JP2022127753A - センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図1(a)は、図1(b)のA1-A2線断面図である。図1(b)は、平面図である。
図2に示すように、実施形態に係るセンサ111において、第1層51の形状がセンサ110におけるそれと異なる。センサ111におけるこれ以外の構成は、センサ110と同様で良い。
図3(a)及び図3(b)は、第2実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図3(a)は、図3(b)のA1-A2線断面図である。図3(b)は、平面図である。
図4に示すように、実施形態に係るセンサ121において、第2層52の形状がセンサ120におけるそれと異なる。センサ121におけるこれ以外の構成は、センサ120と同様で良い。
図5に示すように、実施形態に係るセンサ122においては、基体17が設けられる。センサ122におけるこれ以外の構成は、センサ120またはセンサ121と同様で良い。
図6に示すように、実施形態に係るセンサ123において、第2導電層21hが設けられる。センサ123におけるこれ以外の構成は、センサ120~122のいずれかと同様で良い。
図7は、第3実施形態に係るセンサを例示する模式的断面図である。
図7に示すように、実施形態に係るセンサ130は、第1センサ部10Aに加えて第2センサ部20Aを含む。第1センサ部10Aは、第1実施形態に関して説明した構成を有して良い。第2センサ部20Aは、第2実施形態に関して説明した構成を有して良い。
図8に示すように、実施形態に係るセンサ131においては、第2センサ部20Aにおいて、例えば、基体17と絶縁部材20iとの間に第2間隙g2が設けられて良い。例えば、熱などの影響が抑制できる。より安定した検出が可能になる。
図9に示すように、実施形態に係るセンサ132においては、抵抗部材52Rは、複数の領域を含む。複数の領域は、例えば、第1抵抗領域52Ra、第2抵抗領域52Rb及び第3抵抗領域52Rcなどである。例えば、これらの複数の領域のそれぞれが、第2層52及び第2中間層52Mを含む。これらの複数の領域のそれぞれが、ミアンダ構造を有しても良い。
(構成1)
第1センサ部を備え、
前記第1センサ部は、第1対向電極、第1可動電極、第1層及び第1中間層を含み、
前記第1可動電極は、第1方向において前記第1対向電極と前記第1層との間にあり、
前記第1中間層は、前記第1方向において、前記第1可動電極と、前記第1層の少なくとも一部と、の間にあり、
前記第1対向電極と前記第1可動電極との間に第1間隙が設けられ、
前記第1対向電極と前記第1可動電極との間の距離は、前記第1センサ部の周りのガスの濃度に応じて変化し、
前記第1層は、結晶を含み、
前記第1中間層はアモルファスである、または、前記第1中間層における結晶性は、前記第1層における結晶性よりも低く、
前記第1方向と交差する第2方向に沿う前記第1層の幅は、前記第2方向に沿う前記第1中間層の幅よりも広い、センサ。
前記第1中間層は、
Pd、Pt及びAuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素と、
Si、P及びBよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第2元素と、
を含む、構成1記載のセンサ。
前記第1中間層は、Cu、Ag、Ni、Au、Fe及びCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第3元素をさらに含む、構成2記載のセンサ。
前記第1層は、Pd、Pt及びAuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第4元素を含む、構成1~3のいずれか1つに記載のセンサ。
前記第1中間層は、前記第1方向と交差する平面と交差する第1中間層側面を含み、
前記第1層の一部は、前記第2方向において前記第1中間層側面と重なる、構成1~4のいずか1つに記載のセンサ。
前記第1中間層側面の一部は、前記第1層から露出する、構成5記載のセンサ。
第2センサ部をさらに備え、
前記第2センサ部は、絶縁部材と、抵抗部材と、を含み、
前記抵抗部材は、
第2層と、
前記第1方向において、前記絶縁部材と、前記第2層の少なくとも一部と、の間に設けられた第2中間層と、
を含み、
前記抵抗部材の電気抵抗は、前記第2センサ部の周りのガスの濃度に応じて変化し、
前記第2層は、結晶を含み、
前記第2中間層はアモルファスである、または、前記第2中間層における結晶性は、前記第2層における結晶性よりも低く、
前記第2方向に沿う前記第2層の幅は、前記第2方向に沿う前記第2中間層の幅よりも広い、構成1~6のいずれか1つに記載のセンサ。
前記第2中間層は、前記第1中間層に含まれる材料と同じ材料を含み、前記第2層は、前記第1層に含まれる材料と同じ材料を含む、構成7記載のセンサ。
前記第1層の前記幅は、前記第2層の前記幅よりも広く、
前記第1中間層の前記幅は、前記第2中間層の前記幅よりも広く、
前記第1層の前記幅と前記第1中間層の前記幅との差の前記第1層の前記幅に対する比は、前記第2層の前記幅と前記第2中間層の前記幅との差の前記第2層の前記幅に対する比よりも低い、構成7または8に記載のセンサ。
基体をさらに備え、
前記基体の一部から前記第1センサ部への方向は、前記第1方向に沿い、
前記基体の別の一部から前記第2センサ部への方向は、前記第1方向に沿う、構成7~9のいずれか1つに記載のセンサ。
前記基体の前記別の一部と、前記絶縁部材と、の間に第2間隙が設けられた、構成100記載のセンサ。
第2センサ部を備え、
前記第2センサ部は、絶縁部材と、抵抗部材と、を含み、
前記抵抗部材は、
第2層と、
第1方向において、前記絶縁部材と、前記第2層の少なくとも一部と、の間に設けられた第2中間層と、
を含み、
前記抵抗部材の電気抵抗は、前記第2センサ部の周りのガスの濃度に応じて変化し、
前記第2層は、結晶を含み、
前記第2中間層はアモルファスである、または、前記第2中間層における結晶性は、前記第2層における結晶性よりも低く、
前記第1方向と交差する第2方向に沿う前記第2層の幅は、前記第2方向に沿う前記第2中間層の幅よりも広い、センサ。
前記第2中間層は、
Pd、Pt及びAuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素と、
Si、P及びBよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第2元素と、
を含む、構成12記載のセンサ。
前記第2中間層は、Cu、Ag、Ni、Au、Fe及びCrよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第3元素をさらに含む、構成13記載のセンサ。
前記第2層は、Pd、Pt及びAuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第4元素を含む、構成12~14のいずれか1つに記載のセンサ。
前記第2センサ部は、基体をさらに含み、
前記基体から前記絶縁部材への方向は、前記第1方向に沿い、
前記基体と前記絶縁部材との間に第2間隙が設けられた、構成12~15のいずれか1つに記載のセンサ。
前記第2中間層は、前記第1方向と交差する前記平面と交差する第2中間層側面を含み、
前記第2層の一部は、前記第2方向において前記第2中間層側面と重なる、構成7~16のいずか1つに記載のセンサ。
前記第2中間層側面の一部は、前記第2層から露出する、構成17記載のセンサ。
前記第2センサ部は、前記絶縁部材の中に設けられた第2導電層を含む、構成7~18のいずれか1つに記載のセンサ。
前記抵抗部材は、第1抵抗領域と、第2抵抗領域と、を含み、
前記第1センサ部から前記第1抵抗領域への方向は、前記第2方向に沿い、
前記第1センサ部から前記第2抵抗領域への方向は、第3方向に沿い、前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差した、構成7~19のいずれか1つに記載のセンサ。
Claims (9)
- 第1センサ部を備え、
前記第1センサ部は、第1対向電極、第1可動電極、第1層及び第1中間層を含み、
前記第1可動電極は、第1方向において前記第1対向電極と前記第1層との間にあり、
前記第1中間層は、前記第1方向において、前記第1可動電極と、前記第1層の少なくとも一部と、の間にあり、
前記第1対向電極と前記第1可動電極との間に第1間隙が設けられ、
前記第1対向電極と前記第1可動電極との間の距離は、前記第1センサ部の周りのガスの濃度に応じて変化し、
前記第1層は、結晶を含み、
前記第1中間層はアモルファスである、または、前記第1中間層における結晶性は、前記第1層における結晶性よりも低く、
前記第1方向と交差する第2方向に沿う前記第1層の幅は、前記第2方向に沿う前記第1中間層の幅よりも広い、センサ。 - 前記第1中間層は、
Pd、Pt及びAuよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素と、
Si、P及びBよりなる群から選択された少なくとも1つを含む第2元素と、
を含む、請求項1記載のセンサ。 - 前記第1中間層は、前記第1方向と交差する平面と交差する第1中間層側面を含み、
前記第1層の一部は、前記第2方向において前記第1中間層側面と重なる、請求項1または2に記載のセンサ。 - 第2センサ部をさらに備え、
前記第2センサ部は、絶縁部材と、抵抗部材と、を含み、
前記抵抗部材は、
第2層と、
前記第1方向において、前記絶縁部材と、前記第2層の少なくとも一部と、の間に設けられた第2中間層と、
を含み、
前記抵抗部材の電気抵抗は、前記第2センサ部の周りのガスの濃度に応じて変化し、
前記第2層は、結晶を含み、
前記第2中間層はアモルファスである、または、前記第2中間層における結晶性は、前記第2層における結晶性よりも低く、
前記第2方向に沿う前記第2層の幅は、前記第2方向に沿う前記第2中間層の幅よりも広い、請求項1~3のいずれか1つに記載のセンサ。 - 前記第2中間層は、前記第1中間層に含まれる材料と同じ材料を含み、前記第2層は、前記第1層に含まれる材料と同じ材料を含む、請求項4記載のセンサ。
- 前記第1層の前記幅は、前記第2層の前記幅よりも広く、
前記第1中間層の前記幅は、前記第2中間層の前記幅よりも広く、
前記第1層の前記幅と前記第1中間層の前記幅との差の前記第1層の前記幅に対する比は、前記第2層の前記幅と前記第2中間層の前記幅との差の前記第2層の前記幅に対する比よりも低い、請求項4または5に記載のセンサ。 - 第2センサ部を備え、
前記第2センサ部は、絶縁部材と、抵抗部材と、を含み、
前記抵抗部材は、
第2層と、
第1方向において、前記絶縁部材と、前記第2層の少なくとも一部と、の間に設けられた第2中間層と、
を含み、
前記抵抗部材の電気抵抗は、前記第2センサ部の周りのガスの濃度に応じて変化し、
前記第2層は、結晶を含み、
前記第2中間層はアモルファスである、または、前記第2中間層における結晶性は、前記第2層における結晶性よりも低く、
前記第1方向と交差する第2方向に沿う前記第2層の幅は、前記第2方向に沿う前記第2中間層の幅よりも広い、センサ。 - 前記第2中間層は、前記第1方向と交差する前記平面と交差する第2中間層側面を含み、
前記第2層の一部は、前記第2方向において前記第2中間層側面と重なる、請求項4~7のいずか1つに記載のセンサ。 - 前記抵抗部材は、第1抵抗領域と、第2抵抗領域と、を含み、
前記第1センサ部から前記第1抵抗領域への方向は、前記第2方向に沿い、
前記第1センサ部から前記第2抵抗領域への方向は、第3方向に沿い、前記第3方向は、前記第1方向及び前記第2方向を含む平面と交差した、請求項4~8のいずれか1つに記載のセンサ。
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