CN103748255B - 遮蔽配置、使用遮蔽配置来沉积层体的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
描述了一种遮蔽配置（300），用以在层沉积时遮蔽基板。遮蔽配置包括掩模结构（340），所述掩模结构形成开口，用以在层沉积时暴露出基板，还包括保护遮罩（150），所述保护遮罩邻接掩模结构，所述保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布，且其中在保护遮罩与掩模结构之间形成有界面（360），并且其中所述掩模结构包括顶部（342），所述顶部延伸超出所述界面，且其中顶部与部分的保护遮罩形成间隙（344）。
Description
技术领域
本发明的实施例有关于遮蔽配置(maskingarrangement)和/或用于层沉积(layerdeposition)的掩模，以及使用遮蔽配置和/或掩模进行层沉积的方法。本发明的实施例特别有关于边缘排除掩模(edgeexclusionmasks)，以及利用边缘排除掩模进行层沉积的方法，特别是在层沉积时用以遮蔽基板的遮蔽配置，在基板上用以沉积一层体的装置，以及在基板上沉积层体的方法。
背景技术
已知有数种方法可在基板上沉积材料，例如，可以在基板上利用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)工艺、化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)工艺，等离子体增强化学气相沉积工艺(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)等进行涂布。一般而言，上述工艺在工艺装置或工艺室中进行，而被涂布的基板置放在所述工艺装置或工艺室中。沉积材料被提供于上述装置中。多种的材料，以及所述多种材料的氧化物、氮化物，或碳化物，可用于在基板上进行沉积。
涂布材料可以用于多方面应用并使用在多种技术领域中。例如，在微电子(microelectronics)领域上的应用，诸如产生半导体元件。此外，显示器基板常常以PVD工艺进行涂布。其他的应用包括绝缘面板、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)面板、具有晶体管TFT的基板、彩色滤光片等等。
在涂布工艺中，使用掩模可能是有益的，举例来说，益于能较佳地定义将被涂布的区域。在一些应用上，仅有部分的基板需要被涂布，不需涂布的部分则覆盖以掩模。在一些应用中，如在大面积基板涂布装置中，在涂布的基板上排除基板边缘是有益的。藉由例如使用边缘排除掩模来排除边缘，使得可以提供没有涂布层的基板边缘，且避免基板背面的涂布。例如，作为许多其他应用之一的液晶显示器电视的层沉积，所述沉积需要不被涂布的基板边缘，而上述掩模通常覆盖基板的此区域。
然而，在材料沉积工艺中，由于掩模的位置位于基板前方，使得可为边缘排除掩模的掩模也暴露在沉积材料下。非被涂布的掩模与被涂布的掩模的影响可能是复杂的，而且所述影响可能取决于所要沉积的材料。再者，边缘排除掩模的涂布、一般的掩模或包括掩模的遮蔽配置的诸部件、掩模支撑架以及其他元件(例如是保护遮罩(protectiveshield))，可能导致较高的维护需求。
鉴于上述情况，本发明的目的之一在于提供一种掩模(特别是边缘排除掩模)、一种遮蔽配置、一种具有掩模的沉积装置，以及一种遮蔽基板边缘的方法，所述诸方案可克服现有技术中的至少一些问题。
发明内容
有鉴于此，提供根据独立权利要求1的掩模结构、根据独立权利要求13的装置，以及根据独立权利要求15的方法。本发明的其他方面、优点、特征可从从属权利要求、详细说明，与所伴随的附图中可清楚得知。
根据一实施例，提供了用以在层沉积时遮蔽基板的遮蔽配置。所述遮蔽配置包括掩模结构，所述掩模结构形成有开口，用以在层沉积时暴露出基板；以及保护遮罩，所述保护遮罩邻接遮蔽结构，其中所述保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布，并且其中在保护遮罩与遮蔽结构之间形成有界面，并且其中所述掩模结构包括延伸超出所述界面的顶部，且其中所述顶部与所述保护遮罩的一部分形成间隙。
根据另一实施例，提供了用以在基板上沉积层体的装置。所述装置包括腔室，所述腔室用以于此腔室内进行层沉积；以及遮蔽配置，所述遮蔽配置位于所述腔室中。所述遮蔽配置包括掩模结构，所述掩模结构形成有开口，用以在层沉积时暴露出基板，还包括保护遮罩，所述保护遮罩邻接遮蔽结构，其中所述保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布，并且其中在保护遮罩与掩模结构之间形成有界面，并且其中所述遮蔽结构包括延伸超出所述界面的顶部，且其中所述顶部与所述保护遮罩的一部分形成间隙。所述装置还包括用于沉积形成层体的材料的沉积源。
根据再一实施例，提供了一种在基板上沉积层体的方法。此方法包括使用掩模遮蔽基板的一部分，其中遮蔽结构的顶部面对沉积源，所述顶部延伸超出形成于所述遮蔽结构与保护遮罩之间的界面；以及沉积所述层体的材料于所述基板上，其中在所述遮蔽结构上提供有涂层且在所述保护遮罩上提供有另一涂层，使得所述涂层与所述另一涂层并不互相接触。
附图说明
可藉由参考实施例来获得在上文中所简短概述的本发明的更为具体的说明，从而可详细了解本发明的上述特征的方式。所附的附图涉及本发明的实施例且对所述附图作说明如下：
图1A绘示掩模结构，所述掩模结构一般使用于遮蔽基板的边缘。
图1B绘示图1A所示的掩模结构的剖面图。
图2A与图2B显示一般掩模配置的元件上层沉积的情形。
图3显示遮蔽配置的部分的剖面侧视图，用以说明遮蔽配置与掩模结构，例如边缘排除掩模的实施例。
图4说明在根据本文所述实施例的遮蔽配置上的涂布材料沉积情况。
图5显示另一遮蔽配置与掩模结构，例如边缘排除掩模，以说明本文所述的实施例。
图6A与图6B显示根据本文所述实施例，利用掩模结构在基板上沉积材料的层体的装置，且示出了并未有基板载入的情形。
图7所示为一流程图，说明根据所述实施例在基板上沉积材料的方法，在所述方法中使用了边缘排除掩模。
具体实施方式
现将详细参照本发明的各项实施例，所述实施例的一或多个实例在附图中予以说明。在对于附图的随后描述中，相同的标号为相同的元件。一般而言，在各个实施中仅描述出不同处。每个实施例都是提供作为发明的示例，而不旨在作为对本发明的限制。再者，被说明或描述为一个实施例的部分的特征可用于其他实施例或与其他实施例结合而产生另一实施例。这些描述应具有如此所述的修改与变化。
根据一些实施例，掩模结构或“边缘排除掩模”应理解为覆盖将被涂布的基板的至少一边缘的掩模。一般而言，掩模可以由数个部件(part)或部分(portion)组成，所述的数个部件或部分形成一框架，所述框架定义一或多个开口(aperture)。掩模的框架也可具有多个框架部分或框架部件。根据一些实施例，用语“掩模”为一块掩模材料，所述掩模材料例如是镍铁合金(Invar)，碳纤维材料，或例如为铝、钛(titanic)、不锈钢的金属或类似材料。掩模覆盖将被涂布的基板的一部分。通常，掩模位于将被涂布的基板和沉积材料源之间，沉积材料源例如为坩锅、靶材等。
通常，边缘排除掩模可涵盖约1‰到约5％的基板面积，一般介于约5‰到约1％的基板面积，而更常是介于基板面积的约1％到约2％。根据一些实施例，由边缘排除掩模覆盖、遮挡或遮蔽的基板区域位于基板的周边。
当基板的边缘需维持为没有或实质上没有沉积材料时，则需用到边缘排除掩模。这种情况可能发生于，当因为被涂布的基板的后续的应用和/或处理，仅有基板的一限定区域需要被涂布之时。例如，作为显示器部分的基板，应具有预先定义的尺寸。通常，大面积基板利用边缘排除掩模进行涂布，以遮盖基板的边缘和/或预防基板的背面被涂布。而此方法允许在基板上得到可靠的、一致的涂层。
根据一些实施例，大面积基板可具有一般约为1.4m2至约8m2的尺寸，更常约2m2至约9m2，甚至12m2的尺寸。通常，矩形的基板(提出根据所述的实施例的掩模结构、装置与方法以用于所述矩形的基板)是本文所述的大面积基板。例如，大面积基板可以为第5代基板，所述第5代基板对应于约1.4m2基板(1.1mx1.25m)；第7.5代，对应于约4.29m2基板(1.95mx2.2m)；第8.5代，对应于约5.7m2基板(2.2mx2.5m)；或甚至是第十代，对应于约8.7m2基板(2.85mx3.05m)。即使是更高世代(例如第十一代与第十二代与对应的基板面积)可类似地被实施。
图1A绘示矩形基板的例子。基板的最外边界(border)标示为110。通常，边界110可被描述为基板的最外线，超出此最外线后不再具有基板材料。
如本文所使用的，且根据一些实施例，基板的边缘120可包括基板的周边。通常，此处所使用的边缘120可为包含基板的边界110的区域。边缘120可包括宽度w，宽度w从边界110于基板表面100上延伸。边缘120通常藉由边缘排除掩模40定义在被处理的基板上，边缘排除掩模40于在基板100上沉积一或多层时被使用。
图1B显示基板100的侧视图，其中基板的边缘以掩模40遮蔽。从基板到掩模通常具有2mm至8mm的间隙42，也就是，遮住基板表面的掩模的部分与基板表面并不接触。根据其他实施例，掩模也可以与基板直接接触，例如，可以无间隙或间隙从0mm到8mm。
根据所述的实施例，可以再有一上盖150，所述上盖150预防承载元件的部分或是遮蔽结构的其他部分(例如遮蔽配置支撑元件152)在基板上的材料沉积的过程中被涂布材料。
遮蔽配置的部分(40、150、152)可有曲折结构(labyrinthstructure)(未绘示)，从而如图1B所示的剖面在遮蔽配置的邻接元件处具有相互对应的凹槽与突起。形成曲折结构的在邻接的元件(也就是图1B所示的相邻元件)处的一或多个凹槽与一或多个突起可以减少在沉积时施加在元件之间的材料用量。图1A所示的箭号5显示沉积时被沉积的涂布材料。
图2A与图2B显示图1A至图2B所示的具有掩模40、支撑架152与遮罩150的遮蔽配置所可能产生的不同问题。如图2A所示，掩模40与遮罩150可以直接地相互邻接，也就是在遮蔽配置的这些元件之间实质上没有间隙。在沉积时，如图1B的箭号5所示，遮蔽配置的元件也是受涂布的对象。如图1A的层体201所示，其中多个线段表示沉积材料在掩模40与遮罩150上的增长。在不具间隙的情况下，在一或多次的沉积工艺之后，掩模40与遮罩150将被连续的层体201所覆盖。层体201导致掩模40与遮罩150黏在一起。据此，在维护期间，必须提供更多的工作量来分开诸多遮蔽配置元件，例如为了分开清洁等等。
如图2B所示，掩模40与遮罩150可以相互邻接并具有一间隙。沉积期间，例如图1B中的箭头5所示的，遮蔽配置的元件也为被涂布的对象。掩模40与遮罩150分别被提供以分开的涂层203及205。这些涂层在层沉积时生长，且这些涂层将会生长至涂层203与涂层205相互接触的程度。在涂层203与涂层205接触时，遮蔽配置的振动或其他加速动作(例如在遮蔽承载元件中的基板期间)，导致基于两个涂层之间的摩擦而从涂层203及205产生颗粒。颗粒的产生是无法控制的，使得有可能不希望产生的颗粒会落在将被处理的基板表面。于是，遮蔽配置的设计，且特别是互相邻接的元件掩模与遮罩的设计，可能于维护过程中和/或于基板处理期间产生不利的影响。
遮蔽配置的一侧的剖面显示于图3中，用以说明本文所述的实施例，所示遮蔽配置一般会环绕大面积基板或其他基板形成一框架。遮蔽配置300包括掩模340，例如边缘排除掩模。遮罩150邻接于掩模340。遮罩可经设置用以保护遮蔽配置的其他部分在层沉积时不被涂布。例如，保护遮罩150可以在基板上进行层沉积时保护遮蔽配置的支撑架152不被涂布。为了避免遮蔽配置的诸个单独部件之间的沉积，或遮蔽配置中两个或两个以上部件的连续沉积，提供了一顶部342。一般而言，顶部可与掩模140一体形成，然而，并不一定需要如此。
根据本文所述的实施例，顶部342延伸超出掩模与邻近的遮罩之间的界面。顶部与保护遮罩的一部分形成间隙344。如同本文所述，界面360定义了掩模(例如边缘排除掩模)与遮蔽配置的邻接元件(例如保护遮蔽)相互面对的区域。在剖面图中，此区域以虚线椭圆高亮显示，此虚线椭圆并不形成此配置的一部分，仅用以说明而已。可以理解的是，对框架形状的遮蔽配置而言，界面将沿着框架的形状延伸，例如，对于矩形的基板的矩形的框架来说，界面将以矩形方式延伸，而对于圆形的基板的圆形的框架来说，界面则以圆形方式延伸等等。
根据所述的一些实施例，遮蔽配置的部分可具有曲折结构(labyrinthstructure)(未绘示)，使得如图3所示的剖面在遮蔽配置的邻接元件处具有相互对应的一或多个凹槽与一或多个突起。在邻接的元件(即图3的相邻元件)处的形成曲折结构的一或多个凹槽与一或多个突起，可以在进行沉积时，减少施加于元件之间的材料用量。于是，图3中说明界面的剖面线(例如虚线椭圆360中的线段)并不需要为垂直且笔直的，而是可以具有垂直部分和水平部分，所述部分在遮蔽配置的各个元件中形成凹槽或突起。
根据本文所述的实施例，顶部342可具有一长度L，长度L由掩模340延伸超出遮罩150的长度所定义。一般而言，此长度对应至相对于面对间隙的界面的线段361的顶板形成部分。根据一般实施例，顶部延伸超出线段361达一尺寸，所述尺寸为至少两倍间隙宽度的，特别是至少为三倍间隙宽度。根据进一步的实施例，顶部延伸超出此界面线段361达至少7mm，通常约为8mm至24mm。
顶部对“粘附”与“颗粒产生”的影响可由图4而更加了解。其中，此图说明了在掩模340上与遮罩150上的层体的产生。于第一时段的沉积之后，层体401及402分别形成在掩模340上与遮罩150上。顶板避免涂布材料覆盖在界面的线段361上，也就是掩模与遮罩的接触区域或邻接区域。一般而言，层体401将被涂布在顶部342上，使得顶部(包括层401)具有延伸超出界面的第二长度，第二长度比图3所示的长度L长，在界面处并无材料提供于掩模340上。于是，第二期间的沉积产生了层体403及404，其中层体404并不延伸进入间隙区以达与层体402相同的量，这是由于基于层体401使顶部“增长”所导致。层体403通常会导致更进一步的顶部的增长。就是说，包括层体在内的顶板的长度更进一步地增加。因此，第三沉积时段导致间隙区域的更进一步的覆盖(coverage)，使得层体406更少延伸到间隙区域。此外，层体405导致顶部更进一步地增长，即导致进一步增加的长度。可以理解的是，即使图4提及三个沉积时段，这导致于掩模与遮罩上各形成三个层体，但这种自行遮罩层体(self-shieldinglayers)的概念是一种连续的工艺。
由于邻近遮蔽配置元件的自行调节遮罩的结果，在接触区域(即这些元件的界面)上提供更少的沉积。藉此，因连续层体所造成的元件的“黏住”可避免。再者，由于顶部长度的增长的结果，掩模上的层体与遮罩上的层体并不会相互接触。藉此，相较于现有的系统，掩模(例如边缘排除)与保护遮罩(例如掩模遮罩)的拆解(disassembling)将更为容易且快速。由于较容易的拆解程序，产品的维护可以加速。此外，因遮蔽配置的元件间的相对移动所导致的额外颗粒的来源将可避免。
根据可与其他所述实施例结合的不同实施例，掩模框架可以由例如是铝、镍铁合金、钛或不锈钢制成。
一般而言，掩模与遮蔽配置300的元件形成为如图5所示的框架，其中遮蔽配置提供于基板100上。对矩形基板来说，框架一般也同为矩形，而对圆形基板来说，框架则为圆形。顶部随框架延伸，即沿着面对间隙的遮蔽配置元件的界面的线段。
一般来说，宽度w(见图1)可以对整个基板来说为对称的，也就是每一角落区域与每一侧边部分具有相同宽度，但也可能随不同的侧边而改变，取决于基板的应用而定。依据一些实施例，基板的边缘可由用于涂布基板的掩模的开口所定义。例如，边缘排除掩模的开口影响基板被涂布的面积，并覆盖例如是边缘的基板区域。因此，基板的边缘可以定义为被边缘排除掩模覆盖的基板区域，且基板的边缘可以定义为在边缘排除掩模被使用的涂布工艺期间不被涂布的基板区域。
通常，基板的边缘可定义为应保持实质上不具沉积材料的基板区域，或是与未遮蔽的基板部分相较，沉积材料的层体厚度减小为至少25％的值之处。
通常，基板可由任何适合材料沉积的材料制成。例如，基板可由选自由以下材料所组成的群组的材料所制成，此群组包括：玻璃(例如碱石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料，或是任何其他材料或材料的组合，这些材料可通过沉积工艺被涂布。
根据一些实施例，用语“掩模开口”可被理解为掩模的窗口，在沉积工艺时沉积材料经由此窗口通过。通常，“掩模开口”也可代表涂布开口，这是因为掩模开口定义了涂布材料沉积的基板区域。边界或是开口的内边界由涂布窗口的边限所定义。例如，如果掩模为新的或是刚清洁好的，且尚未使用在沉积工艺中，开口的边界将仅包含掩模材料。如果掩模使用于沉积工艺，且沉积材料沉积在掩模上，开口的边界可为如掩模上被沉积的材料所提供的涂布窗口的边限。
根据不同实施例，边缘排除掩模可以用于PVD沉积工艺、CVD沉积工艺或上述工艺的组合。藉此，掩模边缘影响所述边缘附近的原子、分子、团簇(cluster)。由于“材料流”可能被扰流等影响，这些影响可能会更复杂，而边缘无法必然地被视为锐利的截断边缘(cut-offedge)。
图6A与图6B显示根据实施例的沉积室600的示意图。沉积室600适用于沉积工艺，例如PVD工艺或CVD工艺。一或多个基板100被显示为位于基板传送装置620上。根据一些实施例，基板支撑物可以移动以调整腔室612中的基板100的位置。特别是对于如本文所述的大面积基板，可以在垂直基板定位或是实质上垂直的基板定位下进行沉积。藉此，传输装置可具有较低的滚轮622，滚轮622由一或多个驱动器625驱动，例如马达。驱动器625可以藉由用于旋转滚轮的轴623连接至滚轮622。藉此，一个马达625可驱动多于一个的滚轮，例如通过采用皮带、齿轮系统等来连接滚轮。
滚轮624可以做为在垂直或几乎垂直的位置的基板的支撑物。通常，基板可以为垂直或是稍微偏离垂直位置，例如偏离达5度。具有1m2至9m2的基板尺寸的大面积基板通常是非常薄的，例如少于1mm，如0.7mm或甚至0.5mm。为了支撑基板并给基板提供固定位置，在基板处理工艺期间基板以位于承载元件中的方式来提供。于是，当基板由承载元件所支撑时，基板可以由传输系统来传输，传输系统例如包括多个滚轮与驱动器。举例来说，其中具有基板的承载元件由滚轮622与滚轮624的系统所支撑。
在腔室612中提供沉积材料源630，沉积材料源630面对将被涂布的基板的一侧。沉积材料源630提供欲沉积的沉积材料635给基板。如图6A所示且根据本文所述的实施例，材料源630可为靶材，沉积材料位于所述靶材上，或者材料源630可为可使材料被释放且沉积到基板100上的任何其他配置。通常，材料源630可为可旋转靶材。根据一些实施例，材料源630可为可移动式以放置及/或替换材料源630。根据其他实施例，材料源也可为平面靶材。
根据一些实施例，在层沉积过程中的沉积材料(以标号635标示)可以根据沉积工艺与被涂布的基板的后续应用来选择。举例来说，来源的沉积材料可以是选自以下群组的材料，此群组由金属，如铝、钼、钛、铜等，硅、铟锡氧化物与其他透明导电氧化物所组成。通常，可包括所述这些材料的氧化物层、氮化物层，或碳化物层，可藉由从来源提供材料来被沉积，或藉由反应性沉积而被沉积，反应性沉积也就是来源的材料与来自工艺气体的元素(如氧、氮，或碳)反应。根据一些实施例，薄膜晶体管材料，例如硅氧化物、硅氧氮化物、硅氮化物、铝氧化物、铝氧氮化物，可以做为沉积材料。
通常，沉积室600包括具有掩模结构140的掩蔽配置640。根据一些实施例，掩模140为边缘排除掩模。边缘排除掩模140确保基板100边缘不会涂布上沉积材料635。虚线665例示性地显示沉积材料635在沉积室600操作时的路径。举例来说，材料635被溅射或也可被气化，而虚线665绘示性地显示沉积材料635的被溅射材料或蒸气的去往基板的路径。如图6A中由虚线665所示，基板100边缘由于边缘排除掩模140而保持于不具沉积材料的状态。掩模的顶部避免了邻近的掩模元件的黏附，并避免了因邻近掩模元件上涂布的材料的摩擦所产生的颗粒。
在图6B中，左边缘排除掩模被说明为包括单独框架部分601、602、603、604、605、606、607、608、609与610，所述框架部分连接而形成掩模框架。通常，掩模结构(特别是针对大面积基板的掩模结构)提供至少四个角落部分601、603、606，与608与边缘部分，所述角落部分可以基本上为L形，而且将包括角落区域，或至少角落区域的重要部分，所述边缘部分可连接所述角落部分以形成掩模框架。典型地，框架部分601～610可以舌槽(tongue-and-groove)方式配置。舌槽配置提供框架部分相对于彼此的固定的位置。此外，根据所述的一些实施例，框架部分的舌槽配置允许框架部分彼此之间可互相移开。典型地，舌槽配置使框架部分可相互滑开，而不会造成沉积材料可通过的间隙。为简化起见，仅左掩模结构140以部分601～610显示。同样地，工艺系统中的超过一个或全部的掩模结构可具有多于一个的部分，以形成掩模框架。
根据可与其他实施例结合的典型的实施例，如下所述，一或多个腔室612可以为真空腔室。藉此，腔室用以在真空环境下处理和/或涂布基板。通常，压力可低于10毫巴(mbar)，例如1x10-7毫巴与1x10-1毫巴之间。因此，沉积系统可包括泵系统(pumpingsystem)(未绘示)，所述泵系统可与真空法兰(vacuumflange)613连接，而且可实现使工艺腔室612的压力足够低，以使沉积系统可针对特殊应用来操作，例如为1x10-7毫巴的压力。沉积时，如PVD工艺时的压力(亦即沉积压力)，可介于0.1Pa(帕)与1Pa之间。针对于特定的实施例，例如PVD应用，其中工艺气体包括氩气与至少氧气或氮气之一，氩气的分压可介于0.1Pa与1Pa之间，而氧气、氢气和/或氮气的分压可介于0.1Pa与1Pa之间。典型地，CVD应用的压力范围可约为2个数量级大，特别是在上述给定范围内的高压端。
根据一些实施例，提供在基板上沉积沉积材料层的方法。图7显示上述方法的流程图。典型地，在沉积装置的腔室内提供基板。根据一些实施例，基板可以为如上所述的大面积基板，而沉积装置可如图6A及图6B中示例性所示的沉积室。
在步骤702，遮蔽配置640(见图6A)在腔室612中朝基板移动，而部分的基板被一掩模所覆盖。典型地，掩模覆盖基板边缘。根据本文所述的实施例，由具有顶部的边缘排除掩模来提供遮蔽。掩模通常提供一开口，所述开口使沉积材料得以在沉积工艺中通过。在遮蔽基板之后，在步骤704沉积层体，使得边缘保持为不具有沉积材料或几乎不具有沉积材料。根据一些可以本文所述的其他实施例结合的实施例，沉积材料的方法、沉积的装置，以及覆盖基板边缘的掩模，被用于大面积基板。
通常，在进行步骤702与704数次之后，在维护程序中将会拆解遮蔽配置。由于邻近遮蔽配置元件的界面实质上没有涂布材料，遮蔽配置可以更容易地拆解。
根据一些可与其他本文所述的实施例结合的实施例，掩模包括多于一个的框架部分以形成掩模框架。典型地，掩模适合于使用在如上所述的沉积装置中。
多个实施例已描述于上文中。根据一实施例，提供了遮蔽配置，用以在层沉积时遮蔽基板。此遮蔽配置包括掩模结构，所述掩模结构形成开口，所述开口用以在层沉积时暴露出此基板，还包括保护遮罩，所述保护遮罩邻接此遮蔽结构，其中保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布，且其中在保护遮罩与遮蔽结构之间形成有界面，并且其中掩模结构包括顶部，所述顶部延伸超出此界面，且其中所述顶部与部分的保护遮罩形成间隙。根据可与其他本文所述的实施例结合的再另一实施例，间隙的宽度至少为3mm，典型地为4mm至8mm；所述顶部可被设置以用以于层沉积时，让二个分开的涂层分别地形成于掩模结构上与保护遮罩上，其中所述二个分开的涂层并不互相接触；顶部可延伸超出面对界面的线段达一尺寸，所述尺寸为至少两倍间隙宽度，典型地为三倍间隙宽度；顶部可延伸超出界面线段达至少7mm，典型地约8mm至24mm；及/或顶部可实质上沿着掩模结构与保护遮罩之间的面对间隙的界面的整个线段延伸。
根据另一实施例，提供了用以在基板上沉积层体的装置。此装置包括腔室，所述腔室用以在所述腔室内进行层沉积，还包括遮蔽配置于此腔室中。遮蔽配置包括掩模结构，所述掩模结构形成一开口，用以在层沉积时暴露出此基板，还包括保护遮罩，所述保护遮罩邻接此遮蔽结构，其中保护遮罩保护此遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布，且其中保护遮罩与遮蔽结构之间形成有界面，并且其中掩模结构包括顶部，所述顶部延伸超出此界面，且其中顶部与部分的保护遮罩形成间隙。根据可与其他本文所述的其他实施例结合的另一实施例，此装置还可包括传输系统，所述传输系统用于支撑基板的承载元件的输送。
根据再一实施例，提供一种在基板上沉积层体的方法。此方法包括使用掩模遮蔽此基板的一部分，其中遮蔽结构的顶部面对沉积源，所述顶部延伸超出形成在遮蔽结构与保护遮罩之间的界面；以及沉积层体的材料于基板上，其中一涂层提供于遮蔽结构上，且另一涂层提供于保护遮罩上，使得所述涂层与所述另一涂层不互相接触。根据可与其他本文所述的实施例结合的更进一步的实施例，顶部可在遮蔽结构与保护遮罩之间形成间隙，其中所述间隙被成形为在沉积过程中不被此材料所填满；遮蔽此基板可进一步包括：传输基板进沉积室以及于沉积室内将遮蔽配置移向基板；及/或此方法可更近一步包括移除在沉积室内的遮蔽配置。
虽然上文针对本发明的实施例，可在不脱离本发明基本范围的前提下构思出本发明的其他及进一步实施例，且本发明的范围由所附的权利要求来确定。
Claims (18)
1.一种遮蔽配置，用以在层沉积时遮蔽基板；所述遮蔽配置包括：
掩模结构，所述掩模结构形成开口，用以在层沉积时暴露出所述基板；以及
保护遮罩，保护遮罩邻接所述掩模结构，其中所述保护遮罩保护所述遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布，且其中在所述保护遮罩与所述掩模结构之间形成有界面；
其中所述掩模结构包括顶部，所述顶部延伸超出所述界面，且其中所述顶部在所述掩模结构与所述保护遮罩之间形成间隙，且其中所述间隙被成形为在沉积过程中不被所述材料所填满。
2.如权利要求1所述的遮蔽配置，其中所述间隙的宽度至少为3mm。
3.如权利要求2所述的遮蔽配置，其中所述间隙的宽度为4mm至8mm。
4.如权利要求1所述的遮蔽配置，其中所述顶部被设置以用以于在层沉积期间，在所述掩模结构上与所述保护遮罩上分别地生成两个分开的涂层，其中所述两个分开的涂层不互相接触。
5.如权利要求2所述的遮蔽配置，其中所述顶部被设置以用以于在层沉积期间，在所述掩模结构上与所述保护遮罩上分别地生成两个分开的涂层，其中所述两个分开的涂层不互相接触。
6.如权利要求1所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的线段达一尺寸，所述界面面对所述间隙，所述尺寸至少为两倍间隙宽度。
7.如权利要求2所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的线段达一尺寸，所述界面面对所述间隙，所述尺寸至少为两倍间隙宽度。
8.如权利要求4所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的线段达一尺寸，所述界面面对所述间隙，所述尺寸至少为两倍间隙宽度。
9.如权利要求5所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的线段达一尺寸，所述界面面对所述间隙，所述尺寸至少为两倍间隙宽度。
10.如权利要求1、2、4或5中任一项所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的线段达一尺寸，所述界面面对所述间隙，所述尺寸至少为三倍间隙宽度。
11.如权利要求1至9中任一项所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的线段达至少7mm。
12.如权利要求11所述的遮蔽配置，其中所述顶部延伸超出所述界面的所述线段达约8mm至24mm。
13.如权利要求1至9中任一所述的遮蔽配置，其中所述顶部实质上沿着所述掩模结构与所述保护遮罩之间的所述界面的整个线段延伸，所述保护遮罩面对所述间隙。
14.一种用以在基板上沉积层体的装置，包括：
腔室，所述腔室用以于所述腔室内进行层沉积；
根据权利要求1至13中任一项所述的遮蔽配置，所述遮蔽配置位于所述腔室中；以及
沉积源，所述沉积源用以沉积形成所述层体的材料。
15.如权利要求14所述的装置，还包括：
传输系统，传输系统用于支撑所述基板的承载元件的输送。
16.一种在基板上沉积层体的方法，所述方法包括：
使用遮蔽配置来遮蔽所述基板的一部分，所述遮蔽配置包括掩模结构和保护遮罩，其中所述掩模结构的顶部面对沉积源，所述顶部延伸超出形成于所述掩模结构与所述保护遮罩之间的界面；以及
沉积所述层体的材料于所述基板上，其中涂层提供于所述掩模结构上，且另一涂层提供于所述保护遮罩上，使得所述涂层与所述另一涂层不互相接触；
其中所述顶部在所述掩模结构与所述保护遮罩之间形成间隙，且其中所述间隙被成形为在沉积过程中不被所述材料所填满。
17.如权利要求16所述的方法，其中遮蔽所述基板的一部分还包括：
传输所述基板进入沉积室；以及
于所述沉积室内将所述遮蔽配置移向所述基板。
18.如权利要求17所述的方法，还包括：
移除所述沉积室内的所述遮蔽配置。
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| PB01 | Publication | ||
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