JP2021136780A

JP2021136780A - 太陽電池の検査装置

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Publication number: JP2021136780A
Application number: JP2020031478A
Authority: JP
Inventors: 良吾堀井; Ryogo Horii
Original assignee: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Current assignee: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date: 2020-02-27
Filing date: 2020-02-27
Publication date: 2021-09-13
Also published as: CN113311005A

Abstract

【課題】分割溝に関連する欠陥の検査を容易に実施できる検査装置を提供する。【解決手段】検査装置は被検査物に形成される分割溝に関連する欠陥を検出する検出部を備える。検出部は被検査物に検査光を投光する投光部３１０、および、被検査物を透過した検査光を受光する受光部４１０を含む。２０は太陽電池基板であり、３０は裏面電極である。検査光を受光することにより、第１分割溝Ｐ１中の残存部ＲＡの有無を検出する。【選択図】図１４

Description

本発明は太陽電池の検査装置に関する。

太陽電池に欠陥が含まれる場合がある。欠陥は例えば、太陽電池を構成する層に形成される分割溝に関連する欠陥である。分割溝に関連する欠陥には例えば、分割溝を形成するためのスクライブ加工にともない形成される貫通部等が含まれる。太陽電池の検査装置は被検査物の欠陥を検出する。検査装置としては、例えばラインスキャンカメラにより被検査物を撮影する装置が知られている。特許文献１には従来の検査装置の一例が記載されている。

特許第５８８５４７７号公報

ラインスキャンカメラを用いる検査装置では、ラインスキャンカメラによる適切な撮影のための種々の撮影条件の設定が必要になる。

本発明の目的は分割溝に関連する欠陥の検査を容易に実施できる太陽電池の検査装置を提供することである。

本発明に関する太陽電池の検査装置は被検査物に形成される分割溝に関連する欠陥を検出する検出部を備え、前記検出部は前記被検査物に検査光を投光する投光部と、前記被検査物を透過した検査光を受光する受光素子とを含む。

上記検査装置によれば、ラインスキャンカメラを用いる場合の撮影条件の設定を省略でき、分割溝に関連する欠陥の検査を容易に実施できる。

前記検査装置の一例では、前記被検査物は複数の前記分割溝を含み、前記検出部は複数の前記受光素子を含み、前記複数の受光素子は１本の前記分割溝に１つの前記受光素子が対応するように設けられる。

上記検査装置によれば、１本の分割溝に関連する欠陥が１つの受光素子により検出されるため、個々の分割溝に関連する欠陥の検出精度がばらつきにくい。

前記検査装置の一例では、前記複数の受光素子は前記複数の分割溝が並ぶ方向に沿う複数の列を構成し、前記分割溝に沿う方向に関する前記複数の列の位置は異なる。

上記検査装置によれば、複数の分割溝が並ぶ方向に隣接する受光素子の間隔を広げることができる。

前記検査装置の一例では、前記受光素子を収容する収容部をさらに備える。

上記検査装置によれば、受光素子が保護される。

前記検査装置の一例では、前記検出部は前記受光素子への外乱光の入射を抑制する遮光部を含む。

上記検査装置によれば、分割溝に関連する欠陥の検出精度が高くなる。

前記検査装置の一例では、前記受光素子の出力電圧に応じて前記欠陥を検出する解析部をさらに備える。

上記検査装置によれば、分割溝に関連する欠陥を適切に検出できる。

前記検査装置の一例では、前記被検査物を前記検出部に対して相対的に移動させる移送部をさらに備える。

上記検査装置によれば、分割溝の全体にわたり分割溝に関連する欠陥を適切に検出できる。

本発明に関する太陽電池の検査装置によれば、分割溝に関連する欠陥の検査を容易に実施できる。

太陽電池の断面図。太陽電池の製造工程に関する図(１)。太陽電池の製造工程に関する図(２)。太陽電池の製造工程に関する図(３)。太陽電池の製造工程に関する図(４)。太陽電池の製造工程に関する図(５)。太陽電池の製造工程に関する図(６)。太陽電池の製造工程に関する図(７)。太陽電池の製造工程に関する図(８)。第１種欠陥の一例を示す図。第２種欠陥の一例を示す図。第３種欠陥の一例を示す図。第１実施形態の検査装置に関する模式図。第１種欠陥の検出方法の一例を示す図。第２種欠陥の検出方法の一例を示す図。第３種欠陥の検出方法の一例を示す図。第２実施形態の検査装置に関するブロック図。検査装置の斜視図。検査装置の側面図。受光回路部の側面図。受光回路部の平面図。被検査物および受光回路部の平面図。

(第１実施形態)
図１は太陽電池１０の断面を示す。光吸収層の材料による分類では、太陽電池１０は例えば化合物系太陽電池である。厚さによる分類では、太陽電池１０は例えば薄膜太陽電池である。太陽電池１０の説明には直交座標系が用いられる。Ｘ軸およびＹ軸により規定される平面を「基準面」と称する。太陽電池１０の平面は基準面に平行である。Ｚ軸は太陽電池１０の平面に直交する。Ｘ軸に平行な方向を「横方向」と称する。横方向の一方を「第１横方向」と称する。横方向の他方を「第２横方向」と称する。Ｙ軸に平行な方向を「縦方向」と称する。縦方向の一方を「第１縦方向」と称する。縦方向の他方を「第２縦方向」と称する。Ｚ軸に平行な方向を「厚さ方向」と称する。厚さ方向の一方を「第１厚さ方向」と称する。厚さ方向の他方を「第２厚さ方向」と称する。

太陽電池１０は例えば板である。太陽電池１０の平面視では、太陽電池１０の形状は例えば四角形である。平面視における太陽電池１０の外郭には２組の対辺が含まれる。一方の対辺は横方向に平行である。他方の対辺は縦方向に平行である。太陽電池１０は第１主面１０Ａおよび第２主面１０Ｂを含む。第１主面１０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面１０Ｂは第２厚さ方向を向く。各主面１０Ａ、１０Ｂは基準面に平行である。

太陽電池１０は複数の層を含む。一例では、太陽電池１０は基板２０、裏電極層３０、中間層４０、および、窓層５０を含む。基板２０は第１主面２０Ａおよび第２主面２０Ｂを含む。第１主面２０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面２０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面２０Ｂは太陽電池１０の第２主面１０Ｂを構成する。裏電極層３０は基板２０の第１主面２０Ａに積層される。裏電極層３０は第１主面３０Ａおよび第２主面３０Ｂを含む。第１主面３０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面３０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面３０Ｂは基板２０の第１主面２０Ａに対向する。

中間層４０は裏電極層３０の第１主面３０Ａに積層される。中間層４０は第１主面４０Ａおよび第２主面４０Ｂを含む。第１主面４０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面４０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面４０Ｂは裏電極層３０の第１主面３０Ａに対向する。中間層４０の構成について例示する。第１例では、中間層４０は光吸収層４１により構成される。光吸収層４１は裏電極層３０の第１主面３０Ａに積層される。光吸収層４１は第１主面４１Ａおよび第２主面４１Ｂを含む。第１主面４１Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面４１Ｂは第２厚さ方向を向く。第１主面４１Ａは中間層４０の第１主面４０Ａを構成する。第２主面４１Ｂは裏電極層３０の第１主面３０Ａに対向する。第２例では、中間層４０は光吸収層４１およびバッファ層４２により構成される。バッファ層４２は光吸収層４１の第１主面４１Ａに積層される。バッファ層４２は第１主面４２Ａおよび第２主面４２Ｂを含む。第１主面４２Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面４２Ｂは第２厚さ方向を向く。第１主面４２Ａは中間層４０の第１主面４０Ａを構成する。第２主面４２Ｂは光吸収層４１の第１主面４１Ａに対向する。第３例では、中間層４０は第２例の中間層４０にさらに別の層が積層された構成を備える。

窓層５０は中間層４０の第１主面４０Ａに積層される。窓層５０は第１主面５０Ａおよび第２主面５０Ｂを含む。第１主面５０Ａは第１厚さ方向を向く。第２主面５０Ｂは第２厚さ方向を向く。第２主面５０Ｂは中間層４０の第１主面４０Ａに対向する。

硬さに関する分類では、基板２０は例えばリジッド基板、フレキシブル基板、または、リジッドフレキシブル基板である。電気的性質に関する分類では、基板２０は例えば絶縁体または半導体である。透明度に関する分類では、基板２０は例えば透明基板である。一例では、基板２０はガラス基板である。ガラス基板の種類は例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス、鉛ガラス、アルカリバリウムガラス、アルミノボロシリケートガラス、および、無アルカリガラスから選択される。

裏電極層３０は例えば金属電極層である。裏電極層３０の材料は例えば、モリブデン(Ｍｏ)、チタン(Ｔｉ)、および、クロム(Ｃｒ)から選択される。光吸収層４１は例えばｐ型半導体である。光吸収層４１は例えば化合物半導体である。化合物半導体の種類は例えば、ＣＩＳ化合物、ＣＩＧＳ化合物、ＣＺＴＳ化合物、ＣｄＴｅ化合物、および、ＣｄＳ化合物から選択される。ＣＩＳ化合物の主成分は銅(Ｃｕ)、インジウム(Ｉｎ)、および、セレン(Ｓｅ)である。ＣＩＧＳ化合物の主成分は銅(Ｃｕ)、インジウム(Ｉｎ)、ガリウム(Ｇａ)、および、セレン(Ｓｅ)である。ＣＺＴＳ化合物の主成分は銅(Ｃｕ)、亜鉛(Ｚｎ)、スズ(Ｓｎ)、硫黄(Ｓ)、および、セレン(Ｓｅ)である。ＣｄＴｅ化合物の主成分はカドミウム(Ｃｄ)およびテルル(Ｔｅ)である。ＣｄＳ化合物の主成分はカドミウム(Ｃｄ)および硫黄(Ｓ)である。

バッファ層４２は例えば高抵抗層である。バッファ層４２は例えばｎ型半導体である。バッファ層４２の材料は例えば、硫化カドミウム(ＣｄＳ)、酸化亜鉛(ＺｎＯ)、硫化亜鉛(ＺｎＳ)、および、硫化インジウム(ＩｎＳ)から選択される。

窓層５０は例えばｎ型半導体である。窓層５０は例えば透明導電膜である。透明導電膜の種類は例えば、酸化錫系薄膜、酸化亜鉛系薄膜、および、酸化インジウム系薄膜から選択される。

太陽電池１０は複数の分割溝Ｐおよび複数のセル６０を含む。複数の分割溝Ｐは裏電極層３０、中間層４０、および、窓層５０を複数のセル６０に区分する。複数のセル６０は横方向に並ぶ。一例では、セル６０は縦方向に長い。セル６０の長手方向は縦方向に平行である。複数の分割溝Ｐには３種類の分割溝Ｐが含まれる。分割溝Ｐの種類は第１分割溝Ｐ１、第２分割溝Ｐ２、および、第３分割溝Ｐ３である。太陽電池１０は複数の第１分割溝Ｐ１、複数の第２分割溝Ｐ２、および、複数の第３分割溝Ｐ３を含む。一例では、各分割溝Ｐ１〜Ｐ３は縦方向に長い。各分割溝Ｐ１〜Ｐ３は縦方向に平行である。

第１分割溝Ｐ１は裏電極層３０に形成される。裏電極層３０には複数の第１分割溝Ｐ１が形成される。複数の第１分割溝Ｐ１は横方向に並ぶ。第２分割溝Ｐ２は中間層４０に形成される。中間層４０には複数の第２分割溝Ｐ２が形成される。複数の第２分割溝Ｐ２は横方向に並ぶ。第３分割溝Ｐ３は中間層４０および窓層５０に形成される。中間層４０および窓層５０には複数の第３分割溝Ｐ３が形成される。複数の第３分割溝Ｐ３は横方向に並ぶ。中間層４０は第１分割溝Ｐ１を埋める第１凸部４０Ｐを含む。窓層５０は第２分割溝Ｐ２を埋める第２凸部５０Ｐを含む。

横方向に隣接するセル６０は第１分割溝Ｐ１および第３分割溝Ｐ３により区分される。各セル６０は電気的に直列に接続される。セル６０は横方向に並ぶ１組の第３分割溝Ｐ３の間に設けられる窓層５０および中間層４０と、横方向に並ぶ１組の第１分割溝Ｐ１の間に設けられる裏電極層３０とを含む。１つのセル６０を構成する裏電極層３０、中間層４０、および、窓層５０をそれぞれ「セル裏電極層６１」、「セル中間層６２」、および、「セル窓層６３」と称する。

裏電極層３０は複数の第１分割溝Ｐ１により複数のセル裏電極層６１に分割される。セル裏電極層６１は第１横方向に隣接する別のセル６０のセル窓層６３に接続される。中間層４０および窓層５０は複数の第３分割溝Ｐ３により複数のセル中間層６２およびセル窓層６３に分割される。セル窓層６３は第２横方向に隣接する別のセル６０のセル裏電極層６１に接続される。セル中間層６２は第２分割溝Ｐ２により第１層構成部６２Ａおよび第２層構成部６２Ｂに分割される。第１層構成部６２Ａはセル裏電極層６１に積層される。第２層構成部６２Ｂは第２横方向に隣接する別のセル６０のセル裏電極層６１に積層される。

セル中間層６２は第１分割溝Ｐ１を埋める第１凸部４０Ｐを含む。第１凸部４０Ｐは横方向に隣接する１組のセル裏電極層６１を絶縁する。セル窓層６３は第２分割溝Ｐ２を埋める第２凸部５０Ｐを含む。第２凸部５０Ｐは第２横方向に隣接する別のセル６０のセル裏電極層６１に接続される。

各分割溝Ｐ１〜Ｐ３は例えばスクライブ加工により形成される。第１分割溝Ｐ１は例えばレーザスクライブにより形成される。第２分割溝Ｐ２および第３分割溝Ｐ３は例えばメカニカルスクライブにより形成される。

太陽電池１０は例えば次のように製造される。図２に示される第１工程では、基板２０が洗浄される。図３に示される第２工程では、基板２０に裏電極層３０が形成される。裏電極層３０の形成方法は例えば蒸着である。図４に示される第３工程では、裏電極層３０がパターニングされ、裏電極層３０に複数の第１分割溝Ｐ１が形成される。第１分割溝Ｐ１の形成方法は例えばレーザスクライブである。図５に示される第４工程では、裏電極層３０に光吸収層４１が形成される。一例では、第４工程には次の各工程が含まれる。裏電極層３０に金属薄膜であるプリカーサが形成される。プリカーサの形成方法は例えば蒸着である。特定のガス雰囲気中においてプリカーサにアニール処理が施される。アニール処理によりプリカーサが化合物に変化する。一例では、アニール処理によりプリカーサがセレン化または硫化される。図６に示される第５工程では、光吸収層４１にバッファ層４２が形成される。バッファ層４２の形成方法は例えば蒸着である。図７に示される第６工程では、中間層４０がパターニングされ、中間層４０に複数の第２分割溝Ｐ２が形成される。第２分割溝Ｐ２の形成方法は例えばメカニカルスクライブである。図８に示される第７工程では、中間層４０に窓層５０が形成される。窓層５０の形成方法は例えば蒸着である。図９に示される第８工程では、中間層４０および窓層５０がパターニングされ、中間層４０および窓層５０に複数の第３分割溝Ｐ３が形成される。第３分割溝Ｐ３の形成方法は例えばメカニカルスクライブである。

第３工程(図４参照)により形成される太陽電池１０の仕掛品を「第１仕掛品１０Ｘ」と称する。第６工程(図７参照)により形成される太陽電池１０の仕掛品を「第２仕掛品１０Ｙ」と称する。第１仕掛品１０Ｘ、第２仕掛品１０Ｙ、および、太陽電池１０において厚さ方向に関する第１分割溝Ｐ１に対応する部分を「第１特定部Ｑ１」と称する。横方向に関する第１特定部Ｑ１の幅は第１分割溝Ｐ１の幅に等しい。第１仕掛品１０Ｘ、第２仕掛品１０Ｙ、および、太陽電池１０において厚さ方向に関する第２分割溝Ｐ２に対応する部分を「第２特定部Ｑ２」と称する。横方向に関する第２特定部Ｑ２の幅は第２分割溝Ｐ２の幅に等しい。第１仕掛品１０Ｘ、第２仕掛品１０Ｙ、および、太陽電池１０において厚さ方向に関する第３分割溝Ｐ３に対応する部分を「第３特定部Ｑ３」と称する。横方向に関する第３特定部Ｑ３の幅は第３分割溝Ｐ３の幅に等しい。

第１仕掛品１０Ｘ、第２仕掛品１０Ｙ、および、太陽電池１０は例えば分割溝Ｐに関連する欠陥を含む場合がある。分割溝Ｐに関連する欠陥は裏電極層３０に生じる欠陥、および、中間層４０に生じる欠陥の少なくとも１つを含む。裏電極層３０の欠陥は例えば、第１〜第３種欠陥の少なくとも１つを含む。

第１種欠陥は裏電極層３０の第１特定部Ｑ１に関する欠陥である。図１０は第１種欠陥の一例を示す。第２種欠陥は裏電極層３０の第２特定部Ｑ２に関する欠陥である。図１１は第２種欠陥の一例を示す。第３種欠陥は裏電極層３０の第３特定部Ｑ３に関する欠陥である。図１２は第３種欠陥の一例を示す。

図１０に示されるように、裏電極層３０における第１種欠陥が生じた部分では、スクライブ加工において削り残された裏電極層３０の一部(以下「残存部ＲＡ」という)が第１分割溝Ｐ１に存在する。第１分割溝Ｐ１を形成するためのスクライブ加工の工程では、種々の加工条件の影響により残存部ＲＡが生じる場合がある。残存部ＲＡの形成範囲および形状等は加工条件に応じて異なる。残存部ＲＡの状態について例示する。第１例では、残存部ＲＡは横方向に隣接する１組のセル裏電極層６１の両方に繋がる。第２例では、残存部ＲＡは横方向に隣接する１組のセル裏電極層６１の一方に繋がる。

図１１に示されるように、裏電極層３０における第２種欠陥が生じた部分では、裏電極層３０の第２特定部Ｑ２に貫通部ＲＢが形成される。貫通部ＲＢは裏電極層３０を厚さ方向に貫通する。第２分割溝Ｐ２を形成するためのスクライブ加工の工程では、種々の加工条件の影響により貫通部ＲＢが形成される場合がある。貫通部ＲＢの形成範囲および形状等は加工条件に応じて異なる。

図１２に示されるように、裏電極層３０における第３種欠陥が生じた部分では、裏電極層３０の第３特定部Ｑ３に貫通部ＲＢが形成される。貫通部ＲＢは裏電極層３０を厚さ方向に貫通する。第３分割溝Ｐ３を形成するためのスクライブ加工の工程では、種々の加工条件の影響により貫通部ＲＢが形成される場合がある。貫通部ＲＢの形成範囲および形状等は加工条件に応じて異なる。

図１３は太陽電池１０の検査装置１００の一例を示す。検査装置１００は被検査物Ｗの欠陥を検出できるように構成される。被検査物Ｗには例えば、第１仕掛品１０Ｘ、第２仕掛品１０Ｙ、および、太陽電池１０の少なくとも１つが含まれる。被検査物Ｗのサイズは任意に選択できる。一例では、横方向に関する被検査物Ｗの長さは６００ｍｍ〜７００ｍｍの範囲に含まれる。縦方向に関する被検査物Ｗの長さは１５００ｍｍ〜１６００ｍｍの範囲に含まれる。

被検査物Ｗは第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢを含む。被検査物Ｗが第１仕掛品１０Ｘである場合、被検査物Ｗの第１主面ＷＡは裏電極層３０の第１主面３０Ａである。被検査物Ｗが第２仕掛品１０Ｙである場合、被検査物Ｗの第１主面ＷＡは中間層４０の第１主面４０Ａである。被検査物Ｗが太陽電池１０である場合、被検査物Ｗの第１主面ＷＡは窓層５０の第１主面５０Ａである。被検査物Ｗが第１仕掛品１０Ｘ、第２仕掛品１０Ｙ、または、太陽電池１０である場合、被検査物Ｗの第２主面ＷＢは基板２０の第２主面２０Ｂである。

検査装置１００による被検査物Ｗの検査対象範囲は１または複数の単位範囲を含む。単位範囲は３種類に分類される。第１種単位範囲は１本の第１分割溝Ｐ１を含む。第２種単位範囲は１本の第２分割溝Ｐ２に対応する第２特定部Ｑ２を含む。第３種単位範囲は１本の第３分割溝Ｐ３に対応する第３特定部Ｑ３を含む。検査対象範囲の内容について例示する。第１例では、検査対象範囲は１または複数の第１単位範囲を含む。第１単位範囲の数は１から全数の間で任意に設定できる。第１単位範囲の全数は第１分割溝Ｐ１の全数に等しい。第２例では、検査対象範囲は１または複数の第２単位範囲を含む。第２単位範囲の数は１から全数の間で任意に設定できる。第２単位範囲の全数は第２分割溝Ｐ２の全数に等しい。第３例では、検査対象範囲は１または複数の第３単位範囲を含む。第３単位範囲の数は１から全数の間で任意に設定できる。第３単位範囲の全数は第３分割溝Ｐ３の全数に等しい。第４例では、検査対象範囲は第１〜第３例の少なくとも２種類の検査対象範囲を含む。

被検査物Ｗの検査内容の種類について例示する。第１例では、被検査物Ｗは第１仕掛品１０Ｘである。検査対象範囲は裏電極層３０の第１特定部Ｑ１である。検出される欠陥の種類は第１仕掛品１０Ｘの第１種欠陥である。第２例では、被検査物Ｗは第２仕掛品１０Ｙである。検査対象範囲は裏電極層３０の第１特定部Ｑ１である。検出される欠陥の種類は第２仕掛品１０Ｙの第１種欠陥である。第３例では、被検査物Ｗは第２仕掛品１０Ｙである。検査対象範囲は裏電極層３０の第２特定部Ｑ２である。検出される欠陥の種類は第２仕掛品１０Ｙの第２種欠陥である。第４例では、第２例および第３例の内容が含まれる。第５例では、被検査物Ｗは太陽電池１０である。検査対象範囲は第１分割溝Ｐ１である。検出される欠陥の種類は太陽電池１０の第１種欠陥である。第６例では、被検査物Ｗは太陽電池１０である。検査対象範囲は第２特定部Ｑ２である。検出される欠陥の種類は太陽電池１０の第２種欠陥である。第７例では、被検査物Ｗは太陽電池１０である。検査対象範囲は第３特定部Ｑ３である。検出される欠陥の種類は太陽電池１０の第３種欠陥である。第８例では、第５〜第７例の内容の少なくとも２つが含まれる。

検査装置１００は検出部２００を含む。検出部２００は被検査物Ｗに形成される分割溝Ｐに関連する欠陥を検出できるように構成される。検出部２００は光学的方法により被検査物Ｗの欠陥を検出する。分割溝Ｐに関連する欠陥は例えば、被検査物Ｗの裏電極層３０に生じる。検出部２００は１または複数の受光素子４１０を含む。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光する。検出部２００による被検査物Ｗの検査対象範囲には、例えば第１特定部Ｑ１、第２特定部Ｑ２、および、第３特定部Ｑ３の少なくとも１つが含まれる。受光素子４１０により欠陥を検出する検査装置１００では、例えば次のような効果が得られる。分割溝Ｐに関連する欠陥の検査を容易に実施できる。検査装置１００のコストを抑えることができる。高さ方向に関する被検査物Ｗと検出部２００との距離を短くできる。これは例えば高さ方向に関する検査装置１００の小型化に寄与する。

検出部２００は投光部３００および受光部４００を含む。投光部３００は検査光を出力する光源３１０を含む。検査光は例えば可視光である。受光部４００は１または複数の受光素子４１０を含む。受光素子４１０の種類は例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、および、アバランシェフォトダイオードから選択される。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光するように設けられる。

検出部２００による各単位範囲の検査方法について例示する。第１例では、検出部２００は検査対象範囲に含まれる複数の第１種単位範囲の検査を並行して実施する。第２例では、検出部２００は検査対象範囲に含まれる複数の第２種単位範囲の検査を並行して実施する。第３例では、検出部２００は検査対象範囲に含まれる複数の第３種単位範囲の検査を並行して実施する。第４例では、検出部２００は第１〜第３例の検査方法の少なくとも２つを並行して実施する。第５例では、検出部２００は第１〜第３例の検査方法の少なくとも２つを順番に実施する。第７例では、検出部２００は検査対象範囲に含まれる複数の第１種単位範囲を複数のグループに分割し、複数のグループについて順番に検査を実施する。１つのグループは少なくとも１つの第１種単位範囲を含む。第８例では、検出部２００は検査対象範囲に含まれる複数の第２種単位範囲を複数のグループに分割し、複数のグループについて順番に検査を実施する。１つのグループは少なくとも１つの第２種単位範囲を含む。第９例では、検出部２００は検査対象範囲に含まれる複数の第３種単位範囲を複数のグループに分割し、複数のグループについて順番に検査を実施する。１つのグループは少なくとも１つの第３種単位範囲を含む。第１０例では、検出部２００は第７〜第９例の検査方法の少なくとも２つを並行して実施する。第１１例では、検出部２００は第７〜第９例の検査方法の少なくとも２つを順番に実施する。

一例では、検査装置１００は移送部１１０をさらに備える。移送部１１０は検出部２００と被検査物Ｗとを相対的に移動させる。移送部１１０による移動対象に関する構成について例示する。第１例では、移送部１１０は検出部２００に対して被検査物Ｗを移動させる。第２例では、移送部１１０は被検査物Ｗに対して検出部２００を相対的に移動させる。第３例では、移送部１１０は被検査物Ｗおよび検出部２００の両方を相対的に移動させる。移送部１１０は被検査物Ｗを移動させる第１のアクチュエータ、および、検出部２００を移動させる第２のアクチュエータの少なくとも１つを含む。第１のアクチュエータは電源から供給される電気エネルギーを被検査物Ｗの運動に変換する。第２のアクチュエータは電源から供給される電気エネルギーを検出部２００の運動に変換する。

移送部１１０による相対移動方向に関する構成について例示する。第１例では、移送部１１０は検出部２００と被検査物Ｗとを縦方向に相対移動させる第１移送構造を含む。第２例では、移送部１１０は検出部２００と被検査物Ｗとを横方向に相対移動させる第２移送構造を含む。第３例では、移送部１１０は検出部２００と被検査物Ｗとを厚さ方向に相対移動させる第３移送構造を含む。第４例では、移送部１１０は第１〜第３例の少なくとも２つの移送構造を含む。移送部１１０に第１移送構造が含まれる例では、検出部２００は１箇所の単位範囲について縦方向の全体にわたり連続的に検査できる。１箇所の検査対象範囲とは、１本の第１分割溝Ｐ１、１本の第２分割溝Ｐ２に対応する第２特定部Ｑ２、または、１本の第３分割溝Ｐ３に対応する第３特定部Ｑ３である。移送部１１０に第２移送構造が含まれる例では、１つの受光素子４１０に対応する単位範囲を横方向の移動に応じて変更できる。移送部１１０に第３移送構造が含まれる例では、厚さ方向に関する被検査物Ｗに対する受光素子４１０の位置を変更できる。

一例では、検査装置１００は処理部１２０をさらに備える。処理部１２０は検出部２００と有線通信または無線通信できるように検出部２００に接続される。検出部２００は受光素子４１０の出力電圧を含む検出情報を処理部１２０に出力する。処理部１２０は受光素子４１０の出力電圧を参照し、被検査物Ｗの欠陥を検出する。

図１４を参照して、検査装置１００による第１種欠陥の検出方法の一例について説明する。光源３１０は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方に面するように設けられる。受光素子４１０は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの他方に面するように設けられる。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光できるように設けられる。光源３１０は第１分割溝Ｐ１に検査光を出力する。

第１分割溝Ｐ１の対象部分に残存部ＲＡが存在しない場合、検査光は被検査物Ｗを透過する。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光する。第１分割溝Ｐ１の対象部分に残存部ＲＡが存在する場合、検査光は残存部ＲＡに反射される。受光素子４１０は検査光を受光しない、または、残存部ＲＡが存在しない場合よりも弱い検査光を受光する。受光素子４１０の受光量は欠陥に関する状態に応じて異なる。

残存部ＲＡが存在する場合の受光素子４１０の受光量は残存部ＲＡが存在しない場合の受光素子４１０の受光量よりも少ない。受光素子４１０の受光量が少ない状態には受光量が０の状態も含まれる。残存部ＲＡが存在する場合の受光素子４１０の出力電圧は残存部ＲＡが存在しない場合の受光素子４１０の出力電圧よりも低い。

処理部１２０は受光素子４１０の出力電圧を参照し、裏電極層３０における第１種欠陥の有無を判定する。一例では、受光素子４１０の出力電圧が第１基準電圧以上の場合、第１分割溝Ｐ１の対象部分に第１種欠陥が存在しないと判定される。受光素子４１０の出力電圧が第１基準電圧未満の場合、第１分割溝Ｐ１の対象部分に第１種欠陥が存在すると判定される。

図１５を参照して、検査装置１００による第２種欠陥の検出方法の一例について説明する。光源３１０は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方に面するように設けられる。受光素子４１０は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの他方に面するように設けられる。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光できるように設けられる。光源３１０は裏電極層３０の第２特定部Ｑ２に検査光を出力する。

裏電極層３０の第２特定部Ｑ２の対象部分に貫通部ＲＢが存在しない場合、検査光は裏電極層３０に反射される。受光素子４１０は検査光を受光しない。裏電極層３０の第２特定部Ｑ２の対象部分に貫通部ＲＢが存在する場合、検査光は被検査物Ｗを透過する。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光する。受光素子４１０の受光量は欠陥に関する状態に応じて異なる。

貫通部ＲＢが存在する場合の受光素子４１０の受光量は貫通部ＲＢが存在しない場合の受光素子４１０の受光量よりも多い。貫通部ＲＢが存在する場合の受光素子４１０の出力電圧は貫通部ＲＢが存在しない場合の受光素子４１０の出力電圧よりも高い。

処理部１２０は受光素子４１０の出力電圧を参照し、裏電極層３０における第２種欠陥の有無を判定する。一例では、受光素子４１０の出力電圧が第２基準電圧未満の場合、裏電極層３０の第２特定部Ｑ２の対象部分に第２種欠陥が存在しないと判定される。受光素子４１０の出力電圧が第２基準電圧以上の場合、裏電極層３０の第２特定部Ｑ２の対象部分に第２種欠陥が存在すると判定される。

図１６を参照して、検査装置１００による第３種欠陥の検出方法の一例について説明する。光源３１０は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方に面するように設けられる。受光素子４１０は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの他方に面するように設けられる。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光できるように設けられる。光源３１０は裏電極層３０の第３特定部Ｑ３に検査光を出力する。

裏電極層３０の第３特定部Ｑ３の対象部分に貫通部ＲＢが存在しない場合、検査光は裏電極層３０に反射される。受光素子４１０は検査光を受光しない。裏電極層３０の第３特定部Ｑ３の対象部分に貫通部ＲＢが存在する場合、検査光は被検査物Ｗを透過する。受光素子４１０は被検査物Ｗを透過した検査光を受光する。受光素子４１０の受光量は欠陥に関する状態に応じて異なる。

処理部１２０は受光素子４１０の出力電圧を参照し、裏電極層３０における第３種欠陥の有無を判定する。一例では、受光素子４１０の出力電圧が第３基準電圧未満の場合、裏電極層３０の第３特定部Ｑ３の対象部分に第３種欠陥が存在しないと判定される。受光素子４１０の出力電圧が第３基準電圧以上の場合、裏電極層３０の第３特定部Ｑ３の対象部分に第３種欠陥が存在すると判定される。

(第２実施形態)
図１７は第２実施形態の検査装置１００に関するブロック図を示す。検査装置１００は複数の機能ブロックＦ１０を含む。複数の機能ブロックＦ１０には例えば、発光部Ｆ１１、光電変換部Ｆ１２、増幅部Ｆ１３、ＡＤ変換部Ｆ１４、位置検出部Ｆ１５、解析部Ｆ１６、および、データ変換部Ｆ１７が含まれる。発光部Ｆ１１は検査光を出力する。光電変換部Ｆ１２は受光した検査光の光量に応じて出力電圧を出力する。増幅部Ｆ１３は光電変換部Ｆ１２の出力電圧を増幅する。ＡＤ変換部Ｆ１４は増幅部Ｆ１３から出力される出力電圧のアナログ信号をデジタル信号に変換する。位置検出部Ｆ１５は被検査物Ｗの検査対象部位の位置情報を検出する。解析部Ｆ１６はＡＤ変換部Ｆ１４から出力される電圧情報、および、位置検出部Ｆ１５から出力される位置情報を参照し、被検査物Ｗの検査対象部位における欠陥を検出する。データ変換部Ｆ１７は解析部Ｆ１６から出力される情報を特定形式のデータに変換する。

図１８および図１９は検査装置１００のハードウェアの構成の一例を示す。図１８は検査装置１００の斜視図を示す。図１９は検査装置１００の側面図を示す。検査装置１００の説明には直交座標系が用いられる。Ｘ軸およびＹ軸により規定される平面を「基準面」と称する。検査装置１００の平面は基準面に平行である。Ｚ軸は検査装置１００の平面に直交する。Ｘ軸に平行な方向を「幅方向」と称する。Ｙ軸に平行な方向を「奥行方向」と称する。Ｚ軸に平行な方向を「高さ方向」と称する。一例では、太陽電池１０の横方向は検査装置１００の幅方向に平行である。太陽電池１０の縦方向は検査装置１００の奥行方向に平行である。太陽電池１０の厚さ方向は検査装置１００の高さ方向に平行である。

検査装置１００は検出部２００、移送部１１０、処理部１２０、および、支持部１３０を備える。支持部１３０は検出部２００を支持する。一例では、支持部１３０は台１３１および柱１３２を含む。台１３１は設置面に設置される。検出部２００は支持部１３０に固定される。検出部２００は投光部３００および受光部４００を含む。投光部３００および受光部４００の一方は台１３１に支持される。柱１３２は台１３１に設けられる。または、柱１３２は台１３１に支持される投光部３００および受光部４００の一方に設けられる。投光部３００および受光部４００の他方は柱１３２に支持される。

処理部１２０は端末装置１２１を含む。端末装置１２１は例えばパーソナルコンピュータ、携帯情報端末、および、タブレット型端末から選択される。端末装置１２１は通信機器を介して検出部２００と通信する。一例では、端末装置１２１は被検査物Ｗの欠陥に関する情報をディスプレイに表示する。

検出部２００による欠陥の検出形態の一例では、光電変換部Ｆ１２は被検査物Ｗを透過した検査光を受光する。投光部３００は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方に面する。受光部４００は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの他方に面する。高さ方向に関する投光部３００および受光部４００の間には、被検査物Ｗが通過する検査空間２１０が設けられる。

移送部１１０は例えば第１コンベア１１１、第２コンベア１１２、間隙部１１０Ａ、および、エンコーダ１１３を含む。第１コンベア１１１および第２コンベア１１２は第１移送構造を含む。第１移送構造は被検査物Ｗを検出部２００に対して移動させる。第１コンベア１１１は被検査物Ｗの移動方向に関して検査空間２１０に対する上流に設けられる。第２コンベア１１２は被検査物Ｗの移動方向に関して検査空間２１０に対する下流に設けられる。間隙部１１０Ａは第１コンベア１１１と第２コンベア１１２との間に設けられる。間隙部１１０Ａの構成について例示する。図１９に示される第１例では、間隙部１１０Ａは光源３１０から出力される検査光が第１コンベア１１１と第２コンベア１１２との間を透過するように構成される。第２例では、間隙部１１０Ａは光源３１０を配置できるように構成される。エンコーダ１１３は位置検出部Ｆ１５を含む。エンコーダ１１３は各コンベア１１１、１１２の回転位置を検出する。

被検査物Ｗは各コンベア１１１、１１２により所定の搬送方向に搬送される。第１コンベア１１１は検査空間２１０を通過するように被検査物Ｗを搬送方向の上流から下流に搬送する。第２コンベア１１２は検査空間２１０を通過した被検査物Ｗを搬送方向の上流から下流に搬送する。一例では、被検査物Ｗの縦方向は搬送方向に平行である。

第１検査形態の投光部３００および受光部４００の位置関係について例示する。図示される第１例では、投光部３００は台１３１に支持される。柱１３２は投光部３００に設けられる。受光部４００は柱１３２に支持される。受光部４００は投光部３００に対して上方に設けられる。第２例では、受光部４００は台１３１に支持される。柱１３２は受光部４００に設けられる。投光部３００は柱１３２に支持される。投光部３００は受光部４００に対して上方に設けられる。

投光部３００は光源３１０および第１ケース３２０を含む。第１ケース３２０は台１３１および柱１３２の一方に取り付けられる。第１ケース３２０は光源３１０を収容する。第１ケース３２０は光源３１０から出力される検査光が透過する第１窓部３２１を含む。一例では、第１窓部３２１は第１ケース３２０に設けられる開口部である。光源３１０は第１ケース３２０に取り付けられる。光源３１０は発光部Ｆ１１を含む。図示される例では、光源３１０はＬＥＤバー照明である。ＬＥＤバー照明は被検査物Ｗの横方向の全体に検査光を出力できるように構成される。一例では、光源３１０の光軸は被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方に直交する。

受光部４００は第２ケース４２０および変換部５００を含む。第２ケース４２０は台１３１および柱１３２の他方に取り付けられる。第２ケース４２０は変換部５００を収容する。第２ケース４２０は被検査物Ｗを透過した検査光が透過する第２窓部４２１を含む。一例では、第２窓部４２１は第２ケース４２０に設けられる開口部である。

変換部５００は受光回路部６００を含む。受光回路部６００は受光素子４１０、受光回路基板６１０、増幅回路６２０、第１マイクロコントローラ６３０、および、通信回路６４０を含む。受光回路基板６１０は第２ケース４２０に取り付けられる。受光回路基板６１０は表主面６１０Ａおよび裏主面６１０Ｂを含む。表主面６１０Ａおよび裏主面６１０Ｂは検査装置１００の平面に平行である。表主面６１０Ａは被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方に面する。裏主面６１０Ｂは厚さ方向に関して表主面６１０Ａとは反対方向を向く。

受光素子４１０は受光回路基板６１０の表主面６１０Ａに設けられる。受光素子４１０は光電変換部Ｆ１２を含む。増幅回路６２０は受光回路基板６１０の表主面６１０Ａまたは裏主面６１０Ｂに設けられる。増幅回路６２０は増幅部Ｆ１３を含む。受光素子４１０は増幅回路６２０に接続される。受光素子４１０の出力電圧は増幅回路６２０に入力される。第１マイクロコントローラ６３０は受光回路基板６１０の表主面６１０Ａまたは裏主面６１０Ｂに設けられる。第１マイクロコントローラ６３０はＡＤ変換部Ｆ１４を含む。増幅回路６２０は第１マイクロコントローラ６３０に接続される。増幅回路６２０の出力電圧は第１マイクロコントローラ６３０に入力される。通信回路６４０は受光回路基板６１０の表主面６１０Ａまたは裏主面６１０Ｂに設けられる。第１マイクロコントローラ６３０は通信回路６４０に接続される。第１マイクロコントローラ６３０から出力されるデジタル信号は通信回路６４０に入力される。

変換部５００は出力回路部７００をさらに含む。出力回路部７００は出力回路基板７１０および第２マイクロコントローラ７２０を含む。出力回路基板７１０は第２ケース４２０に取り付けられる。出力回路基板７１０は表主面７１０Ａおよび裏主面７１０Ｂを含む。表主面７１０Ａおよび裏主面７１０Ｂは検査装置１００の平面に平行である。表主面７１０Ａは検査装置１００の高さ方向に関して受光回路基板６１０の表主面６１０Ａと同じ方向を向く。裏主面７１０Ｂは検査装置１００の高さ方向に関して受光回路基板６１０の裏主面６１０Ｂと同じ方向を向く。

第２マイクロコントローラ７２０は出力回路基板７１０の表主面７１０Ａまたは裏主面７１０Ｂに設けられる。第２マイクロコントローラ７２０は解析部Ｆ１６およびデータ変換部Ｆ１７を含む。データ変換部Ｆ１７により変換される特定形式のデータは例えば端末装置１２１において利用される形式のデータである。第２マイクロコントローラ７２０は通信回路６４０の出力信号およびエンコーダ１１３の出力信号を受信できるように通信回路６４０およびエンコーダ１１３と接続される。第２マイクロコントローラ７２０は通信機器を介して端末装置１２１に接続される。通信機器は有線通信または無線通信するように第２マイクロコントローラ７２０と端末装置１２１とを接続する。

検出部２００および投光部３００の構成について説明する。第１例では、検出部２００は被検査物Ｗの第１特定部Ｑ１に関する欠陥を検出する。投光部３００の光源３１０は少なくとも被検査物Ｗの第１特定部Ｑ１に検査光を出力するように構成される。第２例では、検出部２００は被検査物Ｗの第２特定部Ｑ２に関する欠陥を検出する。投光部３００の光源３１０は少なくとも被検査物Ｗの第２特定部Ｑ２に検査光を出力するように構成される。第３例では、検出部２００は被検査物Ｗの第３特定部Ｑ３に関する欠陥を検出する。投光部３００の光源３１０は少なくとも被検査物Ｗの第３特定部Ｑ３に検査光を出力するように構成される。第４例では、検出部２００および投光部３００は第１〜第３例の少なくとも２つの構成を備える。

受光回路基板６１０および受光素子４１０の構成の一例について説明する。第１例では、受光回路部６００は１枚の受光回路基板６１０および複数の受光素子４１０を含む。１枚の受光回路基板６１０に全数の受光素子４１０が設けられる。第２例では、受光回路部６００は複数枚の受光回路基板６１０および複数の受光素子４１０を含む。複数枚の受光回路基板６１０は例えば検査装置１００の幅方向に並ぶ。個々の受光回路基板６１０に１または複数の受光素子４１０が設けられる。個々の受光回路基板６１０の受光素子４１０の数は等しい、または、異なる。

受光回路部６００に設けられる受光素子４１０の数について例示する。第１例では、受光回路部６００は検査対象範囲に含まれる単位範囲の数と同数の受光素子４１０を含む。個々の受光素子４１０は個々の単位範囲に対応するように設けられる。第２例では、受光回路部６００は検査対象範囲に含まれる複数の単位範囲よりも多い数の受光素子４１０を含む。複数の受光素子４１０は単位範囲に対応する第１グループ、および、単位範囲に対応しない第２グループに分類される。第１グループに含まれる受光素子４１０の数は検査対象範囲に含まれる単位範囲の数に等しい。個々の受光素子４１０は個々の単位範囲に対応するように設けられる。第２グループに含まれる受光素子４１０は例えば第１〜第３種欠陥の検出とは別の用途に利用できる。第３例では、受光回路部６００は検査対象範囲に含まれる単位範囲の数よりも少ない受光素子４１０を含む。個々の受光素子４１０は個々の単位範囲に対応するように設けられる。

一例では、複数の受光素子４１０は１または複数の列を構成する。列は所定方向に関する複数の受光素子４１０の並びである。所定方向は例えば検査装置１００の幅方向、奥行方向、および、幅方向または奥行方向に交差する方向から選択される。列の構成について例示する。第１例では、複数の受光素子４１０は１つの列を構成する。第２例では、複数の受光素子４１０は複数の列を構成する。検査装置１００の奥行方向に関する複数の列の位置は異なる。複数の列に含まれる受光素子４１０の数は等しい、または、異なる。

複数の受光素子４１０が複数の列を構成する場合の詳細について例示する。第１例では、複数の受光素子４１０は第１例および第２列を構成する。第１列は複数の受光素子４１０の一部により構成される。第２列は複数の受光素子４１０の他の一部により構成される。第１列および第２列は検査装置１００の幅方向に平行である。各列を構成する受光素子４１０の数は等しい、または、異なる。検査装置１００の奥行方向に関する第２列の位置は第１列の位置とは異なる。第２列は第１列に対して被検査物Ｗの移動方向に関する下流に位置する。第２例では、複数の受光素子４１０は第１例および第２列の他に少なくとも１列以上の他の列を含む。第１列および第２列を構成する複数の受光素子４１０とは別の複数の受光素子４１０により構成される。各列は検査装置１００の幅方向に平行である。各列を構成する受光素子４１０の数は等しい、または、異なる。検査装置１００の奥行方向に関する他の列の位置は第１列および第２列の位置とは異なる。他の列は第２列に対して被検査物Ｗの移動方向に関する下流に位置する。

検査装置１００の奥行方向に関する各列の間隔を「列間隔」と称する。各列において検査装置１００の幅方向に隣接する受光素子４１０の間隔を「素子間隔」と称する。列間隔および素子間隔の関係について例示する。第１例では、列間隔は素子間隔に等しい。第２例では、列間隔は素子間隔よりも広い。第３例では、列間隔は素子間隔よりも狭い。第１〜第３例は複数の受光素子４１０が２つの列を構成する場合、および、３つ以上の列を構成する場合に共通する。複数の受光素子４１０が３つ以上の列を構成する場合には、さらに次の例が含まれる。第４例では、一部の列間隔は素子間隔に等しく、他の一部の列間隔は素子間隔よりも広い。第５例では、一部の列間隔は素子間隔に等しく、他の一部の列間隔は素子間隔よりも狭い。第６例では、一部の列間隔は素子間隔よりも広く、他の一部の列間隔は素子間隔よりも狭い。複数の受光素子４１０が３列以上を構成する場合の各列間隔の関係について例示する。第１例では、各列間の列間隔は等しい。第２例では、各列間の列間隔は異なる。第３例では、一部の列間隔は等しく、他の一部の列間隔は異なる。

一例では、受光部４００は第２ケース４２０に対して受光回路基板６１０を着脱する着脱構造を含む。着脱構造を含む例では、受光回路基板６１０の数、受光回路基板６１０の配列、および、受光回路基板６１０の種類等を検査条件に応じて容易に変更できる。検査条件には例えば、被検査物Ｗの検査対象範囲、被検査物Ｗのサイズ、被検査物Ｗの種類、および、被検査物Ｗの構造が含まれる。受光回路基板６１０の種類を決める条件には例えば、受光回路基板６１０のサイズ、受光回路基板６１０に設けられる受光素子４１０の数、受光回路基板６１０における受光素子４１０の配置、受光回路基板６１０に設けられる受光素子４１０以外の要素の内容、および、その要素の配置等の少なくとも１つが含まれる。

図２０および図２１は受光回路部６００の構成の一例を示す。受光回路基板６１０は検査装置１００の奥行方向に長い。受光回路基板６１０は検査装置１００の奥行方向に関する第１端部６１１および第２端部６１２を含む。第１端部６１１は被検査物Ｗの搬送方向に関する上流に位置する。第２端部６１２は被検査物Ｗの搬送方向に関する下流に位置する。

受光回路部６００は収容部６５０および遮光部６６０の少なくとも１つをさらに含む。収容部６５０は受光回路基板６１０または第２ケース４２０に取り付けられる。収容部６５０は受光素子４１０を収容する。遮光部６６０は受光素子４１０への外乱光の入射を抑制するように構成される。遮光部６６０の構成について例示する。図示される第１例では、遮光部６６０は収容部６５０の一部として収容部６５０と一体的に構成される。第２例では、遮光部６６０は収容部６５０とは別に固定され、収容部６５０に取り付けられる。第３例では、遮光部６６０は収容部６５０とは別に構成され、受光回路基板６１０または第２ケース４２０に取り付けられる。

受光素子４１０、増幅回路６２０、第１マイクロコントローラ６３０、および、収容部６５０は受光回路基板６１０の表主面６１０Ａに設けられる。通信回路６４０は受光回路基板６１０の裏主面６１０Ｂに設けられる。収容部６５０および受光素子４１０は検査装置１００の奥行方向に関する第１端部６１１寄りの部分に設けられる。通信回路６４０は検査装置１００の奥行方向に関する第２端部６１２寄りの部分に設けられる。増幅回路６２０および第１マイクロコントローラ６３０は検査装置１００の奥行方向に関する収容部６５０と通信回路６４０との間に設けられる。

受光回路部６００は固定部６７０をさらに含む。固定部６７０は収容部６５０を受光回路基板６１０に固定する。固定部６７０は収容部６５０に設けられる貫通部６７１、受光回路基板６１０に設けられる貫通部６７１、および、固定部材６７２を含む。固定部材６７２はねじ付きファスナ６７２Ａおよびナット６７２Ｂを含む。ねじ付きファスナ６７２Ａは収容部６５０の貫通部６７１および受光回路基板６１０の貫通部６７１に挿入される。ナット６７２Ｂはねじ付きファスナ６７２Ａにかみ合う。固定部材６７２により収容部６５０が受光回路基板６１０に固定される。

収容部６５０は端面６５０Ａ、第１収容部６５１、第２収容部６５２、および、案内部６５３を含む。遮光部６６０は収容部６５０における案内部６５３の周囲に設けられる。遮光部６６０は遮光性を有する遮光材料により構成される。一例では、収容部６５０の全体が遮光材料により構成される。

第１収容部６５１は受光素子４１０を収容する空間を含む。第２収容部６５２はねじ付きファスナ６７２Ａのヘッドを収容する空間を含む。第２収容部６５２は端面６５０Ａに開口する。ねじ付きファスナ６７２Ａのヘッドは端面６５０Ａに対して収容部６５０の外部に突出しないように第２収容部６５２に収容される。案内部６５３は検査光を第１収容部６５１に案内する通路を含む。案内部６５３は端面６５０Ａに開口する。案内部６５３の通路は第１収容部６５１の空間に繋がる。第１収容部６５１の中心軸および案内部６５３の中心軸は検査装置１００の高さ方向に平行である。

検査装置１００の奥行方向または幅方向に関する案内部６５３の通路の幅について例示する。第１例では、奥行方向または幅方向に関する案内部６５３の通路の幅は第１収容部６５１の空間の幅よりも狭い。第２例では、奥行方向または幅方向に関する案内部６５３の通路の幅は第１収容部６５１の空間の幅よりも広い。第３例では、奥行方向または幅方向に関する案内部６５３の通路の幅は第１収容部６５１の空間の幅に等しい。

検査装置１００の高さ方向に関する検査空間２１０の寸法を「検査空間高さ」と称する。検査空間高さは例えば高さ方向に関する投光部３００の第１窓部３２１と受光部４００の第２窓部４２１との距離に相当する。検査空間高さの設定について例示する。第１例では、検査空間高さは投光部３００の高さよりも低い。投光部３００の高さは例えば第１ケース３２０の高さである。第２例では、検査空間高さは受光部４００の高さよりも低い。受光部４００の高さは例えば第２ケース４２０の高さである。第３例では、検査空間高さは収容部６５０の高さよりも低い。収容部６５０の高さは例えば受光回路基板６１０の表主面６１０Ａと収容部６５０の端面６５０Ａとの距離である。第４例では、検査空間高さは第１〜第３例の設定の少なくとも２つを満たす。

収容部６５０の端面６５０Ａと被検査物Ｗの第１主面ＷＡおよび第２主面ＷＢの一方との距離を「対象距離」と称する。対象距離の設定について例示する。第１例では、対象距離は収容部６５０の高さよりも短い。第２例では、対象距離は被検査物Ｗの厚さよりも短い。第３例では、対象距離は受光素子４１０の高さよりも短い。第４例では、対象距離は受光回路基板６１０の厚さよりも短い。第５例では、対象距離は第１〜第４例の設定の少なくとも２つを満たす。

図２２は被検査物Ｗと受光回路部６００との関係の一例を示す。図中の被検査物Ｗ上に示される破線は１つの単位範囲を示す。単位範囲は第１〜第３種単位範囲から選択される。受光回路部６００は複数枚の受光回路基板６１０を含む。複数枚の受光回路基板６１０は検査装置１００の幅方向に並ぶ。１枚の受光回路基板６１０には複数の受光素子４１０が設けられる。１枚の受光回路基板６１０に設けられる複数の受光素子４１０は受光回路部６００に含まれる全数の受光素子４１０の一部である。各受光回路基板６１０に設けられる受光素子４１０の数は等しい。

１枚の受光回路基板６１０に設けられる複数の受光素子４１０は第１の列４１０Ａおよび第２の列４１０Ａを構成する。第２の列４１０Ａは第１の列４１０Ａに対して被検査物Ｗの搬送方向に関する下流に位置する。各列４１０Ａは検査装置１００の幅方向に平行である。各列４１０Ａを構成する受光素子４１０の数は等しい。各受光回路基板６１０に設けられる第１の列４１０Ａは検査装置１００の幅方向に並ぶ。幅方向に並ぶ複数の受光回路基板６１０の第１の列４１０Ａは個々の受光回路基板６１０の第１の列４１０Ａよりも長い列を構成する。各受光回路基板６１０に設けられる第２の列４１０Ａは検査装置１００の幅方向に並ぶ。幅方向に並ぶ複数の受光回路基板６１０の第２の列４１０Ａは個々の受光回路基板６１０の第２の列４１０Ａよりも長い列を構成する。

複数の受光回路基板６１０のうち、検査装置１００の幅方向の端に設けられる受光回路基板６１０を「端の受光回路基板６１０」と称する。端の受光回路基板６１０に設けられる一部の受光素子４１０は個々の単位範囲に対応する。端の受光回路基板６１０に設けられる別の一部の受光素子４１０は単位範囲には対応しない。検査装置１００の幅方向に関して、単位範囲に対応しない別の一部の受光素子４１０は単位範囲に対応する一部の受光素子４１０に対して、端の受光回路基板６１０に隣接する受光回路基板６１０とは反対側に設けられる。

なお、上記各実施形態の説明は本発明に関する太陽電池の検査装置が取り得る形態を制限することを意図していない。本発明に関する太陽電池の検査装置は各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、各実施形態に新たな構成を付加した形態である。

１０：太陽電池
１００：検査装置
１１０：移送部
１２０：解析部
２００：検出部
３１０：光源
４１０：受光素子
４１０Ａ：列
６１０：受光回路基板
６５０：収容部
６６０：遮光部
Ｗ：被検査物
Ｐ：分割溝

Claims

被検査物に形成される分割溝に関連する欠陥を検出する検出部を備え、
前記検出部は前記被検査物に検査光を投光する投光部と、
前記被検査物を透過した検査光を受光する受光素子とを含む
太陽電池の検査装置。
前記被検査物は複数の前記分割溝を含み、
前記検出部は複数の前記受光素子を含み、
前記複数の受光素子は１本の前記分割溝に１つの前記受光素子が対応するように設けられる
請求項１に記載の太陽電池の検査装置。
前記複数の受光素子は前記複数の分割溝が並ぶ方向に沿う複数の列を構成し、
前記分割溝に沿う方向に関する前記複数の列の位置は異なる
請求項２に記載の太陽電池の検査装置。
前記受光素子を収容する収容部をさらに備える
請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。
前記検出部は前記受光素子への外乱光の入射を抑制する遮光部を含む
請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。
前記受光素子の出力電圧に応じて前記欠陥を検出する解析部をさらに備える
請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。
前記被検査物を前記検出部に対して相対的に移動させる移送部をさらに備える
請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池の検査装置。