JP2021090036A - 載置台及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】エッジリングに安定して電圧を印加する技術を提供する。【解決手段】基板を載置する基板載置面と、前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、前記エッジリング載置面に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された導電性の電極と、を備える載置台。【選択図】図３

Description

本開示は、載置台及び基板処理装置に関する。
例えば、特許文献１には、フォーカスリングが、静電チャック上に載置された基板を囲むように配置されるプラズマ処理装置が開示されている。フォーカスリング上でのシースの上端位置を調整するために、フォーカスリングに直流電圧が印加される。
特開２００７−２５８４１７号公報
本開示は、エッジリングに安定して電圧を印加する技術を提供することが求められている。
本開示の一の態様によれば、基板を載置する基板載置面と、前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、前記エッジリング載置面に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された導電性の電極と、を備える載置台が提供される。
本開示によれば、エッジリングに安定して電圧を印加する技術を提供する。
本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図。 本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックの上面図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。 本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングへの給電の変形例について説明する図。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
＜基板処理装置の全体構成＞
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等であってもよい。
図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム製またはステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器２を有し、該処理容器２内に、基板Ｗを載置する円板状の載置台１０が配設されている。載置台１０は、基台１１と、静電チャック２５と、を備える。基台１１は、下部電極として機能する。基台１１は、例えばアルミニウムからなる。基台１１は、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器２の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
処理容器２の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口または途中に環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられ、該排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。ここで、排気装置１８は、ドライポンプ及び真空ポンプを有し、処理容器２内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｖａｌｖｅ）（以下、「ＡＰＣ」という。）を有し、該ＡＰＣは自動的に処理容器２内の圧力制御を行う。さらに、処理容器２の側壁には、基板Ｗの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
基台１１には、第１の整合器２２ａを介して第１の高周波電源２１ａが接続されている。また、基台１１には、第２の整合器２２ｂを介して第２の高周波電源２１ｂが接続されている。第１の高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を基台１１に供給する。第２の高周波電源２１ｂは、第１の高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を基台１１に供給する。
処理容器２の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、基台１１とシャワーヘッド２４の間に、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの２つの周波数の高周波電圧が印加される。
基台１１の上面には静電吸着力により基板Ｗを吸着する静電チャック２５が設けられている。静電チャック２５は、基板Ｗが載置される円板状の中心部２５ａと、中心部２５ａを囲むように形成された環状の外周部２５ｂとを有する。中心部２５ａは、外周部２５ｂに対して図中上方に突出している。中心部２５ａの上面は、基板Ｗを載置する基板載置面２５ａ１である。外周部２５ｂの上面はエッジリング３０を載置するエッジリング載置面２５ｂ１である。エッジリング載置面２５ｂ１は、基板載置面２５ａ１の周囲にてエッジリング３０を載置するようになっている。エッジリング３０は、フォーカスリングともいう。また、中心部２５ａは、導電膜からなる電極板２６を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極板２６には、直流電源２７が電気的に接続されている。外周部２５ｂは、導電膜からなる電極板２９を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極板２９には、直流電源２８が電気的に接続されている。
直流電源２７および直流電源２８は、供給する直流電圧のレベルおよび極性の変更が可能とされている。直流電源２７は、後述する制御部４３からの制御により、電極板２６に直流電圧を印加する。直流電源２８は、制御部４３からの制御により、電極板２９に直流電圧を印加する。静電チャック２５は、直流電源２７から電極板２６に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５に基板Ｗを吸着保持する。また、静電チャック２５は、直流電源２８から電極板２９に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にエッジリング３０を吸着保持する。
なお、本実施形態の静電チャック２５は、基板Ｗ用の静電チャックとエッジリング３０用の静電チャックとが一体となっているが、基板Ｗ用の静電チャックとエッジリング３０用の静電チャックとをそれぞれ別の静電チャックとしてもよい。すなわち、電極板２６と電極板２９とがそれぞれ独立した誘電膜に挟まれるようになっていてもよい。また、本実施形態の電極板２９は、単極の電極になっているが、双極の電極としてもよい。なお、双極の場合、プラズマが生成されていないときでも、エッジリング３０を吸着することができる。
静電チャック２５のエッジリング載置面２５ｂ１には、エッジリング３０に電圧を供給する導電性の電極である給電部９１が形成されている。図２は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２５の上面図である。給電部９１は、エッジリング載置面２５ｂ１に、給電部９１ａ、９１ｂ、９１ｃ・・・というように複数の給電部９１が円周方向に等間隔で形成されている。また、給電部９１は、放射状に設けられている。給電部９１は、基板載置面２５ａ１の外側に設けられている。なお、個別の給電部９１ａ、９１ｂ、９１ｃ・・・を総称して給電部９１と呼ぶ場合がある。なお、給電部９１は、エッジリング載置面２５ｂ１にリング状に設けてもよい。また、給電部９１に給電するために配線９２と配線９３を備える。また、配線９２を保護するために保護層９７を載置台１０の側面に備える。給電部９１は、配線９２、配線９３を介して、電源９５に接続されている。なお、給電部９１、配線９２、配線９３の詳細については、後述する。
基台１１の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック２５上の基板Ｗの処理温度を制御する。なお、冷媒は、配管３３、３４に循環供給される温度調整用の媒体である。温度調整用の媒体は、基台１１及び基板Ｗを冷却するだけでなく、加熱する場合もあり得る。
また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を用いて、静電チャック２５の中心部２５ａと基板Ｗとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。
天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９と連通するガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。
基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。例えば、排気装置１８、第１の高周波電源２１ａ、第２の高周波電源２１ｂ、直流電源２７、直流電源２８、電源９５、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。
制御部４３は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備え、記憶装置に記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１において所望の処理を実行する。例えば、制御部４３は、エッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理を行う。
基板処理装置１では、ドライエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象の基板Ｗを処理容器２内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量および流量比で処理容器２内に導入し、排気装置１８等により処理容器２内の圧力を所定値にする。
さらに、基板処理装置１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからそれぞれ周波数の異なる高周波電力を基台１１に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２５の電極板２６に印加して、基板Ｗを静電チャック２５に吸着する。また、基板処理装置１では、直流電源２８より直流電圧を静電チャック２５の電極板２９に印加して、エッジリング３０を静電チャック２５に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗにエッチング処理が施される。
＜給電部９１への給電構造＞
本実施形態の基板処理装置１について、エッジリング載置面２５ｂ１に形成された給電部９１に給電する構造について説明する。
図３は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングの給電について説明する図である。具体的には、エッジリング３０付近の拡大断面図である。
静電チャック２５の外周部２５ｂのエッジリング載置面２５ｂ１には、導電性の電極である給電部９１が形成されている。給電部９１は、金属または合金等の導電体であればよく、例えば、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金により形成されている。給電部９１は、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））、化学蒸着法（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））などの気相成長法、また、メッキ、塗布、ゾルゲルやスピンコートなどの液相成長法、さらに溶射や印刷等により形成される。給電部９１の厚さについては、静電チャック２５で吸引されれば、どのような厚さでもよい。ただし、エッジリング３０を冷却するために、エッジリング載置面２５ｂ１から、伝熱ガス（例えば、Ｈｅガス）を供給する場合には、電極の飛び出し高さ（電極の厚さ）は５μｍ以下にすることが望ましい。なお、エッジリング載置面２５ｂ１の一部を掘り下げて、底に電極を生成し、給電部９１の電極面とエッジリング載置面２５ｂ１の面の高さを合わせてもよい。その場合は、電極を付けてから高さを揃える加工をするのが望ましい。給電部９１は、エッジリング載置面２５ｂ１に形成され、電圧をエッジリング３０に供給するように構成された導電性の電極の一例である。
本実施形態の給電部９１は、図２に示すように、エッジリング載置面２５ｂ１の円周方向に等間隔に設けている。これは、静電チャック２５で、エッジリング３０にエッジリング制御用のＤＣ電圧やＲＦパワーを印加する為である。ただし、エッジリング３０を静電チャック２５で吸着しない場合は、エッジリング載置面２５ｂ１の全面に給電部９１を形成してもよい。
静電チャック２５及び基台１１の側面には、静電チャック２５に用いられる誘電膜（例えば、セラミック）を介して、配線９２が設けられている。当該誘電膜は、セラミックを溶射することにより形成している。配線９２は、金属または合金等の導電体であれよく、例えば、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル,タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金等により形成されている。配線９２は、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）などの気相成長法、また、メッキ、塗布、ゾルゲルやスピンコートなどの液相成長法、さらに溶射や印刷等により形成される。配線９２は、給電部９１と、基台１１の下面の配線９３との間を接続する。配線９２は、給電部９１と接続する第１配線の一例である。また、配線９２は基台１１や電極板２９と絶縁しながら貫通構造を用いても良い。
基台１１の下面（背面）には、誘電膜（例えば、セラミック）を介して、配線９３が設けられている。配線９３は、金属または合金等の導電体であれよく、例えば、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル,タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金等により形成されている。なお、基台１１の下面（背面）が大気中である場合は、配線９３は、銅または銅合金でもよい。配線９３は、例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）などの気相成長法、また、メッキ、塗布、ゾルゲルやスピンコートなどの液相成長法、さらに溶射や印刷等により形成される。配線９３は、電源９５に接続される。電源９５は、給電部９１に直流電圧やＲＦパルスを供給する。直流電圧はパルス状に印加されてもよい。ＲＦは連続的に供給されてもよい。また、任意波形の電力が供給されてもよい。ＲＦは、第１の高周波電源２１ａから出力される高周波電力であってもよいし、第２の高周波電源２１ｂから出力される高周波電力であってもよいし、その両方の高周波電力であってもよい。
エッジリング３０が消耗すると、シースの位置が変化する。電源９５は、当該変化したシースの位置を調整するように、エッジリング３０に給電する。配線９３は、第１配線の一例である配線９２と接続する第２配線の一例である。配線９２と配線９３は、プラズマ均一性確保のために、円柱とドーナツ状の円盤、またそうでない場合は 等配分配置されたリード線などで構成することが好ましい。なお、配線９３への給電は、電源９５からの給電に限らない。例えば、基台１１や電極板２６、２９に給電される電流を可変インピーダンス素子により調整して、配線９３に給電してもよい。
配線９２を保護するために保護層９７を載置台１０の側面に備える。保護層９７は、例えば、セラミックで形成される。セラミックの場合は、セラミックを溶射することにより形成する。
＜作用・効果＞
本実施形態の載置台１０は、エッジリング３０を載置するエッジリング載置面２５ｂ１に、給電部９１を備える。それにより、エッジリング３０に安定して電圧を印加することができる。さらに、載置台１０の静電チャック２５によりエッジリング３０を吸着することにより、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に保持できる。そのように、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に保持し、エッジリング３０で給電部９１をエッジリング載置面２５ｂ１に押さえつけることにより、より安定してエッジリング３０との接触状態を確保できるとともに、再現良く電圧を印加することができる。
参考例として、例えば、エッジリング３０の側面に押圧部材等で押圧しながら給電する場合を考える。エッジリング３０に安定して給電するためには、エッジリング３０を押圧部材で所定の荷重以上で押圧する必要がある。エッジリング３０により押圧部材等で強い荷重で押圧すると、エッジリング３０の位置がずれたり、エッジリング３０が変形したりする場合があった。それに対して、本実施形態の載置台１０では、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に載置させることにより、給電できるようにしている。エッジリング３０を載置する際の吸引力により、給電部９１とエッジリング３０との接触を十分取ることができる。これにより、エッジリング３０に安定して給電することができる。また、エッジリング３０をエッジリング載置面２５ｂ１に載置させて給電することより、上述のようなエッジリング３０の変形やずれを防止することができる。また、エッジリング３０は消耗するため交換する必要があるが、エッジリング３０の静電吸着をオフにするだけでエッジリング３０は簡単に取り外すことができる。このように、エッジリング３０は簡単に取り外しすることができるため、交換作業、自動交換をシンプルに早く終えることができる。
さらに、本実施形態の載置台１０は、載置台１０の下面に配線９３を備える。例えば、筒状保持部材１２の上面に電源９５と接続された弾性部材を備えて、当該弾性部材と載置台１０の下面に備える配線９３とを接触させて給電するようにしてもよい。このようにすれば、載置台１０を筒状保持部材１２に載置することにより給電部９１に給電することができる。このように、基板処理装置１を製造、設置する時の作業を簡略化することができる。
＜変形例１＞
以下、給電部９１への給電方法の変形例について説明する。なお、以下の変形例では、筒状保持部材１２に設けられた端子１００との接続について説明する。なお、端子１００には、電源９５が接続されて、電源が供給される。
図４は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第１変形例について説明する図である。第１変形例では、端子１００と配線９２ａの間がバネ性接触子１０１で接続している。配線９２ａは、静電チャック２５の側面に設けられている。バネ性接触子１０１は、配線９２ａの側面を押圧しながら、配線９２ａに給電する。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。なお、バネ性接触子１０１は、第１配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材の一例である。
＜変形例２＞
図５は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第２変形例について説明する図である。第２変形例では、端子１００と配線９２ｂの間をマルチコンタクト１０２で接続している。配線９２ｂは、静電チャック２５と基台１１の側面に設けられている。マルチコンタクト１０２は、配線９２ｂの側面を押圧しながら、配線９２ｂに給電する。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。なお、マルチコンタクト１０２は、第１配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材の一例である。
＜変形例３＞
図６は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第３変形例について説明する図である。第３変形例では、配線９２ｃに端子１０３を設け、端子１０３と端子１００との間を給電ピン１１０で接続している。配線９２ｃは、静電チャック２５の側面に設けられている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。
＜変形例４＞
図７は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第４変形例について説明する図である。第４変形例では、配線９２ｄと端子１００との間を給電ピン１１０で接続している。配線９２ｄは、静電チャック２５の側面に設けられている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。
＜変形例５＞
図８は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第５変形例について説明する図である。第５変形例では、配線９２ｅに、凹部１０４が形成され、凹部１０４と端子１００との間を給電ピン１１０で接続している。配線９２ｅは、静電チャック２５及び基台１１の側面に設けられている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。
＜変形例６＞
図９は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第６変形例について説明する図である。第６変形例では、配線９２ｆと端子１００との間をリード線１０５で接続している。配線９２ｆは、静電チャック２５の側面に設けられている。配線９２ｆとリード線１０５は、スポット溶接で接続されている。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。
＜変形例７＞
図１０は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３０への給電の第７変形例について説明する図である。第７変形例では、配線９２ｇと端子１００との間をリード線１０６で接続している。配線９２ｇは、静電チャック２５の側面に設けられている。リード線１０６は、配線９２ｇの上から基台１１に、絶縁ねじ１０７で取り付けられることにより接続される。このように、エッジリング３０に安定して給電することができる。
＜その他の変形例＞
今回開示された本実施形態に係る載置台、基板処理装置及びエッジリングは、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置は、Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＣＣＰ）、Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＩＣＰ）、マイクロ波によるプラズマ生成する装置、例えば、Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ（ＲＬＳＡ）により生成されたプラズマ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ（ＥＣＲ）、そしてＨｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ（ＨＷＰ）などのどのタイプでも適用可能である。
１ 基板処理装置
１０ 載置台
１１ 基台
２５ 静電チャック
２５ａ 中心部
２５ａ１ 基板載置面
２５ｂ 外周部
２５ｂ１ エッジリング載置面
９１ 給電部
９２ 配線
９３ 配線

Claims (15)

  1. 基板を載置する基板載置面と、
    前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、
    前記エッジリング載置面に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された導電性の電極と、
    を備える、載置台。
  2. 前記エッジリング載置面に前記エッジリングを吸着するように構成された静電チャックを更に備える、
    請求項１に記載の載置台。
  3. 前記電極は、導電性の膜である、
    請求項１または請求項２に記載の載置台。
  4. 前記導電性の膜は、物理蒸着、化学蒸着、メッキ、塗布、ゾルゲル、スピンコート、溶射、印刷のいずれかにより形成される、
    請求項３に記載の載置台。
  5. 前記電極は、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、タンタル、チタン、ルテニウム、白金、モリブデン、スズ、インジウムまたはそれらのいずれかを含む合金で形成される、
    請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の載置台。
  6. 前記電極は、前記エッジリング載置面に複数の給電部を有し、前記複数の給電部のそれぞれに直流電圧、又は高周波電力を供給するように構成される、
    請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の載置台。
  7. 前記直流電圧、又は高周波電力はパルス状に供給される、
    請求項６に記載の載置台。
  8. 前記複数の給電部は、前記エッジリング載置面に等間隔に設けられる、請求項６に記載の載置台。
  9. 前記複数の給電部は、前記エッジリング載置面に放射状に設けられる、請求項６または請求項８に記載の載置台。
  10. 前記複数の給電部は、前記エッジリング載置面にリング状に設けられる、請求項６または請求項８に記載の載置台。
  11. 前記載置台の側面に、前記複数の給電部と接続する第１配線を備え、前記第１配線を介して、前記複数の給電部に給電する、
    請求項６、請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の載置台。
  12. 前記第１配線に、前記第１配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材を備える、請求項１１に記載の載置台。
  13. 前記載置台の側面に、前記複数の給電部と接続する第１配線を備え、前記載置台の背面に、前記第１配線と接続する第２配線を備える、
    請求項６、請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の載置台。
  14. 前記第２配線に、前記第２配線の側面を押圧しながら給電する弾性部材を備える、
    請求項１３に記載の載置台。
  15. 載置台を備える基板処理装置であって、
    前記載置台は、
    基板を載置する基板載置面と、
    前記基板載置面の周囲にてエッジリングを載置するエッジリング載置面と、
    前記エッジリング載置面に形成され、電圧を前記エッジリングに供給するように構成された導電性の電極と、を備える、
    基板処理装置。
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