JP2021502049A - 高電圧ゲートドライバ電流源 - Google Patents
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Abstract
Description
VCP=CMDRN(Max(PPHV、VBUS))+n×3.3V
ここで、nはチャージポンプの段数である。
VCP=CMDRN(Max(PPHV,VBUS))+VGS(MNP0)+VDS(MP2)+VDS(MP3)
+負荷によるチャージポンプのドロップアウト、
又は同様に、
VCP=CMDRN(Max(PPHV,VBUS)+VGS(MNP1)+VDS(MP4)+VDS(MP5)
+負荷によるチャージポンプのドロップアウト
例えば、設計によって、ゲートクランプ(例えば、206)によって実現されるような電力FET(例えば、MNP1)のターゲットVGSが10ボルト又はそれより高い場合、チャージポンプ電圧VCPは、負荷に適応した後、共通ドレイン電圧CMDRN(即ち、PPHV又はVBUSの大きい方)よりも少なくとも約10.3ボルト高い電位に維持され得る。このような例では、チャージポンプ電圧が常にCMDRNよりも少なくとも約10.3ボルト高くなるように、チャージポンプはn=4段にする必要がある。また、VCPがこの値より1又は2ボルト上であれば許容可能である。
PPHV=24V、
GATEPASSFET=VBUS+10V、
R2/(R1+R2)=3/4と仮定する。
飽和のためVSDMP4>0.5Vと仮定すると、VY=VBUS+10.5Vとなり、
VSDMP4>VY−VBP2−VTHP
となり、
そのため、MP4は線形領域になる。
従って、MP4は飽和している。
|VGSMP4|<5VとなるようにR1とR2を選ぶ
ケース1、R2/(R1+R2)=1/2’の場合、
ケース2、R2/(R1+R2)=3/4’の場合、
Claims (20)
- 電力供給システムであって、
電力入力と電力出力との間に配置される電力FET、及び
電流源駆動回路、
を含み、
前記電流源駆動回路が、
前記電力入力と前記電力出力との間で電力の供給をレギュレートするために前記電力FETのゲートにプルアップ電流を提供するためのカスコード電流源であって、上側段と下側段との間にカスコードノードを有する、前記カスコード電流源と、
前記カスコードノードにおける電圧をサンプリングして前記電圧を前記下側段のゲートまで適応的に変化させ、前記下側段をソースフォロワとして自動的に構成して、前記電力入力と前記電力出力との間の電流の制限を必要とする過電流状態の間、前記下側段を飽和にするための、カスコード保護回路と、
を含む、
電力供給システム。 - 請求項1に記載の電力供給システムであって、前記カスコード保護回路が、ソースフォロワ回路要素及びフィードバック分圧器回路要素を含む、電力供給システム。
- 請求項1に記載の電力供給システムであって、前記電力FETが、前記カスコード電流源及び前記カスコード保護回路とは異なるIC上のNexFETである、電力供給システム。
- 請求項1に記載の電力供給システムであって、前記カスコード電流源及びカスコード保護回路が、約30ボルトより大きいドレイン・ソース電圧に定格されるトランジスタを含まない、電力供給システム。
- 請求項1に記載の電力供給システムであって、前記電力出力に対する電流を閾値と比較し、前記比較に基づいて、前記電力FETの前記ゲートの前記電圧をプルすることによって前記過電流状態に応答するための電流制限回路を更に含む、電力供給システム。
- 請求項1に記載の電力供給システムであって、
前記上側段のドレインノードが、前記カスコードノードにおいて前記下側段のソースノードに接続され、
前記カスコード保護回路がフィードバックトランジスタを含み、前記フィードバックトランジスタのゲートノードが前記カスコードノードに接続されている、
電力供給システム。 - 請求項6に記載の電力供給システムであって、前記カスコード保護回路が、上側ノードと、ディバイダノードと、下側ノードとを有する分圧器として配置されるフィードバック抵抗を含み、
前記分圧器の前記上側ノードが、前記フィードバックトランジスタのソースノードに接続され、
前記分圧器の前記ディバイダノードが、前記下側段のゲートノードに接続され、
前記分圧器の前記下側ノードが、前記電力FETのドレインノードに接続される、
電力供給システム。 - 請求項7に記載の電力供給システムであって、
前記電力FET及び第2の電力FETが、共通ドレインノードにおいてバック・ツー・バックに接続され、
前記電流源駆動回路が更に、
第2の電力FETのゲートに電流を提供するための第2のカスコード電流源であって、第2の上側段と第2の下側段との間に第2のカスコードノードを有する、前記第2のカスコード電流源と、
前記第2のカスコードノードにおける電圧をサンプリングして、前記電圧を前記第2の下側段のゲートに適応的に変化させ、前記第2の下側段をソースフォロワとして自動的に構成して、別の過電流状態の間、前記第2の下側段を飽和にするための第2のカスコード保護回路と、
を含む、電力供給システム。 - 電力を供給する方法であって、
出力を有する電力経路を介して出力信号をレギュレートするため、電力FETのゲートにカスコード電流源で電流を供給すること、
前記電力経路を介する電流が所定の電流制限閾値を超えることを検出し、その検出に基づいて、
前記電力FETのゲートをプルダウンし、
前記電力FETの前記ゲートがプルダウンされたことを検出し、
前記カスコード電流源の下側段をバイアスして飽和で動作させ、それによって、前記電力FETの前記ゲートに対する前記カスコード電流源の出力インピーダンスを増加させ、前記カスコード電流源の電流精度を増加させること、
を含む、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、前記カスコード電流源の前記下側段と上側段とが、35ボルトより小さい最小ドレイン・ソース降伏電圧(BVDSS)定格の30ボルトより小さいドレイン・ソース電圧(VDS)に定格されるドレイン拡張PMOS(DEPMOS)デバイスである、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記電力FETの前記ゲートの電圧電位が、前記電力経路の前記出力の電圧電位よりも少なくとも10ボルト高い、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、
チャージポンプが、前記電力FETのドレインの電圧電位より高い電圧を前記カスコード電流源に供給し、
チャージポンプの最小出力が、前記電力経路の前記出力の電圧電位よりも少なくとも10.3ボルト大きい、
方法。 - 請求項12に記載の方法であって、通常動作の間、前記電力FETの前記ゲートの電圧電位が34ボルト又はそれ以上であり、前記チャージポンプの前記電圧電位が34.3ボルト又はそれ以上である、方法。
- 請求項12に記載の方法であって、前記電力経路を介する電流が前記所定の電流制限閾値を超えることを検出することに基づいて、前記電力FETの前記ゲートが、0.5ボルト〜1.5ボルトまでプルダウンされる、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記電力FETの前記ゲートがプルダウンされたことを検出することが、前記カスコード電流源の前記下側段のソースとゲートとの間の信号をフィードバックすることによって、前記カスコード電流源の前記下側段のドレイン・ソース電圧の増大を感知することを含む、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、
フィードバックされた信号が、フィードバックトランジスタと、前記フィードバックトランジスタに接続される上側抵抗及び前記電力FETのドレインに接続される下側抵抗を含むフィードバック分圧器の前記上側抵抗とを介して供給され、
前記抵抗が、前記上側及び下側抵抗の和に対する前記下側抵抗のフィードバック比が5/9よりも大きくなるように選択される、
方法。 - 回路であって、
高電圧電力経路と電圧バスノードとの間の電力送信をレギュレートするための電力FETであって、ゲート及びドレインを有する前記電力FET、
チャージポンプ電圧ノード、
電流ミラーの一方の側にバイアス電流を提供する電流源、
前記電流ミラーの他方の側の、上側段及び下側段を含むカスコード電流源であって、前記電流源が前記上側段と前記下側段との間に中間ノードを有し、前記上側段のソースが前記チャージポンプ電圧ノードに接続され、前記下側段のドレインが前記電力FETゲートに接続される、前記カスコード電流源、
前記中間ノードにおいてそのゲートを有し、チャージポンプノードにおいてそのドレインを有するフィードバックトランジスタ、及び
上側ノードと、ディバイダノードと、下側ノードとを有する分圧器として配置される第1及び第2のフィードバック抵抗器であって、前記上側ノードが、前記フィードバックトランジスタのソースに接続され、前記ディバイダノードが、前記カスコード電流源の前記下側段のゲートに接続され、前記下側ノードが、前記電力FETのドレインに接続される、前記第1及び第2のフィードバック抵抗器、
を含む、回路。 - 請求項17に記載の回路であって、前記カスコード電流源の前記2つのトランジスタがカスコード構成で配置される2つの電界効果トランジスタ(FET)であり、前記FETが5ボルト又はそれより小さいゲート・ソース電圧(VGS)信頼性限界を有し、30ボルト又はそれより小さいドレイン・ソース電圧(VDS)信頼性限界を有する、回路。
- 請求項18に記載の回路であって、前記第1及び第2のフィードバック抵抗器の抵抗の合計に対する前記第2のフィードバック抵抗器の抵抗の比が5/9よりも大きい、回路。
- 請求項19に記載の回路であって、前記電力FETのドレインにおける電圧よりも少なくとも10ボルト高い前記チャージポンプ電圧ノードにおける電圧電位を提供するための4段チャージポンプを更に含む、回路。
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