JP7412703B2

JP7412703B2 - 熱流スイッチング素子

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Publication number: JP7412703B2
Application number: JP2020018680A
Authority: JP
Inventors: 利晃藤田; 皓也新井; 恒博竹内; 卓也松永
Original assignee: Toyota School Foundation; Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Toyota School Foundation; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2020-02-06
Filing date: 2020-02-06
Publication date: 2024-01-15
Anticipated expiration: 2040-02-06
Also published as: JP2021125580A

Description

特許法第３０条第２項適用２０１９年７月２日韓国で開催の「３８ｔｈＡｎｎｕａｌＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓａｎｄ４ｔｈＡｓｉａｎＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＴｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ（ＩＣＴ／ＡＣＴ２０１９）」にて公開２０１９年９月４日公益社団法人応用物理学会『第８０回応用物理学会秋期学術講演会講演予稿集』にて公開２０１９年１０月２４日下記アドレスにて公開ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ．ｊｐ／ｚａｔａ／ｍａｔｅｔｒａ／ｐａｐｅｒ／ＴＳＪ＿ｍａｔｓｕｎａｇａ＿２０１９１０２４ＪＡ．ｐｄｆ２０１９年１１月２１日学校法人トヨタ学園豊田工業大学『スマートエネルギー技術研究センター第１２回シンポジウムプログラム予稿集』にて公開２０１９年１２月１日一般社団法人日本ＭＲＳ『ＭＡＴＥＲＩＡＬＳＲＥＳＥＡＲＣＨＭＥＥＴＩＮＧ２０１９講演予稿集』にて公開

本発明は、バイアス電圧で熱伝導を能動的に制御可能な熱流スイッチング素子に関する。

従来、熱伝導率を変化させる熱スイッチとして、例えば特許文献１には、熱膨張率の異なる２つの熱伝導体を軽く接触させて温度勾配の方向によって熱の流れ方が異なるサーマルダイオードが記載されている。また、特許文献２にも、熱膨張による物理的熱接触を使った熱スイッチである放熱装置が記載されている。

また、特許文献３には、化合物に電圧を印加させることで起こる可逆的な酸化還元反応により熱伝導率が変化する熱伝導可変デバイスが記載されている。
さらに、非特許文献１には、ポリイミドテープを２枚のＡｇ_２Ｓ_０．６Ｓｅ_０．４で挟み込んで電場を印加することで熱伝導度を変化させる熱流スイッチング素子が提案されている。

特許第２７８１８９２号公報特許第５４０２３４６号公報特開２０１６－２１６６８８号公報

松永卓也、他４名、「バイアス電圧で動作する熱流スイッチング素子の作製」、第１５回日本熱電学会学術講演会、２０１８年９月１３日

上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献１及び２に記載の技術では、熱膨張による物理的熱接触を使うため、再現性が得られず、特に微小変化であるためサイズ設計が困難であると共に、機械接触圧による塑性変形を回避することができない。また、材料間の対流熱伝達の影響が大き過ぎる問題があった。
また、特許文献３に記載の技術では、化学反応である酸化還元反応を用いており、熱応答性に劣り、熱伝導が安定しないという不都合があった。
これらに対して非特許文献１に記載の技術では、電圧を印加することで、材料界面に熱伝導可能な電荷を生成し、その電荷によって熱を運ぶことができるため、熱伝導が変化した状態に直ちに移行でき、比較的良好な熱応答性を得ることができる。しかしながら、生成される電荷の量が少ないため、より生成される電荷の量を増大させ、熱伝導率の変化がさらに大きい熱流スイッチング素子が望まれている。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、熱伝導率の変化がより大きく、優れた熱応答性を有する熱流スイッチング素子を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る熱流スイッチング素子は、少なくとも上面が絶縁体で形成された基材と、前記基材上にパターン形成されたＮ型半導体膜とを備え、前記Ｎ型半導体膜と前記Ｐ型半導体膜とが、互いに間隔を空けて対向配置されていることを特徴とする。

この熱流スイッチング素子では、Ｎ型半導体膜とＰ型半導体膜とが、互いに間隔を空けて対向配置されているので、Ｎ型半導体膜とＰ型半導体膜とに電圧を印加すると、Ｐ型半導体膜及びＮ型半導体膜と基材上面との主に界面に電荷が誘起され、この電荷が熱を運ぶことで熱伝導率が変化する。特に、Ｎ型半導体膜と基材との界面及びその近傍と、Ｐ型半導体膜と基材との界面及びその近傍との両方で、外部電圧により誘起された電荷が生成されるため、生成される電荷量が多く、熱伝導率の大きな変化と高い熱応答性とを得ることができる。
また、外部電圧の大きさに乗じて、界面に誘起される電荷量が変化するので、外部電圧を調整することで、熱伝導率を調整することが可能となるので、本素子を介して、熱流を能動的に制御可能となる。
なお、基材上面が絶縁体であり、電圧印加に伴う電流が発生しないため、ジュール熱は生じない。そのため、自己発熱することなく、熱流を能動的に制御可能となる。

第２の発明に係る熱流スイッチング素子は、第１の発明において、前記Ｎ型半導体膜と前記Ｐ型半導体膜とが、互いに対向方向に突出した複数の櫛部を有した櫛形とされ、前記Ｎ型半導体膜の櫛部と前記Ｐ型半導体膜の櫛部とが、交互に並んで配されていることを特徴とする。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、Ｎ型半導体膜の櫛部とＰ型半導体膜の櫛部とが、交互に並んで配されているので、隣接する櫛部間で電圧が印加されることで、複数の櫛部と基材との界面及びその近傍で電荷が生成され、多くの電荷を得ることができる。

第３の発明に係る熱流スイッチング素子は、第２の発明において、前記基材と前記Ｎ型半導体膜と前記Ｐ型半導体膜とを備えた単位素子部を複数備え、複数の前記単位素子部が、互いに上下に積層されて接合され、互いの前記Ｎ型半導体膜が電気的に接続されていると共に、互いの前記Ｐ型半導体膜が電気的に接続されていることを特徴とする。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、複数の単位素子部が、互いに上下に積層されて接合され、互いのＮ型半導体膜が電気的に接続されていると共に、互いのＰ型半導体膜が電気的に接続されているので、積層され接合された単位素子部同士の並列回路が構成されて、単位素子部の接合数に応じてさらに電荷の生成を増大させることができる。

第４の発明に係る熱流スイッチング素子は、第３の発明において、上下に直接接合された前記単位素子部のうち一方の前記Ｎ型半導体膜の前記櫛部が、他方の前記Ｐ型半導体膜の前記櫛部の直下又は直上に配されていると共に、上下に直接接合された前記単位素子部のうち一方の前記Ｐ型半導体膜の前記櫛部が、他方の前記Ｎ型半導体膜の前記櫛部の直下又は直上に配されていることを特徴とする。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、上下に直接接合された単位素子部のうち一方のＮ型半導体膜の櫛部が、他方のＰ型半導体膜の櫛部の直下又は直上に配されていると共に、上下に直接接合された単位素子部のうち一方のＰ型半導体膜の櫛部が、他方のＮ型半導体膜の櫛部の直下又は直上に配されているので、直接接合された単位素子部の櫛部が上下方向で、絶縁体層（基材）を介したＰ型半導層とＮ型半導体層が構成されており、電荷の正負（Ｐ型Ｎ型）が反転している。このため、面内方向だけでなく接合方向にも電荷が生成されることで、より多くの電荷を得ることができる。なお、この接合方向における電荷生成効果は、基材を薄く設定するほど得ることができる。

第５の発明に係る熱流スイッチング素子は、第３又は第４の発明において、前記単位素子部が、前記Ｎ型半導体膜に接続されたＮ側電極と、前記Ｐ型半導体膜に接続されたＰ側電極とを前記基材上に備え、複数の前記単位素子部の前記Ｎ側電極が、互いに前記基材に形成されたＮ側スルーホールを介して接続され、複数の前記単位素子部の前記Ｐ側電極が、互いに前記基材に形成されたＰ側スルーホールを介して接続されていることを特徴とする。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、複数の単位素子部のＮ側電極が、互いに基材に形成されたＮ側スルーホールを介して接続され、複数の単位素子部のＰ側電極が、互いに基材に形成されたＰ側スルーホールを介して接続されているので、積層され接合された単位素子部同士がＮ側スルーホール及びＰ側スルーホールを介して容易に並列回路を構成することができる。

第６の発明に係る熱流スイッチング素子は、第１から５の発明のいずれかにおいて、前記基材の両端部に、前記基材よりも熱伝導性の高い材料で形成した高熱伝導部が設けられていることを特徴とする。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、基材の両端部に、基材よりも熱伝導性の高い材料で形成した高熱伝導部が設けられているので、熱流方向を両端部間の方向に設定することができる。

第７の発明に係る熱流スイッチング素子は、第１から６の発明のいずれかにおいて、前記基材の少なくとも上面が誘電体で形成されていることを特徴とする。
すなわち、この熱流スイッチング素子では、基材の少なくとも上面が誘電体で形成されているので、Ｎ型半導体膜及びＰ型半導体膜と基材との界面において誘電体である基材上面側にも電荷が生成され、より熱伝導率の大きな変化と高い熱応答性とを得ることができる。また、化学反応機構を用いない、物理的に熱伝導率を変化させる機構であるので、熱伝導が変化した状態に直ちに移行でき、良好な熱応答性を得ることができる。

本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る熱流スイッチング素子によれば、Ｎ型半導体膜とＰ型半導体膜とが、互いに間隔を空けて対向配置されているので、Ｎ型半導体膜と基材との界面及びその近傍と、Ｐ型半導体膜と基材との界面及びその近傍との両方で、外部電圧印加により電荷が生成されるため、生成される電荷量が多く、熱伝導率の大きな変化と高い熱応答性とを得ることができる。

本発明に係る熱流スイッチング素子の第１実施形態を示す斜視図である。第１実施形態において、原理を説明するための概念図である。本発明に係る熱流スイッチング素子の第２実施形態を示す分解斜視図である。第２実施形態において、熱流スイッチング素子を示す斜視図である。本発明に係る熱流スイッチング素子の第３実施形態を示す分解斜視図である。

以下、本発明に係る熱流スイッチング素子における第１実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。

本実施形態の熱流スイッチング素子１は、図１及び図２に示すように、少なくとも上面が絶縁体で形成された基材２と、基材２上にパターン形成されたＮ型半導体膜３と、基材２上にパターン形成されたＰ型半導体膜５とを備え、Ｎ型半導体膜３とＰ型半導体膜５とが、互いに間隔を空けて対向配置されている。
成膜方法は、スパッタリング法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等、各種成膜手法が採用される。また、エッチングプロセス、メタルマスク等を用いて、基材２上に、Ｎ型半導体層３及びＰ型半導体層５がパターン形成されている。

さらに、本実施形態の熱流スイッチング素子１は、Ｎ型半導体層３に接続されたＮ側電極６と、Ｐ型半導体層５に接続されたＰ側電極７とを基材２上に備えている。
なお、Ｎ型半導体層３及びＰ型半導体層５に直接電圧を印加可能な場合は、Ｎ側電極６及びＰ側電極７が不要である。すなわち、Ｎ型半導体層３及びＰ型半導体層５に直接ワイヤーボンディングしたり、リード線を接続しても構わない。

上記基材２は、上面に絶縁体層４を有している。
また、基材２の少なくとも上面が誘電体で形成されていることが好ましい。すなわち、絶縁体層４が誘電体であることが好ましい。なお、基材２の全体が絶縁体層４と同じ材料で形成されていてもよく、その場合は、絶縁体層４は不要となる。
上記Ｎ型半導体膜３とＰ型半導体膜５とは、互いに対向方向に突出した複数の櫛部３ａ，５ａを有した櫛形とされ、Ｎ型半導体膜３の櫛部３ａとＰ型半導体膜の櫛部５ａとが、交互に並んで配されている。
Ｎ型半導体膜３は、複数の櫛部３ａの基端が接続されていると共に長方形板状の基材２の延在方向に延在した基端接続部３ｂを備え、Ｐ型半導体膜５は、複数の櫛部５ａの基端が接続されていると共に長方形板状の基材２の延在方向に延在した基端接続部５ｂを備えている。

上記Ｎ側電極６及びＰ側電極７には、外部電源Ｖが接続され、電圧が印加される。
Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５は、厚さ１μｍ未満の薄膜で形成されている。特に、基板２との界面及びその近傍に生成される電荷ｅ（正電荷，負電荷）は、５～１０ｎｍの厚さ範囲で主に溜まるため、Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５は、１００ｎｍ以下の膜厚で形成されることがより好ましい。なお、Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５は、５ｎｍ以上の膜厚が好ましい。
なお、図２中の、Ｎ型半導体層３と絶縁体層４との界面及びその近傍に生成される電荷ｅの種類は、電子であり、黒丸で表記されている。また、Ｐ型半導体層５と絶縁体層４との界面及びその近傍に生成される電荷ｅの種類は、正孔であり、白丸で表記されている。（正孔は、半導体の価電子帯の電子の不足によってできた孔であり、相対的に正の電荷を持っているように見える。）

なお、Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５が、厚さ１μｍ未満の薄膜で形成されているので、厚さ１μｍ以上であっても機能的に電荷生成の効果は変わらないため、熱流スイッチングに寄与しない無駄な部分が低減され、製造コストの低減及び薄型化を図ることができる。
また、絶縁体層４は、４０ｎｍ以上の膜厚が好ましく、絶縁破壊が生じない厚さに設定される。

Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５は、低い格子熱伝導を持つ縮退半導体材料が好ましく、例えばＳｉＧｅ等の熱電材料、ＣｒＮ等の窒化物半導体、ＶＯ_２等の酸化物半導体などが採用可能である。なお、Ｎ型，Ｐ型の導電性は、半導体材料にＮ型，Ｐ型のドーパントを添加すること等で設定している。

上記絶縁体層４は、例えばＳｉ基板の基材２上に形成された酸化膜のＳｉＯ_２を採用しても構わない。
なお、絶縁体層４は、熱伝導率が小さい絶縁性材料であることが好ましく、上記ＳｉＯ_２等の絶縁体、ＨｆＯ_２，ＢｉＦｅＯ_３等の誘電体、ポリイミド（ＰＩ）等の有機材料などが採用可能である。特に、誘電率の高い誘電体材料が好ましい。
なお、上記基材２は、例えば全体が絶縁体のガラス基板なども採用可能であり、この場合、絶縁体層４は不要である。

上記Ｎ側電極６及びＰ側電極７は、例えばＭｏ，Ａｌ等の金属で形成される。
基端接続部３ｂと基端接続部５ｂとは、それぞれ長方形板状の基材２の一端部まで延在してパターン形成されている。そして、Ｎ側電極６は、基端接続部３ｂの端部上に接続され、Ｐ側電極７は、基端接続部５ｂの端部上に接続されている。

本実施形態の熱流スイッチング素子１は、図２に示すように、電場（電圧）印加により、Ｎ型半導体膜３と基材２との界面及びその近傍に熱伝導可能な電荷ｅを生成することで、生成した電荷ｅが熱を運んで熱伝導率が変化する。
なお、熱伝導率は以下の式で得られる。
熱伝導率＝格子熱伝導率＋電子熱伝導率

この２種類の熱伝導率のうち、電場（電圧）印加により生成した電荷量に応じて変化するのは、電子熱伝導率である。したがって、本実施形態において、より大きな熱伝導率変化を得るには、格子熱伝導率が小さい材料が適している。したがって、Ｎ型半導体層３，Ｐ型半導体層５及び基材２のいずれにおいても、格子熱伝導率が小さい、すなわち熱伝導率が小さい材料が選択される。

本実施形態の各膜を構成する材料の熱伝導率は、５Ｗ／ｍＫ以下、より好ましくは１Ｗ／ｍＫ以下の低いものであることが良く、上述した材料が採用可能である。
また、上記電子熱伝導率は、印加する外部電場（電圧）に応じて生成される電荷ｅの量に応じて増大する。
なお、Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５と基材２との界面で電荷ｅが生成されることから、界面の総面積を増やすことで、生成する電荷ｅの量も増やすことができる。

上記熱伝導率の測定方法は、例えば基板上に形成された薄膜試料をパルスレーザーで瞬間的に加熱し、薄膜内部への熱拡散による表面温度の低下速度あるいは表面温度の上昇速度を測定することにより、薄膜の膜圧方向の熱拡散率又は熱浸透率を求める方法であるパルス光加熱サーモリフレクタンス法により行う。なお、上記パルス光加熱サーモリフレクタンス法のうち、熱拡散を直接測定する方法（裏面加熱／表面測温（ＲＦ）方式）では、パルスレーザーが透過可能な透明基板を用いる必要があるため、透明基板でない場合は、熱浸透率を測定し、熱伝導率に換算する方式である表面加熱／測温（ＦＦ）方式で熱伝導率を測定する。なお、この測定には、金属膜が必要であり、Ｍｏ，Ａｌ等が採用される。

このように本実施形態の熱流スイッチング素子１では、Ｎ型半導体膜３とＰ型半導体膜５とが、互いに間隔を空けて対向配置されているので、Ｐ型半導体膜５とＮ型半導体膜３とに電圧を印加すると、Ｐ型半導体膜５及びＮ型半導体膜３と基材２上面との主に界面に電荷ｅが誘起され、この電荷ｅが熱を運ぶことで熱伝導率が変化する。特に、Ｎ型半導体膜３と基材２との界面及びその近傍と、Ｐ型半導体膜５と基材２との界面及びその近傍との両方で外部電圧により電荷ｅが生成されるため、生成される電荷量が多く、熱伝導率の大きな変化と高い熱応答性とを得ることができる。なお、化学反応機構を用いない、物理的に熱伝導率を変化させる機構であるので、熱伝導が変化した状態に直ちに移行でき、良好な熱応答性を得ることができる。

また、外部電圧の大きさに乗じて、界面に誘起される電荷量が変化するので、外部電圧を調整することで、熱伝導率を調整することが可能となり、本素子を介して、熱流を能動的に制御可能となる。
なお、基材２上面が絶縁体層４であり、電圧印加に伴う電流が発生しないため、ジュール熱は生じない。そのため、自己発熱することなく、熱流を能動的に制御可能となる。

また、Ｎ型半導体膜３の櫛部３ａとＰ型半導体膜５の櫛部５ａとが、交互に並んで配されているので、隣接する櫛部３ａ，５ａ間で電圧が印加されることで、複数の櫛部３ａ，５ａと基材２との界面及びその近傍で電荷ｅが生成され、多くの電荷ｅを得ることができる。
さらに、基材２の少なくとも上面が誘電体（絶縁体層４）で形成されているので、Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５と基材２との界面において誘電体である基材上面（絶縁体層４）側にも電荷ｅが生成され、より熱伝導率の大きな変化と高い熱応答性とを得ることができる。

次に、本発明に係る熱流スイッチング素子の第２及び第３実施形態について、図３から図５を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。

第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、基材２，Ｎ型半導体膜３及びＰ型半導体膜５が各１つずつで構成されているのに対し、第２実施形態の熱流スイッチング素子２１では、図３及び図４に示すように、基材２とＮ型半導体膜３とＰ型半導体膜５とＮ側電極６とＰ側電極７とを備えた単位素子部２０を複数備え、複数の単位素子部２０が、互いに上下に積層されて接合されている点である。

また、第２実施形態では、複数の単位素子部２０のＮ側電極６が、互いに基材２に形成されたＮ側スルーホールＨ１を介して接続され、複数の単位素子部２０のＰ側電極７が、互いに基材に形成されたＰ側スルーホールＨ２を介して接続されている。
上記単位素子部２０は、接着剤等により互いに積層、接合されている。なお、上記単位素子部２０の上に絶縁膜を塗布することで、その上に積層される単位素子部の基材２としてもよい。
上記Ｎ側スルーホールＨ１及びＰ側スルーホールＨ２は、基材２を貫通しており、内面に金属等の導電体が形成されて上下の単位素子部２０同士で互いに導通されている。

上記基材２は、絶縁性を有する材料で構成されており、長方形状のガラス基板、ポリイミド等の樹脂基板、熱酸化膜付Ｓｉ基板等であり、基材２の両端部には、基材２よりも熱伝導性の高い材料で形成した高熱伝導部２９が設けられている。すなわち、単位素子部２０を積層、接合させた際の熱流スイッチング素子２１の両端面には、高熱伝導樹脂部２９が設けられている。この高熱伝導部２９は、例えばシリコーン樹脂等の材料で形成されている。

このように第２実施形態の熱流スイッチング素子２１では、複数の単位素子部２０が、互いに上下に積層されて接合され、互いのＮ型半導体膜３が電気的に接続されていると共に、互いのＰ型半導体膜５が電気的に接続されているので、積層され接合された単位素子部２０同士の並列回路が構成されて、単位素子部２０の接合数に応じてさらに電荷の生成を増大させることができる。

特に、複数の単位素子部２０のＮ側電極６が、互いに基材２に形成されたＮ側スルーホールＨ１を介して接続され、複数の単位素子部２０のＰ側電極７が、互いに基材に形成されたＰ側スルーホールＨ２を介して接続されているので、積層され接合された単位素子部２０同士がＮ側スルーホールＨ１及びＰ側スルーホールＨ２を介して容易に並列回路を構成することができる。
また、基材２の両端部に、基材２よりも熱伝導性の高い材料で形成した高熱伝導部２９が設けられているので、熱流方向を両端部間の方向に設定することができる。

次に、第３実施形態と第２実施形態との異なる点は、第２実施形態では、櫛部３ａ，５ａの配置が同じ単位素子部２０を積層、接合させているのに対し、第３実施形態の熱流スイッチング素子３１では、図５に示すように、上下で直接積層、接合される単位素子部２０，３０において櫛部３ａ，５ａの配置が異なっている点である。
すなわち、第３実施形態では、上下に直接接合された単位素子部２０，３０のうち一方のＮ型半導体膜３の櫛部３ａが、他方のＰ型半導体膜５の櫛部５ａの直下又は直上に配されていると共に、上下に直接接合された単位素子部２０，３０のうち一方のＰ型半導体膜５の櫛部５ａが、他方のＮ型半導体膜３の櫛部３ａの直下又は直上に配されている。

第３実施形態では、図５に示すように、最下部の単位素子部２０上に単位素子部３０が積層、接合され、さらにその上に単位素子部２０が積層、接合されている。
単位素子部２０と単位素子部３０とは、互いに直下又は直上の櫛部同士が、電荷の正負が逆の半導体膜となっており、Ｎ型半導体膜３の櫛部３ａの直下又は直上にＰ型半導体膜５の櫛部５ａが配置されていると共にＰ型半導体膜５の櫛部５ａの直下又は直上にＮ型半導体膜３の櫛部３ａが配置されている。

このように第３実施形態の熱流スイッチング素子３１では、上下に直接接合された単位素子部２０，３０のうち一方のＮ型半導体膜３の櫛部３ａが、他方のＰ型半導体膜５の櫛部５ａの直下又は直上に配されていると共に、上下に直接接合された単位素子部２０，３０のうち一方のＰ型半導体膜５の櫛部５ａが、他方のＮ型半導体膜３の櫛部３ａの直下又は直上に配されているので、直接接合された単位素子部２０，３０の櫛部３ａ，５ａが上下で電荷の正負（Ｐ型Ｎ型）が反転している。このため、面内方向だけでなく接合方向にも電荷ｅが生成されることで、より多くの電荷ｅを得ることができる。なお、この接合方向における電荷生成効果は、基材２を薄く設定するほど得ることができる。

なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

１，２１，３１…熱流スイッチング素子、３…Ｎ型半導体膜、３ａ…Ｎ型半導体膜の櫛部、４…絶縁体層、５…Ｐ型半導体膜、５ａ…Ｐ型半導体膜の櫛部、６…Ｎ側電極、７…Ｐ側電極、２９…高熱伝導部、Ｈ１…Ｎ側スルーホール、Ｈ２…Ｐ側スルーホール

Claims

少なくとも上面が絶縁体で形成された基材と、
前記基材上にパターン形成されたＮ型半導体膜と、
前記基材上にパターン形成されたＰ型半導体膜と、
前記Ｎ型半導体層に接続されたＮ側電極と、
前記Ｐ型半導体層に接続されたＰ側電極とを備え、
前記Ｎ型半導体膜と前記Ｐ型半導体膜とが、互いに間隔を空けて対向配置されて絶縁状態であり、
前記Ｎ側電極と前記Ｐ側電極とに外部電圧を印加することにより熱伝導率が変化することを特徴とする熱流スイッチング素子。
請求項１に記載の熱流スイッチング素子において、
前記Ｎ型半導体膜と前記Ｐ型半導体膜とが、互いに対向方向に突出した複数の櫛部を有した櫛形とされ、
前記Ｎ型半導体膜の櫛部と前記Ｐ型半導体膜の櫛部とが、交互に並んで配されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。
請求項２に記載の熱流スイッチング素子において、
前記基材と前記Ｎ型半導体膜と前記Ｐ型半導体膜とを備えた単位素子部を複数備え、
複数の前記単位素子部が、互いに上下に積層されて接合され、互いの前記Ｎ型半導体膜が電気的に接続されていると共に、互いの前記Ｐ型半導体膜が電気的に接続されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。
請求項３に記載の熱流スイッチング素子において、
上下に直接接合された前記単位素子部のうち一方の前記Ｎ型半導体膜の前記櫛部が、他方の前記Ｐ型半導体膜の前記櫛部の直下又は直上に配されていると共に、上下に直接接合された前記単位素子部のうち一方の前記Ｐ型半導体膜の前記櫛部が、他方の前記Ｎ型半導体膜の前記櫛部の直下又は直上に配されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。
請求項３又は４に記載の熱流スイッチング素子において、
前記単位素子部が、前記Ｎ型半導体膜に接続されたＮ側電極と、
前記Ｐ型半導体膜に接続されたＰ側電極とを前記基材上に備え、
複数の前記単位素子部の前記Ｎ側電極が、互いに前記基材に形成されたＮ側スルーホールを介して接続され、
複数の前記単位素子部の前記Ｐ側電極が、互いに前記基材に形成されたＰ側スルーホールを介して接続されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。
請求項１から５のいずれか一項に記載の熱流スイッチング素子において、
前記基材の両端部に、前記基材よりも熱伝導性の高い材料で形成した高熱伝導部が設けられていることを特徴とする熱流スイッチング素子。
請求項１から６のいずれか一項に記載の熱流スイッチング素子において、
前記基材の少なくとも上面が誘電体で形成されていることを特徴とする熱流スイッチング素子。