JP2021096362A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021096362A
JP2021096362A JP2019227520A JP2019227520A JP2021096362A JP 2021096362 A JP2021096362 A JP 2021096362A JP 2019227520 A JP2019227520 A JP 2019227520A JP 2019227520 A JP2019227520 A JP 2019227520A JP 2021096362 A JP2021096362 A JP 2021096362A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
layer
conversion unit
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019227520A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7388908B2 (ja
Inventor
真澄 前川
Masumi Maekawa
真澄 前川
勝次 井口
Katsuji Iguchi
勝次 井口
高橋　幸司
Koji Takahashi
幸司 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Semiconductor Innovation Corp
Original Assignee
Sharp Fukuyama Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Fukuyama Semiconductor Co Ltd filed Critical Sharp Fukuyama Semiconductor Co Ltd
Priority to JP2019227520A priority Critical patent/JP7388908B2/ja
Priority to US17/109,840 priority patent/US11538796B2/en
Priority to CN202011458381.XA priority patent/CN112991967B/zh
Publication of JP2021096362A publication Critical patent/JP2021096362A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7388908B2 publication Critical patent/JP7388908B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G02B27/0101—Head-up displays characterised by optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G02B27/017—Head mounted
    • G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays
    • G02B27/017—Head mounted
    • G02B2027/0178—Eyeglass type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】クロストークを低減すること、および第１のサブ画素から第１の波長の光を効率よく取り出すことの少なくとも一方を実現する方法を提供する。【解決手段】画像表示装置９０は、青反射層２５が、赤色変換部２２における第２の波長の光を放射する側の表面２２１と、緑色変換部２３における第３の波長の光を放射する側の表面２３１と、を覆い、かつ、最大で画素領域１の一部と対向する大きさである。【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置に関する。
マイクロＬＥＤ素子は、例えばＡＲ（Augmented Reality）用メガネ型端末およびヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）用の表示素子として期待されている。このようなマイクロＬＥＤ素子を複数備えた画像表示素子は、例えば、光源における光源光を放射する側の面に、光源光である青色光を透過するバンドパスフィルタ、および波長変換層が配置された構造となっている。波長変換層は、青色光の波長を波長変換する蛍光体とカラーフィルタとを積層した構造が考えられる。また波長変換層の光放射面上には、従来から、液晶表示素子や光源光の漏れを防ぐために、光源光を反射するとともに波長変換後の光を透過するバンドパスフィルタが配置されている。
上述した従来の画像表示素子を備える画像表示装置として、例えば、特許文献１には、蛍光体とカラーフィルタとのセットについて、互いに隣り合う２つのセットがブラックマトリックスで区分けされた表示装置が開示されている。このブラックマトリクスは、前記２つのセット間での光の進入を遮る遮光材として機能する。また、特許文献１の表示装置には、カラーフィルタにおける光を放射する側の面に対向基板が設けられている。この表示パネルには、直視型の比較的大きな表示素子が用いられる。
また例えば、特許文献２には、赤色着色層、緑色着色層および青色着色層における光を放射する側の面に、基板本体と外光フィルタとの積層体が設けられた表示装置が開示されている。他に、特許文献３には、赤色変換層、緑色変換層および青色変換層における光を放射する側の面に、第三基板が設けられた表示装置が開示されている。特許文献２の積層体および特許文献３の第三基板はともに、光源光の漏れを防ぐために該光源光を反射し、かつ着色層（変換層）から放射された光を透過する。
国際公開第２０１０／１４３４６１号 特開２０１３−２１３９３２号公報 特開２０１４−８９２８１号公報
しかしながら、上述の特許文献１に開示された表示装置は、カラーフィルタにおける光を放射する側の面の全面に対向基板が設けられている。また、上述の特許文献２および３に開示された表示装置も、着色層（変換層）における光を放射する側の面の全面に積層体（第三基板）が設けられている。そのため、例えば特許文献１〜３に開示された表示装置の小型化および画素サイズの微細化を進めたとき、対向基板および積層体（第三基板）自体が導光路となったクロストークが発生する虞がある。また、特許文献１の対向基板等は光源光である青色光を反射することから、対向基板等を上述のように設けてしまうと青色光を取り出せないという問題もある。
本発明の一態様は上記の各問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、クロストークを低減すること、および光源光である青色光を効率よく取り出すことの少なくとも一方を実現することにある。
前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、３つ以上のサブ画素により構成される画素を複数有する表示装置であって、前記３つ以上のサブ画素として、第１の波長の光を放射する第１の光源を有する第１のサブ画素と、第１の波長の光を放射する第２の光源と、前記第２の光源から放射された前記第１の波長の光を第２の波長の光に変換する第１の波長変換部と、を有し、かつ、前記第１のサブ画素と隣り合って配置される第２のサブ画素と、第１の波長の光を放射する第３の光源と、前記第３の光源から放射された前記第１の波長の光を第３の波長の光に変換する第２の波長変換部と、を有し、かつ、前記第２のサブ画素と隣り合って配置される第３のサブ画素と、を含み、前記表示装置は、さらに、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する第１の層を備え、前記第１の層は、前記第１の波長変換部における前記第２の波長の光を放射する側の表面と、前記第２の波長変換部における前記第３の波長の光を放射する側の表面と、を覆い、かつ、最大で前記第１の光源の一部と対向する大きさである。
前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、３つ以上のサブ画素により構成される画素を複数有する表示装置であって、前記３つ以上のサブ画素として、第１の波長の光を放射する光源を有する第１のサブ画素と、前記光源と、前記光源から放射された前記第１の波長の光を第２の波長の光に変換する第１の波長変換部と、を有し、かつ、前記第１のサブ画素と隣り合って配置される第２のサブ画素と、前記光源と、前記光源から放射された前記第１の波長の光を第３の波長の光に変換する第２の波長変換部と、を有し、かつ、前記第２のサブ画素と隣り合って配置される第３のサブ画素と、を含み、前記表示装置は、さらに、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する第１の層を備え、前記第１の層は、前記第１の波長変換部における前記第２の波長の光を放射する側の表面と、前記第２の波長変換部における前記第３の波長の光を放射する側の表面と、を覆い、かつ、最大で前記第１のサブ画素の前記光源の一部と対向する大きさである。
本発明の一態様によれば、第１の光源から放射された第１の波長の光と、第１および第２の波長変換層から漏れ出た第１の波長の光とのクロストークを低減すること、および第１のサブ画素から第１の波長の光を効率よく取り出すことの少なくとも一方を実現できる。
本発明の一実施形態に係る画像表示装置の構造を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る画素領域を模式的に示す平面図である。 前記画像表示装置の各サブ画素から放射される光の光路を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る青反射層の構造を模式的に示す断面図である。 符号３０１で示す図は、前記青反射層の第１・第２の部分の構造を模式的に示す断面図である。符号３０２および符号３０３で示す図は、前記第１・第２の部分の構造のバリエーションを模式的に示す断面図である。 前記第２の部分の傾斜側面が平面形状の場合における、前記画像表示装置の構造を模式的に示す断面図である。 前記第２の部分の傾斜側面が円弧形状の場合における、前記画像表示装置の構造を模式的に示す断面図である。 符号４０１〜４０４で示す図は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。 符号５０１〜５０４で示す図は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。 符号６０１〜６０３で示す図は、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る画像表示装置の第１の変形例の構造を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る画像表示装置の第２の変形例の構造を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る画像表示装置の第３の変形例の構造を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る画像表示装置の第４の変形例の構造を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る画像表示装置の第５の変形例の構造を模式的に示す断面図である。 符号７０１で示す図は、本発明の比較例に係る画像表示装置の構造を模式的に示す断面図である。符号７０２で示す図は、前記比較例の他の例に係る画像表示装置の構造を模式的に示す断面図である。
〔画像表示装置の全体構成〕
図１および図２を用いて、本発明の一実施形態に係る画像表示装置９０の全体構成について説明する。本実施形態に係る画像表示装置９０は本発明に係る表示装置の一例であり、青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７により構成される画素４を複数有している。なお、画像表示装置９０の画素４を構成するサブ画素は、青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７に限定されない。画像表示装置９０の画素４は、３つ以上の何らかのサブ画素により構成されていればよい。図１に示すように、画像表示装置９０は、画素領域１と、ダミー領域２と、外周部３と、を備える。
＜画素領域＞
画素領域１は、駆動回路基板３０の一部分に複数の矩形状の画素４（図２参照）が載置された構成となる。駆動回路基板３０における画素領域１に対応する部分には、各画素４の画素駆動回路（不図示）が実装される。画素領域１を平面視した場合、画素領域１には、図２に示すように複数の画素４がアレイ状に配置されている。なお、図２では、説明の簡略化のため２×３個の画素４のみがアレイ状に配置されているが、実際にはｍ×ｎ個（ｍ、ｎ：２以上の自然数）の画素４がアレイ状に配置されている。
（青サブ画素、赤サブ画素、緑サブ画素）
図２に示すように、画素４は、青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７を含む。青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７の各形状も、画素４の形状と同様に矩形状が代表的な形状となる。
青サブ画素５は本発明に係る第１のサブ画素の一例であり、青色光Ｂを放射する（図３参照）。青色光Ｂは本発明に係る第１の波長の光の一例であり、第１の波長が３８０〜４９０ｎｍとなる。赤サブ画素６は本発明に係る第２のサブ画素の一例であり、赤色光Ｒを放射する（図３参照）。赤色光Ｒは本発明に係る第２の波長の光の一例であり、第２の波長が５７０〜８３０ｎｍとなる。緑サブ画素７は本発明に係る第３のサブ画素の一例であり、緑色光Ｇを放射する（図３参照）。緑色光Ｇは本発明に係る第３の波長の光の一例であり、第３の波長が４９０〜５７０ｎｍとなる。青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７のそれぞれから放射される各光の強度およびピーク波長の少なくとも一方を調整することで、画素５から様々な色の光を放射することができる。
赤サブ画素６は、青サブ画素５と隣り合って配置される。緑サブ画素７は、赤サブ画素６と隣り合って配置される。画素領域１全体を平面視すると、複数の青サブ画素５が直列に並んで配置された青サブ画素５の群が形成される。また、複数の赤サブ画素６が直列に並んで配置された赤サブ画素６の群が、前記青サブ画素５の群に沿って形成される。さらに、複数の緑サブ画素７が直列に並んで配置された緑サブ画素７の群が、前記赤サブ画素６の群に沿って形成される。
なお、各サブ画素５〜７から放射される光は、青色光Ｂ、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇに限定されない。また、画素４、青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７のそれぞれについて、平面視の形状は図２に示す矩形状に限定されない。画素４等の平面視の形状としては、例えば、六角形および円形などが考えられ得る。さらに、青サブ画素５、赤サブ画素６および緑サブ画素７のそれぞれの配置は、上述の配置に限定されない。
図１に示すように、青サブ画素５は、青色光Ｂを放射するマイクロＬＥＤ素子２０１を有する。具体的には、青サブ画素５を構成する駆動回路基板３０の一部分に、マイクロＬＥＤ素子２０１が載置される。マイクロＬＥＤ素子２０１は、本発明に係る第１の光源の一例である。赤サブ画素６は、青色光Ｂを放射するマイクロＬＥＤ素子２０２を有する。具体的には、赤サブ画素６を構成する駆動回路基板３０の一部分に、マイクロＬＥＤ素子２０２が載置される。マイクロＬＥＤ素子２０２は、本発明に係る第２の光源の一例である。緑サブ画素７は、青色光Ｂを放射するマイクロＬＥＤ素子２０３を有する。具体的には、緑サブ画素７を構成する駆動回路基板３０の一部分に、マイクロＬＥＤ素子２０３が載置される。マイクロＬＥＤ素子２０３は、本発明に係る第３の光源の一例である。
マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３は、窒化物半導体層１４、Ｐ電極１９１およびＮ電極１９２を有している。Ｐ電極１９１およびＮ電極１９２は、マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３の内部において、駆動回路基板３０と対向する側の面に配置される。
Ｐ電極１９１は、駆動回路基板３０におけるマイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３と対向する側の面に配置されたＰ側電極３１と接続される。Ｎ電極１９２は、駆動回路基板３０におけるマイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３と対向する側の面に配置されたＮ側電極３２と接続される。マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３は、該マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３のそれぞれと対応するＰ側電極５１から電流が流れることにより、青色光Ｂを放射する。マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３が青色光Ｂを放射する方向は、マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３の配置位置を基準として駆動回路基板３０が配置されている側と反対側の方向である（図３参照）。
窒化物半導体層１４は、マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３における青色光Ｂを放射する側の面から駆動回路基板３０が配置されている側に向けて順に、Ｎ側層１１、発光層１２およびＰ側層１３が積層配置される。また、Ｎ側層１１およびＰ側層１３における駆動回路基板３０側の面、ならびに発光層１２の側面は、保護膜１７で覆われる。
窒化物半導体層１４の厚さ方向に導通する必要があるため、Ｎ側層１１は、内部に高抵抗層を含まない方が好ましい。またＮ側層１１は、窒化物半導体層１４の厚さ方向の全体を通してＮ型の良導体であることが好ましい。発光層１２は、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層からなる多重量子井戸層を含む。Ｎ側層１１およびＰ側層１３は、それぞれ種々の多層構造となる。保護膜１７は、例えば二酸化ケイ素などの絶縁材料である。
本実施形態において、Ｎ側層１１、発光層１２およびＰ側層１３の具体的な構成は特に限定されるものではなく、例えば、従来のＬＥＤ素子が採用しているＮ側層、発光層およびＰ側層の構成を適宜採用することができる。したがって、本実施形態では、Ｎ側層１１、発光層１２およびＰ側層１３の具体的な構成に関する説明を省略する。
マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３は、それぞれ画素分離溝１５によって分割される。画素分離溝１５には、埋込材２０が充填される。埋込材２０は、各サブ画素５〜７における光を放射する側の表面を含む面の平坦化を第１の目的とする材料である。埋込材２０は、例えば樹脂材またＣＶＤ膜で形成される。また例えば、隣接するサブ画素に光が漏れ出ることを防ぐために、埋込材２０は光を吸収する顔料またはカーボンブラック等を含む樹脂で形成されてもよい。あるいは、画素分離溝１５での光の反射を強化して各マイクロＬＥＤ素子の光出力を向上させるために、埋込材２０は反射材となる白色顔料または散乱粒子等を含む樹脂で形成されてもよい。
マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３を画素分離溝１５で分割することにより、サブ各画素間で生じるクロストークをより低減することができる。なぜなら、互いに隣り合う２つのマイクロＬＥＤ素子の窒化物半導体層１４が接続されていると、一方のマイクロＬＥＤ素子で発生した青色光Ｂの一部が、窒化物半導体層１４を介して他方のマイクロＬＥＤ素子から放射されることになる。この青色光Ｂの一部が他方のマイクロＬＥＤ素子を有するサブ画素から放射されるときに、クロストークが生じるためである。クロストークは、画像のコントラストおよび色純度を低下させるため好ましくない。
マイクロＬＥＤ素子２０１における青色光Ｂを放射する側の面には、散乱部２１が載置される。散乱部２１は本発明に係る第２の層の一例であり、マイクロＬＥＤ素子２０１から放射された青色光Ｂを画像表示装置９０の外側に向けて散乱する。散乱部２１は、散乱粒子を含む透明の樹脂パターンで構成される。散乱部２１は、マイクロＬＥＤ素子２０１から放射された青色光Ｂを、散乱粒子によって放射方向を広げつつ、該青色光Ｂを波長変換することなくそのまま画像表示装置９０の外部に放射する。マイクロＬＥＤ素子２０１における青色光Ｂを放射する側の面に散乱部２１を載置することにより、光ムラを低減することができる。
なお、散乱部２１は散乱粒子を含んでいなくてもよく、青色光を透過する機能だけを有するものであってもよい。また、散乱部２１は透明の樹脂パターンで構成されていなくてもよい。つまり、散乱部２１は、マイクロＬＥＤ素子２０１から放射された青色光Ｂを散乱または透過する光透過性の部材であればよい。さらに、青サブ画素５は散乱部２１を有していなくてもよい。
マイクロＬＥＤ素子２０２における青色光Ｂを放射する側の面には、赤色変換部２２が載置される。赤色変換部２２は本発明に係る第１の波長変換部の一例であり、マイクロＬＥＤ素子２０２から放射された青色光Ｂを波長変換して赤色光Ｒを生成し、生成した赤色光Ｒを画像表示装置９０の外側に向けて放射する。赤色変換部２２は、青色光Ｂを波長変換して赤色光Ｒを生成することができる材料を含む樹脂パターンで構成される。なお、赤色変換部２２は、前記の樹脂パターンで構成されていなくてもよい。
マイクロＬＥＤ素子２０３における青色光Ｂを放射する側の面には、緑色変換部２３が載置される。緑色変換部２３は本発明に係る第２の波長変換部の一例であり、マイクロＬＥＤ素子２０３から放射された青色光Ｂを波長変換して緑色光Ｇを生成し、生成した緑色光Ｇを画像表示装置９０の外側に向けて放射する。緑色変換部２３は、青色光Ｂを波長変換して緑色光Ｇを生成することができる材料を含む樹脂パターンで構成される。なお、緑色変換部２３は、前記の樹脂パターンで構成されていなくてもよい。
図１および図２に示すように、散乱部２１と赤色変換部２２との間、赤色変換部２２と緑色変換部２３との間、および緑色変換部２３と散乱部２１の間には、遮光部材２４が配置される。遮光部材２４は、マイクロＬＥＤ素子、散乱部２１、または色変換部から漏れ出た光を吸収または反射してクロストークを低減する部材である。
なお、遮光部材２４は、光を吸収する顔料またはカーボンブラックを含んだ樹脂で形成されてもよい。また例えば、遮光部材２４は、サブ画素の光の取り出し効率を向上させるために、反射材として機能する白色顔料または散乱粒子を含んだ樹脂で形成されてもよい。また例えば、遮光部材２４は、樹脂で形成された遮光部材本体の全面を金属膜で覆ったものでもよいし、金属材料で形成されてもよい。金属膜および金属材料は、反射率が高い銀またはアルミニウムが好ましい。
（青反射層）
図１および図２に示すように、赤サブ画素６の赤色変換部２２における赤色光Ｒを放射する側の表面２２１、および緑サブ画素７の緑色変換部２３における緑色光Ｇを放射する側の表面２３１には、青反射層２５が配置される。具体的には、表面２２１および表面２３１が青反射層２５によって覆われる。青反射層２５は本発明に係る第１の層の一例であり、青色光Ｂを反射し、かつ、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇを透過する。青反射層２５は、例えば酸化チタン薄膜と二酸化ケイ素薄膜とが積層された誘電体多層膜である。青反射層２５の積層構造の詳細については後述する。なお、青反射層２５は誘電体多層膜に限定されない。青反射層２５は、青色光Ｂを反射し、かつ、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇを透過する部材であればどのような部材であってもよい。
以下、青反射層２５に入射した青色光Ｂの挙動について説明する。説明の簡略化のため、赤色変換部２２から漏れ出た青色光Ｂの挙動についてのみ説明する。青反射層２５によって反射された青色光Ｂは赤色変換部２２に再度入射した後（図３参照）、一部の青色光Ｂは赤色変換部２２に一旦吸収される。赤色変換部２２に吸収されずにマイクロＬＥＤ素子２０１に入射した残りの青色光Ｂは、最終的にＰ側層１３とＰ電極１９１との間の領域に入射し、該領域に閉じ込められる。
このように、赤色変換部２２から漏れ出た青色光Ｂは、青反射層２５によって反射されるとともにその一部がＰ側層１３とＰ電極１９１との間の領域に閉じ込められる。そのため、赤色変換部２２から漏れ出た青色光Ｂが画像表示装置９０の外側に放射される現象は大幅に低減される。また、赤色変換部２２に一旦吸収された青色光Ｂは、少なくとも一部が波長変換されて表面２２１から赤色光Ｒとして放射される。
赤色光Ｒに変換されずに赤色変換部２２から再度漏れ出た青色光Ｂも、上述した一連の挙動をとる。そのため、赤色変換部２２から漏れ出た青色光Ｂが上述した一連の挙動を繰り返す毎に、青色光Ｂの赤色光Ｒへの波長変換が進んで青色光Ｂの変換効率が高くなる。このように、画像表示装置９０に青反射層２５を設けることで、赤色変換部２２から漏れ出た青色光Ｂが画像表示装置９０の外側に放射されるのを大幅に低減し、かつ、赤色変換部２２の青色光Ｂの変換効率を高めることができる。そのため、青色光Ｂの変換効率が高まる分だけ、赤色変換部２２の厚さをより薄くすることができる。以上の説明は、緑色変換部２３から漏れ出た青色光Ｂについても妥当する。
図１および図２に示すように、青反射層２５における４つの端部のうち、赤色変換部２２の長手側の端部を覆う第１の端部２５１は、青サブ画素５の散乱部２１における赤色変換部２２の最も近くに配置される端部も覆う。また、前記４つの端部のうち、緑色変換部２３の長手側の端部を覆う第２の端部２５２は、青サブ画素５の散乱部２１における緑色変換部２３の最も近くに配置される端部も覆う。言い換えれば、第１の端部２５１は、マイクロＬＥＤ素子２０１におけるマイクロＬＥＤ素子２０２の最も近くに配置される端部と対向する。また、第２の端部２５２は、マイクロＬＥＤ素子２０１におけるマイクロＬＥＤ素子２０３の最も近くに配置される端部と対向する。
図１に示すように、青反射層２５における第１の端部２５１の傾斜側面２６は、該傾斜側面２６の最も近くに配置される赤サブ画素６に向けて傾いている。第１の端部２５１の傾斜側面２６は、その全面が青サブ画素５の散乱部２１における赤色変換部２２の最も近くに配置される端部を覆う。また、青反射層２５における第２の端部２５２の傾斜側面２６は、該傾斜側面２６の最も近くに配置される緑サブ画素７に向けて傾いている。第２の端部２５２の傾斜側面２６は、その全面が青サブ画素５の散乱部２１における緑色変換部２３の最も近くに配置される端部を覆う。傾斜側面２６は、本発明に係る近接側面および傾斜側面の一例である。また、第１の端部２５１および第２の端部２５２は、本発明に係る傾斜側面を含む端部の一例である。
なお、これらの傾斜側面２６の配置はあくまで一例である。例えば、第１の端部２５１の傾斜側面２６は、その一部の面が青サブ画素５の散乱部２１における赤色変換部２２の最も近くに配置される端部を覆ってもよい。この場合、第１の端部２５１の傾斜側面２６における、前記一部の面以外の他の面は、傾斜側面２６の一部の面に覆われた散乱部２１と、赤色変換部２２との間に配置された遮光部材２４を覆う。あるいは、前記他の面が前記赤色変換部２２の長手側の端部まで覆っていてもよい。
また例えば、第２の端部２５２の傾斜側面２６は、その一部の面が青サブ画素５の散乱部２１における緑色変換部２３の最も近くに配置される端部を覆ってもよい。この場合、第２の端部２５２の傾斜側面２６における、前記一部の面以外の他の面は、傾斜側面２６の一部の面に覆われた散乱部２１と、緑色変換部２３との間に配置された遮光部材２４を覆う。あるいは、前記他の面が前記緑色変換部２３の長手側の端部まで覆っていてもよい。
傾斜側面２６の面形状は、本実施形態では平面形状となる。傾斜側面２６の面形状は特に限定されないが、平面形状および画像表示装置９０の外側に凸となる円弧形状が好ましい（図６および図７参照）。なぜなら、これらの形状の方が他の形状よりも傾斜側面２６の加工が容易であり、かつ、赤色・緑色変換部２２・２３における赤色・緑色光Ｒ・Ｇを放射する側の表面の高い平坦性を確保することが容易なためである。この効果により、結果として、傾斜側面２６から隣接するサブ画素に漏れ出る青色光Ｂの量を低減できる。傾斜側面２６が第１・第２の端部２５１・２５２に入射した青色光Ｂに及ぼす影響については後述する。
＜ダミー領域、外周部＞
ダミー領域２は、画像表示素子２００の画素領域１に隣接して形成される領域であり、画像表示装置９０の表示面の平坦性を確保するために設けられる。図１に示すように、ダミー領域２を構成する駆動回路基板３０の一部分に窒化物半導体層１４が載置される。ダミー領域２の窒化物半導体層１４と、該ダミー領域２の窒化物半導体層１４と隣り合うマイクロＬＥＤ素子２０３の窒化物半導体層１４とは、埋込材２０で形成された画素分離溝１５によって分割される。ダミー領域２の窒化物半導体層１４における外側の側面は、埋込材２０で覆われる。また、ダミー領域２において、窒化物半導体層１４、画素分離溝１５および埋込材２０は、平面視で遮光部材２４によって覆われる。言い換えれば、ダミー領域２の遮光部材２４は、側面視で、散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３の配置位置と同じ位置に配置される。
ダミー領域２を構成する駆動回路基板３０の一部分には、例えば行選択回路、列信号出力回路、画像処理回路および入出力回路等が配置される。ダミー領域２の窒化物半導体層１４は光を放射しない。ダミー領域２の窒化物半導体層１４に含まれるＰ側電極およびＮ側電極は、電流が流れないダミー電極３３である。ダミー電極３３は、窒化物半導体層１４を、ダミー領域２を構成する駆動回路基板３０の一部分に固定するとともに、上述した行選択回路等の各種回路を遮光する。ダミー領域２の窒化物半導体層１４に含まれるＰ電極およびＮ電極も、電流が流れないダミー電極１９３である。
外周部３は画像表示装置９０の外縁を構成する。外周部３には、画像表示装置９０を個片化するための不図示の切断領域が形成される。また外周部３を構成する駆動回路基板３０の一部には、画像表示装置９０とワイヤーボンドパッド等の外部回路とを電気的に接続するため外部接続電極３４が設けられる。一方、外周部３には窒化物半導体層１４は設けられない。
〔第１の端部および第２の端部に傾斜側面が形成されることのメリット〕
図３〜図５、図１６を用いて、青反射層２５における第１の端部２５１および第２の端部２５２のそれぞれに、傾斜側面２６が形成されることのメリットについて説明する。
＜従来の画像表示装置および比較例に係る画像表示装置の問題点＞
従来の画像表示装置（不図示）は、画像表示装置９０の散乱部２１に相当する部分における、青色光が放射される側の面が全面に亘ってバンドパスフィルタ等で覆われる。そのため、従来の画像表示装置にはクロストークおよび青色光の取り出し効率低下の問題がある。
そこで、前記の問題を解決し得る画像表示装置の構成を、比較例を挙げつつ考えてみる。まず、例えば図１６の符号７０１で示す図のように、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の面のすべてが外部に露出するようにした画像表示装置９６が考えられる。画像表示装置９６は、青反射層２５における、全面が散乱部２１の近傍に配置される側面２６１が、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の面に対して略垂直に配置される。側面２６１は、画像表示装置９６は、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面のすべてが外部に露出することから、青色光Ｂの取り出し効率は従来の画像表示装置よりも格段に向上する。
しかしながら、画像表示装置９６では、赤色変換部２２から斜めに漏れ出た青色光Ｂ（図中の破線矢印）の一部が青反射層２５に所定の入射角度で入射後、側面２６１に到達してしまい、該側面２６１で反射されることなく透過してしまう。所定の入射角度は、赤色変換部２２における赤色光Ｒが放射される側の表面に対して３０度以上である。そのため、側面２６１を透過した青色光Ｂと散乱部２１を透過した青色光Ｂとの間でクロストークが生じてしまう。
次に、例えば図１６の符号７０２で示す図のように、青反射層２５の端部２５３が散乱部２１の一部を覆うようにした画像表示装置９７が考えられる。画像表示装置９７も、青反射層２５における、全面が散乱部２１の近傍に配置される側面２６２が、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の面に対して略垂直に配置される。
画像表示装置９７は、端部２５３が画像表示装置９６における側面２６１を含む端部よりも散乱部２１側に突出している。そのため、赤色変換部２２から斜めに漏れ出た青色光Ｂの一部が青反射層２５に所定の入射角度で入射しても、側面２６２にまで到達することがなく、青反射層２５によって反射されてしまう。したがって、赤色変換部２２から漏れ出た青色光Ｂと散乱部２１を透過した青色光Ｂとの間でクロストークが生じることを低減することができる。
しかしながら、画像表示装置９７は、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面の一部が端部２５３に覆われることから、該面の一部から放射された青色光Ｂも端部２５３によって反射されてしまう（図中の破線矢印）。そのため、画像表示装置９７の青色光Ｂの取り出し効率は、従来の画像表示装置よりは向上するものの画像表示装置９６よりは低下する。
＜第１のメリット＞
一方、画像表示装置９０によれは、従来の画像表示装置が抱えていた上述の２つの問題点が解決される。まず画像表示装置９０は、図３に示すように、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面の一部が、第１の端部２５１および第２の端部２５２に覆われる。なお説明の簡略化のため、図３では、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面の一部が第２の端部２５２に覆われる状態は図示しない。そのため、画像表示装置９７と同様にクロストークの発生を低減することができる。
次に、画像表示装置９０は、青サブ画素５における青色光Ｂの取り出し効率を、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面のすべてが外部に露出される場合と同程度に維持することができる。以下、その理由を説明する。
図４に示すように、青反射層２５は、第１の機能層４０である酸化チタン薄膜と、第２の機能層４１である二酸化ケイ素薄膜とが積層された誘電体多層膜である。第１の機能層４０の青色光Ｂに対する屈折率は、第２の機能層４１の青色光Ｂに対する屈折率と異なる。
勿論、第１の機能層４０が二酸化ケイ素薄膜で第２の機能層４１が酸化チタン薄膜であってもよい。また、第１・第２の機能層４０・４１ともに、酸化チタン薄膜および二酸化ケイ素薄膜以外の膜であってもよい。つまり青反射層２５は、その少なくとも一部が、青色光Ｂを反射し、かつ、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇを透過する、２種類以上の機能層が積層された構造になっていればよい。但し、２種類以上の機能層は、青色光Ｂに対する屈折率がそれぞれ異なっているのが好ましい。
具体的には、図５の符号３０１で示す図のように、青反射層２５の一部を構成する第１の部分８において、青反射層２５の平坦面２５４に対して垂直な方向に、第１の機能層４０と第２の機能層４１とが交互に積層される。平坦面２５４は、青反射層２５における赤色変換部２２および緑色変換部２３と対向する裏面２５７と反対側の表面であり、赤色変換部２２における赤色光Ｒを放射する側の表面と略平行となる。また平坦面２５４は、緑色変換部２３における緑色光Ｇを放射する側の表面とも略平行となる。
青反射層２５における第１の部分８以外は、傾斜側面２６を含む２つの第２の部分９で構成される。一方の第２の部分９は第１の端部２５１の一部を構成し、他方の第２の部分９は第２の端部２５２の一部を構成する。
第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１はすべて、第１の部分８を構成する第１・第２の機能層４０・４１と同じ種類である。また、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１はすべて、第１の部分８を構成する第１・第２の機能層４０・４１のそれぞれと連なって形成される。さらに、第２の部分９においても、青反射層２５の平坦面２５４に対して垂直な方向に、第１の機能層４０と第２の機能層４１とが交互に積層される。なお、第１の部分８および第２の部分９のいずれにおいても、第１の機能層４０と第２の機能層４１とが交互に積層されなくてもよい。
このように青反射層２５が多層膜で形成された場合、第１・第２の機能層４０・４１の材質と厚さ、あるいは第１・第２の機能層４０・４１の積層数に応じて青反射層２５の波長選択性が異なってくる。ここで、青反射層２５における第１・第２の端部２５１・２５２に傾斜側面２６が形成されていることから、第２の部分９は、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて各機能層の厚さが薄くなる。例えば、第２の部分９における最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５では、最も平坦面２５４寄りに配置された第２の機能層４１の端部が、その先端に向かうほど薄くなる。一方、第２の部分９の先端部分では、すべての第１・第２の機能層４０・４１の先端部分が、その先端に向かうほど薄くなる。
さらに、第２の部分９は、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて第１・第２の機能層４０・４１の積層数が減る。例えば、第２の部分９における最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５では、第１・第２の機能層４０・４１の積層数が第１の部分８における第１・第２の機能層４０・４１の積層数と同数である。一方、第２の部分９の先端部分２５６では、第１の機能層４０の積層数が１層となり第２の機能層４１の積層数が０層となる。
このような第１・第２の機能層４０・４１の積層態様により、第２の部分９は、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて、波長選択性、特に青色光Ｂに対する反射性が低下する。そのため、第１・第２の端部２５１・２５２における第２の部分９に垂直に入射した青色光Ｂは、そのほとんどが反射することなく第２の部分９を透過する。ここで、「第２の部分９に垂直」の「垂直」は、具体的には第２の部分９における散乱部２１との接触面（マイクロＬＥＤ素子２０１の一部と対向する面）に対して垂直であることを意味する。以上のことから、青サブ画素５における青色光Ｂの取り出し効率を、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面のすべてが外部に露出される場合と同程度に維持することができる。
図５の符号３０２で示す図のように、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１のそれぞれを、傾斜側面２６の傾斜方向と同じ方向に傾斜させてもよい。この場合、各機能層の傾斜角度はそれぞれ傾斜側面２６の傾斜角度と異ならせる。具体的には、傾斜側面２６からの距離が遠い機能層ほど、該機能層の傾斜角度が小さくなるようにする。ここで、傾斜角度は、各サブ画素５〜７における光が放射される側の各表面を基準表面として、第２の部分９を構成する各機能層における傾斜側面２６側の表面と基準表面とのなす角度を指す。無論、各機能層の傾斜角度は上述の傾斜角度に限定されない。
このように各機能層を傾斜させることで、第２の部分９は、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて各機能層の厚さが一様に薄くなる。また、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて第１・第２の機能層４０・４１の積層数が減る。例えば、第２の部分９の先端部分２５６では、第１・第２の機能層４０・４１の積層数がそれぞれ１層となる。そのため、青サブ画素５における青色光Ｂの取り出し効率を、散乱部２１における青色光Ｂが放射される側の表面のすべてが外部に露出される場合と同程度に維持することができる。
なお、第１・第２の機能層４０・４１の積層態様は、図５の符号３０１および３０２で示す図の例に限定されない。例えば、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１のそれぞれを、傾斜側面２６の傾斜方向と同じ方向に傾斜させ、かつ、各機能層の傾斜角度を傾斜側面２６の傾斜角度と同じにしてもよい。この場合、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１の厚さは変化しないものの、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて第１・第２の機能層４０・４１の積層数が減る。つまり、第２の部分９は、最も青反射層２５の中央寄りの部分２５５から先端部分２５６に向かうにつれて、少なくとも第１・第２の機能層４０・４１の積層数が減るように構成されればよい。
＜第２のメリット＞
次に、画像表示装置９０によれは、青反射層２５を簡易に加工しつつ高解像度を実現することもできる。以下、その理由を説明する。画像表示装置９０では、青反射層２５における第１・第２の端部２５１・２５２が、青サブ画素５のマイクロＬＥＤ素子２０１の一部と対向する。つまり、第１の端部２５１が、赤色変換部２２の長手側の端部よりも散乱部２１側に突出して散乱部２１の一部を覆う。同様に、第２の端部２５２も、緑色変換部２３の長手側の端部よりも散乱部２１側に突出して散乱部２１の一部を覆う（図１〜図３参照）。
そのため、第１の端部２５１の傾斜側面２６が赤サブ画素６に向けて若干傾くだけでは、赤色変換部２２の長手側の端部が第１の端部２５１の傾斜側面２６に覆われない。同様に、第２の端部２５２の傾斜側面２６が緑サブ画素７に向けて若干傾くだけでは、緑色変換部２３の長手側の端部が第２の端部２５２の傾斜側面２６に覆われない。したがって、青サブ画素５と赤サブ画素６との間のピッチ、および青サブ画素５と緑サブ画素７との間のピッチを短くしても、傾斜側面２６の傾斜角度を厳密に調整する必要性が低減する。
それゆえ、傾斜側面２６の傾斜角度をある程度ラフに調整しても、青反射層２５の平坦面２５４が、赤色・緑色変換部２２・２３における赤色・緑色光Ｒ・Ｇを放射する側の表面の全面を覆う程度に、平坦面２５４の面積を確保することができる。このことは、赤色変換部２２における赤色光Ｒを放射する側の表面および緑色変換部２３における緑色光Ｇを放射する側の表面に対する、青反射層２５の平坦性の向上を意味する。以上のことから、青反射層２５の簡易な加工で高解像度の画像表示装置９０を実現することができる。
＜第３のメリット＞
画像表示装置９０において、例えば図５の符号３０３で示す図のように、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１のそれぞれを、傾斜側面２６の傾斜角度と同じ角度に傾斜させてもよい。言い換えれば、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１のそれぞれを、傾斜側面２６の傾斜方向に対して垂直な方向に積層させてもよい。具体的には、傾斜側面２６を含む第１の機能層４０または第２の機能層４１を第２の部分９に形成する。そして、この傾斜側面２６を含む機能層に順次、第１・第２の機能層４０・層４１を傾斜側面２６の傾斜方向に対して垂直な方向に積層させる。
本実施形態では、第２の部分９における各機能層の厚さは、第１の部分８における各機能層の厚さよりも薄い。なお、第２の部分９における各機能層の厚さと第１の部分８における各機能層の厚さとの関係に特段の限定はない。例えば、第２の部分９における各機能層の厚さが第１の部分８における各機能層の厚さと同じであってもよいし、第２の部分９における各機能層の厚さが第１の部分８における各機能層の厚さよりも厚くてもよい。
第２の部分９における各機能層の積層態様を上述のようにすることで、第１・第２の端部２５１・２５２における青色光Ｂの反射性がさらに向上する。そのため、赤色・緑色変換部２２・２３から斜め方向に漏れ出た青色光Ｂが青反射層２５を透過することをさらに低減でき、青サブ画素５から放射された青色光Ｂと赤色・緑色変換部２２・２３から漏れ出た赤色・緑色光Ｒ・Ｇとのクロストークをさらに低減できる。
なお、図５の符号３０３で示す図の第２の部分９は、第１の機能層４０または第２の機能層４１が傾斜側面２６を含んでいなくてもよい。つまり、前記の第２の部分９は、第１・第２の端部２５１・２５２の先端に形成されなくてもよい。前記の第２の部分９は、第１・第２の端部２５１・２５２におけるいずれかの領域に形成されていればよい。
＜補足事項＞
上述した第１〜第３のメリットは、第１の部分８を構成する第１・第２の機能層４０・４１のすべてが、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１の種類と同じ場合にのみ得られるわけではない。第１の部分８を構成する第１・第２の機能層４０・４１の種類が、第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１の種類と全部または一部が異なっていても、上述した第１〜第３のメリットを得ることができる。具体的には、第１の部分８を構成する第１・第２の機能層４０・４１、および第２の部分９を構成する第１・第２の機能層４０・４１の少なくとも一方の材質・厚さ等を適宜調整することで、上述した第１〜第３のメリットを得ることができる。
〔青反射層、各サブ画素および遮光部材の各寸法等の決定方法〕
図６および図７を用いて、青反射層２５、各サブ画素５〜７および遮光部材２４の各寸法等の決定方法について説明する。図６に示すように、傾斜側面２６を例えば平面形状に加工した場合、青反射層２５、各サブ画素５〜７および遮光部材２４の各寸法等を以下のように決定することが好ましい。前記の寸法等を以下のように決定すれば、青サブ画素５から放射される青色光Ｂの強度を低下させることなく、赤・緑サブ画素６・７における赤色・緑光Ｒ・Ｇの強度の向上と青色光Ｂの漏れ量の低減との両立を図ることができる。
具体的には、図６に示すように、まず、散乱部２１の短手側の幅Ｗ１と赤色変換部２２の短手側の幅Ｗｚとを略同じ寸法にするのが好ましい。無論、幅Ｗ１の寸法と幅Ｗｚの寸法とが異なっていてもよい。また、第１の端部２５１における傾斜側面２６の傾斜角度θを、幅Ｗｘと青反射層２５の厚さＷａとでおおよそ規定するのが好ましい。つまり、ｔａｎ―１（Ｗａ／Ｗｘ）の値を傾斜角度と見做すのが好ましい。幅Ｗｘは、青反射層２５の裏面２５７における、散乱部２１を覆う部分の短手側の幅である。このことは、図示しないものの、第２の端部２５２の傾斜側面２６の傾斜角度についても同様である。また、遮光部材２４の短手側の幅Ｗｙは、画素４の画素サイズを微細化する観点から１μｍ以下にするのが好ましい。
さらに、幅Ｗａ、赤色変換部２２の厚さＷｂおよび幅Ｗｚの各寸法を、Ｗｚ／（Ｗａ＋Ｗｂ）＜１の条件を充足するように決定するのが好ましい。青反射層２５の反射・透過性能は青反射層２５に入射した光の入射角度に依存する性質があり、一般的に入射角度が略４５度を超えると、青反射層２５が所望の反射・透過性能を発揮しなくなる。
その点、前記の条件を充足するように幅Ｗａ、厚さＷｂおよび幅Ｗｚの各寸法を決定すれば、赤色・緑色変換部２２・２３から漏れ出た青色光Ｂ（図６に不図示）の入射角度が４５度以下になり、青反射層２５が所望の反射性能を発揮するようになる。ここで、青反射層２５の反射・透過性能とは、青反射層２５が、該青反射層２５に入射した光を反射する能力および透過する能力を指す。
なお、Ｗｚ／（Ｗａ＋Ｗｂ）＜１の条件を充足しなくても、言い換えれば入射角度が４５度を超えるように幅Ｗａ、厚さＷｂおよび幅Ｗｚの各寸法を決定しても、青反射層２５が所望の反射・透過性能を発揮するのであれば何ら問題ない。
次に、図７に示すように、傾斜側面２６を例えば画像表示装置９０の外側に凸となる円弧形状に加工した場合、青反射層２５、各サブ画素５〜７および遮光部材２４の各寸法等を以下のように決定することが好ましい。前記の寸法等を以下のように決定すれば、青反射層２５の領域Ｘで加工バラツキを吸収することができる。そのため、赤色変換部２２における赤色光Ｒを放射する側の表面および緑色変換部２３における緑色光Ｇを放射する側の表面に対する、青反射層２５の領域Ｙの平坦性を確保することが容易になる。
ここで、領域Ｘは、青反射層２５における、散乱部２１と赤色変換部２２との間に配置された遮光部材２４の直上に配置された部分である。また、領域Ｙは、青反射層２５における、赤色変換部２２および緑色変換部２３（図７に不図示）の直上に配置された部分であり、平坦面２５４を含む部分である。
具体的には、図７に示すように、まず、幅Ｗ１と幅Ｗｚとを略同じ寸法にするのが好ましい。但し、幅Ｗ１の寸法と幅Ｗｚの寸法とが異なっていてもよい。また、幅Ｗｙは、画素４の画素サイズを微細化する観点から１μｍ以下にするのが好ましい。また、幅Ｗａ、厚さＷｂおよび幅Ｗｚの各寸法を、Ｗｚ／（Ｗａ＋Ｗｂ）＜１の条件を充足するように決定するのが好ましい。但し、青反射層２５が所望の反射・透過性能を発揮するのであればＷｚ／（Ｗａ＋Ｗｂ）＜１の条件を充足しなくてもよい。これらのことは、上述の傾斜側面２６を平面形状に加工した場合と同様である。
〔画像表示装置の製造方法〕
画像表示装置９０は、例えば図８〜図１０に示す各工程を行うことで製造される。具体的には、まず図８の符号４０１で示す図のように、成長基板１０上にＮ側層１１、発光層１２、およびＰ側層１３をこの順番で積層することにより、窒化物半導体層１４を形成する。成長基板１０は、例えばサファイア基板であり表面に凹凸を形成してもよい。成長基板１０は、シリコンまたは炭化ケイ素等で形成してもよい。また、成長基板１０は駆動回路基板３０と同じ大きさであることが好ましい。
窒化物半導体層１４を構成する物質としては、例えばＧａＮ系の半導体を用いることができる。窒化物半導体層１４を成長基板１０上で成長させる装置としては、例えばＭＯＣＶＤ装置を用いることができる。成長基板１０上に窒化物半導体層１４を形成した後、成長基板１０を室温下に戻した段階で、成長基板１０の反りが小さいことが好ましい。例えば８インチウエハの場合には、後述する成長基板１０と駆動回路基板３０との貼り合せを容易にするため、成長基板１０の反りが３５μm以下であることが好ましい。成長基板１０の反りの低減は、例えばＮ側層１１内に適切なバッファ層を設けることで実現することができる。
なお、Ｎ側層１１の厚さは一般的に１０μｍ以下であり、５μｍ±２μｍ程度にする場合が多い。発光層１２の厚さは一般的に１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度にする場合が多い。Ｐ側層１３の厚さは一般的に５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下程度にする場合が多い。
次に、図８の符号４０２で示す図のように、Ｎ側層１１、発光層１２およびＰ側層１３の一部をエッチングして複数のメサ１６を形成する。次に、図８の符号４０３で示す図のように、窒化物半導体層１４におけるメサ１６が形成された側の面上に保護膜１７を形成する。次に、図８の符号４０４で示す図のように、メサ１６の頂面上に形成された保護膜１７の部分をエッチングしてＰ側コンタクトホール１６１を形成する。また、メサ１６の底面上に形成された保護膜１７の部分の一部をエッチングしてＮ側コンタクトホール１６２を形成する。
次に、図９の符号５０１で示す図のように、Ｐ側コンタクトホール１６１にＰ電極１９１を形成し、Ｎ側コンタクトホール１６２にＮ電極１９２を形成する。次に、図９の符号５０２で示す図のように、メサ１６の底面を含む、保護膜１７と窒化物半導体層１４とで形成された部分をエッチングして画素分離溝１５を形成する。図示しないものの、画素分離溝１５が形成された成長基板１０を研磨した後、該成長基板１０を画像表示装置９０単位で切断することで個片化する。
次に、図９の符号５０３で示す図のように、個片化された成長基板１０と駆動回路基板３０とを貼り合せる。具体的には、成長基板１０に形成されたＰ電極１９１およびＮ電極１９２を、駆動回路基板３０上に配置されたＰ側電極３１、Ｎ側電極３２およびダミー電極３３と接続することで、成長基板１０と駆動回路基板３０とを貼り合せる。駆動回路基板３０はウエハ状態でもよいし、あるいは画像表示装置９０単位に分割されたチップ状態でもよい。本実施形態では駆動回路基板３０がウエハ状態であるとして説明する。
次に、図９の符号５０４で示す図のように、成長基板１０のみを駆動回路基板３０から剥離する。成長基板１０の剥離は、例えばエッチング、研磨またはレーザーリフトオフ等によって行うことができ、剥離の手段は問わない。なお、成長基板１０と駆動回路基板３０とを貼り合せた状態では、Ｐ電極１９１およびＮ電極１９２と、Ｐ側電極３１、Ｎ側電極３２およびダミー電極３３とを仮接続するに留め、成長基板１０の剥離後にこれらを本接続するのが好ましい。成長基板１０の熱膨張率と駆動回路基板３０の熱膨張率とが異なる場合、成長基板１０と駆動回路基板３０とが貼り合わさった状態で大きな温度上昇を伴う本接続を行うと、意図しない変形が生じるからである。
次に、図１０の符号６０１で示す図のように、画素分離溝１５に埋込材２０を充填する。また、ダミー領域２の一部および外周部３の一部を形成する空間にも、埋込材２０を充填する。埋込材２０の充填は、成長基板１０を駆動回路基板３０から剥離する前に行ってもよい。
次に、図１０の符号６０２で示す図のように、散乱部２１を、マイクロＬＥＤ素子２０１を構成するＮ側層１１上に載置する。また、赤色変換部２２を、マイクロＬＥＤ素子２０２を構成するＮ側層１１上に載置する。さらに、緑色変換部２３を、マイクロＬＥＤ素子２０３を構成するＮ側層１１上に載置する。
併せて、散乱部２１と赤色変換部２２との間、赤色変換部２２と緑色変換部２３との間、および散乱部２１と緑色変換部２３との間を、遮光部材２４で充填する。また、ダミー領域２の一部および外周部３の一部を構成する、Ｎ側層１１上および埋込材２０上に、遮光部材２４を載置する。
この工程における各色変換部の載置は、例えば波長変換粒子を混合したネガ型レジストを用いて、フォトリソグラフィ技術により実現することができる。波長変換粒子は、蛍光体粒子でもよいし、量子ドットまたは量子ロッドでもよい。散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３は、それぞれの厚さを略同じにするのが好ましい。なぜなら、これらの厚さが異なるとサブ画素間の配光性の相違が顕著になり、画像表示装置９０を見る方向によって色味が異なって見えてしまうという問題が生じるからである。また、散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３の厚さを略同じにすることで、各サブ画素５〜７における光を放射する側の表面を含む面の平坦性を確保することができる。そのため、青反射層２５および後述するパッシベーション膜２７の形成を容易に行うことができる。
次に、図１０の符号６０３で示す図のように青反射層２５を形成する。具体的には、散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３のそれぞれにおける光を放射する側の表面、ならびに、遮光部材２４における外部に露出している側の面に誘電体多層膜を堆積させる。そして、堆積させた誘電体多層膜が散乱部２１の長手側の端部、赤サブ画素６の全面および緑サブ画素７の全面に残るよう加工する。誘電体多層膜の加工時には、該誘電体多層膜における、散乱部２１の長手側の端部を覆う部分の端面が所定の方向に傾くように加工する。加工後の端面が傾斜側面２６となる。この加工は、例えば通常のフォトリソグラフィ技術によるパターニングによって行うことができる。
次に、図示しないものの、外周部３の遮光部材２４および埋込材２０を除去し、外部接続電極３４を外部に露出させるより、画像表示装置９０の製造が完了する。駆動回路基板３０上に形成された画像表示装置９０は、最終的には個別に切断し、パッケージに実装する。
〔変形例〕
図１１〜図１５を用いて、本発明の一実施形態に係る画像表示装置９０の変形例について説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
＜第１の変形例＞
まず図１１に示すように、散乱部２１の裏面２１１、赤色変換部２２の裏面２２２および緑色変換部２３の裏面２３２が赤／緑反射層２８で覆われる画像表示装置９１が、画像表示装置９０の変形例として想定される。裏面２１１はマイクロＬＥＤ素子２０１と対向しており、裏面２２２はマイクロＬＥＤ素子２０２と対向しており、裏面２３２はマイクロＬＥＤ素子２０３と対向している。赤／緑反射層２８は本発明に係る第２の反射層の一例であり、青色光Ｂを透過し、かつ、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇを反射する。赤／緑反射層２８は、例えば誘電体多層膜である。
また、画像表示装置９１は、赤／緑反射層２８と裏面２１１・２２２・２３２との間にパッシベーション膜２７が配置される。画像表示装置９１のパッシベーション膜２７は、吸湿性が高く劣化し易い誘電体多層膜を保護するための保護膜である。パッシベーション膜２７は、例えば窒化シリコン膜のようなＣＶＤ膜で形成されてもよいし、シリコーン樹脂のような樹脂材料で形成されてもよい。
赤／緑反射層２８を設けることにより、赤色変換部２２からにマイクロＬＥＤ素子２０２に向けて放射された赤色光Ｒ、および緑色変換部２３からマイクロＬＥＤ素子２０３に向けて放射された緑色光Ｇが赤／緑反射層２８によって反射される。そのため、赤・緑サブ画素６・７における光の取り出し効率を向上させることができる。なお、画像表示装置９１にパッシベーション膜２７を設けることは必須ではない。また、散乱部２１の裏面２１１は赤／緑反射層２８で覆われなくてもよい。
＜第２の変形例＞
次に、図１２に示すように、青反射層２５における裏面２５７以外の面、具体的には、平坦面２５４および２つの傾斜側面２６がパッシベーション膜２７で覆われる画像表示装置９２も、画像表示装置９０の変形例として想定される。平坦面２５４および２つの傾斜側面２６は、本発明に係る「第１の層における第１の波長変換部および第２の波長変換部と対向する裏面以外の面」の一例である。
画像表示装置９２のパッシベーション膜２７も誘電体多層膜を保護するための保護膜であり、誘電体多層膜である青反射層２５を保護する。パッシベーション膜２７は本発明に係るパッシベーション膜の一例である。上述のパッシベーション膜２７を設けることにより、青反射層２５が水分吸着等によって劣化するのを防いて青反射層２５の正常な機能発揮を維持することができる。
なお、画像表示装置９２は、画像表示装置９１と同様の箇所にパッシベーション膜２７および赤／緑反射層２８が設けられている。しかしながら、これらの部材のいずれか一方、または両方とも、画像表示装置９２に設けられていなくてもよい。
＜第３の変形例＞
次に、図１３に示すように、赤色変換部２２の側面２２３および緑色変換部２３の側面２３３が光反射膜２９で覆われる画像表示装置９３も、画像表示装置９０の変形例として想定される。光反射膜２９は本発明に係る第１の反射層の一例であり、青色光Ｂ、赤色光Ｒおよび緑色光Ｇを反射する。光反射膜２９は、例えば誘電体多層膜または金属膜である。
光反射膜２９を設けることにより、赤色変換部２２の側面２２３から漏れ出た赤色光Ｒが、光反射膜２９によって青反射層２５に向けて反射される。同様に、緑色変換部２３の側面２３３から漏れ出た緑色光Ｇも、光反射膜２９によって青反射層２５に向けて反射される。そのため、赤・緑サブ画素６・７における光の取り出し効率を向上させることができる。
同時に、マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３（図１参照）のそれぞれから斜めに照射され、該マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３のそれぞれの隣に配置された各サブ画素５〜７に入り込む青色光Ｂを低減することも、光反射膜２９を設けることで実現できる。例えば、マイクロＬＥＤ素子２０２から斜めに照射された青色光Ｂが光反射膜２９によって遮られることにより、青サブ画素５の散乱部２１に前記の青色光Ｂが入り込むことを低減することができる。
また、画像表示装置９３では、散乱部２１の側面２１２も光反射膜２９で覆われる。散乱部２１の側面２１２を光反射膜２９で覆うことにより、例えば赤色変換部２２の側面２２３を覆う光反射膜２９から漏れ出た赤色光Ｒを青反射層２５に向けて反射することができる。同様に、緑色変換部２３の側面２３３を覆う光反射膜２９から漏れ出た緑色光Ｇも青反射層２５に向けて反射することができる。そのため、赤・緑サブ画素６・７における光の取り出し効率をさらに向上させることができる。
＜第４の変形例＞
次に、図１４に示すように、赤色・緑色変換部２２・２３の側面２２４・２３４が青反射層２５に覆われる画像表示装置９４も、画像表示装置９０の変形例として想定される。側面２２４・２３４は、赤色・緑色変換部２２・２３における、散乱部２１よりも赤色・緑色光Ｒ・Ｇの放射方向に突出している部分の側面である。画像表示装置９４は、赤色変換部２２、緑色変換部２３、散乱部２１の順で厚さを厚くすることで、赤色変換部２２および緑色変換部２３を散乱部２１よりも赤色・緑色光Ｒ・Ｇの放射方向に突出させている。
この厚さの順番はあくまで一例であり、例えば緑色変換部２３、赤色変換部２２、散乱部２１の順で厚さを厚くしてもよいし、赤色変換部２２の厚さを緑色変換部２３の厚さと同じにしてもよい。また、散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３の各厚さを変えることで、赤色・緑色変換部２２・２３を散乱部２１よりも赤色・緑色光Ｒ・Ｇの放射方向に突出させる必要は必ずしもない。さらには、赤色変換部２２のみ、あるいは緑色変換部２３のみを、散乱部２１よりも赤色・緑色光Ｒ・Ｇの放射方向に突出させてもよい。
赤色・緑色変換部２２・２３の側面２２４・２３４を青反射層２５で覆うことにより、赤色・緑色光Ｒ・Ｇの放射方向に突出している部分の側面２２４・２３４から漏れ出る青色光Ｂを青反射層２５で反射させることができる。そのため、赤色・緑色変換部２２・２３の厚さが散乱部２１の厚さより厚くても、赤・緑サブ画素６・７に含まれるマイクロＬＥＤ素子２０２・２０３（図１参照）から放射された青色光Ｂと、赤・緑サブ画素６・７のそれぞれに隣接するサブ画素から放射される赤色・緑色光Ｒ・Ｇとのクロストークを低減できる。
なお、画像表示装置９４は、画像表示装置９１と同様の箇所にパッシベーション膜２７および赤／緑反射層２８が設けられている。しかしながら、これらの部材のいずれか一方、または両方とも、画像表示装置９４に設けられていなくてもよい。
＜第５の変形例＞
次に、図１５に示すように、マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３のすべてを１つのマイクロＬＥＤ素子２０４で代替した画像表示装置９５も、画像表示装置９０の変形例として想定される。マイクロＬＥＤ素子２０４は本発明に係る光源の一例であり、マイクロＬＥＤ素子２０１〜２０３と同様の構成で青色光Ｂを放射する。画像表示装置９５では１つの画素４毎に１つのマイクロＬＥＤ素子２０４が設けられるが、例えば複数の画素４毎に１つのマイクロＬＥＤ素子２０４が設けられてもよい。
画像表示装置９５は、散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３とマイクロＬＥＤ素子２０４との間にシャッター部５０が配置される。シャッター部５０は、例えば液晶材料で形成される。画像表示装置９５では、シャッター部５０の光透過性を制御することにより、散乱部２１、赤色変換部２２および緑色変換部２３から放射される各光の光量を調整して画素４の光出力を定める。
＜第６の変形例＞
図示しないものの、画像表示装置９１〜９５以外にも、画像表示装置９０の変形例が複数想定される。例えば、青反射層２５において、傾斜側面２６が第１の端部２５１または第２の端部２５２の一方のみに形成されてもよい。この場合、第１の端部２５１または第２の端部２５２のうちで傾斜側面２６が形成されていない方は、青反射層２５における傾斜側面２６以外の他の側面よりも青サブ画素５の近くに配置される近接側面（不図示）となる。
近接側面は、散乱部２１における青色光Ｂを放射する側の面に対して略垂直な面であり、具体的には、近接側面の全面が、散乱部２１における青色光Ｂを放射する側の面上に配置される。青反射層２５における傾斜側面２６および近接側面以外の側面は、一部の面のみが、散乱部２１における青色光Ｂを放射する側の面上に配置される。
このように、第１の端部２５１または第２の端部２５２の一方が近接側面を含んでいても、なお青サブ画素５の青色光Ｂの取り出し効率を許容範囲に留めることができる。かつ、青サブ画素５から放射された青色光Ｂと、赤色・緑色変換部２２・２３から漏れ出た赤色・緑色光Ｒ・Ｇとのクロストークを低減することができる。
また例えば、第１の端部２５１および第２の端部２５２の少なくとも一方が、散乱部２１の長手側の端部を覆わなくてもよい。言い換えれば、第１の端部２５１および第２の端部２５２の少なくとも一方が、マイクロＬＥＤ素子２０１の長手側の端部と対向しなくてもよい。さらに付言すれば、青反射層２５は、最大でマイクロＬＥＤ素子２０１の一部と対向する大きさになればよい。この場合、散乱部２１における青色光Ｂを放射する側の面について、外部に露出する部分がより多くなる。
このように、第１の端部２５１および第２の端部２５２の少なくとも一方が散乱部２１の長手側の端部を覆わないことで、青サブ画素５の青色光Ｂの取り出し効率がさらに向上する。また、青反射層２５の加工容易性およびクロストークの低減についても、許容範囲に留めることができる。
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る表示装置（画像表示装置９０〜９５）は、３つ以上のサブ画素により構成される画素（４）を複数有する表示装置であって、前記３つ以上のサブ画素として、第１の波長の光（青色光Ｂ）を放射する第１の光源（マイクロＬＥＤ素子２０１）を有する第１のサブ画素（青サブ画素５）と、第１の波長の光を放射する第２の光源（マイクロＬＥＤ素子２０２）と、前記第２の光源から放射された前記第１の波長の光を第２の波長の光（赤色光Ｒ）に変換する第１の波長変換部（赤色変換部２２）と、を有し、かつ、前記第１のサブ画素と隣り合って配置される第２のサブ画素（赤サブ画素６）と、第１の波長の光を放射する第３の光源（マイクロＬＥＤ素子２０３）と、前記第３の光源から放射された前記第１の波長の光を第３の波長の光（緑色光Ｇ）に変換する第２の波長変換部（緑色変換部２３）と、を有し、かつ、前記第２のサブ画素と隣り合って配置される第３のサブ画素（緑サブ画素７）と、を含み、前記表示装置は、さらに、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する第１の層（青反射層２５）を備え、前記第１の層は、前記第１の波長変換部における前記第２の波長の光を放射する側の表面と、前記第２の波長変換部における前記第３の波長の光を放射する側の表面と、を覆い、かつ、最大で前記第１の光源の一部と対向する大きさである。
前記構成によれば、第１の層が第１の光源と全く対向しない程度の大きさだった場合、第１の光源における第１の波長の光を放射する側の表面のすべてが外部に露出する。そのため、第１の層が第１の光源の一部と対向する程度の大きさだった場合に比べて第１のサブ画素における第１の波長の光の取り出し効率を向上させつつ、第１のサブ画素から第１の波長の光を取り出すことができる。
また前記構成によれば、第１の層が第１の光源の一部と対向する程度の大きさだった場合、第１・第２の波長変換部から斜めに漏れ出た第１の波長の光が第１の層に所定の入射角度で入射しても、第１の層における近接側面まで到達することがない。ここで、「近接側面」とは、第１の層における、他の側面よりも第１のサブ画素の近くに配置される２つの側面を指す。そして、第１・第２の波長変換部から斜めに漏れ出た第１の波長の光は、第１の層によって反射されてしまう。そのため、第１・第２の波長変換部から漏れ出た第１の波長の光と、第１の光源から放射された第１の波長の光との間でクロストークが生じることを低減することができる。
さらに、第１の層が第１の光源の一部と対向する程度の大きさだったとしても、第１の光源の残りの一部は第１の層と対向していないことから、第１のサブ画素から第１の波長の光を取り出すこともできる。以上より、前記のクロストークを低減すること、および第１のサブ画素から第１の波長の光を効率よく取り出すことの少なくとも一方を実現することができる。
本発明の態様２に係る表示装置は、前記態様１において、前記第１の層における、他の側面よりも前記第１のサブ画素の近くに配置される２つの近接側面（傾斜側面２６）のうち、少なくとも１つの前記近接側面が、該１つの前記近接側面の最も近くに配置される前記第２のサブ画素、または該１つの前記近接側面の最も近くに配置される前記第３のサブ画素に向けて傾いている。
前記構成によれば、２つの近接側面の少なくとも一方が、その近接側面の最も近くに配置される第２のサブ画素または第３のサブ画素に向けて傾いている。そのため、第１の波長変換部から漏れ出た後、第１の層に特定の角度で入射した第１の波長の光については、近接側面を透過することなく第１の層の内部で反射する。したがって、第１の光源から放射された第１の波長の光と、第１の波長変換部から漏れ出た第１の波長の光とのクロストークを低減することができる。また、第１の光源の少なくとも一部は第１の層と対向しないことから、前記のクロストークを低減することと、第１のサブ画素から第１の波長の光を取り出すこととを両立させることができる。
本発明の態様３に係る表示装置は、前記態様２において、前記第１の層の少なくとも一部は、２種類以上の機能層（第１の機能層４０、第２の機能層４１）が積層された構造になっており、前記２種類以上の機能層は、前記第１の波長の光に対する屈折率がそれぞれ異なってもよい。
前記構成によれば、第１の層中のある機能層が第１の波長の光を透過しても、透過した第１の波長の光をある機能層と屈折率の異なる別の機能層で反射させることができる。そのため、第１の層が２種類以上の機能層の積層構造になっていない場合に比べて、第１の層から第１の波長の光が漏れ出ることを低減することができる。
本発明の態様４に係る表示装置は、前記態様３において、前記第１の層は、該第１の層における前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部と対向する裏面（２５７）と反対側の表面（平坦面２５４）に対して垂直な方向に、前記２種類以上の機能層が積層された第１の部分（８）と、前記第２のサブ画素または前記第３のサブ画素に向けて傾いている前記近接側面である傾斜側面の傾斜方向に対して垂直な方向に、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する２種類以上の機能層（第１の機能層４０、第２の機能層４１）が積層された第２の部分（９）と、を有してもよい。
前記構成によれば、第１の機能層が第１の部分および第２の部分のいずれか一方を有していない場合に比べて、第１の層から第１の波長の光が漏れ出ることを低減することができる。また、第１の層が第２の部分を有していない場合に比べて、第１のサブ画素の光源から放射された第１の波長の光と、第１の波長変換部から漏れ出た第２の波長の光とのクロストークをさらに低減することができる。
本発明の態様５に係る表示装置は、前記態様３において、前記第１の層における、前記第２のサブ画素または前記第３のサブ画素に向けて傾いている前記近接側面である傾斜側面を含む端部は、前記第１の光源の一部と対向しており、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する２種類以上の機能層が積層された構造になっており、前記端部は、最も前記第１の層の中央寄りの部分（最も青反射層寄りの部分２５５）から先端部分（２５６）に向かうにつれて前記２種類以上の機能層の積層数が減っていてもよい。
前記構成によれば、第１の層における傾斜側面を含む端部（以下、傾斜端部）が第１の光源の一部と対向している。そのため、第１のサブ画素と第２のサブ画素との間のピッチを短くしても、傾斜側面の傾斜角度を厳密に調整する必要性が低減し、第２の表面および第３の表面に対する第１の表面の高い平坦性が確保し易くなる。したがって、第１の層の簡易な加工で高解像度の表示装置を実現することができる。ここで「第１の表面」とは、第１の層における、第１の波長の光および第２の波長の光を放射する側の表面を指す。また、「第２・第３の表面」とは、第１・第２の波長変換部における、第１・第２の波長の光を放射する側の表面を指す。
また前記構成によれば、傾斜端部について、最も第１の層の中央寄りの部分から先端部分に向かうにつれて、波長選択性、特に第１の波長の光に対する反射性が低下する。そのため、傾斜端部に垂直に入射した第１の波長の光は、そのほとんどが反射することなく傾斜端部を透過する。そのため、第１のサブ画素における第１の波長の光の取り出し効率を、傾斜端部が第１の光源と全く対向していない場合と同程度に維持することができる。なお、「傾斜端部に垂直」の「垂直」は、具体的には傾斜端部における第１の光源の一部と対向する面に対して垂直であることを意味する。
本発明の態様６に係る表示装置（画像表示装置９４）は、前記態様１から５のいずれかにおいて、前記第１のサブ画素は、前記第１の光源から放射された前記第１の波長の光を散乱または透過する第２の層（散乱部２１）を有しており、前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部の少なくとも一方は、前記第２の層よりも前記第２の波長の光の放射方向に突出しており、前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部の少なくとも一方における、前記第２の層よりも前記第２の波長の光の放射方向に突出している部分の側面（２２４、２３４）は、前記第１の層に覆われてもよい。
前記構成によれば、第１のサブ画素に第２の層を設けて第１の波長の光を散乱させることにより、光ムラを低減することができる。また前記構成によれば、第１の波長変換部および第２の波長変換部の少なくとも一方における、第２の層よりも第２の波長の光の放射方向に突出している部分の側面から漏れ出た第１の波長の光および第２の波長の光の少なくとも一方を、第１の層が反射する。したがって、例えば、第１の波長変換部および第２の波長変換部の少なくとも一方の厚さが第２の層の厚さより厚くても、第１の光源から放射された第１の波長の光と、第１の波長変換部から漏れ出た第１の波長の光とのクロストークを低減することができる。
本発明の態様７に係る表示装置（画像表示装置９２）は、前記態様１から６のいずれかにおいて、前記第１の層における前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部と対向する裏面（２５７）以外の面は、パッシベーション膜（２７）で覆われもよい。
前記構成によれば、第１の層における第１の波長変換部および第２の波長変換部と対向する表面以外の面がパッシベーション膜で保護される。そのため、第１の層がゴミ・水分吸着および酸化によって劣化するのを防いて、第１の層の正常な機能発揮を維持することができる。
本発明の態様８に係る表示装置（画像表示装置９３）は、前記態様１から７のいずれかにおいて、前記第１の波長変換部の側面（２２３）および前記第２の波長変換部の側面（２３３）は、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を反射する第１の反射層（光反射膜２９）で覆われてもよい。
前記構成によれば、第１の反射層は、第１の波長変換部の側面から漏れ出た第２の波長の光を第１の層に向けて反射する。同様に第１の反射層は、第２の波長変換部の側面から漏れ出た第３の波長の光も第１の層に向けて反射する。そのため、第２のサブ画素における第２の波長の光の取り出し効率、および第３のサブ画素における第３の波長の光の取り出し効率を向上させることができる。
本発明の態様９に係る表示装置（画像表示装置９１）は、前記態様１から８のいずれかにおいて、前記第１の波長変換部における前記第２の光源と対向する裏面（２２２）、および前記第２の波長変換部における前記第３の光源と対向する裏面（２３２）は、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を反射する第２の反射層（赤／緑反射層２８）で覆われてもよい。
前記構成によれば、第２の反射層が、第１の波長変換部から第２の光源に向けて放射された第２の波長の光、および第２の波長変換部から第３の光源に向けて放射された第３の波長の光を反射する。そのため、第１・第２の波長変換部から第２・第３の光源に向けて、言い換えれば意図しない方向に放射された第２・第３の波長の光も第２・第３のサブ画素から取り出すことができる。したがって、第２のサブ画素における第２の波長の光の取り出し効率、および第３のサブ画素における第３の波長の光の取り出し効率を向上させることができる。
本発明の態様１０に係る表示装置（画像表示装置９５）は、３つ以上のサブ画素により構成される画素（４）を複数有する表示装置であって、前記３つ以上のサブ画素として、第１の波長の光（青色光Ｂ）を放射する光源（マイクロＬＥＤ素子２０４）を有する第１のサブ画素（青サブ画素５）と、前記光源と、前記光源から放射された前記第１の波長の光を第２の波長の光（赤色光Ｒ）に変換する第１の波長変換部（赤色変換部２２）と、を有し、かつ、前記第１のサブ画素と隣り合って配置される第２のサブ画素（赤サブ画素６）と、前記光源と、前記光源から放射された前記第１の波長の光を第３の波長の光（緑色光Ｇ）に変換する第２の波長変換部（緑色変換部２３）と、を有し、かつ、前記第２のサブ画素と隣り合って配置される第３のサブ画素（緑サブ画素７）と、を含み、前記表示装置は、さらに、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する第１の層（青反射層２５）を備え、前記第１の層は、前記第１の波長変換部における前記第２の波長の光を放射する側の表面と、前記第２の波長変換部における前記第３の波長の光を放射する側の表面と、を覆い、かつ、最大で前記第１のサブ画素の前記光源の一部と対向する大きさである。
前記構成によれば、第１〜第３のサブ画素の各光源として、例えば共通する１つの光源が用いられている表示装置について、本発明の態様１に係る表示装置と同様の効果を奏する。
〔付記事項〕
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
４ 画素
５ 青サブ画素（第１のサブ画素）
６ 赤サブ画素（第２のサブ画素）
７ 緑サブ画素（第３のサブ画素）
８ 第１の部分
９ 第２の部分
２１ 散乱部（第２の層）
２２ 赤色変換部（第１の波長変換部）
２３ 緑色変換部（第２の波長変換部）
２５ 青反射層（第１の層）
２６ 傾斜側面（近接側面）
２７ パッシベーション膜
２８ 赤／緑反射層（第２の反射層）
２９ 光反射膜（第１の反射層）
４０ 第１の機能層（２種類の機能層）
４１ 第２の機能層（２種類の機能層）
９０ 画像表示装置（表示装置）
２０１ マイクロＬＥＤ素子（第１の光源）
２０２ マイクロＬＥＤ素子（第２の光源）
２０３ マイクロＬＥＤ素子（第３の光源）
２０４ マイクロＬＥＤ素子（光源）
２２１ 表面（第１の波長変換部における第２の波長の光を放射する側の表面）
２２２ 裏面（第１の波長変換部における第２の光源と対向する裏面）
２２３ 側面（第１の波長変換部の側面）
２２４ 側面（第１の波長変換部および第２の波長変換部の少なくとも一方における、第２の層よりも第２の波長の光の放射方向に突出している部分の側面）
２３１ 表面（第２の波長変換部における第３の波長の光を放射する側の表面）
２３２ 裏面（第２の波長変換部における第３の光源と対向する裏面）
２３３ 側面（第２の波長変換部の側面）
２３４ 側面（第１の波長変換部および第２の波長変換部の少なくとも一方における、第２の層よりも第２の波長の光の放射方向に突出している部分の側面）
２５１ 第１の端部（第１の層における傾斜側面を含む端部）
２５２ 第２の端部（第１の層における傾斜側面を含む端部）
２５４ 平坦面（第１の層における第１の波長変換部および第２の波長変換部と対向する裏面と反対側の表面）
２５５ 最も青反射層の中央寄りの部分（最も第１の層寄りの部分）
２５６ 先端部分
２５７ 裏面（第１の層における第１の波長変換部および第２の波長変換部と対向する裏面）
Ｂ 青色光（第１の波長の光）
Ｒ 赤色光（第２の波長の光）
Ｇ 緑色光（第３の波長の光）

Claims (10)

  1. ３つ以上のサブ画素により構成される画素を複数有する表示装置であって、
    前記３つ以上のサブ画素として、
    第１の波長の光を放射する第１の光源を有する第１のサブ画素と、
    第１の波長の光を放射する第２の光源と、前記第２の光源から放射された前記第１の波長の光を第２の波長の光に変換する第１の波長変換部と、を有し、かつ、前記第１のサブ画素と隣り合って配置される第２のサブ画素と、
    第１の波長の光を放射する第３の光源と、前記第３の光源から放射された前記第１の波長の光を第３の波長の光に変換する第２の波長変換部と、を有し、かつ、前記第２のサブ画素と隣り合って配置される第３のサブ画素と、を含み、
    前記表示装置は、さらに、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する第１の層を備え、
    前記第１の層は、前記第１の波長変換部における前記第２の波長の光を放射する側の表面と、前記第２の波長変換部における前記第３の波長の光を放射する側の表面と、を覆い、かつ、最大で前記第１の光源の一部と対向する大きさである、表示装置。
  2. 前記第１の層における、他の側面よりも前記第１のサブ画素の近くに配置される２つの近接側面のうち、少なくとも１つの前記近接側面が、該１つの前記近接側面の最も近くに配置される前記第２のサブ画素、または該１つの前記近接側面の最も近くに配置される前記第３のサブ画素に向けて傾いている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１の層の少なくとも一部は、２種類以上の機能層が積層された構造になっており、
    前記２種類以上の機能層は、前記第１の波長の光に対する屈折率がそれぞれ異なっている、請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第１の層は、
    該第１の層における前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部と対向する裏面と反対側の表面に対して垂直な方向に、前記２種類以上の機能層が積層された第１の部分と、
    前記第２のサブ画素または前記第３のサブ画素に向けて傾いている前記近接側面である傾斜側面の傾斜方向に対して垂直な方向に、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する２種類以上の機能層が積層された第２の部分と、を有している、請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記第１の層における、前記第２のサブ画素または前記第３のサブ画素に向けて傾いている前記近接側面である傾斜側面を含む端部は、
    前記第１の光源の一部と対向しており、
    前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する２種類以上の機能層が積層された構造になっており、
    前記端部は、最も前記第１の層の中央寄りの部分から先端部分に向かうにつれて前記２種類以上の機能層の積層数が減っている、請求項３に記載の表示装置。
  6. 前記第１のサブ画素は、前記第１の光源から放射された前記第１の波長の光を散乱または透過する第２の層を有しており、
    前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部の少なくとも一方は、前記第２の層よりも前記第２の波長の光の放射方向に突出しており、
    前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部の少なくとも一方における、前記第２の層よりも前記第２の波長の光の放射方向に突出している部分の側面は、前記第１の層に覆われている、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
  7. 前記第１の層における前記第１の波長変換部および前記第２の波長変換部と対向する裏面以外の面は、パッシベーション膜で覆われている、請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置。
  8. 前記第１の波長変換部の側面および前記第２の波長変換部の側面は、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を反射する第１の反射層で覆われている、請求項１から７のいずれか１項に記載の表示装置。
  9. 前記第１の波長変換部における前記第２の光源と対向する裏面、および前記第２の波長変換部における前記第３の光源と対向する裏面は、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を反射する第２の反射層で覆われている、請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。
  10. ３つ以上のサブ画素により構成される画素を複数有する表示装置であって、
    前記３つ以上のサブ画素として、
    第１の波長の光を放射する光源を有する第１のサブ画素と、
    前記光源と、前記光源から放射された前記第１の波長の光を第２の波長の光に変換する第１の波長変換部と、を有し、かつ、前記第１のサブ画素と隣り合って配置される第２のサブ画素と、
    前記光源と、前記光源から放射された前記第１の波長の光を第３の波長の光に変換する第２の波長変換部と、を有し、かつ、前記第２のサブ画素と隣り合って配置される第３のサブ画素と、を含み、
    前記表示装置は、さらに、前記第１の波長の光を反射し、かつ、前記第２の波長の光および前記第３の波長の光を透過する第１の層を備え、
    前記第１の層は、前記第１の波長変換部における前記第２の波長の光を放射する側の表面と、前記第２の波長変換部における前記第３の波長の光を放射する側の表面と、を覆い、かつ、最大で前記第１のサブ画素の前記光源の一部と対向する大きさである、表示装置。
JP2019227520A 2019-12-17 2019-12-17 表示装置 Active JP7388908B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019227520A JP7388908B2 (ja) 2019-12-17 2019-12-17 表示装置
US17/109,840 US11538796B2 (en) 2019-12-17 2020-12-02 Display device
CN202011458381.XA CN112991967B (zh) 2019-12-17 2020-12-10 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019227520A JP7388908B2 (ja) 2019-12-17 2019-12-17 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021096362A true JP2021096362A (ja) 2021-06-24
JP7388908B2 JP7388908B2 (ja) 2023-11-29

Family

ID=76318207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019227520A Active JP7388908B2 (ja) 2019-12-17 2019-12-17 表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11538796B2 (ja)
JP (1) JP7388908B2 (ja)
CN (1) CN112991967B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6665872B2 (ja) * 2018-01-15 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI759839B (zh) * 2020-08-31 2022-04-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示元件與其製造方法
KR20220149826A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI784592B (zh) * 2021-06-21 2022-11-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
WO2023177259A1 (ko) * 2022-03-17 2023-09-21 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130242228A1 (en) * 2012-03-15 2013-09-19 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20170343855A1 (en) * 2016-05-26 2017-11-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US20180211979A1 (en) * 2017-01-25 2018-07-26 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device
US20190121176A1 (en) * 2017-10-25 2019-04-25 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion element and display device including the same
US20190211265A1 (en) * 2018-01-11 2019-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Population of quantum dots and a composition including the same
JP2019153783A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 シャープ株式会社 画像表示素子
US20190371866A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123137A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
KR20120023034A (ko) 2009-06-12 2012-03-12 샤프 가부시키가이샤 표시 패널 및 표시 장치
CN102142510B (zh) * 2010-02-01 2013-02-27 深圳市光峰光电技术有限公司 基于光波长转换的固态光源及其应用
JP2013213932A (ja) 2012-04-02 2013-10-17 Sharp Corp 表示装置
JP2014089281A (ja) 2012-10-30 2014-05-15 Sharp Corp 表示装置およびその製造方法、電子機器
US10141721B2 (en) * 2014-06-17 2018-11-27 Sony Corporation Light-emitting element and manufacturing method thereof
KR102208504B1 (ko) * 2016-07-28 2021-01-28 루미레즈 엘엘씨 반사성 측면 코팅을 갖는 발광 디바이스 패키지
KR20180076066A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
TWI643327B (zh) 2017-05-26 2018-12-01 行家光電股份有限公司 光致發光ｌｅｄ顯示裝置及其製造方法
KR102617876B1 (ko) 2018-02-01 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10748879B2 (en) * 2018-02-28 2020-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and display
JP6990265B2 (ja) * 2019-03-08 2022-01-12 シャープ株式会社 画像表示素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130242228A1 (en) * 2012-03-15 2013-09-19 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20170343855A1 (en) * 2016-05-26 2017-11-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US20180211979A1 (en) * 2017-01-25 2018-07-26 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device
US20190121176A1 (en) * 2017-10-25 2019-04-25 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion element and display device including the same
US20190211265A1 (en) * 2018-01-11 2019-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Population of quantum dots and a composition including the same
JP2019153783A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 シャープ株式会社 画像表示素子
US20190371866A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7388908B2 (ja) 2023-11-29
CN112991967A (zh) 2021-06-18
US20210183827A1 (en) 2021-06-17
CN112991967B (zh) 2023-02-17
US11538796B2 (en) 2022-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110211986B (zh) 显示元件以及显示装置
JP7248441B2 (ja) 画像表示素子
JP7388908B2 (ja) 表示装置
JP7492328B2 (ja) 画像表示素子及び画像表示素子の製造方法
US11239395B2 (en) Image display device
JP7249787B2 (ja) 表示素子及び表示装置
CN110071202B (zh) 微型led元件以及图像显示元件
JP2021019015A (ja) マイクロ発光素子及び画像表示素子
US20230163157A1 (en) Display substrate and display device
JP5731731B2 (ja) 発光装置
KR20230020958A (ko) 발광 소자를 갖는 유닛 픽셀 및 디스플레이 장치
TWI762234B (zh) 發光元件及顯示面板
KR20200079434A (ko) 발광 장치 및 표시 장치
CN113036008B (zh) 发光元件及显示面板
WO2023176539A1 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法ならびに画像表示装置
JP7406127B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN215184028U (zh) 发光器件和显示装置
US11605766B2 (en) Light-emitting module and method of manufacturing light-emitting module
WO2022014216A1 (ja) 発光装置および表示装置
JP7477782B2 (ja) 面状光源
WO2022239354A1 (ja) 発光装置および画像表示装置
JP2023542538A (ja) 高効率発光素子、それを有するユニットピクセル、およびそれを有するディスプレイ装置
JP2022129961A (ja) 発光装置および面状光源
CN115224172A (zh) 发光器件和显示装置
TW202306216A (zh) 微型發光二極體顯示裝置及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20220216

A625 Written request for application examination (by other person)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625

Effective date: 20220921

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230627

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231025

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7388908

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150