JP2007214402A - 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板 - Google Patents

半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板 Download PDF

Info

Publication number
JP2007214402A
JP2007214402A JP2006033263A JP2006033263A JP2007214402A JP 2007214402 A JP2007214402 A JP 2007214402A JP 2006033263 A JP2006033263 A JP 2006033263A JP 2006033263 A JP2006033263 A JP 2006033263A JP 2007214402 A JP2007214402 A JP 2007214402A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
wiring board
printed wiring
mark
built
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006033263A
Other languages
English (en)
Inventor
Manabu Yamada
学 山田
Yoshio Imamura
圭男 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon CMK Corp
CMK Corp
Original Assignee
Nippon CMK Corp
CMK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon CMK Corp, CMK Corp filed Critical Nippon CMK Corp
Priority to JP2006033263A priority Critical patent/JP2007214402A/ja
Publication of JP2007214402A publication Critical patent/JP2007214402A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

【課題】半導体素子の搭載位置にずれが生じた場合であっても、導通不良のない高品質の半導体素子内蔵プリント配線板を歩留まり良く得ることができる半導体素子及び当該高品質の半導体素子内蔵型プリント配線板を提供する。
【解決手段】ベース基板21の所望の位置に接着材15により搭載されて、プリント配線板の内層部に導入される半導体素子20であって、当該半導体素子20がフェイスアップ構造からなり、かつその一方の主面において、自動外観検査機の位置検出用のマーク10が前記半導体素子20の電極パッド11と同一面上に設けられている半導体素子内蔵型のプリント配線板であって、本来の設計位置からずれた位置に搭載された半導体素子20を有し、かつ当該位置ずれした半導体素子20が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に対応せしめて接続ビアが形成されている半導体素子内蔵型プリント配線板。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体素子及び半導体素子内蔵型のプリント配線板に関するものであり、特に、内蔵している半導体素子が搭載の際に位置ずれした場合であっても、高品質の半導体素子内蔵型プリント配線板を高い歩留まりで得ることができる半導体素子及び高品質の半導体素子内蔵型プリント配線板に関する。
近年、プリント配線板の内部に各種の半導体素子などを導入した半導体素子内蔵型のプリント配線板が開発され、実用に供されている。従来、斯かる半導体素子内蔵型のプリント配線板としては一般に、図20に示されるような構造のものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
以下、この図20を用いて従来技術を説明する。まず、図20(a)に示されるように、あらかじめパッド71を回路形成したベース基板72を用意し、そのパッド71にクランプ79や吸着機などを使用して半導体素子80を搭載する。また、半導体素子80の下面にはあらかじめ接着材73を塗布し、当該接着材73にて半導体素子80をパッド71に接着固定することで、所望の位置に部品80を搭載することができる。
次いで、半導体素子80の搭載後には、半導体素子80をプリント配線板の内層部に導入することを目的として、図20(b)に示されるように絶縁材74を半導体素子80の上方部より積層し、銅箔75と共に加熱環境下で加圧することで、半導体素子内蔵型のプリント配線板を構成することができる。
しかしながら、上記のような接着材73を使用した半導体素子80の搭載方法は、図20(b)に示されるように、半導体素子が本来搭載されるべき半導体素子の搭載設計位置に対して異なった位置に搭載されることによる不具合、いわゆる半導体素子の位置ずれ不具合と呼称される問題を生じることがあった。
このような、半導体素子80の位置ずれ不具合を生じた場合には、図20(c)に示されるように、プリント配線板の構造的な欠陥を生じさせる。すなわち、接続ビア76を介して半導体素子80に接続される電極パッド78と上層の導体パターン77との接続部に位置ずれが生じ、主に導通不良に起因する半導体素子内蔵型のプリント配線板の不良発生が問題となっていた。
因に、上記の接着材を使用した接着固定型での半導体素子の搭載方法以外の従来方法としては、はんだ接続による半導体素子及び部品などの搭載方法が挙げられ、このはんだ接続法によれば、リフローなどの加熱によりはんだが溶融し、このはんだの溶融によるセルフアライメントが機能するために、部品の位置ずれ不具合を適正位置に修復することができ、位置ずれ問題を回避することができる。しかしながら、上記接着材による接着固定型の部品搭載方法においては、前記はんだのセルフアライメントのような位置ずれを修復する機能が無いために、製造工程内で上記部品の位置ずれを修復することは困難であった。
さらに、上記半導体素子の位置ずれに関しては、複数の発生要素が挙げられる。例えば第1に、クランプ79が部品80を掴む際の機械的な掴みずれから生じるものがある。第2に、クランプ79により半導体素子80を搭載する際の機械的な搭載ずれから生じるものがある。第3に、半導体素子80をパッド部71に接着する際に、強固な接着を構成するために加熱及び加圧が行なわれるが、その際に発生する接着材73の流動ずれから生じるものがある。更にこれら以外にも、ベース基板72の平坦性による影響や、固定圧力の不均一さによる影響からも半導体素子の位置ずれ不具合を生じることがあった。
そのため、上記接着材による接着固定型の半導体素子の搭載方法においては、仮に一つの位置ずれ不具合を抑制することは出来たとしても、完全に位置ずれ不具合の発生を無くすことは、上記複数の位置ずれ発生要素があるために極めて困難なのが実状であった。
また、上記接着材による接着固定型の部品搭載方法においては、リペアーによる再接続修復が材料特性の面から困難であるため、高い歩留まりで製品を製造することが難しかった。
このような背景において従来は、半導体素子搭載の際に位置ずれを生じた場合には、当該半導体素子が搭載されているプリント配線板の個片箇所(以下、この個片箇所をピースと記載する)を個別に欠陥部として判定し、当該欠陥部のピースにマーキングし、当該マーキングしたピースのみを不良品として処理することを行なってきた(例えば、特許文献2参照)。
図21は、前記欠陥部のピースを不良品として識別する態様を模式図として示したものである。図21に示されるように、上記のような理由で位置ずれ不具合を生じた位置ずれ半導体素子84a及び84bは、個別に不良のピースとして識別し、他の設計上的確な位置に搭載された半導体素子に関しては、良品な製品として識別して、半導体素子内蔵型プリント配線板の製造を行なっていた。
しかしながら、上記のような不良識別処理方法においては、次のような問題を生じていた。すなわち、プリント配線板の内部に導入する部品類が安価なものであれば不良金額は少なく、コスト面で対応することができるものであるが、半導体素子のような能動部品は高価であり、不良損失金額が高額なものとなっていた。
また、前記位置ずれ不具合を生じた半導体素子は、図20(c)に示されるような導通接続の問題を生じるが、それは半導体素子との接続箇所が問題であり、半導体素子自身の性能自体は特に劣化が生じている訳では無い。そのため、上記のような不良識別処理方法においては、結果的に安定した性能を示す半導体素子を不良品として処理してしまう、と云う問題があった。
特開2005−235881号公報 特開2003−139720号公報
以上のような背景に基づき本発明が解決しようとする課題は、接着材を使用した接着固定型の半導体素子の搭載において、プリント配線板の内部に導入される半導体素子の搭載位置にずれが生じた場合であっても、導通不良のない高品質の半導体素子内蔵型プリント配線板を歩留まり良く得ることができる半導体素子及び当該高品質の半導体素子内蔵型プリント配線板を提供することにある。
本発明者らは上記課題を解決するために種々検討を重ねた。その結果、半導体素子の表面部にマークを設ければ、また当該マークを設けた半導体素子をプリント配線板の内層部に導入し、位置ずれした半導体素子が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に対応せしめて接続ビア、導体パターンあるいはソルダーレジストを形成すれば、極めて良い結果が得られることを見出して本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、ベース基板の所望の位置に接着材により搭載されて、プリント配線板の内層部に導入される半導体素子であって、当該半導体素子がフェイスアップ構造からなり、かつその一方の主面において、自動外観検査機の位置検出用のマークが前記半導体素子の電極パッドと同一面上に設けられていることを特徴とする半導体素子により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記半導体素子がウエハレベルパッケージであることを特徴とする半導体素子により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記マークが1つの半導体素子に、2〜4個が設けられていることを特徴とする半導体素子により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記マークと前記電極パッドが、絶縁材により表面が平坦化されていることを特徴とする半導体素子により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記半導体素子が、ベース基板に搭載された後、前記マークを自動外観検査機にて検出することによりその搭載位置が座標データとして検出されるものであることを特徴とする半導体素子により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、接着材により接着固定されたフェイスアップ構造からなる半導体素子が内層部に配置された半導体素子内蔵型のプリント配線板であって、本来の設計位置からずれた位置に搭載された半導体素子を有し、かつ当該位置ずれした半導体素子が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に対応せしめて接続ビアが形成されていることを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記接続ビアが、前記半導体素子と当該半導体素子の上層の導体パターンとを接続することを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、接着材により接着固定されたフェイスアップ構造からなる半導体素子を内層部に配置された半導体素子内蔵型のプリント配線板であって、本来の設計位置からずれた位置に搭載された半導体素子を有し、かつ当該位置ずれした半導体素子が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に対応せしめて導体パターン又は/及びソルダーレジストが形成されていることを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記内層部に配置された半導体素子が、前記した何れかの半導体素子であることを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板により上記課題を解決したものである。
また、本発明は、前記半導体素子が搭載されたプリント配線板が、複数個のピースを連結したシートから成り、かつ当該シートがボードマークを有するボード枠に複数個はめ込み設置されていることを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板により上記課題を解決したもの。
本発明の半導体素子を用いれば、プリント配線板の内部に導入される半導体素子の搭載位置にずれが生じた場合であっても、位置検出用マークにより、本来の設計位置ではなく、当該位置ずれした状態の半導体素子との精度の良い位置合わせにより、プリント配線板の接続ビア並びに導体パターン及びソルダーレジストを形成し得るので、導通不良のない高品質の半導体素子内蔵型のプリント配線板を歩留まり良く製造することができる。また、本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板は、半導体素子の搭載位置にずれが生じていても導通接続に欠陥が生じることなく、高品質なものとなっている。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面と共に詳しく説明する。
図1は本発明の半導体素子と、当該半導体素子を内層部に導入した本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の構造を示している。
図1(a)は本発明の半導体素子を示す概略断面説明図である。当該半導体素子20は、両面銅張り積層板などのベース基板21に接着材15を使用した接着固定型の方法により搭載される。また、絶縁層と導体層とを順に半導体素子20の上方より積み重ねることにより、プリント配線板の内層部に導入されるものである。
半導体素子20は、シリコンウエハ1上に半導体の微細回路が形成され、接続パッド2が設けられている。また、接続パッド2に再配線接続され、シリコンウエハ1の上方の主面に、電極パッド11が設けられている。これは、半導体素子20の上方の主面より電気接続されるフェイスアップ構造からなるものである。さらに、前記電極パッド11と同一面上には、マーク10が設けられ、当該マーク10と前記電極パッド11は、絶縁材9によりその間隙となる部分が埋設されており、表面が平坦化されている。
上記のような構成からなる半導体素子20はウエハレベルパッケージと呼称される小片の形状のものが使用される。これは、前記ウエハレベルパッケージにおいては合わせ精度の要求が高いこと、単価が高いために高い歩留まりが要求されることなどの理由があり、本発明においてはそれらの要求に対応できるためである。
図1(b)は本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板を示す概略断面説明図である。当該半導体素子内蔵型プリント配線板は、前記半導体素子20が内層部に配置されており、その周辺には絶縁材23が設けられている。また、半導体素子20の電極パッド11部には接続ビア25が接続されており、当該接続ビア25を介して上層の導体部の導体パターン26と接続されている。さらに、導体パターン26の上面にはソルダーレジスト27が被覆され、前記半導体素子内蔵型プリント配線板が構成されている。
本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板は、図1(b)に示されるように、プリント配線板の内部に導入される半導体素子20が搭載の際に、搭載設計位置に対して位置ずれを生じた場合であっても、当該半導体素子20との精度の良い位置合わせにより、プリント配線板の接続ビア25並びに導体パターン26及びソルダーレジスト27を形成することができるものである。
図2〜図7は、本発明の半導体素子の製造方法を示す概略断面工程説明図である。以下当該図2〜7を用いて本発明の半導体素子を更に詳しく説明する。
始めに、半導体の微細な回路が形成されたシリコンウエハ1上に接続パッド2を形成し、次いで、絶縁材3を接続パッド2の上方より設け、当該接続パッド2の箇所には絶縁材3が開口する開口部4を設けて図2に示される構造体を得る。
次いで、前記図2に示される構造体を使用して、絶縁材3の上面にレジスト5を設けた後に、レジスト5の開口箇所にめっき方式や蒸着方式により導体6を付着させて図3に示される構造体を得る。当該導体6の一部である、図3に示される導体6aは、前記開口部4を埋設して接続パッド2に導体接続する構造となる。これは、前記接続パッド2からの再配線接続を形成する。
また、図3に示される構造体においては、前記の接続パッド2から導体6aによる再配線接続構造のほかに、導体6bからなる接続パッド2に非接続な導体部位を有する。前者の接続パッド2から導体6aによる再配線接続構造は、後述する電極パッド部を形成し、接続ビアを介して、上層の導体部と接続されるための役割を示す。後者の導体6bからなる接続パッド2に非接続な導体部位は、後述するマーク部を形成する。
次いで、前記図3に示される構造体より、レジスト5を剥離し、表面に導体6a及び導体6bが存在する図4に示される構造体を得る。
次いで、前記図4に示される構造体にレジスト7を貼り付けた後に、当該レジスト7の開口部を前記導体6a及び導体6bに設ける。さらに、当該開口部に導体をポスト状態に形成し、接続パッド2に接続される導体6aの上に導体ポスト8aを設けると共に、接続パッド2に非接続な導体6bの上に導体ポスト8bを設けて図5に示される構造体を得る。
次いで、前記図5に示される構造体のレジスト7を剥離した後に、導体6a及び6b並びに導体ポスト8a及び8bの間隙に相当する箇所に絶縁材9を設けて図6に示される構造体を得る。ここで、研磨により表面を平坦化することで、導体ポスト8aに基づく箇所を電極パッド11とする。また、導体ポスト8bに基づく箇所をマーク10とする。
次いで、前記図6に示される構造体を使用して、ダイシングすることで、図7に示される小片の半導体素子20を得る。また、当該半導体素子20は、接着材を使用した接着固定型の方式で搭載するために、半導体素子20の下面には接着材15を設ける。この接着材15は、前記ダイシングを行なった後に設けても良く、接着材を半導体素子20の下面に設けた後にダイシングしても良い。
図8は、本発明の半導体素子20の概略平面説明図(表面からの観察図)である。当該半導体素子20の特徴的な箇所としては、図8に示されるように半導体素子20の表面部にマーク10が設けられている点である。
前記マーク10の主な役割は、半導体素子20をプリント配線板の内層部における所望の位置に搭載した後に、当該半導体素子20の位置ずれについて、その位置ずれ量を認識できるようにするためのものである。
すなわち、図8に示される半導体素子20の表面部に設けられたマーク10を自動外観検査機(AOI)などの装置を使用することにより読み取り、当該マーク10が搭載されている位置の平面座標データを検出し、その座標データを設計位置データと比較し、数値として演算処理することにより、半導体素子20の位置ずれ量を情報として把握することが可能となる。
ここで、従来技術を参照とすると、図21に示されるような位置ずれ半導体素子84a,84bにおいては、前記マーク10を有していないために、位置ずれ半導体素子84a,84bの位置ずれ量を正確に補足することは困難であった。また、当該マーク10に類似するマーク類が存在する場合でも、作業員による測長検査を行なうことによって、単に半導体素子の位置がずれていることを認識し、前述のように当該半導体素子を不良品として処理するに留まるものであった。
しかしながら、図8に示される半導体素子20の表面部に設けられたマーク10は、自動外観検査機(AOI)などにより読み取りを行なうことで、搭載位置を平面座標として認識することができる。加えて、設計上の座標値と比較して数値として演算することにより、半導体素子20の位置ずれ量を搭載位置の平面において、縦方向変位と横方向変位並びに角度(θ)変位を把握することが可能となり、この位置ずれ量の情報をもとに、半導体素子20に接続される接続ビア並びに上層の導体パターン及びソルダーレジストパターンを行なうことができるようになるものである。
前記半導体素子20の表面部に設けられたマーク10の数は、1個の半導体素子20に対して3ないし4個のマークを設けることが好ましい。これは、半導体素子20の座標を正確に把握することができることと、特に角度(θ)変位による位置ずれを把握することができるためである。しかしながら、近年の技術の発展にともなう半導体素子20の小型化を背景とした場合、前記3ないし4個の部品マークを設けることが困難であることがある。このような場合には2個の部品マークを設け、設計値と比較することでも縦方向変位と横方向変位並びに角度(θ)変位を把握することが可能である。
図9は、前記半導体素子20の表面部に設けられたマーク10の形状について示した模式図である。当該マーク10は、搭載の際に位置ずれが生じた半導体素子について、自動外観検査機(AOI)により座標を読み取り、その座標を設計値と比較することで位置ずれ量を数値的に算出することを目的としている。したがって、自動外観検査機(AOI)により読み取りが行なえる形状であることが良い。
図9(a)から(e)に示される種々の形状は、マーク10として使用される形状の例示である。始めにマーク10は、図9(a)に示されるような真円の形状であっても良い。これは前記真円の形状であっても読み取り位置を前記自動外観検査機(AOI)にあらかじめ入力することで、読み取りが行なえるためである。
しかしながら、図6に示されるように、マーク10の同一平面上においては、同形状の電極パッド11が複数設けられていることが多く、自動外観検査機(AOI)が部品マーク10と電極パッド11とを識別しない場合もしくは誤認する場合がある。そのため、図9(a)に示されるような真円の形状をマーク10に使用する際には、電極パッド11とのサイズを異なるものを使用し、大小の形状の違いによる変化を設けることが良い。
一方、上記マーク10と電極パッド11とを容易に識別することを目的として、マーク10の形状は図9(b)から(e)に示される電極パッド11の形状と異なるものを使用することが好適である。
図9(b)に示されるマーク形状はドーナッツ形状にしたものであり、前記形状の中央抜き部の中心部(点線の交点位置)を座標として自動外観検査機(AOI)が認識することができる。図9(c)に示される形状は、さらにドーナッツ形状の中央に導体部を設けたものであり、当該中央導体部の中心部(点線の交点位置)を座標として認識することができる。図9(d)に示されるマーク形状は、導体を十字形状にしたものであり、当該十字形状の中心部(点線部の交点位置)を座標として認識することができる。図9(e)に示されるマーク形状は、矛先が中央に対面するくさび形状にしたものであり、当該くさび形状の中心部(点線部の交点位置)を座標として認識することができる。
このように、マーク10の形状は、当該マーク10の中心部を自動外観検査機(AOI)が認識することができれば多様な形状を使用することができる。また、これらのマーク10を使用することにより、自動外観検査機(AOI)にて容易に個々のマーク10の座標を認識することができる。
一方、自動外観検査機(AOI)にて容易に個々のマーク10の座標を認識することができる場合、前記従来技術の問題点を解決することができる。それについて、図10を使用して以下順に説明する。
始めに、背景技術においても記載した通り、半導体素子搭載の際に半導体素子の位置ずれが生じた場合には、図10(a)に示されるような半導体素子20と接続ビア25及び導体パターン26との導通接続に欠陥を生じるものであった。
このような図10(a)に示されるような欠陥構造は、半導体素子20と接続ビア25及び導体パターン26との位置関係にずれが生じることが原因で発生するものである。そこで、上記のような態様で製造される半導体素子内蔵型プリント配線板の半導体素子20と接続ビア25との位置関係ついて、図10(b)にそれを模式図として示した。
すなわち、ピース単位で隣接する半導体素子20a、20b、20cにおいて、半導体素子20bにのみ位置ずれ不具合を生じた場合、図10(b)に示されるように半導体素子20aと半導体素子20cが正常な搭載位置であるのに対して、半導体素子20bの位置がずれているように示される。その一方で、半導体素子20の上部に接続される接続ビア25は、設計された正位置に形成するため、半導体素子20aに対応する接続ビア25a及び半導体素子20cに対応する接続ビア25cは位置合わせ良好な形状となる。しかしながら、図10(b)に示されるように、半導体素子20bに対応する接続ビア25bは、相対的に良好な位置合わせ形状とはならない。そのため、前記記載の図10(a)に示されるような導通接続に欠陥を生じるものであった。
一方、本発明の半導体素子及びそれを内蔵した半導体素子内蔵型プリント配線板においては、図10(c)に示されるように、半導体素子20dに対応する接続ビア25d及び半導体素子20fに対応する接続ビア25fは位置合わせ良好な形状を保持し、加えて、前記同様に位置ずれを生じた半導体素子20eに対しては、当該位置ずれ量に基づくデータを算出し、当該位置ずれ量に対応する補正を行なうことで、接続ビア25eをピース単位で、半導体素子20eの位置ずれに対応するように形成することができる。
このような対応を行なうことにより、図10(c)に示される半導体素子20eは接続ビア25eと合わせ精度良く製品を製造することができるために、歩留まり良く、高品質の半導体素子内蔵型のプリント配線板が得られる。
図11は、本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の外観形状の一例について示したものである。始めに、プリント配線板の内部に導入される個々の半導体素子はピース40上に接着材の使用により搭載され、その後に当該半導体素子の上に絶縁層が積み重ねられることでプリント配線板に内蔵される。
また、前記半導体素子が搭載されるピース40は、その複数個がシートマーク51を有するシート50内に多面付けされ、図11においては一例として、12個のピース40がシート50に面付けされた状態を示している。さらに、前記シート40は、その複数個がボードマーク61を有するボード60に多面付けされ、図11においては一例として、4個のシート50がボード60に面付けされた状態を示している。
この形態は、半導体素子内蔵型プリント配線板においては、半導体素子が搭載されるピース40が単体としては小さい形状であるため、それらを集合させてシート50を形成し、さらにシート50を集合させてボード60を形成することで、多数個のピース40を得るためのものである。
図12は、前記平面座標が認識できるマーク10を有する半導体素子を使用した場合の、半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法について、その全体的な構成をフローチャートにて示したものである。従来との違いを明確にしながら、以下順に説明する。
始めに、前記背景技術にて示した従来の半導体素子内蔵型プリント配線板は、一般に、図12に示されるフローチャートのF11からF17に示される工程を行なうことにより製造されていた。
すなわち、始めに、両面基板などのベース基板を用意し(F11)、当該ベース基板に半導体素子を搭載し(F12)、当該半導体素子の上方より絶縁材を積層する(F13)。次いで、半導体素子の電極パッド部に接続するように接続ビアを形成し(F14)、当該接続ビアに導体を充填することで導体接続を形成し(F15)、半導体素子の上層に位置する導体パターンを形成し(F16)、最後に当該導体パターンに被覆するようにソルダーレジスト(SR)を形成する(F17)ことで半導体素子内蔵型プリント配線板を製造していた。
これらの工程により製造される半導体素子内蔵型プリント配線板において、半導体素子搭載の際に部品の位置ずれが生じた場合には、背景技術においても記載した通り、半導体素子と接続ビア及び導体パターンとの導通接続に欠陥を生じるものであった。
次に、本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法について、図1に示されるフローチャートを使用して説明する。本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板は、図12に示される検査手段(F21)、検出手段(F22)、受信手段(F24)、演算手段(F25)、識別手段(F26)、補正手段(F27)、レーザ手段(F28)及び露光手段(F29)を使用することにより、高品質で、歩留まり良く製造することができる。尚、当該各手段はそれぞれコンピュータによって作動制御されている。
始めに、両面基板などのベース基板を用意し(F11)、当該ベース基板に部品を搭載する(F12)。この工程は従来の技術と同様に行なわれる。
しかしながら、ベース基板に半導体素子を搭載する(F12)の過程で位置ずれ不具合を生じた場合、当該半導体素子の位置ずれ量を測定する目的で、検査手段(F21)によりベース基板に搭載した半導体素子に設けられたマーク10を読み取る。ここに当該検査手段(F21)としては、例えば自動外観検査機(AOI)等が好適に使用される。
次いで、検出手段(F22)にて半導体素子のマーク10の搭載位置を平面座標データとして検出作成し、設計上でのマーク10の位置座標データ(F23)と共に受信手段(F24)に送信し、当該受信手段(F24)にて当該両方のデータの入力を受け取る。
次いで、前記受信手段(F24)で入力を受けたマーク10の搭載位置データと部品マークの設計位置データをもとに、搭載部品の位置ずれ量を演算手段(F25)にて算出する。
次いで、前記演算手段(F25)で算出された搭載された半導体素子の位置ずれ量と許容閾値位置ずれ量とを比較することで、前記位置ずれを生じた半導体素子が許容閾値以下に相当するか、いわゆる半導体素子の位置ずれ不具合を生じているかを、ピース単位で識別手段(F26)にて識別する。
次いで、前記識別手段(F26)により位置ずれ不具合を生じていることが識別された場合は、当該位置ずれ不具合に対応する搭載された半導体素子の上層の導体パターン及びソルダーレジスト形成パターンを前記搭載部品の位置ずれ量をもとにデータをピース単位で補正手段(F27)にて補正する。
次いで、前記補正手段(F27)で補正されたデータに基づいて、電極パッド部に接続するようにレーザ手段(F28)にて接続ビアを形成する。また、前記補正手段(F27)で補正されたデータに基づいて、導体パターン形成用レジスト及びソルダーレジスト部に露光手段(F29)にて露光する。
このレーザ手段(F28)にてレーザ加工された接続ビア形成(F14)においては、ベース基板に搭載された半導体素子の位置ずれ量が補正された状態でレーザ加工されているため、半導体素子と接続ビアとが、合わせ精度良く製品を製造することができる。
また、この露光手段(F28)にて露光された導体パターン形成(F16)とソルダーレジスト形成(F17)においては、ベース基板に搭載された半導体素子の位置ずれ量が補正された状態で露光されているため、半導体素子と導体パターン及び導体パターン上に被覆されるソルダーレジストとが、合わせ精度良く製品を製造することができるために、前記レーザ加工された接続ビア形成との組み合わせにより、歩留まり良く、高品質の半導体素子内蔵型プリント配線板が得られる。
図13及び図14は、本発明の半導体素子内蔵プリント配線板の半導体素子と接続ビア並びに導体パターン及び導体パターン上に被覆されるソルダーレジストとの位置合わせ精度を良好にするための方法を、ステップごとにフローチャートで示したものである。特に、図13においては半導体素子をベース基板に搭載し、当該半導体素子が有するマークを読み取り、マークの搭載位置データを設計上の設計位置データと共に受信手段であるCAD/CAMに入力するまでのアクションステップを示したものである。
ステップ1は、両面基板などのベース基板を用意し、当該ベース基板に半導体素子を搭載するステップである。ベース基板上への半導体素子の搭載は、従来技術と同様に接着材を使用した接着固定方式による搭載が行なわれる。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12のベース基板(F11)、半導体素子搭載(F12)に該当する。
ステップ2は、半導体素子のマークの読み取りを行なうステップである。前記おいて詳細説明したように、半導体素子20はその表面部にマーク10を有している。このマーク10を自動外観検査機(AOI)を使用することにより読み取りを行なう。前記マーク10の読み取りは、ベース基板上に搭載されている全ての半導体素子についておこなわれる。全ての半導体素子において、位置ずれの発生を調べるためである。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12の検査手段(F21)に該当する。
ステップ3は、搭載されている半導体素子のマーク10の位置について、搭載座標データの作成を行なうステップである。搭載座標データはベース基板上に基準点を設け、当該基準点からの距離を平面座標として示すことにより得ることができる。ここでの基準に関してはベース基板上であれば任意の場所に設けることができ、例えば、図11に示されるボードマーク61などが好適に使用される。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12の検出手段(F22)に該当する。
ステップ4は、前記搭載座標データの送信を行なうステップである。送信先としてはデータ処理が可能なCAD/CAMなどの受信手段に送信する。
ステップ5は、設計座標データの送信を行なうステップである。設計座標データとは、設計上で作成されているマーク10の位置座標であり、ベース基板上の基準点からの距離を平面座標として示している。当該設計座標データは、換言すれば、ベース基板上に理想的に搭載される半導体素子20ないしはマーク10の位置を示すものであり、半導体素子20の位置ずれ量は当該設計座標データに対して前記搭載座標データがどのくらい離れているかをもとに算出される。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12の設計データ(F23)に該当する。
ステップ6は、前記ステップ4での搭載座標データ及びステップ5での設計座標データをCAD/CAMに入力するステップである。ここで両者の座標データを入力し、揃えることで、次ステップにおいて半導体素子20の位置ずれ量を算出するデータの準備を行なう。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12の受信手段(F24)に該当する。
さらに、図14においては、上記ステップ6に引き続き、CAD/CAM上に入力された搭載座標データと設計座標データをもとに、位置ずれ量を算出し、補正を加えた後に、当該補正に基づいてレーザ加工及び露光を行なうまでのアクションをステップとしてフローチャートで示したものである。
ステップ7の演算処理及びステップ8の半導体素子ずれ量の算出は、前記CAD/CAM上に入力された搭載座標データと設計座標データをもとに、位置ずれ量を算出する演算処理を行なうステップである。このステップ7及び8については、図15、図16を使用して以下に説明する。また、ここでの両方のステップは、前記全体構成を示す図12の演算手段(F25)に該当する。
図15は、半導体素子を搭載する際に位置ずれを生じた場合において、自動外観検査機(AOI)により当該半導体素子に設けられたマークの座標を搭載座標データとして、当該座標データを設計データと比較することで位置ずれ量を数値的に算出することを説明する模式図である。
図15では、設計上で半導体素子が正常に搭載されるべき位置を半導体素子の輪郭を意味する四角形状の点線で示し、この設計上で半導体素子が搭載されるべき位置を図15内においては設計位置とした。また、この設計位置においては、当該半導体素子の表面に設けられているマークの座標が設計上で3点が設けられており、図15内においては、これらの部品マークをA1、A2、A3で示している。
加えて、図15では、半導体素子を搭載する際に位置ずれが生じて搭載された位置を、半導体素子の輪郭を意味する四角形状の実線で示し、この位置ずれが生じて搭載された位置を図15内においては位置ずれ搭載位置とした。また、この位置ずれ搭載位置においては、当該半導体素子の表面に設けられているマークの座標が設計上で3点が設けられており、図15内においては、これらの部品マークをB1、B2、B3で示している。
これは、設計上では点線箇所に半導体素子を搭載するものであったが、位置ずれ不具合を生じて、結果として実線箇所に半導体素子が搭載された状態を、図15の模式図で示している。そして、マークにおいては、設計上ではA1、A2、A3が示されており、位置ずれ不具合を生じた場合の部品マークはB1、B2、B3で示されている。
前記位置ずれ量の具体的な算出方法としては、始めに、半導体素子搭載終了後の状態において、位置ずれ不具合を生じた場合のマーク(B1〜B3)の平面座標を測定する。この測定においては、例えば図11に示されるボードマーク61などのマークを基準点として、その基準点からの平面的な距離を座標として測定される。
また、測定においては個々の半導体素子の位置ずれを測定することを目的とするため、プリント配線板上に搭載された複数ある半導体素子のマークの全てを測定する。例えば、図11に示される構造の場合においては、1つのピースに1つの半導体素子が搭載された際に、ボード60上に48個の半導体素子が搭載される。そして、個々の半導体素子は3つのマークを有している。この場合、ボード60上には144のマーク10が存在し、それらの座標の全てを測定する。
前記マーク10の座標測定は、人的手段による測定にて行なうこともできるが、上記のような態様で行なわれるマーク10の座標測定は自動外観検査機(AOI)を用いて行なうことが容易であり、正確に行なえるために良い。
一方、このようなマーク10の座標測定データは、各マーク10を読み取る検査手段とその読み取ったマークの位置を座標として作成する検出手段によって得られる。
前記自動外観検査機(AOI)としては、マーク10を読み取る検査手段とマーク10の位置を座標として作成する検出手段の両方の機能を兼ね備えているものが好適である。しかしながら、当該機能がない自動外観検査機(AOI)においては、マークを読み取る検査手段のみに対応し、後者のマークの位置を座標として作成する検出手段をCAD/CAMによる設計装置にて対応するのが良い。
このような態様で測定される各マーク10の平面座標より、半導体素子の位置ずれ量を算出することができる。すなわち、上記設計上でのマーク位置(A1〜A3)と、位置ずれ不具合を生じた場合のマーク位置(B1〜B3)を座標上で演算処理することで部品の位置ずれ量が算出される。
図16は、上記位置ずれ量の算出の一例を示したものである。
図16(a)は位置ずれを生じた半導体素子の角度変位量を演算処理により算出するために、図15より設計上でのマーク位置(A2、A3)及び位置ずれ不具合を生じた場合のマーク位置(B2、B3)を抽出して表示したものである。
図16(a)に示されるように、位置ずれを生じた半導体素子の角度変位量は、設計上でのマーク位置(A2、A3)を結ぶ直線と、位置ずれ不具合を生じた場合のマーク位置(B2、B3)を結ぶ直線との交点を求め、当該交点の角度(θ)により座標上で演算処理することができる。
また、図16(b)は位置ずれを生じた半導体素子の縦方向変位によるずれ量及び横方向変位によるずれ量を演算処理により算出するために、図15でのマーク位置(A1〜A3)及び位置ずれ不具合を生じた場合のマーク位置(B1〜B3)を抽出して表示したものである。
図16(b)に示されるように、位置ずれを生じた半導体素子の縦方向変位によるずれ量及び横方向変位によるずれ量は、始めに設計上でのマーク位置(A1〜A3)より半導体素子の中心部となるA4を算出し、同様に位置ずれ不具合を生じた場合のマーク位置(B1〜B3)より半導体素子の中心部となるB4を算出する。次いで、前記A4とB4の位置座標より、縦方向変位によるずれ量及び横方向変位によるずれ量を演算処理により算出することができる。
上記の算出方法は例示であるが、このような算出方法から、半導体素子20の表面に設けられたマーク10の座標をもとに、演算処理により、縦方向変位によるずれ量及び横方向変位によるずれ量並びに角度変位によるずれ量を算出することができる。
以上の内容が、図14におけるステップ7(演算処理)及びステップ8(半導体素子ずれ量の算出)についての詳細説明である。次いで、図14におけるステップ9(許容閾値の判定)の説明を行なう。
ステップ9は、許容閾値の判定を行なうステップである。許容閾値の判定とは、前ステップ8にて算出された半導体素子ずれ量が許容できるずれ量であるか否かの判定を行なうことを目的としている。これは、算出された半導体素子ずれ量がプリント配線板の品質を低下させるようであれば不良箇所として判定するべきであるが、当該ずれ量がプリント配線板の品質を低下させるには至らないようであれば許容できるとして、不良箇所と判定するべきでない。この見極めの基準となるのが閾値である。この閾値の設定は、要求されるプリント配線板の仕様により種々の条件が設定できるが、ここではステップ9として、閾値の設定と当該閾値に基づく許容の判定を行なう。
ステップ10は、不具合ピースの識別を行なうステップである。不具合ピースの識別とは、前記ステップ9において許容閾値を超えて、半導体素子の位置ずれ量が大きいと判定された箇所について、当該箇所を不具合のピースとして識別することを目的としている。
図面での説明としては、例えば図21に示されるような位置ずれ半導体素子84aが搭載されているピースを識別するものである。この識別においては、ピース単位で行なうことができる。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12の識別手段(F26)に該当する。
ステップ11は、不具合ピースの位置補正を行なうステップである。不具合ピースの位置補正とは、前記ステップ10において半導体素子の位置ずれ量が大きいと判定されたピース箇所を、半導体素子の位置ずれ量に合わせてピース単位で補正を行なうことを目的としている。
例えば、半導体素子の位置ずれが前記演算処理の算出により行なわれ、縦方向変位で20μm、横方向変位で30μm、角度変位で3度と算出された場合、当該半導体素子の上層に配置される接続ビア並びに導体パターン及び導体パターンに被覆されるソルダーレジスト形状パターンを同様に、縦方向変位で20μm、横方向変位で30μm、角度変位で3度ずらして補正することが必要である。
このステップ11の不具合ピースの位置補正は、ピース単位で行なうことができる。また、ここでのステップは、前記全体構成を示す図12の補正手段(F27)に該当する。
ステップ12は、ボードデータの編成を行なうステップである。ボードデータの編成とは、前記ステップ11においてピース単位で補正された接続ビア並びに導体パターン及びソルダーレジスト形状パターンを設計データに適合させて、複数のピースが面付けされたボードの状態としてデータの編成するものである。
図面での説明としては、例えば図21に示されるような位置ずれ半導体素子84aが搭載されているピースの箇所に、先に作成した位置ずれ補正後の接続ビア並びに導体パターン及びソルダーレジストパターンデータを適切に適合させることである。
ステップ13は、NCデータを作成するステップである。NCデータとは、数値制御(NC)工作機械の工具の移動方向と量を指示するためのデータである。ここでのNCデータは、レーザ加工により接続ビア用の開口部を形成するために使用する、いわゆるビアの位置データである。これまでのステップにおいて、データの取扱いに関しては、CAD/CAMの種類や作業種別などによりもよるが、テキストデータ、ベクターデータ、ガーバーデータが主に使用される。しかしながら、レーザ加工で使用されるデータに関しては、レーザ加工により接続ビア用の開口部を形成するために使用する、ビアの位置データとしてNCデータが必要となる。したがって、このステップにおいては、これらのデータからNCデータを作成する。
ステップ14は、レーザ制御ユニットへ送信を行なうステップである。レーザ制御ユニットとは、レーザ加工を行なうためのデータを処理するためのユニットである。上記NCデータがレーザ制御ユニットへ送信されることで、レーザ加工機は、当該NCデータにある座標位置に接続ビアを設ける。
一方、前記ステップ12のボードデータの編成を行なうステップより、ステップ15のRIPS変換を行なうステップへの移行を行なう。
ステップ15のRIPS変換とは、ラスターイメージプロセッサ変換である。これまでのステップにおいて、データの取扱いに関しては、CAD/CAMの種類や作業種別などによりもよるが、テキストデータ、ベクターデータ、ガーバーデータが主に使用される。しかしながら、露光ユニットで使用されるデータに関しては、ドット形式のデータとしてラスターデータによる取扱いが好適である。したがって、このステップにおいては、これらのデータをラスターデータに変換する。また、ステップ15と同時にステップ16のラスターデータ作成が行なわれる。
また、前記露光ユニットとしては、ダイレクト露光機を使用するのが望ましい。これは、前記フローチャートで示されるアクションステップにおいてはデータ処理作業が多く、一般的な露光機を使用した場合よりも、ダイレクト露光機を使用した方が、データ処理作業が円滑に行なえるためである。また、ダイレクト露光機を使用した場合は、プリント配線板自身の伸縮や膨張に伴って、伸縮サイズの補正が行なえるためである。
ステップ17は、露光ユニット送信を行なうステップである。露光ユニット送信とは、上記の導体パターン及びソルダーレジスト形状パターンのラスターデータを露光ユニットに送信することである。
また、当該ラスターデータを受信した露光部は導体パターン形成用レジストの露光により導体パターンを形成し、硬化前のソルダーレジストを露光することにより導体パターン上にソルダーレジストを被覆させる。また、ここでのステップ及び露光は、前記全体構成を示す図12の露光手段(F28)に該当する。
次に、本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法を図17〜図18の概略断面工程説明図を使用して更に説明する。
始めに、半導体素子20を搭載するためにベース基板21を用意する。図17においては、ベース基板21として両面板を使用した例を示しているが、半導体素子20が搭載されるものであれば両面板に限定されることはなく、多層板を使用しても良く、また、銅板のような単体の金属板を使用しても良い。
次いで、ベース基板21の回路形成を行ない、半導体素子20を搭載するためのパッド22やプリント配線板に要求される形状の導体パターンを形成する。図17においては、ベース基板21の半導体素子搭載面側のみを回路形成した状態を示しているが、ベース基板21の両面が回路形成されても良い。また、ここでの回路形成方法としては、主にサブトラクティブ方法により回路を形成することができ、ベース基板21にドライフィルムを張り付けた後に、露光、現像、エッチング、ドライフィルム剥離の工程順により回路形成を行ない、図17(a)に示されるようなベース基板21を得る。
回路形成後のベース基板21のパッド22においては、次工程で行なわれる接着材15による半導体素子20の固定が密着しやすいようにパッド22の表面をエッチング液などにより粗化処理をしても良い。
次いで、ベース基板21の半導体素子搭載を目的とするパッド22部に、接着材を使用した接着固定方式の形態で半導体素子20を搭載する。ここで、搭載する半導体素子20においては、その表面部分に電極パッド11と共にマーク10が設けられていることが必要である。また、搭載する半導体素子20の裏面部分には接着材15が塗布されており、当該接着材によりパッド22部に、半導体素子20を接着固定する。
上記ベース基板21への半導体素子20の搭載においては、半導体素子20をクランプや吸着機などを使用することによりパッド22部に仮固定し、加熱および必要に応じて加圧することで、強固に接着する。
また、上記ベース基板21への半導体素子20の搭載においては、半導体素子の設計上の搭載位置に対して位置がずれて搭載される不具合が生じることがある。当該位置ずれ不具合が発生した場合、従来技術においては当該箇所を不良箇所として処理されたが、本発明においては不良とすることなしに、次工程を行なう。
ベース基板21への半導体素子20の搭載が終了した後に、自動外観検査機(AOI)による検査が行なわれる。この検査においては半導体素子20の表面に設けられたマーク10を検査し、当該マーク10を座標上で検出し、設計データと比較することで、位置ずれ量を把握する工程が行なわれる。この位置ずれ量を把握においては前述で記載した各フローチャートのアクションステップにより行なわれる。一方、本項においては製造方法に主眼を置き、上記ベース基板21への半導体素子20の搭載以降の製造方法を説明する。
ベース基板21への半導体素子20の搭載後は、当該半導体素子20の上方面より絶縁材23を積み重ね、積層プレスによる加熱、加圧を行なうことで図17(b)に示されるような構造体を得る。
絶縁材23においては、半導体素子20の厚み方向に高さを考慮し、あらかじめ半導体素子20の搭載位置に半導体素子サイズのぬき穴を形成することが良い。これは、絶縁材23を積層した際に半導体素子20の高さが表層位置まで追従し、目的とする半導体素子内蔵型プリント配線板の表層部に発生する凹凸不具合を抑制するためであり、半導体素子サイズのぬき穴を設けることで当該ぬき穴が半導体素子20の収納部となり、積層終了後には表層に凹凸不具合を発生させることなく、平坦性が良好な半導体素子内蔵型プリント配線板が得られるためである。
次いで、図17(c)に示される構造体に、レーザ加工により接続ビア25の形成を行なう。
ここで、接続ビア25の形成に関して、全体構成を示す図12を使用して説明すると、これまでの一連の製造方法は、両面基板などのベース基板を用意し(F11)、当該ベース基板に半導体素子を搭載し(F12)、当該半導体素子の上方より絶縁材を積層し(F13)、レーザ加工による接続ビアの形成(F14)から構成される。
その一方で、ベース基板に半導体素子を搭載(F12)した後に、検査手段(F21)により検査を行っている。そして、当該検査手段(F21)で得られた情報は、上記ベース基板用意(F11)から接続ビア形成(F14)までの製造工程とは別ルートで処理され、補正手段(F27)にて、位置ずれ補正後のデータとして接続ビア形成用のNCデータを完成させる。
すなわち、レーザ加工による接続ビア25の形成においては、前記位置ずれ補正後の接続ビア25形成用のNCデータを使用して接続ビア25の形成を行なう。レーザ加工による接続ビア25の形成の一例としては、1ショットあたりのエネルギー密度を0.7〜1.2J/cm2に設定して、50〜150ショットを施し、トップ径が50μmで、ボトム径が35〜45μmの接続ビア25を形成する。また、接続ビア25の形成後には、有機性残渣を取り除くことを目的として、デスミア処理を行ない、図17(c)に示される構造体を得る。
次いで、接続ビア25を形成した後の図17(c)に示される構造体を使用して、無電解銅めっき及び電解銅めっきを順に行ない、接続ビア25の内部及び絶縁材23の表面に銅めっきを付着させ、次いで当該絶縁材23の表面の銅めっき部を回路形成することで、図18(a)に示される導体パターン26を形成した構造体を得る。
ここでの無電解銅及び電解銅めっきの付着においては従来の技術で製造加工を行なうことが出来るが、導体パターン26においては回路形成する点において特徴を有する。
前記同様に、全体構成を示す図12を使用して説明すると、ベース基板に半導体素子を搭載(F12)した後に、検査手段(F21)により検査を行っている。そして、当該検査手段(F21)で得られた情報は、上記ベース基板用意(F11)から導体めっき接続(F15)までの製造工程とは別ルートで処理され、補正手段(F27)にて、位置ずれ補正後のデータとして導体パターン形成用のデータを完成させる。
すなわち、導体パターン26の回路形成においては、前記位置ずれ補正後の導体パターン形成用のデータを使用して、導体パターン形成用レジストを貼り付けた後に、ダイレクト露光機により、導体パターン形成用レジストの露光を行なう。また、露光終了後には、現像、エッチング、剥離工程を順に行ない、導体パターン26の形成を行ない、図18(a)に示される構造体を得る。
図18(b)は、前記導体パターン26を形成した後の図18(a)に示される構造体を使用して、当該導体パターン26の上に硬化前のソルダーレジスト27を被覆させた構造体を示している。
ソルダーレジスト27の形状は、導体パターン26の形状に適した合わせが必要である。前記記載のように、半導体素子20が位置ずれを生じて搭載された場合、当該位置ずれを補正した導体パターン26の形成が必要であるため、導体パターン26の形状に適した合わせが必要とされるソルダーレジスト27の形成においては、同様に半導体素子の位置ずれを補正したデータにより行なわれることが必要となる。
そこで、硬化前のソルダーレジストの露光による硬化は、位置ずれを補正したデータを使用して、ダイレクト露光機により行ない、露光終了後には、現像を順に行ない、図18(b)に示される所望の形状のソルダーレジスト27硬化物を得る。
このような態様で製造される本発明の半導体素子内蔵型のプリント配線板は、プリント配線板の内部に導入された半導体素子の搭載位置にずれが生じた場合であっても、本来の設計位置ではなく、当該位置ずれした半導体素子が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に精度良く位置合わせされてプリント配線板の接続ビア並びに導体パターン及びソルダーレジストが形成されているため、導通接続の欠陥が生じることなく、高品質なものとなる。
以上のような態様で本発明の半導体素子内蔵型のプリント配線板は製造されるが、製造に関する所有設備を背景とした場合、半導体素子のベース基板への搭載工程については、半導体メーカーが所有する設備を活用し、それ以降の前記工程については、プリント配線板メーカーが所有する設備を活用するのが好ましい。
その際に、前記半導体メーカーが所有する設備においては、図11に示されるシート50サイズでの製造対応が望ましく、他方プリント配線板メーカーが所有する設備においては、図11に示されるボード60サイズでの製造対応が望ましい。
そのため、そのような場合、図19に示されるようなことが行なわれる。すなわち、まず半導体メーカーが所有する設備を使用して、シート50サイズで半導体素子20の搭載が行なわれ、次いで、当該半導体素子20が搭載されたシート50を、事前に用意したボードマーク61を有する枠構造のみからなるボード枠65のシート装着スペースに嵌め込み、擬似的なボード状態を形成した上で、搭載以降の製造工程をプリント配線板メーカーが所有する設備において対応する。
しかしながら、前記ボード枠65のシート装着スペースに、前記半導体素子20が搭載されたシート50のはめ込みを行なう際に、ミクロン単位で位置ずれが生じることがある。すなわち、前記所有設備を背景とした場合、これまでに記載した半導体素子を搭載する際の位置ずれに加えて、前記嵌め込みによる位置ずれ不具合が発生する。
このような場合においても、本発明の半導体素子を用いれば、半導体素子20が搭載されたシート50を図19に示されるシート装着スペースに嵌め込み、擬似的なボード状態を形成した後、当該ボードマーク61を基準として各半導体素子20のマーク10を検出することにより、これまでの記載と同様に、その位置ずれした状態に対応せしめて接続ビア、導体パターン、ソルダーレジストを形成し得るので、総合的に位置ずれ不具合を解決し、高品質な半導体素子内蔵型プリント配線板を歩留まり良く製造することができる。
(a)は本発明半導体素子の概略断面説明図、(b)は本発明半導体素子内蔵型プリント配線板の概略断面説明図。 本発明の半導体素子の第1製造工程を示す概略断面説明図。 本発明の半導体素子の第2製造工程を示す概略断面説明図。 本発明の半導体素子の第3製造工程を示す概略断面説明図。 本発明の半導体素子の第4製造工程を示す概略断面説明図。 本発明の半導体素子の第5製造工程を示す概略断面説明図。 本発明の半導体素子の第6製造工程を示す概略断面説明図。 本発明の半導体素子の概略平面説明図。 本発明で使用するマークの説明図。 従来技術と本発明の比較図。 本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の外形構造図。 本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法を示すフローチャート。 半導体素子位置に関する情報入力を示すフロ−チャート。 半導体素子位置情報から露光ユニットまでを示すフロ−チャート。 部品位置ずれに関する説明図。 部品位置ずれに関する説明図。 本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法の概略断面工程説明図。 図17に引き続く本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法の概略断面工程説明図。 本発明の半導体素子内蔵型プリント配線板のポード枠はめ込み例を示す説明図。 従来の半導体素子内蔵型プリント配線板の製造方法の概略断面工程説明図。 従来の半導体素子内蔵型プリント配線板における半導体素子の搭載位置ずれ状態を示す概略平面説明図。
符号の説明
1:シリコンウエハ
2:接続パッド
3:絶縁材
4:開口部
5:レジスト
6,6a,6b:導体
7:レジスト
8,8a,8b:ポスト導体
9:絶縁材
10:マーク
11:電極パッド
15:接着材
20,20a〜20f:半導体素子
21:ベース基板
22:パッド
23:絶縁材
25,25a〜25f:接続ビア
26:導体パターン
27:ソルダーレジスト
40:ピース
50:シート
51:シートマーク
60:ボード
61:ボードマーク
65:ボード枠
71:パッド
72:ベース基板
73:接着材
74:絶縁材
75:銅箔
76:接続ビア
77:導体パターン
78:電極パッド
79:クランプ
80:半導体素子
84,84a,84b:位置ずれ半導体素子

Claims (10)

  1. ベース基板の所望の位置に接着材により搭載されて、プリント配線板の内層部に導入される半導体素子であって、当該半導体素子がフェイスアップ構造からなり、かつその一方の主面において、自動外観検査機の位置検出用のマークが前記半導体素子の電極パッドと同一面上に設けられていることを特徴とする半導体素子。
  2. 前記半導体素子がウエハレベルパッケージであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
  3. 前記マークが、1つの半導体素子に、2〜4個が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子。
  4. 前記マークと前記電極パッドが、絶縁材により表面が平坦化されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体素子。
  5. 前記半導体素子が、ベース基板に搭載された後、前記マークを自動外観検査機にて検出することにより、その搭載位置が座標データとして検出されるものであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体素子。
  6. 接着材により接着固定されたフェイスアップ構造からなる半導体素子が内層部に配置された半導体素子内蔵型のプリント配線板であって、本来の設計位置からずれた位置に搭載された半導体素子を有し、かつ当該位置ずれした半導体素子が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に対応せしめて接続ビアが形成されていることを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板。
  7. 前記接続ビアが、前記半導体素子と当該半導体素子の上層の導体パターンとを接続することを特徴とする請求項6に記載の半導体素子内蔵型プリント配線板。
  8. 接着材により接着固定されたフェイスアップ構造からなる半導体素子を内層部に配置された半導体素子内蔵型のプリント配線板であって、本来の設計位置からずれた位置に搭載された半導体素子を有し、かつ当該位置ずれした半導体素子が搭載されたピースについてはその位置ずれした状態に対応せしめて導体パターン又は/及びソルダーレジストが形成されていることを特徴とする半導体素子内蔵型プリント配線板。
  9. 前記半導体素子が、請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体素子であることを特徴とする請求項6〜8の何れか1項に記載の半導体素子内蔵型プリント配線板。
  10. 前記半導体素子が搭載されたプリント配線板が、複数個のピースを連結したシートから成り、かつ当該シートがボードマークを有するボード枠に複数個はめ込み設置されていることを特徴とする請求項6〜9の何れか1項に記載の半導体素子内蔵型プリント配線板。
JP2006033263A 2006-02-10 2006-02-10 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板 Pending JP2007214402A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006033263A JP2007214402A (ja) 2006-02-10 2006-02-10 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006033263A JP2007214402A (ja) 2006-02-10 2006-02-10 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007214402A true JP2007214402A (ja) 2007-08-23

Family

ID=38492554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006033263A Pending JP2007214402A (ja) 2006-02-10 2006-02-10 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007214402A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011109060A (ja) * 2009-11-12 2011-06-02 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2011258847A (ja) * 2010-06-11 2011-12-22 Fujitsu Ltd 部品内蔵基板の製造方法及び部品内蔵基板
JP2012004307A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Nikon Corp 半導体デバイスを製造する方法
JP2013135212A (ja) * 2011-12-22 2013-07-08 Raytheon Co 適応性パタニングを介した低損失相互接続部を用いたヘテロチップ集積
JP2019530241A (ja) * 2016-09-30 2019-10-17 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド 半導体再配線方法
JP2021103789A (ja) * 2017-09-05 2021-07-15 株式会社荏原製作所 機能性チップを備える基板を研磨する方法
JP2021105110A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社パイロットコーポレーション 筆記具用水性インキ組成物およびそれを用いた筆記具
JP2021531652A (ja) * 2018-07-16 2021-11-18 ナノ−ディメンション テクノロジーズ,リミテッド ホスト構造に埋め込まれた組み込み部品の接続性を改善する方法およびシステム

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011109060A (ja) * 2009-11-12 2011-06-02 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP2012256919A (ja) * 2009-11-12 2012-12-27 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 半導体パッケージの製造方法
JP2011258847A (ja) * 2010-06-11 2011-12-22 Fujitsu Ltd 部品内蔵基板の製造方法及び部品内蔵基板
JP2012004307A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Nikon Corp 半導体デバイスを製造する方法
JP2013135212A (ja) * 2011-12-22 2013-07-08 Raytheon Co 適応性パタニングを介した低損失相互接続部を用いたヘテロチップ集積
US8963313B2 (en) 2011-12-22 2015-02-24 Raytheon Company Heterogeneous chip integration with low loss interconnection through adaptive patterning
JP2019530241A (ja) * 2016-09-30 2019-10-17 シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド 半導体再配線方法
JP2021103789A (ja) * 2017-09-05 2021-07-15 株式会社荏原製作所 機能性チップを備える基板を研磨する方法
JP7177207B2 (ja) 2017-09-05 2022-11-22 株式会社荏原製作所 機能性チップを備える基板を研磨する方法
JP2021531652A (ja) * 2018-07-16 2021-11-18 ナノ−ディメンション テクノロジーズ,リミテッド ホスト構造に埋め込まれた組み込み部品の接続性を改善する方法およびシステム
JP7374172B2 (ja) 2018-07-16 2023-11-06 ナノ ディメンション テクノロジーズ,リミテッド ホスト構造に埋め込まれた組み込み部品の接続性を改善する方法およびシステム
JP2021105110A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社パイロットコーポレーション 筆記具用水性インキ組成物およびそれを用いた筆記具
JP7418203B2 (ja) 2019-12-26 2024-01-19 株式会社パイロットコーポレーション 筆記具用水性インキ組成物およびそれを用いた筆記具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007214402A (ja) 半導体素子及び半導体素子内蔵型プリント配線板
US6237218B1 (en) Method and apparatus for manufacturing multilayered wiring board and multi-layered wiring board
US20060196914A1 (en) X-ray inspection device and x-ray inspection method
TWI510151B (zh) A substrate for a built-in element, and a substrate for a built-in element
JP2007199225A (ja) 露光システム及び部品内蔵型プリント配線板の製造方法
JPH09191177A (ja) 多層基板の製造方法及びその製造装置
JP5172409B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2009033092A (ja) 印刷回路基板の製造方法及び装置
JP2009147397A (ja) 検査マーク構造、基板シート積層体、多層回路基板、多層回路基板の積層合致精度の検査方法、及び基板シート積層体の設計方法
JP2010040949A (ja) 集合基板のユニット配線板差し替え方法、及び集合基板
KR101055514B1 (ko) 리지드-플렉시블 기판의 제조방법
TWI549582B (zh) A method for manufacturing a part-embedded substrate, and a part-embedded substrate manufactured by using the method
JP2008091439A (ja) 多層プリント配線板の製造方法
US8341833B2 (en) Method for manufacturing printed wiring board
JP2007207880A (ja) 部品内蔵型プリント配線板の部品接続ビア形成システム及び部品内蔵型プリント配線板の製造方法
US8404410B2 (en) Method of aligning photomask with base material and method of manufacturing printed circuit board
JP5067048B2 (ja) プリント配線板
KR20100088874A (ko) 인쇄회로기판의 노광방법 및 이를 포함하는 인쇄회로기판의제조방법
KR20010005137A (ko) 다층 인쇄회로기판의 제조방법
JP2002009451A (ja) プリント配線板の製造方法およびその製造装置
CN112930045A (zh) 对制造部件承载件期间的未对准进行补偿的方法和设备
JP2762130B2 (ja) 多層積層板の基準穴明け法
TWI399152B (zh) 電路板盲孔的製作方法
JP2011181675A (ja) 回路部品の実装装置
CN117156692B (zh) 一种有效改善pcb整板平整度的压合方法