JP2021117250A - 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、光源装置およびプロジェクター - Google Patents

Abstract

【課題】反射部材の信頼性の低下を抑制できる、波長変換素子および波長変換素子の製造方法を提供する。また、当該波長変換素子を備えた光源装置を提供する。また、当該光源装置を備えたプロジェクターを提供する。【解決手段】本発明の波長変換素子は、複数の気孔を有し、第１の波長帯の光に励起されて第１の波長帯の光とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層と、波長変換層の第１面に形成される第１接合層と、第１接合層に接合される第２接合層と、第２接合層に形成され、第１の波長帯の光または第２の波長帯の光を反射する反射部材と、備え、波長変換層の第１面は、凹部を有し、第１接合層の一部は、凹部に形成され、第２接合層は、凹部を覆うように形成され、第１接合層および第２接合層は、プラズマ重合膜である。【選択図】図４

Description

本発明は、波長変換素子、波長変換素子の製造方法、光源装置およびプロジェクターに関するものである。

例えば、下記特許文献１、２には、蛍光を利用した照明装置が開示されている。
下記特許文献１の照明装置では、蛍光体と蛍光体を支持する支持部材とを化学結合させて、蛍光体から支持部材への熱伝導性を向上させることで蛍光体の温度上昇を抑制した波長変換素子を用いている。下記特許文献２の照明装置では、蛍光体と支持基板との間に反射部材を設け、蛍光体で生成した蛍光を反射部材によって反射して外部に射出させる反射型の波長変換素子を用いている。

特開２０１８−１３６５１１号公報 特開２０１１−１２９３５４号公報

特許文献２に開示される反射型の波長変換素子に対して特許文献１に開示の化学結合を適用することは困難であるため、反射部材と蛍光体との密着性が低下して反射部材が蛍光体から剥離するおそれがあった。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様によれば、複数の気孔を有し、第１の波長帯の光に励起されて前記第１の波長帯の光とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層と、前記波長変換層の第１面に形成される第１接合層と、前記第１接合層に接合される第２接合層と、前記第２接合層に形成され、前記第１の波長帯の光または前記第２の波長帯の光を反射する反射部材と、備え、前記波長変換層の第１面は、凹部を有し、前記第１接合層の一部は、前記凹部に形成され、前記第２接合層は、前記凹部を覆うように形成され、前記第１接合層および前記第２接合層は、プラズマ重合膜であることを特徴とする波長変換素子が提供される。

本発明の第２の態様によれば、複数の気孔と第１面と第１面に設けられた凹部とを有し、第１の波長帯の光に励起されて前記第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層を用意する準備工程と、前記波長変換層の前記第１面に第１接合層を形成する第１工程と、基板の第２面に反射部材を形成する第２工程と、前記反射部材に第２接合層を形成する第３工程と、前記第１接合層および第２接合層にそれぞれエネルギーを付与する第４工程と、前記第１接合層と前記第２接合層とを加圧し、前記凹部が前記第２接合層によって覆われるように前記第１接合層および前記第２接合層を接合する第５工程と、前記反射部材と前記基板とを分離する第６工程と、を備え、前記第１工程において、前記第１接合層の一部は、前記凹部内に形成されることを特徴とする波長変換素子の製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、上記第１の態様の波長変換素子と、前記波長変換素子に向けて前記第１の波長帯の光を射出する光源と、を備える光源装置が提供される。

本発明の第４の態様によれば、上記第３の態様の光源装置と、前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置と、前記画像光を投写する投写光学系と、を備えるプロジェクターが提供される。

プロジェクターの概略を示す図である。 照明装置の概略を示す図である。 波長変換素子の要部構成を示す断面図である。 波長変換素子の要部構成を示す断面図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。 波長変換素子の製造工程を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

本実施形態に係るプロジェクターの一例について説明する。
図１は、本実施形態に係るプロジェクターの構成を示す模式図である。
図１に示すように、本実施形態のプロジェクター１は、スクリーンＳＣＲ上にカラー映像を表示する投写型画像表示装置である。
プロジェクター１は、照明装置１００、色分離導光光学系２００、光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂ、クロスダイクロイックプリズム５００および投写光学系６００を備える。

本実施形態において、照明装置１００は白色の照明光ＷＬを色分離導光光学系２００に向けて射出する。

色分離導光光学系２００は、ダイクロイックミラー２１０，２２０、反射ミラー２３０，２４０，２５０およびリレーレンズ２６０，２７０を備える。色分離導光光学系２００は、照明装置１００からの照明光ＷＬを赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢに分離し、赤色光ＬＲ、緑色光ＬＧおよび青色光ＬＢをそれぞれが対応する光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂに導光する。
色分離導光光学系２００と、光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂとの間には、フィールドレンズ３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂが配置されている。

ダイクロイックミラー２１０は、赤色光成分を通過させ、緑色光成分および青色光成分を反射するダイクロイックミラーである。
ダイクロイックミラー２２０は、緑色光成分を反射して、青色光成分を通過させるダイクロイックミラーである。
反射ミラー２３０は、赤色光成分を反射する反射ミラーである。
反射ミラー２４０，２５０は青色光成分を反射する反射ミラーである。

ダイクロイックミラー２１０を通過した赤色光ＬＲは、反射ミラー２３０で反射され、フィールドレンズ３００Ｂを通過して赤色光用の光変調装置４００Ｒの画像形成領域に入射する。
ダイクロイックミラー２１０で反射された緑色光ＬＧは、ダイクロイックミラー２２０でさらに反射され、フィールドレンズ３００Ｇを通過して緑色光用の光変調装置４００Ｇの画像形成領域に入射する。
ダイクロイックミラー２１０で反射された青色光ＬＢは、ダイクロイックミラー２２０を透過し、リレーレンズ２６０、反射ミラー２４０、リレーレンズ２７０、反射ミラー２５０、フィールドレンズ３００Ｂを経て青色光用の光変調装置４００Ｂの画像形成領域に入射する。

光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂは、入射された色光を画像情報に応じて変調して各色光に対応するカラー画像を形成するものである。なお、図示を省略したが、各フィールドレンズ３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂと各光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂとの間には、それぞれ入射側偏光板が配置され、各光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂとクロスダイクロイックプリズム５００との間には、それぞれ射出側偏光板が配置される。

クロスダイクロイックプリズム５００は、各光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂから射出された各画像光を合成してカラー画像を形成する光学素子である。

このクロスダイクロイックプリズム５００は、４つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた略Ｘ字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。

クロスダイクロイックプリズム５００から射出されたカラー画像は、投写光学系６００によって拡大投写され、スクリーンＳＣＲ上で画像を形成する。

図２は、照明装置１００の構成を示す概略図である。
照明装置１００は、前述したように照明光ＷＬを色分離導光光学系２００に向けて射出する。図２に示すように、照明装置１００は、光源装置１００Ａ、インテグレーター光学系１７、偏光変換素子１８および重畳レンズ１９を備える。光源装置１００Ａは、光源部（光源）３１、アフォーカル光学系３２、ホモジナイザー光学系３３、光分離合成装置１４、位相差板１５、ピックアップ光学系１６および波長変換素子４を備える。また、光源部３１は、アレイ光源３１Ａおよびコリメーター光学系３１Ｂを備える。

光源部３１のアレイ光源３１Ａは、複数の半導体レーザー１１１により構成される。
具体的に、アレイ光源３１Ａは、当該アレイ光源３１Ａから射出される光束の照明光軸Ａｘ１と直交する一平面内に複数の半導体レーザー１１１がアレイ状に配列されることにより形成される。なお、詳しくは後述するが、波長変換素子４にて反射された光束の照明光軸をＡｘ２としたとき、照明光軸Ａｘ１と照明光軸Ａｘ２とは互いに直交している。照明光軸Ａｘ１上においては、光源部３１と、アフォーカル光学系３２と、ホモジナイザー光学系３３と、光分離合成装置１４とが、この順に並んで配置されている。
一方、照明光軸Ａｘ２上においては、波長変換素子４と、ピックアップ光学系１６と、位相差板１５と、光分離合成装置１４と、インテグレーター光学系１７と、偏光変換素子１８と、重畳レンズ１９とが、後述する蛍光ＹＬの進行方向にこの順に並んで配置されている。

アレイ光源３１Ａを構成する半導体レーザー１１１は、例えば、４４０〜４８０ｎｍの波長域にピーク波長を有する青色光ＢＬを射出する。また、半導体レーザー１１１から射出される青色光ＢＬは、コヒーレントな直線偏光であり、光分離合成装置１４に向けて照明光軸Ａｘ１と平行に射出される。本実施形態において、青色光ＢＬは「第１の波長帯の光」に相当する。

また、アレイ光源３１Ａは、各半導体レーザー１１１が射出する青色光ＢＬの偏光方向を、光分離合成装置１４の光分離合成層１４３にて反射される偏光成分（例えば、Ｓ偏光成分）の偏光方向と一致させるようにしている。アレイ光源３１Ａから射出された青色光ＢＬは、コリメーター光学系３１Ｂに入射する。

コリメーター光学系３１Ｂは、アレイ光源３１Ａから射出された青色光ＢＬを平行光に変換するものである。コリメーター光学系３１Ｂは、例えば各半導体レーザー１１１に対応してアレイ状に配置された複数のコリメーターレンズ２７を備える。このコリメーター光学系３１Ｂを通過することにより平行光に変換された青色光ＢＬは、アフォーカル光学系３２に入射する。

アフォーカル光学系３２は、コリメーター光学系３１Ｂから入射された青色光ＢＬの光束径を調整する。このアフォーカル光学系３２は、レンズ１２１とレンズ１２２を備える。このアフォーカル光学系３２を通過することにより光束径が調整された青色光ＢＬは、ホモジナイザー光学系３３に入射する。

ホモジナイザー光学系３３は、後述するピックアップ光学系１６と協働して、青色光ＢＬの照度分布を均一化する。このホモジナイザー光学系３３は、一対のマルチレンズアレイ１３１，１３２を備える。このホモジナイザー光学系３３から射出された青色光ＢＬは、光分離合成装置１４に入射する。

光分離合成装置１４は、いわゆるプリズム型の偏光ビームスプリッターであり、Ｐ偏光およびＳ偏光のうち、一方の偏光光を通過させ、他方の偏光光を反射させる。この光分離合成装置１４は、プリズム１４１，１４２および光分離合成層１４３を備える。これらプリズム１４１，１４２は、略三角柱形状に形成され、それぞれ照明光軸Ａｘ１に対して４５°の角度をなす傾斜面を有し、かつ、照明光軸Ａｘ２に対して４５°の角度をなしている。

光分離合成層１４３は、上記傾斜面に設けられ、当該光分離合成層１４３に入射した第１の波長帯の青色光ＢＬを、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分とに分離する偏光分離機能を有する。この光分離合成層１４３は、青色光ＢＬのＳ偏光成分を反射させ、青色光ＢＬのＰ偏光成分を透過させる。

また、光分離合成層１４３は、当該光分離合成層１４３に入射した光のうち、第１の波長帯（青色光ＢＬの波長帯）とは異なる第２の波長帯（緑色光ＬＧおよび赤色光ＬＲ）の光を、その偏光状態にかかわらず透過させる機能を有する。なお、光分離合成装置１４は、プリズム型のものに限らず、プレート型の偏光分離装置を用いてもよい。

本実施形態において、光分離合成層１４３に入射した青色光ＢＬは、その偏光方向がＳ偏光成分と一致していることから、Ｓ偏光の青色光（以下、青色光ＢＬｓと称す）として、波長変換素子４に向けて反射される。

位相差板１５は、光分離合成層１４３と波長変換素子４との間の光路中に配置された１／４波長板である。この位相差板１５に入射するＳ偏光である青色光ＢＬｓは、円偏光の青色光ＢＬｃに変換された後、ピックアップ光学系１６に入射する。なお、位相差板１５は、１／２波長板でもよい。

ピックアップ光学系１６は、青色光ＢＬｃを波長変換素子４に向けて集光させる。このピックアップ光学系１６は、レンズ１６１，レンズ１６２を備える。具体的に、ピックアップ光学系１６は、入射された複数の光束（青色光ＢＬｃ）を後述する波長変換素子４に向けて集光させるとともに、当該波長変換素子４上で当該複数の光束（青色光ＢＬｃ）を互いに重畳させる。

ピックアップ光学系１６からの青色光ＢＬｃは、波長変換素子４に入射する。波長変換素子４は、青色光ＢＬｃの一部により励起されることによって赤色光および緑色光を含む蛍光ＹＬを生成する。蛍光ＹＬは、例えば、５００〜７００ｎｍの波長域にピーク波長を有する。なお、波長変換素子４の構成については、後述する。青色光ＢＬｃの一部は後述のように波長変換素子４で反射される。本実施形態において、蛍光ＹＬは「第２の波長帯の光」に相当する。なお、蛍光ＹＬの一部も波長変換素子４で反射される。

そして、波長変換素子４から射出された蛍光ＹＬおよび波長変換素子４で反射された青色光ＢＬｃは、ピックアップ光学系１６、位相差板１５を通過し、光分離合成装置１４に入射する。ここで、青色光ＢＬｃは位相差板１５を再び通過することにより、Ｐ偏光の青色光ＢＬｐとなる。青色光ＢＬｐは、光分離合成層１４３を透過する。また、蛍光ＹＬは、光分離合成層１４３を透過する。蛍光ＹＬと青色光ＢＬｐ（Ｐ偏光の青色光）とが合成され、白色の照明光ＷＬが生成される。照明光ＷＬは、インテグレーター光学系１７に入射する。

インテグレーター光学系１７は、後述する重畳レンズ１９と協働して、被照明領域における照度分布を均一化する。インテグレーター光学系１７は、一対のレンズアレイ１７１，１７２を備える。これら一対のレンズアレイ１７１，１７２は、複数のレンズがアレイ状に配列されたものからなる。このインテグレーター光学系１７から射出された照明光ＷＬは、偏光変換素子１８に入射する。

偏光変換素子１８は、偏光分離膜と位相差板とから構成され、照明光ＷＬを直線偏光に変換する。偏光変換素子１８から射出された照明光ＷＬは、重畳レンズ１９に入射する。
重畳レンズ１９は、照明光ＷＬを被照明領域である各光変調装置４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂの画素形成領域上に重畳させることにより、被照明領域の照度分布を均一化する。

以下、波長変換素子４の構成について説明する。
波長変換素子４は、図２に示すように、基材（支持基板）１０と、波長変換層１１と、反射部材１２と、固定部材１３と、接合部材２３と、放熱部材２６とを備えている。

基材１０は、ピックアップ光学系１６側となる表面１０ａと、表面１０ａと反対を向く裏面１０ｂとを有している。基材１０は、表面１０ａ側に波長変換層１１が設けられ、裏面１０ｂ側に放熱部材２６が設けられている。

本実施形態において、基材１０の材料としては、熱伝導性が高く放熱性に優れた材料を用いることが好ましく、例えば、アルミニウム、銅等の金属や、窒化アルミ、アルミナ、サファイア、ダイヤモンド等のセラミクスが挙げられる。

波長変換層１１は、入射された光の一部を蛍光ＹＬに変換して射出するとともに、他の一部を蛍光ＹＬに変換せずに射出する。本実施形態において、波長変換層１１は、蛍光体粒子を焼成した蛍光体で形成される。波長変換層１１を構成する蛍光体粒子として、Ｃｅイオンを含んだＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）蛍光体が用いられる。なお、蛍光体粒子の形成材料は、１種であってもよいし、２種以上の材料を用いて形成された粒子が混合されたものが用いられてもよい。波長変換層１１を構成する蛍光体として、アルミナ等の無機バインダー中に蛍光体粒子を分散させた蛍光体、無機材料であるガラスバインダーと蛍光体粒子とを焼成することで形成された蛍光体などが好適に用いられる。

放熱部材２６は、例えば、ヒートシンクから構成され、複数のフィンを有した構造からなる。放熱部材２６は例えば金属ろうによる接合（金属接合）によって基材１０の裏面１０ｂに固定される。波長変換素子４は、放熱部材２６を介して波長変換層１１を放熱させることができるため、波長変換層１１の熱劣化を防ぐことができる。

反射部材１２は、基材１０の表面１０ａと波長変換層１１との間に設けられる。反射部材１２は、波長変換層１１から入射した光をピックアップ光学系１６に向けて反射させる。

本実施形態の反射部材１２は、複数の膜を積層した多層膜で構成される。
図３は、波長変換素子４の要部構成を示す断面図である。具体的に、図３は反射部材１２の断面を示す図である。
図３に示すように、波長変換層１１は、光射出面１１Ａと底面（第１面）１１Ｂとを有している。光射出面１１Ａは、図２において青色光ＢＬｃを入射させるとともに蛍光ＹＬを射出する面である。底面１１Ｂは基材１０に対向する面である。

反射部材１２は、波長変換層１１の底面１１Ｂ側に設けられる。本実施形態の波長変換素子４において、波長変換層１１と反射部材１２とは接合部材２３を介して接合されている。接合部材２３の構成については後述する。

本実施形態の波長変換素子４において、反射部材１２は固定部材１３（第３接合層）を介して基材１０の表面１０ａに保持される。固定部材１３による接合方法としては、例えば、銀ろう等の金属ろうによる接合（金属接合）を用いることができる。これにより、反射部材１２と基材１０との間の熱伝導性を向上できる。固定部材１３として、ナノＡｇ粒子を用いた焼結型接合材を用いてもよい。

本実施形態の反射部材１２は、基材１０の表面１０ａ側から波長変換層１１の底面１１Ｂ側に向かって順に積層された、接合補助層５５、第１密着層５４、第１保護層５３、反射層５２、第２保護層５１、多層膜５０、および第２密着層４９を含む。

接合補助層５５は固定部材１３に対する接合信頼性を向上させる。接合補助層５５として、例えば、Ａｇ層を用いれば、反射部材１２と基材１０との間における熱伝導性を向上できる。

第１密着層５４は、接合補助層５５と第１保護層５３との密着性を向上させる膜であり、例えば、Ｎｉ層で構成される。第１密着層５４は、反射層５２を保護する第１保護層５３の形成時に、接合補助層５５が酸化されることを防止する。第１密着層５４は、接合補助層５５と第１保護層５３との間に設けられる。なお、Ｎｉ層から構成される第１密着層５４とＡｇ層から構成される接合補助層５５とは自由電子を共有するため、強い密着力を得ることができる。

第１保護層５３は、反射層５２を保護する機能を有する。第１保護層５３は、例えば、ＳｎＯ_２で構成される。第１保護層５３は、第１密着層５４と反射層５２との間に設けられる。なお、ＳｎＯ_２層から構成される第１保護層５３とＮｉ層から構成される第１密着層５４とは、強い密着性を有する。

反射層５２は、反射部材１２に入射した青色光ＢＬｃまたは蛍光ＹＬを反射させる層である。反射層５２の材料としては、例えば、ＡｇまたはＡｌが用いられる。本実施形態では、より高い反射率を得るＡｇ層を用いて反射層５２を形成した。反射層５２は、第１保護層５３と第２保護層５１との間に設けられる。なお、Ａｇ層から構成される反射層５２とＳｎＯ_２層から構成される第１保護層５３とは、強い密着性を有する。

第２保護層５１は、第１保護層５３と同様、反射層５２の保護機能を有する層である。第１保護層５３および第２保護層５１は、例えば、ＳｎＯ_２で構成される。第２保護層５１は、反射層５２と後述する多層膜５０の増反射層５０ｄとの間に設けられる。第２保護層５１は第１保護層５３より膜厚が薄い。そのため、第２保護層５１を形成する際、反射層５２が酸化され難いため、反射層５２と第２保護層５１との間には第１密着層５４のようなＮｉ層を設ける必要がない。なお、ＳｎＯ_２層から構成される第２保護層５１とＡｇ層から構成される反射層５２とは、強い密着性を有する。

多層膜５０は、無機酸化物を含有する層であり、増反射層５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄを含む。増反射層５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄは増反射効果を奏し、蛍光ＹＬの取り出し効率を向上させる。本実施形態において、増反射層５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄの形成材料として、例えば、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３をそれぞれ用いた。

Ａｌ_２Ｏ_３層から構成される増反射層５０ｄは、第２保護層５１と増反射層５０ｃとの間に設けられる。Ｎｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ｃは、増反射層５０ｄと増反射層５０ｂとの間に設けられる。ＳｉＯ_２層から構成される増反射層５０ｂは、増反射層５０ｃと増反射層５０ａとの間に設けられる。Ｎｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ａは、増反射層５０ｂとＳｉＯ_２層から構成される第２密着層４９との間に設けられる。

なお、Ａｌ_２Ｏ_３層から構成される増反射層５０ｄとＳｎＯ_２層から構成される第２保護層５１とは、酸素原子を共有するため、強い密着力を得ることができる。Ｎｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ｃとＡｌ_２Ｏ_３層から構成される増反射層５０ｄとは、酸素原子を共有するため、強い密着力を得ることができる。ＳｉＯ_２層から構成される増反射層５０ｂとＮｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ｃとは、酸素原子を共有するため、強い密着力を得ることができる。Ｎｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ａとＳｉＯ_２層から構成される増反射層５０ｂとは、酸素原子を共有するため、強い密着力を得ることができる。

第２密着層４９は、後述する接合部材２３と多層膜５０との接合性、密着性を向上させるための無機酸化物層であり、例えば、ＳｉＯ_２層で構成される。
第２密着層４９は、後述する接合部材２３とＮｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ａとの間に設けられる。なお、ＳｉＯ_２層から構成される第２密着層４９とＮｂ_２Ｏ_５層から構成される増反射層５０ａとは、酸素原子を共有するため、強い密着力を得ることができる。

図４は波長変換層１１の要部構成を示す断面図である。図４では反射部材１２を簡略化して単層の部材として示している。
図４に示すように、本実施形態において、波長変換層１１は、内部に設けられた複数の気孔２１を有している。これにより、波長変換層１１は、複数の気孔２１により光散乱特性を有したものとなっている。複数の気孔２１は、例えば、平均径が６０μｍ程度の気孔で構成される。

複数の気孔２１の一部は、波長変換層１１の底面１１Ｂに露出する。波長変換層１１は、底面１１Ｂに設けられた凹部２１ａを有している。凹部２１ａは底面１１Ｂに露出した気孔２１の一部で構成されている。本実施形態の波長変換素子４は、底面１１Ｂに設けられた接合部材２３を有している。接合部材２３は、波長変換層１１と反射部材１２とを接合する部材である。

接合部材２３は、第１接合層２３ａと、第１接合層２３ａに接合される第２接合層２３ｂと、を含む。本実施形態において、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂはプラズマ重合膜で構成される。第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂの構成材料としては、シロキサン結合を含み、Ｓｉ骨格とＳｉ骨格に結合する有機基からなる脱離基とを有する材料、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。なお、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂはシロキサン結合を含んでいれば同一材料で構成されてもよいし、別材料で構成されてもよい。本実施形態において、接合部材２３のうち波長変換層１１に対向する第１接合層２３ａの屈折率は波長変換層１１の屈折率よりも低い。

プラズマ重合膜からなる第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは、例えば、プラズマ照射等によってエネルギーを付与すると活性化されて接着性を発現する特性を有する。そのため、接合部材２３は、エネルギー照射によって発現された接着性を利用することで、接着剤等を用いることなく第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂを化学的に接合できる。接合部材２３は、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂ間に化学的に接合された接合界面２３ｃを有する。なお、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは活性化の過程でシロキサン結合のメチル基が切断されるため、接合界面２３ｃが含有するメチル基は、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂが含有するメチル基に対して、相対的に含有量が少なくなっている。接合界面２３ｃを介した第１接合層２３ａと第２接合層２３ｂとの密着性は、非常に強い。よって、第１接合層２３ａと第２接合層２３ｂとの接合力は非常に強く、波長変換層１１と反射部材１２とは、接合部材２３によって強固に接合されている。

本実施形態の波長変換層１１は、底面１１Ｂに設けられた密着補助膜８を含んでいる。密着補助膜８は、接合部材２３に対する波長変換層１１の密着性を向上させるための膜であり、例えば、ポリシラザンを焼結させたＳｉＯ_２膜で構成される。密着補助膜８は、凹部２１ａに入り込むように底面１１Ｂに形成される。

第１接合層２３ａは密着補助膜８を介して波長変換層１１の底面１１Ｂに形成される。なお、密着補助膜８は必要に応じて省略してもよい。密着補助膜８を省略した場合、第１接合層２３ａは底面１１Ｂに直接形成されることになる。

第１接合層２３ａの一部は凹部２１ａに形成される。第１接合層２３ａは、凹部２１ａ内に入り込んで形成されるため、アンカー効果によって波長変換層１１に対する密着性が高められている。よって、第１接合層２３ａは、波長変換層１１から剥離し難い。また、第１接合層２３ａは、ＳｉＯ_２膜で構成される密着補助膜８によって、波長変換層１１に対する密着性がより高められている。

第２接合層２３ｂは、凹部２１ａを覆うように第１接合層２３ａに接合されることで、第１接合層２３ａ及び第２接合層２３ｂを含む接合部材２３が構成される。反射部材１２は、第２接合層２３ｂの第１接合層２３ａと反対側に形成されている。

本実施形態の接合部材２３は、波長変換層１１との接合部分をなす第１接合層２３ａが波長変換層１１から剥離し難いため、接合部材２３は波長変換層１１に対して優れた密着性を有する。また、第２接合層２３ｂは、ＳｉＯ_２層から構成される第２密着層４９によって、多層膜５０に対する密着性が高められている。よって、接合部材２３を介して波長変換層１１に接合された反射部材１２は、波長変換層１１から剥離し難く、反射部材１２は波長変換層１１に良好に密着した状態とされる。

本実施形態の波長変換素子４は、例えば、以下に示す製造方法により製造される。
まず、波長変換層１１を準備する（準備工程）。
はじめに、波長変換層１１を構成する蛍光体粒子等を含有する混合物を調整し、当該混合物を所定の温度にて焼成する。焼成によって、図５Ａに示すように、複数の気孔２１を含み、蛍光体からなる蛍光体基材９が形成される。なお、気孔２１の大きさ或いは数は、焼成温度や混合物に添加する物質の材質等で調整可能である。

続いて、蛍光体基材９の両面を研磨することで、図５Ｂに示すように光射出面１１Ａと底面１１Ｂとを有した波長変換層１１を形成する。研磨により気孔２１の一部が外部に露出し、波長変換層１１の底面１１Ｂに凹部２１ａが形成される。そして、底面１１Ｂに例えば、蒸着、ＣＶＤ等のドライプロセスを用いて密着補助膜８を構成するＳｉＯ_２膜を成膜する。本実施形態では、ＣＶＤを用いて密着補助膜８を形成した。なお、ウエットプロセスを用いてＳｉＯ_２膜を形成してもよい。

続いて、図５Ｃに示すように、第１接合層２３ａの一部が、凹部２１ａ内に形成されるように波長変換層１１の底面１１Ｂに第１接合層２３ａを形成する（第１工程）。第１工程において、凹部２１ａ内に第１接合層２３ａの一部が入り込むように、第１接合層２３ａが形成される。
本実施形態において、波長変換層１１より屈折率の低い材料を用いて第１接合層２３ａを形成する。具体的に、プラズマ重合法を用いて、シロキサン結合を含み、Ｓｉ骨格と、Ｓｉ骨格に結合する有機基からなる脱離基とを有する材料、例えば、ポリオルガノシロキサンを成膜することで第１接合層２３ａを形成する。プラズマ重合法で形成された第１接合層２３ａは凹部２１ａ内に一部が入り込んだ状態に成膜される。

本実施形態において、波長変換層１１は底面１１Ｂに設けられた密着補助膜８を有するので、第１接合層２３ａおよび波長変換層１１は接合性および密着性が高くなる。また、第１接合層２３ａは、凹部２１ａ内に入り込んで形成されるため、アンカー効果によって波長変換層１１に対する密着性が高まる。本実施形態によれば、第１接合層２３ａは波長変換層１１より屈折率の低い材料を用いて形成されているので、波長変換層１１と第１接合層２３ａとの界面で全反射させることができる。

続いて、図６Ａに示すように、転写用基板（基板）４０の表面（第２面）４０ａに反射部材１２を形成する（第２工程）。
具体的に、転写用基板４０としてはサファイア基板を用いた。転写用基板４０の表面４０ａは鏡面とされている。

転写用基板４０の表面４０ａ上に、蒸着やスパッタリング等によって、図３に記載された反射部材１２の各層を順次成膜することで反射部材１２を形成する。すなわち、転写用基板４０の表面４０ａ上に、接合補助層５５、第１密着層５４、第１保護層５３、反射層５２、第２保護層５１、多層膜５０の増反射層５０ｄ、多層膜５０の増反射層５０ｃ、多層膜５０の増反射層５０ｂ、多層膜５０の増反射層５０ａおよび第２密着層４９を順次成膜することで反射部材１２を形成する。反射部材１２は鏡面である転写用基板４０の表面４０ａ上に均一に成膜される。本実施形態の波長変換素子４の製造方法によれば、反射部材１２を均一に形成できる。

続いて、図６Ｂに示すように、反射部材１２に第２接合層２３ｂを形成する（第３工程）。具体的に、プラズマ重合法を用いて、シロキサン結合を含み、Ｓｉ骨格と、Ｓｉ骨格に結合する有機基からなる脱離基とを有する材料、例えば、ポリオルガノシロキサンを成膜することで第２接合層２３ｂを形成する。第２接合層２３ｂは均一性の高い反射部材１２上に成膜されるため、第２接合層２３ｂ自体も均一性の高い膜となる。

続いて、図５Ｄに示すように、第１接合層２３ａの表面２３ａ１にエネルギーを付与する（第４工程）。また、図６Ｃに示すように、第２接合層２３ｂの表面２３ｂ１にそれぞれエネルギーを付与する（第４工程）。
具体的に、プラズマ照射によるエネルギーを付与することで第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂの表面２３ａ１，２３ｂ１をそれぞれ活性化させる（第４工程）。

続いて、図７Ａに示すように、第１接合層２３ａと第２接合層２３ｂとを互いに対向させるとともに、接触させ、さらに加圧し、凹部２１ａが第２接合層２３ｂにより覆われるように第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂを接合する（第５工程）。
第５工程では、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂを加圧することで各表面２３ａ１，２３ｂ１を密着させる。第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂの表面２３ａ１，２３ｂ１は活性化される過程でシロキサン結合のメチル基が切断されて接着性を発現しているため、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは化学的に接合される。このようにして、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂ間に接合界面２３ｃを有する接合部材２３が形成される（図７Ａ参照）。なお、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは活性化の過程でシロキサン結合のメチル基が切断されるため、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂの接合部分には相対的にメチル基の少ない接合界面２３ｃが形成される。

続いて、図７Ｂに示すように、反射部材１２と転写用基板４０とを分離する（第６工程）。
本実施形態において、転写用基板４０の表面４０ａは鏡面となっている。転写用基板４０の表面４０ａおよび反射部材１２の接合補助層５５との密着力は、反射部材１２の各層間における密着力および接合部材２３の接合界面２３ｃの密着力と比べて最も小さくなる。すなわち、Ａｇ層から構成される接合補助層５５とサファイアから構成される転写用基板４０との密着力は、反射部材１２の各層間における密着力および接合部材２３の接合界面２３ｃの密着力と比べて最も小さくなる。したがって、転写用基板４０の剥離時、最も密着力の小さい反射部材１２の接合補助層５５と転写用基板４０との界面で剥離が生じ、反射部材１２を波長変換層１１側に転写することができる。転写用基板４０を剥離することで、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂにより接合された波長変換層１１および反射部材１２を含む接合体４４が形成される。

なお、転写用基板４０の剥離方法は特に限定されず、例えば、力学的に剥離する方法や、熱応力を生じさせて剥離する方法や、反射部材１２と転写用基板４０との間に潮解性のある物質を含有する層を形成することで剥離する方法を用いてもよい。

続いて、図７Ｃに示すように、接合体４４と基材１０の表面１０ａとを固定部材１３（第３接合層）を介して接合する（第７工程）。最後に、基材１０の裏面１０ｂに放熱部材２６を固定することで本実施形態の波長変換素子４が製造される。

（実施形態の効果）
本実施形態の波長変換素子４によれば以下の効果を奏する。
本実施形態の波長変換素子４は、複数の気孔２１を有し、青色光ＢＬｃに励起されて蛍光ＹＬを生成する波長変換層１１と、波長変換層１１の底面１１Ｂに形成される第１接合層２３ａと、第１接合層２３ａに接合される第２接合層２３ｂと、第２接合層２３ｂに形成され、青色光ＢＬｃおよび蛍光ＹＬを反射する反射部材１２と、備え、波長変換層１１の底面１１Ｂは、凹部２１ａを有し、第１接合層２３ａの一部は、凹部２１ａに形成され、第２接合層２３ｂは、凹部２１ａを覆うように形成され、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは、プラズマ重合膜である。

本実施形態の波長変換素子４によれば、第１接合層２３ａの一部が凹部２１ａに入り込んで形成されるため、アンカー効果によって波長変換層１１に対する第１接合層２３ａの密着性を向上させることができる。よって、第１接合層２３ａが波長変換層１１から剥離し難いため、第２接合層２３ｂを介して第１接合層２３ａに接合された反射部材１２は波長変換層１１から剥離し難くなる。したがって、本実施形態の波長変換素子４によれば、波長変換層１１からの反射部材１２の剥離を抑制でき、反射部材１２の信頼性を向上できる。

また、本実施形態の波長変換素子４は、凹部２１ａを覆うように形成された第２接合層２３ｂを備えるため、波長変換層１１の底面１１Ｂに形成した第１接合層２３ａに対して、別工程で製造した反射部材１２を有する第２接合層２３ｂを接合する製造工程が採用可能となる。反射部材１２は複数の層を成膜して構成される。ここで、凹部２１ａを有する底面１１Ｂの平坦度は低いため、仮に反射部材１２を波長変換層１１の底面１１Ｂに直接形成した場合、反射部材１２を構成する各層を良好に成膜することが難しく、反射部材１２の平坦性が低下してしまう。反射部材１２の平坦性が低下すると、蛍光ＹＬを効率良く反射できず、蛍光ＹＬの取り出し効率を低下させてしまう。

これに対し、本実施形態の波長変換素子４は、別工程で製造した平坦性の高い反射部材１２を第２接合層２３ｂによって第１接合層２３ａに接合した構成を有するので、蛍光ＹＬを効率良く反射し、蛍光ＹＬの取り出し効率を向上させることができる。

また、本実施形態の波長変換素子４において、プラズマ重合膜からなる第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは接着剤を用いることなく接合できるため、接着剤等を用いた場合に比べて接合部分における耐光性が向上する。よって、波長変換層１１と反射部材１２との接合信頼性に優れた波長変換素子が提供される。

また、本実施形態の波長変換素子４は、基材１０と、基材１０と反射部材１２とを接合する固定部材１３と、を備える。
この構成によれば、固定部材１３を介して反射部材１２から熱を基材１０に放出することができる。よって、反射部材１２と基材１０との間の熱伝導性が向上するので、反射部材１２を介して波長変換層１１から放熱させることができる。よって、波長変換層１１の熱劣化を防ぐことができる。

また、本実施形態の波長変換素子４において、第１接合層２３ａの屈折率は波長変換層１１の屈折率よりも低い。
この構成によれば、波長変換層１１と第１接合層２３ａとの界面で全反射を利用することができる。よって、光の利用効率を向上させることができる。

本実施形態の波長変換素子４の製造方法は、複数の気孔２１と底面１１Ｂと底面１１Ｂに設けられた凹部２１ａとを有し、青色光ＢＬｃに励起されて蛍光ＹＬを生成する波長変換層１１を用意する準備工程と、波長変換層１１の底面１１Ｂに第１接合層２３ａを形成する第１工程と、転写用基板４０の表面４０ａに反射部材１２を形成する第２工程と、反射部材１２に第２接合層２３ｂを形成する第３工程と、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂにそれぞれエネルギーを付与する第４工程と、第１接合層２３ａと第２接合層２３ｂとを加圧し、第２接合層２３ｂによって凹部２１ａが覆われるように第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂを接合する第５工程と、反射部材１２と転写用基板４０とを分離する第６工程と、を備え、第１工程において、第１接合層２３ａの一部は、凹部２１ａ内に形成される。

本実施形態の波長変換素子４の製造方法によれば、第１工程によって、第１接合層２３ａの一部が凹部２１ａに入り込んで形成されるため、第１接合層２３ａはアンカー効果によって波長変換層１１に対する密着性が向上する。よって、第１接合層２３ａが波長変換層１１から剥離し難いため、第２接合層２３ｂを介して第１接合層２３ａに接合された反射部材１２は波長変換層１１から剥離し難くなる。したがって、本実施形態の波長変換素子４の製造方法によれば、波長変換層１１からの反射部材１２の剥離を抑制し、反射部材１２の信頼性を向上した波長変換素子を提供できる。

ここで、凹部２１ａを有する底面１１Ｂの平坦度は低いため、仮に反射部材１２を波長変換層１１の底面１１Ｂに直接形成した場合、反射部材１２の平坦性が低下し、蛍光ＹＬを効率良く反射できず、蛍光ＹＬの取り出し効率を低下させてしまう。

これに対し、本実施形態の波長変換素子４の製造方法は、凹部２１ａを覆うように第２接合層２３ｂを第１接合層２３ａに接合して反射部材１２を波長変換層１１に転写することができる。すなわち、本実施形態の波長変換素子４の製造方法では、反射部材１２を凹部２１ａのない転写用基板４０の表面４０ａに形成した後、波長変換層１１と接合するので、凹部２１ａによる欠陥が反射部材１２に発生することを抑制できる。よって、反射部材１２の平坦性が向上することで、反射部材１２の反射率低下が抑制されて、蛍光ＹＬを効率良く反射し、蛍光ＹＬの取り出し効率を向上できる。

また、本実施形態の波長変換素子４の製造方法において、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂは接着剤を用いることなく分子間接合によって接合できるため、接着剤等を用いた場合に比べて接合部分における耐光性が向上する。よって、波長変換層１１と反射部材１２との接合信頼性に優れた波長変換素子４を提供できる。

また、本実施形態の波長変換素子４の製造方法においては、第６工程の後、第１接合層２３ａおよび第２接合層２３ｂにより波長変換層１１および反射部材１２を接合した接合体４４と基材１０とを固定部材１３を介して接合する第７工程を備える。
この構成によれば、固定部材１３を介して反射部材１２から熱を基材１０に放出する構造を得ることができる。よって、反射部材１２と基材１０との間の熱伝導性が向上するので、反射部材１２を介して波長変換層１１の熱を放出できる。よって、波長変換層１１の熱劣化を抑制することで信頼性の高い波長変換素子４を提供できる。

また、本実施形態の波長変換素子４の製造方法において、第１工程では、波長変換層１１より屈折率の低い材料を用いて第１接合層２３ａを形成する。
この構成によれば、波長変換層１１と第１接合層２３ａとの界面で全反射を利用する波長変換素子４を製造できる。よって、光の利用効率の高い波長変換素子４が提供される。

本実施形態の光源装置１００Ａは、上記の波長変換素子と、前記波長変換素子に向けて前記第１の波長帯の光を射出する光源と、を備えることを特徴とする。

本実施形態の光源装置１００Ａによれば、反射部材１２の剥離を抑制した上記波長変換素子４を備えるので、信頼性の高い光源装置を提供できる。

本実施形態のプロジェクター１は、上記の光源装置１００Ａと、光源装置１００Ａからの光を画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂと、画像光を投写する投写光学系６００と、を備える。

本実施形態のプロジェクター１によれば、上記光源装置１００Ａを用いた照明装置１００を備えるため、当該プロジェクター１も信頼性に優れたものとなる。

なお、本発明は上記実施形態の内容に限定されることはなく、発明の主旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態では、波長変換素子４として固定型のものを例に挙げたが、本発明の波長変換素子は回転ホイール型にも適用可能である。回転ホイール型に適用することで、波長変換層の放熱性が向上し、蛍光発光効率が向上することで波長変換素子４から出射される光量を向上できる。

また、上記実施形態では、光変調装置として過型液晶ライトバルブを用いているが、光変調装置として、反射型液晶ライドバルブを用いることもできる。また、光変調装置として、マイクロミラーを用いたデバイス、例えば、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等を利用したものなど、液晶以外の光変調装置を用いてもよい。さらに、照明装置の光源として、半導体レーザーダイオードに限らずＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いることもできる。

また、上記実施形態では本発明による光源装置をプロジェクター用照明装置に搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。

また、上記実施形態では、第２保護層５１と反射層５２との間には、Ｎｉ層が設けられていてもよい。当該Ｎｉ層は、第２保護層５１が形成される際に、反射層５２が酸化することを防止することができる。

また、上記実施形態では、反射層５２と第１保護層５３との間には、Ｎｉ層が設けられていてもよい。当該Ｎｉ層は、反射層５２が劣化することを防止することができる。

本開示の一態様に係る波長変換素子は、複数の気孔を有し、第１の波長帯の光に励起されて前記第１の波長帯の光とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層と、前記波長変換層の第１面に形成される第１接合層と、前記第１接合層に接合される第２接合層と、前記第２接合層に形成され、前記第１の波長帯の光または前記第２の波長帯の光を反射する反射部材と、備え、前記波長変換層の第１面は、凹部を有し、前記第１接合層の一部は、前記凹部に形成され、前記第２接合層は、前記凹部を覆うように形成され、前記第１接合層および前記第２接合層は、プラズマ重合膜であることを特徴とする。

また、上記態様に係る波長変換素子において、支持基板と、前記支持基板と前記反射部材とを接合する第３接合層と、を備える構成としてもよい。

また、上記態様に係る波長変換素子において、前記第１接合層の屈折率は、前記波長変換層の屈折率よりも低い構成としてもよい。

本開示の一態様に係る波長変換素子の製造方法は、複数の気孔と第１面と第１面に設けられた凹部とを有し、第１の波長帯の光に励起されて前記第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層を用意する準備工程と、前記波長変換層の前記第１面に第１接合層を形成する第１工程と、基板の第２面に反射部材を形成する第２工程と、前記反射部材に第２接合層を形成する第３工程と、前記第１接合層および第２接合層にそれぞれエネルギーを付与する第４工程と、前記第１接合層と前記第２接合層とを加圧し、前記凹部が前記第２接合層によって覆われるように前記第１接合層および前記第２接合層を接合する第５工程と、前記反射部材と前記基板とを分離する第６工程と、を備え、前記第１工程において、前記第１接合層の一部は、前記凹部内に形成されることを特徴とする。

また、上記態様に係る波長変換素子の製造方法において、前記第６工程の後、前記第１接合層および前記第２接合層により波長変換層および反射部材を接合した接合体と支持基板とを第３接合層を介して接合する第７工程を備える製造方法としてもよい。

また、上記態様に係る波長変換素子の製造方法において、前記第１工程では、前記波長変換層より屈折率の低い材料を用いて前記第１接合層を形成する製造方法としてもよい。

本開示の一態様に係る光源装置は、上記態様の波長変換素子と、前記波長変換素子に向けて前記第１の波長帯の光を射出する光源と、を備えることを特徴とする。

本開示の一態様に係るプロジェクターは、上記態様の光源装置と、前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置と、前記画像光を投写する投写光学系と、を備えることを特徴とする。

１…プロジェクター、４…波長変換素子、１０…基材（支持基板）、１１…波長変換層、１２…反射部材、１３…固定部材（第３接合層）、２１…気孔、２１ａ…凹部、２３ａ…第１接合層、２３ｂ…第２接合層、３１…光源部（光源）、４０…転写用基板（基板）、４４…接合体、１００Ａ…光源装置、４００Ｂ，４００Ｇ，４００Ｒ…光変調装置、６００…投写光学系。

Claims (8)

1. 複数の気孔を有し、第１の波長帯の光に励起されて前記第１の波長帯の光とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層と、
   前記波長変換層の第１面に形成される第１接合層と、
   前記第１接合層に接合される第２接合層と、
   前記第２接合層に形成され、前記第１の波長帯の光または前記第２の波長帯の光を反射する反射部材と、備え、
   前記波長変換層の第１面は、凹部を有し、
   前記第１接合層の一部は、前記凹部に形成され、
   前記第２接合層は、前記凹部を覆うように形成され、
   前記第１接合層および前記第２接合層は、プラズマ重合膜である
   ことを特徴とする波長変換素子。
2. 支持基板と、
   前記支持基板と前記反射部材とを接合する第３接合層と、を備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の波長変換素子。
3. 前記第１接合層の屈折率は、前記波長変換層の屈折率よりも低い
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の波長変換素子。
4. 複数の気孔と第１面と第１面に設けられた凹部とを有し、第１の波長帯の光に励起されて前記第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光を生成する波長変換層を用意する準備工程と、
   前記波長変換層の前記第１面に第１接合層を形成する第１工程と、
   基板の第２面に反射部材を形成する第２工程と、
   前記反射部材に第２接合層を形成する第３工程と、
   前記第１接合層および第２接合層にそれぞれエネルギーを付与する第４工程と、
   前記第１接合層と前記第２接合層とを加圧し、前記凹部が前記第２接合層によって覆われるように前記第１接合層および前記第２接合層を接合する第５工程と、
   前記反射部材と前記基板とを分離する第６工程と、を備え、
   前記第１工程において、前記第１接合層の一部は、前記凹部内に形成される
   ことを特徴とする波長変換素子の製造方法。
5. 前記第６工程の後、前記第１接合層および前記第２接合層により波長変換層および反射部材を接合した接合体と支持基板とを第３接合層を介して接合する第７工程を備える
   ことを特徴とする請求項４に記載の波長変換素子の製造方法。
6. 前記第１工程では、前記波長変換層より屈折率の低い材料を用いて前記第１接合層を形成する
   ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の波長変換素子の製造方法。
7. 請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の波長変換素子と、
   前記波長変換素子に向けて前記第１の波長帯の光を射出する光源と、を備える
   ことを特徴とする光源装置。
8. 請求項７に記載の光源装置と、
   前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置と、
   前記画像光を投写する投写光学系と、を備える
   ことを特徴とするプロジェクター。

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