JP2021187703A - 静電チャック用誘電体 - Google Patents

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Abstract

【課題】ジョンセン・ラーベック型の静電チャック用誘電体に要求される体積固有抵抗率等の基本特性を確保しつつ、十分な硬度を確保できる静電チャック用誘電体を提供する。【解決手段】主結晶相がコランダムからなり、その他の結晶相としてAl5BO9を含み、粉末X線回折によるAl5BO9の(021面)ピーク強度:IAとコランダムの(012面)ピーク強度:IBとの比:IA/IBが、0.04以上0.4以下である、静電チャック用誘電体。【選択図】図1

Description

本発明は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハやLCD基板ガラス等の各種基板を高精度に位置決めして固定する静電チャックに使用する誘電体に関する。
例えば半導体製造装置において、回路形成を目的としてシリコンウェーハ上に露光・成膜し、シリコンウェーハをエッチングするためには、対象とするウェーハの平坦度を保ち、かつウェーハに温度分布がつかないように、ウェーハを保持する必要がある。このようなウェーハの保持手段としては機械方式、真空吸着方式、静電吸着方式が提案されている。これらの保持手段のうち、静電吸着方式は静電チャックによりウェーハを保持する方式であり、真空雰囲気下で使用することができるため多用されている。
静電チャックには吸着力としてクーロン力を利用する型(クーロン型)と、ジョンセン・ラーベック力を利用する型(ジョンセン・ラーベック型)とがある。後者のジョンセン・ラーベック力は誘電体とウェーハとの界面の小さなギャップに微小電流が流れ、帯電分極して誘起させることによって生じる力であり、誘電体の体積固有抵抗率が1012〜1013Ω・cm以下になると発生する。そして、ジョンセン・ラーベック力を用いて静電チャックとして必要な吸着力を確保するためには、誘電体の体積固有抵抗率が10〜1013Ω・cmの範囲内にあることが要件となる。
従来、ジョンセン・ラーベック型の静電チャック用誘電体としては、アルミナに遷移金属元素を添加したセラミックス、例えばAl−TiO系などが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許第4354138号公報
本発明者らが特許文献1のAl−TiO系の誘電体を、エッチング装置の静電チャックに使用したところ、耐用性が十分でないことがわかった。すなわち、エッチング装置において静電チャックはプラズマ雰囲気下で使用されるところ、特許文献1のAl−TiO系の誘電体は硬度が十分でないことからプラズマ耐性が低下し、その結果、十分な耐用性が得られないことがわかった。
そこで本発明が解決しようとする課題は、ジョンセン・ラーベック型の静電チャック用誘電体に要求される体積固有抵抗率等の基本特性を確保しつつ、十分な硬度を確保できる静電チャック用誘電体を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明者らが試験及び検討を重ねた結果、主結晶相がコランダムからなる静電チャック用誘電体においてその他の結晶相としてAlBOを適量含むことで、ジョンセン・ラーベック型の静電チャック用誘電体に要求される体積固有抵抗率等の基本特性を確保しつつ、十分な硬度を確保できることがわかった。
すなわち、本発明によれば次の1〜3の静電チャック用誘電体が提供される。
1.
主結晶相がコランダムからなり、その他の結晶相としてAlBOを含み、粉末X線回折によるAlBOの(021面)ピーク強度:Iとコランダムの(012面)ピーク強度:Iとの比:I/Iが、0.04以上0.4以下である、静電チャック用誘電体。
2.
ビッカース硬度が16GPa以上である、前記1に記載の静電チャック用誘電体。
3.
チタニアを0.8質量%以上3質量%以下、炭化ホウ素を0.2質量%以上1質量%以下含有し、残部が主としてアルミナ原料からなる配合物を混合、成形、焼成して得られる、前記1又は2に記載の静電チャック用誘電体。
本発明によれば、ジョンセン・ラーベック型の静電チャック用誘電体に要求される体積固有抵抗率等の基本特性を確保しつつ、十分な硬度を確保できる。
本発明例である実施例1の粉末X線回折強度データ。 ジョンセン・ラーベック型の静電チャックの一例の概念的な断面図。
本発明の静電チャック用誘電体は、主結晶相がコランダムからなり、その他の結晶相としてAlBOを含む。そして、粉末X線回折によるAlBOの(021面)ピーク強度をI、粉末X線回折によるコランダムの(012面)ピーク強度をIとして、そのピーク強度比(I/I)は0.04以上0.4以下である。
/Iが0.04未満であると、十分な硬度を確保することができない。
一方、I/Iが0.4超であると、粒界にAlBOが多量に生成されるため体積固有抵抗率が上昇し、吸着力が低下する。すなわち、ジョンセン・ラーベック型の静電チャック用誘電体では、粒界に低抵抗な粒界相を形成することにより適度な導電性を確保し、体積固有抵抗率を低下させるが、粒界にAlBOが多量に生成されると、AlBOが低抵抗な粒界相の導電性を阻害し、結果として体積固有抵抗率が上昇する。
本発明の静電チャック用誘電体の硬度は、ビッカース硬度が16GPa以上とすることができる。すなわち、「ビッカース硬度が16GPa以上」が十分な硬度を確保することの一つの目安である。より十分な硬度を確保する点からは、本発明の静電チャック用誘電体の硬度は、ビッカース硬度が18GPa以上とすることもできる。ビッカース硬度が18GPa以上を確保するには、I/Iは0.18以上0.4以下とすることが好ましい。
このような本発明の静電チャック用誘電体は、チタニアを0.8質量%以上3質量%以下、炭化ホウ素を0.2質量%以上1質量%以下含有し、残部が主としてアルミナ原料からなる配合物を混合、成形、焼成することにより製造することができる。
配合物中のチタニアの含有率が0.8質量%未満であると、Ti3+の生成量が少なくなって体積固有抵抗率が上昇し、吸着力が低下する懸念がある。すなわち、チタニア(TiO)は、アルミナ(Al)原料粒子の粒界相に固溶し体積固有抵抗率を低下させる。具体的には、焼成中にTiOのTi4+の一部がTi3+に還元され、このTi3+がAlのAl3+のサイトに置換固溶することで低抵抗な粒界相((Al、Ti))を形成する。このため、配合物中のチタニアの含有率が0.8質量%未満であると、Ti3+の生成量が少なくなって体積固有抵抗率が上昇し、吸着力が低下する懸念がある。
一方、配合物中のチタニアの含有率が3質量%超となると、体積固有抵抗率が低くなりすぎてリーク電流が大きくなり、ウェーハの回路等に悪影響を及ぼす懸念がある。
配合物中の炭化ホウ素(BC)の含有率が0.2質量%未満であると、十分な硬度を確保できない懸念がある。特に、静電チャックがプラズマ雰囲気下で使用される場合、十分な硬度を確保できないと、劣化が早くなり耐用性が低下するおそれがある。また、配合物中の炭化ホウ素の含有率が0.2質量%未満であると、静電チャックの黒色化が不十分となり、汚れが目立つようになってしまうおそれがある。
一方、配合物中の炭化ホウ素の含有率が1量%超となると、粒界にAlBOが多量に生成されるため体積固有抵抗率が上昇し、吸着力が低下する懸念がある。
配合物中の炭化ホウ素の含有率は、より十分な硬度を確保する点から0.4質量%以上1質量%以下であることが好ましい。
本発明の静電チャック用誘電体は、上述の通り、チタニア、炭化ホウ素及びアルミナ原料を所定量混合後、プレス成形、CIP(静水圧加圧)成形、ドクターブレード成形等により所定形状に成形し、必要に応じて脱脂した後、焼成して得られる。
焼成は通常の常圧焼結で行ってもよいが相対的に低密度になりやすいため、ホットプレス、HIP、ガス圧焼成などの加圧焼結を行うことが好ましい。焼成雰囲気はアルゴン等の不活性ガス雰囲気や水素等の還元ガス雰囲気(すなわち、非酸化性雰囲気)、あるいは真空中とすることができる。焼成温度は1200℃以上1700℃以下とすることができる。
なお、本発明の配合物においてチタニア及び炭化ホウ素以外の残部は主としてアルミナ原料からなるが、この残部にはアルミナ原料以外に焼結助剤として酸化マグネシウム(MgO)、シリカ(SiO)、酸化ランタン(La)、酸化イットリウム(Y)、酸化カルシウム(CaO)、酸化セリウム(Ce)等を含み得る。ただし、これらの含有率は合計で3質量%以下(0を含む。)とすることが好ましい。
チタニア、炭化ホウ素及びアルミナ原料を表1に示す各例の含有率となるように配合して配合物を得、各例の配合物をそれぞれ混合、成形、焼成して、各例の静電チャック用誘電体を得た。
得られた各例の静電チャック用誘電体について、Cu−Kα線による粉末X線回折によりAlBOの(021面)ピーク強度:Iとコランダムの(012面)ピーク強度:Iとの比:I/Iを評価すると共に、ビッカース硬度、体積固有抵抗率及び吸着力を評価し、併せて色調判定を行った。
Figure 2021187703
図1に、粉末X線回折の一例として、本発明例である実施例1の粉末X線回折強度データを示している。このような粉末X線回折強度データに基づき、AlBOの(021面)ピーク強度:Iとコランダム(Al)の(012面)ピーク強度:Iとの比:I/Iを評価した。なお、各例のピーク強度比(I/I)は、主として配合物中の炭化ホウ素の含有率を調整することにより調整した。
ビッカース硬度は、JIS Z2244に基づき測定した(加圧力1kgf)。評価は、ビッカース硬度が18GPa以上を◎(優)、16GPa以上18GPa未満を○(良)、16GPa未満を×(不良)とした。
体積固有抵抗率は三端子法で測定した(印加電圧500V、室温)。評価は、体積固有抵抗率が9.7×10Ω・cm以上3.8×1010Ω・cm以下を◎(優)、3.8×1010Ω・cm超1.3×1011Ω・cm以下又は3.8×10Ω・cm以上9.7×10Ω・cm未満を○(良)、1.3×1011Ω・cm超又は3.8×10Ω・cm未満を×(不良)とした。
なお、表1では、○(良)のうち3.8×1010Ω・cm超1.3×1011Ω・cm以下を○(H)、3.8×10Ω・cm以上9.7×10Ω・cm未満を○(L)、また、×(不良)のうち1.3×1011Ω・cm超を×(H)、3.8×10Ω・cm未満を×(L)と表記した。
吸着力は各例の誘電体を図2に示すようなジョンセン・ラーベック型の静電チャックに組み込んで測定した。すなわち、図2に示すように、誘電体1の片方の表面にTiをスパッタし、導体層3としての電極を付与した。これに絶縁体基板2(アルミナ)を導体層3が中間に挟まれるようにエポキシ系接着剤4で接着した。この際、絶縁体基板2の中心にはリード電極用としてあらかじめ穴を開けておき、最後に誘電体1を2mmの厚みまで研削、ラップ加工し、リード電極5を付けて静電チャックを作製した。そして、この静電チャックに真空中で電源7により300Vの直流電圧を60秒間印加し、真空中でシリコンウェ−ハ6を吸着したときの吸着力を測定した。評価は、吸着力が40g/cm以上を◎(優)、20g/cm以上40g/cm未満を○(良)、20g/cm未満を×(不良)とした。
色調判定は目視にて行った。
表1中、実施例1〜7は、本発明の範囲内にある誘電体であり、各評価は◎(優)又は○(良)で良好であり、色調判定も黒又は藍色で良好であった。なかでも、ピーク強度比(I/I)が0.18以上0.4以下である実施例1,3,4,6,7はビッカース硬度が18GPa以上(◎(優))と特に良好であり、色調判定も黒で特に良好であった。
これに対して比較例1はピーク強度比(I/I)が小さすぎる例で、ビッカース硬度が16GPa未満(×(不良))となり、十分な硬度が得られなかった。また、色調判定も青で不良であった。
一方、比較例2はピーク強度比(I/I)が大きすぎる例で、体積固有抵抗率が1.3×1011Ω・cm超まで上昇し、吸着力が低下した。
1 誘電体
2 絶縁体基板
3 導体層(電極)
4 エポキシ系接着剤
5 リード電極
6 シリコンウェ−ハ
7 電源

Claims (3)

  1. 主結晶相がコランダムからなり、その他の結晶相としてAlBOを含み、粉末X線回折によるAlBOの(021面)ピーク強度:Iとコランダムの(012面)ピーク強度:Iとの比:I/Iが、0.04以上0.4以下である、静電チャック用誘電体。
  2. ビッカース硬度が16GPa以上である、請求項1に記載の静電チャック用誘電体。
  3. チタニアを0.8質量%以上3質量%以下、炭化ホウ素を0.2質量%以上1質量%以下含有し、残部が主としてアルミナ原料からなる配合物を混合、成形、焼成して得られる、請求項1又は2に記載の静電チャック用誘電体。
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