JP2012109480A - 発光装置及びパッケージ部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】底部10と、底部10の両端にそれぞれ立設する側壁部12a,12bと、底部10の奥端に立設する後壁部14とを備えて内側にキャビティCが設けられ、絶縁層20で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品5と、パッケージ部品5の後壁部14の内側面に実装され、上側端部に光出射面Aを備えた発光素子50とを含む発光素子実装部品6が、同一方向を向いてキャビティCの奥行き方向に積層されている。
【選択図】図8
Description
図2(a)は実施形態の発光素子を実装するためのパッケージ部品を示す斜視図、図2(b)は図2(a)の斜視図のI−Iに沿った断面の様子を示す部分斜視図である。
Claims (10)
- 底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品と、
前記パッケージ部品の前記後壁部の内側面に実装され、上側端部に光出射面を備えた発光素子とを有する発光素子実装部品が、
同一方向を向いて前記キャビティの奥行き方向に積層されていることを特徴とする発光装置。 - 前記パッケージ部品の各々の前記側壁部の上面に段差部がそれぞれ設けられており、
前記段差部の各々に位置決めされてそれぞれ配置され、前記発光素子から放出される光を収束する円柱状レンズをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記パッケージ部品は、前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の内側面及び外側面にそれぞれ設けられて前記貫通電極を介して相互接続された配線層とをさらに有し、
前記発光素子の一方の側面は第1導電性接合材を介して前記後壁部の内側面の前記配線層に接続されており、前記発光素子の他方の側面は第2導電性接合材を介して他の前記パッケージ部品の後壁部の外側面の前記配線層に接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。 - 前記第1導電性接合材はインジウム・金合金層であり、前記第2導電性接合材は金・錫合金層であることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
- 最端の前記発光素子実装部品の発光素子の側面に配線部品が接続されて積層されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子実装部品の積層体がインジウム層を介して放熱板の上に搭載されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成され、
前記後壁部の内側面に発光素子を接合するための第1導電性接合材を有し、かつ前記後壁部の外側面に第2導電性接合材を有することを特徴とするパッケージ部品。 - 前記側壁部の上面には、前記発光素子から放出される光を収束する円柱状レンズを位置決めして配置するための段差部が設けられていることを特徴とする請求項7に記載のパッケージ部品。
- 前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の外側面及び内側面にそれぞれ設けられて該貫通電極を介して相互接続されて配線層とをさらに有し、
前記第1導電性接合材及び前記第2導電性接合材は前記配線層の上にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載のパッケージ部品。 - 前記後壁部の内側面の前記配線層は少なくとも表面が金層から形成され、前記第1導電性接合材はインジウム層であり、前記第2導電性接合材は金・錫合金層であることを特徴とする請求項9に記載のパッケージ部品。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020195659A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9318876B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-04-19 | Trumpf Photonics, Inc. | Arrangement of multiple diode laser module and method for operating the same |
US9450377B1 (en) | 2015-05-04 | 2016-09-20 | Trumpf Photonics, Inc. | Multi-emitter diode laser package |
US20170117683A1 (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Northrup Grumman Space and Mission Systems Corp. | Thermally conductive, current carrying, electrically isolated submount for laser diode arrays |
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CN105263297B (zh) * | 2015-10-23 | 2018-06-08 | 惠州市杰普特电子技术有限公司 | 激光隔热装置 |
CN105246298B (zh) * | 2015-10-23 | 2018-05-18 | 惠州市杰普特电子技术有限公司 | 激光导热装置 |
CN105790063B (zh) * | 2016-03-22 | 2019-01-08 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种应用于半导体激光器的衬底 |
CN105790062B (zh) * | 2016-03-22 | 2019-02-26 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种基于各向异性衬底的半导体激光器 |
CN105790071A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-07-20 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种高功率半导体激光器及其制备方法 |
US11876343B2 (en) | 2021-05-18 | 2024-01-16 | Trumpf Photonics, Inc. | Laser diode packaging platforms |
US11557874B2 (en) * | 2021-05-18 | 2023-01-17 | Trumpf Photonics, Inc. | Double-sided cooling of laser diodes |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5099488A (en) * | 1991-03-27 | 1992-03-24 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Ribbed submounts for two dimensional stacked laser array |
US5898211A (en) * | 1996-04-30 | 1999-04-27 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode package with heat sink |
WO2000059086A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
US6424667B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-07-23 | Jds Uniphase Corporation | Solder and material designs to improve resistance to cycling fatigue in laser diode stacks |
JP2007080933A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Denso Corp | 半導体光学装置およびその製造方法 |
US20070158674A1 (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Yuichi Taguchi | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US20080291955A1 (en) * | 2005-11-22 | 2008-11-27 | Nlight Photonice Corporation | Modular diode laser assembly |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1811617A1 (de) | 2006-01-18 | 2007-07-25 | JENOPTIK Laserdiode GmbH | Träger für eine vertikale Anordnung von Laserdiodenbarren mit Anschlag |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5099488A (en) * | 1991-03-27 | 1992-03-24 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Ribbed submounts for two dimensional stacked laser array |
US5898211A (en) * | 1996-04-30 | 1999-04-27 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode package with heat sink |
US6424667B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-07-23 | Jds Uniphase Corporation | Solder and material designs to improve resistance to cycling fatigue in laser diode stacks |
WO2000059086A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
JP2007080933A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Denso Corp | 半導体光学装置およびその製造方法 |
US20080291955A1 (en) * | 2005-11-22 | 2008-11-27 | Nlight Photonice Corporation | Modular diode laser assembly |
US20070158674A1 (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Yuichi Taguchi | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020195659A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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