JP2021090040A - エッチング液、エッチング液の製造方法、被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ルテニウムエッチング工程に実用的で、四酸化ルテニウムの発生リスクが低減されたエッチング液、前記エッチング液の製造方法、並びに前記エッチング液を用いた被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法を提供する。【解決手段】オルト過ヨウ素酸と、アンモニアと、を含み、ｐＨが８以上１０以下である、ルテニウムをエッチング処理するためのエッチング液。また、前記エッチング液の製造方法。また、前記エッチング液を用いて、ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程を含む、被処理体の処理方法。また、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板に対し、前記エッチング液を適用することにより、前記ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする工程を含む、ルテニウム含有配線の製造方法。【選択図】なし

Description

本発明は、エッチング液、エッチング液の製造方法、被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法に関する。

半導体デバイスの製造プロセスは、多段階の様々な加工工程で構成されている。そのような加工工程には、半導体層や電極等をエッチング等によりパターニングするプロセスも含まれる。近年では、半導体デバイスの高集積化や高速化などの進展に伴い、配線等にルテニウム（Ｒｕ）が用いられる場合がある。この場合、ルテニウムがエッチングされる対象となる。

ルテニウムをエッチング処理するためのルテニウム用エッチング液としては、例えば、酸化剤としてオルト過ヨウ素酸を含むものが提案されている（特許文献１、２）。また、特許文献３には、オルト過ヨウ素酸と、アンモニアとを含み、ｐＨが４．５であるルテニウム用エッチング液（表１、実施例Ａ３２）が記載されている。

国際公開第２０１６／６８１８３号 特開２０１６−９２１０１号公報 国際公開第２０１９／１３８８１４号

半導体デバイスの製造プロセスにおけるエッチング処理では、エッチングレートが小さすぎると、エッチング処理に長時間を要し、実用的ではない。また、特許文献３に記載されるようなエッチング液を用いた場合、エッチング液とルテニウムとの接触により、毒性のある四酸化ルテニウム（ＲｕＯ_４）が生成されるおそれがある。
そのため、工業的に実用的なエッチングレートを有し、且つ四酸化ルテニウムの生成が抑制されたルテニウム用エッチング液が求められる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ルテニウムエッチング工程に実用的で、四酸化ルテニウムの発生リスクが低減されたエッチング液、前記エッチング液の製造方法、並びに前記エッチング液を用いた被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。

本発明の第１の態様は、オルト過ヨウ素酸と、アンモニアと、を含み、ｐＨが８以上１０以下であることを特徴とする、ルテニウムをエッチング処理するためのエッチング液である。

本発明の第２の態様は、前記エッチング液の製造方法であって、オルト過ヨウ素酸を含む溶液とアンモニア水とを混合して混合液を調製し、前記混合液のｐＨを８以上１０以下に調整する工程と、前記混合液をフィルターでろ過する工程と、をこの順で含む、製造方法である。

本発明の第３の態様は、前記エッチング液を用いて、ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程を含むことを特徴とする、被処理体の処理方法である。

本発明の第４の態様は、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板に対し、前記エッチング液を適用することにより、前記ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする工程を含む、ルテニウム含有配線の製造方法である。

本発明によれば、ルテニウムエッチング工程に実用的で、四酸化ルテニウムの発生リスクが低減されたエッチング液、前記エッチング液の製造方法、並びに前記エッチング液を用いた被処理体の処理方法、及びルテニウム含有配線の製造方法を提供することができる。

リセスエッチング処理における被処理体である、ルテニウム含有配線を有する基板の一例を示す模式図である。 リセスエッチング処理後の配線基板の一例を示す模式図である。

（エッチング液）
本発明の第１の態様にかかるエッチング液は、オルト過ヨウ素酸と、アンモニアと、を含み、ｐＨが８以上１０以下であることを特徴とする。本態様にかかるエッチング液は、ルテニウムをエッチング処理するために用いられる。

＜オルト過ヨウ素酸＞
本実施形態にかかるエッチング液は、オルト過ヨウ素酸（Ｈ_５ＩＯ_６）を含む。

本実施形態のエッチング液中のオルト過ヨウ素酸の含有量は、特に限定されないが、例えば、エッチング液の全質量に対し、０．０５〜８質量％が例示され、０．１〜７質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましく、０．５〜３質量％がさらに好ましい。オルト過ヨウ素酸の含有量が前記範囲内であると、ルテニウムに対するエッチングレートがより向上する。

＜アンモニア＞
本実施形態にかかるエッチング液は、アンモニア（ＮＨ_３）を含む。
本実施形態のエッチング液におけるアンモニアの含有量は、特に限定されず、前記オルト過ヨウ素酸の含有量や、必要に応じて添加される他のｐＨ調整剤の量に応じて、本実施形態のエッチング液のｐＨが８以上となる含有量とすればよい。好ましくは、アンモニアは、後述する本実施形態のエッチング液の好ましいｐＨの範囲となるような含有量で用いられる。かかるアンモニアの含有量としては、例えば、オルト過ヨウ素酸の配合量を１００質量部に対して、５〜１５０質量部が挙げられ、１０〜１００質量部が好ましく、１５〜７５質量部がより好ましい。アンモニアの含有量が前記範囲内であると、ルテニウムに対するエッチングレートが低くなりすぎず、四酸化ルテニウムの生成が低減される。

＜他の成分＞
本実施形態のエッチング液は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記成分に加えて他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、水、水溶性有機溶剤、ｐＨ調整剤、界面活性剤、及び酸化剤等が挙げられる。

また、本実施形態のエッチング液は、たとえばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）プロセスに用いられるようなスラリー（金属酸化物粒子）を含んでいてもよいし、このようなスラリー（金属酸化物粒子）を含まなくてもよい。
ただし、たとえば基板上に配されたルテニウム薄膜に対して、本実施形態のエッチング液をマスクを介して適用し、ルテニウムの配線を形成するといった用途に用いる場合、プロセス安定性の観点からこのようなスラリー（金属酸化物粒子）を含まないことが好ましい。
本実施形態のエッチング液は、研磨剤を含まないことが好ましい。研磨剤は、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア等の金属酸化物粒子である。本実施形態のエッチング液は、これらの金属酸化物粒子を含まないことが好ましい。

・水
本実施形態のエッチング液は、上記成分の溶媒として水を含むことが好ましい。水は、不可避的に混入する微量成分を含んでいてもよい。本実施形態のエッチング液に用いられる水は、蒸留水、イオン交換水、及び超純水などの浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に一般的に使用される超純水を用いることがより好ましい。
本実施形態のエッチング液中の水の含有量は、特に限定されないが、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９４質量％以上がさらに好ましい。また、上限値は、特に限定はないが、９９．９５質量％未満が好ましく、９９．９質量％以下がより好ましく、９９．５質量％以下がさらに好ましい。本実施形態のエッチング液は、上記オルト過ヨウ素酸を水に溶解し、アンモニアでｐＨ８以上１０以下に調整された、水溶液であることが好ましい。

・水溶性有機溶剤
本実施形態のエッチング液は、本発明の効果を損なわない範囲で、水溶性有機溶剤を含有ししてもよい。水溶性有機溶剤としては、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、フルフリルアルコール、及び２−メチルー２，４−ペンタンジオール等）、ジメチルスルホキシド、エーテル類（例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル）等が挙げられる。

本実施形態のエッチング液が水溶性有機溶剤を含む場合、水溶性有機溶剤の含有量は、水の量と水溶性有機溶剤の量との合計に対して５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。

・ｐＨ調整剤
本実施形態のエッチング液は、本発明の目的を逸しない範囲でｐＨ調整剤を含んでいてもよい。なお、本明細書における「ｐＨ調整剤」とは、前述したアンモニア以外の成分であって、液のｐＨを調整できる成分を指す。
また、その添加量は任意であり、後述するｐＨとなるように設定して添加量を選べばよい。

このｐＨ調整剤としては、酸性化合物又はアルカリ性化合物を使用することができる。酸性化合物としては塩酸や、硫酸、硝酸などの無機酸及びその塩、又は、酢酸、乳酸、シュウ酸、酒石酸及びクエン酸などの有機酸及びその塩が好適な例として挙げられる。

また、アルカリ性化合物については、有機アルカリ性化合物および無機アルカリ性化合物を用いることができ、有機アルカリ化合物としては、有機第四級アンモニウム水酸化物をはじめとする四級アンモニウム塩、トリメチルアミン及びトリエチルアミンなどのアルキルアミン及びその誘導体の塩、が好適な例として挙げられる。

この有機第四級アンモニウム水酸化物としては具体的には、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、ビス（２−ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド及びトリエチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。

また、無機アルカリ性化合物は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を含む無機化合物及びその塩が挙げられる。例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム及び水酸化セシウムなどが挙げられる。

・界面活性剤
本実施形態のエッチング液は、被処理体に対するエッチング液の濡れ性の調整の目的等のために、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤としては、ノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、又は両性界面活性剤を用いることができ、これらを併用してもよい。

ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリアルキレンオキサイドアルキルフェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドからなるブロックポリマー系界面活性剤、ポリオキシアルキレンジスチレン化フェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレントリベンジルフェニルエーテル系界面活性剤、アセチレンポリアルキレンオキサイド系界面活性剤等が挙げられる。

アニオン界面活性剤としては、例えば、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、脂肪酸アミドスルホン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルプロピオン酸、アルキルホスホン酸、脂肪酸の塩等が挙げられる。「塩」としてはアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、テトラメチルアンモニウム塩等が挙げられる。

カチオン界面活性剤としては、例えば、第４級アンモニウム塩系界面活性剤、又はアルキルピリジウム系界面活性剤等が挙げられる。

両性界面活性剤としては、例えば、ベタイン型界面活性剤、アミノ酸型界面活性剤、イミダゾリン型界面活性剤、アミンオキサイド型界面活性剤等が挙げられる。

これらの界面活性剤は一般に商業的に入手可能である。界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく。２種以上を併用してもよい。

・酸化剤
本実施形態のエッチング液は、上記のオルト過ヨウ素酸に加えて、他の酸化剤を含んでいてもよい。酸化剤としては、例えば、遷移金属酸化物、過酸化物、セリウム硝酸アンモニウム、硝酸塩、亜硝酸塩、ヨウ素酸、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸、過硫酸塩、過酢酸、過酢酸塩、過マンガン酸化合物、重クロム酸化合物等が挙げられる。

＜ｐＨ＞
本実施形態のエッチング液は、ｐＨが８以上１０以下であることを特徴とする。ｐＨ調整剤としてアンモニアを用いて、ｐＨが８以上１０以下に調整されることにより、ルテニウムに対して実用的なエッチングレートを維持し、且つ四酸化ルテニウムの発生リスクを低減することができる。本実施形態のエッチング液は、エッチングレートの観点からは、ｐＨ９．５以下であることが好ましく、ｐＨ９．０以下であることがより好ましく、ｐＨ８．５以下であることがさらに好ましい。本実施形態のエッチング液は、四酸化ルテニウムの発生リスクがより低減される観点から、ｐＨ８超であることが好ましい。本実施形態のエッチング液のｐＨの範囲としては、ｐＨが８以上９．５以下であることが好ましく、ｐＨが８以上９．０以下であることがより好ましく、ｐＨが８以上８．５以下であることがさらに好ましい。また、本実施形態のエッチング液のｐＨの範囲は、ｐＨが８超９．５以下であることが好ましく、ｐＨが８超９．０以下であることがより好ましく、ｐＨが８超８．５以下であることがさらに好ましい。
前記ｐＨの値は、常温（２３℃）、常圧（１気圧）の条件下において、ｐＨメーターにより測定される値である。

＜１００ｎｍより大きい粒子数＞
本実施形態のエッチング液は、１００ｎｍより大きい粒子の個数が、２０個／ｍＬ以下であることが好ましい。１００ｎｍより大きい粒子の個数は、１５個／ｍＬ以下が好ましく、１０個／ｍＬ以下がより好ましく、５個／ｍＬ以下がさらに好ましい。１００ｎｍより大きい粒子の個数を上記上限値以下とすることにより、例えば、後述するような表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板に対し、ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングするプロセスに適用した場合、凹部となるルテニウム上に粒子が入り込むリスクを低減させることができる。エッチング液１ｍＬ中の１００ｎｍより大きい粒子の個数は、光散乱式液中粒子検出器により測定することができる。前記光散乱式液中粒子検出器としては、例えば、リオン株式会社製のＫＳ−１９Ｆ等が挙げられる。

＜被処理体＞
本実施形態のエッチング液は、ルテニウムのエッチングのために用いられるものであり、ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理の対象とする。被処理体は、ルテニウムを含むものであれば特に限定さないが、ルテニウム含有層（ルテニウム含有膜）を有する基板等が挙げられる。前記基板は、特に限定されず、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板が挙げられる。前記基板としては、半導体デバイス作製のために使用される基板が好ましい。前記基板は、ルテニウム含有層及び基板の基材以外に、適宜、種々の層や構造、例えば、金属配線、ゲート構造、ソース構造、ドレイン構造、絶縁層、強磁性層、及び非磁性層等を有していてもよい。また、基板のデバイス面の最上層がルテニウム含有層である必要はなく、例えば、多層構造の中間層がルテニウム含有層であってもよい。
基板の大きさ、厚さ、形状、層構造等は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

前記ルテニウム含有層は、ルテニウム金属を含有する層であることが好ましく、ルテニウム金属膜であることがより好ましい。基板上のルテニウム含有層の厚さは、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。ルテニウム含有層の厚さとしては、例えば、１〜５００ｎｍや１〜３００ｎｍの範囲が挙げられる。

＜用途＞

本実施形態のエッチング液は、基板におけるルテニウム含有層の微細加工を行うために用いられてもよく、基板に付着したルテニウム含有付着物を除去するために用いられてもよく、表面にルテニウム含有層を有する被処理体からパーティクル等の不純物を除去するために用いられてもよい。

より具体的には、本実施形態のエッチング液の用途としては、例えば、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板におけるルテニウムにより構成される領域の選択的なエッチング処理（基板上に配置されたルテニウム含有配線のリセスエッチング処理）；ルテニウム含有膜が配置された基板の外縁部のルテニウム含有膜の除去；ルテニウム含有膜が配置された基板の裏面に付着するルテニウム含有物の除去；ドライエッチング後の基板上のルテニウム含有物の除去；ＣＭＰ処理後の基板上のルテニウム含有物の除去等が挙げられる。但し、本実施形態のうち、一態様のエッチング液は、ＣＭＰ処理には用いられない。

≪リセスエッチング処理≫
本実施形態のエッチング液の用途としては、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板において、ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする処理が好ましい。当該処理の具体例としては、基板上に配置されたルテニウム含有配線のリセスエッチング処理が挙げられる。「リセスエッチング処理」とは、基板上に配置されたルテニウム含有配線のエッチング処理により、基板上のルテニウム含有配線配置部分に凹部（リセス）を形成する処理（凹部を有するルテニウム含有配線を製造すること）を意味する。特に、本実施形態のエッチング液に含まれる１００ｎｍより大きい粒子が２０個／ｍＬ以下である場合、本実施形態のエッチング液は、基板上に配置されたルテニウム含有配線のリセスエッチング処理に適している。ルテニウム含有配線のリセスエッチング処理では、エッチング液に含まれる不純物粒子が凹部に入り込むことが懸念され、また、この不純物粒子を取り除くことも困難である。１００ｎｍより大きい粒子の数が２０個／ｍＬ以下のエッチング液を用いてリセスエッチング処理を行うことにより、このようなリスクを低減することができる。

図１は、リセスエッチング処理の被処理体であるルテニウム含有配線を有する基板（以下、「配線基板」ともいう）の一例を示す模式図である。配線基板１は、基板３と、基板上の下地層４と、下地層４上に配置されたトレンチ８を有する絶縁膜５と、トレンチ８の内壁に沿って配置されたバリアメタル層６と、トレンチ内部に充填されたルテニウム含有配線７とを有する。配線基板１において、絶縁膜５は、絶縁膜により構成される領域を形成する。ルテニウム含有配線７は、ルテニウムにより構成される領域を形成する。

基板３は、厚さ、形状、及び、層構造等は、特に限定されず、適宜選択することができる。基板３としては、例えば、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板が挙げられる。半導体基板を構成する材料としては、ケイ素、ケイ素ゲルマニウム、及びＧａＡｓ等の第ＩＩＩ−Ｖ族化合物、並びにそれらの任意の組合せ等が挙げられる。
基板３は、上記の構成に加えて、適宜、任意の構造を有することができる。例えば、基板３は、金属配線、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層、強磁性層、非磁性層等を有していてもよい。基板３は、曝露された集積回路構造、例えば金属配線及び誘電材料などの相互接続機構を有していてもよい。相互接続機構に使用する金属及び合金としては、例えば、アルミニウム、銅アルミニウム合金、銅、チタン、タンタル、コバルト、ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、及び、タングステンが挙げられる。基板３は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、及び／又は、炭素ドープ酸化ケイ素の層を有していてもよい。

ルテニウム含有配線７は、ルテニウムの単体、ルテニウムの合金、ルテニウムの酸化物、ルテニウムの窒化物、又はルテニウムの酸窒化物を含むことが好ましい。ルテニウム含有配線７におけるルテニウムの含有量は、ルテニウム含有配線の全質量（１００質量％）に対して、５０質量％以上が好ましく、６０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。ルテニウム含有量は、例えば、５０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％である。ルテニウム含有配線７は、公知の方法で形成することができ、例えば、ＣＶＤ、ＡＬＤ等を用いることができる。

下地層４を構成する材料は、特に限定されず、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、及び炭素ドープ酸化物（ＯＤＣ：ｏｘｉｄｅ ｄｏｐｅｄ ｃａｒｂｏｎ）等が挙げられる。

絶縁膜５は、例えば、酸化膜、Ｌｏｗ−ｋ層とすることができ、例えば、ＳｉＯＣＨ、ドープ二酸化ケイ素（フッ素、炭素および他のドーパント）、スピンオンポリマー（有機及びケイ素系のポリマーを含む）、多孔質酸化物等により形成することができる。

バリアメタル層６を構成する材料は、特に限定されず、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）等が挙げられる。図１の例では、バリアメタル層６を有する配線基板１を示しているが、配線基板はバリアメタル層を有さなくてもよい。また、バリアメタル層６と、ルテニウム含有配線７との間に、図示しないライナー層が配置されていてもよい。ライナー層を構成する材料は特に制限されず、例えば、Ｒｕ含有物及びＣｕ含有物が挙げられる。

配線基板１の製造方法は特に制限されず、例えば、基板上に下地層を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にトレンチを形成する工程と、絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、トレンチを充填するようにルテニウム含有膜を形成する工程と、ルテニウム含有膜に対して平坦化処理を施す工程と、を含む方法が挙げられる。また、絶縁膜上にバリアメタル層を形成する工程と、トレンチを充填するようにルテニウム含有膜を形成する工程との間に、バリアメタル層上にライナー層を形成する工程を含んでもよい。

本実施形態のエッチング液を用いて、配線基板１中のルテニウム含有配線７に対してリセスエッチング処理を行うことで、ルテニウム含有配線の一部を除去して、リセス２を形成することができる（図２）。

リセスエッチング処理の具体的な方法としては、本実施形態のエッチング液と、配線基板１とを接触させる方法が挙げられる。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、タンクに入れた本実施形態のエッチング液中に配線基板１を浸漬する方法（浸漬法）；配線基板１上に本実施形態のエッチング液を吐出する方法（枚葉スピン法）；配線基板１上に本実施形態のエッチング液を盛る方法（液盛り法）；配線基板１上に本実施形態のエッチング液を流す方法；又はそれらの組み合わせが挙げられる。

リセスエッチング処理の処理時間は、エッチング方法、及びエッチング液の温度等に応じて、適宜調整することができる。処理時間（エッチング液と配線基板との接触時間）は、特に限定されないが、例えば、０．０１〜３０分、０．１〜２０分、０．１〜１０分、又は０．１５〜５分等が挙げられる。
リセスエッチング処理の際のエッチング液の温度は、特に限定されないが、例えば、１５〜７５℃、１５〜６５℃、１５〜６５℃、又は１５〜５０℃等が挙げられる。

なお、リセスエッチング処理の後に、必要に応じて、所定の薬液を用いて、リセスエッチング処理で得られた配線基板を処理してもよい。特に、配線基板１のように、配線基板上にバリアメタル層が配置されている場合、ルテニウム含有配線を構成する成分とバリアメタル層を構成する成分とでは、その種類によってエッチング液に対する溶解性が異なる場合がある。そのような場合、バリアメタル層に対してより溶解性が優れる薬液を用いて、ルテニウム含有配線とバリアメタル層との溶解の程度を調整することが好ましい。このような点から、前記薬液は、ルテニウム含有配線の溶解能が乏しく、バリアメタル層を構成する物質の溶解能が優れる薬液が好ましい。

前記薬液としては、アンモニア水と過酸化水素水との混合液（ＡＰＭ）、及び、塩酸と過酸化水素水との混合液（ＨＰＭ）からなる群から選択される溶液が挙げられる。ＡＰＭの組成は、例えば、「アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５００」〜「アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：３」の範囲内（体積比）が好ましい。ＨＰＭの組成は、例えば、「塩酸：過酸化水素水：水＝１：１：３」〜「塩酸：過酸化水素水：水＝１：１：４００」の範囲内（体積比）が好ましい。
これらの好ましい組成比の記載は、アンモニア水は２８質量％アンモニア水、塩酸は３７質量％塩酸、過酸化水素水は３１質量％過酸化水素水である場合における組成比を意図する。
バリアメタル層の溶解能又はパーティクル除去性能の点から、ＡＰＭが好ましい。

前記薬液を用いて、リセスエッチング後の配線基板を処理する方法としては、前記薬液とリセスエッチング処理後の配線基板とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、前記リセスエッチング処理で挙げた接触方法と同様の方法が挙げられる。前記薬液とリセスエッチング処理後の配線基板との接触時間としては、例えば、０．１〜１０分、又は０．１５〜５分等が挙げられる。

本処理方法においては、リセスエッチング処理と前記薬液による処理とは、交互に実施されてもよい。交互に実施する場合は、リセスエッチング処理及び前記薬液による処理のサイクルを、それぞれ１〜１０回実施することが好ましい。

≪基板外縁部のルテニウム含有膜の除去≫
本実施形態のエッチング液は、ルテニウム含有膜が配置された基板の外縁部のルテニウム含有膜を除去するために用いられてもよい。本実施形態のエッチング液は、例えば、基板と、基板の片側の主面上に配置されたルテニウム含有膜と、を有する積層体において、外縁部に位置するルテニウム含有膜を除去するために用いてもよい。

ルテニウム含有膜は、ルテニウムの単体、ルテニウムの合金、ルテニウムの酸化物、ルテニウムの窒化物、又はルテニウムの酸窒化物を含むことが好ましい。

具体的な方法は、特に限定されないが、例えば、基板の外縁部のルテニウム含有膜にのみ本実施形態のエッチング液が接触するように、ノズルから薬液を供給する方法が挙げられる。接触方法としては、上記と同様の方法が挙げられる。接触時間及びエッチング液の温度の好適範囲は、上記と同様のものが挙げられる。

≪基板裏面に付着するルテニウム含有物の除去≫
本実施形態のエッチング液は、ルテニウム含有膜が配置された基板の裏面に付着するルテニウム含有物を除去するために用いられてもよい。基板と、基板の片側の主面上にルテニウム含有膜が配置された積層体を形成する際には、スパッタリング及びＣＶＤ等でルテニウム含有膜を形成される。その際、基板のルテニウム含有膜側とは反対側の表面上（裏面上）に、ルテニウム含有物が付着する場合がある。このような積層体の裏面に付着するルテニウム含有物を除去するために、本実施形態のエッチング液を用いてもよい。

具体的な方法は、特に限定されないが、例えば、基板の裏面にのみ本実施形態のエッチング液が接触するように、薬液を吐出する方法が挙げられる。接触方法としては、上記と同様の方法が挙げられる。接触時間及びエッチング液の温度の好適範囲は、上記と同様のものが挙げられる。

以上説明した本実施形態のエッチング液によれば、酸化剤としてオルト過ヨウ素酸を含み、アンモニアによりｐＨが８以上１０以下に調整されるため、ルテニウムに対する実用的なエッチングレートが維持されるとともに、四酸化ルテニウムの発生リスクを低減することができる。そのため、本実施形態のエッチング液を用いることにより、ルテニウム含有層の微細加工やルテニウム基板の洗浄等を安全且つ好適に行うことができる。

また、本実施形態のエッチング液中の１００ｎｍより大きい粒子の個数が２０個／ｍＬ以下である場合には、ルテニウム含有配線のリセスエッチング処理に好適に用いることができる。

（エッチング液の製造方法）
本発明の第２の態様にかかるエッチング液の製造方法は、オルト過ヨウ素酸を含む溶液とアンモニア水とを混合して混合液を調製し、前記混合液のｐＨを８以上１０以下に調整する工程（以下、「工程（ｉ）」ともいう）と、前記混合液をフィルターでろ過する工程（以下、「工程（ｉｉ）」ともいう）と、をこの順で含むことを特徴とする。本実施形態の製造方法により、前記第１の態様にかかるエッチング液が製造される。

＜工程（ｉ）＞
工程（ｉ）は、オルト過ヨウ素酸を含む溶液とアンモニア水とを混合して混合液を調製し、前記混合液のｐＨを８以上１０以下に調整する工程である。

オルト過ヨウ素酸を含む溶液（以下、「オルト過ヨウ素酸溶液」ともいう）は、適量のオルト過ヨウ素酸を水に溶解することにより、作製することができる。オルト過ヨウ素酸溶液におけるオルト過ヨウ素酸の濃度は、最終的なエッチング液におけるオルト過ヨウ素酸濃度よりも高い濃度とすることができる。

オルト過ヨウ素酸溶液は、適宜、オルト過ヨウ素酸に加えて、任意成分を含んでいてもよい。任意成分としては、上記「（エッチング液）」における「＜他の成分＞」の項で挙げた成分が挙げられる。

次に、オルト過ヨウ素酸溶液に、アンモニア水を添加して混合し、混合液を調製する。アンモニア水は、市販のものを用いることができ、例えば、２５〜３０質量％アンモニア水等を用いることができる。

オルト過ヨウ素酸溶液へのアンモニア水の添加は、ｐＨメーターを用いて混合液のｐＨを測定しながら行う。このときのオルト過ヨウ素酸溶液及び混合液の温度は、２３℃に維持されることが好ましい。混合液のｐＨがｐＨ８以上１０以下の範囲の所望のｐＨとなったときに、アンモニア水の添加を終了する。

次に、オルト過ヨウ素酸の濃度が所望の濃度となるように、前記混合液に、水を添加する。オルト過ヨウ素酸の濃度は、上記「（エッチング液）」における「＜オルト過ヨウ素酸＞」の項で挙げた好適な濃度範囲となるように調整することが好ましい。

本工程により、ｐＨ８以上１０以下である、オルト過ヨウ素酸溶液及びアンモニア水の混合液を得ることができる。

＜工程（ｉｉ）＞
工程（ｉｉ）は、前記混合液をフィルターでろ過する工程である。

本工程で用いるフィルターは、特に限定されず、半導体プロセスで用いられる薬液の製造に一般的に用いられるフィルターを特に制限なく用いることができる。フィルターの材質としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等が挙げられる。中でも、ポリエチレン製、ポリプロピレン製、ポリテトラフルオロエチレン製又はナイロン製が好ましく、ポリエチレン製又はポリテトラフルオロエチレン製がより好ましく、ポリテトラフルオロエチレン製が特に好ましい。

フィルターの孔径は、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましく、１５ｎｍ以下が特に好ましい。前記上限値以下の孔径のフィルターを用いることにより、微細な粒子も除去することができる。フィルターの孔径の下限値は、特に限定されないが、ろ過効率の観点から、例えば、０．１ｎｍ以上、又は０．５ｎｍ以上とすることができる。

フィルターは、２種類以上のフィルターを組み合わせて用いてもよい。２種類以上のフィルターを用いる場合、異なる材質の同じ孔径のフィルターを用いてもよく、同じ材質の孔径の異なるフィルターを用いてもよく、異なる材質の異なる孔径のフィルターを用いてもよい。例えば、第１のフィルターを用いて混合液をろ過した後、第１のフィルターよりも孔径の小さい第２のフィルターでろ過してもよい。

前記混合液のろ過回数は、特に限定されず、任意の回数とすることができる。ろ過回数は、例えば、３回以上とすることができ、５回以上が好ましく、１０回以上がより好ましく、１５回以上がさらに好ましく、２０回以上、２５回以上、又は３０回以上が特に好ましい。ろ過回数を前記下限値以上とすることにより、前記混合液中の微細な粒子をより低減することができる。混合液のろ過回数の上限値は、特に限定されないが、製造効率の観点から、例えば、５０回以下とすることができる。
２種類以上のフィルターを組み合わせてろ過を行う場合、ろ過回数は、混合液が、組み合わせの２種類以上のフィルター（以下、「フィルターセット」ともいう）における最後のフィルターを通過した時点で１回とカウントすることができる。

ろ過回数が２回以上である場合、循環ろ過により、混合液をろ過することが好ましい。

本工程により、混合液中の微細な粒子を低減することができ、高品質なエッチング液を得ることができる。

本実施形態の製造方法によれば、不純物粒子（例えば、１００ｎｍより大きい粒子）が低減された高品質のエッチング液を得ることができる。本実施形態の製造方法により得られるエッチング液は、例えば、１００ｎｍより大きい粒子の個数が２０個／ｍＬ以下である。そのため、本実施形態の製造方法により得られるエッチング液は、基板上に配置されたルテニウム含有配線のリセスエッチング処理に好適に用いることができる。

（被処理体の処理方法）
本発明の第３の態様にかかる被処理体の処理方法は、上記第１の態様にかかるエッチング液を用いて、ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程を含むことを特徴とする。

ルテニウムを含む被処理体としては、上記「（エッチング液）」における「＜被処理体＞」で説明したものと同様のものが挙げられ、ルテニウム含有層を有する基板が好ましく例示される。基板上にルテニウム含有層を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。かかる方法としては、例えば、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、及び原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等が挙げられる。基板上にルテニウム含有層を形成する際に用いるルテニウム含有層の原料も、特に限定されず、成膜方法に応じて適宜選択することができる。

＜被処理体をエッチング処理する工程＞
本工程は、上記第１の態様にかかるエッチング液を用いてルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程であり、前記エッチング液を前記被処理体に接触させる操作を含む。エッチング処理の方法は、特に限定されず、公知のエッチング方法を用いることができる。かかる方法としては、例えば、スプレー法、浸漬法、液盛り法等が例示されるが、これらに限定されない。
スプレー法では、例えば、被処理体を所定の方向に搬送もしくは回転させ、その空間に上記第１の態様にかかるエッチング液を噴射して、被処理体に前記エッチング液を接触させる。必要に応じて、スピンコーターを用いて基板を回転させながら前記エッチング液を噴霧してもよい。
浸漬法では、上記第１の態様にかかるエッチング液に被処理体を浸漬して、被処理体に前記エッチング液を接触させる。
液盛り法では、被処理体に上記第１の態様にかかるエッチング液を盛って、被処理体と前記エッチング液とを接触させる。
これらのエッチング処理の方法は、被処理体の構造や材料等に応じて適宜選択することができる。スプレー法、又は液盛り法の場合、被処理体への前記エッチング液の供給量は、被処理体における被処理面が、前記エッチング液で十分に濡れる量であればよい。

エッチング処理の目的は特に限定されず、被処理体のルテニウムを含む被処理面（例えば、基板上のルテニウム含有層）の微細加工であってもよく、被処理体（例えば、ルテニウム含有層を有する基板）に付着するルテニウム含有付着物の除去であってもよく、被処理体のルテニウムを含む被処理面（例えば、基板上のルテニウム含有層）の洗浄であってもよい。
エッチング処理の目的が、被処理体のルテニウムを含む被処理面の微細加工である場合、通常、エッチングされるべきでない箇所をエッチングマスクにより被覆したうえで、被処理体とエッチング液とを接触させる。
エッチング処理の目的が、被処理体に付着するルテニウム含有付着物の除去である場合、上記第１の態様にかかるエッチング液を被処理体に接触させることで、ルテニウム含有付着物が溶解し、被処理体からルテニウム付着物を除去することができる。
エッチング処理の目的が、処理体のルテニウムを含む被処理面の洗浄である場合、上記第１の態様にかかるエッチング液を被処理体に接触させることで前記被処理面が速やかに溶解し、被処理体の表面に付着するパーティクル等の不純物が短時間で被処理体の表面から除去される。
また、エッチング処理の目的としては、前述の≪リセスエッチング処理≫と同様のものが挙げられる。

エッチング処理を行う温度は、特に限定されず、前記エッチング液にルテニウムが溶解する温度であればよい。エッチング処理の温度としては、例えば、２０〜６０℃が挙げられる。スプレー法、浸漬法、及び液盛り法のいずれの場合も、エッチング液の温度を高くすることで、エッチングレートは上昇するが、エッチング液の組成変化を小さく抑えることや、作業性、安全性、コスト等も考慮し、適宜、処理温度を選択することができる。

エッチング処理を行う時間は、エッチング処理の目的、エッチングにより除去されるルテニウムの量（例えば、ルテニウム含有層の厚さ、ルテニウム付着物の量など）、及びエッチング処理条件に応じて、適宜、選択すればよい。

エッチング処理の具体例としては、上記「（エッチング液）」における「＜用途＞」の項で挙げた処理が挙げられる。なお、本実施形態の一態様におけるエッチング処理には、ＣＭＰ処理は含まれない。エッチング処理としては、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板において、前記ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする処理が好ましい。特に、ルテニウム含有配線のリセスエッチング処理が好ましい。

＜任意工程＞
本実施形態の処理方法は、上記工程に加えて、任意の工程を含んでいてもよい。任意工程としては、例えば、被処理体のリンス処理を行う工程が挙げられる。
前記工程において被処理をエッチング処理した後に、第１の態様にかかるエッチング液に由来するヨウ素化合物が被処理体の表面上に残存ヨウ素として付着している場合がある。このような残存ヨウ素がその後のプロセスに悪影響を与える恐れがある。そのため、被処理体の表面から残存ヨウ素を除去するために、リンス処理を行うことが好ましい。また、リンス処理により、エッチング処理により被処理体の表面に生じる、ルテニウム含有物の残渣等も除去することができる。

リンス処理は、リンス液と被処理体とを接触させることにより行うことができる。接触させる方法は、特に限定されず、例えば、タンクに入れたリンス液中に被処理体を浸漬する方法、被処理体の表面上にリンス液を噴霧する方法、被処理体の表面上にリンス液を流す方法、又はそれらの任意の組み合わせた方法等が挙げられる。

リンス液としては、例えば、フッ酸、塩酸、過酸化水素水、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、コリン、フッ酸と過酸化水素水との混合液（ＦＰＭ）、硫酸と過酸化水素水との混合液（ＳＰＭ）、アンモニア水と過酸化水素水との混合液（ＡＰＭ）、塩酸と過酸化水素水との混合液（ＨＰＭ）、二酸化炭素水、オゾン水、水素水、クエン酸水溶液、硫酸、アンモニア水、イソプロピルアルコール、次亜塩素酸水溶液、超純水、硝酸、シュウ酸水溶液、酢酸（酢酸水溶液を含む）等が挙げられる。
上記のようなリンス液を用いたリンス処理により、エッチング処理によって被処理体の表面に生じるルテニウム含有物の残渣を効率的に除去することができる。

酸性リンス液としては、例えば、クエン酸水溶液（好ましくは０．０１〜１０質量％クエン酸水溶液）、フッ酸（好ましくは０．００１〜１質量％フッ酸）、塩酸（好ましくは０．００１〜１質量％塩酸）、過酸化水素水（好ましくは０．０５〜６質量％過酸化水素水、より好ましくは０．３〜４．５質量％過酸化水素水）、フッ酸と過酸化水素水との混合液（ＦＰＭ）、硫酸と過酸化水素水との混合液（ＳＰＭ）、塩酸と過酸化水素水との混合液（ＨＰＭ）、二酸化炭素水（好ましくは１０〜６０質量ｐｐｍ二酸化炭素水）、オゾン水（好ましくは５〜６０質量ｐｐｍオゾン水）、水素水（好ましくは０．５〜２０質量ｐｐｍ水素水）、硫酸（好ましくは１〜１０質量％硫酸水溶液）、アンモニア水（好ましくは０．０５〜６質量％アンモニア水）、ＴＨＡＨ水溶液（好ましくは０．０５〜５質量％ＴＭＡＨ水溶液）、コリン水溶液（好ましくは０．０５〜５質量％コリン水溶液）硝酸（好ましくは０．００１〜１質量％硝酸）、シュウ酸水溶液（好ましくは０．０１〜１０質量％シュウ酸水溶液）、酢酸（好ましくは０．０１〜１０質量％酢酸水溶液、若しくは、酢酸原液）等が挙げられる。
ＦＰＭ、ＳＰＭ、ＡＰＭ、及び、ＨＰＭとして好ましい条件は、上記と同様である。
なお、フッ酸、硝酸、及び、塩酸は、それぞれ、ＨＦ、ＨＮＯ_３、及び、ＨＣｌ、が、水に溶解した水溶液を意図する。オゾン水、二酸化炭素水、アンモニア水、ＴＭＡＨ水溶液、コリン水溶液、及び、水素水は、それぞれ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＮＨ_３、水酸化メチルアンモニウム（［（ＣＨ_３）_４Ｎ］^＋［ＯＨ］⁻）、コリン（トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド；［（ＣＨ_３）_３Ｎ（ＣＨ_２）_２ＯＨ］^＋［ＯＨ］⁻）、及び、Ｈ_２を水に溶解させた水溶液を意図する。
リンス処理の目的を損なわない範囲で、これらのリンス液は混合して使用してもよい。また、リンス液には有機溶剤が含まれていてもよい。

リンス処理の処理時間（リンス液と被処理体との接触時間）は、特に限定されないが、例えば、５秒〜５分間である。処理の際のリンス液の温度は、特に限定されないが、例えば、一般に、１６〜６０℃が好ましく、１８〜４０℃がより好ましい。

以上説明した本実施形態の被処理体の処理方法によれば、酸化剤としてオルト過ヨウ素酸を含み、アンモニアによりｐＨが８以上１０以下に調製された上記第１の態様にかかるエッチング液を用いて、被処理体のエッチング処理を行う。当該エッチング液は、四酸化ルテニウムの発生リスクが小さく、且つルテニウムに対して実用的なエッチングレートを有するため、安全にルテニウムのエッチング処理を行うことができる。そのため、本実施形態の処理方法は、基板上に形成されたルテニウム含有層の微細加工やルテニウム基板の洗浄等に好適に用いることができる。

（ルテニウム含有配線の製造方法）
本発明の第４の態様にかかるルテニウム含有配線の製造方法は、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板に対し、前記第１の態様にかかるエッチング液を適用することにより、前記ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする工程を含むことを特徴とする。

本実施形態の製造方法は、前記「（エッチング液）」における「≪リセスエッチング処理≫」で挙げた方法と同様に行うことができる。

（半導体素子の製造方法）
本実施形態の半導体素子の製造方法は、上記第１の態様にかかるエッチング液を用いて、ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程を含むことを特徴とする。

ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程は、上記「（被処理体の処理方法）」において説明した方法と同様に行うことができる。ルテニウムを含む被処理体は、ルテニウム含有層を有する基板であることが好ましい。前記基板としては半導体素子の作製に通常用いられる基板を用いることができる。

＜他の工程＞
本実施形態の半導体素子の製造方法は、上記エッチング処理工程に加えて、他の工程を含んでいてもよい。他の工程は、特に限定されず、半導体素子を製造する際に行われる公知の工程が挙げられる。かかる工程としては、例えば、金属配線、ゲート構造、ソース構造、ドレイン構造、絶縁層、強磁性層、及び非磁性層等の各構造の形成工程（層形成、上記エッチング処理以外のエッチング、化学機械研磨、変成等）、レジスト膜形成工程、露光工程、現像工程、熱処理工程、洗浄工程、検査工程等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの他の工程は、必要に応じ、上記エッチング処理工程の前又は後に、適宜行うことができる。

以上説明した本実施形態の半導体素子の製造方法によれば、酸化剤としてオルト過ヨウ素酸を含み、アンモニアによりｐＨが８以上１０以下に調製された上記第１の態様にかかるエッチング液を用いて、被処理体のエッチング処理を行う。当該エッチング液は、四酸化ルテニウムの発生リスクが小さく、且つルテニウムに対して実用的なエッチングレートを有するため、基板上に形成されたルテニウム含有層の微細加工や基板の洗浄を安全に行うことができる。そのため、本実施形態の製造方法は、ルテニウム配線等を含む半導体素子の製造に好適に用いることができる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

＜エッチング液の調製（１）＞
（実施例１〜５、比較例１〜３）
オルト過ヨウ素酸２ｇを水に溶解した。ｐＨメーターを用いて２３℃におけるｐＨを測定しながら、前記オルト過ヨウ素酸溶液にアンモニアを添加し、表１に示す各ｐＨとなるように調整した。その後、溶液全体の体積が１００ｍＬとなるように水を添加して、各例のエッチング液を調製した。

＜被処理体のエッチング処理（１）＞
被処理体には、１２インチシリコン基板上にＡＬＤ法によりルテニウム膜（厚さ３０ｎｍ）を成膜したルテニウム基板を用いた。各例のエッチング液をビーカーに入れ、室温（２３℃）で、前記ルテニウム基板を各例のエッチング液に浸漬することによりエッチング処理を行った。

［エッチングレートの評価］
上記「＜被処理体のエッチング処理＞」に示す方法でエッチング処理を行った後、被処理体をエッチング液から取り出し、基板表面のシート抵抗値を測定した。前記シート抵抗値から各例のエッチングレートを算出した。その結果を「エッチングレート」として表２に示した。

［四酸化ルテニウム生成の評価］
各例のエッチング液２０ｍＬをボトルに入れ、ルテニウム粉末０．０１ｇを添加した。ルテニウム粉末を添加後直ぐに、パラフィルムでボトルの入口を密封し、室温で、３日間静置した。その後、パラフィルムの変色を目視で確認し、以下の評価基準で評価した。その結果を「パラフィルムの変色」として表２に示した。パラフィルムの変色は、四酸化ルテニウムが生成したことを示す。
評価基準
〇：パラフィルムの変色なし
×：パラフィルム変色

表２から分かるように、実施例１〜５では、パラフィルムは変色せず、四酸化ルテニウムの生成は確認されなかった。また、エッチングレートは、実用的な範囲に維持された。
一方、比較例１及び２では、エッチングレートは大きかったが、パラフィルムが変色し、四酸化ルテニウムの生成が確認された。比較例３では、四酸化ルテニウムの生成は確認されなかったが、エッチングレートが低く、実用的ではなかった。
以上より、本発明を適用した実施例のエッチング液によれば、四酸化ルテニウムの発生リスクを低減しつつ、ルテニウムのエッチング処理ができること、が確認できる。

＜エッチング液の調整（２）＞
（実施例６〜１０、比較例４〜６）
オルト過ヨウ素酸２ｇを水に溶解した。ｐＨメーターを用いて２３℃におけるｐＨを測定しながら、前記オルト過ヨウ素酸溶液にアンモニアを添加し、表３に示す各ｐＨとなるように調整した。その後、溶液全体の体積が２０００ｍＬとなるように水を添加し、孔径１５ｎｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製フィルターを３０回通過させて、各例のエッチング液を調製した。各例のエッチング液について、光散乱式液中粒子検出器（ＫＳ−１９Ｆ、リオン社製）により、エッチング液１ｍＬあたりの１００ｎｍより大きい粒子の個数を測定した。その結果を「粒子数（個／ｍＬ）」として、表３に併記した。
なお、実施例６に記載のエッチング液について、フィルターを通過させずに粒子の数を測定したところ、エッチング液１ｍＬあたりの１００ｎｍより大きい粒子の個数として１０，０００を超える測定値となった。

＜被処理体のエッチング処理（２）＞
エッチング液として、実施例６〜１０、及び比較例４〜６の各例のエッチング液を用いたこと以外は、＜被処理体のエッチング処理（１）＞と同様に、被処理体のエッチング処理を行った。

［エッチングレートの評価／四酸化ルテニウム生成の評価］
上記と同様の方法でエッチングレート及び四酸化ルテニウム生成を評価した。その結果、実施例６〜１０及び比較例４〜６は、それぞれ、実施例１〜５及び比較例１〜３とほぼ同様の結果が得られた。すなわち、実施例６〜１０では、エッチングレートは１〜１０ｎｍ／ｍｉｎであり、実用的な範囲に維持された。また、パラフィルムの変色は認められず、四酸化ルテニウムの生成は確認されなかった。一方、比較例４及び５では、エッチングレートは実施例よりも大きかったが、パラフィルムが変色し、四酸化ルテニウムの生成が確認された。また、比較例６では、四酸化ルテニウムの生成は確認されなかったが、エッチングレートが低く、実用的ではなかった。

１ 配線基板
２ リセス
３ 基板
４ 下地層
５ 絶縁膜
６ バリアメタル層
７ ルテニウム含有配線

Claims (9)

1. オルト過ヨウ素酸と、アンモニアと、を含み、ｐＨが８以上１０以下である、
   ルテニウムをエッチング処理するためのエッチング液。
2. 前記エッチング液中に含まれる１００ｎｍより大きい粒子の個数が２０個／ｍＬ以下である、請求項１に記載のエッチング液。
3. スラリー及び研磨剤を含まない、請求項１又は２に記載のエッチング液。
4. 前記エッチング処理がＣＭＰプロセスに該当しない、請求項１又は２に記載のエッチング液。
5. 前記エッチング処理がＣＭＰプロセスに該当しない、請求項３に記載のエッチング液。
6. 前記エッチング処理が、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板に対し、前記エッチング液を適用することにより、前記ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする処理である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のエッチング液。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載のエッチング液の製造方法であって、
   オルト過ヨウ素酸を含む溶液とアンモニア水とを混合して混合液を調製し、前記混合液のｐＨを８以上１０以下に調整する工程と、
   前記混合液をフィルターでろ過する工程と、
   をこの順で含む、製造方法。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて、ルテニウムを含む被処理体をエッチング処理する工程を含む、被処理体の処理方法。
9. 前記エッチング処理が、表層に絶縁膜により構成される領域とルテニウムにより構成される領域とを含む基板に対し、請求項１〜６のいずれか一項に記載のエッチング液を適用することにより、前記ルテニウムにより構成される領域を選択的にエッチングする処理である、ルテニウム含有配線の製造方法。

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