JP2021142186A - 脳波測定用電極及び脳波測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】脳波定装置において、被測定者の頭髪が長い場合や多い場合であっても、安定した脳波測定を可能とする技術を提供する。【解決手段】脳波測定用電極６０は、電極基部６１と、電極基部６１の一の平面（ここでは先端側の基部先端面６２）から突出する複数（ここでは６箇所）の突出部７０と、突出部７０に設けられた導電性の電極部材７９と、を有し、電極基部６１は、隣接する突出部７０との間に、電極基部６１の厚さ方向に凹状に切り込まれた溝部６５を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、脳波測定用電極および脳波測定装置に関する。

これまで脳波検出用電極に関して様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１に開示の脳波測定用電極（脳波電極保持具）は、基底部と、前記基底部から突出して設けられた、ゴムからなる突出部と、前記突出部の先端に設けられ、前記脳波測定用電極の外部と電気的に接続され、前記脳波の測定時に頭皮に接触する、金属からなる接触部とを有する。

特許５８４２１９８号公報

一般に、基部から頭皮の方向に向かって突出部が突出する構成の脳波検出用電極では、被測定者の頭髪が長い場合や多い場合に、突出部の間に頭髪を収容しきれず、結果的に、突出部の先端に設けられた金属からなる接触部（電極）が頭皮に接触できず、脳波測定が不安定または出来なくなるという課題があった。

本発明はこのような状況に鑑みなされたものであって、脳波測定装置において、被測定者の頭髪が長い場合や多い場合であっても、安定した脳波測定を可能とする技術を提供することを目的とする。

本発明によれば、基部と、
前記基部の一の平面から突出する複数の突出部と、
前記突出部に設けられた導電性の電極部材と、
を有し、
前記基部は、隣接する突出部との間に、前記基部の厚さ方向に凹状に切り込まれた溝部を有する、脳波測定用電極が提供される。
また、本発明によれば、上述の脳波測定用電極を有する脳波測定装置が提供される。

本発明によれば、脳波測定装置において、被測定者の頭髪が長い場合や多い場合であっても、安定した脳波測定を可能とする技術を提供することができる。

第１の実施形態に係る、人の頭部に装着した状態の脳波測定装置を模式的に示す図である。 第１の実施形態に係る、脳波電極ユニットの正面図である。 第１の実施形態に係る、脳波測定用電極の先端側から見た斜視図である。 第１の実施形態に係る、脳波測定用電極の背面側から見た斜視図である。 第１の実施形態に係る、脳波測定用電極の平面図である。 第１の実施形態に係る、電極保持部が取り付けられた固定用フレームの斜視図である。 第１の実施形態に係る、電極保持部を示した図である。 第１の実施形態に係る、電極保持部と固定用フレームの固定状態の推移を説明する図である。 第２の実施形態に係る、脳波測定用電極の先端側から見た斜視図である。 第２の実施形態に係る、脳波測定用電極の背面側から見た斜視図である。 第３の実施形態に係る、脳波測定用電極の先端側から見た斜視図である。 第３の実施形態に係る、脳波測定用電極の背面側から見た斜視図である。 第４の実施形態に係る、脳波測定用電極の先端側から見た斜視図である。 第４の実施形態に係る、脳波測定用電極の背面側から見た斜視図である。 第５の実施形態に係る、人の頭部に装着した状態の脳波測定装置を模式的に示す図である。 第５の実施形態に係る、脳波測定用電極の平面図である。 第６の実施形態に係る、脳波測定用電極の平面図である。

［第１の実施形態］
＜概要＞
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
図１は人の頭部９９に装着した状態の脳波測定装置１０を模式的に示す図である。なお、図視において、便宜的に、矢印で示す上下／前後／左右方向で説明する。

脳波測定装置１０は、人の頭部９９に装着され、脳波を生体からの電位変動として検出し、検出した脳波を脳波表示装置（図示せず）に出力する。脳波表示装置は、脳波測定装置１０が検出した脳波を取得して、モニタ表示したり、データ保存したり、周知の脳波解析処理を行う。

＜脳波測定装置１０の構造＞
図１に示すように、脳波測定装置１０は、複数の脳波電極ユニット８０と、固定用フレーム２０と、脳波電極ユニット８０を固定用フレーム２０に取り付けるための電極保持部４０とを有する。脳波電極ユニット８０は、電極保持部４０に取り付けられたうえで固定用フレーム２０に取り付けられる。

本実施形態では、脳波電極ユニット８０は、５ｃｈ分（５個）設けられており、それにともない電極保持部４０も５箇所に設けられている。上記５ｃｈの位置（すなわち脳波電極ユニット８０の取付位置）は、国際１０−２０電極配置法におけるＴ３、Ｃ３、Ｃｚ、Ｃ４、Ｔ４の位置に対応する。

＜脳波電極ユニット８０の構造＞
図２に脳波電極ユニット８０の正面図を示す。脳波電極ユニット８０は略円柱状の胴部８１と、その一端側（図中下側）に設けられた脳波測定用電極６０とを有する。胴部８１の側面部分には螺刻が設けられ、電極保持部４０に設けられた電極取付孔４９（図６、７参照）にネジ嵌合される。なお、ネジ嵌合の他にも各種の嵌合機構（差し込み嵌合やサムターン機構）やマグネット接合機構を用いることができる。

脳波電極ユニット８０の一端（図示上側の端部）には信号取出部が形成されている。脳波電極ユニット８０の他端（図示下側の端部）には、脳波測定用電極６０が設けられている。詳細な構造は次に説明するが、脳波測定用電極６０は、複数の突出部７０が頭部９９側（頭部９９に装着時）に向かって形成されている。突出部７０は、例えば所定形状のゴム状の弾性体（シリコーンゴムなど）の構造に、導電性の電極部材７９を設け、電極部材７９で検出した信号を信号線で信号取出部から取り出すようになっている。なお、本実施形態では、後述するように、突出部７０は電極基部６１から一体に延出していることから、電極基部６１も同様にゴム状の弾性体（シリコーンゴムなど）からなる。

＜脳波測定用電極６０の構造＞
図３〜図５を参照して脳波測定用電極６０の構造を説明する。図３は脳波測定用電極６０を先端側（下側）から見た斜視図である。図４は脳波測定用電極６０を背面側（上側）から見た斜視図である。図５は脳波測定用電極６０の平面図であって、先端側（下側）から見た図である。ここでは突出部７０については、底面７２の外郭を示している。

脳波測定用電極６０は、電極基部６１と、電極基部６１の一の平面（ここでは先端側の基部先端面６２）から突出する複数（ここでは６個）の突出部７０と、突出部７０に設けられた導電性の電極部材７９と、を有する。また、電極基部６１は、隣接する突出部７０との間に、電極基部６１の厚さ方向に凹状に切り込まれた溝部６５を有する。

本実施形態の脳波測定用電極６０では、電極基部６１は円柱形状（基部先端面６２が直径Ｒ１の円形）を呈しており、電極基部６１の一の平面は、円柱形状の一方の端面、すなわち、基部先端面６２である。

また、突出部７０は、電極基部６１の一の平面（すなわち基部先端面６２）に円環状（直径Ｒ２の円形）に配置されている。本実施形態では、６個の突出部７０が、周方向に６０度間隔で、所定幅離間して、電極基部６１の基部先端面６２から一体に延出して設けられている。また、突出部７０の離間幅は、例えば、突出部７０の（円錐形状の）底面の直径と同じ長さである。すなわち、突出部７０間にもう一つ突出部７０が配置可能な程度の間隔となっている。

この突出部７０が設けられていない領域が厚さ方向（すなわち上下方向）に切り取られた溝部６５となっている。この溝部６５は、脳波測定用電極６０を頭部９９（頭皮）に押し当てる際に頭髪を収容する機能を果たす。

なお、突出部７０の底面７２の境界７２ａが溝部６５の外郭になるのではなく、若干の余裕を有する。また、溝部６５の中心方向側（すなわち基部先端面６２の円中心側）の境界６５ａを結んで出来る円の直径Ｒ３（図５参照）としたときに、突出部７０の底面７２の境界７２ａの最も中心側位置は直径Ｒ３の円の位置と同程度の位置である。

また、電極基部６１が呈する円柱形状は、突出部７０が設けられていない領域の外縁部分で、突出部７０間を厚さ方向に切り取るように設けられた溝部６５が形成され、外縁部分が切り離されたいわゆる星型の形状となっている。

また、突出部７０は、図５の平面図に示すように、上面視で円柱形状の一方の端面（すなわち基部先端面６２）の内側に形成されている。具体的には、上面視において、突出部７０の最も外側の位置（より具体的には突出部７０の先端部分）が、基部先端面６２の外郭線よりも内側に位置している。この構成では、突出部７０は、基部先端面６２から先端側（下）に向かって延出するため、上下方向の押しつけ動作に対して強度を保ちやすく安定している。また、その安定をベースとして、突出部７０の電極部材７９の形成領域が撓む際にその撓み動作が安定し、突出部７０の先端部分が頭皮と離間してしまうことを防止できる。例えば、背景技術（特許文献１）のように電極基部の側面から延出するような構成で頭皮に押しつけるような場合、特にネジ込み動作を行うような場合、延出する部分において、片持ち梁の構造を有することから、押しつけ方向（上下方向）とネジ込み方向（回転方向）に大きな負荷が作用し、周方向に曲がりやすく、また頭髪に影響されその曲がり量が不安定であり、さらに壊れやすいということが想定された。しかし、本実施形態では、そのような懸念は無い。

突出部７０は、円錐形状の先端側内側部分（すなわち円環形状の中心側部分）を斜めに切り取った形状となっている。切り取られた面は楕円形状となっており、この面に電極部材７９が設けられる。突出部７０が頭皮に押し当てられた際に、電極部材７９が形成された面が先端側から徐々に撓んでいき、それに従い接触面積が増加する。

＜脳波測定用電極６０の材料＞
脳波検出用電極６０の材料について説明する。脳波検出用電極６０は、上述のようにゴム状の弾性体である。ゴム状の弾性体として、具体的にはゴムや熱可塑性エラストマー（単に「エラストマー（ＴＰＥ）」ともいう）である。ゴムとしては、例えばシリコーンゴムがある。熱可塑性エラストマーとして、例えば、スチレン系ＴＰＥ（ＴＰＳ）、オレフィン系ＴＰＥ（ＴＰＯ）、塩化ビニル系ＴＰＥ（ＴＰＶＣ）、ウレタン系ＴＰＥ（ＴＰＵ）、エステル系ＴＰＥ（ＴＰＥＥ）、アミド系ＴＰＥ（ＴＰＡＥ）などがある。

脳波検出用電極６０がシリコーンゴムである場合、３７℃、ＪＩＳ Ｋ ６２５３（１９９７）に準拠して測定される、脳波検出用電極６０の表面（突出部７０や電極基部６１）におけるタイプＡデュロメータ硬さをゴム硬度Ａとしたとき、ゴム硬度Ａが、例えば、１５以上５５以下である。

ここで、上記シリコーンゴム系硬化性組成物について説明する。
上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化工程は、例えば、１００〜２５０℃で１〜３０分間加熱（１次硬化）した後、１００〜２００℃で１〜４時間ポストベーク（２次硬化）することによって行われる。

絶縁性シリコーンゴムは、導電性フィラーを含まないシリコーンゴムであり、導電性シリコーンゴムは導電性フィラーを含むシリコーンゴムである。

本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを含んでもよい。同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンとは、少なくとも官能基が同じビニル基を含み、直鎖状を有していればよく、分子中のビニル基量や分子量分布、あるいはその添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるビニル基含有オルガノポリシロキサンをさらに含んでもよい。

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「〜」は、その両端の数値を含むことを意味する。

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００〜１００００程度、より好ましくは２０００〜５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０〜２０００の整数、ｎは１０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは０〜１０００であり、ｎは、好ましくは２０００〜５０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。

式（１−１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が０．５〜１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．５〜１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）は、ビニル基含有量が０．０１〜０．２モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）は、ビニル基含有量が、０．８〜１２モル％であるのが好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１−１）と（Ａ１−２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１−１）：（Ａ１−２）が５０：５０〜９５：５であるのが好ましく、８０：２０〜９０：１０であるのがより好ましい。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）および（Ａ１−２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。

＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、架橋剤を含んでもよい。架橋剤は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の架橋剤を含んでもよい。同種の架橋剤とは、少なくとも直鎖構造や分岐構造などの共通の構造を有していればよく、分子中の分子量分布や異なる官能基が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なる架橋剤をさらに含んでもよい。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜１５０整数、ｎは２〜１５０の整数である。好ましくは、ｍは２〜１００の整数、ｎは２〜１００の整数である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８〜１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、非導電性フィラーを含む。非導電性フィラーは、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含んでもよい。これにより、エラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の非導電性フィラーを含んでもよい。同種の非導電性フィラーとは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、粒子径、比表面積、表面処理剤、又はその添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるシランカップリング剤をさらに含んでもよい。

シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０〜４００ｍ^２／ｇであるのが好ましく、１００〜４００ｍ^２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。

＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種のシランカップリング剤を含んでもよい。同種のシランカップリング剤とは、少なくとも共通の官能基を有していればよく、分子中の他の官能基や添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるシランカップリング剤をさらに含んでもよい。

また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子（Ｃ）の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子（Ｃ）とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子（Ｃ）の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子（Ｃ）の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ−Ｓｉ−（Ｘ）_４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙ_ｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、次の通りである。
上記官能基として疎水性基を有するものとして、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、及びトリメチルエトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

上記官能基としてビニル基を有するものとして、例えば、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、及びビニルメチルジメトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

またシランカップリング剤（Ｄ）がトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤の２種を含む場合、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンを含むことが好ましい。

トリメチルシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ１）およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ２）を併用する場合、（Ｄ１）と（Ｄ２）の比率は、特に限定されないが、例えば、重量比で（Ｄ１）：（Ｄ２）が、１：０．００１〜１：０．３５、好ましくは１：０．０１〜１：０．２０、より好ましくは１：０．０３〜１：０．１５である。このような数値範囲とすることにより、所望のシリコーンゴムの物性を得ることができる。具体的には、ゴム中におけるシリカの分散性およびゴムの架橋性のバランスを図ることができる。

本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーを含む柱状部と導電性樹脂層との密着性を高めることができる。また、シリコーンゴムの機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な機械特性を持つことができる。

＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、触媒を含んでもよい。触媒は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の触媒を含んでもよい。同種の触媒とは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、触媒中に異なる組成が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なる触媒をさらに含んでもよい。

白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。

なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、白金族金属が重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１〜５００ｐｐｍとなる量である。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、製造コストの削減に資することができる。

＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）〜（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。

水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。

本実施形態に係る導電性溶液（導電性シリコーンゴム組成物）は、導電性フィラーを含まない上記シリコーンゴム系硬化性組成物に加えて、上記導電性フィラーおよび溶剤を含むものである。

上記溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電性溶液は、溶液中の固形分量などを調整することで、スプレー塗布やディップ塗布等の各種の塗布方法に適切な粘度を備えることができる。

また、上記導電性溶液が上記導電性フィラーおよび上記シリカ粒子（Ｃ）を含む場合、突出部７０が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、突出部７０の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記突出部７０が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、突出部７０における導電性と機械的強度や柔軟性とのバランスを図ることができる。

導電性溶液を必要に応じて加熱乾燥することで、導電性シリコーンゴムが得られる。
導電性シリコーンゴムは、シリコーンオイルを含まない構成であってもよい。これにより、突出部７０の表面にシリコーンオイルがブリードアウトすることで導通性が低下することを抑制できる。

＜信号線の材料＞
信号線は、公知のものを使用することができるが、例えば、導電繊維で構成され得る。導電繊維としては、金属繊維、金属被覆繊維、炭素繊維、導電性ポリマー繊維、導電性ポリマー被覆繊維、および導電ペースト被覆繊維からなる群から選択される一種以上を用いることができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記金属繊維、金属被覆繊維、の金属材料は、導電性を有するものであれば限定されないが、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、ステンレス、アルミニウム、銀／塩化銀およびこれらの合金等が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、導通性の観点から、銀を用いることができる。また、金属材料は、クロム等の環境に負荷を与える金属を含まないことが好ましい。

上記金属被覆繊維、導電性ポリマー被覆繊維、導電ペースト被覆繊維の繊維材料は、特に限定されないが、合成繊維、半合成繊維、天然繊維のいずれでもよい。これらの中でも、ポリエステル、ナイロン、ポリウレタン、絹および綿等を用いることが好ましい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記炭素繊維は、例えば、ＰＡＮ系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維等が挙げられる。

上記導電性ポリマー繊維および導電性ポリマー被覆繊維の導電性ポリマー材料は、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリナフタレン、及びこれらの誘導体等の導電性高分子およびバインダ樹脂の混合物、あるいは、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸））等の導電性高分子の水溶液が用いられる。

上記導電ペースト被覆繊維の導電ペーストに含まれる樹脂材料は特に限定されないが伸縮性を有することが好ましく、例えばシリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電ペースト被覆繊維の導電ペーストに含まれる導電性フィラーは特に限定されないが、公知の導電材料を用いてもよいが、金属粒子、金属繊維、金属被覆繊維、カーボンブラック、アセチレンブラック、グラファイト、炭素繊維、カーボンナノチューブ、導電性ポリマー、導電性ポリマー被覆繊維および金属ナノワイヤーからなる群から選択される一種以上を含むことができる。

上記導電性フィラーを構成する金属は、特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銀／塩化銀、或いはこれらの合金のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。この中でも、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅が好ましい。

上記信号線が、線状の導電繊維を複数本撚り合わせた撚糸で構成されてもよい。これにより、変形時における信号線の断線を抑制できる。

本実施形態において、導電繊維における被覆とは、単に繊維材料の外表面を覆うことのみならず、単繊維を撚り合わせた撚糸などの場合は、その撚糸の中の繊維間隙に金属、導電性ポリマー、または導電ペーストが含浸し、撚糸を構成する単繊維を１本毎に被覆するものを含む。

信号線の引張破断伸度は、例えば、１％以上〜５０％以下、好ましくは１．５％以上〜４５％である。このような数値範囲内とすることで、変形時の破断を抑制しつつも、突出部７０の過度な変形を抑制できる。

＜電極部材７９の材料＞
電極部材７９の導電部材は、例えば、良導性金属を含むペーストである。良導性金属は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む。特に、入手性や導電性の観点から、銀や塩化銀、銅が好適である。

良導性金属を含むペーストで電極部材７９を形成する場合は、ゴム状の弾性体でできた突出部７０の先端の楕円面の領域を、良導性金属を含むペースト状の導電性溶液にディップ（浸漬塗布）する。これにより、突出部７０の所定の領域（ここでは先端の楕円面）に電極部材７９が形成される。

なお、導電性フィラーおよび溶剤を含む導電性溶液を、突出部７０の領域（ここでは先端の楕円面）に塗布することにより、導電性樹脂層としての電極部材７９を形成してもよい。このとき、溶剤を突出部７０と同じ系統の材質（シリコーンゴム）とすることで、電極部材７９（導電性樹脂層）の密着性を高められる。

導電性溶液を必要に応じて加熱乾燥することで、導電性シリコーンゴムが得られる。
導電性シリコーンゴムは、シリコーンオイルを含まない構成であってもよい。これにより、電極部材７９の表面にシリコーンオイルがブリードアウトすることで導通性が低下することを抑制できる。

これにより、脳波測定装置１０を頭部９９へ装着する際の頭髪の掻き分け性能を向上させることができる。また、脳波測定装置１を装着した際の電極部材７９の接触面積の十分な確保が可能となる。

＜脳波検出用電極６０の製造方法＞
本実施形態の脳波検出用電極６０の製造方法の一例は次の工程を含むことができる。
まず、金型を用いて、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を加熱加圧成形し、電極基部６１、溝部６５および突出部７０からなる成形体を得る。続いて、得られた成形体の各突出部７０の内部に、縫い針を用いて、信号線を通す。その後得られた成形体の突出部７０の先端部分（楕円面）に、ペースト状の導電性溶液をディップ塗布し、加熱乾燥後、ポストキュアを行う。これにより、突出部７０に電極部材７９を形成できる。
以上により、脳波検出用電極６０を製造することができる。
なお、上記成形工程時において、信号線を配置した成形空間内に、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を導入し、加圧加熱成形するインサート成形を用いてもよい。

＜固定用フレーム２０及び電極保持部４０の構造＞
図６に電極保持部４０が取り付けられた固定用フレーム２０の斜視図を示す。固定用フレーム２０及び電極保持部４０は、例えばポリアミド樹脂のような硬質部材で形成されているが、これら材料に限る趣旨では無く、脳波検出に影響を及ぼさず、また装着性や作業性に適した材料であればよい。また、固定用フレーム２０と電極保持部４０として異なる材料が用いられてもよい。

＜固定用フレーム２０の構造＞
固定用フレーム２０は、平行に配置された一対（２本）のレール２１と、それらレール２１を複数箇所でわたすように連結するレール締結部２３とを有する。

図１や図６で示すように、一対のレール２１は、頭部９９に沿うように湾曲している。また、図６に示すように、一対のレール２１とレール締結部２３で囲まれた空間は、電極保持部４０が移動可能となる可動領域２９となる。すなわち、可動領域２９は、電極保持部４０（脳波電極ユニット８０）が配置され一定範囲で移動する範囲に設けられる。換言すると、レール締結部２３は、電極保持部４０の移動を阻害しない位置に設けられる。本実施形態では、可動領域２９は、５つの電極保持部４０（脳波電極ユニット８０）のそれぞれに対応した５カ所に設けられている。

＜固定用フレーム４０の構造＞
図６や図７を参照して、電極保持部４０の構造について説明する。図７は電極保持部４０を示した図であり、図７（ａ）は斜視図、図７（ｂ）は側面図である。

電極保持部４０は、略板状で前後に長い矩形の第１の連結面４１と、第１の連結面４１の前後の端部のそれぞれにおいて下方向に延出するアーム状の連結部５０とを有する。第１の連結面４１の中央には、脳波電極ユニット８０をネジ嵌合可能とする電極取付孔４９が設けられている。

具体的には、連結部５０は、第１の連結面４１の前後の端部それぞれから下方向に延出する第２の連結面４２と、第２の連結面４２の下端から内側方向に所定方向延出する第の３連結面４３と、を有する。ここで内側方向とは、前後反対側の端部の方向という意味で有り、具体的には、前側の第２の連結面４２から延出する第３の連結面４３は、後ろ側に所定長だけ延出する。後ろ側の第２の連結面４２から延出する第３の連結面４３は、前側に所定長だけ延出する。このときは、前後の第３の連結面４３の間隔が、電極取付孔４９に脳波電極ユニット８０が取り付けられたときに干渉しない程度離れる。

また、第３の連結面４３の内側に延出した端部には、さらに上方向に所定長だけ、延出する規制面４４が設けられている。規制面４４の延出端部（上端部）は、第１の連結面４１の内壁面に当たること無く、一定の間隔を有している。

第１の連結面４１、第２の連結面４２、第３の連結面４３及び規制面４４で囲まれる空間を余空間４８と呼ぶ。電極保持部４０をレール２１に取り付ける際に、この余空間４８にレール２１が収容される（図８参照）。なお、規制面４４の上端と第１の連結面４１の内壁面との間隔は、レール２１に電極保持部４０を取り付ける際に利用される。

＜電極保持部４０と固定用フレーム２０の固定状態の推移＞
図８は電極保持部４０と固定用フレーム２０の固定状態の推移を説明する図である。
図８（ａ）は脳波電極ユニット８０が取り付けられた電極保持部４０が、固定用フレーム２０（レール２１）に配置した状態を示している。この状態では、レール２１と電極保持部４０とは固定されておらず、電極保持部４０は、レール２１に対して上下左右、またレール２１の延在方向に移動可能である。

図８（ｂ）は脳波電極ユニット８０を電極保持部４０にネジ込み、脳波測定用電極６０の突出部７０が頭部９９に当接し、かつ、レール２１が連結部５０の当接面４５に当接した状態である。この状態から更に脳波電極ユニット８０をネジ込むと、レール２１と当接面４５との固定状態が強くなる。さらに、頭部９９に当接した脳波測定用電極６０の先端（突出部７０）が屈曲し、脳波測定用電極６０（突出部７０）が頭皮に押し当てられる力が強くなる。すなわち、脳波電極ユニット８０の脳波測定用電極６０と頭皮（頭部９９）との圧接状態が強くなるにしたがい、電極保持部４０（連結部５０の当接面４５）とレール２１との固定が強くなる。この取り付け動作と固定動作は、それぞれの電極保持部４０で独立に行われる。したがって、ある脳波電極ユニット８０の取り付け作業や位置調整作業が他の脳波電極ユニット８０の取り付け状態に影響を与えることはない。

脳波電極ユニット８０（電極部）が電極保持部４０に固定されていない状態において、連結部５０とレール２１との相対位置を調整可能な余空間４８が設けられている。すなわち、この余空間４８の範囲で、連結部５０をレール２１に対して相対的に上下前後左右に位置調整することができる。これは、他の電極保持部４０の固定状態に影響を与えることはない。

また、電極保持部４０と電極部（脳波電極ユニット８０）との固定は、他の電極保持部４０と電極部（脳波電極ユニット８０）との固定と独立している。ある脳波電極ユニット８０の固定位置を調整する場合に、他の電極保持部４０と電極部（脳波電極ユニット８０）との固定作業に影響を与えることがない。

なお、上記の固定構造として、ネジ込む／戻す動作を伴う機構の場合、固定動作で頭髪を掻き分ける機能も同時に実現できる。特に、本実施系の形態の脳波測定用電極６０ように、円柱の基部（電極基部６１）に複数の突起（突出部７０）が環状に形成されていて構造では、ネジ込み位置（回転位置）に寄らず、適正な接触位置が得られ、脳波測定の精度が安定する。

＜脳波測定用電極６０の頭髪収容機能について＞
上述したように、脳波測定用電極６０には、突出部７０間に溝部６５が形成されている。これによって、脳波電極ユニット８０を頭部９９に押し当てる際、すなわち、脳波測定用電極６０の電極部材７９を頭皮に接触させる際に、頭髪を溝部６５に収容することができる。特に、被測定者の頭髪が長い場合や多い場合において、突出部７０間の空間、すなわち、基部先端面６２と頭部９９（頭皮）の間の空間だけでは、被験者の頭髪が収まり切らない場合もある。そこで電極基部６１に形成された溝部６５に頭髪を収容することで、頭髪が長い場合や多い場合であっても、突出部７０（電極部材７９）と頭皮との接触を短時間の調整により安定させることができ、効率的な脳波測定が可能となる。

また、基部先端面６２と頭皮との間の頭髪を、上述のネジ込み動作時に、溝部６５から径外方向に流すようにガイドできる。その結果、突出部７０に形成された電極部材７９が適切に頭皮に接触でき、さらに安定した脳波測定が可能となる。

また、ネジ込み動作時に、頭髪を溝部６５に収容することで、多くの頭髪が突出部７０間に留まって脳波測定用電極６０（突出部７０）に大きな負荷を作用させることが無いため、突出部７０の形状設計や材料選択等の自由度が高まる。

［第２の実施形態］
図９及び図１０を参照して本実施形態の脳波測定用電極２６０を説明する。本実施形態の脳波測定用電極２６０は、上述の第１の実施形態で説明した脳波測定用電極６０の変形例であり、以下では異なる構成について主に説明し同様の構成については図示及び説明を省略する。

図９は脳波測定用電極２６０を先端側（下側）から見た斜視図である。図１０は脳波測定用電極２６０を背面側（上側）から見た斜視図である。第１の実施形態と同様に、電極基部２６１の基部先端面２６２から複数の突出部２７０が延出している。また、電極基部２６１において、突出部２７０間に溝部２６５が設けられている。

本実施形態において特徴的な点は、電極基部２６１に形成されている溝部２６５の形状にある。すなわち、溝部２６５の基部背面２６３側が有底の段差状に形成されている。言い換えると、溝部２６５の基部背面２６３側の基部側面２６４が残った形状となっている。ここでは１段の段差であるが複数の段差で階段状に形成されてもよく、その場合、基部側面２６４が残らないような形状であってもよい。

このように、溝部２６５は、基部背面２６３が貫通せず有底となっていることで、突出部２７０間の頭髪の収容と脳波測定用電極２６０の強度（特に軸回転方向（ネジ込み動作方向）の強度）のバランスを取ることができる。

［第３の実施形態］
図１１及び図１２を参照して本実施形態の脳波測定用電極３６０を説明する。本実施形態の脳波測定用電極３６０は、上述の第１及び第２の実施形態で説明した脳波測定用電極６０、２６０の変形例であり、以下では異なる構成について主に説明し同様の構成については図示及び説明を省略する。

図１１は脳波測定用電極３６０を先端側（下側）から見た斜視図である。図１２は脳波測定用電極３６０を背面側（上側）から見た斜視図である。第１及び第２の実施形態と同様に、電極基部３６１の基部先端面３６２から複数の突出部３７０が延出している。また、電極基部３６１において、突出部３７０間に溝部３６５が設けられている。

本実施形態において特徴的な点は、電極基部３６１に形成されている溝部３６５の形状にある。すなわち、溝部３６５は、基部先端面３６２から基部背面３６３に向かうに従って径方向外側（基部側面３６４側）に向かう斜面状に形成されている。なお、この斜面は平面でなく曲面であってもよい。

このように、溝部３６５が斜面状に形成されているので、頭髪収容と脳波測定用電極３６０の強度（特に軸回転方向（ネジ込み動作方向）の強度）のバランスを取ることができる。また、頭髪を斜面に沿ってスムーズに外側にガイドできる。

［第４の実施形態］
図１３及び図１４を参照して本実施形態の脳波測定用電極４６０を説明する。本実施形態の脳波測定用電極４６０は、上述の第１〜第３の実施形態で説明した脳波測定用電極６０、２６０、３６０の変形例であり、以下では異なる構成について主に説明し同様の構成については図示及び説明を省略する。

図１３は脳波測定用電極４６０を先端側（下側）から見た斜視図である。図１４は脳波測定用電極４６０を背面側（上側）から見た斜視図である。第１〜第３の実施形態と同様に、電極基部４６１の基部先端面４６２から複数の突出部４７０が延出している。また、突出部４７０間に溝部４６５が設けられている。

本実施形態において特徴的な点は、電極基部４６１に形成されている溝部４６５の形状にある。すなわち、溝部４６５は、基部先端面４６２から基部背面４６３に向けた貫通孔として形成され、かつ、基部側面４６４が繋がっている。

このように、溝部４６５が貫通孔として形成されているので、脳波測定用電極４６０の強度を高めことができる。また、第１〜第３の実施形態と比較すると少ないものの、一定の量の頭髪を溝部４６５に収容できる。例えば、頭髪は長くないが量が多いような場合に、好適である。なお、溝部４６５が形成されている部分の基部側面４６４は、一部（例えば基部先端面４６２側の半分）が切り取られた構造であってもよい。

［第５の実施形態］
図１５に本実施形態に係る脳波測定用電極５６０を頭部９９に装着した状態を模式的に示す。図１６は脳波測定用電極５６０の平面図であり、装着時に頭部９９に接する側を見た図である。図１６では、図１５で湾曲していた脳波測定用電極５６０を平らな状態にして示している。

脳波測定用電極５６０は、人間の頭部９９の形状に追随して装着するフレーム機能と電極機能とを併せ持つ。図示のように、脳波測定用電極５６０は、人間の頭部９９の形状に追随して装着されるバンド状（板状）かつゴム状の弾性体の電極基部５６１と、電極基部５６１の一面に、電極基部５６１と一体に設けられた、複数の弾性体の突出部５７０と、を有する。突出部５７０の少なくとも先端部が、導電部材からなる電極部材５７９を構成している。

＜電極基部５６１の形状＞
電極基部５６１は、所定厚さの板状体である。具体的には、電極基部５６１は、図１６に示すように、上面視で帯状の矩形形状を呈する。

電極基部５６１の厚さは、例えば、０．１ｍｍ〜３０ｍｍである。
矩形形状の長手方向の長さＬ５１は、例えば２０ｃｍ〜６５ｃｍである。
矩形形状の短手方向の長さＬ５２は、例えば０．５ｃｍ〜５ｃｍである。
なお、電極基部５６１の形状は、帯状の矩形形状に限る趣旨ではない。例えば、矩形形状の代わりに長細い楕円形状であってよい。また、電極基部５６１の厚さが一定であることに限る趣旨ではなく、一部の厚さが薄くなったり厚くなったりしてもよい。なお、電極基部５６１の材料は、例えば、第１の実施形態で説明したシリコーンゴムを用いることができる。

＜突出部５７０の配置＞
突出部５７０は、電極基部５６１の一面（基部先端面５６２）に、電極基部５６１と一体に複数設けられる。ここでは、複数の突出部５７０は、上面視で一列に所定ピッチＰ５で並んで設けられる。突出部５７０（すなわち電極部材５７９）のピッチＰ５は、例えば、１ｍｍ〜２０ｍｍである。ピッチＰ５は、脳波の検知に必要とされる突出部５７０の数及び頭部９９への電極基部５６１の追従性の観点から定まる。

＜突出部５７０の形状＞
突出部５７０は、錐体、より具体的には三角錐である。突出部５７０の高さは、例えば、０．５ｍｍ〜２０ｍｍであり、好ましくは３ｍｍ〜１５ｍｍであり、より好ましく４ｍｍ〜１０ｍｍである。

突出部５７０が呈する三角錐の具体的な形状として、例えば、図１６に示すように、三角錐の底面（すなわち、基部先端面５６２との境界部分）の形状が頂点を鋭角とする二等辺三角形であって、向きが揃っている。また、三角錐の頂点（すなわち突出部５７０の先端）は、図示の例では、上面視で、二等辺三角形の重心に位置する。

脳波測定用電極５６０を頭部９９に取り付けるときに、なだらかな側（二等辺三角形の頂点側）から突出部５７０を頭部９９に当てることで、被験者に不快感（痛み等）等を与えること無く、また、頭髪からの抵抗が少なくスムーズに脳波測定用電極５６０を取り付けることができる。

＜溝部５６５の配置＞
電極基部５６１には、矩形形状の長手方向の両側の基部側面５６４に、所定間隔で複数（ここでは片側８箇所）の溝部５６５が形成されている。溝部５６５は、矩形形状の長手方向において、突出部５７０が形成されていない領域に形成されている。

溝部５６５は、短手方向に所定長ａ５、長手方向に所定長ｂ５の大きさの矩形形状となっている。
短手方向の所定長ａ５は、例えば電極基部６１の短手方向の長さＬ５２の１／４である。
長手方向の所定長ｂ５は、例えば突出部５７０のピッチＰ５の１／３である。
溝部５６５の大きさ（所定長ａ５、ｂ５）や形状は、収容目標となる頭髪の量に応じて適宜設定される。

このような溝部５６５を設けることで、頭髪が長かったり多かったりする被験者の頭部９９に脳波測定用電極５６０を装着した際に、溝部５６５に頭髪を収容したり、そこから外へ案内することができる。これによって、突出部５７０の間、すなわち基部先端面５６２（電極部材５７９）と頭皮（頭部９９）の間に介在する頭髪が長かったり多かったりする場合でも、基部先端面５６２（電極部材５７９）と頭皮の接触を良好にすることができ、結果として安定した脳波測定が可能となる。

なお、本実施形態では、長手方向の両方の基部側面５６４に対向するように溝部５６５を設けているが、さらに、それらを有底の凹部（溝部の一部）で連結した構成としてもよい。これによって、突出部５７０間の収容可能な頭髪量を拡大できる。また、溝部５６５を長手方向の片方の基部側面５６４にのみ設けてもよい。その場合、溝部５６５の短手方向の所定長ｂ５を長くして、突出部５７０間にも達するようにすることで、収容可能な頭髪量を拡大できる。また、第２、第３実施形態と同様に、溝部５６５を段差形状としたり斜面形状としてもよい。

［第６の実施形態］
図１７を参照して本実施形態の脳波測定用電極６６０を説明する。本実施形態の脳波測定用電極６６０は、上述の第５の実施形態で説明した脳波測定用電極５６０の変形例であり、以下では異なる構成について主に説明し同様の構成については図示及び説明を省略する。

図１７は脳波測定用電極６６０の平面図であり、第５の実施形態の図１６に対応している。本実施形態において特徴的な点は、電極基部６６１に設けられる突出部６７０の配置が、長手方向に２列になっており、さらに並びが互い違いになっている点にある。換言すると、複数の突出部６７０が千鳥格子状（すなわちジグザグ状）に配置されている。なお、突出部６７０の配置は３列以上であってもよいし、正格子配列等の様々な配置を適用できる。

また、溝部６６５は、突出部６７０のそれぞれの列に近い側の基部側面６６４において、突出部６７０の間に位置するように形成されている。また、突出部６７０の千鳥状の配置に従って、長手方向のそれぞれの基部側面６６４において、互い違いになるように、溝部６６５が形成されている。

このような溝部６６５を設けることで、頭髪が長かったり多かったりする被験者の頭部９９に脳波測定用電極６６０を装着した際に、溝部６６５に頭髪を収容したり、そこから外へ案内することができる。これによって、頭髪が長かったり量が多い場合であっても、安定した脳波測定が可能となる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成（変形例）を採用することもできる。

１０ 脳波測定装置
２０ 固定用フレーム
２１ レール
２３ レール締結部
２９ 可動領域
４０ 電極保持部
４１ 第１の連結面
４２ 第２の連結面
４３ 第３の連結面
４４ 規制面
４５ 当接面
４８ 余空間
４９ 電極取付孔
５０ 連結部
６０、２６０、３６０、４６０、５６０、６６０ 脳波測定用電極
６１、２６１、３６１、４６１、５６１、６６１ 電極基部
６２、２６２、３６２、４６２、５６２、６６２ 基部先端面
６３、２６３、３６３、４６３ 基部背面
６４、２６４、３６４、４６４、５６４、６６４ 基部側面
６５、２６５、３６５、４６５、５６５、６６５ 溝部
７０、２７０、３７０、４７０、５７０、６７０ 突出部
７９ 電極部材
８０ 脳波電極ユニット

Claims (9)

1. 基部と、
   前記基部の一の平面から突出する複数の突出部と、
   前記突出部に設けられた導電性の電極部材と、
   を有し、
   前記基部は、隣接する突出部との間に、前記基部の厚さ方向に凹状に切り込まれた溝部を有する、
   脳波測定用電極。
2. 前記基部は円柱形状を呈しており、
   前記基部の一の平面は、前記円柱形状の一方の端面である、
   請求項１に記載の脳波測定用電極。
3. 前記突出部は前記基部の一の平面に円環状に配置されている、
   請求項１または２に記載の脳波測定用電極。
4. 前記突出部は上面視で前記突出部が前記円柱形状の前記一方の端面の内側に位置している、
   請求項２に記載の脳波測定用電極。
5. 前記突出部の配置構造は、前記基部の前記一の平面に列状または格子状に配置された配置構造を有する、
   請求項１に記載の脳波測定用電極。
6. 前記溝部は、前記基部の厚さ方向に貫通している、
   請求項１から５までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
7. 前記溝部は、全ての隣接する前記突出部の間に形成されている
   請求項１から６までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
8. 前記溝部は、前記基部の前記一の平面の外縁部分が切り込まれている、
   請求項１から７までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
9. 請求項１から８までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極を備える、脳波測定装置。

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