JP2021127499A - 合金溶射膜及び成膜装置 - Google Patents
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000542 Sc alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
- C23C4/08—Metallic material containing only metal elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
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Abstract
【課題】成膜処理用部品からの剥離をより抑制させた合金溶射膜、並びに、その合金溶射膜を備えた成膜装置を提供することにある。【解決手段】例えば、成膜源と、上記成膜源に対向する基板支持部と、上記成膜源と上記基板支持部との間の成膜処理雰囲気、または上記成膜源を囲む成膜処理用部品と、上記成膜源、上記基板支持部、及び上記成膜処理用部品を収容する真空容器とを具備する成膜装置に用いられる溶射膜であって、アルミニウムと、スカンジウム及びハフニウムの少なくともいずれかの第１元素とを有する合金溶射膜が上記成膜処理雰囲気に向けて設けられた溶射膜が提供される。【選択図】図１
Description
本発明は、合金溶射膜及び成膜装置に関する。
スパッタリング法、ＣＶＤなどにより真空容器内で基板に膜を形成する技術がある。このとき、真空容器内に設けられた基板以外の成膜処理用部品（例えば、防着板など）にも膜が付着する場合がある。このような膜が成膜処理用部品からパーティクルとして剥離すると、パーティクルが膜中に入り込み、膜製品の歩留まり低下を引き起こす場合がある。
このような理由から、成膜処理用部品の表面には、所体の表面粗さを持った溶射膜を形成する方法がある（例えば、特許文献１参照）。このような溶射膜を成膜処理用部品の表面に形成することにより、成膜処理用部品からの不要な膜剥離が効果的に抑制される。
しかしながら、基板に形成する膜の材料として、膜応力が比較的高い材料を選択したり、長時間成膜を遂行し成膜処理用部品に形成される膜の厚みが比較的厚くなったりする場合には、溶射膜が溶射膜上に堆積した膜の応力に打ち負けてしまうと、溶射膜が膜と一緒に成膜処理用部品から剥離する可能性がある。従って、このような成膜処理用部品に形成する溶射膜においては、より耐剥離性に優れたものが要求されている。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、成膜処理用部品からの剥離をより抑制させた合金溶射膜、並びに、その合金溶射膜を備えた成膜装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る合金溶射膜は、成膜処理雰囲気に晒される成膜処理用部品の表面に設けられた溶射膜であって、アルミニウムと、スカンジウム及びハフニウムの少なくともいずれかの第１元素とを有する。
このような合金溶射膜であれば、応力が高い被膜が合金溶射膜に堆積したとしても、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
上記の合金溶射膜においては、上記溶射膜は、上記第１元素のほかに、ジルコニウム、チタン、及びシリコンの少なくともいずれかの第２元素を含んでもよい。
このような合金溶射膜であれば、第１元素のほかに、ジルコニウム、チタン、及びシリコンの少なくともいずれかの第２元素を含んでいるので、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
上記の合金溶射膜においては、上記第１元素は、上記溶射膜に０．０５ｗｔ％以上１．５ｗｔ％以下含まれてもよい。
このような合金溶射膜であれば、第１元素は、溶射膜に０．０５ｗｔ％以上１．５ｗｔ％以下含まれているので、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
上記の合金溶射膜においては、上記第２元素は、上記溶射膜にジルコニウムが０．１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下含まれ、または、チタンが０．１ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下含まれてもよい。
このような合金溶射膜であれば、第２元素は、溶射膜に上記濃度で含まれているので、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
上記の合金溶射膜においては、上記成膜処理用部品は、上記成膜処理雰囲気を囲む防着板、またはスパッタリングターゲットの周りを囲むシールド部材であってもよい。
このような合金溶射膜は、成膜処理雰囲気を囲む防着板、またはスパッタリングターゲットの周りを囲むシールド部材から剥がれにくくなる。
上記の合金溶射膜においては、上記成膜処理雰囲気に晒される基板に、高融点金属膜が形成されてもよい。
このような合金溶射膜であれば、成膜処理用部品に高融点金属膜が形成されても、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、成膜源と、成膜源と、基板支持部と、成膜処理用部品と、真空容器とを具備する。
上記基板支持部は、上記成膜源に対向する。
上記成膜処理用部品は、上記成膜源と上記基板支持部との間の成膜処理雰囲気、または上記成膜源を囲み、アルミニウムと、スカンジウム及びハフニウムの少なくともいずれかの第１元素とを有する合金溶射膜が上記成膜処理雰囲気に向けて設けられている。
上記真空容器は、上記成膜源、上記基板支持部、及び上記成膜処理用部品を収容する。
上記基板支持部は、上記成膜源に対向する。
上記成膜処理用部品は、上記成膜源と上記基板支持部との間の成膜処理雰囲気、または上記成膜源を囲み、アルミニウムと、スカンジウム及びハフニウムの少なくともいずれかの第１元素とを有する合金溶射膜が上記成膜処理雰囲気に向けて設けられている。
上記真空容器は、上記成膜源、上記基板支持部、及び上記成膜処理用部品を収容する。
このような成膜装置であれば、応力が高い被膜が合金溶射膜に堆積したとしても、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
上記の成膜装置においては、上記合金溶射膜は、上記第１元素のほかに、ジルコニウム、チタン、及びシリコンの少なくともいずれかの第２元素を含んでもよい。
成膜装置。
成膜装置。
このような成膜装置であれば、第１元素のほかに、ジルコニウム、チタン、及びシリコンの少なくともいずれかの第２元素を含んでいるので、成膜処理用部品から合金溶射膜が剥がれにくくなる。
以上述べたように、本発明によれば、成膜処理用部品からの剥離をより抑制させた合金溶射膜、並びに、その合金溶射膜を備えた成膜装置が提供される。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。
本実施形態の合金溶射膜が利用される成膜装置の一例を説明する。図１は、成膜装置の一例を示す模式的断面図である。
成膜装置１は、真空容器１０と、支持台２０と、スパッタリングターゲット３０と、成膜処理用部品４０、４１、４２と、磁気回路部５０と、合金溶射膜６０、６１、６２と、排気機構７０と、ガス供給機構７５と、電源８０とを具備する。支持台２０には、成膜処理の対象物である基板２１が設置されている。
真空容器１０は、減圧状態を維持可能な容器である。真空容器１０は、支持台２０、スパッタリングターゲット３０、及び成膜処理用部品４０、４１、４２等を収容する。真空容器１０には、配管７１を通じて、例えば、真空ポンプ、バルブ等の排気機構７０が接続されている。排気機構７０によって真空容器１０内の雰囲気が所定の圧力に維持される。真空容器１０には、導入管７６を通じて、流量計、弁等のガス供給機構７５が設置される。ガス供給機構７５は、真空容器１０内に放電ガスを供給する。放電ガスは、例えば、不活性ガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等）である。また、真空容器１０には、真空容器１０内の圧力を計測する圧力計が設置されてもよい。
支持台２０は、成膜装置１の基板支持部である。支持台２０は、真空容器１０内に設置されている。支持台２０は、スパッタリングターゲット３０に対向する。支持台２０は、基板２１を支持する。支持台２０において、基板２１が載置される載置面は、導電体でもよく、絶縁体でもよい。例えば、載置面には、静電チャックが設置されてもよい。支持台２０には、基板２１を所定温度に保つ温度調節機構が内蔵されてもよい。基板２１は、適用されるデバイスに応じて適宜変更され、例えば、ガラス基板、石英基板等の絶縁基板、シリコンウェーハ等の半導体基板、金属基板等である。
スパッタリングターゲット３０（以下、ターゲット３０）は、絶縁スペーサ１１を介して真空容器１０内に設置される。ターゲット３０は、支持台２０に対して対向するように配置される。ターゲット３０は、ターゲット本体であるターゲット材３１と、基材３２と、接合部材３３とを有する。ターゲット３０は、成膜装置１の成膜源である。
ターゲット材３１は、プラズマによってスパッタリングされるスパッタリング面３１ｓを有する。ターゲット材３１は、基板２１に形成する膜の組成に応じて、適宜変更される。ターゲット材３１は、金属、半金属、またはセラミックである。例えば、ターゲット材３１は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、チタン窒化物（ＴｉＮ）等の高融点金属、シリコン（Ｓｉ）、シリコン炭化物（ＳｉＣ）等の半導体材である。ターゲット材は、これらの金属、半金属に限らず、シリコン窒化物（ＳｉＮ）等でもよい。ターゲット材の平面形状は、基板２１の平面形状に対応して適宜調整される。
基材３２は、バッキングプレートであり、ターゲット材３１の裏面に設けられる。基材３２は、径の異なる部分３２１、３２２を有する。基材３２は、部分３２２が部分３２１から突き出た凸状体になっている。換言すれば、基材３２においては、部分３２１、３２２により段差が形成される。部分３２２の外径は、例えば、ターゲット材３１の直径と略同じである。基材３２の内部には、冷媒を流す流路が設けられてもよい。
接合部材３３は、ターゲット材３１と基材３２との間に設けられる。接合部材３３は、ターゲット材３１と基材３２とを密に接合する。接合部材３３は、例えば、インジウム等のろう材である。
磁気回路部５０は、支持台２０とは反対側のターゲット３０の裏側に配置される。磁気回路部５０は、ターゲット３０に平行に配置されたヨーク５１と、ヨーク５１に設けられた磁石５２とを有する。磁石５２は、スパッタリング面３１ｓとは反対側のターゲット３０の裏面に臨むように配置されている。
スパッタリング面３１ｓ付近には、磁石５２から放出された磁場が漏洩して、この漏洩した磁場にプラズマ中の電子等が捕捉される。これにより、スパッタリング面３１ｓ付近には、高密度のプラズマが形成されて、所謂マグネトロンスパッタリングが行われる。磁石５２の形状、個数は、放電の安定性、基板２１の成膜層の面内分布、または、ターゲット３０の使用効率向上の観点から適宜調整される。
成膜処理用部品４０は、環状のシールド部材である。成膜処理用部品４０は、金属製であり、例えば、電位が接地電位となったアースシールドである。成膜装置１を上面視した場合、成膜処理用部品４０は、ターゲット３０の外周を囲む。成膜処理用部品４０は、ターゲット３０のスパッタリング面３１ｓを開放し、ターゲット３０の外周に沿って真空容器１０に配置される。成膜処理用部品４０は、例えば、真空容器１０の上部に固定されている。成膜処理用部品４０の形状は、一例であり、図示した形状に限らない。
成膜処理用部品４０の材料は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等である。成膜処理用部品４０とターゲット３０との間には、例えば、０．１ｍｍ〜数ｍｍ程度の隙間が設けられる。これにより、成膜時には所謂パッシェン則から成膜処理用部品４０とターゲット３０との間隙では放電が起きにくくなり、プラズマがスパッタリング面３１ｓ付近に集まり安定したプラズマ放電が持続する。
合金溶射膜６０は、成膜処理用部品４０に溶射されている。例えば、成膜処理用部品４０が成膜処理雰囲気１２に向かう成膜処理用部品４０の表面に合金溶射膜６０が形成されている。
合金溶射膜６０は、アルミニウム（Ａｌ）と、アルミニウムのほかに、スカンジウム（Ｓｃ）及びハフニウム（Ｈｆ）の少なくともいずれかの第１元素を有する。さらに、合金溶射膜６０は、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくともいずれかの第２元素を含んでもよい。または、第２元素として、シリコン（Ｓｉ）が選択されてもよい。
ここで、Ｓｃ及びＨｆの少なくともいずれかの第１元素の合計は、合金溶射膜６０に０．０５ｗｔ％以上１．５ｗｔ％以下含まれる。この場合、合金溶射膜６０は、Ａｌ−Ｓｃ合金溶射膜、Ａｌ−Ｈｆ合金溶射膜、及びＡｌ−Ｓｃ−Ｈｆ合金溶射膜のいずれかである。
また、第２元素を含有させた場合、Ａｌ−Ｓｃ−Ｚｒ合金溶射膜またはＡｌ−Ｈｆ−Ｚｒ合金溶射膜では、Ｚｒが０．１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下含まれてもよく、あるいは、Ａｌ−Ｓｃ−Ｔｉ合金溶射膜またはＡｌ−Ｈｆ−Ｔｉ合金溶射膜では、Ｔｉが０．１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下含まれてもよく、あるいは、Ａｌ−Ｓｃ−Ｓｉ合金溶射膜またはＡｌ−Ｈｆ−Ｓｉ合金溶射膜では、Ｓｉが０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下含まれてもよい。
ここで、第１元素の重量％が０．０５ｗｔ％より小さくなると、合金溶射膜中で再結晶が起きやすくなり、熱履歴によって合金溶射膜が柔らかくなる傾向にある。これにより、合金溶射膜は、その上に堆積する被膜の応力に負けてしまい、被膜とともに成膜処理用部品から剥がれる可能性がある。一方、第１元素の重量％が１．５ｗｔ％よりも大きくなると、材料硬度が高くなり溶射に用いる材料加工が難しくなり好ましくない。
ここで、第２元素として、Ｔｉが０．１ｗｔ％よりも小さくなると再結晶抑制効果が小さくなり、３ｗｔ％よりも大きくなると金属間化合物の影響が大きくなり、溶射膜強度が低下して好ましくない。あるいは、Ｚｒが０．１ｗｔ％よりも小さくなると再結晶抑制効果が小さくなり、０．５ｗｔ％よりも大きくなると溶射材料の硬度が高くなり溶射材料加工には向かなくなる。
成膜処理用部品４１は、成膜処理雰囲気１２を囲む防着板である。成膜処理用部品４１は、例えば、真空容器１０の上部から下部に向けて真空容器１０の内壁に沿って設けられる。さらに、成膜処理用部品４１は、真空容器１０の中部から支持台２０に向けて配置される。成膜処理用部品４１の形状は、一例であり、図示した形状に限らない。成膜処理用部品４１は、金属製であり、例えば、その電位は、接地電位になっている。成膜処理用部品４１の材料は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等である。
合金溶射膜６１は、成膜処理用部品４１に溶射されている。例えば、合金溶射膜６１は、成膜処理用部品４１が成膜処理雰囲気１２に向かう成膜処理用部品４１の表面に形成されている。合金溶射膜６１の成分は、合金溶射膜６０の成分と同じである。
成膜処理用部品４２は、ターゲット３０を基板２１に向けて開放したり、スパッタリング面３１ｓを遮蔽したりするシャッタである。成膜処理用部品４２は、例えば、スパッタリング面３１ｓと略平行に設けられる。成膜処理用部品４２の形状は、一例であり、図示した形状に限らない。成膜処理用部品４２は、金属製であり、例えば、その電位は、接地電位になっている。成膜処理用部品４２の材料は、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム等である。
合金溶射膜６２は、成膜処理用部品４２の基板２１に対向する主面と、ターゲット３０に対向する主面とに溶射されている。合金溶射膜６２の成分は、合金溶射膜６０の成分と同じである。
電源８０は、線路８１を介してターゲット３０に接続される。電源８０は、ターゲット３０に電力を供給する。電源８０は、ＤＣ電源でもよく、ＶＨＦ電源でもよく、ＲＦ電源でもよい。電源８０がＶＨＦ電源、ＲＦ電源等の高周波電源のとき、電源８０と、ターゲット３０との間の線路８１には、整合回路が設けられてもよい。
真空容器１０内に放電ガスが導入され、ターゲット３０に電力が投入されると、ターゲット３０と、真空容器１０または成膜処理用部品４１との間で容量結合による放電が起きる。これにより、プラズマがスパッタリング面３１ｓ付近に形成される。そして、プラズマに晒されたスパッタリング面３１ｓからは、成膜処理雰囲気１２に向かってスパッタリング粒子が飛散する。
この結果、基板２１には、ターゲット材３１を材とする被膜が形成される。同時に成膜処理用部品４０、４１、４２も成膜処理雰囲気１２に晒されることから、合金溶射膜６０、６１、６２にも被膜が堆積する。
図２は、合金溶射膜が照射された成膜処理用部品の一部断面を示す模式図である。ここで、成膜処理用部品４は、成膜処理用部品４０、４１、４２のいずれかを示し、合金溶射膜６は、合金溶射膜６０、６１、６２のいずれかを示す。成膜中には、合金溶射膜６の表面６ｓが成膜処理雰囲気１２に晒されることになる。
成膜処理用部品４の溶射面４ｓは、合金溶射膜６が溶射される前に絶縁粒子によってブラスト処理が施されている。例えば、溶射面４ｓは、３μｍ以上の算術平均粗さＲａを有している。例えば、溶射面４ｓの算術平均粗さＲａが３μｍより小さくなると、成膜処理用部品４と合金溶射膜６との密着性が悪くなり好ましくない。
合金溶射膜６は、アーク溶射、フレーム溶射、プラズマ溶射、及びコールドスプレー溶射等のいずれか手法により、溶射面４ｓに形成される。合金溶射膜６は、溶射直後において、例えば、非晶質膜である。合金溶射膜６の厚みは、例えば、１００μｍ以上４００μｍ以下である。合金溶射膜６の表面６ｓは、８μｍ以上４０μｍ以下の算術平均粗さＲａを有する。
成膜処理用部品４（シールド部材、防着板、及びシャッタ等）は、一般的には水冷機構を備えていない。従って、成膜処理用部品４は、成膜処理雰囲気１２に晒されることによって、その温度が３５０℃以上になる場合がある。本実施形態では、成膜処理用部品４が成膜処理雰囲気１２に晒される熱履歴によって成膜処理用部品４が例えば３５０℃以上に加熱される温度を"プロセス温度"と呼ぶ。
このような条件で、成膜処理用部品４に形成する溶射膜として、純粋Ａｌ（Ａｌを９９．００ｗｔ％以上含有）で構成された溶射膜、あるいはＡｌ−Ｃｕ合金で構成された溶射膜（以下、Ａｌ溶射膜とする。）を用いた場合、溶射膜中で再結晶が起きやすくなる。この結果、Ａｌ溶射膜は、熱履歴によって柔らかくなり、結局の所、Ａｌ溶射膜が被膜とともに成膜処理用部品４から剥がれる現象が引き起こされる。
さらに、Ａｌ溶射膜に堆積する膜が応力の高い被膜であるとき、Ａｌ溶射膜の成膜処理用部品４に対する密着力が該応力に打ち負けてしまい、被膜がＡｌ溶射膜とともに成膜処理用部品４から剥がれる場合がある。
このように、成膜処理用部品４に溶射膜としてＡｌ溶射膜を選択した場合、熱履歴によってＡｌ溶射膜が被膜とともに剥がれ、パーティクル発生を引き起こす。
これに対し、本実施形態の合金溶射膜６は、アルミニウム（Ａｌ）と、スカンジウム（Ｓｃ）及びハフニウム（Ｈｆ）の少なくともいずれかの第１元素を有する。さらに、合金溶射膜６は、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及びシリコン（Ｓｉ）の少なくともいずれかの第２元素を含む場合もある。
このような合金溶射膜６であれば、合金溶射膜６が熱履歴を受けてプロセス温度に達したとしても、合金溶射膜６中では再結晶が起きにくくなっている。この結果、合金溶射膜６は、熱履歴を受けてプロセス温度に達したとしても、所望の硬さを維持し、成膜処理用部品４から剥がれにくくなる。
例えば、Ａｌ−０．２ｗｔ％Ｓｃからなる合金溶射膜６を用いた場合、プロセス温度が２６０℃〜３７０℃の範囲では、熱履歴とともにビッカース硬度が２０ＨＶから、３０ＨＶ〜７０ＨＶの範囲にまで上昇する例がある。あるいは、Ａｌと、０．１ｗｔ％〜０．７％のＳｃとが混在した合金溶射膜６を用いた場合、再結晶開始温度が約３５０℃であるのに対し、再結晶完了温度が約５７０℃になる例がある。すなわち、ＡｌにＳｃに添加することにより、プロセス温度程度では、合金溶射膜６の再結晶が抑制され、合金溶射膜６は、所望の硬度を維持する。
表１は、比較例としてのＡｌ溶射膜及び本実施形態の合金溶射膜６のそれぞれに、ＷＳｉ膜とＳｉＮ膜とを堆積した場合の溶射膜のシールドライフを示す表である。ここで、シールドライフ（ｋＷ／ｈ）とは、プロセス温度で成膜を継続したとき、被膜が堆積した溶射膜が成膜処理用部品４から剥がれるまでのターゲット３０に投入する電力（ｋＷ）と成膜時間（ｈ）とを掛け合わせた値である。すなわち、シールドライフは、被膜の応力に対する溶射膜の剥離耐性を示す指標である。シールドライフが大きいほど、被膜の応力に対する溶射膜の剥離耐性が高いことを意味する。なお、基板としては、ＳＵＳ３０４板を用いた。
表１に示すように、被膜がＷＳｉ膜のとき、シールドライフは、Ａｌ溶射膜で５００ｋＷ・ｈであるのに対し、合金溶射膜６では、６００ｋＷ・ｈに上昇している。被膜がＳｉＮ膜のとき、シールドライフは、Ａｌ溶射膜で２５０ｋＷ・ｈであるのに対し、合金溶射膜６では、４００ｋＷ・ｈに上昇している。
このように合金溶射膜６を成膜用処理用部品６に形成した場合、Ａｌ溶射膜を成膜処理用部品４に形成した場合に比べて、被膜に対する剥離耐性が大きく上昇することが分かった。例えば、溶射でなくスパッタリングで形成したＡｌＳｃ膜では、適切な表面粗さが得られず、また、その上に堆積する膜の応力に耐えうるほどの厚みが得られないので好ましくない。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
１…成膜装置
４、４０、４１、４２…成膜処理用部品
４ｓ…溶射面
６、６０、６１、６２…合金溶射膜
６ｓ…表面
１０…真空容器
１１…絶縁スペーサ
１２…成膜処理雰囲気
２０…支持台
２１…基板
３０…スパッタリングターゲット（ターゲット）
３１…ターゲット材
３１ｓ…スパッタリング面
３２…基材
３３…接合部材
５０…磁気回路部
５１…ヨーク
５２…磁石
７０…排気機構
７１…配管
７５…ガス供給機構
７６…導入管
８０…電源
８１…線路
３２１、３２２…部分
４、４０、４１、４２…成膜処理用部品
４ｓ…溶射面
６、６０、６１、６２…合金溶射膜
６ｓ…表面
１０…真空容器
１１…絶縁スペーサ
１２…成膜処理雰囲気
２０…支持台
２１…基板
３０…スパッタリングターゲット（ターゲット）
３１…ターゲット材
３１ｓ…スパッタリング面
３２…基材
３３…接合部材
５０…磁気回路部
５１…ヨーク
５２…磁石
７０…排気機構
７１…配管
７５…ガス供給機構
７６…導入管
８０…電源
８１…線路
３２１、３２２…部分
Claims (8)
- 成膜処理雰囲気に晒される成膜処理用部品の表面に設けられた溶射膜であって、アルミニウムと、スカンジウム及びハフニウムの少なくともいずれかの第１元素とを有する合金溶射膜。
- 請求項１に記載された合金溶射膜であって、
前記溶射膜は、前記第１元素のほかに、ジルコニウム及びチタンの少なくともいずれかの第２元素をさらに含む
合金溶射膜。 - 請求項１または２に記載された合金溶射膜であって、
前記第１元素は、前記溶射膜に０．０５ｗｔ％以上１．５ｗｔ％以下含まれる
合金溶射膜。 - 請求項１〜３のいずれか1つに記載された合金溶射膜であって、
前記第２元素として、前記溶射膜に、ジルコニウムが０．１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下含まれ、または、チタンが０．１ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下含まれる
合金溶射膜。 - 請求項１〜４のいずれか1つに記載された合金溶射膜であって、
前記成膜処理用部品は、前記成膜処理雰囲気を囲む防着板、またはスパッタリングターゲットの周りを囲むシールド部材である
合金溶射膜。 - 請求項１〜５のいずれか1つに記載された合金溶射膜であって、
前記成膜処理用部品に、高融点金属膜が形成される
合金溶射膜。 - 成膜源と、
前記成膜源に対向する基板支持部と、
前記成膜源と前記基板支持部との間の成膜処理雰囲気、または前記成膜源を囲み、アルミニウムと、スカンジウム及びハフニウムの少なくともいずれかの第１元素とを有する合金溶射膜が前記成膜処理雰囲気に向けて設けられた成膜処理用部品と、
前記成膜源、前記基板支持部、及び前記成膜処理用部品を収容する真空容器と
を具備する成膜装置。 - 請求項７に記載された成膜装置であって、
前記合金溶射膜は、前記第１元素のほかに、ジルコニウム、チタン、及びシリコンの少なくともいずれかの第２元素をさらに含む
成膜装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020023299A JP7424854B2 (ja) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 成膜処理用部品及び成膜装置 |
| CN202011627743.3A CN113265631B (zh) | 2020-02-14 | 2020-12-31 | 合金熔射膜以及成膜装置 |
| KR1020210007756A KR102468589B1 (ko) | 2020-02-14 | 2021-01-20 | 합금 용사막 및 막 형성 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020023299A JP7424854B2 (ja) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 成膜処理用部品及び成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021127499A true JP2021127499A (ja) | 2021-09-02 |
| JP7424854B2 JP7424854B2 (ja) | 2024-01-30 |
Family
ID=77227894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020023299A Active JP7424854B2 (ja) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 成膜処理用部品及び成膜装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7424854B2 (ja) |
| KR (1) | KR102468589B1 (ja) |
| CN (1) | CN113265631B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114983238B (zh) * | 2022-06-29 | 2023-03-24 | 九阳股份有限公司 | 一种抗高温蠕变金属涂层的烹饪容器及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4686159B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2011-05-18 | 株式会社東芝 | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 |
| US20010047838A1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-12-06 | Segal Vladimir M. | Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions |
| JP3791829B2 (ja) | 2000-08-25 | 2006-06-28 | 株式会社日鉱マテリアルズ | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
| JP2006219740A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Chokoon Zairyo Kenkyusho:Kk | 耐酸化性に優れた二オブ基合金耐熱部材 |
| US7354660B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-04-08 | Exxonmobil Research And Engineering Company | High performance alloys with improved metal dusting corrosion resistance |
| JP4623055B2 (ja) | 2007-05-23 | 2011-02-02 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
| US20110104449A1 (en) | 2008-06-10 | 2011-05-05 | Nippon Steel Hardfacing Co., Ltd. | Hearth roll having excellent mn build-up resistance, thermal shock resistance, and abrasion resistance, and thermal spray material therefor |
| JP2011021275A (ja) * | 2009-06-15 | 2011-02-03 | Kobe Steel Ltd | Ａｌ合金反射膜、反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
| JP5857794B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-02-10 | 株式会社Ihi | 拡散層付き金属材料ならびにその製造方法 |
| JP5998654B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、真空処理方法及び記憶媒体 |
| WO2014080933A1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 株式会社コベルコ科研 | 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット |
| CN103602860A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-26 | 中联重科股份有限公司 | 铝合金材料、其制备方法、由其制备的零部件及工程机械 |
| KR102454433B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2022-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 성막 장치 및 이의 세정 방법 |
| WO2017022597A1 (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 公立大学法人大阪府立大学 | アルミニウム系合金の溶射材料および溶射皮膜 |
| US10900102B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-01-26 | Honeywell International Inc. | High strength aluminum alloy backing plate and methods of making |
-
2020
- 2020-02-14 JP JP2020023299A patent/JP7424854B2/ja active Active
- 2020-12-31 CN CN202011627743.3A patent/CN113265631B/zh active Active
-
2021
- 2021-01-20 KR KR1020210007756A patent/KR102468589B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113265631A (zh) | 2021-08-17 |
| KR20210103937A (ko) | 2021-08-24 |
| KR102468589B1 (ko) | 2022-11-17 |
| CN113265631B (zh) | 2023-05-02 |
| JP7424854B2 (ja) | 2024-01-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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