JP2021527941A - 紫外発光ダイオードパッケージ構造及び製造方法 - Google Patents
紫外発光ダイオードパッケージ構造及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021527941A JP2021527941A JP2020549741A JP2020549741A JP2021527941A JP 2021527941 A JP2021527941 A JP 2021527941A JP 2020549741 A JP2020549741 A JP 2020549741A JP 2020549741 A JP2020549741 A JP 2020549741A JP 2021527941 A JP2021527941 A JP 2021527941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support frame
- light emitting
- emitting diode
- ultraviolet light
- package structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- OFHQVNFSKOBBGG-UHFFFAOYSA-N 1,2-difluoropropane Chemical compound CC(F)CF OFHQVNFSKOBBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJAYYWUZLWNSQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1,2,2-trifluoroethene;ethene Chemical group C=C.FC(F)=C(F)Cl CHJAYYWUZLWNSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【選択図】図7
Description
(1)支持フレームを提供し、前記支持フレームは、上表面と、側表面及び下表面とを有しており、前記支持フレームは、基板と若干の電極を含む工程と、
(2)前記基板の上表面に、凹み構造を形成する工程と、
(3)若干のLEDチップを前記支持フレーム上に固定する工程と、
(4)フッ素を含む樹脂をパッケージのカバー体として、前記LEDチップと、支持フレームの上表面及び凹み構造とを覆う工程と、
(5)隣接するLEDチップの間の中心線に沿って切断し、紫外発光ダイオードパッケージ構造を得る工程とを有する。
(1)支持フレームを提供し、前記支持フレームは、上表面と、側表面及び下表面とを有しており、前記支持フレームは、基板と若干の電極を含む工程と、
(2)前記基板の下表面に、凹み構造を形成する工程と、
(3)若干のLEDチップを前記支持フレーム上に固定する工程と、
(4)フッ素を含む樹脂をパッケージのカバー体として、前記LEDチップと、支持フレームの上表面と、側表面と、下表面及び凹み構造とを覆う工程と、
(5)隣接するLEDチップの間の中心線に沿って切断し、紫外発光ダイオードパッケージ構造を得る工程とを有する。
101 基板
1011 上表面
1012 側表面
1013 下表面
102 電極
103 凹み構造
200 保護膜
300 LEDチップ
400 パッケージのカバー体
Claims (20)
- 支持フレームと、LEDチップと、パッケージのカバー体とを備えており、前記LEDチップは前記支持フレーム上に設けられており、前記支持フレーム上には凹み構造及び凹んでいないエリアが設けられ、前記パッケージのカバー体にはフッ素を含む樹脂を選んでおり、前記フッ素を含む樹脂は前記LEDチップと、前記支持フレームの上表面と、前記凹み構造とを覆っていることを特徴とする紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記凹み構造は、前記支持フレームの上表面及び/又は下表面及び/又は側表面に設置することを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記支持フレームの上表面と下表面の凹み構造は、完全にずらして又は部分的にずらして配置されていることを特徴とする請求項2に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記凹み構造の縦断面はL字型、又は長方形、又は三角形、又は台形、又はアーチ型、又はその他の多角形を呈すことを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記支持フレームの凹み構造の表面の粗さは、前記支持フレームの凹んでいないエリアの表面の粗さよりもが大きいことを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記支持フレームの上表面又は下表面又は側表面の粗さは、0.2μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記支持フレームの凹み構造の表面の算術平均粗さRaは、0.5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記フッ素を含む樹脂は、前記支持フレームの側表面を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記フッ素を含む樹脂は、前記支持フレームの側表面及び下表面を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記支持フレームの側表面のフッ素を含む樹脂の最も薄い部分の距離をDと定義すると、Dは20μm〜500μmの間であることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記フッ素を含む樹脂と前記LEDチップとの間にキャビティが存在しないことを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記支持フレームは、基板と電極とを含むことを特徴とする請求項1に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記基板には、セラミック又は石英ガラスを選んで用いることを特徴とする請求項12に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造。
- (1)支持フレームを提供し、前記支持フレームは、上表面と、側表面及び下表面を有しており、前記支持フレームは、基板と若干の電極を含む工程と、
(2)前記基板の上表面に、凹み構造を形成する工程と、
(3)若干のLEDチップを前記支持フレーム上に固定する工程と、
(4)フッ素を含む樹脂をパッケージカバー体として、前記LEDチップと、支持フレームの上表面及び凹み構造を覆う工程と、
(5)隣接するLEDチップの間の中心線に沿って切断し、紫外発光ダイオードパッケージ構造を得る工程とを
有することを特徴とする紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。 - 前記工程(2)と(3)の順序は、互いに入れ替え可能であることを特徴とする請求項14に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
- (1)支持フレームを提供し、前記支持フレームは、上表面と、側表面及び下表面を有しており、前記支持フレームは、基板と若干の電極を含む工程と、
(2)前記基板の下表面に、凹み構造を形成する工程と、
(3)若干のLEDチップを前記支持フレーム上に固定する工程と、
(4)フッ素を含む樹脂をパッケージカバー体として、前記LEDチップと、支持フレームの上表面と、側表面と、下表面及び凹み構造を覆う工程と、
(5)隣接するLEDチップの間の中心線に沿って切断し、紫外発光ダイオードパッケージ構造を得る工程とを
有することを特徴とする紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。 - 前記工程(2)と(3)の順序は、互いに入れ替え可能であることを特徴とする請求項16に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
- 前記工程(4)の前に、更に工程(3)´を含み、該工程(3)´では、凹み構造の中心線に沿って切断を開始し、凹みを貫くまで切断し、それによって若干の単一基板ユニットを形成し、それから前記支持フレームを保護膜上に移すことを特徴とする請求項16に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
- 前記支持フレームを保護膜まで移した後、保護膜を拡張して、隣接する基板ユニット間の間隔を大きくし、後続の製造工程の作業空間を大きくすることを特徴とする請求項18に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
- 前記工程(4)は、前記フッ素を含む樹脂と前記LEDチップとの間にキャビティが存在しないように、ホットプレス又はディスペンシング方法を用い、前記フッ素を含む樹脂を前記LEDチップ上に密接に貼り付けることを特徴とする請求項14または請求項16に記載の紫外発光ダイオードパッケージ構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2018/104008 WO2020047753A1 (zh) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021527941A true JP2021527941A (ja) | 2021-10-14 |
JP7125503B2 JP7125503B2 (ja) | 2022-08-24 |
Family
ID=69192932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020549741A Active JP7125503B2 (ja) | 2018-09-04 | 2018-09-04 | 紫外発光ダイオードパッケージ構造及び製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210184087A1 (ja) |
JP (1) | JP7125503B2 (ja) |
CN (2) | CN115663090A (ja) |
WO (1) | WO2020047753A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7339518B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2023-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
CN114824040B (zh) * | 2022-07-01 | 2022-11-08 | 广东中科半导体微纳制造技术研究院 | 半导体封装器件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050006651A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-13 | Lockheed Martin Corporation | Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens |
JP2009146935A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2012114286A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
WO2014178288A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 創光科学株式会社 | 紫外線発光装置 |
WO2017022755A1 (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子用の基台及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100567548B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2006-04-05 | 서울반도체 주식회사 | 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP5440010B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2014-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
WO2010107239A2 (ko) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | ㈜알텍테크놀로지스 | 발광 다이오드 장치의 제조방법과 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈, 그리고 이를 구비한 조명등기구 |
CN102468396B (zh) * | 2010-11-05 | 2014-08-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
WO2016054764A1 (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | GE Lighting Solutions, LLC | Materials and optical components for color filtering in lighting apparatus |
CN106025037B (zh) * | 2016-05-27 | 2018-08-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法 |
EP3279952A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-07 | Maven Optronics Co., Ltd. | Moisture-resistant chip scale packaging light-emitting device |
JP6963174B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | プリント基板、光源装置および半導体装置、ならびにそれらの製造方法 |
-
2018
- 2018-09-04 CN CN202211227037.9A patent/CN115663090A/zh active Pending
- 2018-09-04 WO PCT/CN2018/104008 patent/WO2020047753A1/zh active Application Filing
- 2018-09-04 CN CN201880035505.8A patent/CN110710003B/zh active Active
- 2018-09-04 JP JP2020549741A patent/JP7125503B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-01 US US17/188,902 patent/US20210184087A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050006651A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-13 | Lockheed Martin Corporation | Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens |
JP2009146935A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2012114286A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
WO2014178288A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 創光科学株式会社 | 紫外線発光装置 |
WO2017022755A1 (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体発光素子用の基台及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7125503B2 (ja) | 2022-08-24 |
CN110710003B (zh) | 2022-11-18 |
US20210184087A1 (en) | 2021-06-17 |
CN110710003A (zh) | 2020-01-17 |
WO2020047753A1 (zh) | 2020-03-12 |
CN115663090A (zh) | 2023-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7067340B1 (en) | Flip-chip light emitting diode and fabricating method thereof | |
TWI727512B (zh) | 發光裝置 | |
JP4901117B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP6545981B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
KR101998885B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2006253298A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
JPH06268252A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2003338637A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
JP2009059969A (ja) | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP2021527941A (ja) | 紫外発光ダイオードパッケージ構造及び製造方法 | |
KR20140127457A (ko) | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
KR100537477B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 반도체 발광장치 | |
JP4238666B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR20140026163A (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
CN111293199A (zh) | 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块 | |
US20160072013A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
TWI624968B (zh) | 可提供預定視角的發光二極體封裝結構、發光二極體封裝模組、及其成形方法 | |
KR101450216B1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
CN214411234U (zh) | 一种led发光装置 | |
CN214068749U (zh) | 半导体封装结构及发光单元 | |
KR101779084B1 (ko) | 반도체 발광소자 구조물 및 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법 | |
CN212934655U (zh) | 一种紫外光源的封装结构 | |
JP6155932B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7011195B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102022460B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7125503 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |