JP2022050318A - 堆積装置用マスク構造、堆積装置及びその操作方法 - Google Patents

Abstract

【課題】堆積プロセスにおいて基板上の膜抑制領域をより正確に且つより簡便に制御可能な堆積装置用マスク構造、堆積装置、及び堆積装置の操作方法を提供する。【解決手段】マスク構造２０は、複数の第１セグメント２２の群及び複数の第２セグメント２４の群を含む。第１セグメント２２群は、中心軸ＡＸを囲む方向（例えば、図２に示す方向Ｄ３）に配置され、互いに離間される。第２セグメント２４群の各々は、中心軸ＡＸの延びる方向に平行な垂直方向Ｄ１において、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つと重複する。マスク構造２０は、プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持された基板の周辺領域を覆い異なる堆積プロセスの間で第１セグメント群及び第２セグメント群の位置をそれぞれ水平方向に調整する。【選択図】図２

Description

発明の背景
１．発明の分野
［０００１］本発明は、堆積装置用マスク構造、堆積装置及びその操作方法に関し、特に、互いに重複するセグメント群を含むマスク構造、マスク構造を含む堆積装置、及び堆積装置の操作方法に関する。

２．先行技術の説明
［０００２］半導体集積回路は、その製造過程で、膜の堆積、フォトリソグラフィ、エッチング等の様々なプロセスステップを経る。化学気相成長（ＣＶＤ）及び物理気相成長（ＰＶＤ）は、半導体製造プロセスで適用される一般的な膜堆積アプローチである。スパッタリング堆積プロセス等の膜堆積プロセスでは、ウェハの周辺領域への材料膜の形成を防止し、ウェハ端での膜剥離等の関連する問題を回避するため、ウェハの周辺領域に膜抑制領域が定められる。更に、膜抑制領域は、好ましくは、ウェハ当たりの有効チップ数を増やし、チップ当たりのコストを削減するために縮小され得る。従って、膜堆積プロセスでは、膜抑制領域を正確に制御することが重要になる。一般に、スパッタリング堆積プロセスでは、ウェハの周辺領域を覆うように構成されるクランプリングが適用される。複数の膜堆積プロセス後には材料膜がクランプリングの内縁に堆積し、ウェハの膜抑制領域に影響を及ぼすため、クランプリングに対応する膜抑制領域を正確に制御することは困難である。

［０００３］堆積装置用マスク構造、堆積装置、及び堆積装置の操作方法が提供される。マスク構造は、堆積プロセスにおいて基板上の膜抑制領域をより正確に且つより簡便に制御するため、互いに離間された第１セグメント群、及び互いに隣接する第１セグメント群と重複する第２セグメント群を含む。

［０００４］１つの態様では、堆積装置用マスク構造が提供される。マスク構造は、第１セグメント群及び第２セグメント群を含む。第１セグメント群は、中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間される。第２セグメント群は、第１セグメント群の上方に設けられる。第２セグメント群の各々は、中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する。

［０００５］１つの態様では、堆積装置が提供される。堆積装置は、プロセスチャンバ、ステージ及びマスク構造を含む。ステージは、少なくとも部分的にプロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含む。マスク構造は、プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆う。マスク構造は、第１セグメント群及び第２セグメント群を含む。第１セグメント群は、中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間される。第２セグメント群は、第１セグメント群の上方に設けられる。第２セグメント群の各々は、中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する。

［０００６］１つの態様では、堆積装置の操作方法が提供される。操作方法は、以下の工程を含む。堆積装置が準備される。堆積装置は、プロセスチャンバ、ステージ及びマスク構造を含む。ステージは、少なくとも部分的にプロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含む。マスク構造は、プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆う。マスク構造は、第１セグメント群及び第２セグメント群を含む。第１セグメント群は、中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間される。第２セグメント群は、第１セグメント群の上方に設けられる。第２セグメント群の各々は、中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する。第１セグメント群及び第２セグメント群の位置はそれぞれ、異なる堆積プロセスの間で水平方向に調整される。

［０００７］本発明のこれらの及び他の目的は、様々な図面において示された好適な実施の形態の以下の詳細な説明を読むことで当業者に明らかになるだろう。

［０００８］図１は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置を示す概略図である。 ［０００９］図２は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。 ［００１０］図３は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の断面視を示す概略図である。 ［００１１］図４－７は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法を示す概略図であって、図４は、第１堆積プロセスにおけるマスク構造と第１基板の位置を示す概略図であり、図５は、第１堆積プロセス後の第１基板を示す概略図であり、図６は、第２堆積プロセスにおけるマスク構造及び第２基板の位置を示す概略図であり、図７は、第２堆積プロセス後の第２基板を示す概略図である。 ［００１２］図８は、本発明の一実施の形態に係る堆積プロセス後のマスク構造を示す概略図である。 ［００１３］図９は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図である。 ［００１４］図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図である。 ［００１５］図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。 ［００１６］図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図である。 ［００１７］図１３は、本発明の第３の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図である。 ［００１８］図１４は、本発明の第３の実施の形態の形態における堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。 ［００１９］図１５は、本発明の第４の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。 ［００２０］図１６は、本発明の第４の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。 ［００２１］図１７は、本発明の第５の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。 ［００２２］図１８は、本発明の第６の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。

詳細な説明
［００２３］具体的な構造及び構成を説明するが、これは単に例示を目的とするものである。本開示の意図及び範囲を逸脱せずに他の構造や構成が可能であることは、当業者ならば理解するであろう。本発明が他の様々な形態において実施することも可能であることは、当業者ならば明らかなことであろう。

［００２４］明細書中の“一実施の形態”、“任意の実施の形態”、“幾つかの実施の形態”等への言及は、記載される実施の形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示しているが、各実施の形態がその特徴、構造、又は特性を必ず含む必要はない。さらに、そのような語句は必ずしも同じ実施の形態を指しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、特性が任意の実施の形態に関連して記載される場合、明確に記載されているか否かに関わらず、他の実施の形態に関連してそのような特徴、構造、又は特性に影響を与えることは当業者の知識の範囲内である。

［００２５］第１、第２等の語句は、様々な要素、構成部品、領域、層、及び／又は部分を説明するために使用されるが、これらの要素、構成部品、領域、層、及び／又は部分はこれらの語句に限定されないことを理解すべきである。これらの語句は、単に１つの要素、構成部品、領域、層、及び／又は部分を他のものと区別するために使用される。かくして、以下に記載される第１要素、構成部品、領域、層、又は部品は、本開示の記載から逸脱することなく、第２の要素、構成部品、領域、層、又は部品と呼ばれてもよい。

［００２６］“上に（ｏｎ）”、“より上に（ａｂｏｖｅ）”、及び“上方に（ｏｖｅｒ）”の意味は、“上に”が何かの“直上に”という意味だけでなく、中間の機能や層が間に挟まる何かの“上”の意味も含み、“より上に”や“上方に”は、何かの“より上”や“上方”の意味だけでなく、中間の機能や層が間に挟まらない何かの“より上”や“上方”（つまり、直上）の意味も含むことを理解されたい。

［００２７］図１は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置を示す概略図であり、図２は、本実施の形態における堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。図１及び図２に示すように、堆積装置用マスク構造２０が提供される。マスク構造２０は、複数の第１セグメント２２の群及び複数の第２セグメント２４の群を含む。第１セグメント２２群は、中心軸ＡＸを囲む方向（例えば、図２に示す方向Ｄ３）に配置され、互いに離間される。第２セグメント２４群は、第１セグメント２２群の上方に設けられる。第２セグメント２４群の各々は、中心軸ＡＸの延びる方向に平行な垂直方向Ｄ１において、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つと重複する。マスク構造２０は、図１に示す堆積装置１００等の堆積装置に使用され得るが、これに限定されない。言い換えると、本発明の堆積装置用マスク構造２０は、構造設計、堆積方法、及び／又は他の側面において堆積装置１００とは異なる堆積装置にも適用され得る。

［００２８］幾つかの実施の形態において、第２セグメント２４群もまた、中心軸ＡＸを囲む方向Ｄ３に配置されてよく、中心軸ＡＸを囲む方向Ｄ３は円周方向であってよいが、これに限定されない。第２セグメント２４群は、互いに離間されてよく、第２セグメント２４群の各々は、第１セグメント２２群から離間されてよい。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の各々や第２セグメント２４群の各々は、マスク構造２０の上面視（例えば、図２）で弓形であってよいが、これに限定されない。また、第２セグメント２４群の各々はさらに、垂直方向Ｄ１において第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間Ｇ１と重複してよく、垂直方向Ｄ１における第２セグメント２４群の各々の投影面積（例えば、図２に示す第２セグメント２４群の１つの面積）は、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２群の各々の投影面積（例えば、図２に示す第１セグメント２２群の１つの面積）よりも小さくてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群は、マスク構造２０の比較的大きな面積を有する主セグメント群としてみなしてよく、第２セグメント２４群は、マスク構造２０において比較的小さな面積を有する副セグメント群とみなしてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、垂直方向Ｄ１における第２セグメント２４群の各々の投影面積は、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２群の各々の投影面積以下であってよい。幾つかの実施の形態において、水平方向（垂直方向Ｄ１に直交する水平面の半径方向）において、第２セグメント２４群の各々の外周サイズは、第１セグメント群の各々の外周サイズよりも大きくてよい。

［００２９］幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の各々の材料や第２セグメント２４群の各々の材料は、高い耐熱性、低い熱膨張係数、及び／又は堆積材料とマスク構造２０との間の反応を回避するための高い安定性を有する石英、金属、又は他の好適な材料を含んでよい。幾つかの実施の形態において、設計計画に応じて、第２セグメント２４群の各々の材料組成は、第１セグメント２２群の各々と同じ材料組成でも異なる材料組成でもよい。幾つかの実施の形態において、マスク構造２０における第２セグメント２４群の数は、マスク構造２０における第１セグメント２２群の数と等しくてよい。例えば、マスク構造２０における第１セグメント２２群の数及び第２セグメント２４群の数はそれぞれ４つとされてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、堆積プロセスにおける基板上の膜抑制領域をより正確に制御するため、マスク構造２０における第１セグメント２２群の数及び第２セグメント２４群の数を増やしてもよい。

［００３０］図１および図２に示すように、幾つかの実施の形態において、堆積装置１００は、プロセスチャンバ９０、ステージ１０、及び上述のマスク構造２０を含んでよい。ステージ１０は、少なくとも部分的にプロセスチャンバ９０内に設けられ、基板１２の保持構造１０Ｓを含む。マスク構造２０は、プロセスチャンバ９０内に配置され、ステージ１０の上方に位置し、ステージ１０上に保持される基板１２の周辺領域ＰＲを覆う。堆積装置１００は、プロセスチャンバ９０内に運ばれてステージ１０上に配置される基板１２に堆積プロセスを実施し、基板１２上に堆積膜を形成するために使用され得る。幾つかの実施の形態において、堆積装置１００は、スパッタリング堆積装置又は他の物理気相成長を実施することができる堆積装置を含み得る。

［００３１］幾つかの実施の形態において、中心軸ＡＸの少なくとも一部は、ステージ１０の上方に位置し、ステージ１０の上面に直交する方向に延びてよい。幾つかの実施の形態において、中心軸ＡＸは、ステージ１０の少なくとも一部を貫通してよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、ステージ１０上に配置される基板１２の中心点は、垂直方向Ｄ１において中心軸ＡＸと重複してよいが、これに限定されない。基板１２の中心点は、基板１２の幾何学中心、質量中心、及び／又は重心であってよい。基板１２は半導体基板又は非半導体基板を含んでよい。上述の半導体基板は、シリコン基板、エピタキシャルシリコン基板、シリコンゲルマニウム基板、炭化ケイ素基板、又はＳｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ）基板を含んでよいが、これに限定されない。上述の非半導体基板は、ガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板、ステンレス基板、又は他の好適な材料で形成された基板を含んでよい。

［００３２］幾つかの実施の形態において、堆積装置１００はさらに、複数の第１支持構造３２の群と複数の第２支持構造３４の群を含んでよい。第１支持構造３２群の各々は、第１セグメント２２群のうちの少なくとも１つと接続されてよく、第２支持構造３４群の各々は、第２セグメント２４群のうちの少なくとも１つと接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２群の各々は、対応する第１セグメント２２の下に位置されてよく、第２支持構造３４群の各々は、対応する第２セグメント２４の下に位置され、少なくともその一部が方向Ｄ３において第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間Ｇ１に位置されてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２群及び第２支持構造３４群は、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群を支持すると共に、それぞれ第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群を垂直に（例えば、垂直方向に）及び／又は水平に（例えば、図１に示す水平方向Ｄ２に）移動するために使用されてよい。

［００３３］例えば、図１及び図２に示すように、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２１に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２２に可動であってよく、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２３に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２４に可動であってよく、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２５に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２６に可動であってよく、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２７に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２８に可動であってよいが、これらに限定されない。水平方向Ｄ２１－Ｄ２８は、中心軸ＡＸから外向きの半径方向とみなしてよいが、これに限定されない。言い換えると、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸに向かう方向又は中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、マスク構造２０が重複する基板１２の領域を制御するため、上述の水平方向における中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、上述の水平方向における中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と実質的に等しくてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、例えば、中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と許容差±２％で実質的に等しくてよい。言い換えると、好適には、中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と等しくてよいが、動作上不可避な誤差のため、中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離の０．９８倍から１．０２倍の範囲であってよい。幾つかの実施の形態において、中心軸ＡＸと第１セグメント群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と少なくとも部分的に等しい。

［００３４］図３は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造２０の断面視を示す概略図である。図１－３に示すように、幾つかの実施の形態において、第２支持構造３４のスペースの確保及び／又は第２セグメント２４群が水平方向に移動する経路上の堆積膜の蓄積を回避するため、水平方向における第１セグメント２２群の各々の長さＬ１は、水平方向における第２セグメント２４群の各々の長さＬ２よりも短くてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の各々の内壁ＳＷ１１及び第２セグメント２４群の各々の内壁ＳＷ２１の上に堆積される堆積膜が内壁ＳＷ１１及び内壁ＳＷ２１から剥離しないように、内壁ＳＷ１１及び内壁ＳＷ２１にそれぞれ傾斜を持たせてもよく、また、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の上に形成される堆積膜の総量を少なくするために、第１セグメント２２群の各々の外壁ＳＷ１２及び第２セグメント２４群の各々の外壁ＳＷ２２にそれぞれ傾斜を持たせてもよい。また、本明細書において、水平方向における、中心軸ＡＸと、相対的に内側の位置及び／又は相対的に内側の部分との間の距離は、水平方向における、中心軸ＡＸと、相対的に外側の位置及び／又は相対的に外側の部分との間の距離よりも短い。各対象の内側部は、対象の外側部よりも、水平方向において中心軸ＡＸに近くてよい。

［００３５］また、特に垂直方向Ｄ１における各第１セグメント２２の投影面積が垂直方向Ｄ１における各第２セグメント２４の投影面積と異なる場合、各第１セグメント２２上に形成される堆積膜と各第２セグメント２４上に形成される堆積膜との堆積量の差を小さくするため、内壁ＳＷ１１は内壁ＳＷ２１と異なる傾斜を有してもよい。例えば、内壁ＳＷ２１の傾斜は、内壁ＳＷ１１の傾斜よりも小さくてよく、内壁ＳＷ２１と第２セグメント２４の下面との挟角は、内壁ＳＷ１１と第１セグメント２２の下面との挟角よりも小さくてよいが、これに限定されない。しかしながら、本発明における第１セグメント２２及び第２セグメント２４の形状は、図３に示す形状に限定されず、他の設計計画に応じて他の好適な形状が適用されてよい。また、第１セグメント２２と第２セグメント２４を離間するために、垂直方向Ｄ１において第１セグメント２２と第２セグメント２４との間には隙間Ｇ２があってよく、上述の膜抑制領域を制御するうえでの第２セグメント２４群の影響を減らすために、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２と第２セグメント２４との間の距離ＤＳ３が調整されてもよい。例えば、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２と第２セグメント２４との間の距離ＤＳ３は、０．０１ｍｍから６ｍｍの範囲であってよいが、これに限定されない。

［００３６］図４－７は、本実施の形態における堆積装置の操作方法を示す概略図であって、図４は、第１堆積プロセスにおけるマスク構造２０と第１基板１２Ａの位置を示す概略図であり、図５は、第１堆積プロセス後の第１基板１２Ａを示す概略図であり、図６は、第２堆積プロセスにおけるマスク構造２０及び第２基板１２Ｂの位置を示す概略図であり、図７は、第２堆積プロセス後の第２基板１２Ｂを示す概略図である。図１及び図４－７に示すように、堆積装置１００の操作方法は、次の工程を含むが、これに限定されない。まず、上述の堆積装置１００が準備される。次に、複数の基板１２の各々に堆積プロセスが実施される。例えば、図１、図４、図５に示すように、第１基板１２Ａ上に堆積膜１４Ａを形成するために堆積装置１００によって第１堆積プロセスが第１基板１２Ａに実施されてよく、第１堆積プロセス後の第１基板１２Ａの周辺領域ＰＲ上に第１膜抑制領域ＳＲ１が形成されてよい。第１堆積プロセスにおいて、第１基板１２Ａの周辺領域ＰＲの少なくとも一部を覆うマスク構造２０により、堆積膜１４Ａが第１膜抑制領域ＳＲ１上に形成されることが抑えられ、従って、第１堆積プロセスにおいて、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置に対応して第１膜抑制領域ＳＲ１が形成され得る。図１、図６、図７に示すように、第２基板１２Ｂ上に堆積膜１４Ｂを形成するために堆積装置１００によって第２堆積プロセスが第２基板１２Ｂに実施されてよく、第２堆積プロセス後の第２基板１２Ｂの周辺領域ＰＲ上に第２膜抑制領域ＳＲ２が形成されてよい。第２堆積プロセスにおいて、第２基板１２Ｂの周辺領域ＰＲの少なくとも一部を覆うマスク構造２０により、堆積膜１４Ｂが第２膜抑制領域ＳＲ２上に形成されることが抑えられ、従って、第２堆積プロセスにおいて、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置に対応して第２膜抑制領域ＳＲ２が形成され得る。幾つかの実施の形態において、基板１２及び／又は基板１２上に形成される材料を保護するために、マスク構造２０は、基板１２と直接接することなく離間される。

［００３７］図１及び図４－７に示すように、幾つかの実施の形態において、堆積プロセス（例えば、上述の第１堆積プロセスや第２堆積プロセス）の間、ステージ１０上に配置される基板１２の中心点ＣＰは、垂直方向Ｄ１において中心軸ＡＸと重複してよく、各堆積プロセスにおいて、第１セグメント２２群の１つの内縁Ｅ１と中心軸ＡＸとの間の距離は、第２セグメント２４群の１つの内縁と中心軸ＡＸとの間の距離と実質的に等しくてよい。例えば、第１堆積プロセス（図４に図示）において、水平方向における中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１は、水平方向における中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２と実質的に等しくてよい。言い換えると、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１は、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２と少なくとも部分的に等しくてよい。第２堆積プロセス（図６に図示）において、水平方向における中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１’は、水平方向における中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２’と実質的に等しくてよい。言い換えると、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１’は、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２’と少なくとも部分的に等しくてよい。

［００３８］幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置はそれぞれ、異なる堆積プロセス（例えば、上述の第１堆積プロセス及び第２堆積プロセス）の間で水平方向に調整されてもよい。例えば、幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスは、第２堆積プロセスの前に実施されてよく、第２堆積プロセスにおいてマスク構造２０が重複する基板１２の面積を小さくするため、第１堆積プロセス後で第２堆積プロセスの前に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよい。言い換えると、第１堆積プロセスにおける第１セグメント２２群のうちの１つの内縁Ｅ１と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ１は、第２堆積プロセスにおける該第１セグメント２２の内縁Ｅ１と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ１’と異なる距離でよく、第１堆積プロセスにおける第２セグメント２４群のうちの１つの内縁Ｅ２と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ２は、第２堆積プロセスにおける該第２セグメント２４の内縁Ｅ２と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ２’と異なる距離でよい。幾つかの実施の形態において、第１基板１２Ａ上に形成される第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、第２基板１２Ｂ上に形成される第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２よりも大きくてよいが、これに限定されない。言い換えると、第２膜抑制領域ＳＲ２は、第１膜抑制領域ＳＲ１と異なってよいが、これに限定されない。

［００３９］幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスは、第２堆積プロセスの後に実施されてよく、第１堆積プロセスにおいてマスク構造２０が重複する基板１２の面積を大きくするため、第２堆積プロセス後で第１堆積プロセスの前に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸに近づく方向に移動されてよい。言い換えると、基板１２の各々の上に形成される膜抑制領域ＳＲを制御するため、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸに近づく方向に又は中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスと第２堆積プロセスとの間で第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置がそれぞれ水平方向に調整されることにより、第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２と異なってもよい。言い換えると、異なる堆積プロセス用の従来のクランプリングの変更による手間を取られずに、本発明の堆積装置では、膜抑制領域に関して異なる要件を有する堆積プロセスが順次実施され得る。従って、堆積装置のスループットが向上され得る。

［００４０］図８は、本発明の一実施の形態に係る堆積プロセス後のマスク構造を示す概略図である。図８に示すように、複数回の堆積プロセス後、堆積膜１４は、第１セグメント２２及び第２セグメント２４の上に蓄積され、第１セグメント２２及び第２セグメント２４の内縁に蓄積した堆積膜１４は、堆積プロセスにおいて基板上の重複領域に影響を及ぼす可能性がある。従って、幾つかの実施の形態において、各基板上に形成される膜抑制領域を実質的に維持するため、第１セグメント群及び第２セグメント群の位置はそれぞれ、異なる堆積プロセスの間で水平方向に調整されてよい。例えば、図４－８に示すように、幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスが第２堆積プロセスの前に実施され、第２堆積プロセスにおけるマスク構造２０とマスク構造２０上に形成される堆積膜１４が重複する第２基板１２Ｂの領域が、第１堆積プロセスにおけるマスク構造２０とマスク構造２０上に形成される堆積膜１４が重複する第１基板１２Ａの領域に実質的に一致するように、第１堆積プロセス後で第２堆積プロセスの前に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群がそれぞれ中心軸ＡＸから遠ざかる方向に移動されてよい。言い換えると、第１堆積プロセス後で第２堆積プロセスの前に第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置を水平方向に調整する場合において、第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２と実質的に等しくてよい。幾つかの実施の形態において、例えば、第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、許容差±１０％で第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２と実質的に等しくてよい。言い換えると、幅Ｗ１は幅Ｗ２と等しくてよく、或いは、不可避なプロセス変化のため、幅Ｗ１は幅Ｗ２の０．９倍から１．１倍の範囲であってよい。例えば、許容範囲内に収まるように、マスク構造２０の第１セグメント２２群の数及び第２セグメント２４群の数はそれぞれ、５つ以上に増やされてよいが、これに限定されない。

［００４１］幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスと第２堆積プロセスとの間に実施される堆積プロセス後に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の内縁に蓄積した堆積膜１４に応じて、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置が水平方向に調整されてよい。例えば、幾つかの実施の形態において、堆積装置の累積消費電力と係数を積算して第１セグメント２２及び／又は第２セグメント２４の内縁に蓄積した堆積膜１４の幅Ｗ３が算出されてよく、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群が幅Ｗ３に対応する距離だけ中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置は、第１堆積プロセスと第２堆積プロセスとの間に実施される堆積プロセスの間で次第に調整されていってよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２及び／又は第２セグメント２４の内縁に蓄積した堆積膜１４について算出した幅Ｗ３は、マスク構造２０が交換及び／又は清掃されるべきか否かの判断基準として使用可能である。

［００４２］図９は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図であり、図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図である。図９及び図１０に示すように、堆積装置はさらに、複数のリフト構造４０、及び搭載構造５０を含んでよい。幾つかの実施の形態において、リフト構造４０は、基板１２を持ち上げる又は保持構造１０Ｓ上に基板１２を配置するため、垂直方向に可動であってよく、搭載構造５０は、基板１２をプロセスチャンバ９０内に運び、そして基板１２をプロセスチャンバ９０外に運ぶために使用されてよい。本発明の一実施の形態に係る搭載動作において、リフト構造４０は基板１２を保持構造１０Ｓから離れた位置まで持ち上げるため、保持構造１０Ｓを貫通してよく、搭載構造５０は、基板１２に実施される堆積プロセス後に基板１２をプロセスチャンバ９０外に運ぶため、基板１２と保持構造１０Ｓとの間のスペースまで延びてよい。同様に、基板１２は、搭載構造５０によってプロセスチャンバ９０内に運ばれてリフト構造４０上に配置されてよく、搭載構造５０がプロセスチャンバ９０外に移動された後、リフト構造４０は、基板１２を保持構造１０Ｓ上に配置するために下方に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、上述の搭載動作との干渉を防ぐため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、第１支持構造３２群、第２支持構造３４群、及び／又は他の機械的構造（図示せず）によって水平方向に及び／又は垂直方向に移動されてよい。例えば、垂直方向Ｄ１において基板１２と重複を防ぐため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、水平方向に移動されてよく、上述の搭載動作の間、リフト構造４０によって持ち上げられる基板１２の位置は、垂直方向Ｄ１におけるマスク構造２０の位置よりも高くされてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、上述の搭載動作のため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、上方に移動されずに中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよく、又は中心軸ＡＸから離れる方向に移動されて僅かに上方に移動されてよい。

［００４３］因みに、本発明に係る堆積装置の操作方法における搭載動作は上述の方法に限定されず、他の好適な搭載動作を本発明に係る堆積装置の操作方法における搭載動作にも適用できる。

［００４４］本発明の他の実施の形態を説明する。説明の簡素化のため、以下の実施の形態の各々において同一の要素には同一の符号が付されている。実施の形態間の相違点を容易に理解するため、異なる実施の形態での相違点を詳細に説明し、同一の特徴についての説明は省略する。

［００４５］図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。図１１に示すように、本実施の形態の堆積装置では、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の支持性能の向上のため、２つ以上の第１支持構造３２が第１セグメント２２群のうちの１つに接続されてよく、２つ以上の第２支持構造３４が第２セグメント２４群のうちの１つに接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の移動への干渉を防ぐため、第２支持構造３４は、対応する第２セグメント２４の外側部分の下に設けられてよいが、これに限定されない。

［００４６］図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図であり、図１３は、本実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図であり、図１４は、本実施の形態における堆積装置用マスク構造２０の一部を示す概略図である。図１２及び図１３に示すように、本実施の形態の搭載動作において、リフト構造４０は、基板１２を保持構造１０Ｓから離れた位置まで持ち上げるため、保持構造１０Ｓを貫通してよく、搭載構造５０は、基板１２に実施される堆積プロセス後に基板１２をプロセスチャンバ９０外に運ぶために、基板１２と保持構造１０Ｓとの間のスペースに延びてよい。同様に、基板１２は、搭載構造５０によってプロセスチャンバ９０内に運ばれてリフト構造４０上に配置されてよく、搭載構造５０がプロセスチャンバ９０外に移動された後、リフト構造４０は、基板１２を保持構造１０Ｓ上に配置するために下方に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、上述の搭載動作の前に第１支持構造３２群、第２支持構造３４群、及び／又は他の機械的構造によって水平方向に移動されてよい。例えば、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、垂直方向Ｄ１において基板１２と重複したまま上方に移動されてよく、上述の搭載動作の間、リフト構造４０によって持ち上げられる基板１２の位置は、垂直方向Ｄ１においてマスク構造２０の位置よりも低くされてよいが、これに限定されない。

［００４７］図１３及び図１４に示すように、本実施の形態において、上述の搭載動作への干渉を防ぐため、第１支持構造３２群のうちの１つの一部は、垂直方向Ｄ１において第２セグメント２４群のうちの１つの下方に設けられてよく、第２支持構造３４群のうちの１つの一部は、垂直方向Ｄ１において第１セグメント２２群のうちの１つの下方に設けられてよい。例えば、幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２群のうちの１つは、第１部分３２Ａ、第２部分３２Ｂ、及び第３部分３２Ｃを含んでよく、第２支持構造３４群の各々は、第１部分３４Ａと、第２部分３４Ｂと、第３部分３４Ｃとを含んでよい。第１支持構造３２の第１部分３２Ａは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第１セグメント２２の下に設けられてよく、第１支持構造３２の第２部分３２Ｂは、中心軸ＡＸを囲む方向に延び、一部が対応する第１セグメント２２の下方に設けられ、一部が１つの第２セグメント２４の下方に設けられ、一部が対応する第１セグメント２２に隣接する他の第１セグメント２２の下方に設けられてよく、第１支持構造３２の第３部分３２Ｃは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第１セグメント２２に隣接する該他の第１セグメント２２の下方に設けられてよい。第１部分３２Ａは、対応する第１セグメント２２に直接接続されてよく、第２部分３２Ｂは、第１部分３２Ａ及び第３部分３２Ｃを接続するため、第１部分３２Ａと第３部分３２Ｃとの間に設けられてよい。また、第２支持構造３４の第１部分３４Ａは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第２セグメント２４の下に設けられてよく、第２支持構造３４の第２部分３４Ｂは、中心軸ＡＸを囲む方向に延び、一部が対応する第２セグメント２４の下方に設けられ、一部が対応する第２セグメント２４に隣接する１つの第１セグメント２２の下方に設けられてよく、第２支持構造３４の第３部分３４Ｃは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第２セグメント２４に隣接する１つの第１セグメント２２の下方に設けられてよい。第１部分３４Ａは、対応する第２セグメント２４に直接接続されてよく、第２部分３４Ｂは、第１部分３４Ａ及び第３部分３４Ｃを接続するため、第１部分３４Ａと第３部分３４Ｃとの間に設けられてよい。

［００４８］第１支持構造３２群のうちの少なくとも幾つか及び第２支持構造３４群のうちの少なくとも幾つかの構造を図１３及び図１４に示すように変更することにより、上述の搭載動作時の搭載構造５０及び搭載構造５０上に配置される基板１２の動きが、第１支持構造３２群や第２支持構造３４群によって干渉されることが回避されるようになる。従って、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、上述の搭載動作のために、垂直方向Ｄ１において基板１２と重複しない位置まで中心軸ＡＸから離れる方向に移動される必要がなく、そのため、本実施の形態のプロセスチャンバ９０のサイズは、低減されてもよい。幾つかの実施の形態において、上述の搭載動作のため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、中心軸ＡＸから離れる方向に移動されずに上方に移動されてよく、又は上方に移動されて中心軸ＡＸから離れる方向に僅かに移動されてもよい。

［００４９］図１５は、本発明の第４の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造２０の上面視を示す概略図であり、図１６は、本実施の形態のマスク構造２０の一部を示す概略図である。図１５及び図１６に示すように、第１支持構造３２群のうちの１つは、２つの第１部分３２Ａ，第２部分３２Ｂ，第３部分３２Ｃ，第４部分３２Ｄ、及び第５部分３２Ｅを含んでよい。図の簡略化のため、図１５では、図１６に示す第２部分３２Ｂ、第３部分３２Ｃ、及び第５部分３２Ｅの図示は省略されている。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２の第４部分３２Ｄは、中心軸ＡＸを囲む方向に延び、対応する第１セグメント２２の下方に設けられてよく、第１支持構造３２の第５部分３２Ｅは、垂直方向Ｄ１に延び、第４部分３２Ｄと第２部分３２Ｂとの間に設けられてよい。第４部分３２Ｄは、２つの第１部分３２Ａにそれぞれ接続されてよく、第５部分３２Ｅは、第４部分３２Ｄ及び第２部分３２Ｂにそれぞれ接続されてよい。１つの第１セグメント２２に接続される複数の第１部分３２Ａが設けられることで、第１支持構造３２の支持強度及び／又は支持安定性が向上され得る。

［００５０］図１７は、本発明の第５の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。図１７に示すように、第１支持構造３２は、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つに接続されてよい。例えば、第１支持構造３２は、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つにそれぞれ接続された２つの第１部分３２Ａを有してよく、第１支持構造３２の第２部分３２Ｂは、その２つの第１部分３２Ａに接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２の簡略化、そして上述の搭載動作への干渉の回避のため、第１支持構造３２群のうち少なくとも１つは、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つに接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第２部分３２Ｂに接続された異なる第１セグメント２２群を水平方向に移動して対応する膜抑制領域の幅を維持するため、この第２部分３２Ｂは、伸縮可能とされてよい。

［００５１］図１８は、本発明の第６の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造２０の一部を示す概略図である。図１８に示すように、本実施の形態において、水平方向における第１セグメント２２の長さＬ１は、水平方向における第２セグメント２４の長さＬ２よりも長くてよく、第２セグメント２４に対応する第２支持構造は、２つの隣接する第１セグメント２２の間に設けられてよい。幾つかの実施の形態において、水平方向（垂直方向Ｄ１に直交する水平面における半径方向）において、第１セグメント２２群の各々の外周サイズは、第２セグメント２４群の各々の外周サイズよりも大きくてよい。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２上に堆積する堆積膜による、第２セグメント２４が水平方向に移動する経路への干渉を回避するため、マスク構造２０を清掃する頻度が増やされ及び／又は垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２と第２セグメント２４との間の隙間Ｇ２が比較的大きくされてもよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、プロセスチャンバ９０のサイズは低減されてもよく、第２セグメント２４は比較的小さくなることで軽量化されてもよいが、これに限定されない。

［００５２］以上より、本発明の堆積装置用マスク構造、堆積装置、及び堆積装置の操作方法によると、堆積プロセスにおいて基板上の膜抑制領域をより正確に且つより簡便に制御するため、互いに離間された第１セグメント群と、互いに隣接する第１セグメント群と重複する第２セグメント群とを含むマスク構造が使用される。

［００５３］本発明の教示を維持しながら装置及び方法の様々な変更や変形を行い得ることが当業者に容易に明らかとなるであろう。従って、上記の開示は、添付の請求項の境界及び範囲によってのみ限定されるとして解釈するべきである。

発明の背景
１．発明の分野
［０００１］本発明は、堆積装置用マスク構造、堆積装置及びその操作方法に関し、特に、互いに重複するセグメント群を含むマスク構造、マスク構造を含む堆積装置、及び堆積装置の操作方法に関する。

２．先行技術の説明
［０００２］半導体集積回路は、その製造過程で、膜の堆積、フォトリソグラフィ、エッチング等の様々なプロセスステップを経る。化学気相成長（ＣＶＤ）及び物理気相成長（ＰＶＤ）は、半導体製造プロセスで適用される一般的な膜堆積アプローチである。スパッタリング堆積プロセス等の膜堆積プロセスでは、ウェハの周辺領域への材料膜の形成を防止し、ウェハ端での膜剥離等の関連する問題を回避するため、ウェハの周辺領域に膜抑制領域が定められる。更に、膜抑制領域は、好ましくは、ウェハ当たりの有効チップ数を増やし、チップ当たりのコストを削減するために縮小され得る。従って、膜堆積プロセスでは、膜抑制領域を正確に制御することが重要になる。一般に、スパッタリング堆積プロセスでは、ウェハの周辺領域を覆うように構成されるクランプリングが適用される。複数の膜堆積プロセス後には材料膜がクランプリングの内縁に堆積し、ウェハの膜抑制領域に影響を及ぼすため、クランプリングに対応する膜抑制領域を正確に制御することは困難である。

［０００３］堆積装置用マスク構造、堆積装置、及び堆積装置の操作方法が提供される。マスク構造は、堆積プロセスにおいて基板上の膜抑制領域をより正確に且つより簡便に制御するため、互いに離間された第１セグメント群、及び互いに隣接する第１セグメント群と重複する第２セグメント群を含む。

［０００４］１つの態様では、堆積装置用マスク構造が提供される。マスク構造は、第１セグメント群及び第２セグメント群を含む。第１セグメント群は、中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間される。第２セグメント群は、第１セグメント群の上方に設けられる。第２セグメント群の各々は、中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する。

［０００５］１つの態様では、堆積装置が提供される。堆積装置は、プロセスチャンバ、ステージ及びマスク構造を含む。ステージは、少なくとも部分的にプロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含む。マスク構造は、プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆う。マスク構造は、第１セグメント群及び第２セグメント群を含む。第１セグメント群は、中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間される。第２セグメント群は、第１セグメント群の上方に設けられる。第２セグメント群の各々は、中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する。

［０００６］１つの態様では、堆積装置の操作方法が提供される。操作方法は、以下の工程を含む。堆積装置が準備される。堆積装置は、プロセスチャンバ、ステージ及びマスク構造を含む。ステージは、少なくとも部分的にプロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含む。マスク構造は、プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆う。マスク構造は、第１セグメント群及び第２セグメント群を含む。第１セグメント群は、中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間される。第２セグメント群は、第１セグメント群の上方に設けられる。第２セグメント群の各々は、中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する。第１セグメント群及び第２セグメント群の位置はそれぞれ、異なる堆積プロセスの間で水平方向に調整される。

［０００７］本発明のこれらの及び他の目的は、様々な図面において示された好適な実施の形態の以下の詳細な説明を読むことで当業者に明らかになるだろう。

［０００８］図１は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置を示す概略図である。 ［０００９］図２は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。 ［００１０］図３は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の断面視を示す概略図である。 ［００１１］図４－７は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法を示す概略図であって、図４は、第１堆積プロセスにおけるマスク構造と第１基板の位置を示す概略図であり、図５は、第１堆積プロセス後の第１基板を示す概略図であり、図６は、第２堆積プロセスにおけるマスク構造及び第２基板の位置を示す概略図であり、図７は、第２堆積プロセス後の第２基板を示す概略図である。 ［００１２］図８は、本発明の一実施の形態に係る堆積プロセス後のマスク構造を示す概略図である。 ［００１３］図９は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図である。 ［００１４］図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図である。 ［００１５］図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。 ［００１６］図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図である。 ［００１７］図１３は、本発明の第３の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図である。 ［００１８］図１４は、本発明の第３の実施の形態の形態における堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。 ［００１９］図１５は、本発明の第４の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。 ［００２０］図１６は、本発明の第４の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。 ［００２１］図１７は、本発明の第５の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。 ［００２２］図１８は、本発明の第６の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。

詳細な説明
［００２３］具体的な構造及び構成を説明するが、これは単に例示を目的とするものである。本開示の意図及び範囲を逸脱せずに他の構造や構成が可能であることは、当業者ならば理解するであろう。本発明が他の様々な形態において実施することも可能であることは、当業者ならば明らかなことであろう。

［００２４］明細書中の“一実施の形態”、“任意の実施の形態”、“幾つかの実施の形態”等への言及は、記載される実施の形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示しているが、各実施の形態がその特徴、構造、又は特性を必ず含む必要はない。さらに、そのような語句は必ずしも同じ実施の形態を指しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、特性が任意の実施の形態に関連して記載される場合、明確に記載されているか否かに関わらず、他の実施の形態に関連してそのような特徴、構造、又は特性に影響を与えることは当業者の知識の範囲内である。

［００２５］第１、第２等の語句は、様々な要素、構成部品、領域、層、及び／又は部分を説明するために使用されるが、これらの要素、構成部品、領域、層、及び／又は部分はこれらの語句に限定されないことを理解すべきである。これらの語句は、単に１つの要素、構成部品、領域、層、及び／又は部分を他のものと区別するために使用される。かくして、以下に記載される第１要素、構成部品、領域、層、又は部品は、本開示の記載から逸脱することなく、第２の要素、構成部品、領域、層、又は部品と呼ばれてもよい。

［００２６］“上に（ｏｎ）”、“より上に（ａｂｏｖｅ）”、及び“上方に（ｏｖｅｒ）”の意味は、“上に”が何かの“直上に”という意味だけでなく、中間の機能や層が間に挟まる何かの“上”の意味も含み、“より上に”や“上方に”は、何かの“より上”や“上方”の意味だけでなく、中間の機能や層が間に挟まらない何かの“より上”や“上方”（つまり、直上）の意味も含むことを理解されたい。

［００２７］図１は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置を示す概略図であり、図２は、本実施の形態における堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。図１及び図２に示すように、堆積装置用マスク構造２０が提供される。マスク構造２０は、複数の第１セグメント２２の群及び複数の第２セグメント２４の群を含む。第１セグメント２２群は、中心軸ＡＸを囲む方向（例えば、図２に示す方向Ｄ３）に配置され、互いに離間される。第２セグメント２４群は、第１セグメント２２群の上方に設けられる。第２セグメント２４群の各々は、中心軸ＡＸの延びる方向に平行な垂直方向Ｄ１において、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つと重複する。マスク構造２０は、図１に示す堆積装置１００等の堆積装置に使用され得るが、これに限定されない。言い換えると、本発明の堆積装置用マスク構造２０は、構造設計、堆積方法、及び／又は他の側面において堆積装置１００とは異なる堆積装置にも適用され得る。

［００２８］幾つかの実施の形態において、第２セグメント２４群もまた、中心軸ＡＸを囲む方向Ｄ３に配置されてよく、中心軸ＡＸを囲む方向Ｄ３は円周方向であってよいが、これに限定されない。第２セグメント２４群は、互いに離間されてよく、第２セグメント２４群の各々は、第１セグメント２２群から離間されてよい。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の各々や第２セグメント２４群の各々は、マスク構造２０の上面視（例えば、図２）で弓形であってよいが、これに限定されない。また、第２セグメント２４群の各々はさらに、垂直方向Ｄ１において第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間Ｇ１と重複してよく、垂直方向Ｄ１における第２セグメント２４群の各々の投影面積（例えば、図２に示す第２セグメント２４群の１つの面積）は、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２群の各々の投影面積（例えば、図２に示す第１セグメント２２群の１つの面積）よりも小さくてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群は、マスク構造２０の比較的大きな面積を有する主セグメント群としてみなしてよく、第２セグメント２４群は、マスク構造２０において比較的小さな面積を有する副セグメント群とみなしてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、垂直方向Ｄ１における第２セグメント２４群の各々の投影面積は、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２群の各々の投影面積以下であってよい。幾つかの実施の形態において、水平方向（垂直方向Ｄ１に直交する水平面の半径方向）において、第２セグメント２４群の各々の外周サイズは、第１セグメント群の各々の外周サイズよりも大きくてよい。

［００２９］幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の各々の材料や第２セグメント２４群の各々の材料は、高い耐熱性、低い熱膨張係数、及び／又は堆積材料とマスク構造２０との間の反応を回避するための高い安定性を有する石英、金属、又は他の好適な材料を含んでよい。幾つかの実施の形態において、設計計画に応じて、第２セグメント２４群の各々の材料組成は、第１セグメント２２群の各々と同じ材料組成でも異なる材料組成でもよい。幾つかの実施の形態において、マスク構造２０における第２セグメント２４群の数は、マスク構造２０における第１セグメント２２群の数と等しくてよい。例えば、マスク構造２０における第１セグメント２２群の数及び第２セグメント２４群の数はそれぞれ４つとされてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、堆積プロセスにおける基板上の膜抑制領域をより正確に制御するため、マスク構造２０における第１セグメント２２群の数及び第２セグメント２４群の数を増やしてもよい。

［００３０］図１および図２に示すように、幾つかの実施の形態において、堆積装置１００は、プロセスチャンバ９０、ステージ１０、及び上述のマスク構造２０を含んでよい。ステージ１０は、少なくとも部分的にプロセスチャンバ９０内に設けられ、基板１２の保持構造１０Ｓを含む。マスク構造２０は、プロセスチャンバ９０内に配置され、ステージ１０の上方に位置し、ステージ１０上に保持される基板１２の周辺領域ＰＲを覆う。堆積装置１００は、プロセスチャンバ９０内に運ばれてステージ１０上に配置される基板１２に堆積プロセスを実施し、基板１２上に堆積膜を形成するために使用され得る。幾つかの実施の形態において、堆積装置１００は、スパッタリング堆積装置又は他の物理気相成長を実施することができる堆積装置を含み得る。

［００３１］幾つかの実施の形態において、中心軸ＡＸの少なくとも一部は、ステージ１０の上方に位置し、ステージ１０の上面に直交する方向に延びてよい。幾つかの実施の形態において、中心軸ＡＸは、ステージ１０の少なくとも一部を貫通してよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、ステージ１０上に配置される基板１２の中心点は、垂直方向Ｄ１において中心軸ＡＸと重複してよいが、これに限定されない。基板１２の中心点は、基板１２の幾何学中心、質量中心、及び／又は重心であってよい。基板１２は半導体基板又は非半導体基板を含んでよい。上述の半導体基板は、シリコン基板、エピタキシャルシリコン基板、シリコンゲルマニウム基板、炭化ケイ素基板、又はＳｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ）基板を含んでよいが、これに限定されない。上述の非半導体基板は、ガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板、ステンレス基板、又は他の好適な材料で形成された基板を含んでよい。

［００３２］幾つかの実施の形態において、堆積装置１００はさらに、複数の第１支持構造３２の群と複数の第２支持構造３４の群を含んでよい。第１支持構造３２群の各々は、第１セグメント２２群のうちの少なくとも１つと接続されてよく、第２支持構造３４群の各々は、第２セグメント２４群のうちの少なくとも１つと接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２群の各々は、対応する第１セグメント２２の下に位置されてよく、第２支持構造３４群の各々は、対応する第２セグメント２４の下に位置され、少なくともその一部が方向Ｄ３において第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間Ｇ１に位置されてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２群及び第２支持構造３４群は、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群を支持すると共に、それぞれ第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群を垂直に（例えば、垂直方向に）及び／又は水平に（例えば、図１に示す水平方向Ｄ２に）移動するために使用されてよい。

［００３３］例えば、図１及び図２に示すように、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２１に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２２に可動であってよく、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２３に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２４に可動であってよく、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２５に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２６に可動であってよく、第１セグメント２２群のうちの１つは水平方向Ｄ２７に可動であってよく、第２セグメント２４群のうちの１つは水平方向Ｄ２８に可動であってよいが、これらに限定されない。水平方向Ｄ２１－Ｄ２８は、中心軸ＡＸから外向きの半径方向とみなしてよいが、これに限定されない。言い換えると、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸに向かう方向又は中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、マスク構造２０が重複する基板１２の領域を制御するため、上述の水平方向における中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、上述の水平方向における中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と実質的に等しくてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、例えば、中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と許容差±２％で実質的に等しくてよい。言い換えると、好適には、中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と等しくてよいが、動作上不可避な誤差のため、中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離の０．９８倍から１．０２倍の範囲であってよい。幾つかの実施の形態において、中心軸ＡＸと第１セグメント群の各々の内縁Ｅ１との間の距離は、中心軸ＡＸと第２セグメント群の各々の内縁Ｅ２との間の距離と少なくとも部分的に等しい。

［００３４］図３は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造２０の断面視を示す概略図である。図１－３に示すように、幾つかの実施の形態において、第２支持構造３４のスペースの確保及び／又は第２セグメント２４群が水平方向に移動する経路上の堆積膜の蓄積を回避するため、水平方向における第１セグメント２２群の各々の長さＬ１は、水平方向における第２セグメント２４群の各々の長さＬ２よりも短くてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の各々の内壁ＳＷ１１及び第２セグメント２４群の各々の内壁ＳＷ２１の上に堆積される堆積膜が内壁ＳＷ１１及び内壁ＳＷ２１から剥離しないように、内壁ＳＷ１１及び内壁ＳＷ２１にそれぞれ傾斜を持たせてもよく、また、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の上に形成される堆積膜の総量を少なくするために、第１セグメント２２群の各々の外壁ＳＷ１２及び第２セグメント２４群の各々の外壁ＳＷ２２にそれぞれ傾斜を持たせてもよい。また、本明細書において、水平方向における、中心軸ＡＸと、相対的に内側の位置及び／又は相対的に内側の部分との間の距離は、水平方向における、中心軸ＡＸと、相対的に外側の位置及び／又は相対的に外側の部分との間の距離よりも短い。各対象の内側部は、対象の外側部よりも、水平方向において中心軸ＡＸに近くてよい。

［００３５］また、特に垂直方向Ｄ１における各第１セグメント２２の投影面積が垂直方向Ｄ１における各第２セグメント２４の投影面積と異なる場合、各第１セグメント２２上に形成される堆積膜と各第２セグメント２４上に形成される堆積膜との堆積量の差を小さくするため、内壁ＳＷ１１は内壁ＳＷ２１と異なる傾斜を有してもよい。例えば、内壁ＳＷ２１の傾斜は、内壁ＳＷ１１の傾斜よりも小さくてよく、内壁ＳＷ２１と第２セグメント２４の下面との挟角は、内壁ＳＷ１１と第１セグメント２２の下面との挟角よりも小さくてよいが、これに限定されない。しかしながら、本発明における第１セグメント２２及び第２セグメント２４の形状は、図３に示す形状に限定されず、他の設計計画に応じて他の好適な形状が適用されてよい。また、第１セグメント２２と第２セグメント２４を離間するために、垂直方向Ｄ１において第１セグメント２２と第２セグメント２４との間には隙間Ｇ２があってよく、上述の膜抑制領域を制御するうえでの第２セグメント２４群の影響を減らすために、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２と第２セグメント２４との間の距離ＤＳ３が調整されてもよい。例えば、垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２と第２セグメント２４との間の距離ＤＳ３は、０．０１ｍｍから６ｍｍの範囲であってよいが、これに限定されない。

［００３６］図４－７は、本実施の形態における堆積装置の操作方法を示す概略図であって、図４は、第１堆積プロセスにおけるマスク構造２０と第１基板１２Ａの位置を示す概略図であり、図５は、第１堆積プロセス後の第１基板１２Ａを示す概略図であり、図６は、第２堆積プロセスにおけるマスク構造２０及び第２基板１２Ｂの位置を示す概略図であり、図７は、第２堆積プロセス後の第２基板１２Ｂを示す概略図である。図１及び図４－７に示すように、堆積装置１００の操作方法は、次の工程を含むが、これに限定されない。まず、上述の堆積装置１００が準備される。次に、複数の基板１２の各々に堆積プロセスが実施される。例えば、図１、図４、図５に示すように、第１基板１２Ａ上に堆積膜１４Ａを形成するために堆積装置１００によって第１堆積プロセスが第１基板１２Ａに実施されてよく、第１堆積プロセス後の第１基板１２Ａの周辺領域ＰＲ上に第１膜抑制領域ＳＲ１が形成されてよい。第１堆積プロセスにおいて、第１基板１２Ａの周辺領域ＰＲの少なくとも一部を覆うマスク構造２０により、堆積膜１４Ａが第１膜抑制領域ＳＲ１上に形成されることが抑えられ、従って、第１堆積プロセスにおいて、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置に対応して第１膜抑制領域ＳＲ１が形成され得る。図１、図６、図７に示すように、第２基板１２Ｂ上に堆積膜１４Ｂを形成するために堆積装置１００によって第２堆積プロセスが第２基板１２Ｂに実施されてよく、第２堆積プロセス後の第２基板１２Ｂの周辺領域ＰＲ上に第２膜抑制領域ＳＲ２が形成されてよい。第２堆積プロセスにおいて、第２基板１２Ｂの周辺領域ＰＲの少なくとも一部を覆うマスク構造２０により、堆積膜１４Ｂが第２膜抑制領域ＳＲ２上に形成されることが抑えられ、従って、第２堆積プロセスにおいて、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置に対応して第２膜抑制領域ＳＲ２が形成され得る。幾つかの実施の形態において、基板１２及び／又は基板１２上に形成される材料を保護するために、マスク構造２０は、基板１２と直接接することなく離間される。

［００３７］図１及び図４－７に示すように、幾つかの実施の形態において、堆積プロセス（例えば、上述の第１堆積プロセスや第２堆積プロセス）の間、ステージ１０上に配置される基板１２の中心点ＣＰは、垂直方向Ｄ１において中心軸ＡＸと重複してよく、各堆積プロセスにおいて、第１セグメント２２群の１つの内縁Ｅ１と中心軸ＡＸとの間の距離は、第２セグメント２４群の１つの内縁と中心軸ＡＸとの間の距離と実質的に等しくてよい。例えば、第１堆積プロセス（図４に図示）において、水平方向における中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１は、水平方向における中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２と実質的に等しくてよい。言い換えると、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１は、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２と少なくとも部分的に等しくてよい。第２堆積プロセス（図６に図示）において、水平方向における中心軸ＡＸと第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１’は、水平方向における中心軸ＡＸと第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２’と実質的に等しくてよい。言い換えると、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第１セグメント２２群の各々の内縁Ｅ１との間の距離ＤＳ１’は、水平方向における中心軸ＡＸと弓形に反った形状で示された第２セグメント２４群の各々の内縁Ｅ２との間の距離ＤＳ２’と少なくとも部分的に等しくてよい。

［００３８］幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置はそれぞれ、異なる堆積プロセス（例えば、上述の第１堆積プロセス及び第２堆積プロセス）の間で水平方向に調整されてもよい。例えば、幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスは、第２堆積プロセスの前に実施されてよく、第２堆積プロセスにおいてマスク構造２０が重複する基板１２の面積を小さくするため、第１堆積プロセス後で第２堆積プロセスの前に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよい。言い換えると、第１堆積プロセスにおける第１セグメント２２群のうちの１つの内縁Ｅ１と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ１は、第２堆積プロセスにおける該第１セグメント２２の内縁Ｅ１と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ１’と異なる距離でよく、第１堆積プロセスにおける第２セグメント２４群のうちの１つの内縁Ｅ２と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ２は、第２堆積プロセスにおける該第２セグメント２４の内縁Ｅ２と中心軸ＡＸとの間の距離ＤＳ２’と異なる距離でよい。幾つかの実施の形態において、第１基板１２Ａ上に形成される第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、第２基板１２Ｂ上に形成される第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２よりも大きくてよいが、これに限定されない。言い換えると、第２膜抑制領域ＳＲ２は、第１膜抑制領域ＳＲ１と異なってよいが、これに限定されない。

［００３９］幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスは、第２堆積プロセスの後に実施されてよく、第１堆積プロセスにおいてマスク構造２０が重複する基板１２の面積を大きくするため、第２堆積プロセス後で第１堆積プロセスの前に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸに近づく方向に移動されてよい。言い換えると、基板１２の各々の上に形成される膜抑制領域ＳＲを制御するため、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群はそれぞれ、中心軸ＡＸに近づく方向に又は中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスと第２堆積プロセスとの間で第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置がそれぞれ水平方向に調整されることにより、第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２と異なってもよい。言い換えると、異なる堆積プロセス用の従来のクランプリングの変更による手間を取られずに、本発明の堆積装置では、膜抑制領域に関して異なる要件を有する堆積プロセスが順次実施され得る。従って、堆積装置のスループットが向上され得る。

［００４０］図８は、本発明の一実施の形態に係る堆積プロセス後のマスク構造を示す概略図である。図８に示すように、複数回の堆積プロセス後、堆積膜１４は、第１セグメント２２及び第２セグメント２４の上に蓄積され、第１セグメント２２及び第２セグメント２４の内縁に蓄積した堆積膜１４は、堆積プロセスにおいて基板上の重複領域に影響を及ぼす可能性がある。従って、幾つかの実施の形態において、各基板上に形成される膜抑制領域を実質的に維持するため、第１セグメント群及び第２セグメント群の位置はそれぞれ、異なる堆積プロセスの間で水平方向に調整されてよい。例えば、図４－８に示すように、幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスが第２堆積プロセスの前に実施され、第２堆積プロセスにおけるマスク構造２０とマスク構造２０上に形成される堆積膜１４が重複する第２基板１２Ｂの領域が、第１堆積プロセスにおけるマスク構造２０とマスク構造２０上に形成される堆積膜１４が重複する第１基板１２Ａの領域に実質的に一致するように、第１堆積プロセス後で第２堆積プロセスの前に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群がそれぞれ中心軸ＡＸから遠ざかる方向に移動されてよい。言い換えると、第１堆積プロセス後で第２堆積プロセスの前に第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置を水平方向に調整する場合において、第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２と実質的に等しくてよい。幾つかの実施の形態において、例えば、第１膜抑制領域ＳＲ１の幅Ｗ１は、許容差±１０％で第２膜抑制領域ＳＲ２の幅Ｗ２と実質的に等しくてよい。言い換えると、幅Ｗ１は幅Ｗ２と等しくてよく、或いは、不可避なプロセス変化のため、幅Ｗ１は幅Ｗ２の０．９倍から１．１倍の範囲であってよい。例えば、許容範囲内に収まるように、マスク構造２０の第１セグメント２２群の数及び第２セグメント２４群の数はそれぞれ、５つ以上に増やされてよいが、これに限定されない。

［００４１］幾つかの実施の形態において、第１堆積プロセスと第２堆積プロセスとの間に実施される堆積プロセス後に、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の内縁に蓄積した堆積膜１４に応じて、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置が水平方向に調整されてよい。例えば、幾つかの実施の形態において、堆積装置の累積消費電力と係数を積算して第１セグメント２２及び／又は第２セグメント２４の内縁に蓄積した堆積膜１４の幅Ｗ３が算出されてよく、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群が幅Ｗ３に対応する距離だけ中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の位置は、第１堆積プロセスと第２堆積プロセスとの間に実施される堆積プロセスの間で次第に調整されていってよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２及び／又は第２セグメント２４の内縁に蓄積した堆積膜１４について算出した幅Ｗ３は、マスク構造２０が交換及び／又は清掃されるべきか否かの判断基準として使用可能である。

［００４２］図９は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図であり、図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図である。図９及び図１０に示すように、堆積装置はさらに、複数のリフト構造４０、及び搭載構造５０を含んでよい。幾つかの実施の形態において、リフト構造４０は、基板１２を持ち上げる又は保持構造１０Ｓ上に基板１２を配置するため、垂直方向に可動であってよく、搭載構造５０は、基板１２をプロセスチャンバ９０内に運び、そして基板１２をプロセスチャンバ９０外に運ぶために使用されてよい。本発明の一実施の形態に係る搭載動作において、リフト構造４０は基板１２を保持構造１０Ｓから離れた位置まで持ち上げるため、保持構造１０Ｓを貫通してよく、搭載構造５０は、基板１２に実施される堆積プロセス後に基板１２をプロセスチャンバ９０外に運ぶため、基板１２と保持構造１０Ｓとの間のスペースまで延びてよい。同様に、基板１２は、搭載構造５０によってプロセスチャンバ９０内に運ばれてリフト構造４０上に配置されてよく、搭載構造５０がプロセスチャンバ９０外に移動された後、リフト構造４０は、基板１２を保持構造１０Ｓ上に配置するために下方に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、上述の搭載動作との干渉を防ぐため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、第１支持構造３２群、第２支持構造３４群、及び／又は他の機械的構造（図示せず）によって水平方向に及び／又は垂直方向に移動されてよい。例えば、垂直方向Ｄ１において基板１２と重複を防ぐため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、水平方向に移動されてよく、上述の搭載動作の間、リフト構造４０によって持ち上げられる基板１２の位置は、垂直方向Ｄ１におけるマスク構造２０の位置よりも高くされてよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、上述の搭載動作のため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、上方に移動されずに中心軸ＡＸから離れる方向に移動されてよく、又は中心軸ＡＸから離れる方向に移動されて僅かに上方に移動されてよい。

［００４３］因みに、本発明に係る堆積装置の操作方法における搭載動作は上述の方法に限定されず、他の好適な搭載動作を本発明に係る堆積装置の操作方法における搭載動作にも適用できる。

［００４４］本発明の他の実施の形態を説明する。説明の簡素化のため、以下の実施の形態の各々において同一の要素には同一の符号が付されている。実施の形態間の相違点を容易に理解するため、異なる実施の形態での相違点を詳細に説明し、同一の特徴についての説明は省略する。

［００４５］図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の上面視を示す概略図である。図１１に示すように、本実施の形態の堆積装置では、第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群の支持性能の向上のため、２つ以上の第１支持構造３２が第１セグメント２２群のうちの１つに接続されてよく、２つ以上の第２支持構造３４が第２セグメント２４群のうちの１つに接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２群の移動への干渉を防ぐため、第２支持構造３４は、対応する第２セグメント２４の外側部分の下に設けられてよいが、これに限定されない。

［００４６］図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す概略図であり、図１３は、本実施の形態に係る堆積装置の操作方法における搭載動作を示す上面視の概略図であり、図１４は、本実施の形態における堆積装置用マスク構造２０の一部を示す概略図である。図１２及び図１３に示すように、本実施の形態の搭載動作において、リフト構造４０は、基板１２を保持構造１０Ｓから離れた位置まで持ち上げるため、保持構造１０Ｓを貫通してよく、搭載構造５０は、基板１２に実施される堆積プロセス後に基板１２をプロセスチャンバ９０外に運ぶために、基板１２と保持構造１０Ｓとの間のスペースに延びてよい。同様に、基板１２は、搭載構造５０によってプロセスチャンバ９０内に運ばれてリフト構造４０上に配置されてよく、搭載構造５０がプロセスチャンバ９０外に移動された後、リフト構造４０は、基板１２を保持構造１０Ｓ上に配置するために下方に移動されてよい。幾つかの実施の形態において、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、上述の搭載動作の前に第１支持構造３２群、第２支持構造３４群、及び／又は他の機械的構造によって水平方向に移動されてよい。例えば、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、垂直方向Ｄ１において基板１２と重複したまま上方に移動されてよく、上述の搭載動作の間、リフト構造４０によって持ち上げられる基板１２の位置は、垂直方向Ｄ１においてマスク構造２０の位置よりも低くされてよいが、これに限定されない。

［００４７］図１３及び図１４に示すように、本実施の形態において、上述の搭載動作への干渉を防ぐため、第１支持構造３２群のうちの１つの一部は、垂直方向Ｄ１において第２セグメント２４群のうちの１つの下方に設けられてよく、第２支持構造３４群のうちの１つの一部は、垂直方向Ｄ１において第１セグメント２２群のうちの１つの下方に設けられてよい。例えば、幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２群のうちの１つは、第１部分３２Ａ、第２部分３２Ｂ、及び第３部分３２Ｃを含んでよく、第２支持構造３４群の各々は、第１部分３４Ａと、第２部分３４Ｂと、第３部分３４Ｃとを含んでよい。第１支持構造３２の第１部分３２Ａは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第１セグメント２２の下に設けられてよく、第１支持構造３２の第２部分３２Ｂは、中心軸ＡＸを囲む方向に延び、一部が対応する第１セグメント２２の下方に設けられ、一部が１つの第２セグメント２４の下方に設けられ、一部が対応する第１セグメント２２に隣接する他の第１セグメント２２の下方に設けられてよく、第１支持構造３２の第３部分３２Ｃは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第１セグメント２２に隣接する該他の第１セグメント２２の下方に設けられてよい。第１部分３２Ａは、対応する第１セグメント２２に直接接続されてよく、第２部分３２Ｂは、第１部分３２Ａ及び第３部分３２Ｃを接続するため、第１部分３２Ａと第３部分３２Ｃとの間に設けられてよい。また、第２支持構造３４の第１部分３４Ａは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第２セグメント２４の下に設けられてよく、第２支持構造３４の第２部分３４Ｂは、中心軸ＡＸを囲む方向に延び、一部が対応する第２セグメント２４の下方に設けられ、一部が対応する第２セグメント２４に隣接する１つの第１セグメント２２の下方に設けられてよく、第２支持構造３４の第３部分３４Ｃは、垂直方向Ｄ１に延び、対応する第２セグメント２４に隣接する１つの第１セグメント２２の下方に設けられてよい。第１部分３４Ａは、対応する第２セグメント２４に直接接続されてよく、第２部分３４Ｂは、第１部分３４Ａ及び第３部分３４Ｃを接続するため、第１部分３４Ａと第３部分３４Ｃとの間に設けられてよい。

［００４８］第１支持構造３２群のうちの少なくとも幾つか及び第２支持構造３４群のうちの少なくとも幾つかの構造を図１３及び図１４に示すように変更することにより、上述の搭載動作時の搭載構造５０及び搭載構造５０上に配置される基板１２の動きが、第１支持構造３２群や第２支持構造３４群によって干渉されることが回避されるようになる。従って、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、上述の搭載動作のために、垂直方向Ｄ１において基板１２と重複しない位置まで中心軸ＡＸから離れる方向に移動される必要がなく、そのため、本実施の形態のプロセスチャンバ９０のサイズは、低減されてもよい。幾つかの実施の形態において、上述の搭載動作のため、マスク構造２０の第１セグメント２２群及び第２セグメント２４群は、中心軸ＡＸから離れる方向に移動されずに上方に移動されてよく、又は上方に移動されて中心軸ＡＸから離れる方向に僅かに移動されてもよい。

［００４９］図１５は、本発明の第４の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造２０の上面視を示す概略図であり、図１６は、本実施の形態のマスク構造２０の一部を示す概略図である。図１５及び図１６に示すように、第１支持構造３２群のうちの１つは、２つの第１部分３２Ａ，第２部分３２Ｂ，第３部分３２Ｃ，第４部分３２Ｄ、及び第５部分３２Ｅを含んでよい。図の簡略化のため、図１５では、図１６に示す第２部分３２Ｂ、第３部分３２Ｃ、及び第５部分３２Ｅの図示は省略されている。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２の第４部分３２Ｄは、中心軸ＡＸを囲む方向に延び、対応する第１セグメント２２の下方に設けられてよく、第１支持構造３２の第５部分３２Ｅは、垂直方向Ｄ１に延び、第４部分３２Ｄと第２部分３２Ｂとの間に設けられてよい。第４部分３２Ｄは、２つの第１部分３２Ａにそれぞれ接続されてよく、第５部分３２Ｅは、第４部分３２Ｄ及び第２部分３２Ｂにそれぞれ接続されてよい。１つの第１セグメント２２に接続される複数の第１部分３２Ａが設けられることで、第１支持構造３２の支持強度及び／又は支持安定性が向上され得る。

［００５０］図１７は、本発明の第５の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造の一部を示す概略図である。図１７に示すように、第１支持構造３２は、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つに接続されてよい。例えば、第１支持構造３２は、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つにそれぞれ接続された２つの第１部分３２Ａを有してよく、第１支持構造３２の第２部分３２Ｂは、その２つの第１部分３２Ａに接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第１支持構造３２の簡略化、そして上述の搭載動作への干渉の回避のため、第１支持構造３２群のうち少なくとも１つは、第１セグメント２２群のうちの互いに隣接する２つに接続されてよい。幾つかの実施の形態において、第２部分３２Ｂに接続された異なる第１セグメント２２群を水平方向に移動して対応する膜抑制領域の幅を維持するため、この第２部分３２Ｂは、伸縮可能とされてよい。

［００５１］図１８は、本発明の第６の実施の形態に係る堆積装置用マスク構造２０の一部を示す概略図である。図１８に示すように、本実施の形態において、水平方向における第１セグメント２２の長さＬ１は、水平方向における第２セグメント２４の長さＬ２よりも長くてよく、第２セグメント２４に対応する第２支持構造は、２つの隣接する第１セグメント２２の間に設けられてよい。幾つかの実施の形態において、水平方向（垂直方向Ｄ１に直交する水平面における半径方向）において、第１セグメント２２群の各々の外周サイズは、第２セグメント２４群の各々の外周サイズよりも大きくてよい。幾つかの実施の形態において、第１セグメント２２上に堆積する堆積膜による、第２セグメント２４が水平方向に移動する経路への干渉を回避するため、マスク構造２０を清掃する頻度が増やされ及び／又は垂直方向Ｄ１における第１セグメント２２と第２セグメント２４との間の隙間Ｇ２が比較的大きくされてもよいが、これに限定されない。幾つかの実施の形態において、プロセスチャンバ９０のサイズは低減されてもよく、第２セグメント２４は比較的小さくなることで軽量化されてもよいが、これに限定されない。

［００５２］以上より、本発明の堆積装置用マスク構造、堆積装置、及び堆積装置の操作方法によると、堆積プロセスにおいて基板上の膜抑制領域をより正確に且つより簡便に制御するため、互いに離間された第１セグメント群と、互いに隣接する第１セグメント群と重複する第２セグメント群とを含むマスク構造が使用される。

［００５３］本発明の教示を維持しながら装置及び方法の様々な変更や変形を行い得ることが当業者に容易に明らかとなるであろう。従って、上記の開示は、添付の請求項の境界及び範囲によってのみ限定されるとして解釈するべきである。

以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間された第１セグメント群と、
前記第１セグメント群の上方に設けられ、各々が、前記中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する第２セグメント群と
を含むことを特徴とする堆積装置用マスク構造。
（付記２） 前記第２セグメント群の各々は、前記垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間と重複することを特徴とする付記１に記載の堆積装置用マスク構造。
（付記３） 前記第２セグメント群の各々は、前記第１セグメント群から離間されていることを特徴とする付記１又は２に記載の堆積装置用マスク構造。
（付記４） 前記垂直方向における前記第２セグメント群の各々の投影面積は、前記垂直方向における前記第１セグメント群の各々の投影面積よりも小さいことを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の堆積装置用マスク構造。
（付記５） 前記中心軸を囲む方向は、円周方向であることを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の堆積装置用マスク構造。
（付記６） 前記中心軸から外側に向かう半径方向における前記第１セグメント群の各々の長さは、前記中心軸から外側に向かう半径方向における前記第２セグメント群の各々の長さ未満であることを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の堆積装置用マスク構造。

（付記７） プロセスチャンバと、
少なくとも部分的に前記プロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含むステージと、
前記プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆うマスク構造と
を含み、
前記マスク構造は、
中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間された第１セグメント群と、
前記第１セグメント群の上方に設けられ、各々が、前記中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する第２セグメント群と
を含むことを特徴とする堆積装置。
（付記８） 前記中心軸の少なくとも一部は、前記ステージの上方に設けられ、前記ステージの上面に直交する方向に延びることを特徴とする付記７に記載の堆積装置。
（付記９） 各々が前記第１セグメント群のうちの少なくとも１つと接続される第１支持構造群と、
各々が前記第２セグメント群のうちの少なくとも１つと接続される第２支持構造群と
を含むことを特徴とする付記７又は８に記載の堆積装置。
（付記１０） 前記第２支持構造群のうちの１つの一部は、前記垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの１つの下に設けられることを特徴とする付記９に記載の堆積装置。
（付記１１） 前記第１支持構造群のうちの１つの一部は、前記垂直方向において、前記第２セグメント群のうちの１つの下に設けられることを特徴とする付記９又は１０に記載の堆積装置。
（付記１２） 前記第２セグメント群の各々は、前記垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間と重複することを特徴とする付記７乃至１１のいずれかに記載の堆積装置。
（付記１３） 前記第２セグメント群の各々は、前記第１セグメント群から離間されていることを特徴とする付記７乃至１２のいずれかに記載の堆積装置。
（付記１４） 前記基板の中心点は、前記垂直方向において、前記中心軸と重複することを特徴とする付記７乃至１３のいずれかに記載の堆積装置。

（付記１５） プロセスチャンバと、
少なくとも部分的に前記プロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含むステージと、
前記プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆うマスク構造と
を含み、
前記マスク構造は、
中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間された第１セグメント群と、
前記第１セグメント群の上方に設けられ、各々が、前記中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する第２セグメント群と
を含む堆積装置を準備する工程と、
異なる堆積プロセスの間で前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置をそれぞれ水平方向に調整する工程と
を含むことを特徴とする堆積装置の操作方法。
（付記１６） 前記堆積プロセスの各々において、前記第１セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離は、前記第２セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離と少なくとも部分的に等しいことを特徴とする付記１５に記載の堆積装置の操作方法。
（付記１７） 第１基板に第１堆積プロセスを実施する工程と、
第２基板に第２堆積プロセスを実施する工程と
を含み、
前記第１堆積プロセス後、前記第１基板の周辺領域上に第１膜抑制領域が形成され、前記第１膜抑制領域は、前記第１堆積プロセスにおける前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置に対応して形成され、
前記第２堆積プロセス後、前記第２基板の周辺領域上に第２膜抑制領域が形成され、前記第２膜抑制領域は、前記第２堆積プロセスにおける前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置に対応して形成される
ことを特徴とする付記１５又は１６に記載の堆積装置の操作方法。
（付記１８） 前記第１堆積プロセスにおける前記第１セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離は、前記第２堆積プロセスにおける前記第１セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離とは異なることを特徴とする付記１７に記載の堆積装置の操作方法。
（付記１９） 前記第１膜抑制領域の幅は、前記第２膜抑制領域の幅とは異なることを特徴とする付記１７又は１８に記載の堆積装置の操作方法。
（付記２０） 異なる堆積プロセスの間で前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置をそれぞれ水平方向に調整する工程は、
前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群をそれぞれ前記中心軸に向かう方向又は前記中心軸から離れる方向に移動する工程を含むことを特徴とする付記１５乃至１９のいずれかに記載の堆積装置の操作方法。

１０ ステージ
１０Ｓ 保持構造
１２ 基板
２０ マスク構造
２２ 第１セグメント
２４ 第２セグメント
３２ 第１支持構造
３４ 第２支持構造
４０ リフト構造
５０ 搭載構造
９０ プロセスチャンバ
１００ 堆積装置
ＡＸ 中心軸
Ｄ１ 垂直方向
Ｄ２ 水平方向
Ｅ１，Ｅ２ 内縁
ＰＲ 周辺領域
ＳＲ 膜抑制領域

特開２００７－３１８１２１号公報 特開２０１８－１５４８５１号公報 特開２００５－１２０４１０号公報 特開２０１３－２４６３５２号公報 特開２０１３－２５３３１６号公報 特開平８－１８６０７４号公報 特開平１１－１５００８５号公報 特開２０１３－１６２０７５号公報 米国特許出願公開第２０１７／００６２２４６号明細書 特開２０００－７７５０６号公報 特開平８－７８５０９号公報 特開平８－２６４４４９号公報 特開平９－２４６１８７号公報

Claims (20)

1. 中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間された第１セグメント群と、
   前記第１セグメント群の上方に設けられ、各々が、前記中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する第２セグメント群と
   を含むことを特徴とする堆積装置用マスク構造。
2. 前記第２セグメント群の各々は、前記垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間と重複することを特徴とする請求項１に記載の堆積装置用マスク構造。
3. 前記第２セグメント群の各々は、前記第１セグメント群から離間されていることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置用マスク構造。
4. 前記垂直方向における前記第２セグメント群の各々の投影面積は、前記垂直方向における前記第１セグメント群の各々の投影面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の堆積装置用マスク構造。
5. 前記中心軸を囲む方向は、円周方向であることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置用マスク構造。
6. 前記中心軸から外側に向かう半径方向における前記第１セグメント群の各々の長さは、前記中心軸から外側に向かう半径方向における前記第２セグメント群の各々の長さ未満であることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置用マスク構造。
7. プロセスチャンバと、
   少なくとも部分的に前記プロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含むステージと、
   前記プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆うマスク構造と
   を含み、
   前記マスク構造は、
   中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間された第１セグメント群と、
   前記第１セグメント群の上方に設けられ、各々が、前記中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する第２セグメント群と
   を含むことを特徴とする堆積装置。
8. 前記中心軸の少なくとも一部は、前記ステージの上方に設けられ、前記ステージの上面に直交する方向に延びることを特徴とする請求項７に記載の堆積装置。
9. 各々が前記第１セグメント群のうちの少なくとも１つと接続される第１支持構造群と、
   各々が前記第２セグメント群のうちの少なくとも１つと接続される第２支持構造群と
   を含むことを特徴とする請求項７に記載の堆積装置。
10. 前記第２支持構造群のうちの１つの一部は、前記垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの１つの下に設けられることを特徴とする請求項９に記載の堆積装置。
11. 前記第１支持構造群のうちの１つの一部は、前記垂直方向において、前記第２セグメント群のうちの１つの下に設けられることを特徴とする請求項９に記載の堆積装置。
12. 前記第２セグメント群の各々は、前記垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つの間の隙間と重複することを特徴とする請求項７に記載の堆積装置。
13. 前記第２セグメント群の各々は、前記第１セグメント群から離間されていることを特徴とする請求項７に記載の堆積装置。
14. 前記基板の中心点は、前記垂直方向において、前記中心軸と重複することを特徴とする請求項７に記載の堆積装置。
15. プロセスチャンバと、
    少なくとも部分的に前記プロセスチャンバ内に設けられ、基板の保持構造を含むステージと、
    前記プロセスチャンバ内に設けられ、ステージの上方に位置し、ステージ上に保持される基板の周辺領域を覆うマスク構造と
    を含み、
    前記マスク構造は、
    中心軸を囲む方向に設けられ、互いに離間された第１セグメント群と、
    前記第１セグメント群の上方に設けられ、各々が、前記中心軸の延びる方向と平行な垂直方向において、前記第１セグメント群のうちの互いに隣接する２つと重複する第２セグメント群と
    を含む堆積装置を準備する工程と、
    異なる堆積プロセスの間で前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置をそれぞれ水平方向に調整する工程と
    を含むことを特徴とする堆積装置の操作方法。
16. 前記堆積プロセスの各々において、前記第１セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離は、前記第２セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離と少なくとも部分的に等しいことを特徴とする請求項１５に記載の堆積装置の操作方法。
17. 第１基板に第１堆積プロセスを実施する工程と、
    第２基板に第２堆積プロセスを実施する工程と
    を含み、
    前記第１堆積プロセス後、前記第１基板の周辺領域上に第１膜抑制領域が形成され、前記第１膜抑制領域は、前記第１堆積プロセスにおける前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置に対応して形成され、
    前記第２堆積プロセス後、前記第２基板の周辺領域上に第２膜抑制領域が形成され、前記第２膜抑制領域は、前記第２堆積プロセスにおける前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置に対応して形成される
    ことを特徴とする請求項１５に記載の堆積装置の操作方法。
18. 前記第１堆積プロセスにおける前記第１セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離は、前記第２堆積プロセスにおける前記第１セグメント群のうちの１つの内縁と前記中心軸との間の距離とは異なることを特徴とする請求項１７に記載の堆積装置の操作方法。
19. 前記第１膜抑制領域の幅は、前記第２膜抑制領域の幅とは異なることを特徴とする請求項１７に記載の堆積装置の操作方法。
20. 異なる堆積プロセスの間で前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群の位置をそれぞれ水平方向に調整する工程は、
    前記第１セグメント群及び前記第２セグメント群をそれぞれ前記中心軸に向かう方向又は前記中心軸から離れる方向に移動する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の堆積装置の操作方法。
    

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