JP2022017827A - サーマルヘッド用基板、及びサーマルヘッド用基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 243
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 124
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 178
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 51
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 31
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 31
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
また、放熱板の接着面にサーマルヘッド用基板に突起形成された無機層に篏合する溝を設けたことを特徴としてもよい。また、放熱板の一部に開口や貫通孔を設けたことを特徴としてもよい。また、放熱板の外形をサーマルヘッド用基板外形より大きくしたことを特徴としてもよい。
また、駆動回路形成領域の一部又は全部を被覆して形成してもよい。駆動回路形成領域の熱時定数を可変することができるので、高速、低速印字用途のサーマルヘッド用基板が提供できる。また、発熱体と駆動回路領域を無機層で被覆して形成された無機層は凹部基板の厚さの薄い部分の補強材として機能することを特徴としてもよい。
また、感熱媒体の摺動面が平坦になり電極段差の影響による偏摩耗が低減でき、サーマルヘッド用基板の長寿命化が実現できる。
前記発熱体を覆う無機層を含む蓄熱層を形成する工程と、前記蓄熱層の表面に放熱板を接着する工程と、前記放熱板を接着する工程の後に、前記基板の前記主面に対向する裏面であって、前記蓄熱層に対応した領域に凹部を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
まず、サーマルヘッド用基板の問題点について説明する。図5は、ハイブリッド型のサーマルヘッドを説明するための図である。図5に示すように、ハイブリッド型のサーマルヘッドでは、アルミナ基板上のガラス層(基板101)上に形成された発熱体と、ガラス層上にマウントされた駆動回路を含む駆動ICチップ104と、発熱体と駆動ICチップとを接続するための配線から構成されている。
図の破線T1,T2,T3、は単パルス通電した時の熱伝搬の様子を模式的に描いた等温度曲線である。温度はT1>T2>T3と変化する。ガラス基板3のX,Y方向は均一物質なので等方的に伝搬すると仮定する。また、放熱板4は室温に維持されているとする。そうするとX方向は距離tで室温(T2)に降下しているとする。等方的伝搬なのでY方向も距離tで室温まで降下していると考えられる。
また、図6(b)は、図6(a)のY方向の平面上の熱伝搬を模式化した等温度曲線で表した平面図である。
図1(a)及び図1(b)は、本実施形態のサーマルヘッド用基板1の構造を説明する為の平面図、及び断面図である。
図1(b)は図1(a) のX1-X1線の断面図である。サーマルヘッド用基板1は、耐摩耗層として機能する基板8a部と、基板8aと発熱体29と放熱板4との間に設けられた無機層9Mと接着層5とから構成されている。基板3の主面上には、発熱体形成領域3A及び駆動回路形成領域3Bが設けられている。発熱体形成領域3Aには、発熱体29が形成されており、駆動回路形成領域3Bには、発熱体に供給する電流を制御するための駆動回路が形成されている。基板3の主面上に設けられた発熱体を覆う無機層9Mが形成されている。
また、放熱板4の大きな役割は無機層の放熱と駆動回路形成領域3Bへの熱伝搬を制御することと駆動回路形成領域の放熱である。
図14(a)は断面構成と温度伝搬を説明するための図である。図14はプリンター機構として、プラテン105、と感熱紙P、がガラス基板3の凹部8、薄型化した基板8a部に圧接して摺動することを説明するための図である。
つまり、今までは蓄熱層の厚さと同等以上のW1の距離が必要だったが無機層形成領域まで駆動素子28を接近させてサーマルヘッド用基板を小型化できる。無機層の厚さは、減少させたW1に相当する熱容量を持った厚さ程度に、厚さを大きくすることができる。
また、駆動回路形成領域3Bに対応する領域にも無機層9Mを薄く形成することで駆動回路の温度も制御できることは勿論である。ここで領域Cは共通電極を表し、分岐電極109の形成領域をDと表している。発熱体をスイッチングする素子を28で表している。発熱体29の形成領域を3Aで表している。スイッチング素子を含む駆動回路形成領域を3Bで表している。
また、熱伝導率は今回の実施例で用いた無機接着剤は0.5w/m2kである。ガラスは1,1w/m2kである。蓄熱層として機能する無機層の厚さはガラスの約半分程度を目安に設計することができる。よって、高速印字用途では10~20μm程度、低速印字用途では50~250μm程度の厚さに設定できる。
また、放熱板4の外形は基板3の外形より0.1~1.0mm程大きくして、ガラス基板3を接着後その端部を外力からの割れや欠けを防ぐ大きさとすることもできる。
[薄膜形成工程]
また、発熱体としてTaSiO2、NiCr、TaN等の別材料を成膜してパターン形成後上記薄膜形成工程で作成することもできることは勿論である。
・印字幅:3 inch
・1ラインの総発熱体数:304 dots/line
・発熱体密度:4dot/mm
・発熱体のピッチ:125μm
・発熱体のサイズ((幅W*長さL):100μm)*130μm
・基板の外形サイズ:L=80mm、W=10mm
また、図3(a)に示した各部位の寸法の一例として、以下のような数値を用いた。
・L1=76mm、W1=0.1mm(一定)、W2=2mm、W3=2mm
また、ガラス基板3は、例えば、所謂、液晶用基板用のガラス基板で無アルカリガラスから成り、厚さは0.5mmである。以上の工程は液晶表示素子製造時のLTPS TFTのアレイ工程として知られているものである。
[無機層形成工程]
無機接着剤を用い幅、0.2mmのラインを発熱体形成領域3Aの主面に形成する。発熱体パターンの長さRLは130μmであり、印刷時の位置合わせ誤差を考慮して幅を決め、全面を覆う設計とした。
また、無機層として常温硬化ガラスも使用できる。液状のガラスを塗布し室温乾燥でガラス化できるもので高温処理が不要になる。
また、熱伝導率は今回の実施例で用いた無機接着剤は0.5w/m2kである。ガラスは1,1w/m2kである。蓄熱層として機能する無機層の厚さはガラスの約半分程度を目安に設計することができる。
[放熱板接着工程]
[凹部形成工程]
個片分割工程は、以下の2つの方法を採用することができる。
まず、マザーガラス基板3を分割し、個片化した後、放熱板4を接着する方法について説明する。図10(a)に示したように、マザーガラス3aの主面に薄膜形成工程終了後の基板1を示している。サーマルヘッド用基板1のパターンが3個面付けされている。個々の基板3の周囲にスクライブラインSを形成し、スクライブラインSに沿ってスクライバーで分割し、個片化した後、放熱板4と接着する方法である。また、研削装置のダイサーを用いることができることは勿論である。
[端末ケーブル形成工程]
以上の工程によりサーマルヘッド用基板1が完成する。
[実施例1]
凹部の底の厚さ8aは2~50μmで2μm以下の厚さでは製造バラツキの面で困難になる。50μm以上の厚さになると印字がボケ、品質低下が著しくなる。接着層は5~50μm程度で薄くて熱伝導性の高い接着剤である。
[実施例2]
図8(b)において、無機層の厚さは駆動回路領域9Maでは薄く、発熱体部9Mは厚く形成する。特に基板8a部に厚さが数μm程度と薄い時はプラテンによる圧力による基板8a部の変形を防ぐことができる。
図9(d)と(h)は駆動回路がブロック毎に分けて配置した場合でそのブロック毎に無機層9Mnを形成した例の平面図と断面図である。
以上のように発熱体形成領域と駆動回路形成領域の熱時定数を無機層の厚さや塗布面積を変えて各領域の熱時定数を制御できる。
その他、図示しないが平板状の放熱板やその他の溝形状の放熱板も実施できることは勿論である。
[実施例3]
まず、平面図から見た凹部8の形状は大きく2種類である。図12(a)~(c)には、所謂座グリ形状の凹部8を示し、図12(d)に、溝形状を有する凹部8を示す。
次に、図12(a)及び(e)は、凹部を複数設け基板3の表面積を高め放熱性を向上したサーマルヘッド用基板を示す。図12(e)において、端末電極端子形成領域以外で他の支障のない基板3の領域に複数の座グリ8aが形成されている。なお、図12(e)において、凹部8が座グリ形状を有する場合を示したが、溝形状であってもよい。
3 基板
3A 発熱体形成領域
3B 駆動回路形成領域
4 放熱板
5 接着層
6 ACF(異方導電膜)
7 FPC(端末ケーブル)
8 凹部
9 9M,9Ma 無機層
11 溝
Claims (7)
- 主面を有し、発熱体形成領域と駆動回路形成領域を有する基板と、
前記主面上の前記発熱体形成領域と前記駆動回路形成領域のそれぞれの領域に一体に形成された発熱体及び駆動回路と、
前記主面上に形成され、前記発熱体と前記駆動回路を接続するための配線と、
前記発熱体形成領域上に形成された無機層を含む蓄熱層と、
前記蓄熱層上に設けられた放熱板と、を備え、
前記基板の前記主面に対向する裏面であって、前記蓄熱層に対応した領域に凹部を有し、
前記凹部が、耐摩耗層として機能することを特徴とするサーマルヘッド用基板。 - 前記蓄熱層は、前記発熱体を被覆して形成されていることを特徴とする請求項1に記載のサーマルヘッド用基板。
- 前記凹部の基板の厚さが、2μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のサーマルヘッド用基板。
- 前記基板の裏面の前記蓄熱層に対応した領域に凹部状の溝が設けられていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のサーマルヘッド用基板。
- 前記蓄熱層を構成する前記無機層は、粒径が1μm以上100μm以下である粒状のアルミナ、またはシリカを含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のサーマルヘッド用基板。
- 前記発熱体は、複数の発熱部を有し、
前記複数の発熱部の一端は、共通電極に接続されており、
前記複数の発熱部の他端のそれぞれは、対応する分岐電極に接続されており、
前記共通電極及び前記分岐電極の厚さが1μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のサーマルヘッド用基板。 - 基板の主面上に、発熱体、駆動回路、及び前記発熱体と前記集積回路を接続するための配線を形成する工程と、
前記発熱体を覆う無機層を含む蓄熱層を形成する工程と、
前記蓄熱層の表面に放熱板を接着する工程と、
前記放熱板を接着する工程の後に、前記基板の前記主面に対向する裏面であって、前記蓄熱層に対応した領域に凹部を形成する工程と、を備えることを特徴とするサーマルヘッド用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2020120610A JP7023541B2 (ja) | 2020-07-14 | 2020-07-14 | サーマルヘッド用基板、及びサーマルヘッド用基板の製造方法 |
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---|---|---|---|
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JP2022017827A true JP2022017827A (ja) | 2022-01-26 |
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---|---|
JP (1) | JP7023541B2 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7023541B2 (ja) | 2022-02-22 |
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