TW202233312A - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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稲葉翔吾
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題] 在基板的表面的周緣及側面形成塗佈膜。 [解決手段] 一種基板處理裝置，係對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜(R)的基板處理裝置，包含：將基板以可旋轉保持的基板保持部；對包含基板的裏面的基板的周緣供應第1藥液的第1藥液供應部；將供應至基板上的第1藥液之中，附著於基板的表面與側面的至少一部分的第1藥液除去的一部分除去部；對基板的表面及側面供應用來形成塗佈膜的第2藥液的第2藥液供應部；將在第2藥液附著的基板上殘留的第1藥液除去的第1藥液除去部；控制基板保持部、第1藥液供應部、一部分除去部、第2藥液供應部、及第1藥液除去部的控制部。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本揭示係有關於基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體。
專利文獻1揭示在基板的周緣部塗佈塗佈液形成環狀的塗佈膜的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 特開2013-62436號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示係提供能夠在基板的表面的周緣及側面形成塗佈膜的技術。 [解決問題的手段]
本揭示的一態樣的基板處理裝置，係對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜的基板處理裝置，包含：將前述基板以可旋轉保持的基板保持部；對包含前述基板的裏面的前述基板的周緣供應第1藥液的第1藥液供應部；將供應至前述基板上的前述第1藥液之中，附著於前述基板的表面與側面的至少一部分的前述第1藥液除去的一部分除去部；對前述基板的表面及側面供應用來形成塗佈膜的第2藥液的第2藥液供應部；將在前述第2藥液附著的前述基板上殘留的前述第1藥液除去的第1藥液除去部；控制前述基板保持部、前述第1藥液供應部、前述一部分除去部、前述第2藥液供應部、及前述第1藥液除去部的控制部。 [發明的效果]
根據本揭示，提供能夠在基板的表面的周緣及側面形成塗佈膜的技術。
以下，說明關於各種例示的實施形態。
一個例示的實施形態中，提供基板處理裝置。基板處理裝置，係對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜的基板處理裝置，包含：將前述基板以可旋轉保持的基板保持部；對包含前述基板的裏面的前述基板的周緣供應第1藥液的第1藥液供應部；將供應至前述基板上的前述第1藥液之中，附著於前述基板的表面與側面的至少一部分的前述第1藥液除去的一部分除去部；對前述基板的表面及側面供應用來形成塗佈膜的第2藥液的第2藥液供應部；將在前述第2藥液附著的前述基板上殘留的前述第1藥液除去的第1藥液除去部；控制前述基板保持部、前述第1藥液供應部、前述一部分除去部、前述第2藥液供應部、及前述第1藥液除去部的控制部。
根據上述基板處理裝置，對包含基板的裏面的基板的周緣供應第1藥液後，將在基板的表面與側面的至少一部分附著的第1藥液除去。之後，對基板的表面及側面供應第2藥液後，除去在基板上殘留的第1藥液。藉此，在供應用來形成塗佈膜的第2藥液時，基板的裏面因為是附著第1藥液的狀態，因為防止了第2藥液附著於基板的裏面，能夠在基板的表面與側面形成塗佈膜。因此，能夠防止在基板的裏面形成塗佈膜，同時對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜。
前述第1藥液供應部，設於前述基板的裏面側，包含對前述基板的周緣吐出前述第1藥液的第1噴嘴；前述第2藥液供應部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板的表面及前述基板的側面吐出前述第2藥液的第2噴嘴的態樣也可以。
因為吐出第1藥液的第1噴嘴設於基板的裏面側，能夠使第1藥液對包含基板的裏面的周緣適切地附著。因此，能夠藉由第1藥液防止第2藥液對基板的裏面附著，同時對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜。
前述第1藥液供應部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板的周緣吐出前述第1藥液的第1噴嘴；前述第2藥液供應部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板的表面及前述基板的側面吐出前述第2藥液的第2噴嘴的態樣也可以。
吐出第1藥液的第1噴嘴設於基板的表面側時，防止了在基板的裏面側用來供應第1藥液的機構的配置等變得複雜。
前述一部分除去部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板上吐出能除去前述第1藥液的第3噴嘴；前述控制部，以在使前述基板旋轉的狀態下，對前述基板上吐出前述溶劑的方式，控制前述基板保持部及前述一部分除去部的態樣也可以。
藉由使基板旋轉同時從第3噴嘴供應溶劑除去第1藥液的一部分，能夠將在基板的表面與側面的至少一部分附著的第1藥液使用溶劑適切地除去。因此，能夠使用來形成塗佈膜的第2藥液適切地附著於基板的表面及側面。
前述控制部，以在使前述基板旋轉的狀態下供應前述第2藥液的方式，控制前述基板保持部及前述第2藥液供應部；與藉由前述一部分除去部供應前述溶劑時的前述基板的旋轉數相比，藉由前述第2藥液供應部供應前述第2藥液時的前述基板的旋轉數較小的態樣也可以。
如同上述，與藉由前述一部分除去部供應溶劑時的前述基板的旋轉數相比，藉由使第2藥液供應部供應前述第2藥液時的前述基板的旋轉數較小，能夠防止溶劑移動至基板的裏面側。又，藉由使供應第2藥液時的基板的旋轉數變小，能夠將第2藥液均勻供應至基板上並且能夠防止液彈等造成的第2藥液的飛散。
前述第3噴嘴，對前述基板上將前述溶劑以霧狀噴霧的態樣也可以。藉由以霧狀噴霧溶劑，能夠在基板上所期望的位置供應溶劑，並藉由溶劑適切地除去第1藥液。
前述一部分除去部，包含在由前述基板保持部旋轉前述基板的狀態下，藉由對前述基板的表面及側面抵接而能夠除去前述第1藥液的除去構件的態樣也可以。如此，藉由除去構件抵接基板的表面及側面的第1藥液來除去第1藥液時，能夠適切地除去所期望的位置的第1藥液。
一個例示的實施形態中，提供基板處理方法。基板處理方法，係對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜的基板處理方法，包含：對包含前述基板的裏面的前述基板的周緣供應第1藥液；將供應至前述基板上的前述第1藥液之中，附著於前述基板的表面與側面的至少一部分的前述第1藥液除去；對前述基板的表面及側面供應用來形成前述塗佈膜的第2藥液；將在前述第2藥液附著的前述基板上殘留的前述第1藥液除去。
根據上述基板處理方法，對包含基板的裏面的基板的周緣供應第1藥液後，將在基板的表面與側面的至少一部分附著的第1藥液除去。之後，對基板的表面及側面供應第2藥液後，除去在基板上殘留的第1藥液。藉此，在供應用來形成塗佈膜的第2藥液時，基板的裏面因為是附著第1藥液的狀態，因為防止了第2藥液附著於基板的裏面，能夠在基板的表面與側面形成塗佈膜。因此，能夠防止在基板的裏面形成塗佈膜，同時對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜。
一個例示的實施形態中，提供電腦可讀取記憶媒體。一種電腦可讀取記憶媒體，係記憶用來使裝置執行上述方法的程式也可以。上述記憶媒體達到與上述基板處理方法同樣的效果。
以下，參照圖式說明關於一實施形態。在說明中，相同要素或具有相同機能的要素附加相同符號，省略重複的說明。
[基板處理系統] 圖1所示的基板處理系統1，為對工件W實施感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光、及該感光性被膜的顯像的系統。處理對象的工件W，例如為基板、或者藉由施予預定的處理形成膜及電路等的狀態的基板。包含於工件W的基板，作為一例，為包含矽的晶圓。工件W(基板)形成圓形也可以。處理對象的工件W也可以是玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)等，為對該等基板等施予預定處理得到的中間體也可以。感光性被膜例如為光阻膜。
基板處理系統1具備塗佈/顯像裝置2、曝光裝置3、控制裝置100(控制單元)。曝光裝置3為將在工件W(基板)形成的光阻膜(感光性被膜)曝光的裝置。具體來說，曝光裝置3，藉由浸潤曝光等方法對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗佈/顯像裝置2在曝光裝置3進行的曝光處理前，進行在工件W的表面塗佈光阻(藥液)形成光阻膜的處理，在曝光處理後進行光阻膜的顯像處理。
(基板處理裝置) 以下，作為基板處理裝置的一例，說明塗佈/顯像裝置2的構造。如圖1及圖2所示，塗佈/顯像裝置2具備載體區塊4、處理區塊5、介面區塊6。
載體區塊4進行向塗佈/顯像裝置2內的工件W導入及從塗佈/顯像裝置2內的工件W導出。例如載體區塊4，能夠支持工件W用的複數載體C，內藏包含收授臂的搬送裝置A1。載體C例如收容圓形的複數片工件W。搬送裝置A1從載體C將工件W取出並移至處理區塊5，從處理區塊5接收工件W並返回載體C內。處理區塊5具有複數處理模組11、12、13、14。
處理模組11內藏塗佈單元U1、熱處理單元U2、對該等單元搬送工件W的搬送裝置A3。處理模組11藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2在工件W的表面上形成下層膜。塗佈單元U1將下層膜形成用的處理液在工件W上塗佈。熱處理單元U2進行伴隨著下層膜的形成的各種熱處理。
處理模組12(液處理單元)內藏塗佈單元U1、熱處理單元U2、對該等單元搬送工件W的搬送裝置A3。處理模組12進行包含藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2在下層膜上形成光阻膜的液處理。塗佈單元U1將光阻膜形成用的處理液(光阻)在下層膜之上塗佈。熱處理單元U2進行伴隨著被膜的形成的各種熱處理。此外，塗佈單元U1具有在工件W的周緣形成由光阻液所形成的塗佈膜的功能。
處理模組13內藏塗佈單元U1、熱處理單元U2、對該等單元搬送工件W的搬送裝置A3。處理模組13藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2在光阻膜上形成上層膜。塗佈單元U1將上層膜形成用的液體在光阻膜之上塗佈。熱處理單元U2進行伴隨著上層膜的形成的各種熱處理。
處理模組14內藏塗佈單元U1、熱處理單元U2、對該等單元搬送工件W的搬送裝置A3。處理模組14藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，進行伴隨著施予曝光處理的光阻膜的顯像處理及顯像處理的熱處理。塗佈單元U1，在曝光完的工件W的表面上塗佈顯像液後，將其藉由沖洗液沖洗，進行光阻膜的顯像處理。熱處理單元U2進行伴隨著顯像處理的各種熱處理。作為熱處理的具體例，有顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
處理區塊5內的載體區塊4側設有棚單元U10。棚單元U10，畫分成在上下方向排列的複數單元。在棚單元U10的附近設有包含升降臂的搬送裝置A7。搬送裝置A7在棚單元U10的單元彼此之間使工件W升降。
處理區塊5內的介面區塊6側設有棚單元U11。棚單元U11，畫分成在上下方向排列的複數單元。
介面區塊6在與曝光裝置3之間進行工件W的收授。例如介面區塊6內藏包含收授臂的搬送裝置A8，連接至曝光裝置3。搬送裝置A8將在棚單元U11配置的工件W傳遞至曝光裝置3。搬送裝置A8從曝光裝置3接收工件W返回棚單元U11。
[塗佈單元] 接著，詳細說明關於處理模組12的塗佈單元U1。如圖3所示，處理模組12的塗佈單元U1包含轉盤21(基板保持部)、旋轉驅動部22、支持銷23、軌道環25、罩杯26、排氣管28、排液口29。又，塗佈單元U1包含第1處理液供應部31、第2處理液供應部32、第3處理液供應部33、第4處理液供應部34。
此外，上述第1處理液供應部31~第4處理液供應部34為在工件W的周緣部形成塗佈膜時使用的處理液。
轉盤21將工件W水平保持。轉盤21在上下方向(鉛直方向)經由延伸軸連接至旋轉驅動部22。旋轉驅動部22，基於從控制裝置100輸出的控制信號，以預定的旋轉速度使轉盤21旋轉。
支持銷23為能支持工件W的裏面的插銷，作為一例在轉盤21的軸的周圍設置3個。支持銷23能藉由升降機構(圖未示)升降。藉由支持銷23將工件W在工件W的搬送機構(圖未示)與轉盤21之間收授。
導引環25，設於藉由轉盤21保持的工件W下方，具有將對工件W的表面供應的處理液向排液口導引的功能。又，設置以包圍軌道環25外周周圍的方式，用來抑制處理液的飛散的罩杯26。以能夠進行向轉盤21的工件W的收授的方式，在罩杯26的上方開口。罩杯26的側周面與軌道環25的外周緣之間形成成為液體的排出路的空間27。又，在罩杯26的下方，設置具有排氣口28a的排氣管28、排出在空間27移動的液體的排液口29。
又，塗佈單元U1中設置用來供應4種處理液的4個處理液供應部。第1處理液供應部31(一部分除去部)及第2處理液供應部32(第2藥液供應部)從以轉盤21支持的工件W上方向工件W的表面側的周緣吐出處理液。第3處理液供應部33(第1藥液供應部)及第4處理液供應部34(第1藥液供應部)從以轉盤21支持的工件W下方向工件W的裏面側的周緣吐出處理液。
第1處理液供應部31包含噴嘴31a(第3噴嘴)、處理液供給源31b、配管31c。同樣，第2處理液供應部32包含噴嘴32a(第2噴嘴)、處理液供給源32b、配管32c。第3處理液供應部33包含噴嘴33a(第1噴嘴)、處理液供給源33b、配管33c。第4處理液供應部34包含噴嘴34a、處理液供給源34b、配管34c。在第1處理液供應部31~第4處理液供應部34的各自的配管上，設置藉由控制裝置100控制的開關閥門也可以。基於來自控制裝置100的控制信號切換開關閥門的開狀態及封閉狀態，切換處理液的供應／停止也可以。
此外，作為從第1處理液供應部31供應的處理液，例如有溶劑。作為從第1處理液供應部31供應的溶劑，例如，有能夠溶解由第3處理液供應部33供應的處理液的溶劑(例如稀釋液)。又，作為從第2處理液供應部32供應的處理液，例如，有在工件W的周緣形成塗佈膜時使用的處理液(例如光阻液)。作為從第3處理液供應部33供應的溶劑，例如，有能夠對工件W的端面附著且能對從第1處理液供應部31供應的溶劑溶解的液體。再來，作為從第4處理液供應部34供應的溶劑，有能除去從第3處理液供應部33供應的處理液，且無法溶解從第2處理液供應部32供應的處理液的溶劑。以後的說明中，有將從第3處理液供應部33供應的處理液作為第1藥液R1，將從第2處理液供應部32供應的處理液(塗佈膜形成用的處理液)作為第2藥液R2的情形。又，有將從第1處理液供應部31供應的溶劑作為第1溶劑F1，將從第4處理液供應部34供應的溶劑作為第2溶劑F2的情形。根據上述關係，能選擇與第1藥液R1及第2藥液R2相互不同的藥劑。又，能選擇與第1溶劑F1及第2溶劑F2相互不同的藥劑。但是，例如，作為第1溶劑F1及第2溶劑F2選擇同種藥劑也可以。
此外，本實施形態中使用的特定藥液對特定溶劑「溶解」，並非是指對特定藥液混合特定溶劑時構成藥液的各成份對溶劑溶解，而是構成藥液的各成份成為能夠移動。具體上，特定藥液在例如工件W上附著而不移動的狀態，指的是成為構成藥液的成份(例如光阻液的情形為樹脂粒子等)相互近接的狀態。對該狀態的藥液混合特定溶劑時，溶劑進入構成藥液的成份之間。其結果，藥液中的各成份能夠移動(流動)，成為從該藥液附著的區域除去藥液的狀態。本實施形態中的「溶解」，指的是如同上述藥液能夠移動，作為結果能除去藥液的狀態。
第1處理液供應部31的噴嘴31a及第2處理液供應部32的噴嘴32a，例如，安裝於在水平方向延伸的臂等，能在水平方向移動。又，噴嘴31a、32a也能夠在上下方向移動。設置用來吏噴嘴31a、32a在水平方向及上下方向移動的移動機構，藉由移動機構的動作，噴嘴31a、32a能夠在罩杯26外的待機位置與工件W上之間移動。
關於第3處理液供應部33的噴嘴33a及第4處理液供應部34的噴嘴34a，也與噴嘴31a、32a一同樣，能夠藉由移動機構在上下方向及水平方向移動。此外，噴嘴33a、34a的待機位置與噴嘴31a、32a的待機位置區別設置也可以。
作為噴嘴31a~34a，任一者都可以使用處理液的吐出口有某種程度細徑(例如吐出口的直徑為0.2mm~1.2mm左右)的噴嘴。如此使用細徑的噴嘴的情形，沿著上下方向及水平方向使噴嘴的位置移動，能夠將處理液向工件W上的特定位置進行適切的供應。但是，噴嘴31a~34a的徑/形狀不限於上述例。
控制裝置100控制塗佈/顯像裝置2。控制裝置100依照預定的條件，藉由處理模組12對工件W施予液處理。控制裝置100，例如，基於預定條件藉由第1處理液供應部31~第4處理液供應部34對工件W供應各處理液，並且此時控制工件W的旋轉等。控制裝置100藉由用來執行上述液處理的複數功能模組構成也可以。各功能模組不限於藉由程式的執行而實現者，藉由專用的電路(例如邏輯電路)、或將其集積的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)來實現也可以。
控制裝置100的硬體，例如藉由一或複數控制用的電腦構成也可以。控制裝置100如圖4所示，作為硬體上的構造包含電路201。電路201以電路要素(circuitry)構成也可以。電路201包含處理器202、記憶體203、儲存器204、驅動器205、輸出入端口206也可以。
處理器202與記憶體203及儲存器204的至少一者協動並執行程式，經由輸出入端口206執行信號的輸出入，構成上述各功能模組。記憶體203及儲存器204記憶在控制裝置100使用的各種資訊/程式等。驅動器205為分別將塗佈/顯像裝置2的各種裝置驅動的電路。輸出入端口206在構成驅動器205與塗佈/顯像裝置2的各部之間進行信號的輸出入。
基板處理系統1，具備一個控制裝置100也可以、具備以複數控制裝置100構成的控制器群(控制部)也可以。基板處理系統1具備控制器群時，例如，上述複數功能模組的各者藉由一個相互不同控制器裝置來實現也可以、也可以藉由2個以上的控制裝置100的組合來實現。控制裝置100以複數電腦(電路201)構成時，複數功能模組分別藉由一個電腦(電路201)來實現也可以。又，控制裝置100，藉由2個以上的電腦(電路201)的組合來實現也可以。控制裝置100具有複數處理器202也可以。此時，上述功能模組分別藉由一個處理器202來實現也可以、也可以藉由2個以上的處理器202的組合來實現。將基板處理系統1的控制裝置100的功能的一部分設於與基板處理系統1不同的裝置，並將基板處理系統1經由網路連接，實現本實施形態的各種動作也可以。例如，若整合複數基板處理系統1的處理器202、記憶體203、儲存器204的功能以1個或複數的不同裝置實現，也能夠將複數基板處理系統1的資訊及動作以遠隔總括管理及控制。
接著，說明關於基板處理系統1中執行的工件W的處理。控制裝置100，例如以以下的順序對工件W進行處理的方式控制塗佈/顯像裝置2。首先控制裝置100，以將載體C內的工件W搬送至棚單元U10的方式控制搬送裝置A1，以將該工件W配置於處理模組11用的單元的方式控制搬送裝置A7。
接著控制裝置100，以將棚單元U10的工件W搬送至處理模組11內的塗佈單元U1及熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。又，控制裝置100以在該工件W的表面上形成下層膜的方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。之後控制裝置100，以使形成下層膜的工件W返回棚單元U10的方式控制搬送裝置A3，以將該工件W配置於處理模組12的方式控制搬送裝置A7。
接著控制裝置100，以將棚單元U10的工件W搬送至處理模組12內的塗佈單元U1及熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。控制裝置100以在工件W的下層膜形成光阻膜的方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。關於在處理模組12中進行的液處理方法的一例將於後述。之後控制裝置100，以使工件W返回棚單元U10的方式控制搬送裝置A3，以將該工件W配置於處理模組13用的單元的方式控制搬送裝置A7。
接著控制裝置100，以將棚單元U10的工件W搬送至處理模組13內的塗佈單元U1及熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。又，控制裝置100以在該工件W的光阻膜上形成上層膜的方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。之後控制裝置100，以將工件W搬送至棚單元U11方式控制搬送裝置A3。
接著控制裝置100，以將在棚單元U11收容的工件W送出至曝光裝置3的方式控制搬送裝置A8。接著，曝光裝置3中，對形成於工件W的光阻膜施予曝光處理。之後控制裝置100，以從曝光裝置3接收施予曝光處理的工件W，將該工件W配置於棚單元U11中的處理模組14用的單元的方式控制搬送裝置A8。
接著控制裝置100，以將棚單元U11的工件W搬送至處理模組14的熱處理單元U2的方式控制搬送裝置A3。接著，控制裝置100，以執行伴隨顯像處理的熱處理、及顯像處理的方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。藉由以上，控制裝置100結束對1片工件W的基板處理。
[基板處理方法] 接著，說明在處理模組12中進行的基板處理方法的一例。其中，作為液處理方法，說明關於在工件W的周緣部形成光阻膜所致的塗佈膜的方法。圖5表示對周緣部形成塗佈膜R的工件W的一例。處理模組12中，雖在工件W的表面W1之中也在周緣部以外形成塗佈膜(光阻膜)，但關於周緣部以外的塗佈膜省略說明。在工件W的周緣部塗佈的塗佈膜R，為了保護工件W的表面W1之中與形成光阻圖案的中央部分不同的區域設置。
如圖5所示，工件W具有形成一對主面的表面W1及裏面W2、和對表面W1及裏面W2在垂直方向延伸的帶狀側面W3。再來，在工件W的表面W1與側面W3之間形成傾斜面W4，並且在裏面W2與側面W3之間也形成傾斜面W5。其中，塗佈膜R，例如，從工件W的側面W3在徑方向數mm左右的區域作為厚度10nm~100μm左右的膜形成。再來，塗佈膜R也在傾斜面W4及側面W3形成。具體上，側面W3之中的上方，相對於沿著工件W的厚度方向(對表面W1及裏面W2垂直的方向)的側面W3的高度(長度)在30%~100%左右的區域形成塗佈膜R。又，側面W3的塗佈膜R的厚度，例如，設為10nm~100μm左右。
如此，塗佈膜R，以覆蓋工件W的表面W1的周緣、及從表面W1的周緣連續的傾斜面W4及側面W3的一部分的方式形成。藉此，關於工件W的傾斜面W4及側面W3的一部分，也能夠保護工件W的表面W1。亦即，形成塗佈膜R的工件W的周緣部，指的是表面W1的周緣、及從表面W1的周緣連續的傾斜面W4及側面W3的一部分。但是，考慮形成塗佈膜R後搬送工件W等，要求對工件W的傾斜面W5及裏面W2不形成塗佈膜R。
圖6為表示如圖5所示的工件W那樣，用來對工件W的表面W1的周緣部分、及從表面W1的周緣連續的傾斜面W4及側面W3的一部分形成塗佈膜R的處理的順序的一例的圖。又，圖7(a)~圖7(f)為說明圖6所示的各順序中的工件W的周緣的狀況的圖。此外，圖7及後述圖8中，僅示出工件W的剖面的一部分(周緣部的周邊)。如同後述，因為使工件W旋轉同時將各處理液對工件W供應，各處理液會對工件W環狀塗佈(附著)。
如圖6所示，控制裝置100執行步驟S01。步驟S01中，控制裝置100，控制搬送裝置A3及塗佈單元U1的支持銷23，將工件W支持於塗佈單元U1的轉盤21上。
接著，控制裝置100執行步驟S02。步驟S02中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第3處理液供應部33，以從噴嘴33a向工件W的裏面W2的方式吐出第1藥液。藉此，如圖7(a)所示，對工件W的裏面W2、傾斜面W5及側面W3附著第1藥液R1。
接著，控制裝置100執行步驟S03。步驟S03中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第1處理液供應部31，以從噴嘴31a向工件W的表面W1的方式吐出第1溶劑F1。藉此，如圖7(b)所示，對工件W的表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方附著第1溶劑F1。藉由控制旋轉驅動部22所致的工件W的旋轉數，對工件W表面W1供應的第1溶劑F1，向工件W的外周擴展，同時向表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方擴展。藉由調整旋轉數，能夠控制工件W上的第1溶劑F1的擴展。溶劑的種類/特性雖也相依於工件W的大小等，但以第1溶劑F1到達工件W的側面W3，同時第1溶劑F1未到達工件W的傾斜面W5及裏面W2的方式，將工件W的旋轉數以某程度增大。亦即，步驟S02的工件W的旋轉數，以第1溶劑F1能向工件W的外方移動，且難以向傾斜面W5及裏面W2繞入的方式控制。作為一例，此時的工件W的旋轉數設為1000rpm~4000rpm左右。
第1藥液R1設為能由第1溶劑F1除去的藥劑。因此，在附著第1藥液R1之上供應溶劑時，在工件W附著的第1藥液R1被除去。其結果，如圖7(c)所示，呈供應第1溶劑F1的區域的第1藥液R1被除去，一部分除去後的第1藥液R1’殘留的狀態。
接著，控制裝置100執行步驟S04。步驟S04中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第2處理液供應部32，從噴嘴32a吐出第2藥液。藉此，如圖7(d)所示，在工件W的表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方附著第2藥液R2。藉由控制旋轉驅動部22所致的工件W的旋轉數，對工件W表面W1供應的第2藥液R2，向工件W的外周擴展，同時向表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方擴展。藉由調整旋轉數，能夠控制工件W上的第2藥液R2的擴展。第2藥液R2因為沿工件W的各面擴展，第2藥液R2沿著藉由第1溶劑F1除去第1藥液R1的區域及原本就未附著第1藥液R1的區域擴展。此外，第2藥液R2，因為不具有能夠除去第1藥液R1的特性，如圖7(d)所示，即便第2藥液R2在一部分除去後的第1藥液R1’上擴展，也無法使第1藥液R1’除去，呈在第1藥液R1’的上方附著的狀態。
第2藥液R2的種類/特性雖也相依於工件W的大小等，但欲以第2藥液R2到達工件W的側面W3的方式，控制第2藥液R2的擴展時，工件W的旋轉數調整成小至某程度。亦即，上述步驟S04中的工件W的旋轉數，比在工件W的表面W1第1溶劑F1從中心側朝向外方擴展的時的旋轉數(步驟S02的旋轉數)還要小。作為一例，此時的工件W的旋轉數設為1000rpm以下。
接著，控制裝置100執行步驟S05。步驟S05中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第4處理液供應部34，以從噴嘴34a向工件W的裏面W2的方式吐出第2溶劑F2。藉此，如圖7(e)所示，在工件W的裏面W2、傾斜面W5及側面W3下方殘留的第1藥液R1’與第2溶劑F2接觸。第1藥液R1’設為能由第2溶劑F2除去的藥劑。因此，在附著第1藥液R1’之上供應溶劑時，在工件W附著的第1藥液R1’被除去。第2溶劑F2以在工件W附著的第1藥液R1’被全部除去的程度吐出。另一方面，第2藥液R2，以不會被第2溶劑F2從工件W除去的方式選擇藥劑/溶劑。其結果，如圖7(f)所示，呈第1藥液R1’被除去，第2藥液R2殘留的狀態。該第2藥液R2成為在工件W上形成的塗佈膜R。
藉由以上的處理，在工件W的周緣部形成圖5所示的塗佈膜R。此外，圖6中，雖僅說明關於對工件W的處理液(藥液或溶劑)的塗佈，但將藥液的固定、或溶劑所致的除去處理的促進等作為目的，在各步驟之間進行加熱處理、乾燥處理等也可以。進行加熱處理時，例如，使工件W向熱處理單元U2移動進行熱處理也可以。
(基板處理方法的變更例-1) 關於圖6及圖7所示的基板處理方法的變更例，參照圖8同時說明。變更例的基板處理方法也以與圖6所示的流程圖一樣的順序進行處理，但一部分的步驟中的具體處理方式，與上述基板處理方法不同。以下的說明中，以變更的位置為中心說明。
控制裝置100執行步驟S01。步驟S01中，控制裝置100，控制搬送裝置A3及塗佈單元U1的支持銷23，將工件W支持於塗佈單元U1的轉盤21上。
接著，控制裝置100執行步驟S02。步驟S02中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，供應第1藥液。其中，變更例的基板處理方法中，從工件W的表面側供應第1藥液。因此，取代第3處理液供應部33的噴嘴33a，以從在工件W的表面側設置的噴嘴35a向工件W的表面W1的方式吐出第1藥液。此時，控制裝置100控制工件W的旋轉數等，如圖8(a)所示，使第1藥液從工件W的表面W1經由側面W3到達裏面W2。藉此，第1藥液R1對工件W的表面W1、傾斜面W4、裏面W2、傾斜面W5及側面W3附著。
接著，控制裝置100執行步驟S03。步驟S03中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第1處理液供應部31，以從噴嘴31a向工件W的表面W1的方式吐出第1溶劑F1。藉此，如圖8(b)所示，對工件W的表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方附著第1溶劑F1。藉由控制旋轉驅動部22所致的工件W的旋轉數，對工件W表面W1供應的第1溶劑F1，向工件W的外周擴展，同時擴展至表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方。藉由調整旋轉數，能夠控制工件W上的第1溶劑F1的擴展。
第1藥液R1設為能由第1溶劑F1除去的藥劑。因此，在附著第1藥液R1之上供應溶劑時，在工件W附著的第1藥液R1被除去。其結果，如圖8(c)所示，呈供應第1溶劑F1的區域的第1藥液R1被除去，一部分除去後的第1藥液R1’殘留的狀態。該狀態與圖7(c)所示的狀態略相同。但是，將第1藥液R1從工件W的表面W1側供應時，雖也相依於第1藥液R1的黏度等的特性，但與如圖7(c)所示從裏面W2側供應的情形相比較，有在裏面W2側殘留的第1藥液R1’變少的情形。
接著，控制裝置100執行步驟S04。步驟S04中，控制裝置100，在藉由使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第2處理液供應部32，從噴嘴32a吐出第2藥液。藉此，如圖8(d)所示，在工件W的表面W1、傾斜面W4及側面W3的上方附著第2藥液R2。
接著，控制裝置100執行步驟S05。步驟S05中，控制裝置100，在使旋轉驅動部22驅動而使工件W旋轉的狀態下，控制第4處理液供應部34，以從噴嘴34a向工件W的裏面W2的方式吐出第2溶劑F2。藉此，如圖8(e)所示，在工件W的裏面W2、傾斜面W5及側面W3下方殘留的第1藥液R1’與第2溶劑F2接觸，在工件W附著的第1藥液R1’被除去。其結果，如圖8(f)所示，呈第1藥液R1’被除去，第2藥液R2殘留的狀態。該第2藥液R2成為在工件W上形成的塗佈膜R。
藉由以上的處理，在工件W的周緣部形成圖5所示的塗佈膜R。此外，圖6中，雖僅說明關於對工件W的處理液(藥液或溶劑)的塗佈，但將藥液的固定、或溶劑所致的除去處理的促進等作為目的，在各步驟之間進行加熱處理、乾燥處理等也可以。進行加熱處理時，例如，使工件W向熱處理單元U2移動進行熱處理也可以。其與圖8所示的順序也一樣。
如同參照圖8說明的變更例的基板處理方法那樣，關於第1藥液R1從工件W的表面W1側對工件W供應也可以。但是，第1藥液R1作為防止對工件W的裏面W2及傾斜面W5形成藉由第2藥液R2形成的塗佈膜R的目的使用。藉由以第1藥液R1對工件W的裏面W2及傾斜面W5之中在步驟S04有第2藥液R2附著的可能性的各區域充分附著的方式，選擇第1藥液R1供應，能夠達成上述目的。
(基板處理方法的變更例-2) 接著，參照圖9，同時說明關於基板處理方法中的步驟S03的變更例。步驟S03中，雖除去附著於工件W的第1藥液R1的一部分，但除去的方法，不限於上述說明的噴嘴31a所致的第1溶劑F1的吐出方法。
圖9(a)中，示出使用能對第1藥液R1附著的工件W的表面W1、傾斜面W4及側面W3抵接的具有毛材91(除去構件)的刷子90除去第1藥液R1的一部分之例。藉由使刷子90抵接工件W，能夠除去在工件W的表面W1、傾斜面W4及側面W3附著的第1藥液R1並使下方的第1藥液R1殘留。毛材91的形狀對應工件W的周緣部的形狀，藉由毛材91防止工件W破損的構造也可以。此外，將刷子90例如能藉由移動機構(未圖示)在水平方向及上下方向移動，未使用刷子90的情形中，使其在罩杯26的外方待機的構造也可以。又，圖9(a)中，雖示出具備毛材91的刷子90，但用來除去第1藥液R1的除去構件不限於毛材91，例如，使用海綿等也可以。
圖9(b)中，從第1處理液供應部31的噴嘴31a吐出第1溶劑F1時，呈從噴嘴31a以霧狀(噴霧狀)噴霧第1溶劑F1的狀態。如此，變更第1溶劑F1的吐出方法也可以。霧狀噴霧第1溶劑F1時，因為第1藥液R1與第1溶劑F1變得容易接觸，能促進第1溶劑F1所致的第1藥液R1的移動(除去)。因此，利用第1溶劑F1的移動控制除去第1藥液R1的範圍時，能夠高精度地控制。
[作用] 根據上述基板處理裝置(塗佈/顯像裝置2)及基板處理方法，對包含工件W的裏面W2的工件W的周緣供應第1藥液R1後，將在工件W的表面W1與側面W3的至少一部分附著的第1藥液R1除去。之後，對工件W的表面W1及側面供應第2藥液R2後，藉由第2溶劑F2除去在工件W上殘留的第1藥液R1(第1藥液R1’)。藉此，在供應用來形成塗佈膜R的第2藥液R2時，工件W的裏面因為是附著第1藥液R1的狀態，因為防止了第2藥液R2附著於工件W的裏面，能夠在工件W的表面W1與側面形成塗佈膜R。因此，能夠防止在工件W的裏面形成塗佈膜，同時對包含工件W的表面W1的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜。
從前，檢討藉由對工件W的表面W1的周緣形成光阻液等所致的塗佈膜，防止對工件W的蝕刻等的各種處理製程中的周緣的損傷等。相對於此因為在工件W的側面W3、及表面W1與側面W3之間的傾斜面W4等也會有因後段的處理製程產生損傷的情形，檢討藉由在傾斜面W4及側面W3也形成塗佈膜，來保護工件W。不過，利用對工件W的表面W1的周緣形成塗佈膜的手法，將塗佈膜形成用的處理液供應至側面W3等時，也有處理液繞入工件W的裏面W2的可能性。處理液若繞至裏面W2，也有會對工件W的後段的搬送等造成影響的情形。因此，要求以在比工件W的側面W3還下方的傾斜面W5及裏面W2不形成塗佈膜的方式控制處理液的供應。
相對於此根據上述手法，因為在第2藥液R2的塗佈前將第1藥液R1對工件W的裏面W2供應，在供應第2藥液R2時藉由第1藥液R1保護工件W的裏面W2。因此，防止該第2藥液R2附著在工件W的裏面W2，也防止塗佈膜R的形成。又，在側面W3等附著的第1藥液R1，例如，藉由第1處理液供應部31所致的第1溶劑F1的供應，在第2藥液R2的供應前被除去。因此，因為在工件W的側面W3除去第1藥液R1後供應第2藥液R2，適切地進行第2藥液R2所致的塗佈膜的形成。因此，能夠防止在工件W的裏面W2形成塗佈膜R，並且對表面W1的周緣及側面W3適切地形成塗佈膜R。
又，上述裝置中，供應第1藥液R1的第3處理液供應部33(第1藥液供應部)，設於工件W的裏面W2側，包含對工件W的周緣吐出第1藥液R1的噴嘴33a(第1噴嘴)。又，供應第2藥液R2的第2處理液供應部32(第2藥液供應部)，設於工件W的表面W1側，包含對工件W的表面W1及前述工件W的側面吐出第2藥液R2的噴嘴32a(第2噴嘴)。藉由這種構造，能夠使第1藥液R1對包含工件W的裏面W2的周緣適切地附著。因此，能夠藉由第1藥液R1防止第2藥液R2對工件W的裏面W2附著，並且對包含工件W的表面W1的周緣與側面W3的周緣部形成塗佈膜R。
又，如圖8所示的變形例說明那樣，供應第1藥液R1的第1藥液供應部，設於工件W的表面W1側，包含對工件W的周緣吐出第1藥液R1的噴嘴35a(第1噴嘴)也可以。噴嘴35a設於工件W的表面W1側時，防止了在工件W的裏面側用來供應第1藥液的機構的配置等變得複雜。
又，上述塗佈/顯像裝置2中，作為一部分除去部的第1處理液供應部31設於工件W的表面W1側，包含吐出能除去第1藥液R1的第1溶劑F1的噴嘴31a(第3噴嘴)。接著，控制裝置100，在使工件W旋轉的狀態下，以向工件W上吐出溶劑的方式，控制各部。藉由上述構造，能夠將在工件W的表面W1與側面的至少一部分附著的第1藥液R1，使用第1溶劑F1適切地除去。因此，能夠使用來形成塗佈膜R的第2藥液R2適切地附著於工件W的表面W1及側面。
又，控制裝置100，在使工件W旋轉的狀態下供應第2藥液R2的方式，控制各部。此時，與從作為一部分除去部的第1處理液供應部31供應第1溶劑F1時的工件W的旋轉數相比，從作為第2藥液供應部的第2處理液供應部32供應第2藥液R2時的工件W的旋轉數較小也可以。因此，藉由在第1溶劑F1的供應時預先增加工件W的旋轉數，能夠防止第1溶劑F1移動至工件W的裏面W2側。又，藉由使供應第2藥液R2時的工件W的旋轉數變小，能夠將第2藥液R2均勻供應至工件W上。又，能夠在供應第2藥液R2時的工件W上防止液彈，能夠防止第2藥液R2的飛散。
此外，如同上述，供應第1溶劑F1的噴嘴31a，對工件W上將第1溶劑F1以霧狀噴霧也可以。此時，能夠在工件W上所期望的位置供應溶劑，並藉由第1溶劑F1適切地除去第1藥液R1。
又，作為取代供應第1溶劑F1的第1處理液供應部31的一部分除去部，藉由刷子90的毛材91除去第1藥液R1的構造也可以。亦即，以作為基板保持部的轉盤21保持工件W，並且在使工件W旋轉的狀態下，將作為除去構件作用的刷子90的毛材91對工件W的表面W1及側面W3抵接，除去第1藥液R1也可以。如此，藉由除去構件抵接工件W的表面W1及側面W3的第1藥液R1來除去第1藥液R1的構造，能夠適切地除去所期望的位置的第1藥液R1。
以上，雖說明關於各種例示的實施形態，但不限於上述例示的實施形態，也可以進行各種省略、置換、及變更。又，能夠組合不同實施形態中的要素成其他實施形態。
例如，基板處理裝置(塗佈/顯像裝置2)中的各部的配置為一例能適宜變更。例如，用來對工件W供應處理液(藥液/溶劑)的構造能適宜變更。又，用來供應處理液的噴嘴(31a~35a)的配置、處理液供給源(31b~34b)的配置、配管(31c~34c)的配置等也能適宜變更。又，包含轉盤21(基板保持部)、旋轉驅動部22、導引環25、罩杯26等的塗佈單元U1的各部的構造也能適宜變更。
又，上述例示的實施形態中，作為對工件W的周緣部形成塗佈膜R的單元，說明關於進行基板處理的處理模組12的塗佈單元U1，但將同樣功能設於其他模組的其他單元也可以。
根據以上說明，本揭示的各種實施形態，作為說明的目的以本說明書說明，應能理解其能在不逸脫本揭示的範圍及主旨的情況下進行各種變更。因此，本說明書揭示的各種實施形態並沒有限定的意圖，真的範圍及主旨由申請專利範圍表示。
1:基板處理系統 2:塗佈/顯像裝置 11~14:處理模組 21:轉盤 22:旋轉驅動部 31:第1處理液供應部 32:第2處理液供應部 33:第3處理液供應部 34:第4處理液供應部 90:刷子 91:毛材 100:控制裝置 F1:第1溶劑 F2:第2溶劑 R:塗佈膜 R1:第1藥液 R2:第2藥液 W:工件
[圖1]圖1為表示基板處理系統的斜視圖。 [圖2]圖2為概略表示基板處理系統的內部的一例的側面圖。 [圖3]圖3為表示塗佈單元的一例的示意圖。 [圖4]圖4為表示控制裝置的硬體構造的一例的區塊圖。 [圖5]圖5為表示對工件形成的塗佈膜的形狀的一例的示意圖。 [圖6]圖6為表示基板處理方法的一例的流程圖。 [圖7]圖7(a)~圖7(f)為用以說明基板處理方法的一例的示意圖。 [圖8]圖8(a)~圖8(f)為用以說明基板處理方法的變形例的示意圖。 [圖9]圖9(a)及圖9(b)為用以說明基板處理方法的變形例的示意圖。

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，係對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜的基板處理裝置，包含： 將前述基板以可旋轉保持的基板保持部； 對包含前述基板的裏面的前述基板的周緣供應第1藥液的第1藥液供應部； 將供應至前述基板上的前述第1藥液之中，附著於前述基板的表面與側面的至少一部分的前述第1藥液除去的一部分除去部； 對前述基板的表面及側面供應用來形成前述塗佈膜的第2藥液的第2藥液供應部； 將在前述第2藥液附著的前述基板上殘留的前述第1藥液除去的第1藥液除去部； 控制前述基板保持部、前述第1藥液供應部、前述一部分除去部、第2藥液供應部、及前述第1藥液除去部的控制部。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1藥液供應部，設於前述基板的裏面側，包含對前述基板的周緣吐出前述第1藥液的第1噴嘴； 前述第2藥液供應部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板的表面及前述基板的側面吐出前述第2藥液的第2噴嘴。
  3. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1藥液供應部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板的周緣吐出前述第1藥液的第1噴嘴； 前述第2藥液供應部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板的表面及前述基板的側面吐出前述第2藥液的第2噴嘴。
  4. 如請求項1至3中任一項記載的基板處理裝置，其中，前述一部分除去部，設於前述基板的表面側，包含對前述基板上吐出能除去前述第1藥液的第3噴嘴； 前述控制部，以在使前述基板旋轉的狀態下，對前述基板上吐出前述溶劑的方式，控制前述基板保持部及前述一部分除去部。
  5. 如請求項4記載的基板處理裝置，其中，前述控制部，以在使前述基板旋轉的狀態下供應前述第2藥液的方式，控制前述基板保持部及前述第2藥液供應部； 與藉由前述一部分除去部供應前述溶劑時的前述基板的旋轉數相比，藉由前述第2藥液供應部供應前述第2藥液時的前述基板的旋轉數較小。
  6. 如請求項4記載的基板處理裝置，其中，前述第3噴嘴，對前述基板上將前述溶劑以霧狀噴霧。
  7. 如請求項1至3中任一項記載的基板處理裝置，其中，前述一部分除去部，包含在由前述基板保持部旋轉前述基板的狀態下，藉由對前述基板的表面及側面抵接而能夠除去前述第1藥液的除去構件。
  8. 一種基板處理方法，係對包含基板的表面的周緣與側面的周緣部形成塗佈膜的基板處理方法，包含： 對包含前述基板的裏面的前述基板的周緣供應第1藥液； 將供應至前述基板上的前述第1藥液之中，附著於前述基板的表面與側面的至少一部分的前述第1藥液除去； 對前述基板的表面及側面供應用來形成前述塗佈膜的第2藥液； 將在前述第2藥液附著的前述基板上殘留的前述第1藥液除去。
  9. 一種電腦可讀取記憶媒體，係記憶用來使裝置執行請求項8記載的方法的程式。
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