JP2021145689A - 脳波測定用電極および脳波測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】毛髪の掻き分け性能を向上させ、脳波取得性能を向上させる技術を提供する。【解決手段】脳波測定用電極５０は、基部５１と、基部５１に設けられた第１の突起部６０と、第１の突起部６０に一体に設けられる、第１の突起部６０より微細な複数の第２の突起部７０と、第２の突起部７０に設けられた電極部８０と、を有する。【選択図】図４

Description

本発明は、脳波測定用電極および脳波測定装置に関する。

これまで脳波測定用電極に関して様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１に開示の脳波測定用電極（脳波測定用電極）は、基底部と、前記基底部から突出して設けられた、ゴムからなる突出部と、前記突出部の先端に設けられ、前記脳波測定用電極の外部と電気的に接続され、前記脳波の測定時に頭皮に接触する、金属からなる接触部と、を備える。

特許第５８４２１９８号公報

一般に、脳波センサと頭皮との接触面積が大きいほど、接触抵抗が低下し、きれいな脳波取得性の向上が図られる。現状としては、頭皮と接触する際に、毛髪が邪魔になっており、毛髪の掻き分け性能の改善が求められていた。特許文献１に開示の技術では、接触部が設けられた突出部が、毛髪間に侵入することで、頭皮に接触しやすくする技術が提案されているが、毛髪の掻き分け性能については十分に考慮されておらず別の技術が求められていた。

本発明はこのような状況に鑑みなされたものであって、毛髪の掻き分け性能を向上させ、脳波取得性能を向上させる技術を提供することを目的とする。

本発明によれば、
基部と、
前記基部に設けられた第１の突起部と、
前記第１の突起部に一体に設けられる、前記第１の突起部より微細な複数の第２の突起部と、
前記第２の突起部に設けられた電極部と、
を有する、脳波測定用電極が提供される。
本発明によれば、上記の脳波測定用電極と、
前記脳波測定用電極を取り付け、被測定者の頭部に装着されるフレームと、
を有する脳波測定装置が提供される。
本発明によれば、上記の脳波測定用電極を複数備え、
前記脳波測定用電極の前記基部は、複数の前記脳波測定用電極に対して共通に一つ設けられている、脳波測定装置が提供される。

本発明によれば、毛髪の掻き分け性能を向上させ、脳波取得性能を向上させる技術を提供することができる。

第１の実施形態に係る、頭部に装着した状態の脳波測定装置を模式的に示す図である。 第１の実施形態に係る、フレームの正面図である。 第１の実施形態に係る、脳波電極ユニットの正面図である。 第１の実施形態に係る、脳波測定用電極の斜視図である。 第１の実施形態に係る、一つの第１の突起部を切り取って示した図である。 第１の実施形態に係る、図４の脳波測定用電極の一部（領域Ｘ）を拡大して示した斜視図である。 第１の実施形態に係る、一つの第１の突起部を軸線側から見た図である。 第２の実施形態に係る、脳波測定用電極の斜視図である。 第２の実施形態に係る、一つの第１の突起部の微細突起形成面に着目して示した斜視図である。 第２の実施形態に係る、一つの微細突起形成面を延出方向側から見たである図である。 第３の実施形態に係る、一つの第１の突起部を軸線側から見た図である。 第４の実施形態に係る、一つの第１の突起部を軸線側から見た図である。 第５の実施形態に係る、一つの第１の突起部を軸線側から見た図である。 第６の実施形態に係る、一つの第１の突起部を軸線側から見た図である。 第７の実施形態に係る、一つの第１の突起部を軸線側から見た図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。

≪第１の実施形態≫
図１は人の頭部９９に装着した状態の脳波測定装置１を模式的に示す図である。
脳波測定装置１は、人の頭部９９に装着され、脳波を生体からの電位変動として検出し、検出した脳波を脳波表示装置（図示せず）に出力する。脳波表示装置は、脳波測定装置１が検出した脳波を取得して、モニタ表示したり、データ保存したり、周知の脳波解析処理を行う。

＜脳波測定装置１の構造＞
図１に示すように、脳波測定装置１は、フレーム２０と、フレーム２０に取り付けられる複数の脳波電極ユニット１０と、を有する。本実施形態では、脳波電極ユニット１０は、５ｃｈ分（５個）設けられている。それぞれの脳波電極ユニット１０には脳波測定用電極５０が取り付けられている。

＜フレーム２０の構造＞
図２にフレーム２０の正面図を示す。フレーム２０は、例えばポリアミド樹脂のような硬質部材で帯状に、かつ人間の頭部９９の形状に沿うように湾曲して形成されている。

フレーム２０には、脳波電極ユニット１０を取り付けるための開口として電極ユニット取付部２１が５カ所設けられている。電極ユニット取付部２１の位置（すなわち脳波電極ユニット１０の取付位置）は、例えば国際１０−２０電極配置法におけるＴ３、Ｃ３、Ｃｚ、Ｃ４、Ｔ４の位置に対応する。

電極ユニット取付部２１の内周面は螺刻されており、脳波電極ユニット１０がその胴部１１の螺刻部１３（図３参照）により螺着する。脳波電極ユニット１０をネジ込む量を調整することで、フレーム２０から頭部９９方向への突き出し量を調整し、頭部９９（頭皮）との接触量・接触圧をコントロールすることができる。また、ネジ込む動作により、毛髪を掻き分ける。

＜脳波電極ユニット１０の構造＞
図３に脳波電極ユニット１０の正面図を示す。脳波電極ユニット１０は、略円柱状の胴部１１と、その一端側（図中下側）に設けられた脳波測定用電極５０とを有する。

胴部１１は、信号取出部１２と、螺刻部１３と、電極固定部１４とを一体に有する。
螺刻部１３は、円柱形状の側面に螺刻した形状である。螺刻部１３の一端（図中上側）に信号取出部１２が設けられている。信号取出部１２には信号出力端子が設けられる。また、信号取出部１２は脳波電極ユニット１０をフレーム２０に螺着する際に作業者によって（必要に応じて所定の治具を用いて）操作される。螺刻部１３の他端（図中下側）には、螺刻部１３より小径の円柱状の電極固定部１４が設けられている。電極固定部１４に脳波測定用電極５０が取り付けられる。

＜脳波測定用電極５０の構造＞
図４は脳波測定用電極５０の斜視図である。脳波測定用電極５０は、基部５１と、第１の突起部６０とを有する。基部５１と第１の突起部６０とは、ゴム状の弾性体によって一体に設けられている。また、第１の突起部６０には、第１の突起部６０より微細な第２の突起部７０が一体に設けられている。第１の突起部６０や第２の突起部７０の形状・寸法・配置等は、毛髪の太さ（例えば平均的な日本人で０．０５〜０．１０ｍｍとされる。）応じて、所望の機能が実現できるように設定される。以下、具体的に説明する。

基部５１は、略円柱形状であって、一端（図４では上側）が円形状の電極形成面５２（突起形成面）、他端（図４では下側）が円形状の取付面５３となっている。基部５１の外径Ｄ１０は、例えば５ｍｍ〜３０ｍｍである。基部５１の高さｈ１０は、例えば１．０ｍｍ〜２０ｍｍである。
取付面５３が、胴部１１の電極固定部１４に接着剤等により取り付けられる。なお、取付面５３と電極固定部１４の固定構造として、凹凸形状による嵌合構造が用いられてもよい。

電極形成面５２には、複数の第１の突起部６０が所定間隔で円環状に設けられている。ここでは、第１の突起部６０は、電極形成面５２の円形状の周方向に２５度間隔で８個設けられている。

＜第１の突起部６０の構造＞
図５は一つの第１の突起部６０を切り取って示しており、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は側面図である。

第１の突起部６０は、円錐形状の先端側が平面（または平面に近い面）で斜めに切り取られた形状を呈している。斜めに切り取られて形成された面を微細突起形成面６１と称し、楕円形状となっている。本実施形態では、楕円の長軸が４．７ｍｍであり、２．０〜６．５の範囲となるのが好ましく、４．０ｍｍ〜６．０ｍｍの範囲となるのがより好ましい。また、楕円の短軸が１．５１ｍｍであり、０．８〜４．０ｍｍの範囲となるのが好ましく、１．０ｍｍ〜３．０ｍｍの範囲となるのがより好ましい。なお、第１の突起部６０が角錐の場合は、微細突起形成面６１は多角形の形状となる。

第１の突起部６０の円錐形状の底面６２（すなわち電極形成面５２との境界）の外径Ｄ１１は、例えば３．２ｍｍであり、１．０〜５．０ｍｍとなるのが好ましく、２．０ｍｍ〜４．０ｍｍの範囲となるのがより好ましい。
第１の突起部６０の高さｈ１１は、例えば６ｍｍであり、２．０〜１０ｍｍとなるのが好ましく、３．０ｍｍ〜８．０ｍｍの範囲となるのがより好ましい。

微細突起形成面６１は、上述の図４に示すように、電極形成面５２の円形状の中心５９を貫く軸線Ｚ１の方向を向いている。すなわち、微細突起形成面６１（より具体的には楕円中心）から垂直に延びる垂線が上記円形状の軸線Ｚ１に向かう。

＜第２の突起部７０の構造＞
図６は図４の脳波測定用電極５０の一部（領域Ｘ）を拡大して示した斜視図であって、一つの第１の突起部６０の微細突起形成面６１を拡大して示している。図７は軸線Ｚ１側（第２の突起部７０の延出方向側）から見た一つの第１の突起部６０を示した図である。

微細突起形成面６１には、第１の突起部６０より微細な円柱状の複数の第２の突起部７０が垂直に延出している。具体的には、１６個の第２の突起部７０が千鳥格子状に７行に亘って設けられている。第２の突起部７０の形状は円柱形状に限る趣旨では無く、角柱や円錐等の形状であってもよい。なお、本実施形態では、便宜的に第２の突起部７０の配置方向について、微細突起形成面６１の呈する楕円形状の短軸に沿う方向を横方向、長軸に沿う方向を縦方向として説明する。後述する第２〜第７の実施形態でも同様とする。

第２の突起部７０の外径ｄ１１は、例えば０．３ｍｍであり、０．０５〜０．８ｍｍの範囲が好ましく、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲となるのがより好ましい。
第２の突起部７０の高さｈ１２は、例えば０．３ｍｍであり、０．０５〜０．８ｍｍの範囲が好ましく、０．１〜０．５ｍｍの範囲となるのがより好ましい。
第２の突起部７０の横方向のピッチｐ１１は、例えば０．５ｍｍであり、０．２〜１．０ｍｍの範囲となるのが好ましく、０．４ｍｍ〜０．６ｍｍの範囲となるのがより好ましい。
第２の突起部７０の縦方向（行間方向）のピッチｐ１２は、例えば０．５ｍｍであり０．２〜１．０ｍｍの範囲となるのが好ましく、０．４ｍｍ〜０．６ｍｍの範囲となるのがより好ましい。

また、第２の突起部７０が設けられる領域は、例えば微細突起形成面６１を構成する楕円の長軸方向において下側（電極形成面５２側）の３／４の領域である。微細突起の第２の突起部７０が微細突起形成面６１の先端部まで形成されていると、第１の突起部６０の変形自体が阻害されてしまうことがある。しかし、本実施形態では、楕円の長軸方向において先端側の１／４の領域６８（クロスハッチングで示す領域）には第２の突起部７０は形成されない。第１の突起部６０は、頭皮に接触するまでは、微細突起の第２の突起部７０がない先端側の細い（薄い）部分を先頭にして毛髪間をスムーズに進むことができ、かつ、頭髪に押し当てられた際には、先端側からスムーズに屈曲して第２の突起部７０の頭皮への屈曲状態へ移行できる。

第２の突起部７０は、頭部９９（頭皮）に押し当てられたときに屈曲する特性を有する。この特性は、脳波測定用電極５０を構成する弾性体の材料及び第２の突起部７０の形状により設定できる。例えば、脳波測定用電極５０を十分柔らかいシリコーンゴムで形成し、第２の突起部７０の形状（高さｈ１２、外径ｄ１１）を適切に設定することで、所望の可撓性を実現できる。なお、第２の突起部７０を屈曲しないように調整してもよい。また、先端６５側を屈曲しやすく、根元側（電極形成面５２側）を屈曲しにくくしてもよい。

＜電極部８０の構造＞
第２の突起部７０には全体に亘って電極部８０が設けられ頭部９９（頭皮）と接触する。
第２の突起部７０の内部において、電極部８０には接続する導電性の信号線６９が設けられる（図５（ａ）参照）。信号線６９の配索構造が煩雑になる場合には、微細突起形成面６１の全体又は第２の突起部７０が形成される領域共通に電極部８０を設けて、信号線６９を一本化してもよい。また、電極部８０が第２の突起部７０を含む第１の突起部６０全体（もしくは一部）に形成され、電極部８０に接続する信号線６９が微細突起形成面６１、または第１の突起部６０側面に埋没する構成とされてもよい。本実施形態では、微細突起形成面６１の全体（第２の突起部７０を含む）に電極部８０を設け、信号線６９を一本化した構成として説明する。

信号線６９は、第１の突起部６０や第２の突起部７０の内部を導通する態様であれば各種の配置構造を採用し得る。例えば、信号線６９の先端は、第２の突起部７０の先端面（又は微細突起形成面６１）や側面に対して、突出した構造、略同一面上となる構造、埋没した構造のいずれでもよい。電極部８０との接続安定性の観点から、突出した構造を用いてもよい。信号線６９の先端の突出部分は、一部または全体が電極部８０で覆われている。

信号線６９の先端の突出構造は、折り返し無し、折り返し有り、第２の突起部７０（微細突起形成面６１）の先端部の表面に巻き付ける構造が採用し得る。

＜脳波測定用電極５０の材料＞
脳波測定用電極５０の材料について説明する。脳波測定用電極５０は、上述のようにゴム状の弾性体である。ゴム状の弾性体として、具体的にはゴムや熱可塑性エラストマー（単に「エラストマー（ＴＰＥ）」ともいう）である。ゴムとしては、例えばシリコーンゴムがある。熱可塑性エラストマーとして、例えば、スチレン系ＴＰＥ（ＴＰＳ）、オレフィン系ＴＰＥ（ＴＰＯ）、塩化ビニル系ＴＰＥ（ＴＰＶＣ）、ウレタン系ＴＰＥ（ＴＰＵ）、エステル系ＴＰＥ（ＴＰＥＥ）、アミド系ＴＰＥ（ＴＰＡＥ）などがある。

脳波測定用電極５０がシリコーンゴムである場合、３７℃、ＪＩＳ Ｋ ６２５３（１９９７）に準拠して測定される、脳波測定用電極５０の基部５１（または第１の突起部６０や第２の突起部７０）の表面におけるタイプＡデュロメータ硬さをゴム硬度Ａとしたとき、ゴム硬度Ａが、例えば、１５以上５５以下である。

ここで、上記シリコーンゴム系硬化性組成物について説明する。
上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化工程は、例えば、１００〜２５０℃で１〜３０分間加熱（１次硬化）した後、１００〜２００℃で１〜４時間ポストベーク（２次硬化）することによって行われる。

絶縁性シリコーンゴムは、導電性フィラーを含まないシリコーンゴムであり、導電性シリコーンゴムは導電性フィラーを含むシリコーンゴムである。

本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを含んでもよい。同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンとは、少なくとも官能基が同じビニル基を含み、直鎖状を有していればよく、分子中のビニル基量や分子量分布、あるいはその添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるビニル基含有オルガノポリシロキサンをさらに含んでもよい。

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１〜１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「〜」は、その両端の数値を含むことを意味する。

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００〜１００００程度、より好ましくは２０００〜５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９〜１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０〜２０００の整数、ｎは１０００〜１００００の整数である。ｍは、好ましくは０〜１０００であり、ｎは、好ましくは２０００〜５０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１−１）で表されるものが挙げられる。

式（１−１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が０．５〜１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１−１）において、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．５〜１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）は、ビニル基含有量が０．０１〜０．２モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）は、ビニル基含有量が、０．８〜１２モル％であるのが好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１−１）と（Ａ１−２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１−１）：（Ａ１−２）が５０：５０〜９５：５であるのが好ましく、８０：２０〜９０：１０であるのがより好ましい。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１−１）および（Ａ１−２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。

＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、架橋剤を含んでもよい。架橋剤は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の架橋剤を含んでもよい。同種の架橋剤とは、少なくとも直鎖構造や分岐構造などの共通の構造を有していればよく、分子中の分子量分布や異なる官能基が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なる架橋剤をさらに含んでもよい。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２〜１５０整数、ｎは２〜１５０の整数である。好ましくは、ｍは２〜１００の整数、ｎは２〜１００の整数である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ−Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９〜０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１〜３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１〜１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１〜３の範囲の整数、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３−ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８〜２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８〜１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１〜８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１〜８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「−Ｏ−Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５〜５モルとなる量が好ましく、１〜３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、非導電性フィラーを含む。非導電性フィラーは、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含んでもよい。これにより、エラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の非導電性フィラーを含んでもよい。同種の非導電性フィラーとは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、粒子径、比表面積、表面処理剤、又はその添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるシランカップリング剤をさらに含んでもよい。

シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０〜４００ｍ^２／ｇであるのが好ましく、１００〜４００ｍ^２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１〜１００ｎｍであるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。

＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種のシランカップリング剤を含んでもよい。同種のシランカップリング剤とは、少なくとも共通の官能基を有していればよく、分子中の他の官能基や添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なるシランカップリング剤をさらに含んでもよい。

また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子（Ｃ）の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子（Ｃ）とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子（Ｃ）の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子（Ｃ）の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ−Ｓｉ−（Ｘ）_４−ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１〜３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙ_ｎ−Ｓｉ−）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、次の通りである。
上記官能基として疎水性基を有するものとして、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、及びトリメチルエトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

上記官能基としてビニル基を有するものとして、例えば、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、及びビニルメチルジメトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

またシランカップリング剤（Ｄ）がトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤の２種を含む場合、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンを含むことが好ましい。

トリメチルシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ１）およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ２）を併用する場合、（Ｄ１）と（Ｄ２）の比率は、特に限定されないが、例えば、重量比で（Ｄ１）：（Ｄ２）が、１：０．００１〜１：０．３５、好ましくは１：０．０１〜１：０．２０、より好ましくは１：０．０３〜１：０．１５である。このような数値範囲とすることにより、所望のシリコーンゴムの物性を得ることができる。具体的には、ゴム中におけるシリカの分散性およびゴムの架橋性のバランスを図ることができる。

本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーを含む柱状部と導電性樹脂層との密着性を高めることができる。また、シリコーンゴムの機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な機械特性を持つことができる。

＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物は、触媒を含んでもよい。触媒は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。

絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、同種の触媒を含んでもよい。同種の触媒とは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、触媒中に異なる組成が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
なお、絶縁性シリコーンゴム系硬化性組成物および導電性シリコーンゴム系硬化性組成物は、互いに異なる触媒をさらに含んでもよい。

白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。

なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、白金族金属が重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１〜５００ｐｐｍとなる量である。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、製造コストの削減に資することができる。

＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態に係るシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）〜（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。

水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。

本実施形態に係る導電性溶液（導電性シリコーンゴム組成物）は、導電性フィラーを含まない上記シリコーンゴム系硬化性組成物に加えて、上記導電性フィラーおよび溶剤を含むものである。

上記溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電性溶液は、溶液中の固形分量などを調整することで、スプレー塗布やディップ塗布等の各種の塗布方法に適切な粘度を備えることができる。

また、上記導電性溶液が上記導電性フィラーおよび上記シリカ粒子（Ｃ）を含む場合、脳波測定用電極５０が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、脳波測定用電極５０の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記脳波測定用電極５０が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、脳波測定用電極５０における導電性と機械的強度や柔軟性とのバランスを図ることができる。

導電性溶液を必要に応じて加熱乾燥することで、導電性シリコーンゴムが得られる。
導電性シリコーンゴムは、シリコーンオイルを含まない構成であってもよい。これにより、脳波測定用電極５０の表面にシリコーンオイルがブリードアウトすることで導通性が低下することを抑制できる。

＜信号線６９の材料＞
信号線６９は、公知のものを使用することができるが、例えば、導電繊維で構成され得る。導電繊維としては、金属繊維、金属被覆繊維、炭素繊維、導電性ポリマー繊維、導電性ポリマー被覆繊維、および導電ペースト被覆繊維からなる群から選択される一種以上を用いることができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記金属繊維、金属被覆繊維、の金属材料は、導電性を有するものであれば限定されないが、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、ステンレス、アルミニウム、銀／塩化銀およびこれらの合金等が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、導通性の観点から、銀を用いることができる。また、金属材料は、クロム等の環境に負荷を与える金属を含まないことが好ましい。

上記金属被覆繊維、導電性ポリマー被覆繊維、導電ペースト被覆繊維の繊維材料は、特に限定されないが、合成繊維、半合成繊維、天然繊維のいずれでもよい。これらの中でも、ポリエステル、ナイロン、ポリウレタン、絹および綿等を用いることが好ましい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記炭素繊維は、例えば、ＰＡＮ系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維等が挙げられる。

上記導電性ポリマー繊維および導電性ポリマー被覆繊維の導電性ポリマー材料は、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレンビニレン、ポリナフタレン、及びこれらの誘導体等の導電性高分子およびバインダ樹脂の混合物、あるいは、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸））等の導電性高分子の水溶液が用いられる。

上記導電ペースト被覆繊維の導電ペーストに含まれる樹脂材料は特に限定されないが伸縮性を有することが好ましく、例えばシリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電ペースト被覆繊維の導電ペーストに含まれる導電性フィラーは特に限定されないが、公知の導電材料を用いてもよいが、金属粒子、金属繊維、金属被覆繊維、カーボンブラック、アセチレンブラック、グラファイト、炭素繊維、カーボンナノチューブ、導電性ポリマー、導電性ポリマー被覆繊維および金属ナノワイヤーからなる群から選択される一種以上を含むことができる。

上記導電性フィラーを構成する金属は、特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銀／塩化銀、或いはこれらの合金のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。この中でも、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅が好ましい。

上記信号線６９が、線状の導電繊維を複数本撚り合わせた撚糸で構成されてもよい。これにより、変形時における信号線６９の断線を抑制できる。

本実施形態において、導電繊維における被覆とは、単に繊維材料の外表面を覆うことのみならず、単繊維を撚り合わせた撚糸などの場合は、その撚糸の中の繊維間隙に金属、導電性ポリマー、または導電ペーストが含浸し、撚糸を構成する単繊維を１本毎に被覆するものを含む。

信号線６９の引張破断伸度は、例えば、１％以上〜５０％以下、好ましくは１．５％以上〜４５％である。このような数値範囲内とすることで、変形時の破断を抑制しつつも、突起部６０の過度な変形を抑制できる。

＜電極部８０の材料＞
電極部８０の導電部材は、例えば、良導性金属を含むペーストである。良導性金属は、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらの合金からなる群から選択される一種以上を含む。特に、入手性や導電性の観点から、銀や塩化銀、銅が好適である。

良導性金属を含むペーストで電極部８０を形成する場合は、ゴム状の弾性体でできた第２の突起部７０を、良導性金属を含むペースト状の導電性溶液にディップ（浸漬塗布）する。これにより、第２の突起部７０の表面に電極部８０が形成される。

なお、導電性フィラーおよび溶剤を含む導電性溶液を、第２の突起部７０に塗布することにより、導電性樹脂層としての電極部８０を形成してもよい。このとき、溶剤を第２の突起部７０と同じ系統の材質（シリコーンゴム）とすることで、電極部８０（導電性樹脂層）の密着性を高められる。

導電性溶液を必要に応じて加熱乾燥することで、導電性シリコーンゴムが得られる。
導電性シリコーンゴムは、シリコーンオイルを含まない構成であってもよい。これにより、電極部８０の表面にシリコーンオイルがブリードアウトすることで導通性が低下することを抑制できる。

これにより、脳波測定装置１を頭部９９へ装着する際の毛髪の掻き分け性能を向上させることができる。また、脳波測定装置１を装着した際の電極部８０の接触面積の十分な確保が可能となる。

＜脳波測定用電極５０の製造方法＞
本実施形態の脳波測定用電極５０の製造方法の一例は次の工程を含むことができる。
まず、金型を用いて、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を加熱加圧成形し、基部５１、第１の突起部６０及び第２の突起部７０からなる成形体を得る。続いて、得られた成形体の各第１の突起部６０の内部に、縫い針を用いて、信号線６９を通す。その後得られた成形体の第１の突起部６０の微細突起形成面６１（第２の突起部７０を含む）に、ペースト状の導電性溶液をディップ塗布し、加熱乾燥後、ポストキュアを行う。これにより、微細突起形成面６１（第２の突起部７０を含む）全体に亘って電極部８０を形成できる。
以上により、脳波測定用電極５０を製造することができる。
なお、上記成形工程時において、信号線６９を配置した成形空間内に、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を導入し、加圧加熱成形するインサート成形を用いてもよい。

＜脳波測定用電極５０の特徴・機能＞
本実施形態の脳波電極ユニット１０と特徴・機能について、特に脳波測定用電極５０を頭部９９に接触させたときの状態に着目して説明する。

（１）脳波測定用電極５０は、
基部５１と、
基部５１に設けられた第１の突起部６０と、
第１の突起部６０に一体に設けられる、第１の突起部６０より微細な複数の第２の突起部７０と、
第２の突起部７０に設けられた電極部８０と、
を有する。
第１の突起部６０に、第２の突起部７０のような複数の微細突起構造を設けることで、電極部８０と頭部９９（頭皮）との間に毛髪が挟まることを抑制でき、脳波検出精度が向上する。より具体的には、第１の突起部６０で比較的多い本数の毛髪を掻き分けて、さらに微細突起構造の第２の突起部７０で比較的少ない本数の毛髪を掻き分け、電極部８０と頭部９９（頭皮）との間に毛髪が挟まることを２段階で効果的に抑制する。

（２）第２の突起部７０は、頭部９９（頭皮）に当接した際に屈曲するとともに、屈曲に伴い電極部８０と頭皮との接触面積を増加させる。
第２の突起部７０の形状（高さｈ１１、外径ｄ１１等）や硬度を調整することで、脳波測定用電極５０（第２の突起部７０）と頭皮との接触圧力に対してどの程度屈曲させるかを設定できる。例えば、第２の突起部７０の屈曲が大きい場合、円柱形状を呈する第２の突起部７０の側面部分も頭皮に接触する。すなわち、電極部８０は、第２の突起部７０の側面部分に設けられている領域についても、頭皮に接触することになり、電極部８０と頭部９９（頭皮）との接触面積が増加する。その結果、電極部８０と頭部９９（頭皮）との接触抵抗が小さくなり、脳波検出精度（すなわち脳波取得率）が向上する。また、第２の突起部７０の形状を上記のような寸法（高さｈ１１）、配置（ピッチｐ１１、１２）とすることで、隣接する第２の突起部７０に干渉することがなく屈曲する。

（３）第２の突起部７０は、頭部９９（頭皮）に押し当てられ屈曲する際に、隣接した第２の突起部７０との間に毛髪を収容する。
すなわち、第２の突起部７０は微細突起構造として設けられ隣接する第２の突起部７０との間が数本〜数十本程度の毛髪を収容可能な空間となっていれば、第２の突起部７０が毛髪を掻き分けた場合に、隣接している第２の突起部７０との間の空間に毛髪を誘導し、電極部８０と頭部９９（頭皮）との間に毛髪が挟まることを効果的に抑制できる。また、屈曲することで、収容した毛髪を押さえ込むようにしてその空間に留めることができるため、脳波検出が安定する。

（４）第２の突起部７０の屈曲の向きが、所定の領域に向かうに傾向づけられている。
具体的には、第２の突起部７０は、基部５１側に向けて倒れるように、突出向きや硬さ、構造が設定されている。すなわち、脳波測定用電極５０が頭皮に押し当てられるときに、第１の突起部６０の先端部分６５から接触して徐々に撓みながら先端部分６５側の第２の突起部７０から順に屈曲する。
このとき、屈曲方向が一定でない場合、第２の突起部７０間の収容空間が不規則に形成されることになり、毛髪を誘導し頭皮との間に毛髪が挟まることを抑制できなくなる。
そこで、第２の突起部７０が屈曲するようにした場合には、複数の第２の突起部７０が基部５１側に向けて倒れるように、突出向きや硬さ、構造を設定する。すなわち、第２の突起部７０が呈する円柱形状の天面の先端部分６５側が頭部９９（頭皮）と当接し基部５１（電極形成面５２）側に向けて屈曲するように構成する。
さらに、複数の第２の突起部７０が屈曲して倒れたときに、隣接する第２の突起部７０の間に形成される収容空間が連続するようにする。これによって、毛髪を一定方向に上手く流すことができ、電極部８０と頭皮との接触が良好に確保できる。

（５）第１の突起部６０は、基部５１（より具体的には電極形成面５２）に放射状に複数設けられている。放射状に配置されているので、脳波電極ユニット１０が回転して毛髪を掻き分け頭皮と接触するような場合でも、回転位置によらずほぼ一定の接触状態が得られる。

（６）第１の突起部６０は、錐体（円錐や角錐）の先端を斜めに切り取った形状を呈し、
先端が切り取られた領域に形成された面（微細突起形成面６１）に第２の突起部７０が設けられている。
先端部分６５側が薄くなるため、第１の突起部６０が頭皮に押し当てられたときに、撓みやすく、良好な接触状態を確保しやすい。また、脳波測定用電極５０の位置調整のため回転させた場合でも、回転方向に薄くなっているので、脳波測定用電極５０が回転しやすく、第２の突起部７０が毛髪を掻き分けやすい。

（７）なお、脳波測定用電極５０の材料として、ゴム状の弾性体、特にシリコーンゴムを用いることで、接触圧、撓み（屈曲）量、電極部８０の密着性等をバランス良く実現できる。なお、第２の突起部７０の高さｈ１２は、先端部分６５側に配置されたものが低く、電極形成面５２側ほど高くてもよい。
以上が第１の実施形態の説明である。

≪第２の実施形態≫
図８から図１０を参照して第２の実施形態の脳波測定用電極２５０を説明する。以下では、第１の実施形態と異なる点に着目して説明し、同様の構成・機能については適宜説明を省略する。

＜第１の突起部２６０の構造＞
図８は脳波測定用電極２５０の斜視図である。図８に示すように、脳波測定用電極２５０は、第１の実施形態と同様に、円柱形状の基部２５１の電極形成面２５２に、複数の第１の突起部２６０を円環状に設けている。それぞれの第１の突起部２６０は、円錐の先端側を斜めに切り取った形状を呈している。切り取った部分に楕円形状の微細突起形成面２６１が形成されている。

＜第２の突起部２７０の構造＞
図９は一つの第１の突起部２６０の微細突起形成面２６１に着目して示した斜視図である。また、図１０は一つの微細突起形成面２６１を延出方向側から見たである。図９に示すように、第１の突起部２６０の微細突起形成面２６１には、複数の第２の突起部２７０が設けられている。第２の突起部２７０は、全面に亘って電極部２８０が形成されている。

第２の突起部２７０は、円柱形状の一部を切り取った形状となっている。具体的には、第２の突起部２７０は、微細突起形成面２６１から所定高さ（例えば第１の実施形態と同じ高さｈ１１）だけ垂直に延出している。そして、図１０に示すように、延出方向側から見た場合、円柱形状において、先端側２６５側の扇形状（中心角θ１）の領域が切り取られ二股に分かれた形状となっている。

切り取られた溝状の領域をガイド溝部２７２と称し、二股に形成された外縁の二つの先端部分を溝端部２７１と称する。溝端部２７１から中心２７９までの領域がガイド部２７３となっている。

＜第２の突起部２７０の特徴＞
このように、第２の突起部２７０は溝端部２７１を先端として口を開けたような形状（Ｖ字形状）を有する。脳波測定用電極２５０を頭部９９に押し当てる際に、ガイド部２７３は、毛髪を掻き分ける動きにともなって、接触した毛髪をガイド溝部２７２の中心２７９の領域に案内する。したがって、第２の突起部２７０の先端の面と頭皮との間に毛髪が存在するような状況でも、毛髪は頭皮と接触している二つの溝端部２７１の間の領域（ガイド溝部２７２）にあるため、電極部８０と頭皮との接触は阻害されない。この結果、脳波測定用電極２５０による脳波検出性能が向上する。

また、第２の突起部２７０が屈曲したときに、ガイド部２７３が頭皮と接触して、二股部分のそれぞれで接触する。したがって、仮に二股部分の一方に毛髪が挟まった場合でも、他方で頭皮に接触でき、この点においても安定した脳波検出が可能となる。

なお、ガイド部２７３（ガイド溝部２７２の端縁）はＶ字形状であったが、Ｕ字形状、Ｉ字形状のようなその他の溝形状であって開口部分が第１の突起部６０の先端を向いていればよい。また、また、所定方向に毛髪を案内可能な形状・構造（突起や面取り構造など）であればその形態は問わない。
以上が第２の実施形態の説明である。

≪その他の実施形態≫
以下、第３〜第７の実施形態について、第１の突起部に設けられる第２の突起部（微細突起構造）の配置に着目して説明する。なお、第３〜第７の実施形態では、第２の突起部（微細突起構造）の形状を第１の実施形態と同様に円柱形状として説明するが、第２の実施形態のガイド部２７３（ガイド溝部２７２の端縁）と同様の構造が形成されたものでもよい。

≪第３の実施形態≫
図１１は、本実施形態の一つの第１の突起部３６０を軸線側から見た図である。
第１の突起部３６０には、楕円形状の微細突起形成面３６１に、複数の第２の突起部３７０が楕円の長軸方向に２列に並んでいる。第２の突起部３７０には、電極部３８０が設けられている。

第２の突起部３７０は、それぞれの列においてジグザグ状に５個配置されている。また、第２の突起部３７０の配置は左右対称（短手方向に対称）の列配置になっている。
第２の突起部３７０は、左右方向のピッチ（間隔）として、先端３６５側から順に広いピッチｐ３１と狭いピッチｐ３２が交互に現れるように配置されている。

広いピッチｐ３１は、例えば０．９０ｍｍであり、０．８〜１．０ｍｍの範囲となるのが好ましい。
狭いピッチｐ３２は、例えば０．５０ｍｍであり、０．４〜０．６ｍｍの範囲となるのが好ましい。ここで日本人の毛髪の平均直径０．０８ｍｍ及び第２の突起部３７０（微細突起）の直径０．３ｍｍとして、狭いピッチｐ３２間に２本の毛髪（０．１６ｍｍ）が収容できるようにすることを想定すると、狭いピッチｐ３２は０．４６ｍｍ以上が好ましい。
楕円長軸方向（行間）のピッチｐ３３は、例えば０．５０ｍｍであり、０．４５〜０．６０ｍｍの範囲となるのが好ましい。これは脳波測定用電極５０（すなわち第１の突起部３６０）が頭皮に押し当てられ第２の突起部３７０が倒れた場合でも、倒れた第２の突起部３７０の間に毛髪を収容できる範囲である。

上記のように複数の第２の突起部３７０が、左右対称にジグザグ状に２列に配置されることで、毛髪の向きに柔軟に対応して、隣接する第２の突起部３７０で形成される収容空間に毛髪を案内できる。例えば、毛髪にクセがあり曲がりを有する場合がある。そのような場合でも、広いピッチｐ３１と狭いピッチｐ３２が交互に現れるように配置しているので、毛髪を良好に収容空間に収めることができる。
以上が第３の実施形態の説明である。

≪第４の実施形態≫
図１２は、本実施形態の一つの第１の突起部４６０を軸線側から見た図である。
第１の突起部４６０には、楕円形状の微細突起形成面４６１に、図示において略Ｕ字状に左右対称に配置されている。第２の突起部４７０には、電極部４８０が設けられている。具体的には、微細突起形成面４６１の左右それぞれの外縁付近に長軸方向に３個の第２の突起部４７０が配置されている。さらに、微細突起形成面４６１の下側外縁付近で楕円長軸上（左右中央）に一つの第２の突起部４７０が配置されている。

先端４６５側の左右方向のピッチｐ４１は、例えば０．９ｍｍであり、０．８〜１．５ｍｍの範囲となるのが好ましい。
楕円長軸方向（縦方向）のピッチｐ４２は、例えば１．０ｍｍであり、０．８〜１．５ｍｍの範囲となるのが好ましい。
上記の範囲は、上述の第３の実施形態のピッチと比較して広く取られており、第２の突起部４７０間に多くの毛髪、例えば１０〜２０本弱程度を収容することを想定している。

上記のように複数の第２の突起部４７０が、微細突起形成面４６１に略Ｕ字状に配置されている。すなわち、頭皮と接触する場合、略Ｕ字形状の先端４６５の開口側に配置された第２の突起部４７０から接触することになり、毛髪が多い場合にも、第２の突起部４７０間に形成された収容空間に毛髪を収めることができる。
以上が第４の実施形態の説明である。

≪第５の実施形態≫
図１３は、本実施形態の一つの第１の突起部５６０を軸線側から見た図である。
第１の突起部５６０の楕円形状の微細突起形成面５６１に、複数の第２の突起部５７０が楕円の長軸方向に１列の格子配列を作るように配置されている。第２の突起部５７０には、電極部５８０が設けられている。

具体的には、微細突起形成面５６１の楕円の長軸方向に同じ大きさの３つの菱形が縦に並んで形成されるように、１０個の第２の突起部５７０が形成されている。より具体的には、楕円下側に２つの菱形が連続して並び、上側（先端５６５側）に一つの菱形が並ぶように、複数の第２の突起部５７０が形成されている。

第２の突起部５７０の横方向（菱形の横方向の対角線の長さの１／２）のピッチｐ５１は、例えば０．２５ｍｍであり、０．２０〜０．３０ｍｍの範囲となるのが好ましい。
第２の突起部５７０の縦方向（菱形の縦方向の対角線の長さの１／２）のピッチｐ５２は、例えば０．５０ｍｍであり、０．４６〜０．６０ｍｍの範囲となるのが好ましい。
これは脳波測定用電極５０（すなわち第１の突起部５６０）が頭皮に押し当てられ第２の突起部５７０が倒れる場合でも、第２の突起部５７０同士が干渉することない。また、第２の突起部５７０の間に数本程度の毛髪を収容できる。

このように、複数の第２の突起部５７０が、楕円の長軸方向に１列の格子配列を形成するように配置されていることで、左右中央付近では頭皮との接触を主機能として、左右外縁付近では毛髪が十分に存在できるような空間を形成できる。
以上が第５の実施形態の説明である。

≪第６の実施形態≫
図１４は、本実施形態の一つの第１の突起部６６０を軸線側から見た図である。
第１の突起部６６０には、楕円形状の微細突起形成面６６１に、複数の第２の突起部６７０が正方格子状に配置されている。第２の突起部６７０には、電極部６８０が設けられている。

左右方向（楕円短軸方向）のピッチｐ６１は、例えば、０．４５ｍｍであり、０．４〜０．６ｍｍの範囲となるのが好ましい。
上下方向（楕円長軸方向）のピッチｐ６２は、例えば、１．０ｍｍであり、０．９〜１．１ｍｍの範囲となるのが好ましい。
このような範囲とすることで、頭皮に押し当てられ第２の突起部６７０が倒れる場合でも、第２の突起部６７０同士が干渉することない。また、第２の突起部５７０の間に多数の毛髪を収容できる。

上述のように、複数の第２の突起部６７０が正方格子状に配置されることで、毛髪を脳波検出に影響のない位置に移動させる機能と、第２の突起部６７０に形成された電極部６８０の頭皮への接触とをバランス良く実現できる。
以上が第６の実施形態の説明である。

≪第７の実施形態≫
図１５は、本実施形態の一つの第１の突起部７６０を軸線側から見た図である。
第１の突起部７６０には、楕円形状の微細突起形成面７６１に、複数の第２の突起部７７０が、楕円短軸に対して一定の角θ７を成して斜め方向に２列に配置されている。上側（先端７６５側）の列には３つの第２の突起部７７０が、下側の列には４つ第２の突起部３７０が設けられている。

上側の列と下側の列の間隔ｐ７１は、例えば０．８９ｍｍであり、０．８〜１．０ｍｍの範囲となるのが好ましい。
このような範囲とすることで上側の列と下側の列の間に十分に多くの毛髪を収容できる。
上下の列のそれぞれにおける第２の突起部７７０の間隔（ピッチｐ７２）は、例えば０．５６ｍｍであり、０．４〜０．６ｍｍの範囲となるのが好ましい。
このような範囲とすることで第２の突起部７７０間に毛髪を数本程度収容できる。第２の突起部７７０が列方向に倒れる場合でも、それらが干渉することない。
また、上下のそれぞれの列と楕円短軸との成す角θ７は、例えば６３度である。

上述のように、複数の第２の突起部７７０が楕円長軸に対して斜め方向に２列に配置されることで、毛髪の斜め方向の流れに対して、毛髪を脳波検出に影響のない位置に移動させることができる。すなわち、頭皮に押し当てる動作に伴い第１の突起部７６０が回転するような場合に、回転に合わせて毛髪の位置を好適な位置に流す（移動させる）ことができる。

１ 脳波測定装置
１０ 脳波電極ユニット
１１ ボディ部
１２ 信号取出部
１３ 螺刻部
１４ 電極固定部
２０ フレーム
２１ 電極ユニット取付部
５０、２５０、 電極部
５１、２５１、 基部
５２、２５２ 電極形成面
５３ 取付面
５９、２７９ 中心
６０、２６０、３６０、４６０、５６０、６６０、７６０ 第１の突起部
６１、２６１、３６１、４６１、５６１、６６１、７６１ 微細突起形成面
６２ 底面
６５、２６５、３６５、４６５、５６５、６６５、７６５ 先端
７０、２７０、３７０、４７０、５７０、６７０、７７０ 第２の突起部
８０、２８０、３８０、４８０、５８０、６８０、７８０ 電極部
２７１ 溝端部
２７２ ガイド溝部
２７３ ガイド部

Claims (17)

1. 基部と、
   前記基部に設けられた第１の突起部と、
   前記第１の突起部に一体に設けられる、前記第１の突起部より微細な複数の第２の突起部と、
   前記第２の突起部に設けられた電極部と、
   を有する、脳波測定用電極。
2. 前記第２の突起部は、頭皮に当接した際に屈曲するとともに、屈曲に伴い記電極部と前記頭皮との接触面積を増加させる、
   請求項１に記載の脳波測定用電極。
3. 前記第２の突起部は、頭皮に押し当てられ屈曲する際に、隣接した前記第２の突起部との間に毛髪を収容する、
   請求項１または２に記載の脳波測定用電極。
4. 前記第２の突起部は、前記電極部と頭皮との接触を阻害しない位置に毛髪をガイドするガイド部を有する、
   請求項１から３までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
5. 前記ガイド部は、開口部分が前記第２の突起部の先端部を向いた溝部である、
   請求項４に記載の脳波測定用電極。
6. 前記第２の突起部が頭皮に当接したときに、前記溝部が毛髪を収容するとともに、前記溝部の端縁が頭皮に当接する、
   請求項５に記載の脳波測定用電極。
7. 前記第２の突起部の屈曲の向きが、所定の領域に向かうに傾向づけられている、
   請求項１から６までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
8. 前記第１の突起部は、前記基部に放射状に複数設けられている、
   請求項１から７までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
9. 前記第１の突起部は、錐体の先端を斜めに切り取った形状を呈し、
   前記先端が切り取られた領域に形成された面に前記第２の突起部が設けられている、
   請求項１から８までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
10. 複数の前記第２の突起部は、前記面に、先端側が開口のＵ字形状に配置されている、
    請求項９に記載の脳波測定用電極。
11. 複数の前記第２の突起部は、前記面に、千鳥格子状に配置されている、
    請求項９に記載の脳波測定用電極。
12. 複数の前記第２の突起部は、前記面に、正格子状に配置されている、
    請求項９に記載の脳波測定用電極。
13. 複数の前記第２の突起部は、前記面に、ジグザク状に配置されている、
    請求項９に記載の脳波測定用電極。
14. 複数の前記第２の突起部は、前記面から前記第１の突起部が延出する方向に対して、斜めに配置されている、
    請求項９に記載の脳波測定用電極。
15. 前記第１の突起部と前記第２の突起部は、ゴム状の弾性体からなる、
    請求項１から１４までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極。
16. 請求項１から１５までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極と、
    前記脳波測定用電極を取り付け、被測定者の頭部に装着されるフレームと、
    を有する脳波測定装置。
17. 請求項１から１５までのいずれか１項に記載の脳波測定用電極を複数備え、
    前記脳波測定用電極の前記基部は、複数の前記脳波測定用電極に対して共通に一つ設けられている、脳波測定装置。

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