JP2021128994A - レーザ装置の検査方法およびレーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[レーザ装置の構成]
まずは、第1実施形態のレーザ装置10Aの構成について説明する。図1は、レーザ装置10Aの平面図である。図1に示されるように、レーザ装置10Aは、第一DBR部11と、第二DBR部12Aと、利得部13と、位相調整部14と、光増幅器15と、を備えている。レーザ装置10Aは、半導体レーザ素子であり、波長可変レーザ素子である。
次に、レーザ装置10Aの検査方法について説明する。図2は、本実施形態の検査方法を示すフローチャートである。
る。
る。
図4は、第1実施形態の変形例としての第1変形例のレーザ装置10Bの平面図である。図4に示されるように、本変形例のレーザ装置10Bは、第二DBR部12Aに替えてリング共振器フィルタ12Bを備えている点を除き、第1実施形態のレーザ装置10Aと同様の構成を備えている。
図5は、第2実施形態のレーザ装置10Cの平面図である。図5に示されるように、本実施形態では、光増幅器15とは別に、光吸収部17Cを備えている。本実施形態のレーザ装置10Cは、光吸収部17Cを備えている点を除き、第1実施形態のレーザ装置10Aと同様の構成を備えている。
図6は、第2実施形態の変形例としての第2変形例のレーザ装置10Dの平面図である。図6に示されるように、本変形例でも、光増幅器15とは別に、光吸収部17Dを備えている。本変形例のレーザ装置10Dは、光吸収部17Dを備えている点を除き、第1変形例のレーザ装置10Bと同様の構成を備えている。
図7は、第2実施形態の変形例としての第3変形例のレーザ装置10Eの平面図である。図7に示されるように、本変形例では、光吸収部17Eが、リング共振器フィルタ12Bの二つの光カプラ導波路12b1,12b2のうち一方に設けられている点を除き、第2変形例のレーザ装置10Dと同様の構成を備えている。
図8は、第3実施形態のレーザ装置10Fの平面図である。図8に示されるように、本実施形態では、光増幅器15とは別に、光吸収部17Fを備えている。本実施形態のレーザ装置10Fは、光吸収部17Fを備えている点を除き、第1実施形態のレーザ装置10Aと同様の構成を備えている。
図9は、第4実施形態のウエハ100の平面図および部分拡大図である。ウエハ100には、半導体プロセスによって、複数のレーザ装置10Aが形成されている。レーザ装置10Aは、それぞれ半導体レーザ素子である。
図10は、第4実施形態の変形例としての第4変形例の半導体レーザ素子アレイ110の平面図および部分拡大図である。半導体レーザ素子アレイ110は、図9のウエハ100から切り出されたものであり、半導体レーザ素子アレイ110は、複数のレーザ装置10Aを一体に含んでいる。この場合も、第4実施形態と同様の効果が得られる。また、端面コーティングの実施が不要になるという利点も得られる。
11…第一DBR部(第一反射部)
12A…第二DBR部(第二反射部)
12B…リング共振器フィルタ(第二反射部)
12a…リング状導波路
12b1,12b2…光カプラ導波路
12c…導波路
13…利得部
14…位相調整部
15…光増幅器
16p…第一電極
16n…第二電極
17C〜17F…光吸収部
18…分配器
100…ウエハ
110…半導体レーザ素子アレイ
S1…ステップ
S2…ステップ
S31〜S34…ステップ
P(P1〜P4)…プローブ
Claims (13)
- 利得部と、第一反射部と、前記利得部に対して前記第一反射部とは反対側に設けられた第二反射部と、光吸収部と、当該光吸収部と接した第一電極と、前記光吸収部を挟んで前記第一電極とは反対側で前記光吸収部と接した第二電極と、を備えた、レーザ装置の検査方法であって、
前記レーザ装置がレーザ光を発光するよう前記利得部に電力を供給するステップと、
前記レーザ装置がレーザ光を発光するよう前記利得部に電力を供給している状態で、前記第一電極と前記第二電極との間の電流値を取得するステップと、
を備えた、レーザ装置の検査方法。 - 前記第一電極と前記第二電極との間の電流値を取得するステップでは、前記レーザ装置がレーザ光を発光するよう前記利得部に電力を供給し、かつ前記第一電極と前記第二電極との間に前記光吸収部における逆バイアス電圧を印加している状態で、前記電流値を取得する、請求項1に記載のレーザ装置の検査方法。
- 前記第一反射部および前記第二反射部のうち少なくとも一方の屈折率を変更するステップを備え、
前記第一電極と前記第二電極との間の電流値を取得するステップでは、前記屈折率が変更された状態で、前記電流値を取得する、請求項1または2に記載のレーザ装置の検査方法。 - 前記レーザ装置は、光増幅器を備え、
前記光吸収部は、前記光増幅器である、請求項1〜3のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。 - 前記光吸収部は、前記第二反射部に対して前記第一反射部とは反対側に設けられた、請求項1〜4のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。
- 前記レーザ装置は、
前記第一反射部に対して前記第二反射部とは反対側に設けられ前記第一反射部からのレーザ光を第一光と第二光とに分配する分配器を備え、
前記光吸収部は、前記第一光および前記第二光のうち一方を受光する、請求項1〜5のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。 - 前記第二反射部は、DBRである、請求項1〜6のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。
- 前記第二反射部は、リング共振器フィルタである、請求項1〜6のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。
- 前記リング共振器フィルタは、リング状導波路と、当該リング状導波路と光学結合された線分状の第一導波路と、前記リング状導波路から前記第一反射部に向けて離れた位置で前記第一導波路と分岐され前記リング状導波路に対して前記第一導波路とは反対側で前記リング状導波路と光学結合された線分状の第二導波路と、を有し、
前記光吸収部は、前記第一導波路および前記第二導波路のうち少なくとも一方に対して前記第一反射部とは反対側に位置された、請求項8に記載のレーザ装置の検査方法。 - 前記レーザ装置は、半導体ウエハに作製される半導体レーザ素子であり、
前記半導体ウエハ上に作製された前記レーザ装置が前記半導体ウエハから分離されていない状態で、前記第一電極と前記第二電極との間の電流値を取得するステップを実行する、請求項1〜9のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。 - 前記レーザ装置は、半導体ウエハに作製される半導体レーザ素子であり、
半導体ウエハに前記レーザ装置としての複数の半導体レーザ素子が作製され、前記複数の半導体レーザ素子を一体的に含む状態で前記半導体ウエハから分離されたレーザ素子アレイにおいて、前記第一電極と前記第二電極との間の電流値を取得するステップを実行する、請求項1〜9のうちいずれか一つに記載のレーザ装置の検査方法。 - 利得部と、
第一反射部と、
前記利得部に対して前記第一反射部とは反対側に設けられた第二反射部と、
光吸収部と、
当該光吸収部と接した第一電極と、
前記光吸収部を挟んで前記第一電極とは反対側で前記光吸収部と接した第二電極と、
を備え、
前記光吸収部は、前記第二反射部に対して前記第一反射部とは反対側に設けられた、レーザ装置。 - 利得部と、
第一反射部と、
前記利得部に対して前記第一反射部とは反対側に設けられた第二反射部と、
光吸収部と、
当該光吸収部と接した第一電極と、
前記光吸収部を挟んで前記第一電極とは反対側で前記光吸収部と接した第二電極と、
前記第一反射部に対して前記第二反射部とは反対側に設けられ前記第一反射部からのレーザ光を第一光と第二光とに分配する分配器と、
を備え、
前記光吸収部は、前記第一光および前記第二光のうち一方を受光する、レーザ装置。
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DE112022003043T5 (de) | 2021-08-05 | 2024-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optikmodul und optikverbindungskabel |
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2020
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