JP2022019556A - ピンフィン型パワーモジュールを封止する型、およびパワーモジュールを製造する方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 101100398918 Arabidopsis thaliana IPMS2 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100018850 Luffa aegyptiaca IMS1 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0001—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor characterised by the choice of material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1701—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations using a particular environment during moulding, e.g. moisture-free or dust-free
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
- B29C2045/14139—Positioning or centering articles in the mould positioning inserts having a part extending into a positioning cavity outside the mould cavity
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C2045/14852—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles incorporating articles with a data carrier, e.g. chips
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
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- B29C2045/1785—Movement of a part, e.g. opening or closing movement of the mould, generating fluid pressure in a built-in fluid pressure generator
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C2791/00—Shaping characteristics in general
- B29C2791/004—Shaping under special conditions
- B29C2791/006—Using vacuum
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2063/00—Use of EP, i.e. epoxy resins or derivatives thereof, as moulding material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
- B29L2031/3481—Housings or casings incorporating or embedding electric or electronic elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】ピンフィン型パワーモジュールを封止する型、およびパワーモジュールを製造する方法を提供する。【解決手段】ピンフィン型パワーモジュールを樹脂で封止する型を開示する。パワーモジュールは、DBCまたはIMSと、DBCまたはIMSの第1表面上に設けられたパワーチップおよび複数の端子と、DBCまたはIMSの第2表面上に設けられたピンフィン構造と、を備える。型は、さらに、パワーモジュールを収容するキャビティと、それぞれが端子の少なくとも一部を受容するために、端子にそれぞれ対応する複数の端子保護素子と、型の底部または型の側壁に設けられた注入孔と、を備える。第1表面は型の内側底面に面している。パワーモジュールがキャビティ内に配置されると、注入孔は、第1表面の下にある。トランスファ成形の間に、端子およびフィンは樹脂から十分に保護される。本発明は、また、パワーモジュールを製造する方法に関する。【選択図】図8
Description
本発明は、ピンフィン型パワーモジュールを封止する型、およびピンフィン型パワーモジュールを製造する方法に関する。
図1を参照すると、パッケージング前の従来のパワーモジュールが開示される。IGBTまたはSiCデバイスのようなパワーチップ2、ならびにインバータのACコネクタおよびDCコネクタのような端子31、32は、DBC(Direct Bonded Copper:直接接合銅)またはIMS(Insulated Metal Substrate:絶縁金属基板)1の前面に設けられていれる。放熱用の金属ブロック4は、DBCまたはIMS1の後面に結合されている。通常、ゲルまたは樹脂が、パワーチップ2、端子31、32およびDBCまたはIMSの前面を封止するために使用される。エポキシ樹脂が使用される場合、パワーモジュールを、トランスファ成形プロセスによって封止することができる。図2を参照すると、下型51には注入孔511が設けられている。下型51と上型52とは、図1に示す構造を収容するキャビティ50を画定する。エポキシ樹脂は、注入孔511を介して上方に注入される。キャビティ50は、特定の圧力下で、エポキシ樹脂で充填される。金属ブロック4は、トランスファ成形プロセスの間に、良好な支持を提供することができる。下型および上型を除去した後、図3に示すように、エポキシ樹脂6を備えるパッケージされたパワーモジュールが形成される。しかしながら、パワーチップ2は別として、端子31、32もエポキシ樹脂6によって完全に封止されている。端子は電気的接続のために露出される必要があるため、追加の穿孔プロセスが必要である。
また、放熱能力を向上させるため、金属ブロックの代わりにピンフィン構造を使用している。図4に示すように、ピンフィン構造は、DBCまたはIMS1の後面に結合され、金属板41および金属板41上の複数のフィン42を備える。パワーチップの急速なスイッチング中に発生する熱を、フィン42を介して迅速に放散することができる。図5および図6に示すように、下型51と上型52とで形成されたキャビティ50内にピンフィン構造を備えるパワーモジュールを配置すると、隣り合う2つのフィンの隙間もエポキシ樹脂で充填されることになる。これは許容できない。
フィンおよび端子が樹脂によって封止されることを回避するために、本発明は、ピンフィン型パワーモジュールを樹脂で封止する型を提供する。パワーモジュールは、DBCまたはIMSと、DBCまたはIMSの第1表面上に設けられたパワーチップおよび複数の端子と、DBCまたはIMSの第1表面と反対側の第2表面上に設けられたピンフィン構造と、を備える。型は、さらに、パワーモジュールを収容するキャビティと、それぞれが端子の少なくとも一部を受容するために、端子にそれぞれ対応する複数の端子保護素子と、型の底部または型の側壁に設けられた注入孔と、を備える。第1表面は型の内側底面に面している。パワーモジュールがキャビティ内に配置されると、注入孔は、第1表面の下にある。
好適な実施形態において、端子保護素子は、型の内側底面に設けられた凹部である。
別の好適な実施形態において、凹部は、対応する端子の少なくとも一部を包む。例えば、凹部は、対応する端子の頂部を包む。
別の好ましい実施形態では、凹部の深さは、対応する端子の高さよりも浅い。したがって、トランスファ成形プロセスの間に、各端子の凹部に受容されていない部分が、樹脂に浸漬される。樹脂が固化した後には、各端子の凹部に受容されていなかった部分が封止される。一方、各端子の凹部によって受容されていた部分は、固化した樹脂から突出する。したがって、電気的な接続を形成するために、追加の穿孔プロセスが必要とされない。
別の好適な実施形態において、凹部の内壁は弾性を有する。好適には、凹部の内壁は、ゴム層のような弾性層によって覆われている。
別の好適な実施形態において、ピンフィン構造は金属板を備える。金属板は、金属板上に設けられたDBCまたはIMSおよびフィンに結合されている。金属板は、フィンが設けられた中央領域と、フィンのないエッジ領域と、を備える。エッジ領域は中央領域の周囲である。樹脂が上方に注入されと、エッジ領域は、トランスファ成形の間にフィンが樹脂によって影響を受けることを防止できる。
別の好適な実施形態において、第1表面の周縁部を支持するために、型の内側底面に段差部が設けられている。
別の好適な実施形態において、型は、上型と下型とによって組み立てられる。キャビティは、上型の内壁と下型の内壁とによって形成されている。端子保護素子および注入孔は、下型に設けられている。
本発明の別の態様によれば、ピンフィン型パワーモジュールを製造する方法も開示される。上述の型を使用してパワーモジュールを製造する方法は、パワーモジュールを下型に配置するステップであって、各端子の少なくとも一部が対応する端子保護素子によって受容されるステップと、上型と下型とを組み立てるステップと、第1表面がエポキシ樹脂で封止されるように注入孔を介してエポキシ樹脂を注入するステップと、上型と下型とを除去するステップと、を含む。
別の好適な実施形態において、エポキシ樹脂を注入する前に、キャビティを排気する。
実施形態の他の態様および利点は、記載される実施形態の原理を例として示す添付の図面と併せて解釈される、以下の詳細な説明から明らかになる。
記載される実施形態およびその利点は、添付の図面と併せて以下の説明を参照することによって最もよく理解することができる。これらの図面は、当業者によってなされ得る、記載される実施形態の精神および範囲から逸脱することのない、記載される実施形態の形態および詳細のいかなる変化をも、決して限定するものではない。
ここで図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。ピンフィン型パワーモジュールを樹脂で封止する型と、ピンフィン型パワーモジュールを製造する方法について、図4、図7乃至図9を用いて詳細に説明する。図4に示すように、パワーモジュールは、DBCまたはIMS1と、パワーチップ2と、DBCまたはIMS1の第1表面上に設けられた複数の端子31、32と、DBCまたはIMS1の第1表面と反対側の第2表面上に設けられたピンフィン構造と、を備える。SiCデバイスのようなパワーチップ、ならびにACコネクタおよびDCコネクタのような端子は、DBCまたはIMS上に溶接されている。ピンフィン構造は、金属板41を備える。金属板41は、金属板41上に設けられたDBCまたはIMS1およびフィン42に結合されている。金属板41は、パワーチップのスイッチングの間に発生する熱が冷却剤に浸漬されたフィン42に伝達されるように、熱伝導性のある接着剤によって、DBCまたはIMSに結合されている。
図7および図8を参照すると、型は、下型501および上型502を備える。図4に示されるパワーモジュールを収容するキャビティ500は、下型501と上型502とによって形成される。下型501の内側底面には、端子31、32にそれぞれ対応する複数の端子保護素子5011、5012が設けられ、それぞれ、端子の少なくとも一部を受容する。凹部の深さは、対応する端子の高さよりも浅い。各端子保護素子は、弾性層を備える凹部である。したがって、フィン42を上方に、端子を下方にして、パワーモジュールがキャビティ500内に配置されると、各端子の一部、例えば各端子の頂部が各凹部の弾性層によって包まれるため、各端子が十分に保護される。
下型501は、さらに、型の底部に設けられた注入孔5013を備える。DBCまたはIMSの第1表面は、型の底部に面している。パワーモジュールがキャビティ内に配置されると、注入孔は第1表面の下にある。エポキシ樹脂は、注入孔5013を介してキャビティ500内に注入される。
平坦な底部を備える従来の型とは異なり、パワーモジュールは、端子が十分に保護された状態で逆向きに配置される。端子保護素子に受容されていない端子の部分は、注入孔5013を介して注入されたエポキシ樹脂に露出される。
本発明は、さらに、上述の型を使用してパワーモジュールを製造する方法を提供する。方法は、各端子の頂部が対応する端子保護素子によって受容される下型に、パワーモジュールを配置するステップと、キャビティ500を形成するために上型と下型とを組み立てるステップと、注入孔5013を介してエポキシ樹脂を上方に注入するステップであって、このステップの間に、エポキシ樹脂が流れるにつれて、パワーチップおよび露出されている端子がエポキシ樹脂に浸漬されるステップと、を含む。エポキシ樹脂が固化した後、型を取り除き、図9に示される封止型パワーモジュールが完成する。端子保護素子の保護により、各端子31、32の頂部311、321は、エポキシ樹脂によって封止されず、したがって露出される。これは、電気的な接続に望ましく、従来の型を使用するトランスファ成形プロセスと比較して、追加の穿孔プロセスを必要としない。
次に、図10乃至図11を参照する。別の好適な実施形態が開示される。金属板は、フィンが設けられた中央領域と、フィンが設けられていない中央領域の周りのエッジ領域401と、を備える。樹脂が上方に注入される際に、エッジ領域は、トランスファ成形の間にフィンが樹脂によって影響を受けることを防止することができる。
この実施形態において、第1表面の周縁部を支持するために、下型501の内側底面に段差部7が設けられている。下型の側壁には、注入孔が設けられている。図11に示すように、段差部7が、エポキシ樹脂が金属板の側壁およびフィン42に影響を及ぼすことを防止する。
次に図12を参照すると、本発明の別の好ましい実施形態による下型501が示される。この実施形態は、図10乃至11に示す実施形態と同様に、下型501の内側底面に、第1表面の周縁部を支持する段差部7が設けられている。下型の床面には、内側にゴム素子を備える複数の端子保護素子5011、5012が設けられている。下型の側壁には、注入孔5013が設けられている。パワーモジュールがキャビティ内に配置されると、注入孔の最も高い位置は、第1表面の下にある。
複数の代替的な構造要素およびプロセスのステップが、好適な実施形態のために提案されている。したがって、本発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、この説明は本発明を例示するものであり、本発明を限定するものと解釈されるべきではない。当業者であれば、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、多様な変形および応用を想到することができる。
Claims (10)
- ピンフィン型パワーモジュールを樹脂で封止する型であって、前記パワーモジュールは、DBCまたはIMSと、パワーチップと、前記DBCまたはIMSの第1表面上に設けられた複数の端子と、前記DBCまたはIMSの前記第1表面と反対側の第2表面上に設けられたピンフィン構造と、を備え、前記型は、さらに、
前記パワーモジュールを収容するキャビティと、
それぞれが端子の少なくとも一部を受容するために、前記端子にそれぞれ対応する複数の端子保護素子と、
前記型の底部または前記型の側壁に設けられた注入孔と、を備え、
前記第1表面は前記型の内側底面に面しており、前記パワーモジュールが前記キャビティ内に配置されると、前記注入孔は、前記第1表面の下にある、型。 - 請求項1に記載の型であって、前記端子保護素子は、前記型の前記内側底面に設けられた凹部である、型。
- 請求項2に記載の型であって、前記凹部は、対応する端子の少なくとも一部を包む、型。
- 請求項2に記載の型であって、前記凹部の深さは、対応する端子の高さよりも浅い、型。
- 請求項2に記載の型であって、前記凹部の内壁は弾性を有する、型。
- 請求項1~5の何れか一項に記載の型であって、前記ピンフィン構造は金属板を備え、前記金属板は前記DBCまたはIMSに結合され、前記金属板は、前記フィンが設けられた中央領域と、前記中央領域の周囲であるフィンのないエッジ領域と、を備える、型。
- 請求項1~5の何れか一項に記載の型であって、前記第1表面の周縁部を支持するために、前記型の内側表面に段差部が設けられている、型。
- 請求項1~5の何れか一項に記載の型であって、前記型は、上型と下型とによって組み立てられ、前記キャビティは、前記上型の内壁と前記下型の内壁とによって形成され、前記端子保護素子および前記注入孔は、前記下型に設けられている、型。
- 請求項8に記載の型を使用してパワーモジュールを製造する方法であって、
前記パワーモジュールを前記下型に配置するステップであって、各端子の少なくとも一部が対応する端子保護素子によって受容されるステップと、
前記上型と前記下型とを組み立てるステップと、
第1表面がエポキシ樹脂で封止されるように前記注入孔を介してエポキシ樹脂を注入するステップと、
前記上型と前記下型とを除去するステップと、を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、エポキシ樹脂を注入する前に、前記キャビティを排気する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102020208862.4A DE102020208862A1 (de) | 2020-07-15 | 2020-07-15 | Formwerkzeug zum verkapseln eines pin-fin-artigen leistungsmoduls und verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls |
DE102020208862.4 | 2020-07-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022019556A true JP2022019556A (ja) | 2022-01-27 |
Family
ID=79021173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021084827A Pending JP2022019556A (ja) | 2020-07-15 | 2021-05-19 | ピンフィン型パワーモジュールを封止する型、およびパワーモジュールを製造する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11673302B2 (ja) |
JP (1) | JP2022019556A (ja) |
CN (2) | CN113948402A (ja) |
DE (1) | DE102020208862A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2020
- 2020-07-15 DE DE102020208862.4A patent/DE102020208862A1/de active Pending
-
2021
- 2021-05-19 JP JP2021084827A patent/JP2022019556A/ja active Pending
- 2021-07-13 CN CN202110789168.5A patent/CN113948402A/zh active Pending
- 2021-07-13 CN CN202121591193.4U patent/CN215911397U/zh active Active
- 2021-07-14 US US17/375,525 patent/US11673302B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113948402A (zh) | 2022-01-18 |
US11673302B2 (en) | 2023-06-13 |
US20220016814A1 (en) | 2022-01-20 |
DE102020208862A1 (de) | 2022-01-20 |
CN215911397U (zh) | 2022-02-25 |
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