JP2022043568A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板の表面の周縁及び側面に塗布膜を形成する。【解決手段】基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜Ｒを形成する基板処理装置であって、基板を回転可能に保持するように構成された基板保持部と、基板の裏面を含む基板の周縁に第１薬液を供給するように構成された第１薬液供給部と、基板上に供給された第１薬液のうち、基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した第１薬液を除去する一部除去部と、基板の表面及び側面に塗布膜を形成するための第２薬液を供給するように構成された第２薬液供給部と、第２薬液が付着した基板上に残留する第１薬液を除去する第１薬液除去部と、基板保持部と、第１薬液供給部と、一部除去部と、第２薬液供給部と、第１薬液除去部とを、制御する制御部と、を含む。【選択図】図６

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
特許文献１には、基板の周縁部に塗布液を塗布してリング状の塗布膜を形成する技術が開示されている。
特開２０１３－６２４３６号公報
本開示は、基板の表面の周縁及び側面に塗布膜を形成することが可能な技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成する基板処理装置であって、前記基板を回転可能に保持するように構成された基板保持部と、前記基板の裏面を含む前記基板の周縁に第１薬液を供給するように構成された第１薬液供給部と、前記基板上に供給された前記第１薬液のうち、前記基板の表面及び側面に付着した前記第１薬液の少なくとも一部を除去する一部除去部と、前記基板の表面及び側面に第２薬液を供給するように構成された第２薬液供給部と、前記第２薬液が付着した前記基板上に残留する前記第１薬液を除去する第１薬液除去部と、前記基板保持部と、前記第１薬液供給部と、前記一部除去部と、第２薬液供給部と、前記第１薬液除去部とを、制御する制御部と、を含む。
本開示によれば、基板の表面の周縁及び側面に塗布膜を形成することが可能な技術が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。 図２は、基板処理システムの内部の一例を概略的に示す側面図である。 図３は、塗布ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図５は、ワークに対して形成される塗布膜の形状の一例を示す模式図である。 図６は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図７（ａ）～図７（ｆ）は、基板処理方法の一例を説明するための模式図である。 図８（ａ）～図８（ｆ）は、基板処理方法の変形例を説明するための模式図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、基板処理方法の変形例を説明するための模式図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成する基板処理装置であって、前記基板を回転可能に保持するように構成された基板保持部と、前記基板の裏面を含む前記基板の周縁に第１薬液を供給するように構成された第１薬液供給部と、前記基板上に供給された前記第１薬液のうち、前記基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した前記第１薬液を除去する一部除去部と、前記基板の表面及び側面に前記塗布膜を形成するための第２薬液を供給するように構成された第２薬液供給部と、前記第２薬液が付着した前記基板上に残留する前記第１薬液を除去する第１薬液除去部と、前記基板保持部と、前記第１薬液供給部と、前記一部除去部と、第２薬液供給部と、前記第１薬液除去部とを、制御する制御部と、を備える。
上記の基板処理装置によれば、基板の裏面を含む基板の周縁に第１薬液を供給した後に、基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した第１薬液が除去される。その後、基板の表面及び側面に第２薬液を供給した後に、基板上に残留する第１薬液が除去される。これにより、塗布膜を形成するための第２薬液を供給する際には、基板の裏面は第１薬液が付着した状態であるので、第２薬液が基板の裏面に付着することが防がれるため、基板の表面と側面に塗布膜を形成することができる。そのため、基板の裏面に塗布膜が形成されることを防ぎながら、基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成することができる。
前記第１薬液供給部は、前記基板の裏面側に設けられて、前記基板の周縁に前記第１薬液を吐出する第１ノズルを含み、前記第２薬液供給部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板の表面及び前記基板の側面に前記第２薬液を吐出する第２ノズルを含む態様としてもよい。
第１薬液を吐出する第１ノズルが基板の裏面側に設けられることで、第１薬液を基板の裏面を含む周縁に対して適切に付着させることができる。そのため、第１薬液によって基板の裏面に対して第２薬液が付着することを防ぎながら、基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成することができる。
前記第１薬液供給部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板の周縁に前記第１薬液を吐出する第１ノズルを含み、前記第２薬液供給部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板の表面及び前記基板の側面に前記第２薬液を吐出する第２ノズルを含む態様としてもよい。
第１薬液を吐出する第１ノズルが基板の表面側に設けられる場合、基板の裏面側において第１薬液を供給するための機構の配置等が複雑になることが防がれる。
前記一部除去部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板上に前記第１薬液を除去可能な溶剤を吐出する第３ノズルを含み、前記制御部は、前記基板を回転させた状態で、前記基板上に前記溶剤を吐出するように、前記基板保持部及び前記一部除去部を制御する態様としてもよい。
基板を回転させながら第３ノズルから溶剤を供給することで第１薬液の一部を除去する構成とすることで、基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した第１薬液を、溶剤を用いて適切に除去することができる。したがって、塗布膜を形成するための第２薬液を基板の表面及び側面に適切に付着させることができる。
前記制御部は、前記基板を回転させた状態で前記第２薬液を供給するように、前記基板保持部及び前記第２薬液供給部を制御し、前記一部除去部によって前記溶剤を供給する際の前記基板の回転数と比べて、前記第２薬液供給部によって前記第２薬液を供給する際の前記基板の回転数が小さい態様としてもよい。
上記のように、一部除去部によって溶剤を供給する際の前記基板の回転数と比べて、第２薬液供給部によって前記第２薬液を供給する際の前記基板の回転数を小さくすることで、溶剤が基板の裏面側に移動することを防ぐことができる。また、第２薬液を供給する際の基板の回転数を小さくすることで、第２薬液を基板上にムラ無く供給することができると共に液はね等による第２薬液の飛散を防ぐことができる。
前記第３ノズルは、前記基板上に前記溶剤を霧状に噴霧する態様としてもよい。霧状に溶剤を噴霧することで、基板上の所望の位置に溶剤を供給することができると共に、第１薬液が溶剤によって適切に除去される。
前記一部除去部は、前記基板保持部によって前記基板を回転した状態で、前記基板の表面及び側面に対して当接することで前記第１薬液を除去することが可能な除去部材を含む態様としてもよい。このように、除去部材が基板の表面及び側面の第１薬液に当接することによって第１薬液を除去する場合、所望の位置の第１薬液を適切に除去することができる。
一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成する基板処理方法であって、前記基板の裏面を含む前記基板の周縁に第１薬液を供給することと、前記基板上に供給された前記第１薬液のうち、前記基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した前記第１薬液を除去することと、前記基板の表面及び側面に前記塗布膜を形成するための第２薬液を供給することと、前記第２薬液が付着した前記基板上に残留する前記第１薬液を除去することと、を含む。
上記の基板処理方法によれば、基板の裏面を含む基板の周縁に第１薬液を供給した後に、基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した第１薬液が除去される。その後、基板の表面及び側面に第２薬液を供給した後に、基板上に残留する第１薬液が除去される。これにより、塗布膜を形成するための第２薬液を供給する際には、基板の裏面は第１薬液が付着した状態であるので、第２薬液が基板の裏面に付着することが防がれるため、基板の表面と側面に塗布膜を形成することができる。そのため、基板の裏面に塗布膜が形成されることを防ぎながら、基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成することができる。
一つの例示的実施形態において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、上記の方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶していてもよい。上記の記憶媒体は、上記の基板処理方法と同様の効果を奏する。
以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜及び回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００（制御ユニット）を備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
（基板処理装置）
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１２（液処理ユニット）は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成することを含む液処理を行う。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（レジスト）を下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、被膜の形成に伴う各種熱処理を行う。なお、塗布ユニットＵ１は、ワークＷの周縁にレジスト液による塗布膜を形成する機能を有する。
処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。塗布ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
［塗布ユニット］
続いて、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１について詳細に説明する。図３に示すように、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、スピンチャック２１（基板保持部）と、回転駆動部２２と、支持ピン２３と、ガイドリング２５と、カップ２６と、排気管２８と、排液口２９と、を含む。また、塗布ユニットＵ１は、第１処理液供給部３１と、第２処理液供給部３２と、第３処理液供給部３３と、第４処理液供給部３４と、を含む。
なお、上記の第１処理液供給部３１～第４処理液供給部３４は、ワークＷの周縁部に塗布膜を形成する際に使用する処理液である。
スピンチャック２１は、ワークＷを水平に保持する。スピンチャック２１は、上下方向（鉛直方向）に延びるシャフトを介して回転駆動部２２に接続される。回転駆動部２２は、制御装置１００から出力される制御信号に基づいて、所定の回転速度でスピンチャック２１を回転させる。
支持ピン２３は、ワークＷの裏面を支持可能なピンであり、一例としてスピンチャック２１のシャフトの周囲に３つ設けられる。支持ピン２３は昇降機構（図示せず）によって昇降可能である。支持ピン２３によってワークＷの搬送機構（図示せず）とスピンチャック２１との間でワークＷが受け渡される。
ガイドリング２５は、スピンチャック２１によって保持されたワークＷの下方に設けられて、ワークＷの表面に対して供給される処理液を排液口へ向けてガイドする機能を有する。また、ガイドリング２５の外周の周囲を囲むように、処理液の飛散を抑制するためのカップ２６が設けられる。スピンチャック２１へのワークＷの受け渡しが可能なように、カップ２６の上方は開口している。カップの２６の側周面とガイドリング２５の外周縁との間には液体の排出路となる空間２７が形成される。また、カップ２６の下方には、排気口２８ａを有する排気管２８と、空間２７を移動する液体を排出する排液口２９とが設けられる。
また、塗布ユニットＵ１では４種類の処理液を供給するための４つの処理液供給部が設けられる。第１処理液供給部３１（一部除去部）及び第２処理液供給部３２（第２薬液供給部）は、スピンチャック２１で支持されるワークＷの上方からワークＷの表面側の周縁へ向けて処理液を吐出する。第３処理液供給部３３（第１薬液供給部）及び第４処理液供給部３４（第１薬液除去部）は、スピンチャック２１で支持されるワークＷの下方からワークＷの裏面側の周縁へ向けて処理液を吐出する。
第１処理液供給部３１は、ノズル３１ａ（第３ノズル）と、処理液供給源３１ｂと、配管３１ｃとを含んで構成される。同様に、第２処理液供給部３２は、ノズル３２ａ（第２ノズル）と、処理液供給源３２ｂと、配管３２ｃとを含んで構成される。第３処理液供給部３３は、ノズル３３ａ（第１ノズル）と、処理液供給源３３ｂと、配管３３ｃとを含んで構成される。第４処理液供給部３４は、ノズル３４ａと、処理液供給源３４ｂと、配管３４ｃとを含んで構成される。第１処理液供給部３１～第４処理液供給部３４のそれぞれの配管上には、制御装置１００によって制御される開閉バルブが設けられていてもよい。制御装置１００からの制御信号に基づいて開閉バルブの開状態と閉状態とを切り替えることで、処理液の供給／停止を切り替える構成としてもよい。
なお、第１処理液供給部３１から供給される処理液としては、例えば、溶剤が挙げられる。第１処理液供給部３１から供給される溶剤としては、例えば、第３処理液供給部３３から供給される処理液を溶かすことができる溶剤（例えば、シンナー）が挙げられる。また、第２処理液供給部３２から供給される処理液としては、例えば、ワークＷの周縁において塗布膜を形成する際に使用される処理液（例えば、レジスト液）が挙げられる。第３処理液供給部３３から供給される処理液としては、ワークＷの端面に対して付着可能であり且つ第１処理液供給部３１から供給される溶剤に対して溶け得る液体が挙げられる。さらに、第４処理液供給部３４から供給される処理液としては、第３処理液供給部３３から供給される処理液を除去可能であって、第２処理液供給部３２から供給される処理液を溶かすことができない溶剤が挙げられる。以降の説明では、第３処理液供給部３３から供給される処理液を第１薬液Ｒ１とし、第２処理液供給部３２から供給される処理液（塗布膜形成用の処理液）を第２薬液Ｒ２という場合がある。また、第１処理液供給部３１から供給される溶剤を第１溶剤Ｆ１とし、第４処理液供給部３４から供給される溶剤を第２溶剤Ｆ２という場合がある。上述の関係から、第１薬液Ｒ１と第２薬液Ｒ２とは互いに異なる薬剤が選ばれ得る。また、第１溶剤Ｆ１と第２溶剤Ｆ２とは互いに異なる薬剤が選ばれ得る。ただし、例えば、第１溶剤Ｆ１及び第２溶剤Ｆ２として同種の薬剤を選択してもよい。
なお、本実施形態において用いられる、特定の薬液が特定の溶剤に対して「溶ける」とは、特定の薬液に対して特定の溶剤を混合させたときに薬液を構成する各成分が溶剤に対して溶解することではなく、薬液を構成する各成分が移動可能となることをいう。具体的には、特定の薬液が例えばワークＷ上に付着して移動しない状態とは、薬液を構成する成分（例えば、レジスト液の場合には樹脂粒子等）が相互に近接した状態となっている。この状態の薬液に対して特定の溶剤が混合した際には、溶剤が薬液を構成する成分の間に入り込む。この結果、薬液中の各成分が移動（流動）可能となり、当該薬液が付着していた領域から薬液が除去される状態となる。本実施形態における「溶ける」とは、上記のように薬液が移動可能となり、結果として、薬液の除去が可能となる状態をいう。
第１処理液供給部３１のノズル３１ａ及び第２処理液供給部３２のノズル３２ａは、例えば、水平方向に伸びるアーム等に取り付けられ、水平方向に移動可能とされている。また、ノズル３１ａ，３２ａは、上下方向にも移動可能とされている。ノズル３１ａ，３２ａを水平方向及び上下方向に移動させるための移動機構が設けられていて、移動機構の動作によって、ノズル３１ａ，３２ａは、カップ２６外の待機位置とワークＷ上との間を移動することができる。
第３処理液供給部３３のノズル３３ａ及び第４処理液供給部３４のノズル３４ａについても、ノズル３１ａ，３２ａと同様に、移動機構によって上下方向及び水平方向に移動可能とされている。なお、ノズル３３ａ，３４ａの待機位置は、ノズル３１ａ，３２ａの待機位置とは別に設けられていてもよい。
ノズル３１ａ～３４ａとしては、いずれも処理液の吐出口がある程度細径（例えば、吐出口の直径が０．２ｍｍ～１．２ｍｍ程度）のノズルを用いてもよい。このように細径のノズルを用いた場合、上下方向に及び水平方向に沿ってノズルの位置を移動させることで、ワークＷ上の特定の位置への処理液の供給を適切に行うことができる。ただし、ノズル３１ａ～３４ａの径・形状は上記の例に限定されない。
制御装置１００は、塗布・現像装置２を制御する。制御装置１００は、所定の条件に従って、処理モジュール１２によりワークＷに対して液処理を施すことを実行する。制御装置１００は、例えば、所定の条件に基づいて第１処理液供給部３１～第４処理液供給部３４によりワークＷに各処理液を供給すると共に、その際にワークＷの回転等を制御する。制御装置１００は、上記の液処理を実行するための複数の機能モジュールによって構成されていてもよい。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
制御装置１００のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。制御装置１００は、図４に示されるように、ハードウェア上の構成として回路２０１を含む。回路２０１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路２０１は、プロセッサ２０２と、メモリ２０３と、ストレージ２０４と、ドライバ２０５と、入出力ポート２０６とを含んでいてもよい。
プロセッサ２０２は、メモリ２０３及びストレージ２０４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート２０６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリ２０３及びストレージ２０４は、制御装置１００で使用される各種情報・プログラム等を記憶する。ドライバ２０５は、塗布・現像装置２の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポート２０６は、ドライバ２０５と塗布・現像装置２を構成する各部との間で、信号の入出力を行う。
基板処理システム１は、一つの制御装置１００を備えていてもよいし、複数の制御装置１００で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、例えば、複数の機能モジュールのそれぞれが一つの互いに異なる制御装置によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置１００の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置１００が複数のコンピュータ（回路２０１）で構成されている場合には、複数の機能モジュールがそれぞれ一つのコンピュータ（回路２０１）によって実現されていてもよい。また、制御装置１００は、２つ以上のコンピュータ（回路２０１）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置１００は、複数のプロセッサ２０２を有していてもよい。この場合、複数の機能モジュールがそれぞれ一つのプロセッサ２０２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ２０２の組み合わせによって実現されていてもよい。基板処理システム１の制御装置１００の機能の一部を基板処理システム１とは別の装置に設けるとともに、基板処理システム１とネットワークを介して接続し、本実施形態における各種動作を実現してもよい。例えば、複数の基板処理システム１のプロセッサ２０２、メモリ２０３、ストレージ２０４の機能をまとめて１つまたは複数の別装置で実現すれば、複数の基板処理システム１の情報や動作を遠隔で一括的に管理及び制御することも可能となる。
続いて、基板処理システム１において実行されるワークＷの処理について説明する。制御装置１００は、例えば以下の手順でワークＷに対する処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２に配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。制御装置１００は、ワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。処理モジュール１２において行われる液処理方法の一例については後述する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１に収容されたワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。そして、露光装置３において、ワークＷに形成されたレジスト膜に露光処理が施される。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、当該ワークＷを棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御装置１００は、現像処理に伴う熱処理、及び現像処理を実行するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。以上により、制御装置１００は、１枚のワークＷに対する基板処理を終了する。
［基板処理方法］
次に、処理モジュール１２において行われる基板処理方法の一例を説明する。ここでは、液処理方法として、ワークＷの周縁部にレジスト膜による塗布膜を形成する方法について説明する。図５は、周縁部に塗布膜Ｒが形成されたワークＷの一例を示している。処理モジュール１２では、ワークＷの表面Ｗ１のうち周縁部以外にも塗布膜（レジスト膜）が形成されるが、周縁部以外の塗布膜については説明を省略する。ワークＷの周縁部に塗布される塗布膜Ｒは、ワークＷの表面Ｗ１のうちレジストパターンが形成される中央部分とは異なる領域を保護するために設けられる。
図５に示すように、ワークＷは、一対の主面を形成する表面Ｗ１と裏面Ｗ２と、表面Ｗ１及び裏面Ｗ２に対して直交する方向に伸びる帯状の側面Ｗ３とを有する。さらに、ワークＷの表面Ｗ１と側面Ｗ３との間には傾斜面Ｗ４が形成されると共に、裏面Ｗ２と側面Ｗ３との間にも傾斜面Ｗ５が形成される。このうち、塗布膜Ｒは、例えば、ワークＷの側面Ｗ３から径方向に数ｍｍ程度の領域に厚さ１０ｎｍ～１００μｍ程度の膜として形成される。さらに、塗布膜Ｒは、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３にも形成される。具体的には、側面Ｗ３のうちの上方であって、ワークＷの厚さ方向（表面Ｗ１及び裏面Ｗ２に対して直交する方向）に沿った側面Ｗ３の高さ（長さ）に対して３０％～１００％程度の領域に塗布膜Ｒが形成される。また、側面Ｗ３における塗布膜Ｒの厚さは、例えば、１０ｎｍ～１００μｍ程度とされる。
このように、塗布膜Ｒは、ワークＷの表面Ｗ１の周縁と、表面Ｗ１の周縁から連続する傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の一部を覆うように形成される。これにより、ワークＷの傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の一部についても、ワークＷの表面Ｗ１を保護することができる。すなわち、塗布膜Ｒを形成するワークＷの周縁部とは、表面Ｗ１の周縁と、表面Ｗ１の周縁から連続する傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の一部をいう。ただし、塗布膜Ｒを形成した後にワークＷを搬送すること等を考慮すると、ワークＷの傾斜面Ｗ５及び裏面Ｗ２に対しては塗布膜Ｒが形成されないようにすることが求められる。
図６は、図５に示すワークＷのようにワークＷの表面Ｗ１の周縁部分と、表面Ｗ１の周縁から連続する傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の一部に対して塗布膜Ｒを形成するための処理の手順の一例を示す図である。また、図７（ａ）～図７（ｆ）は、図６に示す各手順におけるワークＷの周縁の状況を説明する図である。なお、図７及び後述の図８では、ワークＷの断面の一部（周縁部の周辺）のみを示している。後述のようにワークＷを回転しながら各処理液をワークＷに対して供給するので、各処理液は、ワークＷに対して環状に塗布（付着）されることになる。
図６に示されるように、制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、制御装置１００は、搬送装置Ａ３及び塗布ユニットＵ１の支持ピン２３を制御し、ワークＷを塗布ユニットＵ１におけるスピンチャック２１上に支持する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、第３処理液供給部３３を制御し、ノズル３３ａからワークＷの裏面Ｗ２へ向かうように第１薬液を吐出する。これにより、図７（ａ）に示すように、ワークＷの裏面Ｗ２、傾斜面Ｗ５及び側面Ｗ３に対して第１薬液Ｒ１が付着する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることによってワークＷを回転させた状態で、第１処理液供給部３１を制御し、ノズル３１ａからワークＷの表面Ｗ１へ向かうように第１溶剤Ｆ１を吐出する。これにより、図７（ｂ）に示すように、ワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方に第１溶剤Ｆ１が付着する。回転駆動部２２によるワークＷの回転数を制御することで、ワークＷの表面Ｗ１に供給された第１溶剤Ｆ１は、ワークＷの外周へ向かって広がりながら、表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方へ広がる。回転数を調整することによって、ワークＷ上での第１溶剤Ｆ１の広がりを制御することができる。溶剤の種類・特性、ワークＷの大きさ等にもよるが、ワークＷの側面Ｗ３に第１溶剤Ｆ１が到達しながら、ワークＷの傾斜面Ｗ５及び裏面Ｗ２には第１溶剤Ｆ１が到達しないように、ワークＷの回転数はある程度大きくされる。すなわち、ステップＳ０２でのワークＷの回転数は、第１溶剤Ｆ１がワークＷの外方へ移動可能であり、且つ、傾斜面Ｗ５及び裏面Ｗ２への回り込みが困難となるように制御される。一例として、このときのワークＷの回転数は１０００ｒｐｍ～４０００ｒｐｍ程度とされる。
第１薬液Ｒ１は、第１溶剤Ｆ１による除去が可能な薬剤とされている。したがって、第１薬液Ｒ１が付着されている上に溶剤が供給された場合、ワークＷに付着した第１薬液Ｒ１が除去される。この結果、図７（ｃ）に示すように、第１溶剤Ｆ１が供給された領域の第１薬液Ｒ１は除去されて、一部除去後の第１薬液Ｒ１’が残留した状態となる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、第２処理液供給部３２を制御し、ノズル３２ａから第２薬液を吐出する。これにより、図７（ｄ）に示すように、ワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方に第２薬液Ｒ２が付着する。回転駆動部２２によるワークＷの回転数を制御することで、ワークＷの表面Ｗ１に供給された第２薬液Ｒ２は、ワークＷの外周へ向かって広がりながら、表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方へ広がる。回転数を調整することによって、ワークＷ上での第２薬液Ｒ２の広がりを制御することができる。第２薬液Ｒ２は、ワークＷの各面に沿って広がるので、第１溶剤Ｆ１によって第１薬液Ｒ１が除去された領域及び元々第１薬液Ｒ１が付着していない領域に沿って第２薬液Ｒ２が広がる。なお、第２薬液Ｒ２は、第１薬液Ｒ１を除去できる特性は有していないので、図７（ｄ）に示すように、一部除去後の第１薬液Ｒ１’上に第２薬液Ｒ２が広がったとしても、第１薬液Ｒ１’を除去させることはできず、第１薬液Ｒ１’の上方に付着した状態となる。
第２薬液Ｒ２の種類・特性、ワークＷの大きさ等にもよるが、ワークＷの側面Ｗ３に第２薬液Ｒ２が到達するように、第２薬液Ｒ２の広がりを制御しようとする場合、ワークＷの回転数はある程度小さく調整される。すなわち、上記のステップＳ０４でのワークＷの回転数は、ワークＷの表面Ｗ１において中心側から外方へ向けて第１溶剤Ｆ１を広げる場合の回転数（ステップＳ０２での回転数）と比べて小さくされる。一例として、このときのワークＷの回転数は１０００ｒｐｍ以下とされる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、第４処理液供給部３４を制御し、ノズル３４ａからワークＷの裏面Ｗ２へ向かうように第２溶剤Ｆ２を吐出する。これにより、図７（ｅ）に示すように、ワークＷの裏面Ｗ２、傾斜面Ｗ５及び側面Ｗ３の下方に残留する第１薬液Ｒ１’と第２溶剤Ｆ２とが接触する。第１薬液Ｒ１’は、第２溶剤Ｆ２による除去が可能な薬剤とされている。したがって、第１薬液Ｒ１’が付着されている上に溶剤が供給された場合、ワークＷに付着した第１薬液Ｒ１’が除去される。第２溶剤Ｆ２は、ワークＷに付着する第１薬液Ｒ１’が全て除去される程度に吐出される。一方、第２薬液Ｒ２は、第２溶剤Ｆ２によってワークＷから除去されないように薬剤・溶剤が選択される。この結果、図７（ｆ）に示すように、第１薬液Ｒ１’は除去されて、第２薬液Ｒ２が残留した状態となる。この第２薬液Ｒ２が、ワークＷ上に形成される塗布膜Ｒとなる。
以上の処理によって、ワークＷの周縁部に図５に示す塗布膜Ｒが形成されることになる。なお、図６では、ワークＷに対する処理液（薬液または溶剤）の塗布についてのみ説明をしているが、薬液の固定、または溶剤による除去処理の促進等を目的として、各ステップの間に加熱処理、乾燥処理等を行ってもよい。加熱処理を行う場合には、例えば、熱処理ユニットＵ２へワークＷを移動して熱処理を行ってもよい。
（基板処理方法の変更例－１）
図６及び図７に示した基板処理方法の変更例について、図８を参照しながら説明する。変更例に係る基板処理方法も、図６に示したフロー図と同様の順序で処理を行うが、一部のステップにおける具体的な処理の仕方が、上述の基板処理方法とは異なる。以下の説明では、変更された箇所を中心に説明する。
制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、制御装置１００は、搬送装置Ａ３及び塗布ユニットＵ１の支持ピン２３を制御し、ワークＷを塗布ユニットＵ１におけるスピンチャック２１上に支持する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、第１薬液を供給する。ここで、変更例に係る基板処理方法では、ワークＷの表面側から第１薬液を供給する。そのため、第３処理液供給部３３のノズル３３ａに代えて、ワークＷの表面側に設けられた、ノズル３５ａからワークＷの表面Ｗ１向かうように第１薬液を吐出する。このとき、制御装置１００は、ワークＷの回転数等を制御して、図８（ａ）に示すように、第１薬液がワークＷの表面Ｗ１から側面Ｗ３を経て裏面Ｗ２へ到達させる。これにより、ワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４、裏面Ｗ２、傾斜面Ｗ５及び側面Ｗ３に対して第１薬液Ｒ１が付着する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることによってワークＷを回転させた状態で、第１処理液供給部３１を制御し、ノズル３１ａからワークＷの表面Ｗ１へ向かうように第１溶剤Ｆ１を吐出する。これにより、図８（ｂ）に示すように、ワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方に第１溶剤Ｆ１が付着する。回転駆動部２２によるワークＷの回転数を制御することで、ワークＷの表面Ｗ１に供給された第１溶剤Ｆ１は、ワークＷの外周へ向かって広がりながら、表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方まで広がる。回転数を調整することによって、ワークＷ上での第１溶剤Ｆ１の広がりを制御することができる。
第１薬液Ｒ１は、第１溶剤Ｆ１による除去が可能な薬剤とされている。したがって、第１薬液Ｒ１が付着されている上に溶剤が供給された場合、ワークＷに付着した第１薬液Ｒ１が除去される。この結果、図８（ｃ）に示すように、第１溶剤Ｆ１が供給された領域の第１薬液Ｒ１は除去されて、一部除去後の第１薬液Ｒ１’が残留した状態となる。この状態は、図７（ｃ）に示す状態と略同一である。ただし、第１薬液Ｒ１をワークＷの表面Ｗ１側から供給した場合、第１薬液Ｒ１の粘度等の特性によるが、図７（ｃ）に示すように裏面Ｗ２側から供給した場合と比較して、裏面Ｗ２側に残留する第１薬液Ｒ１’が少なくなる場合がある。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることによって、ワークＷを回転させた状態で、第２処理液供給部３２を制御し、ノズル３２ａから第２薬液を吐出する。これにより、図８（ｄ）に示すように、ワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３の上方に第２薬液Ｒ２が付着する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、制御装置１００は、回転駆動部２２を駆動させることでワークＷを回転させた状態で、第４処理液供給部３４を制御し、ノズル３４ａからワークＷの裏面Ｗ２へ向かうように第２溶剤Ｆ２を吐出する。これにより、図８（ｅ）に示すように、ワークＷの裏面Ｗ２、傾斜面Ｗ５及び側面Ｗ３の下方に残留する第１薬液Ｒ１’と第２溶剤Ｆ２とが接触し、ワークＷに付着した第１薬液Ｒ１’が除去される。この結果、図８（ｆ）に示すように、第１薬液Ｒ１’は除去されて、第２薬液Ｒ２が残留した状態となる。この第２薬液Ｒ２が、ワークＷ上に形成される塗布膜Ｒとなる。
以上の処理によって、ワークＷの周縁部に図５に示す塗布膜Ｒが形成されることになる。なお、図６では、ワークＷに対する処理液（薬液または溶剤）の塗布についてのみ説明をしているが、薬液の固定、または溶剤による除去処理の促進等を目的として、各ステップの間に加熱処理、乾燥処理等を行ってもよい。加熱処理を行う場合には、例えば、熱処理ユニットＵ２へワークＷを移動して熱処理を行ってもよい。このことは、図８に示す手順でも同様である。
図８を参照しながら説明した変更例に係る基板処理方法のように、第１薬液Ｒ１についてはワークＷの表面Ｗ１側からワークＷに供給してもよい。ただし、第１薬液Ｒ１はワークＷの裏面Ｗ２及び傾斜面Ｗ５に対して第２薬液Ｒ２によって形成される塗布膜Ｒが形成されることを防ぐ目的で用いられている。ワークＷの裏面Ｗ２及び傾斜面Ｗ５のうちステップＳ０４において第２薬液Ｒ２が付着する可能性がある各領域に対して第１薬液Ｒ１が十分に付着するように、第１薬液Ｒ１を選択し供給することで、上記の目的は達成され得る。
（基板処理方法の変更例－２）
次に、図９を参照しながら、基板処理方法におけるステップＳ０３の変更例について説明する。ステップＳ０３では、ワークＷに付着した第１薬液Ｒ１の一部が除去されるが、除去の方法は、上記で説明したノズル３１ａによる第１溶剤Ｆ１の吐出方法に限定されない。
図９（ａ）では、第１薬液Ｒ１が付着したワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３に対して当接可能な毛材９１（除去部材）を有するブラシ９０を用いて第１薬液Ｒ１の一部を除去する例を示している。ブラシ９０をワークＷに当接させることで、ワークＷの表面Ｗ１、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３に付着した第１薬液Ｒ１を除去しつつ下方の第１薬液Ｒ１を残留させることができる。毛材９１の形状はワークＷの周縁部の形状に対応させることで、毛材９１によってワークＷが破損することを防ぐ構成としてもよい。なお、ブラシ９０を例えば、移動機構（不図示）によって水平方向及び上下方向に移動可能とすることで、ブラシ９０を使用しない場合には、カップ２６の外方に待機させる構成としてもよい。また、図９（ａ）では、毛材９１を備えたブラシ９０を示しているが、第１薬液Ｒ１を除去するための除去部材は毛材９１に限定されず、例えば、スポンジ等を用いてもよい。
図９（ｂ）では、第１処理液供給部３１のノズル３１ａから第１溶剤Ｆ１を吐出する際に、ノズル３１ａから霧状（ミスト状）に第１溶剤Ｆ１を噴霧している状態を示している。このように、第１溶剤Ｆ１の吐出方法を変更してもよい。霧状に第１溶剤Ｆ１を噴霧する場合、第１薬液Ｒ１と第１溶剤Ｆ１とが接触しやすくなるので、第１溶剤Ｆ１による第１薬液Ｒ１の移動（除去）が促進され得る。そのため、第１溶剤Ｆ１の移動を利用して第１薬液Ｒ１を除去する範囲を制御する際に、精度よく制御することが可能となる。
［作用］
上記の基板処理装置（塗布・現像装置２）及び基板処理方法によれば、ワークＷの裏面Ｗ２を含むワークＷの周縁に第１薬液Ｒ１を供給した後に、ワークＷの表面Ｗ１と側面Ｗ３の少なくとも一部とに付着した第１薬液Ｒ１が除去される。その後、ワークＷの表面Ｗ１及び側面に第２薬液Ｒ２を供給した後に、第２溶剤Ｆ２によってワークＷ上に残留する第１薬液Ｒ１（第１薬液Ｒ１’）が除去される。このように、塗布膜Ｒを形成するための第２薬液Ｒ２を供給する際には、ワークＷの裏面は第１薬液Ｒ１が付着した状態であるので、第２薬液Ｒ２がワークＷの裏面に付着することが防がれるため、ワークＷの表面Ｗ１と側面に塗布膜Ｒを形成することができる。そのため、ワークＷの裏面に塗布膜が形成されることを防ぎながら、ワークＷの表面Ｗ１の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成することができる。
従来から、ワークＷの表面Ｗ１の周縁に対してレジスト液等による塗布膜を形成することで、ワークＷに対するエッチング等の各種処理プロセスにおける周縁の損傷等を防ぐことが検討されている。これに対してワークＷの側面Ｗ３や、表面Ｗ１と側面Ｗ３との間の傾斜面Ｗ４等も後段の処理プロセスで損傷が発生する場合があるため、傾斜面Ｗ４及び側面Ｗ３にも塗布膜を形成することによってワークＷを保護することが検討される。しかしながら、ワークＷの表面Ｗ１の周縁に対して塗布膜を形成する手法を利用して、塗布膜形成用の処理液を側面Ｗ３等に供給すると、ワークＷの裏面Ｗ２にも処理液が回り込む可能性がある。裏面Ｗ２に処理液が回り込んでしまうと、ワークＷの後段での搬送等にも影響を与えてしまう場合がある。したがって、ワークＷの側面Ｗ３よりも下方の傾斜面Ｗ５及び裏面Ｗ２には塗布膜が形成されないように処理液の供給を制御することが求められる。
これに対して上記の手法によれば、第２薬液Ｒ２の塗布前に第１薬液Ｒ１がワークＷの裏面Ｗ２に対して供給されるため、第２薬液Ｒ２を供給する際には第１薬液Ｒ１によってワークＷの裏面Ｗ２が保護される。そのため、第２薬液Ｒ２がワークＷの裏面Ｗ２に付着することが防がれ、塗布膜Ｒの形成も防がれる。また、側面Ｗ３等に付着した第１薬液Ｒ１は、例えば、第１処理液供給部３１による第１溶剤Ｆ１の供給によって、第２薬液Ｒ２の供給前に除去される。したがって、ワークＷの側面Ｗ３では第１薬液Ｒ１が除去された後に第２薬液Ｒ２が供給されるため、第２薬液Ｒ２による塗布膜の形成が適切に行われる。したがって、ワークＷの裏面Ｗ２では塗布膜Ｒの形成を防ぎつつ、表面Ｗ１の周縁及び側面Ｗ３に対して塗布膜Ｒを適切に形成することができる。
また、上記の装置では、第１薬液Ｒ１を供給する第３処理液供給部３３（第１薬液供給部）は、ワークＷの裏面Ｗ２側に設けられて、ワークＷの周縁に第１薬液Ｒ１を吐出するノズル３３ａ（第１ノズル）を含んでいる。また、第２薬液Ｒ２を供給する第２処理液供給部３２（第２薬液供給部）は、ワークＷの表面Ｗ１側に設けられて、ワークＷの表面Ｗ１及び前記ワークＷの側面に第２薬液Ｒ２を吐出するノズル３２ａ（第２ノズル）を含んでいる。このような構成とすることで、第１薬液Ｒ１をワークＷの裏面Ｗ２を含む周縁に対して適切に付着させることができる。そのため、第１薬液Ｒ１によってワークＷの裏面Ｗ２に対して第２薬液Ｒ２が付着することを防ぎながら、ワークＷの表面Ｗ１の周縁と側面Ｗ３とを含む周縁部に対して塗布膜Ｒを形成することができる。
また、図８に示す変形例で説明したように、第１薬液Ｒ１を供給する第１薬液供給部は、ワークＷの表面Ｗ１側に設けられて、ワークＷの周縁に第１薬液Ｒ１を吐出するノズル３５ａ（第１ノズル）を含んでいてもよい。ノズル３５ａがワークＷの表面Ｗ１側に設けられる場合、ワークＷの裏面側において第１薬液を供給するための機構の配置等が複雑になることが防がれる。
また、上記の塗布・現像装置２では、一部除去部としての第１処理液供給部３１はワークＷの表面Ｗ１側に設けられて、第１薬液Ｒ１を除去可能な第１溶剤Ｆ１を吐出するノズル３１ａ（第３ノズル）を含む。そして、制御装置１００は、ワークＷを回転させた状態で、ワークＷ上に前記溶剤を吐出するように、各部を制御する。上記の構成とすることで、ワークＷの表面Ｗ１と側面の少なくとも一部とに付着した第１薬液Ｒ１を、第１溶剤Ｆ１を用いて適切に除去することができる。したがって、塗布膜Ｒを形成するための第２薬液Ｒ２をワークＷの表面Ｗ１及び側面に適切に付着させることができる。
また、制御装置１００は、ワークＷを回転させた状態で第２薬液Ｒ２を供給するように、各部を制御する。このとき、一部除去部としての第１処理液供給部３１から第１溶剤Ｆ１を供給する際のワークＷの回転数と比べて、第２薬液供給部としての第２処理液供給部３２から第２薬液Ｒ２を供給する際のワークＷの回転数が小さくてもよい。このように、第１溶剤Ｆ１の供給時はワークＷの回転数を大きくしておくことで、第１溶剤Ｆ１がワークＷの裏面Ｗ２側に移動することを防ぐことができる。また、第２薬液Ｒ２を供給する際のワークＷの回転数を小さくすることで、第２薬液Ｒ２をワークＷ上にムラ無く供給することができる。また、第２薬液Ｒ２を供給する際のワークＷ上で液はねを防ぐことができ、第２薬液Ｒ２の飛散を防ぐことができる。
なお、上記のように、第１溶剤Ｆ１を供給するノズル３１ａは、ワークＷ上に第１溶剤Ｆ１を霧状に噴霧するようにしてもよい。この場合、ワークＷ上の所望の位置に溶剤を供給することができると共に、第１薬液Ｒ１が第１溶剤Ｆ１によって適切に除去される。
また、第１溶剤Ｆ１を供給する第１処理液供給部３１に代わる一部除去部として、ブラシ９０の毛材９１によって第１薬液Ｒ１を除去する構成としてもよい。すなわち、基板保持部としてのスピンチャック２１でワークＷを保持しながら、ワークＷを回転した状態で、除去部材として機能するブラシ９０の毛材９１をワークＷの表面Ｗ１及び側面Ｗ３に対して当接することで、第１薬液Ｒ１を除去してもよい。このように、除去部材がワークＷの表面Ｗ１及び側面Ｗ３の第１薬液Ｒ１に当接することによって第１薬液Ｒ１を除去する構成とすることで、所望の位置の第１薬液Ｒ１を適切に除去することができる。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、基板処理装置（塗布・現像装置２）における各部の配置は一例であり適宜変更される。例えば、ワークＷに対して処理液（薬液・溶剤）を供給するための構成は適宜変更される。また、処理液を供給するためのノズル（３１ａ～３５ａ）の配置、処理液供給源（３１ｂ～３４ｂ）の配置、配管（３１ｃ～３４ｃ）の配置等も適宜変更される。また、スピンチャック２１（基板保持部）、回転駆動部２２、ガイドリング２５、カップ２６等を含む塗布ユニットＵ１の各部の構成も適宜変更される。
また、上述の例示的実施形態では、ワークＷの周縁部に対して塗布膜Ｒを形成するユニットとして、基板処理を処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１について説明したが、同様の機能を他のモジュールの他のユニットに設けてもよい。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、１１～１４…処理モジュール、２１…スピンチャック、２２…回転駆動部、３１…第１処理液供給部、３２…第２処理液供給部、３３…第３処理液供給部、３４…第４処理液供給部、９０…ブラシ、９１…毛材、１００…制御装置、Ｆ１…第１溶剤、Ｆ２…第２溶剤、Ｒ…塗布膜、Ｒ１…第１薬液、Ｒ２…第２薬液、Ｗ…ワーク。

Claims (9)

  1. 基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成する基板処理装置であって、
    前記基板を回転可能に保持するように構成された基板保持部と、
    前記基板の裏面を含む前記基板の周縁に第１薬液を供給するように構成された第１薬液供給部と、
    前記基板上に供給された前記第１薬液のうち、前記基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した前記第１薬液を除去する一部除去部と、
    前記基板の表面及び側面に前記塗布膜を形成するための第２薬液を供給するように構成された第２薬液供給部と、
    前記第２薬液が付着した前記基板上に残留する前記第１薬液を除去する第１薬液除去部と、
    前記基板保持部と、前記第１薬液供給部と、前記一部除去部と、第２薬液供給部と、前記第１薬液除去部とを、制御する制御部と、
    を含む、基板処理装置。
  2. 前記第１薬液供給部は、前記基板の裏面側に設けられて、前記基板の周縁に前記第１薬液を吐出する第１ノズルを含み、
    前記第２薬液供給部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板の表面及び前記基板の側面に前記第２薬液を吐出する第２ノズルを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１薬液供給部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板の周縁に前記第１薬液を吐出する第１ノズルを含み、
    前記第２薬液供給部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板の表面及び前記基板の側面に前記第２薬液を吐出する第２ノズルを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記一部除去部は、前記基板の表面側に設けられて、前記基板上に前記第１薬液を除去可能な溶剤を吐出する第３ノズルを含み、
    前記制御部は、前記基板を回転させた状態で、前記基板上に前記溶剤を吐出するように、前記基板保持部及び前記一部除去部を制御する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、前記基板を回転させた状態で前記第２薬液を供給するように、前記基板保持部及び前記第２薬液供給部を制御し、
    前記一部除去部によって前記溶剤を供給する際の前記基板の回転数と比べて、前記第２薬液供給部によって前記第２薬液を供給する際の前記基板の回転数が小さい、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第３ノズルは、前記基板上に前記溶剤を霧状に噴霧する、請求項４または５に記載の基板処理装置。
  7. 前記一部除去部は、前記基板保持部によって前記基板を回転した状態で、前記基板の表面及び側面に対して当接することで前記第１薬液を除去することが可能な除去部材を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 基板の表面の周縁と側面とを含む周縁部に対して塗布膜を形成する基板処理方法であって、
    前記基板の裏面を含む前記基板の周縁に第１薬液を供給することと、
    前記基板上に供給された前記第１薬液のうち、前記基板の表面と側面の少なくとも一部とに付着した前記第１薬液を除去することと、
    前記基板の表面及び側面に前記塗布膜を形成するための第２薬液を供給することと、
    前記第２薬液が付着した前記基板上に残留する前記第１薬液を除去することと、
    を含む、基板処理方法。
  9. 請求項８に記載の方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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