CN114196911A - 用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法，其中用于沉积装置的掩模结构包括多个第一部分以及多个第二部分。多个第一部分于环绕中心轴的方向上排列且彼此分离。多个第二部分设置于多个第一部分之上。各第二部分与两个相邻的第一部分在与中心轴的延伸方向平行的垂直方向上重叠。沉积装置包括制作工艺腔室、平台以及掩模结构。平台至少部分设置于制作工艺腔室中且包括基底的支承结构。掩模结构设置于制作工艺腔室中、位于平台之上且覆盖被支承在平台上的基底的周围区域。沉积装置的操作方法包括在不同的沉积制作工艺之间分别水平地调整多个第一部分与多个第二部分的位置。

Description

用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法

技术领域

本发明涉及一种用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法，尤其是涉及一种包括多个互相重叠的部分的掩模结构、包括此掩模结构的沉积装置以及此沉积装置的操作方法。

背景技术

半导体集成电路在制造期间经历各种处理步骤，例如沉积成膜、光刻、蚀刻等。化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)是应用于半导体制造制作工艺的一般沉积成膜方法。在例如溅射沉积的沉积成膜制作工艺时，在晶片的外部周围区域上定义了成膜抑制区域，用以防止在其上形成材料膜并且避免了诸如在晶片边缘处的膜剥离之类的相关问题。另外，为了增加每个晶片上的有效芯片数量并降低每个芯片的成本，较佳可以缩小成膜抑制区域。因此，在沉积成膜制作工艺中精确地控制成膜抑制区域是很重要的。通常，在溅射沉积制作工艺中，是利用夹环(clamp ring)以覆盖晶片的外部周围区域。由于在经过多个沉积成膜制作工艺之后，材料膜会积聚在夹环的内侧边缘而影响晶片上的成膜抑制区域，故要精确地控制与夹环相对应的成膜抑制区域是很困难的。

发明内容

本发明提供用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及沉积装置的操作方法。掩模结构包括多个第一部分以及多个第二部分，多个第一部分彼此互相分离而多个第二部分与彼此相邻的第一部分重叠，由此以更精准且更方便的方式控制沉积制作工艺中在基底上的成膜抑制区域。

本发明一实施例提供一种用于沉积装置的掩模结构。掩模结构包括多个第一部分以及多个第二部分。多个第一部分于环绕一中心轴的一方向上排列且彼此分离。多个第二部分设置于多个第一部分之上。各第二部分与两个相邻的第一部分在与中心轴的一延伸方向平行的一垂直方向上重叠。

本发明一实施例提供一种沉积装置。沉积装置包括一制作工艺腔室、一平台以及一掩模结构。平台至少部分设置于制作工艺腔室中，且平台包括基底的支承结构。掩模结构设置于制作工艺腔室中，掩模结构位于平台之上且覆盖被支承在平台上的一基底的一周围区域，其中该掩模结构包括多个第一部分以及多个第二部分。多个第一部分于环绕一中心轴的一方向上排列且彼此分离。多个第二部分设置于多个第一部分之上。各第二部分与两个相邻的第一部分在与中心轴的一延伸方向平行的一垂直方向上重叠。

本发明一实施例提供一种沉积装置的操作方法，此操作方法包括下列步骤。提供一沉积装置。沉积装置包括一制作工艺腔室、一平台以及一掩模结构。平台至少部分设置于制作工艺腔室中，且平台包括基底的支承结构。掩模结构设置于制作工艺腔室中，掩模结构位于平台之上且覆盖被支承在平台上的一基底的一周围区域，其中该掩模结构包括多个第一部分以及多个第二部分。多个第一部分于环绕一中心轴的一方向上排列且彼此分离。多个第二部分设置于多个第一部分之上。各第二部分与两个相邻的第一部分在与中心轴的一延伸方向平行的一垂直方向上重叠。在不同的沉积制作工艺之间分别水平地调整多个第一部分与多个第二部分的位置。

附图说明

图1为本发明第一实施例的沉积装置的示意图；

图2为本发明第一实施例的用于沉积装置的掩模结构的上视示意图；

图3为本发明第一实施例的用于沉积装置的掩模结构的剖面示意图；

图4至图7为本发明第一实施例的沉积装置的操作方法示意图，其中图4为掩模结构与第一基底于第一沉积制作工艺中的位置示意图，图5为于第一沉积制作工艺后的第一基底的示意图，图6为掩模结构与第二基底于第二沉积制作工艺中的位置示意图，而图7为于第二沉积制作工艺后的第二基底的示意图；

图8为本发明一实施例的掩模结构于多个沉积制作工艺后的示意图；

图9为本发明第一实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的示意图；

图10为本发明第一实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的上视示意图；

图11为本发明第二实施例的用于沉积装置的掩模结构的上视示意图；

图12为本发明第三实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的示意图；

图13为本发明第三实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的上视示意图；

图14为本发明第三实施例的用于沉积装置的掩模结构的一部分的示意图；

图15为本发明第四实施例的用于沉积装置的掩模结构的上视示意图；

图16为本发明第四实施例的用于沉积装置的掩模结构的一部分的示意图；

图17为本发明第五实施例的用于沉积装置的掩模结构的一部分的示意图；

图18为本发明第六实施例的用于沉积装置的掩模结构的一部分的示意图。

符号说明

10:平台

10S:支承结构

12:基底

12A:第一基底

12B:第二基底

14:沉积膜

14A:沉积膜

14B:沉积膜

20:掩模结构

22:第一部分

24:第二部分

32:第一支撑结构

32A:第一部分

32B:第二部分

32C:第三部分

32D:第四部分

32E:第五部分

34:第二支撑结构

34A:第一部分

34B:第二部分

34C:第三部分

40:抬升结构

50:承载结构

90:制作工艺腔室

100:沉积装置

AX:中心轴

CP:中心点

D1:垂直方向

D2:水平方向

D21:水平方向

D22:水平方向

D23:水平方向

D24:水平方向

D25:水平方向

D26:水平方向

D27:水平方向

D28:水平方向

D3:方向

DS1:距离

DS1’:距离

DS2:距离

DS2’:距离

DS3:距离

E1:内侧边缘

E2:内侧边缘

G1:间隙

G2:间隙

L1:长度

L2:长度

PR:周围区域

SR:成膜抑制区域

SR1:第一成膜抑制区域

SR2:第二成膜抑制区域

SW11:内侧侧壁

SW12:外侧侧壁

SW21:内侧侧壁

SW22:外侧侧壁

W1:宽度

W2:宽度

W3:宽度

具体实施方式

尽管讨论了特定的配置和布置，但是可以理解的是，此方式仅出于说明的目的。相关领域的技术人员可理解在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以使用其他配置和布置。对于相关领域的技术人员将显而易见的是，本发明也可以用于多种其他应用中。

请注意说明书中对“一实施例”、“一些实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不一定包括特定的特征、结构或特征。而且，这样的短语不一定指向相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确描述，结合其他实施例来实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。

可以理解的是，尽管本文使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层或/及部分，但是这些元件、组件、区域、层或/及部分并不受这些术语限制。这些术语仅用于区分元件、组件、区域、层或/及部分。因此，在不脱离本发明教导的情况下，下面所述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

可以理解的是，用语“在…上”、“在…上方”和“在…之上”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在…上”不仅表示“直接在”某物上而且还包括在某物上且其间具有其他居间特征或层的含义，并且“在…上方”或“在…之上”不仅表示在某物“上方”或“之上”的含义，而且还可以包括其在某物“上方”或“之上”且其间没有其他居间特征或层(即，直接在某物上)的含义。

图1所绘示为本发明第一实施例的沉积装置的示意图，而图2所绘示为本实施例的用于沉积装置的掩模结构的上视示意图。如图1与图2所示，提供了用于沉积装置的掩模结构20。掩模结构20包括多个第一部分22以及多个第二部分24。多个第一部分22于环绕一中心轴AX的一方向(例如图2中所示的方向D3)上排列且彼此分离。多个第二部分24设置于多个第一部分22之上。各第二部分24与两个相邻的第一部分22在与中心轴AX的一延伸方向平行的一垂直方向D1上重叠。掩模结构20可用于沉积装置中，例如可用于图1中所示的一沉积装置100中，但并不以此为限。换句话说，本发明的用于沉积装置的掩模结构20也可应用于与沉积装置100在结构设计上、沉积方式上或/及其他方面上不同的其他沉积装置中。

在一些实施例中，多个第二部分24可于环绕中心轴AX的方向D3上排列，且环绕中心轴AX的方向D3可为一环形方向，但并不以此为限。多个第二部分24可彼此互相分离，且各第二部分24可与多个第一部分22互相分离。在一些实施例中，各第一部分22与各第二部分24在掩模结构20的上视图(例如图2)中的形状可分别为拱形(arcuate)，但并不以此为限。此外，各该第二部分24可还与两个相邻的第一部分22之间的一间隙G1在垂直方向D1上重叠，且各第二部分24于垂直方向D1上的投影面积(例如第2途中所示的一个第二部分24的面积)可小于各第一部分22于垂直方向D1上的投影面积(例如图2中所示一个第一部分22的面积)，但并不以此为限。在一些实施例中，第一部分22可被视为在掩模结构20中具有相对较大面积的主要部分，而第二部分24可被视为在掩模结构20中具有相对较小面积的次要部分，但并不以此为限。在一些实施例中，各第二部分24于垂直方向D1上的投影面积可等于或小于各地一部分22于垂直方向D1上的投影面积。在一些实施例中，各第二部分24在水平方向(例如在与垂直方向D1正交的一水平面中的一径向方向)上的外侧周围尺寸可大于各第一部分22的外侧周围尺寸。

在一些实施例中，各第一部分22的材料与各第二部分24的材料可包括石英、金属或其他适合的具有高耐热、低热膨胀系数或/及高稳定性的材料，用以避免掩模结构20与沉积材料之间产生反应。在一些实施例中，各第二部分24的材料组成可视设计需要而与各第一部分22的材料组成相同或不同。在一些实施例中，掩模结构20中的多个第二部分24的数量可等于掩模结构20中的多个第一部分22的数量。举例来说，在掩模结构20中，第一部分22的数量与第二部分24的数量可分别为4个，但并不以此为限。在一些实施例中，可增加掩模结构20中的第一部分22的数量与第二部分24的数量，用以更精准地控制基底上的成膜抑制区域。

如图1与图2所示，在一些实施例中，沉积装置100可包括一制作工艺腔室90、一平台10以及上述的掩模结构20。平台10至少部分设置于制作工艺腔室90中，且平台10包括基底12的支承结构10S。掩模结构20设置于制作工艺腔室90中，掩模结构20位于平台10之上且覆盖被支承在平台10上的一基底12的一周围区域PR。沉积装置100可用以对进入制作工艺腔室90中且放置于平台10上的基底12进行沉积制作工艺，用以在基底12上形成沉积膜。在一些实施例中，沉积装置100可包括溅射(sputtering)沉积装置或可用以进行其他类型的物理气相沉积的沉积装置。

在一些实施例中，中心轴AX的至少一部分可设置于平台10之上且沿与平台10的一上表面正交的一方向上延伸。在一些实施例中，中心轴AX可贯穿平台10的至少一部分，但并不以此为限。在一些实施例中，设置于平台10上的基底12的一中心点可与中心轴AX在垂直方向D1上重叠，但并不以此为限。基底12的中心点可为基底12的几何中心、质心或/及重心。基底12可包括半导体基底或非半导体基底。上述的半导体基底可包括硅基底、外延硅基底、硅锗基底、碳化硅基底或绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)基底，但并不以此为限。上述的非半导体基底可包括玻璃基底、塑胶基底、陶瓷基底、不锈钢基底或由其他适合材料所形成的基底。

在一些实施例中，沉积装置100可更包括多个第一支撑结构32以及多个第二支撑结构34。各第一支撑结构32可与多个第一部分22中的至少一个相连，而各第二支撑结构34可与多个第二部分24中的至少一个相连。在一些实施例中，各第一支撑结构32可位于对应的第一部分22之下，且各第二支撑结构34可位于对应的第二部分24之下且至少部分位于在方向D3上相邻的两个第一部分22之间的间隙G1中，但并不以此为限。在一些实施例中，多个第一支撑结构32以及多个第二支撑结构34可用以支撑掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24并可分别垂直地(例如沿垂直方向D1上)或/及水平地(例如沿图1中所示的水平方向D2上)分别移动多个第一部分22与多个第二部分24。

举例来说，如图1与图2所示，多个第一部分22中的一个可在一水平方向D21上具有可移动性，多个第二部分24中的一个可在一水平方向D22上具有可移动性，多个第一部分22中的一个可在一水平方向D23上具有可移动性，多个第二部分24中的一个可在一水平方向D24上具有可移动性，多个第一部分22中的一个可在一水平方向D25上具有可移动性，多个第二部分24中的一个可在一水平方向D26上具有可移动性，多个第一部分22中的一个可在一水平方向D27上具有可移动性，而多个第二部分24中的一个可在一水平方向D28上具有可移动性，但并不以此为限。水平方向D21至水平方向D28可被视为自中心轴AX向外的多个径向方向(radial direction)，但并不以此为限。换句话说，多个第一部分22与多个第二部分24可分别朝向中心轴AX移动或远离中心轴AX移动。在一些实施例中，各第一部分22的一内侧边缘E1与中心轴AX之间在上述多个水平方向中的一个水平方向上的距离可大体上等于各第二部分24的一内侧边缘E2与中心轴AX之间在上述多个水平方向中的一个水平方向上的距离，用以控制基底12被掩模结构20重叠的区域，但并不以此为限。例如，在一些实施例中，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间的距离可以在宽容度为±2％的状况下大体上等于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间的距离。换句话说，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间的距离较佳可等于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间的距离，但在不可避免的操作误差状况下，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间的距离可介于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间的距离的0.98倍与各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间的距离的1.02倍之间。在一些实施例中，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间的距离至少部分等于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间的距离。

图3所绘示为本发明第一实施例的用于沉积装置的掩模结构20的剖面示意图。如图1至图3所示，在一些实施例中，各第一部分22在水平方向上的长度L1可小于各第二部分24在水平方向上的长度L2，用以保留空间给第二支撑结构34或/及避免沉积膜堆积在水平移动第二部分24的路径上，但并不以此为限。在一些实施例中，各第一部分22的一内侧侧壁SW11以及各第二部分24的一内侧侧壁SW21可分别倾斜，用以避免形成于其上的沉积膜自内侧侧壁SW11与内侧侧壁SW21剥离，而各第一部分22的一外侧侧壁SW12以及各第二部分24的一外侧侧壁SW22可分别倾斜，用以降低沉积膜形成于第一部分22与第二部分24上的总量。此外，在本文中，一相对较内侧的位置或/及一相对较内侧的部分与中心轴AX之间在水平方向上的距离小于一相对较外侧的位置或/及一相对较外侧的部分与中心轴AX之间在水平方向上的距离。各部件的内侧部分可比此部分的外侧部分于水平方向上更接近中心轴AX。

此外，内侧侧壁SW11的斜率可不同于内侧侧壁SW21的斜率，用以降低形成于各第一部分22上的沉积膜与形成于各第二部分24上的沉积膜之间在沉积量上的差异，特别是当各第一部分22于垂直方向D1上的投影面积不同于各第二部分24于垂直方向D1上的投影面积。举例来说，内侧侧壁SW21的斜率可小于内侧侧壁SW11的斜率，且内侧侧壁SW21与第二部分24的底面之间的夹角可小于内侧侧壁SW11与第一部分22的底面之间的夹角，但并不以此为限。然而，本发明的第一部分22与第二部分24的形状并不以图3中所示的状况为限，且可视设计需要使用其他适合的形状。第一部分22与第二部分24之间在垂直方向D1上可具有一间隙G2，用以分离第一部分22与第二部分24，且可调整第一部分22与第二部分24之间在垂直方向D1上的距离DS3，用以降低第二部分24对于控制上述的成膜抑制区域造成的影响。举例来说，第一部分22与第二部分24之间在垂直方向D1上的距离DS3可介于0.01毫米(mm)至6毫米之间，但并不以此为限。

图4至图7所绘示为本实施例的沉积装置的操作方法示意图，其中图4所绘示为掩模结构20与第一基底12A于第一沉积制作工艺中的位置示意图，图5所绘示为于第一沉积制作工艺后的第一基底12A的示意图，图6所绘示为掩模结构20与第二基底12B于第二沉积制作工艺中的位置示意图，而图7所绘示为于第二沉积制作工艺后的第二基底12B的示意图。如图4至图7所示，沉积装置100的操作方法可包括但并不限于下列步骤。首先，可提供上述的沉积装置100。然后，可对多个基底12分别进行沉积制作工艺。举例来说，如图1、图4以及图5所示，可用沉积装置100对一第一基底12A进行一第一沉积制作工艺，用以在第一基底12A上形成一沉积膜14A，且在第一沉积制作工艺后，一第一成膜抑制区域SR1可形成于第一基底12A的一周围区域PR上。通过在第一沉积制作工艺中利用掩模结构20覆盖第一基底12A的周围区PR的至少一部分，可避免沉积膜14A形成于第一成膜抑制区域SR1上，故第一成膜抑制区域SR1可与在第一沉积制作工艺中多个第一部分22与多个第二部分24的位置对应形成。如图1、图6以及图7所示，可用沉积装置100对一第二基底12B进行一第二沉积制作工艺，用以在第二基底12B上形成一沉积膜14B，且在第二沉积制作工艺后，一第二成膜抑制区域SR2可形成于第二基底12B的一周围区域PR上。通过在第二沉积制作工艺中利用掩模结构20覆盖第二基底12B的周围区PR的至少一部分，可避免沉积膜14B形成于第二成膜抑制区域SR2上，故第二成膜抑制区域SR2可与在第二沉积制作工艺中多个第一部分22与多个第二部分24的位置对应形成。在一些实施例中，掩模结构20与基底12互相分离而未直接接触基底12，由此保护基底12或/及形成于基底12上的材料。

如图1以及图4至图7所示，在一些实施例中，在沉积制作工艺(例如上述的第一沉积制作工艺与第二沉积制作工艺)期间，设置于平台10上的基底12的一中心点CP可与中心轴AX在垂直方向D1重叠，且在各沉积制作工艺中，多个第一部分22中的一个第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间的距离可大体上等于多个第二部分24中的一个第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间的距离。举例来说，在第一沉积制作工艺中(如图4所示)，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS1可大体上等于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS2。换句话说，以拱形形状面向中心轴AX的各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS1可至少部分等于以拱形形状面向中心轴AX的各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS2。在第二沉积制作工艺中(如图6所示)，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS1’可大体上等于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS2’。换句话说，以拱形形状面向中心轴AX的各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS1’可至少部分等于以拱形形状面向中心轴AX的各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间在水平方向上的距离DS2’。

在一些实施例中，在不同的沉积制作工艺(例如上述的第一沉积制作工艺与第二沉积制作工艺)之间，可分别水平地调整多个第一部分22与多个第二部分24的位置。举例来说，在一些实施例中，第一沉积制作工艺可于第二沉积制作工艺之前进行，而多个第一部分22与多个第二部分24可于第一沉积制作工艺之后以及第二沉积制作工艺之前分别朝远离中心轴AX的方向移动，用以缩小在第二沉积制作工艺中基底12被掩模结构20重叠的区域。换句话说，各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间在第一沉积制作工艺中的距离DS1可不同于各第一部分22的内侧边缘E1与中心轴AX之间在第二沉积制作工艺中的距离DS1’，且各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间在第一沉积制作工艺中的距离DS2可不同于各第二部分24的内侧边缘E2与中心轴AX之间在第二沉积制作工艺中的距离DS2’。因此，在一些实施例中，形成于第一基底12A上的第一成膜抑制区域SR1的宽度W1可大于形成于第二基底12B上的第二成膜抑制区域SR2的宽度W2，但并不以此为限。换句话说，第二成膜抑制区域SR2可不同于第一成膜抑制区域SR1，但并不以此为限。

在一些实施例中，第一沉积制作工艺可于第二沉积制作工艺之后进行，而多个第一部分22与多个第二部分24可于第二沉积制作工艺之后以及第一沉积制作工艺之前分别朝向中心轴AX移动，用以增加在第一沉积制作工艺中基底12被掩模结构20重叠的区域。换句话说，可分别使多个第一部分22与多个第二部分24朝向中心轴AX移动或远离中心轴AX移动，由此控制形成于各基底12上的成膜抑制区域SR。在一些实施例中，通过在第一沉积制作工艺与第二沉积制作工艺之间分别水平地调整多个第一部分22与多个第二部分24的位置，可使第一成膜抑制区域SR1的宽度W1不同于第二成膜抑制区域SR2的宽度W2。换句话说，在成膜抑制区域方面具有不同要求的不同沉积制作工艺可于本发明的沉积装置中连续进行而不需为了不同的沉积制作工艺中断以更换传统的夹环(clamp ring)。沉积装置的流通量(throughput)可因此获得提升。

图8所绘示为本发明一实施例的掩模结构于多个沉积制作工艺后的示意图。如图8所示，在进行了多个沉积制作工艺之后，沉积膜14可堆积在第一部分22与第二部分24上，且堆积在第一部分22与第二部分24的内侧边缘的沉积膜14将影响在沉积制作工艺中基底被重叠的区域。因此，在一些实施例中，在不同的沉积制作工艺之间，可分别水平地调整多个第一部分22与多个第二部分24的位置，用以使形成于各基底上的成膜抑制区域大体上维持不变。举例来说，如图4至图8所示，在一些实施例中，第一沉积制作工艺可于第二沉积制作工艺之前进行，而多个第一部分22与多个第二部分24可于第一沉积制作工艺之后以及第二沉积制作工艺之前分别朝远离中心轴AX的方向移动，用以使得在第二沉积制作工艺中第二基底12B被掩模结构20以及形成于掩模结构20上的沉积膜14重叠的区域面积可大体上等于在第一沉积制作工艺中第一基底12A被掩模结构20以及形成于掩模结构20上的沉积膜14重叠的区域面积。换句话说，在第一沉积制作工艺之后以及第二沉积制作工艺之前调整多个第一部分22与多个第二部分24的位置，可使第一成膜抑制区域SR1的宽度W1大体上等于第二成膜抑制区域SR2的宽度W2。在一些实施例中，举例来说，第一成膜抑制区域SR1的宽度W1可以在宽容度为±10％的状况下大体上等于第二成膜抑制区域SR2的宽度W2。换句话说，第一成膜抑制区域SR1的宽度W1可等于第二成膜抑制区域SR2的宽度W2，但在不可避免的操作误差状况下，第一成膜抑制区域SR1的宽度W1可介于第二成膜抑制区域SR2的宽度W2的0.9倍与第二成膜抑制区域SR2的宽度W2的1.1倍之间。举例来说，为了维持在上述目标值的宽容度范围之内，可增加掩模结构20中多个第一部分22的数量与多个第二部分24的数量而使其分别多于4个，但并不以此为限。

在一些实施例中，可依据在第一沉积制作工艺与第二沉积制作工艺之间进行多个沉积制作工艺之后堆积于第一部分22与第二部分24的内侧边缘的沉积膜14的状况来水平地调整多个第一部分22与多个第二部分24的位置。举例来说，在一些实施例中，堆积于第一部分22的内侧边缘或/及堆积于第二部分24的内侧边缘的沉积膜14的宽度W3可通过将沉积装置的累计耗电量乘以一系数而计算出，而多个第一部分22与多个第二部分24可分别朝远离中心轴AX的方向移动对应宽度W3的一距离，但并不以此为限。在一些实施例中，可在第一沉积制作工艺与第二沉积制作工艺之间进行的多个沉积制作工艺之间逐渐调整多个第一部分22与多个第二部分24的位置，但并不以此为限。在一些实施例中，被计算出的堆积于第一部分22的内侧边缘或/及堆积于第二部分24的内侧边缘的沉积膜14的宽度W3可被用以当作决定是否需更换掩模结构20或/及清洗掩模结构20的一参考。

图9所绘示为本发明第一实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的示意图，而图10所绘示为本发明第一实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的上视示意图。如图9与图10所示，沉积装置可还包括多个抬升(lifting)结构40以及一承载(loading)结构50。在一些实施例中，多个抬升结构40可垂直地移动以将基底12抬起或将基底12放置于支承结构10S上，而承载结构50可用以将基底12传送进入制作工艺腔室90中并将基底12自制作工艺腔室90中传送出。在本发明一实施例的承载操作中，多个抬升结构40可贯穿支承结构10S而将基底12抬升至一远离支承结构10S的位置，而承载结构50可伸进基底12与支承结构10S之间的空间，用以在对基底12进行沉积制作工艺之后将基底12传送出制作工艺腔室90之外。相似地，一基底12可被承载结构50传送进入制作工艺腔室90中并被放置于多个抬升结构40上，而在承载结构50移出制作工艺腔室90之后，多个抬升结构40可向下移动而将基底12放置于支承结构10S上。在一些实施例中，可利用多个第一支撑结构32、多个第二支撑结构34或/及其他机械结构(图未示)水平地或/及垂直地移动掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24，由此避免干扰上述的承载操作。举例来说，在上述的承载操作中，掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24可水平地移动而避免于垂直方向D1上与基底12重叠，而被抬升结构40抬高的基底12的位置可于垂直方向D1上高于掩模结构20的位置，但并不以此为限。在一些实施例中，掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24可朝远离中心轴AX的方向移动而未朝上移动以进行上述的承载操作，或者掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24可朝远离中心轴AX的方向移动并稍微朝上移动以进行上述的承载操作。

值得说明的是，本发明的沉积装置的操作方法中的承载操作并不限于上述的方式，其他适合的承载操作也可应用于本发明的沉积装置的操作方法中。

下文将针对本发明的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同之处进行详述，而不再对相同之处作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的元件是以相同的标号进行标示，以利于各实施例间互相对照。

图11所绘示为本发明第二实施例的用于沉积装置的掩模结构的上视示意图。如图11所示，在本实施例的沉积装置中，多个第一部分22中的一个可与多于一个的第一支撑结构32相连，而多个第二部分24中的一个可与多于一个的第二支撑结构34相连，用以改善对于第一部分22与第二部分24的支撑效果。在一些实施例中，多个第二支撑结构34可设置于对应的第二部分24的外侧部分之下，用以避免干扰第一部分22的移动，但并不以此为限。

图12所绘示为本发明第三实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的示意图，图13所绘示为本实施例的沉积装置的操作方法中的承载操作的上视示意图，而图14所绘示为本实施例的用于沉积装置的掩模结构20的一部分的示意图。如图12与图13所示，在本实施例的承载操作中，多个抬升结构40可贯穿支承结构10S而将基底12抬升至一远离支承结构10S的位置，而承载结构50可伸进基底12与支承结构10S之间的空间，用以在对基底12进行沉积制作工艺之后将基底12传送出制作工艺腔室90之外。相似地，一基底12可被承载结构50传送进入制作工艺腔室90中并被放置于多个抬升结构40上，而在承载结构50移出制作工艺腔室90之后，多个抬升结构40可向下移动而将基底12放置于支承结构10S上。在一些实施例中，在上述的承载操作之前，可利用多个第一支撑结构32、多个第二支撑结构34或/及其他机械结构水平地移动掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24。举例来说，在上述的承载操作中，掩模结构20中的多个第一部分22与多个第二部分24可朝上移动且仍于垂直方向D1上与基底12重叠，而被抬升结构40抬高的基底12的位置可于垂直方向D1上低于掩模结构20的位置，但并不以此为限。

如图13与图14所示，在本实施例中，多个第一支撑结构32中的一个第一支撑结构32的一部分可于垂直方向D1上设置于多个第二部分24中的一个第二部分24之下，而多个第二支撑结构34中的一个第二支撑结构34的一部分可于垂直方向D1上设置于多个第一部分22中的一个第一部分22之下，用以避免干扰上述的承载操作。举例来说，在一些实施例中，多个第一支撑结构32中的一个可包括一第一部分32A、一第二部分32B以及一第三部分32C，而各第二支撑结构34中的一个可包括一第一部分34A、一第二部分34B以及一第三部分34C。第一支撑结构32的第一部分32A可沿垂直方向D1延伸而设置于对应的第一部分22之下；第一支撑结构32的第二部分32B可沿环绕中心轴AX的方向上延伸而部分设置于对应的第一部分22之下、部分设置于多个第二部分24中的一个第二部分24之下且部分设置于与对应的第一部分22相邻的另一个第一部分22之下；而第一支撑结构32的第三部分32C可沿垂直方向D1延伸而设置于与对应的第一部分22相邻的此另一个第一部分22之下。第一部分32A可直接与对应的第一部分22相连，而第二部分32B可设置于第一部分32A与第三部分32C之间用以连接第一部分32A与第三部分32C。此外，第二支撑结构34的第一部分34A可沿垂直方向D1延伸而设置于对应的第二部分24之下；第二支撑结构34的第二部分34B可沿环绕中心轴AX的方向上延伸而部分设置于对应的第二部分24之下且部分设置于与对应的第二部分24相邻的多个第一部分22中的一个第一部分22之下；而第二支撑结构34的第三部分34C可沿垂直方向D1延伸而设置于与对应的第二部分24相邻的多个第一部分22中的此第一部分22之下。第一部分34A可直接与对应的第二部分24相连，而第二部分34B可设置于第一部分34A与第三部分34C之间用以连接第一部分34A与第三部分34C。

通过如图13与图14所示调整多个第一支撑结构32中的至少部分第一支撑结构32以及多个第二支撑结构34中的至少部分第二支撑结构34的结构，可使得承载结构50以及设置于承载结构50上的基底12在上述承载操作时的移动不会被第一支撑结构32与第二支撑结构34干扰。因此，掩模结构20的多个第一部分22与多个第二部分24可不需为了上述的承载操作而朝远离中心轴AX的方向移动至未于垂直方向D1上重叠基底12的位置，而本实施例的制作工艺腔室90的尺寸可因此缩小。在一些实施例中，掩模结构20的多个第一部分22与多个第二部分24可为了上述的承载操作的进行而朝上移动且未朝远离中心轴AX的方向移动，或者，掩模结构20的多个第一部分22与多个第二部分24可为了上述的承载操作的进行而朝上移动且稍微朝远离中心轴AX的方向移动。

图15所绘示为本发明第四实施例的用于沉积装置的掩模结构20的上视示意图，而图16所绘示为本实施例的用于沉积装置的掩模结构20的一部分的示意图。如图15与图16所示，多个第一支撑结构32中的一个第一支撑结构32可包括两个第一部分32A、第二部分32B、第三部分32C、一第四部分32D以及一第五部分32E。为了附图简化，图16中所绘示的第二部分32B、第三部分32C以及第五部分32E并未绘示于图15中。在一些实施例中，第一支撑结构32的第四部分32D可沿环绕中心轴AX的方向上延伸而设置于对应的第一部分22之下，而第一支撑结构32的第五部分32E可沿垂直方向D1延伸而设置于第四部分32D与第二部分32B之间。第四部分32D可分别与两个第一部分32A连接，且第五部分32E可分别连接第四部分32D与第二部分32B。通过设置多个第一部分32与多个第一部分22中的一个相连，可提升第一支撑结构32的支撑强度或/及支撑稳定性。

图17所绘示为本发明第五实施例的用于沉积装置的掩模结构的一部分的示意图。如图17所示，第一支撑结构32可与两个相邻的第一部分22相连。举例来说，第一支撑结构32可包括两个第一部分32A分别与两个相邻的第一部分22连接，而第一支撑结构32的第二部分32B可与此两个第一部分32A相连。在一些实施例中，多个第一支撑结构32中的至少一个第一支撑结构32可与两个相邻的第一部分22相连，用以简化第一支撑结构32且避免干扰上述的承载操作。在一些实施例中，第二部分32B可具有扩张与收缩的能力，用以适当地水平移动与此第二部分32B相连的不同第一部分22且使得对应的成膜抑制区域维持不变。

图18所绘示为本发明第六实施例的用于沉积装置的掩模结构20的一部分的示意图。如图18所示，在本实施例中，第一部分22在水平方向上的长度L1可大于第二部分24在水平方向上的长度L2，且对应第二部分24的第二支撑结构可设置于两个相邻的第一部分22之间。在一些实施例中，各第一部分22在水平方向(例如在与垂直方向D1正交的一水平面中的一径向方向)上的外侧周围尺寸可大于各第二部分24的外侧周围尺寸。在一些实施例中，为了避免堆积在第一部分22上的沉积膜干扰水平移动第二部分24的路径，可提高清洗掩模结构20的频率或/及相对地变大第一部分22与第二部分24在垂直方向D1上的间隙G2，但并不以此为限。在一些实施例中，由于第二部分24相对地变小，故可缩小制作工艺腔室90的尺寸且使得第二部分24变轻，但并不以此为限。

综上所述，在本发明的用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及沉积装置的操作方法中，包括有彼此互相分离的多个第一部分以及多个第二部分与彼此相邻的第一部分重叠的掩模结构是用来以更精准且更方便的方式控制沉积制作工艺中在基底上的成膜抑制区域。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种用于沉积装置的掩模结构，包括：

多个第一部分，在环绕中心轴的方向上排列且彼此分离；以及

多个第二部分，设置于该多个第一部分之上，其中各该第二部分与两个相邻的该第一部分在与该中心轴的延伸方向平行的垂直方向上重叠。

2.如权利要求1所述的掩模结构，其中各该第二部分还与两个相邻的该第一部分之间的间隙在该垂直方向上重叠。

3.如权利要求1所述的掩模结构，其中各该第二部分与该多个第一部分互相分离。

4.如权利要求1所述的掩模结构，其中各该第二部分于该垂直方向上的投影面积小于各该第一部分于该垂直方向上的投影面积。

5.如权利要求1所述的掩模结构，其中环绕该中心轴的该方向为环形方向。

6.如权利要求1所述的掩模结构，其中各该第一部分在自该中心轴向外的径向方向(radial direction)上的长度小于各该第二部分在自该中心轴向外的该径向方向上的长度。

7.一种沉积装置，包括：

制作工艺腔室；

平台，至少部分设置于该制作工艺腔室中，该平台包括基底的支承结构；以及

掩模结构，设置于该制作工艺腔室中，该掩模结构位于该平台之上且覆盖被支承在该平台上的基底的周围区域，其中该掩模结构包括：

多个第一部分，在环绕中心轴的方向上排列且彼此分离；以及

多个第二部分，设置于该多个第一部分之上，其中各该第二部分与两个相邻的该第一部分在与该中心轴的延伸方向平行的垂直方向上重叠。

8.如权利要求7所述的沉积装置，其中该中心轴的至少一部分设置于该平台之上且沿与该平台的上表面正交的方向上延伸。

9.如权利要求7所述的沉积装置，还包括：

多个第一支撑结构，其中各该第一支撑结构与该多个第一部分中的至少一个相连；以及

多个第二支撑结构，其中各该第二支撑结构与该多个第二部分中的至少一个相连。

10.如权利要求9所述的沉积装置，其中该多个第二支撑结构中的一个的一部分在该垂直方向上设置于该多个第一部分中的一个之下。

11.如权利要求9所述的沉积装置，其中该多个第一支撑结构中的一个的一部分在该垂直方向上设置于该多个第二部分中的一个之下。

12.如权利要求7所述的沉积装置，其中各该第二部分还与两个相邻的该第一部分之间的间隙在该垂直方向上重叠。

13.如权利要求7所述的沉积装置，其中各该第二部分与该多个第一部分互相分离。

14.如权利要求7所述的沉积装置，其中该基底的中心点与该中心轴在该垂直方向上重叠。

15.一种沉积装置的操作方法，包括：

提供沉积装置，该沉积装置包括：

制作工艺腔室；

平台，至少部分设置于该制作工艺腔室中，该平台包括基底的支承结构；以及

掩模结构，设置于该制作工艺腔室中，该掩模结构位于该平台之上且覆盖被支承在该平台上的基底的周围区域，其中该掩模结构包括：

多个第一部分，在环绕中心轴的方向上排列且彼此分离；以及

多个第二部分，设置于该多个第一部分之上，其中各该第二部分与两个相邻的该第一部分在与该中心轴的延伸方向平行的垂直方向上重叠；以及

在不同的沉积制作工艺之间分别水平地调整该多个第一部分与该多个第二部分的位置。

16.如权利要求15所述的沉积装置的操作方法，其中，在各沉积制作工艺中，该多个第一部分中的一个的内侧边缘与该中心轴之间的距离至少部分等于该多个第二部分中的一个的内侧边缘与该中心轴之间的距离。

17.如权利要求15所述的沉积装置的操作方法，还包括：

对第一基底进行第一沉积制作工艺，其中，在该第一沉积制作工艺后，第一成膜抑制区域形成于该第一基底的周围区域上，且该第一成膜抑制区域是与在该第一沉积制作工艺中该多个第一部分与该多个第二部分的位置对应形成；以及

对第二基底进行第二沉积制作工艺，其中，在该第二沉积制作工艺后，第二成膜抑制区域形成于该第二基底的周围区域上，且该第二成膜抑制区域是与在该第二沉积制作工艺中该多个第一部分与该多个第二部分的位置对应形成。

18.如权利要求17所述的沉积装置的操作方法，其中在该第一沉积制作工艺中的该多个第一部分中的一个的内侧边缘与该中心轴之间的距离不同于在该第二沉积制作工艺中的该第一部分的该内侧边缘与该中心轴之间的距离。

19.如权利要求17所述的沉积装置的操作方法，其中该第一成膜抑制区域的宽度不同于该第二成膜抑制区域的宽度。

20.如权利要求15所述的沉积装置的操作方法，其中在不同的沉积制作工艺之间分别水平地调整该多个第一部分与该多个第二部分的该位置包括：

分别使该多个第一部分与该多个第二部分朝向该中心轴移动或远离该中心轴移动。

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