JP2021125668A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 装置の小型化、およびを放熱性の向上を図ることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】 主面１０Ａから裏面１０Ｂに向けて凹む凹部１１を有するとともに、ケイ素を組成に含む基板１０と、凹部１１に配置された配線２１と、裏面１０Ｂに配置され、かつ配線２１に導通する端子２２と、凹部１１に収容され、かつ配線２１に導通する発光素子３１と、を備え、凹部１１は、底面１１Ｂ、および複数の第１内側面１１Ａにより規定され、基板１０は、裏面１０Ｂにつながる複数の第２内側面１２Ａにより規定された連絡孔１２を有し、複数の第２内側面１２Ａに沿って配置されるとともに、配線２１および端子２２につながる連絡配線２３をさらに備え、複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂおよび主面１０Ａの双方に対して傾斜した区間を含み、複数の第２内側面１２Ａの各々は、裏面１０Ｂおよび底面１１Ｂの双方に対して傾斜した区間を含む。【選択図】 図５

Description

本発明は、ＶＣＳＥＬなどの発光素子が搭載された半導体発光装置に関する。

特許文献１には、発光素子が搭載された半導体発光装置の一例が開示されている。発光素子は、ＶＣＳＥＬ（特許文献１では面発光レーザ素子）である。当該装置においては、発光素子は、基板（特許文献１ではセラミックパッケージ）に搭載されている。基板は、平板状のセラミック板に、枠状のセラミック板が積層されたものとなっている。発光素子は、平板状のセラミック板に積層されている。これにより、基板には、発光素子を囲む壁が形成されている。さらに、当該壁の頂面に、発光素子を塞ぐ透光部材が支持されている。

当該装置においては、基板の壁を形成するために、セラミックス板を複数積層させる必要がある。このため、当該装置の厚さ方向の寸法を極力縮小させるには限界がある。さらに、当該装置の使用の際、発光素子から比較的多い熱が発生するため、当該装置においては放熱性の向上を図ることが求められる。

特開２０１２−１９５４７４号公報

本発明は上述の事情に鑑み、装置の小型化、および放熱性の向上を図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。

本発明によって提供される半導体発光装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面から前記裏面に向けて凹む凹部と、を有するとともに、ケイ素を組成に含む基板と、前記凹部に配置された配線と、前記裏面に配置され、かつ前記配線に導通する端子と、前記凹部に収容され、かつ前記配線に導通する発光素子と、を備え、前記凹部は、前記厚さ方向において前記主面と同じ側を向く底面と、前記底面と前記主面とにつながる複数の第１内側面と、により規定され、前記基板は、前記底面から前記裏面に至って貫通するとともに、前記裏面と、少なくともいずれかが前記底面と、につながる複数の第２内側面により規定された連絡孔を有し、前記連絡孔に収容され、かつ前記複数の第２内側面に沿って配置されるとともに、前記配線および前記端子につながる連絡配線をさらに備え、前記複数の第１内側面の各々は、前記底面および前記主面の双方に対して傾斜した区間を含み、前記複数の第２内側面の各々は、前記裏面および前記底面の双方に対して傾斜した区間を含むことを特徴としている。

本発明の実施において好ましくは、前記複数の第１内側面の各々は、前記底面から前記主面にかけて前記発光素子から徐々に遠ざかるように傾斜した区間を含み、前記複数の第２内側面の各々は、前記複数の第１内側面の各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜した区間を含む。

本発明の実施において好ましくは、前記配線は、前記底面に配置された底部と、前記底部につながり、かつ前記複数の第１内側面の少なくともいずれかに配置された側部と、を有し、前記側部は、前記主面と、前記複数の第１内側面と、の境界から離れて位置する。

本発明の実施において好ましくは、前記基板は、半導体材料からなる本体部と、前記本体部を覆う絶縁層と、を含み、前記絶縁層は、前記主面と、前記底面と、前記複数の第１内側面と、前記複数の第２内側面の一部と、を有する第１絶縁層を含み、前記絶縁層は、前記主面、前記底面、前記複数の第１内側面、および前記複数の第２内側面を有する第１絶縁層を含み、前記配線および前記連絡配線は、前記第１絶縁層に接している。

本発明の実施において好ましくは、前記絶縁層は、前記裏面を有する第２絶縁層を含み、前記端子は、前記第２絶縁層に接している。

本発明の実施において好ましくは、前記絶縁層は、第３絶縁層を含み、前記第３絶縁層は、前記本体部と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層と、の間に介在している。

本発明の実施において好ましくは、前記配線は、互いに離れて位置する第１配線および第２配線を含み、前記発光素子は、前記第２配線に接合され、かつ前記第１配線に導通している。

本発明の実施において好ましくは、前記連絡孔は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向において互いに離れて位置する第１連絡孔および第２連絡孔を含み、前記連絡配線は、互いに離れて位置する第１連絡配線および第２連絡配線を含み、前記第１連絡配線は、前記第１連絡孔に収容され、かつ前記第１配線につながり、前記第２連絡配線は、前記第２連絡孔に収容され、かつ前記第２配線につながっている。

本発明の実施において好ましくは、前記主面に支持された透光部材をさらに備え、前記透光部材は、前記発光素子を塞いでいる。

本発明の実施において好ましくは、前記基板は、前記底面から前記裏面に至って貫通するとともに、前記裏面と、少なくともいずれかが前記底面と、につながる複数の第３内側面により規定された通気孔を有し、前記複数の第３内側面の各々は、前記裏面および前記底面の双方に対して傾斜した区間を含み、当該傾斜した区間は、前記複数の第１内側面の各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜している。

本発明の実施において好ましくは、前記第１連絡孔および前記第２連絡孔は、前記第１方向に沿って延び、前記通気孔は、前記第１連絡孔と前記第２連絡孔との間に位置する。

本発明の実施において好ましくは、前記配線は、前記厚さ方向および前記第１方向に対して直交する第２方向において前記第１配線から離れて位置する第３配線を含み、前記連絡孔は、前記第２方向において前記第１連絡孔から離れて位置する第３連絡孔を含み、前記連絡配線は、前記第３連絡孔に収容され、かつ前記第３配線につながる第３連絡配線を含み、前記凹部に収容された受光素子をさらに備え、前記受光素子は、前記第３配線に導通している。

本発明の実施において好ましくは、前記凹部に収容され、かつ前記第１配線および前記第２配線に接合された保護素子をさらに備え、前記第１連絡孔は、前記第２方向に沿って延び、前記第２連絡孔は、前記第１方向に沿って延びている。

本発明の実施において好ましくは、前記通気孔は、前記第１連絡孔と前記第３連絡孔との間に位置する。

本発明の実施において好ましくは、前記第１連絡孔および前記第２連絡孔は、前記第２方向に沿って延び、前記厚さ方向に沿って視て、前記発光素子の一部が前記第２連絡孔に重なっている。

本発明の実施において好ましくは、前記発光素子は、ＶＣＳＥＬである。

本発明の実施において好ましくは、前記配線、前記連絡配線および前記端子を覆う被覆層をさらに備え、前記被覆層は、ニッケルおよび金を組成に含む金属層からなる。

本発明にかかる半導体発光装置によれば、当該装置の小型化、および放熱性の向上を図ることが可能となる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかる半導体発光装置の平面図であり、透光部材および被覆層を透過している。 図１に示す半導体発光装置の底面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 図５の部分拡大図である。 図４の部分拡大図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す半導体発光装置の製造工程を説明する断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体発光装置の平面図であり、透光部材および被覆層を透過している。 図２６に示す半導体発光装置の底面図である。 図２６のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２６のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２６のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる半導体発光装置の平面図であり、透光部材および被覆層を透過している。 図３１に示す半導体発光装置の底面図である。

本発明を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。

〔第１実施形態〕
図１〜図８に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体発光装置Ａ１０について説明する。半導体発光装置Ａ１０は、基板１０、複数の配線２１、複数の端子２２、複数の連絡配線２３、被覆層２４、発光素子３１、複数のワイヤ４０、および透光部材５０を備える。これらの図が示す半導体発光装置Ａ１０は、様々な電子機器の配線基板に表面実装される。ここで、図１は、理解の便宜上、透光部材５０および被覆層２４を透過している。

半導体発光装置Ａ１０の説明においては、基板１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。図１に示すように、半導体発光装置Ａ１０は、厚さ方向ｚに沿って視て矩形状である。図１において、第１方向ｘは、半導体発光装置Ａ１０の横方向に相当する。同じく図１において、第２方向ｙは、半導体発光装置Ａ１０の縦方向に相当する。

基板１０には、図１および図２に示すように、複数の配線２１、複数の端子２２、および複数の連絡配線２３が配置されている。基板１０は、ケイ素（Ｓｉ）をその組成に含む。図３〜図６に示すように、基板１０は、ケイ素を含む半導体材料からなる本体部１０１と、本体部１０１を覆う絶縁層１０２とを含む。絶縁層１０２は、窒化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄）など、ケイ素を組成に含む材料からなる。基板１０は、主面１０Ａ、裏面１０Ｂ、複数の外側面１０Ｃ、凹部１１、複数の連絡孔１２、および通気孔１３を有する。主面１０Ａおよび裏面１０Ｂは、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。主面１０Ａは、枠状をなしている。裏面１０Ｂの周縁は、矩形状をなしている。複数の外側面１０Ｃの各々は、主面１０Ａと裏面１０Ｂとにつながっている。複数の外側面１０Ｃの各々は、第１方向ｘおよび第２方向ｙのいずれかを向く。

図３〜図６に示すように、凹部１１は、主面１０Ａから裏面１０Ｂに向けて凹んでいる。発光素子３１、および複数のワイヤ４０は、凹部１１に収容されている。凹部１１は、複数の第１内側面１１Ａと、底面１１Ｂとにより規定されている。底面１１Ｂは、厚さ方向ｚにおいて主面１０Ａと同じ側を向く。底面１１Ｂは、厚さ方向ｚに対して直交している。底面１１Ｂの周縁は、矩形状をなしている。複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂと主面１０Ａとにつながっている。複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂおよび主面１０Ａの双方に対して傾斜した区間を含む。当該傾斜した区間は、底面１１Ｂから主面１０Ａにかけて発光素子３１から徐々に遠ざかるように傾斜している。複数の第１内側面１１Ａの当該傾斜した区間の各々の底面１１Ｂに対する傾斜角は、いずれも同一である。

図４〜図６に示すように、複数の連絡孔１２の各々は、底面１１Ｂから裏面１０Ｂに至って基板１０を貫通している。図７に示すように、複数の連絡孔１２の各々は、複数の第２内側面１２Ａにより規定されている。複数の第２内側面１２Ａの各々は、裏面１０Ｂにつながっている。複数の第２内側面１２Ａの少なくともいずれかは、底面１１Ｂにつながっている。複数の第２内側面１２Ａの各々は、裏面１０Ｂおよび底面１１Ｂの双方に対して傾斜した区間を含む。当該傾斜した区間は、複数の第１内側面１１Ａの各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜している。複数の第２内側面１２Ａの当該傾斜した区間の各々の裏面１０Ｂに対する傾斜角は、いずれも同一である。図１および図２に示すように、半導体発光装置Ａ１０においては、複数の連絡孔１２は、第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２を含む。第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２は、第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する。第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２は、第１方向ｘに沿って延びている。

図４に示すように、通気孔１３は、底面１１Ｂから裏面１０Ｂに至って基板１０を貫通している。図８に示すように、通気孔１３は、複数の第３内側面１３Ａにより規定されている。複数の第３内側面１３Ａの各々は、裏面１０Ｂにつながっている。複数の第３内側面１３Ａの少なくともいずれかは、底面１１Ｂにつながっている。複数の第３内側面１３Ａの各々は、裏面１０Ｂおよび底面１１Ｂの双方に対して傾斜した区間を含む。当該傾斜した区間は、複数の第１内側面１１Ａの各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜している。複数の第３内側面１３Ａの当該傾斜した区間の各々の裏面１０Ｂに対する傾斜角は、いずれも同一である。図１、図２および図４に示すように、半導体発光装置Ａ１０においては、通気孔１３は、第１連絡孔１２１と第２連絡孔１２２との間に位置する。

図３〜図６に示すように、絶縁層１０２は、第１絶縁層１０２Ａ、第２絶縁層１０２Ｂおよび第３絶縁層１０２Ｃを含む。第１絶縁層１０２Ａは、主面１０Ａと、底面１１Ｂと、複数の第１内側面１１Ａと、複数の第２内側面１２Ａの一部と、複数の第３内側面１３Ａの一部とを有する。第２絶縁層１０２Ｂは、裏面１０Ｂと、複数の第２内側面１２Ａの一部と、複数の第３内側面１３Ａの一部とを有する。第３絶縁層１０２Ｃは、本体部１０１と、第１絶縁層１０２Ａおよび第２絶縁層１０２Ｂとの間に介在している。第３絶縁層１０２Ｃは、複数の第２内側面１２Ａの一部と、複数の第３内側面１３Ａの一部とを有する。

複数の配線２１は、図１、および図３〜図６に示すように、基板１０の凹部１１に配置されている。複数の配線２１は、複数の端子２２、複数の連絡配線２３、および複数のワイヤ４０とともに、発光素子３１と、半導体発光装置Ａ１０が実装される配線基板との導電経路を構成している。複数の配線２１の各々は、基板１０の第１絶縁層１０２Ａに接している。複数の配線２１の各々は、底部２１５および側部２１６を有する。底部２１５は、基板１０の底面１１Ｂに配置されている。側部２１６は、基板１０の複数の第１内側面１１Ａの少なくともいずれかに配置されている。側部２１６は、底部２１５につながっている。側部２１６は、基板１０の主面１０Ａと、複数の第１内側面１１Ａとの境界から離れて位置する。

図１に示すように、半導体発光装置Ａ１０においては、複数の配線２１は、第１配線２１１および第２配線２１２を含む。第１配線２１１および第２配線２１２は、凹部１１において互いに離れて位置する。厚さ方向ｚに沿って視て、第２配線２１２の面積は、第１配線２１１の面積よりも大である。

図７および図８に示すように、複数の配線２１の各々は、下地層２１Ａおよび本体層２１Ｂから構成されている。下地層２１Ａは、第１絶縁層１０２Ａに接している。下地層２１Ａは、第１絶縁層１０２Ａに接するバリア層と、当該バリア層の上に積層されたシード層から構成される。当該バリア層は、たとえばチタン（Ｔｉ）からなる。当該シード層は、たとえば銅（Ｃｕ）からなる。本体層２１Ｂは、下地層２１Ａの上に積層されている。複数の配線２１の各々において、本体層２１Ｂが主たる導電経路となる。本体層２１Ｂは、たとえば銅からなる。

複数の端子２２は、図２、および図３〜図６に示すように、基板１０の裏面１０Ｂに配置されている。このため、複数の端子２２の各々は、基板１０の第２絶縁層１０２Ｂに接している。図２に示すように、半導体発光装置Ａ１０においては、複数の端子２２は、第１端子２２１および第２端子２２２を含む。第１端子２２１および第２端子２２２は、裏面１０Ｂにおいて互いに離れて位置する。厚さ方向ｚに沿って視て、第１端子２２１は、第１配線２１１に重なる領域を含む。厚さ方向ｚに沿って視て、第２端子２２２は、第２配線２１２に重なる領域を含む。図７に示すように、複数の端子２２の各々は、基板１０の複数の連絡孔１２のいずれかに収容された部分を含む。

図７および図８に示すように、複数の端子２２の各々は、下地層２２Ａおよび本体層２２Ｂから構成されている。下地層２２Ａは、第２絶縁層１０２Ｂに接している。下地層２２Ａの構成は、複数の配線２１の各々を構成する下地層２１Ａの構成と同一である。本体層２２Ｂは、下地層２２Ａの上に積層されている。複数の端子２２の各々において、本体層２２Ｂが主たる導電経路となる。本体層２２Ｂの構成は、複数の配線２１の各々を構成する本体層２１Ｂの構成と同一である。

複数の連絡配線２３は、図４〜図６に示すように、基板１０の複数の連絡孔１２に対して個別に収容されている。図７に示すように、複数の連絡配線２３の各々は、複数の連絡孔１２のいずれかを規定する基板１０の複数の第２内側面１２Ａに沿って配置されている。このため、複数の連絡配線２３の各々は、基板１０の第１絶縁層１０２Ａに接している。複数の連絡配線２３の各々は、その厚さ方向ｚの一端が複数の配線２１のいずれかにつながり、かつその厚さ方向ｚの他端が複数の端子２２のいずれかにつながっている。これにより、複数の端子２２の各々は、複数の連絡配線２３のいずれかを介して複数の配線２１のいずれかに導通している。半導体発光装置Ａ１０においては、複数の連絡配線２３は、第１連絡配線２３１および第２連絡配線２３２を含む。第１連絡配線２３１は、第１連絡孔１２１に収容され、かつ第１配線２１１および第１端子２２１につながっている。これにより、第１端子２２１は、第１配線２１１に導通している。第２連絡配線２３２は、第２連絡孔１２２に収容され、かつ第２配線２１２および第２端子２２２につながっている。これにより、第２端子２２２は、第２配線２１２に導通している。

図７に示すように、複数の連絡配線２３の各々は、下地層２３Ａおよび本体層２３Ｂから構成されている。下地層２３Ａは、第１絶縁層１０２Ａに接している。下地層２３Ａの構成は、複数の配線２１の各々を構成する下地層２１Ａの構成と同一である。本体層２３Ｂは、下地層２３Ａの上に積層されている。複数の連絡配線２３の各々において、本体層２３Ｂが主たる導電経路となる。本体層２３Ｂの構成は、複数の配線２１の各々を構成する本体層２１Ｂの構成と同一である。

被覆層２４は、図３〜図６に示すように、複数の配線２１、複数の端子２２、および複数の連絡配線２３を覆っている。被覆層２４は、導電性を有する。被覆層２４は、ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）を組成に含む金属層からなる。半導体発光装置Ａ１０においては、被覆層２４は、複数の配線２１、複数の端子２２、および複数の連絡配線２３に接するニッケル層と、当該ニッケル層の上に積層されたパラジウム（Ｐｄ）層と、当該パラジウム層の上に積層された金層とからなる。ただし、被覆層２４においては、当該パラジウム層を設けない構成でもよい。

発光素子３１は、図３に示すように、被覆層２４を介して第２配線２１２の底部２１５に接合されている。発光素子３１は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）である。発光素子３１は、複数の第１電極３１１、および第２電極３１２を有する。複数の第１電極３１１は、発光素子３１の上面に設けられている。複数の第１電極３１１は、発光素子３１のアノードに相当する。第２電極３１２は、発光素子３１の下面に設けられ、かつ第２配線２１２に対向している。第２電極３１２は、発光素子３１のカソードに相当する。第２電極３１２は、接合層３９をさらに介して第２配線２１２の底部２１５に接合されている。接合層３９は、導電性を有する。接合層３９は、たとえばＳｎ（錫）−Ａｇ（銀）合金を含む鉛フリーハンダからなる。これにより、第２電極３１２は、第２配線２１２に導通している。よって、第２端子２２２は、半導体発光装置Ａ１０のカソードに相当することとなる。

複数のワイヤ４０は、図３に示すように、それらの一端が被覆層２４を介して第１配線２１１の底部２１５に接合されている。あわせて、複数のワイヤ４０は、それらの他端が発光素子３１の複数の第１電極３１１に対して個別に接合されている。これにより、複数の第１電極３１１は、第１配線２１１に導通している。よって、第１端子２２１は、半導体発光装置Ａ１０のアノードに相当することとなる。複数のワイヤ４０の各々は、たとえば金からなる。

透光部材５０は、図３〜図６に示すように、基板１０の主面１０Ａに支持されている。透光部材５０は、接着剤により主面１０Ａに接合されている。透光部材５０は、たとえば光学ガラスからなる。透光部材５０は、発光素子３１、および複数のワイヤ４０を塞いでいる。これにより、基板１０の凹部１１は、中空となっている。

次に、図９〜図２５に基づき、半導体発光装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。なお、図９〜図２５の断面位置は、図３の断面位置と同一である。

最初に、図９に示すように、主面８０Ａおよび裏面８０Ｂを有する基材８０に第１絶縁層８１１を形成する。基材８０は、シリコンウエハである。主面８０Ａおよび裏面８０Ｂは、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。基材８０の結晶構造に基づく主面８０Ａおよび裏面８０Ｂの面方位は、ともに（１００）面である。第１絶縁層８１１は、主面８０Ａおよび裏面８０Ｂに形成される。第１絶縁層８１１は、窒化膜である。主面８０Ａを覆う第１絶縁層８１１の領域には、厚さ方向ｚに貫通する第１開口８１１Ａが設けられている。まず、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により、主面８０Ａおよび裏面８０Ｂを覆う窒化膜を形成する。次いで、リソグラフィパターニングと、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）とにより、主面８０Ａを覆う当該窒化膜の領域の一部を除去する。これにより、第１開口８１１Ａが形成される。以上により、第１絶縁層８１１が形成される。

次いで、図１０に示すように、主面８０Ａから裏面８０Ｂに向けて凹む第１凹部８１５Ａを基材８０に形成する。第１凹部８１５Ａは、図９に示す第１絶縁層８１１の第１開口８１１Ａから露出する主面８０Ａに対して、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いたウエットエッチングを行うことにより形成される。当該エッチングは、異方性である。これにより、基材８０には、主面８０Ａと同じ側を向く底面８０Ｃと、底面８０Ｃと主面８０Ａとにつながる複数の第１内側面８０Ｄとが現れる。第１凹部８１５Ａは、底面８０Ｃ、および複数の第１内側面８０Ｄにより規定される。第１凹部８１５Ａの一部が、基板１０の凹部１１となる。

次いで、図１１に示すように、基材８０の裏面８０Ｂを覆う第１絶縁層８１１の領域を覆う第２絶縁層８１２を形成する。第２絶縁層８１２は、窒化膜である。第２絶縁層８１２は、プラズマＣＶＤにより形成される。

次いで、図１２に示すように、基材８０の主面８０Ａを覆う第１絶縁層８１１の領域と、基材８０の底面８０Ｃ、および複数の第１内側面８０Ｄとを覆う第３絶縁層８１３を形成する。第３絶縁層８１３は、窒化膜である。底面８０Ｃを覆う第３絶縁層８１３の領域には、厚さ方向ｚに貫通する複数の第２開口８１３Ａ、および第３開口８１３Ｂが設けられている。まず、プラズマＣＶＤにより、主面８０Ａに形成された第１絶縁層８１１の領域と、底面８０Ｃ、および複数の第１内側面８０Ｄとを覆う窒化膜を形成する。次いで、リソグラフィパターニングと、反応性イオンエッチングとにより、底面８０Ｃを覆う当該窒化膜の領域の一部を除去する。これにより、複数の第２開口８１３Ａ、および第３開口８１３Ｂが形成される。以上により、第３絶縁層８１３が形成される。

次いで、図１３に示すように、底面８０Ｃから裏面８０Ｂに向けて凹む複数の第２凹部８１５Ｂ、および第３凹部８１５Ｃを基材８０に形成する。複数の第２凹部８１５Ｂは、図１２に示す第３絶縁層８１３の複数の第２開口８１３Ａから露出する底面８０Ｃに対して、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングを行うことにより形成される。第３凹部８１５Ｃは、図１２に示す第３絶縁層８１３の第３開口８１３Ｂから露出する底面８０Ｃに対して、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングを行うことにより形成される。当該エッチングは、異方性である。これにより、基材８０には、底面８０Ｃにつながる複数の第２内側面８０Ｅ、および複数の第３内側面８０Ｆが現れる。複数の第２凹部８１５Ｂの各々は、複数の第２内側面８０Ｅにより規定される。複数の第２凹部８１５Ｂの各々の一部が、基板１０の複数の連絡孔１２の各々の一部となる。第３凹部８１５Ｃは、複数の第３内側面８０Ｆにより規定される。第３凹部８１５Ｃの一部が、基板１０の通気孔１３の一部となる。複数の第２凹部８１５Ｂ、および第３凹部８１５Ｃは、いずれも基材８０を厚さ方向ｚに貫通している。本工程において、裏面８０Ｂを覆う第１絶縁層８１１の領域は、複数の第２凹部８１５Ｂ、および第３凹部８１５Ｃを形成する際のエッチングストッパとして機能する。最後に、第３絶縁層８１３を反応性イオンエッチングにより除去する。以上により、複数の第２凹部８１５Ｂ、および第３凹部８１５Ｃが形成される。

次いで、図１４に示すように、基材８０の主面８０Ａを覆う第１絶縁層８１１の領域と、基材８０の底面８０Ｃ、複数の第１内側面８０Ｄ、複数の第２内側面８０Ｅ、および複数の第３内側面８０Ｆとを覆う第４絶縁層８１４を形成する。第４絶縁層８１４は、窒化膜である。第４絶縁層８１４は、プラズマＣＶＤにより形成される。

次いで、図１５に示すように、第４絶縁層８１４を覆う第１下地層８２１Ａを形成する。第１下地層８２１Ａは、スパッタリング法により金属薄膜を成膜することで形成される。第１下地層８２１Ａの形成にあたっては、チタンからなるバリア層を第４絶縁層８１４に成膜した後、当該バリア層の上に銅からなるシード層を成膜する。

次いで、図１６に示すように、第１下地層８２１Ａの上に複数の第１本体層８２１Ｂを形成する。複数の第１本体層８２１Ｂは、銅からなる。複数の第１本体層８２１Ｂは、第１下地層８２１Ａに対するリソグラフィパターニングを経た後、第１下地層８２１Ａを導電経路とした電解めっきにより形成される。

次いで、図１７に示すように、基材８０の裏面８０Ｂを覆う第１絶縁層８１１の領域と、第２絶縁層８１２と、基材８０の底面８０Ｃを覆う第４絶縁層８１４の領域とを厚さ方向ｚに貫通する複数の第１貫通孔８１６Ａ、および第２貫通孔８１６Ｂを形成する。厚さ方向ｚに沿って視て、複数の第１貫通孔８１６Ａは、複数の第２凹部８１５Ｂに対して個別に重なっている。複数の第１貫通孔８１６Ａの各々の一部が、基板１０の複数の連絡孔１２の各々の一部となる。厚さ方向ｚに沿って視て、第２貫通孔８１６Ｂは、第３凹部８１５Ｃに重なっている。第２貫通孔８１６Ｂの一部が、基板１０の通気孔１３の一部となる。複数の第１貫通孔８１６Ａ、および第２貫通孔８１６Ｂは、リソグラフィパターニングと、反応性イオンエッチングとにより形成される。本工程において、第１下地層８２１Ａは、複数の第１貫通孔８１６Ａ、および第２貫通孔８１６Ｂを形成する際のエッチングストッパとして機能する。

次いで、図１８に示すように、第２絶縁層８１２と、複数の第１貫通孔８１６Ａ、および第２貫通孔８１６Ｂから露出する第１下地層８２１Ａの領域とを覆う第２下地層８２２Ａを形成する。第２下地層８２２Ａは、スパッタリング法により金属薄膜を成膜することで形成される。第２下地層８２２Ａの形成にあたっては、まず、第２絶縁層８１２と、複数の第１貫通孔８１６Ａ、および第２貫通孔８１６Ｂから露出する第１下地層８２１Ａの領域とにチタンからなるバリア層を成膜する。次いで、当該バリア層の上に銅からなるシード層を成膜する。以上により、第２下地層８２２Ａが形成される。

次いで、図１９に示すように、第２下地層８２２Ａの上に複数の第２本体層８２２Ｂを形成する。複数の第２本体層８２２Ｂは、銅からなる。複数の第２本体層８２２Ｂは、第２下地層８２２Ａに対するリソグラフィパターニングを経た後、第２下地層８２２Ａを導電経路とした電解めっきにより形成される。これにより、複数の第１貫通孔８１６Ａの各々は、第２下地層８２２Ａと、複数の第２本体層８２２Ｂのいずれかとにより埋め尽くされた状態となる。

次いで、図２０に示すように、第１下地層８２１Ａのうち複数の第１本体層８２１Ｂが積層されていない部分と、第２下地層８２２Ａのうち複数の第２下地層８２２Ａが積層されていない部分とを除去する。第１下地層８２１Ａの当該部分と、第２下地層８２２Ａの当該部分とは、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）および過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）の混合溶液を用いたウエットエッチングにより除去される。本工程を経ることにより、第１凹部８１５Ａが基板１０の凹部１１となる。第４絶縁層８１４を覆う第１下地層８２１Ａの残存部と、当該残存部に積層された第１本体層８２１Ｂとが、複数の配線２１、および複数の連絡配線２３となる。第１下地層８２１Ａの残存部の一部、および第２絶縁層８１２を覆う第２下地層８２２Ａの残存部と、当該残存部に積層された第２本体層８２２Ｂとが、複数の端子２２となる。さらに、第３凹部８１５Ｃと第２貫通孔８１６Ｂとの連通部が、基板１０の通気孔１３となる。

次いで、図２１に示すように、複数の配線２１、複数の端子２２、および複数の連絡配線２３を覆う被覆層２４を形成する。被覆層２４は、複数の配線２１、複数の端子２２、および複数の連絡配線２３を覆う金属層を無電解めっきにより析出させることによって形成される。被覆層２４の形成にあたっては、複数の配線２１、複数の端子２２、および複数の連絡配線２３に対して、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に析出させる。

次いで、図２２に示すように、発光素子３１の第２電極３１２を複数の配線２１（第２配線２１２）に接合させる。発光素子３１の接合は、接合層３９を用いたダイボンディングにより行われる。

次いで、図２３に示すように、複数の配線２１（第１配線２１１）と、発光素子３１の複数の第１電極３１１とに複数のワイヤ４０を接合する。複数のワイヤ４０の接合は、ワイヤボンディングにより行われる。

次いで、図２４に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て基材８０の主面８０Ａに重なる第４絶縁層８１４の領域に透光部材８３を接合する。透光部材８３は、光学ガラスである。透光部材８３は、接着剤により当該領域に接合される。これにより、発光素子３１、および複数のワイヤ４０は、透光部材８３により塞がれる。

最後に、複数の端子２２を覆う被覆層２４の表面にテープを貼り付けた後、基材８０、第１絶縁層８１１、第２絶縁層８１２、第４絶縁層８１４および透光部材８３を複数の個片に分割する。分割にあたっては、ダイシングブレードが用いられる。本工程を経ることにより、複数の個片となった基材８０、第１絶縁層８１１、第２絶縁層８１２および第４絶縁層８１４を含む一つの個片が、基板１０となる。これらのうち、一つの個片となった基材８０が、基板１０の本体部１０１となる。あわせて、一つの個片となった第１絶縁層８１１、第２絶縁層８１２および第４絶縁層８１４が、基板１０の絶縁層１０２となる。さらに、複数の個片となった透光部材８３の一つの個片が、透光部材５０となる。以上の工程を経ることにより、半導体発光装置Ａ１０が形成される。

次に、半導体発光装置Ａ１０の作用効果について説明する。

半導体発光装置Ａ１０においては、発光素子３１は、基板１０の凹部１１に収容されている。凹部１１は、底面１１Ｂと、底面１１Ｂにつながる複数の第１内側面１１Ａにより規定される。基板１０は、ケイ素を組成に含む。複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂと、基板１０の主面１０Ａの双方に対して傾斜した区間を含む。このような凹部１１の構成は、図１０に示す半導体発光装置Ａ１０の製造工程において、異方性エッチングにより形成される第１凹部８１５Ａの一部が凹部１１をなすことによって得られる。このため、凹部１１の深さ、および基板１０の厚さを極力小とすることができる。したがって、半導体発光装置Ａ１０の小型化を図ることができる。

基板１０の組成がケイ素を含むため、基板１０の熱伝導率が比較的大となる。基板１０は、裏面１０Ｂにつながる複数の第２内側面１２Ａにより規定された連絡孔１２を有する。半導体発光装置Ａ１０は、連絡孔１２に収容され、かつ配線２１および端子２２につながる連絡配線２３をさらに備える。連絡配線２３は、複数の第２内側面１２Ａに沿って配置されている。複数の第２内側面１２Ａの各々は、裏面１０Ｂおよび底面１１Ｂの双方に対して傾斜した区間を含む。これにより、基板１０に対する連絡配線２３の接触面積がより大となるため、半導体発光装置Ａ１０の使用の際、発光素子３１から発生した熱が配線２１および連絡配線２３を介してより速やかに基板１０に伝導される。したがって、半導体発光装置Ａ１０の放熱性の向上を図ることができる。以上より、半導体発光装置Ａ１０によれば、当該装置の小型化、および放熱性の向上を図ることが可能となる。

複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂから主面１０Ａにかけて発光素子３１から徐々に遠ざかるように傾斜した区間を含む。複数の第２内側面１２Ａの各々は、複数の第１内側面１１Ａの各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜した区間を含む。これにより、厚さ方向ｚに対する連絡配線２３の横断面積が、配線２１から端子２２にかけて徐々に小となるため、配線２１と連絡配線２３との境界付近における熱集中を緩和することができる。

配線２１は、底面１１Ｂに配置された側部２１６と、底部２１５につながり、かつ複数の第１内側面１１Ａの少なくともいずれかに配置された側部２１６とを有する。これにより、配線２１の断面積が増加するため、発光素子３１により大きな電流を流すことに適したものとなる。さらに、基板１０（第１絶縁層１０２Ａ）に対する配線２１の接触面積が増加するため、半導体発光装置Ａ１０の放熱性を、より効果的に向上させることができる。

基板１０は、半導体材料からなる本体部１０１と、本体部１０１を覆う絶縁層１０２とを含む。絶縁層１０２は、配線２１および連絡配線２３が接する第１絶縁層１０２Ａと、端子２２が接する第２絶縁層１０２Ｂとを含む。これにより、基板１０と、配線２１、端子２２および連絡配線２３との電気絶縁が確保されたものとなる。さらに、絶縁層１０２は、本体部１０１と、第１絶縁層１０２Ａおよび第２絶縁層１０２Ｂとの間に介在する第３絶縁層１０２Ｃを含む。これにより、絶縁層１０２の機械的強度を増加させることができる。あわせて、半導体発光装置Ａ１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。

半導体発光装置Ａ１０は、主面１０Ａに支持された透光部材５０をさらに備える。透光部材５０は、発光素子３１を塞いでいる。これにより、外部環境から発光素子３１を保護することができる。さらに、基板１０は、裏面１０Ｂにつながる複数の第３内側面１３Ａにより規定された通気孔１３を有する。これにより、半導体発光装置Ａ１０の使用の際、凹部１１に収容され、かつ発光素子３１により加熱された空気の圧力が過度に上昇することを防止できる。

半導体発光装置Ａ１０は、配線２１、端子２２および連絡配線２３を覆う被覆層２４をさらに備える。被覆層２４は、ニッケルおよび金を組成に含む金属層からなる。これにより、配線２１、端子２２および連絡配線２３を、発光素子３１の発熱などに起因した熱衝撃から保護することができる。さらに、半導体発光装置Ａ１０を配線基板に実装する際、端子２２に付着するハンダの濡れ性がより良好となるため、当該配線基板に対する端子２２の接合強度を増加させることができる。

半導体発光装置Ａ１０においては、連絡孔１２は、第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２を含む。第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２は、第１方向ｘに沿って延びている。さらに、連絡配線２３は、第１連絡孔１２１に収容された第１連絡配線２３１と、第２連絡孔１２２に収容された第２連絡配線２３２とを含む。これにより、第１連絡配線２３１および第２連絡配線２３２の各々の厚さ方向ｚに対する横断面積が増加するため、発光素子３１により大きな電流を流すことに適したものとなる。

〔第２実施形態〕
図２６〜図３０に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体発光装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体発光装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２６は、理解の便宜上、透光部材５０および被覆層２４を透過している。図２６において、ＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線を一点鎖線で示している。

半導体発光装置Ａ２０においては、基板１０の複数の連絡孔１２、および通気孔１３と、複数の配線２１と、複数の端子２２と、複数の連絡配線２３との構成が、先述した半導体発光装置Ａ１０におけるこれらの構成と異なる。あわせて、半導体発光装置Ａ２０は、半導体発光装置Ａ１０に対して受光素子３２および保護素子３３をさらに備える。

図２６および図２７に示すように、半導体発光装置Ａ２０においては、基板１０の複数の連絡孔１２は、第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２に加えて、第３連絡孔１２３および第４連絡孔１２４をさらに含む。第３連絡孔１２３は、第２方向ｙにおいて第１連絡孔１２１から離れて位置する。第４連絡孔１２４は、第１方向ｘにおいて第３連絡孔１２３から離れて位置する。第１連絡孔１２１、第３連絡孔１２３および第４連絡孔１２４の各々は、第２方向ｙに沿って延びている。第２連絡孔１２２は、第１方向ｘに沿って延びている。

図２６、図２７および図３０に示すように、半導体発光装置Ａ２０においては、基板１０の通気孔１３は、第１連絡孔１２１と第３連絡孔１２３との間に位置する。

図２６に示すように、半導体発光装置Ａ２０においては、配線２１は、第１配線２１１および第２配線２１２に加えて、第３配線２１３および第４配線２１４をさらに含む。第３配線２１３は、第２方向ｙにおいて第１配線２１１から離れて位置する。第４配線２１４は、第２方向ｙにおいて第２配線２１２から離れて位置し、かつ第１方向ｘにおいて第３配線２１３から離れて位置する。

図２７に示すように、半導体発光装置Ａ２０においては、複数の端子２２は、第１端子２２１および第２端子２２２に加えて、第３端子２２３および第４端子２２４をさらに含む。第３端子２２３は、第２方向ｙにおいて第１端子２２１から離れて位置する。第４端子２２４は、第２方向ｙにおいて第２端子２２２から離れて位置し、かつ第１方向ｘにおいて第３端子２２３から離れて位置する。厚さ方向ｚに沿って視て、第３端子２２３は、第３配線２１３に重なる領域を含む。厚さ方向ｚに沿って視て、第４端子２２４は、第４配線２１４に重なる領域を含む。

図２８に示すように、半導体発光装置Ａ２０においては、複数の連絡配線２３は、第１連絡配線２３１および第２連絡配線２３２に加えて、第３連絡配線２３３および第４連絡配線２３４をさらに含む。第３連絡配線２３３は、第３連絡孔１２３に収容され、かつ第３配線２１３および第３端子２２３につながっている。これにより、第３端子２２３は、第３配線２１３に導通している。第４連絡配線２３４は、第４連絡孔１２４に収容され、かつ第４配線２１４および第４端子２２４につながっている。これにより、第４端子２２４は、第４配線２１４に導通している。

受光素子３２は、図２９に示すように、被覆層２４を介して第４配線２１４の底部２１５に接合されている。受光素子３２は、基板１０の凹部１１に収容されている。受光素子３２は、フォトダイオードである。半導体発光装置Ａ２０の使用の際、受光素子３２は、発光素子３１から発した光を受光し、かつ受光した当該光を電気信号に変換する。受光素子３２は、第１電極３２１および第２電極３２２を有する。第１電極３２１は、受光素子３２の上面に設けられている。第１電極３２１には、ワイヤ４０の一端が接合されている。当該ワイヤ４０の他端は、被覆層２４を介して第３配線２１３の底部２１５に接合されている。これにより、第１電極３２１は、第３配線２１３に導通している。第２電極３２２は、受光素子３２の下面に設けられ、かつ第４配線２１４に対向している。第２電極３２２は、接合層３９をさらに介して第４配線２１４の底部２１５に接合されている。これにより、第２電極３２２は、第４配線２１４に導通している。したがって、受光素子３２への電力供給の対象となる複数の端子２２は、第３端子２２３および第４端子２２４である。

保護素子３３は、図２８に示すように、被覆層２４を介して、第１配線２１１の底部２１５と、第２配線２１２の底部２１５と接合されている。保護素子３３は、基板１０の凹部１１に収容されている。保護素子３３は、ＴＳＶダイオードを含むツェナーダイオードである。保護素子３３は、第１電極３３１および第２電極３３２を有する。第１電極３３１および第２電極３３２は、互いに離れて位置する。第１電極３３１は、接合層３９をさらに介して第１配線２１１の１２５に接合されている。これにより第１電極３３１は、第１配線２１１に導通している。第２電極３３２は、接合層３９をさらに介して第２配線２１２の底部２１５に接合されている。これにより、第２電極３３２は、第２配線２１２に導通している。半導体発光装置Ａ２０においては、発光素子３１および保護素子３３は、第１配線２１１に対して互いに並列接続されている。

次に、半導体発光装置Ａ２０の作用効果について説明する。

半導体発光装置Ａ２０においては、発光素子３１は、基板１０の凹部１１に収容されている。凹部１１は、底面１１Ｂと、底面１１Ｂにつながる複数の第１内側面１１Ａにより規定される。基板１０は、ケイ素を組成に含む。複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂと、基板１０の主面１０Ａの双方に対して傾斜した区間を含む。基板１０は、裏面１０Ｂにつながる複数の第２内側面１２Ａにより規定された連絡孔１２を有する。半導体発光装置Ａ２０は、連絡孔１２に収容され、かつ配線２１および端子２２につながる連絡配線２３をさらに備える。連絡配線２３は、複数の第２内側面１２Ａに沿って配置されている。複数の第２内側面１２Ａの各々は、裏面１０Ｂおよび底面１１Ｂの双方に対して傾斜した区間を含む。したがって、半導体発光装置Ａ２０によっても、当該装置の小型化、および放熱性の向上を図ることが可能となる。

半導体発光装置Ａ２０は、凹部１１に収容され、かつ第３配線２１３に導通する受光素子３２をさらに備える。これにより、半導体発光装置Ａ２０の使用の際、発光素子３１から発した光をモニタリングすることができる。

半導体発光装置Ａ２０は、凹部１１に収容され、かつ第１配線２１１および第２配線２１２に接合された保護素子３３をさらに備える。これにより、半導体発光装置Ａ２０の使用の際、静電気などの影響により発光素子３１に逆バイアス電圧が印加された場合であっても、発光素子３１を保護することができる。

半導体発光装置Ａ２０においては、第１連絡孔１２１は、第２方向ｙに延びている。第２連絡孔１２２は、第１方向ｘに延びている。これにより、第１連絡配線２３１および第２連絡配線２３２の各々の厚さ方向ｚに対する横断面積が増加するため、発光素子３１により大きな電流を流すことに適したものとなる。

〔第３実施形態〕
図３１および図３２に基づき、本発明の第３実施形態にかかる半導体発光装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体発光装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３１は、理解の便宜上、透光部材５０および被覆層２４を透過している。

半導体発光装置Ａ３０においては、基板１０の複数の連絡孔１２、および通気孔１３と、発光素子３１との構成が、先述した半導体発光装置Ａ２０におけるこれらの構成と異なる。さらに、半導体発光装置Ａ３０は、半導体発光装置Ａ２０に対して保護素子３３を備えない。

図３１および図３２に示すように、半導体発光装置Ａ３０においては、基板１０の複数の連絡孔１２は、半導体発光装置Ａ２０と同じく第１連絡孔１２１、第２連絡孔１２２、第３連絡孔１２３および第４連絡孔１２４を含む。第１連絡孔１２１、第２連絡孔１２２、および第３連絡孔１２３の各々は、第２方向ｙに沿って延びている。第４連絡孔１２４は、第１方向ｘに沿って延びている。

図３１および図３２に示すように、半導体発光装置Ａ３０においては、基板１０の通気孔１３は、第２連絡孔１２２と第４連絡孔１２４との間に位置する。

図３１に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、発光素子３１の一部が第２連絡孔１２２に重なっている。

次に、半導体発光装置Ａ３０の作用効果について説明する。

半導体発光装置Ａ３０においては、発光素子３１は、基板１０の凹部１１に収容されている。凹部１１は、底面１１Ｂと、底面１１Ｂにつながる複数の第１内側面１１Ａにより規定される。基板１０は、ケイ素を組成に含む。複数の第１内側面１１Ａの各々は、底面１１Ｂと、基板１０の主面１０Ａの双方に対して傾斜した区間を含む。基板１０は、裏面１０Ｂにつながる複数の第２内側面１２Ａにより規定された連絡孔１２を有する。半導体発光装置Ａ２０は、連絡孔１２に収容され、かつ配線２１および端子２２につながる連絡配線２３をさらに備える。連絡配線２３は、複数の第２内側面１２Ａに沿って配置されている。複数の第２内側面１２Ａの各々は、裏面１０Ｂおよび底面１１Ｂの双方に対して傾斜した区間を含む。したがって、半導体発光装置Ａ３０によっても、当該装置の小型化、および放熱性の向上を図ることが可能となる。

半導体発光装置Ａ３０においては、厚さ方向ｚに沿って視て、発光素子３１の一部が第２連絡孔１２２に重なっている。これにより、厚さ方向ｚに沿って視た場合の半導体発光装置Ａ２０の寸法の縮小を図ることができる。

半導体発光装置Ａ３０においては、第１連絡孔１２１および第２連絡孔１２２は、第２方向ｙに延びている。これにより、第１連絡配線２３１および第２連絡配線２３２の各々の厚さ方向ｚに対する横断面積が増加するため、発光素子３１により大きな電流を流すことに適したものとなる。

本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０：半導体発光装置
１０：基板
１０Ａ：主面
１０Ｂ：裏面
１０Ｃ：外側面
１０１：本体部
１０２：絶縁層
１０２Ａ：第１絶縁層
１０２Ｂ：第２絶縁層
１０２Ｃ：第３絶縁層
１１：凹部
１１Ａ：第１内側面
１１Ｂ：底面
１２：連絡孔
１２Ａ：第２内側面
１２１：第１連絡孔
１２２：第２連絡孔
１２３：第３連絡孔
１２４：第４連絡孔
１３：通気孔
１３Ａ：第３内側面
２１：配線
２１Ａ：下地層
２１Ｂ：本体層
２１１：第１配線
２１２：第２配線
２１３：第３配線
２１４：第４配線
２１５：底部
２１６：側部
２２：端子
２２Ａ：下地層
２２Ｂ：本体層
２２１：第１端子
２２２：第２端子
２２３：第３端子
２２４：第４端子
２３：連絡配線
２３Ａ：下地層
２３Ｂ：本体層
２３１：第１連絡配線
２３２：第２連絡配線
２３３：第３連絡配線
２３４：第４連絡配線
２４：被覆層
３１：発光素子
３１１：第１電極
３１２：第２電極
３２：受光素子
３２１：第１電極
３２２：第２電極
３３：保護素子
３３１：第１電極
３３２：第２電極
３９：接合層
４０：ワイヤ
５０：透光部材
８０：基材
８０Ａ：主面
８０Ｂ：裏面
８０Ｃ：底面
８０Ｄ：第１内側面
８０Ｅ：第２内側面
８０Ｆ：第３内側面
８１１：第１絶縁層
８１１Ａ：第１開口
８１２：第２絶縁層
８１３：第３絶縁層
８１３Ａ：第２開口
８１３Ｂ：第３開口
８１４：第４絶縁層
８１５Ａ：第１凹部
８１５Ｂ：第２凹部
８１５Ｃ：第３凹部
８１６Ａ：第１貫通孔
８１６Ｂ：第２貫通孔
８２１Ａ：第１下地層
８２１Ｂ：第１本体層
８２２Ａ：第２下地層
８２２Ｂ：第２本体層
８３：透光部材
８４：テープ
ｚ：厚さ方向
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向

Claims (17)

1. 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面から前記裏面に向けて凹む凹部と、を有するとともに、ケイ素を組成に含む基板と、
   前記凹部に配置された配線と、
   前記裏面に配置され、かつ前記配線に導通する端子と、
   前記凹部に収容され、かつ前記配線に導通する発光素子と、を備え、
   前記凹部は、前記厚さ方向において前記主面と同じ側を向く底面と、前記底面と前記主面とにつながる複数の第１内側面と、により規定され、
   前記基板は、前記底面から前記裏面に至って貫通するとともに、前記裏面と、少なくともいずれかが前記底面と、につながる複数の第２内側面により規定された連絡孔を有し、
   前記連絡孔に収容され、かつ前記複数の第２内側面に沿って配置されるとともに、前記配線および前記端子につながる連絡配線をさらに備え、
   前記複数の第１内側面の各々は、前記底面および前記主面の双方に対して傾斜した区間を含み、
   前記複数の第２内側面の各々は、前記裏面および前記底面の双方に対して傾斜した区間を含むことを特徴とする、半導体発光装置。
2. 前記複数の第１内側面の各々は、前記底面から前記主面にかけて前記発光素子から徐々に遠ざかるように傾斜した区間を含み、
   前記複数の第２内側面の各々は、前記複数の第１内側面の各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜した区間を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記配線は、前記底面に配置された底部と、前記底部につながり、かつ前記複数の第１内側面の少なくともいずれかに配置された側部と、を有し、
   前記側部は、前記主面と、前記複数の第１内側面と、の境界から離れて位置する、請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記基板は、半導体材料からなる本体部と、前記本体部を覆う絶縁層と、を含み、
   前記絶縁層は、前記主面と、前記底面と、前記複数の第１内側面と、前記複数の第２内側面の一部と、を有する第１絶縁層を含み、
   前記配線および前記連絡配線は、前記第１絶縁層に接している、請求項２または３に記載の半導体発光装置。
5. 前記絶縁層は、前記裏面を有する第２絶縁層を含み、
   前記端子は、前記第２絶縁層に接している、請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 前記絶縁層は、第３絶縁層を含み、
   前記第３絶縁層は、前記本体部と、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層と、の間に介在している、請求項５に記載の半導体発光装置。
7. 前記配線は、互いに離れて位置する第１配線および第２配線を含み、
   前記発光素子は、前記第２配線に接合され、かつ前記第１配線に導通している、請求項５または６に記載の半導体発光装置。
8. 前記連絡孔は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向において互いに離れて位置する第１連絡孔および第２連絡孔を含み、
   前記連絡配線は、互いに離れて位置する第１連絡配線および第２連絡配線を含み、
   前記第１連絡配線は、前記第１連絡孔に収容され、かつ前記第１配線につながり、
   前記第２連絡配線は、前記第２連絡孔に収容され、かつ前記第２配線につながっている、請求項７に記載の半導体発光装置。
9. 前記主面に支持された透光部材をさらに備え、
   前記透光部材は、前記発光素子を塞いでいる、請求項８に記載の半導体発光装置。
10. 前記基板は、前記底面から前記裏面に至って貫通するとともに、前記裏面と、少なくともいずれかが前記底面と、につながる複数の第３内側面により規定された通気孔を有し、
    前記複数の第３内側面の各々は、前記裏面および前記底面の双方に対して傾斜した区間を含み、
    当該傾斜した区間は、前記複数の第１内側面の各々の傾斜した区間と同じ向きに傾斜している、請求項９に記載の半導体発光装置。
11. 前記第１連絡孔および前記第２連絡孔は、前記第１方向に沿って延び、
    前記通気孔は、前記第１連絡孔と前記第２連絡孔との間に位置する、請求項１０に記載の半導体発光装置。
12. 前記配線は、前記厚さ方向および前記第１方向に対して直交する第２方向において前記第１配線から離れて位置する第３配線を含み、
    前記連絡孔は、前記第２方向において前記第１連絡孔から離れて位置する第３連絡孔を含み、
    前記連絡配線は、前記第３連絡孔に収容され、かつ前記第３配線につながる第３連絡配線を含み、
    前記凹部に収容された受光素子をさらに備え、
    前記受光素子は、前記第３配線に導通している、請求項１０に記載の半導体発光装置。
13. 前記凹部に収容され、かつ前記第１配線および前記第２配線に接合された保護素子をさらに備え、
    前記第１連絡孔は、前記第２方向に沿って延び、
    前記第２連絡孔は、前記第１方向に沿って延びている、請求項１２に記載の半導体発光装置。
14. 前記通気孔は、前記第１連絡孔と前記第３連絡孔との間に位置する、請求項１３に記載の半導体発光装置。
15. 前記第１連絡孔および前記第２連絡孔は、前記第２方向に沿って延び、
    前記厚さ方向に沿って視て、前記発光素子の一部が前記第２連絡孔に重なっている、請求項１２に記載の半導体発光装置。
16. 前記発光素子は、ＶＣＳＥＬである、請求項９ないし１５のいずれかに記載の半導体発光装置。
17. 前記配線、前記連絡配線および前記端子を覆う被覆層をさらに備え、
    前記被覆層は、ニッケルおよび金を組成に含む金属層からなる、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。

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