stage lifting mechanism 124 is connected to the stage support member 130. The stage support member 130, the second stage rotation device 131, and the second holding stage 122 are raised and lowered integrally by the second stage lifting mechanism 124.

이어서, 도 13 및 도 14에 도시하는 기판 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 도 13에 도시하는 바와 같이, 제2 스테이지 승강 기구(124)는 제2 보유 지지 스테이지(122)를 하강시키고, 제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 보유 지지 스테이지(111)를 제2 보유 지지 스테이지(122)보다도 높은 위치로 상승시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 제1 보유 지지 스테이지(111)에 의해 보유 지지되고, 또한, 제1 스테이지 회전 장치(115)에 의해 제1 보유 지지 스테이지(111) 및 웨이퍼(W)가 일체로 회전된다. 보호액 공급 노즐(28)은 보호액을 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급한다. 보호액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 상면(2) 상에서 퍼진다.Next, the operation of the substrate processing apparatus shown in FIGS. 13 and 14 will be described. First, as shown in FIG. 13, the second stage lifting mechanism 124 lowers the second holding stage 122, and the first stage lifting mechanism 117 lowers the first holding stage 111. 2 Raise it to a position higher than the holding support stage 122. The first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is held by the first holding stage 111, and further by the first holding stage 115. 111) and the wafer (W) are rotated integrally. The protective liquid supply nozzle 28 supplies the protective liquid to the center of the upper surface 2 of the wafer W. The protective liquid spreads on the upper surface 2 of the wafer W by centrifugal force.

스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레를 원운동한다. 또한, 처리액이 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다. 지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시키고, 원운동하는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에 접촉시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다. 원운동하는 스크럽 헤드(50)가 제1 보유 지지 스테이지(111)에 접촉하지 않는 범위 내에서, 선회 모터(65)는 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시켜도 된다.The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31. The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 together with the support arm 60, and moves the scrub tool 31, which moves in a circular motion, to the lower surface 1 of the wafer W. It is brought into contact with the second region (R2). The second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of a treatment liquid. Within the range where the circularly moving scrub head 50 does not contact the first holding stage 111, the swing motor 65 moves the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 to a radius of the wafer W. You can move it in any direction.

이어서, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 이하와 같이 처리된다. 먼저, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 선회시켜서, 스크럽 헤드(50)를 웨이퍼(W)의 외측으로 이동시킨다. 그 후, 도 15에 도시하는 바와 같이, 제2 스테이지 승강 기구(124)는 제2 보유 지지 스테이지(122)를 상승시키고, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 제2 보유 지지 스테이지(122)의 환상 기판 보유 지지면(122a)으로 보유 지지한다. 제1 보유 지지 스테이지(111)는 웨이퍼(W)를 릴리즈하고, 제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 보유 지지 스테이지(111)를 제2 보유 지지 스테이지(122) 및 지지 암(60)보다도 낮은 위치로 하강시킨다. 이어서, 제2 스테이지 회전 장치(131)는 제2 보유 지지 스테이지(122) 및 웨이퍼(W)를 일체로 회전시킨다. 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 회전시켜서, 스크럽 헤드(50)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)의 하방으로 이동시킨다. 보호액 공급 노즐(28)은 보호액을 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급한다. 보호액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 상면(2) 상에서 퍼진다.Next, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is processed as follows. First, the swing motor 65 rotates the support arm 60 to move the scrub head 50 to the outside of the wafer (W). Afterwards, as shown in FIG. 15 , the second stage lifting mechanism 124 raises the second holding stage 122 and lifts the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W. 2 The annular substrate is held and supported by the holding surface 122a of the holding stage 122. The first holding stage 111 releases the wafer W, and the first stage lifting mechanism 117 moves the first holding stage 111 higher than the second holding stage 122 and the supporting arm 60. Lower to a lower position. Next, the second stage rotation device 131 rotates the second holding stage 122 and the wafer W as one body. The swing motor 65 rotates the support arm 60 to move the scrub head 50 below the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W. The protective liquid supply nozzle 28 supplies the protective liquid to the center of the upper surface 2 of the wafer W. The protective liquid spreads on the upper surface 2 of the wafer W by centrifugal force.

스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레에서 원운동한다. 또한, 처리액이 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다. 지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시키고, 원운동하는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에 접촉시킨다. 또한, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 웨이퍼(W)의 하면(1)과 평행하게 스윙시킨다. 스크럽 헤드(50)가 제2 보유 지지 스테이지(122)에 접촉하지 않는 범위 내에서, 선회 모터(65)는 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시키면서, 원운동하는 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에 미끄럼 접촉시킨다. 웨이퍼(W)는 그 축심을 중심으로 회전되면서, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다.The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31. The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 together with the support arm 60, and moves the scrub tool 31, which moves in a circular motion, to the lower surface 1 of the wafer W. It is brought into contact with the first region (R1). Additionally, the swing motor 65 swings the support arm 60 parallel to the lower surface 1 of the wafer W. Within the range where the scrub head 50 does not contact the second holding stage 122, the swing motor 65 moves the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 in the radial direction of the wafer W. While doing so, the scrub head 50, which moves in a circular motion, brings the scrub tool 31 into sliding contact with the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W. While the wafer W is rotated about its axis, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of a treatment liquid.

이상의 설명에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)이 먼저 스크럽 도구(31)에 의해 처리되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 스크럽 도구(31)에 의해 처리된다. 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 먼저 스크럽 도구(31)에 의해 처리되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)이 스크럽 도구(31)에 의해 처리되어도 된다.In the above description, the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is first processed by the scrub tool 31, and then the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is treated. ) is processed by the scrub tool 31. In one embodiment, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is first treated by the scrub tool 31, and then the second region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is treated by the scrub tool 31. R2) may be processed by the scrub tool 31.

도 16은, 기판 처리 장치의 또 다른 실시 형태를 도시하는 모식도이며, 도 17은, 도 16에 도시되는 기판 처리 장치의 상면도이다. 특별히 설명하지 않는 본 실시 형태의 구성 및 동작은, 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 실시 형태와 동일하므로, 그 중복되는 설명을 생략한다.FIG. 16 is a schematic diagram showing another embodiment of a substrate processing apparatus, and FIG. 17 is a top view of the substrate processing apparatus shown in FIG. 16. The configuration and operation of this embodiment, which is not specifically described, is the same as the embodiment described with reference to FIGS. 10 to 12, and thus overlapping description thereof will be omitted.

제1 보유 지지부(10A)는 도 10 내지 도 12에 도시되는 실시 형태와 동일 구성이다. 제2 보유 지지부(10B)는 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 보유 지지하는 한 쌍의 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)와, 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)을 지지하는 스테이지 지지 부재(130)와, 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B) 및 스테이지 지지 부재(130)를 상승 및 하강시키는 제2 스테이지 승강 기구(124)를 구비하고 있다.The first holding portion 10A has the same configuration as the embodiment shown in FIGS. 10 to 12. The second holding portion 10B includes a pair of second holding stages 122A and 122B that hold the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W, and a second holding stage 122A. , 122B, and a second stage lifting mechanism 124 that raises and lowers the second holding stages 122A, 122B and the stage supporting member 130.

제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에만 접촉 가능한 형상을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)는, 제1 보유 지지 스테이지(111)의 기판 보유 지지면(111a)과 평행하며, 또한 서로 평행한 막대형의 부재로 구성되어 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)는, 서로 이격되어 있고, 동일한 높이에 있는 기판 보유 지지면(122a, 122b)를 각각 갖고 있다. 위에서 보았을 때의 제1 스테이지 회전 장치(115), 스테이지 축(112), 및 제1 보유 지지 스테이지(111)는 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)의 사이에 위치하고 있다. 따라서, 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에는 접촉하지 않는다.The second holding stages 122A and 122B have a shape that allows contact only with the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W. In this embodiment, the second holding stages 122A and 122B are parallel to the substrate holding surface 111a of the first holding stage 111 and are made of rod-shaped members that are parallel to each other. The second holding stages 122A and 122B each have substrate holding surfaces 122a and 122b that are spaced apart from each other and are at the same height. When viewed from above, the first stage rotation device 115, the stage axis 112, and the first holding stage 111 are located between the second holding stages 122A and 122B. Accordingly, the second holding stages 122A and 122B do not contact the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W.

제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)에는 제2 배큠 라인(126)이 각각 접속되어 있다. 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)의 기판 보유 지지면(상면)(122a, 122b)에는, 제2 배큠 라인(126)에 연통하는 복수의 배큠 개구(123)가 형성되어 있다. 이 배큠 개구(123)에 진공압이 형성되면, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은 진공 흡인에 의해 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)의 기판 보유 지지면(122a, 122b) 상에 보유 지지된다.A second vacuum line 126 is connected to the second holding stages 122A and 122B, respectively. A plurality of vacuum openings 123 communicating with the second vacuum line 126 are formed in the substrate holding surfaces (upper surfaces) 122a and 122b of the second holding stages 122A and 122B. When vacuum pressure is formed in the vacuum opening 123, the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is held by the substrate holding surface of the second holding stages 122A and 122B by vacuum suction. It is held and supported on 122a, 122b).

본 실시 형태에서는 복수의 배큠 개구(123)가 마련되어 있지만, 1개의 배큠 개구(123)가 마련되어도 된다. 또한, 배큠 개구(123)의 형상은, 특별히 한정되지 않고 예를 들어 원형이나, 홈형이어도 된다. 배큠 개구(123)의 위치의 예로서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 최외측 테두리, 최외측 테두리와 제1 영역(R1) 사이의 위치 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)의 기판 보유 지지면(122a, 122b)은, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 최외측 테두리를 포함하는 가늘고 긴 영역을 보유 지지한다. 일 실시 형태에서는, 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)의 기판 보유 지지면(122a, 122b)은, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 최외측 테두리만을 보유 지지해도 된다.In this embodiment, a plurality of vacuum openings 123 are provided, but one vacuum opening 123 may be provided. Additionally, the shape of the vacuum opening 123 is not particularly limited and may be, for example, circular or groove-shaped. Examples of the position of the vacuum opening 123 include the outermost edge of the lower surface 1 of the wafer W, the position between the outermost edge and the first region R1, and the like. In this embodiment, the substrate holding surfaces 122a and 122b of the second holding stages 122A and 122B hold an elongated region including the outermost edge of the lower surface 1 of the wafer W. . In one embodiment, the substrate holding surfaces 122a and 122b of the second holding stages 122A and 122B may hold only the outermost edge of the lower surface 1 of the wafer W.

이어서, 도 16 및 도 17에 도시되는 기판 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 도 16에 도시하는 바와 같이, 제2 스테이지 승강 기구(124)는 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)을 하강시키고, 제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 보유 지지 스테이지(111)를 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)보다도 높은 위치로 상승시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 제1 보유 지지 스테이지(111)에 의해 보유 지지되고, 또한, 제1 스테이지 회전 장치(115)에 의해 제1 보유 지지 스테이지(111) 및 웨이퍼(W)가 일체로 회전된다. 보호액 공급 노즐(28)은 보호액을 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급한다. 보호액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 상면(2) 상에서 퍼진다.Next, the operation of the substrate processing apparatus shown in FIGS. 16 and 17 will be described. First, as shown in FIG. 16, the second stage lifting mechanism 124 lowers the second holding stages 122A and 122B, and the first stage lifting mechanism 117 lowers the first holding stage 111. is raised to a position higher than the second holding stages 122A and 122B. The first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is held by the first holding stage 111, and further by the first holding stage 115. 111) and the wafer (W) are rotated integrally. The protective liquid supply nozzle 28 supplies the protective liquid to the center of the upper surface 2 of the wafer W. The protective liquid spreads on the upper surface 2 of the wafer W by centrifugal force.

스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레를 원운동한다. 또한, 처리액이 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다. 지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시키고, 원운동하는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)에 접촉시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)은, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다. 원운동하는 스크럽 헤드(50)가 제1 보유 지지 스테이지(111)에 접촉하지 않는 범위 내에서, 선회 모터(65)는 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시켜도 된다.The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31. The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 together with the support arm 60, and moves the scrub tool 31, which moves in a circular motion, to the lower surface 1 of the wafer W. It is brought into contact with the second region (R2). The second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of a treatment liquid. Within the range where the circularly moving scrub head 50 does not contact the first holding stage 111, the swing motor 65 moves the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 to a radius of the wafer W. You can move it in any direction.

이어서, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 이하와 같이 처리된다. 먼저, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 선회시켜서, 스크럽 헤드(50)를 웨이퍼(W)의 외측으로 이동시킨다. 그 후, 도 18에 도시하는 바와 같이, 제2 스테이지 승강 기구(124)는 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)을 상승시키고, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)을 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B)의 기판 보유 지지면(122a, 122b)으로 보유 지지한다. 제1 보유 지지 스테이지(111)는 웨이퍼(W)를 릴리즈하고, 제1 스테이지 승강 기구(117)는 제1 보유 지지 스테이지(111)를 제2 보유 지지 스테이지(122A, 122B) 및 지지 암(60)보다도 낮은 위치로 하강시킨다. 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 회전시켜서, 스크럽 헤드(50)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)의 하방으로 이동시킨다. 보호액 공급 노즐(28)은 보호액을 웨이퍼(W)의 상면(2)의 중심에 공급한다.Next, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is processed as follows. First, the swing motor 65 rotates the support arm 60 to move the scrub head 50 to the outside of the wafer (W). Then, as shown in FIG. 18 , the second stage lifting mechanism 124 raises the second holding stages 122A and 122B, and the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is held by the substrate holding surfaces 122a and 122b of the second holding stages 122A and 122B. The first holding stage 111 releases the wafer W, and the first stage lifting mechanism 117 moves the first holding stage 111 to the second holding stages 122A and 122B and the supporting arm 60. ) and lower it to a lower position. The swing motor 65 rotates the support arm 60 to move the scrub head 50 below the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W. The protective liquid supply nozzle 28 supplies the protective liquid to the center of the upper surface 2 of the wafer W.

스크럽 도구(31)를 지지하고 있는 스크럽 헤드(50)는 헤드 회전 기구(70)에 의해 회전축(55)의 둘레를 원운동한다. 또한, 처리액이 처리액 공급 라인(82)을 통하여 처리액 노즐(80)에 공급되고, 처리액은 스크럽 도구(31)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 하면(1)에 공급된다. 지지 암 승강 장치(67)는 지지 암(60)과 함께 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 상승시키고, 원운동하는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에 접촉시킨다. 또한, 선회 모터(65)는 지지 암(60)을 웨이퍼(W)의 하면(1)과 평행하게 스윙시킨다. 스크럽 헤드(50)가 제2 보유 지지 스테이지(122)에 접촉하지 않는 범위 내에서, 선회 모터(65)는 스크럽 헤드(50) 및 처리액 노즐(80)을 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시키면서, 원운동하는 스크럽 헤드(50)는 스크럽 도구(31)를 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)에 미끄럼 접촉시킨다. 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)은, 처리액의 존재 하에서 스크럽 도구(31)에 의해 문지름 세정된다.The scrub head 50 supporting the scrub tool 31 moves circularly around the rotation axis 55 by the head rotation mechanism 70. Additionally, the processing liquid is supplied to the processing liquid nozzle 80 through the processing liquid supply line 82, and the processing liquid is supplied to the lower surface 1 of the wafer W from the center of the scrub tool 31. The support arm lifting device 67 raises the scrub head 50 and the treatment liquid nozzle 80 together with the support arm 60, and moves the scrub tool 31, which moves in a circular motion, to the lower surface 1 of the wafer W. It is brought into contact with the first region (R1). Additionally, the swing motor 65 swings the support arm 60 parallel to the lower surface 1 of the wafer W. Within the range where the scrub head 50 does not contact the second holding stage 122, the swing motor 65 moves the scrub head 50 and the processing liquid nozzle 80 in the radial direction of the wafer W. While doing so, the scrub head 50, which moves in a circular motion, brings the scrub tool 31 into sliding contact with the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W. The first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is scrubbed and cleaned by the scrub tool 31 in the presence of a treatment liquid.

이상의 설명에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)이 먼저 스크럽 도구(31)에 의해 처리되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 스크럽 도구(31)에 의해 처리된다. 일 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제1 영역(R1)이 먼저 스크럽 도구(31)에 의해 처리되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 하면(1)의 제2 영역(R2)이 스크럽 도구(31)에 의해 처리되어도 된다.In the above description, the second region R2 of the lower surface 1 of the wafer W is first processed by the scrub tool 31, and then the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is treated. ) is processed by the scrub tool 31. In one embodiment, the first region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is first treated by the scrub tool 31, and then the second region R1 of the lower surface 1 of the wafer W is treated by the scrub tool 31. R2) may be processed by the scrub tool 31.

도 6 및 도 7에 도시되는 롤 스펀지(95), 및 도 8 및 도 9에 도시되는 정압 플레이트(100)는 도 10 내지 도 18을 참조하여 설명한 실시 형태에 적용해도 된다.The roll sponge 95 shown in FIGS. 6 and 7 and the static pressure plate 100 shown in FIGS. 8 and 9 may be applied to the embodiments described with reference to FIGS. 10 to 18.

상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있을 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구 범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위에게 해석되어야 하는 것이다.The above-described embodiments have been described for the purpose of enabling those skilled in the art in the technical field to which the present invention pertains to practice the present invention. Various modifications to the above-described embodiments can naturally be made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can also be applied to other embodiments. Accordingly, the present invention is not limited to the described embodiments, but should be interpreted in the widest scope according to the technical idea defined by the patent claims.

10: 기판 보유 지지부
10A: 제1 보유 지지부
10B: 제2 보유 지지부
11: 롤러
11a: 기판 보유 지지면
12: 롤러 회전 기구
14A: 제1 벨트
14B: 제2 벨트
15A: 제1 모터
15B: 제2 모터
16A: 제1 롤러대
16B: 제2 롤러대
17A: 상측 제1 롤러대
17B: 하측 제1 롤러대
17C: 피봇축
18A: 제1 액추에이터
18B: 제2 액추에이터
22: 풀리
23: 베이스 플레이트
24A: 베어링
24B: 베어링
24C: 베어링
25A: 제1 모터 지지체
25B: 제2 모터 지지체
26A: 제1 직동 가이드
26B: 제2 직동 가이드
28: 보호액 공급 노즐
31: 스크럽 도구
50: 스크럽 헤드
55: 회전축
57: 연결 부재
60: 지지 암
62: 선회축
65: 선회 모터
67: 지지 암 승강 장치
70: 헤드 회전 기구
71: 헤드 회전 모터
72: 토크 전달 장치
80: 처리액 노즐
82: 처리액 공급 라인
90: 로터리 조인트
95: 롤 스펀지
97: 롤 스펀지 회전 장치
98: 롤 스펀지 승강 장치
100: 정압 플레이트
101: 기판 지지면
102: 유체 공급로
104: 유체 분사구
110: 정압 플레이트 이동 기구
111: 제1 보유 지지 스테이지
112: 스테이지 축
115: 제1 스테이지 회전 장치
117: 제1 스테이지 승강 기구
118: 제1 배큠 라인
122: 제2 보유 지지 스테이지
123: 배큠 개구
124: 제2 스테이지 승강 기구
126: 제2 배큠 라인
128: 보유 지지 블록
130: 스테이지 지지 부재
131: 제2 스테이지 회전 장치
135: 로터리 조인트
137: 제2 스테이지 회전 모터
140: 풀리
141: 벨트10: Substrate holding support portion
10A: first holding support
10B: second holding support
11: roller
11a: substrate holding surface
12: Roller rotation mechanism
14A: first belt
14B: 2nd belt
15A: 1st motor
15B: Second motor
16A: first roller stand
16B: Second roller stand
17A: Upper first roller base
17B: Lower first roller base
17C: Pivot axis
18A: first actuator
18B: second actuator
22: pulley
23: base plate
24A: Bearing
24B: Bearing
24C: Bearing
25A: first motor support
25B: second motor support
26A: First linear guide
26B: Second linear guide
28: Protective liquid supply nozzle
31: Scrub Tool
50: scrub head
55: rotation axis
57: Connection member
60: support arm
62: pivot
65: slewing motor
67: Support arm lifting device
70: Head rotation mechanism
71: Head rotation motor
72: Torque transmission device
80: Treatment liquid nozzle
82: Treatment liquid supply line
90: rotary joint
95: roll sponge
97: Roll sponge rotating device
98: Roll sponge lifting device
100: static pressure plate
101: substrate support surface
102: Fluid supply path
104: fluid nozzle
110: Constant pressure plate moving mechanism
111: First holding support stage
112: stage axis
115: first stage rotating device
117: First stage lifting mechanism
118: first vacuum line
122: Second holding support stage
123: Vacuum opening
124: Second stage lifting mechanism
126: Second vacuum line
128: holding support block
130: Stage support member
131: second stage rotation device
135: rotary joint
137: second stage rotation motor
140: pulley
141: belt

Claims (17)

기판의 주연부를 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖는 회전 가능한 복수의 롤러와,
기판의 하면에 스크럽 도구를 압박하는 스크럽 헤드와,
상기 복수의 롤러의 축심과 평행하게 연장하는 회전축과,
상기 스크럽 헤드를 상기 회전축에 연결하는 연결 부재와,
상기 회전축을 회전시키는 헤드 회전 기구와,
상기 스크럽 헤드에 설치된 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐에 연통하는 처리액 공급 라인을 구비하고,
상기 스크럽 헤드 및 상기 처리액 노즐은 상기 회전축의 축심으로부터 편심되어 있고,
상기 스크럽 헤드 및 상기 처리액 노즐은, 상기 스크럽 도구가 상기 기판의 하면에 압박되고 있을 때에, 상기 회전축의 둘레를 일체로 원운동하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a plurality of rotatable rollers having a substrate holding surface for holding a peripheral portion of the substrate;
a scrub head that presses the scrub tool on the lower surface of the substrate;
a rotation axis extending parallel to the axis of the plurality of rollers;
a connecting member connecting the scrub head to the rotating shaft;
a head rotation mechanism that rotates the rotation shaft;
A treatment liquid nozzle installed on the scrub head,
Provided with a processing liquid supply line communicating with the processing liquid nozzle,
The scrub head and the treatment liquid nozzle are eccentric from the axis of the rotation shaft,
A substrate processing apparatus, wherein the scrub head and the processing liquid nozzle are configured to integrally move circularly around the rotation axis when the scrub tool is pressed against the lower surface of the substrate. 제1항에 있어서, 상기 스크럽 헤드의 상방에 배치된 기판 지지 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate support member disposed above the scrub head. 제2항에 있어서, 상기 기판 지지 부재는, 상기 기판의 상면을 클리닝하기 위한 롤 스펀지, 또는 상기 기판의 상면을 유체로 지지하는 정압 플레이트인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate support member is a roll sponge for cleaning the upper surface of the substrate, or a static pressure plate for supporting the upper surface of the substrate with fluid. 제1항에 있어서, 상기 스크럽 헤드는, 상기 스크럽 도구를 지지하기 위한 상면을 갖고 있으며,
상기 처리액 노즐은, 상기 스크럽 헤드 내에 배치되어 있고, 상기 처리액 노즐의 액체 출구는, 상기 스크럽 헤드의 상기 상면 내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.2. The method of claim 1, wherein the scrub head has an upper surface for supporting the scrub tool,
A substrate processing apparatus, wherein the processing liquid nozzle is disposed within the scrub head, and a liquid outlet of the processing liquid nozzle is located within the upper surface of the scrub head. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회전축을 회전 가능하게 지지하는 지지 암과,
상기 지지 암에 연결된 평행 이동 기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus according to any one of claims 1 to 4, comprising: a support arm rotatably supporting the rotation shaft;
A substrate processing apparatus further comprising a parallel movement mechanism connected to the support arm. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리액 공급 라인은, 상기 연결 부재 및 상기 회전축 내를 연장하고 있고, 로터리 조인트를 경유하여 처리액 공급원에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the processing liquid supply line extends within the connecting member and the rotating shaft and is connected to a processing liquid supply source via a rotary joint. processing unit. 기판의 주연부를 복수의 롤러로 보유 지지하면서 상기 복수의 롤러를 각각의 축심을 중심으로 회전시킴으로써 상기 기판을 회전시키고,
스크럽 헤드 및 처리액 노즐을 일체로 회전축의 둘레로 원운동시키면서, 또한 상기 회전축을 지지하는 지지 암을 상기 기판의 하면과 평행하게 이동시키면서, 상기 스크럽 헤드로 스크럽 도구를 상기 기판의 하면에 압박하고, 또한 상기 처리액 노즐로부터 상기 기판의 하면에 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Rotating the substrate by holding the peripheral portion of the substrate with a plurality of rollers and rotating the plurality of rollers about their respective axes,
Pressing a scrub tool against the lower surface of the substrate with the scrub head while moving the scrub head and the treatment liquid nozzle together in a circular motion around a rotation axis and moving a support arm supporting the rotation axis parallel to the lower surface of the substrate; , A substrate processing method characterized by supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate from the processing liquid nozzle. 제7항에 있어서, 상기 스크럽 헤드로 상기 스크럽 도구를 상기 기판의 하면에 압박하고 있을 때에, 기판 지지 부재로 상기 기판의 상면을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate processing method according to claim 7, wherein when the scrub tool is pressed against the lower surface of the substrate by the scrub head, the upper surface of the substrate is supported by a substrate support member. 기판의 하면의 제1 영역을 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖는 제1 보유 지지 스테이지와,
상기 제1 보유 지지 스테이지를 회전시키는 제1 스테이지 회전 장치와,
기판의 하면의 제2 영역을 보유 지지하는 기판 보유 지지면을 갖는 제2 보유 지지 스테이지와,
상기 제2 보유 지지 스테이지를 회전시키는 제2 스테이지 회전 장치와,
기판의 하면에 스크럽 도구를 압박하는 스크럽 헤드와,
상기 제1 보유 지지부 및 상기 제2 보유 지지부의 상기 기판 보유 지지면과 수직으로 연장되는 회전축과,
상기 스크럽 헤드를 상기 회전축에 연결하는 연결 부재와,
상기 회전축을 회전시키는 헤드 회전 기구를 구비하고,
상기 제1 영역은, 상기 기판의 하면의 중심점을 포함하고, 상기 제2 영역은, 상기 제1 영역의 외측에 위치하고 있어,
상기 스크럽 헤드는 상기 회전축의 축심으로부터 편심되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a first holding stage having a substrate holding surface that holds a first area of the lower surface of the substrate;
a first stage rotating device that rotates the first holding stage;
a second holding stage having a substrate holding surface that holds a second area of the lower surface of the substrate;
a second stage rotating device that rotates the second holding stage;
a scrub head that presses the scrub tool on the lower surface of the substrate;
a rotation axis extending perpendicularly to the substrate holding surface of the first holding portion and the second holding portion;
a connecting member connecting the scrub head to the rotating shaft;
Equipped with a head rotation mechanism that rotates the rotation shaft,
The first area includes the center point of the lower surface of the substrate, and the second area is located outside the first area,
The scrub head is eccentric from the axis of the rotation axis. 제9항에 있어서, 상기 스크럽 헤드의 상방에 배치된 기판 지지 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 9, further comprising a substrate support member disposed above the scrub head. 제10항에 있어서, 상기 기판 지지 부재는, 상기 기판의 상면을 클리닝하기 위한 롤 스펀지, 또는 상기 기판의 상면을 유체로 지지하는 정압 플레이트인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 10, wherein the substrate support member is a roll sponge for cleaning the upper surface of the substrate, or a static pressure plate for supporting the upper surface of the substrate with fluid. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스크럽 헤드에 설치된 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐에 연통하는 처리액 공급 라인을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 9 to 11, comprising: a treatment liquid nozzle installed on the scrub head;
A substrate processing apparatus further comprising a processing liquid supply line communicating with the processing liquid nozzle. 제12항에 있어서, 상기 스크럽 헤드는, 상기 스크럽 도구를 지지하기 위한 상면을 갖고 있으며,
상기 처리액 노즐은, 상기 스크럽 헤드 내에 배치되어 있고, 상기 처리액 노즐의 액체 출구는, 상기 스크럽 헤드의 상기 상면 내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12, wherein the scrub head has an upper surface for supporting the scrub tool,
A substrate processing apparatus, wherein the processing liquid nozzle is disposed within the scrub head, and a liquid outlet of the processing liquid nozzle is located within the upper surface of the scrub head. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회전축을 회전 가능하게 지지하는 지지 암과,
상기 지지 암에 연결된 평행 이동 기구를 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus according to any one of claims 9 to 11, comprising: a support arm rotatably supporting the rotation shaft;
A substrate processing apparatus further comprising a parallel movement mechanism connected to the support arm. 제12항에 있어서, 상기 처리액 노즐은 상기 회전축의 축심으로부터 편심되어 있고,
상기 스크럽 헤드 및 상기 처리액 노즐은, 상기 스크럽 도구가 상기 기판의 하면에 압박되고 있을 때에, 상기 회전축의 둘레를 일체로 원운동하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 12, wherein the treatment liquid nozzle is eccentric from the axis of the rotation shaft,
A substrate processing apparatus, wherein the scrub head and the processing liquid nozzle are configured to integrally move circularly around the rotation axis when the scrub tool is pressed against the lower surface of the substrate. 제15항에 있어서, 상기 처리액 공급 라인은, 상기 연결 부재 및 상기 회전축 내를 연장하고 있고, 로터리 조인트를 경유하여 처리액 공급원에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 15, wherein the processing liquid supply line extends within the connecting member and the rotation shaft and is connected to a processing liquid supply source via a rotary joint. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 영역은, 상기 기판의 하면의 최외측 테두리를 포함하는 환상의 영역인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 11, wherein the second region is an annular region including an outermost edge of the lower surface of the substrate.
KR1020180137973A 2017-11-14 2018-11-12 Substrate processing apparatus and substrate processing method KR102628175B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017219031 2017-11-14
JPJP-P-2017-219031 2017-11-14
JPJP-P-2018-188817 2018-10-04
JP2018188817A JP7148349B2 (en) 2017-11-14 2018-10-04 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190054965A KR20190054965A (en) 2019-05-22
KR102628175B1 true KR102628175B1 (en) 2024-01-23

Family

ID=66680560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180137973A KR102628175B1 (en) 2017-11-14 2018-11-12 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102628175B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116197767B (en) * 2023-05-04 2023-06-30 江苏康美达光学有限公司 Optical lens grinding device with adaptive clamping function and clamping method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223460A (en) * 1999-01-28 2000-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Wafer cleaning apparatus
JP2003007666A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Ebara Corp Substrate-cleaning device
JP2008177541A (en) * 2006-12-20 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning apparatus, method for cleaning substrate, and computer-readable storage medium
JP2015002261A (en) * 2013-06-14 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning device, substrate cleaning system and substrate cleaning method
JP2015233091A (en) * 2014-06-10 2015-12-24 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000223460A (en) * 1999-01-28 2000-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Wafer cleaning apparatus
JP2003007666A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Ebara Corp Substrate-cleaning device
JP2008177541A (en) * 2006-12-20 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd Substrate cleaning apparatus, method for cleaning substrate, and computer-readable storage medium
JP2015002261A (en) * 2013-06-14 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning device, substrate cleaning system and substrate cleaning method
JP2015233091A (en) * 2014-06-10 2015-12-24 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190054965A (en) 2019-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102322525B1 (en) Apparatus and method for processing a surface of a substrate
CN107627201B (en) Apparatus and method for polishing surface of substrate
US20090038642A1 (en) Methods and apparatus for cleaning an edge of a substrate
TWI748130B (en) Polishing apparatus
TWI774776B (en) Method and apparatus for polishing a substrate, and method for processing a substrate
US6560809B1 (en) Substrate cleaning apparatus
TWI788454B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP3272459B1 (en) Apparatus and method for polishing a surface of a substrate
KR20190141587A (en) Substrate processing method
TW202112496A (en) Polishing device, polishing method and substrate processing device
KR102628175B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3768399B2 (en) Dressing device and polishing device
TW559582B (en) Device and method for polishing, and method and device for manufacturing semiconductor device
JPH1058317A (en) Polishing method and device for substrate
JPH11156712A (en) Polishing device
JP2016078156A (en) Processing module
JP2023097533A (en) Polishing device and polishing method
JP2004209644A (en) Substrate polishing method and device
JP2000254856A (en) Polishing device and polishing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant