JP2021524675A - ダイ付着フィルムをダイシングする方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 404
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 335
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 290
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 164
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 145
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 28
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 23
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 185
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 54
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 35
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 8
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 4
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003733 fiber-reinforced composite Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000011208 reinforced composite material Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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Abstract
Description
1)破損及び欠けが減少する
2)切り口寸法を20ミクロンより十分小さくなるまで減少させることができる
3)ダイの数が増加したとき、処理時間が著しくは長くならない
4)より薄いウエハには、処理時間が減少する
5)ダイ・トポロジが直線的なフォーマットに限定されない。
サポート・フィルム、フレーム及び基板を有する加工物を提供するステップであって、基板は、上部表面及び底部表面を有し、基板の上部表面は、少なくとも1つのダイ領域及び少なくとも1つのストリート領域を有する、加工物を提供するステップと、
基板とサポート・フィルムとの間に置かれる複合フィルムを提供するステップと、
基板エッチング・プロセスを使用して複合フィルムの一部分を露出させるために少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングするステップと、
第1のエッチング・プロセスを使用して複合フィルムの第1の成分をエッチングするステップと、
第2のエッチング・プロセスを使用して複合フィルムの露出されている部分の第2の成分をプラズマ・エッチングするステップとを含む。
サポート・フィルム、フレーム及び基板を有する加工物を提供するステップであって、基板は、上部表面及び底部表面を有し、基板の上部表面は、少なくとも1つのダイ領域及び少なくとも1つのストリート領域を有する、加工物を提供するステップと、
基板とサポート・フィルムとの間に置かれるダイ付着フィルムを提供するステップと、
基板エッチング・プロセスを使用してダイ付着フィルムの一部分を露出させるために少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングするステップと、
第1のエッチング・プロセスを使用してダイ付着フィルムの第1の成分をエッチングするステップと、
第2のエッチング・プロセスを使用してダイ付着フィルムの露出されている部分の第2の成分をプラズマ・エッチングするステップとを含む。
サポート・フィルム、フレーム及び基板を有する加工物を提供するステップであって、基板は、上部表面及び底部表面を有し、基板の上部表面は、少なくとも1つのダイ領域及び少なくとも1つのストリート領域を有する、加工物を提供するステップと、
基板とサポート・フィルムとの間に置かれるダイ付着フィルムを提供するステップと、
基板エッチング・プロセスを使用してダイ付着フィルムの一部分を露出させるために少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングするステップと、
第1のエッチング・プロセスを使用してダイ付着フィルムの第1の成分を等方的にエッチングするステップと、
第2のエッチング・プロセスを使用してダイ付着フィルムの露出されている部分の第2の成分を異方的にプラズマ・エッチングするステップとを含む。
Claims (20)
- 複合フィルム上で基板をダイシングする方法であって、
サポート・フィルム、フレーム及び基板を有する加工物を提供するステップであって、前記基板は、上部表面及び底部表面を有し、前記基板の前記上部表面は、少なくとも1つのダイ領域及び少なくとも1つのストリート領域を有する、加工物を提供するステップと、
前記基板と前記サポート・フィルムとの間に置かれる前記複合フィルムを提供するステップと、
基板エッチング・プロセスを使用して前記複合フィルムの一部分を露出させるために前記少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングするステップと、
第1のエッチング・プロセスを使用して前記複合フィルムの第1の成分をエッチングするステップと、
第2のエッチング・プロセスを使用して前記複合フィルムの露出されている部分の第2の成分をエッチングするステップと
を含む、方法。 - 前記複合フィルムが、マトリックス・ベースの材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の成分が補強成分である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の成分がマトリックス成分である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが、少なくとも部分的に等方性である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが等方性である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが、前記第2のエッチング・プロセスとは異なるプロセス化学を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のエッチング・プロセスが、少なくとも部分的に異方性である、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のエッチング・プロセスが異方性である、請求項1に記載の方法。
- 前記基板材料の前記エッチングを真空チャンバ内で行い、前記複合フィルムの前記エッチングを真空チャンバ内で行う、請求項1に記載の方法。
- ダイ付着フィルム上で基板をダイシングする方法であって、
サポート・フィルム、フレーム及び基板を有する加工物を提供するステップであって、前記基板は、上部表面及び底部表面を有し、前記基板の前記上部表面は、少なくとも1つのダイ領域及び少なくとも1つのストリート領域を有する、加工物を提供するステップと、
前記基板と前記サポート・フィルムとの間に置かれる前記ダイ付着フィルムを提供するステップと、
基板エッチング・プロセスを使用して前記ダイ付着フィルムの一部分を露出させるために前記少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングするステップと、
第1のエッチング・プロセスを使用して前記ダイ付着フィルムの第1の成分をエッチングするステップと、
第2のエッチング・プロセスを使用して前記ダイ付着フィルムの露出されている部分の第2の成分をプラズマ・エッチングするステップと
を含む、方法。 - 前記第1のエッチング・プロセスが、少なくとも部分的に等方性である、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが等方性である、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが、前記第2のエッチング・プロセスとは異なるプロセス化学を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記第2のエッチング・プロセスが、少なくとも部分的に異方性である、請求項11に記載の方法。
- 前記第2のエッチング・プロセスが異方性である、請求項11に記載の方法。
- ダイ付着フィルム上で基板をダイシングする方法であって、
サポート・フィルム、フレーム及び基板を有する加工物を提供するステップであって、前記基板は、上部表面及び底部表面を有し、前記基板の前記上部表面は、少なくとも1つのダイ領域及び少なくとも1つのストリート領域を有する、加工物を提供するステップと、
前記基板と前記サポート・フィルムとの間に置かれる前記ダイ付着フィルムを提供するステップと、
基板エッチング・プロセスを使用して前記ダイ付着フィルムの一部分を露出させるために前記少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングするステップと、
第1のエッチング・プロセスを使用して前記ダイ付着フィルムの第1の成分を等方的にエッチングするステップと、
第2のエッチング・プロセスを使用して前記ダイ付着フィルムの露出されている部分の第2の成分を異方的にプラズマ・エッチングするステップとを含む、方法。 - 前記少なくとも1つのストリート領域から基板材料をエッチングする前記ステップ中に、前記ダイ付着フィルムの一部分を除去するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが、前記第2のエッチング・プロセスとは異なる少なくとも1つのプロセス・ガスを使用する、請求項17に記載の方法。
- 前記第1のエッチング・プロセスが、前記第2のエッチング・プロセスとは異なるプロセス・ガスを使用する、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862680145P | 2018-06-04 | 2018-06-04 | |
US62/680,145 | 2018-06-04 | ||
US201862721380P | 2018-08-22 | 2018-08-22 | |
US62/721,380 | 2018-08-22 | ||
US16/358,017 | 2019-03-19 | ||
US16/358,017 US10943825B2 (en) | 2018-06-04 | 2019-03-19 | Method for dicing die attach film |
PCT/US2019/024375 WO2019236175A1 (en) | 2018-06-04 | 2019-03-27 | Method for dicing die attach film |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6931135B1 JP6931135B1 (ja) | 2021-09-01 |
JP2021524675A true JP2021524675A (ja) | 2021-09-13 |
Family
ID=68695233
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020567554A Active JP6931135B1 (ja) | 2018-06-04 | 2019-03-27 | ダイ付着フィルムをダイシングする方法 |
JP2020567572A Active JP7324781B2 (ja) | 2018-06-04 | 2019-03-27 | ダイ付着フィルムをダイシングする方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020567572A Active JP7324781B2 (ja) | 2018-06-04 | 2019-03-27 | ダイ付着フィルムをダイシングする方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10943825B2 (ja) |
EP (2) | EP3803964B1 (ja) |
JP (2) | JP6931135B1 (ja) |
KR (2) | KR102299394B1 (ja) |
CN (2) | CN112534567B (ja) |
TW (2) | TWI741262B (ja) |
WO (2) | WO2019236176A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7493159B2 (ja) | 2020-03-10 | 2024-05-31 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | エッチング方法および素子チップの製造方法 |
US11972980B2 (en) * | 2020-11-25 | 2024-04-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Singulation systems and related methods |
FR3122523B1 (fr) * | 2021-04-30 | 2023-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de structuration de surface hybride par gravure plasma |
TWI820938B (zh) * | 2022-09-29 | 2023-11-01 | 強茂股份有限公司 | 晶粒吸取輔助裝置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012521075A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | ロート ウント ラウ アーゲー | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2014523110A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | レーザスクライビング・プラズマエッチングによるデバイスの個片化用のインサイチュー蒸着マスク層 |
US9142459B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-09-22 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination |
JP2018093116A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
JP2019125723A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4171240A (en) | 1978-04-26 | 1979-10-16 | Western Electric Company, Inc. | Method of removing a cured epoxy from a metal surface |
US5908510A (en) * | 1996-10-16 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Residue removal by supercritical fluids |
US6642127B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dicing a semiconductor wafer |
JP3991872B2 (ja) | 2003-01-23 | 2007-10-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4025223B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2007-12-19 | 住友ベークライト株式会社 | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR100593814B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2006-06-28 | 에이스 인더스트리 주식회사 | 반도체 다이본딩용 점착테이프 |
US7780865B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
TW200816880A (en) | 2006-05-30 | 2008-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Atmospheric pressure plasma generating method, plasma processing method and component mounting method using same, and device using these methods |
TW200935506A (en) | 2007-11-16 | 2009-08-16 | Panasonic Corp | Plasma dicing apparatus and semiconductor chip manufacturing method |
US9343365B2 (en) * | 2011-03-14 | 2016-05-17 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US9105705B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-08-11 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US8557682B2 (en) | 2011-06-15 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
JP5776397B2 (ja) | 2011-07-19 | 2015-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
US8664089B1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-03-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor die singulation method |
US9368404B2 (en) * | 2012-09-28 | 2016-06-14 | Plasma-Therm Llc | Method for dicing a substrate with back metal |
JP2014120494A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP6201513B2 (ja) * | 2013-08-19 | 2017-09-27 | 東洋紡株式会社 | 積層体の製造方法及びそれを用いたデバイス構造体の製造方法 |
JP6210847B2 (ja) | 2013-11-11 | 2017-10-11 | 株式会社ディスコ | 切削装置及び切削方法 |
US9299614B2 (en) * | 2013-12-10 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method and carrier for dicing a wafer |
CN106068548B (zh) * | 2014-03-07 | 2020-02-28 | 等离子瑟姆有限公司 | 用于对半导体晶圆进行等离子体切片的方法和设备 |
US20150255349A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-10 | JAMES Matthew HOLDEN | Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes |
US8975163B1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-03-10 | Applied Materials, Inc. | Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing |
US9112050B1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing |
US9472458B2 (en) * | 2014-06-04 | 2016-10-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die |
US11195756B2 (en) * | 2014-09-19 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Proximity contact cover ring for plasma dicing |
JP6791086B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2020-11-25 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物 |
JP6883405B2 (ja) * | 2016-11-01 | 2021-06-09 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法 |
JP6903375B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2021-07-14 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP6800129B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2020-12-16 | 古河電気工業株式会社 | フィルム状接着剤、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージの製造方法 |
-
2019
- 2019-03-05 TW TW108107261A patent/TWI741262B/zh active
- 2019-03-05 TW TW108107263A patent/TWI776026B/zh active
- 2019-03-19 US US16/358,017 patent/US10943825B2/en active Active
- 2019-03-19 US US16/358,163 patent/US20190371667A1/en not_active Abandoned
- 2019-03-27 CN CN201980036984.XA patent/CN112534567B/zh active Active
- 2019-03-27 WO PCT/US2019/024380 patent/WO2019236176A1/en unknown
- 2019-03-27 KR KR1020207036704A patent/KR102299394B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-27 JP JP2020567554A patent/JP6931135B1/ja active Active
- 2019-03-27 KR KR1020207037722A patent/KR102632893B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-27 CN CN201980036877.7A patent/CN112424927B/zh active Active
- 2019-03-27 JP JP2020567572A patent/JP7324781B2/ja active Active
- 2019-03-27 EP EP19722716.8A patent/EP3803964B1/en active Active
- 2019-03-27 EP EP19722715.0A patent/EP3803963B1/en active Active
- 2019-03-27 WO PCT/US2019/024375 patent/WO2019236175A1/en unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012521075A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | ロート ウント ラウ アーゲー | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2014523110A (ja) * | 2011-06-15 | 2014-09-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | レーザスクライビング・プラズマエッチングによるデバイスの個片化用のインサイチュー蒸着マスク層 |
US9142459B1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-09-22 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination |
JP2018093116A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
JP2019125723A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3803964B1 (en) | 2024-03-20 |
TW202004883A (zh) | 2020-01-16 |
KR20210018329A (ko) | 2021-02-17 |
WO2019236176A1 (en) | 2019-12-12 |
US20190371667A1 (en) | 2019-12-05 |
JP2021527318A (ja) | 2021-10-11 |
KR102299394B1 (ko) | 2021-09-07 |
TWI741262B (zh) | 2021-10-01 |
KR20210018849A (ko) | 2021-02-18 |
JP7324781B2 (ja) | 2023-08-10 |
CN112424927B (zh) | 2022-03-18 |
US10943825B2 (en) | 2021-03-09 |
CN112534567B (zh) | 2024-01-26 |
KR102632893B1 (ko) | 2024-02-01 |
TWI776026B (zh) | 2022-09-01 |
CN112424927A (zh) | 2021-02-26 |
EP3803964A1 (en) | 2021-04-14 |
EP3803963A1 (en) | 2021-04-14 |
EP3803963B1 (en) | 2022-08-10 |
CN112534567A (zh) | 2021-03-19 |
TW202006807A (zh) | 2020-02-01 |
JP6931135B1 (ja) | 2021-09-01 |
WO2019236175A1 (en) | 2019-12-12 |
US20200083084A1 (en) | 2020-03-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210427 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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