JP2021138611A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体パッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021138611A
JP2021138611A JP2021079818A JP2021079818A JP2021138611A JP 2021138611 A JP2021138611 A JP 2021138611A JP 2021079818 A JP2021079818 A JP 2021079818A JP 2021079818 A JP2021079818 A JP 2021079818A JP 2021138611 A JP2021138611 A JP 2021138611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass plate
laminate
coating layer
oxide
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021079818A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7131654B2 (ja
Inventor
浩史 山本
Hiroshi Yamamoto
浩史 山本
安彦 赤尾
Yasuhiko Akao
安彦 赤尾
晃男 藤原
Akio Fujiwara
晃男 藤原
信彦 今城
Nobuhiko Imashiro
信彦 今城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of JP2021138611A publication Critical patent/JP2021138611A/ja
Priority to JP2022131636A priority Critical patent/JP7338761B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7131654B2 publication Critical patent/JP7131654B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/225—Nitrides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2456—Coating containing TiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C23C14/0652—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0694—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/212—TiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/23—Mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/28—Other inorganic materials
    • C03C2217/281—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/29—Mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/155—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by reactive sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

【課題】ＷＬＰの製造工程における基板の反りの改善として、可視光透過性を維持しつつ大きな反りを持った支持ガラス基板材料を提供する。【解決手段】ガラス板及びコーティング層を有する積層体であって、前記コーティング層が、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有し、ガラス板の厚さｄｇ及びコーティング層の厚さｄｃの比（ｄｃ／ｄｇ）が、０．０５×１０−３〜１．２×１０−３の範囲にあり、前記積層体の自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ１が、１０ｍ〜１５０ｍである積層体による。【選択図】なし

Description

本発明は、積層体及び積層体の製造方法に関し、具体的には半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板に関する。
ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）において、ｆａｎ−ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ−ｏｕｔ型のＷＬＰでは、加工基板の寸法変化を抑制するために、加工基板を支持するガラス基板が用いられることが知られている（特許文献１）。
しかしながら、ＷＬＰの製造工程には、図１に示すように、剥離層積層工程や樹脂モールド作成工程等、高温条件の工程があり、熱により基板に反りが生じることがある。
反りの改善として、より反りの小さい支持ガラス基板を用いることによる改善検討はされてきたが、支持ガラス基板をあらかじめＷＬＰの製造工程で生じる反りと逆方向に反らせることで、ＷＬＰの製造工程で生じる反りを打ち消すことを目的とした検討はされてこなかった。
また、ガラス基板に薄膜をコーティングすることで反りが生じることは知られている（特許文献２）が、ガラス板をより薄い薄膜で効率的に反りを生じさせる技術については検討されてこなかった。
日本国特開２０１７―３０９９７号公報 国際公開第２０１７／２０４１６７号
コーティング層を厚くすることで積層体の反りを大きくすることは容易だが、ｆａｎ−ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程では加工基板と支持基板の分離は可視光波長のレーザー照射を剥離層に行うことで可能にしているため、コーティング層の材質やコーティング層の厚さによりレーザーの透過が阻害されるため、問題となる。
このような状況下、可視光透過性を維持しつつ大きな反りを持った支持ガラス基板材料が望まれている。
本発明者は、特定の反りと構成を有する積層体及び特定条件による積層体の製造方法により、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、ガラス板及び、コーティング層を有する積層体であって、
前記コーティング層が、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有し、
ガラス板の厚さｄｇ及びコーティング層の厚さｄｃの比が、
ｄｃ／ｄｇ＝０．０５×１０−３〜１．２×１０−３の範囲にあり、
前記積層体の自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ１が、１０ｍ〜１５０ｍである積層体を提供する。
本発明により、可視光透過性を維持しつつ大きな反りを持った積層体を提供することができる。さらに、当該積層体を支持ガラス基板として使用することで寸法精度の高いＷＬＰの製造が可能になる。
従来のＷＬＰ製造工程（支持基板剥離まで）の１例である。 本発明の積層体を支持ガラス基板として用いたＷＬＰ製造工程（支持基板剥離まで）の１例である。
本発明の積層体及び積層体の製造方法について説明する。なお、本明細書において数値範囲を示すチルダ「〜」は、別段の断わりがない限り、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
［ガラス組成］
本発明の積層体に用いられるガラス板の組成は、特に限定されず、可視光透過率が高い公知の組成を使用できる。具体的には、波長４００ｎｍ〜１０００ｎｍにおける透過率の最低値（Ｔ％）が６０％以上のものが使用できる。
好ましい組成としては、
酸化物基準の質量％表示で、
ＳｉＯ２：４０％〜７０％、
Ｂ２Ｏ３：０％〜１５％、
ＭｇＯ：０％〜１０％、
ＣａＯ：０％〜１０％、
ＳｒＯ：０％〜１３％、
ＢａＯ：０％〜４０％、
Ｎａ２Ｏ：０％〜３０％、
Ｋ２Ｏ：０％〜１３％、
Ａｌ２Ｏ３：０．５％〜１５％、
の範囲にある組成が挙げられる。
特に好ましい組成としては、
酸化物基準の質量％表示で、
ＳｉＯ２：４９％〜７０％、
Ｂ２Ｏ３：４％〜１３％、
ＭｇＯ：０％〜０．５％、
ＣａＯ：０％〜８％、
ＳｒＯ：０％〜８％、
ＢａＯ：０％〜１３％、
Ｎａ２Ｏ：４％〜１５％、
Ｋ２Ｏ：０．１％〜１３％、
Ａｌ２Ｏ３：４％〜１３％、
の範囲にある組成が挙げられる。
組成がこの範囲にあると、可視光透過率が優れる。また、高熱膨張係数のガラス組成では、熱処理による反りの影響が大きくなるため、本発明の効果が特に大きい。
［ガラス板］
ガラス板は、本発明の積層体に用いられる。ガラス板は、例えば、前記ガラス組成を所定の形状（例えば、四角形状又は円盤状）の板に成形することで製造される。
ガラス板の成形方法は限定されず、例えば、フロート法、フュージョン法及びロールアウト法等、公知の手法を用いることができる。また、本発明において、積層体を大きく反らせるために、コーティング前のガラス板は一定の反りを有することが好ましい。
好ましいコーティング前のガラス板の反りは、ガラス板の自重たわみ補正条件（ガラスウェハが本来持つ反り量に補正した値である。重力下では自重による'たわみ'が発生するがこれを除いた値である）における曲率半径ｒ０が２００ｍ〜５００ｍが好ましく、３００ｍ〜４００ｍが更に好ましい。コーティング前のガラス板の反りがこの範囲にあることで、後述するコーティングによる積層体の反りが大きくなる。
このような条件に入るガラス板は、例えばフロート法で製造された素板から当該範囲の反りを有する部分を切り出すことで容易に得られる。
ガラス板の板厚（ｄｇ）は、０．３ｍｍ〜３．０ｍｍが好ましい。０．５ｍｍ〜２．０ｍｍが更に好ましく、０．７ｍｍ〜１．２〜ｍｍが特に好ましい。この範囲にあることで、積層体としての強度に優れ、重量も許容範囲となる。また、ガラス板は化学強化されたものを用いてもよい。
［コーティング層］
本発明において、前記ガラス板に薄膜をコーティングすることで、コーティング層が形成される。コーティング層は、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有する。窒化珪素及び酸化チタンが可視光透過性及び積層体を反らせる効果に優れるため、好ましい。
コーティング方法としては、スパッタリング法、イオンアシスト蒸着法及びエアロゾルディポジッション法等の公知の手法を用いることができる。この中でも、スパッタリング法が積層体を反らせる効果に優れるため、好ましい。そして、コーティングは、前記反りを有するガラス板の凸面側に対して行うことで、ガラス板の反りを増大させる。
コーティング層（ｄｃ）の厚さは、０．０５μｍ〜１．２μｍが好ましい。０．１μｍ〜１．０μｍが更に好ましく、０．４μｍ〜０．６μｍが特に好ましい。この範囲にあることで、積層体の反りの大きさと可視光透過性の高さを両立することができる。
［積層体］
本発明の積層体は、前記ガラス板及び前記コーティング層を有する。また、自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ１が１０ｍ〜１５０ｍであり、３０ｍ〜１００ｍの範囲が好ましい。この範囲にあることで、寸法精度の高いＷＬＰの製造が可能になる。
また、ガラス板の厚さｄｇ及びコーティング層の厚さｄｃの比がｄｃ／ｄｇ＝０．０５×１０−３〜１．２×１０−３であり、０．４×１０−３〜０．５×１０−３の範囲にあることが好ましい。この範囲にあることで、積層体の反りの大きさと可視光透過性の高さを両立することができる。
積層体の厚さは０．３ｍｍ〜３．５ｍｍが好ましい。０．５ｍｍ〜２．５ｍｍがより好ましく、０．７ｍｍ〜１．３ｍｍが特に好ましい。この範囲にあることで、積層体の強度と可視光透過性の高さを両立することができる。
また、積層体の形状は、四角形状又は円盤状が好ましい。
当該積層体は、支持ガラス基板として好適に用いられる。
［積層体の製造方法］
本発明の積層体は、前記ガラス板に前記コーティングを行うことで製造される。好ましい製造方法の具体例としては、図２に示すように、自重たわみ補正条件における曲率半径２００ｍ〜５００ｍの反りを有するガラス板１１の凸側に、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有する薄膜（コーティング層）１２のコーティングを行う工程を有する条件である。この条件で製造することで、積層体１０の自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ１が１０ｍ〜１５０ｍ以下である積層体１０を好適に得ることができる。
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明の効果を奏する限り、実施形態を適宜変更することができる。
＜評価用サンプル形状＞
直径１５０ｍｍ（６ｉｎｃｈ）、板厚１．０ｍｍの円盤状のガラス板に表１に記載の条件でコーティングを行ったものを使用した。
＜測定条件・評価条件＞
［ガラス板の厚さ（ｄｇ）及びコーティング層の厚さ（ｄｃ）の測定］
室温条件でレーザー変位計（神津精機社製Ｄｙｖｏｃｅ）を用いて、コーティング前のガラス板及びコーティング後の積層体の厚さを測定し、ｄｇ及びｄｃを求めた。
［ガラス板及び積層体の曲率半径（ｒ０、ｒ１）］
サンプルをレーザー変位計（神津精機社製のＤｙｖｏｃｅ）を用いて、両面差分モードによる自重たわみ補正により求められたサンプル本来が持つ反り量を元に形状シミュレーションにより算出した。そして、シミュレーションで得られた形状から曲率半径を求めた。
コーティング前のガラス板の自重たわみ補正条件における曲率半径をｒ０、コーティング後の積層体のガラス板の自重たわみ補正条件における曲率半径をｒ１とした。
［反りの評価］
コーティングによる反りは、一般にコーティング層が厚いほど大きくなる。そのため、反りの評価は、下記式に示すＲについて行った。評価Ａ〜Ｄのうち、Ａ、Ｂ及びＣを合格とした。
式：Ｒ＝ｒ１（ｍ）×ｄｃ（μｍ）
評価：
Ａ：Ｒ≦３０、
Ｂ：３０＜Ｒ≦５０、
Ｃ：５０＜Ｒ＜７０、
Ｄ：７０≦Ｒ
［可視光透過性］
サンプルを室温条件で分光透過率測定機（日本分光社製Ｖ−７００）を用いて、波長４００−１０００ｎｍにおける透過率の最低値（Ｔ％）を測定した。評価Ａ〜Ｃのうち、Ａ又はＢを合格とした。
評価：
Ａ：８０％≦Ｔ、
Ｂ：６０％≦Ｔ＜８０％、
Ｃ：Ｔ＜６０％
［実施例１］
フロート法により組成１（質量％でＳｉＯ2：５６．９％、Ａｌ2Ｏ3：８．１％、ＣａＯ：２．３％、ＳｒＯ：１２．３％、ＢａＯ：２０．４％）のガラスの素板（縦横１０００ｍｍ、厚さ１．４ｍｍ）を得た。前記素板の中心部から半径７５ｍｍ（直径：１５０ｍｍ）の円型に切り抜き円盤状ガラス板とした。面取り加工した後に両面研磨機（浜井製作所社製１６Ｂ−Ｎ／Ｆ）で研磨を行って板厚（ｄｇ）を１．０ｍｍに調整した。このガラス板の曲率半径ｒ０（フロート法由来）は、自重たわみ補正条件において３７０ｍであった。
その後、スパッタリング装置（アルバック社製ＳＩＶ−３４５ＸＹＳＳＳ）にてシリコンターゲットを使用し、反応性スパッタリングによりガラス板の反りの凸面側に窒化珪素膜を膜の圧縮応力が１ＧＰａとなるように形成した。コーティング層の厚さ（ｄｃ）は、０．５μｍであった。評価結果を表１に示す。
［実施例２〜実施例７及び比較例１〜４］
表１に記載の条件に変更した以外は、実施例１と同様に操作を行った。評価結果を表１に示す。
Figure 2021138611
（質量％）
・組成１：
ＳｉＯ２：５６．９％、
Ａｌ２Ｏ３：８．１％、
ＣａＯ：２．３％、
ＳｒＯ：１２．３％、
ＢａＯ：２０．４％
・組成２：
ＳｉＯ２：６８．９％、
Ａｌ２Ｏ３：５．９％、
ＭｇＯ：４．１％、
ＣａＯ：７．３％、
Ｎａ２Ｏ：１４．６％、
Ｋ２Ｏ：０．２％
本出願は、２０１８年１２月２１日に日本国特許庁に出願した特願２０１８−２４０２６２号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１８−２４０２６２号の全内容を本出願に援用する。
１０ 積層体
１１ ガラス板
１２ 薄膜（コーティング層）
本発明は、半導体パッケージの製造方法に関し、具体的には半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板に関する。
本発明者は、特定の反りと構成を有する積層体及び特定条件による半導体パッケージの製造方法により、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、ガラス基板を準備する準備工程と、
前記ガラス基板を用い半導体パッケージを製造する工程を備えた半導体パッケージの製造方法であって、
前記準備工程では、前記ガラス基板の一方の表面にコーティング層を形成する工程を備え、
前記コーティング層は、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有し、
前記ガラス板の厚さｄｇに対する前記コーティング層の厚さｄｃの比（ｄｃ／ｄｇ）が、０．０５×１０-3〜１．２×１０ -3 であり、
前記積層体の自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ１が、１０ｍ〜１５０ｍである、
半導体パッケージの製造方法を提供する。

Claims (7)

  1. ガラス板及びコーティング層を有する積層体であって、
    前記コーティング層が、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有し、
    前記ガラス板の厚さｄｇ及び前記コーティング層の厚さｄｃの比（ｄｃ／ｄｇ）が、０．０５×１０−３〜１．２×１０−３の範囲にあり、
    前記積層体の自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ１が、１０ｍ〜１５０ｍである積層体。
  2. 前記ｄｇが、０．３ｍｍ〜３．０ｍｍの範囲にあり、
    前記ｄｃが、０．０５μｍ〜１．２μｍの範囲にある請求項１に記載の積層体。
  3. 前記ガラス板に使用されるガラスの組成が、質量％で、
    ＳｉＯ２：４０％〜７０％、
    Ｂ２Ｏ３：０％〜１５％、
    ＭｇＯ：０％〜１０％、
    ＣａＯ：０％〜１０％、
    ＳｒＯ：０％〜１３％、
    ＢａＯ：０％〜４０％、
    Ｎａ２Ｏ：０％〜３０％、
    Ｋ２Ｏ：０％〜１３％、
    Ａｌ２Ｏ３：０．５％〜１５％、
    の範囲にある請求項１又は２に記載の積層体。
  4. 前記積層体の形状が、四角形状又は円盤状である請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層体。
  5. 前記積層体が、支持ガラス基板用である請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層体。
  6. 自重たわみ補正条件における曲率半径ｒ０が、２００ｍ〜５００ｍの反りを有するガラス板の凸側に、窒化珪素、酸化チタン、アルミナ、酸化ニオブ、ジルコニア、インジウム・スズ酸化物、酸化珪素、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選択される１以上の成分を含有する薄膜のコーティングを行う工程を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
  7. 前記コーティングの手法が、スパッタリング法である請求項６に記載の積層体の製造方法。
JP2021079818A 2018-12-21 2021-05-10 半導体パッケージの製造方法 Active JP7131654B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022131636A JP7338761B2 (ja) 2018-12-21 2022-08-22 積層体及び積層体の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018240262 2018-12-21
JP2018240262 2018-12-21
JP2019570593A JP6885476B2 (ja) 2018-12-21 2019-08-16 積層体及び積層体の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019570593A Division JP6885476B2 (ja) 2018-12-21 2019-08-16 積層体及び積層体の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022131636A Division JP7338761B2 (ja) 2018-12-21 2022-08-22 積層体及び積層体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021138611A true JP2021138611A (ja) 2021-09-16
JP7131654B2 JP7131654B2 (ja) 2022-09-06

Family

ID=71102744

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019570593A Active JP6885476B2 (ja) 2018-12-21 2019-08-16 積層体及び積層体の製造方法
JP2021079818A Active JP7131654B2 (ja) 2018-12-21 2021-05-10 半導体パッケージの製造方法
JP2022131636A Active JP7338761B2 (ja) 2018-12-21 2022-08-22 積層体及び積層体の製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019570593A Active JP6885476B2 (ja) 2018-12-21 2019-08-16 積層体及び積層体の製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022131636A Active JP7338761B2 (ja) 2018-12-21 2022-08-22 積層体及び積層体の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11594426B2 (ja)
JP (3) JP6885476B2 (ja)
CN (2) CN111741936B (ja)
TW (3) TWI781519B (ja)
WO (1) WO2020129297A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023127000A (ja) * 2020-08-06 2023-09-13 Ａｇｃ株式会社 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015512854A (ja) * 2012-03-05 2015-04-30 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 熱放射反射コーティングを有するプレート
WO2018051987A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 旭硝子株式会社 ガラス基板、および積層基板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4066344A (en) * 1976-08-30 1978-01-03 Dipak Chandra Talapatra Light-weight arch type structures for large reflective mirrors
JP4613706B2 (ja) * 2004-11-24 2011-01-19 住友金属鉱山株式会社 吸収型多層膜ｎｄフィルター
TW200707799A (en) * 2005-04-21 2007-02-16 Aonex Technologies Inc Bonded intermediate substrate and method of making same
JP5238924B2 (ja) * 2006-11-09 2013-07-17 並木精密宝石株式会社 単結晶基板及び窒化物半導体単結晶の製造方法
JP5471612B2 (ja) * 2009-06-22 2014-04-16 日立金属株式会社 圧電性薄膜素子の製造方法及び圧電薄膜デバイスの製造方法
JP6191138B2 (ja) 2012-01-12 2017-09-06 日本電気硝子株式会社 ガラス
JP2013253317A (ja) * 2012-05-08 2013-12-19 Fujifilm Corp 半導体装置用基板、半導体装置、調光型照明装置、自己発光表示装置、太陽電池および反射型液晶表示装置
JPWO2016017645A1 (ja) * 2014-08-01 2017-07-06 旭硝子株式会社 無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、それらの製造方法および電子デバイスの製造方法
JP6627388B2 (ja) * 2014-12-16 2020-01-08 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
CN107614452A (zh) * 2015-05-28 2018-01-19 旭硝子株式会社 玻璃基板及层叠基板
JP2017030997A (ja) 2015-07-30 2017-02-09 日本電気硝子株式会社 薄膜付き強化ガラス基板の製造方法及び薄膜付き強化ガラス基板
CN105448666A (zh) * 2015-12-02 2016-03-30 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 利用二氧化硅的应力来改变晶圆硅片基体弯曲度的方法
JP7047757B2 (ja) 2016-05-25 2022-04-05 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス基板、積層基板、およびガラス基板の製造方法
EP3560899B1 (en) * 2016-12-21 2022-02-02 LG Chem, Ltd. Method for manufacturing curved laminated glass and curved laminated glass

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015512854A (ja) * 2012-03-05 2015-04-30 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 熱放射反射コーティングを有するプレート
WO2018051987A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 旭硝子株式会社 ガラス基板、および積層基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN111741936B (zh) 2023-05-05
US20230187227A1 (en) 2023-06-15
US11594426B2 (en) 2023-02-28
TWI781519B (zh) 2022-10-21
TW202023818A (zh) 2020-07-01
JP7131654B2 (ja) 2022-09-06
JP2022164734A (ja) 2022-10-27
US20200279756A1 (en) 2020-09-03
US11817328B2 (en) 2023-11-14
TWI828360B (zh) 2024-01-01
WO2020129297A1 (ja) 2020-06-25
JPWO2020129297A1 (ja) 2021-02-15
JP6885476B2 (ja) 2021-06-16
TW202304709A (zh) 2023-02-01
TWI716991B (zh) 2021-01-21
TW202134055A (zh) 2021-09-16
CN116496000A (zh) 2023-07-28
CN111741936A (zh) 2020-10-02
JP7338761B2 (ja) 2023-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI692454B (zh) 離子交換方法及由彼得到之化學強化玻璃基板
TWI289543B (en) Glasses for flat panel displays
KR102034815B1 (ko) 유리 표면 보호용 물리적 증착층
CN100549818C (zh) 用于特殊微型光刻的基片
JP6985364B2 (ja) 破壊靭性が高い透明なケイ酸塩ガラス
JP6819613B2 (ja) ガラス基板、積層基板、積層体、および半導体パッケージの製造方法
JP2022081501A (ja) 改善された曲げ性および化学強化性を有する薄板ガラス
JP6879308B2 (ja) ガラス基板、および積層基板
JP7338761B2 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
TW202103939A (zh) 積層構件
TW201808845A (zh) 無鹼玻璃基板、積層基板、及玻璃基板之製造方法
US10580666B2 (en) Carrier substrates for semiconductor processing
TW200409739A (en) High strain point glasses
TWI784093B (zh) 製造塗佈玻璃系部件的方法
WO2022158457A1 (ja) 積層部材およびガラス組成物
JP6497918B2 (ja) 低温適用のためのコンポーネント
RU2522448C1 (ru) Покрытие для заготовки космического зеркала
TWI846902B (zh) 積層構件
JP5754140B2 (ja) 表面が強化された透光性アルミナ焼結体の製造方法
TW202334042A (zh) 具有目標熱膨脹係數及增加的模數之玻璃物件以及製造彼之方法
CN114829314A (zh) 用于层压结构的具有高模量和大cte范围的玻璃组合物
JP2023037490A (ja) 反射防止膜付き光学部材、及びその製造方法
TW201908127A (zh) 半導體處理的載體基材
JP2018035005A (ja) 誘電体多層膜付きガラス板の製造方法及び誘電体多層膜付きガラス板

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210511

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210511

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220726

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220808

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7131654

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150