JP2022109320A - フォトリソグラフィマスク上の要素の位置を決定するための装置および方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 232
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 155
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/263—Contrast, resolution or power of penetration
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7061—Scanning probe microscopy, e.g. AFM, scanning tunneling microscopy
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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Abstract
Description
Claims (20)
- フォトリソグラフィマスク(110)上の少なくとも1つの要素(130、540、940)の位置を決定するための装置(200)であって、
a.第1の基準オブジェクト(240)を備える少なくとも1つの走査型粒子顕微鏡(210)であって、前記第1の基準オブジェクト(240)が、前記第1の基準オブジェクト(240)に対する前記フォトリソグラフィマスク(110)上の前記少なくとも1つの要素(130、540、940)の相対位置を決定するために前記走査型粒子顕微鏡(210)が使用されることが可能になるように前記走査型粒子顕微鏡(210)上に配置される、走査型粒子顕微鏡(210)と、
b.前記第1の基準オブジェクト(240)と第2の基準オブジェクト(250)との間の距離を決定するように具体化された少なくとも1つの距離測定デバイス(270)であって、前記第2の基準オブジェクト(250)と前記フォトリソグラフィマスク(110)との間に関係がある、距離測定デバイス(270)と
を備える、装置(200)。 - 前記第1の基準オブジェクト(240)が、少なくとも1つの粒子ビーム(225)によって前記第1の基準オブジェクト(240)が少なくとも部分的に結像されることが可能になるように、前記少なくとも1つの粒子ビーム(225)に対する前記走査型粒子顕微鏡(210)の出力に取り付けられる、請求項1に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、座標系を張る少なくとも3つのマーク(850、950)を備える、請求項1または2に記載の装置(200)。
- 前記少なくとも3つのマーク(850、950)が、横方向の寸法が、1nm~5000nm、好ましくは2nm~1000nm、より好ましくは5nm~200nm、および最も好ましくは10nm~50nmに及び、ならびに/または、前記少なくとも3つのマーク(850、950)が、高さが、1nm~1000nm、好ましくは2nm~500nm、より好ましくは5nm~300nm、および最も好ましくは10nm~200nmに及ぶ、請求項3に記載の装置(200)。
- 前記少なくとも3つのマーク(850、950)が、前記第1の基準オブジェクト(240)の材料組成とは異なる前記材料組成を有する、請求項3または4に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、前記走査型粒子顕微鏡(200)の前記少なくとも1つの粒子ビーム(225)の被写界深度内に配置される、請求項1~5のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、第1の数のユニットセル(880、980)を備え、各ユニットセル(880、980)が、少なくとも3つのマーク(850、950)を備え、第2の数の粒子ビーム(225)が、前記第1の数のユニットセル(880、980)を通過し、1≦第2の数≦第1の数が、前記第2の数に当てはまり、前記第1の数が、>10、好ましくは>50、より好ましくは>200、および最も好ましくは>1000、の領域を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、座標系を張る少なくとも3つのマーク(850)が配置された薄膜(810)を備える、請求項1~7のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、前記フォトリソグラフィマスク(110)を検知するために、前記少なくとも1つの粒子ビーム(920)が通過する少なくとも1つの開口部(420、430、920)を有する、請求項1~8のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記走査型粒子顕微鏡(210)の走査ユニット(282)が、共通走査プロセスにおいて、前記第1の基準オブジェクト(240)の少なくとも一部にわたって、および前記フォトリソグラフィマスク(110)の前記要素(130、540、940)にわたって、前記少なくとも1つの粒子ビーム(225)を走査するように具体化される、請求項9に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、前記フォトリソグラフィマスク(110)の表面電荷(120、125)を補償するために電気伝導性である、請求項1~10のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記走査型粒子顕微鏡(210)が、前記第1の基準オブジェクト(240)の変化から、前記粒子ビーム顕微鏡(210)の前記少なくとも1つの粒子ビーム(225)によって記録された像の歪曲を決定するように具体化された評価ユニット(286)を備え、および/または、前記評価ユニット(286)が、モデルに基づいて、前記第1の基準オブジェクト(240)の変化から、前記フォトリソグラフィマスク(110)の静電荷を決定するようにさらに具体化される、請求項1~11のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記少なくとも1つの距離測定デバイス(270)が、少なくとも1つの干渉計を備える、請求項1~12のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)が、前記距離測定デバイス(270)の光ビーム(273)を反射するように具体化される、請求項1~13のいずれか1項に記載の装置(200)。
- 前記第2の基準オブジェクト(250)が、前記フォトリソグラフィマスク(110)、サンプルホルダ(230)、前記フォトリソグラフィマスク(110)に取り付けられ、前記距離測定デバイス(270)の光ビーム(276)のために用意された反射装置(255)、および、サンプルホルダ(230)に取り付けられ、前記距離測定デバイス(270)の光ビーム(276)のために用意された反射装置(255)、というグループからの少なくとも1つの要素を備える、請求項1~14のいずれか1項に記載の装置(200)。
- フォトリソグラフィマスク(110)上の少なくとも1つの要素(130、540、940)の位置を決定するための方法(1100)であって、
a.走査型粒子顕微鏡(210)の少なくとも1つの粒子ビーム(225)によって、前記フォトリソグラフィマスク(110)上の前記少なくとも1つの要素(130、540、940)、および第1の基準オブジェクト(240)を少なくとも部分的に走査すること(1120)と、
b.前記第1の基準オブジェクト(240)に対する前記フォトリソグラフィマスク(110)上の前記少なくとも1つの要素(130、540、940)の相対位置を前記走査データから決定すること(1130)と、
c.距離測定デバイス(270)を用いて前記第1の基準オブジェクト(240)と第2の基準オブジェクト(250)との間の距離を決定すること(1140)であって、前記第2の基準オブジェクト(250)と前記フォトリソグラフィマスク(110)との間に関係がある、決定すること(1140)と
というステップを含む、方法(1100)。 - 前記フォトリソグラフィマスク(110)上の前記少なくとも1つの要素(130、540、940)、および前記第1の基準オブジェクト(240)の少なくとも一部の前記少なくとも部分的な走査(1120)が、共通走査プロセスにおいて実行される、請求項16に記載の方法(1100)。
- 前記第1の基準オブジェクト(240)と第2の基準オブジェクト(250)の間の前記距離、およびステップb.において決定された前記相対位置から、前記フォトリソグラフィマスク(110)上の前記少なくとも1つの要素(130、540、940)の前記位置を決定すること、というステップをさらに含む、請求項16または17に記載の方法(1100)。
- ステップb.において前記相対位置を決定することが、前記フォトリソグラフィマスク(110)上の前記少なくとも1つの要素(130、540、940)の前記少なくとも部分的な走査中に、前記フォトリソグラフィマスク(110)に対する前記少なくとも1つの粒子ビーム(225)の位置の変化を決定することを含む、請求項16~18のいずれか1項に記載の方法(1100)。
- 請求項1~15のいずれか1項に記載の装置(200)のコンピュータシステム(280)に、請求項16~19のいずれか1項に記載の方法ステップを行うように促す命令を収めるコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019200696.5A DE102019200696B4 (de) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske |
DE102019200696.5 | 2019-01-21 | ||
JP2020007326A JP7080264B2 (ja) | 2019-01-21 | 2020-01-21 | フォトリソグラフィマスク上の要素の位置を決定するための装置および方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020007326A Division JP7080264B2 (ja) | 2019-01-21 | 2020-01-21 | フォトリソグラフィマスク上の要素の位置を決定するための装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022109320A true JP2022109320A (ja) | 2022-07-27 |
JP2022109320A5 JP2022109320A5 (ja) | 2022-08-29 |
Family
ID=69185517
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020007326A Active JP7080264B2 (ja) | 2019-01-21 | 2020-01-21 | フォトリソグラフィマスク上の要素の位置を決定するための装置および方法 |
JP2022084668A Pending JP2022109320A (ja) | 2019-01-21 | 2022-05-24 | フォトリソグラフィマスク上の要素の位置を決定するための装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020007326A Active JP7080264B2 (ja) | 2019-01-21 | 2020-01-21 | フォトリソグラフィマスク上の要素の位置を決定するための装置および方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11385540B2 (ja) |
EP (1) | EP3683822A3 (ja) |
JP (2) | JP7080264B2 (ja) |
KR (2) | KR102380061B1 (ja) |
CN (2) | CN115951565A (ja) |
DE (1) | DE102019200696B4 (ja) |
IL (1) | IL271881A (ja) |
TW (2) | TWI765214B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019200696B4 (de) | 2019-01-21 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske |
DE102020210175B4 (de) | 2020-08-11 | 2022-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren, vorrichtung und computerprogramm zur analyse und/oder bearbeitung einer maske für die lithographie |
TW202312205A (zh) * | 2021-05-27 | 2023-03-16 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 多重射束帶電粒子系統與在多重射束帶電粒子系統中控制工作距離的方法 |
DE102021120913B3 (de) | 2021-08-11 | 2023-02-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer Probe mit einem Teilchenstrahl und Verfahren |
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JPH07119570B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1995-12-20 | 株式会社ニコン | アライメント方法 |
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JP4149676B2 (ja) | 2001-02-05 | 2008-09-10 | 株式会社東芝 | フォトマスクの修正方法 |
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JP4647977B2 (ja) | 2004-11-30 | 2011-03-09 | 日本電子株式会社 | Fib自動加工時のドリフト補正方法及び装置 |
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US10409171B2 (en) | 2017-01-25 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Overlay control with non-zero offset prediction |
DE102019200696B4 (de) | 2019-01-21 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske |
-
2019
- 2019-01-21 DE DE102019200696.5A patent/DE102019200696B4/de active Active
-
2020
- 2020-01-07 IL IL271881A patent/IL271881A/en unknown
- 2020-01-09 US US16/737,965 patent/US11385540B2/en active Active
- 2020-01-15 TW TW109101370A patent/TWI765214B/zh active
- 2020-01-15 TW TW111106078A patent/TWI794017B/zh active
- 2020-01-17 KR KR1020200006437A patent/KR102380061B1/ko active IP Right Grant
- 2020-01-20 CN CN202310118151.6A patent/CN115951565A/zh active Pending
- 2020-01-20 CN CN202010068024.6A patent/CN111458983B/zh active Active
- 2020-01-21 EP EP20152894.0A patent/EP3683822A3/en active Pending
- 2020-01-21 JP JP2020007326A patent/JP7080264B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-21 KR KR1020220034624A patent/KR102447784B1/ko active IP Right Grant
- 2022-05-24 JP JP2022084668A patent/JP2022109320A/ja active Pending
- 2022-06-23 US US17/847,641 patent/US11650495B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11385540B2 (en) | 2022-07-12 |
DE102019200696A1 (de) | 2020-07-23 |
TW202223965A (zh) | 2022-06-16 |
TW202030762A (zh) | 2020-08-16 |
EP3683822A3 (en) | 2020-10-21 |
US20220334469A1 (en) | 2022-10-20 |
KR102447784B1 (ko) | 2022-09-27 |
KR20200091348A (ko) | 2020-07-30 |
US20200233299A1 (en) | 2020-07-23 |
IL271881A (en) | 2020-07-30 |
EP3683822A2 (en) | 2020-07-22 |
TWI765214B (zh) | 2022-05-21 |
US11650495B2 (en) | 2023-05-16 |
TWI794017B (zh) | 2023-02-21 |
DE102019200696B4 (de) | 2022-02-10 |
CN111458983B (zh) | 2022-12-20 |
KR20220041063A (ko) | 2022-03-31 |
JP2020129534A (ja) | 2020-08-27 |
CN115951565A (zh) | 2023-04-11 |
CN111458983A (zh) | 2020-07-28 |
JP7080264B2 (ja) | 2022-06-03 |
KR102380061B1 (ko) | 2022-03-29 |
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Legal Events
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A521 | Request for written amendment filed |
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A977 | Report on retrieval |
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A601 | Written request for extension of time |
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A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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