JP2022010429A - 放射線撮影装置、放射線撮影システム及びプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
一方、放射線撮影装置の使用形態(例えば、動画撮影)によっては、読み出し回路が行う各種動作の時間を短縮しなければならない場合がある。
例えば、特許文献1には、光または放射線の入射により光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、電荷情報を読み出す時間の間隔である読み出し間隔を変更する読み出し間隔変更手段と、を備える撮像装置について記載されている。
また、特許文献1には、フレームレートが短い撮影モードの場合と長い撮影モードの場合とで、読み出し間隔変更手段が読み出し間隔を異ならせることについても記載されている。
二次元状に配列された複数の半導体素子と、各半導体素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、
前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各半導体素子から電荷を放出させるゲート駆動部と、
前記センサー部の各半導体素子が放出した電荷の量に応じた信号値を読み出す読み出し部と、
前記センサー部に到達する放射線量に影響する撮影条件を設定する設定手段と、
複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、前記設定手段が設定した撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する選択手段と、
前記選択手段が選択したゲート読み出しパターンで前記ゲート駆動部及び前記読み出し部を駆動させる駆動制御手段と、を備える。
二次元状に配列された複数の半導体素子と、各半導体素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、
前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各半導体素子から電荷を放出させるゲート駆動部と、
前記センサー部の各半導体素子が放出した電荷の量に応じた信号値を読み出す読み出し部と、
撮影者によってなされた操作に応じて、前記センサー部に到達する放射線量に影響する撮影条件の入力を受け付ける受付手段と、
前記受付手段が受け付けた前記撮影条件を設定する設定手段と、
複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、前記設定手段が設定した前記撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する選択手段と、
前記選択手段が選択したゲート読み出しパターンで前記読み出し部を駆動させる駆動制御手段と、を備える。
二次元状に配列された複数の半導体素子と、各半導体素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各半導体素子から電荷を放出させるゲート駆動部と、前記センサー部の各半導体素子が放出した電荷の量に応じた信号値を読み出す読み出し部と、を備える放射線撮影装置の制御部に、
前記センサー部に到達する放射線量に影響する撮影条件を設定する設定処理と、
複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、前記設定処理において設定した前記撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する選択処理と、
前記選択処理において選択したゲート読み出しパターンで前記読み出し部を駆動させる駆動制御処理と、を実行させる。
本発明の発明者は、鋭意研究の結果、装置が受ける放射線量が大きい撮影、すなわち装置の半導体素子が発生させる電荷の量が多い撮影(例えば腰椎側面の撮影)においてバイアス電圧の変動が特に大きく、基準値へ収束するのに時間がかかることを発見した。
また、発明者は、収束時間の差によって放射線の照射時と未照射時とでスイッチング時の電圧が異なり、放射線画像のオフセット成分とオフセット画像とに差ができることにより画質異常(オフセット補正不良)が生じることを突き止めた。
本発明は、画質異常が生じることのあった、撮影の際に放射線撮影装置に到達する放射線量が大きくなる撮影条件を設定して放射線撮影を行っても、バイアス電圧の変動の影響を受けにくくすることで、生成される放射線画像に画質異常が生じないようにするものである。
まず、本実施形態に係る放射線撮影システム(以下、システム100)について説明する。
図1は、システム100を表すブロック図である。
各装置110~140は、例えば通信ネットワークN(LAN(Local Area Network)、WAN(Wide Area Network)、インターネット等)を介して互いに通信可能となっている。
また、本実施形態に係るシステム100は、撮影台150A,150Bを備えている。
放射線発生装置110は、操作卓111と、ジェネレーター112と、放射線源113と、を備えている。
ジェネレーター112は、照射指示スイッチ111aが操作されたことに基づいて、予め設定された撮影条件(詳細後述)に応じた電圧を放射線源113(管球)へ印加するようになっている。
放射線源113は、ジェネレーター112から電圧が印加されると、印加された電圧に応じた線量の放射線R(例えばX線等)を発生させるようになっている。
また、放射線源113は、X軸方向、X軸と直交するY軸方向、X軸及びY軸と直交するZ軸方向に移動することが可能であるとともに、Y軸、Z軸と平行な回転軸を中心に回転して放射線の照射口の向きを変えることが可能となっている。
静止画撮影を行う場合には、1回の撮影操作(照射指示スイッチ111aの押下)につき放射線Rの照射を1回だけ行う。
動画撮影を行う場合には、1回の撮影操作につきパルス状の放射線Rの照射を所定時間当たり複数回(例えば1秒間に15回)繰り返す、又は放射線Rの照射を所定時間継続する。
撮影装置120は、放射線発生装置110から放射線Rが照射されるタイミングと同期して、照射された放射線Rの線量に応じた放射線画像を生成するようになっている。
静止画撮影を行う場合には、1回の撮影操作につき放射線画像の生成を1回だけ行う。
動画撮影を行う場合には、1回の撮影操作につき動画を構成するフレームの生成を所定時間当たり複数回(例えば1秒間に15回)繰り返す。
この撮影装置120の詳細については後述する。
コンソール130は、放射線発生装置110及び撮影装置120のうちの少なくとも一方に設定する撮影条件の入力を受け付けるものである。
コンソール130は、PCや専用の装置等で構成されている。
本実施形態に係るコンソール130は、撮影条件の入力受付を、ユーザーによる操作に応じて行うようになっていてもよいし、他のシステム(HISやRIS等)から取得した撮影オーダー情報やユーザー(例えば技師)による操作に基づいて行うようになっていてもよい。
このコンソール130の詳細についても後述する。
中継器140は、各装置110~130間の無線方式や有線方式での通信を中継するためのアクセスポイントやハブの機能を備えている。
なお、中継器140を介すことなく、各装置110~130間で直接に送受信するように構成してもよい。
そして、患者の背後に位置する撮影装置120が、患者を透過してきた放射線Rを受け、それに基づいて画像データを読み出し、読み出した画像データを、中継器140を介してコンソール130に送信するようになっている。
次に、上記システム100が備えるコンソール130の詳細について説明する。
図2はコンソール130を表すブロック図、図3はコンソール130が実行する受付処理の流れを示すフローチャート、図4はコンソール130が表示する画面の一例を示す図、図5はシステム100における撮影条件及びビニング数とフレームレート、ゲート周期との関係を示す表である。
コンソール130は、図2に示すように、制御部131と、通信部132と、記憶部133と、表示部134と、操作部135と、を備えている。
各部131~135は、バス等で電気的に接続されている。
そして、制御部131のCPUは、記憶部133に記憶されている各種プログラムを読出してRAM内に展開し、展開されたプログラムに従って各種処理を実行し、コンソール130各部の動作を集中制御するようになっている。
そして、通信部132は、通信ネットワークN(LAN(Local Area Network)、WAN(Wide Area Network)、インターネット等)を介して有線又は無線で接続された他の装置(放射線発生装置110、撮影装置120等)との間で各種信号や各種データを送受信するようになっている。
また、記憶部133は、制御部131が実行する各種プログラムやプログラムの実行に必要なパラメーター等を記憶している。
また、本実施形態に係る記憶部133は、放射線画像の画像データを記憶することが可能となっていてもよい。
表示部134は、例えばLCD(Liquid Crystal Display)やELD(Electronic Luminescent Display)、CRT(Cathode Ray Tube)等で構成されている。
そして、表示部134は、制御部131から受信した画像信号に応じたリストや放射線画像等を表示するようになっている。
操作部135には、カーソルキーや数字入力キー、各種機能キー等を備えたキーボード、ポインティングデバイス(マウス等)、表示部134の表面に積層されたタッチパネル等が含まれる。
そして、操作部135は、ユーザーによってなされた操作に応じた制御信号を制御部131へ出力するようになっている。
このように構成されたコンソール130の制御部131は、所定条件が成立したことを契機として、例えば図3に示すような受付処理を実行する。
所定条件には、例えば、電源がオンにされたこと、アプリケーションが起動されたこと、他の装置から所定の制御信号を受信したこと等が含まれる。
この被検者情報受付処理において、制御部131は、被検者情報(氏名、被検者ID、生年月日、性別等)の入力を受け付ける。
この撮影条件等受付処理において、制御部131は、撮影者によって操作部135になされた操作に応じて、撮影条件の入力を受け付ける。
撮影条件には、センサー部に到達する放射線量に影響する、撮影部位(胸部、腰椎等)、ポジショニング(PA、LAT等)、管電圧、管電流、放射線の照射時間、mAs値、SID、グリッドの有無、付加フィルターの有無、付加フィルターの種類(材質(Al、Cu等)、厚さ等)のうちの少なくともいずれかが含まれる。
本実施形態に係る設定画面Sには、ポジショニングの選択ボタンBが撮影部位ごとに表示されるようになっている。そして、ユーザーにより操作部135になされた操作(所望の選択ボタンBのクリックやタッチ)に応じた撮影条件(撮影部位及びポジショニング)の選択(入力)を受け付けるようになっている。
本実施形態に係るコンソール130は、ビニング数のデフォルト値をポジショニングの選択ボタンBと紐づけて記憶しており、ポジショニングの選択ボタンBが操作されると、その選択ボタンBに紐づけられたビニング数の入力を受け付けたことになる。
なお、ポジショニングの選択ボタンBは、ビニング数毎に更に細分化されていてもよい。
また、ビニング数の入力を独立して受け付けるようになっていてもよい。
本実施形態に係る撮影条件等受付処理において、制御部131は、撮影装置120から受信した設定可能なフレームレートの範囲を表示するようになっており、ユーザーはその範囲内で入力(選択)可能となっている。
選択可能な範囲は、例えば図5に示すように、低線量で撮影可能な部位(例えば胸部)では相対的に高い値を設定可能で、高線量で撮影する必要のある部位Y(例えば腰椎)では相対的に低い値しか設定できないようになっている。
また、選択可能な範囲は、ビニング数を大きくして(例えば2)読み出す場合には高い値を設定可能で、ビニング数を小さくして(例えば1)読み出す場合には低い値しか設定できないようになっている。これは、ビニング数が小さくなると、一面を走査する時間が増えるためである。
フレームレートのデフォルト値は、選択可能な最高値であってもよいし、被曝線量とのバランスを考慮して調整された値であってもよい。このようにすれば、撮影毎にユーザーがフレームレートを選択する手間を省くことができる。
また、撮影部位及びポジショニングに基づいて決定されたビニング数やフレームレートを、患者の身長体重、性別、BMI、体厚、年齢等に基づいて調整できるようになっていてもよい。
制御部131は、以上説明してきた受付処理を実行することにより受付手段をなす。
次に、上記システム100が備える撮影装置120の詳細について説明する。
図6は撮影装置120の斜視図、図7は撮影装置120の電気的構成を表すブロック図である。
各部3~8は、図示しない内蔵電源又は外の電源から電力の供給を受けるようになっている。
撮影装置120は、持ち運びすることが可能な可搬型のものであってもよいし、室内や撮影台等に据え付けられた固定型のものであってもよい。
本実施形態に係る筐体1は、図6に示したように、パネル状に形成されている。
また、筐体1は、一側面に、操作部11と、インジケーター12と、を備えている。
操作部11は、電源スイッチ11a、各種操作スイッチ11b等を有し、ユーザーが操作可能に構成されている。
シンチレーター2は、放射線を受けると可視光等の放射線よりも波長の長い電磁波(例えば可視光)を、受けた放射線の線量に応じた分だけ発する材料(例えばヨウ化セシウム(CsI)の柱状結晶等)で板状に形成されている。
なお、センサー部3により多くの電磁波が伝わるように、シンチレーター2におけるセンサー部3と対応する面に反射層を備えていてもよい。
センサー部3は、図7に示したように、基板31と、複数の走査線32と、複数の信号線33と、複数の半導体素子34と、複数のスイッチ素子35と、複数のバイアス線36と、結線37と、を有している。
本実施形態における複数の走査線32は、基板31の表面に、所定間隔を空けて互いに平行に延びるよう設けられている。
本実施形態における複数の信号線33は、所定間隔を空けて互いに平行に延び、走査線32と直交し、かつ各走査線と交差部において導通しないように設けられている。
すなわち、本実施形態における複数の走査線32及び複数の信号線33は格子状に設けられている。
本実施形態に係る複数の半導体素子34は、複数の走査線32及び信号線33によって格子状に区画された複数の領域3a内にそれぞれ設けられることで、行列状(マトリクス状)に配列されている。
この領域3aは、放射線画像における各画素に対応する。
また、各半導体素子34は、例えばフォトダイオードやフォトトランジスター等で、シンチレーター2が発生させた電磁波の量(撮影装置120が受けた放射線の線量)に応じた量の電荷をそれぞれ発生させるようになっている。
各半導体素子34の一方の端子34aには、スイッチ素子35のドレイン端子が接続され、他方の端子34bにはバイアス線36が接続されている。
放射線を直接電荷に変換する半導体素子34を用いる場合には、シンチレーター2は不要となる。
本実施形態におけるスイッチ素子35は、TFT(Thin Film Transistor)で構成されており、ゲート電極が近接する走査線32に接続され、ソース電極が近接する信号線33に接続され、ドレイン電極が同じ領域内の半導体素子34の一方の端子34aに接続されている。
そして、各スイッチ素子35は、ゲート電極に印加される電圧(オン電圧VON/オフ電圧VOFF)に応じて、半導体素子34と信号線33(チャージアンプ51a)とが導通した導通状態、又は半導体素子34と信号線33とが導通していない非導通状態に切り替えることが可能となっている。
なお、本実施形態のバイアス線36は、結線37で接続する構成としているが、各バイアス線36をバイアス電源回路43に直接接続してもよいし、複数本の結線37にバイアス線36を分けて接続してもよい。結線37で接続するとバイアス線36を流れる電流が集中し、配線抵抗による電圧降下が大きくなってしまうが、分割することで、電圧降下を低減する効果が得られる。
また、バイアス線36は、配線抵抗の影響を低減するため、面状に広がったものとしてもよいし、縦横に配置した配線が交差部で接続した井桁状のものとしてもよい。
バイアス線36を面状、井桁状とする場合には、結線37は不要となる。
ゲート駆動部4は、ゲート電源回路41と、ゲートドライバー42と、バイアス電源回路43と、を備えている。
オン電圧VONが印加されない走査線32には、オフ電圧VOFFを印加するようになっている。
て各半導体素子34にバイアス電圧Vbを印加するようになっている。
読み出し部5は、複数の読み出し回路51と、アナログマルチプレクサー52と、A/D変換器53と、を備えている。
なお、図7にはアナログマルチプレクサー52とA/D変換器53が一つずつ図示されているが、読み出し部5を複数備え、各読み出し部5が、複数の読み出し回路51、アナログマルチプレクサー52、及びA/D変換器53をそれぞれ備えるようにしてもよい。
また、各読み出し回路51は、チャージアンプ51aと、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling、)回路(以下、CDS回路51b)と、をそれぞれ備えている。
そして、各読み出し回路51は、各信号線33から入力された電荷の量に基づいてアナログ信号値VAを生成し、アナログマルチプレクサー52へ出力するようになっている。
なお、読み出し回路51の詳細については後述する。
また、アナログマルチプレクサー52は、複数の読み出し回路51の中からA/D変換器53に接続する読み出し回路51を選択的に切り替えることで、各読み出し回路51から入力されたアナログ信号値VAを一つずつA/D変換器53へ出力するようになっている。
なお、ここでは、複数のCDS回路51bに対して一つのA/D変換器を備えることとしたが、A/D変換器53は、各CDS回路51bにそれぞれ接続されていてもよい。
その場合、アナログマルチプレクサー52は不要となる。
本実施形態に係る制御部6は、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Momory)等により構成されている。
そして、制御部6のCPUは、ROMに記憶されている各種プログラムを読み出してRAM内に展開し、展開されたプログラムに従って各種処理を実行し、撮影装置120各部の動作を集中制御するようになっている。
ROMは、複数のゲート読み出しパターン及び複数の補正データ(詳細後述)等も記憶している。
また、制御部6は、読み出し部5が読み出した信号値Vに基づいて放射線画像の画像データを生成するようになっている。
なお、制御部6は、CPLD(Complex Programmable Logic Device)や、FPGA(Field Programmable Gate Array)等で構成されていてもよい。
本実施形態に係る記憶部7は、揮発性メモリー(例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory))で構成されている。
そして、記憶部7は、制御部6が生成した放射線画像の画像データを記憶することが可能となっている。
なお、記憶部7は、不揮発性メモリー(例えばフラッシュメモリー等)で構成されていてもよい。
また、記憶部7は、制御部6のROMに代わって、制御部6が実行するプログラム、複数のゲート読み出しパターン、複数の補正データ等を記憶していてもよい。
通信部8は、例えば通信モジュールで構成され、アンテナ81やコネクター82を介して他の装置(コンソールや放射線発生装置)と無線又は有線で通信することが可能となっている。
コネクター82は、図6に示したように、筐体1の一側面において露出している。
次に、上記撮影装置120の読み出し部5が備える読み出し回路51の詳細について説明する。
図8は、読み出し回路51の具体的構成を表す回路図である。
チャージアンプ51aは、オペアンプ511と、コンデンサー512と、リセットスイッチ513と、を備えている。
オペアンプ511は、反転入力端子に信号線33が接続され、非反転入力端子に基準電圧V0が印加されている。
なお、基準電圧V0としてGND電位を印加してもよい。
そして、信号線33から電荷が流入すると、その電荷の量に応じた出力電圧VOUTを出力するようになっている。
チャージアンプ51aは、このように構成されることで、半導体素子34から放出された電荷の量を電圧VOUTに変換して出力することが可能となっている。
また、リセットスイッチ513が導通状態にされると、コンデンサー512に蓄積していた電荷を放出して電圧をリセットするようになっている。
CDS回路51bは、抵抗514と、第一サンプルホールド回路(以下、CDS1回路515)と、第二サンプルホールド回路(以下、CDS2回路516)と、差分回路517と、を備えている。
第一コンデンサー515aは一方の電極が抵抗514と差分回路517の反転入力端子との間に接続され、他方の電極がGNDに接続されている。
第一スイッチ515bは、抵抗514と第一コンデンサー515aとの間に設けられている。
そして、第一スイッチ515bが導通状態にされると、チャージアンプ51aと第一コンデンサー515aとが接続され、第一コンデンサー515aが充電される。
その後、第一スイッチ515bが非導通状態にされると、チャージアンプ51aと第一コンデンサー515aとの接続が解除され、その時点の第一コンデンサー515aの両電極板間の電圧(以下、第一電圧VSHR)を保持するようになっている。
第二コンデンサー516aは一方の電極が抵抗514と差分回路517の非反転入力端子との間に接続され、他方の電極がGNDに接続されている。
第二スイッチ516bは、抵抗514と第二コンデンサー516aとの間に設けられている。
そして、第二スイッチ516bが導通状態にされると、チャージアンプ51aと第二コンデンサー516aとが接続され、第二コンデンサー516aが充電されるようになっている。
その後、第二スイッチ516bが非導通状態にされると、チャージアンプ51aと第二コンデンサー516aとの接続が解除され、その時点の第二コンデンサー516aの両電極間の電圧(以下、第二電圧VSHS)を保持するようになっている。
そして、差分回路517は、CDS2回路516が保持している第二電圧VSHSからCDS1回路515が保持している第一電圧VSHRを差し引いた差分を、前述したアナログ信号値VAとしてアナログマルチプレクサー52へ出力するようになっている。
次に、上記撮影装置120の動作について説明する。
図9は撮影装置120が実行する基本動作の流れを示すフローチャート、図10は撮影装置120が行うゲート読み出しの一例を示すタイミングチャート、図11は一のフレーム生成周期と放射線の照射時間との関係を示す図、図12はゲート読み出しの際のバイアス電圧Vb(出力電圧VOUT)の経時変化を示すグラフである。
この取得処理において、制御部6は、他の装置から撮影条件を取得する。
本実施形態に係る取得処理において、制御部6は、コンソール130が受け付けた撮影条件を取得する。
なお、この取得処理において、制御部6は、放射線発生装置110、RIS等から撮影条件を取得するようになっていてもよい。
制御部6は、上述した取得処理を実行することにより取得手段をなす。
この設定処理において、制御部6は、上記取得処理において取得した撮影条件を設定する。
上述したように、本実施形態に係る取得処理において、制御部6は、コンソール130から撮影条件を取得するため、この設定処理において、制御部6は、コンソール130が受け付けた撮影条件を設定することになる。
また、本実施形態に係る設定処理において、制御部6は、ビニング数も設定する。
また、この設定処理において、設定された撮影条件に基づいて、撮影の際にセンサー部3に到達することが予想される線量を算出するようになっていてもよい。
制御部6は、上述した設定処理を実行することにより設定手段をなす。
この選択処理において、制御部6は、複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、設定処理において設定した撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する。
複数の異なるゲート読み出しパターンには、第一のゲート読み出しパターンと、第二のゲート読み出しパターンと、が含まれる。
第一のゲート読み出しパターンは、到達線量が低い撮影条件が設定された場合に用いられるもので、例えば図10(a)に示すように、ゲート周期、第一サンプリング動作の継続時間、第二サンプリング動作の継続時間、及びスイッチ素子の導通状態の継続時間がいずれも相対的に短く設定されている。
第二のゲート読み出しパターンは、図10(b)に示すように、ゲート周期が第一のゲート読み出しパターンよりも長く設定されている。
また、第二のゲート読み出しパターンは、第一サンプリング動作の継続時間、第二サンプリング動作の継続時間、及びスイッチ素子の導通状態の継続時間のうちの少なくとも一つの時間が第一のゲート読み出しパターンよりも長く設定されている(図10(b)は、全ての時間が長く設定されている場合の例)。
なお、上記設定処理において到達線量を算出した場合、制御部6は、到達線量に基づいてゲート読み出しパターンを選択するようになっていてもよい。
制御部6は、上述した選択処理を実行することにより選択手段をなす。
この決定処理において、制御部6は、設定処理において設定したビニング数及び選択処理において選択したゲート読み出しパターンに基づいて、設定可能なフレームレートの範囲を決定する。
本実施形態に係る決定処理において、制御部6は、複数の半導体素子34の行数(ビニングを行わない場合に、一の放射線画像を生成すために行うゲート読み出しの回数)、ゲート周期、及びビニング数に基づいてフレームレートの範囲を決定する。
より具体的には、下記式(1)を用いてフレームレートの範囲を算出する。
フレームレート≦1/(半導体素子の行数×ゲート周期÷ビニング数)・・(1)
フレームレートの範囲を算出した後、制御部6は、算出した範囲をコンソール130へ送信する。これにより、ユーザーによるフレームレートの再設定が可能となる。
そこで、この決定処理において、制御部6は、照射時間Tに基づいてフレームレートの範囲を決定するようになっていてもよい。
その場合、制御部6は、設定処理において設定したビニング数、フレームレート、及び選択処理において選択したゲート読み出しパターンに基づいて、一のゲート周期において確保することが可能な照射時間Tを算出する。
具体的には、下記式(2),(3)を用いて照射時間Tを算出する。
A=半導体素子の行数×ゲート周期÷ビニング数・・(2)
T=1/フレームレート-A・・(3)
そして、下記式(4)を用いてフレームレートの範囲を算出する。
フレームレート≦1/(T+半導体素子の行数×ゲート周期÷ビニング数)・・(4)
また、アラートを出力するか否かを、単純に下記式(5)を満たすか否かに応じて決定してもよいし、放射線の波形(例えば波尾)の影響や、装置間の通信性能等に応じて必要となるマージン時間を考慮して、下記式(6)を満たすか否かに応じて決定してもよい。
照射時間T>A・・(5)
照射時間T+マージン時間>A・・(6)
マージン時間は、通信方式(無線/有線)や接続される放射線発生装置110に応じて切り替えてもよいし、これらの両方を考慮して切り替えるようにしてもよい。
制御部6は、上述した決定処理を実行することにより決定手段をなす。
このデータ選択処理において、制御部6は、複数の異なる補正データの中から、設定処理において設定したビニング数、フレームレート、及び選択処理において選択したゲート読み出しパターンの少なくとも一つに応じた補正データを選択する。
補正データには、ゲインデータ、欠陥マップ等が含まれる。
ゲインデータは、各半導体素子の感度の情報である。
欠陥マップは、放出する電荷の量(読み出し部5が読み出す信号値V)が異常な半導体素子の位置の情報である。
複数の補正データは、異なるビニング数、フレームレート、ゲート読み出しパターンの組み合わせ毎に異なったものとなっている。
この駆動制御処理において、制御部6は、各読み出し回路51に、基準電圧V0を各信号線33へ印加させるとともに、バイアス電源回路43に、バイアス電圧Vbを各半導体素子34へ印加させる。
そして、制御部6は、選択処理において選択したゲート読み出しパターンで読み出し部5を駆動させる。
具体的には、まず、ゲート駆動部4に、全ての走査線32へオフ電圧VOFFを印加させ、全てのスイッチ素子35を非導通状態とする。すると、各半導体素子が発生させた電荷が各領域3aに蓄積される。
各チャージアンプ51aが電圧のリセットを終えた後、制御部6は、第一サンプリング動作を行う。
具体的には、制御部6は、第一スイッチ515bを導通状態にして、所定時間第一コンデンサー515aを充電する(t1~t2)。
本実施形態においては、複数のチャージアンプ51aが、複数のCDS1回路515へそれぞれ電圧を出力しているため、制御部6は、複数のCDS1回路515に第一サンプリング動作を同時に行わせることになる。
そして、所定時間充電した後の第一コンデンサー515aの両電極板間の電圧(スイッチ素子35が非導通状態となった後のチャージアンプ51aの出力電圧)を第一電圧VSHRとして保持する(t2)。
この第一電圧VSHRは、読み出しの際に生じたノイズの大きさに相当する。
電流が各信号線33へ放出されると、各読み出し回路51のチャージアンプ51aは信号線33から流入する電流に応じた出力電圧VOUTをCDS回路51bへ出力する。
スイッチ素子35を非導通状態とした後、制御部6は、第二サンプリング動作を行う。
具体的には、制御部6は、第二スイッチ516bを導通状態にして、第二コンデンサー516aを所定時間充電する(t3~t4)。
本実施形態においては、複数のチャージアンプ51aが、それぞれCDS2回路516へ電圧を出力しているため、制御部6は、複数のCDS2回路516に第二サンプリング動作を同時に行わせることになる。
そして、所定時間充電した後の第二コンデンサー516aの両電極板間の電圧(スイッチ素子35が導通状態となった後のチャージアンプ51aの出力電圧)を第二電圧VSHSとして保持する(t4)。
この第二電圧VSHSは、読み出しの際に生じたノイズと信号値Vの大きさに相当する。
アナログマルチプレクサー52は入力された複数のアナログ信号値VAをA/D変換器53に順次出力する。
そして、A/D変換器53が、入力されたアナログ信号値VAをデジタルの信号値Vに順次変換して、制御部6へ出力する。
また、このリセットを行っている間は、放射線を照射することができない旨をユーザーに通知するようになっていてもよい。
また、制御部6は、このリセットを、ビニング数、フレームレート、ゲート読み出しパターンの組み合わせ、後述するステップB7,B8で行われるパターン変更の有無、或いは前回撮影からの時間の少なくとも一つに応じて切り替えるようになっていてもよい。
ここで、フレームレートの変更指示があった場合(ステップB7:Yes)、制御部6は、新たなフレームレートに設定し直した上で駆動制御処理を継続する。
一方、フレームレートの変更指示がなかった場合(ステップB7:No)、制御部6は、当初のフレームレートで駆動制御処理を継続する。
ここで、ビニング数の変更指示があった場合(ステップB8:Yes)、制御部6は、新たなビニング数に設定し直し、ステップB3の処理に戻る(ゲート読み出しパターンを選択し直す)。
一方、ビニング数の変更指示がなかった場合(ステップB8:No)、制御部6は、当初のビニング数で駆動制御処理を継続する。
一フレーム分の複数の信号値Vが読み出された後、制御部6は、複数の信号値Vに基づいて一の放射線画像を生成する(ステップB9)。
全てのスイッチ素子35を非導通状態としていた間に放射線の照射が行われていなければ、制御部6は、オフセット画像を生成する。
一方、全てのスイッチ素子35を非導通状態としていた間に放射線の照射が行われていれば、制御部6は、露光画像を生成する。
なお、放射線の照射、一フレーム分の複数の信号値Vの読出し、及び露光画像の生成を、所定のフレームレートで複数回繰り返されると、複数のフレームからなる放射線動画が生成される。
例えばビニング数が2の場合、制御部6は、ゲート駆動部4のゲートドライバー42に、隣り合う二本の走査線32へ同時にオン電圧VONを印加させる、又は読み出し部5のアナログマルチプレクサー52に、隣り合う二列分のアナログ信号値VAをまとめて出力させる。
制御部6は、以上説明してきた駆動制御処理を実行することにより駆動制御手段をなす。
この補正処理において、制御部6は、生成したオフセット画像を用いて露光画像をオフセット補正する。
また、この補正処理において、制御部6は、データ選択処理において選択した補正データ(ゲインデータ、欠陥マップ)を用いてオフセット補正後の露光画像を補正する。
制御部6は、この補正処理を実行することにより補正手段をなす。
以上説明してきた本実施形態に係る撮影装置120、及びこの撮影装置120を備えるシステムは、複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、設定した撮影条件(センサー部3に到達する線量)に応じたゲート読み出しパターン(高線量の場合に、ゲート周期が長いパターン)を選択し、選択したゲート読み出しパターンでゲート駆動部4及び読み出し部5を駆動させるようになっている。
これにより、バイアス電圧Vbの収束に要する時間を十分に確保することができ、到達線量が大きい場合であっても、露光画像のオフセット成分がオフセット画像と等しくなる。
このため、撮影装置120及びシステムによれば、画質異常が生じることのあった撮影条件を設定して放射線撮影を行っても画質異常のない露光画像を生成することができる。
110 放射線発生装置
111 操作卓
111a 照射指示スイッチ
112 ジェネレーター
113 放射線源
120 放射線撮影装置
1 筐体
11 操作部
11a 電源スイッチ
11b 種操作スイッチ
12 インジケーター
2 シンチレーター
3 センサー部
3a 領域
31 基板
32 走査線
33 信号線
34 半導体素子
34a 端子
34b 端子
35 スイッチ素子
36 バイアス線
37 結線
4 ゲート駆動部
41 ゲート電源回路
42 ゲートドライバー
43 バイアス電源回路
5 読み出し部
51 読み出し回路
51a チャージアンプ
511 オペアンプ
512 コンデンサー
513 リセットスイッチ
51b CDS回路
514 抵抗
515 第一サンプルホールド回路
515a 第一コンデンサー
515b 第一スイッチ
516 第二サンプルホールド回路
516a 第二コンデンサー
516b 第二スイッチ
517 差分回路
52 アナログマルチプレクサー
6 制御部
7 記憶部
8 通信部
81 アンテナ
82 コネクター
R 撮影室
VOUT 出力電圧
VSHR 第一電圧
VSHS 第二電圧
V0 基準電圧
VA アナログ信号値
Claims (12)
- 二次元状に配列された複数の半導体素子と、各半導体素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、
前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各半導体素子から電荷を放出させるゲート駆動部と、
前記センサー部の各半導体素子が放出した電荷の量に応じた信号値を読み出す読み出し部と、
前記センサー部に到達する放射線量に影響する撮影条件を設定する設定手段と、
複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、前記設定手段が設定した撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する選択手段と、
前記選択手段が選択したゲート読み出しパターンで前記ゲート駆動部及び前記読み出し部を駆動させる駆動制御手段と、を備える放射線撮影装置。 - 前記読み出し部は、
前記半導体素子から放出された電荷の量を電圧に変換するチャージアンプを備え、
前記スイッチ素子が非導通状態となった後の前記チャージアンプの出力電圧を保持する第一サンプリング動作と、
前記スイッチ素子が導通状態となった後の前記チャージアンプの出力電圧を保持する第二サンプリング動作と、を行うようになっており、
前記ゲート読み出しパターンは、
前記第一サンプリング動作の継続時間、前記第二サンプリング動作の継続時間、前記スイッチ素子の導通状態の継続時間のうちの少なくとも1つの時間と、
前記信号値の読出しを繰り返す周期であるゲート周期と、によって規定されている、請求項1に記載の放射線撮影装置。 - 前記駆動制御手段は、所定のビニング数でビニングを行うことが可能であり、
前記設定手段は、前記ビニング数を設定するようになっており、
前記設定手段が設定した前記ビニング数及び前記選択手段が選択した前記ゲート読み出しパターンに基づいて、設定可能なフレームレートの範囲を決定する決定手段を備える、請求項2に記載の放射線撮影装置。 - 複数の前記半導体素子は、行列状に配列されており、
前記決定手段は、複数の前記半導体素子の行数、前記ゲート周期、及び前記ビニング数に基づいて前記フレームレートの範囲を決定する、請求項3に記載の放射線撮影装置。 - 前記決定手段は、一のフレームを生成するのに必要な放射線の照射時間に基づいて前記フレームレートの範囲を決定する、請求項4に記載の放射線撮影装置。
- 前記駆動制御手段は、露光画像を取得するときの前記読み出し部を、オフセット画像を取得するときと同一の前記ゲート読み出しパターンで駆動させる、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。
- ユーザーが操作可能な操作部を備え、他の装置に入力された前記撮影条件を取得する入力手段を備え、
前記設定手段は、前記操作部になされた操作に応じた前記撮影条件を設定する、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。 - 前記設定手段は、前記操作部になされた操作に応じたビニング数及びフレームレートも設定する、請求項7に記載の放射線撮影装置。
- 他の装置から前記撮影条件を取得する取得手段を備え、
前記設定手段は、前記取得手段が取得した前記撮影条件を設定する、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。 - 複数の異なる補正データの中から、前記設定手段が設定した前記ビニング数、前記フレームレート、及び前記選択手段が選択した前記ゲート読み出しパターンの少なくとも一つに応じた補正データを選択するデータ選択手段と、
前記データ選択手段が選択した前記補正データを用いて画像を補正する補正手段と、を備える、請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の放射線撮影装置。 - 二次元状に配列された複数の半導体素子と、各半導体素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、
前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各半導体素子から電荷を放出させるゲート駆動部と、
前記センサー部の各半導体素子が放出した電荷の量に応じた信号値を読み出す読み出し部と、
撮影者によってなされた操作に応じて、前記センサー部に到達する放射線量に影響する撮影条件の入力を受け付ける受付手段と、
前記受付手段が受け付けた前記撮影条件を設定する設定手段と、
複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、前記設定手段が設定した前記撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する選択手段と、
前記選択手段が選択したゲート読み出しパターンで前記読み出し部を駆動させる駆動制御手段と、を備える放射線撮影システム。 - 二次元状に配列された複数の半導体素子と、各半導体素子にそれぞれ接続された複数のスイッチ素子と、を有するセンサー部と、前記センサー部の各スイッチ素子の導通状態/非導通状態を切り替えて各半導体素子から電荷を放出させるゲート駆動部と、前記センサー部の各半導体素子が放出した電荷の量に応じた信号値を読み出す読み出し部と、を備える放射線撮影装置の制御部に、
前記センサー部に到達する放射線量に影響する撮影条件を設定する設定処理と、
複数の異なるゲート読み出しパターンの中から、前記設定処理において設定した前記撮影条件に応じたゲート読み出しパターンを選択する選択処理と、
前記選択処理において選択したゲート読み出しパターンで前記読み出し部を駆動させる駆動制御処理と、を実行させるプログラム。
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