JP2022003688A

JP2022003688A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2022003688A
Application number: JP2021152123A
Authority: JP
Inventors: 義一角田; Giichi Tsunoda; 隆熊谷; Takashi Kumagai; 康博貫里; Yasuhiro Nukisato
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2017-01-26
Filing date: 2021-09-17
Publication date: 2022-01-11
Also published as: JP2018120991A; JP6989264B2

Abstract

【課題】はんだがスルーホールに吸い込まれることなく、所定厚みのはんだ接合部が安価にかつ高精度に形成された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１０１は、プリント基板１１と、回路部品２１とを備える。回路部品２１はプリント基板１１上に実装される。プリント基板１１には一方の主表面から他方の主表面までプリント基板１１を貫通するサーマルバイア１２が形成されている。回路部品２１ははんだ３１によりサーマルバイア１２と平面的に重なるようにプリント基板１１に実装される。プリント基板１１の一方の主表面上において、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域は絶縁被膜１４で囲まれるように覆われる。回路部品２１はプリント基板１１の一方の主表面側に接する樹脂材料１５上に載置されるように実装されている。【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、サーマルバイアを有するプリント基板と、回路部品とを備える半導体装置およびその製造方法に関するものである。

近年、半導体を用いた電子回路、電源装置、モータ等の駆動用電気回路としての半導体装置においては、高出力化、薄型化および小型化の要請が強い。これに伴い、当該半導体装置に実装される電子部品、配線部品、配線補助部品などの回路部品の単位体積当たりの発熱量は大きく上昇している。なお上記の半導体装置は、車載（自動車・産業用建機）、車両用（鉄道車両）、産業機器（加工機・ロボット・産業用インバータ）、家庭用電子機器に用いられる。

また回路電流用配線においては、従来に比べてブスバー配線およびケーブル配線の構造部材の数が激減し、更なる薄型化および小型化が進んでいる。これは従来のブスバー配線およびケーブル配線を用いて配線されてきたものが、プリント基板の放熱メカニズムが解析されることにより、配線パターンへの大電流を通電する技術が開発されブスバー配線およびケーブル配線が削減されているためである。そのため大電流を通電でき高放熱が可能なプリント基板、ならびに実装性を兼ね備え熱拡散および放熱が可能なプリント基板を用いた半導体装置の必要性が増している。

その中で、回路部品の熱の移動のため、プリント基板を貫通するよう形成された孔部としてのサーマルバイアを通じてプリント基板の裏面側に熱を逃がす際の接合技術が、たとえば特開２０１０−１０４９８号公報（特許文献１）および特開２０１２−２２７３４９号公報（特許文献２）に開示されている。これらの各文献には、ヒートスプレッダとサーマルバイアとのはんだ接合において、サーマルバイア内を通りプリント基板の裏面側に流れ出る余分なはんだの対策方法が開示されている。

特開２０１０−１０４９８号公報特開２０１２−２２７３４９号公報

特開２０１０−１０４９８号公報においては、放熱構造として、プリント基板の表側の一方の主表面と反対側の他方の主表面すなわち裏面で放熱するためのサーマルバイアを具備している。特開２０１０−１０４９８号公報においては、プリント基板の裏面に流れ出るはんだの対策方法として、サーマルバイアそのものをインク等で塞ぐ方法が提案されている。また特開２０１２−２２７３４９号公報においては、プリント基板の裏面のソルダレジスト開口部および段付きスルーホールにより余剰はんだを吸い取る構造が提案されている。

しかしながら、特開２０１０−１０４９８号公報においては、余分なはんだのサーマルバイアからプリント基板裏面側への排出を防ぐために、サーマルバイアがインクなどにより塞がれる。このためフラックスガスがサーマルバイアから排出できなくなり、フラックスガスによるボイドが形成されるなどの不具合が生じる問題がある。

また特開２０１２−２２７３４９号公報においては、プリント基板の裏面のソルダレジスト開口部および段付きスルーホールが、サーマルバイアを裏面側に流れた、本来フィレットを形成するために必要なはんだも一緒に吸収してしまう可能性がある。この場合、検査工程においては良品としてのフィレットの形成確認が困難となり、はんだ接合の良否判定が困難となる問題がある。またはんだの厚みを高精度に制御することも困難である可能性がある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものである。その目的は、はんだがスルーホールに吸い込まれることなく、所定厚みのはんだ接合部が安価にかつ高精度に形成された半導体装置およびその製造方法を提供することである。

本発明の半導体装置は、プリント基板と、回路部品とを備える。回路部品はプリント基板上に実装される。プリント基板には一方の主表面から他方の主表面までプリント基板を貫通するサーマルバイアが形成されている。回路部品ははんだによりサーマルバイアと平面的に重なるようにプリント基板に実装される。プリント基板の一方の主表面上において、サーマルバイアの外周に隣接する領域は絶縁被膜で囲まれるように覆われる。回路部品はプリント基板の一方の主表面側に接する樹脂材料上に載置されるように実装されている。

本発明の半導体装置は、プリント基板と、回路部品とを備える。回路部品はプリント基板上に実装される。プリント基板には一方の主表面から他方の主表面までプリント基板を貫通するサーマルバイアが形成されている。回路部品ははんだによりサーマルバイアと平面的に重なるようにプリント基板に実装される。プリント基板の一方の主表面上においてサーマルバイアの外周に隣接する領域は、導電性薄膜と、導電性薄膜を覆う絶縁被膜とで囲まれるように覆われる。回路部品はプリント基板の一方の主表面側の導電性薄膜を覆う絶縁被膜の上方において、プリント基板の一方の主表面側に接する被載置部材上に載置されるように実装されている。

本発明の半導体装置の製造方法は、まずプリント基板が準備される。プリント基板の一方の主表面から他方の主表面までこれを貫通するサーマルバイアが形成される。プリント基板の一方の主表面上に導電性薄膜が形成される。プリント基板の一方の主表面上に、サーマルバイアの外周に隣接する領域を囲みながら覆うように絶縁被膜がパターニングされる。プリント基板における回路部品が載置されるべき領域に樹脂材料のパターンが形成される。回路部品が樹脂材料上に載置された状態でプリント基板に実装される。

本発明の半導体装置の製造方法は、まずプリント基板が準備される。プリント基板の一方の主表面から他方の主表面までこれを貫通するサーマルバイアが形成される。プリント基板の一方の主表面上に、導電性薄膜と、サーマルバイアの外周に隣接する領域において導電性薄膜を覆いかつサーマルバイアの外周に隣接する領域を囲む絶縁被膜とがパターニングされる。回路部品がプリント基板の一方の主表面側に接する被載置部材上に載置され、絶縁被膜の上方に配置されるようにプリント基板に実装される。

本発明の半導体装置の製造方法は、まずプリント基板が準備される。プリント基板の一方の主表面から他方の主表面までこれを貫通するサーマルバイアが形成される。プリント基板の一方の主表面上に導電性薄膜が形成される。プリント基板の一方の主表面上に、サーマルバイアの外周に隣接する領域を囲みながら覆うように絶縁被膜がパターニングされる。回路部品が絶縁被膜と重なった状態でプリント基板に実装される。回路部品はプリント基板と電気的に接合可能な金属部品を含む。金属部品には回路部品をプリント基板に実装可能とするよう複数回の曲げ加工がなされる。

本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、サーマルバイア外周のレジストにより、サーマルバイアへのはんだの流入を防ぎつつ、サーマルバイアからのフラックスガスなどの排出を可能とする。また回路部品を載置するシンボル樹脂または絶縁被膜などにより、回路部品とプリント基板との上下方向間隔がシンボル樹脂などの厚みとなるよう一意的に決まる。このため当該間隔およびはんだ厚みを高精度に制御することができ、はんだ付けの品質を向上できる。

実施の形態１の半導体装置の構成を示す概略断面図である。図１の、実施の形態１の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図２のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態１の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。実施の形態１の第１例の半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図（Ａ）と、概略平面図（Ｂ）とである。図１０に示すクリームはんだを印刷する工程の詳細の第１工程を示す概略平面図である。図１０に示すクリームはんだを印刷する工程の詳細の第２工程を示す概略断面図である。図１０に示すクリームはんだを印刷する工程の詳細の第３工程を示す概略平面図である。実施の形態１の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態２の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図１６のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態２の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態２の作用効果の説明用の第１図である。実施の形態２の作用効果の説明用の第２図である。実施の形態２の作用効果の説明用の第３図である。実施の形態３の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図２１のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態３の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態３の比較例として、回路部品の実装位置ずれが大きい場合の半導体装置の構成を示す概略平面図である。実施の形態３の第２例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態３の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態４の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図２６のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態４の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態４の第１例の半導体装置の、特にシンボル印刷マークおよび追加塗布樹脂の形成工程を示す概略平面図（Ａ）および、図２８（Ａ）のＸＸＶＩＩＩＢ−ＸＸＶＩＩＩＢ線に沿う部分の概略断面図（Ｂ）である。実施の形態４の第２例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態４の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態５の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図３１のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態５の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態５の第２例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態５の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態５の第３例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態５の第３例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第２例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第３例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第３例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第４例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第４例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第５例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第５例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第６例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第６例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第７例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第７例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第８例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態６の第８例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１と実施の形態７との構成をシンボル印刷マークの形成部の構成を比較するための概略断面図である。実施の形態７の半導体装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態８の半導体装置の構成を示す概略断面図である。図５５の、実施の形態８の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図５６のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態８の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態９の半導体装置の構成を示す概略断面図である。図５８の、実施の形態９の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図５９のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態９の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態９におけるワイヤボンディングの設置位置の第１例に基づくはんだ印刷工程を示す概略断面図である。実施の形態９におけるワイヤボンディングの設置位置の第２例に基づくはんだ印刷工程を示す概略断面図である。実施の形態９においてパッド１３上に取り付けられたボンディングワイヤ３２を平面視した態様を示す概略図である。図６３のＬＸＩＶ−ＬＸＩＶ線に沿う部分の概略断面図である。実施の形態９の第２例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。実施の形態９の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１０の半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略平面図である。実施の形態１０の半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略平面図である。実施の形態１０の半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略平面図である。実施の形態１０の半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略平面図である。実施の形態１１の半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略平面図である。実施の形態１１の半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略平面図である。実施の形態１２の第１例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図７３のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態１２の第１例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１２の第２例の半導体装置に含まれるプリント基板の構成を示す概略平面図である。図７５のプリント基板に回路部品が実装された後の、実施の形態１２の第２例の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１３の第１例の半導体装置の製造工程のうち、特に実装される直前の回路部品の加工工程および回路部品が実装される工程を示す概略断面図である。図７７のうち特に実装される直前の回路部品の加工工程の第１例をより詳細に示す概略断面図である。図７７のうち特に実装される直前の回路部品の加工工程の第２例をより詳細に示す概略断面図である。実施の形態１３の第２例の半導体装置の構成を示す概略平面図（Ａ）と、図８０（Ａ）中に含まれる配線補助部品の概略側面図（Ｂ）とである。実施の形態１４の半導体装置に含まれる回路部品の構成を裏面側から見た態様を示す概略平面図である。プリント基板に図８１の回路部品が実装された後の、実施の形態１４の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１４の半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。実施の形態１４の半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。実施の形態１５の半導体装置に含まれる回路部品の構成を裏面側から見た態様を示す概略平面図である。プリント基板に図８５の回路部品が実装された後の、実施の形態１５の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１６の半導体装置に含まれる回路部品の構成を裏面側から見た態様を示す概略平面図である。プリント基板に図８７の回路部品が実装された後の、実施の形態１６の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１６の半導体装置の製造工程のうち、特に実装される直前の回路部品の加工工程を示す概略断面図である。実施の形態１６の半導体装置の構成を示す概略断面図である。実施の形態１７の第１例の半導体装置に含まれる回路部品の構成を裏面側から見た態様を示す概略平面図である。プリント基板に図９１の回路部品が実装された後の、実施の形態１７の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。実施の形態１７の第２例の半導体装置に含まれる回路部品の構成を裏面側から見た態様を示す概略平面図である。

以下、一実施の形態について図に基づいて説明する。
実施の形態１．
まず本実施の形態の第１例の半導体装置の構成を図１〜図３を用いて説明する。

図１は、基本的に実施の形態１の半導体装置の構成を示す断面図であるが、説明の都合上、部分的に図３中の矢印Ａの方向から見た側面態様として示している箇所がある（このことは以降の各断面図についても同様である）。図２は図１の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図３は図２のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。

図１〜図３を参照して、本実施の形態の第１例の半導体装置１０１は、プリント基板１１と、回路部品２１とを備えている。回路部品２１はプリント基板１１上に実装されている。

特に図１および図２を参照して、プリント基板１１は、たとえば平面視において矩形状を有する平板状の部材である。プリント基板１１は、プリント基板機材１１Ｓと、サーマルバイア１２と、導電性薄膜としてのパッド１３と、絶縁被膜としてのレジスト１４と、樹脂材料としてのシンボル印刷マーク１５とを主に有している。

プリント基板機材１１Ｓはプリント基板１１全体の土台をなす部材であり、セラミックスまたはガラスエポキシなどの一般公知の絶縁材料により形成されている。プリント基板機材１１Ｓはたとえば矩形の平板状を有する部材である。サーマルバイア１２は、プリント基板１１の一方の主表面すなわち図１の上側の主表面であるＣ面から、それと反対側の他方の主表面すなわち図１の下側の主表面であるＳ面までプリント基板１１を貫通するものである。サーマルバイア１２は、プリント基板１１のＣ面側からＳ面側までの熱伝達に用いられる孔部である。サーマルバイア１２は複数、互いに間隔をあけて、平面視において行列状に配置されている。

パッド１３は、たとえば表面実装型パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を実装すなわち接合するためのものであり、プリント基板１１、特にここではプリント基板機材１１Ｓの上側の主表面であるＣ面１１ａの一部を覆うように形成されている。具体的には、パッド１３としては、ゲート端子用パッド１３Ｇと、ソース端子用パッド１３Ｓと、ドレイン端子用パッド１３Ｄとを有している。ゲート端子用パッド１３Ｇおよびソース端子用パッド１３Ｓは、それぞれパワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子およびソース端子に接続される端子であり、図２に示すように互いに間隔をあけて、たとえば直線Ｌ１に関して互いに対称の位置関係となるように配置されている。一方、ドレイン端子用パッド１３Ｄは、図２に示すようにプリント基板１１の中央付近に配置されており、ゲート端子用パッド１３Ｇおよびソース端子用パッド１３Ｓよりも大きい。ドレイン端子用パッド１３Ｄは、後述するヒートスプレッダと電気的に接続され共通のパッドとして構成されている。パッド１３はたとえば銅箔により形成されることが好ましい。

レジスト１４は、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上およびＳ面１１ｂ上に薄膜状に塗布形成された絶縁被膜であり、はんだ付着を抑制したり、銅箔からなるパッド１３の酸化を抑制する。これによりレジスト１４は、プリント基板１１の回路を保護する。すなわちレジスト１４は一般公知のソルダレジストとして形成されている。レジスト１４は、部分的にパッド１３の表面上に重畳するように形成されている。すなわちレジスト１４は、パッド１３の外縁部に重畳するように形成されている。このパッド１３の特に外縁部上に重畳されたレジスト１４の部分を特にオーバーレジスト１４ｏｖと呼ぶこととする。オーバーレジスト１４ｏｖを形成することにより、プリント基板１１に回路部品２１をはんだ付けする際の熱によりパッド１３の外縁部がプリント基板機材１１Ｓから剥離することを抑制し、パッド１３全体のプリント基板機材１１Ｓからの剥離を抑制する。

シンボル印刷マーク１５は、プリント基板１１に文字、記号、線、２Ｄコード、エリア表示等が、たとえばスキージおよびシルクスクリーンにより印刷されたものである。シンボル印刷マーク１５は、たとえば一般公知の絶縁性の樹脂材料により形成されている。具体的にはシンボル印刷マーク１５は、たとえば熱硬化型１液性マーキングインキにより形成される。

その他、プリント基板１１の銅箔としてのパッド１３の表面上には、フラックスが塗布されていたり、はんだレベラ、はんだめっきなどのはんだ付け性向上および表面酸化防止用の処理がなされていたりする。

次に、回路部品２１は、電子部品、配線部品および配線補助部品の総称である。なお配線部品は、バスバー、バスバーのジャンパ等および配線用の電線など同士を電気的に接続するための部品である。配線部品にはタブ端子およびネジ端子も含まれる。また配線補助部品は、パターン上に追加するバスバーのように、既に電気的に接続されている箇所にさらに追加するように電気的接続するための部品である。

特に図１および図３を参照して、回路部品２１は、平面視においてたとえば矩形状を有しており、モールド樹脂２１Ｓと、ヒートスプレッダ２２と、電極２３とを主に有している。モールド樹脂２１Ｓは、回路部品２１に含まれる図示されないＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子を封止することにより当該半導体素子を外部に対して保護する機能を有している。モールド樹脂２１Ｓは封止用の一般公知の樹脂材料により形成されている。ヒートスプレッダ２２は、回路部品２１に含まれる図示されないＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子が発する熱を図３の平面視において拡がるように拡散させたり、下方のプリント基板１１側へ伝達させたりする部材である。ヒートスプレッダ２２は回路部品２１のサーマルパッド等を含む回路部品に付属の金属の板、棒、塊状の部材である。したがってヒートスプレッダ２２は、回路部品２１のサーマルパッドとしての機能を有するとともに、これがプリント基板１１のドレイン端子用パッド１３Ｄに電気的に接続されることにより、ドレイン端子と共通の機能を有する。

電極２３は、回路部品２１のたとえばＭＯＳＦＥＴのゲート端子、ソース端子などの各端子に接続される電極であり、ゲート電極２３Ｇ、ソース電極２３Ｓおよびドレイン電極（ヒートスプレッダ２２がその機能を有する）が含まれる。

図１および図３に示すように、半導体装置１０１においては、回路部品２１ははんだ３１によりサーマルバイア１２と平面的に重なるようにプリント基板１１に実装されている。はんだ３１は各パッド１３の表面上において、パッド１３とその上の回路部品２１の部材とを互いに接合するように配置されている。はんだ３１には、ゲート端子用パッド１３Ｇ上、ソース端子用パッド１３Ｓ上、およびドレイン端子用パッド１３Ｄ（ヒートスプレッダ２２）上においてはんだフィレットＨＦが形成されている。サーマルバイア１２はプリント基板１１のうちドレイン端子用パッド１３Ｄの形成される領域において、ドレイン端子用パッド１３Ｄおよびプリント基板機材１１Ｓを貫通するように形成されている。またプリント基板１１（プリント基板機材１１Ｓ）のＣ面１１ａ上において、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域（サーマルバイア１２の外周に接する、当該外周に最も近い領域）は、レジスト１４で囲まれるように覆われている。またそのサーマルバイア１２の外周に隣接する領域においてサーマルバイア１２を囲むレジスト１４の上の領域、およびオーバーレジスト１４ｏｖの上の領域にははんだ３１が流入しており、このはんだ３１がヒートスプレッダ２２の下面（プリント基板１１側の面）に接触している。

また半導体装置１０１においては、シンボル印刷マーク１５は平面視において矩形状（たとえば正方形状）を有しており、回路部品２１のモールド樹脂２１Ｓの矩形状の四隅部と平面的に重なる位置に、４か所形成されている。４つのシンボル印刷マーク１５のうち図２の上側の１対は、ドレイン端子用パッド１３Ｄに部分的に食い込むように（ドレイン端子用パッド１３Ｄの外縁を他の領域よりも内側に食い込ませるように）配置されている。これに対し図２の下側の１対のシンボル印刷マーク１５は、ドレイン端子用パッド１３Ｄの外縁よりも外側に配置されている。シンボル印刷マーク１５は、プリント基板１１のＣ面上に形成されており、特に本実施の形態においては、プリント基板１１（プリント基板機材１１Ｓ）のＣ面１１ａ上に形成されたレジスト１４上に（プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上のレジスト１４と同一の層を介して）、シンボル印刷マーク１５が形成されている。

そして半導体装置１０１においては、回路部品２１は、プリント基板１１のＣ面１１ａ側に接する（Ｃ面１１ａに直接接するように固定される場合と、Ｃ面１１ａの上に他の部材を介して固定される場合との双方を意味する）シンボル印刷マーク１５上に載置されるように実装されている。すなわち回路部品２１のうちここではモールド樹脂２１Ｓの平面視における四隅部が、シンボル印刷マーク１５の表面上に接触するよう載置されることで、回路部品２１がプリント基板１１に実装されている。

なお図１〜図３においては、サーマルバイア１２は表面実装型パワーＭＯＳＦＥＴの本体に隠れるように配置される。しかしドレイン端子用パッド１３Ｄの平面積を図１〜図３より大きくすることにより、図１〜図３より多くのサーマルバイア１２が配置されてもよい。

次に、図４〜図１４を用いて、以上の半導体装置１０１の製造方法について説明する。なお図４〜図１１の各図における（Ａ）は断面図（部分的に図３の矢印Ａに示す方向から見た側面図として示している）、（Ｂ）は平面図を示している。

図４（Ａ），（Ｂ）を参照して、まずプリント基板１１が準備される。プリント基板１１の土台としてのプリント基板機材１１Ｓは、一方の主表面であるＣ面１１ａと、その反対側の他方の主表面であるＳ面１１ｂとを有している。プリント基板１１はＣ面１１ａおよびＳ面１１ｂに薄い銅箔１３が形成された両面基板であってもよく、Ｃ面１１ａおよびＳ面１１ｂに加えそれらの間のプリント基板機材１１Ｓの内部にも薄い銅箔１３の層が形成された多層基板であってもよい。前者の両面基板の場合、Ｃ面１１ａおよびＳ面１１ｂ上に銅箔１３などが形成される。また後者の多層基板の場合、上記のＣ面１１ａおよびＳ面１１ｂ上の銅箔１３に加え、プリント基板機材１１Ｓの内部にもパターニングされた銅箔が形成される。具体的には、たとえば薄いプリント基板機材１１Ｓが複数準備され、それぞれの一方の主表面および他方の主表面上に銅箔のパターンが形成される。その後それら複数のプリント基板機材１１Ｓ同士が重ね合わせられプレス加工により一体とされることにより、内部に銅箔のパターンを有するプリント基板機材１１Ｓが形成される。なお以降においては、両面基板のプリント基板１１を用いて説明がなされる。

図５（Ａ），（Ｂ）を参照して、プリント基板１１の一方の主表面から他方の主表面までこれを貫通するサーマルバイア１２の下穴が形成される。具体的には、たとえばドリルまたはレーザを用いて、プリント基板１１の両面上の銅箔１３を含む全体を貫通するように孔部が形成される。つまりプリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａからＳ面１１ｂまでの全体、およびそれらの各面の真上の銅箔１３のすべてを貫通する孔部としてのサーマルバイア１２の下穴が形成される。

図６（Ａ），（Ｂ）および図７（Ａ），（Ｂ）を参照して、プリント基板１１の一方の主表面上に導電性薄膜が形成される。これは既にプリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上およびＳ面１１ｂ上に形成された銅箔１３に対してめっき膜を形成することにより、より厚い、銅の導電性薄膜のパターン（パッド）を形成する工程である。またこのとき、サーマルバイア１２の内壁面にもめっき膜が形成されることにより、Ｃ面上の導電性薄膜とＳ面上の導電性薄膜とが熱的および電気的に接続される。

具体的には、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、まず無電解めっきにより、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａおよびＳ面１１ｂ（の上の薄い銅箔１３）の全面、および各サーマルバイア１２の下穴の内壁面の全面に銅の無電解めっき膜１３ａが形成される。しかし無電解めっき膜１３ａのみを形成する場合、導電性薄膜全体の厚みが不足する。そのため次にその無電解めっき膜１３ａを覆うように、銅の電解めっき膜１３ｂが形成される。電解めっき膜１３ｂは少なくとも１５μｍ以上、平均で２０μｍ以上の厚みとなるように形成されることが好ましい。これにより、（下地の銅箔１３、）無電解めっき膜１３ａおよび電解めっき膜１３ｂからなる導電性薄膜１３が形成される。

なお図示されないが、当該工程により、サーマルバイア１２に限らず、たとえばプリント基板機材１１Ｓに形成されたスルーホールの内側にも上記と同様の無電解めっき膜１３ａおよび電解めっき膜１３ｂからなる導電性薄膜１３が形成される。

次に図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、Ｃ面１１ａおよびＳ面１１ｂ上に形成された導電性薄膜１３上に、一般公知の写真製版技術すなわち露光および現像により、感光剤ＲＳのパターンが形成される。その後、銅のエッチング液を用いた一般公知のエッチング技術により、感光剤ＲＳのパターンに覆われず露出した部分の導電性薄膜１３が除去される。これにより感光剤ＲＳのパターンの真下の領域における導電性薄膜１３がパターンとして残存し、銅のパッド１３として形成される。パッド１３としては上記のように、ゲート端子用パッド１３Ｇ、ソース端子用パッド１３Ｓおよびドレイン端子用パッド１３Ｄが形成される。

図８（Ａ），（Ｂ）を参照して、各パッド１３のパターンが形成された後、プリント基板１１の一方の主表面上に、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域を囲みながら覆うように、絶縁被膜としてのレジスト１４がパターニングされる。具体的には、銅のパッド１３が形成されたプリント基板１１（プリント基板機材１１Ｓ）のＣ面１１ａ側およびＳ面１１ｂ側の表面上に、感光性のレジスト１４が塗布される。レジスト１４はスプレーコート法などにより塗布される。次に図８（Ａ）に示すように、当該レジスト１４に対して、一般公知の写真製版技術すなわち露光および現像がなされる。この処理はプリント基板１１のＣ面１１ａ側の上方に設置された、レジスト１４のパターンを形成すべき領域に対応する領域に露光部を有するフォトマスクＰＭＫを用いてなされる。これにより、たとえばフォトマスクＰＭＫの上方から露光された部分のレジスト１４が残存し、上方から遮光された部分のレジスト１４が非感光部１４ｏとして除去される。これにより、レジスト１４のパターンが形成される。次に、形成されたレジスト１４のパターンを硬化させるために、当該プリント基板１１が乾燥炉に投入される。

以上により、図８（Ｂ）に示すように、たとえば円形の平面形状を有するサーマルバイア１２の内壁面が存在する外周に隣接する領域すなわち当該外周に接する外周に最も近い領域に、円環状のレジスト１４のパターンが形成される。

なお当該工程においては、レジスト１４がサーマルバイア１２の孔部内に残存することのないようにレジスト１４のパターンが形成されることが好ましい。サーマルバイア１２は後述するはんだ付け工程において発生するガスの排出経路となるためである。またレジスト１４のパターンは、パッド１３のパターンの一部である外縁部に重なるように形成されることが好ましく、当該領域においてはレジスト１４はオーバーレジスト１４ｏｖとして形成される。さらにサーマルバイア１２の外周に隣接する領域において、当該外周に隣接する領域を覆うパッド１３を覆うように、すなわちサーマルバイア１２の外周に隣接する領域を囲むように、レジスト１４がパターニングされる。

図９（Ａ），（Ｂ）を参照して、レジスト１４のパターンが形成されたプリント基板１１における、回路部品２１が載置されるべき領域に、樹脂材料としてのシンボル印刷マーク１５のパターンが形成される。具体的には、まずシンボル印刷マーク１５のパターンを形成すべき領域に対応する領域に開口部ＣＶを有するシルクスクリーンＳＣＮが、プリント基板１１のＣ面１１ａ側の上方に設置される。その状態で、シルクスクリーンＳＣＮの上方から、絶縁性樹脂であるシンボル印刷用樹脂ＳＢＬが、プリント基板１１のＣ面１１ａ上（レジスト１４の上）に供給される。その際スキージ１６により、シルクスクリーンＳＣＮの上面上に供給されたシンボル印刷用樹脂ＳＢＬがシルクスクリーンＳＣＮ上を滑るように掃かれる。このため、シルクスクリーンＳＣＮの開口部ＣＶを経由して、その真下のレジスト１４の上にシンボル印刷用樹脂ＳＢＬが塗布されるように供給される。塗布されたシンボル印刷用樹脂ＳＢＬは、その後、乾燥炉に投入され硬化される。これによりプリント基板１１には、シルクスクリーンＳＣＮの開口部の形状に応じたシンボル印刷用樹脂ＳＢＬのパターンとしてのシンボル印刷マーク１５が形成される。ここではプリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上のレジスト１４のパターン上に、シンボル印刷マーク１５が形成される。その後、シルクスクリーンＳＣＮはプリント基板１１上から取り外される。

図１０（Ａ），（Ｂ）および図１１（Ａ），（Ｂ）を参照して、回路部品２１が樹脂材料としてのシンボル印刷マーク１５上に載置された状態で、プリント基板１１に実装される。具体的には、図１０（Ａ），（Ｂ）の上図に示すように、シンボル印刷マーク１５が形成されたプリント基板１１の、特にたとえばＣ面１１ａ側の各々のパッド１３の上に、クリームはんだＣＲＨ（はんだペースト）が印刷されるように供給される。クリームはんだＣＲＨは、後に行なわれるリフロー工程によるはんだ付けを行なうために必要な塗布はんだであり、たとえばはんだ粒子とフラックスとの混合物である。クリームはんだＣＲＨの供給（印刷）方法の詳細については後述（図１２〜図１４）する。次に、モールド樹脂２１Ｓ、ヒートスプレッダ２２および電極２３などを有する回路部品２１が図示されない実装機に投入され、図１０（Ａ），（Ｂ）の下図に示すようにクリームはんだＣＲＨによりプリント基板１１と接着された態様とされる。

より具体的には、図１０（Ａ），（Ｂ）の上図に示すように、回路部品２１の特にモールド樹脂２１Ｓ上に、上下に駆動可能な実装機吸着ノズル１７が吸着される。これにより回路部品２１は実装機内に搭載される。またプリント基板１１も実装機内に投入される。実装機内では、プリント基板１１の真上に配置された回路部品２１が所望の搭載箇所に位置決めされる。これによりシンボル印刷マーク１５上に回路部品２１のたとえばモールド樹脂２１Ｓの部分またはヒートスプレッダ２２の部分が載置され、クリームはんだＣＲＨ上に電極２３などが接着するように、位置決めされる。その後図１０（Ａ），（Ｂ）の下図に示すように、プログラムされたトルクにより、回路部品２１が下方のプリント基板１１側に押し込まれ、回路部品２１がプリント基板１１上に設置される。

次に、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、クリームはんだＣＲＨを挟むように回路部品２１が搭載されたプリント基板１１が、リフロー炉に投入される。そしてリフロー工程がなされることにより、回路部品２１とプリント基板１１とがはんだ付けされる。ここではリフロー工程により、リフロー炉の高温下でクリームはんだＣＲＨに含まれるフラックスがはんだ付け面であるパッド１３の部分および電極２３、ヒートスプレッダ２２の部分を活性化する。そしてリフロー炉の高温化で溶融したクリームはんだＣＲＨが、電極２３とパッド１３との間のはんだ付け面を濡れ広がる。こうして溶融したクリームはんだＣＲＨは、プリント基板１１のパッド１３の表面全体に濡れ広がり、各パッド１３上には電極２３、ヒートスプレッダ２２などが接合され、クリームはんだＣＲＨははんだ３１として形成される。溶融はんだには、その固着により、はんだフィレットＨＦが形成される。以上のリフロー工程により、プリント基板１１と回路部品２１とがはんだ接合される。

ここで上記の、プリント基板１１へのクリームはんだＣＲＨ（はんだペースト）の印刷方法について、図１２〜図１４を用いて説明する。なお上記各図を見やすくする観点から、たとえば図１２、図１４と図１３とのサーマルバイア１２の数および配列は必ずしも整合しないが、以下の説明を行なう上で特に支障はない。図１２を参照して、はんだ印刷工程においては、プリント基板１１がはんだ印刷装置に搬入された後、クリームはんだＣＲＨのパターンを印刷すべき領域に対応する領域に開口部ＣＶを有するメタルマスクＭＭＫが、プリント基板１１のＣ面１１ａ側の上方に設置される。なおメタルマスクＭＭＫとは、プリント基板１１上にはんだペーストを供給するための開口部ＣＶが形成された金属製の板状部材である。

図１３を参照して、上記のようにメタルマスクＭＭＫが設置された状態で、メタルマスクＭＭＫの上方から、はんだペーストであるクリームはんだＣＲＨが、プリント基板１１のたとえばＣ面１１ａ上に供給される。その際スキージ１６をたとえば図の矢印の方向に移動させることにより、メタルマスクＭＭＫの上面上に供給されたクリームはんだＣＲＨがメタルマスクＭＭＫ上を滑るように掃かれる。このため図１４を参照して、メタルマスクＭＭＫの開口部ＣＶを経由して、その真下のＣ面１１ａなどの上にクリームはんだＣＲＨが印刷されるように供給される。その後、メタルマスクＭＭＫはプリント基板１１上から取り外される。以上の各工程により、メタルマスクＭＭＫを用いてクリームはんだＣＲＨが印刷される。

なおプリント基板１１に回路部品２１がはんだ付けにより実装された後、当該はんだ接合された部分であるはんだ３１が、たとえば画像検査により外観検査される工程がなされる。これにより、はんだ３１の良否判定がなされる。

図１５を参照して、本実施の形態の第２例の半導体装置１０２は、基本的に第１例の半導体装置１０１と同様の構成を有しているため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置１０２においては、半導体装置１０１に比べて図の上側の１対のシンボル印刷マーク１５が図１５の下側（ゲート端子用パッド１３Ｇおよびソース端子用パッド１３Ｓが配置される側）に寄るように配置されている。半導体装置１０２においても、回路部品２１（のモールド樹脂２１Ｓ）の平面視における四隅部にシンボル印刷マーク１５が重なるように配置されている点においては半導体装置１０１と共通している。しかし半導体装置１０２においては、図１５の上側の１対のシンボル印刷マーク１５の上下方向の全体とモールド樹脂２１Ｓとが重なるように、回路部品２１が実装されている。この点において半導体装置１０２は、図３の上側の１対のシンボル印刷マーク１５の上下方向に関する一部（およそ下側半分の領域）のみがモールド樹脂２１Ｓとが重なるように回路部品２１が実装される半導体装置１０１と、構成上異なっている。

半導体装置１０２においては半導体装置１０１と異なり、ヒートスプレッダ２２の図１５中に点線で囲まれた領域、すなわちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部まで、はんだフィレットＨＦが形成される。これにより図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。ヒートスプレッダ２２のうちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部の側面にて、はんだフィレットＨＦを容易に視認することができるためである。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
第一に、本実施の形態においては、プリント基板１１のサーマルバイア１２の外周に隣接する領域がレジスト１４で囲まれるように覆われている。このため、サーマルバイア１２の周囲のレジスト１４の撥水効果により、たとえサーマルバイア１２の真上にはんだが侵入したとしても、そこからサーマルバイア１２内へのはんだの流入を抑制することができる。基本的に、回路部品２１のプリント基板１１へのはんだ付け工程を行なう際にはサーマルバイア１２の真上にははんだが配置されないよう考慮される。しかしリフロー工程においてはんだが高温になり溶融されると、そのはんだは濡れ広がりサーマルバイア１２の真上の領域に向かう。しかしサーマルバイア１２の外周のレジスト１４によりはんだ３１は弾かれ、サーマルバイア１２内へのはんだ３１の侵入を抑制することができる。

このため、実装に必要なはんだ３１がサーマルバイア１２から外部へ排出されたりする不具合を防ぐことができ、はんだ３１の充分な厚みを確保することができることから、はんだ３１の接合部の強度などの信頼性を高めることができる。また充分な量のはんだ３１を有することから良好な形状のはんだフィレットＨＦが形成され、外観検査により当該はんだ３１の接合部の良否判定を容易に行なうことができる。

またサーマルバイア１２内にはんだ３１が侵入しないことから、サーマルバイア１２内が溶融されたはんだ３１で塞がれることはない。このため、サーマルバイア１２の高い放熱性およびガス排出性を確保することができる。クリームはんだＣＲＨに含まれるフラックスガスなどを高効率に排出できるため、形成後のはんだ３１中にフラックスガスに起因するボイドが形成され、その信頼性が低下するなどの不具合を抑制することができる。

第二に、本実施の形態においては、回路部品２１（ここでは特にモールド樹脂２１Ｓ）が、プリント基板１１のＣ面１１ａ側に接するシンボル印刷マーク１５の上に載置されるように実装されている。これにより、回路部品２１のプリント基板１１に対する高さを一意的に決めることができる。特にここでは、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上に形成されたレジスト１４上のシンボル印刷マーク１５の上に回路部品２１の一部が載置される。このため、回路部品２１の最下部と、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａとの高さ方向の間隔を、レジスト１４の厚みｔ₁₄とシンボル印刷マーク１５の厚みｔ₁₅との総和となるように制御することができる。当該間隔が一定となることから、その間隔の部分に配置されるはんだ３１の厚み、および熱抵抗を安定に制御することができ、回路設計品質が向上する。またヒートスプレッダ２２の最下面にはんだ３１を良好に濡らすことができるため、この観点からも接合部としてのはんだ３１の信頼性を高めることができる。

はんだ３１の厚みを管理することができるため、はんだ３１の良好な流動性によりはんだ３１がサーマルバイア１２の形成される側を避けるように流動する傾向とすることができる。このことからも、はんだ３１のサーマルバイア１２への侵入を抑制する効果をいっそう高めることができる。

第三に、本実施の形態のようにシンボル印刷マーク１５の上に載置されるように実装されれば、実装工程において回路部品２１に位置ずれが発生した場合においても、表面張力が働くことで回路部品２１をセルフアライメントしやすくなる。このため所望の中央部に回路部品２１を配置させやすくなる。

第四に、製造方法については、一般公知のレジスト１４のパターニングとシンボル印刷マーク１５のパターニングにより、特殊な工程を用いずに安価に、上記のような所望厚みでかつ信頼性の高いはんだ接合部を有する半導体装置１０１を形成することができる。

さらに、本実施の形態においては、シンボル印刷マーク１５が矩形の平面形状を有している。これによりプリント基板１１の製造時の公差と回路部品２１の実装時の公差とを考慮した形状のシンボル印刷マーク１５とすることができる。これにより、たとえ上記の公差が大きい場合においても、位置ずれを吸収するように回路部品２１をシンボル印刷マーク１５上に載置させることができる。

またシンボル印刷マーク１５は回路部品２１の平面視における四隅部に配置される。これにより、外観検査装置の寸法測定機能を活用し、回路部品２１の実装後において回路部品２１に覆われずに露出しているシンボル印刷マーク１５の部分を測定することにより、回路部品２１の位置ずれの量に関する情報を得ることができる。この情報を連携を取ることにより、回路部品２１のプリント基板１１に対する実装位置のずれの発生の傾向を管理することができる。したがってその位置ずれの傾向を実装機のプログラムなどに反映させることにより、実装位置の不具合を未然に防止することができる。

実施の形態２．
図１６は、本実施の形態の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図１７は図１６のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の半導体装置の構成を図１６〜図１７を用いて説明する。

図１６〜図１７を参照して、本実施の形態の半導体装置２０１の構成は、基本的に実施の形態１の第１例の半導体装置１０１の構成と同様であるため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置２０１においては、シンボル印刷マーク１５は、シンボル印刷により印刷可能な最小の大きさを有するドット状となっており、シンボル印刷マーク１５がより大きな矩形の平面形状となっている半導体装置１０１とは構成上異なっている。具体的には、半導体装置２０１のシンボル印刷マーク１５は、直径が０．１５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の円形の平面形状を有している。ただしシンボル印刷マーク１５の平面形状は真円でなくてもよく、たとえば長軸および短軸の寸法が０．１５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の範囲内であり、真円に比べてやや楕円形となっていてもよい。つまり当該シンボル印刷マーク１５の平面形状は、離心率が０以上１未満であることが好ましい。

次に、図１８〜図２０を参照しながら、本実施の形態の作用効果について説明する。
第一に、本実施の形態においては、シンボル印刷マーク１５が実施の形態１よりも小さいドット形状とされる。これにより、必要最小限のシンボル印刷マーク１５の大きさにより実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。

第二に、シンボル印刷マーク１５が小さくなる結果、プリント基板１１のうちはんだ付け可能なドレイン端子用パッド１３Ｄの部分の平面積を実施の形態１よりも大きくすることができる。このためプリント基板１１のＣ面１１ａからＳ面１１ｂ側への放熱可能な領域の面積が大きくなり、その領域の熱抵抗をより小さくすることができる。

第三に、シンボル印刷マーク１５が小さいため、図１７に示すようにその全体が回路部品２１のモールド樹脂２１Ｓと重なる配置とすることができる。これにより、図１５の半導体装置１０２と同様に、ヒートスプレッダ２２において、図１７中に点線で囲まれた領域、すなわちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部まで、良好なはんだフィレットＨＦが形成される。これはシンボル印刷マーク１５を小さくすることにより、ヒートスプレッダ２２などのはんだ付けされる部分と、はんだが濡れないレジスト１４およびシンボル印刷マーク１５との積層部分とが平面的に重ならなくなるためである。これにより図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。

第四に、このようにヒートスプレッダ２２のモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部に良好なはんだフィレットＨＦを形成することにより、さらに以下の効果を有する。特に小型の電子部品、配線部品、配線補助部品を有する回路部品２１を用いる場合において、回路部品２１の電極２３およびヒートスプレッダ２２を構成するリードフレームのタイバーカット部となる箇所、および配線部品の一部がめっき膜が形成されずに下地が露出した状態となることがある。この場合には回路部品２１の実装後において、その下地が露出した部分が表面酸化によりはんだ付け性が低下する場合がある。

図１８は回路部品２１に含まれるリードフレームとしての電極２３およびヒートスプレッダ２２がタイバーカットされる前の、すなわち複数の電極２３等が一体として繋がった状態を示す概略図である。図１９は図１８から単一の回路部品２１がタイバーカットされた後の態様を、図２０はタイバーカット部がはんだ付けされない例を示す概略断面図である。

図１８に示すタイバーカット工程前のリードフレームが短冊状に形成された状態から、図１９のようにカットされる過程で、切断面であるタイバーカット部２４は露出し、銅または鉄材などの下地の素材が露出する。この場合、タイバーカット部２４にはめっき等の防錆処理およびはんだ付け向上の処理などがなされていないので、その分断面部分が酸化しやすくなる。その結果図２０に示すように、当該タイバーカット部２４にははんだ３１が濡れなくなり、この領域には図１の半導体装置１０１のようなはんだフィレットＨＦが形成されにくくなる。

そこで本実施の形態においては、はんだ付け性の低下によるはんだ２１の不良品の発生を抑制するために、ヒートスプレッダ２２の下地の露出部以外の領域である、モールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部に良好なはんだフィレットＨＦを形成する。これにより、全体として信頼性の高いはんだ３１を有する半導体装置２０１を提供することができる。

実施の形態３．
図２１は、本実施の形態の第１例の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図２２は図２１のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の第１例の半導体装置の構成を図２１〜図２２を用いて説明する。

図２１〜図２２を参照して、本実施の形態の第１例の半導体装置３０１の構成は、基本的に上記の各実施の形態の構成と同様であるため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置３０１においては、４つのシンボル印刷マーク１５は、回路部品２１の外縁の延在方向である図２１，２２の上下および左右方向に対して傾斜した斜め方向に延びており、直線状に近い平面形状を有している。そして半導体装置３０１のシンボル印刷マーク１５は、平面視においてその延在する方向の寸法Ａが０．３ｍｍ以上、平面視において延在する方向に交差する幅方向の寸法Ｂが０．１５ｍｍ以上である。この点において半導体装置３０１は、シンボル印刷マーク１５が矩形状であったりドット状であったりする上記の各実施の形態の半導体装置と異なっている。

より具体的には、半導体装置３０１において直線状に延びる４つのシンボル印刷マーク１５は、平面的には概ね、ドレイン端子用パッド１３Ｄの図２１における最上部を除く矩形の領域の対角線に沿って延びるように、配置されている。つまりたとえば図２１の左上のシンボル印刷マーク１５と右下のシンボル印刷マーク１５とは、その延在する方向が同一の直線上に乗るように配置され、図２１の左下のシンボル印刷マーク１５と右上のシンボル印刷マーク１５とは、その延在する方向が同一の直線上に乗るように配置される。しかしドレイン端子用パッド１３Ｄ全体の矩形の平面形状の対角線に沿って延びるように配置されてもよい。なお隣り合う１対のシンボル印刷マーク１５間の距離は、回路部品２１の大きさに応じて適宜変化する。また４つのシンボル印刷マーク１５のサイズはそれぞれ異なっていてもよい。

次に、図２３〜図２５を参照しながら、本実施の形態の作用効果、および他の例について説明する。

第一に、本実施の形態のようにシンボル印刷マーク１５を回路部品２１の外縁の延在方向に対して斜め方向に延びる直線状とする。これにより、回路部品２１の実装時の位置決めばらつきが大きい場合においても、ヒートスプレッダ２２のモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部に良好なはんだフィレットＨＦを形成することができる。

具体的には、たとえば回路部品２１の図２１の上下方向および左右方向の位置ずれが大きくなる場合、たとえば実施の形態１のような矩形のシンボル印刷マーク１５を用いた場合にはレジスト１４およびシンボル印刷マーク１５を過剰に大きくする必要がある。またたとえば実施の形態２のようなドット状のシンボル印刷マーク１５を用いる場合、これが過剰に小さいために、回路部品２１の位置ずれによりこれがシンボル印刷マーク１５の上に載置されなくなる可能性がある。本実施の形態のように直線状のシンボル印刷マーク１５とすることにより、上記の各問題を発生させることなく、必要最小限の大きさのシンボル印刷マーク１５により、確実にこの上に回路部品２１を載置させることが可能となる。

なお図２１〜図２２においては、たとえば図２３に示すように回路部品２１がプリント基板１１に対して大きく位置ずれする場合を想定して、４つのシンボル印刷マーク１５が互いにプリント基板１１の中心（実装される領域の中心）に対して放射状に延びるようにシンボル印刷マーク１５が形成されている。しかし回路部品２１の想定される位置ずれ量に応じてシンボル印刷マーク１５が図２１の左右方向に対して傾く斜め方向の角度は変更可能である。具体的には、たとえばここで図２１の左右方向（プリント基板１１の左右方向に延びる外縁に沿う方向）に延びる仮想の軸を考える。このとき当該軸に対して、図２１の右上のシンボル印刷マーク１５の延びる方向のなす角度θ₁は４５±３０°であることが好ましい。以下同様に、図２１の左上、左下、右下のそれぞれのシンボル印刷マーク１５の延びる方向のなす角度θ₂、θ₃、θ₄は１３５±３０°、２２５±３０°、３１５±３０°であることが好ましい。

第二に、シンボル印刷マーク１５を直線状とすることにより、回路部品２１の位置ぎめばらつきが大きい実装条件においても、シンボル印刷マーク１５がはんだ付けされるべき領域を大きく占領することによるはんだ付けされるべき領域が縮小されたり、サーマルバイア１２の形成される数が減少する不具合を抑制できる。このため、プリント基板１１のＣ面１１ａからＳ面１１ｂ側への放熱可能な領域の面積が大きくなり、その領域の熱抵抗をより小さくすることができる。

図２４および図２５を参照して、本実施の形態の第２例の半導体装置３０２は、基本的に第１例の半導体装置３０１と同様の構成を有しているため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置３０２においては、半導体装置１０２と同様に、半導体装置３０１に比べて図の上側の１対のシンボル印刷マーク１５が図２４および図２５の下側（ゲート端子用パッド１３Ｇおよびソース端子用パッド１３Ｓが配置される側）に寄るように配置されている。

このような構成とすることにより、半導体装置３０２は、半導体装置１０２と同様に、ヒートスプレッダ２２の図２５中に点線で囲まれた領域、すなわちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部まで、はんだフィレットＨＦが形成される。これにより図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。

実施の形態４．
図２６は、本実施の形態の第１例の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図２７は図２６のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の第１例の半導体装置の構成を図２６〜図２７を用いて説明する。

図２６〜図２７を参照して、本実施の形態の第１例の半導体装置４０１の構成は、基本的に上記の各実施の形態の構成と同様であるため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置４０１においては、樹脂材料のパターンが、レジスト１４上の円形の平面形状を有するシンボル印刷マーク１５と、その上に重なる追加塗布樹脂１８とを含む構成となっている。そしてこの追加塗布樹脂１８の上に回路部品２１が載置されている。この点において半導体装置４０１は、追加塗布樹脂１８を有さない半導体装置１０１と構成上異なっている。

図２８は半導体装置４０１の製造方法、特にシンボル印刷マーク１５および追加塗布樹脂１８の形成工程を示す図であり、図２８（Ａ）は追加塗布樹脂１８の形成工程を示す平面図、図２８（Ｂ）は図２８（Ａ）のうちシンボル印刷マーク１５および追加塗布樹脂１８の部分の概略断面図である。図２８（Ａ），（Ｂ）を参照して、本実施の形態においては、まず円形の平面形状を有するシンボル印刷マーク１５のパターンが、他の実施の形態と同様にレジスト１４上に形成される。なおここでのシンボル印刷マーク１５の平面形状は、真円に限らず楕円形状であってもよく、その離心率が０以上１未満であることが好ましい。

次に、特に図２８（Ｂ）に示すように、シンボル印刷マーク１５のパターン上に追加で他の樹脂材料を塗布することにより、シンボル印刷マーク１５上に追加塗布樹脂１８のパターンが形成される。他の樹脂材料としての追加塗布樹脂１８は、ディスペンス塗布により供給されることが好ましい。追加塗布樹脂１８は、ディスペンサにより塗布可能な樹脂材料により形成される。このためシンボル印刷マーク１５と同一材料であってもよいが、異なる材料であってもよい。追加塗布樹脂１８は、シンボル印刷マーク１５の厚みとの総和が所望の厚みとなるよう制御されながら供給される。

次に、本実施の形態の作用効果、および他の例について説明する。
本実施の形態においては、回路部品２１が載置される樹脂材料が、シンボル印刷により形成されたシンボル印刷マーク１５と、ディスペンス塗布により形成された追加塗布樹脂１８との２層積層されたものとされる。つまりシンボル印刷マーク１５の上に追加で樹脂を塗布することにより、当該樹脂材料の厚みをより増加させ、任意の厚みとなるようはんだ厚みを管理することができる。特にはんだ３１をより厚く形成したい場合に、シンボル印刷マーク１５の上に絶縁性の樹脂を追加でディスペンス塗布する本実施の形態は実益がある。

なお本実施の形態においては、シンボル印刷マーク１５が円形の平面形状を有するよう形成される。これによりその上の追加塗布樹脂１８の塗布量の制御が容易となり、工程内の不具合の可能性を低減することができる。

また追加塗布樹脂１８はディスペンサにより塗布可能な樹脂材料により形成される。このため樹脂の粘度、および含有するフィラーを任意に選択し、シンボル印刷マーク１５と追加塗布樹脂１８との厚みの総和を容易に制御することができる。

ただし本実施の形態においても、シンボル印刷マーク１５は円形（楕円形を含む）の平面形状に限らない。たとえば形成されるシンボル印刷マーク１５の各辺における張力集中を考慮し塗布量および粘度が厳重に設計可能であれば、本実施の形態においても実施の形態１のように矩形状のシンボル印刷マーク１５が形成されてもよい。

図２９および図３０を参照して、本実施の形態の第２例の半導体装置４０２は、基本的に第１例の半導体装置４０１と同様の構成を有しているため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置４０２においては、半導体装置１０２と同様に、半導体装置３０１に比べて図の上側の１対のシンボル印刷マーク１５が図２９および図３０の下側（ゲート端子用パッド１３Ｇおよびソース端子用パッド１３Ｓが配置される側）に寄るように配置されている。

このような構成とすることにより、半導体装置４０２は、半導体装置１０２と同様に、ヒートスプレッダ２２の図３０中に点線で囲まれた領域、すなわちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部まで、はんだフィレットＨＦが形成される。これにより図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。

実施の形態５．
図３１は、本実施の形態の第１例の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図３２は図３１のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の第１例の半導体装置の構成を図３１〜図３２を用いて説明する。

図３１〜図３２を参照して、本実施の形態の第１例の半導体装置５０１の構成は、基本的に上記の各実施の形態の構成と同様であるため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置５０１においては、シンボル印刷マーク１５は、それらを互いに結ぶことにより三角形が形成されるように、３つ配置されている。より具体的には、シンボル印刷マーク１５は、回路部品２１の（たとえば図の左右方向すなわちゲート端子とソース端子との並ぶ方向に関して）互いに隣り合う１対の隅部のそれぞれ、および当該１対の隅部の中間を通り当該１対の隅部を結ぶ方向に交差する方向に延びる直線上の位置に配置されている。ここでは特に、図３１および図３２における回路部品２１の下側の領域において左右方向に関して互いに隣り合う１対の隅部のそれぞれに、１対のシンボル印刷マーク１５が配置されている。また当該１対の隅部の中間を通り当該１対の隅部を結ぶ方向に交差するように図３１の上下方向に延びる対称線である直線Ｌ１上の、上記１対の隅部よりも上側の領域に、シンボル印刷マーク１５が配置されている。このためこれら３つのシンボル印刷マーク１５を結ぶことにより三角形（特に二等辺三角形）が形成される。

なお本実施の形態においても上記の各実施の形態と同様に、プリント基板１１の一方の主表面（特にＣ面１１ａ）上には、レジスト１４を介してシンボル印刷マーク１５が載置されている。また図３１および図３２においては実施の形態１と同様に矩形状のシンボル印刷マーク１５が図示されているが、本実施の形態においても実施の形態２〜４と同様の形状を有するシンボル印刷マーク１５が用いられてもよい。そのようにすれば実施の形態２〜４と同様の作用効果を得ることができる。

本実施の形態においては、平面視における回路部品２１の重心と、回路部品２１の実装時にこれを吸着する実装機の吸着位置とが、３つのシンボル印刷マーク１５により形成される三角形の内側に位置する。これにより、回路部品２１の実装時における意図しない厚み方向の傾斜の発生を抑制することができ、はんだ３１の厚みを精密に制御することができる。

次に、本実施の形態の作用効果、および他の例について説明する。
本実施の形態においては、実施の形態１に比べて、シンボル印刷マーク１５がドレイン端子用パッド１３Ｄと重なる（図２のようにドレイン端子用パッド１３Ｄの一部に食い込むように配置される場合も含む）の面積を小さくすることができる。実施の形態１においてはドレイン端子用パッド１３Ｄの領域に重なる（または当該パッド１３Ｄの外縁の一部に食い込む）シンボル印刷マーク１５は２つあるのに対し、本実施の形態においてはそれが１つのみとなるためである。言い換えれば、半導体装置５０１においては、回路部品２１の隣り合う１対の隅部のシンボル印刷マーク１５はドレイン端子用パッド１３Ｄの外側の領域に配置され、１つのシンボル印刷マーク１５のみがドレイン端子用パッド１３Ｄ内に配置される。このためその分だけ、ドレイン端子用パッド１３Ｄと回路部品２１とのはんだ付けされる面積を大きくすることができる。このためプリント基板１１のＳ面１１ｂ側への放熱可能な領域の面積が大きくなり、その領域の熱抵抗をより小さくすることができる。

また本実施の形態においても、ヒートスプレッダ２２において、図３２中に点線で囲まれた領域、すなわちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部まで、良好なはんだフィレットＨＦが形成される。このため図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。

その他、本実施の形態においても、はんだ３１の厚みを精密制御可能であり、回路部品２１のプリント基板１１に対する実装高さを精密制御可能である。

図３３および図３４を参照して、本実施の形態の第２例の半導体装置５０２は、基本的に第１例の半導体装置５０１と同様の構成を有しているため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置５０２においては、図３３および図３４における回路部品２１の上側の領域において左右方向に関して互いに隣り合う１対の隅部のそれぞれに、１対のシンボル印刷マーク１５が配置されている。また当該１対の隅部の中間を通り当該１対の隅部を結ぶ方向に交差するように図３１の上下方向に延びる対称線である直線Ｌ１上の位置に、シンボル印刷マーク１５が配置されている。このためこれら３つのシンボル印刷マーク１５を結ぶことにより三角形（特に二等辺三角形）が形成される。ここで形成される三角形は、図３３および図３４において逆三角形状となっている。

回路部品２１に含まれる電子部品の重心は、図３３および図３４における上方にあることが多い。このためシンボル印刷マーク１５を結んでなる三角形が逆三角形状となることにより、回路部品２１を吸着する実装機の吸着位置を図３３および図３４における上方とすることでこれを安定に吸着することができる。

このような構成とすることにより、半導体装置５０２は、ヒートスプレッダ２２の側面（図３４の左端および右端）にまで回り込むように、はんだフィレットＨＦが形成される。これにより図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。

図３５および図３６を参照して、本実施の形態の第３例の半導体装置５０３は、基本的に第１例の半導体装置５０１と同様の構成を有しているため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置５０３においては、半導体装置１０２と同様に、半導体装置５０２に比べて図の上側の１対のシンボル印刷マーク１５が図３５および図３６の下側（ゲート端子用パッド１３Ｇおよびソース端子用パッド１３Ｓが配置される側）に寄るように配置されている。

このような構成とすることにより、半導体装置５０３は、半導体装置１０２と同様に、ヒートスプレッダ２２の図３６中に点線で囲まれた領域、すなわちモールド樹脂２１Ｓに覆われる部分と覆われない部分との境界部まで、はんだフィレットＨＦが形成される。これにより図３の半導体装置１０１に比べて、はんだ３１の良否判定が容易に可能となる。

実施の形態６．
本実施の形態の半導体装置の構成を図３７〜図５２を用いて説明する。

図３７は、本実施の形態の第１例の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図３８は図３７のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。以下同様に、図３９，４１，４３，４５，４７，４９，５１のそれぞれは、本実施の形態の第２例、第３例、第４例、第５例、第６例、第７例、第８例のそれぞれの半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。また図４０，４２，４４，４６，４８，５０，５２のそれぞれは、図３９，４１，４３，４５，４７，４９，５１のそれぞれのプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。

図３７〜図５２を参照して、本実施の形態の各例においては、上記の他の各実施の形態と同様に、プリント基板１１には複数のサーマルバイア１２が、互いに間隔をあけて、平面視において行列状に配置されている。当該行列状に配置される複数のサーマルバイア１２の全体の平面視における外側の領域の一部を囲むように、シンボル印刷マーク１５が配置されている。つまりシンボル印刷マーク１５は、平面視において複数のサーマルバイア１２の全体を囲むように図３７などの上下方向および左右方向に延びる構成となっている。基本的に本実施の形態においては、プリント基板１１（プリント基板機材１１Ｓ）のＣ面１１ａ上に形成されたレジスト１４上に（プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上のレジスト１４と同一の層を介して）、シンボル印刷マーク１５が形成されている。

図３７〜図３８の第１例（半導体装置６０１）では、サーマルバイア１２の左、右および下の三方を囲むように、そのほぼ全領域を連続的にすなわち直線状に延びるシンボル印刷マーク１５のパターンが形成されている。図３９〜図４０の第２例（半導体装置６０２）も同様であるが、三方それぞれにおいて、シンボル印刷マーク１５の延在方向において一定間隔ごとに周期的にパターンが形成されるように、すなわち鎖線状にシンボル印刷マーク１５が形成されている。図４１〜図４２の第３例（半導体装置６０３）も第２例と同様であるが、サーマルバイア１２の上方も含む四方を囲むようにシンボル印刷マーク１５が形成されている。ただし図４１〜図４２においてはサーマルバイア１２の平面視における上方の領域においては他の領域においてシンボル印刷マーク１５の延在する長さが短く、シンボル印刷マーク１５の配置されない部分の割合が大きい。これはサーマルバイア１２の平面視における上方の領域は、他の方向に比べてはんだが流入しやすいことを考慮し、極力パッド１３の銅箔が残る領域を大きくする観点に基づいている。しかしこのような態様に限らず、半導体装置６０３においてはサーマルバイア１２の上方もサーマルバイア１２の左方、右方、下方と同様の延在長さを有するシンボル印刷マーク１５が形成されてもよい。図４３〜図４４の第４例（半導体装置６０４）も第３例と同様であるが、サーマルバイア１２の上方のシンボル印刷マーク１５は互いに間隔をあけてドット状に形成されている。

図４５〜図４６の第５例（半導体装置６０５）では、サーマルバイア１２の左側および右側の二方向のみに、図の上下方向に直線状に延びるシンボル印刷マーク１５のパターンが形成されている。図４７〜図４８の第６例（半導体装置６０６）も第５例と同様であるが、シンボル印刷マーク１５が鎖線状に形成されている。図４９〜図５０の第７例（半導体装置６０７）では、サーマルバイア１２の上方および下方の領域を直線状に延びるシンボル印刷マーク１５が形成されるが、サーマルバイア１２の上方のシンボル印刷マーク１５はサーマルバイア１２の下方のシンボル印刷マーク１５よりも短くなっている。図５１〜図５２の第８例（半導体装置６０８）は基本的に第７例と同様であるが、サーマルバイア１２の上方のシンボル印刷マーク１５がドット状となっている。

これらの各例のようにシンボル印刷マーク１５の配置される位置および形状（直線状、鎖線状、ドット状）を調整するのは以下の考え方に基づく。すなわちサーマルバイア１２の上方は、ヒートスプレッダ２２と重なる領域であるため、上記のようにはんだの流動を考慮して、ドレイン端子用パッド１３Ｄの銅箔部分を残しておく（つまりシンボル印刷マーク１５を過剰に形成しない）構成としている。またクリームはんだＣＲＨの印刷時のスキージ１６の移動方向（図１３参照）についてはシンボル印刷マーク１５は直線状または鎖線状のいずれも適切であるが、スキージ１６の移動方向に交差する方向についてはシンボル印刷マーク１５は極力鎖線状とすることが好ましい。このようにすれば、クリームはんだＣＲＨの印刷時におけるメタルマスクＭＭＫの開口部ＣＶのプリント基板１１からの浮きを抑制することができる。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、シンボル印刷マーク１５を上記の半導体装置６０１〜６０８が示す態様とする。これにより、はんだ印刷時におけるメタルマスクＭＭＫの削れ、破損、スキージ１６へのクラック発生を抑制することができる。これによりメタルマスクＭＭＫを使用したはんだ印刷可能な回数を増加させることができ、半導体装置６０１〜６０８の製造工程におけるメンテナンスおよび治具更新のサイクルを長期化することができ、消耗部品の低コスト化ができる。

実施の形態７．
図５３の左側の図は実施の形態１（〜５）の半導体装置を構成するプリント基板の一部を示す概略断面図であり、図５３の右側の図は実施の形態７の半導体装置を構成するプリント基板の一部を示す概略断面図である。また図５４は、基本的に実施の形態７の半導体装置（回路部品２１が実装されている）の構成を示す断面図である。

図５３の左側の図を参照して、これまでに述べた各実施の形態１〜６においては、基本的にプリント基板１１のＣ面１１ａ上には、サーマルバイア１４の外周に隣接する領域を囲むレジスト１４と同一の層であるレジスト１４を介してシンボル印刷マーク１５が形成されている。しかし図５３の右側の図および図５４を参照して、しかしこのような構成に限られず、半導体装置７０１のように、たとえばＣ面１１ａ上に直接、シンボル印刷マーク１５が形成されてもよい。つまり本実施の形態においては、シンボル印刷マーク１５の直下にレジスト１４が配置されていない構成となっている。すなわち実施の形態１〜６のいずれの構成においても、本実施の形態の半導体装置７０１のように、レジスト１４を挟まずにＣ面１１ａ上に直接、シンボル印刷マーク１５が形成されてもよい。本実施の形態においても実施の形態１と同様に、シンボル印刷マーク１５上に回路部品２１が載置されるように実装されている。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
たとえば実施の形態１〜６のようなレジスト１４上にシンボル印刷マーク１５が形成される本実施の形態の半導体装置７０１は、回路部品２１の最下部と、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａとの高さ方向の間隔を、レジスト１４の厚みｔ₁₄とシンボル印刷マーク１５の厚みｔ₁₅との総和（図１参照）となるように制御することができる。しかしレジスト１４はその周囲の銅箔からなるパッド１３を保護したり、パッド１３との電気的絶縁性を確保したりする機能を確保する観点から、その厚みを大きくする必要があり、過度にレジスト１４を薄くすることは適切でない場合がある。その点、シンボル印刷マーク１５は単なる表示認識の機能をもたらすものであるため、その厚みを任意に制御することができる。

すなわち実施の形態１〜６においては、回路部品２１のプリント基板１１（Ｃ面１１ａ）に対する高さを決めるために、レジスト１４とシンボル印刷マーク１５との厚みの総和を考慮する必要があるのに対し、本実施の形態においては当該高さをシンボル印刷マーク１５の厚みのみにより制御することができる。このためレジスト１４の機能を損なわないようにその厚みを比較的厚く形成しつつ、シンボル印刷マーク１５を薄く形成することにより、回路部品２１のプリント基板１１（Ｃ面１１ａ）に対する高さを低くすることができる。これにより半導体装置７０１全体を、特に高さ方向に関してより低く（小さく）するように形成することができる。図５３に示すように、たとえばレジスト１４上にシンボル印刷マーク１５が形成される場合に比べてｔ_Dだけ薄くなるように形成することができる。

逆に実施の形態１〜６においてはレジスト１４上にシンボル印刷マーク１５が形成されるため、これらの実施の形態は、レジスト１４とシンボル印刷マーク１５との厚みの総和をより厚くするように形成したい場合に実益がある。

実施の形態８．
まず本実施の形態の半導体装置の構成を図５５〜図５７を用いて説明する。

図５５は、基本的に実施の形態８の半導体装置の構成を示す断面図であるが、上記各図と同様に、説明の都合上、部分的に図５７中の矢印Ａの方向から見た側面態様として示している箇所がある。図５６は図５５の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図５７は図５６のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。

図５５〜図５７を参照して、本実施の形態の半導体装置８０１の構成は、基本的に実施の形態１の第１例の半導体装置１０１の構成と同様であるため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置８０１においては、シンボル印刷マーク１５を有していない点において、半導体装置１０１と構成上異なっている。基本的に本実施の形態以降の各実施の形態の半導体装置は、シンボル印刷マーク１５を有していない。

具体的には、半導体装置８０１においては、プリント基板１１（プリント基板機材１１Ｓ）の一方の主表面上すなわちＣ面１１ａ上において、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域は、パッド１３と、パッド１３を覆うレジスト１４とで囲まれるように覆われている。回路部品２１はプリント基板１１のＣ面１１ａ側のパッド１３を覆うレジスト１４の上方において、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域のパッド１３を覆うレジスト１４上に載置されるように、実装されている。すなわち回路部品２１のうちここではヒートスプレッダ２２の下側の表面が、サーマルバイア１２の外周に隣接する（周囲を環状に囲む）領域のパッド１３と、そのパッド１３を覆うレジスト１４とを被載置部材とし、その被載置部材の表面上に接触するよう載置される。この被載置部材は、プリント基板１１のＣ面１１ａ側に接しているものとする。これにより、回路部品２１がプリント基板１１に実装されている。なおサーマルバイア１２の外周に隣接する領域以外の領域のパッド１３を覆うレジスト１４の表面上にも、ヒートスプレッダ２２の下側の表面が接触するよう載置されてもよいし、当該レジスト１４の表面上にモールド樹脂２１Ｓが接触するように載置されてもよい。またそのサーマルバイア１２の外周に隣接する領域においてサーマルバイア１２を囲むレジスト１４の上の領域、およびオーバーレジスト１４ｏｖの上の領域にははんだ３１が流入していない。なお上記領域よりもサーマルバイア１２およびオーバーレジスト１４ｏｖから離れた領域においてははんだ３１がヒートスプレッダ２２の下面（プリント基板１１側の面）に接触していてもよい。

つまりはんだ３１はプリント基板１１上のレジスト１４のすき間を縫うようにパッド１３に濡れ広がり、サーマルバイア１２内には流れ込むことなくはんだフィレットＨＦが形成されている。なおレジスト１４の図５５の上下方向の厚みは４０μｍ以上である。

本実施の形態の半導体装置８０１の製造方法は、基本的に図４〜図１４の半導体装置１０１の製造方法に準ずるため同一工程については説明を省略する。ただし半導体装置８０１の製造方法においては、図５５に示すように、回路部品２１が、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域の、プリント基板１１に接する被載置部材としてのパッド１３を覆うレジスト１４上に載置され、レジスト１４の上方に配置されるように、プリント基板１１に実装される。ここでは特に、サーマルバイア１２の外周に隣接する（周囲を環状に囲む）領域のパッド１３を覆うレジスト１４の表面上に接触するよう回路部品２１のヒートスプレッダ２２が載置され、回路部品２１がプリント基板１１に実装される。

なお被載置部材としてのレジスト１４は、その厚みを４０μｍ以上とすることが好ましい。レジスト１４の形成においてスクリーン印刷を用いる場合には、二層のレジスト１４を重ねるように形成することが好ましい。このようにすれば、形成されるレジスト１４内におけるピンホールの発生を抑制することができる。

次に、本実施の形態の作用効果を説明する。基本的に本実施の形態の作用効果は実施の形態１の作用効果と同様であるが、本実施の形態においては特に以下の効果を有する。

第一に、本実施の形態においては、回路部品２１（ここでは特にヒートスプレッダ２２）が、プリント基板１１の、特にサーマルバイア１２の周囲の、被載置部材としてのパッド１３を覆うレジスト１４上に載置される。これにより、シンボル印刷マーク１５を全く使用しないプリント基板１１においても、回路部品２１のプリント基板１１に対する高さを一意的に決めることができる。具体的には、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａ上に形成されたパッド１３およびレジスト１４の上に回路部品２１の一部が載置される。このため、回路部品２１の最下部と、プリント基板機材１１ＳのＣ面１１ａとの高さ方向の間隔を、パッド１３の厚みとレジスト１４の厚みとの総和となるように制御することができる。当該間隔が一定となることから、その間隔の部分に配置されるはんだ３１の厚み、および熱抵抗を安定に制御することができ、回路設計品質が向上する。

たとえば回路の詳細情報を秘匿することを目的としてシンボル印刷マーク１５による印字がなされないプリント基板１１も存在する。またたとえばコストダウンを目的としてシンボル印刷マーク１５が一切形成されないプリント基板１１も存在する。そのような場合においては本実施の形態を適用することにより、上記のようにはんだ３１の厚みの管理が容易に可能となる。

第二に、本実施の形態においては、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域においてパッド１３上のレジスト１４の上に載置されるように回路部品２１が接触する。このためサーマルバイア１２内へのはんだ３１の流入が、サーマルバイア１２の外周において回路部品２１の最下面に接するように配置される被載置部材としてのパッド１３とレジスト１４との積層構造により遮断される。このためサーマルバイア１２内へのはんだ３１の流入をより確実に抑制することができる。

その他、本実施の形態においてはヒートスプレッダ２２がシンボル印刷マーク１５と接触する領域が存在しない。このため、実施の形態１よりもヒートスプレッダ２２の表面のうちはんだ３１が濡れる部分の面積を大きくすることができ、両者の接合強度をより高めることができる。

なお図５５においては、レジスト１４は、パッド１３上に形成される部分と、パッド１３上でないＣ面１１ａ上に直接形成される部分とを有している。パッド１３上に形成されるレジスト１４の部分はＣ面１１ａ上に形成されるレジスト１４の部分よりも図の上方に乗り上がるように形成される。このため、パッド１３上のレジスト１４の部分が回路部品２１のヒートスプレッダ２２に接触し、回路部品２１はパッド１３上のレジスト１４の部分に載置される。

実施の形態９．
まず本実施の形態の半導体装置の構成を図５８〜図６０を用いて説明する。

図５８は、基本的に実施の形態９の半導体装置の構成を示す断面図であるが、上記各図と同様に、説明の都合上、部分的に図６０中の矢印Ａの方向から見た側面態様として示している箇所がある。図５９は図５８の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図６０は図５９のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。

図５８〜図６０を参照して、本実施の形態の第１例の半導体装置９０１の構成は、基本的に実施の形態８の半導体装置８０１の構成と同様であるため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置９０１においては、プリント基板１１の一方の主表面側のたとえばパッド１３上には、ボンディングワイヤ３２が形成されている。そして回路部品２１は、ボンディングワイヤ３２上に載置されるように実装されている。すなわち本実施の形態においては、回路部品２１を載置する被載置部材はボンディングワイヤ３２である。

ボンディングワイヤ３２は、たとえばドレイン端子用パッド１３Ｄの表面上に、その一方および他方の端部の双方が接続されるように形成されている。ボンディングワイヤ３２は、たとえばアルミニウムまたは金からなる細線であることが好ましい。ボンディングワイヤ３２の断面がなすたとえば円形の径については任意に選択できるが、この径により、回路部品２１のプリント基板１１に対する高さが決定される。つまり本実施の形態においてボンディングワイヤ３２は、実施の形態１のシンボル印刷マーク１５などと同様に、スペーサとして用いられる。

本実施の形態の半導体装置９０１の製造方法は、基本的に図４〜図１４の半導体装置１０１の製造方法に準ずるため同一工程については説明を省略し、以下では主にボンディングワイヤ３２を用いたはんだ印刷工程（図１２〜図１４に対応）について説明する。

本実施の形態においては、図１２〜図１４の工程に対応する、クリームはんだＣＲＨを用いたプリント基板１１へのはんだ印刷工程よりも前に、一般公知のワイヤボンディング工程によりボンディングワイヤ３２が接続される。なお特にドレイン端子用パッド１３Ｄ上にボンディングワイヤ３２が接続されることが好ましいが、これに限らずゲート端子用パッド１３Ｇ上、ソース端子用パッド１３Ｓ上にボンディングワイヤ３２が接続されてもよい。

図１３に示すように、通常はメタルマスクＭＭＫがプリント基板１１のＣ面１１ａ側の上方に、たとえばプリント基板１１に載置されるように、設置される。図６１においては３つの図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）が並ぶが、上側の（Ａ）から下側の（Ｃ）へ向けて工程が進む。図６２についても同様である。図６１を参照して、仮にプリント基板１１上にボンディングワイヤ３２が接続されるがこれがメタルマスクＭＭＫの開口部ＣＶ内に配置される場合は、図１３のようにボンディングワイヤ３２を有さない場合と同様に、はんだ印刷工程によりメタルマスクＭＭＫと同じ厚み分だけクリームはんだＣＲＨが印刷される。この場合にはメタルマスクＭＭＫはボンディングワイヤ３２の上に乗り上げないため、たとえば図１３と同様にメタルマスクＭＭＫがプリント基板１１の表面上に載置されるように設置されるためである。

しかし図６２を参照して、仮にプリント基板１１上のボンディングワイヤ３２が、メタルマスクＭＭＫの開口部ＣＶ外に配置される場合には、ボンディングワイヤ３２の径の分だけ、図６１の例に比べてクリームはんだＣＲＨは厚く形成される。これは図６２においてはメタルマスクＭＭＫはボンディングワイヤ３２に接触するように載置することから図６１よりも上方に浮かぶように設置されるためである。

このように、ボンディングワイヤ３２の接合位置に応じて、メタルマスクＭＭＫを用いた印刷工程によりプリント基板１１上に形成されるクリームはんだＣＲＨ（はんだ３１）の厚みが変わることとなる。

したがって、ボンディングワイヤ３２の径を加味した厚みのはんだ３１を形成する場合には図６２のように開口部ＣＶ外にボンディングワイヤ３２が配置されるようにその配置位置を設計することが好ましい。逆にメタルマスクＭＭＫとボンディングワイヤ３２との干渉によりはんだ印刷厚みが意図せず過大となることを抑制する場合には、図６１のように開口部ＣＶ内にボンディングワイヤ３２が配置されるようにその配置位置を設計することが好ましい。

次に、ボンディングワイヤ３２の取り付けの詳細について、図６３および図６４を用いて説明する。

図６３はパッド１３上に取り付けられたボンディングワイヤ３２を平面視した態様を示し、図６４はパッド１３上に取り付けられたボンディングワイヤ３２の断面形状を示している。図６３および図６４を参照して、本実施の形態におけるボンディングワイヤ３２は、高さ方向（上下方向でありはんだの厚み方向）の寸法等を管理する観点から、ステッチボンディングとすることが好ましい。すなわちボンディングワイヤ３２はプリント基板１１のパッド１３上に、パッド１３に沿うように配置されたワイヤに対してステッチボンディングがなされる。これにより図６４に示すように、ボンディングワイヤ３２の一方の端部にボンディングツール痕Ｔ１、他方の端部にボンディングツール痕Ｔ２およびボンディング切り離し痕Ｔ３が形成されるように、ボンディングワイヤ３２が接合される。このとき、ボンディングワイヤ３２はプリント基板１１に対して上方に浮く場合があるが、後工程における回路部品２１の実装工程時に実装機による下方への押し込み動作により、ボンディングワイヤ３２はプリント基板１１のパッド１３上に接触するように密着される。

次に、本実施の形態の作用効果、および他の例について説明する。
本実施の形態によれば、回路部品２１の被載置部材として、シンボル印刷マーク１５、および実施の形態８のレジスト１４の代わりに、ボンディングワイヤ３２が用いられる。したがってボンディングワイヤ３２により、回路部品２１のプリント基板１１に対する高さを一意的に決めることができる。ボンディングワイヤ３２が回路部品２１およびパッド１３の表面に接触するように回路部品２１が実装されることにより、ボンディングワイヤ３２の断面の径が、パッド１３と回路部品２１の最下部との隙間と等しくなるためである。これにより、他の実施の形態と同様に、上記隙間部分に配置されるはんだ３１の厚み、および熱抵抗を安定に制御することができ、回路設計品質が向上する。

はんだ３１の厚みについて、たとえば実施の形態１のようにレジスト１４上にシンボル印刷マーク１５が形成される例においては両者の厚みの和である１００μｍ以下程度とすることができ、たとえば実施の形態８のパッド１３上のレジスト１４の例においては５０μｍ以下程度とすることができる。これに対して本実施の形態においては、金のボンディングワイヤ３２を用いた場合にはその径が７５μｍ以上１００μｍ以下程度であり、アルミニウムのボンディングワイヤ３２を用いた場合にはその径が５０μｍ以上４００μｍ以下程度である。このことから本実施の形態によれば、はんだ３１の厚みをより広範囲に制御することができる。

図６５および図６６を参照して、本実施の形態の第２例の半導体装置９０２は、基本的に第１例の半導体装置９０１と同様の構成を有しているため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置９０２においては、半導体装置０９０１に比べてドレイン端子用パッド１３Ｄ上におけるボンディングワイヤ３２の接続される位置が異なっている。

ボンディングワイヤ３２としてはアルミニウム製のワイヤ、金製のワイヤ、または銅製のワイヤが用いられる。このためボンディングワイヤ３２が正常にプリント基板１１のパッド１３の部分の上に密着されている場合には、回路部品２１のヒートスプレッダ２２の真下にボンディングワイヤ３２が配置されたとしても、熱抵抗の変化量はわずかとなる。しかし形成される半導体装置の精度および製造ばらつきによっては、ボンディングワイヤ３２の密着性が低下、すなわちボンディングワイヤ３２のパッド１３表面上への密着度が不足する可能性がある。そのような場合には、熱抵抗の高いレジスト１４の表面上にボンディングワイヤ３２が接触し密着するように、ボンディングワイヤ３２の位置が設計されることが好ましい。

実施の形態１０．
図６７は本実施の形態の半導体装置の製造工程のうち回路部品が実装される前のプリント基板の平面態様を示している。図６８は図６７に対してはんだ印刷工程がなされた後のプリント基板の平面態様を示している。図６９は図６８に対して接着剤の塗布工程がなされた後のプリント基板の平面態様を示している。図７０は図６９に対して回路部品がリフロー工程によりプリント基板に接合され実装された後の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。すなわち図６７〜図７０は本実施の形態の半導体装置の製造工程を示し、図７０は完成後の本実施の形態の半導体装置を示している。

図６７〜図７０を参照して、本実施の形態の半導体装置１００１の構成は、基本的に実施の形態８の半導体装置８０１と同様である。このため半導体装置８０１と同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置１００１においては、実装により互いに接合されるプリント基板１１と回路部品２１との間に部分的に、接着剤３４が挟まれる。そして回路部品２１はこの接着剤３４上に載置されるように実装されている。すなわち本実施の形態においては、回路部品２１を載置する被載置部材は接着剤３４である。すなわち接着剤３４は、回路部品２１に含まれる電子部品のプリント基板１１への固定に用いられる。接着剤３４は一般的なエポキシ樹脂からなることが好ましい。

このため本実施の形態においては、図６７に示すように、実装工程において、プリント基板１１のＣ面１１ａ側の表面の一部に、接着剤塗布部３３が設けられる。接着剤塗布部３３は、たとえば実施の形態１の半導体装置１０１におけるシンボル印刷マーク１５の形成箇所に対応する４か所、すなわちたとえば実装後にモールド樹脂２１Ｓと接触可能な箇所に設けられる。なおドレイン端子用パッド１３Ｄの表面上の接着剤塗布部３３には、あらかじめレジスト１４のパターンが形成されてもよいが、形成されなくてもよい。またここで形成されるレジスト１４の平面形状は任意であるが、たとえば図６７のように接着剤塗布部３３を円形状に設ける場合には、円環状のレジスト１４が形成されることが好ましい。

図６８に示すように、図１２〜図１４の工程と同様にプリント基板１１にクリームはんだＣＲＨが印刷される。なおこの工程において接着剤塗布部３３にははんだが印刷されないようにメタルマスクが設計される。

図６９に示すように、プリント基板１１の接着剤塗布部３３に接着剤３４が塗布される。接着剤塗布部３３にははんだが印刷されていないため、はんだ印刷工程の後に、接着剤塗布部３３に接着剤３４を供給することができる。接着剤３４の塗布は、滴下塗布、ディスペンサ塗布、スタンプ塗布のいずれの方法によりなされてもよい。接着剤３４を構成するエポキシ樹脂材料等には、予めスペーサ用のフィラーが混合されることが好ましい。このようにすれば、接着剤３４の上に接合される回路部品２１のプリント基板１１に対する実装高さを任意に制御することができる。このため他の実施の形態と同様に、はんだ３１の厚みを制御することができる。また接着剤塗布部３３にたとえば円環状のレジスト１４のパターンが形成される場合には、当該空洞内にフィラーを含む接着剤３４が供給されることが好ましい。このようにすれば、接着剤３４の接着剤塗布部３３から外部への流出を抑制することができる。

なお接着剤３４に予めスペーサ用のフィラーが混合されない場合には、接着剤塗布部３３に形成される接着剤３４が硬化されたときの厚み、およびその下にレジスト１４のパターンが形成される場合にはそのレジスト１４のパターンが硬化されたときの厚みにより、プリント基板１１と回路部品２１とを接合するはんだの厚みを管理することができる。

図７０を参照して、接着剤３４を挟むように、プリント基板１１上に回路部品２１が、図１０および図１１と同様のリフロー工程により実装される。なお図６９において供給された接着剤３４は、図７０のリフロー工程におけるリフロー炉内の溶融はんだと同時に硬化される。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、接着剤３４により回路部品２１とプリント基板１１とが接合されるため、リフロー工程において回路部品２１がプリント基板１１から落下するなどの不具合を抑制し、両者を高精度に接合させることができる。

また本実施の形態においては、接着剤３４に混合されるスペーサ用のフィラーにより、接着剤３４の上に接合される回路部品２１のプリント基板１１に対する実装高さを任意に制御することができる。

また実施の形態１と同様に、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域に配置されるレジスト１４の撥水効果により、たとえサーマルバイア１２の真上にはんだが侵入したとしても、そこからサーマルバイア１２内へのはんだの流入を抑制することができる。

実施の形態１１．
図７１は図６８に対して硬化性樹脂の塗布工程がなされた後のプリント基板の平面態様を示している。図７２は図７１に対して回路部品がリフロー工程によりプリント基板に接合され実装された後の半導体装置全体の構成を示す概略平面図である。すなわち図６７、図６８、図７１および図７２は本実施の形態の半導体装置の製造工程を示し、図７２は完成後の本実施の形態の半導体装置を示している。

図７１および図７２を参照して、本実施の形態の半導体装置１１０１は、基本的に実施の形態１０の半導体装置１００１と同様の構成を有している。このため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置１１０１においては、実装により互いに接合されるプリント基板１１と回路部品２１との間に部分的に、接着剤３４の代わりに硬化性樹脂３５が挟まれる。なおここで硬化性樹脂とは、絶縁性であり、かつ加熱により硬化するいわゆる熱硬化性樹脂を意味する。そして回路部品２１はこの硬化性樹脂３５上に載置されるように実装されている。すなわち本実施の形態においては、回路部品２１を載置する被載置部材は硬化性樹脂３５である。

硬化性樹脂３５はスペーサとして活用される。このため硬化性樹脂３５には、体積収縮率の低いフィラーが混合されていることが好ましい。また硬化性樹脂３５を用いる場合には、硬化性樹脂３５の硬化時の収縮を考慮したうえで、回路部品２１のプリント基板１１に対する高さが設計されることが好ましい。これにより、硬化性樹脂３５を用いた場合においても、実施の形態１０のように接着剤３４を用いた場合と同様に、プリント基板１１と回路部品２１とを接合するはんだの厚みを管理することができる。なお硬化性樹脂３５は、実施の形態１０の接着剤３４が設けられる箇所と同じ４か所、すなわちたとえば実装後にモールド樹脂２１Ｓと接触可能な箇所に設けられる。

本実施の形態の半導体装置１１０１の製造工程のうち特にプリント基板１１への回路部品２１の実装工程については、実施の形態１０の図６７，６８，６９，７０を用い、図６９を図７１に、図７０を図７２に置き換えることにより説明可能である。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
以上のように、被載置部材として、実施の形態１０の接着剤３４の代わりに硬化性樹脂３５が設けられてもよい。このようにすれば、基本的に実施の形態１０と同様に、リフロー工程における回路部品２１のプリント基板１１からの落下を抑制する作用効果が得られる。

その他、本実施の形態においては、硬化性樹脂３５に混合されるフィラーの種類および量などを制御することにより、プリント基板１１と回路部品２１とを接合するはんだの厚みを管理することができる。具体的には、たとえば図１０の下図において実装機にプログラムされたトルクにより回路部品２１が下方のプリント基板１１側に押し込まれる工程において、ほぼ１個のフィラーの径に等しい厚みとなるように、プリント基板１１と回路部品２１との間のはんだ３１の厚みを管理することができる。このように硬化性樹脂３５に混合されるフィラーの粒径に応じてはんだ３１の厚みを管理することができるため、実施の形態１のようにシンボル印刷マーク１５を用いる場合などに比べて、設定可能なはんだ３１の厚みの範囲を広げることができる。すなわちたとえば実施の形態１のようにシンボル印刷マーク１５を用いる場合、はんだ３１の厚みは１５μｍ以上２０μｍ以下程度、実施の形態８のようにレジスト１４に回路部品２１を載置する場合は２０μｍ以上４０μｍ以下程度である。これに対し本実施の形態においては８０μｍ以上１６０μｍ以下程度のはんだ３１を形成することが可能となる。

実施の形態１２．
図７３は、本実施の形態の第１例の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図７４は図７３のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。図７５は、本実施の形態の第２例の半導体装置を構成するプリント基板の平面態様を示している。図７６は図７５のプリント基板に回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の半導体装置の構成を図７３〜図７６を用いて説明する。

図７３〜図７６を参照して、本実施の形態の半導体装置１２０１，１２０２は、基本的に実施の形態８の半導体装置８０１、実施の形態１０の半導体装置１００１など上記の各実施の形態の構成と同様である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし半導体装置１２０１，１２０２においては、実装により互いに接合されるプリント基板１１と回路部品２１との間に、接着剤３４、硬化性樹脂３５の代わりに樹脂シート３６が挟まれる。樹脂シート３６は図７３，７４の半導体装置１２０１のようにサーマルバイア１２の平面視における左、右および下の三方を囲むように延びる平面形状であってもよい。あるいは樹脂シート３６は、図７５，７６の半導体装置１２０２のようにサーマルバイア１２の平面視における左および右の二方を囲むように延びる平面形状であってもよい。図７４および図７６に示すように、樹脂シート３６の上に載置されるように回路部品２１が実装される。したがって本実施の形態においては、回路部品２１を載置する被載置部材は樹脂シート３６である。この樹脂シート３６には、回路部品２１の特にモールド樹脂２１Ｓの部分が接触するように搭載されることが好ましいが、これに限らずヒートスプレッダ２２の部分が接触するように搭載されてもよい。

樹脂シート３６は事前に図７３または図７５に示す平面形状となるようにカットまたは成形されたものである。樹脂シート３６の厚みは５０μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。樹脂シート３６は、たとえば接着性および粘着性に優れた樹脂材料により形成されることが好ましい。このようにすれば、樹脂シート３６のプリント基板１１上への搭載時におけるプリント基板１１に対する位置ずれを抑制することができる。また樹脂シート３６は熱伝導性に優れた樹脂材料により形成されることが好ましい。このようにすれば、通常は放熱に寄与しにくい回路部品２１に含まれるモールド樹脂２１Ｓを樹脂シート３６に接触させることにより、モールド樹脂２１Ｓから樹脂シート３６へ良好に放熱させることができる。

なお樹脂シート３６は、プリント基板１１のはんだ印刷がされた領域に貼り付けられる場合がある。その場合には、樹脂シート３６の代わりに、銅などの金属製のシートが用いられてもよい。ただし金属製のシートにおいても、少なくとも、導電性薄膜であるパッド１３および、周辺に配置される他の回路部品などと電気的に絶縁可能であることが求められる。

プリント基板１１に図１２〜図１４のはんだ印刷工程がされた後に、樹脂シート３６が図７３または図７５に示すようにプリント基板１１上に搭載される。その後、樹脂シート３６上に回路部品２１が搭載され、リフロー工程によりはんだ付けされる。そのため樹脂シート３６は耐熱性に優れ、リフロー工程時の溶融はんだによる熱収縮、熱変形、膨れなどが起こりにくい材質であることが好ましい。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
以上のように、被載置部材として樹脂シート３６が設けられてもよい。本実施の形態においては、たとえば接着性および粘着性に優れた樹脂材料により形成された樹脂シート３６により、回路部品２１とプリント基板１１とが接合される。このため、リフロー工程において回路部品２１がプリント基板１１から落下するなどの不具合を抑制し、両者を高精度に接合させることができる。

また樹脂シート３６は図７３および図７５に示すように、たとえばシンボル印刷マーク１５などに比べて充分に大きい平面積を有する。このため樹脂シート３６の上に回路部品２１を搭載させる際に、回路部品２１を実装機により吸着搬送するだけで、位置精度をあまり考慮することなく、容易に搭載させることができる。

また上記のように樹脂シート３６はシンボル印刷マーク１５などに比べて充分に大きい平面積を有する。このため回路部品２１に含まれる配線部品または配線補助部品が樹脂シート３６の上に載置された場合においても、樹脂シート３６の高い熱伝導率により、配線部品などの発する熱を、樹脂シート３６からプリント基板１１側へ、高効率に放熱させることができる。

その他、回路部品２１とプリント基板１１との間に挟まれる樹脂シート３６の厚みを制御することにより、両者間に挟まれるはんだ３１の厚みを管理することができる。具体的には当該はんだ３１の厚みを５０μｍ程度以上５００μｍ程度以下の広い範囲に設計することができる。これによりはんだ３１の厚みを半導体装置１２０１，１２０２において理想的な厚みとすることができる。

また本実施の形態においても他の実施の形態と同様に、サーマルバイア１２内へのはんだの流入を抑制することができる。

実施の形態１３．
図７７は、本実施の形態の第１例の半導体装置の製造工程のうち、特に実装される直前の回路部品の加工工程および回路部品が実装される工程を示している。図７８および図７９は、図７７のうち特に実装される直前の回路部品の加工工程をより詳細に示している。図７７を参照して、本実施の形態の第１例においては、実施の形態８の半導体装置８０１と基本的に同様の構成を有する半導体装置１３０１が、半導体装置８０１と基本的に同様の製造方法により形成される。また本実施の形態においても実施の形態１の半導体装置１０１と同様に、プリント基板１１のＣ面１１ａ上の導電性薄膜としてのパッド１３が形成され、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域を囲みながら覆うレジスト１４がパターニングされる。さらに本実施の形態の第１例の半導体装置１３０１の製造方法においても他の実施の形態と同様に、レジスト１４と重なった状態でプリント基板１１に実装される回路部品２１が、プリント基板１１と電気的に接合可能な金属部品としての電極２３を含んでいる。さらに本実施の形態においても、サーマルバイア１２の外周に隣接する領域において導電性薄膜であるパッド１３を覆いかつサーマルバイア１２の外周に隣接する領域を囲むレジスト１４がパターニングされる。このため上記各実施の形態と重複する構成要素等についてはその説明を繰り返さない。

ただし本実施の形態においては、回路部品２１に含まれる電極２３には、回路部品２１をプリント基板１１に実装可能とするように、複数回の曲げ加工がなされる。つまり図７７の第１図のように、まず上記の他の実施の形態と同様に電極２３（たとえばソース電極２３Ｓ）が２か所にて屈曲された形状を有するよう曲げ加工がなされる。その後、図７７の第２図のように、電極２３の屈曲部に対してさらに追加の曲げ加工がなされる。これにより電極２３は、図７７の第１図に対してさらに屈曲角度が変化する態様となる。このとき、それまで湾曲されていなかったヒートスプレッダ２２についても、図の右端部が下方に曲がるように湾曲させる加工がなされる。

図７７の第３図に示すように、複数回の曲げ加工がなされた電極２３を有し、ヒートスプレッダ２２も湾曲された回路部品２１が、はんだ３１によりプリント基板１１と接合され、半導体装置１３０１が形成される。

次に、上記の電極２３の複数回の曲げ加工の手順について、図７８および図７９を用いて説明する。

図７８の第１図を参照して、回路部品の加工工程の第１例においては、上記の他の各実施の形態の回路部品２１と同様に曲げ加工された電極２３が形成された状態で、これがモールド下金型４１とモールド上金型４２との間に挟まれるように、当該金型にセットされる。図７８の第２図を参照して、モールド下金型４１とモールド上金型４２とが嵌合するよう閉じられる。これにより、電極２３が屈曲するよう追加工されるとともに、ヒートスプレッダ２２の右端部も湾曲するよう加工される。図７８の第３図を参照して、加工後の回路部品２１が取り出され、図７８の第４図のようにはんだ３１によりプリント基板１１上に接合される。これにより、ヒートスプレッダ２２の湾曲した右端部の最下部と、ヒートスプレッダ２２の湾曲していない部分の最下部との間に厚み方向の間隔ｔを有する態様となるように形成される。以上により半導体装置１３０１が形成される。

図７９の第１図を参照して、回路部品の加工工程の第２例においては、まずモールド樹脂２１Ｓによる封止工程が完了した回路部品が準備される。これに対して図７９の第２図のようにリードすなわち電極２３およびヒートスプレッダ２２となる金属部品の部分が所望の長さとなるようにカットされる。図７９の第３図を参照して、リードフォーミングにより電極２３の形状となるようにリードに対して曲げ加工がなされる。図７９の第４図を参照して、電極２３に対して追加の曲げ加工がなされ、たとえば図の電極２３の上下方向に延びる部分を引き延ばすような加工がなされる。またヒートスプレッダ２２の右端部についても下方に曲げるように加工される。これらの加工量は、当該回路部品２１とプリント基板１１とを接合するはんだの厚みの設計値に応じて決定される。

図８０は、本実施の形態の第２例の半導体装置の構成を示している。図８０（Ａ），（Ｂ）を参照して、本実施の形態の第２例の半導体装置１３０２においては、回路部品として、上記の各例の回路部品２１に加え、細長い平板状の金属製の配線補助部品２５を含んでいる。この配線補助部品２５はたとえば銅製のバーである。配線補助部品２５はその長く延びる方向に関する一方の端部および他方の端部において、プリント基板１１側すなわち下側に向けて湾曲している。プリント基板１１のＣ面１１ａ側の表面上に実装された構成を有している。配線補助部品２５は、図８０（Ｂ）に示すように、その一方および他方の端部の下側に湾曲した部分において、プリント基板１１に接合されている。また配線補助部品２５は、プリント基板１１の主表面に沿う図の左右方向に関して、回路部品２１と配線部品２６との間に配置され、回路部品２１と配線部品２６とを電気的に接続している。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
第一に、本実施の形態においては、たとえば半導体装置１３０１の製造方法のように、電極２３に対し複数回の曲げ加工がなされる。これにより、電極２３の図の上下方向すなわち半導体装置１３０１の高さ方向に延びる部分がたとえば長くなるように寸法調整することが可能となる。またヒートスプレッダ２２の先端部が下方に湾曲するように加工することもできる。このため、たとえば図７７の第３図が示すように、回路部品２１のプリント基板１１に対する高さを、他の各実施の形態よりも高くなるように制御することができる。これにより、たとえば図７７の第３図に示すように、回路部品２１の最下部がプリント基板１１を構成する部材に載置されないように、言い換えれば回路部品２１をプリント基板１１に対して上方に浮かせるように、配置することができる。したがって本実施の形態においてはヒートスプレッダ２２の最下面は実施の形態８におけるレジスト１４などの被載置部材の上に載置されておらず、パッド１３とヒートスプレッダ２２の間の領域はその全体がはんだ３１により充填されている。またレジスト１４とヒートスプレッダ２２の最下面との間にもはんだ３１が配置されている。この点において本実施の形態の半導体装置１３０１は、被載置部材を有する他の実施の形態の半導体装置と構成上異なっている。

これにより本実施の形態においては、たとえばレジスト１４の厚みよりも厚くなるように、回路部品２１とプリント基板１１との間のはんだ３１の厚みを制御することができる。

また半導体装置１３０２のように一方および他方の端部を湾曲させた配線補助部品２５をプリント基板１１上に実装した構成においては、プリント基板１１のはんだ印刷されたＣ面１１ａ側の表面と、配線補助部品２５の上記端部以外のプリント基板１１に沿って延びる領域との隙間が確保される。この隙間は、配線補助部品２５のプリント基板１１に対する高さに対応する。これにより、半導体装置１３０２に高さ方向（図８０（Ｂ）の上下方向）に関して配線補助部品２５のプリント基板１１に対する高さを制御することができ、当該領域の接続に用いられるはんだの厚みを制御することができる。

第二に、半導体装置１３０１において、プリント基板１１に形成されるサーマルバイア１２の数を減少させることなく、上記のように回路部品２１をプリント基板１１に対してより上方に配置する構成とすることができる。またプリント基板１１のサーマルバイア１２上には厚みの大きいはんだ３１を配置することができる。サーマルバイア１２の数が減少しないことと、熱導電性の高いはんだ３１の存在とにより、回路部品２１からプリント基板１１側への熱抵抗の増加を抑制することができる。

また図示されないが、半導体装置１３０２の配線補助部品２５の一方および他方の端部、およびその側面には、レジスト１４が接触しないため、はんだ３１が良好に濡れ、良好なはんだフィレットＨＦが形成される。このため、外観検査により当該はんだ３１の接合部の良否判定を容易に行なうことができる。

第三に、本実施の形態は、曲げ加工用の金型に対し少しの加工を行なうことのみにより、追加の曲げ加工を行なうことが金型を容易に準備することができる。その金型を用いて追加の曲げ加工を行なえば、電極２３等の形状を安定させることができる。このため半導体装置１３０１等の品質を安定させることができる。

第四に、上記の追加の曲げ加工は回路部品２１の実装工程よりも前になされる工程に過ぎず、本実施の形態においても実装工程は基本的に他の実施の形態と同様である。このため、他の実施の形態と同様の実装機を用いて実装工程を行なうことができる。

実施の形態１４．
図８１は、本実施の形態の半導体装置を構成する回路部品をプリント基板側すなわち裏面側から見た平面態様を示している。図８２はプリント基板に図８１の回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の半導体装置の構成を図８１〜図８２を用いて説明する。

図８１〜図８２を参照して、本実施の形態の半導体装置１４０１の構成は、基本的に半導体装置１００１の構成と同様であるため、その説明を繰り返さない。半導体装置１４０１は半導体装置１００１と構成上は同一であるが、その製造方法において若干の相違がある。すなわち本実施の形態の半導体装置１４０１の製造方法においては、プリント基板１１と回路部品２１との間に挟まれる被載置部材としての接着剤３４は、回路部品２１のプリント基板１１側すなわち下側の主表面上（他方の主表面上）に供給される。この点において本実施の形態の半導体装置１４０１の製造方法は、プリント基板１１に接着剤３４が供給される半導体装置１００１の製造方法と異なるが、他の点においては基本的に半導体装置１００１の製造方法と同様である。

なお接着剤３４は、図８１および図８２においては、実施の形態１０の半導体装置１００１（図７０参照）と同様に、回路部品２１の特にモールド樹脂２１Ｓの裏面上の４か所に、接着するように設けられる。しかしたとえば図８１の上側の１対の接着剤３４の位置、およびモールド樹脂２１Ｓの裏面上の図８１の対称線である直線Ｌ１上の位置の合計３か所のみに、接着剤３４が供給されてもよい。つまりこの場合、接着剤３４は、たとえば半導体装置５０２におけるシンボル印刷マーク１５（図３４参照）と同様に、回路部品２１の互いに隣り合う１対の隅部のそれぞれ、および当該１対の隅部の中間を通りそれらを結ぶ方向に交差する方向に延びる直線Ｌ１上の位置の合計３か所に配置される。

図８３および図８４は、回路部品２１に接着剤３４を供給する工程を示している。図８３を参照して、当該工程においては、回路部品２１を上下反転させ、プリント基板１１に対向する裏面上の一部であるたとえばモールド樹脂２１Ｓの表面上に、供給ノズル１９から接着剤３４が供給される。これにより図８４に示すような態様となる。なお図８３においては接着剤３４はモールド樹脂２１Ｓの裏面上に供給されているが、これに限らずたとえばヒートスプレッダ２２の裏面上に供給されてもよい。この接着剤３４が、プリント基板１１のＣ面１１ａ側の表面上に接着することにより実装され、半導体装置１４０１が形成される。

その他、本実施の形態においても、接着剤３４と接触する部分に対応するプリント基板１１の部分にははんだが印刷されないようにメタルマスクが設計される。

また本実施の形態においては、回路部品２１の裏面上に接着剤３４を塗布した後、その接着剤３４が硬化する前に実装工程がなされることが求められる。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態１０の作用効果に加え、以下の作用効果を有する。

第一に、本実施の形態においては回路部品２１に接着剤３４が供給されるため、プリント基板１１に接着剤３４が供給される場合に比べて、接着剤３４を供給可能な範囲を広げることができる。つまり回路部品２１の裏面上の一部の領域であれば、基本的にどの領域に接着剤３４が供給されたとしても、回路部品２１をプリント基板１１に対して正確に位置決めしたうえで実装することができる。したがって、接着剤３４を供給すべき領域が狭いプリント基板１１上に接着剤３４が供給される場合に比べて、接着剤３４の供給を容易に行なうことができる。

第二に、仮にプリント基板１１上に接着剤３４が供給されれば、既にプリント基板１１に印刷されたクリームはんだＣＲＨと接着剤３４との混合により、クリームはんだＣＲＨの量が意図せず変化する可能性がある。これに対し本実施の形態においては回路部品２１に接着剤３４が供給されるため、そのような不具合が起こる可能性を低減することができる。したがって本実施の形態によればはんだ量の管理が容易になるとともに、メタルマスクの設計を容易にすることができる。

実施の形態１５．
図８５は、本実施の形態の半導体装置を構成する回路部品をプリント基板側すなわち裏面側から見た平面態様を示している。図８６はプリント基板に図８５の回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の半導体装置の構成を図８５〜図８６を用いて説明する。

図８５〜図８６を参照して、本実施の形態の半導体装置１５０１の構成は、基本的に半導体装置１１０１の構成と同様であるため、その説明を繰り返さない。半導体装置１５０１は半導体装置１１０１と構成上は同一であるが、その製造方法において若干の相違がある。すなわち本実施の形態の半導体装置１５０１の製造方法においては、プリント基板１１と回路部品２１との間に挟まれる被載置部材としての硬化性樹脂３５は、回路部品２１のプリント基板１１側すなわち下側の主表面上（他方の主表面上）に供給される。この点において本実施の形態の半導体装置１５０１の製造方法は、プリント基板１１に硬化性樹脂３５が供給される半導体装置１１０１の製造方法と異なるが、他の点においては基本的に半導体装置１１０１の製造方法と同様である。

図８５および図８６に示すように、硬化性樹脂３５は、硬化前の流動性のもの、または既に硬化されたものが、図８１および図８２と同一位置である４か所に接着するように設けられる。ただし実施の形態１４に記載の３か所と同一位置である３か所のみに硬化性樹脂３５が供給された構成であってもよい。

回路部品２１に硬化性樹脂３５を供給する工程は、基本的に図８３および図８４により説明可能であり、供給ノズル１９から流動性の硬化性樹脂３５が供給される。このように硬化性樹脂３５が、プリント基板１１のＣ面１１ａ側の表面上に接着することにより実装され、半導体装置１５０１が形成される。ただし既に硬化された硬化性樹脂３５が供給される場合には、供給ノズル１９を用いずに硬化後の硬化性樹脂３５が回路部品２１の裏面上の一部であるモールド樹脂２１Ｓの表面上などに供給される。

いずれにせよ、本実施の形態においては、回路部品２１の他方の主表面上に供給された硬化性樹脂３５が硬化した後に実装工程が行なわれる。硬化性樹脂３５の硬化方法は、硬化性樹脂３５を構成する材質の反応基により変化する。すなわち当該反応基に応じて、加熱硬化、紫外線硬化、加湿硬化等の工程を、その処理が行われる環境等に応じて適宜組み合わせ適用することができる。

言い換えれば本実施の形態においては、実施の形態１４の接着剤３４が硬化性樹脂３５に置き換わっているのであり、それ以外については基本的に実施の形態１４と同様である。このため実施の形態１４と同様の点についてはその説明を繰り返さない。また本実施の形態の作用効果も基本的に実施の形態１４の作用効果と同様である。

実施の形態１６．
図８７は、本実施の形態の半導体装置を構成する回路部品をプリント基板側すなわち裏面側から見た平面態様を示している。図８８はプリント基板に図８５の回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。まず本実施の形態の半導体装置の構成を図８７〜図８８を用いて説明する。

図８７〜図８８を参照して、本実施の形態の半導体装置１６０１においては、回路部品２１のプリント基板１１側すなわち下側の主表面上（他方の主表面上）に、被載置部材としての凸部３７が形成されている。すなわち本実施の形態の製造方法においては上記の位置に凸部３７を形成する工程をさらに備えている。

凸部３７は、図８７および図８８においては、たとえば実施の形態１４の半導体装置１４０１における接着剤３４と同様の位置に形成される。すなわち回路部品２１の特にモールド樹脂２１Ｓの裏面上の４か所または３か所に設けられる。モールド樹脂２１Ｓは回路部品２１のモールド樹脂２１Ｓの裏面から突起するように形成されており、モールド樹脂２１Ｓと一体となっている。この場合、凸部３７はモールド樹脂２１Ｓと同一の材料により形成される。したがって厳密には、半導体装置１６０１において回路部品２１は凸部３７に載置されると言えない。しかし凸部３７は実施の形態１４の接着剤３４などと同様の役割を有することから、ここでは凸部３７を被載置部材と考え、半導体装置１６０１において回路部品２１が凸部３７上に載置されると考えることにする。

以上のように回路部品２１に凸部３７を形成する工程について、図８９を用いて説明する。図８９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程のうち、特に実装される直前の回路部品の加工工程である回路部品への凸部３７の形成工程を示している。

図８９の第１図を参照して、本実施の形態においては、上記の他の実施の形態と同様にモールド樹脂２１Ｓ、ヒートスプレッダ２２、電極２３、半導体チップ５１などを有する回路部品２１が準備される。なおこの時点で電極２３は屈曲されていなくてもよい。これがモールド下金型４１とモールド上金型４２との間に挟まれるように、当該金型にセットされる。モールド下金型４１にはその内壁面の一部に凸部形成部４３が形成されている。凸部形成部４３は内壁面においてそこから深さ方向に向けて突起した凹形状を有している。

図８９の第２図を参照して、モールド下金型４１とモールド上金型４２とが嵌合するよう閉じられ、金型内にモールド樹脂２１Ｓを形成するための流動性の樹脂が供給される。この樹脂で金型内が充填されることにより、図８９の第３図に示すように突起状の凸部３７が形成されたモールド樹脂２１Ｓが形成される。図８９の第４図を参照して、以後適宜、電極２３などに対して曲げ加工がなされる。

図９０を参照して、図８９の工程により形成された凸部３７を有するモールド樹脂２１Ｓを含む回路部品２１が、実施の形態１の図１０〜図１１に示すリフロー工程により、あらかじめはんだ印刷されたプリント基板１１に実装される。これにより、凸部３７はプリント基板１１のＣ面１１ａ側の表面に接触する態様となる。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態における被載置部材としての凸部３７は、基本的に実施の形態１４の接着剤３４、および実施の形態１５の硬化性樹脂３５と同様の位置に配置され、同様の役割を有する。したがって本実施の形態においては実施の形態１４と同様に、凸部３７により回路部品２１のプリント基板１１に対する実装高さが決定されるとともに、サーマルバイア１２周囲のレジスト１４によりサーマルバイア１２内へのはんだの流入を抑制することができる。また回路部品２１に凸部３７が形成されるため、プリント基板１１上に接着剤３４を供給する場合などに比べて、被載置部材を容易に形成することができ、プリント基板１１に印刷されるはんだ量の管理及びメタルマスクの設計を容易にすることができる。

またたとえば実施の形態１４においては、接着剤３４を回路部品２１に塗布してから接着剤３４が硬化するまでの間に回路部品２１をプリント基板１１に実装することが求められる。このため接着剤３４の塗布工程から回路部品２１の実装工程を行なうまでの時間に制限を有することになる。しかし本実施の形態においては、モールド樹脂２１Ｓが部分的に突起した凸部３７が形成されるだけであるため、これを形成してから回路部品２１をプリント基板１１に実装するまでの時間の長さに制約はない。この意味で工程の時間管理を単純化させることができる。

さらに本実施の形態においては、モールド樹脂２１Ｓが部分的に突起した凸部３７が形成される。このため接着剤３４を回路部品２１に塗布供給する場合のような供給位置の精密制御が不要となり、工程を簡略化させることができる。

実施の形態１７．
図９１は、本実施の形態の半導体装置を構成する回路部品をプリント基板側すなわち裏面側から見た平面態様の第１例を示している。図９２はプリント基板に図９１の回路部品が実装された後の半導体装置全体の平面態様を示している。図９３は、本実施の形態の半導体装置を構成する回路部品をプリント基板側すなわち裏面側から見た平面態様の第２例を示している。まず本実施の形態の半導体装置の構成を図９１〜図９３を用いて説明する。

図９１および図９２を参照して、本実施の形態の半導体装置１７０１の構成は、基本的に半導体装置１２０１の構成と同様であるため、同一の構成要素については同一の符号を付しその説明を繰り返さない。ただし本実施の形態の半導体装置１７０１の製造方法においては、プリント基板１１と回路部品２１との間に挟まれる被載置部材としての樹脂シート３６は、回路部品２１のプリント基板１１側すなわち下側の主表面上（他方の主表面上）に貼り付けられる。この点において本実施の形態の半導体装置１７０１の製造方法は、プリント基板１１上に樹脂シート３６が貼り付けられる半導体装置１２０１の製造方法と異なるが、他の点においては半導体装置１２０１の製造方法と同様である。

なお本実施の形態において回路部品２１の裏面側に貼り付けられる樹脂シート３６は、図９１のように（図７３と同様の）サーマルバイア１２の平面視における左、右および下の三方を囲むように延びる平面形状であってもよい。あるいは本実施の形態の樹脂シート３６は、図９３のように（図７５と同様の）サーマルバイア１２の平面視における左および右の二方を囲むように延びる平面形状であってもよい。

たとえば図９２の半導体装置１７０１の構成は、基本的に図７４の半導体装置１２０１の構成と同様である。しかし半導体装置１２０１においてはプリント基板１１上に樹脂シート３６が貼り付けられるため、プリント基板１１のサイズに合わせたサイズを有する樹脂シート３６が貼り付けられる。これに対して半導体装置１７０１においては回路部品２１に樹脂シート３６が貼り付けられるため、回路部品２１のサイズに合わせたサイズを有する樹脂シート３６が貼り付けられる。したがって両者間では樹脂シート３６の大きさ（特にプリント基板１１、回路部品２１との大小関係）が異なる場合がある。図９３の樹脂シート３６が貼り付けられた回路部品２１により形成された半導体装置についても同様であり、その樹脂シート３６とプリント基板１１、回路部品２１との大小関係において、図７６の半導体装置１２０２とは異なる場合がある。これにより本実施の形態においては、たとえば実施の形態１２に比べて樹脂シート３６を小さくすることができ、樹脂シート３６の材料費を低減できる場合がある。

言い換えれば本実施の形態の樹脂シート３６は、実施の形態１４〜１６の接着剤３４、硬化性樹脂３５、凸部３７と同様の役割を有するものである。このため本実施の形態の作用効果は実施の形態１６に述べた作用効果と同様である。樹脂シート３６も凸部３７と同様に（接着剤３４とは異なり）、いったん形成されればそれが硬化されるなど変形することはない。したがって樹脂シート３６の回路部品２１裏面への貼り付け後、回路部品２１の実装工程までの時間の制約を排除することができる。この意味で本実施の形態も実施の形態１６と同様に、工程の時間管理を単純化させることができる。

以上に述べた各実施の形態（に含まれる各例）に記載した特徴を、技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせるように適用してもよい。たとえば実施の形態１０，１１，１２における接着剤３４、硬化性樹脂３５、樹脂シート３６は、シンボル印刷マーク１５を有する実施の形態１〜７の半導体装置に適用されてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１１プリント基板、１１ａＣ面、１１ｂＳ面、１１Ｓプリント基板機材、１２サーマルバイア、１３パッド（導電性薄膜）、１３ａ無電解めっき膜、１３ｂ電解めっき膜、１３Ｇゲート端子用パッド、１３Ｓソース端子用パッド、１３Ｄドレイン端子用パッド、１４レジスト、１４ｏ非感光部、１４ｏｖオーバーレジスト、１５シンボル印刷マーク、１６スキージ、１７実装機吸着ノズル、１８追加塗布樹脂、１９供給ノズル、２１回路部品、２１Ｓモールド樹脂、２２ヒートスプレッダ、２３電極、２３Ｇゲート電極、２３Ｓソース電極、２４タイバーカット部、２５配線補助部品、２６配線部品、３１はんだ、３２ボンディングワイヤ、３３接着剤塗布部、３４接着剤、３５硬化性樹脂、３６樹脂シート、３７凸部、４１モールド下金型、４２モールド上金型、４３凸部形成部、５１半導体チップ、１０１，１０２，２０１，３０１，３０２，４０１，４０２，５０１，５０２，６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，６０６，６０７，６０８，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１，１２０１，１２０２，１３０１，１３０２，１４０１，１５０１，１６０１，１７０１半導体装置、ＣＲＨクリームはんだ、ＣＶ開口部、ＨＦはんだフィレット、ＭＭＫメタルマスク、ＰＭＫフォトマスク、ＲＳ感光剤、ＳＢＬシンボル印刷用樹脂、ＳＣＮシルクスクリーン、Ｔ１，Ｔ２ボンディングツール痕、Ｔ３ボンディング切り離し痕。

Claims

プリント基板を準備する工程と、
前記プリント基板の一方の主表面から前記一方の主表面と反対側の他方の主表面まで前記プリント基板を貫通する複数のサーマルバイアを互いに間隔をあけて配置されるように形成する工程と、
前記プリント基板の前記一方の主表面上に導電性薄膜を形成する工程と、
前記プリント基板の前記一方の主表面上に、前記複数のサーマルバイアの外周を囲みながら覆うようにそれぞれ円環状となる絶縁被膜をパターニングする工程と、
前記それぞれの円環状の絶縁被膜の間のそれぞれの隙間かつ、前記導電性薄膜上にはんだを供給する工程と、
回路部品が前記プリント基板の前記一方の主表面上に設けられた樹脂材料上に載置され、前記円環状となる絶縁被膜との間に隙間を設けて前記プリント基板に実装される工程と、
前記導電性薄膜の表面および前記複数のサーマルバイアの真上の領域へ濡れ拡がるように前記はんだを溶融するリフロー工程とを備え、
前記はんだを供給する工程における前記はんだの厚みは、前記円環状の絶縁被膜および前記樹脂材料の厚みより厚く、前記リフロー工程により前記複数のサーマルバイアの真上の領域の前記はんだの厚みは、前記樹脂材料の厚みより薄くする、半導体装置の製造方法。
前記プリント基板における前記回路部品が載置されるべき領域に前記樹脂材料のパターンが形成される工程とを備える、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路部品および前記樹脂材料は矩形の平面形状を有し、
前記樹脂材料は前記回路部品の平面視における四隅部に配置され、
前記プリント基板の前記一方の主表面上には、前記絶縁被膜と同一の層を介して前記樹脂材料が載置されるパターンが形成される工程とを備える、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂材料は直径が０．１５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の円形の平面形状を有し、
前記樹脂材料は前記回路部品の平面視における四隅部に配置され、
前記プリント基板の前記一方の主表面上には、前記絶縁被膜と同一の層を介して前記樹脂材料が載置されるパターンが形成される工程とを備える、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂材料は、前記回路部品の外縁の延在方向に対して斜め方向に延び、
前記樹脂材料の延在する方向の寸法は０．３ｍｍ以上、前記樹脂材料の前記延在する方向に交差する幅方向の寸法は０．１５ｍｍ以上であり、
前記樹脂材料は前記回路部品の平面視における四隅部に配置され、
前記プリント基板の前記一方の主表面上には、前記絶縁被膜と同一の層を介して前記樹脂材料が載置されるパターンが形成される工程とを備える、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂材料は、前記回路部品の互いに隣り合う１対の隅部のそれぞれ、および前記１対の隅部の中間を通り前記１対の隅部を結ぶ方向に交差する方向に延びる直線上の位置に配置され、前記１対の隅部および前記直線上の位置のそれぞれを結んで三角形が形成されるように配置され、
前記プリント基板の前記一方の主表面上には、前記絶縁被膜と同一の層を介して前記樹脂材料が載置されるパターンが形成される工程とを備える、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記プリント基板には前記複数のサーマルバイアが互いに間隔をあけて配置され、
前記複数のサーマルバイアの全体の平面視における外側の領域の一部を囲むように前記樹脂材料が配置され、
前記プリント基板の前記一方の主表面上には、前記絶縁被膜と同一の層を介して前記樹脂材料が載置されるパターンが形成される工程とを備える、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
プリント基板を準備する工程と、
前記プリント基板の一方の主表面から前記一方の主表面と反対側の他方の主表面まで前記プリント基板を貫通する複数のサーマルバイアを互いに間隔をあけて配置されるように形成する工程と、
前記プリント基板の前記一方の主表面上に、導電性薄膜と、前記複数のサーマルバイアの外周において前記導電性薄膜を覆いかつそれぞれ円環状となる絶縁被膜とをパターニングする工程と、
前記それぞれの円環状の絶縁被膜の間のそれぞれの隙間かつ、前記導電性薄膜上にはんだを供給する工程と、
回路部品が前記プリント基板の前記一方の主表面側に接する被載置部材上に載置され、前記それぞれ円環状となる絶縁被膜との間に隙間を設けて前記絶縁被膜の上方に配置されるように前記プリント基板に実装される工程と、
前記導電性薄膜の表面および前記複数のサーマルバイアの真上の領域へ濡れ拡がるように前記はんだを溶融するリフロー工程とを備え、
前記はんだを供給する工程における前記はんだの厚みは、前記円環状の絶縁被膜および前記被載置部材の厚みより厚く、前記リフロー工程により前記複数のサーマルバイアの真上の領域の前記はんだの厚みは、前記被載置部材の厚みより薄くする、半導体装置の製造方法。
前記被載置部材はパターン上に追加で塗布される樹脂材料であり、前記樹脂材料を塗布することにより前記樹脂材料のパターンの厚みを制御する工程とを備える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記被載置部材はボンディングワイヤであり、前記ボンディングワイヤを前記導電性薄膜上にボンディング加工される工程をさらに備える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路部品の前記プリント基板側の前記他方の主表面上に、前記プリント基板と接着する、前記被載置部材としての接着剤を供給する工程をさらに備える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路部品の前記プリント基板側の前記他方の主表面上に、前記プリント基板と接着する、前記被載置部材としての硬化性樹脂を供給する工程をさらに備える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路部品の前記プリント基板側の前記他方の主表面上に、前記プリント基板と接着する、前記被載置部材としての樹脂シートを貼り付ける工程をさらに備える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路部品の前記プリント基板側の前記他方の主表面上に、前記プリント基板と接触する、前記被載置部材としての凸部を形成する工程をさらに備える、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路部品は前記プリント基板と電気的に接合可能な金属部品を含み、
前記金属部品には前記回路部品を前記プリント基板に実装可能とするよう複数回の曲げ加工工程を備える、請求項１から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記実装される工程の後、前記はんだで接合された部分を外観検査する工程をさらに備える、請求項１から請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。