JP2022001946A - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
表示方法にかかるプログラムに関する。本発明の一態様は、表示システムに関する。
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
トフォン、タブレット端末、ウェアラブル機器などの電子機器がある。
末等とは異なり、主に文字情報を表示する機能に特化した電子機器である。例えばタブレ
ット端末は滑らかな動画表示が可能な液晶パネルなどが搭載されているのに対し、電子書
籍端末は低い電力で静止画表示が可能な電子ペーパなどが搭載されているものがある。
ィブマトリクス型の電子ペーパ、及びこれを用いたバインダ型の電子ブックが提案されて
いる。
、電子機器等の消費電力を低減することを課題の一とする。または、外光によらず高い視
認性が実現された電子機器等を提供することを課題の一とする。または、滑らかな動画の
表示と、目に優しい静止画の表示の両方を行うことのできる電子機器等を提供することを
課題の一とする。または、新規な電子機器等を提供することを課題の一とする。
ある。制御部は、第1の表示部及び第2の表示部にそれぞれ個別に、第1の画像、第2の
画像、及び第3の画像のうち二以上を同時に表示させる機能を有する。第1の画像は、反
射光により表示する画像であり、第2の画像は、発光光により表示する画像であり、第3
の画像は、反射光と発光光とが混在した光により表示する画像である。
する第2の筐体と、制御部と、を有する電子機器である。第1の筐体と第2の筐体とは、
第1の表示部と第2の表示部とが互いに重なるように折り畳まれた形態と、第1の表示部
と第2の表示部とが露出するように開いた形態と、に変形可能に連結される。制御部は、
第1の表示部及び第2の表示部にそれぞれ個別に、第1の画像、第2の画像、及び第3の
画像のうち二以上を同時に表示させる機能を有する。第1の画像は、反射光により表示す
る画像であり、第2の画像は、発光光により表示する画像であり、第3の画像は、反射光
と発光光とが混在した光により表示する画像である。
しい。
1の表示部に文書情報を表示し、第2の表示部にはタッチセンサを介してユーザ入力が検
出された場合に、入力情報を表示する機能を有することが好ましい。
ーザ入力が検出されない場合に、第2の表示部に第2の画像または第3の画像を表示し、
ユーザ入力が検出された場合に、第2の表示部の検出位置に第1の画像を表示することが
好ましい。
ーザ入力が検出されない場合に、第2の表示部に複数のオブジェクト情報を第2の画像ま
たは第3の画像として表示し、ユーザ入力が検出された場合に、検出位置に位置するオブ
ジェクト情報を第1の画像として表示することが好ましい。
ている第1の領域を検出し、当該第1の領域の位置情報を制御部に出力する視点検出部を
有することが好ましい。また、このとき、制御部は、位置情報に基づいて、第1の領域に
第2の画像または第3の画像を表示し、第1の領域以外の第2の領域に、第1の画像を表
示することが好ましい。
を有することが好ましい。また制御部は、第1の画像情報と仮想オブジェクト情報とを合
成した第2の画像情報を生成する機能を有することが好ましい。このとき、制御部は、第
2の画像情報に基づいて、第1の表示部または第2の表示部に、仮想オブジェクト情報を
第2の画像または第3の画像として表示し、それ以外の領域を第1の画像として表示する
ことが好ましい。
る第1の画像と、発光光により表示する第2の画像と、反射光と発光光とが混在した光に
より表示する第3の画像のうち二以上を同時に表示させること、を含む、画像表示方法で
ある。
射光により表示する第1の画像と、発光光により表示する第2の画像と、反射光と発光光
とが混在した光により表示する第3の画像のうち二以上を同時に表示させる制御部、とし
て機能させるための、プログラムである。
る表示システムである。第1の表示装置及び第2の表示装置は、反射光により表示する第
1の表示素子と、発光光により表示する第2の表示素子と、をそれぞれ有する。制御装置
は、第1の表示装置及び第2の表示装置に、それぞれ個別に、第1の表示素子のみにより
表示する第1の画像と、第2の表示素子のみにより表示する第2の画像と、第1の表示素
子及び第2の表示素子の両方により表示する第3の画像のうち、二以上を同時に表示させ
る機能を有する。
の消費電力を低減することができる。または、外光によらず高い視認性が実現された電子
機器等を提供できる。または、滑らかな動画の表示と、目に優しい静止画の表示の両方を
行うことのできる電子機器等を提供できる。または、新規な電子機器等を提供できる。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
以下で例示する本発明の一態様の電子機器は、2つの表示部と、当該2つの表示部への
画像の表示を制御する制御部と、を有するものである。
るためのプログラム、画像を表示可能な表示装置と、これを制御する制御装置とを有する
表示システム等が含まれる。
る第2の筐体を有する。また制御部は、第1の筐体、または第2の筐体内に設けられる。
なお、制御部が第1の筐体または第2の筐体の外に設けられていてもよい。
の筐体は、第1の表示部と第2の表示部とが対向して互いに重なるように折り畳まれた形
態と、第1の表示部と第2の表示部とが露出するように開いた形態と、に可逆的に変形可
能に連結されていることが好ましい。また、第1の表示部と第2の表示部とがそれぞれ背
中合わせに位置するように、2つの筐体が折り畳まれた形態に変形可能に連結されている
ことがより好ましい。
に優れ、開いた状態では、2つの表示部による広い表示領域により一覧性に優れる。
む)は、少なくとも一方がタッチセンサとしての機能を有することが好ましい。これによ
り、タッチ操作やスタイラスなどを用いて、直感的なユーザ入力を実現することができる
。
置を適用することが好ましい。さらに反射型の素子のみで画像を表示すること、発光素子
のみで画像を表示すること、及び反射型の素子と発光素子の両方により画像を表示するこ
との可能な表示装置を適用することがより好ましい。
とができ、一方外光が暗い際には、発光素子により鮮やかな表示を行うことができる。ま
た反射型の素子と発光素子とにより同時に表示を行うことで、消費電力が低減され、且つ
鮮やかな表示を行うことができる。
画像を同時に表示可能な構成とすることが好ましい。例えば、第1の表示部または第2の
表示部の表示領域内に、反射型の素子のみにより表示される第1の画像と、発光素子のみ
により表示される第2の画像と、反射型の素子及び発光素子の両方により表示される第3
の画像のうち、2以上を同時に表示可能な表示装置とすることが好ましい。
像を表示する際、背景情報などの強調することが望まれない部分や、ユーザが注視してい
ない部分、ユーザから見えない部分などに、反射型の素子のみを用いた第1の画像を表示
することで、消費電力を低減することができる。さらに、特に強調したい部分や、ユーザ
が注視している部分などには、発光素子を用いた第2の画像または第3の画像を表示する
ことで、当該部分のコントラストをより高めることができ、視認性を向上することができ
る。
たは反射光と発光光の両方を用いた表示を、第1の表示部または第2の表示部の表示領域
内で使い分けることができる。
以下では、本発明の一態様の電子機器のより具体的な例について、図面を参照して説明
する。
2、ヒンジ113を有する。筐体111は表示部121を有し、筐体112は、表示部1
22を有する。
12とは、ヒンジ113により、相対的に回転することができる。
。
。また、図1(B)は、表示部121と表示部122が対向して互いに重なるように筐体
111と筐体112とが折り畳まれた形態を示している。また、図1(C)は、表示部1
21と表示部122とが互いに背中合わせとなるように、筐体111と筐体112とが折
り畳まれた形態を示している。電子機器10は、図1(B)に示す形態から、図1(A)
に示す形態を経て図1(C)に示す形態に、可逆的に変形することができる。
る表示装置(または、表示パネル、表示モジュール)を適用することができる。
図2に、電子機器10のブロック図を示す。電子機器10は、制御部11、駆動部13
、駆動部14、表示部121、表示部122を有する。制御部11は、演算部12を有す
る。
ット20を有する。画素ユニット20は、第1の画素21と、第2の画素22を有する。
青色(B)の3色に対応する表示素子を有する場合の例を示している。
素子21G、青色(B)に対応する表示素子21Bを有する。表示素子21R、21G、
21Bはそれぞれ、外光の反射を利用した表示素子である。
素子22G、青色(B)に対応する表示素子22Bを有する。表示素子22R、22G、
22Bはそれぞれ、光源の光を利用した表示素子である。
素ユニット20を駆動する回路を有する。具体的には、画素ユニット20が有する第1の
画素21、及び第2の画素22に、階調値を含む信号、走査信号、電源電位等を供給する
。駆動部13及び駆動部14は、例えば信号線駆動回路及び走査線駆動回路などを有する
。
表示部121または表示部122内の各画素ユニット20に供給する階調値を含む、4つ
の信号(信号S1、信号S2、信号S3、及び信号S4)を生成し、駆動部13及び駆動
部14に出力する。また制御部11は信号S1、信号S2、信号S3、及び信号S4の他
に、クロック信号、スタートパルス信号などのタイミング信号を生成して駆動部13及び
駆動部14に出力する。
調値を含む信号である。ここでは、信号S1及び信号S3は、1つの画素ユニット20に
つき、表示素子21R、21G、21Bのそれぞれに与えられる3つの階調値の情報を含
む。
れる階調値を含む信号である。ここでは、信号S2及び信号S4は、1つの画素ユニット
20につき、表示素子22R、22G、22Bのそれぞれに与えられる3つの階調値の情
報を含む。
シリアル信号であってもよいし、複数の信号線により伝達するパラレル信号であってもよ
い。
を供給する機能を有する。したがって、表示部121と表示部122を、それぞれ個別に
制御することができる。例えば、表示部121及び表示部122の一方に画像を表示し、
他方を停止することもできる。
駆動するように、信号S1及び信号S2または信号S3及び信号S4を表示部121及び
表示部122に供給することができる。そのため、表示部121及び表示部122内で、
第1の画素21のみを用いて表示する部分、第2の画素22のみを用いて表示する部分、
第1の画素21及び第2の画素22の両方を用いて表示する部分、及び表示を行わない部
分のうち、2つ以上が混在した表示を、表示部121及び表示部122に行わせることが
できる。
nit)等のマイクロプロセッサを用いることができる。またこれらマイクロプロセッサ
をFPGA(Field Programmable Gate Array)やFPA
A(Field Programmable Analog Array)といったPL
D(Programmable Logic Device)によって実現した構成とし
てもよい。
Central Processing Unit)などにより生成され、制御部11に
供給される構成としてもよい。または、演算部12がCPUを兼ね、演算部12が映像信
号S0を生成する機能を有していてもよい。
た信号であってもよい。また、演算部12が当該補正を行う機能を有していてもよい。演
算部12は、映像信号S0に対して補正を行った信号を基に、信号S1、信号S2、信号
S3、及び信号S4を生成してもよいし、生成した信号S1、信号S2、信号S3、及び
信号S4のそれぞれに対して、補正を行ってもよい。
、各種のデータ処理やプログラム制御を行う。プロセッサにより実行しうるプログラムは
、プロセッサが有するメモリ領域に格納されていてもよいし、これとは別のメモリに格納
されていてもよい。
m Access Memory)、などの揮発性メモリや、ROM(Read Onl
y Memory)などの不揮発性メモリを備える構成とすることができる。
emory)が用いられ、演算部12の作業空間として仮想的にメモリ空間が割り当てら
れ利用される。外部に設けられた記憶装置に格納されたオペレーティングシステム、アプ
リケーションプログラム、プログラムモジュール、プログラムデータ等は、実行のために
RAMにロードされる。RAMにロードされたこれらのデータやプログラム、プログラム
モジュールは、演算部12に直接アクセスされ、操作される。
ぞれ表示部121または表示部122が形成された基板に設けられる構成とすることがで
きる。このとき、回路基板と駆動部13または駆動部14とはFPC(Flexible
Printed Circuit)等を介して接続されていればよい。またこのとき、
駆動部13及び駆動部14は、それぞれ表示部121または表示部122が形成された基
板に、表示部121または表示部122を構成するトランジスタなどと同一の工程で形成
されていてもよいし、駆動部13及び駆動部14の一部または全部がIC(Integr
ated Circuit)として当該基板に実装されていてもよい。または、制御部1
1及び駆動部13または駆動部14として機能する1つまたは複数のICを、当該基板に
実装してもよい。または、制御部11及び駆動部13または駆動部14が、表示部121
または表示部122が形成された基板に、表示部121または表示部122を構成するト
ランジスタなどと同一の工程で形成されていてもよい。
以下では、上記表示部121及び表示部122に用いることのできる表示装置について
説明する。
することができる。または、可視光を発する第2の表示素子が設けられた画素を有するこ
とができる。または、可視光を透過する第3の表示素子が設けられた画素を有することが
できる。または、第1の表示素子と、第2の表示素子または第3の表示素子と、が設けら
れた画素を有することができる。
子とを有する表示装置について説明する。
のうち、いずれか一方、または両方により、画像を表示する機能を有する。または、表示
装置は、第1の表示素子が反射する第1の光の光量と、第2の表示素子が発する第2の光
の光量と、をそれぞれ制御することにより、階調を表現する機能を有する。
る第1の画素と、第2の表示素子からの発光の光量を制御することにより階調を表現する
第2の画素を有する構成とすることが好ましい。第1の画素および第2の画素は、例えば
それぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。
ことが好ましい。このとき、隣接する第1の画素と第2の画素を合わせて、画素ユニット
と呼ぶことができる。これにより、後述するように複数の第1の画素のみで表示された画
像と、複数の第2の画素のみで表示された画像、ならびに複数の第1の画素および複数の
第2の画素の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる
。
できる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくす
ることが可能となる。
1の表示素子として、シャッター方式のMEMS(Micro Electro Mec
hanical Systems)素子、光干渉方式のMEMS素子の他、マイクロカプ
セル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体(登録商標)方式
等を適用した素子などを用いることができる。
る素子を用いることができる。特に、電界を印加することにより発光性の物質から発光を
取り出すことのできる、電界発光素子を用いることが好ましい。このような画素が射出す
る光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く(色域が広
く)、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。
g Diode)、LED(Light Emitting Diode)、QLED(
Quantum−dot Light Emitting Diode)、半導体レーザ
などの自発光性の発光素子を用いることができる。または、第2の画素が有する表示素子
として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透
過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。バックライトとしては、LEDを
光源としたエッジライト型のバックライトを用いると、表示装置の薄型化が容易となるた
め好ましい。
)、青色(B)の3色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。ま
た、第2の画素も同様に、例えば白色(W)を呈する副画素、または例えば赤色(R)、
緑色(G)、青色(B)の3色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることがで
きる。なお、第1の画素および第2の画素がそれぞれ有する副画素は、4色以上であって
もよい。副画素の種類が多いほど、消費電力を低減することが可能で、また色再現性を高
めることができる。
示する第2のモード、および第1の画素および第2の画素で画像を表示する第3のモード
を切り替えることができる。
表示された画像を第2の画像、第3のモードにより表示された画像を第3の画像と呼ぶ場
合がある。
第1のモードは光源が不要であるため、極めて低消費電力な駆動モードである。例えば、
外光の照度が十分高く、且つ外光が白色光またはその近傍の光である場合に有効である。
第1のモードは、例えば本や書類などの文字情報を表示することに適した表示モードであ
る。また、反射光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいとい
う効果を奏する。
。そのため、外光の照度や色度によらず、極めて鮮やかな(コントラストが高く、且つ色
再現性の高い)表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、外光の照度が極
めて小さい場合などに有効である。また外光が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩
しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第2のモードでは輝度を抑えた表示を
行うことが好ましい。またこれにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減する
ことができる。第2のモードは、鮮やかな画像や滑らかな動画などを表示することに適し
たモードである。
を利用して表示を行うモードである。具体的には、第1の画素が呈する光と、第1の画素
と隣接する第2の画素が呈する光を混色させることにより、1つの色を表現するように駆
動する。第3のモードは、第1のモードよりも鮮やかな表示をしつつ、第2のモードより
も消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、外
光の照度が比較的低い場合や、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。また、
反射光と発光とを混色させた光を用いることで、まるで絵画を見ているかのように感じさ
せる画像を表示することが可能となる。
は、画素ユニット20の構成例を示す模式図である。
素子21Rは、外光を反射し、第1の画素21に入力される第1の階調値に含まれる赤色
に対応する階調値に応じた輝度の赤色の光R1を、表示面側に射出する。表示素子21G
、表示素子21Bも同様に、それぞれ緑色の光G1または青色の光B1を、表示面側に射
出する。
素子22Rは、光源を有し、第2の画素22に入力される第2の階調値に含まれる赤色に
対応する階調値に応じた輝度の赤色の光R2を、表示面側に射出する。表示素子22G、
表示素子22Bも同様に、それぞれ緑色の光G2または青色の光B2を、表示面側に射出
する。
図3(A)は、外光を反射する表示素子21R、表示素子21G、表示素子21Bと、
光を発する表示素子22R、表示素子22G、表示素子22Bの両方を駆動して画像を表
示する動作モードの例を示している。図3(A)に示すように、画素ユニット20は、反
射光である光R1、光G1、光B1と、発光光である光R2、光G2、及び光B2の6つ
の光を混色させることにより、所定の色の光25を表示面側に射出することができる。
図3(B)は、外光を反射する表示素子21R、表示素子21G、表示素子21Bを駆
動して画像を表示する動作モードの例を示している。図3(B)に示すように、画素ユニ
ット20は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、第2の画素22を駆動させず
に、第1の画素21からの光(光R1、光G1、及び光B1)のみを混色させることによ
り、所定の色の光25を表示面側に射出することもできる。これにより、極めて低消費電
力な駆動を行うことができる。
図3(C)は、表示素子22R、表示素子22G、表示素子22Bを駆動して画像を表
示する動作モードの例を示している。図3(C)に示すように、画素ユニット20は、例
えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、第1の画素21を駆動させずに、第2の画
素22からの光(光R2、光G2、及び光B2)のみを混色させることにより、所定の色
の光25を表示面側に射出することもできる。これにより鮮やかな表示を行うことができ
る。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑え
ると共に消費電力を低減できる。
122の表示領域内において、部分的に実行することが可能である。すなわち、表示領域
内の異なる部分で、それぞれ異なる表示モードを用いた表示を行うことができる。
図4には、図2とは一部の構成が異なる構成例を示している。図4に示す電子機器10
は、視点検出部31を有する。また表示部121と表示部122には、それぞれタッチセ
ンサ35が設けられている。したがって、表示部121及び表示部122は、タッチパネ
ルまたはタッチパネルモジュールと言うこともできる。
と、タッチセンサ35により取得した位置情報を含む信号T1または信号T2を、制御部
11に出力する機能を有する。
外線方式、電磁誘導方式、光学方式、感圧方式などのタッチセンサを用いることができる
。例えば表示部121及び表示部122に対して行われる、タッチ操作、タップ操作、ス
ワイプ操作、ピンチ操作などのジェスチャーを、入力操作(ユーザ入力ともいう)として
検出することができる。
を有する。
報から、ユーザが注視している視点の位置情報を算出し、制御部11に出力する演算装置
と、を有する構成とすることができる。例えば、固定焦点式あるいは可変焦点式の光学装
置(レンズ等)、または、可視光、赤外光、または紫外光等を二次元的に検出できるイメ
ージセンサ等を備える構成とすることができる。
目の瞳孔の向き、位置、及び視点検出部31からユーザの目までの距離等を算出すること
により、ユーザが注視している視点の位置情報を算出することができる。
2つの撮像装置が、それぞれユーザの右目または左目を撮像することにより、ユーザの視
点の位置情報をより正確に算出することができる。また、視点検出部31とユーザの目(
または顔)との距離を測定することに特化した、赤外線センサ等のセンサを有していても
よい。
以下では、電子機器10に画像を表示する方法の一例について説明する。
図5では、表示部121に文書情報141aが表示され、表示部122に文書情報14
1bが表示された状態(テキストモード)を示している。例えば、文書情報を閲覧するた
めのアプリケーションが実行され、文書情報を含むファイルが読み出されて表示された状
態と言うこともできる。
スト文書における、特定の見開き2ページを表示している例を示している。これにより、
電子機器10を教科書として用いることができる。
及び表示部122には静止画が表示される期間が極めて長い。また、ユーザは表示部12
1及び表示部122を注視する時間が長くなる。そのため、表示部121及び表示部12
2に文書情報を表示する場合には、反射型の表示素子を用いた表示方法(第1のモード)
を適用することにより、低消費電力で目に優しい表示を行うことができる。さらに、静止
画を表示する際に、画面の書き換えの頻度(フレーム周波数ともいう)を低減することで
、より効果的に消費電力を低くすることができる。
している場合には、テキスト情報を第1のモードで表示し、図面情報を第2のモードまた
は第3のモードで表示することで、図面情報をより強調した表示を行うことができる。特
に、図面情報が動画コンテンツを含む場合には、より効果的である。また、テキスト情報
を表示するエリアのみ、画面の書き換えの頻度(フレーム周波数ともいう)を低減する駆
動を用いると、消費電力をより効果的に低減できるため好ましい。
図6(A)では、表示部121及び表示部122に、ユーザが自由に書き込み可能であ
る状態(ノートモード)を示している。図6(A)では、表示部121及び表示部122
に、罫線が表示された状態であり、スタイラス131や指などにより、自由に描画するこ
とができる。図6(A)では、表示部121にユーザ入力画像142が表示された状態を
示している。
5により、スタイラス131や指等によるユーザ入力が検出されると、制御部11はその
入力情報を基にユーザ入力画像142を生成し、表示部121または表示部122に表示
させることができる。
を行うこともできる。また、多角形、円、直線などを描画することのできる描画ツールを
用いた描画を行うこともできる。
ーザ入力画像142を第2のモードまたは第3のモードで表示することで、消費電力を低
減可能な上に、ユーザが書き込んだ情報のみを効果的に強調することができる。
図6(B)では、表示部121に文書情報141aを表示し、表示部122をノートと
して用いる状態(デュアルモード)を示している。
部122に自由に書き込みを行うことができる。これにより、一つの電子機器10で教科
書とノートの2つの機能を持たせることができるため、より学習効果を高めることができ
る。
図6(C)は、図5で示したテキストモードと同様に、表示部121に文書情報141
aを、表示部122に文書情報141bを、それぞれ表示させた状態である。書き込みモ
ードは、文書情報141aまたは文書情報141bに重ねて、ユーザが書き込んだユーザ
入力画像146を表示することができるモードである。
一部を強調するためのマーカを描画することもできる。
または第3のモードで表示することが好ましい。これにより、ユーザ入力画像146を文
書情報141aまたは文書情報141bと重ねて表示した場合であっても、より強調する
ことが可能で、これらを直感的に区別することが容易となる。
ザが自由に切り替えることができる。
して、横方向のスワイプ動作をすることでページ送りを実行し、また表示部121または
表示部122に対して縦方向にスワイプ動作をすることで、各表示部の表示をテキストモ
ードとノートモードとに切り替えることができる。また、書き込みモードに切り替える動
作や、描画ツールを選択する動作等に関連付けられたアイコンを、表示部121または表
示部122の一部に表示し、当該アイコンをタップすることで、書き込みモードに切り替
える、または描画ツールを選択するなどすることができる。
図7は、ユーザが作成したユーザ入力画像142を提出先に送信する状態(提出モード
)を示している。例えば、ノートモードまたはデュアルモードにおいて、提出動作に関連
したアイコンを表示させ、これをタップすることにより、図7に示すように提出するか否
かを確認するためのウィンドウ145が表示される。
関が有するサーバに送信することができる。このとき、データには、ユーザ入力画像14
2のデータだけでなく、電子機器10やユーザを特定するための固有ID情報のほか、日
時等の情報が含まれていることが好ましい。また、データは暗号化されて送信されること
がより好ましい。
ンを起動することなく、より簡便に提出することが可能となる。またユーザ入力画像14
2等を受け取る側(学校や企業などの機関)も、個別にメール等で送信された添付ファイ
ルを扱う必要がないため、データの管理がしやすいといったメリットがある。
以下では、より消費電力が低減可能な表示方法の例について説明する。
る状態を示している。ここで、表示部121の領域151は、ユーザが注視している範囲
、またはその近傍を含む領域である。
側に移った場合の例を示している。
一対のカメラ114は、上述した視点検出部31の一部として機能する。
り画像を表示することが好ましい。一方、ユーザが注視していない部分、すなわち、表示
部121の領域151以外の部分、及び表示部122は、第1のモードで表示することが
好ましい。これにより、表示部121及び表示部122の大部分を反射型の表示素子のみ
で表示することが可能なため、消費電力を効果的に低減することができる。
て表示するのではなく静止画として表示することが好ましい。すなわち、領域151より
も外側の範囲は、全て静止画として表示することが好ましい。さらにこの時、領域151
よりも外側の範囲は、フレーム周波数を低減した表示を行うことで、さらに効果的に消費
電力を低減できる。
部分に移動する、すなわちユーザが動画コンテンツを見る場合には、当該部分が静止画表
示から動画表示に切り替わり、動画コンテンツが再生可能な状態とすることが好ましい。
このとき、動画コンテンツは、領域151と重なった時点で自動的に再生されてもよいし
、ユーザがその部分をタップするなどの動作により動画の再生が開始される、待機状態と
してもよい。
電子機器10を教科書として用いる場合、筐体111及び筐体112は軽量であること
が好ましい。例えば筐体111と筐体112とは、それぞれ10g以上1000g以下、
好ましくは50g以上800g以下、より好ましくは50g以上500g以下、さらに好
ましくは50g以上250g以下とすることが好ましい。2つの筐体を合わせた重さが5
00g以下であれば、専門書と同等またはそれ以下の重量となるため、特に子供が日常的
に持ち歩く機器として好ましい。
される。そのため筐体111と筐体112とは、耐候性や強度の高い材料を用いることが
好ましい。例えば、チタン合金、マグネシウム合金、アルミニウム合金などの合金、また
はカーボン繊維等を用いることが好ましい。
部に角部のない形状とすることで、子供が用いた場合であっても安全性に優れた機器とす
ることができる。
以下では、上記とは異なる電子機器の画像表示方法の例について説明する。
ーボード等)として使用する場合の例である。このような形態とすることで、電子機器1
0を例えばノート型のPCとして使用することができる。
図9(B)では、筐体111の背面(表示部121とは反対側の面)に組み込まれた、支
持部115により、筐体111が傾いた状態で保持されている。支持部115は、使用し
ない場合には筐体111に格納されることが好ましい。このように、一方の表示部を画面
として用い、他方を入力装置として用いる場合に、これらを分離可能な構成とすることで
より利便性の高い電子機器10とすることができる。
情報端末機器として機能し、筐体112は筐体111と無線通信が可能な入力機器として
用いることができる。このとき、制御部等を筐体111内に集約することで、筐体112
の内部構成を簡略化できるため、電子機器10を軽量なものとすることができる。また、
筐体111と筐体112は、それぞれ独立して携帯情報端末機器として機能する構成とし
てもよい。
れに限られない。例えばヒンジ113が2つに分離可能な機構を有していてもよい。また
は、ヒンジ113を用いずに、筐体111と筐体112とが、分離可能に連結する機構を
有していてもよい。
ーボードの一つのキーを模したオブジェクト143aを複数有する画像143が表示され
ている。複数のオブジェクト143aは、それぞれ入力動作と関連付けられている。図1
0(A)に示すように、ユーザが指132等でこれをタップすることによりユーザ入力情
報が制御部11に送信される。
している。また、図10(B2)は、指132を破線で示している。
め、ユーザから視認されない。そのため、指132等が触れたオブジェクトは、反射型の
表示素子のみで表示する第1のモードで表示する、または表示を停止することが好ましい
。これにより、消費電力を低減することができる。一方、指132等が触れないオブジェ
クトは、発光素子を用いて表示する第2のモードまたは第3のモードにより表示すること
ができる。なお、十分に環境が明るい場合や、ユーザからの要求があった場合などには、
指132等が触れない部分も第1のモードで表示可能な構成としてもよい。
32に覆われたオブジェクトもユーザから視認されないため、これを第1のモードで表示
してもよい。このとき、表示部122が有するタッチセンサとして近接センサや、光学セ
ンサを有する構成とし、表示部122の表面から所定の距離内に位置する指132等の位
置情報を取得すればよい。
E」と「R」の文字に対応したオブジェクトを示している。
示し、それ以外の部分を表示しないことが好ましい。特に発光素子を用いた第2のモード
または第3のモードで表示している場合、輪郭部分144aと記号部分144b以外に位
置する発光素子を黒表示(すなわち、発光させない状態)とすることで、消費電力を最小
限にすることができる。
、キー「E」は発光素子を利用した第2のモードまたは第3のモードで表示され、キー「
R」は、反射型の表示素子のみを利用した第1のモードで表示される。キー「R」の大部
分は、指132により覆われ、外光が届かないため、実質的に表示されない状態となる。
像、発光光により表示する第2の画像、及び反射光と発光光とが混在した光により表示す
る第3の画像を表示することができる。また、一つの表示部に、第1乃至第3の画像のう
ち2つ以上を同時に表示することが可能となる。これにより、様々な表示方法を用いるこ
とが可能となる。また第1の画像を表示する面積を出来るだけ大きくすることで、消費電
力を低減することが可能となる。一方で、より強調したい部分には、第2の画像または第
3の画像を用いることで、消費電力を低減しつつ、よりストレスを感じさせない表示をユ
ーザに提供することができる。
ことにより、ユーザが認識していない領域の表示の消費電力を削減できるため、より効果
的にストレスフリーで且つ低消費電力な表示方法を実現することができる。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、消費電力を低減できる表示方法等について説明する。より具体的に
は、変化の少ない画像と変化の多い画像とを部分的に区別し、変化の少ない画像は消費電
力の少ない表示方法を適用することで、消費電力を削減できる表示方法の例について説明
する。
より生成されるコンピュータグラフィックス(CG)等の画像とを合成して表示する、い
わゆる拡張現実(AR:Augmented Reality)と呼ばれる表示技術にも
適用することができる。
素および第2の表示素子を有する第2の画素を有する。少なくとも第1の画素は、書き込
まれたデータを連続する2以上のフレーム期間において保持することができ、データを書
き換えることなく表示を維持することができる。
2の画素を用いて表示することで、電力消費を抑えることができる。
図11は、本発明の一態様の表示システムを説明するブロック図である。図11に示す
表示システム60は、制御部600と、表示部610と、カメラ605(CAM)と、G
PS(Global Positioning System)受信機606(GPS)
と、データ入出力部607(I/O)と、タッチセンサ613(T−SEN)と、光セン
サ614(P−SEN)を有する構成とすることができる。なお、表示システム60に含
まれる要素はこれらに限らず、その他の要素が含まれていてもよい。
ことができる。ここで示す表示システム60は、実施の形態1における筐体111、筐体
112、またはその両方に組み込むことができる。一方の筐体に組み込まれている場合に
は、表示システム60は2つの表示部121及び表示部122の両方を制御することがで
きる。したがって以下で示す表示部610は、実施の形態1における表示部121、表示
部122、またはその両方に対応する。
、第2のメモリ603(RAM2)および制御回路604(CON)を有する構成とする
ことができる。
nit)などの演算回路を用いることができる。データ処理回路601は必要に応じて、
第1のメモリ602、第2のメモリ603、制御回路604、カメラ605、GPS受信
機606、データ入出力部607、タッチセンサ613、光センサ614等と相互に信号
を授受するなど、表示システム60全体の制御を統括する機能を有する。
。例えば、フレームメモリとして画像データを保持し、データ処理回路601から制御回
路604へのデータ授受を可能とする。また、複数のフレームデータを保持することでフ
レーム間での画像データ比較等の処理を可能とする。
。
有する。
作制御を実行する機能を有する。
素子を有する第2の画素612(PIX2)を有する。第1の表示素子としては、例えば
反射型の液晶素子を用いることができる。また、第2の表示素子としては、例えば発光素
子を用いることができる。
行うことができる。なお、第1の画素611が第2の表示素子を有し、第2の画素612
が第1の表示素子を有する構成とすることもできる。
して、金属酸化物をチャネル領域に有するトランジスタを用いることが好ましい。このよ
うなトランジスタは極めてオフ電流が小さく、画像データとして書き込んだ電位を長時間
保持することが可能となる。したがって、複数のフレーム期間において、新たに画像デー
タを書き込むことなく画像表示が維持できる、所謂アイドリングストップ駆動が可能とな
る。
保持することができる。これにより、画像データの書き換え頻度を少なくすることができ
るため、消費電力を低減することができる。
しないため、画素部の消費電力は回路動作の消費電力と等しくなる。したがって、第1の
表示素子を有する画素をアイドリングストップ駆動することが特に好ましく、画素部の消
費電力は書き換え頻度に比例して低減することができる。
する。
タ等を出力する機能を有する。例えば、データ入出力部607は有線または無線のネット
ワークと接続することができ、当該ネットワークを介して外部から画像データ等を取得す
ることができる。また、データ入出力部607には画像データ等が記憶されたメディアが
接続されてもよい。
0をユーザがタッチする動作を電気信号に変換してデータ処理回路601に出力する機能
を有する。入力された情報はデータ処理回路601に出力することで、データ処理回路6
01で処理されるアプリケーションソフト用の入力信号として使用される。
。データ処理回路601および制御回路604は、照度の情報を得ることで、使用する表
示素子の選択、表示部610の輝度の変更および画像の色味調整などの処理を行うことが
できる。なお、光センサ614は、画素内に設けられていてもよい。また、本発明の一態
様の表示システム60においては、タッチセンサ613および光センサ614を省くこと
もできる。
して表示を行うことができる。例えば、ある被写体の画像をカメラ605で取得し、当該
被写体に関する情報をデータ入出力部607から取得し、両者を合成して表示部610に
表示することができる。
方で表示し、データ入出力部607を介して取得した画像Qを第1の画素611および第
2の画素612の他方で表示すると、画像Pと画像Qが重なって表示される領域が発生す
る。したがって、画像Pにおける画像Qが表示される領域は、黒画像に加工しておくこと
が好ましい。当該加工はデータ処理回路で行えばよい。なお、用途によっては、当該加工
を不要としてもよい。
決定することができる。あるいは、GPS受信機606によって取得した位置情報、デー
タ入出力部607を介して取得した情報およびカメラ605の撮像情報のいずれか、また
はそれらの複合情報に基づいて演算した結果などから決定することができる。
に表示させる機能を有する。第1の画素611は反射型の液晶素子を有し、前述したアイ
ドリングストップ駆動が可能である。したがって、書き換え頻度の少ない画像データを第
1の画素611で表示したとき、特定のフレーム期間において第1の画素611を駆動す
るための周辺回路の動作を停止することができる。
612に表示させる機能を有する。第2の画素612は発光素子を有し、動画表示に対し
て良好な表示応答性を有する。したがって、第2の画素612は、第1の画素611で表
示させる画像データよりも書き換え頻度が多い画像を表示させることが好ましい。
の変化を各種センサ(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、磁気
、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、
傾度、振動、においまたは赤外線などを測定する機能を含むもの)等を用いて認識させ、
自動的に当該フレーム数を変化させてもよい。当該制御を行うことで、現実との整合性を
向上させることができる。また、無駄な画像データの書き換えを抑制し、消費電力を低減
させることができる。
上述したアイドリングストップ駆動の一例について、図12(A)乃至(C)を用いて
説明する。
示している。図12(A)では、信号線SLおよびゲート線GLに接続されたトランジス
タM1、容量素子CsLCおよび液晶素子LCを図示している。
SLおよびゲート線GLにそれぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。
通常駆動モードでは、通常のフレーム周波数(例えば60Hz)で動作させることができ
る。
、各フレーム期間でゲート線に走査信号を与え、信号線のデータD1を画素に書き込む動
作を行う。この動作は、T1、T2、T3で同じデータD1を書き込む場合であっても、
異なるデータを書き込む場合であっても同じである。
にそれぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。アイドリングストップ駆
動では、低速のフレーム周波数(例えば1Hz)で動作させることができる。
を書き込む期間をTW、データを保持する期間をTRETで表している。アイドリングス
トップ駆動は、期間TWでゲート線に走査信号を与え、信号線のデータD1を画素に書き
込み、期間TRETでゲート線をローレベルの電圧に固定し、トランジスタM1を非導通
状態として一旦書き込んだデータD1を画素に保持させる動作を行う。
、その低いオフ電流によってデータD1を長時間保持することが可能となる。また、図1
2(A)乃至(C)では液晶素子LCを用いた例を示したが、有機EL素子などの発光素
子を用いても、同様にアイドリングストップ駆動は可能である。
なる。したがって、適切にアイドリングストップ駆動を行うには、液晶素子LCの抵抗率
を1.0×1014Ω・cm以上とすることが好ましい。
次に、表示の具体例について説明する。ここでは、第1の画素611に第1の表示素子
が設けられ、第2の画素612に第2の表示素子が設けられる構成のときに、効率良くア
イドリングストップ駆動ができる例について、図13(A1)乃至(A3)および図14
を用いて説明する。
、後述する第2の画像Q1、Q2、Q3として取得した飛行体の画像を合成する例である
。図13(A1)乃至(A3)が連続して表示されることで、実際には存在しない飛行体
がビル群の上方を飛んでいる動画を構成することができる。
得、生成、または表示される画像の具体例を図14に示す。
る。そして、画像を合成する領域が黒表示となるように第1の画像P1を加工し、第3の
画像P1’を生成する。
て、第3の画像P1’で黒表示とした領域の元データと第2の画像Q1とを合成し、それ
らの領域以外は黒表示として第4の画像Q1’を生成する。
画素612に表示されることにより、全体として図13(A1)に示す画像が表示される
。
動により、期間F2以降も維持される。
から取得し、第4の画像Q2’を生成する。そして、第4の画像Q2’を第2の画素61
2に表示することにより、全体として図13(A2)に示す画像が表示される。
から取得し、第4の画像Q3’を生成する。そして、第4の画像Q3’を第2の画素61
2に表示することにより、全体として図13(A3)に示す画像が表示される。
アイドリングストップ駆動を効率良く行うことができる。
間、第2の画像Q1を取得する期間、第4の画像Q1’を生成する期間、及び第3の画像
P1’及び第4の画像Q1’を表示する期間を含む。第3の画像P1’及び第4の画像Q
1’を表示する期間以外の期間では、期間F1よりも以前に合成され、表示された画像を
表示しておくことが好ましい。また、期間F2、期間F3も同様に、第4の画像Q2’ま
たはQ3’を第2の画素612に表示する期間以外の期間では、これよりも前に生成また
は合成された画像を表示しておくことが好ましい。
上述した各画素や、画素を駆動する回路に用いられるトランジスタなどの半導体装置に
は、半導体層に金属酸化物を適用することが好ましい。当該金属酸化物としては、例えば
、後述するCAC−OS(Cloud−Aligned Composite−Oxid
e Semiconductor)などを用いることができる。
シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると
、トランジスタのオフ状態における電流を低減することができる。
電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用
することで、各画素の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結
果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
体装置には、多結晶半導体を用いてもよい。例えば、多結晶シリコンなどを用いることが
好ましい。多結晶シリコンは単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、かつアモルファス
シリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。このような多結晶半導体を
画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。また極めて多くの画素を
有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成する
ことが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
み合わせて実施することができる。
以下では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできる表示パネルの例について説
明する。以下で例示する表示パネルは、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、発
光モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示パネルである。
図15(A)は、表示装置400の構成の一例を示すブロック図である。表示装置40
0は、表示部362にマトリクス状に配列した複数の画素410を有する。また表示装置
400は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素410、
回路GDと電気的に接続する複数の配線G1、複数の配線G2、複数の配線ANO、およ
び複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素410、回路SD
と電気的に接続する複数の配線S1、および複数の配線S2を有する。
晶素子を駆動する回路GDおよび回路SDと、発光素子を駆動する回路GDおよび回路S
Dとを、別々に設けてもよい。
子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
bは、画素410における液晶素子の反射電極として機能する。また導電層311bには
、開口451が設けられている。
示している。発光素子360は、導電層311bが有する開口451と重ねて配置されて
いる。これにより、発光素子360が発する光は、開口451を介して表示面側に射出さ
れる。
このとき、図15(B1)に示すように、方向Rに配列する複数の画素において、複数の
開口451が一直線上に配列されないように、それぞれ導電層311bの異なる位置に設
けられていることが好ましい。これにより、隣接する2つの発光素子360を離すことが
可能で、発光素子360が発する光が隣接する画素410が有する着色層に入射してしま
う現象(クロストークともいう)を抑制することができる。また、隣接する2つの発光素
子360を離して配置することができるため、発光素子360のEL層をシャドウマスク
等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口451の総面積の比
の値が小さすぎると、発光素子360を用いた表示が暗くなってしまう。
と、発光素子360が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
ことができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、
開口451を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口451を同じ色を
表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
図16は、画素410の構成例を示す回路図である。図16では、隣接する2つの画素
410を示している。
ランジスタM、容量素子C2、および発光素子360等を有する。また、画素410には
、配線G1、配線G2、配線ANO、配線CSCOM、配線S1、および配線S2が電気
的に接続されている。また、図16では、液晶素子340と電気的に接続する配線VCO
M1、および発光素子360と電気的に接続する配線VCOM2を示している。
を示している。
S1と接続され、ソースまたはドレインの他方が容量素子C1の一方の電極、および液晶
素子340の一方の電極と接続されている。容量素子C1は、他方の電極が配線CSCO
Mと接続されている。液晶素子340は、他方の電極が配線VCOM1と接続されている
。
が配線S2と接続され、ソースまたはドレインの他方が、容量素子C2の一方の電極、ト
ランジスタMのゲートと接続されている。容量素子C2は、他方の電極がトランジスタM
のソースまたはドレインの一方、および配線ANOと接続されている。トランジスタMは
、ソースまたはドレインの他方が発光素子360の一方の電極と接続されている。発光素
子360は、他方の電極が配線VCOM2と接続されている。
いる例を示している。これにより、トランジスタMが流すことのできる電流を増大させる
ことができる。
とができる。配線VCOM1には、所定の電位を与えることができる。配線S1には、液
晶素子340が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線CSC
OMには、所定の電位を与えることができる。
とができる。配線VCOM2および配線ANOには、発光素子360が発光する電位差が
生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線S2には、トランジスタMの導通状態を
制御する信号を与えることができる。
び配線S1に与える信号により駆動し、液晶素子340による光学変調を利用して表示す
ることができる。また、発光モードで表示を行う場合には、配線G2および配線S2に与
える信号により駆動し、発光素子360を発光させて表示することができる。また、両方
のモードで駆動する場合には、配線G1、配線G2、配線S1および配線S2のそれぞれ
に与える信号により駆動することができる。
とを有する例を示したが、これに限られない。図17(A)は、一つの画素410に一つ
の液晶素子340と4つの発光素子(発光素子360r、発光素子360g、発光素子3
60b、発光素子360w)を有する例を示している。
れている。
0g、発光素子360b、発光素子360w)を、それぞれ赤色(R)、緑色(G)、青
色(B)、および白色(W)を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子34
0として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モー
ドの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また発光モード
で表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。
1が有する開口部と重なる発光素子360wと、電極311の周囲に配置された発光素子
360r、発光素子360g、および発光素子360bとを有する。発光素子360r、
発光素子360g、および発光素子360bは、発光面積がほぼ同等であることが好まし
い。
図18は、本発明の一態様の表示パネル300の斜視概略図である。表示パネル300
は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図18では、基板361
を破線で明示している。
には、例えば回路364、配線365、および画素電極として機能する導電層311b等
が設けられる。また図18では基板351上にIC373とFPC372が実装されてい
る例を示している。そのため、図18に示す構成は、表示パネル300とFPC372お
よびIC373を有する表示モジュールと言うこともできる。
電力は、FPC372を介して外部、またはIC373から配線365に入力される。
にIC373が設けられている例を示している。IC373は、例えば走査線駆動回路、
または信号線駆動回路などとしての機能を有するICを適用できる。なお表示パネル30
0が走査線駆動回路および信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆
動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、FPC372を介して表示パ
ネル300を駆動するための信号を入力する場合などでは、IC373を設けない構成と
してもよい。また、IC373を、COF(Chip On Film)方式等により、
FPC372に実装してもよい。
示素子が有する導電層311bがマトリクス状に配置されている。導電層311bは、可
視光を反射する機能を有し、後述する液晶素子340の反射電極として機能する。
りも基板351側に、発光素子360を有する。発光素子360からの光は、導電層31
1bの開口を介して基板361側に射出される。
容量方式のタッチセンサ366を表示部362に重ねて設ける構成とすればよい。または
、基板361と基板351との間にタッチセンサを設けてもよい。基板361と基板35
1との間にタッチセンサを設ける場合は、静電容量方式のタッチセンサのほか、光電変換
素子を用いた光学式のタッチセンサを適用してもよい。
図19に、図18で例示した表示パネルの、FPC372を含む領域の一部、回路36
4を含む領域の一部、および表示部362を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断
面の一例を示す。なお、タッチセンサ366は含まない。
1と絶縁層220の間に、発光素子360、トランジスタ201、トランジスタ205、
トランジスタ206、着色層134等を有する。また絶縁層220と基板361の間に、
液晶素子340、着色層135等を有する。また基板361と絶縁層220は接着層16
1を介して接着され、基板351と絶縁層220は接着層162を介して接着されている
。
光素子360と電気的に接続する。トランジスタ205とトランジスタ206は、いずれ
も絶縁層220の基板351側の面上に形成されているため、これらを同一の工程を用い
て作製することができる。
の共通電極として機能する導電層313、配向膜133b、絶縁層117等が設けられて
いる。絶縁層117は、液晶素子340のセルギャップを保持するためのスペーサとして
機能する。
層214、絶縁層215等の絶縁層が設けられている。絶縁層211は、その一部が各ト
ランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層212、絶縁層213、および絶縁層
214は、各トランジスタを覆って設けられている。また絶縁層214を覆って絶縁層2
15が設けられている。絶縁層214および絶縁層215は、平坦化層としての機能を有
する。なお、ここではトランジスタ等を覆う絶縁層として、絶縁層212、絶縁層213
、絶縁層214の3層を有する場合について示しているが、これに限られず4層以上であ
ってもよいし、単層、または2層であってもよい。また平坦化層として機能する絶縁層2
14は、不要であれば設けなくてもよい。
がゲートとして機能する導電層221、一部がソースまたはドレインとして機能する導電
層222、半導体層231を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の
層に、同じハッチングパターンを付している。
312、導電層313が積層された積層構造を有する。また、導電層311aの基板35
1側に接して、可視光を反射する導電層311bが設けられている。導電層311bは開
口251を有する。また、導電層311aおよび導電層313は可視光を透過する材料を
含む。また、液晶312と導電層311aの間に配向膜133aが設けられ、液晶312
と導電層313の間に配向膜133bが設けられている。また、基板361の外側の面に
は、偏光板130を有する。
3は可視光を透過する機能を有する。基板361側から入射した光は、偏光板130によ
り偏光され、導電層313、液晶312を透過し、導電層311bで反射する。そして、
液晶312および導電層313を再度透過して、偏光板130に達する。このとき、導電
層311bと導電層313の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調
を制御することができる。すなわち、偏光板130を介して射出される光の強度を制御す
ることができる。また光は着色層135によって特定の波長領域以外の光が吸収されるこ
とにより、取り出される光は、例えば赤色を呈する光となる。
層220側から導電層191、EL層192、および導電層193bの順に積層された積
層構造を有する。また導電層193bを覆って導電層193aが設けられている。導電層
193bは可視光を反射する材料を含み、導電層191および導電層193aは可視光を
透過する材料を含む。発光素子360が発する光は、着色層134、絶縁層220、開口
251、導電層313等を介して、基板361側に射出される。
られていることが好ましい。これにより、開口251と重なる領域においてもそれ以外の
領域と同様に液晶312が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ
、意図しない光が漏れてしまうことを抑制できる。
いが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と1/4波
長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制すること
ができる。また、外光反射を抑制するために光拡散板を設けてもよい。また、偏光板の種
類に応じて、液晶素子340に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整
することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。
層217は、絶縁層220と基板351が必要以上に接近することを抑制するスペーサと
しての機能を有する。またEL層192や導電層193aを遮蔽マスク(メタルマスク)
を用いて形成する場合には、当該遮蔽マスクが被形成面に接触することを抑制するための
機能を有していてもよい。なお、絶縁層217は不要であれば設けなくてもよい。
360の導電層191と電気的に接続されている。
11bと電気的に接続されている。導電層311bと導電層311aは接して設けられ、
これらは電気的に接続されている。ここで、接続部207は、絶縁層220に設けられた
開口を介して、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士を接続する部分である。
続部204は、接続層242を介してFPC372と電気的に接続されている。接続部2
04は接続部207と同様の構成を有している。接続部204の上面は、導電層311a
と同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続部204と
FPC372とを接続層242を介して電気的に接続することができる。
52において、導電層311aと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層31
3の一部が、接続体243により電気的に接続されている。したがって、基板361側に
形成された導電層313に、基板351側に接続されたFPC372から入力される信号
または電位を、接続部252を介して供給することができる。
ては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることが
できる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。ま
たニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を
用いることが好ましい。また接続体243として、弾性変形、または塑性変形する材料を
用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体243は、図19に示すよう
に上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体243と、これと電
気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良など
の不具合の発生を抑制することができる。
化前の接着層161に接続体243を分散させておけばよい。
る。
成される半導体層231を2つのゲートで挟持する構成が適用されている。一方のゲート
は導電層221により、他方のゲートは絶縁層212を介して半導体層231と重なる導
電層223により構成されている。このような構成とすることで、トランジスタのしきい
値電圧を制御することができる。このとき、2つのゲートを接続し、これらに同一の信号
を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のト
ランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させる
ことができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回
路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用する
ことで、表示パネルを大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各
配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。
じ構造であってもよい。また回路364が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造で
あってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部
362が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のト
ランジスタを組み合わせて用いてもよい。
などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。すなわち、絶縁層212また
は絶縁層213はバリア膜として機能させることができる。このような構成とすることで
、トランジスタに対して外部から不純物が拡散することを効果的に抑制することが可能と
なり、信頼性の高い表示パネルを実現できる。
ている。絶縁層218は、平坦化層としての機能を有していてもよい。絶縁層218によ
り、導電層313の表面を概略平坦にできるため、液晶312の配向状態を均一にできる
。
また、本発明の一態様の表示パネルは、図20に示すように、画素に設けられる第1の
トランジスタと、第2のトランジスタが重なる領域を有する構成であってもよい。このよ
うな構成とすることで、一画素あたりの面積を小さくすることができ、高精細な画像が表
示できる画素密度の高い表示パネルを形成することができる。
トランジスタ208が重なる領域を有するような構成とすることができる。または、液晶
素子340を駆動するためのトランジスタ206と、トランジスタ205およびトランジ
スタ208の一方が重なる領域を有するような構成であってもよい。
また、本発明の一態様の表示パネルは、図21に示すように、表示パネル300aと表
示パネル300bが接着層50を介して貼り合わされた構成であってもよい。表示パネル
300aは、表示部362aに液晶素子340およびトランジスタ206を有し、表示部
362aを駆動する回路364aにトランジスタ201aを有する。表示パネル300b
は、表示部362bに発光素子360およびトランジスタ205、208を有し、表示部
362bを駆動する回路364bにトランジスタ201bを有する。
れに適した作製工程を用いることができ、製品歩留りを向上させることができる。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子か
らの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、
セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
らに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実
現できる。
げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全
体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、
好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、10μm以上200μm
以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。
ッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金またはステンレス等の合金などを好適に用い
ることができる。
理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、
電着法、蒸着法、またはスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素
雰囲気で放置するまたは加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を
形成してもよい。
レフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂、
ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカー
ボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロ
オレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ
テトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料
を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が30×10−6/K以下であるポリアミ
ドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用いることができる。また、ガラス繊
維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基
板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を
用いた表示パネルも軽量にすることができる。
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Eガラ
ス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可
撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からな
る構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ま
しい。
たは、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
ば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、ア
ラミド樹脂など)等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下
等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい
。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる
。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する
絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示し
ている。
えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい
し、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート
型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設
けられていてもよい。
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶
領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラ
ンジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である金属酸化物を用いることが
できる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などであり、例えば、後述するCA
C−OSなどを用いることができる。
たトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子
に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。
ルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジムまたは
ハフニウム等の金属)を含むIn−M−Zn系酸化物で表記される膜とすることができる
。
化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、In≧
M、Zn≧Mを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素
の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、I
n:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4
.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5
:1:8等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッ
タリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む
。
め好ましい。またこのとき酸化物半導体を用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形
成できる、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材
料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大
面積のガラス基板などを好適に用いることができる。
、キャリア密度が1×1017/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以下、さ
らに好ましくは1×1013/cm3以下、より好ましくは1×1011/cm3以下、
さらに好ましくは1×1010/cm3未満であり、1×10−9/cm3以上の酸化物
半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高
純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。これにより不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低いため
、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
効果移動度、しきい値電圧等)に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要と
するトランジスタの半導体特性を得るために、半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠
陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ま
しい。
が含まれると、半導体層において酸素欠損が増加し、n型化してしまう。このため、半導
体層におけるシリコンや炭素の濃度(二次イオン質量分析法により得られる濃度)を、2
×1018atoms/cm3以下、好ましくは2×1017atoms/cm3以下と
する。
生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため半
導体層における二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金
属の濃度を、1×1018atoms/cm3以下、好ましくは2×1016atoms
/cm3以下にする。
が生じ、キャリア密度が増加し、n型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物
半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため半導体層にお
ける二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は、5×1018atoms/cm3
以下にすることが好ましい。
向した結晶を有するCAAC−OS(C−Axis Aligned Crystall
ine Oxide Semiconductor、または、C−Axis Align
ed and A−B−plane Anchored Crystalline Ox
ide Semiconductor)、多結晶構造、微結晶構造、または非晶質構造を
含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、CAAC−OSは
最も欠陥準位密度が低い。
い。または、非晶質構造の酸化物膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を有さ
ない。
C−OSの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であってもよい。混
合膜は、例えば上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単層構造、または積
層構造を有する場合がある。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(C
loud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
以下、好ましくは、1nm以上2nm以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一
構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素
が偏在し、該金属元素を有する領域が、0.5nm以上10nm以下、好ましくは、1n
m以上2nm以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ
状ともいう。
および亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イ
ットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、
ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム
、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が
含まれていてもよい。
Ga−Zn酸化物を、特にCAC−IGZOと呼称してもよい。)とは、インジウム酸化
物(以下、InOX1(X1は0よりも大きい実数)とする。)、またはインジウム亜鉛
酸化物(以下、InX2ZnY2OZ2(X2、Y2、およびZ2は0よりも大きい実数
)とする。)と、ガリウム酸化物(以下、GaOX3(X3は0よりも大きい実数)とす
る。)、またはガリウム亜鉛酸化物(以下、GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4、およ
びZ4は0よりも大きい実数)とする。)などと、に材料が分離することでモザイク状と
なり、モザイク状のInOX1、またはInX2ZnY2OZ2が、膜中に均一に分布し
た構成(以下、クラウド状ともいう。)である。
、またはInOX1が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導
体である。なお、本明細書において、例えば、第1の領域の元素Mに対するInの原子数
比が、第2の領域の元素Mに対するInの原子数比よりも大きいことを、第1の領域は、
第2の領域と比較して、Inの濃度が高いとする。
場合がある。代表例として、InGaO3(ZnO)m1(m1は自然数)、またはIn
(1+x0)Ga(1−x0)O3(ZnO)m0(−1≦x0≦1、m0は任意数)で
表される結晶性の化合物が挙げられる。
、CAAC構造とは、複数のIGZOのナノ結晶がc軸配向を有し、かつa−b面におい
ては配向せずに連結した結晶構造である。
Ga、Zn、およびOを含む材料構成において、一部にGaを主成分とするナノ粒子状に
観察される領域と、一部にInを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞ
れモザイク状にランダムに分散している構成をいう。したがって、CAC−OSにおいて
、結晶構造は副次的な要素である。
。例えば、Inを主成分とする膜と、Gaを主成分とする膜との2層からなる構造は、含
まない。
が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
ム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデ
ン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグ
ネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、CAC−OSは、一
部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にInを主成分とす
るナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成
をいう。
成することができる。また、CAC−OSをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガス
として、不活性ガス(代表的にはアルゴン)、酸素ガス、および窒素ガスの中から選ばれ
たいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸
素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を0%以上30%未満、好
ましくは0%以上10%以下とすることが好ましい。
ひとつであるOut−of−plane法によるθ/2θスキャンを用いて測定したとき
に、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、X線回折から、測定領
域のa−b面方向、およびc軸方向の配向は見られないことが分かる。
を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、
該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、CAC
−OSの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないnc(na
no−crystal)構造を有することがわかる。
X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray spectr
oscopy)を用いて取得したEDXマッピングにより、GaOX3が主成分である領
域と、InX2ZnY2OZ2、またはInOX1が主成分である領域とが、偏在し、混
合している構造を有することが確認できる。
GZO化合物と異なる性質を有する。つまり、CAC−OSは、GaOX3などが主成分
である領域と、InX2ZnY2OZ2、またはInOX1が主成分である領域と、に互
いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。
3などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、InX2Zn
Y2OZ2、またはInOX1が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸
化物半導体としての導電性が発現する。したがって、InX2ZnY2OZ2、またはI
nOX1が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電
界効果移動度(μ)が実現できる。
X1が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、GaOX3など
が主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好な
スイッチング動作を実現できる。
性と、InX2ZnY2OZ2、またはInOX1に起因する導電性とが、相補的に作用
することにより、高いオン電流(Ion)、および高い電界効果移動度(μ)を実現する
ことができる。
は、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
コンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリコンを用い
ることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンなどを用
いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温で形成でき
、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。
め好ましい。またこのときアモルファスシリコンを用いることで、多結晶シリコンよりも
低温で形成できるため、半導体層よりも下層の配線や電極の材料、基板の材料として、耐
熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例え
ば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。一方、トップゲート型
のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすいため、特性のばらつきなどを
低減することができるため好ましい。このとき特に、多結晶シリコンや単結晶シリコンな
どを用いる場合に適している。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線お
よび電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロ
ム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタ
ングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの
材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを
含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タン
グステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合
金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン
膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミ
ニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三
層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または
銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造
等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。ま
た、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい
。
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(またはそ
れらの窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
これらは、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層や、表示素子が有する導
電層(画素電極や共通電極として機能する導電層)にも用いることができる。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの
樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を
抑制できる。
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
]以下、好ましくは1×10−6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×1
0−7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10−8[g/(m2・d
ay)]以下とする。
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)
モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(
Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(
Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Adv
anced Super View)モードなどを用いることができる。
ばVAモードのほかに、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In
−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Sw
itching)モード、ASM(Axially Symmetric aligne
d Micro−cell)モード、OCB(Optically Compensat
ed Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric L
iquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。
子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の
電界または斜め方向の電界を含む)によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶と
しては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC
:Polymer Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液
晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレス
テリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す
。
、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相
の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転
移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範
囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方
性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不
要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不
要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作
製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
素子などを用いることができる。
板を設ける。また偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、
直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい
。LED(Light Emitting Diode)を備える直下型のバックライト
を用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため
好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたモジ
ュールの厚さを低減できるため好ましい。
表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
トライトを設けてもよい。フロントライトとしては、エッジライト型のフロントライトを
用いることが好ましい。LED(Light Emitting Diode)を備える
フロントライトを用いると、消費電力を低減できるため好ましい。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって
輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、LED、有機EL素子、無機E
L素子等を用いることができる。
などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を
取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入
性の高い物質、またはバイポーラ性の物質(電子輸送性および正孔輸送性が高い物質)等
を含む層をさらに有していてもよい。
合物を含んでいてもよい。EL層を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む
)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層におい
て再結合し、EL層に含まれる発光物質が発光する。
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば2以上の発光物質の各々の発光が補色の関
係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、
それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、O(橙)等の発光を示す発光物質、
またはR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、
2以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の
波長(例えば350nm乃至750nm)の範囲内に2以上のピークを有する発光素子を
適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトル
は、緑色および赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、EL層における複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して
積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層また
は燐光発光層と同一の材料(例えばホスト材料、アシスト材料)を含み、且ついずれの発
光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易に
なり、また、駆動電圧が低減される。
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができ
る。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む
合金、またはこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度
に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用い
ることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを
用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよ
い。
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、ま
たはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラ
ンタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッ
ケル、またはネオジムと、アルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)を用いてもよい
。また銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜に
接して金属膜または金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。この
ような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。ま
た、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀
とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜
などを用いることができる。
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて
形成することができる。
子輸送性の高い物質、および電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、
それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポ
リマー等)を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料
として機能させることもできる。
コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また
、12族と16族、13族と15族、または14族と16族の元素グループを含む材料を
用いてもよい。または、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、
鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、E
VA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を
用いてもよい。
化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入
することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジ
ルコニウム等を用いることができる。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Condu
ctive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic C
onductive Paste)などを用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含
まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、
金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層
は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。ま
た、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の
光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料
を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで
、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
み合わせて実施することができる。
本発明の一態様の入出力パネルの構成について、図22および図23を参照しながら説
明する。
パネルが備える画素の断面図である。
図22に示す入出力パネルの機能膜の構成を説明する断面図であり、図23(B)は入力
ユニットの構成を説明する断面図であり、図23(C)は第2のユニットの構成を説明す
る断面図であり、図23(D)は第1のユニットの構成を説明する断面図である。
えば、1以上の整数の値をとる変数pを含む(p)を、最大p個の構成要素のいずれかを
特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、1以上の整数の値をとる変数m
および変数nを含む(m,n)を、最大m×n個の構成要素のいずれかを特定する符号の
一部に用いる場合がある。
22参照)。また、入出力パネル700TP3は、第1のユニット501と、第2のユニ
ット502と、入力ユニット503と、機能膜770Pと、を有する(図23参照)。第
1のユニット501は機能層520を含み、第2のユニット502は機能層720を含む
。
画素702(i,j)は、機能層520の一部と、第1の表示素子750(i,j)と、
第2の表示素子550(i,j)と、を有する(図22参照)。
(i,j)を含む。なお、図示しない画素回路530(i,j)は、例えば、トランジス
タMを含む。また、機能層520は、光学素子560、被覆膜565およびレンズ580
を含む。また、機能層520は、絶縁膜528および絶縁膜521を備える。絶縁膜52
1Aおよび絶縁膜521Bを積層した材料を、絶縁膜521に用いることができる。
とができる。または、屈折率1.6近傍の材料を絶縁膜521Aまたは絶縁膜521Bに
用いることができる。または、アクリル樹脂またはポリイミドを絶縁膜521Aまたは絶
縁膜521Bに用いることができる。
膜501Cは開口部591Aを備える。
、第1の表示素子750(i,j)の電極751(i,j)と電気的に接続される。なお
、電極751(i,j)を、第1の導電膜に用いることができる。
Aにおいて、第1の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜512Bを第2の導電
膜に用いることができる。第2の導電膜は、画素回路530(i,j)と電気的に接続さ
れる。例えば、画素回路530(i,j)のスイッチSW1に用いるトランジスタのソー
ス電極またはドレイン電極として機能する導電膜を第2の導電膜に用いることができる。
ところで、絶縁膜501Cに設けられた開口部591Aにおいて第2の導電膜と電気的に
接続される第1の導電膜を、貫通電極ということができる。
。第2の表示素子550(i,j)は、機能層520に向けて光を射出する機能を備える
。また、第2の表示素子550(i,j)は、例えば、レンズ580または光学素子56
0に向けて光を射出する機能を備える。
視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、第2の表示素子5
50(i,j)が射出する光を遮らない領域751Hを備える形状を第1の表示素子75
0(i,j)の電極751(i,j)に用いる。なお、外光を反射する強度を制御して画
像情報を表示する第1の表示素子750(i,j)に外光が入射し反射する方向を、破線
の矢印を用いて図中に示す。また、第1の表示素子750(i,j)を用いた表示を視認
できる範囲の一部に第2の表示素子550(i,j)が光を射出する方向を、実線の矢印
を用いて図中に示す。
、第2の表示素子を用いた表示を視認することができる。または、入出力パネルの姿勢等
を変えることなく使用者は表示を視認することができる。または、第1の表示素子が反射
する光が表現する物体色と、第2の表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わ
せることができる。または、物体色および光源色を用いて絵画的な表示をすることができ
る。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる
。
、液晶材料を含む層753と、を備える。また、配向膜AF1と、配向膜AF2とを備え
る。具体的には、反射型の液晶素子を第1の表示素子750(i,j)に用いることがで
きる。
いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極752
または電極751(i,j)に用いることができる。または、屈折率1.6近傍の材料を
配向膜に用いることができる。
、発光性の材料を含む層553(j)と、を備える。電極552は、電極551(i,j
)と重なる領域を備える。発光性の材料を含む層553(j)は、電極551(i,j)
および電極552の間に挟まれる領域を備える。電極551(i,j)は、接続部522
において、画素回路530(i,j)と電気的に接続される。具体的には、有機EL素子
を第2の表示素子550(i,j)に用いることができる。
。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極551(i,j)に用い
ることができる。または、屈折率1.8近傍の材料を発光性の材料を含む層553(j)
に用いることができる。
の領域を備える。
2の領域は被覆膜565と接する領域を含み、第3の領域は可視光の一部を射出する機能
を備える。また、第3の領域は第1の領域の可視光を供給される領域の面積以下の面積を
備える。
、第3の領域に供給する機能を備える。
膜565に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀およ
び銅等を含む材料を被覆膜565に用いることができる。
可視光を透過する材料をレンズ580に用いることができる。または、1.3以上2.5
以下の屈折率を備える材料をレンズ580に用いることができる。例えば、無機材料また
は有機材料をレンズ580に用いることができる。
ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、インジウムとスズを
含む酸化物またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物などを、レンズ580に用い
ることができる。または、硫化亜鉛などを、レンズ580に用いることができる。
素またはヨウ素が導入された樹脂、重金属原子が導入された樹脂、芳香環が導入された樹
脂、硫黄が導入された樹脂などをレンズ580に用いることができる。または、樹脂と樹
脂より屈折率の高い材料のナノ粒子を含む樹脂をレンズ580に用いることができる。酸
化チタンまたは酸化ジルコニウムなどをナノ粒子に用いることができる。
機能層720は、基板770および絶縁膜501Cの間に挟まれる領域を備える。機能層
720は、絶縁膜771と、着色膜CF1と、を有する。
域を備える。
。これにより、着色膜CF1の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、着
色膜CF1等から液晶材料を含む層753への不純物の拡散を、抑制することができる。
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、基板570と、基板770と、を有する
。
機能層520を挟む領域を備える。
折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、接合層505を有する。
20および基板770を貼り合せる機能を備える。
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、構造体KB1と、構造体KB2とを有す
る。
る。構造体KB1は領域751Hと重なる領域を備え、構造体KB1は透光性を備える。
これにより、第2の表示素子550(i,j)によって射出される光を一方の面に供給さ
れ、他方の面から射出することができる。
用いる材料の屈折率との差が0.2以下になるように選択された材料を構造体KB1に用
いる。これにより、第2の表示素子が射出する光を効率よく利用することができる。また
は、第2の表示素子の面積を広くすることができる。または、有機EL素子に流す電流の
密度を下げることができる。
体KB2は第2の表示素子550(i,j)と重なる領域を備え、構造体KB2は透光性
を備える。
ができる。これにより、構造体KB1または構造体KB2を例えばカラーフィルターに用
いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を構造体KB1ま
たは構造体KB2に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材
料を構造体KB1または構造体KB2に用いることができる。
ート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の
複合材料などを構造体KB1または構造体KB2に用いることができる。また、感光性を
有する材料を用いて形成してもよい。
、屈折率1.55近傍のアクリル樹脂を構造体KB2に用いることができる。
入力ユニット503は検知素子を備える。検知素子は、画素702(i,j)と重なる領
域に近接するものを検知する機能を備える。これにより、表示部に近接させる指などをポ
インタに用いて、位置情報を入力することができる。
抵抗膜方式の近接センサまたは表面弾性波方式の近接センサなどを、入力ユニット503
に用いることができる。具体的には、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式または赤
外線検知型の近接センサを用いることができる。
ニット503に用いることができる。
また、本実施の形態で説明する入出力パネル700TP3は、機能膜770Dと、機能膜
770Pと、を有する。
0Dは機能層520との間に第1の表示素子750(i,j)を挟む領域を備える。
表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜770Dに用い
ることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易く
することができる。または、例えば、第1の表示素子750(i,j)が反射する光を拡
散することができる。
を備える。偏光層770PBは開口部を備え、位相差フィルム770PAは偏光層770
PBと重なる領域を備える。なお、構造体KB2は開口部に設けられる。
偏光層770PBは、偏光性を備える。これにより、機能膜770Pを偏光板に用いるこ
とができる。
2は第2の表示素子550(i,j)と重なる領域を備える。これにより、液晶素子を第
1の表示素子に用いることができる。例えば、反射型の液晶素子を第1の表示素子に用い
ることができる。または、第2の表示素子が射出する光を効率よく取り出すことができる
。または、有機EL素子に流す電流の密度を下げることができる。または、有機EL素子
の信頼性を高めることができる。
いることができる。具体的には、2色性色素を含む膜および位相差フィルムを機能膜77
0Pに用いることができる。
伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜770Pに用いることができる。
1.6近傍の材料を位相差フィルム770PAに用いることができる。
み合わせて実施することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用可能な表示モジュールについて説
明する。
02との間に、FPC6005に接続された表示パネル6006、フレーム6009、プ
リント基板6010、及びバッテリ6011を有する。
ことができる。これにより、高い歩留まりで表示モジュールを作製することができる。
て、形状や寸法を適宜変更することができる。
は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを表示パネル6006に重畳して用い
ることができる。また、タッチパネルを設けず、表示パネル6006に、タッチパネル機
能を持たせるようにすることも可能である。
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム6009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ6011による電源であってもよい。バッテリ6011は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
加して設けてもよい。
である。
光部6016を有する。また、上部カバー6001と下部カバー6002により囲まれた
領域に一対の導光部(導光部6017a、導光部6017b)を有する。
リ6011と重ねて設けられている。表示パネル6006とフレーム6009は、導光部
6017a、導光部6017bに固定されている。
06の上部を経由し、導光部6017bを通って受光部6016に達する。例えば指やス
タイラスなどの被検知体により、光6018が遮られることにより、タッチ操作を検出す
ることができる。
。受光部6016は、発光部6015と対向する位置に複数設けられる。これにより、タ
ッチ操作がなされた位置の情報を取得することができる。
6015として、使用者に視認されず、且つ使用者にとって無害である赤外線を発する光
源を用いることが好ましい。
を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能なフォトダイオードを用いることが
できる。
を用いることができる。導光部6017a及び導光部6017bを用いることで、発光部
6015と受光部6016とを表示パネル6006の下側に配置することができ、外光が
受光部6016に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を
吸収し、赤外線を透過する樹脂を用いることが好ましい。これにより、タッチセンサの誤
動作をより効果的に抑制できる。
み合わせて実施することができる。
11 制御部
12 演算部
13 駆動部
14 駆動部
20 画素ユニット
21 画素
21B 表示素子
21G 表示素子
21R 表示素子
22 画素
22B 表示素子
22G 表示素子
22R 表示素子
25 光
31 視点検出部
35 タッチセンサ
50 接着層
60 表示システム
111 筐体
112 筐体
113 ヒンジ
114 カメラ
115 支持部
117 絶縁層
121 表示部
122 表示部
130 偏光板
131 スタイラス
132 指
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
135 着色層
136 遮光層
141a 文書情報
141b 文書情報
142 ユーザ入力画像
143 画像
143a オブジェクト
144a 輪郭部分
144b 記号部分
145 ウィンドウ
146 ユーザ入力画像
151 領域
161 接着層
162 接着層
191 導電層
192 EL層
193a 導電層
193b 導電層
201 トランジスタ
201a トランジスタ
201b トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
208 トランジスタ
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
215 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
251 開口
252 接続部
300 表示パネル
300a 表示パネル
300b 表示パネル
311 電極
311a 導電層
311b 導電層
312 液晶
313 導電層
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
362a 表示部
362b 表示部
364 回路
364a 回路
364b 回路
365 配線
366 タッチセンサ
372 FPC
373 IC
400 表示装置
410 画素
451 開口
501 ユニット
501C 絶縁膜
502 ユニット
503 入力ユニット
505 接合層
512B 導電膜
520 機能層
521 絶縁膜
521A 絶縁膜
521B 絶縁膜
522 接続部
528 絶縁膜
530 画素回路
550 表示素子
551 電極
552 電極
553 発光性の材料を含む層
560 光学素子
565 被覆膜
570 基板
580 レンズ
591A 開口部
600 制御部
601 データ処理回路
602 メモリ
603 メモリ
604 制御回路
605 カメラ
606 GPS受信機
607 データ入出力部
610 表示部
611 画素
612 画素
613 タッチセンサ
614 光センサ
651 画素回路
653 液晶素子
700TP3 入出力パネル
702 画素
720 機能層
750 表示素子
751 電極
751H 領域
752 電極
753 液晶材料を含む層
770 基板
770D 機能膜
770P 機能膜
770PA 位相差フィルム
770PB 偏光層
771 絶縁膜
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6005 FPC
6006 表示パネル
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリ
6015 発光部
6016 受光部
6017a 導光部
6017b 導光部
6018 光
Claims (11)
- 第1の表示部と、第2の表示部と、制御部と、を有する電子機器であって、
前記制御部は、前記第1の表示部及び前記第2の表示部にそれぞれ個別に、第1の画像、第2の画像、及び第3の画像のうち二以上を同時に表示させる機能を有し、
前記第1の画像は、反射光により表示する画像であり、
前記第2の画像は、発光光により表示する画像であり、
前記第3の画像は、前記反射光と前記発光光とが混在した光により表示する画像である、電子機器。 - 第1の表示部を有する第1の筐体と、第2の表示部を有する第2の筐体と、制御部と、を有する電子機器であって、
前記第1の筐体と前記第2の筐体とは、前記第1の表示部と前記第2の表示部とが互いに重なるように折り畳まれた形態と、前記第1の表示部と前記第2の表示部とが露出するように開いた形態と、に変形可能に連結され、
前記制御部は、前記第1の表示部及び前記第2の表示部にそれぞれ個別に、第1の画像、第2の画像、及び第3の画像のうち二以上を同時に表示させる機能を有し、
前記第1の画像は、反射光により表示する画像であり、
前記第2の画像は、発光光により表示する画像であり、
前記第3の画像は、前記反射光と前記発光光とが混在した光により表示する画像である、電子機器。 - 請求項2において、
前記第1の筐体と前記第2の筐体とは、脱着可能に連結される、電子機器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の表示部はタッチセンサとしての機能を有し、
前記制御部は、前記第1の表示部に文書情報を表示し、前記第2の表示部には前記タッチセンサを介してユーザ入力が検出された場合に、入力情報を表示する機能を有する、電子機器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の表示部はタッチセンサとしての機能を有し、
前記制御部は、ユーザ入力が検出されない場合に、前記第2の表示部に前記第2の画像または前記第3の画像を表示し、ユーザ入力が検出された場合に、前記第2の表示部の検出位置に前記第1の画像を表示する、電子機器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の表示部はタッチセンサとしての機能を有し、
前記制御部は、ユーザ入力が検出されない場合に、前記第2の表示部に複数のオブジェクト情報を前記第2の画像または前記第3の画像として表示し、ユーザ入力が検出された場合に、検出位置に位置する前記オブジェクト情報を前記第1の画像として表示する、電子機器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の表示部内または前記第2の表示部内において、ユーザが注視している第1の領域を検出し、当該第1の領域の位置情報を前記制御部に出力する視点検出部を有し、
前記制御部は、前記位置情報に基づいて、前記第1の領域に前記第2の画像または前記第3の画像を表示し、前記第1の領域以外の第2の領域に、前記第1の画像を表示する、電子機器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
撮像する機能を有し、撮像した第1の画像情報を出力する撮像部を有し、
前記制御部は、前記第1の画像情報と仮想オブジェクト情報と、を合成した第2の画像情報を生成する機能を有し、
前記制御部は、前記第2の画像情報に基づいて、前記第1の表示部または前記第2の表示部に、前記仮想オブジェクト情報を前記第2の画像または前記第3の画像として表示し、それ以外の領域を前記第1の画像として表示する、電子機器。 - 2つの表示部に、それぞれ個別に、反射光により表示する第1の画像と、発光光により表示する第2の画像と、前記反射光と前記発光光とが混在した光により表示する第3の画像のうち二以上を同時に表示させること、を含む、画像表示方法。
- コンピュータを、
2つの表示部に、それぞれ個別に、反射光により表示する第1の画像と、発光光により表示する第2の画像と、前記反射光と前記発光光とが混在した光により表示する第3の画像のうち二以上を同時に表示させる制御部、として機能させるための、プログラム。 - 反射光により表示する第1の表示素子と、発光光により表示する第2の表示素子と、をそれぞれ有する、第1の表示装置及び第2の表示装置と、
前記第1の表示装置及び前記第2の表示装置に、それぞれ個別に、前記第1の表示素子のみにより表示する第1の画像と、前記第2の表示素子のみにより表示する第2の画像と、前記第1の表示素子及び前記第2の表示素子の両方により表示する第3の画像のうち、二以上を同時に表示させる制御装置と、を有する、表示システム。
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