JP2021197533A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
[2]前記p型層が二次元ホールガスを含む、上記[1]に記載の発光素子。
[3]前記n型コンタクト層が、前記縮退が生じる濃度であって、かつ4.0×1019cm−3以下の濃度のSiを含む、上記[1]又は[2]に記載の発光素子。
[4]前記n電極の前記第1のn型コンタクト層に接触する部分と、前記p電極の前記第2のn型コンタクト層に接触する部分が同じ材料からなる、上記[1]〜[3]のいずれか1項に記載の発光素子。
[5]前記材料がアルミニウムである、上記[4]に記載の発光素子。
図1は、本発明の実施の形態に係る発光素子1の垂直断面図である。発光素子1は、フリップチップ実装型の深紫外発光ダイオード(LED)である。ここで、深紫外とは、200〜300nmの波長域をいうものとする。
以下に、本発明の実施の形態に係る発光素子1の製造方法の一例について説明する。気相成長法による発光素子1の各層の形成においては、Ga原料ガス、Al原料ガス、N原料ガスとしては、例えば、それぞれトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニアを用いる。また、n型ドーパントであるSiの原料ガス、p型ドーパントであるMgの原料ガスとしては、例えば、それぞれシランガス、ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムガスを用いる。また、キャリアガスとしては、例えば、水素ガスや窒素ガスを用いる。
上記の本発明の実施の形態によれば、フェルミ準位と伝導帯が縮退した、高いAl組成を有するAlGaNからなるn型コンタクト層16を用いることにより、深紫外光の吸収を抑えたトンネル接合構造を形成することができる。また、n型コンタクト層16をp電極17のコンタクト層として用いることにより、p電極17の材料に仕事関数の低いアルミニウムなどの深紫外光に対する反射率が高い材料を用いることができる。
10 基板
11 バッファ層
12 n型コンタクト層
13 発光層
14 電子ブロック層
15 p型層
16 n型コンタクト層
17 p電極
18 n電極
Claims (5)
- AlGaNからなる第1のn型コンタクト層と、
前記第1のn型コンタクト層の上の、深紫外光を発する発光層と、
前記発光層の上の、AlGaNからなるp型層と、
前記p型層の上の、前記p型層にトンネル接合する、フェルミ準位と伝導帯が縮退した、AlGaNからなる第2のn型コンタクト層と、
前記第1のn型コンタクト層に接続されたn電極と、
前記第2のn型コンタクト層に接続されたp電極と、
を備え、
前記第2のn型コンタクト層のAl組成が、40%以上、70%以下の範囲内にある、
発光素子。 - 前記p型層が二次元ホールガスを含む、
請求項1に記載の発光素子。 - 前記n型コンタクト層が、前記縮退が生じる濃度であって、かつ4.0×1019cm−3以下の濃度のSiを含む、
請求項1又は2に記載の発光素子。 - 前記n電極の前記第1のn型コンタクト層に接触する部分と、前記p電極の前記第2のn型コンタクト層に接触する部分が同じ材料からなる、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記材料がアルミニウムである、
請求項4に記載の発光素子。
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