JP2022085083A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】金属端子を金属回路パターンに接合する際のろう材の位置ずれを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、表面に金属回路パターンが形成された絶縁基板と、金属回路パターン上に硬ろう材を介して接合された金属端子と、を備え、金属回路パターン上には突起が設けられており、突起は硬ろう材と接している。【選択図】図２

Description

本開示は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置では、絶縁層の表面に金属回路パターンが形成された絶縁基板と金属端子との強固な接合を得るため、ろう付けが用いられることがある。例えば特許文献１において、端子が金属回路パターンにろう付けされた構成が開示されている。
特開２００４－１３４７０３号公報
絶縁基板と端子のろう付けにおいて、ろう付けに用いるろう材の位置がずれるという問題がある。
本開示はこのような問題を解決するための物であり、金属端子を金属回路パターンに接合する際のろう材の位置ずれを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
本開示の半導体装置は、表面に金属回路パターンが形成された絶縁基板と、金属回路パターン上に硬ろう材を介して接合された金属端子と、を備え、金属回路パターン上には突起が設けられており、突起は硬ろう材と接している、半導体装置、である。
本開示の半導体装置では、金属回路パターン上には突起が設けられており、突起は硬ろう材と接している。これにより、金属端子を金属回路パターンに接合する際のろう材の位置ずれを抑制できる。
実施の形態１から６の半導体装置の断面図である。 実施の形態１の半導体装置の部分斜視図である。 実施の形態１の半導体装置の部分上面図である。 実施の形態１の半導体装置の製造方法のフローチャートである。 実施の形態２の半導体装置の部分斜視図である。 実施の形態２の半導体装置の構成の効果を説明するための図である。 実施の形態２の半導体装置の構成の効果を説明するための図である。 実施の形態３の半導体装置の部分斜視図である。 実施の形態４の半導体装置の部分斜視図である。 実施の形態５の半導体装置の部分斜視図である。 実施の形態５の半導体装置の部分断面図である。 実施の形態６の半導体装置の部分斜視図である。 実施の形態６の半導体装置の金属端子の部分断面図である。 比較例の半導体装置の製造方法のフローチャートである。 比較例の半導体装置の製造過程を示す図である。 比較例の半導体装置の製造過程を示す図である。 比較例の半導体装置の製造過程を示す図である。 実施の形態１の半導体装置が突起を有さない場合の状況を示す図である。
＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ－１．構成＞
図１は実施の形態1に係る半導体装置１００を示す断面図である。
半導体装置１００は、半導体素子１０と、絶縁基板１１と、金属ワイヤ１２と、金属端子３と、硬ろう材４と、放熱板１３と、樹脂ケース１４と、封止材１５と、を備える。
絶縁基板１１は、絶縁層１と、金属回路パターン２を備える。絶縁層１の素材は例えばセラミックである。金属回路パターン２は絶縁基板１１の表面に形成されている。金属回路パターン２の材料は例えば銅である。
半導体素子１０は例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）やＦＷＤ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、還流ダイオード）などの電力半導体素子である。半導体素子１０は金属回路パターン２に接合材１８により接合されている。接合材１８は例えばはんだである。金属回路パターン２は複数の部分に分かれており、半導体素子１０と、半導体素子１０が接合されている部分とは別の部分の金属回路パターン２と、は、金属ワイヤ１２で接続されている。金属ワイヤ１２は例えばアルミワイヤである。
絶縁基板１１は放熱板１３上にはんだ等の接合材１６で接合され、半導体素子１０、金属ワイヤ１２等とともに樹脂ケース１４内に配置され封止材１５で保護されている。樹脂ケース１４は絶縁基板１１の周囲を囲っており、放熱板１３に接着剤１７で接着されている。樹脂ケース１４の素材は例えばＰＰＳ（Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆｉｄｅ Ｒｅｓｉｎ、ポリフェニレンサルファイド樹脂）である。封止材１５は例えばシリコーンゲルである。
絶縁基板１１の表面に形成された金属回路パターン２上に、金属端子３が硬ろう材４でろう付けされている。金属端子３は半導体装置１００を外部の回路と電気的に接続するためのものである。
図２は半導体装置１００のうち金属端子３が金属回路パターン２に接合されている部分を取り出して示した部分斜視図である。
図２に示されるように、金属回路パターン２上には突起５０が設けられている。突起５０は、金属端子３が金属回路パターン２と接合されている領域の周囲に離散的に配置され、当該領域を離散的に囲っている。
図３は、図２で示されているのと同じ領域の上面図である。図３に示されるように、突起５０のどこか１箇所以上が硬ろう材４と接している。図３においては、破線で囲まれた領域２１において、突起５０と硬ろう材４とが接している。硬ろう材４は突起５０に囲まれた領域に配置されており、突起５０は、硬ろう材４に覆われてはいない。これにより、金属端子３を金属回路パターン２に接合する際の硬ろう材４の面内方向の位置ずれを容易に抑制できる。
＜Ａ－２．製造方法＞
図４は半導体装置１００の製造方法のフローチャートである。
まず、表面に金属回路パターン２が形成されており、金属回路パターン２上に突起５０が形成されている絶縁基板１１を準備する（ステップＳ１）。
次に、ステージに絶縁基板１１を載置する（ステップＳ２）。
次に、絶縁基板１１の金属回路パターン２上に硬ろう材４を載置する（ステップＳ３）。ステップＳ３では、突起５０に囲まれた領域に、硬ろう材４が突起５０に接するように、硬ろう材４を配置する。硬ろう材４は、扱いやすさの点から、板状のものが好ましく、また、フラックスレスで使用可能なりん銅ろうが適している。
次に、金属回路パターン２上に載置された硬ろう材４の上に、金属端子３を載置する（ステップＳ４）。
次に、レーザー等で金属端子３を介して硬ろう材４を加熱し、硬ろう材４を溶融させる。これにより、硬ろう材４を介して金属端子３を金属回路パターン２に接合する（ステップＳ５）。
次に、絶縁基板１１に樹脂ケース１４を装着し（ステップＳ６）、樹脂ケース１４に封止材１５を充填する（ステップＳ７）。
以上の工程を経て、半導体装置１００が完成する。なお、以上の説明において、金属端子３と金属回路パターン２の接合に直接関係しない部分は省略してある。
突起５０が無い場合、ステップＳ３からステップＳ５の間に、硬ろう材４と金属端子３の位置がずれてしまうことがある。例えば、図１８に示されるように、硬ろう材４が本来の位置から硬ろう材４０の位置にずれていると、金属端子３と金属回路パターン２との接合が適正になされない。
一方、半導体装置１００の製造方法においては、表面に金属回路パターン２が形成された絶縁基板１１であって金属回路パターン２上に突起５０が形成されている絶縁基板１１を準備し、硬ろう材４を金属回路パターン２上に突起５０に接するように配置し、硬ろう材４を介して金属端子３を金属回路パターン２に接合する。図２に示されるように、金属端子３が接合される領域の周囲を囲うように突起５０をあらかじめ金属回路パターン２上に形成しておくことで、硬ろう材４の位置ずれを抑制してろう付けをすることができる。その結果、接合品質の安定化が期待できる。
＜Ａ－３．その他＞
本実施の形態においては、絶縁基板１１の絶縁層１の素材は例えばセラミックであると説明したが、これに限るものではなく、絶縁層１の素材は例えば樹脂であっても良い。
また、本実施の形態においては、絶縁基板１１の金属回路パターン２の材料は例えば銅であると説明したが、これに限らず例えばアルミでもよい。その場合、硬ろう材もりん銅ろう以外のものであってよく、硬ろう材として、アルミに対して濡れ性の良好な材料を使用してよい。
また、本実施の形態においては、硬ろう材４は板状のものが好ましいと述べたが、棒状の硬ろう材を用いても良い。
また、本実施の形態においては、半導体素子１０と金属回路パターン２とを接合するダイボンド材である接合材１８がはんだである場合について述べたが、これに限らず、接合材１８は焼結性の銀や銅粒子を含む接合材でもよい。ダイボンド材として焼結性の接合材を用いることで、はんだを用いた接合の場合より、半導体素子１０と金属回路パターン２の接合部分の寿命を向上させることが可能となる。
また、本実施の形態においては、半導体素子１０の例としてＩＧＢＴを挙げたが、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）でもよい。
また、本実施の形態においては、半導体素子１０の例としてＦＷＤを挙げたが、ＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｄｉｏｄｅ、ショットキーダイオード）でもよい。
＜Ａ－４．効果＞
金属回路パターン２上には突起５０が設けられており、突起５０は硬ろう材４と接している。これにより、金属端子３を金属回路パターン２に接合する際の硬ろう材４の位置ずれを抑制できる。
突起５０は、金属端子３が金属回路パターン２と接合されている領域を囲うように配置されている。これにより、金属端子３を金属回路パターン２に接合する際の硬ろう材４の位置ずれをより抑制できる。
突起５０は、金属端子３が金属回路パターン２と接合されている領域を離散的に囲うように配置されている。これにより、突起５０の形成が容易である。
突起５０は、硬ろう材４に覆われていない。これにより、金属端子３を金属回路パターン２に接合する際の硬ろう材４の位置ずれを容易に抑制できる。
＜Ｂ．実施の形態２＞
図１は実施の形態２の半導体装置１０１を示す断面図である。
図５は半導体装置１０１の部分斜視図である。
半導体装置１０１は、実施の形態１の半導体装置１００と比べると、金属回路パターン２上に、突起５０の代わりに突起５１が設けられている点が異なる。半導体装置１０１は、その他の点では半導体装置１００と同様である。
突起５１は、金属端子３が金属回路パターン２と接合されている領域の周囲を連続的に囲うように配置されている。また、突起５１のどこか１箇所以上が硬ろう材４と接している。
半導体装置１０１の製造時に、例えば板状の硬ろう材４がたわんでしまった場合などでも、図７に示されるように突起５１が周囲を連続的に囲っていることで、図６に示されるように実施の形態１で説明したような離散的な突起５０が設けられている場合と比べ、硬ろう材４の位置ずれ抑制の効果を安定的に得ることができる。
＜Ｃ．実施の形態３＞
図１は実施の形態３に係る半導体装置１０２を示す断面図である。
図８は半導体装置１０２の部分斜視図である。
半導体装置１０２では、突起５０ａは、金属ワイヤを金属回路パターン２上に接合して形成された金属ワイヤバンプである。突起５０として金属ワイヤバンプである突起５０ａを備える点を除けば、半導体装置１０２は半導体装置１００と同様である。半導体装置１０２においても、半導体装置１００と同様、突起５０ａのどこか１箇所以上が硬ろう材４と接している。
金属ワイヤバンプである突起５０ａは安価に形成できるため、突起５０ａを金属ワイヤバンプとして形成することで、実施の形態１の効果に加え、製造コストを抑える効果が得られる。
＜Ｄ．実施の形態４＞
図１は実施の形態４に係る半導体装置１０３を示す断面図である。
図９は半導体装置１０３の部分斜視図である。
半導体装置１０３では、突起５０は絶縁性の素材を含む突起５０ｂであり、特に、突起５０ｂは絶縁性の素材により形成されている。突起５０ｂの形成に用いられる絶縁性の素材は例えば樹脂であり、より具体的には例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの接着材料である。突起５０として絶縁性の素材を含む突起５０ｂを備える点を除けば、半導体装置１０３は半導体装置１００と同様である。半導体装置１０３においても、半導体装置１００と同様、突起５０ｂのどこか１箇所以上が硬ろう材４と接している。
突起５０ｂの形成に絶縁材を用いることで電界強度の上昇を防止できるため部分放電の低減ができる。
また、半導体装置１０３は、実施の形態３の半導体装置１０２のように突起５０ａが金属ワイヤバンプとして形成される場合と比べ、金属ワイヤバンプの形成時に生成される可能性がある微小金属異物の発生を抑制できるという利点を有する。
＜Ｅ．実施の形態５＞
図１は実施の形態５に係る半導体装置１０４を示す断面図である。
図１０は半導体装置１０４の部分斜視図である。
半導体装置１０４の構成は、以下で述べる金属端子３と金属回路パターン２の硬ろう材４を介した接合のされ方を除けば、実施の形態１の半導体装置１００と同様である。半導体装置１０４においても、半導体装置１００と同様、突起５０のどこか１箇所以上が硬ろう材４と接している。
金属端子３と金属回路パターン２との硬ろう材４を介した接合において、金属端子３は、金属端子３の延在方向に沿った両側の端部で金属回路パターン２と接合されている。また、金属端子３と金属回路パターン２との硬ろう材４を介した接合において、金属端子３は、金属端子３の延在方向に沿った中央部分では金属回路パターン２と接合されていない部分を全体的に有する。
半導体装置１０４の製造方法は、＜Ａ－２．製造方法＞で説明した半導体装置１００の製造方法と、＜Ａ－２．製造方法＞で説明した範囲では同様である。
半導体装置１０４の製造方法では、ステップＳ５において硬ろう材４を介して金属端子３を金属回路パターン２に接合する際には、図１０および図１１に示されるように、硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った両側の端部、の直下部分を溶融させ、硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った中央部、の直下部分は全体的に溶融させない。図１０および図１１においては、硬ろう材４のうち製造時に溶融させられる部分が硬ろう材４ａ、硬ろう材４のうち製造時に溶融させられない部分が硬ろう材４ｂとして示されている。硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った両側の端部、の直下部分を選択的に溶融させるためには、例えば図１０に示されるように、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った両側の端部にレーザー６を走査する。
もしくは、金属端子３と金属回路パターン２との硬ろう材４を介した接合において、金属端子３は、金属端子３の延在方向に沿った中央部分では金属回路パターン２と接合されていない部分を部分的に有してもよい。この場合、図４のフローチャートのステップＳ５において硬ろう材４を介して金属端子３を金属回路パターン２に接合する際に、硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った両側の端部、の直下部分を溶融させ、硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った中央部、の直下部分は部分的に溶融させない。例えば、金属端子３の接合部分の外周部分のうち金属端子３の曲げ部分を除く三辺部分の硬ろう材４を溶融させ、当該三辺部分で金属端子３と金属回路パターン２とを硬ろう材４を介して接合してもよい。
硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った中央部、の直下部分は少なくとも部分的に溶融させないことで、短時間での接合が可能であり製造コストを抑えられることに加え、絶縁基板１１や絶縁基板１１の下側の材料へのダメージ抑制により品質の安定化が図れる。硬ろう材４のうち、金属端子３のうち金属端子３の延在方向に沿った中央部、の直下部分を全体的に溶融させないことで、これらの効果がより大きくなる。
硬ろう材は一般的に融点が４５０℃以上のものを指す。代表的な硬ろう材であるりん銅ろう（ＢＣｕｐ－５）の引張強さが３３～３９ｋｇ／ｍｍ２であるのに対し、はんだ材（Ｓｎ－３．０Ａｇ－０．５Ｃｕ）の引張強さは５～６ｋｇ／ｍｍ２であり、りん銅ろうの引張強さははんだ材の引張強さの６倍以上である。このように硬ろう材の引張強さははんだ材の引張強さより強いため、硬ろう材を使用する場合、本実施の形態のように金属端子３と金属回路パターン２が全面では接合されていない構成であってもよい。
＜Ｆ．実施の形態６＞
図１は実施の形態６に係る半導体装置１０５を示す断面図である。
図１２は半導体装置１０５の部分斜視図である。
半導体装置１０５は、実施の形態５の半導体装置１０４と比べ、金属端子３の代わりに金属端子３ａを備える。その他の点は半導体装置１０４と同様である。半導体装置１０５においても、半導体装置１０４と同様、突起５０のどこか１箇所以上が硬ろう材４と接している。
金属端子３ａの厚みは、金属回路パターン２と接合されている部分において、金属端子３ａの延在方向に沿った両端部で中央部分より薄くなっている。つまり、金属回路パターン２と接合されている部分において、金属端子３ａの延在方向に沿った中央部での厚みをＤ、金属端子３ａの延在方向に沿った両端部の厚みをＥとすると(図１３参照)、ＥはＤより小さい。金属端子３の代わりに金属端子３ａを備える点を除けば、半導体装置１０５の構成は半導体装置１０４と同様である。
ＥがＤより小さいことで、製造工程において、硬ろう材４をより早く溶融させて金属端子３ａと金属回路パターン２を短時間で接合でき、また、絶縁基板１１や絶縁基板１１下の材料へのダメージを抑制できる。
また、両端部の厚みＥはＤ／２以下であることが望ましい。ＥがＤ／２以下であることにより、硬ろう材４を早く溶融させて短時間での接合ができる効果や、絶縁基板１１や絶縁基板１１下の材料へのダメージを抑制できる効果が十分に得られる。
また、実施の形態１から４の半導体装置１００から半導体装置１０３の金属端子３を、金属端子３ａに置き換えてもよい。
＜Ｇ．比較例＞
実施の形態１から６との比較例として、半導体装置が突起５０または突起５１を有さない場合を考える。半導体装置が突起を有さない場合、製造工程において硬ろう材４の位置ずれを防ぐための製造方法として、例えば、図１４のフローチャートに示される製造方法が考えられる。
まず、表面に金属回路パターン２が形成されており、金属回路パターン２上に突起が形成されていない絶縁基板１１ｂを準備する（ステップＳ１１）。
次に、ステージに絶縁基板１１ｂを載置する（ステップＳ１２）。
次に、ろう材供給治具２０（図１５参照）の位置決めをし、ろう材供給治具２０を配置する（ステップＳ１３）。
次に、図１５に示されるように、レーザー６により、絶縁基板１１ｂに硬ろう材４を接合する（ステップＳ１４）。ステップＳ１４において、硬ろう材４は、ろう材供給治具２０により、供給および位置決めされる。
次に、ろう材供給治具２０を絶縁基板１１ｂから取り外す（ステップＳ１５）。ステップＳ１５において、図１６に示されるように、硬ろう材４のうち絶縁基板１１ｂに接合されなかった部分（硬ろう材４ｄ）も絶縁基板１１ｂから取り外される。
次に、硬ろう材４のうち絶縁基板１１ｂに接合された部分（硬ろう材４ｃ）上に金属端子３を載置する（ステップＳ１６）。
次に、図１７に示されるように、レーザー６により、硬ろう材４ｃを介して、金属端子３を絶縁基板１１ｂに接合する（ステップＳ１７）。
次に、絶縁基板１１ｂに樹脂ケース１４を装着し（ステップＳ１８）、樹脂ケース１４に封止材１５を充填する（ステップＳ１９）。
このように、図１４のフローチャートに示される製造方法においては、硬ろう材４の位置決めを目的としてろう材供給治具２０を用いる。
実施の形態１から６の半導体装置１００から半導体装置１０５では、突起５０または突起５１により硬ろう材４の位置ずれが抑制されるため、図１４のフローチャートに示される製造方法と比べ、より簡易的に硬ろう材の位置ずれを抑制できる。
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
１ 絶縁層、２ 金属回路パターン、３，３ａ 金属端子、４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４０ 硬ろう材、１０ 半導体素子、１１，１１ｂ 絶縁基板、１２ 金属ワイヤ、１３ 放熱板、１４ 樹脂ケース、１５ 封止材、１６，１８ 接合材、１７ 接着剤、２０ ろう材供給治具、５０，５０ａ，５０ｂ，５１ 突起、１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５ 半導体装置。

Claims (14)

  1. 表面に金属回路パターンが形成された絶縁基板と、
    前記金属回路パターン上に硬ろう材を介して接合された金属端子と、
    を備え、
    前記金属回路パターン上には突起が設けられており、
    前記突起は前記硬ろう材と接している、
    半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置であって、
    前記突起は、前記金属端子が前記金属回路パターンと接合されている領域を囲うように配置されている、
    半導体装置。
  3. 請求項２に記載の半導体装置であって、
    前記突起は、前記金属端子が前記金属回路パターンと接合されている領域を離散的に囲うように配置されている、
    半導体装置。
  4. 請求項２に記載の半導体装置であって、
    前記突起は、前記金属端子が前記金属回路パターンと接合されている領域を連続的に囲うように配置されている、
    半導体装置。
  5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記突起は、前記硬ろう材に覆われていない、
    半導体装置。
  6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記突起は、金属ワイヤを前記金属回路パターン上に接合して形成されたものである、
    半導体装置。
  7. 請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記突起は、絶縁性の素材を含む、
    半導体装置。
  8. 請求項７に記載の半導体装置であって、
    前記絶縁性の素材は樹脂である、
    半導体装置。
  9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記金属端子と前記金属回路パターンとの前記硬ろう材を介した前記接合において、前記金属端子は、前記金属端子の延在方向に沿った両側の端部で前記金属回路パターンと接合されており、また、前記金属端子は、前記金属端子の延在方向に沿った中央部分では前記金属回路パターンと接合されていない部分を少なくとも部分的に有する、
    半導体装置。
  10. 請求項９に記載の半導体装置であって、
    前記金属端子と前記金属回路パターンとの前記硬ろう材を介した前記接合において、前記金属端子は、前記金属端子の延在方向に沿った両側の端部で前記金属回路パターンと接合されており、また、前記金属端子は、前記金属端子の延在方向に沿った中央部分では前記金属回路パターンと接合されていない部分を全体的に有する、
    半導体装置。
  11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記金属端子の厚みは、前記金属回路パターンと接合されている部分において、前記金属端子の延在方向に沿った両側の端部の方が中央部分と比べ薄い、
    半導体装置。
  12. 請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体装置であって、
    半導体素子をさらに備え、
    前記半導体素子は前記金属回路パターン上に接合されている、
    半導体装置。
  13. 表面に金属回路パターンが形成された絶縁基板であって前記金属回路パターン上に突起が形成されている絶縁基板を準備し、
    硬ろう材を前記金属回路パターン上に前記突起に接するように配置し、
    前記硬ろう材を介して金属端子を前記金属回路パターンに接合する、
    半導体装置の製造方法であって、
    前記硬ろう材を介して前記金属端子を前記金属回路パターンに接合する際に、前記硬ろう材のうち、前記金属端子のうち前記金属端子の延在方向に沿った両側の端部、の直下部分を溶融させ、前記硬ろう材のうち、前記金属端子のうち前記金属端子の延在方向に沿った中央部、の直下部分は少なくとも部分的に溶融させない、
    半導体装置の製造方法。
  14. 請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記硬ろう材を介して前記金属端子を前記金属回路パターンに接合する際に、前記硬ろう材のうち、前記金属端子のうち前記金属端子の延在方向に沿った両側の端部、の直下部分を溶融させ、前記硬ろう材のうち、前記金属端子のうち前記金属端子の延在方向に沿った中央部、の直下部分は全体的に溶融させない、
    半導体装置の製造方法。
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