JP2021519641A5 - - Google Patents

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Claims (12)

  1. 皮下流体流を測定するための形状適合性デバイスであって、
    軟質で伸縮自在であり、可撓性を有する基板と、
    前記基板によって支持される熱アクチュエータと、
    前記基板によって支持される上流温度センサと、
    前記基板によって支持される下流温度センサであって、前記上流温度センサおよび下流温度センサは、前記熱アクチュエータに関して対向可能に位置決めされ、前記上流温度センサで前記熱アクチュエータよりも上流の上流温度を測定し、前記下流温度センサで前記熱アクチュエータよりも下流の下流温度を測定する、下流温度センサと、
    前記基板によって支持されるアクチュエータ基準センサであって、前記アクチュエータ基準センサは、前記上流温度センサと前記下流温度センサとを接続する概念的な線から基準センサ分離距離だけ隔てられ、使用中に前記形状適合性デバイスの下にある導管内の流れに関係なくアクチュエータの効果を測定する、アクチュエータ基準センサと、
    前記基板によって支持される周囲基準センサであって、前記周囲基準センサは、周囲参照センサ読み取り値が熱作動状態から実質的に独立するように十分に大きい周囲基準センサ分離距離だけ、前記上流および下流温度センサを接続する概念的な線から隔てられている、周囲基準センサと、
    前記測定された上流および下流温度から前記導管内の皮下流体流を計算するように構成されている、アクチュエータ基準、周囲基準、下流および上流温度センサと電子的に通信するマイクロプロセッサとを備える形状適合性デバイス。
  2. 前記熱アクチュエータを囲む軟質可撓性基板によって支持される温度センサの高密度アレイを備える請求項1に記載の形状適合性デバイス。
  3. 温度センサは、薄膜温度センサまたはサーミスタのうちの1つまたは複数を備える請求項1および2のいずれか一項に記載の形状適合性デバイス。
  4. 皮下流体流パラメータを測定するためのデバイスであって、
    基板と、
    前記基板によって支持される少なくとも1つの上流温度センサと、
    前記基板によって支持される少なくとも1つの下流温度センサと、
    前記基板に支持され、前記上流温度センサと前記下流温度センサとの間に位置決めされている熱アクチュエータとを備え、
    前記熱アクチュエータは、前記上流温度センサが上流温度を測定し、前記下流温度センサが下流温度を測定して、皮下流体流量パラメータの決定を可能にするように熱作動を行わせるのに十分な累積抵抗率を有する抵抗器のアレイを備え、前記熱アクチュエータの抵抗器の前記アレイは、前記上流温度センサと前記下流温度センサとの間の面積の10%から60%の範囲から選択される充填率をもたらすデバイス。
  5. 前記測定された上流温度および下流温度から皮下流体流量パラメータを計算するために前記下流温度センサおよび前記上流温度センサと電子的に通信するマイクロプロセッサをさらに備える請求項に記載のデバイス。
  6. 前記上流温度センサと前記下流温度センサとの間の前記面積は、前記デバイスの総プリント基板設置面積の5%〜60%である請求項またはに記載のデバイス。
  7. 皮下組織パラメータを測定するためのデバイスであって、
    基板と、
    前記基板によって支持される熱アクチュエータと、
    前記基板によって支持される少なくとも1つの温度センサと、
    前記基板に支持されている絶縁層であって、前記絶縁層は前記熱アクチュエータおよび前記温度センサを熱的に絶縁し、前記絶縁層は、0.1W/m*K以下の熱伝導率によって特徴付けられるデバイス。
  8. 前記絶縁層は、0.01W/m*Kから0.1W/m*Kの範囲から選択される熱伝導率によって特徴付けられる請求項に記載のデバイス。
  9. 前記絶縁層は、少なくとも部分的に、前記熱アクチュエータおよび前記温度センサを封緘する請求項またはに記載のデバイス。
  10. 皮下組織パラメータを測定するためのデバイスであって、
    基板と、
    前記基板によって支持される熱アクチュエータと、
    前記基板によって支持される少なくとも1つの温度センサと、
    前記基板と前記少なくとも1つの温度センサ、前記熱アクチュエータ、またはその両方との間に位置決めされた不連続熱伝導層であって、熱伝導層は20W/m*K以上の熱伝導率によって特徴付けられる、不連続熱伝導層とを備えるデバイス。
  11. 前記熱伝導層は、20W/m*Kから2000W/m*Kの範囲から選択される熱伝導率によって特徴付けられる請求項10に記載のデバイス。
  12. 前記熱伝導層は、金属、炭素ベース材料、シリコーンベースポリマー複合材料、またはこれらの任意の組合せを含む請求項10または11に記載のデバイス。
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