JP2022027541A - フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022027541A JP2022027541A JP2021119200A JP2021119200A JP2022027541A JP 2022027541 A JP2022027541 A JP 2022027541A JP 2021119200 A JP2021119200 A JP 2021119200A JP 2021119200 A JP2021119200 A JP 2021119200A JP 2022027541 A JP2022027541 A JP 2022027541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist composition
- group
- substituted
- polymer
- groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/281—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D139/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D139/04—Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
- C09D139/06—Homopolymers or copolymers of N-vinyl-pyrrolidones
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0384—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the main chain of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2020年7月30日に出願された米国仮特許出願第63/058,953号明細書の利益を主張するものであり、その全ての開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
の消光剤であって、架橋可能な基を含まない消光剤と、溶媒とを含むフォトレジスト組成物が本明細書に開示される。
のモノマーから誘導され得る。Rgは、水素、フッ素、シアノ、置換若しくは非置換C1~10アルキル又は置換若しくは非置換C1~10フルオロアルキルであり得る。好ましくは、Rgは、水素、フッ素又は置換若しくは非置換C1~5アルキル、典型的にはメチルである。Q1は、置換若しくは非置換C1~30アルキレン、置換若しくは非置換C3~30シクロアルキレン、置換若しくは非置換C1~30ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換C6~30アリーレン、置換若しくは非置換二価C7~30アリールアルキル、置換若しくは非置換C1~30ヘテロアリーレン又は置換若しくは非置換二価C3~30ヘテロアリールアルキル或いは-C(O)-O-の1つ以上であり得る。Wは、塩基可溶性基であり、例えば-C(O)-OH、-C(CF3)2OHなどのフッ素化アルコール、アミド、イミド又は-NH-S(O)2-Y1から選択することができ、式中、Y1は、F又はC1~4パーフルオロアルキルである。式(3)では、aは、1~3の整数である。
である。各Raaは、任意選択で、その構造の一部として、-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-C1~12ヒドロカルビレン-、-O-(C1~12ヒドロカルビレン)-、-C(O)-O-(C1~12ヒドロカルビレン)-及び-C(O)-O-(C1~12ヒドロカルビレン)-O-から選択される1つ以上の基を含み得る。各Raaは、独立して、任意選択で、例えば3級アルキルエステル基、2級又は3級アリールエステル基、アルキル基とアリール基との組み合わせを有する2級又は3級エステル基、3級アルコキシ基、アセタール基又はケタール基から選択される、酸に不安定な基を含み得る。Raa基の接続に適した二価結合基は、例えば、-O-、-S-、-Te-、-Se-、-C(O)-、-C(S)-、-C(Te)-又は-C(Se)-、置換又は非置換C1~5アルキレン及びこれらの組み合わせを含む。
の構造を有する消光剤を更に含む。R1、R2及びLの適切な置換基は、例えば、シアノ、C1~6シアノアルキル、C1~6アルキル、C2~6アルケニル、C2~6アルキニル、C1~6ハロアルキル、C1~9アルコキシ、C1~6ハロアルコキシ、C3~12シクロアルキル、C5~18シクロアルケニル、少なくとも1つの芳香環(例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチルなど、各環は、置換又は非置換芳香族である)を有するC6~12アリール、1~3の別個の環又は縮合環及び6~18の環炭素原子を有するC7~19アリールアルキル、1~3の別個の環又は縮合環及び6~18の環炭素原子を有するアリールアルコキシ、C7~12アルキルアリール、C4~12ヘテロシクロアルキル、C3~12ヘテロアリール、C1~6アルキルスルホニル(-S(=O)2-アルキル)、C6~12アリールスルホニル(-S(=O)2-アリール)、トシル(CH3C6H4SO2-)又はそれらの組み合わせを含む。基が置換されている場合、炭素原子の示されている数は、任意の置換基の炭素原子を除いた基における炭素原子の総数である。例えば、基-CH2CH2CNは、シアノ基で置換されたC2アルキル基である。
のモノマーから誘導される繰り返し単位を含むポリマーであり得る。
のモノマーから誘導される繰り返し単位を含み得る。
のモノマーから誘導される繰り返し単位を含み得る。
これらの例で使用される様々な反応物を以下に示す。
2つの光酸発生剤(トリフェニルスルホニウム(アダマンタン-1-イルメトキシカルボニル)-ジフルオロメタンスルホネート)PAG-1A及び(トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート)PAG-2Aを実施例で使用した。
攪拌棒、還流冷却器及び温度計を備えた500mLの丸底フラスコにおいて、2-[2-(2-アミノエトキシ)エトキシ]エタンアミン(10.0g、0.067モル)(Sigma-Aldrich)を100gの酢酸エチルに溶解した。濃酢酸(0.4g、0.0067モル)を反応混合物に滴下し、全てを室温で10分間撹拌した。次いで、温度を77℃に上げ、透明な溶液を得た。反応変換を1H-NMRでモニターし、20時間後に反応が完了したと見なした。ドライアイス浴で反応混合物を冷却すると、白色沈殿物が得られ、ブフナー漏斗で濾過し、冷たい酢酸エチル(-4℃、50mL)及び室温のメチルtert-ブチルエーテル(100mL)で洗浄した。沈殿物を高真空下で一晩乾燥させると、10.7gの生成物が白色粉末(68%)として得られた。
1H-NMR(500MHz-アセトン-d6)7.17(br,2H),3.55(s,4H),3.49(t,4H),3.31(q,4H),1.88(s,6H)ppm.13C-NMR(125MHz-アセトン-d6)170.3,70.94,70.48,39.9,22.9ppm.
攪拌棒、還流冷却器及び温度計を備えた500mLの丸底フラスコにおいて、2-[2-(2-アミノエトキシ)エトキシ]エタンアミン(6.0g、0.04モル)(Sigma-Aldrich)を95.7gのメチル-3メトキシプロパノエートに溶解した。濃酢酸(0.122g、0.002モル)を反応混合物に滴下し、全てを室温で10分間撹拌した。次いで、温度を90℃に上げ、全てを18時間撹拌した。ドライアイス浴で反応混合物を冷却すると、白色沈殿物が得られ、ブフナー漏斗で濾過し、冷たいメチルtert-ブチルエーテル(100mL)で洗浄した。沈殿物を高真空下で一晩乾燥させると、10.1gの生成物を白色粉末(77%)として得た。
1H-NMR(500MHz-アセトン-d6)7.14(br,2H),3.59,(t,4H),3.56(s,4H),3.50(t,4H),3.33(q,4H),3.27(s,6H),2.38(t,4H)ppm.13C-NMR(125MHz-アセトン-d6),171.1,71.0,70.5,69.5,58.6,39.8,37.3ppm.
攪拌棒、還流冷却器、温度計及び窒素注入口を備えた100mLの丸底フラスコにおいて、2-(2-アミノエトキシ)エタンアミン(3.0g、28ミリモル)を43gの酢酸エチルに溶解した。濃酢酸(0.17g、0.0028モル)を反応混合物に加え、全てを室温で10分間撹拌した。次いで、温度を77℃に上げ、反応変換を1H-NMRでモニターし、29時間後に反応を停止した。粗混合物を塩基性アルミニウムカラムに通した。次いで、得られた有機相をドライアイス浴で濃縮及び冷却して、白色沈殿物を得、ブフナー漏斗で濾過した。高真空下で一晩沈殿物を乾燥させると、2.0g(37%)の生成物を白色粉末として得た。1H-NMR(500MHz,CDCl3)δ 6.47(s,2H),3.53(t,4H),3.41(q,4H),2.00(s,6H).13C-NMR(125MHz,CDCl3)δ 23.2,39.2,69.6,170.6.
撹拌棒、還流冷却器、温度計及び窒素注入口を備えた100mLの丸底フラスコにおいて、2,2’-チオビス(エタン-1-アミン)(3.0g、25.0ミリモル)を43gの酢酸エチルに溶解した。反応混合物に濃酢酸(0.2g、0.003モル)を加え、全てを室温で10分間撹拌した。次いで、温度を77℃に上げ、反応変換を1H-NMRでモニターし、29時間後に反応を停止した。粗混合物に、透明な溶液が得られるまでメタノールを加え、全てを塩基性アルミニウムカラムに通した。次いで、得られた有機相をドライアイス浴で濃縮及び冷却し、白色沈殿物を得、ブフナー漏斗で濾過した。溶媒をゆっくりと蒸発させることにより、生成物を酢酸エチル/メタノール中で再結晶した。沈殿物を高真空下で一晩乾燥させ、1.2gの生成物を白色粉末(18%)として得た。
1H-NMR(400MHz,D2O)δ 3.32(t,4H),2.65(t,4H),1.93(s,6H).13C NMR(125MHz,D2O)δ 21.8,30.4,38.7,174.2ppm.
攪拌棒を備えた100mLの丸底フラスコにおいて、N-メチルエタン-1,2-ジアミン(2.96g、0.04モル)及び無水酢酸(9.53g、0.09モル)を室温でニートにおいて72時間攪拌した。反応混合物を分液漏斗に移し、水とtert-ブチルアルコールとの1:1の混合物を加え、続いて固体水酸化ナトリウムを加えた。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥させ、収集し、ロータリーエバポレーターを使用して溶媒を除去した。塩化アンモニウム(2mL)及びtert-ブチルアルコールを残留物に加えた。白色沈殿物が形成されなくなるまでアセトンを加えた。沈殿した生成物を単離し、真空ポンプで更に乾燥させて、3.47gの所望の生成物を得た。1H-NMR(500MHz-クロロホルム-d3)6.82(br,1H),3.45(t,2H),3.18(t,2H),2.97(s,3H),2.05(s,3H),1.98(s,3H),1.62(m,2H)ppm.
フォトレジスト組成物(以下の表1に示されている)は、表1に記載されている成分を混合することによって調製した。各混合物を、0.2μmPTFEディスクを通して濾過した。括弧内の数値は、百分率の重量である。溶媒-1は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)であり、溶媒-2は、2-ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル(HBM)である。
表1のフォトレジスト組成物から製造したフォトレジストは、リソグラフィーによって評価した。300ミリメートル(mm)のシリコンウェハーを最初に下部反射防止コーティングAR(商標)40(DuPont Electronics&Imaging)でスピンコーティングし、205℃で60秒間ベークして、80ナノメートル(nm)のフィルムを形成した。次いで、シリコン含有n型反射コーティングを上部にスピンコーティングし、240℃で60秒間ベークして22nmのフィルムを形成した。最後に、フォトレジスト組成物を上部にスピンコーティングして100nmのフィルムを形成し、85℃で60秒間ソフトベークした。次いで、コーティングされたウェハーを、1.35NA(開口数)、環状照明及び0.8o/0.4iシグマ(式中「o」及び「i」は、環状照明の外側及び内側のシグマである)で、ArF露光装置ASML/1900iを使用して、密な空間を有するマスクパターンを介してArFエキシマレーザー(193nm)で露光した。その後、ウェハーを95℃で60秒間ベークし、続いて0.26Nテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)溶液で現像し、その後、水で洗浄した。限界寸法(CD)は、Hitachi CG-4000CD-SEMを使用してトップダウン走査型電子顕微鏡(SEM)で捕らえられた画像を処理することによって決定した。80nmのトレンチは、80nm/160nmのピッチマスクで目標にされた。焦点緯度は、80nmの目標CDの周囲に+/-10%のCD許容値を可能にすることによって評価した。焦点緯度が270nmより大きい場合、Aとして示され、焦点緯度が200nm~270nmである場合、Bとして示され、焦点緯度が200nm未満である場合、Cとして示さる。焦点緯度は、80nmのトレンチにおいて評価され、結果を以下の表2に要約する。
Claims (10)
- エチレン性不飽和二重結合と、酸に不安定な基とを含むモノマーから形成された重合単位を含む、フリーラジカル重合によって形成された第1のポリマーと、
光酸発生剤と、
式(1):
の消光剤であって、架橋可能な基を含まない消光剤と、
溶媒と
を含むフォトレジスト組成物。 - Lは、複数のヘテロ原子含有基を含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記複数のヘテロ原子含有基は、-O-である、請求項2に記載のフォトレジスト組成物。
- 各R1は、アミドC(O)に対するα-位以外での-O-基を含むC1~C20直鎖、C3~C20分岐又はC3~C20環状アルキルである、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記第1のポリマーは、(メタ)アクリレートポリマーを含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 1つ以上の塩基に不安定な基を含む材料を更に含む、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- (a)基材において、請求項1に記載のフォトレジスト組成物の層を塗布する工程と、
(b)前記フォトレジスト組成物層を活性化放射線にパターンごとに露光する工程と、
(c)レジストレリーフ画像を提供するために、前記露光されたフォトレジスト組成物層を現像する工程と
を含むパターン形成方法。 - 前記レジストレリーフ画像のパターンを前記基材に転写する工程を更に含む、請求項9に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023107815A JP2023121829A (ja) | 2020-07-30 | 2023-06-30 | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063058953P | 2020-07-30 | 2020-07-30 | |
US63/058,953 | 2020-07-30 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023107815A Division JP2023121829A (ja) | 2020-07-30 | 2023-06-30 | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022027541A true JP2022027541A (ja) | 2022-02-10 |
Family
ID=80115005
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021119200A Pending JP2022027541A (ja) | 2020-07-30 | 2021-07-20 | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2023107815A Pending JP2023121829A (ja) | 2020-07-30 | 2023-06-30 | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023107815A Pending JP2023121829A (ja) | 2020-07-30 | 2023-06-30 | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11809077B2 (ja) |
JP (2) | JP2022027541A (ja) |
KR (1) | KR102667143B1 (ja) |
CN (1) | CN114063385A (ja) |
TW (1) | TW202217442A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241870A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Fujifilm Corp | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2016212380A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3644120A (en) | 1966-09-27 | 1972-02-22 | Tsunetoshi Kai | Photosensitive compositions |
US4189323A (en) | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
JP4337389B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2009-09-30 | 東レ株式会社 | 耐熱性樹脂前駆体組成物の製造方法 |
CN1963667B (zh) | 2002-09-12 | 2010-09-29 | 住友化学工业株式会社 | 化学增强型光刻胶组合物 |
EP1720072B1 (en) | 2005-05-01 | 2019-06-05 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Compositons and processes for immersion lithography |
JP2009244778A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | 平版印刷版原版及び平版印刷版の作製方法 |
KR20100072921A (ko) | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 이준세 | 양면 연성회로기판의 제조방법 |
JP2011074365A (ja) | 2009-09-02 | 2011-04-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5446793B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-03-19 | 大日本印刷株式会社 | 感光性樹脂組成物、およびこれを用いた物品、及びネガ型パターン形成方法 |
JP2012073612A (ja) | 2010-09-14 | 2012-04-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | マルチアミド成分を含むフォトレジスト |
JP5736718B2 (ja) | 2010-10-18 | 2015-06-17 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法 |
JP2013065011A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-11 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | マルチアミド成分を含むフォトレジスト |
JP6327066B2 (ja) | 2013-09-03 | 2018-05-23 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US11480878B2 (en) * | 2016-08-31 | 2022-10-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Monomers, polymers and photoresist compositions |
JP7217154B2 (ja) | 2018-01-18 | 2023-02-02 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
-
2021
- 2021-03-11 US US17/198,749 patent/US11809077B2/en active Active
- 2021-06-28 TW TW110123648A patent/TW202217442A/zh unknown
- 2021-07-13 CN CN202110793744.3A patent/CN114063385A/zh active Pending
- 2021-07-20 JP JP2021119200A patent/JP2022027541A/ja active Pending
- 2021-07-23 KR KR1020210096863A patent/KR102667143B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-06-30 JP JP2023107815A patent/JP2023121829A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241870A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Fujifilm Corp | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2016212380A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023121829A (ja) | 2023-08-31 |
US11809077B2 (en) | 2023-11-07 |
TW202217442A (zh) | 2022-05-01 |
CN114063385A (zh) | 2022-02-18 |
KR102667143B1 (ko) | 2024-05-22 |
US20220043342A1 (en) | 2022-02-10 |
KR20220015335A (ko) | 2022-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102630503B1 (ko) | 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP7372960B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
US11809077B2 (en) | Photoresist compositions and pattern formation methods | |
JP7377931B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
KR102653134B1 (ko) | 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP2024070830A (ja) | ポリマー、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2023159129A (ja) | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
KR20230047029A (ko) | 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP2024095589A (ja) | ポリマー、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2023171299A (ja) | 化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物 | |
JP2023051836A (ja) | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2024096012A (ja) | ポリマー、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2024012132A (ja) | 光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2024019193A (ja) | 光酸発生剤、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 | |
JP2023099319A (ja) | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2023182701A (ja) | フォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP2023152862A (ja) | 光活性化合物、それを含むフォトレジスト組成物及びパターン形成方法 | |
KR20240105292A (ko) | 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 및 패턴 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210720 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20210724 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20211117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220621 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220920 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221221 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230303 |