JP2022039765A - プリント配線板、メモリシステム、およびプリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】伝送特性の向上を図ることができるプリント配線板、メモリシステム、およびプリント配線板の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態のプリント配線板は、第１絶縁部と、第２絶縁部と、第１導電部と、第２導電部とを有する。前記第２絶縁部は、プリント配線板の厚さ方向で前記第１絶縁部と比べて前記プリント配線板の外部の近くに位置する。前記第１導電部は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、第１導電材料を含む。前記第２導電部は、前記第１絶縁部と前記第１導電部との間に位置し前記第１導電部に接するとともに前記第１導電部に沿って延びた第１部分を含み、前記第１導電材料よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料を含む。
【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、プリント配線板、メモリシステム、およびプリント配線板の製造方法に関する。

銅材料で形成された配線パターンを有したプリント配線板が知られている。プリント配線板の伝送特性の向上が期待されている。

特開２０１６－１２６３４号公報 米国特許第７，８６７，３５３号明細書 特開２００５－１０１３９８号公報

本発明が解決しようとする課題は、伝送特性の向上を図ることができるプリント配線板、メモリシステム、およびプリント配線板の製造方法を提供することである。

実施形態のプリント配線板は、第１絶縁部と、第２絶縁部と、第１導電部と、第２導電部とを有する。前記第２絶縁部は、前記プリント配線板の厚さ方向で前記第１絶縁部と比べて前記プリント配線板の外部の近くに位置する。前記第１導電部は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、第１導電材料を含む。前記第２導電部は、前記第１絶縁部と前記第１導電部との間に位置し前記第１導電部に接するとともに前記第１導電部に沿って延びた第１部分を含み、前記第１導電材料よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料を含む。

ホスト装置に接続された第１実施形態のメモリシステムの構成を示すブロック図。 第１実施形態のプリント配線板を示す斜視断面図。 図２中に示されたプリント配線板のＦ３－Ｆ３線に沿う断面図。 図２中に示されたプリント配線板のＦ４－Ｆ４線に沿う断面図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図。 第１実施形態のプリント配線板に関する表皮深度の例を示す図。 第１実施形態の変形例のプリント配線板を示す断面図。 第１実施形態の変形例のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図。 第１実施形態の変形例のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図。 第２実施形態のプリント配線板を示す断面図。 第３実施形態のプリント配線板を示す断面図。 第４実施形態のプリント配線板を示す断面図。 第４実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図。 第４実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す断面図。

以下、実施形態のプリント配線板、メモリシステム、およびプリント配線板の製造方法を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。以下の説明において「平行」とは「略平行」である場合を含み、「直交」とは「略直交」である場合も含む。「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの対象物が互いに直接には接しない場合も含む。「接続」とは、物質的に接続される場合に限定されず、電気的に接続される場合も含む。一方で、「接する」とは、２つの部材の間に何も介在せずに隣り合うことを意味する。「表面」とは、ヒョウメン（surface）の意味で用いられており、オモテメン（front-surface）の意味では用いられていない。

先に、Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向について定義する。Ｘ方向およびＹ方向は、後述するプリント配線板５の第１絶縁基材１０の第１面１０ａ（図３参照）に沿う方向である。Ｘ方向は、後述する配線６０の少なくとも一部が延びた方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。Ｚ方向は、プリント配線板５の厚さ方向である。本明細書では「上」または「下」と称する場合がある。ただしこれら表現は、説明の便宜上のものであり、重力方向を規定するものではない。

（第１実施形態）
＜１．メモリシステムの全体構成＞
図１は、ホスト装置２と接続された第１実施形態のメモリシステム１の構成を示すブロック図である。メモリシステム１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のようなストレージデバイスである。メモリシステム１は、ホスト装置２と接続され、ホスト装置２の外部記憶装置として機能する。ホスト装置２は、例えば、サーバ装置、パーソナルコンピュータ、またはモバイル端末のような情報処理装置における、メモリシステム１を制御する装置である。ホスト装置２は、メモリシステム１に対するアクセス要求（データの書き込み要求または読み出し要求など）を発行することができる。

メモリシステム１は、例えば、メモリコントローラ１００、外部接続端子２００、１つ以上（例えば複数）のＮＡＮＤ装置３００、およびＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）４００を備える。ただし、メモリシステム１は、ＤＲＡＭ４００を備えなくてもよい。

メモリコントローラ１００は、ホスト装置２が発行したアクセス要求に基づき、ＮＡＮＤ装置３００に対するデータの書き込み、読み出し、および消去などを実行する。メモリコントローラ１００は、「コントローラ」の一例である。メモリコントローラ１００については詳しく後述する。外部接続端子２００は、端子ピンまたは端子パッドなどであり、ホスト装置２と電気的に接続可能である。

ＮＡＮＤ装置３００は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリである。ＮＡＮＤ装置３００は、複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを有し、データを不揮発に記憶する。ＮＡＮＤ装置３００は、「半導体記憶装置」の一例である。ただし、半導体記憶装置は、上記例に限定されず、抵抗変化型や磁気変化型、またはその他形式の半導体記憶装置でもよい。ＤＲＡＭ４００は、ホスト装置２から受信してＮＡＮＤ装置３００に書き込まれる前の書き込み対象のデータ、および／または、ＮＡＮＤ装置３００から読み出されてホスト装置２に送信される前の読み出し対象のデータなどを一時的に記憶する。

＜２．メモリコントローラの構成＞
次に、メモリコントローラ１００について詳しく説明する。メモリコントローラ１００は、例えば、ホストインターフェース回路（ホストＩ／Ｆ）１１０、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２０、ＲＯＭ（Read Only Memory）１３０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１４０、ＥＣＣ（Error Correcting Code）回路１５０、ＮＡＮＤインターフェース回路（ＮＡＮＤＩ／Ｆ）１６０、およびＤＲＡＭインターフェース回路（ＤＲＡＭＩ／Ｆ）１７０を含む。これら構成は、バス１８０で互いに接続されている。例えば、メモリコントローラ１００は、これら構成が１つのチップに纏められたＳｏＣ（System on a Chip）で構成されている。ただし、これら構成の一部は、メモリコントローラ１００の外部に設けられてもよい。ＲＡＭ１２０、ＲＯＭ１３０、ＣＰＵ１４０、およびＥＣＣ回路１５０のうち１つ以上は、ホストＩ／Ｆ１１０またはＮＡＮＤＩ／Ｆ１６０の内部に設けられてもよい。

ホストＩ／Ｆ１１０は、ＣＰＵ１４０による制御の下で、ホスト装置２とメモリコントローラ１００との間のデータ転送の制御を実行する。ホストＩ／Ｆ１１０は、メモリコントローラ１００と外部接続端子２００との間の伝送線路Ｌ１を通じて、メモリコントローラ１００とホスト装置２との間で電気信号を送受信する。ホストＩ／Ｆ１１０は、高速信号を送受信する高速インターフェースの一例である。

ＲＡＭ１２０は、例えば、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）またはＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）であるが、これらに限定されない。ＲＡＭ１２０は、ＣＰＵ１４０にワークエリアを提供する。ＲＡＭ１２０には、メモリシステム１の動作時に、ＲＯＭ１３０に記憶されているファームウェア（プログラム）がロードされる。ＲＡＭ１２０は、ホスト装置２とＮＡＮＤ装置３００との間のデータ転送のためのバッファとして機能してもよい。

ＣＰＵ１４０は、ハードウェアプロセッサの一例である。ＣＰＵ１４０は、例えばＲＡＭ１２０にロードされたファームウェアを実行することで、メモリコントローラ１００の動作を制御する。例えば、ＣＰＵ１４０は、ＮＡＮＤ装置３００に対するデータの書き込み、読み出し、および消去に関する動作を制御する。

ＥＣＣ回路１５０は、ＮＡＮＤ装置３００への書き込み対象のデータに対してエラー訂正のための符号化を行う。ＥＣＣ回路１５０は、書き込み動作時に付加したエラー訂正符号に基づき、読み出されたデータに対してエラー訂正を実行する。

ＮＡＮＤＩ／Ｆ１６０は、ＣＰＵ１４０による制御の下で、メモリコントローラ１００とＮＡＮＤ装置３００との間のデータ転送の制御を実行する。ＮＡＮＤＩ／Ｆ１６０は、メモリコントローラ１００とＮＡＮＤ装置３００との間の伝送線路Ｌ２を通じて、メモリコントローラ１００とＮＡＮＤ装置３００との間で電気信号を送受信する。ＮＡＮＤＩ／Ｆ１６０は、高速信号を送受信する高速インターフェースの別の一例である。

ＤＲＡＭＩ／Ｆ１７０は、ＣＰＵ１４０による制御の下で、メモリコントローラ１００とＤＲＡＭ４００との間のデータ転送の制御を実行する。ＤＲＡＭＩ／Ｆ１７０は、メモリコントローラ１００とＤＲＡＭ４００との間の伝送線路Ｌ３を通じて、メモリコントローラ１００とＤＲＡＭ４００との間で電気信号を送受信する。ＤＲＡＭＩ／Ｆ１７０は、高速信号を送受信する高速インターフェースのさらに別の一例である。

＜３．プリント配線板の構成＞
図２は、第１実施形態のプリント配線板５を示す斜視断面図である。プリント配線板５は、上述したメモリシステム１に含まれる。メモリコントローラ１００、外部接続端子２００、ＮＡＮＤ装置３００、およびＤＲＡＭ４００は、プリント配線板５上に設けられている。プリント配線板５は、例えば多層基板であり、図２では一部の層のみを示している。これは以下の図でも同様である。プリント配線板５は、リジッド基板でもよく、フレキシブル基板でもよく、リジッド基板とフレキシブル基板とが一体に接続されたリジッド－フレキシブル基板でもよい。プリント配線板５は、多層基板に限らず、片面基板や両面基板でもよい。

図２に示すように、プリント配線板５は、第１絶縁基材１０、第２絶縁基材２０、ソルダーレジスト層３０、グラウンド層４０、有機被膜５０（図３参照）、配線６０、有機被膜７０（図３参照）、およびパッド８０を含む。配線６０、グラウンド層４０、または配線６０とグラウンド層４０の組み合わせは、上述した伝送線路Ｌ１、伝送線路Ｌ２、または伝送線路Ｌ３のいずれかの少なくとも一部を構成している。

図３は、図２中に示されたプリント配線板５のＦ３－Ｆ３線に沿う断面図である。
第１絶縁基材１０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う層状に形成されている。第１絶縁基材１０は、一般的なプリント配線板の絶縁材料（ガラス布基材エポキシ樹脂、ガラスコンポジット基材エポキシ樹脂、紙基材フェノール樹脂、またはポリイミドなど）で形成され、絶縁性を有する。第１絶縁基材１０は、後述するグラウンド層４０および第２絶縁基材２０に面する第１面１０ａと、第１面１０ａとは反対側に位置した第２面１０ｂとを含む。

第２絶縁基材２０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う層状に形成されている。第２絶縁基材２０は、第１絶縁基材１０と同様に、一般的なプリント配線板の絶縁材料で形成され、絶縁性を有する。第２絶縁基材２０は、第１絶縁基材１０に対してＺ方向で重ねられている。第２絶縁基材２０は、Ｚ方向において、第１絶縁基材１０と比べてプリント配線板５の外部の近くに位置する。第２絶縁基材２０は、後述する配線６０およびソルダーレジスト層３０に面する第１面２０ａと、第１面２０ａとは反対側に位置してグラウンド層４０および第１絶縁基材１０に面する第２面２０ｂとを含む。ある観点では、第１絶縁基材１０が「第１絶縁部」の一例であり、第２絶縁基材２０が「第２絶縁部」の一例である。

第２絶縁基材２０は、グラウンド層４０とＺ方向で重なる第１部分２１と、グラウンド層４０とＹ方向で並ぶ第２部分２２と、第２部分２２とは反対側からグラウンド層４０と並ぶ第３部分２３とを含む。第２部分２２および第３部分２３は、第１絶縁基材１０と接している。

ソルダーレジスト層３０は、プリント配線板５の外部に露出しており、プリント配線板５の表面の一部を形成している。ソルダーレジスト層３０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う層状に形成されている。ソルダーレジスト層３０は、後述する配線６０を含む回路パターンを覆う保護膜である。ソルダーレジスト層３０は、例えばエポキシ樹脂および無機粉体が配合された絶縁材料により形成され、絶縁性を有する。ソルダーレジスト層３０は、第２絶縁基材２０に対してＺ方向に重ねられている。ソルダーレジスト層３０は、Ｚ方向において、第２絶縁基材２０と比べてプリント配線板５の外部の近くに位置する。ソルダーレジスト層３０は、プリント配線板５の外部に露出した第１面３０ａと、第１面３０ａとは反対側に位置して配線６０および第２絶縁基材２０に面する第２面３０ｂとを含む。別の観点では、第２絶縁基材２０が「第１絶縁部」の一例であり、ソルダーレジスト層３０が「第２絶縁部」の一例である。

ソルダーレジスト層３０は、配線６０とＺ方向で重なる第１部分３１と、配線６０とＹ方向で並ぶ第２部分３２と、第２部分３２とは反対側から配線６０と並ぶ第３部分３３とを含む。第２部分３２および第３部分３３は、第２絶縁基材２０と接している。

グラウンド層（グランドパターン）４０は、第１絶縁基材１０と第２絶縁基材２０との間に設けられた導体パターンである。グラウンド層４０は、プリント配線板５の電圧基準になるとともに、後述する配線６０を通る電流（電気信号）のリターン電流が流れるリターンパスを形成している。グラウンド層４０は、Ｘ方向およびＹ方向に延びている。本実施形態では、グラウンド層４０は、Ｘ方向およびＹ方向に広がるプレーンパターンである。グラウンド層４０のＹ方向の幅は、配線６０のＹ方向の幅よりも大きい。グラウンド層４０は、Ｚ方向で配線６０と重なる。

本実施形態では、グラウンド層４０は、本体部４１と、表層部４２とを有する。本体部４１は、第１絶縁基材１０と第２絶縁基材２０との間に位置する。本体部４１は、第１絶縁基材１０の第１面１０ａに沿ってＸ方向に延びている。本実施形態では、本体部４１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う層状に形成されている。本体部４１のＹ方向の幅Ｗ１は、本体部４１のＺ方向の厚さＴ１よりも大きい。本体部４１のＺ方向の厚さＴ１は、例えば、１０μｍ～５０μｍである。本体部４１は、第１導電材料Ｍ１により形成されている。第１導電材料Ｍ１は、例えば金属材料である。第１導電材料Ｍ１は、例えば銅である。本体部４１は、「第１導電部」の一例である。

表層部４２は、第１導電材料Ｍ１とは異なる第２導電材料Ｍ２で形成されている。第２導電材料Ｍ２は、第１導電材料Ｍ１よりも電気抵抗率が小さい導電材料である。第２導電材料Ｍ２は、例えば金属材料である。第２導電材料Ｍ２は、例えば銀である。表層部４２は、「第２導電部」の一例である。本実施形態では、表層部４２は、第１部分４２ａ、第２部分４２ｂ、第３部分４２ｃ、および第４部分４２ｄを含む。

第１部分４２ａは、第１絶縁基材１０と本体部４１との間に位置する。第１部分４２ａは、Ｚ方向で本体部４１に接するとともに、本体部４１に沿ってＸ方向に延びている。本実施形態では、第１部分４２ａは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う層状に形成されている。

第２部分４２ｂは、第２絶縁基材２０と本体部４１との間に位置する。すなわち、第２部分４２ｂは、Ｚ方向で第１部分４２ａとは反対側から本体部４１に重なる。第２部分４２ｂは、Ｚ方向で本体部４１に接するとともに、本体部４１に沿ってＸ方向に延びている。本実施形態では、第２部分４２ｂは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う層状に形成されている。

第３部分４２ｃは、Ｙ方向で第２絶縁基材２０の第２部分２２と本体部４１との間に位置する。第３部分４２ｃは、Ｙ方向で本体部４１に接するとともに、本体部４１に沿ってＸ方向に延びている。言い換えると、第３部分４２ｃは、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとは異なる方向から本体部４１に接する。第３部分４２ｃは、Ｚ方向にも延びており、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとを接続している。本実施形態では、第３部分４２ｃは、Ｘ方向およびＺ方向に沿う層状に形成されている。

第４部分４２ｄは、Ｙ方向で第２絶縁基材２０の第３部分２３と本体部４１との間に位置する。すなわち、第４部分４２ｄは、Ｙ方向で第３部分４２ｃとは反対側から本体部４１に重なる。第４部分４２ｄは、Ｙ方向で本体部４１に接するとともに、本体部４１に沿ってＸ方向に延びている。言い換えると、第４部分４２ｄは、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとは異なる方向から本体部４１に接する。第４部分４２ｄは、Ｚ方向にも延びており、第１部分４２ａと第２部分４２ｂとを接続している。本実施形態では、第４部分４２ｄは、Ｘ方向およびＺ方向に沿う層状に形成されている。

本実施形態では、上述した第１部分４２ａ、第２部分４２ｂ、第３部分４２ｃ、および第４部分４２ｄは、互いに接続されている。これにより、表層部４２は、Ｙ方向およびＺ方向に沿う断面（すなわち図３に示す断面）において、本体部４１を囲う環状に形成されている。ここで、本実施形態でいう「環状」とは、例えば製造上の理由により一部に分断が生じた不完全な環状でもよい。また「環状」とは、円環状に限定されず、矩形状の環状を含む。これらの定義は、以下でも同様である。

本実施形態では、第１部分４２ａのＺ方向の厚さＴ２ａ、第２部分４２ｂのＺ方向の厚さＴ２ｂ、第３部分４２ｃのＹ方向の厚さＴ２ｃ、および第４部分４２ｄのＹ方向の厚さＴ２ｄの各々は、例えば０．５μｍである。すなわち、第１部分４２ａのＺ方向の厚さＴ２ａ、第２部分４２ｂのＺ方向の厚さＴ２ｂ、第３部分４２ｃのＹ方向の厚さＴ２ｃ、および第４部分４２ｄのＹ方向の厚さＴ２ｄの各々は、本体部４１のＺ方向の厚さＴ１よりも薄い。本実施形態では、第１部分４２ａのＺ方向の厚さＴ２ａと第２部分４２ｂのＺ方向の厚さＴ２ｂとの合計は、本体部４１のＺ方向の厚さＴ１よりも薄い。

図４は、図２中に示されたプリント配線板５のＦ４－Ｆ４線に沿う断面図である。
図４に示すように、表層部４２は、本体部４１の全長に亘ってまたは本体部４１の全長のうち一部領域に対して設けられている。例えば、表層部４２は、本体部４１の全長に亘ってまたは本体部４１の全長のうち一部領域において本体部４１を環状に覆っている。

図３に戻り、有機被膜５０について説明する。有機被膜５０は、Ｙ方向およびＺ方向に沿う断面（すなわち図３に示す断面）において、グラウンド層４０の表層部４２を外周側から覆う環状に形成されている。有機被膜５０は、第１部分５０ａ、第２部分５０ｂ、第３部分５０ｃ、および第４部分５０ｄを含む。

第１部分５０ａは、表層部４２の第１部分４２ａと第１絶縁基材１０との間に設けられ、表層部４２の第１部分４２ａを覆っている。第２部分５０ｂは、表層部４２の第２部分４２ｂと第２絶縁基材２０の第１部分２１との間に設けられ、表層部４２の第２部分４２ｂを覆っている。第３部分５０ｃは、表層部４２の第３部分４２ｃと第２絶縁基材２０の第２部分２２との間に設けられ、表層部４２の第３部分４２ｃを覆っている。第４部分５０ｄは、表層部４２の第４部分４２ｄと第２絶縁基材２０の第３部分２３との間に設けられ、表層部４２の第４部分４２ｄを覆っている。

本実施形態では、第１部分５０ａと第３部分５０ｃとの間にはＹ方向の隙間Ｓａが存在する。隙間Ｓａにより、第１部分５０ａと第３部分５０ｃとは分断されている。隙間Ｓａは、Ｚ方向で表層部４２の第３部分４２ｃと第１絶縁基材１０との間に位置する。隙間ＳａのＹ方向の幅は、例えば、表層部４２の第３部分４２ｃのＹ方向の厚さＴ２ｃと実質的に同じである。

同様に、第１部分５０ａと第４部分５０ｄとの間にはＹ方向の隙間Ｓｂが存在する。隙間Ｓｂにより、第１部分５０ａと第４部分５０ｄとは分断されている。隙間Ｓｂは、Ｚ方向で表層部４２の第４部分４２ｄと第１絶縁基材１０との間に位置する。隙間ＳａのＹ方向の幅は、例えば、表層部４２の第４部分４２ｄのＹ方向の厚さＴ２ｄと実質的に同じである。

有機被膜５０は、第２導電材料Ｍ２（例えば銀）のイオンマイグレーションを抑制する機能層である。有機被膜５０は、例えば、キレート剤またはチオール剤などを塗布することで形成される。有機被膜５０の厚さは、例えば１μｍである。これらは、後述する有機被膜７０でも同様である。

配線６０は、プリント配線板５に設けられた配線パターンである。配線６０は、第２絶縁基材２０とソルダーレジスト層３０との間に設けられている。配線６０の少なくとも一部は、Ｘ方向に延びている。本実施形態では、配線６０は、電気信号が流れる信号配線である。上述したように、配線６０は、例えば、メモリコントローラ１００と外部接続端子２００との間、メモリコントローラ１００とＮＡＮＤ装置３００との間、またはメモリコントローラ１００とＤＲＡＭ４００との間の配線を形成している。

本実施形態では、配線６０には、１５ＧＨｚ以上の高速信号が流れる。例えば、配線６０は、ＰＣＩｅ（Peripheral Component Interconnect-Express）（登録商標）の第５世代または第６世代に対応した３２ＧＴ／ｓ（１６ＧＨｚ）または６４ＧＴ／ｓ（３２ＧＨｚ）の信号が流れる。ただし、配線６０に流れる信号は、上記例に限定されない。

本実施形態では、配線６０は、本体部６１と、表層部６２とを有する。表層部６２は、第１部分６２ａ、第２部分６２ｂ、第３部分６２ｃ、および第４部分６２ｄを含む。配線６０の構成は、グラウンド層４０の構成と同様である。このため、配線６０に関する詳しい説明は、グラウンド層４０に関する上記説明において、「本体部４１」、「表層部４２」、「第１部分４２ａ」、「第２部分４２ｂ」、「第３部分４２ｃ」、「第４部分４２ｄ」、「第１絶縁基材１０」、「第２絶縁基材２０」、「第１部分２１」、「第２部分２２」、「第３部分２３」を、「本体部６１」、「表層部６２」、「第１部分６２ａ」、「第２部分６２ｂ」、「第３部分６２ｃ」、「第４部分６２ｄ」、「第２絶縁基材２０」、「ソルダーレジスト層３０」、「第１部分３１」、「第２部分３２」、「第３部分３３」とそれぞれ読み替えればよい。本体部６１は、「第１導電部」の別の一例である。表層部６２は、「第２導電部」の別の一例である。表１は、グラウンド層４０に関する説明に用いられる構成要素（読み替え前の構成要素）と、配線６０に関する説明に用いられる構成要素（読み替え後の構成要素）との対応関係を示す。

本実施形態では、本体部６１のＺ方向の厚さＴ３は、例えば、１０μｍ～５０μｍである。表層部６２の第１部分６２ａのＺ方向の厚さＴ４ａ、第２部分６２ｂのＺ方向の厚さＴ４ｂ、第３部分６２ｃのＹ方向の厚さＴ４ｃ、および第４部分６２ｄのＹ方向の厚さＴ４ｄの各々は、例えば０．５μｍである。すなわち、第１部分６２ａのＺ方向の厚さＴ４ａ、第２部分６２ｂのＺ方向の厚さＴ４ｂ、第３部分６２ｃのＹ方向の厚さＴ４ｃ、および第４部分６２ｄのＹ方向の厚さＴ４ｄの各々は、本体部６１のＺ方向の厚さＴ３よりも薄い。本実施形態では、第１部分６２ａのＺ方向の厚さＴ４ａと第２部分６２ｂのＺ方向の厚さＴ４ｂとの合計は、本体部６１のＺ方向の厚さＴ３よりも薄い。

有機被膜７０は、Ｙ方向およびＺ方向に沿う断面（すなわち図３に示す断面）において、配線６０の表層部６２を外周側から覆う環状に形成されている。有機被膜７０は、第１部分７０ａ、第２部分７０ｂ、第３部分７０ｃ、および第４部分７０ｄを含む。

第１部分７０ａは、表層部６２の第１部分６２ａと第２絶縁基材２０との間に設けられ、表層部６２の第１部分６２ａを覆っている。第２部分７０ｂは、表層部６２の第２部分６２ｂとソルダーレジスト層３０の第１部分３１との間に設けられ、表層部６２の第２部分６２ｂを覆っている。第３部分７０ｃは、表層部６２の第３部分６２ｃとソルダーレジスト層３０の第２部分３２との間に設けられ、表層部６２の第３部分６２ｃを覆っている。第４部分７０ｄは、表層部６２の第４部分６２ｄとソルダーレジスト層３０の第３部分３３との間に設けられ、表層部６２の第４部分６２ｄを覆っている。

本実施形態では、第１部分７０ａと第３部分７０ｃとの間にはＹ方向の隙間Ｓｃが存在する。隙間Ｓｃにより、第１部分７０ａと第３部分７０ｃとは分断されている。隙間Ｓｃは、Ｚ方向で表層部６２の第３部分６２ｃと第２絶縁基材２０との間に位置する。隙間ＳｃのＹ方向の幅は、例えば、表層部６２の第３部分６２ｃのＹ方向の厚さと実質的に同じである。

同様に、第１部分７０ａと第４部分７０ｄとの間にはＹ方向の隙間Ｓｄが存在する。隙間Ｓｄにより、第１部分７０ａと第４部分７０ｄとは分断されている。隙間Ｓｄは、Ｚ方向で表層部６２の第４部分６２ｄと第２絶縁基材２０との間に位置する。隙間ＳｄのＹ方向の幅は、例えば、表層部６２の第４部分６２ｄのＹ方向の厚さと実質的に同じである。

次に、パッド８０について説明する。パッド８０は、配線６０と比べてＹ方向の幅が広い部分である（図２参照）。図４に示すように、パッド８０は、第２絶縁基材２０の第１面２０ａ上に設けられている。パッド８０の周縁部は、ソルダーレジスト層３０によって覆われている。パッド８０上に設けられた有機被膜７０の第２部分７０ｂの一部は、ソルダーレジスト層３０に設けられた開口部Ｏを通じて、プリント配線板５の外部に露出している。本実施形態では、パッド８０には、配線６０の本体部６１および表層部６２の両方が接続されている。

パッド８０は、例えば配線６０と同様の構成を有する。すなわち、パッド８０は、本体部８１と、表層部８２とを有する。本体部８１は、配線６０の本体部６１と一体に形成され、配線６０の本体部６１と連続している。本体部８１は、後述する電子部品ＥＣの接続端子ＳとＺ方向で重なる。本実施形態では、本体部８１は、Ｚ方向で見て円状である。ただし、本体部８１は、矩形状やその他形状でもよい。

パッド８０の表層部８２は、配線６０の表層部６２と一体に設けられ、配線６０の表層部６２と連続している。表層部８２は、第１部分８２ａ、第２部分８２ｂ、第３部分８２ｃ（図２参照）、第４部分８２ｄ（図２参照）、および第５部分８２ｅを含む。

第１部分８２ａは、第２絶縁基材２０と本体部８１との間に位置する。第２部分８２ｂは、Ｚ方向で第１部分８２ａとは反対側から本体部８１に重なる。第２部分８２ｂの少なくとも一部は、有機被膜７０の第２部分７０ｂを間に挟んでＺ方向で開口部Ｏに面する。第２部分８２ｂの少なくとも一部は、電子部品ＥＣが実装された状態では、電子部品ＥＣの接続端子Ｓと本体部８１との間に位置する。第２部分８２ｂの少なくとも一部には、電子部品ＥＣの接続端子Ｓが接続される。

第３部分８２ｃは、本体部８１とＹ方向で並び、本体部８１の側面に沿って設けられている（図２参照）。本実施形態では、第３部分８２ｃは、本体部８１の周面に沿う円弧状である。第４部分８２ｄは、第３部分８２ｃとは反対側から本体部８１とＹ方向で並び、本体部８１の側面に沿って設けられている（図２参照）。本実施形態では、第４部分８２ｄは、本体部８１の周面に沿う円弧状である。第５部分８２ｅは、配線６０とは反対側から本体部８１とＸ方向で並び、本体部８１の側面に沿って設けられている（図２参照）。第５部分８２ｅは、Ｘ方向で見た場合に表層部８２のなかで配線６０と重なる領域である。第５部分８２ｅは、第３部分８２ｃと第４部分８２ｄとの間に設けられている。本実施形態では、第５部分８２ｅは、本体部８１の周面に沿う円弧状である。

図４に示すように、有機被膜７０の第１部分７０ａの一部は、表層部８２の第１部分８２ａと第２絶縁基材２０との間に設けられ、表層部８２の第１部分８２ａを覆っている。有機被膜７０の第２部分７０ｂの一部は、表層部８２の第２部分８２ｂとソルダーレジスト層３０の第１部分３１との間、および表層部８２の第２部分８２ｂと開口部Ｏとの間に設けられ、表層部８２の第２部分８２ｂを覆っている。有機被膜７０の一部は、表層部８２の第５部分８２ｅとソルダーレジスト層３０との間に設けられ、表層部８２の第５部分８２ｅを覆っている。詳しくは図示しないが、有機被膜７０の第３部分７０ｃの一部は、表層部８２の第３部分８２ｃとソルダーレジスト層３０の第２部分３２との間に設けられ、表層部８２の第３部分８２ｃを覆っている。有機被膜７０の第４部分７０ｄの一部は、表層部８２の第４部分８２ｄとソルダーレジスト層３０の第３部分３３との間に設けられ、表層部８２の第４部分８２ｄを覆っている。

電子部品ＥＣは、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージの電子部品である。本実施形態では、電子部品ＥＣは、上述したメモリコントローラ１００、外部接続端子２００を含むインターフェース部品、ＮＡＮＤ装置３００、またはＤＲＡＭ４００のいずれかである。接続端子Ｓは、例えば、ＢＧＡパッケージの半田接続部（半田ボール）である。

本実施形態では、パッド８０の表面には、電子部品ＥＣの接続端子Ｓとパッド８０との間の接続性を高めるためのフラックスＦが塗布されている。電子部品ＥＣの接続端子Ｓは、フラックスＦを介してパッド８０の表面に接続される。ただし、フラックスＦは、必須ではなく、省略されてもよい。

パッド８０に関するその他の説明は、グラウンド層４０に関する上記説明において、「本体部４１」、「表層部４２」、「第１部分４２ａ」、「第２部分４２ｂ」、「第３部分４２ｃ」、「第４部分４２ｄ」、「第１絶縁基材１０」、「第２絶縁基材２０」、「第１部分２１」、「第２部分２２」、「第３部分２３」を、それぞれ「本体部８１」、「表層部８２」、「第１部分８２ａ」、「第２部分８２ｂ」、「第３部分８２ｃ」、「第４部分８２ｄ」、「第２絶縁基材２０」、「ソルダーレジスト層３０」、「第１部分３１」、「第２部分３２」、「第３部分３３」と読み替えればよい。表２は、グラウンド層４０に関する説明に用いられる構成要素（読み替え前の構成要素）と、パッド８０に関する説明に用いられる構成要素（読み替え後の構成要素）との対応関係を示す。

＜４．プリント配線板の製造方法＞
図５および図６は、プリント配線板５の製造方法の一例を示す図である。まず、図５中の（ａ）に示すように、第２導電材料Ｍ２を含む金属箔４５（例えば銀箔）が準備される。金属箔４５の片面（図４中の下面）には、有機被膜５０の材料が塗布され、層状の有機被膜部５１が形成されている。有機被膜部５１は、例えば金属箔４５の片面の全面に設けられている。

次に、図５中の（ｂ）に示すように、有機被膜部５１が片面に設けられた金属箔４５が第１絶縁基材１０の第１面１０ａに貼り付けられる。第１絶縁基材１０に対する金属箔４５の貼り付けは、例えば圧接により行われるが、他の方法でもよい。これにより、第１絶縁基材１０に対して第２導電層４６が形成される。第２導電層４６は、Ｘ方向およびＹ方向に広がる面状の層である。ここで、「ある構成要素（構成要素Ａ）に対して別の構成要素（構成要素Ｂ）が形成される（または設けられる）」とは、構成要素Ａの表面と構成要素Ｂの表面とが接するように形成される場合に加えて、構成要素Ａと構成要素Ｂとの間に別の層が介在する場合も含む。この定義は、以下でも同様である。例えば、第１絶縁基材１０に対して第２導電層４６が形成されるとは、第１絶縁基材１０の表面と第２導電層４６とが接するように形成される場合に加えて、第１絶縁基材１０と第２導電層４６との間に別の層が介在する場合も含む。本実施形態では、第１絶縁基材１０と第２導電層４６との間に有機被膜部５１が介在する。

次に、図５中の（ｃ）に示すように、第２導電層４６の表面上に第１導電材料Ｍ１を含む第１導電層４７が形成される。例えば、第１導電層４７は、第２導電層４６の表面上に第１導電材料Ｍ１を用いた第１めっき処理を行うことで形成される。第１めっき処理は、電解めっきでも無電解めっきでもよいが、電解めっきであれば比較的厚い第１導電層４７の成膜を好適に行うことができる。第１導電層４７は、Ｘ方向およびＹ方向に広がる面状の層である。

次に、図５中の（ｄ）に示すように、第１導電層４７、第２導電層４６、および有機被膜部５１に対してパターン加工を行う。すなわち、第１導電層４７、第２導電層４６、および有機被膜部５１の不要部分に対してエッチングを行うことで、第１導電層４７、第２導電層４６、および有機被膜部５１の不要部分を除去する。これにより、第１導電層４７からグラウンド層４０の本体部４１が形成され、第２導電層４６からグラウンド層４０の表層部４２の第１部分４２ａが形成され、有機被膜部５１から有機被膜５０の第１部分５０ａが形成される。本実施形態の説明では、パターン加工が行われる前の第１導電層４７に限らず、パターン加工により不要部分が除去された第１導電層４７（すなわち、グラウンド層４０の本体部４１）を「第１導電層」と称する場合がある。

次に、図６中の（ｅ）に示すように、グラウンド層４０の本体部４１（すなわちパターン加工が行われた第１導電層４７）の表面上に、第２導電材料Ｍ２を含む第３導電層４８が形成される。第３導電層４８は、グラウンド層４０の本体部４１の表面上に第２導電材料Ｍ２を用いた第２めっき処理を行うことで形成される。第２めっき処理は、例えば無電解めっきである。

詳しく述べると、パターン加工された第１導電層４７は、Ｚ方向で第２導電層４６とは反対側に向いた第１面４７ｂと、第１面４７ｂとは異なる方向を向いた第２面４７ｃと、Ｙ方向で第２面４７ｃとは反対側に向いた第３面４７ｄとを有する。そして、第３導電層４８は、第１導電層４７の第１面４７ｂ、第２面４７ｃ、および第３面４７ｄに接するように形成される。すなわち、グラウンド層４０の本体部４１を３方向から囲む第３導電層４８が形成される。第３導電層４８は、上述したグラウンド層４０の表層部４２の第２部分４２ｂ、第３部分４２ｃ、および第４部分４２ｄを含む。第３導電層４８が形成されることで、第３導電層４８と、パターン加工された第２導電層４６とにより、グラウンド層４０の本体部４１を環状に囲む表層部４２が形成される。これにより、グラウンド層４０が形成される。

次に、図６中の（ｆ）に示すように、グラウンド層４０の上面および左右の側面に有機被膜５０の材料が塗布される。これにより、グラウンド層４０を３方向から囲む有機被膜部５２が形成される。有機被膜部５２は、上述した有機被膜５０の第２部分５０ｂ、第３部分５０ｃ、および第４部分５０ｄを含む。有機被膜部５２が形成されることで、この有機被膜部５２と上述した有機被膜部５１とにより表層部４２を外周側から環状に囲む有機被膜５０が形成される。

次に、図６中の（ｇ）に示すように、第１絶縁基材１０およびグラウンド層４０に対して第２絶縁基材２０が積層される。すなわち、上述した第１導電層４７、第２導電層４６、および第３導電層４８を、Ｚ方向で第１絶縁基材１０とは反対側から覆う第２絶縁基材２０が設けられる。

次に、図６中の（ｈ）に示すように、第２絶縁基材２０の第１面２０ａ上に配線６０および有機被膜７０が形成される。配線６０および有機被膜７０の製造方法の詳細は、グラウンド層４０および有機被膜５０の製造方法の詳細（図５（ａ）～（ｄ）、図６（ｅ）～（ｇ）を参照して説明した内容）と同様である。さらに本実施形態では、配線６０と同じ工程でパッド８０が形成される。

配線６０およびパッド８０に関して言えば、パターン加工された第１導電層４７により、配線６０の本体部６１およびパッド８０の本体部８１が形成される。パターン加工された第１導電層４７には、Ｚ方向で第２導電層４６とは反対側に向いた第１面４７ｂと、第１面４７ｂとは異なる方向を向いた第２面４７ｃと、Ｙ方向で第２面４７ｃとは反対側に向いた第３面４７ｄに加え、後工程でパッド８０の表層部８２の第５部分８２ｅに接する第４面４７ｅ（図４参照）も形成される。そして、第３導電層４８は、第１導電層４７の第１面４７ｂ、第２面４７ｃ、第３面４７ｄ、および第４面４７ｅに接するように形成される。

最後に、第２絶縁基材２０および配線６０に対してソルダーレジスト層３０が設けられ、開口部Ｏが形成されることでパッド８０がプリント配線板５の外部に露出する。これにより、プリント配線板５が完成する。

＜５．作用＞
配線６０を高速信号が流れる場合、配線６０の表面近くに電流が集中して流れる表皮効果が大きくなる場合がある。本実施形態では、表皮効果により配線６０の表面近くに流れる電流の少なくとも一部は、第１導電材料Ｍ１と比べて電気抵抗率が小さい第２導電材料Ｍ２で形成された配線６０の表層部６２を流れることができる。

図７は、プリント配線板５に関する表皮深度の例を示す図である。図７は、例えばＰＣＩｅの第５世代（１６ＧＨｚ）または第６世代（３２ＧＨｚ）の信号に関する表皮深度を示す。図７中の表皮深度ｄ［μｍ］は、電気抵抗率をρ［Ω・ｍ］、角周波数（２πｆ）をω［Ｈｚ］、透磁率をμ［Ｈ／ｍ］とすると、以下の式（１）により求められる。

図７に示すように、配線材料として銀を用いた場合、１６ＧＨｚの信号に対する表皮深度ｄは０．５μｍ程度であり、３２ＧＨｚの信号に対する表皮深度ｄは０．３５μｍ程度であることが分かる。すなわち、０．５μｍ程度または０．３５μｍ程度の厚さの表層部６２を設けると、表皮効果により配線６０の表面近くに集中する電流の多くを表層部６２に流すことができる。

＜６．利点＞
信号の高速化がさらに進む場合、表皮効果の影響がますます大きくなる可能性がある。そこで本実施形態では、プリント配線板５の配線６０は、第１導電材料Ｍ１を含む本体部６１と、第１導電材料Ｍ１よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料Ｍ２を含む表層部６２とを備える。本体部６１は、第２絶縁基材２０とソルダーレジスト層３０との間に位置する。表層部６２は、第２絶縁基材２０と本体部６１との間に位置する第１部分６２ａを含む。このような構成によれば、表皮効果によって配線６０の表面近くを流れる電流の少なくとも一部は、電気抵抗率が小さい第２導電材料Ｍ２で形成された表層部６２を通って流れることができる。これにより、伝送特性の向上（例えば、伝送の高速化、および／または伝送損失の低減）を図ることができる。

ここで、配線全体を電気抵抗率が小さい第２導電材料Ｍ２で形成することも考えられる。しかしながら、電気抵抗率が相対的に小さい第２導電材料Ｍ２（例えば銀）は、電気抵抗率が相対的に大きい第１導電材料Ｍ１（例えば銅）と比べて高価であることが多い。このため、配線全体を第２導電材料Ｍ２で形成すると、プリント配線板の製造コストが高くなる。一方で、本実施形態では、配線６０の本体部６１を第１導電材料Ｍ１で形成するとともに、表皮効果により電流が集中する配線６０の表層部６２を第２導電材料Ｍ２で形成している。このような構成によれば、プリント配線板５の製造コストが高くなることを抑制しつつ、プリント配線板５の伝送特性の向上を図ることができる。

本実施形態では、配線６０の表層部６２の第１部分６２ａのＺ方向の厚さＴ４ａは、配線６０の本体部６１のＺ方向の厚さＴ３よりも薄い。このような構成によれば、第２導電材料Ｍ２の使用量を少なくすることができ、プリント配線板５の製造コストが高くなることをさらに抑制することができる。さらに本実施形態では、配線６０の表層部６２の第１部分６２ａのＺ方向の厚さＴ４ａと第２部分６２ｂのＺ方向の厚さＴ４ｂとの合計が配線６０の本体部６１のＺ方向の厚さＴ３よりも薄い。このような構成によれば、第２導電材料Ｍ２の使用量をさらに少なくすることができる。

本実施形態では、配線６０には、１５ＧＨｚ以上の周波数の高速信号が流れる。配線６０の表層部６２の厚さＴ２ａ，Ｔ２ｂ，Ｔ２ｃ，Ｔ２ｄは、例えば０．５μｍ以下である。このような構成によれば、配線６０を流れる電流の多くが配線６０の表層部６２を流れることができる。これにより、伝送特性のさらなる向上を図ることができる。さらに、配線６０の表層部６２の厚さＴ２ａ，Ｔ２ｂ，Ｔ２ｃ，Ｔ２ｄが０．５μｍ程度であれば、無電解めっきでも比較的容易に製造することができる。

本実施形態では、配線６０の表層部６２は、ソルダーレジスト層３０と配線６０の本体部６１との間に位置する第２部分６２ｂを含む。このような構成によれば、より多くの電流が表層部６２を通って流れることができる。これにより、伝送特性のさらなる向上を図ることができる。

本実施形態では、リファレンスとなり、リターン電流が流れるグラウンド層４０も、第１導電材料Ｍ１で形成された本体部４１と、電気抵抗率が相対的に小さい第２導電材料Ｍ２で形成された表層部４２とを有する。このような構成によれば、リターン電流も流れやすくなり、プリント配線板５の伝送特性のさらなる向上を図ることができる。

ここで、第２導電材料Ｍ２（例えば銀）は、第１導電材料Ｍ１（例えば銅）と比べてイオンマイグレーション（導電材料がイオン化して絶縁材料中に入り込む現象）や腐食が生じやすい場合がある。しかしながら、本実施形態では、配線６０の表層部６２と第２絶縁基材２０との間に有機被膜７０の一部が設けられている。これにより、配線６０の表層部６２を第２導電材料Ｍ２で形成した場合であっても、第２導電材料Ｍ２に起因するイオンマイグレーションや腐食を抑制することができる。これにより、プリント配線板５の長期信頼性を向上させることができる。

パッド８０の表面が第２導電材料Ｍ２（例えば銀）で形成される場合、パッド８０の表面が第１導電材料Ｍ１（例えば銅）で形成される場合と比べて、電子部品ＥＣの接続端子Ｓとパッド８０との接合性が高くなり得る。このため、パッド８０の表面が第２導電材料Ｍ２（例えば銀）で形成される場合、フラックスＦを省略したり、パッド８０の表面の粗化処理を省略したりすることができる場合がある。このため、プリント配線板５の製造コストの低下を図ることができる場合がある。

（変形例）
次に、第１実施形態の変形例について説明する。本変形例は、後述する第２から第４実施形態と組み合わせて実施されてもよい。

図８は、第１実施形態の変形例のプリント配線板５Ｍを示す断面図である。
プリント配線板５Ｍは、上述した有機被膜５０の隙間Ｓａ，Ｓｂおよび有機被膜７０の隙間Ｓｃ，Ｓｄを含まない。すなわち、有機被膜５０の第１部分５０ａは、有機被膜５０の第３部分５０ｃおよび第４部分５０ｄにそれぞれ繋がっている。同様に、有機被膜７０の第１部分７０ａは、有機被膜７０の第３部分７０ｃおよび第４部分７０ｄにそれぞれ繋がっている。

図９および図１０は、変形例のプリント配線板５Ｍの製造方法を示す図である。本変形例に係る製造方法では、第２導電材料Ｍ２を含む金属箔４５（例えば銀箔）をシード層とし、フラッシュエッチングまたはクイックエッチングと呼ばれるセミアディティブ法が利用される点で、上述した第１実施形態のプリント配線板５の製造方法とは異なる。

本変形例に係る製造方法では、図９中の（ａ）に示すように、第１絶縁基材１０に対して第２導電層４６が設けられた中間体Ｍが形成される。中間体Ｍは、図５中の（ａ）、（ｂ）を参照して説明した第１実施形態のプリント配線板５と同じ工程で製造可能である。中間体Ｍは、第１実施形態と同様に、第１絶縁基材１０と第２導電層４６との間に介在する有機被膜部５１を含む。

次に、図９中の（ｂ）に示すように、第２導電層４６の上にマスクＭＫが設けられる。マスクＭＫは、第２導電層４６の表面においてグラウンド層４０の本体部４１が設けられる領域以外の領域に対応して設けられる。

次に、図９中の（ｃ）に示すように、マスクＭＫが設けられていない領域に第１導電材料Ｍ１を含む第１導電層４７が形成される。本変形例の第１導電層４７は、パターン加工を行わずにグラウンド層４０の本体部４１となる導電層である。第１導電層４７（すなわち、グラウンド層４０の本体部４１）は、第１導電材料Ｍ１を用いた第１めっき処理を行うことで形成される。第１めっき処理は、電解めっきでも無電解めっきでもよいが、電解めっきであれば比較的厚い本体部４１の成膜を好適に行うことができる。

次に、図９中の（ｄ）に示すように、マスクＭＫが除去される。その結果、第１導電層４７の第１面４７ｂ、第２面４７ｃ、および第３面４７ｄが外部に露出する。第１面４７ｂは、Ｚ方向で第２導電層４６とは反対側に向いた面である。第２面４７ｃは、第１面４７ｂとは異なる方向を向いた面である。第３面４７ｄは、Ｙ方向で第２面４７ｃとは反対側に向いた面である。

次に、図１０中の（ｅ）に示すように、第１導電層４７（すなわち、グラウンド層４０の本体部４１）の表面上、および第２導電層４６のなかで第１導電層４７によって覆われていない領域の表面上に、第２導電材料Ｍ２を含む第３導電層４８が形成される。第３導電層４８は、第２導電材料Ｍ２を用いた第２めっき処理を行うことで形成される。第２めっき処理は、例えば無電解めっきである。第３導電層４８は、第１導電層４７の第１面４７ｂ、第２面４７ｃ、第３面４７ｄ、および第２導電層４６のなかで第１導電層４７によって覆われていない領域の表面に接するように形成される。この過程では、第３導電層４８の厚さは、完成品におけるグラウンド層４０の表層部４２の厚さよりも厚い。

次に、図１０中の（ｆ）に示すように、フラッシュエッチングまたはクイックエッチングと呼ばれるセミアディティブ法により、第２導電層４６の不要部分、第３導電層４８の不要部分、および有機被膜部５１の不要部分が除去される。具体的には、第２導電層４６のなかで第１導電層４７または第３導電層４８によって覆われていない部分（第２導電層４６の不要部分）、第３導電層４８のなかで第２導電層４６の不要部分の表面上に設けられた部分（第３導電層４８の不要部分）、および有機被膜部５１のなかで第２導電層４６の不要部分と第１絶縁基材１０との間に位置した部分（有機被膜部５１の不要部分）が除去される。この過程で、第３導電層４８のなかで、第１導電層４７の第１面４７ｂ、第２面４７ｃ、および第３面４７ｄの表面上に設けられた部分の厚さが薄くなる。このエッチングの工程が完了することで、第３導電層４８と第２導電層４６とにより、グラウンド層４０の本体部４１を環状に囲む表層部４２が形成される。これにより、グラウンド層４０が形成されるとともに、有機被膜５０の第１部分５０ａが形成される。本実施形態でいう「フラッシュエッチング（クイックエッチング）」とは、セミアディディブ法を用いる時に、パターンめっきを行うために設けられた薄い金属シード層を全体的にエッチングにより除去することを意味する。

次に、図１０中の（ｇ）に示すように、グラウンド層４０の上面（第１導電層４７の第１面４７ｂ）および左右の側面（第１導電層４７の第２面４７ｃ、および第３面４７ｄ）に有機被膜５０の材料が塗布される。これにより、グラウンド層４０を３方向から囲む有機被膜部５２が形成される。有機被膜部５２は、上述した有機被膜５０の第２部分５０ｂ、第３部分５０ｃ、および第４部分５０ｄを含む。有機被膜部５２が形成されることで、この有機被膜部５２と上述した有機被膜部５１とにより表層部４２を外周側から環状に囲む有機被膜５０が形成される。上述したように、本変形例では、有機被膜５０の第１部分５０ａは、有機被膜５０の第３部分５０ｃおよび第４部分５０ｄにそれぞれ繋がる。

その後、第１実施形態のプリント配線板５と同様に、第１絶縁基材１０およびグラウンド層４０に対して第２絶縁基材２０が積層される。また、本変形例のグラウンド層４０および有機被膜５０の製造方法と同じ方法で、配線６０および有機被膜７０が製造される。最後に、ソルダーレジスト層３０が設けられる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、グラウンド層４０および配線６０の各々が二重の有機被膜の層を有する点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同様である。

図１１は、第２実施形態のプリント配線板５Ａを示す断面図である。本実施形態では、プリント配線板５Ａは、第１実施形態のプリント配線板５の構成に加え、有機被膜９１および有機被膜９２を含む。

有機被膜９１は、有機被膜５０を外周側から覆う環状に形成されている。有機被膜９１は、有機被膜５０と第１絶縁基材１０との間、および有機被膜５０と第２絶縁基材２０との間に設けられている。

同様に、有機被膜９２は、有機被膜７０を外周側から覆う環状に形成されている。有機被膜９２は、有機被膜７０と第２絶縁基材２０との間、および有機被膜７０とソルダーレジスト層３０との間に設けられている。

本実施形態では、有機被膜５０，７０は、上述したように第２導電材料Ｍ２のイオンマイグレーションを抑制する機能層である。有機被膜５０，７０は、例えば、キレート剤またはチオール剤などを塗布することで形成される。有機被膜５０，７０の各々は、「第１有機被膜」の一例である。

一方で、有機被膜９１，９２は、有機被膜５０，７０と絶縁基材１０，２０またはソルダーレジスト層３０との間の接着性（接合性）を高める機能層である。有機被膜９１，９２は、有機被膜５０，７０とは異なる材料で形成されている。有機被膜９１，９２は、有機被膜５０，７０と比べて絶縁基材１０，２０またはソルダーレジスト層３０と接着しやすい材料で形成されている。有機被膜９１，９２は、例えば、シランカップリング剤で形成されている。有機被膜９１，９２の各々は、「第２有機被膜」の一例である。

このような構成によれば、イオンマイグレーションや腐食などを抑制するために有機被膜５０，７０を設けた場合であっても、グラウンド層４０または配線６０と絶縁基材１０，２０またはソルダーレジスト層３０との接着性を高めることができる。これにより、プリント配線板５Ａの長期信頼性をさらに高めることができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、グラウンド層４０と配線６０とを接続するビア９５を有する点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同様である。

図１２は、第３実施形態のプリント配線板５Ｂを示す断面図である。図１２は、プリント配線板５Ｂの一部構成を抜き出して示している。本実施形態では、プリント配線板５Ｂは、第１実施形態のプリント配線板５の構成に加え、ビア９５を有する。図１２に示す例では、プリント配線板５Ｂは、グラウンド層４０と、配線６０と、グラウンド層４０と配線６０とを接続するビア９５とを有する。ただし、ビア９５は、グラウンド層４０と配線６０とを接続するビアに限らず、複数の信号用の配線６０を接続するビアでもよい。この場合は、以下の説明における「グラウンド層４０」、「本体部４１」、「表層部４２」を、「配線６０」、「本体部６１」、「表層部６２」とそれぞれ読み替えればよい。ビア９５は、「導電性の接続部」の一例である。ただし、「導電性の接続部」は、スルーホールなどでもよい。

ビア９５は、Ｚ方向でグラウンド層４０と配線６０との間に介在している。すなわち、ビア９５は、Ｚ方向でグラウンド層４０と重なるとともに、Ｚ方向で配線６０と重なる。ビア９５は、第２絶縁基材２０の内部に設けられ、第２絶縁基材２０の内部をＺ方向に延びている。ビア９５は、例えば第１導電材料Ｍ１で形成されている。

ビア９５は、Ｚ方向の端部として、第１端部９５ａと、第１端部９５ａとは反対側に位置する第２端部９５ｂとを有する。ビア９５の第１端部９５ａは、グラウンド層４０の表層部４２の第２部分４２ｂに接する。ビア９５の第２端部９５ｂは、配線６０の本体部６１および表層部６２に接する。これにより、ビア９５は、グラウンド層４０と配線６０とを電気的に接続している。

このような構成によれば、ビア９５とグラウンド層４０の表層部４２とが接続されているため、配線６０の表層部６２を流れる電流をグラウンド層４０の表層部４２に効率的に導くことができる。これにより、伝送損失をさらに低下させ、伝送特性の向上を図ることができる。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、ビア９５が第２導電材料Ｍ２で形成された表層部を含む点で、第３実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第３実施形態の構成と同様である。

図１３は、第４実施形態のプリント配線板５Ｃを示す断面図である。本実施形態では、ビア９５は、本体部９６と、表層部９７とを有する。本体部９６は、Ｚ方向で、グラウンド層４０の表層部４２の第２部分４２ｂと配線６０の本体部６１との間に位置する。本体部９６は、第２絶縁基材２０の内部をＺ方向に延びている。本実施形態では、本体部９６は、配線６０の本体部６１と接している。例えば、本体部９６は、グラウンド層４０に面する底面９６ａと、底面９６ａの周縁部から配線６０に向けて延びた周面９６ｂとを有する。本体部９６は、第１導電材料Ｍ１により形成されている。本体部９６は、「第３導電部」の一例である。

表層部９７は、第２導電材料Ｍ２で形成されている。表層部９７は、「第４導電部」の一例である。表層部９７は、第１部分９７ａと、第２部分９７ｂとを含む。

第１部分９７ａは、Ｚ方向で、グラウンド層４０の表層部４２と、ビア９５の本体部９６との間に位置する。第１部分９７ａは、ビア９５の本体部９６の底面９６ａに沿ってＸ方向およびＹ方向に延びている。第１部分９７ａは、Ｚ方向でグラウンド層４０の表層部４２に接するとともに、Ｚ方向でビア９５の本体部９６に接している。

第２部分９７ｂは、第１部分９７ａの周縁部から配線６０の表層部６２に向けて延びている。第２部分９７ｂは、ビア９５の本体部９６の周面９６ｂに沿って延びている。第２部分９７ｂは、Ｘ方向およびＹ方向で、第２絶縁基材２０とビア９５の本体部９６との間に位置する。第２部分９７ｂは、Ｘ方向およびＹ方向で本体部９６を囲む環状に形成されている。第２部分９７ｂは、配線６０の表層部６２の第１部分６２ａと接している。すなわち、第１部分９７ａおよび第２部分９７ｂは、グラウンド層４０の表層部４２と配線６０の表層部６２とを接続する電気抵抗率が小さな電流経路を形成している。

次に、第４実施形態のプリント配線板５Ｃの製造方法について説明する。
図１４および図１５は、プリント配線板５Ｃの製造方法の一例を示す図である。まず、図５および図６を参照して説明した第１実施形態のプリント配線板５と同じ工程により、図６中の（ｇ）に示す中間構造体を形成する。そして、図１４中の（ｋ）に示すように、第２導電材料Ｍ２を含む金属箔６５（例えば銀箔）が準備される。金属箔６５の片面（図１２中の下面）には、有機被膜７０の材料が塗布され、層状の有機被膜部７１が形成されている。有機被膜部７１は、例えば金属箔６５の片面の全面に設けられている。

次に、図１４中の（ｌ）に示すように、有機被膜部７１が片面に設けられた金属箔６５が上記中間構造体の第２絶縁基材２０の第１面２０ａに貼り付けられる。第２絶縁基材２０に対する金属箔６５の貼り付けは、例えば圧接により行われるが、他の方法でもよい。これにより、第２絶縁基材２０に対して導電層６６が形成される。導電層６６は、Ｘ方向およびＹ方向に広がる面状の層である。

次に、図１４中の（ｍ）に示すように、導電層６６の上に保護膜（レジスト）Ｐ２が形成される。そして、保護膜Ｐ２に形成された開口部Ｐ２ａを通じて、導電層６６、有機被膜部７１、および第２絶縁基材２０をＺ方向に貫通した穴部２０ｈが設けられる。例えば、穴部２０ｈを形成する過程で、穴部２０ｈに対応する領域に位置した有機被膜５０の第２部分５０ｂの一部が取り除かれる。その結果、後工程にてビア９５が有機被膜５０を介さずにグラウンド層４０の表層部４２に接することになる。ビア９５がグラウンド層４０に代えて／加えて配線６０に接続される場合は、ビア９５が有機被膜７０を介さずに配線６０の表層部６２に接することになる。

次に、保護膜Ｐ２が取り除かれ、図１４中の（ｎ）に示すように、穴部２０ｈの内面と導電層６６の表面に対して第２導電材料Ｍ２を用いためっき処理が行われる。これにより、穴部２０ｈの内面に沿う第２導電材料Ｍ２を含む導電層６７が形成される。なお、導電層６７を設ける前に、穴部２０ｈの内面に有機被膜５０（または有機被膜７０）と同様の有機被膜が設けられる工程が追加されてもよい。導電層６７は、ビア９５の表層部９７を形成するとともに、配線６０の表層部６２の第１部分６２ａの一部を形成している。

次に、図１５中の（ｏ）に示すように、導電層６６の上に第１導電材料Ｍ１を用いためっき処理が行われる。これにより、穴部２０ｈの内部を埋めてビア９５の本体部９６が形成されるとともに、導電層６６の上に広がる第１導電材料Ｍ１を含む導電層６８が形成される。本工程により形成された本体部９６は、先に形成された表層部９７と合わせられてビア９５となる。

次に、図１５中の（ｐ）に示すように、導電層６６、有機被膜部７１、および導電層６８に対してパターン加工が行われる。これにより、導電層６６から配線６０の表層部６２の第１部分６２ａが形成され、導電層６８から配線６０の本体部６１が形成され、有機被膜部７１から有機被膜７０の第１部分７０ａが形成される。その後、図１５中の（ｑ），（ｒ）に示すように、図５中の（ｅ），（ｆ）と同様の工程が行われることで、配線６０の表層部６２および有機被膜７０が形成される。

このような構成によれば、配線６０からグラウンド層４０に流れる電流の少なくとも一部は、電気抵抗率が小さい第２導電材料Ｍ２で形成されたビア９５の表層部９７を通って流れることができる。これにより、プリント配線板５の伝送特性をさらに向上させることができる。

以上、いくつかの実施形態および変形例について説明したが、実施形態は上述した例に限定されない。上述したいくつかの実施形態および変形例は、互いに組み合わされて実現可能である。

以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、プリント配線板は、第１絶縁部と、第２絶縁部と、第１導電部と、第２導電部とを有する。前記第１導電部は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、第１導電材料を含む。前記第２導電部は、前記第１絶縁部と前記第１導電部との間に位置した第１部分を含み、前記第１導電材料よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料を含む。このような構成によれば、伝送特性の向上を図ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１…メモリシステム、５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ…プリント配線板、１０…第１絶縁基材（絶縁部）、２０…第２絶縁基材（絶縁部）、３０…ソルダーレジスト層（絶縁部）、４０…グラウンド層、４１…本体部（第１導電部）、４２…表層部（第２導電部）、５０…有機被膜（第１有機被膜）、６０…配線、６１…本体部（第１導電部）、６２…表層部（第２導電部）、７０…有機被膜（第１有機被膜）、９１…有機被膜（第２有機被膜）、９２…有機被膜（第２有機被膜）、９５…ビア（接続部）、９６…本体部（第３導電部）、９７…表層部（第４導電部）。

Claims (19)

1. 第１絶縁部と、
   第２絶縁部と、
   前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、第１導電材料を含む第１導電部と、
   前記第１絶縁部と前記第１導電部との間に位置し前記第１導電部に接するとともに前記第１導電部に沿って延びた第１部分を含み、前記第１導電材料よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料を含む第２導電部と、
   を備えたプリント配線板であって、
   前記第２絶縁部は、前記プリント配線板の厚さ方向で前記第１絶縁部と比べて前記プリント配線板の外部の近くに位置する、
   プリント配線板。
2. 前記プリント配線板の外部に露出したパッドをさらに備え、
   前記第１導電部および前記第２導電部は、前記パッドに接続されている、
   請求項１に記載のプリント配線板。
3. 前記プリント配線板の厚さ方向における前記第２導電部の前記第１部分の厚さは、前記プリント配線板の厚さ方向における前記第１導電部の厚さよりも薄い、
   請求項１または請求項２に記載のプリント配線板。
4. 前記第２導電部は、前記第２絶縁部と前記第１導電部との間に位置し前記第１導電部に接するとともに前記第１導電部に沿って延びた第２部分を含む、
   請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載のプリント配線板。
5. 前記第２導電部は、前記第１部分および前記第２部分とは異なる方向から前記第１導電部に接するとともに前記第１導電部に沿って延びた第３部分を含む、
   請求項４に記載のプリント配線板。
6. 前記第３部分は、前記プリント配線板の厚さ方向に延びており、前記第１部分と前記第２部分とを接続している、
   請求項５に記載のプリント配線板。
7. 前記第２導電部は、前記第１導電部を囲う環状に形成されている、
   請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載のプリント配線板。
8. 前記第１導電材料は、銅を含み、
   前記第２導電材料は、銀を含む、
   請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載のプリント配線板。
9. 少なくとも一部が前記第２導電部と前記第１絶縁部との間に位置する第１有機被膜をさらに備える、
   請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載のプリント配線板。
10. 少なくとも一部が前記第１有機被膜と前記第１絶縁部との間に位置し、前記第１有機被膜とは異なる材料を含む第２有機被膜をさらに備える、
    請求項９に記載のプリント配線板。
11. 導電性の接続部をさらに備え、前記接続部は前記第２絶縁部の内部を前記プリント配線板の厚さ方向に延び、
    前記第２導電部は、前記第１導電部と前記接続部との間に位置し前記接続部に接した第２部分を含む、
    請求項１から請求項１０のうちいずれか１項に記載のプリント配線板。
12. 前記接続部は、前記第１導電材料を含む第３導電部と、前記第３導電部と前記第２導電部との間に位置し前記第２導電材料を含む第４導電部とを有し、
    前記第２導電部の一部は、前記第４導電部に接している、
    請求項１１に記載のプリント配線板。
13. 第１絶縁部と、
    第２絶縁部と、
    前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、第１導電材料を含む第１導電部と、
    前記第１絶縁部と前記第１導電部との間に位置した第１部分と、前記第２絶縁部と前記第１導電部との間に位置した第２部分とを含み、前記第１導電材料よりも電気抵抗率が低い第２導電材料を含む第２導電部と、
    を備えたプリント配線板。
14. プリント配線板と、
    前記プリント配線板に設けられたコントローラと、
    前記プリント配線板に設けられた半導体記憶装置と、
    を備え、
    前記プリント配線板は、
    第１絶縁部と、
    前記プリント配線板の厚さ方向で前記第１絶縁部と比べて前記プリント配線板の外部の近くに位置する第２絶縁部と、
    前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、第１導電材料を含む第１導電部と、
    前記第１絶縁部と前記第１導電部との間に位置し前記第１導電部に接するとともに前記第１導電部に沿って延びた第１部分を含み、前記第１導電材料よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料を含む第２導電部と、
    を有し、
    前記第１導電部と前記第２導電部とにより前記コントローラに接続された配線が形成されている、
    メモリシステム。
15. ホスト装置と接続可能な外部接続端子をさらに備え、
    前記配線は、前記コントローラと前記外部接続端子との間、または前記コントローラと前記半導体記憶装置との間の配線である、
    請求項１４に記載のメモリシステム。
16. 第１絶縁部に対して、第１導電材料よりも電気抵抗率が小さい第２導電材料を含む第２導電層を形成し、
    前記第２導電層の上に前記第１導電材料を含む第１導電層を形成し、
    前記第１導電層の上に、前記第２導電材料を含む第３導電層を形成し、
    前記第１導電層、前記第２導電層、および前記第３導電層を前記第１絶縁部とは反対側から覆う第２絶縁部を形成する、
    ことを含むプリント配線板の製造方法。
17. 前記第１導電層は、めっきにより形成される、
    請求項１６に記載のプリント配線板の製造方法。
18. 前記第１導電層は、前記第２導電層とは反対側に向いた第１面と、前記第１面とは異なる方向を向いた第２面と、前記第２面とは反対側に向いた第３面とを有し、
    前記第３導電層は、前記第１導電層の前記第１面、前記第２面、および前記第３面に接するように設けられる、
    請求項１６または請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
19. 前記第３導電層は、無電解めっきにより形成される、
    請求項１６から請求項１８のうちいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。

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