CN215184028U - 发光器件和显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种发光器件和显示装置。所述发光器件，包括收光膜、N个发光结构与反射膜，发光结构位于收光膜上；发光结构包括依次排布的第一半导体层、发光层与第二半导体层，第一半导体层位于收光膜上，发光层位于第一半导体层远离收光膜的一侧，第二半导体层位于发光层远离收光膜的一侧，相邻两个发光结构的发光层之间存在间隔，相邻两个发光结构的第二半导体层之间存在间隔；反射膜位于发光结构远离收光膜的一侧，反射膜包括N个反射部，相邻两个反射部之间存在间隔，N个反射部一一对应地位于N个发光结构上；反射部与收光膜形成光学谐振腔，光学谐振腔可使发光结构发射的光在特定角度射出。根据本实用新型的实施例，有利于提高像素密度。

Description

发光器件和显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和显示装置。

背景技术

相关技术中，LED(发光二极管)显示产业链涉及显示背板、LED器件以及固晶转移技术。Mini LED显示面板由于LED pad(焊垫)、LED尺寸以及固晶技术精度的限制，很难做到高像素密度，Mini LED显示面板的像素的最小尺寸仅在500微米的水平。

相关技术中，LED芯片可包括发不同颜色光的子像素，为避免串色，发不同颜色光的子像素之间的距离较大，不利于提高像素密度。

实用新型内容

本实用新型提供一种发光器件和显示装置，以解决相关技术中的不足。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种发光器件，包括：

收光膜；

N个发光结构，位于所述收光膜上，N为大于1的整数；所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层，所述第一半导体层位于所述收光膜上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述收光膜的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述收光膜的一侧，相邻两个所述发光结构的发光层之间存在间隔，相邻两个所述发光结构的第二半导体层之间存在间隔；

反射膜，位于N个所述发光结构远离所述收光膜的一侧，所述反射膜包括N个反射部，相邻两个所述反射部之间存在间隔，N个所述反射部一一对应地位于N个所述发光结构上；所述反射部与所述收光膜形成光学谐振腔，所述光学谐振腔被配置为使所述发光结构发射的光在特定角度射出。

在一个实施例中，所述发光器件还包括衬底，所述衬底位于所述收光膜远离所述发光结构的一侧；

所述收光膜包括M层第一光学膜与M层第二光学膜，M为大于2的整数，所述第一光学膜与所述第二光学膜交替排布，所述第一光学膜的晶格与所述衬底的晶格匹配，M层所述第一光学膜中存在一层所述第一光学膜与所述衬底接触；

所述第一光学膜的折射率与所述第二光学膜的折射率的差值为0.2～1.0。

在一个实施例中，所述衬底的材料为蓝宝石，所述第一光学膜的材料为氮化镓，所述第二光学膜的材料为二氧化硅、氮化硅或二氧化钛。

在一个实施例中，所述第一光学膜的折射率为2.45，所述第二光学膜的折射率为1.53。

在一个实施例中，M为3、4或5。

在一个实施例中，当M为3时，M层所述第一光学膜中，在从所述衬底指向所述反射膜的方向上，第一层第一光学膜的厚度为125～135nm，第二层第一光学膜的厚度为70～80nm，第三层第一光学膜的厚度为95～105nm；

当所述第二光学膜的材料为二氧化硅时，M层所述第二光学膜中，在从所述衬底指向所述反射膜的方向上，第一层第二光学膜的厚度为140～150nm，第二层第二光学膜的厚度为45～55nm，第三层第二光学膜的厚度为100～110nm；

在从所述衬底指向所述反射膜的方向上，第一层第一光学膜的厚度与第一层第二光学膜的厚度的差值为10～15nm，第二层第一光学膜的厚度与第二层第二光学膜的厚度的差值为20～25nm，第三层第一光学膜的厚度与第三层第二光学膜的厚度的差值为5～10nm。

在一个实施例中，所述衬底的材料为硅，所述第一光学膜的材料为二氧化硅，所述第二光学膜的材料为氮化硅或二氧化钛。

在一个实施例中，所述反射膜的反射率大于所述收光膜的反射率。

在一个实施例中，所述反射膜的反射率大于95％，所述收光膜的透射率为50％～70％。

在一个实施例中，N个所述发光结构的第一半导体层相连。

在一个实施例中，所述的发光器件还包括交替排布的遮光膜与彩膜，所述彩膜与所述遮光膜位于所述衬底远离所述发光结构的一侧。

根据本实用新型实施例的第二方面，提供一种显示装置，包括上述的发光器件。

根据上述实施例可知，由于位于发光结构两侧的收光膜与反射部形成光学谐振腔，光学谐振腔能够使发光结构发射的光从收光膜在特定角度射出，因此，使得从收光膜出射的光的散射角度减小，进而，在保证相邻两个发光结构发射的光不串扰的情况下，可以减小相邻两个发光结构的发光层之间的间隔以及相邻两个发光结构的第二半导体层之间的间隔，有利于提高像素密度。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是根据现有技术示出的一种发光芯片的结构示意图；

图2是根据现有技术示出的另一种发光芯片的结构示意图；

图3是根据本实用新型实施例示出的一种发光器件的结构示意图；

图4是根据本实用新型实施例示出的另一种发光器件的结构示意图；

图5是根据本实用新型实施例示出的另一种发光器件的结构示意图；

图6是根据本实用新型实施例示出的发光结构发光的光强分布示意图；

图7是根据本实用新型实施例示出的子像素发光的光强分布示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本实用新型相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型的一些方面相一致的装置和方法的例子。

相关技术中，如图1所示，Mini LED显示面板上的同一个发光芯片上包括红色子像素(未示出)、绿色子像素(未示出)与蓝色子像素(未示出)，每个子像素包括N型半导体层11、P型半导体层12与有源层13，有源层13包括多量子阱结构(未示出)，有源层13用于发光。同一个发光芯片上的三个子像素的N型半导体层11连接，并共用阴极14，三个子像素的有源层13、P型半导体层12分别是不连续的，且相邻两个子像素的有源层13之间存在间隔，相邻两个子像素的P型半导体层12之间存在间隔，三个子像素的P型半导体层12各自与对应的阳极15连接。三个子像素的有源层13用于发蓝光。红色子像素包括红色量子点膜16与红色滤光片17，红色量子点膜16用于将蓝光转换为红光。绿色子像素包括绿色量子点膜18与绿色滤光片19，绿色量子点膜18用于将蓝光转换为绿光。蓝色子像素包括透明膜110与蓝色滤光片111。如图1～2所示，相邻两个子像素之间还存在黑矩阵112，用来避免相邻两个子像素发射的光串色。由于发光芯片中的衬底113比较厚，其厚度约为60微米，为避免串色，相邻两个子像素之间的距离约为100微米，即发不同颜色光的子像素之间的距离较大，不利于提高像素密度。

本实用新型实施例提供一种发光器件。该发光器件，如图3所示，包括收光膜31、N个发光结构32与反射膜33。

如图3所示，N个发光结构32位于收光膜31上，N为大于1的整数。发光结构32包括第一半导体层321、发光层322与第二半导体层323，第一半导体层321位于收光膜31上，发光层322位于第一半导体层321远离收光膜31的一侧，第二半导体层323位于发光层322远离收光膜31的一侧，相邻两个发光结构32的发光层322之间存在间隔，相邻两个发光结构32的第二半导体层323之间存在间隔。

如图3所示，反射膜33位于N个发光结构32远离收光膜31的一侧，反射膜33包括N个反射部331，相邻两个反射部331之间存在间隔，N个反射部331一一对应地位于N个发光结构32上。反射部331与收光膜31形成光学谐振腔，光学谐振腔被配置为使发光结构32发射的光在特定角度射出。

在本实施例中，由于位于发光结构32两侧的收光膜31与反射部331形成光学谐振腔，光学谐振腔能够使发光结构32发射的光从收光膜31在特定角度射出，因此，能够使得从收光膜31出射的光的散射角度减小，进而，在保证相邻两个发光结构32发射的光不串扰的情况下，可以减小相邻两个发光结构32的发光层322之间的间隔以及相邻两个发光结构32的第二半导体层323之间的间隔，有利于提高像素密度。

以上对本实用新型实施例提供的发光器件进行了简要的介绍，下面对本实用新型实施例提供的发光器件进行详细的介绍。

本实用新型实施例还提供一种发光器件。该发光器件，如图3所示，包括：衬底34、收光膜31、N个发光结构32、反射膜33、N个阳极35与一个阴极36。

在本实施例中，发光器件可以为发光芯片。发光芯片可以为Mini LED显示面板上的一个像素。

如图3所示，在本实施例中，N为3。该发光器件可包括红色子像素37、绿色子像素38与蓝色子像素39，但不限于此。在其他实施例中，N还可以为2、4或其他数值。

在本实施例中，衬底34的材料为蓝宝石。当然，在其他实施例中，衬底34的材料也可以为其他材料，例如为硅(Si)、碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)，但不限于此。

在本实施例中，如图3所示，收光膜31位于衬底34与发光结构32之间。收光膜31包括交替排布的第一光学膜311与第二光学膜312，第一光学膜311的数目为M层，第二光学膜312的数目为M层。M为大于2的整数。在本实施例中，M为3，在其他实施例中，M也可为4、5、6、或其他数值。

在本实施例中，第一光学膜311的晶格与衬底34的晶格匹配，M层第一光学膜311中存在一层第一光学膜311与衬底34接触。第一光学膜311的折射率与第二光学膜312的折射率的差值为0.2～1.0。例如，第一光学膜311的折射率与第二光学膜312的折射率的差值为0.2、0.5、0.8、0.92或1.0，但不限于此。

在本实施例中，第一光学膜311的材料为氮化镓(GaN)，第二光学膜312的材料为二氧化硅(SiO₂)。在其他实施例中，第二光学膜312的材料还可以为氮化硅(SiN)或二氧化钛(TiO₂)。

在本实施例中，第一光学膜311的折射率为2.45，第二光学膜312的折射率为1.53。即氮化镓(GaN)的折射率为2.45，二氧化硅(SiO₂)的折射率为1.53。

在本实施例中，3层第一光学膜311中，在从衬底34指向反射膜33的方向Z上，第一层第一光学膜311的厚度为125～135nm(纳米)，例如，第一层第一光学膜311的厚度可为125nm、129.58nm、或135nm。第二层第一光学膜311的厚度为70～80nm，例如，第一层第一光学膜311的厚度可为70nm、73.56nm、或80nm。第三层第一光学膜311的厚度为95～105nm，例如，第三层第一光学膜311的厚度为95nm、97.47nm或105nm。

在本实施例中，M层第二光学膜312中，在从衬底34指向反射膜33的方向Z上，第一层第二光学膜312的厚度为140～150nm，例如，第一层第二光学膜312的厚度为140nm、142.38nm或150nm。第二层第二光学膜312的厚度为45～55nm，例如，第二层第二光学膜312的厚度为45nm、50.18nm或55nm。第三层第二光学膜312的厚度为100～110nm，例如，第三层第二光学膜312的厚度为100nm、105.26nm或110nm。

在本实施例中，3层第一光学膜311中，在从衬底34指向反射膜33的方向Z上，第一层第一光学膜311的厚度为129.58nm(纳米)，第二层第一光学膜311的厚度为73.56nm，第三层第一光学膜311的厚度为97.47nm。M层第二光学膜312中，在从衬底34指向反射膜33的方向Z上，第一层第二光学膜312的厚度为142.38nm，第二层第二光学膜312的厚度为50.18nm，第三层第二光学膜312的厚度为105.26nm。

在本实施例中，N个发光结构32位于收光膜31与反射膜33之间。

在本实施例中，3个发光结构32分别用于发射蓝光，但不限于此。每个发光结构32的发光角度可以为120度，但不限于此。

在本实施例中，每个发光结构32包括第一半导体层321、发光层322与第二半导体层323。第一半导体层321位于收光膜31远离衬底34的一侧，相邻两个发光结构32的第一半导体层321相连，且为同一膜层。发光层322位于第一半导体层321远离收光膜31的一侧，第二半导体层323位于发光层322远离收光膜31的一侧。相邻两个发光结构32的发光层322之间存在间隔，相邻两个发光结构32的第二半导体层323之间存在间隔。例如，位于红色子像素37中的发光层322与位于绿色子像素38中的发光层322之间存在间隔，位于红色子像素37中的第二半导体层323与位于绿色子像素38中的第二半导体层323之间存在间隔。

其中，第一半导体层321为P型半导体层和N型半导体层中的一种，第二半导体层323为P型半导体层和N型半导体层中的另一种。本实施例中，第一半导体层321为N型半导体层，第二半导体层323为P型半导体层。

在本实施例中，第一半导体层321的晶格与衬底34的晶格匹配。在本实施例中，第一半导体层321的材料可以为氮化镓材料，但不限于此。第一半导体层321的材料中可以包含掺杂元素，掺杂元素可以包括Si离子、Ge离子、Sn离子与Se离子中的任意一种或任意组合。例如，掺杂元素可以包括Si离子，或Ge离子，或Ge离子与Sn离子。

在本实施例中，第二半导体层323的材料可以为氮化镓材料，但不限于此。第二半导体层323的材料中可以包含掺杂元素，掺杂元素可以包括Mg离子、Zn离子、Sr离子或Ba离子中的任意一种或任意组合。例如，掺杂元素可以包括Mg离子，或Zn离子，或Sr离子与Ba离子。

在本实施例中，N个发光结构的第一半导体层321相连。这样，红色子像素37、绿色子像素38与蓝色子像素39可共用同一个阴极，可以减少电极的数目，进而减小发光器件的尺寸，有利于提高像素密度。当然，在其他实施例中，N个发光结构的第一半导体层321可互不相连。

在本实施例中，发光层322包括多量子阱结构。其中，多量子阱结构可为GaN与AlGaN交替排布的周期性结构，也可为GaN与AlInGaN交替排布的周期性结构，但不限于此。

需要说明的是，当衬底34的材料为硅时，第一半导体层321的材料、发光层322的材料与第二半导体层323的材料可以根据需求设置为其他材料。

在本实施例中，反射膜33位于3个发光结构32远离收光膜31的一侧。收光膜31为半透半反膜，反射膜33的反射率大于收光膜31的反射率。这样，可以使发光结构32发射的光从收光膜31出射。

在本实施例中，反射膜33可以为布拉格反射镜，包括交替排布的第一反射膜与第二反射膜，第一反射膜的折射率与第二反射膜的折射率不同。第一反射膜的数目与第二反射膜的数目、以及第一反射膜的材料与第二反射膜的材料可根据实际需求设置。

在本实施例中，反射膜33的反射率大于95％。在本实施例中，反射膜33的反射率为98％。在其他实施例中，反射膜33的反射率还可为96％或99％，但不限于此。

在本实施例中，收光膜31的透射率为50％～70％，在本实施例中，收光膜31的透射率为60％。在其他实施例中，收光膜31的透射率可为50％或70％，但不限于此。需要说明的是，收光膜31的透射率是针对全波段(380～700nm)的透射率。

在本实施例中，反射膜33包括3个反射部331，相邻两个反射部331之间存在间隔，3个反射部331一一对应地位于3个发光结构32上。每个反射部331与收光膜31上与反射部331对齐的部分形成光学谐振腔，每个光学谐振腔被配置为使对应的发光结构32发射的光在特定角度射出，每个光学谐振腔还被配置为使蓝光射出。其中，上述的特定角度可为从光学谐振腔出射的光线与光学谐振腔的腔长方向的夹角的角度，光学谐振腔的腔长方向为由收光膜31指向反射膜33的方向Z。腔长方向可垂直于反射膜33远离收光膜31的表面。

在本实施例中，上述的特定角度可小于发光结构的发光角度的0.5倍，即上述的特定角度可小于60度。发光结构32发射的光经光学谐振腔后散射角度减小。这样，有利于避免相邻两个发光结构发射的光串扰，也有利于缩小子像素之间的间隔，有利于提高像素密度。

在本实施例中，上述的特定角度可小于或等于发光结构32的发光角度的0.25倍。在本实施例中，上述的特定角度可以为30度。这样，每个子像素的发光角度为60度。即发光结构32发射的光经光学谐振腔后散射角度减小。

在本实施例中，如图3所示，3个阳极35分别与3个发光结构32的P型半导体层一一对应地电连接。由于反射膜33为绝缘材料，因此，每个阳极35可分别通过对应的反射部331上的通孔与对应的P型半导体层电连接。发光结构32的发光亮度可由阳极35上施加的电压控制。

在本实施例中，如图3所示，阴极36与3个发光结构32中的N型半导体层电连接。3个发光结构32共同使用同一个阴极36。

在本实施例中，如图4所示，发光器件还包括交替排布的遮光膜41与彩膜42。彩膜42与遮光膜41位于衬底34远离发光结构32的一侧。遮光膜41可为黑矩阵。

在本实施例中，如图3所示，3个发光结构32分别位于红色子像素37、绿色子像素38与蓝色子像素39中。位于红色子像素37中的彩膜42可包括第一光学转换层与红色滤光片，第一光学转换层位于衬底34与红色滤光片之间，第一光学转换层用于将蓝光转换为红光。位于绿色子像素38中的彩膜42可包括第二光学转换层与绿色滤光片，第二光学转换层位于衬底34与绿色滤光片之间，第二光学转换层用于将蓝光转换为绿光。位于蓝色子像素39中的彩膜42可包括透明层与蓝色滤光片，透明层位于衬底与蓝色滤光片之间。在其他实施例中，位于蓝色子像素39中的彩膜42可仅包括蓝色滤光片。

在本实施例中，红色子像素37、绿色子像素38与蓝色子像素39的发光角度为60度。这样，有利于避免相邻两个子像素发射的不同颜色的光串色。当然，红色子像素37、绿色子像素38与蓝色子像素39的发光角度可根据需求改变，例如，红色子像素37、绿色子像素38与蓝色子像素39的发光角度也可更小，例如，为30度。

在本实施例中，如图5所示，红色子像素37与蓝色子像素39在第一方向X上的距离为第一距离D1，红色子像素37靠近绿色子像素38的顶点与绿色子像素38靠近红色子像素37靠的顶点之间的距离为第二距离D2，绿色子像素38与蓝色子像素39在第二方向Y上的距离为第三距离D3。在本实施例中，上的第一距离D1为30微米。第二距离D2与第三距离D3也可约为30微米。

在本实施例中，发光器件在第一方向X上的宽度可为248微米，在第二方向Y上的长度可为248微米。红色子像素37在第一方向X上的宽度可为25微米，在第二方向Y上的长度可为52微米。绿色子像素38在第一方向X上的宽度可为40微米，在第二方向Y上的长度可为25微米。蓝色子像素39在第一方向X上的宽度可为18微米，在第二方向Y上的长度可为18微米。

在本实施例中，如图5所示，发光器件还包括阴极焊盘361与3个阳极焊盘351，阴极焊盘361与阴极36电连接，3个阳极焊盘351分别与3个阳极35电连接。阴极焊盘361与3个阳极焊盘351的尺寸相同，阴极焊盘361在第一方向X上的宽度可为30微米，在第二方向Y上的长度可为30微米。

如图5所示，发光器件还包括芯片间打件干涉区Q1、芯片激光切割区Q2与黑色墨水线占用区Q3。芯片间打件干涉区Q1在第一方向X上的宽度与在第二方向Y上的宽度W1相同，芯片间打件干涉区Q1在第一方向X上的宽度可为37.5微米，在第二方向Y上的宽度W1可为37.5微米。芯片激光切割区Q2在第一方向X上的宽度与在第二方向Y上的宽度W2相同，芯片激光切割区Q2在第一方向X上的宽度可为30微米，在第二方向Y上的宽度W2可为30微米，误差为±15微米。黑色墨水线占用区Q3在第一方向X上的宽度与在第二方向Y上的宽度W3相同，黑色墨水线占用区Q3在第一方向X上的宽度可为20微米，在第二方向Y上的宽度W3可为20微米，线宽差(CD bias)为15微米。

在本实施例中，发光结构32两侧的收光膜31与反射部331形成光学谐振腔，不同能态的光子密度被重新分布，使得只有特定波长的光在符合共振腔模式后，得以在特定角度射出，在不同角度的光强会不一样。

如图6所示，发光结构32的发光角度为120度，其中，曲线61为总光强的光强曲线，曲线62为P偏振光的光强曲线，曲线63为S偏振光的光强曲线。其中，纵轴为相对光强，单位为1。

如图7所示，每个子像素的发光角度为60度，其中，曲线71为总光强的光强曲线，曲线72为P偏振光的光强曲线，曲线73为S偏振光的光强曲线。其中，纵轴为相对光强，单位为1。

在本实施例中，由于位于发光结构32两侧的收光膜31与反射部331形成光学谐振腔，光学谐振腔能够使发光结构32发射的光从收光膜31在特定角度射出，因此，使得从收光膜31出射的光的散射角度减小，进而，在保证相邻两个发光结构32发射的光不串扰的情况下，可以减小相邻两个发光结构32的发光层322之间的间隔以及相邻两个发光结构32的第二半导体层323之间的间隔，有利于提高像素密度。

另外，本实施例中，同一发光芯片中包括三个子像素，相邻子像素中的发光层之间存在间隔，相邻子像素中的第二半导体层之间存在间隔，三个子像素共用第一半导体层以及共用阴极，可减小阴极的数目以及阴极焊盘的数目，进而，可以减轻多次固晶的尺寸压力，有利于提升像素密度。而且，在将发光芯片绑定在驱动背板上时，可以减小绑定的次数，有利于提升良率。

本实用新型的实施例还提出了一种显示装置，包括驱动背板，还包括上述任一实施例的发光器件。

本实施例中，驱动背板包括发光器件的驱动电路，用于驱动发光器件发光。

本实施例中，由于位于发光结构32两侧的收光膜31与反射部331形成光学谐振腔，光学谐振腔能够使发光结构32发射的光从收光膜31在特定角度射出，因此，使得从收光膜31出射的光的散射角度减小，进而，在保证相邻两个发光结构32发射的光不串扰的情况下，可以减小相邻两个发光结构32的发光层322之间的间隔以及相邻两个发光结构32的第二半导体层323之间的间隔，有利于提高显示装置的像素密度。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本实用新型中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本实用新型的其它实施方案。本实用新型旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本实用新型未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本实用新型的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (12)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

收光膜；

N个发光结构，位于所述收光膜上，N为大于1的整数；所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层，所述第一半导体层位于所述收光膜上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述收光膜的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述收光膜的一侧，相邻两个所述发光结构的发光层之间存在间隔，相邻两个所述发光结构的第二半导体层之间存在间隔；

反射膜，位于N个所述发光结构远离所述收光膜的一侧，所述反射膜包括N个反射部，相邻两个所述反射部之间存在间隔，N个所述反射部一一对应地位于N个所述发光结构上；所述反射部与所述收光膜形成光学谐振腔，所述光学谐振腔被配置为使所述发光结构发射的光在特定角度射出。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括衬底，所述衬底位于所述收光膜远离所述发光结构的一侧；

所述收光膜包括M层第一光学膜与M层第二光学膜，M为大于2的整数，所述第一光学膜与所述第二光学膜交替排布，所述第一光学膜的晶格与所述衬底的晶格匹配，M层所述第一光学膜中存在一层所述第一光学膜与所述衬底接触；

所述第一光学膜的折射率与所述第二光学膜的折射率的差值为0.2～1.0。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石，所述第一光学膜的材料为氮化镓，所述第二光学膜的材料为二氧化硅、氮化硅或二氧化钛。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一光学膜的折射率为2.45，所述第二光学膜的折射率为1.53。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，M为3、4或5。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，当M为3时，M层所述第一光学膜中，在从所述衬底指向所述反射膜的方向上，第一层第一光学膜的厚度为125～135nm，第二层第一光学膜的厚度为70～80nm，第三层第一光学膜的厚度为95～105nm；

当所述第二光学膜的材料为二氧化硅时，M层所述第二光学膜中，在从所述衬底指向所述反射膜的方向上，第一层第二光学膜的厚度为140～150nm，第二层第二光学膜的厚度为45～55nm，第三层第二光学膜的厚度为100～110nm；

在从所述衬底指向所述反射膜的方向上，第一层第一光学膜的厚度与第一层第二光学膜的厚度的差值为10～15nm，第二层第一光学膜的厚度与第二层第二光学膜的厚度的差值为20～25nm，第三层第一光学膜的厚度与第三层第二光学膜的厚度的差值为5～10nm。

7.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述衬底的材料为硅，所述第一光学膜的材料为二氧化硅，所述第二光学膜的材料为氮化硅或二氧化钛。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述反射膜的反射率大于所述收光膜的反射率。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述反射膜的反射率大于95％，所述收光膜的透射率为50％～70％。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，N个所述发光结构的第一半导体层相连。

11.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，还包括交替排布的遮光膜与彩膜，所述彩膜与所述遮光膜位于所述衬底远离所述发光结构的一侧。

12.一种显示装置，其特征在于，包括驱动背板与权利要求1至11任一项所述的发光器件。

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