TW202203714A

TW202203714A - 檢查方法、檢查裝置及電漿處理裝置

Info

Publication number: TW202203714A
Application number: TW110107493A
Authority: TW
Inventors: 輿水地塩
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2020-03-17
Filing date: 2021-03-03
Publication date: 2022-01-16
Also published as: US20210296091A1; US11532456B2; JP7411463B2; JP2021150067A; CN113410115A; KR20210116260A

Abstract

本發明所揭示之檢查方法中，基板及邊緣環分別載置於電漿處理裝置之基板支持器之第1及第2區域上。第1檢查電路連接於基板。第1檢查電路具有阻抗。第2檢查電路連接於邊緣環。第2檢查電路具有阻抗。具有共通之頻率之第1電性偏壓及第2電性偏壓被賦予至第1區域內之第1電極及第2區域內之第2電極。藉由波形監視器獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形。

Description

檢查方法、檢查裝置及電漿處理裝置

本發明之例示性實施方式係關於一種電漿處理裝置中所用到之檢查方法、檢查裝置及電漿處理裝置。

於製造電子器件時會用到電漿處理裝置。電漿處理裝置具有腔室及基板支持器。基板支持器具有下部電極及靜電吸盤。靜電吸盤設置於下部電極上。基板支持器支持邊緣環。基板載置於基板支持器上由邊緣環所包圍之區域內。對下部電極供給高頻偏壓電力，以將來自電漿之離子饋入基板。日本專利特開2019-36658號公報揭示有此種電漿處理裝置。

本發明提供一種在不產生電漿之情況下檢查基板之電壓波形與邊緣環之電壓波形的技術。

於一個例示性實施方式中提供一種檢查方法。檢查方法包括將第1檢查電路連接於電漿處理裝置之基板支持器之第1區域上所載置之基板的步驟。第1檢查電路具有阻抗。檢查方法進而包括將第2檢查電路連接於基板支持器之第2區域上所載置之邊緣環的步驟。第2檢查電路具有阻抗。檢查方法進而包括自第1偏壓電源及第2偏壓電源分別對第1區域內之第1電極及第2區域內之第2電極賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓之步驟。賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓之步驟係於將第1檢查電路連接於基板且將第2檢查電路連接於邊緣環之狀態下執行。第1電性偏壓及第2電性偏壓具有共通之偏壓頻率。檢查方法進而包括如下步驟，即，在賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓之步驟之執行過程中，使用波形監視器獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形。

根據一個例示性實施方式，能夠在不產生電漿之情況下檢查基板之電壓波形與邊緣環之電壓波形。

以下，對各種例示性實施方式進行說明。

於一個例示性實施方式中提供一種檢查方法。檢查方法包括將第1檢查電路連接於電漿處理裝置之基板支持器之第1區域上所載置之基板的步驟。第1檢查電路具有阻抗。檢查方法進而包括將第2檢查電路連接於基板支持器之第2區域上所載置之邊緣環的步驟。第2檢查電路具有阻抗。檢查方法進而包括自第1偏壓電源及第2偏壓電源分別對第1區域內之第1電極及第2區域內之第2電極賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓的步驟。賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓之步驟係於將第1檢查電路連接於基板且將第2檢查電路連接於邊緣環之狀態下執行。第1電性偏壓及第2電性偏壓具有共通之偏壓頻率。檢查方法進而包括如下步驟，即，在賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓之步驟之執行過程中，使用波形監視器獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形。

上述實施方式之檢查方法中，藉由第1檢查電路及第2檢查電路虛擬地提供電漿產生過程中之腔室內之環境。因此，根據該檢查方法，能夠在不產生電漿之情況下檢查對應於第1電性偏壓之基板之電壓波形及對應於第2電性偏壓之邊緣環之電壓波形。

於一個例示性實施方式中，第1偏壓電源經由第1電路而與第1電極連接，第2偏壓電源經由具有一個以上可變電路元件之第2電路而與第2電極連接。檢查方法亦可進而包括調整第2電路之阻抗之步驟。第2電路之阻抗被調整為於偏壓頻率下第2電路之阻抗高於第1電路之阻抗。又，第2電路之阻抗藉由如下進行調整，即，以使基板之電壓波形與邊緣環之電壓波形的差減小之方式調整一個以上可變電路元件各自之可變元件參數。根據該實施方式，能以減小對應於第1電性偏壓之基板之電壓波形與對應於第2電性偏壓之邊緣環之電壓波形之間的差的方式，預先設定第2電路之阻抗。

於一個例示性實施方式中，檢查方法亦可進而包括如下步驟：求出第2電性偏壓之複數個不同設定位準之各者與一個以上可變電路元件各自之可變元件參數之關係。該關係係以如下方式求出，即，將針對複數個不同設定位準分別獲取之邊緣環之電壓波形中自基礎位準達到峰位準之時長維持於基準範圍內。邊緣環之電壓波形係藉由對第1及第2電極分別賦予第1及第2電性偏壓而獲取。

於一個例示性實施方式中，第1電路亦可具有第1電阻及第1電容器。第1電阻連接在第1電極與第1偏壓電源之間。第1電容器連接在將第1電阻與第1電極連接的電性路徑上之節點與地線之間。第2電路亦可具有第2電阻及第2電容器。第2電阻連接在第2電極與第2偏壓電源之間。第2電容器連接在將第2電阻與第2電極連接的電性路徑上之節點與地線之間。一個以上可變電路元件亦可包含第2電阻及第2電容器中之至少一個。

於一個例示性實施方式中，第1電路亦可具有第1電感器及第1電容器。第1電感器連接在第1電極與第1偏壓電源之間。第1電容器連接在將第1電感器與第1電極連接的電性路徑上之節點與地線之間。第2電路亦可具有第2電感器及第2電容器。第2電感器連接在第2電極與第2偏壓電源之間。第2電容器連接在將第2電感器與第2電極連接的電性路徑上之節點與地線之間。一個以上可變電路元件包含第2電感器及第2電容器中之至少一個。

於一個例示性實施方式中，第1檢查電路可具有與基板上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。第2檢查電路可具有與邊緣環上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。於一個例示性實施方式中，第1檢查電路及第2檢查電路亦可分別包含相互並聯連接之二極體、電阻及電容器。

於一個例示性實施方式中，獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形的步驟亦可於如下狀態下執行，即，第3檢查電路經由第1檢查電路連接於基板，且經由第2檢查電路連接於邊緣環。於一個例示性實施方式中，第3檢查電路可具有與電漿之阻抗對應之阻抗。

於一個例示性實施方式中，獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形的步驟亦可進而使用第4檢查電路及第5檢查電路來執行。第4檢查電路具有阻抗。第5檢查電路具有阻抗。第4檢查電路經由第3檢查電路及第1檢查電路而連接於基板，第5檢查電路經由第3檢查電路及第2檢查電路而連接於邊緣環。於一個例示性實施方式中，第4檢查電路可具有如下阻抗，該阻抗與介隔電漿而在基板上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的阻抗對應。第5檢查電路可具有如下阻抗，該阻抗與介隔電漿而在邊緣環上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的阻抗對應。

於一個例示性實施方式中，第1電性偏壓及第2電性偏壓分別亦可為包含負電壓之脈衝且以偏壓頻率所規定之週期呈週期性產生之脈衝波。負電壓之脈衝亦可為負直流電壓之脈衝。

於一個例示性實施方式中，第1電性偏壓及第2電性偏壓分別亦可為具有偏壓頻率之高頻電力。

於另一例示性實施方式中提供一種檢查裝置。檢查裝置具備第1檢查電路、第2檢查電路及波形監視器。第1檢查電路構成為能夠連接於電漿處理裝置之基板支持器之第1區域上所載置之基板。第1檢查電路具有阻抗。第2檢查電路構成為能夠連接於基板支持器之第2區域上所載置之邊緣環。第2檢查電路具有阻抗。波形監視器構成為於第1電性偏壓及第2電性偏壓分別被賦予至第1區域內之第1電極及第2區域內之第2電極之狀態下，獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形。第1電性偏壓及第2電性偏壓具有共通之偏壓頻率。於一個例示性實施方式中，第1檢查電路可具有與基板上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。第2檢查電路可具有與邊緣環上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。

以下，參照附圖對各種例示性實施方式進行詳細說明。再者，於各附圖中對相同或相當之部分標註相同符號。

圖1係表示一個例示性實施方式之檢查方法之流程圖。圖1所示之檢查方法係為了於電漿處理裝置中獲取基板之電壓波形及邊緣環之電壓波形而執行。圖2係概略地表示可應用一個例示性實施方式之檢查方法之電漿處理裝置的圖。圖3係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置之腔室內之構成的圖。圖1所示之檢查方法(以下稱為「方法MT」)可應用於圖2及圖3所示之電漿處理裝置1中。

電漿處理裝置1係電容耦合型電漿處理裝置。電漿處理裝置1具備腔室10。腔室10內提供有內部空間10s。內部空間10s之中心軸線係沿鉛直方向延伸之軸線AX。一實施方式中，腔室10包含腔室本體12。腔室本體12具有大致圓筒形狀。內部空間10s提供於腔室本體12之中。腔室本體12例如由鋁形成。腔室本體12電性接地。於腔室本體12之內壁面、即劃分形成內部空間10s之壁面形成有具有耐電漿性之膜。該膜可為藉由陽極氧化處理而形成之膜或由氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。

於腔室本體12之側壁形成有通路12p。基板W在內部空間10s與腔室10之外部之間被搬送時，通過通路12p。為了打開及關閉該通路12p，而沿著腔室本體12之側壁設置有閘閥12g。

電漿處理裝置1進而具備基板支持器16。基板支持器16構成為於腔室10之中支持載置於其上之基板W。基板W具有大致圓盤形狀。基板支持器16由支持部17支持。支持部17自腔室本體12之底部朝上方延伸。支持部17具有大致圓筒形狀。支持部17由石英等絕緣材料形成。

基板支持器16具有下部電極18及靜電吸盤20。下部電極18及靜電吸盤20設置於腔室10之中。下部電極18由鋁等導電性材料形成，且具有大致圓盤形狀。

於下部電極18內形成有流路18f。流路18f係熱交換媒體用流路。作為熱交換媒體，例如可使用液狀之冷媒。於流路18f連接有熱交換媒體之供給裝置(例如冷卻器單元)。該供給裝置設置於腔室10之外部。自供給裝置經由配管23a將熱交換媒體供給至流路18f。供給至流路18f之熱交換媒體經由配管23b返回至供給裝置。

靜電吸盤20設置於下部電極18上。如圖2所示，靜電吸盤20具有介電體部20d及電極21a。靜電吸盤20亦可進而具有電極22a及電極22b。基板W於內部空間10s之中被處理時，載置於靜電吸盤20上，由靜電吸盤20保持。又，於基板支持器16上搭載有邊緣環ER。邊緣環ER係具有大致環形狀之板。邊緣環ER具有導電性。邊緣環ER例如由矽或碳化矽形成。如圖3所示，邊緣環ER係以其中心軸線與軸線AX一致之方式搭載於基板支持器16上。收容於腔室10內之基板W配置於靜電吸盤20上且由邊緣環ER包圍之區域內。

電漿處理裝置1可進而具備氣體管線25。氣體管線25將來自氣體供給機構之導熱氣體、例如He氣體供給至靜電吸盤20(下述第1區域)之上表面與基板W之背面(下表面)之間之間隙。

電漿處理裝置1可進而具備外周部28及外周部29。外周部28自腔室本體12之底部朝上方延伸。外周部28具有大致圓筒形狀，沿著支持部17之外周延伸。外周部28由導電性材料形成，具有大致圓筒形狀。外周部28電性接地。於外周部28之表面形成有具有耐電漿性之膜。該膜可為藉由陽極氧化處理而形成之膜或由氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。

外周部29設置於外周部28上。外周部29由具有絕緣性之材料形成。外周部29例如由石英等陶瓷形成。外周部29具有大致圓筒形狀。外周部29沿著下部電極18及靜電吸盤20之外周延伸。

電漿處理裝置1進而具備上部電極30。上部電極30設置於基板支持器16之上方。上部電極30與構件32一起將腔室本體12之上部開口封閉。構件32具有絕緣性。上部電極30經由該構件32而支持於腔室本體12之上部。

上部電極30包含頂板34及支持體36。頂板34之下表面劃分形成內部空間10s。於頂板34形成有複數個氣體噴出孔34a。複數個氣體噴出孔34a分別於板厚方向(鉛直方向)上貫通頂板34。該頂板34例如由矽形成。或者，頂板34可具有在鋁製構件之表面設置有耐電漿性之膜之構造。該膜可為藉由陽極氧化處理而形成之膜或由氧化釔形成之膜等陶瓷製之膜。

支持體36支持頂板34使之裝卸自如。支持體36例如由鋁等導電性材料形成。於支持體36之內部設置有氣體擴散室36a。複數個氣孔36b自氣體擴散室36a朝下方延伸。複數個氣孔36b分別與複數個氣體噴出孔34a連通。於支持體36形成有氣體導入埠36c。氣體導入埠36c連接於氣體擴散室36a。於氣體導入埠36c連接有氣體供給管38。

於氣體供給管38，經由閥群41、流量控制器群42及閥群43而連接有氣體源群40。氣體源群40、閥群41、流量控制器群42及閥群43構成氣體供給部。氣體源群40包含複數個氣體源。閥群41及閥群43分別包含複數個閥(例如開關閥)。流量控制器群42包含複數個流量控制器。流量控制器群42之複數個流量控制器分別為質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源分別經由閥群41之對應之閥、流量控制器群42之對應之流量控制器、及閥群43之對應之閥而連接於氣體供給管38。電漿處理裝置1能夠將氣體以經個別調整後之流量供給至內部空間10s，上述氣體來自氣體源群40之複數個氣體源中被選擇之一個以上氣體源。

在外周部28與腔室本體12之側壁之間設置有隔板48。隔板48例如可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁製構件而構成。該隔板48上形成有多個貫通孔。於隔板48之下方，排氣管52連接於腔室本體12之底部。該排氣管52上連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有自動壓力控制閥等壓力控制器、及渦輪分子泵等真空泵，可降低內部空間10s中之壓力。

以下，對基板支持器16進行詳細說明。如上所述，基板支持器16具有下部電極18及靜電吸盤20。如圖2所示，電漿處理裝置1具有高頻電源57。高頻電源57經由匹配器58而連接於下部電極18。高頻電源57係產生電漿產生用高頻電力之電源。高頻電源57產生之高頻電力具有27～100 MHz之範圍內之頻率，例如具有40 MHz或60 MHz之頻率。匹配器58具有用以使高頻電源57之輸出阻抗與負載側(下部電極18側)之阻抗匹配之匹配電路。再者，高頻電源57亦可不電性連接於下部電極18，亦可經由匹配器58連接於上部電極30。

電漿處理裝置1中，藉由來自高頻電源57之高頻電力於腔室10內產生高頻電場。腔室10內之氣體由所產生之高頻電場激發。其結果，於腔室10內產生電漿。基板W由來自所產生之電漿之離子及/或自由基等化學物種進行處理。

基板支持器16具有第1區域21及第2區域22。第1區域21係基板支持器16之中央區域。第1區域21包含靜電吸盤20之中央區域及下部電極18之中央區域。第2區域22相對於第1區域21於徑向外側沿圓周方向延伸。第2區域22包含靜電吸盤20之周緣區域及下部電極18之周緣區域。電漿處理裝置1中，第1區域21及第2區域22包含單一之靜電吸盤，且相互一體化。再者，圖2中，第1區域21與第2區域22之間之交界係以虛線表示。於另一實施方式中，第1區域21及第2區域22亦可包含個別之靜電吸盤。

第1區域21以支持載置於其上(即其上表面之上)之基板W之方式構成。於一例中，第1區域21係具有圓盤形狀之區域。第1區域21之中心軸線與軸線AX大致一致。第1區域21與第2區域22共有介電體部20d。介電體部20d由氮化鋁、氧化鋁等介電體形成。介電體部20d具有大致圓盤形狀。於一實施方式中，第2區域22中之介電體部20d之厚度小於第1區域21中之介電體部20d之厚度。第2區域22中之介電體部20d之上表面於鉛直方向上之位置亦可低於第1區域21中之介電體部20d之上表面於鉛直方向上之位置。

第1區域21具有電極21a(吸盤電極)。電極21a係膜狀電極，於第1區域21內設置於介電體部20d之中。於電極21a，經由開關56連接有直流電源55。將來自直流電源55之直流電壓施加至電極21a時，在第1區域21與基板W之間產生靜電引力。基板W藉由所產生之靜電引力而吸附於第1區域21，並由第1區域21保持。

第1區域21進而具有第1電極21c。第1電極21c係膜狀電極，於第1區域21內設置於介電體部20d之中。再者，電極21a可於鉛直方向上較第1電極21c更靠近第1區域21之上表面處延伸。

電漿處理裝置1進而具備第1偏壓電源61。第1偏壓電源61經由第1電路63而電性連接於第1電極21c。第1偏壓電源61產生第1電性偏壓。第1電性偏壓被賦予至第1電極21c。於一實施方式中，第1電性偏壓係包含負直流電壓之脈衝且以偏壓頻率所規定之週期呈週期性產生之脈衝波。偏壓頻率可為200 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率。脈衝波之電壓位準於週期內除負直流電壓之脈衝持續期間以外之期間內可具有0 V以上之電壓值，脈衝波亦可為例如具有正負電壓值之脈衝波。或者，脈衝波之電壓於週期內除負直流電壓之脈衝持續期間以外之期間內亦可具有較脈衝電壓之絕對值低之絕對值。再者，於週期內脈衝之電壓位準亦可在時間上產生變化，脈衝亦可為三角波、脈衝等脈衝電壓。

圖4係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第1偏壓電源、阻尼電路、第1電路及濾波器之圖。如圖2及圖4所示，電漿處理裝置1亦可進而具備阻尼電路62及濾波器64。阻尼電路62可連接在第1偏壓電源61與第1電路63之間。濾波器64可連接在第1電路63與第1電極21c之間。

如圖4所示，於一實施方式中，第1偏壓電源61具有可變直流電源61p、開關61a及開關61b。可變直流電源61p係產生負直流電壓之直流電源。可變直流電源61p所產生之直流電壓之位準可變。可變直流電源61p經由開關61a而連接於輸出61o。輸出61o經由開關61b而連接於地線。開關61a及開關61b可由下述控制部MC控制。於開關61a為導通狀態且開關61b為非導通狀態之情形時，自輸出61o輸出負直流電壓。於開關61a為非導通狀態且開關61b為導通狀態之情形時，輸出61o之電壓位準成為0 V。可藉由控制開關61a及開關61b各自之導通狀態而獲得作為第1電性偏壓之脈衝波。

阻尼電路62連接在第1偏壓電源61之輸出61o與第1電路63之間。於一實施方式中，阻尼電路62具有電阻62r及電容器62c。電阻62r之一端連接於第1偏壓電源61之輸出61o。電容器62c之一端連接於將電阻62r之另一端與第1電路63連接的電性路徑上之節點62n。電容器62c之另一端接地。

第1電路63之阻抗可以是可變的。第1電路63具有一個以上可變電路元件。一個以上可變電路元件分別具有可變元件參數。於一實施方式中，第1電路63具有第1可變電阻63r及第1可變電容器63c作為一個以上可變電路元件。第1電路63中，可變元件參數係第1可變電阻63r之電阻值與第1可變電容器63c之靜電電容。第1可變電阻63r之一端經由阻尼電路62而連接於第1偏壓電源61之輸出61o。第1可變電容器63c之一端連接於將第1可變電阻63r之另一端與第1電極21c連接的電性路徑上之節點63n。第1可變電容器63c之另一端接地。第1電路63之阻抗由控制部MC設定。藉由控制部MC設定第1電路63之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數、例如第1可變電阻63r之電阻值及第1可變電容器63c之靜電電容，藉此來控制第1電路63之阻抗。再者，第1電路63之阻抗亦可固定而非可變。即，亦可使用固定電阻來代替第1可變電阻63r，使用固定電容器來代替第1可變電容器63c。

濾波器64連接在節點63n與第1電極21c之間。濾波器64係構成為阻斷或衰減來自高頻電源57之高頻電力之電性濾波器。濾波器64例如包含連接在節點63n與第1電極21c之間之電感器。

如圖2所示，第2區域22以包圍第1區域21之方式延伸。第2區域22係大致環狀之區域。第2區域22之中心軸線與軸線AX大致一致。第2區域22以支持載置於其上(即其上表面之上)之邊緣環ER之方式構成。第2區域22與第1區域21共有介電體部20d。

於一實施方式中，第2區域22亦可利用靜電引力保持邊緣環ER。該實施方式中，第2區域22可具有一個以上電極(吸盤電極)。於圖2所示之實施方式中，第2區域22具有一對電極、即電極22a及電極22b。電極22a及電極22b於第2區域22內設置於介電體部20d之中。電極22a及電極22b構成雙極電極。電極22a及電極22b分別為膜狀電極。電極22a及電極22b亦可於鉛直方向上大致相同之高度位置處延伸。

於電極22a，經由開關72及濾波器73而連接有直流電源71。濾波器73係構成為阻斷或衰減高頻電力以及第1及第2電性偏壓之電性濾波器。於電極22b，經由開關75及濾波器76而連接有直流電源74。濾波器76係構成為阻斷或降低高頻電力以及第1及第2電性偏壓之電性濾波器。

直流電源71及直流電源74分別對電極22a及電極22b施加直流電壓，以在電極22a與電極22b之間產生電位差。再者，電極22a及電極22b各自之設定電位可為正電位、負電位及0 V中之任一種。例如，亦可將電極22a之電位設定為正電位，將電極22b之電位設定為負電位。又，關於電極22a與電極22b之間之電位差，亦可使用單一之直流電源而非兩個直流電源形成。

當電極22a與電極22b之間產生電位差時，在第2區域22與邊緣環ER之間產生靜電引力。邊緣環ER藉由產生之靜電引力而吸附於第2區域22，並由第2區域22保持。

第2區域22進而具有第2電極22c。第2電極22c係膜狀電極。第2電極22c於第2區域22內設置於介電體部20d之中。第2電極22c與第1電極21c分離。再者，電極22a及電極22b可於鉛直方向上較第2電極22c更靠近第2區域22之上表面處延伸。

電漿處理裝置1進而具備第2偏壓電源81。第2偏壓電源81經由第2電路83而電性連接於第2電極22c。第2偏壓電源81產生第2電性偏壓。第2電性偏壓被賦予至第2電極22c。於一實施方式中，第2電性偏壓係包含負直流電壓之脈衝且以偏壓頻率所規定之週期呈週期性產生之脈衝波。第2電性偏壓之偏壓頻率與第1電性偏壓之偏壓頻率相同。脈衝波之電壓位準於週期內除負直流電壓之脈衝持續期間以外之期間內可具有0 V以上之電壓值，脈衝波亦可為例如具有正負電壓值之脈衝波。或者，脈衝波之電壓於週期內除負直流電壓之脈衝持續期間以外之期間內亦可具有較脈衝電壓之絕對值低之絕對值。再者，於週期內脈衝之電壓位準亦可在時間上產生變化，脈衝亦可為三角波、脈衝等脈衝電壓。

圖5係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第2偏壓電源、阻尼電路、第2電路及濾波器之圖。如圖2及圖5所示，電漿處理裝置1亦可進而具備阻尼電路82及濾波器84。阻尼電路82可連接在第2偏壓電源81與第2電路83之間。濾波器84可連接在第2電路83與第2電極22c之間。

如圖5所示，於一實施方式中，第2偏壓電源81具有可變直流電源81p、開關81a及開關81b。可變直流電源81p係產生負直流電壓之直流電源。可變直流電源81p所產生之直流電壓之位準可變。可變直流電源81p經由開關81a而連接於輸出81o。輸出81o經由開關81b而連接於地線。開關81a及開關81b可由下述控制部MC控制。於開關81a為導通狀態且開關81b為非導通狀態之情形時，自輸出81o輸出負直流電壓。於開關81a為非導通狀態且開關81b為導通狀態之情形時，輸出81o之電壓位準成為0 V。可藉由控制開關81a及開關81b各自之導通狀態而獲得作為第2電性偏壓之脈衝波。

阻尼電路82連接在第2偏壓電源81之輸出81o與第2電路83之間。於一實施方式中，阻尼電路82具有電阻82r及電容器82c。電阻82r之一端連接於第2偏壓電源81之輸出81o。電容器82c之一端連接於將電阻82r之另一端與第2電路83連接的電性路徑上之節點82n。電容器82c之另一端接地。

第2電路83之阻抗可變。第2電路83具有一個以上可變電路元件。一個以上可變電路元件分別具有可變元件參數。於一實施方式中，第2電路83具有第2可變電阻83r及第2可變電容器83c作為一個以上可變電路元件。第2電路83中，可變元件參數係第2可變電阻83r之電阻值與第2可變電容器83c之靜電電容。第2可變電阻83r之一端經由阻尼電路82而連接於第2偏壓電源81之輸出81o。第2可變電容器83c之一端連接於將第2可變電阻83r之另一端與第2電極22c連接的電性路徑上之節點83n。第2可變電容器83c之另一端接地。第2電路83於第1電性偏壓及第2電性偏壓之共通之偏壓頻率下具有較第1電路63之阻抗高之阻抗。於一實施方式中，第1電路63之阻抗及第2電路83之阻抗係以對基板W供給之電流與對邊緣環ER供給之電流之比等於基板W之面積與邊緣環ER之面積之比的方式設定。第2電路83之阻抗由控制部MC設定。藉由控制部MC設定第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數、例如第2可變電阻83r之電阻值及第2可變電容器83c之靜電電容，藉此來控制第2電路83之阻抗。

濾波器84連接在節點83n與第2電極22c之間。濾波器84係構成為阻斷或衰減來自高頻電源57之高頻電力之電性濾波器。濾波器84例如包含連接在節點83n與第2電極22c之間之電感器。

第2區域22亦可進而具有氣體管線22g。氣體管線22g係為了向第2區域22與邊緣環ER之間之間隙供給例如He氣體之導熱氣體而設置之氣體管線。氣體管線22g連接於作為導熱氣體源之氣體供給機構86。

於一實施方式中，如圖3所示，電漿處理裝置1亦可進而具備控制部MC。控制部MC係具備處理器、記憶裝置、輸入裝置、顯示裝置等之電腦，控制電漿處理裝置1之各部。具體而言，控制部MC執行記憶裝置中所記憶之控制程式，基於該記憶裝置中記憶之製程配方資料來控制電漿處理裝置1之各部。藉由控制部MC之控制，而於電漿處理裝置1中執行製程配方資料所指定之製程。又，方法MT可藉由控制部MC對電漿處理裝置1之各部及下述檢查裝置之各部進行控制而執行。

此處，邊緣環ER因暴露於電漿中而消耗，導致其厚度減少。於邊緣環ER之厚度變得小於其初始厚度之情形時，鞘(電漿鞘)之上端在基板W之邊緣附近傾斜。因此，於邊緣環ER之厚度變得小於其初始厚度之情形時，離子相對於基板W之邊緣之入射方向相對於垂直方向傾斜。於一實施方式中，控制部MC亦可以使第2電性偏壓之設定位準對應於邊緣環ER之厚度之減少而增加之方式控制第2偏壓電源81。於第2電性偏壓為上述脈衝波之情形時，第2電性偏壓之設定位準為脈衝波中之脈衝電壓之絕對值。當第2電性偏壓之設定位準增加時，於邊緣環ER之上方，鞘之厚度增加，離子相對於基板W之邊緣之入射方向的傾斜可被修正。

再者，控制部MC可使用其記憶裝置中記憶之函數或表格特定出與邊緣環ER之厚度對應之第2電性偏壓之設定位準。邊緣環ER之厚度可光學或電性地測定，或者，亦可根據將邊緣環ER暴露於電漿中之時間來推定。

又，控制部MC亦可以使第2電路83之阻抗對應於邊緣環ER之厚度之減少而減少的方式控制第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數。藉由使第2電路83之阻抗對應於第2電性偏壓之設定位準之增加而減少，可抑制邊緣環ER之電壓波形中自基礎位準達到峰位準所需時長之增加。

於一實施方式中，控制部MC可使用其記憶裝置中記憶之函數或表格特定出與第2電性偏壓之設定位準對應之第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數。再者，與邊緣環ER之厚度對應之第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數亦可直接與邊緣環ER之厚度建立關聯。

電漿處理裝置1中，第1電極21c與基板W形成第1電容器元件。又，第2電極22c與邊緣環ER形成第2電容器元件。邊緣環ER之面積小於基板W之面積。因此，第2電容器元件之靜電電容低於第1電容器元件之靜電電容。因而，若對第1電容器元件供給之電流與對第2電容器元件供給之電流相同，則邊緣環ER之電壓波形較基板W之電壓波形更高速地變化。電漿處理裝置1中，第1電路63被提供於第1電極21c與第1偏壓電源61之間，第2電路83被提供於第2電極22c與第2偏壓電源81之間。於偏壓頻率下，第2電路83之阻抗設定為較第1電路63之阻抗高之阻抗。因此，根據電漿處理裝置1，基板W之電壓波形與邊緣環ER之電壓波形之間的差減小。

再次參照圖1對方法MT進行說明。於以下之說明中，除參照圖1以外，還參照圖6及圖7。圖6係一併表示一個例示性實施方式之檢查裝置及電漿處理裝置之圖。圖7係表示一個例示性實施方式之檢查裝置中之模擬電路之構成的圖。圖6所示之檢查裝置100用於方法MT中。檢查裝置100具備模擬電路110及波形監視器120。模擬電路110係構成為虛擬地再現腔室10內之至少電漿鞘之電路。波形監視器120以獲取基板W之電壓波形及邊緣環ER之電壓波形之方式構成。波形監視器120例如為示波器。

如圖7所示，模擬電路110具有第1檢查電路111及第2檢查電路112。於一實施方式中，模擬電路110亦可進而具有第3檢查電路113、第4檢查電路114及第5檢查電路115。

第1檢查電路111係虛擬地再現基板W上之電漿鞘之電路。第1檢查電路111具有阻抗。第1檢查電路111可構成為具有與基板W上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。於一實施方式中，第1檢查電路111具有二極體111d、電阻111a及電容器111c。二極體111d、電阻111a及電容器111c相互並聯連接。二極體111d之陽極、電阻111a之一端、及電容器111c之一端連接於模擬電路110之端子110a。二極體111d之陰極連接於電阻111b之一端。電阻111a之另一端、電容器111c之另一端、及電阻111b之另一端連接於第3檢查電路113之電阻113a之一端。電阻111a及電阻111b分別亦可為可變電阻。電容器111c亦可為可變電容器。

第2檢查電路112係虛擬地再現邊緣環ER上之電漿鞘之電路。第2檢查電路112具有阻抗。第2檢查電路112可構成為具有與邊緣環ER上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。於一實施方式中，第2檢查電路112具有二極體112d、電阻112a及電容器112c。二極體112d、電阻112a及電容器112c相互並聯連接。二極體112d之陽極、電阻112a之一端、及電容器112c之一端連接於模擬電路110之端子110b。二極體112d之陰極連接於電阻112b之一端。電阻112a之另一端、電容器112c之另一端、及電阻112b之另一端連接於第3檢查電路113之電阻113c之一端。電阻112a及電阻112b分別亦可為可變電阻。電容器112c亦可為可變電容器。

第3檢查電路113係虛擬地再現電漿之電路。第3檢查電路113具有阻抗。第3檢查電路113可構成為具有與電漿之阻抗對應之阻抗。於一實施方式中，第3檢查電路113具有電阻113a、電阻113b、電阻113c、電阻113d及電阻113e。電阻113a與電阻113b相互串聯連接。電阻113c與電阻113d相互串聯連接。電阻113e連接在以下兩節點之間，即電阻113a之另一端與電阻113b之一端之間的節點、及電阻113c之另一端與電阻113d之一端之間的節點。電阻113a、電阻113b、電阻113c、電阻113d及電阻113e分別亦可為可變電阻。

第4檢查電路114係虛擬地再現介隔電漿而在基板W上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的電路。第4檢查電路114具有阻抗。第4檢查電路114可構成為具有如下阻抗，該阻抗與介隔電漿而在基板W上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的阻抗對應。即，第4檢查電路可構成為具有與在基板W之上方電漿與上部電極30之間所產生之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。於一實施方式中，第4檢查電路114具有二極體114d、電阻114a及電容器114c。二極體114d、電阻114a及電容器114c相互並聯連接。二極體114d之陰極、電阻114a之一端、及電容器114c之一端連接於第3檢查電路113之電阻113b之另一端。二極體114d之陽極連接於電阻114b之一端。電阻114a之另一端、電容器114c之另一端、及電阻114b之另一端接地。電阻114a及電阻114b分別亦可為可變電阻。電容器114c亦可為可變電容器。

第5檢查電路115係虛擬地再現介隔電漿而在邊緣環ER上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的電路。第5檢查電路115具有阻抗。第5檢查電路115可構成為具有如下阻抗，該阻抗與介隔電漿而在邊緣環ER上之電漿鞘的上方處產生之電漿鞘的阻抗對應。第5檢查電路可構成為具有與在邊緣環ER之上方電漿與上部電極30之間所產生之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。於一實施方式中，第5檢查電路115具有二極體115d、電阻115a及電容器115c。二極體115d、電阻115a及電容器115c相互並聯連接。二極體115d之陰極、電阻115a之一端、及電容器115c之一端連接於第3檢查電路113之電阻113d之另一端。二極體115d之陽極連接於電阻115b之一端。電阻115a之另一端、電容器115c之另一端、及電阻115b之另一端接地。電阻115a及電阻115b分別亦可為可變電阻。電容器115c亦可為可變電容器。

如圖1所示，方法MT包括步驟ST1、步驟ST2、步驟ST3及步驟ST4。於步驟ST1中，將第1檢查電路111連接於基板W。即，將模擬電路110之端子110a連接於基板W。於步驟ST2中，將第2檢查電路112連接於邊緣環ER。即，將模擬電路110之端子110b連接於邊緣環ER。步驟ST1可先於步驟ST2執行，亦可於步驟ST2之後執行。或者，步驟ST1與步驟ST2亦可同時執行。

方法MT中，波形監視器120於步驟ST3被執行前連接於基板W及邊緣環ER。步驟ST3係於將第1檢查電路111連接於基板W且將第2檢查電路112連接於邊緣環ER之狀態下執行。於步驟ST3中，自第1偏壓電源61對第1電極21c賦予第1電性偏壓，自第2偏壓電源81對第2電極22c賦予第2電性偏壓。步驟ST3中對第1電極21c賦予之第1電性偏壓之設定位準及第2電性偏壓之設定位準亦可相同。再者，亦可於步驟ST3之執行過程中自高頻電源57對下部電極18賦予高頻電力。

步驟ST4係於步驟ST3之執行過程中被執行。於步驟ST4中，使用波形監視器120獲取基板W之電壓波形及邊緣環ER之電壓波形。方法MT中，藉由第1檢查電路111及第2檢查電路112虛擬地提供電漿產生過程中之腔室10內之環境。因此，根據方法MT，能夠在不產生電漿之情況下檢查對應於第1電性偏壓之基板W之電壓波形及對應於第2電性偏壓之邊緣環ER之電壓波形。

如圖1所示，方法MT亦可進而包括步驟ST5。於步驟ST5中，調整第2電路83之阻抗。具體而言，第2電路83之阻抗設定為於偏壓頻率下較第1電路63之阻抗高之阻抗。又，第2電路83之阻抗以使步驟ST4中獲取之基板W之電壓波形與邊緣環ER之電壓波形之差減小之方式被調整。於步驟ST5中，由控制部MC設定第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數、例如第2可變電阻83r之電阻值及第2可變電容器83c之靜電電容，藉此來調整第2電路83之阻抗。根據步驟ST5，能以減小對應於第1電性偏壓之基板W之電壓波形與對應於第2電性偏壓之邊緣環ER之電壓波形之間的差之方式，預先設定第2電路83之阻抗。再者，第2電性偏壓之設定位準及步驟ST5中經調整之第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數的關係可記憶於控制部MC之記憶裝置中。

方法MT亦可進而包括步驟ST6。於步驟ST6中，求出第2電性偏壓之複數個不同設定位準之各者與第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數的關係。於步驟ST6中，自第1偏壓電源61對第1電極21c賦予第1電性偏壓，自第2偏壓電源81對第2電極22c賦予第2電性偏壓。於步驟ST6中，第2電性偏壓之設定位準依序變更為複數個不同之設定位準。步驟ST6中，於將複數個不同設定位準各自之第2電性偏壓賦予至第2電極22c之狀態下，由波形監視器120獲取邊緣環ER之電壓波形。於步驟ST6中，以將針對複數個不同設定位準分別獲取之邊緣環ER之電壓波形中之延遲時長維持於基準範圍內之方式，求出該關係。例如，以延遲時長與固定時長大致相同之方式求出該關係。再者，延遲時長係邊緣環ER之電壓波形中自基礎位準達到峰位準所需之時長。於第2電性偏壓為上述脈衝波之情形時，峰位準係與負直流電壓之脈衝對應之邊緣環ER之電壓之峰位準。於第2電性偏壓為上述脈衝波之情形時，基礎位準係除負直流電壓之脈衝持續期間以外之期間內與脈衝波之電壓對應之邊緣環ER之電壓之位準。步驟ST5及步驟ST6中所求出之關係作為上述函數或表格記憶於控制部MC之記憶裝置中。再者，於步驟ST6中，亦可以將邊緣環ER之電壓波形之延遲時長維持於基準範圍內之方式，求出與複數個不同設定位準分別對應之第1電路63之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數。或者，亦可求出與複數個不同設定位準分別對應之第1電路63之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數和第2電路83之一個以上可變電路元件各自之可變元件參數兩者。

以下，參照圖8。圖8係表示另一例之模擬電路之構成之圖。圖8所示之模擬電路110可用作檢查裝置100之模擬電路。圖8所示之模擬電路110具有第1檢查電路111及第2檢查電路112，不具有第3檢查電路113、第4檢查電路114及第5檢查電路115。圖8所示之模擬電路110中，電阻111a之另一端、電容器111c之另一端、及電阻111b之另一端接地。又，圖8所示之模擬電路110中，電阻112a之另一端、電容器112c之另一端、及電阻112b之另一端接地。

圖9A、圖9B係分別表示於圖2所示之電漿處理裝置中使用圖7所示之模擬電路、圖8所示之模擬電路時之電壓波形之模擬結果的圖。圖9A及圖9B之各者中，橫軸表示時間，縱軸表示電壓。圖9A及圖9B之各者中，第2偏壓電源81之輸出電壓(第2電性偏壓)之波形、邊緣環ER之電壓波形、基板W之電壓波形分別以單點鏈線、實線、虛線示出。圖9B所示之邊緣環ER之電壓波形在正電壓側與圖9A所示之邊緣環ER之電壓波形略有不同，但在負電壓側與圖9A所示之邊緣環ER之電壓波形大致相同。因此，不具有第3檢查電路113、第4檢查電路114及第5檢查電路115之模擬電路110亦能夠充分再現邊緣環ER之電壓波形。

以下，參照圖10及圖11。圖10係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第1偏壓電源、阻尼電路、第1電路及濾波器之圖。圖11係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第2偏壓電源、阻尼電路、第2電路及濾波器之圖。如圖10所示，第1電路63亦可具有第1可變電感器63i來代替第1可變電阻63r。又，如圖11所示，第2電路83亦可具有第2可變電感器83i來代替第2可變電阻83r。再者，已示出了上述第1電路包含可變元件之例，但第1電路亦可不包含可變元件。

以下，參照圖12。圖12係概略地表示另一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。圖12所示之電漿處理裝置1B具備高頻偏壓電源作為第1偏壓電源61。電漿處理裝置1B具備高頻偏壓電源作為第2偏壓電源81。電漿處理裝置1B中，第1偏壓電源61以產生具有偏壓頻率之高頻偏壓電力作為第1電性偏壓之方式構成。偏壓頻率為200 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率，例如為400 kHz。電漿處理裝置1B中，第1偏壓電源61經由匹配器65及第1電路63而連接於第1電極21c。匹配器65具有用以使第1偏壓電源61之負載側阻抗與第1偏壓電源61之輸出阻抗匹配之匹配電路。

又，電漿處理裝置1B中，第2偏壓電源81以產生具有偏壓頻率之高頻偏壓電力作為第2電性偏壓之方式構成。第2偏壓電源81所產生之高頻偏壓電力之偏壓頻率與第1偏壓電源61所產生之高頻偏壓電力之偏壓頻率相同。又，電漿處理裝置1B中，第2偏壓電源81經由匹配器85及第2電路83而連接於第2電極22c。匹配器85具有用以使第2偏壓電源81之負載側阻抗與第2偏壓電源81之輸出阻抗匹配之匹配電路。電漿處理裝置1B中，由控制部MC控制之第2電性偏壓之設定位準為高頻偏壓電力之電力位準。再者，電漿處理裝置1B之其他構成可與電漿處理裝置1之對應之構成相同。

以下，參照圖13。圖13係概略地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。圖13所示之電漿處理裝置1C中，電極22a及電極22b被用作第2電極22c。自第2偏壓電源81之輸出延伸之電性路徑於第2電路83(或濾波器84)之後段分支成兩條分支路徑，兩條分支路徑經由阻隔電容器87a及87b而分別連接於電極22a及電極22b。電漿處理裝置1C之其他構成可與電漿處理裝置1之對應之構成相同。再者，電漿處理裝置1B中，亦可與電漿處理裝置1C相同，電極22a及電極22b用作被賦予第2電性偏壓之第2電極，亦可省略與電極22a及電極22b不同之另一第2電極22c。

以上，對各種例示性實施方式進行了說明，但並不限定於上述例示性實施方式，亦可進行各種追加、省略、替換及變更。又，可將不同實施方式中之元件組合而形成其他實施方式。

例如，於另一實施方式中，電漿處理裝置亦可為與電漿處理裝置1不同之電容耦合型電漿處理裝置。於另一實施方式中，電漿處理裝置亦可為其他類型之電漿處理裝置。其他類型之電漿處理裝置可為感應耦合型電漿處理裝置、電子回旋共振(ECR)電漿處理裝置、或利用微波等表面波產生電漿之電漿處理裝置。

又，第1電極21c及第2電極22c亦可不設置於靜電吸盤20之介電體部20d之中。第1電極21c及第2電極22c亦可分別設置於靜電吸盤20與下部電極18之間所設置之另一介電體部之中。

又，模擬電路110亦可具有第1檢查電路111、第2檢查電路112及第3檢查電路113，而不具有第4檢查電路114及第5檢查電路115。於該情形時，電阻113b之另一端及電阻113d之另一端接地。

根據以上說明，本發明之各種實施方式按照說明之目的於本說明書中進行了說明，應理解可在不脫離本發明之範圍及主旨的情況下進行各種變更。因此，本說明書所揭示之各種實施方式並非意圖進行限定，真正之範圍及主旨由隨附之申請專利範圍表示。

1:電漿處理裝置 1B:電漿處理裝置 1C:電漿處理裝置 10:腔室 10s:內部空間 12:腔室本體 12g:閘閥 12p:通路 16:基板支持器 17:支持部 18:下部電極 18f:流路 20:靜電吸盤 20d:介電體部 21:第1區域 21a:電極 21c:第1電極 22:第2區域 22a:電極 22b:電極 22c:第2電極 22g:氣體管線 23a:配管 23b:配管 25:氣體管線 28:外周部 29:外周部 30:上部電極 32:構件 34:頂板 34a:氣體噴出孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣孔 36c:氣體導入埠 40:氣體源群 41:閥群 42:流量控制器群 43:閥群 48:隔板 50:排氣裝置 52:排氣管 55:直流電源 56:開關 57:高頻電源 58:匹配器 61:第1偏壓電源 61a:開關 61b:開關 61o:輸出 61p:可變直流電源 62:阻尼電路 62c:電容器 62n:節點 62r:電阻 63:第1電路 63c:第1可變電容器 63i:第1可變電感器 63n:節點 63r:第1可變電阻 64:濾波器 65:匹配器 71:直流電源 72:開關 73:濾波器 74:直流電源 75:開關 76:濾波器 81:第2偏壓電源 81a:開關 81b:開關 81o:輸出 81p:可變直流電源 82:阻尼電路 82c:電容器 82n:節點 82r:電阻 83:第2電路 83c:第2可變電容器 83i:第2可變電感器 83n:節點 83r:第2可變電阻 84:濾波器 85:匹配器 86:氣體供給機構 87a:阻隔電容器 87b:阻隔電容器 100:檢查裝置 110:模擬電路 110a:端子 110b:端子 111:第1檢查電路 111a:電阻 111b電阻 111c電容器 111d:二極體 112:第2檢查電路 112a:電阻 112b:電阻 112c:電容器 112d:二極體 113:第3檢查電路 113a:電阻 113b:電阻 113c:電阻 113d:電阻 113e:電阻 114:第4檢查電路 114a:電阻 114b:電阻 114c:電容器 114d:二極體 115:第5檢查電路 115a:電阻 115b:電阻 115c:電容器 115d:二極體 120:波形監視器 AX:軸線 ER:邊緣環 MC:控制部 MT:方法 W:基板

圖1係表示一個例示性實施方式之檢查方法之流程圖。圖2係概略地表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。圖3係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置之腔室內之構成的圖。圖4係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第1偏壓電源、阻尼電路、第1電路及濾波器之圖。圖5係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第2偏壓電源、阻尼電路、第2電路及濾波器之圖。圖6係一併表示一個例示性實施方式之檢查裝置及電漿處理裝置之圖。圖7係表示一個例示性實施方式之檢查裝置中之模擬電路之構成之圖。圖8係表示另一例之模擬電路之構成之圖。圖9A、圖9B係分別表示於圖2所示之電漿處理裝置中使用圖7所示之模擬電路、圖8所示之模擬電路時之電壓波形之模擬結果的圖。圖10係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第1偏壓電源、阻尼電路、第1電路及濾波器之圖。圖11係表示一個例示性實施方式之電漿處理裝置中之第2偏壓電源、阻尼電路、第2電路及濾波器之圖。圖12係概略地表示另一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。圖13係概略地表示又一例示性實施方式之電漿處理裝置之圖。

MT:方法

Claims

一種檢查方法，其包括如下步驟：將第1檢查電路連接於電漿處理裝置之基板支持器之第1區域上所載置之基板，該第1檢查電路具有阻抗；將第2檢查電路連接於上述基板支持器之第2區域上所載置之邊緣環，該第2檢查電路具有阻抗；於上述第1檢查電路連接於上述基板且上述第2檢查電路連接於上述邊緣環之狀態下，自第1偏壓電源及第2偏壓電源分別對上述第1區域內之第1電極及上述第2區域內之第2電極賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓，該第1電性偏壓及該第2電性偏壓具有共通之偏壓頻率；及在賦予第1電性偏壓及第2電性偏壓之上述步驟之執行過程中，使用波形監視器獲取上述基板之電壓波形及上述邊緣環之電壓波形。
如請求項1之檢查方法，其中上述第1偏壓電源經由第1電路而與上述第1電極連接，上述第2偏壓電源經由具有一個以上可變電路元件之第2電路而與上述第2電極連接，該檢查方法進而包括調整上述第2電路之阻抗之步驟，上述第2電路之上述阻抗係藉由如下而調整：於上述偏壓頻率下，上述第2電路之阻抗高於上述第1電路之阻抗，且以使上述基板之上述電壓波形與上述邊緣環之上述電壓波形的差減小之方式調整上述一個以上可變電路元件各自之可變元件參數。
如請求項2之檢查方法，其進而包括下述步驟，即，求出上述第2電性偏壓之複數個不同設定位準之各者與上述一個以上可變電路元件各自之可變元件參數之關係，且以如下方式求出上述關係：藉由將上述第1電性偏壓賦予至上述第1電極，將具有上述複數個不同設定位準之各者之上述第2電性偏壓賦予至上述第2電極，而將針對該複數個不同設定位準分別獲取之上述邊緣環之電壓波形中自基礎位準達到峰位準之時長維持於基準範圍內。
如請求項2或3之檢查方法，其中上述第1電路具有：第1電阻，其連接在上述第1電極與上述第1偏壓電源之間；及第1電容器，其連接在將上述第1電阻與上述第1電極連接的電性路徑上之節點與地線之間；上述第2電路具有：第2電阻，其連接在上述第2電極與上述第2偏壓電源之間；及第2電容器，其連接在將上述第2電阻與上述第2電極連接的電性路徑上之節點與地線之間；上述一個以上可變電路元件包含上述第2電阻及上述第2電容器中之至少一個。
如請求項2或3之檢查方法，其中上述第1電路具有：第1電感器，其連接在上述第1電極與上述第1偏壓電源之間；及第1電容器，其連接在將上述第1電感器與上述第1電極連接的電性路徑上之節點與地線之間；上述第2電路具有：第2電感器，其連接在上述第2電極與上述第2偏壓電源之間；及第2電容器，其連接在將上述第2電感器與上述第2電極連接的電性路徑上之節點與地線之間；上述一個以上可變電路元件包含上述第2電感器及上述第2電容器中之至少一個。
如請求項1至5中任一項之檢查方法，其中上述第1檢查電路具有與上述基板上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗，上述第2檢查電路具有與上述邊緣環上之電漿鞘之阻抗對應之阻抗。
如請求項1至6中任一項之檢查方法，其中上述第1檢查電路及上述第2檢查電路分別包含相互並聯連接之二極體、電阻及電容器。
如請求項1至7中任一項之檢查方法，其中獲取上述基板之電壓波形及上述邊緣環之電壓波形的上述步驟係於如下狀態下執行，即，具有阻抗之第3檢查電路經由上述第1檢查電路而連接於上述基板，且經由上述第2檢查電路而連接於上述邊緣環。
如請求項8之檢查方法，其中上述第3檢查電路具有與電漿之阻抗對應之阻抗。
如請求項8或9之檢查方法，其中獲取上述基板之電壓波形及上述邊緣環之電壓波形之上述步驟係於如下狀態下執行，即，具有阻抗之第4檢查電路經由上述第3檢查電路及上述第1檢查電路而連接於上述基板，具有阻抗之第5檢查電路經由上述第3檢查電路及上述第2檢查電路而連接於上述邊緣環。
如請求項10之檢查方法，其中上述第4檢查電路具有如下阻抗，該阻抗與介隔上述電漿而在上述基板上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的阻抗對應，上述第5檢查電路具有如下阻抗，該阻抗與介隔上述電漿而在上述邊緣環上之電漿鞘的上方處所產生之電漿鞘的阻抗對應。
如請求項1至11中任一項之檢查方法，其中上述第1電性偏壓及上述第2電性偏壓分別為包含負電壓之脈衝且以上述偏壓頻率所規定之週期呈週期性產生之脈衝波。
如請求項12之檢查方法，其中上述負電壓之脈衝係負直流電壓之脈衝。
如請求項1至11中任一項之檢查方法，其中上述第1電性偏壓及上述第2電性偏壓分別為具有上述偏壓頻率之高頻電力。
一種檢查裝置，其具備：第1檢查電路，其構成為能夠連接於電漿處理裝置之基板支持器之第1區域上所載置之基板，且具有阻抗；第2檢查電路，其構成為能夠連接於上述基板支持器之第2區域上所載置之邊緣環，且具有阻抗；及波形監視器，其構成為於具有共通之偏壓頻率之第1電性偏壓及第2電性偏壓分別被賦予至上述第1區域內之第1電極及上述第2區域內之第2電極的狀態下，獲取上述基板之電壓波形及上述邊緣環之電壓波形。
一種電漿處理裝置，其具備：基板支持器、及檢查裝置；上述檢查裝置包含：第1檢查電路，其構成為能夠連接於上述基板支持器之第1區域上所載置之基板，且具有阻抗；第2檢查電路，其構成為能夠連接於上述基板支持器之第2區域上所載置之邊緣環，且具有阻抗；及波形監視器，其構成為於具有共通之偏壓頻率之第1電性偏壓及第2電性偏壓分別被賦予至上述第1區域內之第1電極及上述第2區域內之第2電極的狀態下，獲取上述基板之電壓波形及上述邊緣環之電壓波形。