JP2021129253A - 圧電デバイス及びリッド並びにリッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1に開示された水晶振動子は、水晶振動片を収容する凹部を有したセラミック製パッケージと、このセラミック製パッケージの凹部周囲の側壁の天面に設けたメタライズ膜と、凹部内に実装された水晶振動片と、前記凹部を密閉する金属製リッドと、金属製リッド及び前記メタライズ膜を接合しているロー材と、を具えている。
この出願はこのような点に鑑みなされたものであり、従って、この出願の目的は、ロー材を用いて封止される圧電デバイスの封止の信頼性をさらに向上できる新規な構造を有した圧電デバイス及びその製造に用いて好適なリッド並びにリッドの製造方法を提供することにある。
前記リッドの側面と表裏の主面との境界である表面側境界エッジ及び裏面側境界エッジの双方又は一方に沿って、当該エッジを含む部分に、前記第2メッキ層を除去して前記第1メッキ層を露出して又は前記第2メッキ層の厚みを減じて形成したロー材の流れ防止部を、具えたこと具えたことを特徴とする。
前記リッドの側面と表裏の主面との境界である表面側境界エッジ及び裏面側境界エッジの双方又は一方に沿って、当該エッジを含む部分に、前記第2メッキ層を除去して第1メッキ層を露出させ又は第2メッキ層の厚みを減じて形成したロー材の流れ防止部を、具えたことを特徴とする。
金属板と前記金属板表面に第1メッキ層及び第2メッキ層とを有したリッドを用意する工程と、
前記用意したリッドを、研磨材を入れたバレル研磨機に投入する工程と、
前記バレル研磨機を動作させて前記リッドの表裏の主面と側面との境界エッジ各々に沿って、前記第2メッキ層を除去して前記第1メッキ層を露出させるか又は前記第2メッキ層の厚みを減じて、前記ロー材の流れ防止部を形成する工程と
を含むことを特徴とする。
また、上記の各発明において、第2メッキ層の厚みを減じてとは、第2メッキ層のロー材の流れ性を低下させることができる程度に第2メッキ層を薄くすることであり、具体的には、第2メッキ層が不連続な状態、いわゆる島状構造になる等の状態や、第2メッキ層を例えば金メッキ層で構成する場合は金メッキ層を10nm以下の厚みにする等である。
また、第1メッキ層を露出させるとは、第1メッキ層の表面を正に露出する場合でも良いし、第1メッキ層の表面を一部けずって第1メッキ層を露出する場合でも良い。ただし、リッドの耐腐食性を確保するため、第1メッキ層の厚さを必要以上に減じたり、リッドの母材を露出することは、本願の各発明の範囲外である。
また、この出願のリッドの製造方法によれば、バレル研磨を用いるため、リッドの主面と側面との境界エッジに沿って研磨材による研磨が行われるので、当該エッジ部に沿って当該エッジを含む近傍部分に、ロー材の流れ防止部を容易に形成できる。すなわち、レーザ等の加工法ではリッドのエッジ部にロー材の流れ防止部を形成することは困難であるのに対し、本発明はリッドのエッジ部にロー材の流れ防止部を容易に形成できる。従って、本願の圧電デバイスの製造に用いて好適なリッドであって、リッドの表裏のエッジにロー材の流れ防止部を有するリッドを容易に提供できる。
以下、図1(A)〜(D)を参照して第1の実施形態の圧電デバイス10について、説明する。なお、図1では圧電デバイス10の内部の主な構成成分、例えば水晶片等について、破線で示してある。
第1の実施形態の圧電デバイス10は、圧電片11を実装する凹部13a及び凹部13aを囲う側壁13bを有したパッケージ13と、側壁13bの天面13baに設けたメタライズ膜15と、凹部13a内に実装された当該圧電片11と、凹部13aを封止するためのリッド17とを具えている。
さらに、圧電デバイス10のリッド17は、全表面に第1メッキ層17a及び第2メッキ層17bをこの順に有している。さらに、圧電デバイス10は、メタライズ膜15及びリッド17を接合しているロー材19を具えている。
そして、圧電デバイス10は、リッド17の側面と表裏の主面との双方の境界エッジ、すなわち表面側境界エッジ及び裏面側境界エッジ各々に沿って、当該エッジを含む近傍部分に、第2メッキ層17cを除去して第1メッキ層17bを露出させて形成したロー材の流れ防止部21(21a、21b)を、具えたことを特徴とするものである。以下、各構成成分の具体的な構造例について説明する。
パッケージ13は、例えばセラミック製パッケージで構成できる。このパッケージ13は、圧電片11の平面形状より広い開口を持つ凹部13a、この凹部13aを囲う側壁13b、圧電片を接続する接続パッド13c及び実装端子13dを具えている。
メタライズ膜15は、例えば、高融金属層、ニッケルメッキ層、金メッキ層をこの順に有した積層膜で構成してある。
ローザイの流れ防止部21は、表面側境界エッジに沿って形成したローザイの流れ防止部21aと、裏面側境界エッジに沿って形成したローザイの流れ防止部21bとで構成してある。これら流れ防止部21a、21bは、リッド17のエッジに沿ってエッジの全周にわたって、エッジを含むその近傍に所定幅W(図1(D))をもって、形成してある。所定幅Wは、ロー材の流れ防止が図れる幅である。これに限られないが、所定幅Wは、例えば、50〜数100μmから選ばれた幅である。所定幅Wは、リッド全周で一様でなくても良い。
先ず、金属板とこの金属板表面に第1メッキ層及び第2メッキ層をこの順に有したリッドを多数用意する。次に、これらリッドを、研磨材を入れたバレル研磨機に投入する。そして、バレル研磨機を動作させる。バレル研磨機内ではリッドが研磨剤とともに回転・落下の繰り返し移動をするので、リッドのエッジが研磨材によって徐々に削られる。この際、第2メッキ層が除去され、又、厚みが減じられる。第2メッキ層を除去する程度は、用いる研磨材の種類、バレル作業の時間、バレル回転数等々を変更することによって、制御できる。この製造方法では、バレル研磨を用いることから、リッドのエッジにロー材の流れ防止部を容易に形成できる。なお、バレル研磨を終えたリッドは、任意好適な方法で洗浄した後、圧電デバイスの製造に使用する。
次に、図2を参照して第2の実施形態の圧電デバイス50について説明する。第1の実施形態では、リッドの表裏のエッジ各々に沿って当該エッジを含む部分に、ロー材の流れ防止部21a、21bを、設けていたが、第2の実施形態の圧電デバイス50の場合は、リッド17の封止面側のエッジ(裏面側境界エッジ)のみに沿って、当該エッジを含む部分に、ロー材の流れ防止部21aを設けてある。従って、リッドの外側表面のエッジにはロー材の流れ防止部は無く、本来のリッドのままの状態になっている。
この第2の実施形態の場合でも、ロー材がリッドの側面に流れることを防止できる。
次に、図3を参照して第3の実施形態の圧電デバイス70について説明する。第1の実施形態では、リッドの表裏のエッジ各々に沿って当該エッジを含む部分に、ロー材の流れ防止部21a、21bを、設けていたが、第3の実施形態の圧電デバイス70の場合は、リッド17の外側面側のエッジ(表面側境界エッジ)のみに沿って、当該エッジを含む部分に、ロー材の流れ防止部21bを設けてある。従って、リッドの封止面のエッジにはロー材の流れ防止部は無く、本来のリッドのままの状態になっている。
この第3の実施形態の場合でも、ロー材がリッド17の外側表面に流れることを防止できる。また、この第3の実施形態の場合、リッド17の側面とメタライズ膜15とにわたってロー材19によるフィレット19aを形成したい場合にそれを可能に出来る。
上述の各実施形態では、ロー材の流れ防止部は、第2メッキ層である金メッキ層を除去して第1メッキ層であるニッケルメッキ層を露出させた構造によって構成したが、第2メッキ層である金メッキ層の厚みを、ロー材が流れ難くできる程度に減じることで構成しても良い。金メッキ層の厚さを例えば10nm以下にすること等によって構成しても良い。
また、圧電デバイスとして水晶振動子の例を挙げて説明したが、本願の各発明は、水晶発振器、サーミスタ付き水晶振動子、SAWデバイス、水晶以外の圧電材料を用いた各種圧電デバイスに広く適用できる。
13:パッケージ、 13a:凹部、
13b:側壁、 13ba:側壁の天面、
15:メタライズ膜、 17:リッド、
17a:リッドの母材、 17b:第1メッキ層、
17b:第2メッキ層、 19:ロー材、
21,21a、21b:ロー材の流れ防止部
50:第2の実施形態の圧電デバイス、 70:第2の実施形態の圧電デバイス
Claims (15)
- 圧電片を実装する凹部及び前記凹部を囲う側壁を有したパッケージと、前記側壁の天面に設けたメタライズ膜と、前記凹部内に実装された当該圧電片と、表面に第1メッキ層及び第2メッキ層をこの順に有したリッドと、前記メタライズ膜及びリッドを接合しているロー材と、を具えた圧電デバイスにおいて、
前記リッドの側面と表裏の主面との境界である表面側境界エッジ及び裏面側境界エッジの双方又は一方に沿って、当該エッジを含む部分に、前記第2メッキ層を除去して前記第1メッキ層を露出して又は前記第2メッキ層の厚みを減じて形成したロー材の流れ防止部を、具えたことを特徴とする圧電デバイス。 - 前記ロー材流れ防止部は、前記表面側境界エッジ及び前記裏面側境界エッジ各々に沿って、当該エッジを含む部分に、各々設けてあることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記ロー材流れ防止部は、前記表面側境界エッジのみに沿って、当該エッジを含む部分に、設けてあることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記ロー材流れ防止部は、前記裏面側境界エッジのみに沿って、当該エッジを含む部分に、設けてあることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記第1メッキ層は前記第2メッキ層に比べロー材の濡れ性が悪い材料で構成してあることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電デバイス。
- 前記第1メッキ層はニッケルメッキ層であり、前記第2メッキ層は金メッキ層であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電デバイス。
- 圧電片を実装する凹部、前記凹部を囲う側壁及び前記側壁の天面に設けたメタライズパタンを有したパッケージにロー材を介して接合されるリッドであって、表面に第1メッキ層及び第2メッキ層をこの順に有したリッドにおいて、
前記リッドの側面と表裏の主面との境界である表面側境界エッジ及び裏面側境界エッジの双方又は一方に沿って、当該エッジを含む部分に、前記第2メッキ層を除去して第1メッキ層を露出して又は第2メッキ層の厚みを減じて形成したロー材の流れ防止部を、具えたことを特徴とするリッド。 - 前記ロー材流れ防止部は、前記表面側境界エッジ及び前記裏面側境界エッジ各々に沿って、当該エッジを含む部分に、各々設けてあることを特徴とする請求項7に記載のリッド。
- 前記ロー材流れ防止部は、前記表面側境界エッジのみに沿って、当該エッジを含む部分に、設けてあることを特徴とする請求項7に記載のリッド。
- 前記ロー材流れ防止部は、前記裏面側境界エッジのみに沿って、当該エッジを含む部分に、設けてあることを特徴とする請求項7に記載のリッド。
- 前記第1メッキ層は前記第2メッキ層に比べロー材の濡れ性が悪い材料で構成してあることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載のリッド。
- 前記第1メッキ層はニッケルメッキ層であり、前記第2メッキ層は金メッキ層であることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載のリッド。
- リッドを製造する方法であって、
表面に第1メッキ層及び第2メッキ層をこの順に有したリッドを用意する工程と、
前記用意したリッドを、研磨材を入れたバレル研磨機に投入する工程と、
前記バレル研磨機を動作させて前記リッドの表裏の主面と側面との境界エッジ各々に沿って、前記第2メッキ層を除去して前記第1メッキ層を露出させるか又は前記第2メッキ層の厚みを減じて、前記ロー材の流れ防止部を形成する工程と
を含むことを特徴とするリッドの製造方法。 - 前記第1メッキ層は前記第2メッキ層に比べロー材の濡れ性が悪い材料で構成してあることを特徴とする請求項13に記載のリッドの製造方法。
- 前記第1メッキ層はニッケルメッキ層であり、前記第2メッキ層は金メッキ層であることを特徴とする請求13又は14に記載のリッドの製造方法。
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