JP2021197458A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】、内部電極層の端部における電界集中を緩和し、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な積層セラミックコンデンサを提供すること。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１であって、積層体１００は、第１の内部電極層３０Ａと、第２の内部電極層４０Ａと、浮き電極層６０とを含み、浮き電極層６０は、第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部と、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部と、第１の端部と第２の端部を連結する連結部とを有し、連結部の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向Ｗの長さＤ１は、第１の端部の幅方向Ｗの長さＤ２および第２の端部の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。【選択図】図２Ｃ

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

従来、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを有する積層セラミックコンデンサが知られている。近年、このような積層セラミックコンデンサの高容量化および小型化が求められており、誘電体層の薄層化が図られている。また、高い印加電圧に対応する積層セラミックコンデンサも求められている。しかしながら、誘電体層の薄層化や、印加電圧の高電圧化が進むと、内部電極層の端部において電界が集中し、絶縁耐圧が低下するおそれがある。特許文献１には、内部電極層の突出端部と誘電体層を介して対向する他の内部電極層との間の領域に、分圧電極を設けた構成が開示されている。これにより、内部電極層の突出端部における電界集中をある程度緩和することが可能である。

特開平７−１０６１８３号公報

しかしながら、特許文献１の分圧電極は、外部電極の近傍のみに部分的に配置されているため、分圧電極の電位は、分圧電極の上方の内部電極層の電位と下方の内部電極層の電位の中間の電位とはなりにくい。すなわち、分圧電極の電位は、電界の分布に従って決定されることになるが、分圧電極の近傍に存在する外部電極およびその外部電極に接続されている内部電極層の電位に応じた電界の影響を比較的多く受けるため、分圧電極の電位は、分圧電極の近傍に存在する外部電極に接続されている内部電極層の電位に近づいてしまう。このように、分圧電極の電位が、分圧電極の上方の内部電極層の電位または下方の内部電極層の電位のどちらかの電位に近づいてしまう場合は、内部電極層の端部における電界集中を十分緩和することができない。よって、絶縁破壊電圧（ＢＶＤ）を十分向上させることができない。

本発明の目的は、内部電極層の端部における電界集中を緩和し、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な積層セラミックコンデンサを提供することである。

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層および第２の内部電極層を含み、前記積層体は、複数の浮き電極層をさらに含み、前記第１の内部電極層は、その一方端部が前記第１の端面に引き出されて前記第１の外部電極と接続する第１の引き出し部と、前記第１の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第１の対向部とを有し、前記第２の内部電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第１の内部電極層と対向する第２の対向部を有し、前記浮き電極層は、積層方向において前記第１の内部電極層と前記第２の内部電極層の間に配置された前記誘電体層に挟まれた位置に配置され、前記第１の端面および前記第２の端面のいずれにも露出されておらず、前記第２の対向部の前記第１の端面側の端部近傍に配置される第１の端部と、前記第１の対向部の前記第２の端面側の端部近傍に配置される第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部を連結する連結部とを有し、前記連結部の最も前記第１の側面側に位置する部分と最も前記第２の側面側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さは、前記第１の端部の前記幅方向の長さおよび前記第２の端部の前記幅方向の長さよりも短い。

本発明によれば、内部電極層の端部における電界集中を緩和し、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

第１実施形態の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 図１の積層セラミックコンデンサの２Ａ−２Ａ線に沿った断面図である。 図２Ａの積層セラミックコンデンサの２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図である。 図２Ａの積層セラミックコンデンサの２Ｃ−２Ｃ線に沿った断面図である。 図２Ａの積層セラミックコンデンサの２Ｄ−２Ｄ線に沿った断面図である。 図２Ａの積層セラミックコンデンサの２Ｅ−２Ｅ線に沿った断面図である。 図２Ａの積層セラミックコンデンサの２Ｆ−２Ｆ線に沿った断面図である。 図２Ａの積層セラミックコンデンサの２Ｇ−２Ｇ線に沿った断面図である。 第２実施形態の積層セラミックコンデンサの断面図であり、第１実施形態の図２Ａに対応する断面図である。 図３Ａの積層セラミックコンデンサの３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。 図３Ａの積層セラミックコンデンサの３Ｃ−３Ｃ線に沿った断面図である。 図３Ａの積層セラミックコンデンサの３Ｄ−３Ｄ線に沿った断面図である。 図３Ａの積層セラミックコンデンサの３Ｅ−３Ｅ線に沿った断面図である。 図３Ａの積層セラミックコンデンサの３Ｆ−３Ｆ線に沿った断面図である。 図３Ａの積層セラミックコンデンサの３Ｇ−３Ｇ線に沿った断面図である。 第３実施形態の積層セラミックコンデンサの断面図であって、第２実施形態の図３Ａに対応する断面図である。 図４Ａの積層セラミックコンデンサの４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。 図４Ａの積層セラミックコンデンサの４Ｃ−４Ｃ線に沿った断面図である。 図４Ａの積層セラミックコンデンサの４Ｄ−４Ｄ線に沿った断面図である。 図４Ｃの積層セラミックコンデンサの４Ｅ−４Ｅ線に沿った断面図である。 図４Ａおよび図４Ｅの積層セラミックコンデンサの４Ｆ−４Ｆ線に沿った断面図である。 図４Ａおよび図４Ｅの積層セラミックコンデンサの４Ｇ−４Ｇ線に沿った断面図である。 第４実施形態の積層セラミックコンデンサの断面図であって、第３実施形態の図４Ａに対応する断面図である。 図５Ａの積層セラミックコンデンサの５Ｂ−５Ｂ線に沿った断面図である。 図５Ａの積層セラミックコンデンサの５Ｃ−５Ｃ線に沿った断面図である。 図５Ｂおよび図５Ｃの積層セラミックコンデンサの５Ｄ−５Ｄ線に沿った断面図である。 図５Ｄの積層セラミックコンデンサの５Ｅ−５Ｅ線に沿った断面図である。 第５実施形態の積層セラミックコンデンサの断面図であって、第１実施形態の図２Ａに対応する断面図である。 図６Ａの積層セラミックコンデンサの６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。 図６Ａの積層セラミックコンデンサの６Ｃ−６Ｃ線に沿った断面図である。 図６Ａの積層セラミックコンデンサの６Ｄ−６Ｄ線に沿った断面図である。 図６Ａの積層セラミックコンデンサの６Ｅ−６Ｅ線に沿った断面図である。 図６Ａの積層セラミックコンデンサの６Ｆ−６Ｆ線に沿った断面図である。 第６実施形態の積層セラミックコンデンサの断面図であって、第５実施形態の図６Ａに対応する断面図である。 図７Ａの積層セラミックコンデンサの７Ｂ−７Ｂ線に沿った断面図である。 図７Ａの積層セラミックコンデンサの７Ｃ−７Ｃ線に沿った断面図である。 図７Ａの積層セラミックコンデンサの７Ｄ−７Ｄ線に沿った断面図である。 図７Ａの積層セラミックコンデンサの７Ｅ−７Ｅ線に沿った断面図である。 図７Ａの積層セラミックコンデンサの７Ｆ−７Ｆ線に沿った断面図である。 第７実施形態の積層セラミックコンデンサの断面図であって、第６実施形態の図７Ｃに対応する断面図である。 図８Ａの積層セラミックコンデンサの８Ｂ−８Ｂ線に沿った断面図である。 図８Ａの積層セラミックコンデンサの８Ｃ−８Ｃ線に沿った断面図である。 図８Ｂおよび８Ｃの積層セラミックコンデンサの８Ｄ−８Ｄ線に沿った断面図である。 ３連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。 ４連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。

＜第１実施形態＞
以下、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２Ａは、図１の積層セラミックコンデンサ１の２Ａ−２Ａ線に沿った断面図である。図２Ｂは、図２Ａの積層セラミックコンデンサ１の２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２Ａの積層セラミックコンデンサ１の２Ｃ−２Ｃ線に沿った断面図である。図２Ｄは、図２Ａの積層セラミックコンデンサ１の２Ｄ−２Ｄ線に沿った断面図である。図２Ｅは、図２Ａの積層セラミックコンデンサ１の２Ｅ−２Ｅ線に沿った断面図である。図２Ｆは、図２Ａの積層セラミックコンデンサ１の２Ｆ−２Ｆ線に沿った断面図である。図２Ｇは、図２Ａの積層セラミックコンデンサ１の２Ｇ−２Ｇ線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ１は、積層体１００と外部電極４００を有する。

図１〜図２Ｇには、ＸＹＺ直交座標系が示されている。積層セラミックコンデンサ１および積層体１００の長さ方向Ｌは、Ｘ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１００の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１００の積層方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図２Ａに示す断面はＬＴ断面とも称される。図２Ｂ〜２Ｅに示す断面はＬＷ断面とも称される。図２Ｆおよび２Ｇに示す断面はＷＴ断面とも称される。

図１〜２Ｇに示すように、積層体１００は、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む。

図１に示すように、積層体１００は、略直方体形状を有している。なお、積層体１００の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。積層体１００の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、積層体１００を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。

図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇに示すように、積層体１００は、内層部１１と、積層方向Ｔにおいて内層部１１を挟み込むように配置された第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３と、を有する。

内層部１１は、複数の誘電体層１０と複数の内部電極層２０とを含む。内層部１１は、積層方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層２０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層２０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極層２０が誘電体層１０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。

複数の誘電体層１０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、またはＣａＺｒＯ_３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。

誘電体層１０の厚みは、０．５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層１０の枚数は、３０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層１０の枚数は、内層部１１の誘電体層の枚数と第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３の誘電体層の枚数との総数である。

複数の内部電極層２０は、複数の第１の内部電極層３０Ａおよび複数の第２の内部電極層４０Ａを有する。図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇに示すように、複数の第１の内部電極層３０Ａおよび複数の第２の内部電極層４０Ａは、積層体１００の積層方向Ｔに交互に配置されるように埋設されている。

図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇには、第１の内部電極層３０Ａとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の内部電極層３１Ａ、３２Ａ、３３Ａが示されている。複数の第１の内部電極層３０Ａは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の内部電極層３０Ａを代表して、図２Ｂに示される第１の内部電極層３１Ａを用いて説明する場合がある。図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇには、第２の内部電極層４０Ａとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の内部電極層４１Ａ、４２Ａ、４３Ａが配置されている。複数の第２の内部電極層４０Ａは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第２の内部電極層４０Ａを代表して、図２Ｄに示される第２の内部電極層４１Ａを用いて説明する場合がある。

第１の内部電極層３０Ａの構成を、図２Ｂに示される第１の内部電極層３１Ａを例にして説明すると、第１の内部電極層３１Ａ（３０Ａ）は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて後述する第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３１Ａ２（３０Ａ２）と、第１の引き出し部３１Ａ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ａと対向する第１の対向部３１Ａ１（３０Ａ１）とを含む。本実施形態においては、第１の内部電極層３１Ａ（３０Ａ）は、第１の対向部３１Ａ１の第１の側面ＷＳ１側に、第１の縁部３１Ａ３（３０Ａ３）をさらに含む。

第２の内部電極層４０Ａの構成を、図２Ｄに示される第２の内部電極層４１Ａを例にして説明すると、第２の内部電極層４１Ａ（４０Ａ）は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて後述する第２の外部電極４００Ｂと接続する第２の引き出し部４１Ａ２（４０Ａ２）と、第２の引き出し部４１Ａ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第１の内部電極層３０Ａと対向する第２の対向部４１Ａ１（４０Ａ１）とを含む。本実施形態においては、第２の内部電極層４１Ａ（４０Ａ）は、第２の対向部４１Ａ１の第２の側面ＷＳ２側に、第２の縁部４１Ａ３（４０Ａ３）をさらに含む。

なお、本実施形態においては、第１の内部電極層３０Ａと、第２の内部電極層４０Ａは、幅方向Ｗにずれて配置されている。具体的には、第１の内部電極層３０Ａは、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されており、第２の内部電極層４０Ａは、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている。その結果、第１の内部電極層３０Ａは、第１の対向部３０Ａ１の第１の側面ＷＳ１側に、前述の第１の縁部３０Ａ３を有する。また、第２の内部電極層４０Ａは、第２の対向部４０Ａ１の第２の側面ＷＳ２側に、前述の第２の縁部４０Ａ３を有する。なお、第１の縁部３０Ａ３の幅方向Ｗの長さは、図２Ｃに示される後述の第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１と略同じであることが好ましい。また、第２の縁部４０Ａ３の幅方向Ｗの長さは、図２Ｅに示される後述の第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１と略同じであることが好ましい。

本実施形態では、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部３０Ａ１と第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部４０Ａ１が誘電体層１０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。

第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。なお、第１の内部電極層３０Ａの第１の引き出し部３０Ａ２の幅方向Ｗの長さが、第１の内部電極層３０Ａのその他の部分の幅方向Ｗの長さよりも短くてもよいし、長くてもよい。第２の内部電極層４０Ａの第１の引き出し部４０Ａ２の幅方向Ｗの長さが、第２の内部電極層４０Ａのその他の部分の幅方向Ｗの長さよりも短くてもよいし、長くてもよい。

第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａは、例えばＡｇ−Ｐｄ合金等により構成されてもよい。

第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａのそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上２．０μｍ以下程度であることが好ましい。第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａの枚数は、合わせて１５枚以上３００枚以下であることが好ましい。

第１の主面側外層部１２は、積層体１００の第１の主面ＴＳ１側に位置する。第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極層２０との間に位置する複数の誘電体層１０の集合体である。第１の主面側外層部１２で用いられる誘電体層１０は、内層部１１で用いられる誘電体層１０と同じものであってもよい。

第２の主面側外層部１３は、積層体１００の第２の主面ＴＳ２側に位置する。第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極層２０との間に位置する複数の誘電体層１０の集合体である。第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層１０は、内層部１１で用いられる誘電体層１０と同じものであってもよい。

積層体１００は、複数の浮き電極層６０をさらに含む。複数の浮き電極層６０は、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のいずれにも露出されていない。複数の浮き電極層６０は、内部電極層２０の端部における電界集中を緩和する機能を有する。本実施形態においては、複数の浮き電極層６０は、内層部１１内に配置されている。

図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇに示すように、複数の浮き電極層６０は、積層方向において第１の内部電極層３０Ａと第２の内部電極層４０Ａの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置されている。複数の浮き電極層６０は、積層方向において第１の内部電極層３０Ａと第２の内部電極層４０Ａの間の、略中央の位置に配置されている。すなわち、第１の内部電極層３０Ａと浮き電極層６０との積層方向の距離と、第２の内部電極層４０Ａと浮き電極層６０との積層方向Ｔの距離は、略同じである。本実施形態においては、複数の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ａおよび複数の第２の浮き電極層８０Ａを含む。複数の第１の浮き電極層７０Ａおよび複数の第２の浮き電極層８０Ａは、積層体１００の積層方向Ｔに交互に配置されるように埋設されている。

図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇには、第１の浮き電極層７０Ａとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の浮き電極層７１Ａ、７２Ａ、７３Ａが示されている。複数の第１の浮き電極層７０Ａは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の浮き電極層７０Ａを代表して、図２Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ａを用いて説明する場合がある。また、図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇには、第２の浮き電極層８０Ａとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の浮き電極層８１Ａ、８２Ａが示されている。複数の第２の浮き電極層８０Ａは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第２の浮き電極層８０Ａを代表して、図２Ｅに示される第２の浮き電極層８１Ａを用いて説明する場合がある。

本実施形態においては、複数の内部電極層２０および複数の浮き電極層６０は、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極層３０Ａ、第１の浮き電極層７０Ａ、第２の内部電極層４０Ａ、第２の浮き電極層８０Ａの順に、誘電体層１０を介して配置されており、この順番の配置が繰り返される。図２Ａ、図２Ｆ、図２Ｇに示される例では、複数の内部電極層２０および複数の浮き電極層６０は、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極層３１Ａ、第１の浮き電極層７１Ａ、第２の内部電極層４１Ａ、第２の浮き電極層８１Ａ、第１の内部電極層３２Ａの順に、誘電体層１０を介して配置されている。ここで、上述の各層の間に挟まれる誘電体層１０の厚みは、略同じ厚みであることが好ましい。

第１の浮き電極層７０Ａの構成を、図２Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ａを例にして説明すると、第１の浮き電極層７１Ａ（７０Ａ）は、第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部４０Ａ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７１Ａ１（７０Ａ１）と、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部３０Ａ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７１Ａ２（７０Ａ２）と、第１の端部７１Ａ１と第２の端部７１Ａ２を連結する連結部７１Ａ３（７０Ａ３）とを有する。

また、第２の浮き電極層８０Ａの構成を、図２Ｅに示される第２の浮き電極層８１Ａを例にして説明すると、第２の浮き電極層８１Ａ（８０Ａ）は、第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部４０Ａ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部８１Ａ１（８０Ａ１）と、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部３０Ａ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部８１Ａ２（８０Ａ２）と、第１の端部８１Ａ１と第２の端部８１Ａ２を連結する連結部８１Ａ３（８０Ａ３）とを有する。

ここで、図２Ｃに示すように、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第１の浮き電極層７０Ａの第１の端部７０Ａ１および第２の端部７０Ａ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。また、図２Ｅに示すように、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第２の浮き電極層８０Ａの第１の端部８０Ａ１および第２の端部８０Ａ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。

そして、本実施形態においては、図２Ｃに示すように、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３は、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。一方、図２Ｅに示すように第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３は、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。そして、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３と、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３とは、重ならない位置に配置されている。より詳細には、第１の浮き電極層７０Ａは略Ｕ字型（略コの字型）であり、連結部７０Ａ３は、第１の側面ＷＳ１に近接して配置されている。第２の浮き電極層８０Ａは、第１の浮き電極層７０Ａとは逆向きの略Ｕ字型（約コの字型）であり、連結部８０Ａ３は、第２の側面ＷＳ２に近接して配置されている。

さらに、本実施形態においては、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３は、第１の内部電極層３０Ａとは重なる位置に配置されている一方、第２の内部電極層４０Ａとは重ならない位置に配置されている。また、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３は、第２の内部電極層４０Ａとは重なる位置に配置されている一方、第１の内部電極層３０Ａとは重ならない位置に配置されている。

さらに、第１の浮き電極層７０Ａの第１の端部７０Ａ１および第２の浮き電極層８０Ａの第１の端部８０Ａ１は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ａとは重ならない位置に配置されている。また、第１の浮き電極層７０Ａの第２の端部７０Ａ２および第２の浮き電極層８０Ａの第２の端部８０Ａ２は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａとは重ならない位置に配置されている。

第１の浮き電極層７０Ａおよび第２の浮き電極層８０Ａは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａは、例えばＡｇ−Ｐｄ合金等により構成されてもよい。

第１の浮き電極層７０Ａおよび第２の浮き電極層８０Ａのそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上２．０μｍ以下程度であることが好ましい。第１の浮き電極層７０Ａおよび第２の浮き電極層８０Ａの枚数は、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａの枚数に対応した枚数に設定される。

なお、積層体１００は、対向電極部を有する。対向電極部は、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部３０Ａ１と第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部４０Ａ１が対向する部分である。対向電極部は、内層部１１の一部として構成されており、対向電極部の積層方向Ｔの範囲は、内層部１１の積層方向Ｔの範囲と一致している。なお、対向電極部は、コンデンサ有効部ともいう。

本実施形態においては、対向電極部を幅方向Ｗに広げた領域として、対向電極存在領域１１Ｅを有する。対向電極存在領域１１Ｅは、対向電極部の領域を、第１の側面ＷＳ１の方向に、第１の内部電極層３０Ａの第１の側面ＷＳ１側の存在領域まで広げ、かつ、第２の側面ＷＳ２側に、第２の内部電極層４０Ａの第２の側面ＷＳ２側の存在領域まで広げた領域である。図２Ｂ〜図２Ｅには、対向電極存在領域１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。

なお、積層体１００は、側面側外層部を有する。側面側外層部は、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２を有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極存在領域１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層１０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極存在領域１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層１０を含む部分である。図２Ｂ〜図２Ｇには、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。

なお、積層体１００は、端面側外層部を有する。端面側外層部は、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２を有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、対向電極存在領域１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する誘電体層１０を含む部分である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、対向電極存在領域１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する誘電体層１０を含む部分である。図２Ａ〜図２Ｅには、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２は、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。

ここで、本実施形態の浮き電極層６０について補足して説明すると、第１の浮き電極層７０の第１の端部７０Ａ１および第２の浮き電極層８０の第１の端部８０Ａ１は、第１の端面側外層部ＬＧ１に配置されている。そして、積層方向で見たときに、第１の端部７０Ａ１および第１の端部８０Ａ１の第２の端面ＬＳ２側の位置と、第２の内部電極層４０Ａの第１の端面ＬＳ１側の位置は、重ならない範囲内で、略一致していることが好ましい。そして、第１の端部７０Ａ１および第１の端部８０Ａ１の長さ方向Ｌの長さＤ３は、第１の端面側外層部ＬＧ１の長さ方向Ｌの長さの略半分、もしくは半分以下であることが好ましい。

また、第１の浮き電極層７０の第２の端部７０Ａ２および第２の浮き電極層８０の第２の端部８０Ａ２は、第２の端面側外層部ＬＧ２に配置されている。そして、積層方向で見たときに、第２の端部７０Ａ２および第２の端部８０Ａ２の第１の端面ＬＳ１側の位置と、第１の内部電極層３０Ａの第２の端面ＬＳ２側の位置は、重ならない範囲内で、略一致していることが好ましい。そして、第２の端部７０Ａ２および第２の端部８０Ａ２の長さ方向Ｌの長さＤ３は、第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの長さの略半分、もしくは半分以下であることが好ましい。

これにより、浮き電極層６０の存在によって、内部電極層２０の突出端部、すなわち、第１の内部電極層３０Ａの第２の端面ＬＳ２側の部分および第２の内部電極層４０Ａの第１の端面ＬＳ１側の部分における電界集中を効果的に緩和しつつ、浮き電極層６０と外部電極４００との絶縁距離を確保することができる。

なお、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の第２の側面ＷＳ２側の位置と、第２の内部電極層４０Ａの第１の側面ＷＳ１側の位置は、重ならない範囲内で、略一致していることが好ましい。そして、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１は、第１の側面側外層部ＷＧ１の幅方向Ｗの長さと略同じ、もしくはそれ以下であることが好ましい。

また、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３の第１の側面ＷＳ１側の位置と、第１の内部電極層３０Ａの第２の側面ＷＳ２側の位置は、重ならない範囲内で、略一致していることが好ましい。そして、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１は、第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの長さと略同じ、もしくはそれ以下であることが好ましい。

なお、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１は、第１の浮き電極層７０Ａの第１の端部７０Ａ１および第２の端部７０Ａ２の長さ方向Ｌの長さＤ３と略同じ、もしくはそれ以下であってもよい。また、第２の浮き電極層８０の連結部８０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１は、浮き電極層８０の第１の端部８０Ａ１および第２の端部８０Ａ２の長さ方向Ｌの長さＤ３と略同じ、もしくはそれ以下であってもよい。

これにより、浮き電極層６０の存在によって、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和しつつ、浮き電極層６０と外部電極４００との絶縁距離を確保することができる。また、浮き電極層６０と積層体１００の外表面との距離も確保することもできる。なお、浮き電極層６０の連結部の幅方向Ｗの長さＤ１は、その寸法が比較的小さくても、浮き電極層６０の第１の端部の電位と第２の端部の電位を同電位にする機能を果たすことができる。

外部電極４００は、第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４００Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４００Ｂと、を有する。

第１の外部電極４００Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の外部電極４００Ａは、第１の内部電極層３０Ａに接続されている。第１の外部電極４００Ａは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてもよい。本実施形態では、第１の外部電極４００Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

第２の外部電極４００Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の外部電極４００Ｂは、第２の内部電極層４０Ａに接続されている。第２の外部電極４００Ｂは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてもよい。本実施形態では、第２の外部電極４００Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

前述のとおり、積層体１００内においては、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部と第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部とが誘電体層１０を介して対向することにより容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層３０Ａが接続された第１の外部電極４００Ａと第２の内部電極層４０Ａが接続された第２の外部電極４００Ｂとの間でコンデンサの特性が発現する。

第１の外部電極４００Ａは、第１の下地電極層４１０Ａと、第１の下地電極層４１０Ａ上に配置される第１のめっき層４２０Ａと、を有する。

第２の外部電極４００Ｂは、第２の下地電極層４１０Ｂと、第２の下地電極層４１０Ｂ上に配置される第２のめっき層４２０Ｂと、を有する。

なお、第１の外部電極４００Ａおよび第２の外部電極４００Ｂを構成する各層の基本的な構成は同じである。また、第１の外部電極４００Ａおよび第２の外部電極４００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央の位置のＷＴ断面に対して概ね面対称である。よって、第１の外部電極４００Ａと第２の外部電極４００Ｂとを特に区別して説明する必要のない場合は、これらをまとめて外部電極４００という場合がある。

第１の下地電極層４１０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層４１０Ａは、第１の内部電極層３０Ａに接続されている。本実施形態においては、第１の下地電極層４１０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

第２の下地電極層４１０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層４１０Ｂは、第２の内部電極層４０Ａに接続されている。本実施形態においては、第２の下地電極層４１０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

第１の下地電極層４１０Ａおよび第２の下地電極層４１０Ｂは、本実施形態においては、焼き付け層である。焼き付け層は、ガラス成分と金属とを含む。焼き付け層のガラス成分は、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼き付け層の金属は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼き付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極層および誘電体層を有する積層チップを焼成して積層体を得た後に積層体に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。なお、内部電極層２０および誘電体層１０を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりに誘電体材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。焼き付け層は、複数層であってもよい。

第１の端面ＬＳ１に位置する第１の下地電極層４１０Ａの長さ方向Ｌの厚みは、第１の下地電極層４１０Ａの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上１６０μｍ以下程度であることが好ましい。

第２の端面ＬＳ２に位置する第２の下地電極層４１０Ｂの長さ方向Ｌの厚みは、第２の下地電極層４１０Ｂの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上１６０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にも第１の下地電極層４１０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層４１０Ａの積層方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層４１０Ａの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも第１の下地電極層４１０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層４１０Ａの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層４１０Ａの長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にも第２の下地電極層４１０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層４１０Ｂの積層方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層４１０Ｂの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも第２の下地電極層４１０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層４１０Ｂの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層４１０Ｂの長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

なお、下地電極層５０は、焼き付け層に限らず、薄膜層であってもよい。薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。

第１のめっき層４２０Ａは、第１の下地電極層４１０Ａを覆うように配置されている。第２のめっき層４２０Ｂは、第２の下地電極層４１０Ｂを覆うように配置されている。

第１のめっき層４２０Ａおよび第２のめっき層４２０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層４２０Ａおよび第２のめっき層４２０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。

第１のめっき層４２０Ａおよび第２のめっき層４２０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。その場合、Ｎｉめっき層は、第１の下地電極層４１０Ａおよび第２の下地電極層４１０Ｂが、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだの濡れ性を向上させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１の実装を容易にする。第１のめっき層４２０Ａおよび第２のめっき層４２０ＢのそれぞれをＮｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造とする場合、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層それぞれの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

なお、本実施形態の第１の外部電極４００Ａおよび第２の外部電極４００Ｂは、例えば導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。そのような導電性樹脂層は、第１の外部電極４００Ａでは、第１の下地電極層４１０Ａと第１のめっき層４２０Ａとの間に配置され、第２の外部電極４００Ｂでは、第２の下地電極層４１０Ｂと第２のめっき層４２０Ｂとの間に配置されることが好ましい。熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層は、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１のクラック発生が抑制される。

なお、第１の下地電極層４１０Ａ、第２の下地電極層４１０Ｂを設けずにめっき層だけで外部電極４００を形成してもよい。このような場合、前処理として積層体１００の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。この場合においてもめっき層は、複数層であることが好ましく、上述の構成と同様、下層めっき層としてのＮｉめっき層の上に上層めっき層としてのＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。また、例えば、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０ＡがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。

なお、積層体１００と外部電極４００を含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の積層方向Ｔの寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とする。Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。

次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の構成により、電界集中が緩和される作用について説明する。

前述のとおり、例えば特許文献１には、内部電極層の突出端部と誘電体層を介して対向する他の内部電極層との間の領域に、浮き電極層である分圧電極を設けた構成が開示されている。しかしながら、特許文献１の分圧電極は、外部電極の近傍のみに部分的に配置されているため、分圧電極の電位は、分圧電極の近傍に存在する外部電極に接続されている内部電極層の電位に近づいてしまう。このように、圧電極の電位が、分圧電極の上方の内部電極層の電位または下方の内部電極層の電位のどちらかの電位に近づいてしまう場合は、内部電極層の端部における電界集中を十分緩和することができない。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の浮き電極層６０は、第２の内部電極層４０Ａの第２の対向部の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部（第１の端部７０Ａ１、第１の端部８０Ａ１）と、第１の内部電極層３０Ａの第１の対向部の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部（第２の端部７０Ａ２、第２の端部８０Ａ２）と、第１の端部と第２の端部を連結する連結部（連結部７０Ａ３、８０Ａ３）とを有する。この連結部を有することにより、浮き電極層６０の第１の端部の電位と第２の端部の電位を同電位とすることが可能となる。その結果、簡単な構成により、浮き電極層６０の第１の端部の電位と第２の端部の電位を、第１の内部電極層３０Ａの電位と第２の内部電極層４０Ａの電位のちょうど中間程度の電位とすることも可能となり、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和することができる。よって、絶縁破壊電圧を向上させることができる。

なお、本実施形態においては、浮き電極層６０の第１の端部（第１の端部７０Ａ１、第１の端部８０Ａ１）と第２の端部（第２の端部７０Ａ２、第２の端部８０Ａ２）が、端面側外層部ＬＧ（Ｌギャップ）に位置しているが、この構成であっても、連結部（連結部７０Ａ３、８０Ａ３）の存在により、浮き電極層６０の第１の端部の電位と第２の端部の電位を、第１の内部電極層３０Ａの電位と第２の内部電極層４０Ａの電位のちょうど中間程度の電位とすることが可能である。よって、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和することができる。

なお、本実施形態においては、浮き電極層６０の連結部（連結部７０Ａ３、８０Ａ３）は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａのうち、少なくともいずれか一方の内部電極層とは重ならない位置に配置されている。これにより、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａと、浮き電極層６０の連結部の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。また、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３は、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３とは重ならない位置に配置されている。これにより、浮き電極層６０の連結部同士の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。さらに、浮き電極層６０の第１の端部（第１の端部７０Ａ１、第１の端部８０Ａ１）は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ａとは重ならない位置に配置されている。また、浮き電極層６０の第２の端部（第２の端部７０Ａ２、第２の端部８０Ａ２）は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａとは重ならない位置に配置されている。これにより、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａと、浮き電極層６０の第１および第２の端部の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。

次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。

誘電体層１０用の誘電体シートと、内部電極層２０および浮き電極層６０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートと、内部電極層２０および浮き電極層６０用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。

誘電体シート上に、内部電極層２０および浮き電極層６０用の導電性ペーストが、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、図２Ｂに示されるような第１の内部電極層３０Ａのパターンが形成された誘電体シートと、図２Ｄに示されるような第２の内部電極層４０Ａのパターンが形成された誘電体シートと、図２Ｃに示されるような第１の浮き電極層７０Ａのパターンが形成された誘電体シートと、図２Ｅに示されるような第２の浮き電極層８０Ａのパターンが形成された誘電体シートとが準備される。

内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２となる部分が形成される。その上に、第１の内部電極層３０Ａのパターンが印刷された誘電体シートと、第１の浮き電極層７０Ａのパターンが形成された誘電体シートと、第２の内部電極層４０Ａのパターンが印刷された誘電体シートと、第２の浮き電極層８０Ａのパターンが形成された誘電体シートとが順次積層されることにより、内層部１１となる部分が形成される。この内層部１１となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。

積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向Ｔにプレスされることにより、積層ブロックが作製される。

積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。

積層チップが焼成されることにより、積層体１００が作製される。焼成温度は、誘電体層１０や内部電極層２０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

積層体１００に、第１の下地電極層４１０Ａおよび第２の下地電極層４１０Ｂとなる導電性ペーストが塗布される。本実施形態においては、下地電極層５０は、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、積層体１００に塗布される。

その後、焼き付け処理が行われ、第１の下地電極層４１０Ａおよび第２の下地電極層４１０Ｂが形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

その後、第１の下地電極層４１０Ａの表面に、第１のめっき層４２０Ａが形成される。また、第２の下地電極層４１０Ｂの表面に、第２のめっき層４２０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっき法により、順次形成される。

以上の製造方法により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。

（１）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層１０と積層された複数の内部電極層２０とを含み、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１００と、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４００Ａと、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４００Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、複数の内部電極層２０は、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａと、を含み、積層体１００は、積層された複数の浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）をさらに含み、第１の内部電極層３０Ａは、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３０Ａ２と、第１の引き出し部３０Ａ２に接続され、積層方向に隣り合って配置された第２の内部電極層４０Ａと対向する第１の対向部３０Ａ１とを有し、第２の内部電極層４０Ａは、積層方向に隣り合って配置された第１の内部電極層３０Ａと対向する第２の対向部４０Ａ１を有し、浮き電極層７０Ａ（８０Ａ）は、積層方向Ｔにおいて１の内部電極層３０Ａと第２の内部電極層４０Ａの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置され、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のいずれにも露出されておらず、第２の対向部４０Ａ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７０Ａ１（８０Ａ１）と、第１の対向部３１Ａ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７０Ａ２（８０Ａ２）と、第１の端部７０Ａ１（８０Ａ１）と第２の端部７０Ａ２（８０Ａ２）を連結する連結部７０Ａ３（８０Ａ３）とを有し、連結部７０Ａ３（８０Ａ３）の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向Ｗの長さＤ１は、第１の端部７０Ａ１（８０Ａ１）の幅方向Ｗの長さＤ２および第２の端部７０Ａ２（８０Ａ２）の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。これにより、内部電極層２０の端部における電界集中を緩和し、絶縁破壊電圧を向上させることが可能となる。より詳細には、浮き電極層６０の連結部（７０Ａ３、８０Ａ３）により、浮き電極層６０の第１の端部（７０Ａ１、８０Ａ１）と第２の端部（７０Ａ２、８０Ａ２）を同電位とすることが可能となり、その結果、浮き電極層６０を第１の内部電極層３０Ａの電位と第２の内部電極層４０Ａの電位の略中央値の電位とすることもできるため、第１の内部電極層３０Ａの第２の端面ＬＳ２側の端部付近および第２の内部電極層４０Ａの第１の端面ＬＳ１側の端部付近で発生する電解集中を効果的に抑制することができる。また、浮き電極層６０の連結部を、浮き電極層６０の第１の端部および第２の端部に比べて幅方向Ｗにおいて細く形成することにより、特に電界が集中する第１の内部電極層３０Ａの第２の端面ＬＳ２側の端部付近および第２の内部電極層４０Ａの第１の端面ＬＳ１側の端部付近の電解集中を効果的に抑制する機能は確保しつつ、浮き電極層６０で使用する材料の使用量を抑え、コストの上昇を抑えることができる。

（２）本実施形態の浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）の連結部７０Ａ３（８０Ａ３）は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａのうち、少なくともいずれか一方の内部電極層とは重ならない位置に配置されている。これにより、積層方向において、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａと、浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）の連結部の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。

（３）本実施形態の浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）の連結部７０Ａ３（８０Ａ３）は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａのうち、一方の内部電極層とは重ならない位置に配置されており、他方の内部電極層と重なる位置に配置されている。これにより、対向電極存在領域１１Ｅ内における、内部電極層２０および浮き電極層６０の積層枚数が均一化され、積層体１００の形状が安定する。

（４）本実施形態の浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）は、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、いずれか一方の側に偏って配置された連結部７０Ａ３を有する第１の浮き電極層７０Ａと、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、他方の側に偏って配置された連結部８０Ａ３を有する第２の浮き電極層８０Ａを含み、積層体１００は、積層方向において、第１の内部電極層３０Ａ、第１の浮き電極層７０Ａ、第２の内部電極層４０Ａ、第２の浮き電極層８０Ａ、第１の内部電極層３０Ａの順に、内部電極層２０および浮き電極層６０が誘電体層１０を介して配置される部分を含み、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３と、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３とは、重ならない位置に配置されている。これにより、積層方向において、浮き電極層６０の連結部同士の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。

（５）本実施形態の浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）の第１の端部７０Ａ１（８０Ａ１）は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ａとは重ならない位置に配置されており、浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）の第２の端部７０Ａ２（８０Ａ２）は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａとは重ならない位置に配置されている。これにより、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａと、浮き電極層６０（７０Ａ、８０Ａ）の第１の端部７０Ａ１（８０Ａ１）および第２の端部７０Ａ２（８０Ａ２）の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。

（６）本実施形態の第２の内部電極層４０Ａは、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第２の引き出し部を４０Ａ２備え、第２の引き出し部４０Ａ２は、第２の対向部４０Ａ１に接続されている。このような積層セラミックコンデンサ１の構成においても、本実施形態の効果が得られる。

＜第２実施形態＞
以下、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図３Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の断面図であって、第１実施形態の図２Ａに対応する断面図である。図３Ｂは、図３Ａの積層セラミックコンデンサ１の３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。図３Ｃは、図３Ａの積層セラミックコンデンサ１の３Ｃ−３Ｃ線に沿った断面図である。図３Ｄは、図３Ａの積層セラミックコンデンサ１の３Ｄ−３Ｄ線に沿った断面図である。図３Ｅは、図３Ａの積層セラミックコンデンサ１の３Ｅ−３Ｅ線に沿った断面図である。図３Ｆは、図３Ａの積層セラミックコンデンサ１の３Ｆ−３Ｆ線に沿った断面図である。図３Ｇは、図３Ａの積層セラミックコンデンサ１の３Ｇ−３Ｇ線に沿った断面図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層２０の態様が、第１実施形態と異なる。そして、浮き電極層６０の連結部が、側面側外層部（Ｗギャップ）に配置されている。

第１実施形態においては、第１の内部電極層３０Ａと、第２の内部電極層４０Ａが、幅方向Ｗにずれて配置されていた。そして、積層方向で見たときに、浮き電極層６０の連結部（連結部７０Ａ３、連結部８０Ａ３）は、第１の内部電極層３０Ａおよび第２の内部電極層４０Ａのうち、一方の内部電極層とは重ならない位置に配置されており、他方の内部電極層と重なる位置に配置されていた。本実施形態においては、図３Ｂから図３Ｇに示すように、第１の内部電極層３０Ｂと、第２の内部電極層４０Ｂが、幅方向Ｗにおいて一致した位置に配置されている。そして、積層方向で見たときに、浮き電極層６０の連結部は、第１の内部電極層３０Ｂおよび第２の内部電極層４０Ｂとは重ならない位置に配置されている。すなわち、浮き電極層６０の連結部は、側面側外層部（Ｗギャップ）に配置されている。

図３Ａ、図３Ｆ、図３Ｇには、第１の内部電極層３０Ｂとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の内部電極層３１Ｂ、３２Ｂ、３３Ｂが示されている。複数の第１の内部電極層３０Ｂは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の内部電極層３０Ｂを代表して、図３Ｂに示される第１の内部電極層３１Ｂを用いて説明する場合がある。図３Ａ、図３Ｆ、図３Ｇには、第２の内部電極層４０Ｂとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の内部電極層４１Ｂ、４２Ｂ、４３Ｂが配置されている。複数の第２の内部電極層４０Ｂは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第２の内部電極層４０Ｂを代表して、図３Ｄに示される第２の内部電極層４１Ｂを用いて説明する場合がある。

第１の内部電極層３０Ｂの構成を、図３Ｂに示される第１の内部電極層３１Ｂを例にして説明すると、第１の内部電極層３１Ｂ（３０Ｂ）は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３１Ｂ２（３０Ｂ２）と、第１の引き出し部３１Ｂ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｂと対向する第１の対向部３１Ｂ１（３０Ｂ１）とを含む。なお、本実施形態においては、第１の内部電極層３１Ｂ（３０Ｂ）は、第１実施形態に示されるような第１の縁部を有しない。

第２の内部電極層４０Ｂの構成を、図３Ｄに示される第２の内部電極層４１Ｂを例にして説明すると、第２の内部電極層４１Ｂ（４０Ｂ）は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第２の引き出し部４１Ｂ２（４０Ｂ２）と、第２の引き出し部４１Ｂ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第１の内部電極層３０Ｂと対向する第２の対向部４１Ｂ１（４０Ｂ１）とを含む。なお、本実施形態においては、第２の内部電極層４１Ｂ（４０Ｂ）は、第１実施形態に示されるような第２の縁部を有しない。

本実施形態の第１の浮き電極層７０Ａおよび第２の浮き電極層８０Ａは、第１実施形態の第１の浮き電極層７０Ａおよび第２の浮き電極層８０Ａと同じである。よって、本実施形態の浮き電極層６０の説明は省略する。

本実施形態の対向電極部は、第１の内部電極層３０Ｂの第１の対向部３０Ｂ１と第２の内部電極層４０Ｂの第２の対向部４０Ｂ１が対向する部分である。対向電極部は、内層部１１の一部として構成されており、対向電極部の積層方向Ｔの範囲は、内層部１１の積層方向Ｔの範囲と一致している。なお、本実施形態においては、第１の内部電極層３０Ｂと、第２の内部電極層４０Ｂが、幅方向Ｗにずれて配置されていないため、この対向電極部が、そのまま対向電極存在領域１１Ｅとなる。図３Ｂ〜図３Ｅには、対向電極存在領域１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。

本実施形態の第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極部、すなわち対向電極存在領域１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層１０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極部、すなわち対向電極存在領域１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層１０を含む部分である。図３Ｂ〜図３Ｇには、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。

ここで、本実施形態の内部電極層２０と浮き電極層６０の関係について説明すると、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３は、第１の内部電極層３０Ｂおよび第２の内部電極層４０Ｂとは重ならない位置に配置されている。すなわち、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３は、第１の側面側外層部ＷＧ１に配置されている。また、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３は、第１の内部電極層３０Ｂおよび第２の内部電極層４０Ｂとは重ならない位置に配置されている。すなわち、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３は、第２の側面側外層部ＷＧ２に配置されている。

また、本実施形態の浮き電極層６０について補足して説明すると、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の第２の側面ＷＳ２側の位置と、第２の内部電極層４０Ｂの第１の側面ＷＳ１側の位置は、重ならない範囲内で、略一致していることが好ましい。そして、第１の浮き電極層７０Ａの連結部７０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１は、第１の側面側外層部ＷＧ１の幅方向Ｗの長さの略半分、もしくは半分以下であることが好ましい。

また、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３の第１の側面ＷＳ１側の位置と、第１の内部電極層３０Ｂの第２の側面ＷＳ２側の位置は、重ならない範囲内で略一致していることが好ましい。そして、第２の浮き電極層８０Ａの連結部８０Ａ３の幅方向Ｗの長さＤ１は、第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの長さの略半分、もしくは半分以下であることが好ましい。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、上記（１）、（２）、（４）〜（６）に加えて、以下の効果を奏する。

（７）本実施形態の浮き電極層６０の連結部（連結部７０Ａ３、８０Ａ３）は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ｂおよび第２の内部電極層４０Ｂとは重ならない位置に配置されている。このように、浮き電極層６０の連結部を、側面側外層部（Ｗギャップ）に配置することにより、浮き電極層６０の連結部の存在が、第１の内部電極層３０Ｂと第２の内部電極層４０Ｂとによる容量の形成に影響を及ぼしにくくなる。また、図３Ｇに示されるＷＴ断面において、積層される内部電極層２０および浮き電極層６０の枚数が、積層体１００の幅方向Ｗの中心から第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２に向かうにつれて徐々に少なくなるため、積層体１００の形状が安定する。

＜第３実施形態＞
以下、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。なお、以下の説明において、第２実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図４Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の断面図であって、第２実施形態の図３Ａに対応する断面図である。図４Ｂは、図４Ａの積層セラミックコンデンサ１の４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。図４Ｃは、図４Ａの積層セラミックコンデンサ１の４Ｃ−４Ｃ線に沿った断面図である。図４Ｄは、図４Ａの積層セラミックコンデンサ１の４Ｄ−４Ｄ線に沿った断面図である。図４Ｅは、図４Ｃの積層セラミックコンデンサ１の４Ｅ−４Ｅ線に沿った断面図である。図４Ｆは、図４Ａおよび図４Ｅの積層セラミックコンデンサ１の４Ｆ−４Ｆ線に沿った断面図である。図４Ｇは、図４Ａおよび図４Ｅの積層セラミックコンデンサ１の４Ｇ−４Ｇ線に沿った断面図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層２０および浮き電極層の態様が、第２実施形態と異なる。第２実施形態においては、浮き電極層６０の形状が、略Ｕ字形の形状であった。本実施形態においては、図４Ｂ〜図４Ｄに示すように、浮き電極層６０の形状が、略Ｈ字形の形状となっている。そして、基本的に全ての浮き電極層６０が、略同じ形状となっている。

図４Ａ、図４Ｅ〜図４Ｇには、第１の内部電極層３０Ｃとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の内部電極層３１Ｃ、３２Ｃ、３３Ｃが示されている。複数の第１の内部電極層３０Ｃは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の内部電極層３０Ｃを代表して、図４Ｂに示される第１の内部電極層３１Ｃを用いて説明する場合がある。図４Ａ、図４Ｆ、図４Ｇには、第２の内部電極層４０Ｃとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の内部電極層４１Ｃ、４２Ｃ、４３Ｃが配置されている。複数の第２の内部電極層４０Ｃは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第２の内部電極層４０Ｃを代表して、図４Ｄに示される第２の内部電極層４１Ｃを用いて説明する場合がある。

第１の内部電極層３０Ｃの構成を、図４Ｂに示される第１の内部電極層３１Ｃを例にして説明すると、第１の内部電極層３１Ｃ（３０Ｃ）は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３１Ｃ２（３０Ｃ２）と、第１の引き出し部３１Ｃ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｃと対向する第１の対向部３１Ｃ１（３０Ｃ１）とを含む。

第２の内部電極層４０Ｃの構成を、図４Ｄに示される第２の内部電極層４１Ｃを例にして説明すると、第２の内部電極層４１Ｃ（４０Ｃ）は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第２の引き出し部４１Ｃ２（４０Ｃ２）と、第２の引き出し部４１Ｃ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第１の内部電極層３０Ｃと対向する第２の対向部４１Ｃ１（４０Ｃ１）とを含む。

次に、本実施形態における複数の浮き電極層６０について説明する。図４Ａ、図４Ｅ〜図４Ｇに示すように、複数の浮き電極層６０は、積層方向において第１の内部電極層３０Ｃと第２の内部電極層４０Ｃの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置されている。本実施形態においては、複数の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ｃを含む。このように、本実施形態においては、複数の浮き電極層６０は、１種類の形状の浮き電極層、すなわち、複数の第１の浮き電極層７０Ｃのみによって構成されていてもよい。

図４Ａ、図４Ｅ〜図４Ｇには、第１の浮き電極層７０Ｃとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の浮き電極層７１Ｃ、７２Ｃ、７３Ｃ、７４Ｃ、７５Ｃが示されている。本実施形態の複数の第１の浮き電極層７０Ｃは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の浮き電極層７０Ｃを代表して、図４Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ｃを用いて説明する場合がある。

第１の浮き電極層７０Ｃの構成を、図４Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ｃを例にして説明すると、第１の浮き電極層７１Ｃ（７０Ｃ）は、第２の内部電極層４０Ｃの第２の対向部４０Ｃ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７１Ｃ１（７０Ｃ１）と、第１の内部電極層３０Ｃの第１の対向部３０Ｃ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７１Ｃ２（７０Ｃ２）と、第１の端部７１Ｃ１と第２の端部７１Ｃ２を連結する連結部７１Ｃ３（７０Ｃ３）とを有する。

ここで、図４Ｃに示すように、第１の浮き電極層７０Ｃの連結部７０Ｃ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第１の浮き電極層７０の第１の端部７０Ｃ１および第２の端部７０Ｃ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。本実施形態の第１の浮き電極層７１Ｃは略Ｈ字型であり、連結部７０Ｃ３は、幅方向Ｗの中心付近に配置されている。

本実施形態の第１の浮き電極層７０Ｃの第１の端部７０Ｃ１は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ｃと一部が重なる位置に配置されている。例えば、第１の端部７０Ｃ１の約半分の面積が、第２の内部電極層４０Ｃと重なる態様であってもよい。また、第１の浮き電極層７０Ｃの第２の端部７０Ｃ２は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ｃと一部が重なる位置に配置されている。例えば、第２の端部７０Ｃ２の約半分の面積が、第１の内部電極層３０Ｃと重なる態様であってもよい。

なお、本実施形態においては、第１の内部電極層３０Ｃと、第２の内部電極層４０Ｃが、幅方向Ｗにずれて配置されていないため、対向電極部が、そのまま対向電極存在領域１１Ｅとなる。図４Ｂ〜図４Ｄには、対向電極存在領域１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。

このように、複数の浮き電極層６０は、１種類の形状の浮き電極層によって構成されていてもよい。このような構成であっても、浮き電極層６０の存在により、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和することができる。そして、本実施形態の構成であれば、内部電極層２０および浮き電極層６０と、外部電極４００および積層体１００の外表面との絶縁距離を確保しつつ、第１の内部電極層３０Ｃの第１の対向部と、第２の内部電極層４０Ｃの第２の対向部の面積を広げて、コンデンサ容量を大きくすることができる。

＜第４実施形態＞
以下、本発明の第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。なお、以下の説明において、第３実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図５Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の断面図であって、第３実施形態の図４Ａに対応する断面図である。図５Ｂは、図５Ａの積層セラミックコンデンサ１の５Ｂ−５Ｂ線に沿った断面図であり、第３実施形態の図４Ｃに対応する図である。図５Ｃは、図５Ａの積層セラミックコンデンサ１の５Ｃ−５Ｃ線に沿った断面図である。図５Ｄは、図５Ｂおよび図５Ｃの積層セラミックコンデンサ１の５Ｄ−５Ｄ線に沿った断面図であり、第３実施形態の図４Ｅに対応する図である。図５Ｅは、図５Ｄの積層セラミックコンデンサ１の５Ｅ−５Ｅ線に沿った断面図であり、第３実施形態の図４Ｇに対応する図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、浮き電極層６０の形状が、第３実施形態とは異なる。

第３実施形態においては、複数の浮き電極層６０の形状は、略Ｈ字形となっており、基本的に全ての浮き電極層６０が、略同じ形状となっていた。本実施形態においても、複数の浮き電極層６０の形状は、略Ｈ字形である。しかしながら、本実施形態の複数の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ｄと、複数の第１の浮き電極層７０Ｄとは形状の異なる複数の第２の浮き電極層８０Ｄとを含む。

本実施形態の第１の内部電極層３０Ｃおよび第２の内部電極層４０Ｃは、第３実施形態の第１の内部電極層３０Ｃおよび第２の内部電極層４０Ｃと同じである。よって、本実施形態の内部電極層２０の説明は省略する。

本実施形態における浮き電極層６０について説明する。本実施形態の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ｄおよび複数の第２の浮き電極層８０Ｄを含む。

図５Ａ、図５Ｄ、図５Ｅには、第１の浮き電極層７０Ｄとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の浮き電極層７１Ｄ、７２Ｄ、７３Ｄが示されている。複数の第１の浮き電極層７０Ｄは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の浮き電極層７０Ｄを代表して、図５Ｂに示される第１の浮き電極層７１Ｄを用いて説明する場合がある。また、図５Ａ、図５Ｄ、図５Ｅには、第２の浮き電極層８０Ｄとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の浮き電極層８１Ｄ、８２Ｄが示されている。複数の第２の浮き電極層８０Ｄは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第２の浮き電極層８０Ｄを代表して、図５Ｃに示される第２の浮き電極層８１Ｄを用いて説明する場合がある。

第１の浮き電極層７０Ｄの構成を、図５Ｂに示される第１の浮き電極層７１Ｄを例にして説明すると、第１の浮き電極層７１Ｄ（７０Ｄ）は、第２の内部電極層４０Ｃの第２の対向部４０Ｃ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７１Ｄ１（７０Ｄ１）と、第１の内部電極層３０Ｃの第１の対向部３０Ｃ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７１Ｄ２（７０Ｄ２）と、第１の端部７１Ｄ１と第２の端部７１Ｄ２を連結する連結部７１Ｄ３（７０Ｄ３）とを有する。

また、第２の浮き電極層８０Ｄの構成を、図５Ｃに示される第２の浮き電極層８１Ｄを例にして説明すると、第２の浮き電極層８１Ｄ（８０Ｄ）は、第２の内部電極層４０Ｃの第２の対向部４０Ｃ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部８１Ｄ１（８０Ｄ１）と、第１の内部電極層３０Ｃの第１の対向部３０Ｃ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部８１Ｄ２（８０Ｄ２）と、第１の端部８１Ｄ１と第２の端部８１Ｄ２を連結する連結部８１Ｄ３（８０Ｄ３）とを有する。

図５Ｂに示すように、本実施形態においては、第１の浮き電極層７０Ｄの連結部７０Ｄ３は、積層体１００の幅方向Ｗの中心付近において、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。一方、図５Ｃに示すように、第２の浮き電極層８０Ｄの連結部８０Ｄ３は、積層体１００の幅方向Ｗの中心付近において、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。そして、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ｄの連結部７０Ｄ３と、第２の浮き電極層８０Ｄの連結部８０Ｄ３とは、重ならない位置に配置されている。すなわち、第１の浮き電極層７０Ｄおよび第２の浮き電極層８０Ｄは共に略Ｈ字型であるものの、それぞれの連結部は、幅方向Ｗの中心付近において、重ならないように、互いに異なる方向に偏って配置されている。

さらに、第１の浮き電極層７０Ｄの第１の端部７０Ｄ１および第２の浮き電極層８０Ｄの第１の端部８０Ｄ１は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ｃとは重ならない位置に配置されている。また、第１の浮き電極層７０Ｄの第２の端部７０Ｄ２および第２の浮き電極層８０Ｄの第２の端部８０Ｄ２は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ｃとは重ならない位置に配置されている。

このような構成であっても、浮き電極層６０の存在により、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和することができる。そして、内部電極層２０および浮き電極層６０と、外部電極４００および積層体１００の外表面との絶縁距離を確保しつつ、第１の内部電極層３０Ｃの第１の対向部と、第２の内部電極層４０Ｃの第２の対向部の面積を広げて、コンデンサ容量を大きくすることができる。さらに、本実施形態においては、積層方向で見たときに、浮き電極層６０の連結部同士の重なりが減る構成であるため、積層体１００の形状が安定する。また、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ｃおよび第２の内部電極層４０Ｃと、浮き電極層６０の第１の端部（７０Ｄ１、８０Ｄ１）および第２の端部（７０Ｄ２、８０Ｄ２）の重なりが減る構成であるため、積層体１００の形状が安定する。

＜第５実施形態＞
以下、本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図６Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の断面図であって、第１実施形態の図２Ａに対応する断面図である。図６Ｂは、図６Ａの積層セラミックコンデンサ１の６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。図６Ｃは、図６Ａの積層セラミックコンデンサ１の６Ｃ−６Ｃ線に沿った断面図である。図６Ｄは、図６Ａの積層セラミックコンデンサ１の６Ｄ−６Ｄ線に沿った断面図である。図６Ｅは、図６Ａの積層セラミックコンデンサ１の６Ｅ−６Ｅ線に沿った断面図である。図６Ｆは、図６Ａの積層セラミックコンデンサ１の６Ｆ−６Ｆ線に沿った断面図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、２連構造の積層セラミックコンデンサである。

第１実施形態においては、第２の内部電極層４０Ａは、第２の外部電極４００Ｂに接続されていた。本実施形態においては、複数の内部電極層２０は、第１の内部電極層３０Ｅおよび第２の内部電極層４０Ｅに加えて、第３の内部電極層５０Ｅを含んでいる。そして、第２の内部電極層４０Ｅは、第１の外部電極４００Ａにも第２の外部電極４００Ｂにも接続されていない中間電極層を構成している。第３の内部電極層５０Ｅは、第２の外部電極４００Ｂに接続されている。これにより、第１の内部電極層３０Ｅと、第２の内部電極層４０Ｅと、第３の内部電極層５０Ｅによって、２連構造の直列接続のコンデンサ素子が形成されている。

本実施形態の内部電極層２０について説明する。内部電極層２０は、複数の第１の内部電極層３０Ｅと、複数の第２の内部電極層４０Ｅと、複数の第３の内部電極層５０Ｅと、を有する。

図６Ａ、図６Ｆには、第１の内部電極層３０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の内部電極層３１Ｅ、３２Ｅ、３３Ｅ、３４Ｅが示されている。複数の第１の内部電極層３０Ｅは、基本的に同じ形状である。ただし、本実施形態においては、複数の第１の内部電極層３０Ｅは、交互に幅方向Ｗにずれて配置されている。すなわち、第１の内部電極層３１Ｅおよび第１の内部電極層３３Ｅと、第１の内部電極層３２Ｅおよび第１の内部電極層３４Ｅは、幅方向Ｗにずれて配置されている。

図６Ａ、図６Ｆには、第２の内部電極層４０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の内部電極層４１Ｅ、４２Ｅ、４３Ｅが示されている。複数の第２の内部電極層４０Ｅは、基本的に同じ形状である。

図６Ａには、第３の内部電極層５０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第３の内部電極層５１Ｅ、５２Ｅ、５３Ｅ、５４Ｅが示されている。複数の第３の内部電極層５０Ｅは、基本的に同じ形状である。ただし、本実施形態においては、複数の第３の内部電極層５０Ｅは、交互に幅方向Ｗにずれて配置されている。すなわち、第３の内部電極層５１Ｅおよび第３の内部電極層５３Ｅと、第３の内部電極層５２Ｅおよび第３の内部電極層５４Ｅは、幅方向Ｗにずれて配置されている。

図６Ａに示すように、第１の内部電極層３０Ｅおよび第３の内部電極層５０Ｅは、同じ誘電体層１０上に、長さ方向Ｌに離間して配置されている。すなわち、第１の内部電極層３０Ｅおよび第３の内部電極層５０Ｅは、同じ積層位置に配置されている。そして、第１の内部電極層３０Ｅおよび第３の内部電極層５０Ｅと、第２の内部電極層４０Ｅは、積層体１００の積層方向Ｔに交互に配置されるように埋設されている。

第１の内部電極層３０Ｅは、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３０Ｅ２と、第１の引き出し部３０Ｅ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第１の対向部３０Ｅ１とを含む。

より具体的に、第１の内部電極層３０Ｅとしての第１の内部電極層３１Ｅおよび第１の内部電極層３３Ｅの構成を、図６Ｂに示される第１の内部電極層３１Ｅを例にして説明すると、第１の内部電極層３１Ｅは、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３１Ｅ２と、第１の引き出し部３１Ｅ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第１の対向部３１Ｅ１とを含む。第１の内部電極層３１Ｅおよび第１の内部電極層３３Ｅは、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。

第１の内部電極層３２Ｅおよび第１の内部電極層３４Ｅの構成も、基本的には、第１の内部電極層３１および第１の内部電極層３３Ｅと同様の構成であるが、図６Ｅにおいて、第１の内部電極層３２Ｅとして破線で示されるように、第１の内部電極層３２Ｅおよび第１の内部電極層３４Ｅは、第１の内部電極層３１および第１の内部電極層３３Ｅに対して幅方向Ｗにずれて配置されている。具体的には、第１の内部電極層３２Ｅおよび第１の内部電極層３４Ｅは、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。

第２の内部電極層４０Ｅの構成を、図６Ｄに示される第２の内部電極層４１Ｅを例にして説明すると、第２の内部電極層４１Ｅ（４０Ｅ）は、第１の外部電極４００Ａにも第２の外部電極４００Ｂにも接続されていない中間電極層を構成し、積層方向に隣り合って配置された第１の内部電極層３０Ｅと対向する第１電極層側対向部４１Ｅ１（４０Ｅ１）と、積層方向に隣り合って配置された後述の第３の内部電極層５０Ｅと対向する第３電極層側対向部４１Ｅ２（４０Ｅ２）とを有する。第２の内部電極層４１Ｅ（４０Ｅ）はさらに、第１電極層側対向部４１Ｅ１と第３電極層側対向部４１Ｅ２とを連結する対向部連結部４１Ｅ３（４０Ｅ３）を有する。

第３の内部電極層５０Ｅは、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第３の引き出し部５０Ｅ２と、第３の引き出し部５１Ｅ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第３の対向部５０Ｅ１とを含む。

より具体的に、第３の内部電極層５０Ｅとしての第３の内部電極層５１Ｅおよび第３の内部電極層５３Ｅの構成を、図６Ｂに示される第３の内部電極層５１Ｅを例にして説明すると、第３の内部電極層５１Ｅは、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第３の引き出し部５１Ｅ２と、第３の引き出し部５１Ｅ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第３の対向部５１Ｅ１とを含む。第３の内部電極層５１Ｅおよび第３の内部電極層５３Ｅは、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。

第３の内部電極層５２Ｅおよび第３の内部電極層５４Ｅの構成も、基本的には、第３の内部電極層５１Ｅおよび第３の内部電極層５３Ｅと同様の構成であるが、図６Ｅにおいて、第３の内部電極層５２Ｅとして破線で示されるように、第３の内部電極層５２Ｅおよび第３の内部電極層５４Ｅは、第３の内部電極層５１Ｅおよび第３の内部電極層５３Ｅに対して幅方向Ｗにずれて配置されている。具体的には、第３の内部電極層５２Ｅおよび第３の内部電極層５４Ｅは、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。

なお、本実施形態においては、図６Ｂに示すように、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３１Ｅと、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第３の内部電極層５１Ｅは、同じ誘電体層１０上で幅方向Ｗにずれた状態で配置されている。また、図６Ｅにおいて破線で示すように、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３２Ｅと、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第３の内部電極層５２Ｅは、同じ誘電体層１０上で幅方向Ｗにずれた状態で配置されている。この幅方向Ｗのずれ量は、後述の浮き電極層６０および浮き電極層１６０の連結部の幅方向Ｗの長さＤ１と略同じであることが好ましい。

なお、コンデンサ容量を確保する上で、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３０Ｅおよび第３の内部電極層５０Ｅの第１の側面ＷＳ１側の端部と、第２の内部電極層４０Ｅの第１の側面ＷＳ１側の端部は、積層方向で見たときに、略同じ位置であることが好ましい。また、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３０Ｅおよび第３の内部電極層５０Ｅの第２の側面ＷＳ２側の端部と、第２の内部電極層４０Ｅの第２の側面ＷＳ２側の端部は、積層方向で見たときに、略同じ位置であることが好ましい。

本実施形態においては、第１の内部電極層３０Ｅの第１の対向部３０Ｅ１と第２の内部電極層４０Ｅの第１電極層側対向部４０Ｅ１が誘電体層１０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。さらに、第２の内部電極層４０Ｅの第３電極層側対向部４０Ｅ２との第３の内部電極層５０Ｅの第３の対向部５０Ｅ１が誘電体層１０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。これにより第１の内部電極層３０Ｅと、第２の内部電極層４０Ｅと、第３の内部電極層５０Ｅは、直列接続のコンデンサ素子を形成する。

このように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、対向電極部が複数に分割された構造となっている。これにより、対向する内部電極層２０間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となっている。よって、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ１の高耐圧化を図ることができる。

積層体１００は、複数の第１の内部電極層３０Ｅと複数の第２の内部電極層４０Ｅにより形成される対向電極部付近に配置された複数の浮き電極層６０と、複数の第２の内部電極層４０Ｅと複数の第３の内部電極層５０Ｅにより形成される対向電極部付近に配置された複数の浮き電極層１６０と、をさらに含む。図６Ａに示すように、浮き電極層６０および浮き電極層１６０は、同じ誘電体層１０上に、長さ方向Ｌに離間して配置されている。

複数の浮き電極層６０および複数の浮き電極層１６０は、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のいずれにも露出されていない。複数の浮き電極層６０および複数の浮き電極層１６０は、内部電極層２０の端部における電界集中を緩和する機能を有する。本実施形態においては、複数の浮き電極層６０および複数の浮き電極層１６０は、内層部１１内に配置されている。

まず、複数の浮き電極層６０について説明する。図６Ａ、図６Ｆに示すように、複数の浮き電極層６０は、積層方向において第１の内部電極層３０Ｅと第２の内部電極層４０Ｅの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置されている。複数の浮き電極層６０は、積層方向において第１の内部電極層３０Ｅと第２の内部電極層４０Ｅの間の、略中央の位置に配置されている。本実施形態においては、複数の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ｅおよび複数の第２の浮き電極層８０Ｅを含む。

図６Ａ、図６Ｆには、第１の浮き電極層７０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の浮き電極層７１Ｅ、７２Ｅ、７３Ｅが示されている。複数の第１の浮き電極層７０Ｅは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第１の浮き電極層７０Ｅを代表して、図６Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ｅを用いて説明する場合がある。また、図６Ａ、図６Ｆには、第２の浮き電極層８０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の浮き電極層８１Ｅ、８２Ｅ、８３Ｅが示されている。複数の第２の浮き電極層８０Ｅは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第２の浮き電極層８０Ｅを代表して、図６Ｅに示される第２の浮き電極層８１Ｅを用いて説明する場合がある。

本実施形態においては、複数の第１の内部電極層３０Ｅと、複数の第２の内部電極層４０Ｅと、複数の第１の浮き電極層７０Ｅと、複数の第２の浮き電極層８０Ｅは、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極層３０Ｅ、第１の浮き電極層７０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅ、第２の浮き電極層８０Ｅ、第１の内部電極層３０Ｅ、第２の浮き電極層８０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅ、第１の浮き電極層７０Ｅの順に、誘電体層１０を介して配置されており、内部電極層２０および浮き電極層６０の枚数が多数の場合は、この順番の配置が繰り返される。この場合、複数の第１の浮き電極層７０Ｅおよび複数の第２の浮き電極層８０Ｅは、積層体１００の積層方向Ｔに２枚ずつ交互に配置される態様となる。図６Ａ、図６Ｆに示される例では、複数の内部電極層２０および複数の浮き電極層６０は、積層方向Ｔにおいて、第１の内部電極層３１Ｅ、第１の浮き電極層７１Ｅ、第２の内部電極層４１Ｅ、第２の浮き電極層８１Ｅ、第１の内部電極層３２Ｅ、第２の浮き電極層８２Ｅ、第２の内部電極層４２Ｅ、第１の浮き電極層７２Ｅの順に、誘電体層１０を介して配置されている。ここで、上述の各層の間に挟まれる誘電体層１０の厚みは、略同じ厚みであることが好ましい。

第１の浮き電極層７０Ｅの構成を、図６Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ｅを例にして説明すると、第１の浮き電極層７１Ｅ（７０Ｅ）は、第２の内部電極層４０Ｅの第１電極層側対向部４０Ｅ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７１Ｅ１（７０Ｅ１）と、第１の内部電極層３０Ｅの第１の対向部３０Ｅ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７１Ｅ２（７０Ｅ２）と、第１の端部７１Ｅ１と第２の端部７１Ｅ２を連結する連結部７１Ｅ３（７０Ｅ３）とを有する。

第２の浮き電極層８０Ｅの構成を、図６Ｅに示される第２の浮き電極層８１Ｅを例にして説明すると、第２の浮き電極層８１Ｅ（８０Ｅ）は、第２の内部電極層４０Ｅの第１電極層側対向部４１Ｅ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部８１Ｅ１（８０Ｅ１）と、第１の内部電極層３０Ｅの第１の対向部３０Ｅ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部８１Ｅ２（８０Ｅ２）と、第１の端部８１Ｅ１と第２の端部８１Ｅ２を連結する連結部８１Ｅ３（８０Ｅ３）とを有する。

ここで、図６Ｃに示すように、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第１の浮き電極層７０Ｅの第１の端部７０Ｅ１および第２の端部７０Ｅ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。また、図６Ｅに示すように、第２の浮き電極層８０Ｅの連結部８０Ｅ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第２の浮き電極層８０Ｅの第１の端部８０Ｅ１および第２の端部８０Ｅ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。

そして、本実施形態においては、図６Ｃに示すように、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。一方、図６Ｅに示すように第２の浮き電極層８０Ｅの連結部８０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。そして、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３と、第２の浮き電極層８０Ｅの連結部８０Ｅ３とは、重ならない位置に配置されている。より詳細には、第１の浮き電極層７０Ｅは略Ｕ字型（略コの字型）であり、連結部７０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２に近接して配置されている。第２の浮き電極層８０Ｅは、第１の浮き電極層７０Ｅとは逆向きの略Ｕ字型（略コの字型）であり、連結部８０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１に近接して配置されている。

さらに、本実施形態においては、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３２Ｅとは重なる位置に配置されている一方、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３１Ｅとは重ならない位置に配置されている。また、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ｅの連結部８０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３１Ｅとは重なる位置に配置されている一方、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第１の内部電極層３２Ｅとは重ならない位置に配置されている。

さらに、第１の浮き電極層７０Ｅの第１の端部７０Ｅ１および第２の浮き電極層８０Ｅの第１の端部８０Ｅ１は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ｅとは重ならない位置に配置されている。また、第１の浮き電極層７０Ｅの第２の端部７０Ｅ２および第２の浮き電極層８０Ｅの第２の端部８０Ｅ２は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ａとは重ならない位置に配置されている。

次に、複数の浮き電極層１６０について説明する。図６Ａに示すように、複数の浮き電極層１６０は、積層方向において第３の内部電極層５０Ｅと第２の内部電極層４０Ｅの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置されている。複数の浮き電極層１６０は、積層方向において第３の内部電極層５０Ｅと第２の内部電極層４０Ｅの間の、略中央の位置に配置されている。本実施形態においては、複数の浮き電極層１６０は、複数の第３の浮き電極層１７０Ｅおよび複数の第４の浮き電極層１８０Ｅを含む。

図６Ａには、第３の浮き電極層１７０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第３の浮き電極層１７１Ｅ、１７２Ｅ、１７３Ｅが示されている。複数の第３の浮き電極層１７０Ｅは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第３の浮き電極層１７０Ｅを代表して、図６Ｃに示される第３の浮き電極層１７１Ｅを用いて説明する場合がある。また、図６Ａには、第４の浮き電極層１８０Ｅとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第４の浮き電極層１８１Ｅ、１８２Ｅ、１８３Ｅが示されている。複数の第４の浮き電極層１８０Ｅは、基本的に同じ形状である。よって、複数の第４の浮き電極層１８０Ｅを代表して、図６Ｅに示される第４の浮き電極層１８１Ｅを用いて説明する場合がある。

本実施形態においては、複数の第３の内部電極層５０Ｅと、複数の第２の内部電極層４０Ｅと、複数の第３の浮き電極層１７０Ｅと、複数の第４の浮き電極層１８０Ｅは、積層方向Ｔにおいて、第３の内部電極層５０Ｅ、第３の浮き電極層１７０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅ、第４の浮き電極層１８０Ｅ、第３の内部電極層５０Ｅ、第４の浮き電極層１８０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅ、第３の浮き電極層１７０Ｅの順に、誘電体層１０を介して配置されており、内部電極層２０および浮き電極層６０の枚数が多数の場合は、この順番の配置が繰り返される。この場合、複数の第３の浮き電極層１７０Ｅおよび複数の第４の浮き電極層１８０Ｅは、積層体１００の積層方向Ｔに２枚ずつ交互に配置される態様となる。図６Ａに示される例では、複数の内部電極層２０および複数の浮き電極層６０は、積層方向Ｔにおいて、第３の内部電極層５１Ｅ、第３の浮き電極層１７１Ｅ、第２の内部電極層４１Ｅ、第４の浮き電極層１８１Ｅ、第３の内部電極層５２Ｅ、第４の浮き電極層１８２Ｅ、第２の内部電極層４２Ｅ、第３の浮き電極層１７２Ｅの順に、誘電体層１０を介して配置されている。ここで、上述の各層の間に挟まれる誘電体層１０の厚みは、略同じ厚みであることが好ましい。

第３の浮き電極層１７０Ｅの構成を、図６Ｃに示される第３の浮き電極層１７１Ｅを例にして説明すると、第３の浮き電極層１７１Ｅ（１７０Ｅ）は、第３の内部電極層５０Ｅの第３の対向部５０Ｅ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第３の端部１７１Ｅ１（１７０Ｅ１）と、第２の内部電極層４０Ｅの第３電極層側対向部４０Ｅ２の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第４の端部１７１Ｅ２（１７０Ｅ２）と、第３の端部１７１Ｅ１と第４の端部１７１Ｅ２を連結する連結部１７１Ｅ３（１７０Ｅ３）とを有する。

第４の浮き電極層１８０Ｅの構成を、図６Ｅに示される第４の浮き電極層１８１Ｅを例にして説明すると、第４の浮き電極層１８１Ｅ（１８０Ｅ）は、第３の内部電極層５０Ｅの第３の対向部５０Ｅ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第３の端部１８１Ｅ１（１８０Ｅ１）と、第２の内部電極層４０Ｅの第３電極層側対向部４０Ｅ２の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第４の端部１８１Ｅ２（１８０Ｅ２）と、第３の端部１８１Ｅ１と第４の端部１８１Ｅ２を連結する連結部１８１Ｅ３（１８０Ｅ３）とを有する。

ここで、図６Ｃに示すように、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第３の浮き電極層１７０Ｅの第３の端部１７０Ｅ１および第４の端部１７０Ｅ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。また、図６Ｅに示すように、第４の浮き電極層１８０Ｅの連結部１８０Ｅ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第４の浮き電極層１８０Ｅの第３の端部１８０Ｅ１および第４の端部１８０Ｅ２の幅方向Ｗの長さＤ２よりも短い。

そして、本実施形態においては、図６Ｃに示すように、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。一方、図６Ｅに示すように第４の浮き電極層１８０Ｅの連結部１８０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。そして、積層方向で見たときに、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３と、第４の浮き電極層１８０Ｅの連結部１８０Ｅ３とは、重ならない位置に配置されている。より詳細には、第３の浮き電極層１７０Ｅは略Ｕ字型（略コの字型）であり、連結部１７０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１に近接して配置されている。第４の浮き電極層１８０Ｅは、第３の浮き電極層１７０Ｅとは逆向きの略Ｕ字型（略コの字型）であり、連結部８０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２に近接して配置されている。

さらに、本実施形態においては、積層方向で見たときに、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第３の内部電極層５２Ｅとは重なる位置に配置されている一方、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第３の内部電極層５１Ｅとは重ならない位置に配置されている。また、積層方向で見たときに、第４の浮き電極層１８０Ｅの連結部１８０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２の方向に偏って配置されている第３の内部電極層５１Ｅとは重なる位置に配置されている一方、第１の側面ＷＳ１の方向に偏って配置されている第３の内部電極層５３Ｅとは重ならない位置に配置されている。

さらに、第３の浮き電極層１７０Ｅの第３の端部１７０Ｅ１および第４の浮き電極層１８０Ｅの第３の端部１８０Ｅ１は、積層方向で見たときに、第３の内部電極層５０Ｅとは重ならない位置に配置されている。また、第３の浮き電極層１７０Ｅの第４の端部１７０Ｅ２および第４の浮き電極層１８０Ｅの第４の端部１８０Ｅ２は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ｅとは重ならない位置に配置されている。

なお、図６Ｃに示すように、同じ積層位置、すなわち同じ誘電体層１０上において、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置され、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置されている。また、図６Ｄに示すように、同じ誘電体層１０上において、第２の浮き電極層８０Ｅの連結部８０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１側に偏って配置され、第４の浮き電極層１８０Ｅの連結部１８０Ｅ３は、第２の側面ＷＳ２側に偏って配置されている。

ここで、第１の内部電極層３０Ｅの電位が第１の電位であり、第３の内部電極層５０Ｅの電位が第１の電位よりも高い第３の電位である場合、分圧電極となる第２の内部電極層４０Ｅは、第１の電位と第２の電位の中間の第２の電位となる。そして、本実施形態に示されるように第１の浮き電極層７０Ｅおよび第３の浮き電極層１７０Ｅを配置すれば、第１の浮き電極層７０Ｅの電位は、第１の電位と第２の電位の中間の電位となる。すなわち、第１の浮き電極層７０Ｅの電位は、第２の内部電極層４０Ｅの第２の電位よりも低い電位となる。また、第３の浮き電極層１７０Ｅの電位は、第２の電位と第３の電位の中間の電位となる。すなわち、第３の浮き電極層１７０Ｅの電位は、第２の内部電極層４０Ｅの第２よりも高い電位となる。

このように、第１の浮き電極層７０Ｅの電位と、第３の浮き電極層１７０Ｅの電位が異なる電位となるように配置することで、２連構造の積層セラミックコンデンサ１であっても、第１の内部電極層３０Ｅの第２の端面ＬＳ２側の端部付近、第２の内部電極層４０Ｅの第１の端面ＬＳ１側の端部付近、第２の内部電極層４０Ｅの第２の端面ＬＳ２側の端部付近、および第３の内部電極層５０Ｅの第１の端面ＬＳ１側の端部付近で発生する電解集中を効果的に抑制することができる。よって、電界集中による絶縁耐圧の低下を防ぐことができる。

また、第１実施形態と同様に、内部電極層と浮き電極層の重なりや、浮き電極層の連結部同士の重なりを減らしているため、積層体１００の形状が安定する。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、上記（１）〜（５）に加えて、以下の効果を奏する。

（８）本実施形態の複数の内部電極層２０は、第３の内部電極層５０Ｅを含み、第２の内部電極層４０Ｅは、第１の外部電極４００Ａにも第２の外部電極４００Ｂにも接続されていない中間電極層を構成し、第３の内部電極層５０Ｅは、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｅと接続する第３の引き出し部５０Ｅ２と、第３の引き出し部５０Ｅ２に接続され、積層方向に隣り合って配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第３の対向部５０Ｅ１とを有し、第１の内部電極層３０Ｅと、第２の内部電極層４０Ｅと、第３の内部電極層５０Ｅにより、直列接続のコンデンサ素子を形成する。このような２連構造の積層セラミックコンデンサ１の構成においても、各内部電極層２０の端部付近で発生する電解集中を効果的に抑制することができる。よって、電界集中による絶縁耐圧の低下を防ぐことができる。

（９）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層１０と積層された複数の内部電極層２０とを含み、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１００と、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４００Ａと、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４００Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、複数の内部電極層２０は、第１の内部電極層３０Ｅと、第２の内部電極層４０Ｅと、第３の内部電極層５０Ｅとを含み、積層体１００は、浮き電極層として、複数の第１の浮き電極層７０Ｅと、複数の第３の浮き電極層１７０Ｅをさらに含み、第１の内部電極層３０Ｅは、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３０Ｅ２と、第１の引き出し部３０Ｅ２に接続され、積層方向に隣り合って配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第１の対向部３０Ｅ１とを有し、第２の内部電極層４０Ｅは、第１の外部電極４００Ａにも第２の外部電極４００Ｂにも接続されていない中間電極層を構成し、積層方向に隣り合って配置された第１の内部電極層３０Ｅと対向する第１電極層側対向部４０Ｅ１と、積層方向に隣り合って配置された第３の内部電極層５０Ｅと対向する第３電極層側対向部４０Ｅ２とを有し、第３の内部電極層５０Ｅは、積層方向に隣り合って配置された第２の内部電極層４０Ｅと対向する第３の対向部５０Ｅ１を有し、第１の内部電極層３０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅおよび第３の内部電極層５０Ｅは、直列接続のコンデンサ素子を形成し、第１の浮き電極層７０Ｅは、積層方向において第１の内部電極層３０Ｅと第２の内部電極層４０Ｅの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置され、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のいずれにも露出されておらず、第１電極層側対向部４０Ｅ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７０Ｅ１と、第１の対向部３０Ｅ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７０Ｅ２と、第１の浮き電極層７０Ｅの第１の端部７０Ｅ１と第２の端部７０Ｅ２を連結する連結部７０Ｅ３とを有し、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第１の浮き電極層７０Ｅの第１の端部７０Ｅ１の幅方向の長さＤ２および第１の浮き電極層７０Ｅの第２の端部７０Ｅ２の幅方向の長さＤ２よりも短く、第３の浮き電極層１７０Ｅは、積層方向において第３の内部電極層５０Ｅと第２の内部電極層４０Ｅの間に配置された誘電体層１０に挟まれた位置に配置され、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のいずれにも露出されておらず、第３の対向部５０Ｅ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第３の端部１７０Ｅ１と、第３電極層側対向部４０Ｅ２の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第４の端部１７０Ｅ２と、第３の浮き電極層１７０Ｅの第３の端部１７０Ｅ１と第４の端部１７０Ｅ２を連結する連結部１７０Ｅ３とを有し、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３の最も第１の側面ＷＳ１側に位置する部分と最も第２の側面ＷＳ２側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さＤ１は、第３の浮き電極層１７０Ｅの第３の端部１７０Ｅ１の幅方向の長さＤ１および第３の浮き電極層１７０Ｅの第４の端部１７０Ｅ２の幅方向の長さＤ２よりも短く、第１の浮き電極層７０Ｅおよび第３の浮き電極層１７０Ｅは、第１の内部電極層３０Ｅの電位が第１の電位であり、第３の内部電極層５０Ｅの電位が第１の電位よりも高い第３の電位である場合に、第１の浮き電極層７０Ｅの電位が第２の内部電極層４０Ｅの第２の電位よりも低い電位となり、第３の浮き電極層１７０Ｅの電位が第２の内部電極層４０Ｅの第２の電位よりも高い電位となるように配置されている。このように、コンデンサ成分が直列に接続された多連構造とすることによって、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くし、かつ、第１の浮き電極層７０Ｅおよび第３の浮き電極層１７０Ｅを、それぞれ異なる電位となるような位置に配置することで、第１の内部電極層３０Ｅの第２の端面ＬＳ２側の端部付近、第２の内部電極層４０Ｅの第１の端面ＬＳ１側の端部付近、第２の内部電極層４０Ｅの第２の端面ＬＳ２側の端部付近、および第３の内部電極層５０Ｅの第１の端面ＬＳ１側の端部付近で発生する電解集中を効果的に抑制することができる。よって、積層セラミックコンデンサ１の高耐圧化を図ることができる。

（１０）本実施形態の積層体１００は、浮き電極層として、複数の第２の浮き電極層８０Ｅをさらに含み、第１の浮き電極層７０Ｅは、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、いずれか一方の側に偏って配置された連結部７０Ｅ３を有し、第２の浮き電極層８０Ｅは、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、他方の側に偏って配置された連結部８０Ｅ３を有し、積層体１００は、積層方向において、第１の内部電極層３０Ｅ、第１の浮き電極層７０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅ、第２の浮き電極層８０Ｅ、第１の内部電極層３０Ｅの順に、内部電極層および浮き電極層が誘電体層１０を介して配置される部分を含み、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３と、第２の浮き電極層８０Ｅの連結部８０Ｅ３とは、重ならない位置に配置されている。これにより、積層方向において、浮き電極層の連結部同士の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。

（１１）本実施形態の積層体１００は、浮き電極層として、複数の第４の浮き電極層１８０Ｅをさらに含み、第３の浮き電極層１７０Ｅは、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、いずれか一方の側に偏って配置された連結部１７０Ｅ３を有し、第４の浮き電極層１８０Ｅは、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、他方の側に偏って配置された連結部１８０Ｅ３を有し、積層体１００は、積層方向において、第３の内部電極層５０Ｅ、第３の浮き電極層１７０Ｅ、第２の内部電極層４０Ｅ、第４の浮き電極層１８０Ｅ、第３の内部電極層５０Ｅの順に、内部電極層および浮き電極層が前記誘電体層１０を介して配置される部分を含み、積層方向で見たときに、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３と、第４の浮き電極層１８０Ｅの連結部１８０Ｅ３とは、重ならない位置に配置されている。これにより、積層方向において、浮き電極層の連結部同士の重なりが減るため、積層体１００の形状が安定する。

（１２）本実施形態の第１の浮き電極層７０Ｅの連結部７０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、いずれか一方の側に偏って配置され、第３の浮き電極層１７０Ｅの連結部１７０Ｅ３は、第１の側面ＷＳ１側および第２の側面ＷＳ２側のうち、他方の側に偏って配置されている。これにより、同じ積層位置、すなわち同じ誘電体層上に配置される浮き電極層の配置のバランスが良くなるため、積層体１００の形状が安定する。

（１２）本実施形態の第３の内部電極層５０Ｅは、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第３の引き出し部５０Ｅ２を備え、第３の引き出し部５０Ｅ２は、第３の対向部５０Ｅ１に接続されている。このような２連構造の積層セラミックコンデンサ１の構成においても、内部電極層２０の端部付近で発生する電解集中を効果的に抑制することができる。よって、電界集中による絶縁耐圧の低下を防ぐことができる。

＜第６実施形態＞
以下、本発明の第６実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。なお、以下の説明において、第５実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図７Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の断面図であって、第５実施形態の図６Ａに対応する断面図である。図７Ｂは、図７Ａの積層セラミックコンデンサ１の７Ｂ−７Ｂ線に沿った断面図である。図７Ｃは、図７Ａの積層セラミックコンデンサ１の７Ｃ−７Ｃ線に沿った断面図である。図７Ｄは、図７Ａの積層セラミックコンデンサ１の７Ｄ−７Ｄ線に沿った断面図である。図７Ｅは、図７Ａの積層セラミックコンデンサ１の７Ｅ−７Ｅ線に沿った断面図である。図７Ｆは、図７Ａの積層セラミックコンデンサ１の７Ｆ−７Ｆ線に沿った断面図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層２０と、浮き電極層６０および浮き電極層１６０の態様が、第５実施形態と異なる。

第５実施形態においては、第１の内部電極層３０Ｅと、第３の内部電極層５０Ｅが、幅方向Ｗにずれて配置されていた。本実施形態においては、図７Ｂから図７Ｆに示すように、第１の内部電極層３０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆは、幅方向Ｗにおいて一致した位置に配置されている。また、第１の内部電極層３０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆの幅方向Ｗの長さは、第２の内部電極層４０Ｆの幅方向Ｗの長さと等しい。そして、積層方向で見たときに、浮き電極層６０および浮き電極層１６０の連結部は、第１の内部電極層３０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆと重なる位置に配置されている。

まず、内部電極層２０について説明する。本実施形態の内部電極層２０は、複数の第１の内部電極層３０Ｆと、複数の第２の内部電極層４０Ｆと、複数の第３の内部電極層５０Ｆとを含む。

図７Ａ、図７Ｆには、第１の内部電極層３０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の内部電極層３１Ｆ、３２Ｆ、３３Ｆ、３４Ｆが示されている。複数の第１の内部電極層３０Ｆは、基本的に同じ形状である。

図７Ａ、図７Ｆには、第２の内部電極層４０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の内部電極層４１Ｆ、４２Ｆ、４３Ｆが示されている。複数の第２の内部電極層４０Ｆは、基本的に同じ形状である。

図７Ａには、第３の内部電極層５０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第３の内部電極層５１Ｆ、５２Ｆ、５３Ｆ、５４Ｆが示されている。複数の第３の内部電極層５０Ｆは、基本的に同じ形状である。

第１の内部電極層３０Ｆの構成を、図７Ｂに示される第１の内部電極層３１Ｆを例にして説明すると、第１の内部電極層３１Ｆ（３０Ｆ）は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４００Ａと接続する第１の引き出し部３１Ｆ２（３０Ｆ２）と、第１の引き出し部３１Ｆ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｆと対向する第１の対向部３１Ｆ１（３０Ｆ１）とを含む。

第２の内部電極層４０Ｆの構成を、図７Ｄに示される第２の内部電極層４１Ｆを例にして説明すると、第２の内部電極層４１Ｆ（４０Ｆ）は、第１の外部電極４００Ａにも第２の外部電極４００Ｂにも接続されていない中間電極層を構成し、積層方向に隣り合って配置された第１の内部電極層３０Ｆと対向する第１電極層側対向部４１Ｆ１（４０Ｆ１）と、積層方向に隣り合って配置された後述の第３の内部電極層５０Ｆと対向する第３電極層側対向部４１Ｆ２（４０Ｆ２）とを有する。第２の内部電極層４１Ｆ（４０Ｆ）はさらに、第１電極層側対向部４１Ｆ１と第３電極層側対向部４１Ｆ２とを連結する対向部連結部４１Ｆ３（４０Ｆ３）を有する。

第３の内部電極層５０Ｆの構成を、図７Ｂに示される第３の内部電極層５１Ｆを例にして説明すると、第３の内部電極層５１Ｆ（５０Ｆ）は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４００Ｂと接続する第３の引き出し部５１Ｆ２（５０Ｆ２）と、第３の引き出し部５１Ｆ２に接続され、異なる誘電体層１０上に配置された第２の内部電極層４０Ｆと対向する第３の対向部５１Ｆ１（５０Ｆ１）とを含む。

次に、浮き電極層６０について説明する。本実施形態の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ｆおよび複数の第２の浮き電極層８０Ｆを含む。

図７Ａ、図７Ｆには、第１の浮き電極層７０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の浮き電極層７１Ｆ、７２Ｆ、７３Ｆが示されている。複数の第１の浮き電極層７０Ｆは、基本的に同じ形状である。また、図７Ａ、図７Ｆには、第２の浮き電極層８０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第２の浮き電極層８１Ｆ、８２Ｆ、８３Ｆが示されている。複数の第２の浮き電極層８０Ｆは、基本的に同じ形状である。

第１の浮き電極層７０Ｆの構成を、図７Ｃに示される第１の浮き電極層７１Ｆを例にして説明すると、第１の浮き電極層７１Ｆ（７０Ｆ）は、第２の内部電極層４０Ｆの第１電極層側対向部４０Ｆ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７１Ｆ１（７０Ｆ１）と、第１の内部電極層３０Ｆの第１の対向部３０Ｆ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７１Ｆ２（７０Ｆ２）と、第１の端部７１Ｆ１と第２の端部７１Ｆ２を連結する連結部７１Ｆ３（７０Ｆ３）とを有する。

第２の浮き電極層８０Ｆの構成を、図７Ｅに示される第２の浮き電極層８１Ｆを例にして説明すると、第２の浮き電極層８１Ｆ（８０Ｆ）は、第２の内部電極層４０Ｆの第３電極層側対向部４１Ｆ２の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部８１Ｆ１（８０Ｆ１）と、第１の内部電極層３０Ｆの第１の対向部３０Ｆ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部８１Ｆ２（８０Ｆ２）と、第１の端部８１Ｆ１と第２の端部８１Ｆ２を連結する連結部８１Ｆ３（８０Ｆ３）とを有する。

本実施形態においては、積層方向で見たときに、第１の浮き電極層７０Ｆの連結部７０Ｆ３は、第１の内部電極層３０Ｆおよび第２の内部電極層４０Ｆと重なる位置に配置されている。また、積層方向で見たときに、第２の浮き電極層８０Ｆの連結部８０Ｆ３は、第１の内部電極層３０Ｆおよび第２の内部電極層４０Ｆと重なる位置に配置されている。

本実施形態の第１の浮き電極層７０Ｆの第１の端部７０Ｆ１は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ｆと一部が重なる位置に配置されている。例えば、第１の端部７０Ｆ１の約半分の面積が、第２の内部電極層４０Ｆと重なる態様であってもよい。また、第１の浮き電極層７０Ｆの第２の端部７０Ｆ２は、積層方向で見たときに、第１の内部電極層３０Ｆと一部が重なる位置に配置されている。例えば、第２の端部７０Ｆ２の約半分の面積が、第１の内部電極層３０Ｆと重なる態様であってもよい。また、第２の浮き電極層８０Ｆの第１の端部８０Ｆ１および第２の端部８０Ｆ２も同様である。

次に、浮き電極層１６０について説明する。本実施形態の浮き電極層１６０は、複数の第３の浮き電極層１７０Ｆおよび複数の第４の浮き電極層１８０Ｆを含む。

図７Ａには、第３の浮き電極層１７０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第３の浮き電極層１７１Ｆ、１７２Ｆ、１７３Ｆが示されている。複数の第３の浮き電極層１７０Ｆは、基本的に同じ形状である。また、図７Ａには、第４の浮き電極層１８０Ｆとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第４の浮き電極層１８１Ｆ、１８２Ｆ、１８３Ｆが示されている。複数の第４の浮き電極層１８０Ｆは、基本的に同じ形状である。

第３の浮き電極層１７０Ｆの構成を、図７Ｃに示される第３の浮き電極層１７１Ｆを例にして説明すると、第３の浮き電極層１７１Ｆ（１７０Ｆ）は、第３の内部電極層５０Ｆの第３の対向部５０Ｆ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第３の端部１７１Ｆ１（１７０Ｆ１）と、第２の内部電極層４０Ｆの第３電極層側対向部４０Ｆ２の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第４の端部１７１Ｆ２（１７０Ｆ２）と、第３の端部１７１Ｆ１と第４の端部１７１Ｆ２を連結する連結部１７１Ｆ３（１７０Ｆ３）とを有する。

第４の浮き電極層１８０Ｆの構成を、図７Ｅに示される第４の浮き電極層１８１Ｆを例にして説明すると、第４の浮き電極層１８１Ｆ（１８０Ｆ）は、第３の内部電極層５０Ｆの第３の対向部５０Ｆ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第３の端部１８１Ｆ１（１８０Ｆ１）と、第２の内部電極層４０Ｆの第３電極層側対向部４０Ｆ２の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第４の端部１８１Ｆ２（１８０Ｆ２）と、第３の端部１８１Ｆ１と第４の端部１８１Ｆ２を連結する連結部１８１Ｆ３（１８０Ｆ３）とを有する。

本実施形態においては、積層方向で見たときに、第３の浮き電極層１７０Ｆの連結部１７０Ｆ３は、第２の内部電極層４０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆと重なる位置に配置されている。また、積層方向で見たときに、第４の浮き電極層１８０Ｆの連結部１８０Ｆ３は、第２の内部電極層４０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆと重なる位置に配置されている。

本実施形態の第３の浮き電極層１７０Ｆの第３の端部１７０Ｆ１は、積層方向で見たときに、第３の内部電極層５０Ｆと一部が重なる位置に配置されている。例えば、第３の端部１７０Ｆ１の約半分の面積が、第３の内部電極層５０Ｆと重なる態様であってもよい。また、第３の浮き電極層１７０Ｆの第４の端部１７０Ｆ２は、積層方向で見たときに、第２の内部電極層４０Ｆと一部が重なる位置に配置されている。例えば、第４の端部１７０Ｆ２の約半分の面積が、第２の内部電極層４０Ａと重なる態様であってもよい。また、第４の浮き電極層１８０Ｆの第３の端部１８０Ｆ１および第４の端部１８０Ｆ２も同様である。

本実施形態の構成であれば、浮き電極層６０の存在により、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和することができる。そして、浮き電極層６０および浮き電極層１６０と、外部電極４００および積層体１００の外表面との絶縁距離を確保しつつ、第１の内部電極層３０Ｆと第２の内部電極層４０Ｆの対向電極部および第３の内部電極層５０Ｆと第２の内部電極層４０Ｆの対向電極部の領域を増やして、コンデンサ容量を大きくすることができる。

＜第７実施形態＞
以下、本発明の第７実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。なお、以下の説明において、第６実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図８Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の断面図であって、第６実施形態の図７Ｃに対応する断面図である。図８Ｂは、図８Ａの積層セラミックコンデンサ１の８Ｂ−８Ｂ線に沿った断面図である。図８Ｃは、図８Ａの積層セラミックコンデンサ１の８Ｃ−８Ｃ線に沿った断面図である。図８Ｄは、図８Ｂおよび８Ｃの積層セラミックコンデンサ１の８Ｄ−８Ｄ線に沿った断面図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、浮き電極層６０および浮き電極層１６０の態様が、第６実施形態と異なる。第６実施形態においては、浮き電極層６０および浮き電極層１６０の形状が、略Ｕ字形の形状であった。本実施形態においては、図８Ａに示すように、浮き電極層６０および浮き電極層１６０の形状が、略Ｈ字形の形状となっている。そして、基本的に全ての浮き電極層６０および浮き電極層１６０の形状が、略同じ形状となっている。

本実施形態の第１の内部電極層３０Ｆ、第２の内部電極層４０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆは、第６実施形態の第１の内部電極層３０Ｆ、第２の内部電極層４０Ｆおよび第３の内部電極層５０Ｆと同じである。よって、本実施形態の内部電極層２０の説明は省略する。

本実施形態においては、複数の浮き電極層６０は、複数の第１の浮き電極層７０Ｇを含む。また、複数の浮き電極層１６０は、複数の第３の浮き電極層１７０Ｇを含む。

図８Ｂ〜図８Ｄには、第１の浮き電極層７０Ｇとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第１の浮き電極層７１Ｇ、７２Ｇ、７３Ｇ、７４Ｇ、７５Ｇ、７６Ｇが示されている。複数の第１の浮き電極層７０Ｇは、基本的に同じ形状である。また、図８Ｂ、図８Ｃには、第３の浮き電極層１７０Ｇとして、第１の主面ＴＳ１側から順に、複数の第３の浮き電極層１７１Ｇ、１７２Ｇ、１７３Ｇ、１７４Ｇ、１７５Ｇ、１７６Ｇが示されている。複数の第３の浮き電極層１７０Ｇは、基本的に同じ形状である。

第１の浮き電極層７０Ｇの構成を、図８Ａに示される第１の浮き電極層７１Ｇを例にして説明すると、第１の浮き電極層７１Ｇ（７０Ｇ）は、第２の内部電極層４０Ｆの第１電極層側対向部４０Ｆ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第１の端部７１Ｇ１（７０Ｇ１）と、第１の内部電極層３０Ｆの第１の対向部３０Ｆ１の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第２の端部７１Ｇ２（７０Ｇ２）と、第１の端部７１Ｇ１と第２の端部７１Ｇ２を連結する連結部７１Ｇ３（７０Ｇ３）とを有する。

第３の浮き電極層１７０Ｇの構成を、図８Ａに示される第３の浮き電極層１７１Ｇを例にして説明すると、第３の浮き電極層１７１Ｇ（１７０Ｇ）は、第３の内部電極層５０Ｆの第３の対向部５０Ｆ１の第１の端面ＬＳ１側の端部近傍に配置される第３の端部１７１Ｇ１（１７０Ｇ１）と、第２の内部電極層４０Ｆの第３電極層側対向部４０Ｆ２の第２の端面ＬＳ２側の端部近傍に配置される第４の端部１７１Ｇ２（１７０Ｇ２）と、第３の端部１７１Ｇ１と第４の端部１７１Ｇ２を連結する連結部１７１Ｇ３（１７０Ｇ３）とを有する。ここで、第３の浮き電極層１７０Ｇの形状は、第１の浮き電極層７０Ｇの形状と同じである。

このように、複数の浮き電極層６０および複数の浮き電極層１６０は、１種類の形状の浮き電極層によって構成されていてもよい。このような構成であっても、浮き電極層６０の存在により、内部電極層２０の端部における電界集中を効果的に緩和することができる。そして、本実施形態の構成であれば、浮き電極層６０および浮き電極層１６０と、外部電極４００および積層体１００の外表面との絶縁距離を確保しつつ、第１の内部電極層３０Ｆと第２の内部電極層４０Ｆの対向電極部および第３の内部電極層５０Ｆと第２の内部電極層４０Ｆの対向電極部の領域を増やして、コンデンサ容量を大きくすることができる。

なお、積層セラミックコンデンサ１の構成は、図１〜８Ｄに示す構成に限定されない。例えば、積層セラミックコンデンサ１は、図９Ａ、図９Ｂに示すような、３連構造、４連構造の積層セラミックコンデンサであってもよい。

図９Ａに示す積層セラミックコンデンサ１は、３連構造の積層セラミックコンデンサ１であり、内部電極層２０として、第１の内部電極層３０と、第２の内部電極層４０と、第３の内部電極層２５０と、第４の内部電極層２６０とを備える。この構成においては、第２の内部電極層４０および第３の内部電極層２５０が、中間電極層を構成している。図９Ｂに示す積層セラミックコンデンサ１は、４連構造の積層セラミックコンデンサ１であり、内部電極層２０として、第１の内部電極層３０と、第２の内部電極層４０と、第３の内部電極層２５０と、第４の内部電極層２６０と、第５の内部電極層２７０とを備える。この構成においては、第２の内部電極層４０と、第３の内部電極層２５０と、第４の内部電極層２６０が、中間電極層を構成する。このような構成においても、上述の各実施形態で説明したような２つの端部と、２つの端部を連結する連結部を有する浮き電極層を設けることで、上述の各実施形態で示されるような効果を得ることができる。なお、積層セラミックコンデンサ１としては、４連以上の多連構造のものであってもよいことはいうまでもない。

本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。

１ 積層セラミックコンデンサ
１０ 誘電体層
１１ 内層部
１１Ｅ 対向電極存在領域
１２ 第１の主面側外層部
１３ 第２の主面側外層部
２０ 内部電極層
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｅ、３０Ｆ 第１の内部電極層
３０Ａ１、３０Ｂ１、３０Ｃ１、３０Ｅ１、３０Ｆ１ 第１の対向部
３０Ａ２、３０Ｂ２、３０Ｃ２、３０Ｅ２、３０Ｆ２ 第１の引き出し部
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｅ、４０Ｆ 第２の内部電極層
４０Ａ１、４０Ｂ１、４０Ｃ１ 第２の対向部
４０Ａ２、４０Ｂ２、４０Ｃ２ 第２の引き出し部
４０Ｅ１、４０Ｆ１ 第１電極層側対向部
４０Ｅ２、４０Ｆ２ 第３電極層側対向部
５０Ｅ、５０Ｆ 第３の内部電極層
５０Ｅ１、５０Ｆ１ 第３の対向部
５０Ｅ２、５０Ｆ２ 第３の引き出し部
６０ 浮き電極層
７０Ａ、７０Ｃ、７０Ｄ、７０Ｅ、７０Ｆ、７０Ｇ 第１の浮き電極層
７０Ａ１、７０Ｃ１、７０Ｄ１、７０Ｅ１、７０Ｆ１、７０Ｇ１ 第１の端部
７０Ａ２、７０Ｃ２、７０Ｄ２、７０Ｅ２、７０Ｆ２、７０Ｇ２ 第２の端部
７０Ａ３、７０Ｃ３、７０Ｄ３、７０Ｅ３、７０Ｆ３、７０Ｇ３ 連結部
８０Ａ、８０Ｄ、８０Ｅ、８０Ｆ 第２の浮き電極層
８０Ａ１、８０Ｄ１、８０Ｅ１、８０Ｆ１ 第１の端部
８０Ａ２、８０Ｄ２、８０Ｅ２、８０Ｆ２ 第２の端部
８０Ａ３、８０Ｄ３、８０Ｅ３、８０Ｆ３ 連結部
１７０Ｅ、１７０Ｆ、１７０Ｇ 第３の浮き電極層
１７０Ｅ１、１７０Ｆ１、１７０Ｇ１ 第３の端部
１７０Ｅ２、１７０Ｆ２、１７０Ｇ２ 第４の端部
１７０Ｅ３、１７０Ｆ３、１７０Ｇ３ 連結部
１８０Ｅ、１８０Ｆ 第４の浮き電極層
１８０Ｅ１、１８０Ｆ１ 第１の端部
１８０Ｅ２、１８０Ｆ２ 第２の端部
１８０Ｅ３、１８０Ｆ３ 連結部
１００ 積層体
４００ 外部電極
４００Ａ 第１の外部電極
４００Ｂ 第２の外部電極
ＴＳ１ 第１の主面
ＴＳ２ 第２の主面
ＷＳ１ 第１の側面
ＷＳ２ 第２の側面
ＬＳ１ 第１の端面
ＬＳ２ 第２の端面
Ｌ 長さ方向
Ｗ 幅方向
Ｔ 積層方向

Claims (13)

1. 積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
   前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
   前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、
   を有する積層セラミックコンデンサであって、
   前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層および第２の内部電極層を含み、
   前記積層体は、複数の浮き電極層をさらに含み、
   前記第１の内部電極層は、その一方端部が前記第１の端面に引き出されて前記第１の外部電極と接続する第１の引き出し部と、前記第１の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第１の対向部とを有し、
   前記第２の内部電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第１の内部電極層と対向する第２の対向部を有し、
   前記浮き電極層は、積層方向において前記第１の内部電極層と前記第２の内部電極層の間に配置された前記誘電体層に挟まれた位置に配置され、前記第１の端面および前記第２の端面のいずれにも露出されておらず、前記第２の対向部の前記第１の端面側の端部近傍に配置される第１の端部と、前記第１の対向部の前記第２の端面側の端部近傍に配置される第２の端部と、前記第１の端部と前記第２の端部を連結する連結部とを有し、
   前記連結部の最も前記第１の側面側に位置する部分と最も前記第２の側面側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さは、前記第１の端部の前記幅方向の長さおよび前記第２の端部の前記幅方向の長さよりも短い、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記浮き電極層の前記連結部は、積層方向で見たときに、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層のうち、少なくともいずれか一方の内部電極層とは重ならない位置に配置されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記浮き電極層の前記連結部は、積層方向で見たときに、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層のうち、一方の内部電極層とは重ならない位置に配置されており、他方の内部電極層と重なる位置に配置されている、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記浮き電極層の前記連結部は、積層方向で見たときに、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層とは重ならない位置に配置されている、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記浮き電極層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、いずれか一方の側に偏って配置された連結部を有する第１の浮き電極層と、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、他方の側に偏って配置された連結部を有する第２の浮き電極層を含み、
   前記積層体は、積層方向において、前記第１の内部電極層、前記第１の浮き電極層、前記第２の内部電極層、前記第２の浮き電極層、前記第１の内部電極層の順に、前記内部電極層および前記浮き電極層が前記誘電体層を介して配置される部分を含み、
   積層方向で見たときに、前記第１の浮き電極層の連結部と、前記第２の浮き電極層の連結部とは、重ならない位置に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記浮き電極層の前記第１の端部は、積層方向で見たときに、前記第２の内部電極層とは重ならない位置に配置されており、
   前記浮き電極層の前記第２の端部は、積層方向で見たときに、前記第１の内部電極層とは重ならない位置に配置されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記第２の内部電極層は、その一方端部が前記第２の端面に引き出されて前記第２の外部電極と接続する第２の引き出し部を備え、前記第２の引き出し部は、前記第２の対向部に接続されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
8. 前記複数の内部電極層は、さらに第３の内部電極層を含み、
   前記第２の内部電極層は、前記第１の外部電極にも前記第２の外部電極にも接続されていない中間電極層を構成し、
   前記第３の内部電極層は、その一方端部が前記第２の端面に引き出されて前記第２の外部電極と接続する第３の引き出し部と、前記第３の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第３の対向部とを有し、
   前記第１の内部電極層と、前記第２の内部電極層と、前記第３の内部電極層により、直列接続のコンデンサ素子を形成する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
9. 積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
   前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
   前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、
   を有する積層セラミックコンデンサであって、
   前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層と、第２の内部電極層と、第３の内部電極層とを含み、
   前記積層体は、浮き電極層として、複数の第１の浮き電極層と、複数の第３の浮き電極層をさらに含み、
   前記第１の内部電極層は、その一方端部が前記第１の端面に引き出されて前記第１の外部電極と接続する第１の引き出し部と、前記第１の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第１の対向部とを有し、
   前記第２の内部電極層は、前記第１の外部電極にも前記第２の外部電極にも接続されていない中間電極層を構成し、積層方向に隣り合って配置された前記第１の内部電極層と対向する第１電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第３の内部電極層と対向する第３電極層側対向部とを有し、
   前記第３の内部電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第３の対向部を有し、
   前記第１の内部電極層、前記第２の内部電極層および前記第３の内部電極層は、直列接続のコンデンサ素子を形成し、
   前記第１の浮き電極層は、積層方向において前記第１の内部電極層と前記第２の内部電極層の間に配置された前記誘電体層に挟まれた位置に配置され、前記第１の端面および前記第２の端面のいずれにも露出されておらず、前記第１電極層側対向部の前記第１の端面側の端部近傍に配置される第１の端部と、前記第１の対向部の前記第２の端面側の端部近傍に配置される第２の端部と、前記第１の浮き電極層の前記第１の端部と前記第２の端部を連結する連結部とを有し、前記第１の浮き電極層の連結部の最も前記第１の側面側に位置する部分と最も前記第２の側面側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さは、前記第１の浮き電極層の前記第１の端部の前記幅方向の長さおよび前記第１の浮き電極層の前記第２の端部の前記幅方向の長さよりも短く、
   前記第３の浮き電極層は、積層方向において前記第３の内部電極層と前記第２の内部電極層の間に配置された前記誘電体層に挟まれた位置に配置され、前記第１の端面および前記第２の端面のいずれにも露出されておらず、前記第３の対向部の前記第１の端面側の端部近傍に配置される第３の端部と、前記第３電極層側対向部の前記第２の端面側の端部近傍に配置される第４の端部と、前記第３の浮き電極層の前記第３の端部と前記第４の端部を連結する連結部とを有し、前記第３の浮き電極の連結部の最も前記第１の側面側に位置する部分と最も前記第２の側面側に位置する部分とを結ぶ幅方向の長さは、前記第３の浮き電極層の前記第３の端部の前記幅方向の長さおよび前記第３の浮き電極層の前記第４の端部の前記幅方向の長さよりも短く、
   前記第１の浮き電極層および前記第３の浮き電極層は、前記第１の内部電極層の電位が第１の電位であり、前記第３の内部電極層の電位が第１の電位よりも高い第３の電位である場合に、前記第１の浮き電極層の電位が前記第２の内部電極層の第２の電位よりも低い電位となり、前記第３の浮き電極層の電位が前記第２の内部電極層の第２の電位よりも高い電位となるように配置されている、積層セラミックコンデンサ。
10. 前記積層体は、浮き電極層として、複数の第２の浮き電極層をさらに含み、
    前記第１の浮き電極層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、いずれか一方の側に偏って配置された連結部を有し、前記第２の浮き電極層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、他方の側に偏って配置された連結部を有し、
    前記積層体は、積層方向において、前記第１の内部電極層、前記第１の浮き電極層、前記第２の内部電極層、前記第２の浮き電極層、前記第１の内部電極層の順に、前記内部電極層および前記浮き電極層が前記誘電体層を介して配置される部分を含み、
    積層方向で見たときに、前記第１の浮き電極層の連結部と、前記第２の浮き電極層の連結部とは、重ならない位置に配置されている、請求項９に記載の積層セラミックコンデンサ。
11. 前記積層体は、浮き電極層として、複数の第４の浮き電極層をさらに含み、
    前記第３の浮き電極層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、いずれか一方の側に偏って配置された連結部を有し、前記第４の浮き電極層は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、他方の側に偏って配置された連結部を有し、
    前記積層体は、積層方向において、前記第３の内部電極層、前記第３の浮き電極層、前記第２の内部電極層、前記第４の浮き電極層、前記第３の内部電極層の順に、前記内部電極層および前記浮き電極層が前記誘電体層を介して配置される部分を含み、
    積層方向で見たときに、前記第３の浮き電極層の連結部と、前記第４の浮き電極層の連結部とは、重ならない位置に配置されている、請求項９または請求項１０に記載の積層セラミックコンデンサ。
12. 前記第１の浮き電極層の連結部は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、いずれか一方の側に偏って配置され、前記第３の浮き電極層の連結部は、前記第１の側面側および前記第２の側面側のうち、他方の側に偏って配置されている、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
13. 前記第３の内部電極層は、その一方端部が前記第２の端面に引き出されて前記第２の外部電極と接続する第３の引き出し部を備え、前記第３の引き出し部は、前記第３の対向部に接続されている、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。

Images