JP2021103789A - 機能性チップを備える基板を研磨する方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 196
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 95
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
- B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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Abstract
Description
光学式センサにより金属層からの反射光の変化、(3)研磨抵抗の変化、の少なくとも1つに基づいて研磨の終点を検知する。
む樹脂等を使用することができる。蛍光材または蛍光材を含む樹脂は、図1に示されるようなCCLベース100の表面から一番高い位置ある機能性チップの上側の表面にだけ塗布してもよく、あるいは、CCLベース100に機能性チップ102、104を配置した後に、基板の全面に塗布してもよい。機能性チップ102、104の上側の表面に蛍光材または蛍光材を含む樹脂を塗布する場合、表面の一部だけに塗布してもよく、表面の全面に塗布してもよい。蛍光材を塗布した後に、基板の全体を絶縁材106で封止する。かかる実施形態においては、光源302は、蛍光材に蛍光を生じさせる波長を含むものを選択する。センサ304は、一番高い位置にある機能性チップの上面に塗布された蛍光材からの蛍光の強度を測定する。蛍光の強度は、蛍光材の上に配置された絶縁材106の厚さにより変化する。そのため、検出された蛍光の強度により絶縁材106の厚さを検出することができ、絶縁材106の研磨の終点を検知することができる。なお、センサ304で蛍光波長だけを検出するために波長フィルタを使用することができる。あるいは、分光器を使用して蛍光波長の強度を検出してもよい。
る高さの差L3は、機能性チップ102、104およびダミー要素206をCCLベース100に配置して、絶縁材106でモールドする前に、任意の位置センサや、共焦点顕微鏡などで測定することができる。そして、研磨目標位置108がL1になるように、ダミー要素206の上面から研磨目標位置108の距離L2を算出する。絶縁材106の研磨を行うときに、ダミー要素206の上面から絶縁材106の表面までの距離がL2になるまで絶縁材106の研磨を行うことで、研磨目標位置108まで絶縁材106の研磨を行うことができる。終点の研磨目標位置108は、たとえば、反射膜202が設けられた最上位置にあるチップの上面から10μm〜500μmとすることができる。
ることができる。また、過研磨によりバリアモールド層116が除去されてしまうと、さらに下の絶縁材106が露出し、さらに研磨抵抗が変化することになる。そこで、バリアモールド層116から絶縁材106へ変化する時の研磨抵抗の変化から、過研磨の検知を行うことができる。
様に第3層C3を形成することができる。配線層を備える絶縁材106の層は任意の数だけ形成することができる。図9に示される実施形態においては、第3層C3の上に、ロジックチップ102およびメモリチップ104などの機能性チップが配置される。図9に示されるように、これらの機能性チップの間の配線をインターコネクトチップ118やインターポーザにより行ってもよい。図9には、CCLベース100の片側の面にだけ配線や機能性チップを実装する例を示しているが、他の実施形態として、CCLベース100の両方の面に実装してもよい。また、インターポーザやインターコネクトチップ118からパッケージモールド外部に配線を取り出すための縦配線の形成を行ってもよい。縦配線の形成は、任意の方法で行うことができ、たとえば本明細書で開示される方法で行ってもよい。図10は、CCLベース100の両方の面に配線や機能性チップを実装した例を示しており、また、インターコネクトチップ118からパッケージモールド外部に配線を取り出すための縦配線120を備える。図10に示されるパッケージは、本明細書で開示された方法を合わせることで形成することができる。
することができる。制御装置には、本明細書で説明した方法を動作させるためのコンピュータプログラムがインストールされる。このコンピュータプログラムは不揮発性の記録媒体に格納されていてもよく、また、各種通信技術によるコンピュータにプログラムを配信してもよい。
00の上に機能性チップ102、104を配置したら、機能性チップ102、104が実装されたCCLベース100を絶縁材106により封止する。絶縁材106は、たとえば、樹脂やガラス材料とすることができる。絶縁材106により封止したら、絶縁材106が平坦になるように絶縁材106を研磨する。絶縁材106の研磨は、化学機械的に研磨(CMP)することができ、たとえば図12に示される光学式の終点検知センサを備えるCMP装置300を用いて研磨することができる。図13の実施形態においては、機能性チップ102、104の中で一番高い位置にあるチップの表面に光源302から光を照射し、センサ304で反射光を受光する。図13に示される実施形態においては、反射光を分光して、反射光の波長ごとの相対反射率から絶縁材106の厚さを測定することができる。光源302から基板の絶縁材106に向けて照射された光は、絶縁材106の表面で反射し、また、一番高い位置にある機能性チップ(図13の例ではメモリチップ104)の表面で反射することになる。異なる位置で反射された光が干渉することで、センサ304で検出される光の波長ごとの相対反射率が絶縁材106の厚さに応じて変化する。そのため、相対反射率を検出することで機能性チップ102、104上の絶縁材106の厚さを測定することができる。予め予備実験により絶縁材106の厚さが研磨目標位置108となるときの相対反射率を測定しておくことで、図12に示される光源302およびセンサ304を研磨中の基板の終点検知センサとして利用することができる。絶縁材106の厚さが研磨目標位置108に到達したら研磨を終了する。絶縁材106の終点位置は、たとえば研磨目標位置108から±10μm以下にすることが望ましい。また、研磨目標位置108は、たとえば、最上位置にあるチップ104の上面から10μm〜500μmとすることができる。なお、分光器は、ファブリ・ペロー分光器などを使用することができる。また、光源302は、レーザダイオード、LEDなど任意の光源を使用することができる。光源302の波長範囲は、たとえば、500nm〜800nmを含むものとすることができる。また、光源302の波長は、照射対象の絶縁材106などの膜厚や膜種に応じて、短波長である200nm〜500nmの波長範囲を使用することも可能である。
308bは、基板の表面に対する光の入射角度を調整可能な駆動機構(図示せず)を備えることができる。図16の終点検出機構は、他の構成は図15に示される終点検出機構と同様とすることができる。図16に示される全反射を利用した終点検出機構は、図15に示される終点検出機構と同様に、目標とする研磨位置において材質が変化する場合に利用可能である。
に密着させる。粗研磨による研磨量は、アダプタ310の移動距離から算出することができる。あるいは、粗研磨開始時のアダプタ310の位置と、平坦化した基板表面との間の距離を他の方法で測定して粗研磨の研磨量を算出してもよい。
102…ロジックチップ
104…メモリチップ
106…絶縁材
108…研磨目標位置
114…金属層
116…バリアモールド層
118…インターコネクトチップ
200…終点検知要素
202…反射膜
204…反射板
206…ダミー要素
Claims (26)
- 機能性チップを備える基板を化学機械的に研磨する方法であって、
基板に機能性チップを配置するステップと、
前記基板に終点検知要素を配置するステップと、
前記機能性チップおよび前記終点検知要素が配置された基板を絶縁材で封止するステップと、
前記絶縁材を研磨するステップと、
前記絶縁材を研磨しているときに、前記終点検知要素に基づいて研磨の終点を検知するステップと、を有する、
方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記終点検知要素は、反射要素を有し、
前記反射要素に光を照射するステップと、
前記反射要素から反射された光を受光するステップと、を有する、
方法。 - 請求項1または2に記載の方法であって、
前記終点検知要素を、接着剤により機能性チップの上面に固定するステップを有する、方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法であって、
前記終点検知要素は、基板上に構成される機能に無関係なダミー要素を有する、
方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法であって、
前記絶縁材の上に金属層を形成するステップと、
前記金属層を研磨するステップと、を有し、
前記金属層を研磨するときに、
(1)渦電流センサによる渦電流の変化、
(2)光学式センサにより金属層からの反射光の変化、
(3)研磨抵抗の変化、
の少なくとも1つに基づいて研磨の終点を検知する、
方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法であって、
前記絶縁材の上にバリアモールド層を形成するステップと、
前記バリアモールド層の上に金属層を形成するステップと、
前記金属層を研磨するときに、
(1)渦電流センサによる渦電流の変化、
(2)光学式センサにより金属層からの反射光の変化、
(3)研磨抵抗の変化、
の少なくとも1つに基づいて研磨の終点を検知する、
方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法であって、
絶縁材の研磨をした後に、絶縁材に配線用の加工を施すステップと、
加工された絶縁材の表面に、親水性を向上させるための表面処理を施すステップと、を有する、
方法。 - 機能性チップを備える基板を化学機械的に研磨する方法であって、
基板は、機能性チップおよび終点検知要素が配置され、且つ、絶縁材で封止された状態であり、
前記方法は、
前記絶縁材を研磨するステップと、
前記絶縁材を研磨しているときに、前記終点検知要素に基づいて研磨の終点を検知するステップと、を有する、
方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記終点検知要素は、反射要素を有し、
前記反射要素に光を照射するステップと、
前記反射要素から反射された光を受光するステップと、を有する、
方法。 - 請求項8または9に記載の方法であって、
前記終点検知要素は、接着剤により機能性チップの上面に固定されている、
方法。 - 請求項8乃至10のいずれか一項に記載の方法であって、
前記終点検知要素は、基板上に構成される機能に無関係なダミー要素を有する、
方法。 - 請求項8乃至11のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、前記絶縁材の上に金属層が形成された状態であり、
前記金属層を研磨するステップ、を有し、
前記金属層を研磨するときに、
(1)渦電流センサによる渦電流の変化、
(2)光学式センサにより金属層からの反射光の変化、
(3)研磨抵抗の変化、
の少なくとも1つに基づいて研磨の終点を検知する、
方法。 - 請求項8乃至11のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、前記絶縁材の上にバリアモールド層が形成され、さらに、前記バリアモールド層の上に金属層が形成された状態であり、
前記金属層を研磨するときに、
(1)渦電流センサによる渦電流の変化、
(2)光学式センサにより金属層からの反射光の変化、
(3)研磨抵抗の変化、
の少なくとも1つに基づいて研磨の終点を検知する、
方法。 - 絶縁材で封止された機能性チップを備える基板を化学機械的に研磨する方法であって、
前記機能性チップの上面に前記絶縁材を通して光を照射するステップと、
前記機能性チップの上面から反射した光を受信するステップと、
受信した光の変化に基づいて基板の研磨の終点を決定するステップを有する、
方法。 - 請求項14に記載の方法であって、さらに、
前記機能性チップの上面から反射した光を分光するステップと、
前記機能性チップの上面から反射した光の波長ごとの相対反射率の変化に基づいて基板の研磨の終点を決定するステップを有する、
方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
照射する光は、可視光領域または赤外光領域の波長である、
方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
受信した光の強度の変化に基づいて基板の研磨の終点を決定するステップを有する、
方法。 - 絶縁材で封止された機能性チップを備える基板を化学機械的に研磨する方法であって、
基板の表面で光が全反射するように光を照射するステップと、
基板の表面で全反射された光を受信するステップと、
受信した光の変化に基づいて基板の研磨の終点を決定するステップを有する、
方法。 - 基板研磨装置の動作を制御するための制御装置により実行されたときに、前記制御装置が前記基板研磨装置を制御して、請求項1乃至18の何れか一項に記載の方法を実行させるプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- コンピュータを含む制御装置に請求項1乃至18の何れか一項に記載の方法を実行させるプログラム。
- 基板であって、
機能性チップと、
前記機能性チップを覆う絶縁材と、
終点検知要素と、を有する、
基板。 - 請求項21に記載の基板であって、
前記終点検知要素は、反射要素を有する、
基板。 - 請求項20または21に記載の基板であって、
前記終点検知要素は、接着剤により機能性チップの上面に固定されている、
基板。 - 請求項21乃至23のいずれか一項に記載の基板であって、
前記終点検知要素は、基板上に構成される機能に無関係なダミー要素を有する、
基板。 - 請求項21乃至24のいずれか一項に記載の基板であって、
前記絶縁材の上に金属層が形成されている、
基板。 - 請求項21乃至24のいずれか一項に記載の基板であって、
前記絶縁材の上にバリアモールド層が形成されており、さらに、前記バリアモールド層の上に金属層が形成されている、
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021053348A JP7177207B2 (ja) | 2017-09-05 | 2021-03-26 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017170302A JP6860451B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
JP2021053348A JP7177207B2 (ja) | 2017-09-05 | 2021-03-26 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017170302A Division JP6860451B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021103789A true JP2021103789A (ja) | 2021-07-15 |
JP7177207B2 JP7177207B2 (ja) | 2022-11-22 |
Family
ID=65633980
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017170302A Active JP6860451B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
JP2021053348A Active JP7177207B2 (ja) | 2017-09-05 | 2021-03-26 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017170302A Active JP6860451B2 (ja) | 2017-09-05 | 2017-09-05 | 機能性チップを備える基板を研磨する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11597051B2 (ja) |
JP (2) | JP6860451B2 (ja) |
KR (2) | KR20230101949A (ja) |
CN (1) | CN111095492B (ja) |
TW (1) | TWI773810B (ja) |
WO (1) | WO2019049659A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007214402A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Cmk Corp | 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板 |
JP4056854B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2008-03-05 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2011000647A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Ebara Corp | 研磨監視方法 |
JP2013044782A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 光学素子、電気光学装置、投射型映像装置及び光学素子の製造方法 |
WO2013035655A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 株式会社村田製作所 | モジュール基板 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS628981A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Daido Steel Co Ltd | 巻取ドラムアダプタ |
US5234868A (en) * | 1992-10-29 | 1993-08-10 | International Business Machines Corporation | Method for determining planarization endpoint during chemical-mechanical polishing |
JPH09139369A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される研磨装置 |
MY139405A (en) * | 1998-09-28 | 2009-09-30 | Ibiden Co Ltd | Printed circuit board and method for its production |
JP2000124601A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP3141939B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2001-03-07 | 日本電気株式会社 | 金属配線形成方法 |
US20050173259A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Applied Materials, Inc. | Endpoint system for electro-chemical mechanical polishing |
JP4899604B2 (ja) | 2006-04-13 | 2012-03-21 | ソニー株式会社 | 三次元半導体パッケージ製造方法 |
CN102490112B (zh) * | 2006-10-06 | 2015-03-25 | 株式会社荏原制作所 | 加工终点检测方法、研磨方法及研磨装置 |
JP2008100319A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 研削加工方法および研削加工装置 |
TWI453837B (zh) * | 2011-06-13 | 2014-09-21 | Advanced Semiconductor Eng | 具有非導電層的半導體封裝及其製造方法 |
JP6005467B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2016-10-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
US9358660B2 (en) * | 2011-11-07 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grinding wheel design with elongated teeth arrangement |
JP6157890B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-07-05 | 日東電工株式会社 | アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法 |
US9490186B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Limiting adjustment of polishing rates during substrate polishing |
TWI591764B (zh) * | 2015-01-12 | 2017-07-11 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封裝體及其製造方法 |
US9595492B2 (en) * | 2015-03-16 | 2017-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Device manufacture and packaging method thereof |
US9754805B1 (en) * | 2016-02-25 | 2017-09-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Packaging method and structure |
-
2017
- 2017-09-05 JP JP2017170302A patent/JP6860451B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-22 US US16/643,124 patent/US11597051B2/en active Active
- 2018-08-22 KR KR1020237021860A patent/KR20230101949A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-08-22 WO PCT/JP2018/030894 patent/WO2019049659A1/ja active Application Filing
- 2018-08-22 CN CN201880057226.1A patent/CN111095492B/zh active Active
- 2018-08-22 KR KR1020207005105A patent/KR102550564B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-28 TW TW107129857A patent/TWI773810B/zh active
-
2021
- 2021-03-26 JP JP2021053348A patent/JP7177207B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-30 US US18/161,707 patent/US20230173636A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4056854B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2008-03-05 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007214402A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Cmk Corp | 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板 |
JP2011000647A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Ebara Corp | 研磨監視方法 |
JP2013044782A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 光学素子、電気光学装置、投射型映像装置及び光学素子の製造方法 |
WO2013035655A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 株式会社村田製作所 | モジュール基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200049767A (ko) | 2020-05-08 |
TWI773810B (zh) | 2022-08-11 |
WO2019049659A1 (ja) | 2019-03-14 |
JP7177207B2 (ja) | 2022-11-22 |
US11597051B2 (en) | 2023-03-07 |
CN111095492A (zh) | 2020-05-01 |
US20230173636A1 (en) | 2023-06-08 |
KR102550564B1 (ko) | 2023-07-04 |
US20200391341A1 (en) | 2020-12-17 |
JP6860451B2 (ja) | 2021-04-14 |
CN111095492B (zh) | 2023-12-01 |
JP2019047022A (ja) | 2019-03-22 |
KR20230101949A (ko) | 2023-07-06 |
TW201919822A (zh) | 2019-06-01 |
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