JP2022061618A - 保持装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)本開示の保持装置は、第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材と、前記板状部材の内部に配置された内部電極部と、前記板状部材の前記第2の表面側に露出している外部接続部と、を備える電極と、前記外部接続部を介して前記内部電極部に通電可能なプローブと、を備える、保持装置であって、前記外部接続部と前記プローブの端部とは繊維状電極によって電気的に接続されている、保持装置である。
繊維状電極が外部接続部に接合されると、両者が点接触する可能性があり、高抵抗となって、繊維状電極と外部接続部の双方に焦げ付きが発生するおそれがある。そこで、上記のように繊維状電極が外部接続部に接合されていないようにすることで点接触を防ぐとともに、焦げ付きの発生を防ぐことができる。
繊維状電極を圧縮状態で凹部内に配置できるため、繊維状電極の位置決めが容易になるとともに、プローブの端部を繊維状電極に押し当てる際に、繊維状電極が凹部内から落下しないように手で押さえておく必要がない。
電流が集まるコモン電極側において外部接続部とプローブの双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
本開示の保持装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本開示の保持装置は、対象物(例えば、半導体ウェハW)を保持しつつ所定の処理温度(例えば、400~800℃)に加熱する加熱装置100であり、サセプタとも呼ばれる。加熱装置100は、例えば、成膜装置(CVD成膜装置、スパッタリング成膜装置等)やエッチング装置(プラズマエッチング装置等)といった半導体製造装置の一部として使用される。加熱装置100は、図1に示すように、保持体10と、柱状支持体20と、を備える。加熱装置100が請求項の「保持装置」に対応する。なお、本明細書に開示される技術は、加熱装置以外に、静電チャック、保持装置等に適用可能である。
保持体10は、図2に示すように、上下方向に略直交する保持面S1と、保持面S1とは反対側の裏面S2と、を有する略円板状の部材である。保持体10は、例えば、窒化アルミニウム(AlN)やアルミナ(Al2O3)を主成分とするセラミックス等の絶縁部材により形成されている。なお、ここでいう主成分とは、含有割合(重量割合)の最も多い成分を意味する。保持体10の直径は、例えば100mm以上、500mm以下程度である。保持体10が請求項の「板状部材」に対応し、上下方向が請求項の「第1の方向」に対応し、保持面S1が請求項の「第1の表面」に対応し、裏面S2が請求項の「第2の表面」に対応する。
メタライズ導体60は、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成されている。メタライズ導体60に含まれる金属材料は、例えば、タングステンやモリブデン等である。また、メタライズ導体60に含まれるセラミックス材料は、例えば、窒化アルミニウムやアルミナである。なお、メタライズ導体60に含まれるセラミックス材料は、保持体10の主成分であるセラミックス材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するセラミックス材料であることが好ましい。
図2に示すように、柱状支持体20は、上下方向に延びる略円柱状部材である。柱状支持体20は、保持体10と同様に、例えば窒化アルミニウムやアルミナを主成分とするセラミックス等の絶縁部材により形成されている。柱状支持体20の外径は、例えば30mm以上、90mm以下程度であり、柱状支持体20の高さ(上下方向における長さ)は、例えば100mm以上、300mm以下程度である。
端子穴12の内部には、繊維状電極70が圧縮状態で収容されている。繊維状電極70は、銅などの金属によって構成され、直径約0.1mmの芯線が絡まり合ったものである。繊維状電極70には、電極端子24の端部26が下方から突き刺さっている。電極端子24は、スプリングなどの付勢部材によって繊維状電極70に向けて押し当てられている。繊維状電極70は、端子側電極62に接合(ろう付け)されておらず、上下方向において端子側電極62と電極端子24の端部26との間に挟持されている。
試験前は、ヒートサイクル試験前に上記測定条件で測定した抵抗値を示す。
試験後は、ヒートサイクル試験後に上記測定条件で測定した抵抗値を示す。
繊維状電極70が端子側電極62に接合されると、両者が点接触する可能性があり、高抵抗となって、繊維状電極70と端子側電極62の双方に焦げ付きが発生するおそれがある。そこで、上記のように繊維状電極70が端子側電極62に接合されていないようにすることで点接触を防ぐとともに、焦げ付きの発生を防ぐことができる。
繊維状電極70を圧縮状態で端子穴12内に配置できるため、繊維状電極70の位置決めが容易になるとともに、電極端子24の端部26を繊維状電極70に押し当てる際に、繊維状電極70が端子穴12内から落下しないように手で押さえておく必要がない。
電流が集まるコモン電極55側において端子側電極62と電極端子24の双方に焦げ付きが発生することを抑制できる。
次に、変形例における加熱装置200を図4を用いて説明する。変形例の加熱装置200は、実施形態の加熱装置100の電極40の構成を一部変更したものである。変形例の保持体210の内部には、電極240が埋設されている。電極240は、抵抗発熱体50からなる。電極240は、保持体10の内部に配置された内部発熱部と、保持体10の裏面側に露出している外部発熱部とを備える。外部発熱部の一部は端子穴12の内部に露出しており、この露出した部分が端子側電極256とされている。繊維状電極70は、端子側電極256に接合(ろう付け)されておらず、上下方向において端子側電極256と電極端子24の端部26との間に挟持されている。
(1)上記実施形態では電極端子24の端部26が先細り状となっているが、丸形状やフラット形状でもよい。
20:柱状支持体 22:貫通孔 24:電極端子(プローブ) 26:端部
30:接合部
40:電極
50:抵抗発熱体(内部電極部) 52A:第1ビア 52B:第2ビア 55:コモン電極
60:メタライズ導体 62:端子側電極(外部接続部)
70:繊維状電極
100:加熱装置(保持装置)
200:加熱装置(保持装置) 210:保持体 240:電極 256:端子側電極(外部接続部)
IP:内側部 S1:保持面(第1の表面) S2:裏面(第2の表面) S5:上面 W:半導体ウェハ
Claims (4)
- 第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材と、
前記板状部材の内部に配置された内部電極部と、前記板状部材の前記第2の表面側に露出している外部接続部と、を備える電極と、
前記外部接続部を介して前記内部電極部に通電可能なプローブと、を備える、保持装置であって、
前記外部接続部と前記プローブの端部とは繊維状電極によって電気的に接続されている、保持装置。 - 前記繊維状電極は、前記第1の方向において前記外部接続部と前記プローブの端部との間に挟持されており、前記外部接続部に接合されていない、請求項1に記載の保持装置。
- 前記板状部材の前記第2の表面には、前記第1の表面側に凹んだ形態の凹部が設けられており、
前記繊維状電極は、圧縮状態で前記凹部内に配置されている、請求項1または請求項2に記載の保持装置。 - 前記外部接続部は、複数の前記内部電極部のグランド側にそれぞれ電気的に接続されたコモン電極に接続されている、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の保持装置。
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