JP2021150922A - 圧電薄膜共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
Description
図2(a)から図2(d)は、実施例1に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示す断面図である。図2(a)を参照して、基板10上に支持層18をスパッタリング法、真空蒸着法、又はCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用い成膜する。支持層18上に犠牲層38をスパッタリング法、真空蒸着法、又はCVD法を用い成膜する。犠牲層38は、例えば厚さが10nm〜100nmの酸化マグネシウム(MgO)、酸化亜鉛(ZnO)、ゲルマニウム(Ge)、又は酸化シリコン(SiO2)等である。その後、犠牲層38をフォトリソグラフィ法及びエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。犠牲層38の形状は、空隙30の平面形状に相当する形状である。犠牲層38及び支持層18上に下部電極12として下層12a及び上層12bをスパッタリング法、真空蒸着法、又はCVD法を用い成膜する。その後、下部電極12をフォトリソグラフィ法及びエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。下部電極12はリフトオフ法により形成してもよい。
図3は、比較例1に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図3を参照して、比較例1の圧電薄膜共振器1000では、基板10上に支持層18が設けられてなく、下部電極12及び圧電膜14は基板10上に設けられている。その他の構成は実施例1と同じであるため説明を省略する。
図4は、比較例2に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図4を参照して、比較例2の圧電薄膜共振器1100では、基板90上に下部電極12が設けられている。基板90は、支持層18と同じ材料で形成され、例えばシリコン基板である。その他の構成は実施例1と同じであるため説明を省略する。
図5(a)は、実施例1の変形例1に係る圧電薄膜共振器の平面図、図5(b)は、図5(a)のA−A断面図である。図5(a)及び図5(b)を参照して、実施例1の変形例1の圧電薄膜共振器110では、基板10の上面に凹部20が形成され、支持層18は凹部20に埋め込まれている。その他の構成は実施例1と同じであるため説明を省略する。
12 下部電極
14a 下部圧電膜
14b 上部圧電膜
14 圧電膜
16 上部電極
18 支持層
20 凹部
24 保護膜
28 挿入膜
30 空隙
32 導入路
34 孔部
38 犠牲層
50 共振領域
52 外周領域
54 中央領域
60、62 引出領域
70 配線
80 送信フィルタ
82 受信フィルタ
90 基板
100、110、120、130、1000、1100 圧電薄膜共振器
200、200a、200b、200c フィルタ
300 デュプレクサ
Claims (13)
- 基板と、
前記基板上に設けられた支持層と、
前記支持層上に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられ、第1線膨張係数を有し、前記第1線膨張係数と前記基板の第2線膨張係数との差の絶対値よりも前記第1線膨張係数と前記支持層の第3線膨張係数との差の絶対値が小さい圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられ、前記基板と前記下部電極との間に形成された空隙および前記下部電極に平面視において重なる上部電極と、を備える圧電薄膜共振器。 - 前記支持層の第3線膨張係数は前記基板の第2線膨張係数よりも小さい、請求項1に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記基板は前記支持層よりもヤング率が大きい、請求項1または2に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記支持層は前記基板よりも熱伝導率が大きい、請求項1から3のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記基板は前記支持層よりも体積抵抗率が大きい、請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記基板はサファイアであり、
前記支持層はシリコンである、請求項1から5のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 - 複数の圧電薄膜共振器を備え、
前記複数の圧電薄膜共振器のうち少なくとも1つの圧電薄膜共振器は請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器であるフィルタ。 - 前記複数の圧電薄膜共振器のうち2以上の圧電薄膜共振器が請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器であり、
前記2以上の圧電薄膜共振器の前記支持層は互いに離れている、請求項7に記載のフィルタ。 - 前記2以上の圧電薄膜共振器の前記支持層は前記基板に設けられた凹部に埋め込まれている、請求項8に記載のフィルタ。
- 前記複数の圧電薄膜共振器のうち圧電膜を挟み下部電極と上部電極が向かい合う領域である共振領域が最も大きい圧電薄膜共振器は請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器である、請求項7から9のいずれか一項に記載のフィルタ。
- 前記複数の圧電薄膜共振器のうち前記共振領域が最も小さい圧電薄膜共振器は、上面に前記支持層が設けられていない基板上に下部電極と圧電膜と上部電極が設けられた圧電薄膜共振器である、請求項10に記載のフィルタ。
- 前記複数の圧電薄膜共振器は、入力端子と出力端子との間に直列に接続された複数の直列共振器を含み、
前記複数の直列共振器のうち前記入力端子の最も近くで前記入力端子と前記出力端子との間に接続される共振器は請求項4に記載の圧電薄膜共振器である、請求項7から11のいずれか一項に記載のフィルタ。 - 請求項7から12のいずれか一項に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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