JP2021168254A - 膜電極接合体の検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｘ線を用いて、膜電極接合体における異物を精度良く検出すること。【解決手段】膜電極接合体の検査方法であって、膜電極接合体に、第１光軸を有する第１Ｘ線と、第１光軸と交差する第２光軸を有する第２Ｘ線とを照射し、膜電極接合体のＸ線透過像を撮像する撮像工程と、Ｘ線透過像の各単位領域における輝度のうち、最低輝度を取得する取得工程と、異物の平面サイズと最低輝度との予め定められた相関関係を用いて、取得工程において取得された最低輝度に応じて、異物の平面サイズを決定する決定工程と、を備える検査方法。【選択図】図８

Description

本開示は、膜電極接合体の検査方法に関する。

従来、電池の製造工程において、Ｘ線を検査対象物に照射し、透過Ｘ線の強度を検出することにより、検査対象物に金属異物があるか否かの検査が行われている（例えば、特許文献１）。

特開２０１１−２４９０９５号公報

ところで、燃料電池における膜電極接合体の製造工程においても、膜電極接合体に鉄などの異物が混入する場合がある。そこで、Ｘ線を用いて、精度良く異物を検出することができる技術が要請されていた。

本開示は、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本開示の一形態によれば、膜電極接合体の検査方法が提供される。この膜電極接合体の検査方法は、前記膜電極接合体に、第１光軸を有する第１Ｘ線と、前記第１光軸と交差する第２光軸を有する第２Ｘ線とを照射し、前記膜電極接合体のＸ線透過像を撮像する撮像工程と、前記Ｘ線透過像の各単位領域における輝度のうち、最低輝度を取得する取得工程と、異物の平面サイズと前記最低輝度との予め定められた相関関係を用いて、前記取得工程において取得された前記最低輝度に応じて、前記異物の平面サイズを決定する決定工程と、を備える。この形態によれば、第２光軸は、第１光軸と交差するため、異物により回折された第２Ｘ線は、異物により回折された第１Ｘ線よりも、Ｘ線透過像の中央付近まで届く。これにより、異物の平面サイズが大きい場合にも、平面サイズと、最低輝度との間に相関関係を生じさせることができる。よって、異物の平面サイズと、最低輝度との予め定められた相関関係に基づいて、検出される最低輝度に応じて、精度良く異物を検出することができる。

膜電極接合体の検査に用いる検査システムの概略構成を示す図である。 Ｘ線源の構造を説明する模式図である。 Ｘ線源から照射されるＸ線と、膜電極接合体と、検出カメラの受光面との位置関係を説明する図である。 異物の平面サイズが小の場合のＸ線透過像を説明する図である。 異物の平面サイズが中の場合のＸ線透過像を説明する図である。 異物の平面サイズが大の場合のＸ線透過像を説明する図である。 サンプルの直径サイズと、最低輝度画素における輝度低下量との関係を示す図である。 平面サイズ決定処理のフローチャートである。

Ａ．実施形態：
Ａ１．検査システムの構成
図１は、膜電極接合体（ＭＥＡ：Membrane-Electrode Assembly）５０の検査に用いる検査システム１００の概略構成を示す図である。膜電極接合体５０は、固体高分子形燃料電池などに用いられる部材である。膜電極接合体５０は、例えば、電解質膜の両面に２つの触媒電極層が配置された構造を有している。電解質膜は、例えば、フッ素系スルホン酸ポリマなどにより形成された固体高分子膜である。触媒電極層は、例えば、白金等の触媒粒子を担持した触媒担持カーボンと電解質樹脂とにより構成される。燃料電池を構成する燃料電池セルは、例えば、膜電極接合体５０の一方あるいは両方の面にガス拡散層が配置された膜電極ガス拡散層接合体（ＭＥＧＡ：Membrane Electrode and Gas Diffusion Layer Assembly）が、一対のセパレータにより挟持された構造を有している。詳しくは、膜電極ガス拡散層接合体は、周囲が樹脂製のフレーム部材に固定された状態で、セパレータに挟持されている。ガス拡散層は、例えば、カーボンペーパーやカーボン不織布等によって構成されている。製造工程において、膜電極接合体５０に、鉄粒子などの異物が混入する場合がある。鉄粒子が膜電極接合体５０に混入すると、膜化学劣化により、燃料電池の耐久性能が低下するおそれがある。そこで、検査システム１００を用いて、膜電極接合体５０に異物が含まれるか否かが検査される。本実施形態では、検査システム１００における検査は、膜電極接合体５０を対象として実施される。なお、検査システム１００における検査は、周囲を樹脂製のフレーム部材により固定された膜電極ガス拡散層接合体を対象として実施されてもよい。

検査システム１００は、Ｘ線源１０と、検出カメラ２０と、ステージ３０と、制御装置４０とを備える。検出カメラ２０は、Ｘ線源１０の上方に配置されている。Ｘ線源１０と、検出カメラ２０との間に、ステージ３０の移動経路が設けられている。膜電極接合体５０は、ステージ３０に載置される。以下の説明において、膜電極接合体５０の厚み方向をＺ軸方向とし、ステージ３０の移動方向をＹ軸方向とし、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に直交する方向をＸ軸方向とする。本実施形態において、Ｚ軸方向は、上下方向である。

ステージ３０は、例えば、リニアアクチュエータ、またはベルトコンベアなどによって、Ｙ軸方向に移動する。ステージ３０の移動速度は、例えば、４０ｍｍ／秒以上である。ステージ３０は、膜電極接合体５０をステージ３０上に固定するための図示しない真空吸着装置を備えている。ステージ３０には、Ｘ線を通過させるための開口部６０が設けられている。

Ｘ線源１０は、検出カメラ２０に向けてＸ線を照射する。Ｘ線源１０は、複数のＸ線管球１２（図２参照）を有しており、複数の方向からＸ線を照射する。Ｘ線管球としては、例えば、水冷式Ｘ線管球を用いることができ、例えば、管電圧は１５〜５０ｋＶ、管電流は０．１〜３５ｍＡとすることができる。Ｘ線源１０から照射されるＸ線は、Ｘ線源１０と検出カメラ２０との間を通過するステージ３０上の膜電極接合体５０に照射される。なお、複数のステージ３０を、Ｘ線源１０上方を順次通過させることにより、膜電極接合体５０に対する検査が連続的に行われても良い。

検出カメラ２０は、受光面２２（図２参照）を下方に向けて配置されている。検出カメラ２０は、膜電極接合体５０のＸ線透過像を撮像する。検出カメラ２０の画素分解能は、例えば、１０〜３０μｍ／画素である。また、検出カメラ２０の輝度分解能は、例えば、８〜２３２ｂｉｔ階調である。検出カメラ２０としては、ＣＣＤ（Charged-coupled devices）方式、ＣＭＯＳ（Complementary metal-oxide-semiconductor）方式などのリニアイメージセンサあるいはエリアイメージセンサを用いることができる。あるいは、検出カメラ２０として、ＴＤＩ（Time Delay Integration）センサを用いてもよい。

制御装置４０は、ＣＰＵ４１およびメモリ４２などを備えるコンピュータなどにより構成されており、Ｘ線源１０、検出カメラ２０およびステージ３０を制御する。制御装置４０は、検出カメラ２０により検出される膜電極接合体５０のＸ線透過像を用いて、膜電極接合体５０に含まれる異物の平面サイズを決定する。ここで、平面サイズとは、膜電極接合体５０の面方向における大きさを指し、具体的には、例えば、異物が受光面２２に投影された形状の面積、または、最長部分の長さなどにより規定されるサイズである。メモリ４２には、後述する平面サイズ決定処理のプログラムなどが記憶されている。

Ａ２．Ｘ線源の構成
図２は、Ｘ線源１０の構造を説明する模式図である。Ｘ線源１０は、５つのＸ線管球１２を有し、５つのＸ線管球１２は、Ｘ線管球取付部１４に取り付けられている。Ｘ線管球取付部１４は、膜電極接合体５０の膜面と略平行な中央部１４ａと、２つの端部１４ｂとを有する。端部１４ｂは、平板状であり、端に向かうほど検出カメラ２０の受光面２２に近づくように、中央部１４ａに対して、傾斜している。中央部１４ａと端部１４ｂとのなす角度は、９０度よりも大きく、１８０度よりも小さい。Ｘ線管球１２は、中央部１４ａに１つ、２つの端部１４ｂの各々に２つ配置されている。Ｘ線管球１２は、Ｘ線管球取付部１４における、取り付けられている部分の面と略垂直な方向へＸ線を照射する。便宜上、中央部１４ａに取り付けられているＸ線管球１２をＸ線管球１２ａと称し、端部１４ｂに取り付けられているＸ線管球１２をＸ軸負方向から順に、Ｘ線管球１２ｂ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｃと称する。以下の説明において、複数のＸ線管球１２ａ〜１２ｅを区別することなく用いる場合には、Ｘ線管球１２と記載する。なお、図２では、Ｘ線管球１２は、Ｘ軸方向に沿って配列されて描かれているが、Ｙ軸方向に沿って、Ｘ線管球１２が配列されても良い。また、Ｘ線管球は、Ｘ軸方向にＹ軸方向およびＸ軸方向の両方向、すなわち、ＸＹ平面にＸ線管球１２が配列されていても良い。

図３は、Ｘ線源１０から照射されるＸ線と、膜電極接合体５０と、検出カメラ２０の受光面２２との位置関係を説明する図である。簡単のため、図３では、複数のＸ線管球１２のうち、中央部１４ａに取り付けられているＸ線管球１２ａから照射されるＸ線と、端部１４ｂに取り付けられているＸ線管球１２ｂ，１２ｃから照射されるＸ線とを描き、Ｘ線管球１２ｄ，１２ｅから照射されるＸ線については、図示を省略している。Ｘ線焦点１６ａ〜１６ｃは、それぞれ、Ｘ線管球１２ａ〜１２ｃから照射されるＸ線の焦点である。一点鎖線で示す光軸１８ａ〜１８ｃは、それぞれ、Ｘ線管球１２ａ〜１２ｃから照射されるＸ線の光軸である。以下の説明において、複数の光軸１８ａ〜１８ｃを区別することなく用いる場合には、光軸１８と記載する。Ｘ線焦点１６ａ〜１６ｃについても同様とする。Ｘ線管球１２から照射されるＸ線は、光軸１８を軸として、Ｘ線焦点１６からコーン状に広がって、膜電極接合体５０に照射される。図３におけるＸ線焦点１６を基点とする破線は、Ｘ線の照射範囲を示している。Ｘ線は、ステージ３０の開口部６０を通じて膜電極接合体５０に照射されるため、受光面２２には、Ｘ線焦点１６を基点とする実線で示す範囲のＸ線が入射する。Ｘ線管球１２ｂ，１２ｃは、それぞれの光軸１８ｂ，１８ｃがＸ線管球１２ａの光軸１８ａと交わるように取り付けられている。さらに、Ｘ線管球１２ａ〜１２ｃの各々は、照射するＸ線の受光面２２における入射範囲が、互いに一部が重なるように、取り付けられている。図示が省略されているＸ線管球１２ｄ，１２ｅについても、同様に、各々の光軸１８は光軸１８ａと交わり、一部の入射範囲が互いに重なるように取り付けられている。これにより、互いに異なる複数の方向から、膜電極接合体５０にＸ線を照射することができる。なお、光軸１８ａは、第１光軸の一例であり、光軸１８ｂ，１８ｃおよびＸ線管球１２ｄ，１２ｅの光軸は、第２光軸の一例である。また、光軸１８ａを有するＸ線を第１Ｘ線とも呼び、光軸１８ｂ，１８ｃを有するＸ線およびＸ線管球１２ｄ，１２ｅから照射されるＸ線を第２Ｘ線とも呼ぶ。本実施形態において、光軸１８ｂと、光軸１８ｃとは、光軸１８ａに対して線対称である。光軸１８ｂ，１８ｃの各々と光軸１８ａとのなす角は、０度より大きく９０度より小さい。

Ａ３．検査の概要
図４〜図６は、膜電極接合体５０に鉄成分を含む異物（以下、単に「異物」と呼ぶ。）が含まれる場合における、受光面２２に入射されるＸ線と、Ｘ線透過像を構成する画素２４の輝度との関係を説明する図である。異物が膜電極接合体５０に含まれる場合、異物のＸ線吸収率は高いため、Ｘ線透過像において、異物が投影される範囲の輝度は低下する。ここで、発明者らは、異物の縁でＸ線の回り込みが発生し、回折されたＸ線が、Ｘ線透過像の輝度に影響を与えることを見出した。さらに、発明者らは、この現象を利用して、Ｘ線透過像の輝度により、異物の平面サイズを検出できることを見出した。図４〜図６のＸ線焦点１６を基点とする実線は、異物を透過するＸ線の照射範囲を示している。異物の縁を基点とする破線は、異物の縁で回折されたＸ線の照射範囲を示している。回折されたＸ線は、回り込みにより、異物により減衰されたＸ線の入射範囲に入射するため、回折されたＸ線が入射される範囲のＸ線透過像は、輝度の低下が緩和される。

図４〜図６に示されている異物は、大きさが互いに異なり、図４、図５、図６の順に大きい。図４に示すように、異物の平面サイズが小さいほど、破線で示す回折されたＸ線同士が重畳される範囲は広いため、輝度の低下はより緩和される。図５に示すように、異物の平面サイズが図４よりも大きくなると、回折されたＸ線同士が重畳される範囲は狭くなる。図６に示すように、異物の平面サイズがさらに大きくなると、回折されたＸ線同士が重畳されなくなる。図６に示すよりも異物の平面サイズが大きい範囲では、減衰されたＸ線の入射範囲の中央付近に、回折されたＸ線が入射しなくなり、異物が大きくなるにつれ、回折されたＸ線が入射しなくなる範囲は広がっていく。異物の平面サイズが大きくなるにつれ、ステップ状ではなく、連続的に輝度は変化する。この現象により、異物の平面サイズが図６に示す平面サイズよりも小さい範囲では、Ｘ線透過像の画素２４のうち、Ｘ線透過像の中央位置に対応する最低輝度を有する画素（以下、「最低輝度画素」と称する。）の輝度低下量は、平面サイズが大きくなるにつれ、大きくなる。ここで、輝度低下量とは、輝度検出範囲の最大値から最低輝度画素の輝度を減算した値であり、輝度低下量が大きいほど最低輝度画素の輝度は低いことを示す。なお、図４〜図６では、画素２４のハッチングの密度により、画素２４の輝度が表現されている。

図７は、異物を模した鉄製の円柱状のサンプルの直径サイズと、最低輝度画素における輝度低下量との関係を示す図である。図７の横軸は、サンプルの直径である。縦軸は、輝度低下量であり、階調で示される値である。輝度の分解能は、１０２４階調である。図７の実施例は、本実施形態における検査システム１００を用いて測定した結果であり、比較例は、Ｘ線管球１２が１つとされたＸ線源を用いて測定された結果である。実施例および比較例のいずれも、厚さ２０μｍ、直径サイズが、８０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１５０μｍ、３００μｍであるサンプルをそれぞれ３０回繰り返し測定された結果であり、測定値の平均値が示されている。サンプルは、円形の面が膜電極接合体５０の膜面と平行にされた状態で測定されている。実施例にて示されるように、直径８０μｍ以上３００μｍ以下の範囲において、輝度低下量は、直径が大きくなるほど、線形的に増加する。後述する平面サイズ決定処理では、図７に示される、平面サイズと輝度低下量との相関関係に基づいて、平面サイズが決定される。

ところで、Ｘ線源１０には、Ｘ線透過像における最低輝度画素の輝度低下量から異物の平面サイズを推定可能な平面サイズの上限値を上げるための工夫が施されている。この工夫とは、Ｘ線源１０が、複数のＸ線管球１２を備え、異物に対して、複数の方向からＸ線が照射される点である。この構成によれば、一方向からＸ線が照射される構成よりも、回折されるＸ線をより広い範囲に入射させることができる。

図７の比較例は、Ｘ線管球１２が１つとされたＸ線源を用いて測定された結果である。Ｘ線管球１２が１つの構成では、例えば、図４〜図６において、Ｘ線焦点１６ａとするＸ線のみが異物に照射されることになる。この構成の場合、回折されるＸ線は、一方向のＸ線からしか発生しないため、回折されるＸ線が受光面２２に入射する範囲は限られる。上記のように、異物の平面サイズが大きいほど、回折されたＸ線が入射しなくなる範囲は広くなるため、平面サイズが所定のサイズを超えると、最低輝度画素の輝度低下量が平面サイズの増加に対して変化しなくなる。図７の比較例では、異物の直径が１５０μｍを超えると、最低輝度画素の輝度低下量が直径の増加に対して変化しなくなっている。Ｘ線管球１２が１つの構成では、回折されるＸ線が受光面２２に入射する範囲は限られるため、異物の直径が１５０μｍ程度で、最低輝度画素の輝度低下量が直径の増加に対して変化しなくなってしまう。一方、本実施形態である図７の実施例では、１５０μｍ以上の範囲においても、最低輝度画素の輝度低下量が異物の直径に対して変化している。異物に対して、複数の方向からＸ線が照射される構成においては、一方向のＸ線に基づく回折されたＸ線に加え、異なる方向から照射されるＸ線に基づく回折されたＸ線が受光面２２に入射する。光軸１８ｂ，１８ｃは、光軸１８ａと交わるため、Ｘ線管球１２ｂ，１２ｃから照射され、異物により回折されたＸ線は、Ｘ線管球１２ａから照射され、異物で回折されたＸ線の入射範囲よりも、Ｘ線透過像の中央近くに入射する。このため、直径が１５０μｍ以上の範囲においても、異物の直径と、最低輝度画素の輝度低下量との間に相関関係を生じさせることができる。このように、本実施形態によれば、回折されたＸ線の受光面２２における入射範囲を、Ｘ線管球１２が１つの構成よりも広げることができ、最低輝度画素の輝度低下量から推定可能な平面サイズの上限値を上げることができる。

なお、上記の「推定可能な平面サイズの上限値」とは、異物により減衰されたＸ線の入射範囲内に、回折されたＸ線が入射しない部分が生じる程度に大きい平面サイズであり、Ｘ線源１０および検出カメラ２０のサイズと、Ｘ線源１０、膜電極接合体５０、および受光面２２の互いの相対距離と、Ｘ線管球１２ｂ〜１２ｅ各々の光軸の光軸１８ａに対する角度などと、により定まる値である。本実施形態では、少なくとも推定可能な平面サイズの上限値が、３００μｍよりも大きくなるように、Ｘ線源１０、膜電極接合体５０、および受光面２２の互いの相対距離と、Ｘ線管球１２ｂ〜１２ｅ各々の光軸の光軸１８ａに対する角度などとが調整されている。なお、Ｘ線管球１２ｂ〜１２ｅ各々の光軸の光軸１８ａに対する角度は、「推定可能な平面サイズの上限値」を上げるほど、大きくすると良い。

膜電極接合体５０に含まれる異物は、円柱状に限られない。とはいえ、例えば、平面サイズが、異物の受光面２２における投影形状の面積により規定される場合、投影形状の面積が大きいほど、最低輝度画素の輝度低下量は大きくなる。異物の形状によらず、異物の平面サイズが大きいほど、最低輝度画素の輝度低下量は増加する相関関係は生じるため、検出された輝度低下量から平面サイズを推定することができる。

ちなみに、Ｘ線管球１２が１つの構成において、異物のＸ線透過像を測長すれば、異物の平面サイズを推定することはできる。ただし、この方法では、推定される異物の平面サイズの精度は、検出カメラ２０の画素サイズに依存してしまうという課題がある。この点、本実施形態では、平面サイズと輝度低下量との相関関係に基づき、平面サイズを決定することができるため、画素２４のサイズにかかわらず、異物の平面サイズを精度良く検出することができる。また、Ｘ線透過像を測長する方法では、例えば画像処理に時間を要する場合がある。この点、本実施形態では、輝度を用いて、平面サイズを決定するため、迅速に異物の平面サイズを決定することができる。

Ａ４．検査の詳細
図８は、平面サイズ決定処理のフローチャートである。平面サイズ決定処理の実行により、膜電極接合体５０の検査方法が実現される。ＣＰＵ４１は、検査開始指示を受け付けると、平面サイズ決定処理を開始する。ＣＰＵ４１は、Ｘ線源１０からステージ３０上の膜電極接合体５０にＸ線を照射させ、検出カメラ２０にＸ線透過像を撮像させる（ステップＳ１０）。ＣＰＵ４１は、Ｘ線透過像の各単位領域としての各画素における輝度のうち、最低輝度を取得する（ステップＳ２０）。ＣＰＵ４１は、メモリ４２に予め記憶している、平面サイズとしての直径と検出カメラ２０の輝度検出範囲の最大輝度から最低輝度を減算した輝度低下量との相関関係を参照し、取得した最低輝度に対応する直径を異物の平面サイズと決定し（ステップＳ３０）、平面サイズ決定処理を終了する。なお、直径と輝度低下量との相関関係は、予め実験などにより決定されており、例えば、数式あるいはマップなどとして記憶される。ステップＳ１０は撮像工程とも呼び、ステップＳ２０は取得工程とも呼び、ステップＳ３０は決定工程とも呼ぶ。

以上説明した実施形態によれば、次の効果を奏する。第２光軸としての光軸１８ｂ，１８ｃおよびＸ線管球１２ｄ，１２ｅの光軸は、第１光軸としての光軸１８ａと交差する。互いに異なる複数の方向から膜電極接合体５０にＸ線が照射される。このため、異物により回折された、光軸１８ｂ，１８ｃなどを有する第２Ｘ線は、異物により回折された、光軸１８ａを有する第１Ｘ線よりも、Ｘ線透過像の中央近くまで入射する。これにより、異物の平面サイズが１５０μｍを超える場合にも、異物の平面サイズと、Ｘ線透過像の各画素のうち、最低輝度を有する最低輝度画素の輝度低下量との間に相関関係を生じさせることができる。よって、異物の平面サイズと、最低輝度画素の輝度低下量との相関関係に基づいて、異物の平面サイズを決定することができる。

Ｂ．他の実施形態：
（Ｂ１）上記実施形態では、Ｘ線管球取付部１４は、中央部１４ａと、平板状の端部１４ｂとを有する。これに対し、Ｘ線管球取付部１４の端部が曲面を有する形状でもよい。あるいは、Ｘ線管球取付部１４が円弧状の形状でもよく、４つ以上の平面で構成された形状でもよい。また、Ｘ線管球１２の個数は、上記実施形態よりも多くても少なくてもよい。また、上記実施形態では、Ｘ線管球１２は、Ｘ線管球取付部１４における、取り付けられている部分の面と略垂直な方向へＸ線を照射する。これに対して、照射されるＸ線の方向は、Ｘ線管球１２が取り付けられている部分の面に対して、９０度より小さくても、大きくてもよい。Ｘ線管球取付部１４の形状、およびＸ線管球１２の取り付け態様にかかわらず、複数のＸ線の各々が、検出カメラ２０の受光面２２に対して、互いに異なる入射角度で入射する構成であればよい。

（Ｂ２）上記実施形態では、各単位領域として、各画素２４における輝度に基づき異物の平面サイズが決定される。単位領域は、１つの画素２４に限定されず、例えば、複数の画素２４でもよい。単位領域を複数の画素２４とする場合、複数の画素２４の輝度の平均値、または合計値に基づき、平面サイズが決定されてもよい。

（Ｂ３）上記実施形態では、異物の直径と輝度低下量との相関関係を用いて、異物の平面サイズを決定している。これに対し、輝度低下量ではなく、最低輝度画素の輝度と異物の直径との相関関係を用いて、平面サイズを決定してもよい。この場合、異物の直径が大きくなるほど、最低輝度画素の輝度が低下する相関関係となる。

（Ｂ４）上記実施形態では、異物の平面サイズが決定され、平面サイズ決定処理は終了する。平面サイズ決定処理終了後、決定された平面サイズが予め定められた検査閾値よりも大きい場合には、検査不合格と判定する処理が行われてもよい。これにより、検査閾値よりも大きい異物が含まれる膜電極接合体５０を選別することができる。

（Ｂ５）上記実施形態では、膜電極接合体５０に含まれる異物として、鉄製の異物が想定されている。異物の材料は鉄に限定されず、Ｘ線吸収率の高い材料の異物に対して、本願を適用することができる。

（Ｂ６）上記実施形態では、複数のＸ線管球１２により、複数の方向からＸ線が照射されている。これに対して、例えば、Ｘ線用の多層膜ミラーを用いるなどして、Ｘ線の光路を変更することにより、１つのＸ線源１０を用いて、複数の方向から膜電極接合体５０にＸ線を照射する構成としても良い。

本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

１０…Ｘ線源、１２，１２ａ〜１２ｅ…Ｘ線管球、１４…Ｘ線管球取付部、１４ａ…中央部、１４ｂ…端部、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…Ｘ線焦点、１８，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ…光軸、２０…検出カメラ、２２…受光面、２４…画素、３０…ステージ、４０…制御装置、４１…ＣＰＵ、４２…メモリ、５０…膜電極接合体、６０…開口部、１００…検査システム

Claims (1)

1. 膜電極接合体の検査方法であって、
   前記膜電極接合体に、第１光軸を有する第１Ｘ線と、前記第１光軸と交差する第２光軸を有する第２Ｘ線とを照射し、前記膜電極接合体のＸ線透過像を撮像する撮像工程と、
   前記Ｘ線透過像の各単位領域における輝度のうち、最低輝度を取得する取得工程と、
   異物の平面サイズと前記最低輝度との予め定められた相関関係を用いて、前記取得工程において取得された前記最低輝度に応じて、前記異物の平面サイズを決定する決定工程と、を備える検査方法。

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