JP2021132085A - 熱流スイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、非特許文献1には、ポリイミドテープを2枚のAg2S0.6Se0.4で挟み込んで電場を印加することで熱伝導度を変化させる熱流スイッチング素子が提案されている。
すなわち、特許文献1及び2に記載の技術では、熱膨張による物理的熱接触を使うため、再現性が得られず、特に微小変化であるためサイズ設計が困難であると共に、機械接触圧による塑性変形を回避することができない。また、材料間の対流熱伝達の影響が大き過ぎる問題があった。
また、特許文献3に記載の技術では、化学反応である酸化還元反応を用いており、熱応答性に劣り、熱伝導が安定しないという不都合があった。
これらに対して非特許文献1に記載の技術では、電圧を印加することで、材料界面に熱伝導可能な電荷を生成し、その電荷によって熱を運ぶことができるため、熱伝導が変化した状態に直ちに移行でき、比較的良好な熱応答性を得ることができる。しかしながら、生成される電荷の量が少ないため、より生成される電荷の量を増大させ、熱伝導率の変化がさらに大きい熱流スイッチング素子が望まれている。
さらに、従来の素子では、任意の曲面に設置して曲面の広い範囲で熱伝導率を変化させることが困難であった。
また、N型半導体層と絶縁体層とP型半導体層とが積層されているので、絶縁体層との界面を広く設定できると共に、N型半導体層とP型半導体層との距離が絶縁体層の厚さで決まり、PN間距離を小さく設計し易くなる。
なお、絶縁体層が絶縁体であるため、電圧印加に伴う電流が発生しないため、ジュール熱は生じない。そのため、自己発熱することなく、熱流を能動的に制御可能となる。
また、可撓性を有する柔軟な絶縁性フィルム上でN型半導体層とP型半導体層とが絶縁体層を挟んでいるので、フレキシブルに曲げることができ、曲面上に曲面に沿って貼り付けることで、任意の曲面に設置しても広い曲面の範囲で熱伝導率を変化させることができる。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、N型半導体層とP型半導体層との間の絶縁体層も柔軟な絶縁性フィルムであるので、よりフレキシブルに曲げることが可能になる。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、帯状の絶縁性フィルムが、湾曲されて筒状とされているので、円筒状又は円柱状等の取付対象物の外周面を覆うようにして設置することで、熱媒体が流れている配管等から放出される放熱量の調整を行うことが可能となる。また、この熱流スイッチング素子を円筒状容器の外周面を覆うように取り付けることで、円筒状容器を温度調整可能な蓄熱容器とすることも可能になる。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、帯状の絶縁性フィルムが、渦巻き状に巻回されて柱状とされているので、円筒状の取付対象物の内部に挿入することで、取付対象物の内周面の周方向全体に熱接触して取付対象物の放熱量を内部から調整することが容易になる。
また、製造時にN型半導体層とP型半導体層とを複数回積層することなく、積層体と同等の特性を有する熱流スイッチング素子を製造することができる。
すなわち、本発明に係る熱流スイッチング素子によれば、絶縁性フィルム上にN型半導体層及びP型半導体層のうち一方の半導体層が積層され、一方の半導体層上に絶縁体層が積層され、絶縁体層上にN型半導体層及びP型半導体層のうち他方の半導体層が積層されているので、N型半導体層と絶縁体層との界面及びその近傍と、P型半導体層と絶縁体層との界面及びその近傍で、外部電圧印加により電荷が生成されるため、生成される電荷量が多く、熱伝導率の大きな変化と高い熱応答性とを得ることができる。
また、可撓性を有する柔軟な絶縁性フィルム上でN型半導体層とP型半導体層とが絶縁体層を挟んでいるので、フレキシブルに曲げることができ、曲面上に曲面に沿って貼り付けることで、任意の曲面に設置しても広い曲面の範囲で熱伝導率を変化させることができる。曲面を有する熱源や冷却源と熱接触させる面積が広いので、非常に高い熱応答性を有する熱流スイッチングが可能となる。
基材である上記絶縁性フィルム2上には、N型半導体層3及びP型半導体層5のうち一方の半導体層が積層され、一方の半導体層上に絶縁体層4が積層され、絶縁体層4上にN型半導体層3及びP型半導体層5のうち他方の半導体層が積層されている。
すなわち、本実施形態では、絶縁性フィルム2上にN側電極6、N型半導体層3、絶縁体層4、P型半導体層5及びP側電極7がこの順で積層されている。
なお、絶縁性フィルム2上に、上記と逆の順序で積層しても構わない。
なお、N型半導体層3及びP型半導体層5に直接電圧を印加可能な場合は、N側電極6及びP側電極7が不要である。すなわち、N型半導体層3及びP型半導体層5に直接ワイヤーボンディングしたり、リード線を接続しても構わない。
なお、上記円筒状の取付対象物Mは、例えば熱媒体が流れる配管等である。
なお、図1中の、N型半導体層3と絶縁体層4との界面及びその近傍に生成される電荷eの種類は、電子であり、白丸で表記されている。また、P型半導体層5と絶縁体層4との界面及びその近傍に生成される電荷eの種類は、正孔であり、黒丸で表記されている。(正孔は、半導体の価電子帯の電子の不足によってできた孔であり、相対的に正の電荷を持っているように見える。)
また、絶縁体層4は、40nm以上の膜厚が好ましく、絶縁破壊が生じない厚さに設定される。なお、絶縁体層4は、厚すぎると電荷eを運び難くなるため、1μm未満の膜厚とすることが好ましい。
上記絶縁性フィルム2も熱伝導率が小さい絶縁性材料が好ましい。上記絶縁性フィルム2は、樹脂で形成され、樹脂としては例えばポリイミド樹脂シート等が採用可能である。絶縁性フィルム2としては、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート,LCP:液晶ポリマー等も採用可能である。
上記N側電極6及びP側電極7は、例えばMo,Al等の金属で形成される。
なお、熱伝導率は以下の式で得られる。
熱伝導率=格子熱伝導率+電子熱伝導率
この2種類の熱伝導率のうち、電場(電圧)印加により生成した電荷量に応じて変化するのは、電子熱伝導率である。したがって、本実施形態において、より大きな熱伝導率変化を得るには、格子熱伝導率が小さい材料が適している。したがって、N型半導体層3,絶縁体層4及びP型半導体層5のいずれにおいても、格子熱伝導率が小さい、すなわち、熱伝導率が小さい材料が選択される。
また、上記電子熱伝導率は、印加する外部電場(電圧)に応じて生成される電荷eの量に応じて増大する。
なお、N型半導体層3及びP型半導体層5と絶縁体層4との界面で電荷eが生成されることから、界面の総面積を増やすことで、生成する電荷eの量も増やすことができる。
なお、絶縁体層4が絶縁体であるため、電圧印加に伴う電流が発生しないため、ジュール熱は生じない。そのため、自己発熱することなく、熱流を能動的に制御可能となる。
なお、帯状の絶縁性フィルム2を円筒状又は円柱状等の取付対象物Mの周囲に設置しているが、絶縁性フィルム2を複数回巻回してもよく、取付対象物Mに螺旋状に巻きつけてもよい。
また、取付対象物Mは円筒状又は円柱状円筒状ではなくてもよく、断面が略多角形の柱状や楕円状でもよい。
また、第1実施形態では、N型半導体層3とP型半導体層5との間にSiO2等の絶縁体層4が介在しているのに対し、第2実施形態では、絶縁体層がポリイミド樹脂シート等の樹脂製の絶縁性フィルム22である点で異なっている。
また、N型半導体層23とP型半導体層25との間の絶縁体層も柔軟な絶縁性フィルム22であるので、よりフレキシブルに曲げることが可能になる。
なお、第2実施形態では、N側フィルム22NとP側フィルム22Pとの2枚の絶縁性フィルムを用いて筒状の熱流スイッチング素子としたが、第1実施形態のように1枚の帯状の絶縁性フィルム2にN型半導体層3と絶縁層4とP型半導体層5とを積層したものを渦巻き状に巻回することで、筒状の熱流スイッチング素子としてもかまわない。
Claims (5)
- 可撓性を有する絶縁性フィルムと、
N型半導体層と、
絶縁体層と、
P型半導体層とを備え、
前記絶縁性フィルム上に前記N型半導体層及び前記P型半導体層のうち一方の半導体層が積層され、前記一方の半導体層上に前記絶縁体層が積層され、前記絶縁体層上に前記N型半導体層及び前記P型半導体層のうち他方の半導体層が積層されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。 - 請求項1に記載の熱流スイッチング素子において、
前記絶縁体層が、絶縁性フィルムであることを特徴とする熱流スイッチング素子。 - 請求項1又は2に記載の熱流スイッチング素子において、
前記絶縁性フィルムが、樹脂で形成されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の熱流スイッチング素子において、
帯状の前記絶縁性フィルムが、湾曲されて筒状とされていることを特徴とする熱流スイッチング素子。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の熱流スイッチング素子において、
帯状の前記絶縁性フィルムが、渦巻き状に巻回されて柱状とされていることを特徴とする熱流スイッチング素子。
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松永 卓也,外3名: ""外部電場で動作する熱流スイッチング素子の作製"", 第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, JPN6023043392, 2019, ISSN: 0005179520 * |
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